JP2016525926A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 式ＰｔＸＹ（式中、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｏ、及びＣｒからなる群から選択され、Ｙは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｖ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｒ、及びＴｉからなる群から選択される）の脱合金化されている触媒であって、Ｘ線光電子分光法から決定される脱合金化されている触媒の表面のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成が、脱合金化されている触媒のバルク中のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成より２０〜９９％低いことを特徴とする脱合金化されている触媒。
2. Ｘが、Ｎｉ又はＣｏである、請求項１に記載の脱合金化されている触媒。
3. Ｘが、Ｎｉである、請求項２に記載の脱合金化されている触媒。
4. Ｙが、Ｚｎ、Ａｌ、Ｖ、又はＴｉである、請求項１から３の何れか一項に記載の脱合金化されている触媒。
5. Ｙが、Ｚｎである、請求項４に記載の脱合金化されている触媒。
6. バルク中のＸ及びＹの合計原子百分率が、２０から７０原子パーセントである、請求項１から５の何れか一項に記載の脱合金化されている触媒。
7. バルク中のＸ及びＹの合計原子百分率が、３０から５５原子パーセントである、請求項６に記載の脱合金化されている触媒。
8. 表面のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成が、脱合金化されている触媒のバルク中のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成より４５〜７５％低い、請求項１から７の何れか一項に記載の脱合金化されている触媒。
9. 式ＰｔＸＹ（式中、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｏ、及びＣｒからなる群から選択され、Ｙは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｖ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｒ、及びＴｉからなる群から選択される）の脱合金化されている触媒であって、Ｘ線光電子分光法から決定される脱合金化されている触媒の表面のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成が、脱合金化されている触媒のバルク中のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成より２０〜９９％低く、
   （ｉ）式ＰｔＸＹの触媒合金前駆体を調製する工程と、
   （ｉｉ）触媒合金前駆体を、Ｘ及び／又はＹの一部を触媒合金前駆体から浸出して脱合金化されている触媒を提供するのに十分な条件にかける工程と
   を含む方法により得られることを特徴とする脱合金化されている触媒。
10. 請求項１から９の何れか一項に記載の脱合金化されている触媒を含む触媒層。
11. ガス拡散層及び請求項１０に記載の触媒層を含む、ガス拡散電極。
12. プロトン伝導性膜及び請求項１０に記載の触媒層を含む、触媒作用膜。
13. 転写基材及び請求項１０に記載の触媒層を含む、触媒作用転写基材。
14. 請求項１から９の何れか一項に記載の脱合金化されている触媒、請求項１０に記載の触媒層、請求項１１に記載のガス拡散電極、又は請求項１２に記載の触媒膜を含む膜電極接合体。
15. 式ＰｔＸＹ（式中、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｏ、及びＣｒからなる群から選択され、Ｙは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｖ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｒ、及びＴｉからなる群から選択される）の脱合金化されている触媒を調製するための方法であって、Ｘ線光電子分光法から決定される脱合金化されている触媒の表面のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成が、脱合金化されている触媒のバルク中のＸ及びＹのＰｔに対する合計原子組成より２０〜９９％低く、
    （ｉ）式ＰｔＸＹの触媒合金前駆体を調製する工程であって、触媒合金前駆体中のＸ及びＹの合計原子百分率が少なくとも５０原子パーセントである工程と、
    （ｉｉ）触媒合金前駆体を、Ｘ及び／又はＹの一部を触媒合金前駆体から浸出して脱合金化されている触媒を提供するのに十分な条件にかける工程と
    を含むことを特徴とする方法。