JP2016507907A - 半導体スイッチ素子を有した負荷時タップ切換装置及び負荷時タップ切換装置を動作させる方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、半導体スイッチ素子(61,62,71,72)により電圧を調整する負荷時タップ切換装置(1)並びに電圧調整器(2)のために電圧を調整する方法に関する。負荷時タップ切換装置(1)は、第一の負荷分岐部(6)と、これに並列に配置された第二の負荷分岐部(7)とを備えている。第一及び第二の負荷分岐部(6,7)の間には、部分巻線(8)が配置されている。第一の負荷分岐部(6)には、部分巻線(8)の前側に第一の半導体スイッチ素子(61)が設けられているとともに、部分巻線(8)の後側に第二の半導体スイッチ素子(62)が設けられている。第二の負荷分岐部(7)には、部分巻線(8)の前側に第一の半導体スイッチ素子(71)が設けられているとともに、部分巻線(8)の後側に第二の半導体スイッチ素子(72)が設けられている。負荷時タップ切換装置(1)は、当該負荷時タップ切換装置の第一の負荷分岐部(6)と第二の負荷分岐部(7)とを含む少なくとも一つの切換モジュール(5)からなる。半導体スイッチ素子内のスイッチを適宜に周期駆動するとともに、それぞれの切換モジュール(5)内の電流経路を決定することにより、スイッチングロスと、それに伴う熱発生が低減されることになる。
Description
本発明は、半導体スイッチ素子を有した負荷時タップ切換装置に関する。とりわけ、負荷時タップ切換装置は、複数の切換モジュールからなり、調整巻線に接続されている。
さらに、本発明は、負荷時タップ切換装置を動作させる方法に関する。
特許文献1より、半導体製切換ユニットを備えた、電圧を調整するタップ切換装置が公知である。タップ切換装置は、二つの並列な負荷分岐部を有し、これら二つの負荷分岐部において、半導体製切換ユニットが直列に接続されている。ここで、第一の負荷分岐部の半導体製切換ユニットと、第二の負荷分岐部の半導体製切換ユニットとは、それぞれ対になって対向するように位置している。これらの対になった半導体製切換ユニット間の各々には、部分巻線とブリッジとが交互に一つずつ二つの負荷分岐部の間に並列に接続されている。部分巻線は、異なる巻線数を有している。半導体製切換ユニットは、サイリスタ対又はIGBT対として形成することができる。半導体製切換ユニットを巧みに切り換えることで、巻線を繋げたり切り離したりすることができる。これにより、変圧器の変圧比を調整でき、したがって二次電圧を調整することができる。IGBTを用いれば、パルス幅変調によって部分巻線の接続と分離を交互に行うことが実現でき、これにより細かいステップでの電圧調整を実行できる。半導体製切換ユニットを常時オン・オフすることでスイッチングロスが発生し、半導体製切換ユニットが熱を帯びて、これが冷却装置に高い要求を突き付けている。
本発明の課題は、スイッチングロスがより少なく、より小型の冷却装置でも十分で、その結果、低コストかつ安全確実な、半導体スイッチ素子により電圧を調整する負荷時タップ切換装置を提供することにある。
この課題は、請求項1に記載の本発明による電圧を調整する負荷時タップ切換装置により解決される。さらに、下位請求項は、本発明の他の有利な態様に関する。
本発明の課題は、さらに、半導体スイッチ装置を有する負荷時タップ切換装置を動作させる方法を提供し、この方法で生じるスイッチングロスをより少なくし、熱の発生を低減し、安全性・確実性を高めることにある。
この課題は、請求項5に記載の本発明による、電圧を調整する負荷時タップ切換装置を動作させるための方法により解決される。さらに、下位請求項は、本発明の方法の有利な他の態様に関する。
本発明の普遍的な思想は、半導体スイッチ素子として、反転配置ダイオードを有して逆向き(電流が流れる向きが互いに逆向き)に直列に接続された二つのIGBTを用い、パルス幅変調に際して部分巻線における電流の方向と電圧の向き(Ausrichtung)を考慮し、これにより、負荷分岐部の一部のスイッチ動作をしないことでスイッチングロスを防ぐという点にある。
本発明の好ましい実施形態によれば、電圧を調整するタップ切換装置は、半導体スイッチ素子を備え、調整巻線を有する電圧調整器(Regeltransformator)に配置されている。本装置は、調整巻線における調整が行われない固定的な部分と、負荷導出部(負荷シャントともいう。)(Lastableitung)との間に配置されている。さらに、負荷時タップ切換装置は、第一の負荷分岐部と、これに並列に配置された第二の負荷分岐部とを備え、これらの負荷分岐部の間には、部分巻線が配置されている。第一の負荷分岐部は、部分巻線の前側に第一の半導体スイッチ素子を有しかつ部分巻線の後側に第二の半導体スイッチ素子を有している。第二の負荷分岐部は、同じように、部分巻線の前側に第一の半導体スイッチ素子を有しかつ部分巻線の後側に第二の半導体スイッチ素子を有している。負荷時タップ切換装置は、第一の負荷分岐部と第二の負荷分岐部とを備えた少なくとも一つの切換モジュールを備えている。
本発明の他の実施形態によれば、各半導体スイッチ素子は、それぞれ第一のIGBT及び第二のIGBTからなり、これらのIGBTは、互いに逆向き(電流が流れる向きが互いに逆向き)に直列に接続されている。これらのIGBTには、反転配置ダイオードの一つがそれぞれ次のように設けられている。すなわち、第一のIGBTの、そして第二のIGBTの、エミッタ接続部には、反転配置ダイオードのアノードが接続され、かつ、コレクタ接続部には、反転配置ダイオードのカソードが接続されるようになっている。ここで、第一の負荷分岐部と第二の負荷分岐部の半導体スイッチ素子は、選択的にスイッチオフ可能(abschaltbar)とされている。
他の実施形態によれば、負荷時タップ切換装置は、第一の切換モジュール、第二の切換モジュール及び第三の切換モジュールからなる。このとき、各切換モジュールの部分巻線は、互いにそれぞれが異なる巻数比、例えば9:3:1を有している。
負荷時タップ切換装置を動作させる本発明による方法においては、切換モジュールの部分巻線のいかなる設定間の切換えが行われなければならないかが先ず決定される。減法的設定では、部分巻線の巻数が調整巻線から差し引かれ、加法的設定では、部分巻線の巻数が調整巻線に足し合わされ、定格設定では、部分巻線が完全に外される。
本発明の方法によるさらなるステップは、切換モジュールの活性動作側(積極側)と静的動作側(消極側)とを定めることに関する。切換モジュールの活性動作側では、半導体スイッチ素子が作動させられ、他方、向かい合う側では、半導体スイッチ素子は、固定されたスイッチ状態に移行させられる。
部分巻線での電流の方向と電圧の向きを決定したら、切換モジュールの半導体スイッチ素子のスイッチ状態が定められる。このとき、各活性動作側の、電流を通したり通さなかったりを交互に繰り返す複数の反転配置ダイオードに接続された、第一の半導体スイッチ素子又は第二の半導体スイッチ素子のIGBTは、常に電流を通さない状態とされている。活性動作側の、交互に電流を通す二つのIGBTのうち、一つは常に電流を通す状態とされている。そのIGBTというのは、そのコレクタ接続部が部分巻線の負極に接続されているとともにそのエミッタ接続部が部分巻線の正極に接続されているものである。活性動作側の、交互に電流を通す二つのIGBTのうち、一つは周期的に駆動させられる。そのIGBTというのは、そのコレクタ接続部が部分巻線の正極に接続されているとともにそのエミッタ接続部が部分巻線の負極に接続されているものである。静的動作側では、一つの半導体スイッチ素子は常に電流を通さない状態とされ、他の半導体スイッチ素子は常に電流を通す状態とされている。
電流の流れる方向と部分巻線における正極と負極の向きを変更する際には、半導体スイッチ素子のいずれのIGBTが活性動作側において周期的に作動させられ、あるいは電流を通す状態にスイッチが入れられ、静的動作側において電流を通す状態あるいは電流が通らない状態にスイッチが入れられ、全体としてはどちらの側が活性動作状態ないし静的動作状態になるかが特定される。
本明細書において開示された実施形態の上記並びに他の特徴及び長所は、以下の記載及び図面に基づいてより理解しやすいものになる。その場合、同一の部材には全て同じ符号を付す。
本発明の同じ又は同じ機能を奏する構成要素には、同じ符号が用いられる。図示された実施例は、本発明によるスイッチ素子がどのように構成され得るかの一つの可能性を示すに過ぎない。
図1には、電圧調整器2における、調整巻線3の電圧調整用負荷時タップ切換装置1が示されている。負荷時タップ切換装置1は、調整巻線3の調整されない固定的な部分と、負荷導出部4との間に配置されている。
図2に示されているように、負荷時タップ切換装置1は、少なくとも一つの切換モジュール5からなる。切換モジュール5は、第一の負荷分岐部6と、これに並列に配置された第二の負荷分岐部7とを備えている。切換モジュール5の第一及び第二の負荷分岐部6,7は、部分巻線8を介して電流を通す状態で互いに接続されている。第一の負荷分岐部6は、調整巻線3と部分巻線8との間に第一の半導体スイッチ素子61を備えているとともに、部分巻線8の後側、つまり導出部4の方に、第二の半導体スイッチ素子62を備えている。第二の負荷分岐部7は、同じように部分巻線8の前側に第一の半導体スイッチ素子71を備えているとともに、部分巻線8の後側に第二の半導体スイッチ素子72を備えている。
図3には、各半導体スイッチ素子61,62,71,72が第一の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)(IGBT)11及び第二のGBT12からなり、これらが逆向きに直列に接続されている(antiseriell verschaltet)ことが示されている。第一のIGBT11及び第二のIGBT12には、順方向が互いに逆向きになるように配置された反転配置ダイオード14がそれぞれ設けられている。IGBT11及びIGBT12のそれぞれは、コレクタ接続部C、エミッタ接続部E及びゲート接続部Gを有している。反転配置ダイオード14のそれぞれは、自身のアノードがIGBT11ないしIGBT12のそれぞれのエミッタ接続部Eに、カソードがコレクタ接続部Cにそれぞれ繋がっている。
次に、図4a〜4dに示されているように、部分巻線8が複数設定のうちいずれを取るかが特定される。減法的設定20(図4a)では、部分巻線8の巻数が調整巻線3の固定的な部分から差し引かれる。この場合、電流Iは、方向に関係なく、第一の負荷分岐部6における第一の半導体スイッチ素子61、部分巻線8、そして第二の負荷分岐部7における第二の半導体スイッチ素子72を通って流れる。
加法的設定21(図4b)においては、部分巻線8の巻数が調整巻線3の固定的な部分に足し合わされる。この場合、電流Iは、方向に関係なく、第二の負荷分岐部7における第一の半導体スイッチ素子71、部分巻線8、そして第一の負荷分岐部6における第二の半導体スイッチ素子62を通るように流れる。
定格設定22(図4c及び図4d)においては、電流Iは、あえて部分巻線8を素通りするように第一又は第二の負荷分岐部6,7に亘って導かれる。この設定では、部分巻線8の巻数は、調整巻線3に何の影響も持たない。
細かいステップでの調整を実現しかつステップの合間を作り出せるように、パルス幅変調を用いて、上述の三つの設定のうち二つの設定間で周期的に切り換えられる。減法的設定20ないし加法的設定21と定格設定22との間で切り換えられる場合は、切換モジュール5の静的動作側及び活性動作側が定められなければならない。これが、調整する場合である。それぞれの側には、常に半導体スイッチ素子61,71又は半導体スイッチ素子62,72が属しており、これらは、同じ側、つまり部分巻線8の前側ないし部分巻線8の後側に位置している。したがって、第一の負荷分岐部6の第一の半導体スイッチ素子61と第二の負荷分岐部7の第一の半導体スイッチ素子71が活性動作状態にされかつ第一の負荷分岐部6の第二の半導体スイッチ素子62と第二の負荷分岐部7の第二の半導体スイッチ素子72が静的動作状態にされるか又はその逆とされるかどうかについて定められなければならない。この決定内容に応じて、半導体スイッチ素子61,62,71,72のIGBT11,12が様々にスイッチングされなければならない。定められた静的動作側における半導体スイッチ素子は、方法を実施する間、常に電流を通す状態もしくは電流を通さない状態に維持されるが、このとき一方の半導体スイッチ素子は電流を通す状態に、他方は電流が流れない状態とされている。活性動作側では、半導体スイッチ素子は、パルス幅変調が実行されることによって活性動作状態に切り換えられ、つまりは半導体スイッチ素子が異なる複数の設定状態を取る。減法的設定20と加法的設定21との間の切り換えの際には、両側が活性動作状態にされる。
図5の実施例において、図示された切換モジュール5の活性動作側は、第一の負荷分岐部6の第一の半導体スイッチ素子61と第二の負荷分岐部7の第一の半導体スイッチ素子71とからなる。したがって、図5における静的動作側は、第一の負荷分岐部6の第二の半導体スイッチ素子62と第二の負荷分岐部7の第二の半導体スイッチ素子72とからなる。
静的動作側では、第二の負荷分岐部7の第二の半導体スイッチ素子72は、常に電流を通す状態とされている。逆に、第一の負荷分岐部6の第二の半導体スイッチ素子62は、常に電流を通さない状態とされている。したがって、電流Iは、第一のIGBT11と、第二のIGBT12に接続されている反転配置ダイオード14とを通って流れるか、あるいは、逆方向に、第二のIGBT12と、第一のIGBT11に接続されている反転配置ダイオード14とを通って流れる。第一の負荷分岐部6における第二の半導体スイッチ素子62の第一及び第二のIGBT11,12は、これに対して常に電流を通さない状態とされているため、ここには何らの電流Iも流れない。
活性動作側では、第一の半導体スイッチ素子61,71の第一のIGBT11又は第二のIGBT12のどちらかは、その順方向が電流の流れる方向に一致しない方が電流を通さない状態とされる。電流Iは、このとき、それらに並列に接続された反転配置ダイオード14を介して流れる。第一の半導体スイッチ素子61,71の残りの二つのIGBT11又はIGBT12のうち、一つは、常に電流を通す状態とされ、その一つとはつまり、そのコレクタ接続部Cが部分巻線8の負極「−」に接続されるとともに、そのエミッタ接続部Eが部分巻線8の正極「+」と接続(場合によっては他のIGBTないし反転配置ダイオードを介して接続)されている。最後に、活性動作側の四番目のIGBTは、目標としている中間段階に合わせて所定の通電率(Tastverhaltnis)で周期的に駆動される。このIGBTのコレクタ接続部Cは、その結果、正極「+」側にあり、エミッタ接続部Eにおいて負極「−」側にある。
電流値がゼロ値を横切る直前に、各半導体スイッチ素子における、周期駆動されたIGBTに対して逆向きに直列配置されたIGBTのスイッチが入れられることで、電流方向の転換に際して確実な電流経路が保証される。
図5の実施例において、電圧Uの向きは、部分巻線8の上側に正極「+」、下側に負極「−」が来るようになっている。電流Iは左から右に流れているので、このときには、第一の半導体スイッチ素子61,71の第一のIGBT11と、第一の半導体スイッチ素子61,71の第二のIGBT12に並列に接続されている反転配置ダイオード14とが使用される。第一の半導体スイッチ素子61,71の第一のIGBT11に着目すると、第二の負荷分岐部7における第一の半導体スイッチ素子71の第一のIGBT11のコレクタ接続部C側に、部分巻線8の正極「+」があり、エミッタ接続部E側に、部分巻線8の負極「−」がある。したがって、このIGBTが周期駆動され、その一方で第一の負荷分岐部6における第一の半導体スイッチ素子61の第一のIGBT11は電流を通し続ける状態にある。第二の負荷分岐部7における第一の半導体スイッチ素子71の第二のIGBT12は、電流値がゼロ値を横切る直前、つまり、電流Iの方向が転換する前に電流を通す状態に切り換えられる。
電圧の向きないし電流の方向が転換した後、毎回、どのIGBTが電流を通す状態とされ、どれが電流を通さない状態とされ、どれが周期駆動されるかが改めて決められる。このとき、活性動作側と静的動作側を入れ替えることが、損失を均等に振り分けるのに寄与し、その結果、構成要素の寿命を延ばすことにつながり得る。
負荷時タップ切換装置1の純粋なオーム抵抗による負荷では、電流Iの方向と電圧Uの向きとは、部分巻線8において同時に変化する。誘導性及び容量性の負荷では、電圧Uの向きは、電流Iの方向の変化に対してずれて変化する。
図6に、図5の切換モジュール5が示されている。半導体スイッチ素子61,71を有した切換モジュール5の左側は、前に決定したとおり、依然として活性動作状態にあり、半導体スイッチ素子62,72を有した切換モジュール5の右側は静的動作状態にある。この図では、電流Iの方向が変化したために、電流は、切換モジュール5の右側から左側に向かって流れる。オーム抵抗による負荷であることから、部分巻線8における電圧Uの向きも同じく逆転する。部分巻線8の上端部には、かくして負極「−」が、部分巻線8の下端部には、正極「+」がある。
静的動作側では、電流Iは、第二の負荷分岐部7における第二の半導体スイッチ素子72を介して、それも特に、第二の半導体スイッチ素子72の第二のIGBT12と、第二の半導体スイッチ素子72の第一のIGBT11に並列に接続されている反転配置ダイオード14とを介して導かれる。第一の負荷分岐部における第二の半導体スイッチ素子62は、ここでは常に電流が流れない状態とされている。切換モジュール5の活性動作側では、電流Iは、第一及び第二の半導体スイッチ素子61,71の第一のIGBT11に並列に接続されている反転配置ダイオード14及び第一及び第二の半導体スイッチ素子61,71の第二のIGBT12を介してのみ流れることができる。このとき、第二の負荷分岐部7における第一の半導体スイッチ素子71の第二のIGBT12のコレクタ接続部Cには、正極「+」があり、したがって、こちらが周期駆動される。第二の負荷分岐部7における第一の半導体スイッチ素子71の第二のIGBT12が周期駆動されるので、第一の負荷分岐部6における第一の半導体スイッチ素子61の第二のIGBT12は、したがって、電流を通し続ける状態に切り換えられている。
一連の動作の間、活性動作側にある半導体スイッチ素子61,62,71,72のいずれかは、常に電流を通し続ける状態にある、つまりオーム抵抗が小さいことから、従来技術における高抵抗設定から低抵抗設定に移行する際に生じるスイッチングロスは、明らかに低減される。これにより、切換モジュール5における熱の発生が減り、その結果、冷却により取り去られなければならない熱エネルギーはより少なくなる。総じて、この方法を用いれば、スペース的により小さな、したがって、低コストな冷却装置を使用することが可能となる。
図7には、第一の切換モジュール51、第二の切換モジュール52及び第三の切換モジュール53が直列に接続されている負荷時タップ切換装置1が図示されている。これらの切換モジュール51,52,53の部分巻線8は、異なる巻数比を有している。特に有利には、巻数比の配分は、9:3:1である。本発明に係る方法を用いることによって、切換モジュール51,52,53の少なくともいずれか一つにおいて、そこで作られたより細かな中間段階と、他の切換モジュール51,52,53の段階とを組み合わせることが可能となる。
Claims (11)
- 調整巻線(3)を有する電圧調整器(2)において半導体スイッチ素子(61,62,71,72)を有して電圧を調整する負荷時タップ切換装置(1)であって、
前記調整巻線(3)の、調整が行われない固定的な部分と、負荷導出部(4)との間に配置され、
第一の負荷分岐部(6)と、これに並列に配置された第二の負荷分岐部(7)とを備え、
前記第一及び第二の負荷分岐部(6,7)の間には、部分巻線(8)が配置されており、
前記第一の負荷分岐部(6)は、前記部分巻線(8)の前側に第一の半導体スイッチ素子(61)を備えるとともに、前記部分巻線(8)の後側に第二の半導体スイッチ素子(62)を備え、
前記第二の負荷分岐部(7)は、前記部分巻線(8)の前側に第一の半導体スイッチ素子(71)を備えるとともに、前記部分巻線(8)の後側に第二の半導体スイッチ素子(72)を備えている負荷時タップ切換装置(1)において、
前記負荷時タップ切換装置の前記第一の負荷分岐部(6)と前記第二の負荷分岐部(7)とを含む少なくとも一つの切換モジュール(5)からなることを特徴とする負荷時タップ切換装置。 - 請求項1に記載の負荷時タップ切換装置(1)において、
各半導体スイッチ素子(61,62,71,72)は、それぞれ、互いに逆向きに直列に接続されている第一のIGBT(11)と第二のIGBT(12)とからなり、
前記第一のIGBT(11)と前記第二のIGBT(12)には、それぞれ反転配置ダイオード(14)が設けられ、前記第一のIGBT(11)及び前記第二のIGBT(12)の、エミッタ接続部(E)に反転配置ダイオード(14)のアノードが接続され、コレクタ接続部(C)に前記反転配置ダイオード(14)のカソードが接続されるようになっており、
前記第一の負荷分岐部(6)及び前記第二の負荷分岐部(7)の前記半導体スイッチ素子(61,62,71,72)が選択的にスイッチオフ可能とされていることを特徴とする負荷時タップ切換装置。 - 請求項1又は2のいずれかに記載の負荷時タップ切換装置(1)において、
第一の切換モジュール(51)と、第二の切換モジュール(52)と、第三の切換モジュール(53)とからなり、各切換モジュール(51,52,53)の前記部分巻線(8)が互いに別の巻数比を有していることを特徴とする負荷時タップ切換装置。 - 請求項3に記載の負荷時タップ切換装置(1)において、
前記部分巻線(8)の前記巻数比が9:3:1であることを特徴とする負荷時タップ切換装置。 - 負荷時タップ切換装置(1)を動作させる方法において、
切換モジュール(5)の部分巻線(8)の切り換えるべき複数の設定を決定するステップと、
切換モジュール(5)の活性動作側と静的動作側とを決定するステップと、
前記部分巻線(8)における電流(I)の方向と電圧(U)の向きを決定するステップと、
前記切換モジュール(5)の半導体スイッチ素子(61,62,71,72)のスイッチ状態を決定するステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法において、
減法的設定(20)においては、前記部分巻線(8)の巻数が調整巻線(3)から差し引かれ、
加法的設定(21)においては、前記部分巻線(8)の巻数が調整巻線(3)に足し合わされ、
定格設定(22)においては、前記部分巻線(8)は完全に切り離されることを特徴とする方法。 - 請求項5又は6のいずれかに記載の方法において、
前記切換モジュール(5)の活性動作側では、前記半導体スイッチ素子(61,71)又は前記半導体スイッチ素子(62,72)が操作され、
前記切換モジュール(5)の前記静的動作側では、前記半導体スイッチ素子(61,71)又は前記半導体スイッチ素子(62,72)が定められたスイッチ状態を維持することを特徴とする方法。 - 請求項5乃至7のいずれか一項に記載の方法において、
交互に電流を通す複数の反転配置ダイオード(14)であってその都度の活性動作側における反転配置ダイオード(14)に接続された、前記第一の半導体スイッチ素子(61,71)又は第二の半導体スイッチ素子(62,72)のIGBT(11,12)は、常に電流を通さない状態であり、
前記活性動作側における交互に電流を通す前記二つのIGBT(11,12)のうち、一つは常に電流を通す状態であり、そのIGBT(11,12)とは、当該IGBT(11,12)のコレクタ接続部(C)が前記部分巻線(8)の負極(−)に接続されているとともに、当該IGBT(11,12)のエミッタ接続部(E)が前記部分巻線(8)の正極(+)に接続されているものであり、
前記活性動作側における交互に電流を通す前記二つのIGBT(11,12)のうち、一つは周期駆動され、そのIGBT(11,12)とは、当該IGBT(11,12)のコレクタ接続部(C)が前記部分巻線(8)の前記正極(+)に接続されているとともに、当該IGBT(11,12)のエミッタ接続部(E)が前記部分巻線(8)の前記負極(−)に接続されているものであり、
静的動作側では、一方の半導体スイッチ素子(61,62,71,72)が、常に電流を通さない状態であり、他方の半導体スイッチ素子(61,62,71,72)は、常に電流を通す状態であることを特徴とする方法。 - 請求項5乃至8のいずれか一項に記載の方法において、
前記部分巻線(8)における前記電流(I)の流れの方向と前記正極(+)及び前記負極(−)の向きを変更する際には、前記活性動作側における前記半導体スイッチ素子(61,62,71,72)のどのIGBT(11,12)が周期駆動され又は電流を通す状態に切り換えられるかが特定されることを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法において、
前記部分巻線(8)における前記電流(I)の流れの方向と前記正極(+)及び前記負極(−)の向きを変更する際には、
前記静的動作側における前記半導体スイッチ素子(61,62,71,72)のどのIGBT(11,12)が電流を通す状態又は電流が流れない状態に切り換えられるかが特定されることを特徴とする方法。 - 請求項10に記載の方法において、
前記部分巻線(8)における前記電流(I)の流れの方向と前記正極(+)及び前記負極(−)の向きを変更する際には、前記活性動作側及び前記静的動作側とが決定されることを特徴とする方法。
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