JP2016510940A - 直角ヘッダアセンブリ - Google Patents
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Abstract
Description
第1の開口部および第2の開口部は互いに垂直である。HVコンタクトは、外側ハウジングのチャンバ内に受けられる。HVコンタクトは、プラグアセンブリのプラグコンタクトに電気的に接続するように構成される。HVコンタクトは各々、第1のセグメントに沿って少なくとも部分的に延びる心棒(stem)を有する。HVコンタクトは各々、第2のセグメントに沿って少なくとも部分的に延びる尾部(tail)を有する。
HVヘッダアセンブリ100およびプラグアセンブリ104を、600ボルト超のような高電圧レベルで使用してもよい。場合により、高電圧レベルは約600ボルトであってよい。電力に加えて、または電力の代わりにデータを伝送するためにHVヘッダアセンブリ100およびプラグアセンブリ104を使用してもよい。
場合により、外側ハウジング202は、取付フランジ226の底面228から延びるボス232を備えてもよい。HVヘッダアセンブリ100をパネル106に取り付けるときに、ボス232は、ヘッダアセンブリ100を適切に位置合わせして支持する機能を果たす、パネル106のオリフィス内へ少なくとも部分的に延びるように構成されてもよい。
例示的な実施形態では、内側ハウジング238が、内側ハウジング238をシールド236内に固定するために使用される1つまたは複数のロック面272を備える。例えば、ロック面272は、シールド236の下方に延びるタブ260に係合するように構成された内側ハウジング238の窪みであってよい。あるいは、ロック面272は突起であってもよい。この突起は、シールド236の隆起内へ、または上方に延びるタブ260によって形成された開口部などシールド236の開口部内へ延びるように構成される。
HVILコンタクト242を金属などの導電性材料から打ち抜いて形成することができる。例示的な実施形態では、尾部290が心棒292よりも短く、HVIL端子300のソケット内で受けられるように構成されたピンまたはブレードとして形成される。あるいは、尾部は軸280に垂直でなくてもよく、かつ/またはHVIL端子のピンもしくはブレードを受けるように構成されたソケットを有する。
例えば、HV端子286は、コンタクト端部328のスロット336内でHVコンタクト240の尾部278を受けるように構成されたコンタクト端部328に沿ってソケット334を含むことができる。あるいは、HV端子は、HVコンタクトのソケット内で受けられる尾部を有することができる。代替実施形態では、HV端子は、直線状のHVコンタクトに電気的に接続するように構成された直角端子であってよい。
内側ハウジング238は、シールド236よりも長く構成されて、内側ハウジング238がその止め点に達し、シールド236に完全に装填されたときに、前部262の内側ハウジング238の一部がシールド236によって囲まれないようにしてもよい。
嵌合インタフェース220の上下の直径(例えば、第1のセグメント206に沿って上部から下部)は、シールド236の上部254から終端端部276、288までの組合せ高さ604よりも大きくなるように構成されて、コンタクト・サブアセンブリ216がチャンバ210に入るようにする。例示的な実施形態では、コンタクト・サブアセンブリ216が端子サブアセンブリ218(図3に示す)より前にチャンバ210に装填される。他の実施形態では、HV端子およびHVIL端子が直角尾部を有する(HVコンタクト240およびHVILコンタクト242と同様に)場合のように、端子サブアセンブリが最初に装填されてもよい。
HV端子286およびHVIL端子300(図7に示す)は、内側ハウジング302がチャンバ210内に受けられる前に、内側ハウジング302内に予め装填されてもよい。あるいは、端子286、300は、内側ハウジング302が外側ハウジング202に装填された後に内側ハウジング302に装填されてもよい。代替実施形態では、シールド268、内側ハウジング302、HV端子286、およびHVIL端子300を備える端子サブアセンブリ218(図3に示す)が、外側から組み立てられた後、第2の開口部214を通ってチャンバ210に装填される。
第1のシールド236の偏向可能な梁250が、分離可能なインタフェース902の近くで第2のシールド268に対して偏倚されて、コンタクトを確保し、保持力を与える。HV端子286およびHVIL端子300(いずれも図3に示す)は、コンタクト・サブアセンブリ216に収容されたHVコンタクト240およびHVILコンタクト242(図3に示す)のそれぞれに電気的に接続する。例えば、端子サブアセンブリ218がコンタクト・サブアセンブリ216に嵌合すると、コンタクト尾部278、290(図3に示す)の終端端部276、288(図3に示す)が端子ソケット334、344(図3に示す)のそれぞれに受けられる。嵌合時に、第1のシールド236および第2のシールド268は、コンタクトおよび端子の周りに、直角を通るものも含めて全長に沿って、完全な360°シールドをもたらす。
Claims (10)
- 直角本体(204)を有する外側ハウジング(202)と、複数のHVコンタクト(240)とを備える高電圧(HV)ヘッダアセンブリ(100)であって、
前記直角本体(204)は、第1のセグメント(206)と、前記第1のセグメントに対して直角に向いた第2のセグメント(208)とを備えており、
前記第1のセグメントが、遠位端に、プラグアセンブリ(104)と嵌合するためのソケットを画定する嵌合インタフェース(220)を有し、
前記第2のセグメントが、遠位端に、デバイス(102)に取り付けられるように構成された取付フランジ(226)を有し、
前記第2のセグメントが、前記取付フランジが前記嵌合インタフェースに対して垂直に向くように前記第1のセグメントから延び、
前記直角本体が、前記嵌合インタフェースおよび前記取付フランジの間で前記第1のセグメントおよび前記第2のセグメントを通って延びる直角チャンバ(210)を画定し、
前記チャンバが、前記第1のセグメントおよび前記第2のセグメントのそれぞれに、前記チャンバを通る第1の開口部(212)および第2の開口部(214)を有し、前記第1の開口部および前記第2の開口部が互いに略垂直であるとともに、
前記外側ハウジングの前記チャンバ内に受けられる前記HVコンタクト(240)が、前記プラグアセンブリのプラグコンタクトに電気的に接続されるように構成され、
前記HVコンタクト(240)は、前記第1のセグメントに沿って少なくとも部分的に延びる心棒(282)を各々有し、かつ、前記第2のセグメントに沿って少なくとも部分的に延びる尾部(278)を各々有する、
高電圧(HV)ヘッダアセンブリ(100)。 - 前記HVコンタクト(240)が、前記心棒(282)により画定された嵌合端部(274)と前記尾部(278)により画定された終端端部(276)とを各々備え、
前記終端端部が前記嵌合端部に対して垂直に向く、請求項1に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - コンタクト・サブアセンブリ(216)をさらに備え、
前記コンタクト・サブアセンブリ(216)は、
前記HVコンタクト(240)と、
前記第1の開口部(212)を通って前記チャンバ(210)内に受けられる第1のシールド(236)と、
前記第1のシールドが第1の内側ハウジングの少なくとも一部を囲む状態で、前記チャンバ内に受けられる第1の内側ハウジング(238)と、を有し、
前記第1の内側ハウジングが複数のチャネル(404)を画定して前記HVコンタクトを収容する、請求項1に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - 前記HVコンタクト(240)が前記第1のシールド(236)内の前記第1の内側ハウジング(238)内に受けられるときに、前記チャンバ(210)に受けることができるように、前記外側ハウジング(202)の前記嵌合インタフェース(220)の直径が、前記第1のシールド(236)の上部(254)から前記HVコンタクトの前記尾部(278)の終端端部(276)までの組合せ高さ(604)よりも大きい、請求項3に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。
- 前記第1のシールド(236)が偏向可能な梁(250)を備え、
前記HVヘッダアセンブリ(100)が、前記第2の開口部(214)を通って前記チャンバ(210)内に受けられる第2のシールド(268)をさらに備え、
前記第2のシールドが、分離可能なインタフェース(902)で前記第1のシールドの前記偏向可能な梁に電気的に接続される、請求項3に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - 前記第2の開口部(214)を通って前記チャンバ(210)内に受けられる第2のシールド(268)をさらに備え、
前記チャンバ内で前記第1のシールドに対して略垂直に向く前記第2のシールドが、前記第1のシールド(236)に電気的に接続される、請求項3に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - 前記チャンバ(210)内に受けられる第2の内側ハウジング(302)をさらに備え、
前記第2のシールド(268)が前記第2の内側ハウジングの少なくとも一部を囲み、
前記第2の内側ハウジングがキャビティ(320)を画定して、前記HVコンタクト(240)に電気的に接続されるHV端子(286)を収容する、請求項6に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - 前記外側ハウジング(202)の前記チャンバ(210)内に受けられる高電圧インタロック(HVIL)コンタクト(242)をさらに備え、
前記HVILコンタクトが、前記プラグアセンブリのHVILプラグコンタクトに電気的に接続されるように構成され、
前記HVILコンタクトが、前記第1のセグメント(206)に沿って少なくとも部分的に延びる心棒(292)を各々有し、かつ、前記第2のセグメント(208)に沿って少なくとも部分的に延びる尾部(290)を各々有し、前記心棒が前記尾部に対して垂直に向く、請求項1に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。 - 前記外側ハウジング(202)が単一部品構成を含む、請求項1に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。
- 前記取付フランジ(226)が、前記デバイス(102)のパネル(106)に取り付けられるように構成され、前記パネルにより画定される平面が、前記嵌合インタフェース(220)に略垂直である、請求項1に記載のHVヘッダアセンブリ(100)。
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