JP2016511607A - 基板貫通ビア(tsv)を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ(cumt)デバイス - Google Patents
基板貫通ビア(tsv)を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ(cumt)デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016511607A JP2016511607A JP2015560307A JP2015560307A JP2016511607A JP 2016511607 A JP2016511607 A JP 2016511607A JP 2015560307 A JP2015560307 A JP 2015560307A JP 2015560307 A JP2015560307 A JP 2015560307A JP 2016511607 A JP2016511607 A JP 2016511607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cumt
- substrate
- thin film
- tsv
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B2201/00—Indexing scheme associated with B06B1/0207 for details covered by B06B1/0207 but not provided for in any of its subgroups
- B06B2201/70—Specific application
- B06B2201/76—Medical, dental
Abstract
Description
Claims (20)
- 少なくとも1つのCUMTセルを備えた少なくとも1つのCUMT要素を含む容量性微細加工超音波トランスデューサ(CUMT)デバイスであって、
前記CUMTセルが、
厚い誘電体領域と薄い誘電体領域とを含むパターニングされた誘電体層をその上に含む頂部側を含む第1の基板、
前記厚い誘電体領域上、及び前記薄い誘電体領域の上にボンディングされマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)キャビティの上の可動薄膜を提供する薄膜層、
中に誘電体ライナーを含む、前記第1の基板の底部側から前記薄膜層の頂部表面まで延在する導電性のTSV充填材料を含む基板貫通ビア(TSV)、
前記TSVの上の第1の部分を含み、前記可動薄膜の上の、及び前記TSVを前記可動薄膜に結合する、頂部側金属層、及び
前記TSVの横の前記第1の基板の前記底部側に接する第1のパターニングされた層部分を含む前記第1の基板の前記底部側にパターニングされた金属層、
を含む、
デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、前記頂部側金属層の上を含む前記CUMTデバイスの頂部上の少なくとも一つの誘電性パッシベーション層を更に含む、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記CUMTデバイスが前記複数のCUMTセルを含み、前記複数のCUMTセルの全てが、前記第1の基板を介するセル間結合によって提供される共通底部電極を有する、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記CUMTデバイスが前記複数のCUMT要素を含み、前記複数のCUMT要素の各々が、前記複数のCUMTセルを含み、前記複数のCUMT要素の各々における前記可動薄膜が前記TSVに接することにより全てアドレス指定可能であるように、前記複数のCUMT要素の各々における前記可動薄膜の全てが共に接続される、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記薄膜層が単結晶シリコンを含む、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記TSV充填材料が銅を含み、前記複数のTSVが、前記第1の基板の前記底部側から突出する、突出するTSVティップを含む、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記第1の基板が、0.1Ω−cmより小さいか又はそれに等しい(≦)抵抗を有する、デバイス。
- 請求項1に記載のデバイスであって、前記薄膜層が前記厚い誘電体領域に真空融解ボンディングされる、デバイス。
- 少なくとも1つのCUMTセルを備えた少なくとも1つのCUMT要素を含む容量性微細加工超音波トランスデューサ(CUMT)デバイスを形成する方法であって、
第1の基板の頂部側上に厚い誘電体領域と薄い誘電体領域とを含むパターニングされた誘電体層を形成すること、
少なくとも1つのシーリングされたマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)キャビティを提供するために第2の基板を前記厚い誘電体領域にボンディングすること、
薄膜層を提供するために前記第2の基板の厚みを低減するため前記第2の基板を薄化すること、
前記薄膜層を介し、前記厚い誘電体領域を介し、及び前記第1の基板の前記頂部側から前記第1の基板へ延在する、埋め込みビアをエッチングすること、
前記第1の基板の表面に沿って及び前記薄膜層に沿って前記埋め込みビアをライニングする誘電体ライナーを形成すること、
前記薄膜層の少なくとも頂部まで延在する埋め込み基板貫通ビア(TSV)を形成するように、前記埋め込みビアを導電性TSV充填材料で充填すること、
前記薄膜層の頂部の上、及び前記埋め込みTSVの頂部の上の、第1の部分を含むパターニングされた頂部側金属層を形成すること、
前記MEMSキャビティの上の可動薄膜を画定するために前記薄膜層をエッチングすること、
前記第1の基板の底部側の前記TSVを露出させること、及び
前記TSVの横の前記第1の基板の前記底部側に接する第1のパターニングされた層部分を含む前記第1の基板の前記底部側に、パターニングされた金属層を形成すること、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記第2の基板を前記ボンディングすることが、前記薄膜層とは反対のハンドルと、前記ハンドルと前記薄膜層との間の埋め込み誘電体層とを有するSOI(silicon on insulator)基板の前記薄膜層をボンディングすることを含み、前記第2の基板を前記薄化することが、前記SOI基板の前記ハンドルを取り除くことを含み、前記埋め込みビアを前記充填した後前記埋め込み誘電体層を取り除くことを更に含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記ボンディングが真空融解ボンディングを含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、パターニングされた誘電体層を前記形成することが、高圧酸化(HiPOx)成長プロセスを含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記CUMTデバイスが前記複数のCUMTセルを含み、前記複数のCUMTセルの全てが、前記第1の基板を介するセル間結合によって提供される共通底部電極を有する、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記薄膜層が単結晶シリコンを含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記TSV充填材料が銅を含み、前記方法が、前記第1の基板の前記底部側から突出する前記TSVのための突出するTSVティップを形成することを更に含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記パターニングされた頂部側金属層の上を含む前記CUMTデバイスの頂部上に少なくとも1つの誘電性パッシベーション層を堆積することを更に含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記CUMTデバイスが前記複数のCUMT要素を含み、前記複数のCUMT要素の各々が前記複数のCUMTセルを含み、前記複数のCUMT要素の各々における前記可動薄膜が前記TSVに接することにより全てアドレス指定可能であるように、前記複数のCUMT要素の各々における前記可動薄膜の全てが共に接続される、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記第1の基板が、0.1Ω−cmより小さいか又はそれに等しい(≦)抵抗を有する、方法。
- 少なくとも1つのCUMTセルを備えた少なくとも1つのCUMT要素を含む容量性微細加工超音波トランスデューサ(CUMT)デバイスを形成する方法であって、
第1の基板の頂部側上に厚い誘電体領域と薄い誘電体領域とを含むパターニングされた誘電体層を形成すること、
少なくとも1つのシーリングされたマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)キャビティを提供するために、薄膜層とは反対のハンドルと、前記ハンドルと薄膜層との間の埋め込み誘電体層とを有するSOI(silicon on insulator)基板の前記薄膜層をボンディングすること、
前記SOI基板の前記ハンドルを取り除くこと、
前記薄膜層を介し、前記厚い誘電体領域を介し、及び前記第1の基板の前記頂部側から前記第1の基板へ延在する、埋め込みビアをエッチングすること、
前記第1の基板の表面に沿って及び前記薄膜層に沿って前記埋め込みビアをライニングする誘電体ライナーを形成すること、
前記薄膜層の少なくとも頂部まで延在する埋め込み基板貫通ビア(TSV)を形成するように、前記埋め込みビアを導電性のTSV充填材料で充填すること、
前記埋め込み誘電体層を取り除くこと、
前記薄膜層の頂部の上、及び前記埋め込みTSVの頂部上の、第1の部分を含むパターニングされた頂部側金属層を形成すること、
前記MEMSキャビティの上の可動薄膜を画定するために前記薄膜層をエッチングすること、
前記第1の基板の底部側の前記TSVを露出させること、及び
前記TSVの横の前記第1の基板の前記底部側に接する第1のパターニングされた層部分を含む前記第1の基板の前記底部側に、パターニングされた金属層を形成すること、
を含む、方法。 - 請求項19に記載の方法であって、前記薄膜層が単結晶シリコンを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/779,376 | 2013-02-27 | ||
US13/779,376 US9520811B2 (en) | 2013-02-27 | 2013-02-27 | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device with through-substrate via (TSV) |
PCT/US2014/019011 WO2014134301A1 (en) | 2013-02-27 | 2014-02-27 | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (cmut) device with through-substrate via (tsv) |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016511607A true JP2016511607A (ja) | 2016-04-14 |
JP2016511607A5 JP2016511607A5 (ja) | 2017-04-06 |
JP6337026B2 JP6337026B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=51387424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015560307A Active JP6337026B2 (ja) | 2013-02-27 | 2014-02-27 | 基板貫通ビア(tsv)を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ(cumt)デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9520811B2 (ja) |
JP (1) | JP6337026B2 (ja) |
CN (1) | CN105025802B (ja) |
WO (1) | WO2014134301A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10662055B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-05-26 | Seiko Epson Corporation | MEMS element, sealing structure, electronic device, electronic apparatus, and vehicle |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9351081B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) with through-substrate via (TSV) substrate plug |
US9520811B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-12-13 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device with through-substrate via (TSV) |
US9470710B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive MEMS sensor devices |
JP6221582B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 |
US9761509B2 (en) * | 2015-12-29 | 2017-09-12 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device with throgh-substrate via and method for fabrication the semiconductor device |
CA3052485A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Butterfly Network, Inc. | Capacitive micromachined ultrasonic transducers (cmuts) and related apparatus and methods |
KR102450580B1 (ko) | 2017-12-22 | 2022-10-07 | 삼성전자주식회사 | 금속 배선 하부의 절연층 구조를 갖는 반도체 장치 |
CN112004611A (zh) * | 2018-03-09 | 2020-11-27 | 蝴蝶网络有限公司 | 超声换能器装置以及制造超声换能器装置的方法 |
JP2022509066A (ja) * | 2018-11-16 | 2022-01-20 | ヴァーモン エス.エー. | 容量性微細加工超音波トランスデューサ及びその製造方法 |
KR102244601B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2021-04-26 | 인하대학교 산학협력단 | 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서 및 그 제조방법 |
WO2021038300A1 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | Vermon Sa | Cmut transducer |
CA3164543A1 (en) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | The University Of British Columbia | Flexible capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays |
US11440051B2 (en) | 2020-02-26 | 2022-09-13 | General Electric Company | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) devices and methods of manufacturing |
CN111889341B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-07-13 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种超薄柔性硅基电容式微机械超声波换能器及加工方法 |
EP4059440A1 (en) | 2021-03-15 | 2022-09-21 | Pulsify Medical | Ultrasound system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005120130A1 (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Olympus Corporation | 静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ |
WO2005120360A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corporation | 静電容量型超音波プローブ装置 |
JP2009050560A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Olympus Medical Systems Corp | 超音波トランスデューサ、超音波診断装置及び超音波顕微鏡 |
JP2011109358A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Canon Inc | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6312581B1 (en) | 1999-11-30 | 2001-11-06 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Process for fabricating an optical device |
TWI221343B (en) | 2003-10-21 | 2004-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | Wafer structure for preventing contamination of bond pads during SMT process and process for the same |
WO2007036922A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Timothy Cummins | An integrated electronic sensor |
US7405637B1 (en) * | 2004-06-29 | 2008-07-29 | Hrl Laboratories, Llc | Miniature tunable filter having an electrostatically adjustable membrane |
WO2006046471A1 (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Olympus Corporation | 静電容量型超音波振動子及びその体腔内超音波診断システム |
JP2008541473A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-11-20 | コロ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 貫通ウェーハ相互接続 |
CA2607916A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Kolo Technologies, Inc. | Micro-electro-mechanical transducers |
DE102005058977A1 (de) | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Atmel Germany Gmbh | Transpondereinrichtung mit Mega-Pads |
US7741686B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-06-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Trench isolated capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays with a supporting frame |
US7843022B2 (en) * | 2007-10-18 | 2010-11-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High-temperature electrostatic transducers and fabrication method |
US7799678B2 (en) * | 2008-01-30 | 2010-09-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a through silicon via layout |
US7943514B2 (en) * | 2009-09-03 | 2011-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuits having TSVs including metal gettering dielectric liners |
US8143704B2 (en) * | 2009-10-02 | 2012-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Electronic assemblies including mechanically secured protruding bonding conductor joints |
US8563345B2 (en) * | 2009-10-02 | 2013-10-22 | National Semiconductor Corporated | Integration of structurally-stable isolated capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) array cells and array elements |
US8324006B1 (en) * | 2009-10-28 | 2012-12-04 | National Semiconductor Corporation | Method of forming a capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) |
US7969013B2 (en) * | 2009-10-22 | 2011-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through silicon via with dummy structure and method for forming the same |
DE102010045649A1 (de) | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zum direkten Montieren passiver Komponenten |
US20140187957A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Volcano Corporation | Ultrasonic Transducer Electrode Assembly |
US9351081B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) with through-substrate via (TSV) substrate plug |
US9520811B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-12-13 | Texas Instruments Incorporated | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device with through-substrate via (TSV) |
KR102176584B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 정전용량 미세가공 초음파 변환기 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-02-27 US US13/779,376 patent/US9520811B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-27 WO PCT/US2014/019011 patent/WO2014134301A1/en active Application Filing
- 2014-02-27 CN CN201480010856.5A patent/CN105025802B/zh active Active
- 2014-02-27 JP JP2015560307A patent/JP6337026B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-08 US US15/345,741 patent/US10335827B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005120130A1 (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Olympus Corporation | 静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ |
WO2005120360A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corporation | 静電容量型超音波プローブ装置 |
JP2009050560A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Olympus Medical Systems Corp | 超音波トランスデューサ、超音波診断装置及び超音波顕微鏡 |
JP2011109358A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Canon Inc | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10662055B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-05-26 | Seiko Epson Corporation | MEMS element, sealing structure, electronic device, electronic apparatus, and vehicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105025802B (zh) | 2018-01-05 |
CN105025802A (zh) | 2015-11-04 |
US20140239769A1 (en) | 2014-08-28 |
US10335827B2 (en) | 2019-07-02 |
JP6337026B2 (ja) | 2018-06-06 |
US20170050217A1 (en) | 2017-02-23 |
WO2014134301A1 (en) | 2014-09-04 |
US9520811B2 (en) | 2016-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6337026B2 (ja) | 基板貫通ビア(tsv)を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ(cumt)デバイス | |
US9937528B2 (en) | Capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) forming | |
US10107830B2 (en) | Method of forming capacitive MEMS sensor devices | |
US10967400B2 (en) | Microfabricated ultrasonic transducer having individual cells with electrically isolated electrode sections | |
US8563345B2 (en) | Integration of structurally-stable isolated capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) array cells and array elements | |
US10093534B2 (en) | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same | |
US8222065B1 (en) | Method and system for forming a capacitive micromachined ultrasonic transducer | |
US9596528B2 (en) | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same | |
CN104160721A (zh) | 高频cmut |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6337026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |