JP2016225598A - 金属被覆方法及び発光装置とその製造方法 - Google Patents

金属被覆方法及び発光装置とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016225598A
JP2016225598A JP2016034643A JP2016034643A JP2016225598A JP 2016225598 A JP2016225598 A JP 2016225598A JP 2016034643 A JP2016034643 A JP 2016034643A JP 2016034643 A JP2016034643 A JP 2016034643A JP 2016225598 A JP2016225598 A JP 2016225598A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
metal layer
light
metal
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016034643A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6332303B2 (ja
JP2016225598A5 (ja
Inventor
義和 松田
Yoshikazu Matsuda
義和 松田
鈴木 亮
Akira Suzuki
亮 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to US15/169,133 priority Critical patent/US9893256B2/en
Publication of JP2016225598A publication Critical patent/JP2016225598A/ja
Publication of JP2016225598A5 publication Critical patent/JP2016225598A5/ja
Priority to US15/846,696 priority patent/US10290787B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6332303B2 publication Critical patent/JP6332303B2/ja
Priority to US16/373,473 priority patent/US11114596B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】設備費が安くでき、耐薬品性・耐熱性に劣る樹脂モールドが表面に露出されていても形成が可能な金属被覆方法を提供する。【解決手段】第1部材と該第1部材より熱伝導率の低い第2部材とを含み、第1部材と第2部材とが表面に露出した基材において、表面に露出した第1部材を金属により被覆する方法であって、第1部材と第2部材とを覆う金属層を形成する工程と、レーザ光を第1部材上および第2部材上の金属層に照射して、第1部材上に形成された金属層を残し、第2部材上に形成された金属層を除去する工程と、を含む。【選択図】図1C

Description

本開示は、金属被覆方法及び発光装置とその製造方法に関する。
電子部品等の電極の腐食を防止するために、電極上を別の金属で被覆することが行われる。その場合、例えば、電極上を含む部品表面全体に金属膜を形成した後、レジストパターンを形成してエッチングすることにより、所定の形状に形成される。例えば、特許文献1には、発光面と反対側の表面に、所定の形状にパターンニングされたメッキ電極が設けられた発光装置が開示されており、そのメッキ電極は、ホトリソグラフィと電解メッキ法を組み合わせて形成すると記載されている。
特開2012−227470号公報
しかしながら、例えば、レジストを用いたパターンニング・めっきプロセスは設備が大掛かりで設備費がかさみ、製造コストが高くなるという課題があった。
また、パターンニングする表面に耐薬品性(酸・アルカリ・アセトン)が求められ、はんだディップなどの方法では耐熱性(熱による樹脂収縮)が求められ、耐薬品性・耐熱性に劣る樹脂モールドには用いることができないという課題がある。
そこで、本発明は、設備費が安くでき、耐薬品性・耐熱性に劣る樹脂モールドが表面に露出されていても形成が可能な金属被覆方法を提供することを目的とする。
そこで、本発明の一実施形態に係る金属被覆方法は、
第1部材と該第1部材より熱伝導率の低い第2部材とを含み、前記第1部材と前記第2部材とが表面に露出した基材において、前記表面に露出した前記第1部材を金属により被覆する方法であって、
前記第1部材と前記第2部材とを覆う金属層を形成する工程と、
レーザ光を前記第1部材上および前記第2部材上の前記金属層に照射して、前記第1部材上に形成された金属層を残し、前記第2部材上に形成された金属層を除去する工程と、
を含む。
本発明の一実施形態によれば、レーザ光を前記第1部材上および前記第2部材上の前記金属層に照射して、前記第1部材上に形成された金属層を残し、前記第2部材上に形成された金属層を除去しているので、設備費を安くでき、耐薬品性・耐熱性に劣る樹脂モールドが表面に露出されていても形成が可能な金属被覆方法を提供することができる。
本発明の実施形態1に係る金属被覆方法により金属層を形成する基材の模式的断面図である。 実施形態1の金属被覆方法において、基材上に全体に金属層3を形成した模式的断面図である。 実施形態1の金属被覆方法において、金属層3上にレーザ照射して、第1部材上の金属層を残し、第2部材上の金属層を除去した模式的断面図である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の概略平面図である。 図2AのA−A線に沿った概略断面図である。 実施形態2に係る発光装置の概略平面図にレーザ照射痕を模式的に示した図である。 実施形態2に係る発光装置の実装した状態を示す概略断面図である。 本発明の実施形態2に係る変形例の発光装置の概略平面図である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−1で、透光性部材用の液状樹脂材料を塗布したときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−2で、発光素子を配置したときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−3で、発光素子を覆う被覆部材を形成したときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−3で、発光素子を覆う被覆部材を形成した後、発光素子の電極を露出させたときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−4で、露出させた発光素子の電極と被覆部材の表面に金属層を形成したときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−5で、金属層全体にレーザ照射して、発光素子の電極上の金属層を残し、被覆部材上の金属層を除去したときの平面図(a)と断面図(b)である。 実施形態2に係る発光装置の製造方法における工程2−6で、個々の発光装置ごとに個片化したときの平面図(a)と断面図(b)である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」および、それらの用語を含む別の用語)を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
<実施形態1>
本発明に係る実施形態1の金属被覆方法は、図1Aに示すように、第1部材1と、例えば、第1部材1より熱伝導率が低い第2部材とを含み、第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sが表面に露出した基材において、第2部材2の表面2sを除く第1部材1の表面1sを金属により被覆する方法であって、以下の第1工程と第2工程とを含む。
第1工程では、図1Bに示すように、第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sとに連続した金属層3を形成する。
第2工程では、図1Cに示すように、レーザ光源7を移動させてレーザ光を金属層3全体に照射して、第1部材上に形成された金属層を残し、第2部材2上に形成された金属層を除去する。
ここで特に、実施形態1の金属被覆方法では、第2部材2上に形成された金属層3を除去し、第1部材1上に形成された金属層3を残すパターンニング工程にレーザアブレーションを利用している。
すなわち、本実施形態1の金属被覆方法は、同じ強度及び条件でレーザ光を照射しても、表面の放熱性、熱伝導特性等の表面特性の相違により、レーザアブレーションが生じたり生じなかったりすることに着目し、その現象を金属層3のパターンニングに適用して完成されたものである。
レーザアブレーションは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ(閾値)以上になると、固体の表面が除去される現象であり、レーザアブレーションが生じるためには、固体の表面及びその近傍がある温度以上になる必要がある。したがって、レーザアブレーションが生じるレーザ光の照射強度の閾値は、表面の放熱特性、固体の熱伝導特性等により異なっており、同じ強度及び条件でレーザ光を照射した場合であっても、ある固体の表面ではレーザアブレーションが生じ、他の固体の表面ではレーザアブレーションが生じないようにできる。
固体表面の温度上昇は、固体表面の放熱特性に関係する。また、放熱特性は、主として、(1)固体自身の熱伝導率等の熱伝導特性、(2)例えば固体表面の気体の移動等による熱伝達、(3)熱放射の3つに関係する。特に、レーザアブレーションを利用した放熱特性の異なる固体表面上のパターンニングでは、固体自身の熱伝導率が重要である。
本実施形態1の金属被覆方法において、パターンニングは、異なる放熱特性を有する第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sを含む表面に形成された金属層3にレーザ光を照射して、第1部材1の表面1sの金属層3を残し、第2部材2の表面2sに形成された金属層3を除去する方法である。したがって、ここでいう固体自身の熱伝導率とは、第1部材1の熱伝導率と第2部材2の熱伝導率を意味する。なお、表面凹凸等の違いによる熱放射特性も多少の影響を有する。表面凹凸とは、金属層3の表面の凹凸を意味するが、金属層3の表面の凹凸が第1部材1及び第2部材2の表面の凹凸に対応して形成されている場合には、第1部材1の表面凹凸及び/又は第2部材2の表面凹凸ということができる。したがって、第1部材1の表面凹凸と第2部材2の表面凹凸とを異ならせて、第1部材1上の金属層3の放熱特性と、第2部材上の金属層の放熱特性を異ならせることも可能である。
第2工程において、レーザ光は、その照射スポットを表面上で連続的又は逐次移動させることにより、金属層3全体に照射してもよい。レーザ光は、連続して照射してもよいし、パルス照射でもよい。レーザ光の強度、照射スポットの径及び照射スポットの移動速度は、第1部材1及び第2部材の熱伝導率及びそれらの熱伝導率差等を考慮して、第部材上の金属層3にレーザ光を照射したときにレーザアブレーションが生じ、第部材上の金属層3にレーザ光を照射したときにレーザアブレーションが生じないように設定される。したがって、レーザ光を連続して照射し、照射スポットを表面上で連続的に移動する際の移動速度は、第1部材1及び第2部材2の放熱特性、レーザ光の強度、照射スポットの径を考慮して、設定される。また、レーザ光の照射スポットを逐次移動させる場合は、レーザ光の強度、照射スポットの径に加えさらに、パルス幅を考慮して、移動タイミングが設定され、照射スポットを所定時間だけ静止した後、照射スポットを隣接する位置に逐次移動される。パルス照射のレーザ光を逐次移動させる場合には、例えば、パルス間のレーザ光が照射されていないときに、隣接する照射位置に移動させることができる。
レーザ光は、金属層3の反射率が低い、例えば90%以下である波長を選択することが好ましい。例えば、最表面がAuである場合には、赤色領域(たとえば640nm)のレーザよりも、緑色領域(例えば550nm)より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。
金属層は、少なくとも第1部材と第2部材を連続して覆うように設けられていればよいが、基材の略全体に設けられることが好ましい。このようにすることにより、金属膜をパターンニングする必要がないため、工程を簡略化することができる。
なお、レーザ光は、第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sとに連続した金属層3に照射されればよく、厳密に金属膜3の全体に照射される必要はない。言い換えると、少なくとも第1部材1の上にある金属膜3の一部と、第2部材2の上にある金属膜3の一部とに照射されればよい。しかし、金属膜3全体に照射することで、レーザの走査を単純にすることができ、生産の効率を高めることができる。
以上のように構成された実施形態1の金属被覆方法は、第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sとに連続した金属層3を形成した後、レーザアブレーションにより、第1部材上に形成された金属層を残し、第2部材2上に形成された金属層3を除去する。これにより、パターンニングの際に、酸性、アルカリ性の液や、アセトン等の有機溶剤等を用いることがないので、第2部材2として耐薬品性に劣る樹脂を用いることができ、種々の材料を第1部材及び第2部材2として選択できる。
また、レーザアブレーションにより、レーザ光を照射した金属層3及び金属層3の近傍を短時間かつ局所的に高温に曝すだけでパターンニングできるので、第1部材1及び第2部材2全体を長時間高温に曝すことがなく、第1部材1及び第2部材2に耐熱性に劣る材料を選択することができる。
マスクやレーザのパターン走査を用いて金属膜をパターンニングする場合には、マスクの位置ずれやパターン走査する際の画像認識の精度等により、第1部材上に金属膜を適切に配置することが難しいことがあるが、本実施形態の方法では、確実に第1部材上に金属膜を形成することができる。
上述したように実施形態1の金属被覆方法は、第1部材1と、第1部材1より熱伝導性が低いないし放熱性が劣る第2部材とを含み、第1部材1の表面1sと第2部材2の表面2sが表面に露出した基材において、第2部材2の表面2sを除く第1部材1の表面1sを金属により被覆する方法である。実施形態1の金属被覆方法は、第1部材1と、第1部材1より熱伝導率が低い第2部材2とを含む基材であれば適用可能であるが、第1部材1と第2部材の熱伝導率は大きく異なっていることが好ましく、典型的には、第1部材1が金属又は金属を主成分として含む部材である。ここで、材料の熱伝導率は、例えば、500倍以上、より好ましくは1000倍以上、異なっていることが好ましい。第1部材1として、アルミナ、窒化アルミ等のセラミック等も用いることができる。第2部材は、第1部材1と熱伝導率は大きく異なる、例えば、樹脂又は樹脂を主成分として含む部材により構成することができる。
<実施形態2>
本発明に係る実施形態2の発光装置は、実施形態1の金属被覆方法を適用して作製した発光装置であり、以下のように構成されている。図2Aは、実施形態2の発光装置の平面図であり、図2Bは、図2AのA−A線についての断面図である。
実施形態2に係る発光装置12は、発光素子20と、発光素子20の側面を覆う透光性部材30と、発光素子20と透光性部材30を覆い、光反射性材料と樹脂とを含む被覆部材40と、発光素子20と透光性部材と被覆部材との上に設けられた板状の波長変換部材50とを含む。ここで、発光装置12の実装面側(図2Bにおいて上側)には、発光素子20の電極23,24が露出されており、露出されたCuの電極23,24の表面にそれぞれ金属層231,241が形成されている。この金属層231,241が実施形態1の金属被覆方法により形成されている。すなわち、電極23,24が実施形態1の第1部材1に相当し、被覆部材40が実施形態の第2部材2に相当する。
本実施形態の発光素子20は、平面視において約1000μm×1000μmの大きさである。発光素子は、片面側に、一対のCuの電極を有している。このCuの電極の大きさは、それぞれ330μm×860μmであり、厚みは50μm程度である。電極241は、一方の電極24は、電極23と電極23と対向する側の辺に、凹部を複数有している。この凹部には、被覆部材40が充填されている。
被覆部材40の実装面側には、レーザ照射によって形成されたレーザ照射痕70が形成され、例えば、図2Cに示すように、複数の溝71が形成されており、その溝71は、例えば、レーザ光源の移動方向に対応したストライプ状に形成されている。この溝71は、レーザ照射により、被覆部材40に含まれる樹脂がアブレーションにより除去されて形成される。図2Cにおいて、72の符号を付して示すものは、隣接する溝71の間にストライプ状に形成された峰部である。
尚、発光装置12において、被覆部材40に埋設された電極23,24と金属層231,241とによって外部接続電極が構成されている。
以上のように構成された発光装置12は、図2Dに示すように、配線電極81を備えた実装基板80上に実装される。例えば、金属層231,241が半田等の導電性接合部材60により配線電極81と接合される。
実施形態2に係る発光装置12において、発光素子20は、透光性基板21と、透光性基板21上に設けられた半導体積層体22とを含み、半導体積層体22で発光した光が透光性基板21側から出射するように構成されている。
実施形態2に係る発光装置12において、透光性部材30は、発光素子20を波長変換部材50上に発光素子20を接合するとともに、発光素子20の側面の少なくとも一部を覆って、発光素子20の側面からも光を取り出す。
実施形態2に係る発光装置12において、被覆部材40は、波長変換部材50に近い側の光出射面と電極23,24の表面を除いて、発光素子20と透光性部材30とを覆うように設けられており、発光素子20を保護している。したがって、被覆部材40は、長期間にわたり発光素子等を保護するために、耐候性及び耐光性に優れた材料により構成されることが好ましい。また、透光性部材30及び発光素子20と接して設けられるので、透光性部材30と発光素子20との熱膨張率差が所定の関係を満たす材料により構成されることが好ましい。
さらに、実施形態2に係る発光装置12において、被覆部材40は、光反射性樹脂により構成されることが好ましく、これにより、出射面から出射される光の取り出し効率を高くできる。すなわち、光反射性樹脂によりなる被覆部材40は、透光性部材30の表面に覆われていない発光素子20の表面を覆っており、当該表面から出射される光を反射して、出射面から出射するようにでき、光の取り出し効率をさらに高くできる。また、実施形態2に係る発光装置12において、半導体積層体22で発光した光のうち、発光素子20の側面に向かった光の一部は、発光素子20の側面と透光性部材30の界面で反射されて出射面から出射されるが、他の一部は透光性部材30内に入射される。この透光性部材30内に入射された光は、透光性部材30と被覆部材40の界面で反射されて、出射面から取り出される。このように、実施形態2の発光装置12は、半導体積層体22で発光した光を効果的に出射面から取り出すことが可能になり、光取出し効率を向上させることができる。
このように、被覆部材40の材料は、発光素子20を保護して発光装置12の信頼性を高める機能と、光の取り出し効率を高くする機能とを効果的に発揮するように選択する必要がある。したがって、これらの機能を果たす上に、さらに、電極23,24の表面にそれぞれ金属層231,241を形成する工程を考慮して、さらに耐薬品性に優れた樹脂を選択しなければならないとすると、適切な樹脂材料の選択が困難になり、好ましくない。
しかしながら、本実施形態2の発光装置は、レーザアブレーションにより、電極23と電極24の上に金属層を残し、被覆部材40表面の金属層が除去されるように、形成することができるので、耐薬品性等を考慮することなく、発光装置の信頼性を高めかつ光の取り出し効率が高くできるような樹脂材料を幅広い樹脂の中から選択できる。
実施形態2の発光装置の製造方法
図3〜図9を参照しながら、実施形態2に係る発光装置12の製造方法について説明する。この製造方法では、複数の発光装置12を同時に製造することができる。
工程2−1.透光性部材30の塗布
大判の波長変換シート500上面に、図3(a)、(b))に示すように、透光性部材30を形成するための液状樹脂材料300を、分離した複数の島状に塗布する。各液状樹脂材料300は、発光素子20の形状に対応して、平面視において任意の形状にすることができ、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形が挙げられる。なお、隣接する島状の液状樹脂材料300の間隔は、発光装置12の外形及び発光装置12の取り個数に応じて適宜設定できる。
工程2−2.発光素子20の固定と液状樹脂材料300の硬化
次に、図4(a)、(b))に示すように、島状に形成した各液状樹脂材料300の上に、発光素子20を配置する。発光素子20を島状の液状樹脂材料300の上に配置すると、液状樹脂材料300は発光素子20の側面に這い上がり、液状樹脂材料300の外面は下向きに拡がった形状になる。発光素子20を配置した後、必要に応じて、発光素子20を押圧するようにしてもよい。発光素子20を配置後に、液状樹脂材料300を硬化する。このようにして、透光性部材30は形成される。
尚、図5以降の図において、発光素子20と波長変換部材500の間の透光性部材30は描いていないが、発光素子20と波長変換部材500の間に膜状に存在する。この膜状の液状樹脂材料300を硬化して形成される膜状の透光性部材は、波長変換シート500と発光素子20との接着剤としても機能を果たす。
工程2−3.被覆部材400の形成
次に、図5(a)、(b)に示すように、波長変換シート500の上面で、発光素子20、透光性部材30の表面及び透光性部材30の外側の波長変換シート500の上面とを、シリコーン樹脂にシリカ及び白色の酸化チタンが60wt%程度含有された被覆部材400で覆う。被覆部材400は、各発光装置10に個片化した後に、被覆部材40となる。この被覆部材40の熱伝導率は、約0.3W/(m・K)である。
被覆部材40を硬化させた後、図6(a)、(b))に示すように、発光素子20の電極23,24が露出するように、公知の加工方法により被覆部材400の厚さを薄くする。この加工の際に、被覆部材400の表面に加工痕や汚れ等が付着する場合がある。このような加工痕や後述のパターンニング工程において除去することが可能である。
工程2−4.金属層の形成
次に、図7(a)、(b)に示すように、被覆部材400の表面と、露出させた電極23,24に連続した金属層234を形成する。
金属層234は、例えば、Ni層とAu層を含んでなり、電極23,24の表面を含む被覆部材400の表面全体に、Ni層500Å、Au層500Åをこの順で、例えばスパッタリングにより形成する。ここで、金属層234は、レーザ光照射によるパターンニングを考慮すると、1μm以下、好ましくは1000Å以下の厚さに形成することが好ましい。
工程2−5.金属層のパターンニング
図8(a)、(b)に示すように、上述の金属層234にレーザ光を照射することにより、電極23,24上に形成された金属層を残し、被覆部材400上に形成された金属層を除去する。
例えば、発光素子20の電極23,24がCuからなり、被覆部材400として、シリカと酸化チタンが含有されたシリコーン樹脂を用いて構成した場合、532nmの波長の緑色レーザ光を1W〜4W、好ましくは2W程度の出力のレーザ光を照射する。
工程2−6.発光装置12の個片化
最後に、図8(a)、(b)に示す隣接する発光素子20の中間を通る破線X、破線X、破線Xおよび破線Xに沿って、被覆部材400と波長変換シート500とをダイサー等で切断する。これにより、個々の発光装置12に個片化される(図9(a)(b))。このように、発光素子20を1つ含む発光装置10を、同時に複数製造することができる。
以下に、実施の形態2の発光装置12の各構成部材に適した材料等について説明する。
(発光素子20)
発光素子20としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、例えば、透光性基板21と、その上に形成された半導体積層体22とを含むことができる。発光素子20は、平面視において三角形、四角形、六角形等の多角形とすることができる。大きさは、例えば、平面視において1辺が100μm〜3000μm程度とすることができる。具体的には、一辺が600μm程度、1400μm程度、1700μm程度の正方形とすることができる。
なお、発光素子20は、平面視で長辺と短辺を有する長方形であってもよい。例えば、1100μm×200μmの大きさとすることができる。このような発光素子20は、側面発光型の発光装置に好ましく用いることができる。
(透光性基板21)
発光素子20の透光性基板21には、例えば、透光性を有する、サファイア(Al)のような絶縁性材料や、窒化物系半導体のような半導体材料を用いることができる。
(半導体積層体22)
半導体積層体22は、複数の半導体層を含む。半導体積層体22の一例としては、第1導電型半導体層(例えばn型半導体層)、発光層(活性層)および第2導電型半導体層(例えばp型半導体層)の3つの半導体層を含むことができる。半導体層には、例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料(例えばInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)を用いることができる。
(電極23,24)
第1部材である、発光素子20の電極23,24としては、電気良導体を用いることができ、例えばCu、Ag、Ni等の金属が好適である。
電極23,24は、被覆部材40から僅かに突出していてもよい。
(金属層231,241)
金属層231,241は、主として、電極23,24の表面の腐食や酸化防止のために形成される膜である。材料としては、電極23、24よりも耐腐食性や耐酸化性に優れたものを選択する。例えば、最表面の層はAu、Pt等の貴金属が好ましい。また、金属層231,241が発光装置のはんだ付けされる面を被覆するものである場合には、最表面にはんだ付け性の良好なAuを用いることが好ましい。
金属層231,241は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。積層構造の例としては、Ni/Au、Ti/Au,Ni/Pt/Au等が挙げられる。NiやTi等の層を電極と最表面の層との間に設けることにより、最表面の層の密着性を高めることができる。また、Pt等の拡散防止層を電極と最表面の層との間に設けることにより、はんだ付けに用いられるはんだに含まれるSnが電極や電極に近い層に拡散することを低減できる。
なお、電極23,24が、被覆部材40から僅かに突出していている場合には、金属膜はその突出した部分の側面も覆う。これにより、電極23,24の側面における劣化を低減することができる。
金属層231,241の厚みは、種々選択することができる。レーザアブレーションが選択的に起こる程度とすることができ、例えば1μm以下であることが好ましく、1000Å以下がより好ましい。また、第1部材の腐食を低減することができる厚み、例えば5nm以上であることが好ましい。ここで、金属層231,241の厚みとは、金属層231,241が複数の層が積層されて構成されている場合には、該複数の層の合計の厚みのことをいう。
(透光性部材30)
透光性部材30は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。透光性部材30は発光素子20の側面と接触しているので、点灯時に発光素子20で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、透光性部材30に適している。なかでも、信頼性が高いシリコーン樹脂が好ましい。なお、透光性部材30は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、透光性部材30に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、透光性部材30に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、透光性部材30の屈折率を調整するため、または硬化前の透光性部材(液状樹脂材料300)の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
(被覆部材40)
第2部材である、被覆部材40は、第1部材である発光素子20の電極23,24と熱伝導率が異なる材料を用いる。具体的には、樹脂、セラミック等があげられ、なかでも樹脂が好ましい。
被覆部材40に使用できる樹脂材料としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂であるのが好ましい。
被覆部材40は、光反射性樹脂から形成することができる。光反射性樹脂とは、発光素子20からの光に対する反射率が大きく、例えば、70%以上の樹脂材料を意味する。被覆部材40に達した光が反射されて、発光装置12の出射面に向かうことにより、発光装置12の光取出し効率を高めることができる。
光反射性樹脂としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものが使用できる。光反射性物質としては、例えば、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適である。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などが利用できるが、特に、繊維状のものは被覆部材40の熱膨張率を低下させる効果も期待できるので好ましい。
被覆部材40が、例えば、光反射性物質のようなフィラーを含む樹脂により構成される場合、レーザが照射された表面の樹脂成分がアブレーションにより除去されて表面にフィラーが露出する。また、レーザ光の照射スポットを表面上で連続的又は逐次移動させることによって、上述したように、移動方向にストライプ状の溝が形成される。この溝は、レーザ光の照射スポット径により、例えば、10〜100μm程度、典型的には30μmの幅で、0.2〜3μmの深さに形成される。このような溝が、樹脂成分を含む被覆部材40に形成されると、被覆部材40表面の粘着性(タック性)が低減され、例えば、発光装置の選別や実装時の取り扱いが容易になるという利点がある。被覆部材40の樹脂成分として、信頼性を高くするためにシリコーンを用いることが好ましいが、このシリコーンは、粘着性が高く、発光装置とした場合に取り扱いが困難となる場合がある。しかしながら、シリコーンを含む被覆部材40を用いた発光装置において、レーザ照射による溝が形成されると、被覆部材40表面のタック性を低減でき、取り扱いが容易でかつ信頼性の高い発光装置を提供することができる。さらに、電極23と電極24間に、電極間の最短距離に直交する方向に延長される溝があると、電極23と電極24の間の表面に沿った距離を長くできるので、効果的に絶縁分離できる。
なお、被覆部材は、透光性部材30および発光素子20に対する熱膨張率の関係が、所定の関係となるような材料から形成されることが好ましい。すなわち、被覆部材40は、被覆部材40と発光素子20との熱膨張率差ΔT40が、透光性部材30と発光素子20との熱膨張率差ΔT30よりも小さくなるように、材料が選択されることが好ましい。例えば、発光素子20が、サファイアの透光性基板21と、GaN系半導体から成る半導体積層体22とを含む場合、発光素子20の熱膨張率はおよそ5〜7×10−6/Kとなる。一方、透光性部材30を、シリコーン樹脂から形成した場合、透光性部材30の熱膨張率は、2〜3×10−5/Kとなる。よって、被覆部材40は、シリコーン樹脂よりも熱膨張率の小さい材料から形成することにより、ΔT40<ΔT30とすることができる。
被覆部材40に樹脂材料を使用する場合、一般的に、熱膨張率は10−5/Kオーダーとなり、一般的な発光素子20の熱膨張率に比べて一桁大きい。しかしながら、樹脂材料にフィラー等を添加することにより、樹脂材料の熱膨張率を低減することができる。例えば、シリコーン樹脂に、シリカ等のフィラーを添加することにより、フィラーを添加する前のシリコーン樹脂に比べて、熱膨張率を低くすることができる。
(波長変換部材50)
波長変換部材50は、蛍光体と透光性材料とを含んでいる。透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等が使用できる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
蛍光体は、発光素子20からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(Ce:YAG);セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(Ce:LAG);ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO−Al−SiO);ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)SiO);βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(KSiF:Mn);硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を製造することができる。
波長変換部材50には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
なお、発光素子の表面は、波長変換部材50に代えて、蛍光体を含まない透光性の材料で被覆されてもよい。また、この透光性の材料にも、例えば粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
なお、波長変換部材50の外周に、図2Eに示すように、遮光性の壁41を設けてもよい。これにより、発光装置10からの出射される光の指向性を高めることができる。この遮光性の壁は、被覆部材40と連続する部材であってもよい。
以上、本発明に係るいくつかの実施形態について例示したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。
1 第1部材
2 第2部材
3,231,241 金属層
12 発光装置
20 発光素子
23,24 電極
30 透光性部材
40 被覆部材
50 波長変換部材
70 レーザ照射痕
71 溝
72 峰部

Claims (13)

  1. 第1部材と該第1部材より熱伝導率の低い第2部材とを含み、前記第1部材と前記第2部材とが表面に露出した基材において、前記表面に露出した前記第1部材を金属により被覆する方法であって、
    前記第1部材と前記第2部材とを覆う金属層を形成する工程と、
    レーザ光を前記第1部材上および前記第2部材上の前記金属層に照射して、前記第1部材上に形成された金属層を残し、前記第2部材上に形成された金属層を除去する工程と、
    を含む金属被覆方法。
  2. 前記金属層を除去する工程において、前記レーザ光の照射スポットを前記表面上で連続的又は逐次移動させる請求項1記載の金属被覆方法。
  3. 前記レーザ光を照射する工程において、前記金属層の除去はレーザアブレーションによって行う請求項1または2に記載の金属被覆方法。
  4. 前記基材の表面の略全体に前記金属膜を設け、前記金属膜の略全体に前記レーザ光を照射する、請求項1または3に記載の金属被覆方法。
  5. 前記第1部材は発光素子の電極であり、前記第2部材は、前記発光素子を被覆する被覆部材である、請求項1から4のいずれかに記載の金属被覆方法。
  6. 前記第1部材は金属からなり、前記第2部材は樹脂を含む請求項1から5のいずれか1項に記載の金属被覆方法。
  7. 前記第1部材はCuを含み、前記金属層はNiとAuの積層である請求項1から6のいずれか1項に記載の金属被覆方法。
  8. 前記第1部材と前記第2部材の熱伝導率の差が500倍以上である、請求項1から7のいずれか1項に記載の金属被覆方法。
  9. 発光素子と、該発光素子を覆う被覆部材と、前記被覆部材に埋設されるとともに、該被覆部材から露出された電極を有する外部接続電極を含む発光装置の製造方法であって、
    前記電極と前記被覆部材とを覆う金属層を形成する工程と、
    レーザ光を前記電極および前記被覆部材上の前記金属層に照射して、前記電極に形成された金属層を残し、前記被覆部材上に形成された金属層を除去する工程と、
    発光装置の製造方法。
  10. 発光素子と、該発光素子を覆う被覆部材と、該被覆部材から露出された外部接続電極を含む発光装置であって、
    前記外部接続電極は、前記被覆部材に埋設された電極と、該電極に形成され、表面が前記被覆部材から露出された金属層と、を含んでなり、
    前記被覆部材の表面は、前記金属層を有する面において、溝を有することを特徴とする発光装置。
  11. 前記第1電極はCuを含み、前記金属層はNiとAuを含む請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記溝は、ストライプ状である、請求項10または11に記載の発光装置。
  13. 前記外部接続電極が露出された面を有し、該面を実装面とする請求項10から12のいずれか1項に記載の発光装置であって、
    該発光装置は、さらに実装面と反対側に波長変換部材を有する発光装置。
JP2016034643A 2015-06-01 2016-02-25 金属被覆方法及び発光装置とその製造方法 Active JP6332303B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/169,133 US9893256B2 (en) 2015-06-01 2016-05-31 Metal coating method, light-emitting device, and manufacturing method for the same
US15/846,696 US10290787B2 (en) 2015-06-01 2017-12-19 Metal coating method, light-emitting device, and manufacturing method for the same
US16/373,473 US11114596B2 (en) 2015-06-01 2019-04-02 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015111525 2015-06-01
JP2015111525 2015-06-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016225598A true JP2016225598A (ja) 2016-12-28
JP2016225598A5 JP2016225598A5 (ja) 2017-03-02
JP6332303B2 JP6332303B2 (ja) 2018-05-30

Family

ID=57746436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016034643A Active JP6332303B2 (ja) 2015-06-01 2016-02-25 金属被覆方法及び発光装置とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6332303B2 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190138036A (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 삼성전자주식회사 반도체 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 제조 방법
US10586899B2 (en) 2017-11-28 2020-03-10 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2020049511A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2020096091A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2020097043A (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021040031A (ja) * 2019-09-03 2021-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置、及びその製造方法
US11087905B2 (en) 2017-10-31 2021-08-10 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11181772B2 (en) 2019-07-31 2021-11-23 Nichia Corporation Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device
US11454488B2 (en) 2017-09-29 2022-09-27 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11542590B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11543308B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11543309B2 (en) 2017-12-22 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge and sensor module
US11692806B2 (en) 2017-09-29 2023-07-04 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11747225B2 (en) 2018-04-05 2023-09-05 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability and stress reduction
US11774303B2 (en) 2018-10-23 2023-10-03 Minebea Mitsumi Inc. Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019535A (en) * 1989-03-28 1991-05-28 General Electric Company Die attachment method using nonconductive adhesive for use in high density interconnected assemblies
JPH04230984A (ja) * 1990-04-27 1992-08-19 Rogers Corp コネクタ及びコネクタの製造方法
US5221426A (en) * 1991-11-29 1993-06-22 Motorola Inc. Laser etch-back process for forming a metal feature on a non-metal substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019535A (en) * 1989-03-28 1991-05-28 General Electric Company Die attachment method using nonconductive adhesive for use in high density interconnected assemblies
JPH04230984A (ja) * 1990-04-27 1992-08-19 Rogers Corp コネクタ及びコネクタの製造方法
US5221426A (en) * 1991-11-29 1993-06-22 Motorola Inc. Laser etch-back process for forming a metal feature on a non-metal substrate

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11454488B2 (en) 2017-09-29 2022-09-27 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11702730B2 (en) 2017-09-29 2023-07-18 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11692806B2 (en) 2017-09-29 2023-07-04 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability
US11543308B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11542590B2 (en) 2017-09-29 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US11087905B2 (en) 2017-10-31 2021-08-10 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge
US10586899B2 (en) 2017-11-28 2020-03-10 Nichia Corporation Light-emitting device
US11543309B2 (en) 2017-12-22 2023-01-03 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge and sensor module
US11747225B2 (en) 2018-04-05 2023-09-05 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge with improved stability and stress reduction
KR20190138036A (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 삼성전자주식회사 반도체 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 제조 방법
KR102619449B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-28 삼성전자주식회사 반도체 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 제조 방법
JP2020049511A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11774303B2 (en) 2018-10-23 2023-10-03 Minebea Mitsumi Inc. Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like
JP2020096091A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2020097043A (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11181772B2 (en) 2019-07-31 2021-11-23 Nichia Corporation Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device
US11506933B2 (en) 2019-07-31 2022-11-22 Nichia Corporation Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device
JP2021040031A (ja) * 2019-09-03 2021-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置、及びその製造方法
JP7335498B2 (ja) 2019-09-03 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置、及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6332303B2 (ja) 2018-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6332303B2 (ja) 金属被覆方法及び発光装置とその製造方法
JP6278101B2 (ja) 発光装置
US11114596B2 (en) Light-emitting device
JP6384533B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN111540821B (zh) 发光装置及其制造方法
JP4492378B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2016219743A5 (ja)
JP2016219743A (ja) 発光装置
JP2016225515A (ja) 発光装置
JP2018018918A (ja) 発光装置
US20140063822A1 (en) Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board
KR20230140443A (ko) 발광장치의 제조방법
JP6696521B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6155932B2 (ja) 発光装置
JP6696550B2 (ja) 発光装置
JP2016119464A (ja) 発光装置
JP2020049511A (ja) 発光装置の製造方法
JP2020097043A (ja) 発光装置の製造方法
JP2020096091A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2020167378A (ja) 発光装置の製造方法
JP2020035938A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180403

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6332303

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250