JP2016519172A - 紫外線反射性顔料、並びにその製造方法及び使用方法 - Google Patents
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Abstract
顔料であって、前記顔料は、高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった層の奇数の層でコーティングされた板状基材又は均一な板状基材を含み、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率を有する顔料が開示される。前記顔料を製造方法、及び使用方法もまた開示される。これらの顔料は、塗料、プラスチック、化粧品、ガラス、印刷インク、及び釉薬における用途を見出し得る。
Description
本出願は、それぞれ2013年3月15日、及び2013年11月12日に出願された、米国仮特許出願番号61/793,518号及び61/902,992号の利益を取得し、両方とも参照により本明細書に完全に組み込まれる。
本開示は、紫外線(UV)光を選択的に反射する顔料、並びにその製造方法及び使用方法に関する。
干渉顔料は、典型的には金属酸化物の多層によってコーティングされているフレーク状(flake-form)の基材(substrate)である。干渉顔料は、異なる屈折率の層の界面での光の反射に基づく角干渉色(angle interference color)を示すことができる。干渉顔料のヒトの目で観察される色(すなわち、可視スペクトル)は、異なる屈折率を有する層の組み合わせ、異なる屈折率を有する各層の厚さ、並びに顔料に照射する光の角度及び波長に基づく。干渉顔料は、塗料、コーティング、プラスチック、印刷インク、及び化粧品処方に使用される。
日焼けローションのような、例えば有機分子、又は無機ナノ粒子等を使用し、可視光を製品に通過させるが、UVを吸収するか、又は散乱させる製品が開発されている。しかしながら、有機分子は長期間の保護を要求する用途には適切ではない。無機ナノ粒子は、コーティングに好ましくない曇り(haziness)を生成する可能性がある。
したがって、外装用木材コーティング又は塗装の保護等の用途に、長続きする透明コーティングが要求される場合、UV光を選択的に反射又は吸収する別の方法が必要とされている。
本開示は、UV光を選択的に反射することができる顔料を提供することによって、この必要性に対処する。本開示の顔料は、例えば、長期間のコーティングに適切である。
以下の実施形態は、広範囲に及ぶ概要ではない。以下の実施形態は、種々の実施形態の重要な要素を特定する意図でもなく、それらの範囲を限定する意図でもない。付加的な変形は、当業者に明らかであろう。
一実施形態において、板状基材(platy substrate)を含む顔料であって、前記板状基材が、透明であり、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料が開示される。前記顔料の一実施形態において、前記板状基材は、ガラス、酸化アルミニウム、天然マイカ、合成マイカ、タルク、オキシ塩化ビスマス、シリカ、天然真珠、窒化ホウ素、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、天然ケイ酸塩、合成ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む。前記顔料の一実施形態において、前記高屈折率材料は、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む。前記顔料の一実施形態において、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、各高屈折率層は、15〜30nmの厚さを有し、前記低屈折率材料は、SiO2を含み、各低屈折率層は、20〜60nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する。一実施形態において、前記顔料は、前記板状基材と直接接触する高屈折率層、及び高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する。一実施形態において、前記顔料は、前記板状基材上にコーティングされた高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3、5、7,9、11、13、15、17、19、21、又は23層の層を有する。
一実施形態において、均一な板状基材(uniform platy substrate)を含む顔料であって、前記均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、各光学層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、前記均一な板状基材の厚さは、前記均一な板状基材が前記顔料の中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、前記顔料は、合計2n+1の光学層を有し、nは、均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料の光学層の合計数であり、高屈折率材料の各光学層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各光学層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料が開示される。前記顔料の一実施形態において、均一な板状基材は、ケイ酸塩である。前記顔料の一実施形態において、前記高屈折率材料は、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む。前記顔料の一実施形態において、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、各高屈折率層が、15〜30nmの厚さを有し、前記低屈折率材料は、SiO2を含み、各低屈折率層は、20〜60nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する。一実施形態において、前記顔料は、前記均一な板状基材と直接接触する高屈折率層、及び高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する。一実施形態において、前記顔料は、前記均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった1、3、5、7,9、又は11層の層を有し、且つ前記均一な板状基材の厚さが、約50〜約70nmの平均値を有する。
一実施形態において、顔料を製造する方法であって、
板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、前記顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法が開示される。前記方法の一実施形態において、第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程は、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセス(wet-chemical process)を含み、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有する。前記方法の一実施形態において、各被覆工程は、湿式化学被覆(wet-chemical deposition)であり、前記板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される。前記方法の一実施形態において、前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2を含み、低屈折率材料の各層は、20〜60nmの厚さを有する。
板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、前記顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法が開示される。前記方法の一実施形態において、第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程は、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセス(wet-chemical process)を含み、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有する。前記方法の一実施形態において、各被覆工程は、湿式化学被覆(wet-chemical deposition)であり、前記板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される。前記方法の一実施形態において、前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2を含み、低屈折率材料の各層は、20〜60nmの厚さを有する。
一実施形態において、顔料を製造する方法であって、
均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、前記均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が光学システムの中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、前記光学システムは、合計2n+1の光学層を有し、nは、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の数であり、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法が開示される。前記方法の一実施形態において、第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程は、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有する。前記方法の一実施形態において、各被覆工程は、湿式化学被覆であり、前記均一な板状基材は、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される。前記方法の一実施形態において、前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2を含み、低屈折率材料の各層は、20〜60nmの厚さを有する。一実施形態において、上記の顔料を含む製品が開示される。
均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、前記均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が光学システムの中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、前記光学システムは、合計2n+1の光学層を有し、nは、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の数であり、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法が開示される。前記方法の一実施形態において、第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程は、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有する。前記方法の一実施形態において、各被覆工程は、湿式化学被覆であり、前記均一な板状基材は、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される。前記方法の一実施形態において、前記顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、前記高屈折率材料は、TiO2を含み、高屈折率材料の各層は、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料は、SiO2を含み、低屈折率材料の各層は、20〜60nmの厚さを有する。一実施形態において、上記の顔料を含む製品が開示される。
したがって、本出願は、少なくとも以下の特許請求の範囲を具体化する。
1.板状基材を含む顔料であって、
前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。
前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。
2.前記板状基材が、ガラス、酸化アルミニウム、天然マイカ、合成マイカ、タルク、オキシ塩化ビスマス、シリカ、天然真珠、窒化ホウ素、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、天然ケイ酸塩、合成ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む請求項1に記載の顔料。
3.前記高屈折率材料が、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む請求項1又は2に記載の顔料。
4.前記高屈折率材料が、TiO2を含み、各高屈折率層が、15〜30nmの厚さを有し、前記低屈折率材料が、SiO2を含み、各低屈折率層が、20〜60nmの厚さを有し、且つ前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の顔料。
5.前記顔料が、前記板状基材と直接接触する高屈折率層、並びに高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の顔料。
6.前記顔料が、前記板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった3、5、7,9、11、13、15、17、19、21、又は23層の層を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の顔料。
7.均一な板状基材を含む顔料であって、
前記均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、
各光学層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
前記均一な板状基材の厚さは、前記均一な板状基材が前記顔料の中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記顔料は、合計2n+1の光学層を有し、
nは、均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料の光学層の合計数であり、高屈折率材料の各光学層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各光学層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。
前記均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、
各光学層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
前記均一な板状基材の厚さは、前記均一な板状基材が前記顔料の中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記顔料は、合計2n+1の光学層を有し、
nは、均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料の光学層の合計数であり、高屈折率材料の各光学層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各光学層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。
8.前記均一な板状基材が、ケイ酸塩である請求項7に記載の顔料。
9.前記高屈折率材料が、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む請求項7又は8に記載の顔料。
10.前記高屈折率材料が、TiO2を含み、各高屈折率層が、15〜30nmの厚さを有し、前記低屈折率材料が、SiO2を含み、各低屈折率層が、20〜60nmの厚さを有し、且つ前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する請求項7〜9のいずれか1項に記載の顔料。
11.前記顔料が、前記均一な板状基材と直接接触する高屈折率層、及び高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する請求項7〜10のいずれか1項に記載の顔料。
12.前記顔料が、前記均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1、3、5、7,9、又は11層の層を有し、且つ
前記均一な板状基材の厚さが、約50〜約70nmの平均値を有する請求項7〜11のいずれか1項に記載の顔料。
前記均一な板状基材の厚さが、約50〜約70nmの平均値を有する請求項7〜11のいずれか1項に記載の顔料。
13.顔料を製造する方法であって、
板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、前記顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。
板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、前記顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。
14.第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程が、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項13に記載の方法。
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項13に記載の方法。
15.各被覆工程が、湿式化学被覆であり、前記板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される請求項13又は14に記載の方法。
16.前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
17.顔料を製造する方法であって、
均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
前記均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が光学システムの中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記光学システムは、合計2n+1の光学層を有し、
nは、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の数であり、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。
均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
前記均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が光学システムの中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記光学システムは、合計2n+1の光学層を有し、
nは、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の数であり、高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。
18.第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程が、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項17に記載の方法。
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項17に記載の方法。
19.各被覆工程が、湿式化学被覆であり、前記均一な板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される請求項17又は18に記載の方法。
20.前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項17〜19のいずれか1項に記載の方法。
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項17〜19のいずれか1項に記載の方法。
21.請求項1又は請求項7の顔料を含む製品。
22.前記製品が、塗料、プラスチック、化粧品、ガラス、印刷インク、及び釉薬からなる群から選択される請求項21に記載の製品。
前述の概要、及び以下の詳細な説明の双方は、例示的、且つ説明的であり、開示された化合物、組成物、及び方法のさらなる説明を提供することを意図しているものと理解すべきである。
前述の概要、及び以下の詳細な説明の双方は、例示的、且つ説明的であり、開示された化合物、組成物、及び方法のさらなる説明を提供することを意図しているものと理解すべきである。
本明細書中に開示された実施形態を説明する目的のため、ある顔料の実施形態、又は顔料の実施形態のコンピューター生成スペクトルが、図面に描かれている。しかしながら、製品及び関連する方法は、図面に描かれた実施形態の正確な配置及び手段に制限されない。
本開示の顔料の実施形態の表面の概略図である。
本開示の顔料の実施形態の断面の概略図である。
本開示の代表的な顔料のスペクトルのコンピューター生成モデルである。
本開示の代表的な顔料のスペクトルのコンピューター生成モデルである。
本開示の代表的な顔料のスペクトルのコンピューター生成モデルである。
本開示の代表的な顔料のスペクトルのコンピューター生成モデルである。
実施例5からの顔料のスペクトルである。
実施例6からの顔料のスペクトルである。
実施例7からの顔料のスペクトルである。
実施例8からの顔料のスペクトルである。
実施例9からの顔料のスペクトルである。
実施例10からの顔料のスペクトルである。
実施例11からの顔料のスペクトルである。
実施例12からの顔料のスペクトルである。
本明細書で説明される実施形態は、顔料、それらの製造、及びそれらの使用に関する。本開示の顔料は、可視光を透過するが、選択的にUV光を反射する。本顔料は、塗料、プラスチック、化粧品、ガラス、印刷インク、及び釉薬等の製品に使用され得る。さらに、本顔料は、木材コーティングに使用され、可視光をコーティングに通過させるが、UV光を反射するコーティングを提供し得る。この使用は、通常の外観を維持しつつ、UV光の悪影響を防止する点で有利である。例えば、本開示の顔料を含む木材コーティングは、可視光を透過させるが、UVの悪影響を阻止することができるので、これにより太陽光からのUV損傷を受けることなしに、下層の木材の美しさを見ることを可能にする。したがって、これらの顔料は、例えば、屋外用家具等のコーティング分野における用途を見出し得る。
[定義]
以下の各用語は、別段の明確な記載がない限り、本明細書では、本節における用語と関連した意味を有する。
以下の各用語は、別段の明確な記載がない限り、本明細書では、本節における用語と関連した意味を有する。
冠詞「a」及び「an」は、本明細書において、1個又は2個以上の本冠詞の対象に関連して使用される。例として、「an element」は、1個又は2個以上の要素を意味する。
用語「約(about)」は、当業者に、それが使用される文脈によって決まることが理解されるだろう。数の文脈において使用される場合、用語「約」は、その数の±5%の変動を包含する。範囲の文脈において使用される場合、用語「約」は下限の−5%から、上限の+5%までの変動を包含する。
用語「透明な」は、可視光の85〜100%を透過し得る物質又は対象に言及する。
用語「低屈折率」は、別段の記載がない限り、1.8より低い、又は小さい屈折率を有する材料に言及する。
用語「高屈折率」は、別段の記載がない限り、2.0〜3.0を含む、2.0〜4.0の屈折率を有する材料に言及する。
用語「UV光」は、紫外線光を意味し、別段の記載のない限り、280〜400nmの波長の電磁放射を意味する。
「可視光」は、別段の記載のない限り、約450〜780nmの任意の波長の電磁放射に言及する。
温度、圧力、及び厚さ等の容易に調節できる測定のために、本明細書に説明される任意の範囲の間の、任意の及び全ての、全体の又は部分的な整数が含まれることが理解される。
物及び方法の開示された構成に関して、本発明において想定されるように、一態様において、本発明の実施形態は、そこに開示された成分、及び/又は工程を含む。別の態様において、本発明の実施形態は、基本的にそこに開示された成分、及び/又は工程から成る。さらに別の態様において、本発明の実施形態は、そこに開示された成分、及び/又は工程から成る。
[顔料の第一の実施形態]
顔料の実施形態において、顔料は、板状基材を含み、その板状基材は低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。一実施形態において、顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する。一実施形態において、顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する。
顔料の実施形態において、顔料は、板状基材を含み、その板状基材は低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。一実施形態において、顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する。一実施形態において、顔料は、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する。
「板状基材」は、一般に、可視光を反射するのに十分に滑らかで、且つ平らであるが、必ずしも互いに平行でなくてもよい2面の表面を有するように、薄片(flake)又は小片(chip)の形状を有する粒子に言及する。別段の記載のない限り、板状基板は透明である。板状基材の寸法は、一般に制限されない。板状基材の「厚さ」は基材粒子の最小寸法に言及する。板状基材の「長さ」は、粒子の最長寸法に言及し、且つ粒子の「直径」とも称されてもよい。粒子の「幅」は、粒子の厚さ及び長さに対する角度にかかわらず、粒子の二番目に長い寸法に言及する。2面の実質的に平行な表面は、粒子の長さ及び幅によって定義される。基材の薄片形状のため、板状基材の厚さは、板状基材の長さ及び幅と直角であり得る。また、基材の薄片形状のため、厚さは、板状基材の長さ及び幅より小さい。
板状基材の長さ及び幅は、一般に制限されない。顔料のいくつかの実施形態において、板状基材の長さは、平均約5〜約500μm、約60〜約200μm、又は約80〜150μmの範囲であり得る。板状基材の長さが、約500μmを超える場合、コーティングにおける顔料の効果的な範囲が、縮小する場合がある。板状基材の長さが、約5μmを下回る場合、顔料の光学的効果が、減少する場合がある。
板状基材の平均厚さは、約50nm〜約5μm、約50nm〜500nm、又は約50nm〜約200nmの範囲であり得る。板状基材の厚さが、約5μmを超える場合、コーティングにおける顔料の有効性が、低下する場合がある。この種の板状基材は、一般に、板状基材の光学的な寄与が「平均化され」、且つ板状基材上にコーティングされる光学層のみがUV反射を提供するようなプレートレット(platelet)の厚さに、プレートレットの広い分布を有する。
基材の材料は、材料が約60%〜100%の透過率を有し、金属酸化物層のための安定な支持体として機能するのに十分頑丈である限り、特に制限されない。一実施形態において、板状基材のための適切な材料は、ガラス、酸化アルミニウム、天然マイカ、合成マイカ、タルク、オキシ塩化ビスマス、シリカ、天然真珠、窒化ホウ素、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、天然ケイ酸塩、合成ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む。板状基材としてのマイカの利点は、マイカが、天然に薄片状で、安価であり、且つ平らで、滑らかな表面を有することである。板状基材の材料としてのガラスの利点は、ガラスが、透明で、安価であり、且つコーティングのために滑らかな表面を形成することである。
一実施形態において、板状基材は、TiO2等の金属酸化物層によって直接コーティングされ得る。別の実施形態において、板状基材は、基材の表面に被覆させ、TiO2をアナターゼの代わりにルチルとして形成させる、SnCl4等のルチル指向剤(rutile directing agent)で前処理され得る。本開示の目的のため、ルチル指向剤、又はその生成物は、ルチル指向化合物で前処理された板状基材と被覆される層との間で、直接接触を阻んでいるとは見なされない。例えば、板状基材は、TiO2が基材に被覆される前に、SnCl4で処理され得る。その場合、ルチル指向剤、又はその生成物は、板状基材とTiO2層との間の完全な連続的な層とは見なされないので、TiO2層は、板状基材と「直接接触して」いると定義される。また、前処理プロセスによって被覆されたスズ化合物は、それら自身の光学的効果を有さないと見なされる。
一実施形態において、板状基材は、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。一実施形態において、各層は、各層が板状基材の両側に均等に塗布されるように、板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入する。
一実施形態において、高屈折率材料は、2.0〜4.0、2.0〜3.0、又は2.2〜2.50の範囲の屈折率を有する。一実施形態において、高屈折率材料の層は、各々10〜40nm、又は15〜30nmの厚さを有する。一実施形態において、高屈折率材料に適切な材料は、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、及び酸化亜鉛を含む。高屈折率材料としてTiO2を使用する利点は、TiO2が、極めて高い屈折率(アナターゼ型で約2.49)、高い透明性を有し、且つ安定な層に加工し易いことであり得る。ルチルTiO2を使用する利点は、アナターゼTiO2と比較した高い屈折率(約2.55)であり得る。別段の指示がない限り、「TiO2」の例の全ては、TiO2のルチル型、又はアナターゼ型のいずれかに言及する。
一実施形態において、低屈折率材料の層は、その低屈折率材料が隣接した高屈折率材料よりも少なくとも0.2低い屈折率を有する。例えば、低屈折率材料は、1.3〜1.8、又は1.3〜1.6の屈折率を有し得る。一実施形態において、低屈折率材料の層は、各々20〜80nm、又は20〜60nmの厚さを有する。一実施形態において、低屈折率材料に適切な材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2を含む。SiO2を低屈折率材料として使用する利点は、SiO2が低い屈折率(約1.4〜1.5)、高い透明性を有し、且つ安定な層に加工し易いことであり得る。
高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の厚さは、顔料の光学的特性に寄与する。高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の厚さが、上記の上限より大きい、又は上記の下限より小さい場合、顔料の干渉効果が、UV光を選択的にフィルタリングしない場合、及び/又は可視光の透過を妨げる場合がある。高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の各々が、選択的にUV光を反射し、且つ可視高を透過し得る光学システムにおける光学層として機能することが理解される。一実施形態において、板状基材は、光学中心として機能せず、代わりに、光学層である高屈折率材料及び低屈折率材料の層のための支持体としての機能を果たす。
一実施形態において、顔料は、板状基材と直接接触する高屈折率層、並びに高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する。板状基材と接触する低屈折率層、及び/又は最も外側の層としての低屈折率層を有する顔料を形成することは可能であるが、外側の層が、低屈折率材料である場合よりも、高い反射率を可能にさせるので、板状基材と接触する高屈折率層、及び最も外側の層としての高屈折率を使用することが有利であり得る。
図1を参照すると、一実施形態において、顔料100は、板状基材102を含み得る。第一の高屈折率材料層104は、板状基材102の両側に、直接接触してコーティングされ得る。低屈折材料層106は、第一の高屈折率材料層104の両側に、直接接触してコーティングされ得る。第二の高屈折率材料層108は、低屈折率材料層106の両側に、直接接触してコーティングされ得る。低屈折率材料層106は、第一の高屈折率材料層104及び第二の高屈折率材料層108の屈折率より少なくとも0.2低い屈折率を有する。この実施形態において、第一の高屈折率材料層104は、板状基材102と直接接触し、第二の高屈折率材料層108は、高屈折率材料(104、108)及び低屈折率材料(106)が交互に重なった層の最も外側の層である。
[顔料の第二の実施形態]
別の実施形態において、顔料は、均一な板状基材を含み、その均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。本明細書では、「均一な板状基材」は、均一な厚さ分布を有する、本明細書の他の箇所で定義した板状基材に言及する。均一な板状基材の実質的に平行な平面の表面は、一般に、可視光を透過するのに十分に滑らかで、且つ平らである。別段の記載がない限り、均一な板状基材は透明である。
別の実施形態において、顔料は、均一な板状基材を含み、その均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。本明細書では、「均一な板状基材」は、均一な厚さ分布を有する、本明細書の他の箇所で定義した板状基材に言及する。均一な板状基材の実質的に平行な平面の表面は、一般に、可視光を透過するのに十分に滑らかで、且つ平らである。別段の記載がない限り、均一な板状基材は透明である。
一実施形態において、均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が顔料における中心の光学層として機能するように、約30〜90nm、又は約50〜約70nmである。この実施形態に従って、顔料は、合計2n+1の光学層を有し、「n」は、高屈折率材料及び低屈折率材料の光学層の合計数である。このようにして、均一な板状基材は、追加の層のコーティングのための支持体としての、及び顔料(光学システム)の光学中心として機能する低屈折率の層としての両方の機能をする。
一実施形態において、板状基材の平均厚さは、約50nm〜約5μm、約50nm〜500nm、又は約50nm〜約200nmの範囲であり得る。
板状基材の寸法の本明細書の他の箇所での説明は、均一な板状基材にも適用できる。したがって、均一な板状基材の寸法は、一般に厚さを除いて制限はない。均一な板状基材の「厚さ」は、基材粒子の最小寸法に言及する。均一な板状基材の「長さ」は、粒子の最長寸法に言及し、且つ粒子の「直径」とも称されてもよい。粒子の「幅」は、粒子の厚さ及び長さに対する角度にかかわらず、粒子の二番目に長い寸法に言及する。均一な板状基材の薄片形状のため、厚さは、典型的には均一な板状基材の長さ及び幅と直角である。
均一な板状基材の長さ及び幅は、一般に制限されない。顔料のいくつかの実施形態において、均一な板状基材の長さは、平均約5〜約500μm、約60〜約200μm、又は80〜150μmの範囲であり得る。均一な板状基材の長さが、約500μmを超える場合、コーティングの透明性が、低下する場合がある。均一な板状基材の長さが、約5μmを下回る場合、顔料の光学的効果が、減少する場合がある。
光学コアの場合、均一な板状基材の厚さは、約30nm〜約90nm、又は約50nm〜約70nmの平均を有する。均一分布と見なされるためには、透明な板状基材の厚さは、例えば、±5nmを超えて異なり得ない。均一な板状基材の厚さが、約90nmを超える場合、顔料の透明性が低下する場合がある。均一な板状基材の厚さが、約30nmを下回る場合、顔料が、減少した光学的効果を有する場合がある。分布の均一性が、平均の±5nmを超える場合、均一な板状基材は、顔料(光学システム)のための光学中心としての機能を発揮し得ない。
均一な板状基材の材料は、材料が約60%〜100%の透過率を有し、金属酸化物層のための安定な支持体として機能するのに十分頑丈である限り、特に制限されない。一実施形態において、均一な板状基材のための適切な材料は、シリカ、ガラス、フィロケイ酸塩等のケイ酸塩を含む。シリカの利点は、それが透明で、安価であり、コーティングのための滑らかな表面を形成し、且つ必要であれば、屈折率を上昇又は低下させるためにドープされ得ることである。
一実施形態において、均一な板状基材は、TiO2又はSiO2等の金属酸化物層によって直接コーティングされ得る。別の実施形態において、均一な板状基材は、基材の表面に被覆させ、TiO2をアナターゼの代わりにルチルとして形成させる、SnCl4等のルチル指向剤で前処理され得る。本開示の目的のため、ルチル指向剤、又はその生成物は、ルチル指向化合物で前処理された均一な板状基材と被覆される層との間で、直接接触を阻んでいるとは見なされない。例えば、均一な板状基材は、TiO2が基材に被覆される前に、SnCl4で処理され得る。その場合、ルチル指向化合物は、均一な板状基材とTiO2層との間の完全な連続的な層とは見なされないので、TiO2層は、均一な板状基材と「直接接触して」いると定義される。また、前処理プロセスによって被覆されたスズ化合物は、光学的効果を有さないと見なされる。
一実施形態において、均一な板状基材は、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の層でコーティングされ、各光学層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有する。一実施形態において、
各層は、各層が均一な板状基材の両側に均等に塗布され、且つ均一な板状基材が、顔料(光学システム)の光学中心として機能するように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入する。
各層は、各層が均一な板状基材の両側に均等に塗布され、且つ均一な板状基材が、顔料(光学システム)の光学中心として機能するように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入する。
一実施形態において、高屈折率材料の層は、2.0〜4.0、2.0〜3.0、又は2.2〜2.5の範囲の屈折率を有する。一実施形態において、高屈折率材料の層は、各々10〜40nm、又は15〜30nmの厚さを有する。一実施形態において、高屈折率材料に適切な材料は、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、及び酸化亜鉛を含む。高屈折率材料としてTiO2を使用する利点は、TiO2が、極めて高い屈折率(約2.49)、高い透明性を有し、且つ安定な層に加工し易いことである。ルチルTiO2を使用する利点は、アナターゼTiO2と比較した高い屈折率(約2.55)であり得る。別段の指示がない限り、「TiO2」の例の全ては、TiO2のルチル型、又はアナターゼ型のいずれかに言及する。
一実施形態において、低屈折率材料の層は、その低屈折率材料が隣接した高屈折率材料よりも少なくとも0.2低い屈折率を有する。例えば、低屈折率材料は、1.3〜1.8、又は1.3〜1.6の屈折率を有し得る。一実施形態において、低屈折率材料の層は、各々20〜80nm、又は20〜60nmの厚さを有する。一実施形態において、低屈折率材料に適切な材料は、SiO2、Al2O3、又はMgF2を含む。SiO2を低屈折率材料として使用する利点は、SiO2が低い屈折率(約1.4〜1.5)、高い透明性を有し、且つ安定な層に加工し易いことである。
高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の厚さは、顔料の光学的特性に寄与する。高屈折率材料及び/又は低屈折率材料が交互に重なった層の厚さが、上記の上限より大きい、又は上記の下限より小さい場合、顔料の干渉効果が、UV光を選択的にフィルタリングしない場合、及び/又は可視光の透過を妨げる場合がある。高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の各々が、選択的にUV光を反射し、且つ可視高を透過し得る光学システムにおける光学層として機能することが理解される。
一実施形態において、顔料は、透明な板状基材と直接接触する高屈折率層、並びに高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する。均一な板状基材と接触する低屈折率層、及び最も外側の層としての低屈折率層を有する顔料を形成することは可能であるが、外側の層が、低屈折率材料である場合よりも、高い反射率を可能にさせるので、高屈折率を使用することが有利であり得る。
図2を参照すると、一実施形態において、顔料200は、中心の光学層として機能する均一な板状基材202を含み得る。高屈折率材料層204は、均一な板状基材の両側に、直接コーティングされ、顔料を形成し得る。別の実施形態において、低屈折率材料及び高屈折率材料が交互に重なった層が、高屈折率材料層204上に直接コーティングされ、合計2n+1の光学層のため、2〜11のnを有する実施形態を形成し得る。
一実施形態において、顔料は、顔料の気候及び光安定性を高めるため、表面処理を受け得る。有用な表面処理は、例えば、DE−A−2215191、DE−A−3151354、DE−A−3235017、DE−A−3334598、DE−A−4030727、EP−A−649886、WO97/29059、WO99/57204、及び米国特許第5,759,255に記載されている。
[顔料の製造]
一実施形態において、本開示に顔料を製造する方法は、板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、顔料を形成する第二の被覆工程、を含む。
一実施形態において、本開示に顔料を製造する方法は、板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、顔料を形成する第二の被覆工程、を含む。
一実施形態において、当業界で公知の化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、及び/又は湿式化学プロセスが、高屈折率材料の第一層、低屈折率材料の層、及び/又は高屈折率材料の第二層を被覆するために使用され得る。物理的又は化学的蒸着工程を使用する利点は、被覆される層の厚さ及び純度についての精密制御である。湿式化学の利点は、より低い製造コスト、及びより多い製造量である。
一実施形態において、板状基材は、TiO2にアナターゼTiO2の代わりにルチルTiO2を形成させるため、TiO2の添加の前にSnCl4等のルチル指向剤で前処理される。本明細書の他の箇所で説明したように、ルチル指向剤を使用する一利益は、ルチルTiO2が、アナターゼTiO2よりも高い屈折率を有することであり得る。
一実施形態において、顔料を製造する方法は、均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含む。
一実施形態において、当業界で公知の化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、及び/又は湿式化学プロセスが、高屈折率材料の第一層、低屈折率材料の層、及び/又は高屈折率材料の第二層を被覆するために使用され得る。上述の通り、物理的又は化学的蒸着工程を使用する利点は、被覆される層の厚さ及び純度についての高度な制御である。湿式化学の利点は、より低い製造コスト、及びより多い製造量である。
一実施形態において、均一な板状基材は、TiO2にアナターゼTiO2の代わりにルチルTiO2を形成させるため、TiO2の添加の前にSnCl4等のルチル指向剤で前処理される。ルチル指向剤を使用する一利益は、ルチルTiO2が、アナターゼTiO2よりも高い屈折率を有することであり得る。
[実験]
以下の実施例は、本発明をさらに説明するために明記されるが、本発明を限定することを目的とするものではない。別段の指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲を通してずっと、全ての部(part)及びパーセンテージは、質量によるものであり、全ての温度及び度(degree)は、セ氏である。
以下の実施例は、本発明をさらに説明するために明記されるが、本発明を限定することを目的とするものではない。別段の指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲を通してずっと、全ての部(part)及びパーセンテージは、質量によるものであり、全ての温度及び度(degree)は、セ氏である。
[実施例1]
UV反射干渉効果材料を、薄膜光学モデル化プログラム(thin film optics modeling program)を使用して設計する。基材は、物理的な厚さの広い分布を有する光学的に活性なマイカ型基材であるように設計する。3層の光学コーティングは、基材を封入し、且つ基材から外側層へTiO2からSiO2、TiO2に交互に行うように設計する。光学層の物理的な厚さは、UV領域における反射を最大化し、可視領域の反射を最小化するように設計する。最終の光学層は、基材から外側層へ、16.55nmTiO2、59.34nmSiO2、及び22.55nmTiO2である。結果として得られた反射スペクトルの分布は、最終のモデル化されたUV反射スペクトルを供給するよう平均化される。対応するモデル化されたスペクトルを、図3に示す。
UV反射干渉効果材料を、薄膜光学モデル化プログラム(thin film optics modeling program)を使用して設計する。基材は、物理的な厚さの広い分布を有する光学的に活性なマイカ型基材であるように設計する。3層の光学コーティングは、基材を封入し、且つ基材から外側層へTiO2からSiO2、TiO2に交互に行うように設計する。光学層の物理的な厚さは、UV領域における反射を最大化し、可視領域の反射を最小化するように設計する。最終の光学層は、基材から外側層へ、16.55nmTiO2、59.34nmSiO2、及び22.55nmTiO2である。結果として得られた反射スペクトルの分布は、最終のモデル化されたUV反射スペクトルを供給するよう平均化される。対応するモデル化されたスペクトルを、図3に示す。
[実施例2]
5層のUV反射体を、5層の光学層を有する以外は、実施例1と同様に設計する。最終の光学層は、15.88nmTiO2、55.56nmSiO2、36.26nmTiO2、59.56nmSiO2、及び16.88nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図4に示す。
5層のUV反射体を、5層の光学層を有する以外は、実施例1と同様に設計する。最終の光学層は、15.88nmTiO2、55.56nmSiO2、36.26nmTiO2、59.56nmSiO2、及び16.88nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図4に示す。
[実施例3]
7層のUV反射体を、7層の光学層を有する以外は、実施例1と同様に設計する。最終の光学層は、12.61nmTiO2、63.69nmSiO2、40.52nmTiO2、29.59nmSiO2、40.52nmTiO2、71.62nmSiO2、及び16.88nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図5に示す。
7層のUV反射体を、7層の光学層を有する以外は、実施例1と同様に設計する。最終の光学層は、12.61nmTiO2、63.69nmSiO2、40.52nmTiO2、29.59nmSiO2、40.52nmTiO2、71.62nmSiO2、及び16.88nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図5に示す。
[実施例4(光学基材)]
3層UV反射体効果材料を、典型的な不均一な板状基材なしで設計する。したがって、SiO2基材は、SiO2基材を封入するTiO2の層のための足場として、及び顔料の中心の光学層(例えば、光学中心)としての両方の役割を果たす。このUV反射体を通過する光は、TiO2及びSiO2(光学中心)及びTiO2が交互に重なった光学層に遭遇する。この実施例において、最終の光学層は、20nmTiO2、60nmSiO2、及び20nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図6に示す。
3層UV反射体効果材料を、典型的な不均一な板状基材なしで設計する。したがって、SiO2基材は、SiO2基材を封入するTiO2の層のための足場として、及び顔料の中心の光学層(例えば、光学中心)としての両方の役割を果たす。このUV反射体を通過する光は、TiO2及びSiO2(光学中心)及びTiO2が交互に重なった光学層に遭遇する。この実施例において、最終の光学層は、20nmTiO2、60nmSiO2、及び20nmTiO2である。対応するモデル化されたスペクトルを、図6に示す。
[実施例5]
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径20μm)のスラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.5に調節した。その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、15gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、60gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加した。添加が完了した後、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、550gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分の速度で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、90gの40%TiCl4を2.0g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径20μm)のスラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.5に調節した。その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、15gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、60gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加した。添加が完了した後、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、550gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分の速度で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、90gの40%TiCl4を2.0g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、372nmの反射におけるλmaxを有した。実施例5のためのスペクトルを図7に示す。
[実施例6]
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径20μm)のスラリーのpHを、HClで、1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、7.3gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.40に維持しながら、67gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加した。完了時に、スラリーを82℃に加熱し、NaOHでpHを7.80に調節する。その後、HClでpHを7.80に制御しながら、605gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分の速度で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、90gの40%TiCl4を2.0g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径20μm)のスラリーのpHを、HClで、1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、7.3gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.40に維持しながら、67gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加した。完了時に、スラリーを82℃に加熱し、NaOHでpHを7.80に調節する。その後、HClでpHを7.80に制御しながら、605gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分の速度で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、90gの40%TiCl4を2.0g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、332nmの反射におけるλmaxを有した。実施例6のためのスペクトルを図8に示す。
[実施例7]
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径45μm)のスラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.5に調節した。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、30gの20%SnCl4・5H2Oを、0.6g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、27gの40%TiCl4を、1.9g/分で添加する。完了時に、温度を73℃に下げ、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、248gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、スラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.80に下げ、続いてpHの制御なしで10gの20%SnCl4を急速添加する。次に、スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、75gの40%TiCl4を0.7g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径45μm)のスラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.5に調節した。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、30gの20%SnCl4・5H2Oを、0.6g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、27gの40%TiCl4を、1.9g/分で添加する。完了時に、温度を73℃に下げ、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、248gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、スラリーを82℃に加熱し、HClでpHを1.80に下げ、続いてpHの制御なしで10gの20%SnCl4を急速添加する。次に、スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、75gの40%TiCl4を0.7g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、350nmの反射におけるλmaxを有した。実施例7のためのスペクトルを図9に示す。
[実施例8]
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径30μm)のスラリーを40℃に加熱し、HClでpHを1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、5.6gの20%SnCl4・5H2Oを、0.5g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、スラリーを70℃に加熱し、その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、42gの40%TiCl4を、1.0g/分で添加する。完了時に、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、405gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、67gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径30μm)のスラリーを40℃に加熱し、HClでpHを1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、5.6gの20%SnCl4・5H2Oを、0.5g/分の速度で添加する。1時間撹拌後、スラリーを70℃に加熱し、その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、42gの40%TiCl4を、1.0g/分で添加する。完了時に、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、405gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、67gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、332nmの反射におけるλmaxを有した。実施例8のためのスペクトルを図10に示す。
[実施例9]
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径5μm)のスラリーを74℃に加熱し、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、18.2gの20%SnCl4・5H2Oを、0.9g/分の速度で添加した。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、94gの40%TiCl4を、1.1g/分で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、1081gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、80gの40%TiCl4水溶液を1.1g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径5μm)のスラリーを74℃に加熱し、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、18.2gの20%SnCl4・5H2Oを、0.9g/分の速度で添加した。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、94gの40%TiCl4を、1.1g/分で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、1081gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、80gの40%TiCl4水溶液を1.1g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、336nmの反射におけるλmaxを有した。実施例9のためのスペクトルを図11に示す。
[実施例10]
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径12μm)のスラリーを、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、26.4gの20%SnCl4・5H2Oを、1.1g/分で添加する。1時間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.60に維持しながら、91.2gの40%TiCl4を、1.35g/分で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、824gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、52gの20%SnCl4を0.5g/分の速度で添加する。スラリーを45分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、90gの40%TiCl4水溶液を1.35g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径12μm)のスラリーを、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、26.4gの20%SnCl4・5H2Oを、1.1g/分で添加する。1時間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.60に維持しながら、91.2gの40%TiCl4を、1.35g/分で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、824gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、52gの20%SnCl4を0.5g/分の速度で添加する。スラリーを45分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、90gの40%TiCl4水溶液を1.35g/分の速度で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、330nmの反射におけるλmaxを有した。実施例10のためのスペクトルを図12に示す。
[実施例11]
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径20μm)のスラリーを、HClでpHを1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、7.3gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分で添加する。30分間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.40に維持しながら、64gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加する。完了時に、スラリーを82℃に加熱し、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、588gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に制御しながら、130gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。次に、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、605gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.50に下げ、NaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、40gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gの合成マイカ(平均粒径20μm)のスラリーを、HClでpHを1.4に調節する。その後、NaOHでpHを1.40に維持しながら、7.3gの20%SnCl4・5H2Oを、1.0g/分で添加する。30分間撹拌後、スラリーを74℃に加熱し、NaOHでpHを1.40に維持しながら、64gの40%TiCl4を、2.0g/分で添加する。完了時に、スラリーを82℃に加熱し、NaOHでpHを7.80に調節し、その後、HClでpHを7.80に制御しながら、588gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClを添加することによって、pHを1.50に下げ、続いてNaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に制御しながら、130gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。次に、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、605gの20%Na2SiO3・5H2Oを、2.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.50に下げ、NaOHでpHを1.50に制御しながら、28gの20%SnCl4を1.5g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.50に維持しながら、40gの40%TiCl4水溶液を2.0g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、350nmの反射におけるλmaxを有した。実施例11のためのスペクトルを図13に示す。
[実施例12]
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径5μm)のスラリーを74℃に加熱し、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、18.2gの20%SnCl4・5H2Oを、0.9g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、94gの40%TiCl4を、1.1g/分の速度で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、861.5gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、190gの40%TiCl4水溶液を、1.1g/分の速度で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、886.4gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に制御しながら、40gの40%TiCl4水溶液を1.1g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
2000mLの蒸留H2O中の130gのマイカ(平均粒径5μm)のスラリーを74℃に加熱し、HClでpHを1.6に調節する。その後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、18.2gの20%SnCl4・5H2Oを、0.9g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、94gの40%TiCl4を、1.1g/分の速度で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、861.5gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分の速度で添加する。30分間撹拌後、NaOHでpHを1.60に維持しながら、190gの40%TiCl4水溶液を、1.1g/分の速度で添加する。その後、NaOHでpHを7.80に調節し、HClでpHを7.80に制御しながら、886.4gの20%Na2SiO3・5H2Oを、1.0g/分で添加する。次に、HClでpHを1.60に下げ、NaOHでpHを1.60に制御しながら、20gの20%SnCl4を0.9g/分で添加する。スラリーを30分間撹拌し、その後、NaOHでpHを1.60に制御しながら、40gの40%TiCl4水溶液を1.1g/分で添加する。50mLのスラリーのサンプルをろ過し、洗浄し、850℃で20分間、か焼する。
結果として得られた顔料は、362nmの反射におけるλmaxを有した。実施例12のためのスペクトルを図14に示す。
本明細書に引用された各々及び全ての特許、特許出願、及び刊行物の開示は、参照することにより、本明細書に全体として組み込まれる。
当業者は、本発明が、目的を実行するために、並びにそれらに内在するものだけでなく、言及した結果及び利益を得るために、よく構成されていることを容易に理解する。本発明は、特定の実施形態を参照して開示されているが、本発明の他の実施形態及び変形が、本発明の実施に使用される真の精神及び範囲から逸脱することなく、当業者によって考案され得ることは明らかである。添付の特許請求の範囲は、全てのそのような実施形態、及び同等の変形を含むものと解釈されることを意図されている。
Claims (22)
- 板状基材を含む顔料であって、
前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料又は低屈折率材料が交互に重なった3〜23層の奇数の層でコーティングされ、各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ
前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。 - 前記板状基材が、ガラス、酸化アルミニウム、天然マイカ、合成マイカ、タルク、オキシ塩化ビスマス、シリカ、天然真珠、窒化ホウ素、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、天然ケイ酸塩、合成ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む請求項1に記載の顔料。
- 前記高屈折率材料が、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む請求項1又は2に記載の顔料。 - 前記高屈折率材料が、TiO2を含み、各高屈折率層が、15〜30nmの厚さを有し、
前記低屈折率材料が、SiO2を含み、各低屈折率層が、20〜60nmの厚さを有し、且つ
前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の顔料。 - 前記顔料が、前記板状基材と直接接触する高屈折率層、並びに高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の顔料。
- 前記顔料が、前記板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった3、5、7,9、11、13、15、17、19、21、又は23層の層を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の顔料。
- 均一な板状基材を含む顔料であって、
前記均一な板状基材は、低屈折率を有し、且つ高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1〜11層の奇数の層でコーティングされ、
各光学層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
各層は、各層が前記板状基材の両側に均等に塗布されるように、前記均一な板状基材及び全ての先の層を逐次的に封入し、
前記均一な板状基材の厚さは、前記均一な板状基材が前記顔料の中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記顔料は、合計2n+1の光学層を有し、
nは、均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料の光学層の合計数であり、
高屈折率材料の各光学層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各光学層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ
前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する顔料。 - 前記均一な板状基材が、ケイ酸塩である請求項7に記載の顔料。
- 前記高屈折率材料が、TiO2、チタン酸ストロンチウム、キュービックジルコニア、又は酸化亜鉛の少なくとも1種を含み、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含む請求項7又は8に記載の顔料。 - 前記高屈折率材料が、TiO2を含み、各高屈折率層が、15〜30nmの厚さを有し、
前記低屈折率材料が、SiO2を含み、各低屈折率層が、20〜60nmの厚さを有し、且つ
前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有する請求項7〜9のいずれか1項に記載の顔料。 - 前記顔料が、前記均一な板状基材と直接接触する高屈折率層、及び高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の最も外側の層としての高屈折率層を有する請求項7〜10のいずれか1項に記載の顔料。
- 前記顔料が、前記均一な板状基材上にコーティングされた高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった1、3、5、7,9、又は11層の層を有し、且つ
前記均一な板状基材の厚さが、約50〜約70nmの平均値を有する請求項7〜11のいずれか1項に記載の顔料。 - 顔料を製造する方法であって、
板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、コーティングされた基材を形成する第一の被覆工程であり、前記板状基材は、透明であり、低屈折率を有する工程、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、前記顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ
前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。 - 第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程が、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項13に記載の方法。 - 各被覆工程が、湿式化学被覆であり、前記板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される請求項13又は14に記載の方法。
- 前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。 - 顔料を製造する方法であって、
均一な板状基材上に高屈折率材料の第一層を被覆し、第一の顔料を形成する第一の被覆工程であり、前記均一な板状基材は、低屈折率を有する工程、及び任意に、
前記高屈折率材料の第一層上に、低屈折率材料の層を被覆し、その後、前記低屈折率材料の層上に、高屈折率材料の第二層を被覆し、第二の顔料を形成する第二の被覆工程、を含み、
各層は、隣接した層から少なくとも0.2異なる屈折率を有し、
前記均一な板状基材の厚さは、均一な板状基材が光学システムの中心の光学層として機能するように、約30〜90nmの平均値を有し、
前記光学システムは、合計2n+1の光学層を有し、
nは、高屈折率材料及び低屈折率材料が交互に重なった層の数であり、
高屈折率材料の各層は、10〜40nmの厚さを有し、
低屈折率材料の各層は、20〜80nmの厚さを有し、且つ
前記顔料は、280nm〜400nmの波長を有する光の約40〜約100%の反射率、及び450〜900nmの光の約0〜20%の反射率を有する方法。 - 第一又は第二の被覆工程の少なくとも1工程が、化学的蒸着(CVD)、物理的蒸着(PVD)、又は湿式化学プロセスを含み、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、10〜40nmの厚さを有し、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2、Al2O3、又はMgF2の少なくとも1種を含み、低屈折率材料の各層が、20〜80nmの厚さを有する請求項17に記載の方法。 - 各被覆工程が、湿式化学被覆であり、前記均一な板状基材が、各高屈折率層を被覆する前に、SnCl4で処理される請求項17又は18に記載の方法。
- 前記顔料が、280nm〜350nmの波長を有する光の約70〜約100%の反射率を有し、
前記高屈折率材料が、TiO2を含み、高屈折率材料の各層が、15〜30nmの厚さを有し、且つ
前記低屈折率材料が、SiO2を含み、低屈折率材料の各層が、20〜60nmの厚さを有する請求項17〜19のいずれか1項に記載の方法。 - 請求項1又は請求項7の顔料を含む製品。
- 前記製品が、塗料、プラスチック、化粧品、ガラス、印刷インク、及び釉薬からなる群から選択される請求項21に記載の製品。
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