JP2016524312A - 超薄型有機発光素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 42
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 19
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 8
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 or ITO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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Abstract
本発明は、超薄型有機発光素子の製造方法に係り、より詳しくは、光取り出し効率の向上は勿論のこと、厚さを画期的に低減することができる超薄型有機発光素子の製造方法に関する。このために、本発明は、支持体上に高分子物質をコートする高分子物質コーティングステップと、前記高分子物質上にフリット・ペーストをコートするフリット・コーティングステップと、前記高分子物質が分解する温度にて熱処理を施して、前記支持体と、前記フリット・ペーストを熱処理してなるフリット基板とを分離させる熱処理および分離ステップ、および前記高分子物質と接触していた前記フリット基板の一方の面に第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層を順次形成する素子層形成ステップと、を含むことを特徴とする超薄型有機発光素子の製造方法を提供する。
Description
本発明は、超薄型有機発光素子の製造方法に係り、より詳しくは、光取り出し効率の向上は勿論のこと、厚さを画期的に低減することができる超薄型有機発光素子の製造方法に関する。
一般に、発光装置は、有機物を用いて発光層を形成する有機発光装置と無機物を用いて発光層を形成する無機発光装置とに大別することができる。このうち、有機発光装置を構成する有機発光素子は、電子注入電極（カソード）から注入された電子と正孔注入電極（アノード）から注入された正孔とが有機発光層で結合してエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）を形成し、該エキシトンがエネルギーを放出しながら発光する自己発光型素子であって、低電力での駆動、自己発光、広い視野角、高い解像度や自然色の実現、速い応答速度などの長所を有している。
近年、この種の有機発光素子を携帯用情報機器、カメラ、時計、事務用機器、自動車などの情報表示ウィンドウ、テレビ、ディスプレイ、または照明用などに適用するための研究が活発に進められている。
上述したような有機発光素子の発光効率を向上するための手法としては、発光層を構成する材料の発光効率を向上する、または発光層から発された光を外部へ取り出す効率を向上する手法がある。
このとき、光取り出し効率は、有機発光素子を構成する各層の屈折率によって左右される。一般的な有機発光素子の場合、発光層から発せられる光が臨界角以上の角度で出射するとき、アノードである透明電極層のように屈折率の高い層と基板ガラスのように屈折率の低い層との間の界面で全反射が生じることで光取り出し効率が低くなり、その結果、有機発光素子の全体的な発光効率が低減するという不具合があった。
これについて詳述すると、有機発光素子では、発光量の２０％しか外部に取り出されず、８０％程度の光は基板ガラスとアノードおよび正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む有機発光層の屈折率の差による導波管（ｗａｖｅ ｇｕｉｄｉｎｇ）効果と基板ガラスと空気との屈折率の差による全反射効果により消失される。すなわち、内部有機発光層の屈折率は１．７〜１．８で、アノードにおいて一般に用いられるＩＴＯの屈折率は約１．９である。このとき、両層の厚さは略２００〜４００ｎｍと極めて薄く、且つ基板ガラスの屈折率が１．５であるため、有機発光素子中には平面導波路が自然に形成される。計算によれば、前記した原因による内部導波モードで消失される光の比率は約４５％に達する。そして、基板ガラスの屈折率は約１．５で、外部空気の屈折率は１．０であるため、基板ガラスから外部へと光が取り出されるとき、臨界角以上の角度で入射する光は全反射して基板ガラスの内部に閉じ込められ、このように閉じ込められた光の比率は約３５％に達することから、発光量の２０％程度の僅かしか外部へ取り出されない。
一方、有機発光素子はＬＥＤなどの他の発光素子よりも薄型であるため、大きな関心を集めている。すなわち、有機発光素子は自己発光することでバックライトユニット（ＢＬＵ）などといった追加的な構成要素を不要とし、その結果、完成品の厚さを数ｍｍ水準に抑えられるという長所を持っている。しかしながら、有機発光素子の厚さをさらに低減したいという要望に対し、有機発光素子の基板ガラスや封止ガラスの厚さを低減するのに限界があるため、現在の構成や工程の下では有機発光素子の厚さをさらに薄くすることは不可能であるという不具合があった。すなわち、現在の有機発光素子の作製時の基板ガラスの最小厚さは０．１ｍｍであり、これを利用して有機発光素子を作製した場合、有機発光素子の厚さはそれ以上にならざるを得なくなる。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、光取り出し効率の向上は勿論のこと、厚さを画期的に低減することができる超薄型有機発光素子の製造方法を提供することである。
このために、本発明は、支持体上に高分子物質をコートする高分子物質コーティングステップと、前記高分子物質上にフリット・ペーストをコートするフリット・コーティングステップと、前記高分子物質が分解する温度にて熱処理を施して、前記支持体と、前記フリット・ペーストを熱処理してなるフリット基板とを分離させる熱処理および分離ステップ、および前記高分子物質と接触していた前記フリット基板の一方の面に第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層を順次形成する素子層形成ステップと、を含むことを特徴とする超薄型有機発光素子の製造方法を提供する。
ここで、前記フリット・コーティングステップでは、前記フリット基板が４〜５μｍの厚さを有するように前記フリット・ペーストをコートしていてよい。
また、前記高分子物質コーティングステップでは、前記高分子物質としてＰＤＭＳ、ＰＲ（フォトレジスト）、およびポリイミドからなる高分子物質の候補群より選ばれたいずれか一種を用いていてよい。
そして、前記熱処理および分離ステップでは、４００〜６００℃で熱処理を施していてよい。
さらに、前記熱処理および分離ステップにて前記支持体と前記フリット基板とを分離させると、前記フリット基板の他方の面は前記素子層が形成される前記フリット基板の一方の面よりも高い表面粗さを有していてよい。
このとき、前記フリット基板の一方の面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４〜０．５ｎｍであってよい。
さらに、前記フリット基板と前記素子層の厚さの和が１０μｍ以下であってよい。
一方、本発明は、支持体上に高分子物質をコートする高分子物質コーティングステップと、前記高分子物質上に光散乱粒子を含有した金属酸化物をコートする金属酸化物コーティングステップと、前記金属酸化物上にフリット・ペーストをコートするフリット・コーティングステップと、前記高分子物質が分解する温度にて熱処理を施して、前記支持体と、前記フリット・ペーストを熱処理してなるフリット基板、および前記金属酸化物からなる積層体とを分離させる熱処理および分離ステップ、および前記高分子物質と接触していた前記金属酸化物の一方の面に第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層を順次形成する素子層形成ステップと、を含むことを特徴とする超薄型有機発光素子の製造方法を提供する。
ここで、前記金属酸化物コーティングステップおよび前記フリット・コーティングステップでは前記積層体が５〜２０μｍの厚さを有するように前記金属酸化物および前記フリット・ペーストをコートしていてよい。
また、前記高分子物質コーティングステップでは、前記高分子物質としてＰＤＭＳ、ＰＲ（フォトレジスト）、およびポリイミドからなる高分子物質の候補群より選ばれたいずれか一種を用いていてよい。
そして、前記熱処理および分離ステップでは、４００〜６００℃で熱処理を施していてよい。
さらに、前記熱処理および分離ステップにて前記支持体と前記積層体とを分離させると、前記金属酸化物の他方の面は前記素子層が形成される前記金属酸化物の一方の面よりも高い表面粗さを有していてよい。
また、前記金属酸化物一面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４〜０．５ｎｍであってよい。
本発明によれば、高温で分解し且つコーティングの際に高平坦面の表面が実現される高分子の特性を用いて、支持体上に高分子物質をコートしてから該高分子物質上に目標とする厚さでフリットをコートした後、高分子が分解する温度にて焼成することで、支持体と、硬化したフリット、すなわち、フリット基板を分離させることにより、従来の基板ガラスに代えられる超薄型フリット基板を得ることができ、このとき、高分子物質と接触していたフリット基板の一方の面は高分子物質の特性により、高平坦度が要求される透明電極と接触できるように高平坦面をなすことから別途の平坦層を不要とし、他方の面は相対的に高い表面粗さを有することから別途の外部光取り出し層を不要とし、また、フリット基板が透明電極と同一または類似の高屈折率を有することにより、内部光取り出し層もまた省略可能である。すなわち、本発明によれば、フリット基板それ自体が有機発光素子の基板ガラス、内部・外部光取り出し層としての役割をすることができ、その結果、有機発光素子の厚さを最小化、すなわち、従来の厚さに対して略１／１０の超薄型有機発光素子を製造できることは勿論のこと、光取り出し効率もまた向上することができる。
また、本発明によれば、フリット・コーティングの前に、高分子物質上に光散乱粒子を含有した金属酸化物をコートすることにより、支持体の分離時に透明電極と接触する面が高平坦面をなす内部光取り出し層およびフリット基板の積層体を得ることができ、その結果、光取り出し効率をより一層向上することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法について詳細に説明する。
なお、本発明を説明するにあたって、関連した公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することにする。
図１に示すように、本発明の一実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法は、高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）、フリット・コーティングステップ（Ｓ２）、熱処理および分離ステップ（Ｓ３）、および素子層形成ステップ（Ｓ４）を含む。
先ず、図２に示すように、高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）は、支持体１０上に高分子物質２０をコートするステップである。高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）では、高分子物質２０としてＰＤＭＳ（ｐｏｌｙ ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）、ＰＲ（フォトレジスト）、およびポリイミドを含む高分子物質の候補群より選ばれたいずれか一種を用いていてよい。ここで、このような高分子物質２０は、高温で分解する特性を有する。また、図７中のＡＦＭ写真に見られるように、高分子物質２０がＰＤＭＳである場合、コーティングの際に最大表面粗さ（Ｒｐｖ）４．３３ｎｍ、平均表面粗さ（Ｒｍｓ）０．４２ｎｍの高平坦面の表面を形成する。本発明の一実施例では、このような高分子物質２０の特性を用いて、後続工程にて形成されるフリット基板（図５の１１０）の表面を高分子物質２０と同じ高平坦面に形成し、これについては後述することにする。
一方、高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）では、ガラスやウエハなどのような基板を高分子物質２０がコートされる支持体１０として用いることができる。
次いで、図３に示すように、フリット・コーティングステップ（Ｓ２）は、コートされた高分子物質２０上にフリット・ペースト３０をコートするステップである。ここで、フリット・ペースト３０は、有機バインダーが添加されている有機溶媒にフリット粉末を混合して調製することができる。このように高分子物質２０上にコートされたフリット・ペースト３０は、後続の熱処理工程の際に焼成され、フリット基板（図５の１１０）を構成するようになる。このとき、このようなフリット基板（図５の１１０）は、従来の略１００μｍの厚さで形成される基板ガラスに代わるものであり、本発明の実施例では、このようなフリット基板（図５の１１０）をフリット・ペースト３０コーティング方法にて形成するため、数μｍ程度の厚さで形成することができ、究極的に超薄型有機発光素子（図６の１００）を製造することができる。そのため、フリット・コーティングステップ（Ｓ２）では、焼成にて形成されるフリット基板（図５の１１０）の厚さが４〜５μｍになるように、熱処理の際に収縮率を考慮してフリット・ペースト３０をコートすることが好ましい。
次いで、図４および図５に示すように、熱処理および分離ステップ（Ｓ３）は、高分子物質２０を分解させるために熱処理を施し、それにより支持体１０と、フリット・ペースト３０を熱処理してなるフリット基板１１０とを分離させるステップである。熱処理および分離ステップ（Ｓ３）では、高分子物質（２０）が分解する温度にて熱処理を施し、例えば、４００〜６００℃で熱処理を施してもよい。
このように、高分子物質２０が分解する温度にて熱処理を施すと、高分子物質２０は分解して無くなり、その結果、支持体１０とフリット基板１１０とは自然に分離する。ここで、高分子物質２０はコーティングの際に高平坦面の表面を形成するため、該高分子物質２０の高平坦面と接触していたフリット・ペースト３０の一方の面、すなわち、熱処理後に形成されたフリット基板１１０の一方の面もまた、高平坦面をなすようになり、別途の平坦層を有さずにも高平坦度が要求される素子層（図６の１２０）の第１電極（図６の１２１）との接触が可能になる。すなわち、フリット基板１１０の一方の面が高平坦面に形成されることにより、これをベース基板として素子層（図６の１２０）を蒸着することが可能になる。ここで、高分子物質２０と接触していたフリット基板１１０の一方の面の表面粗さ（ｒｍｓ）は、高分子物質２０の表面粗さと類似または同一の０．４〜０．５ｎｍを有するようになる。また、フリット基板１１０は、透明電極である第１電極（図６の１２１）と同一または類似の屈折率を有することにより、従来形成されていた内部光取り出し層を省略することができる。
一方、フリット基板１１０の他方の面は、フリット基板１１０の一方の面より相対的に高い表面粗さを有するようになる。このとき、フリット基板１１０の一方の面は素子層（図６の１２０）に接し、フリット基板１１０の他方の面は外部に露出し、また、外部に露出する面の表面粗さが高いと、すなわち、外部に露出する面に反りあるいは凹凸が形成されていると、従来光取り出し効率の向上のために基板ガラスの外表面に形成していたレンズ アレイと同じ構造になり、有機発光素子（図６の１００）の光取り出し効率の向上に寄与するようになる。
このように、高分子物質２０の熱分解特性や平坦化特性を用いて形成されたフリット基板１１０は、それ自体が有機発光素子（図６の１００）の基板ガラス、内部光取り出し層および外部光取り出し層としての役割をするようになるため、有機発光素子（図６の１００）を従来の厚さに対して略１／１０程度の厚さを有する超薄型で形成可能になる。
次いで、図６に示すように、素子層形成ステップ（Ｓ４）は、高分子物質２０との接触面をなして高平坦面をなすフリット基板１１０の一方の面に素子層１２０を形成するステップである。素子層形成ステップ（Ｓ４）では、フリット基板１１０の一方の面に、素子層１２０を構成する第１電極１２１、有機発光層１２２、および第２電極１２３を順に形成する。ここで、第１電極１２１は、有機発光素子１００のアノードとして作用する。このような第１電極１２１は正孔注入が生じやすいように仕事関数の大きい金属、例えば、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、またはＩＴＯのような金属、または金属酸化物からなるものであってよい。また、有機発光層１２２は、第１電極１２１上に順次積層される正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を含んでなるものであってよい。このとき、本発明の実施例に従って製造される有機発光素子１００はタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造からなり、この場合、複数の有機発光層１３０が備えられ、連結層（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を介して交互に配置されていてよい。そして、第２電極１２３は、電子注入が生じやすいように仕事関数の小さいＡｌ、Ａｌ：ＬｉまたはＭｇ：Ａｇの金属薄膜からなるものであってよい。このように形成される素子層１２０は、４μｍ以下の厚さを有していてよい。
一方、素子層形成ステップ（Ｓ４）の完了後、素子層１２０を外部環境から保護するために、素子層１２０上にフリット基板１１０と対向するように封止ガラス（図示せず）を配置した後、フリット基板１１０と封止ガラス（図示せず）の縁部をエポキシにてシール処理していてよい。
前記のような工程により有機発光素子１００を、従来のものに対して１／１０程度の厚さを有する超薄型で形成することができる。すなわち、素子層１２０の厚さは固定された状態で、本発明の実施例では、厚さの低減に限界のある従来の基板ガラスに代えて、コーティングを通じて厚さの調節が可能なフリットを用いてフリット基板１１０を薄く形成すると共に、フリット基板１１０自体が内部・外部光取り出し層の役割をするため、従来のように基板ガラスの表裏面に別途の内部・外部光取り出し層を形成する必要がなくなり、有機発光素子１００の全体的な厚さを従来よりも大幅に低減することができ、且つ、優れた光取り出し効率をも実現可能になる。
以下、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法について、図８乃至図１１を参照して説明することにする。
図８は、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法を示すフローチャートであり、図９乃至図１１は、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法を工程順に示す工程模式図である。
図８に示すように、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法は、高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）、金属酸化物コーティングステップ（Ｓ２）、フリット・コーティングステップ（Ｓ３）、熱処理および分離ステップ（Ｓ４）、および素子層形成ステップ（Ｓ５）を含む。
先ず、図９に示すように、高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）は、支持体１０上に高分子物質２０をコートするステップであって、本発明の一実施例に係る高分子物質コーティングステップ（Ｓ１）と同じ工程であるから、これについての詳細な説明は省略する。
次いで、金属酸化物コーティングステップ（Ｓ２）は、コートされた高分子物質２０上に光散乱粒子２３１を含有した金属酸化物２３０をコートするステップである。金属酸化物コーティングステップ（Ｓ２）では、金属酸化物２３０と屈折率が異なる物質からなる光散乱粒子２３１を金属酸化物２３０に混合した後、これを高分子物質２０上にコートする。例えば、光散乱粒子２３１としてＳｉＯ２を用いていてよく、金属酸化物２３０としてはＴｉＯ２を用いていてよい。このように、光散乱粒子２３１を含有した金属酸化物２３０は、有機発光素子（図１１の２００）の内部光取り出し層を構成し、光導波モードで消失する光を散乱、すなわち、光導波モードをかく乱させて光取り出し効率を向上する役割をする。
次いで、フリット・コーティングステップ（Ｓ３）は、金属酸化物２３０上にフリット・ペースト３０をコートするステップであって、本発明の一実施例に係るフリット・コーティングステップ（Ｓ３）に比較してコーティング対象物のみに差異があるだけで同一の工程であるから、これについての詳細な説明は省略する。
このとき、金属酸化物コーティングステップ（Ｓ２）とフリット・コーティングステップ（Ｓ３）では、後続工程を通じて形成されるフリット基板（図１０の１１０）と金属酸化物２３０とからなる積層体が５〜２０μｍの厚さを有するように、熱処理の際に収縮率を考慮してフリット・ペースト３０と金属酸化物２３０のコーティング厚さを制御することが好ましい。
次いで、図１０に示すように、熱処理および分離ステップ（Ｓ４）は、高分子物質２０が分解する温度にて熱処理を施して、フリット・ペースト３０を熱処理してなる硬化したフリット基板１１０と金属酸化物２３０とからなる積層体と支持体１０とを分離させるステップである。熱処理および分離ステップ（Ｓ４）では、４００〜６００℃で熱処理を施してもよい。
このように、高分子物質２０が分解する温度にて熱処理を施すと、高分子物質２０は分解して無くなり、それにより、フリット基板１１０と金属酸化物２３０とからなる積層体と支持体１０とが自然に分離する。ここで、高分子物質２０はコーティングの際に高平坦面の表面を形成するため、該高分子物質２０の高平坦面と接触していた積層体の一方の面、すなわち、金属酸化物２３０の表面もまた、高平坦面をなすようになる。すなわち、金属酸化物２３０の表面粗さ（ｒｍｓ）は、高分子物質２０の表面粗さと類似または同一の０．４〜０．５ｎｍを有するようになる。
一方、積層体の他方の面、すなわち、フリット基板１１０の表面は、金属酸化物２３０の表面よりも相対的に高い表面を有するようになる。
次いで、図１１に示すように、素子層形成ステップ（Ｓ５）は、高分子物質２０との接触面をなして高平坦面をなす積層体の一方の面である金属酸化物２３０の表面に素子層１２０を形成するステップである。ここで、素子層形成ステップ（Ｓ５）は、本発明の一実施例に係る素子層形成ステップ（Ｓ５）と同一のものであるため、これについての詳細な説明は省略する。
上述したように、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法は、有機発光素子２００の内部光取り出し層を構成する金属酸化物２３０の形成工程を含む。それにより、本発明の他の実施例に係る超薄型有機発光素子の製造方法にて製造された有機発光素子１００は、本発明の一実施例に従って製造された有機発光素子（図６の１００）よりも相対的に厚くなるものの、従来の有機発光素子よりは超薄型となり、内部に光散乱粒子２３１が分布している金属酸化物２３０からなる内部光取り出し層が有機発光層１２２に隣接して配置されることにより、光取り出し効率をより一層倍加することができる。
以上のように、本発明を限定された実施例や図面に基づいて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲や特許請求の範囲と均等なものなどによって決められるべきである。
Claims (17)
- 支持体上に高分子物質をコートする高分子物質コーティングステップと、
前記高分子物質上にフリット・ペーストをコートするフリット・コーティングステップと、
前記高分子物質が分解する温度にて熱処理を施して、前記支持体と、前記フリット・ペーストを熱処理してなるフリット基板とを分離させる熱処理および分離ステップ、および
前記高分子物質と接触していた前記フリット基板の一方の面に第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層を順次形成する素子層形成ステップと、
を含むことを特徴とする超薄型有機発光素子の製造方法。 - 前記フリット・コーティングステップでは、前記フリット基板が４〜５μｍの厚さを有するように前記フリット・ペーストをコートすることを特徴とする請求項１に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記高分子物質コーティングステップでは、前記高分子物質としてＰＤＭＳ、フォトレジスト、およびポリイミドからなる高分子物質の候補群より選ばれたいずれか一種を用いることを特徴とする請求項１に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記熱処理および分離ステップでは、４００〜６００℃で熱処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記熱処理および分離ステップにて前記支持体と前記フリット基板とを分離させると、前記フリット基板の他方の面は前記素子層が形成される前記フリット基板の一方の面よりも高い表面粗さを有することを特徴とする請求項１に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記フリット基板の一方の面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４〜０．５ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記フリット基板と前記素子層の厚さの和が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 支持体上に高分子物質をコートする高分子物質コーティングステップと、
前記高分子物質上に光散乱粒子を含有した金属酸化物をコートする金属酸化物コーティングステップと、
前記金属酸化物上にフリット・ペーストをコートするフリット・コーティングステップと、
前記高分子物質が分解する温度にて熱処理を施して、前記支持体と、前記フリット・ペーストを熱処理してなるフリット基板、および前記金属酸化物からなる積層体とを分離させる熱処理および分離ステップ、および
前記高分子物質と接触していた前記金属酸化物の一方の面に第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層を順次形成する素子層形成ステップと、
を含むことを特徴とする超薄型有機発光素子の製造方法。 - 前記金属酸化物コーティングステップおよび前記フリット・コーティングステップでは前記積層体が５〜２０μｍの厚さを有するように前記金属酸化物および前記フリット・ペーストをコートすることを特徴とする請求項８に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記高分子物質コーティングステップでは、前記高分子物質としてＰＤＭＳ、フォトレジスト、およびポリイミドからなる高分子物質の候補群より選ばれたいずれか一種を用いることを特徴とする請求項８に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記熱処理および分離ステップでは、４００〜６００℃で熱処理を施すことを特徴とする請求項８に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記熱処理および分離ステップにて前記支持体と前記積層体とを分離させると、前記金属酸化物の他方の面は前記素子層が形成される前記金属酸化物の一方の面よりも高い表面粗さを有することを特徴とする請求項８に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- 前記金属酸化物一面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４〜０．５ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の超薄型有機発光素子の製造方法。
- フリット基板、および
前記フリット基板上に順次形成される第１電極、有機発光層、および第２電極を含む素子層、
を含み、
厚さが１０μｍ以下であることを特徴とする超薄型有機発光素子。 - 前記フリット基板の厚さは４〜５μｍであることを特徴とする請求項１４に記載の超薄型有機発光素子。
- 前記フリット基板の一方の面は前記素子層と接し、前記フリット基板の他方の面は外部に露出し、前記フリット基板の他方の面の表面粗さは前記フリット基板の一方の面の表面粗さよりも高いことを特徴とする請求項１４に記載の超薄型有機発光素子。
- 前記フリット基板と前記素子層との間に形成され、内部に光散乱粒子が分布している金属酸化物からなる内部光取り出し層をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の超薄型有機発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130083658A KR101484089B1 (ko) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | 초박형 유기발광소자 제조방법 |
| KR10-2013-0083658 | 2013-07-16 | ||
| PCT/KR2014/006446 WO2015009059A1 (ko) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | 초박형 유기발광소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016524312A true JP2016524312A (ja) | 2016-08-12 |
Family
ID=52346440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016527931A Pending JP2016524312A (ja) | 2013-07-16 | 2014-07-16 | 超薄型有機発光素子の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9570709B2 (ja) |
| EP (1) | EP3024046A4 (ja) |
| JP (1) | JP2016524312A (ja) |
| KR (1) | KR101484089B1 (ja) |
| CN (1) | CN105518896B (ja) |
| WO (1) | WO2015009059A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101493601B1 (ko) * | 2013-07-17 | 2015-02-13 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 |
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| CN112768620A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-07 | 宁波诺丁汉大学 | 光取出基板和高效电致发光器件 |
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| JP2011227205A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
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| WO2013062020A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子用の積層基板及び有機ｌｅｄ素子 |
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| WO2010004703A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
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| EP2223957B1 (en) * | 2009-01-13 | 2013-06-26 | Korea Advanced Institute of Science and Technology | Transparent composite compound |
| CN102576106B (zh) * | 2009-10-20 | 2015-02-11 | 旭硝子株式会社 | 玻璃层叠体及其制造方法、显示面板的制造方法及利用该制造方法获得的显示面板 |
| KR101164945B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2012-07-12 | 한국과학기술원 | 플렉시블 소자의 제작 방법 |
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| US9202822B2 (en) * | 2010-12-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5906574B2 (ja) | 2011-03-29 | 2016-04-20 | 大日本印刷株式会社 | フレキシブルデバイス用基板及びその製造方法 |
| WO2013008982A1 (ko) | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 엘티씨 (주) | 높은 광추출 성능을 갖는 무기 산란막 {inorganic scattering films having high light extraction performance} |
| CN103000817B (zh) * | 2012-11-29 | 2016-04-20 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种柔性有机发光二极管 |
-
2013
- 2013-07-16 KR KR20130083658A patent/KR101484089B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2016527931A patent/JP2016524312A/ja active Pending
- 2014-07-16 WO PCT/KR2014/006446 patent/WO2015009059A1/ko active Application Filing
- 2014-07-16 CN CN201480049647.1A patent/CN105518896B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-16 US US14/905,616 patent/US9570709B2/en active Active
- 2014-07-16 EP EP14826405.4A patent/EP3024046A4/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105518896B (zh) | 2017-07-28 |
| KR101484089B1 (ko) | 2015-01-19 |
| EP3024046A4 (en) | 2017-03-15 |
| EP3024046A1 (en) | 2016-05-25 |
| US9570709B2 (en) | 2017-02-14 |
| WO2015009059A1 (ko) | 2015-01-22 |
| CN105518896A (zh) | 2016-04-20 |
| US20160172629A1 (en) | 2016-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160720 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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