JP2016192342A - Light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.
近年は、発光素子として有機EL(Organic Electroluminescence)素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、有機層を、透明電極である第1電極と、第2電極とで挟んだ構成を有している。透明導電材料は、Alなどの金属材料と比較して抵抗が高い。このため、透明電極には、例えば特許文献1,2に記載されているように、金属からなる補助電極が形成されることが多い。
In recent years, development of light-emitting devices having organic EL (Organic Electroluminescence) elements as light-emitting elements has been progressing. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode that is a transparent electrode and a second electrode. The transparent conductive material has a higher resistance than a metal material such as Al. For this reason, as described in
特許文献1において、補助電極の材料としてはCu、Ag、及びAlが例示されている。また特許文献2において、補助電極の材料としては、金属粒子を水やアルコールなどに分散させた塗布材料が例示されている。ここで、金属粒子としては、Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Cr、及びこれらの合金が例示されている。なお、特許文献1,2において、基板の上には、補助電極及び透明電極の順に形成されている。
In
本発明者は、基板の上に、透明電極である第1電極と、補助電極とをこの順に形成し、かつ補助電極を絶縁層で覆った発光装置において、補助電極を塗布材料により形成することを検討した。この際、本発明者は、配線材料を塗布する場合、塗布した領域の周囲に、配線材料の飛沫が付着し、島状の導電層を形成する可能性があることがわかった。この島状の導電層が存在すると、第1電極が部分的に厚くなり、第1電極上の有機層の膜厚を基準範囲に保てず、第1電極と第2電極とがショートする可能性が出てくる。 The inventor forms a first electrode, which is a transparent electrode, and an auxiliary electrode on a substrate in this order, and the auxiliary electrode is formed of a coating material in a light emitting device in which the auxiliary electrode is covered with an insulating layer. It was investigated. At this time, the present inventor has found that when the wiring material is applied, droplets of the wiring material may adhere to the periphery of the applied region to form an island-shaped conductive layer. When this island-shaped conductive layer is present, the first electrode becomes partially thick, the film thickness of the organic layer on the first electrode cannot be maintained within the reference range, and the first electrode and the second electrode can be short-circuited. Sex comes out.
本発明が解決しようとする課題としては、第1電極の補助電極を塗布材料により形成した場合に、第1電極と第2電極とがショートすることを抑制することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress a short circuit between the first electrode and the second electrode when the auxiliary electrode of the first electrode is formed of a coating material.
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記第1電極の間に位置し、導電粒子を含む導電層と、
前記基板と前記第1電極の間に位置し、前記導電粒子と同一の導電性の元素を含む島状導電部と、
を備える発光装置である。
The invention according to
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode;
A conductive layer located between the substrate and the first electrode and including conductive particles;
An island-shaped conductive part that is located between the substrate and the first electrode and includes the same conductive element as the conductive particles;
It is a light-emitting device provided with.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
(第1の実施形態)
図1、図2、図3、及び図4は、発光装置100の平面図である。図3は、図4から封止部材180を取り除いた図であり、図2は、図3から第2電極140を取り除いた図であり、図1は、図2から有機層130及び絶縁層170を取り除いた図である。本図に示す発光装置100は、照明装置として使用される。
(First embodiment)
1, 2, 3 and 4 are plan views of the
発光装置100は、例えば矩形などの多角形であり、複数の有機EL素子102(図2に図示)、第1端子150、及び第2端子160を有している。そして、複数の有機EL素子102によって発光部104が形成されている。発光部104は、例えば矩形であり、その一辺の長さは、例えば45mm以上105mm以下である。なお、以下に示す発光装置100の各構成のレイアウトは、あくまで一例である。例えば発光装置100は、自発光型の表示装置であってもよい。
The
第1端子150及び第2端子160は、有機EL素子102に電力を供給するために設けられている。このため、第1端子150及び第2端子160には、発光装置100に電力を供給するための接続部材(例えば金属配線)が接続される。第1端子150は、第1の方向(図中左右方向)に延在しており、第2端子160は第1の方向に交わる第2の方向(例えば図中上下方向)に延在している。
The
有機EL素子102は、基板110に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140を積層した構成を有している。本図に示す例では、基板110の上に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140がこの順に積層されている。
The
基板110は、例えばガラスや樹脂などの透明基板である。基板110は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板110の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板110は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板110は、例えば矩形などの多角形である。基板110が正方形である場合、基板110の一辺は、例えば50mm以上120mm以下である。
The
有機層130は、発光層を有している。有機層130は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。なお、有機層130は塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成しても構わない。
The
第1電極120は有機EL素子102の陽極として機能し、第2電極140は有機EL素子102の陰極として機能する。第1電極120は、光透過性を有する透明電極である。有機EL素子102が発光した光は、第1電極120を介して外部に出射する。透明電極を構成する透明導電材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
The
また、第2電極140は、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
The
より具体的には、第1電極120は、図1に示すように、第1端子150に接続している。そして第1電極120は、基板110のうち、発光部104となる領域から第1端子150まで連続して形成されている。本図に示す例では、基板110は矩形であり、第1端子150は基板110のうち互いに対向する2辺に沿って設けられている。第1電極120は、この2辺の間に形成されている。
More specifically, the
また、図3に示すように、複数の有機EL素子102の第2電極140は互いに繋がっている。言い換えると、第2電極140は、複数の有機EL素子102に共通の電極として形成されている。詳細には、第2電極140は、有機層130及び絶縁層170の上に形成されており、また、第2端子160に接続している。本図に示す例では、第2端子160は、基板110のうち互いに対向する2辺に沿って形成されている。そして第2電極140は、これら2つの第2端子160の間の領域を覆うように形成されている。
Further, as shown in FIG. 3, the
図1〜図4に示す例において、第1端子150及び第2端子160は、発光部104の外側に配置されている。詳細には、2つの第1端子150が第2の方向に互いに離れて配置されており、かつ、2つの第2端子160が第1の方向に互いに離れて配置されている。そして、発光部104は、2つの第1端子150の間、かつ2つの第2端子160の間に位置している。このようにすると、第1電極120には2つの第1端子150から電圧が供給され、かつ第2電極140には2つの第2端子160から電圧が供給されるため、発光部104の内部で電圧に分布が生じることを抑制できる。これにより、発光部104に輝度の分布が生じることを抑制できる。
In the example illustrated in FIGS. 1 to 4, the
より具体的には、上記したように、発光装置100は矩形である。そして、発光装置100の互いに対向する2辺のそれぞれに沿って第1端子150が形成されており、発光装置100の残りの2辺のそれぞれに沿って第2端子160が形成されている。そして、複数の有機EL素子102は、第1端子150が延在している方向(第1の方向)に並んでいる。本図に示す例において、有機EL素子102は長方形であり、短辺が第1端子150と平行な方向を向いている。第1端子150の長さは、有機EL素子102の短辺よりも大きくなっている。第1端子150及び第2端子160には、導電部材、例えばリード端子またはボンディングワイヤが接続する。
More specifically, as described above, the
第1端子150は、第1電極120と同一の層(第1層152)の上に第2層154を積層した構成を有している。そして第1層152は第1電極120と一体になっている。このため、第1端子150と第1電極120の間の距離を短くして、これらの間の抵抗値を小さくすることができる。また、発光装置100の縁に存在する非発光領域を狭くすることができる。
The
第2層154は、第1電極120よりも抵抗値が低い材料によって形成されている。第2層154は、金属粒子を含む塗布材料を第1電極120上に塗布し、その後焼成することによって形成されている。第2層154を第1電極120上に塗布する方法としては、例えばインクジェット法が用いられる。また、塗布材料中に含まれる金属粒子は、例えば銀粒子であり、その直径は数十nm程度である。言い換えると、この金属粒子は、ナノ金属粒子である。そして、第1端子150に電圧を供給する接続部材は、第2層154に接続している。第2層154を設けることにより、第1端子150の抵抗値を小さくすることができる。なお、第2層154は、第1電極120よりも透光性が低い。
The
また、第2端子160は、第1層162の上に第2層164を積層した構成を有している。第1層162は第1電極120と同様の材料により形成されている。ただし、第1層162は第1電極120から分離している。第2層164は、第2層154と同様の材料かつ同様の方法を用いて形成されている。第2層164を設けることにより、第2端子160の抵抗値を小さくすることができる。
The
第1電極120には、補助電極124が接している。本図に示す例では、複数の補助電極124は、第1電極120のうち基板110とは逆側の面に設けられており、線状(例えば直線状)に互いに平行に延在している。補助電極124の間隔は、例えば0.5mm以上2mm以下、好ましくは0.75mm以上1.25mm以下である。補助電極124は、第1電極120よりも抵抗値の低い材料によって形成されている。補助電極124が形成されることにより、第1電極120の面内で電圧降下が生じることを抑制できる。これにより、発光装置100の輝度に分布が生じることを抑制できる。
The
補助電極124は、例えば第2層154,164と同様の材料かつ同様の方法を用いて、形成されている。言い換えると、補助電極124は、金属粒子が焼成され、互いに結合することにより、形成されている。このため、補助電極124には金属粒子の少なくとも一部の形状が残っており、その結果、補助電極124の表面の凹凸は、蒸着法などの気相成膜法及びエッチング法を用いて形成された場合と比較して、大きくなる。
The
なお、本図に示す例において、補助電極124は2つの第1端子150の間を延在しているが、2つの第1端子150の第2層154のいずれにも直接接続していない。ただし、補助電極124は、いずれかの第2層154に直接接続していてもよい。
In the example shown in the drawing, the
図2に示すように、第1電極120のうち第2層154で覆われていない領域の上には、絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂によって形成されている。絶縁層170には、複数の開口172が設けられている。開口172は、補助電極124と平行に延在している。ただし、開口172は補助電極124に重なっていない。このため、補助電極124の全体は絶縁層170に覆われている。また、少なくとも開口172の内部には、上記した有機層130が形成されている。そして、第1電極120及び第2電極140の間に電圧又は電流が印加されることにより、開口172内に位置する有機層130は発光する。言い換えると、開口172のそれぞれの中に有機EL素子102が形成されている。
As shown in FIG. 2, an insulating
また、図4に示すように、複数の有機EL素子102は封止部材180によって封止されている。封止部材180は、基板110と同様の多角形の金属箔又は金属板(例えばAl箔又はAl板)の縁部182の全周を押し下げた形状を有している。そして縁部182は接着材又は粘着材等で基板110に固定されている。
Further, as shown in FIG. 4, the plurality of
図5は、図4のA−A断面図である。上記したように、第1端子150は、第1電極120の端部(第1層152)の上に第2層154を積層した構成を有している。また、有機層130は封止部材180によって封止されている。封止部材180の内側には、乾燥剤が配置されていてもよい。封止部材180の縁部182は、絶縁性の接着層184を介して、基板110の上に形成された層(A−A断面では第2層154)に固定されている。ただし、第2層154のうち基板110の縁に近い部分は、縁部182から露出している。そして、第2層154のうち縁部182から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。
5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As described above, the
図6は、図4のB−B断面図である。上記したように、第2端子160は、第1層162の上に第2層164を積層した構成を有している。封止部材180の縁部182は、絶縁性の接着層184を介して、第2端子160の一部に固定されている。そして、第2端子160のうち縁部182から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。
6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. As described above, the
図7は、図1において点線αで囲んだ領域を拡大した図である。上記したように、補助電極124は塗布材料を用いて形成されている。補助電極124の周囲には、補助電極124を形成するための塗布材料が飛散して付着し、島状の導電層126(導電部)が複数形成されている。補助電極124がインクジェット法で形成される場合、導電層126は特に形成されやすい。導電層126は、補助電極124と同じ材料によって形成されている。このため、導電層126には、補助電極124と同一の導電性の元素(例えば銀などの金属)が含まれる。導電層126は、補助電極124に直接つながってない。一つの導電層126の面積は、例えば直径が100nm2以上50μm2以下である。一方、補助電極124の幅は、例えば25μm以上100μm以下、好ましくは40μm以上60μm以下であり、補助電極124の長さは、例えば10mm以上200mm以下、好ましくは50mm以上100mm以下である。
FIG. 7 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line α in FIG. As described above, the
補助電極124の幅方向(図1〜4,6,7における左右方向)において、隣り合う2つの補助電極124の中間地点における導電層126の密度は、補助電極124に隣接する領域における導電層126の密度よりも低い。そして補助電極124は絶縁層170で覆われているが、絶縁層170の幅は、例えば、補助電極124の配置位置精度及び絶縁層170の配置位置精度を考慮して、補助電極124の幅よりも大きく設計される。例えば、補助電極124の幅の2倍以上である。絶縁層170の幅は、例えば50μm以上120μm以下、好ましくは90μm以上110μm以下である。絶縁層170の幅は、補助電極124の幅よりも0.5mm以上太くてもよい。そして、導電層126の大部分は、絶縁層170で覆われる。言い換えると、一つの絶縁層170は、補助電極124及び少なくとも一つの導電層126を覆っている。また別の言い方をすれば、補助電極124と導電層126は絶縁層170で覆われており、また補助電極124と導電層126の間も絶縁層170で埋められている。なお、絶縁層170で覆われていない導電層126は、後述するように流体で処理されている。この流体は、導電層126を構成する材料を絶縁化若しくは高抵抗化、またはエッチングする。
In the width direction of the auxiliary electrode 124 (the horizontal direction in FIGS. 1 to 4, 6, and 7), the density of the
次に、発光装置100の製造方法について説明する。まず、基板110の上に第1電極120となる材料を、例えばスパッタリング法または蒸着法を用いて形成する。次いで、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板110上には、第1電極120、第1層152,162が形成される(第1工程)。
Next, a method for manufacturing the
次いで、第1電極120上に補助電極124を形成し、第1層152上に第2層154を形成し、さらに第1層162上に第2層164を形成する。補助電極124及び第2層154,164は、例えばインクジェット法などの塗布法を用いて形成される(第2工程)。この工程において、補助電極124を形成するための塗布材料は飛散し、基板110上に導電層126が形成される。
Next, the
次いで、基板110上及び第1電極120上に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液(例えば現像液)を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層170及び開口172が形成される。絶縁層170が絶縁層で形成されている場合、絶縁層170及び開口172は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層170がポリイミドで形成されている場合、絶縁層170には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層170のイミド化が進む。
Next, an insulating layer is formed on the
次いで、基板110を流体、すなわち液体又は気体で処理する。この流体は、導電層126を構成する材料を絶縁化(例えば酸化)またはエッチングする。これにより、絶縁層170で覆われていない導電層126の少なくとも表層は絶縁化(例えば酸化)もしくは高抵抗化され、または導電層126はエッチングにより除去される(第3工程)。この際、補助電極124は絶縁層170によって覆われているため、絶縁化されず、またはエッチングされない。なお、この工程の詳細は、後述する。
The
次いで、開口172内に有機層130を形成する(第4工程)。有機層130を構成する少なくとも一つの層(例えば正孔輸送層)は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層130の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。
Next, the
次いで、有機層130上に第2電極140を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する(第5工程)。次いで、接着層184を用いて封止部材180を基板110に固定する。
Next, the
図8は、基板110を流体で処理する工程を説明するための断面図である。図8(a)に示すように、基板110の上には、補助電極124の他に、島状の導電層126が形成されている。一部の導電層126は絶縁層170によって覆われているが、残りの導電層126は絶縁層170から露出している。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a process of treating the
そして基板110を、導電層126を構成する材料を絶縁化(例えば酸化)する流体で処理した場合、図8(b)に示すように、絶縁層170で覆われてない導電層126の少なくとも表層は変質層125となり、絶縁化(例えば酸化)もしくは高抵抗化される。導電層126が銀粒子で形成される場合、基板110は、例えばオゾンガスなどの酸化剤で処理される。ここで基板110をオゾンガスで処理すると同時に基板110に紫外線を照射してもよい。この場合、導電層126の少なくとも表層は酸化される。
When the
また、基板110を、導電層126を構成する材料をエッチングするエッチング液で処理した場合、図8(c)に示すように、絶縁層170で覆われてない導電層126は除去される。導電層126が銀粒子で形成される場合、基板110は、例えばリン酸を主成分とするエッチング液で処理される。この時のエッチング時間は、例えば30秒以上1分30秒以下である。
Further, when the
なお、図8(d)に示すように、基板110は、補助電極124を形成したのち、絶縁層170を形成する前に、導電層126を構成する材料をエッチングする流体で処理されてもよい。この場合、補助電極124も多少小さくなるが、補助電極124の機能に影響は生じない。
As shown in FIG. 8D, the
図21は、補助電極124、導電層126、及び絶縁層170の相対位置を説明するための図である。図22は、補助電極124の幅方向における補助電極124の中心から導電層126までの距離L別に導電層126の個数を集計した結果を示している。図22から、距離Lが30μm未満の導電層126はほとんど存在しない。そして、距離Lが30μm以上50μm未満の導電層126は、導電層126全体の約81%を占めており、距離Lが30μm以上60μm未満の導電層126は、導電層126全体の約97.4%を占めている。このため、補助電極124の中心から絶縁層170の縁までの距離Wを40μm以上60μm以下にすると、補助電極124の幅を広げすぎずに、大部分の導電層126を覆うことができる。
FIG. 21 is a diagram for explaining the relative positions of the
図23は、基板110、第1電極120、補助電極124、及び絶縁層170の積層状態を示す断面SEM写真である。各写真の(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、及び(f)は、それぞれ図21の(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、及び(f)に対応している。上記したように補助電極124は金属粒子を含む塗布材料を塗布して加熱することにより形成されている。このため、補助電極124には金属粒子の形状の少なくとも一部が残っている。一方、第1電極120は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成されている。このため、補助電極124は第1電極120と比べて凹凸が大きくなる。
FIG. 23 is a cross-sectional SEM photograph showing a stacked state of the
また、絶縁層170の端部は、徐々に薄くなっている。ただし、絶縁層170のうち補助電極124と重なる部分の厚さは、ほぼ一定である。このため、補助電極124は絶縁層170によって十分に被覆されている。
In addition, the end portion of the insulating
図24(a)は、補助電極124及びその周囲を光学顕微鏡で撮影した写真である。図24(b)は、図24(a)のうち四角δで囲んだ部分を撮影したSEM写真である。これらの写真から、補助電極124から離れた部分に導電層126が形成されていることがわかる。なお、導電層126の大きさは、図24(b)に示す例に限定されず、これよりも小さい場合もある。
FIG. 24A is a photograph of the
以上、本実施形態によれば、補助電極124は塗布材料を用いて形成されているため、補助電極124の周囲には島状の導電層126が形成されてしまう。導電層126がそのまま残っていると、導電層126と重なる領域において有機層130が薄くなってしまい、導電層126を介して第1電極120と第2電極140とがショートする可能性が出てくる。これに対して本実施形態では、導電層126は絶縁層170で覆われているため、導電層126が原因となって第1電極120と第2電極140がショートすることを抑制できる。
As described above, according to the present embodiment, since the
また、補助電極124と導電層126は絶縁層170で覆われており、また補助電極124と導電層126の間も絶縁層170で埋められている。このため、導電層126を覆う絶縁層170と補助電極124を覆う絶縁層170とを別々に形成する場合と比較して、発光装置100の製造工程数を少なくすることができる。
The
また、絶縁層170で覆われていない導電層126が存在していても、この導電層126はエッチングにより除去されるか、またはこの導電層126の少なくとも表層は絶縁化または高抵抗化されている。このため、導電層126が原因となって第1電極120と第2電極140がショートすることをさらに抑制できる。
Even if the
なお、図25に示すように、有機層130は補助電極124を覆っている絶縁層170の上面の少なくとも一部及び側面に形成されていてもよい。
As shown in FIG. 25, the
(第1の実施形態の変形例)
本変形例に係る発光装置100の製造方法は、補助電極124を形成したのちに基板110をエッチングする工程の代わりに、図9に示すリペア工程を有している点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様である。図9に示す工程は、第2電極140が形成されたのち、封止部材180が基板110に固定される前に行ってもよいし、封止部材180が固定された後にリペア工程を行ってもよい。
(Modification of the first embodiment)
The manufacturing method of the light-emitting
このリペア工程では、まず、絶縁層170で覆われてない導電層126の位置を特定する(図9のステップS10,S20)。具体的には、第1電極120と第2電極140の間に、発光時とは逆方向の電圧を印加する(ステップS10)。この時印加される電圧の絶対値は、発光装置100を発光させるときの電圧の絶対値(例えば12V〜15V)よりも小さく、例えば1.5V以上3V以下である。次いで、例えばエミッション顕微鏡を用いて、発光点を観察し、基板110上における発光点の座標を認識する(ステップS20)。この発光点は、導電層126に起因して第1電極120と第2電極140とがショートすることにより、生じている。
In this repair process, first, the position of the
次いで、基板110のうち認識した座標に対してレーザを照射する(ステップS30)。これにより導電層126は除去または絶縁化(もしくは高抵抗化)される。このため、第1電極120と第2電極140がショートしている部分はなくなる。
Next, a laser is irradiated to the recognized coordinates on the substrate 110 (step S30). Accordingly, the
図10は、第1電極120と第2電極140の間に、発光時とは逆方向の電圧を印加した状態で、発光装置100をエミッション顕微鏡で観察したときの画像を示している。本図は、発光部104を複数回に分割して撮影し、生成した複数の画像をつなげたものである。本図に示す例において、発光部104の中には複数の発光点が存在している。そして、これらの発光点に対して、図9に示した処理を行えば、第1電極120と第2電極140とがショートしている部分をなくすことができる。
FIG. 10 shows an image when the
以上、本変形例によれば、絶縁層170で覆われてない導電層126の位置を特定し、その後、その導電層126にレーザを照射する。これにより、導電層126に起因して、第1電極120と第2電極140がショートしている部分を修復することができる。従って、発光装置100の発光品質は高まる。
As described above, according to this modification, the position of the
(第2の実施形態)
図11は、第2の実施形態に係る発光装置100の構成を示す平面図であり、第1の実施形態における図1に対応している。図12は図11のA−A断面図であり、図13は図11のB−B断面図である。図12及び図13では、説明のため、封止部材180及び接着層184を示している。本実施形態に係る発光装置100は、以下の点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100と同様の構成を有している。
(Second Embodiment)
FIG. 11 is a plan view showing the configuration of the
まず、基板110の上に補助電極124が形成されている。そして、基板110及び補助電極124の上に、第1電極120が形成されている。言い換えると、補助電極124の全体は、基板110と第1電極120の間に位置している。また、第1の実施形態に示した島状の導電層126も、基板110と第1電極120の間に位置している。ここで、補助電極124は塗布法によって形成されているため、補助電極124のエッジは、蒸着法などの気相成膜法及びエッチング法を用いて形成された場合と比較して、丸くなる。従って、補助電極124や導電層126に起因して第1電極120の表面に凹凸が生じた場合でも、この凹凸は滑らかになる。
First, the
また、第1電極120と第1端子150を繋ぐ第1接続配線156は、補助配線155と透明電極層153の積層構造を有している。補助配線155は補助電極124と同一工程で形成されているため、基板110の上に形成されており、かつ、補助電極124と同様の材料によって形成されている。透明電極層153は第1電極120及び第1端子150の第1層152と一体に形成されており、また、補助配線155よりも幅が広い。本図に示す例では、透明電極層153の幅は第1電極120の幅とほぼ同じである。そして、透明電極層153の下には複数の補助配線155が互いに平行に形成されている。なお、本図に示す例では、補助配線155は第1端子150の第2層154とは分離されている。ただし、補助配線155と第2層154は互いにつながっていてもよい。
The
さらに、第2電極140と第2端子160を繋ぐ第2接続配線166は、補助配線165と透明電極層163の積層構造を有している。補助配線165は、補助配線155と同様に補助電極124と同一工程で形成されているため、基板110の上に形成されており、かつ、補助電極124と同様の材料によって形成されている。透明電極層163は第2端子160の第1層162と一体に形成されており、また、補助配線155よりも幅が広い。本図に示す例では、透明電極層163の幅は第1電極120の幅とほぼ同じである。そして、透明電極層163の下には複数の補助配線165が互いに平行に形成されている。なお、本図に示す例では、補助配線165は第2端子160の第2層164とは分離されている。ただし、補助配線165と第2層164は互いにつながっていてもよい。
Further, the
補助配線155,165は塗布法によって形成されているため、補助配線155,165の側面は、補助配線155,165が蒸着法などの気相成膜法及びエッチング法を用いて形成された場合と比較して、下に行くにつれて補助配線155,165の幅が広くなる方向に傾斜している。従って、補助配線155,165の側面と透明電極層153,163の間に隙間は生じにくい。
Since the
そして、接着層184及び封止部材180の縁部182は、第1接続配線156上及び第2接続配線166上に位置している。また、第1接続配線156及び第2接続配線166は、縁部182の外周側の縁と交差している。ここで、第1接続配線156において、補助配線155は透明電極層153の下に位置しており、第2接続配線166において、補助配線165は透明電極層163の下に位置している。そして、透明電極層153の幅は補助配線155の幅よりも広く、透明電極層163の幅は補助配線165の幅よりも広い。従って、透明電極層153の上に補助配線155を形成し、かつ透明電極層163の上に補助配線165を形成する場合と比較して、接着層184の下地の凹凸は少なくなる。従って、基板110と封止部材180の間の空間は接着層184によって埋まりやすくなり、その結果、封止部材180による封止能力は高くなる。
The
さらに、本実施形態では、補助配線155,165は塗布材料を用いて形成されているため、補助配線155,165に起因して透明電極層153,163の表面に凹凸が生じた場合でも、この凹凸は滑らかになる。このため、基板110と封止部材180の間の空間は接着層184によってさらに埋まりやすくなり、その結果、封止部材180による封止能力はさらに高くなる。また、第1接続配線156に補助配線155を設け、さらに第2接続配線166に補助配線165を設けたため、第1接続配線156及び第2接続配線166の抵抗は低くなる。
Further, in the present embodiment, since the
また、補助電極124を形成するときに、第1の実施形態に示した島状の導電層126が形成されることがある。しかし、本実施形態では、補助電極124の上には第1電極120が形成されている。第1電極120はある程度の厚さを有しており、また、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成されている。従って、第1電極120の上面には、導電層126に起因した凹凸が形成されにくい。従って、導電層126に起因して第1電極120と第2電極140とが短絡することを抑制できる。
Further, when the
図26は、基板110、補助電極124、及び第1電極120の積層構造の断面SEM写真である。基板110がガラスで形成されており、補助電極124が塗布材料を用いて形成されている場合、基板110と補助電極124の密着性はあまり良くない。このため、補助電極124が基板110から浮き上がり、その結果、補助電極124の抵抗が高くなる可能性がある。これに対して補助電極124及び基板110の上には第1電極120が形成されている。第1電極120がIZOまたはITO等で形成されている場合、ガラスからなる基板110と第1電極120の密着性は高い。従って、補助電極124は基板110から剥離しにくくなる。
FIG. 26 is a cross-sectional SEM photograph of the laminated structure of the
図27は、基板110の上に補助電極124を形成し、その上に部分的に第1電極120を形成した試料の構成を示す平面図である。そしてこの試料に粘着テープを張り付け、この粘着テープを剥離したところ、第1電極120及びその下に位置する補助電極124は基板110から剥離しなかったが、補助電極124のうち第1電極120で覆われていない部分は剥離した。このことから、補助電極124を第1電極120で覆うことにより、補助電極124が基板110から剥離しにくくなることがわかる。
FIG. 27 is a plan view showing a configuration of a sample in which the
次に、補助電極124を第1電極120で覆った時の補助電極124の抵抗について説明する。図28は、補助電極124の抵抗を調べたときに用いた3つの試料の構成を示す図である。図28に示す3つの試料は、基板110の上に、いずれも第1電極120と同一の透明電極材料からなる配線128を互いに平行に2つ設けた構成を有している。そして、図28(a)に示す例では、これら2つの配線128をまたぐように補助電極124が形成されている。そして、補助電極124の上には第1電極120が形成されていない。一方、図28(b)に示す例では、図28(a)に示した構成に加えて、補助電極124の上に第1電極120が形成されている。第1電極120は、補助電極124と配線128の接点も覆っている。また、図28(c)に示す例では、2つの配線128の間には補助電極124が形成されておらず、第1電極120のみが形成されている。
Next, the resistance of the
図29は、図28に示した3つの試料において、2つの配線128の間の抵抗値を調べた結果を示している。いずれの試料においても、初期の抵抗値(初期抵抗)と、85℃に加熱した状態で500時間大気中に放置した後の抵抗値(試験後抵抗)の2つが測定されている。図28(a)に示した試料では、試験後抵抗値は、初期抵抗と比べて30%程度高くなっている。これは、補助電極124が基板110から剥離したためと推定される。これに対して図28(b)に示した試料では、試験後抵抗値は、初期抵抗とほぼ同じか、わずかに低くなっている。これは、補助電極124が第1電極120によって基板110に押し付けられており、基板110から剥離しなかったためと推定される。なお、図28(c)に示した試料でも、試験後抵抗値は、初期抵抗とほぼ同じか、わずかに低くなっている。ただし、補助電極124が形成されていないため、抵抗値そのものは、図28(a)に示した試料及び図28(b)に示した試料のいずれよりも高くなっている。
FIG. 29 shows the results of examining the resistance value between two
なお、図30に示すように、本実施形態において、補助電極124と重なる部分には絶縁層170が設けられていなくてもよい。
As shown in FIG. 30, in this embodiment, the insulating
(第2の実施形態の変形例1)
図14、15は、変形例1に係る発光装置100の断面図であり、それぞれ第2の実施形態の図12,13に対応している。本変形例に係る発光装置100は、封止部材180の構成を除いて、第2の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
(
14 and 15 are cross-sectional views of the light-emitting
本変形例において、封止部材180はラミネート構造の封止部材であり、金属の薄板または金属箔によって形成されている。接着層184は、封止部材180のほぼ全面に設けられている。
In this modification, the sealing
本変形例によっても、第2の実施形態と同様に、基板110と封止部材180の間の空間は接着層184によって埋まりやすい。従って、封止部材180による封止能力は高くなる。
Also according to this modification, the space between the
(第2の実施形態の変形例2)
図16、17は、変形例2に係る発光装置100の断面図であり、それぞれ第2の実施形態の図12,13に対応している。本変形例に係る発光装置100は、封止部材180が膜である点を除いて、第2の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
(
16 and 17 are cross-sectional views of the
本変形例において、封止部材180は、例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。封止部材180はALD法以外の成膜法、例えばCVD法を用いて形成されていてもよい。
In this modification, the sealing
本変形例によっても、第1接続配線156において、補助配線155は透明電極層153の下に位置しており、また第2接続配線166において、補助配線165は透明電極層163の下に位置している。従って、透明電極層153の上に補助配線155を形成し、かつ透明電極層163の上に補助配線165を形成する場合と比較して、接着層184の下地の凹凸は少なくなる。また、本変形例では、補助配線155,165は塗布材料によって形成されているため、補助配線155,165に起因して透明電極層153,163の表面に凹凸が生じた場合でも、この凹凸は滑らかになる。従って、封止部材180を成膜法により形成した場合に、封止部材180に封止欠陥は生じにくくなる。従って、封止部材180による封止能力は高くなる。
Also according to this modification, the
(第3の実施形態)
図18は、第3の実施形態に係る発光装置100の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図6に対応している。本実施形態に係る発光装置100は、以下の点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
(Third embodiment)
FIG. 18 is a cross-sectional view showing the configuration of the
まず、第1電極120には複数の溝122が形成されている。複数の溝122は、互いに平行に延在している。溝122は、透明導電膜を選択的に除去して第1電極120を形成する際に、形成される。そして補助電極124は、溝122の中のそれぞれに形成されている。具体的には、溝122の幅は、10μm以上100μm以下である。そして溝122は、第1電極120を貫通している。このため、溝122の底面には基板110が位置しており、また、補助電極124の底部は基板110に接することもある。補助電極124の上端は、第1電極120の上面より上に位置していてもよいし、溝122の中に位置していてもよい。そして、溝122及び補助電極124の上には、絶縁層170が形成されている。
First, a plurality of
図19(a)は、図18の点線βで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示す例において、溝122の側面は、基板110に近づくにつれて溝122の幅が狭くなる方向に傾斜している。このようにすると、有機層130から浅い角度で放射された光は、補助電極124の側面で反射され、基板110に対して直角に近い角度で入射する。このため、有機層130から放射された光のうち第1電極120と基板110の界面で反射される量は少なくなる。従って、発光装置100の光取出効率は上昇する。なお、溝122の側面は、基板110に対してほぼ直角であってもよい。ただし、完全に直角になると基板110内で全反射する光が再び増加して、発光効率が上昇しないので好ましくない。
FIG. 19A is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line β in FIG. In the example shown in the figure, the side surface of the
図19(b)は、図19(a)の領域γを拡大した図である。補助電極124は塗布材料を用いて形成されている。塗布材料には金属粒子が含まれている。このため、補助電極124の側面には複数の凹凸が形成される。従って、補助電極124で反射された光は様々な方向に向かう。これにより、有機層130から放射された光のうち第1電極120と基板110の界面で反射される量は少なくなる。従って、発光装置100の光取出効率は上昇する。
FIG. 19B is an enlarged view of the region γ in FIG. The
補助電極124は塗布材料を用いて形成されているため、補助電極124の幅は広くなりやすい。これに対して本実施形態によれば、補助電極124を構成するための塗布材料は、溝122内に塗布される。従って、補助電極124の幅を、溝122の幅で定めることができる。これにより、補助電極124の幅を狭くすることができる。
Since the
(第3の実施形態の変形例)
図20は、第3の実施形態の変形例に係る発光装置100の断面図であり、第3の実施形態の図18に対応している。本変形例に係る発光装置100は、溝122が第1電極120を貫いていない点を除いて、第3の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。本変形例において、溝122は、例えば、透明電極材料をエッチングして第1電極120を形成する工程とは別の工程で形成される。ただし、溝122の幅によっては、第1電極120と同一工程で形成できる場合もある。
(Modification of the third embodiment)
FIG. 20 is a cross-sectional view of a
本変形例によっても、補助電極124の幅を狭くすることができる。また、補助電極124の底面は第1電極120に接するため、補助電極124と基板110の密着性が悪い場合には、下地に対する補助電極124の密着性を高めることができる。
Also according to this modification, the width of the
以上、図面を参照して実施形態及び変形例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the modification were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
100 発光装置
110 基板
120 第1電極
124 補助電極
126 島状の導電層
130 有機層
140 第2電極
155 補助配線
165 補助配線
170 絶縁層
100 light emitting
Claims (6)
前記基板に形成され、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記第1電極の間に位置し、導電粒子を含む導電層と、
前記基板と前記第1電極の間に位置し、前記導電粒子と同一の導電性の元素を含む島状導電部と、
を備える発光装置。 A substrate,
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode;
A conductive layer located between the substrate and the first electrode and including conductive particles;
An island-shaped conductive part that is located between the substrate and the first electrode and includes the same conductive element as the conductive particles;
A light emitting device comprising:
前記導電層は線状に延在する線状部分を有しており、
前記線状部分の全部が前記基板と前記第1電極の間に位置している発光装置。 The light-emitting device according to claim 1.
The conductive layer has a linear portion extending linearly;
A light-emitting device in which all of the linear portions are located between the substrate and the first electrode.
前記発光部を封止する封止部材と、
前記封止部材の外部に位置する端子と、
前記端子を前記第1電極又は前記第2電極に電気的に接続する引出導電部材と、
を備え、
前記第1電極は透明導電材料を用いて形成されており、
前記引出導電部材は、前記導電層と、前記導電層の上に形成されていて前記透明電極材料を用いて形成された透明導電層とを有し、
前記封止部材の端部の少なくとも一部は、前記引出導電部材と重なっている発光装置。 The light-emitting device according to claim 1 or 2,
A sealing member for sealing the light emitting part;
A terminal located outside the sealing member;
A lead conductive member for electrically connecting the terminal to the first electrode or the second electrode;
With
The first electrode is formed using a transparent conductive material,
The lead conductive member includes the conductive layer and a transparent conductive layer formed on the conductive layer and formed using the transparent electrode material,
A light-emitting device in which at least a part of an end portion of the sealing member overlaps the lead conductive member.
前記導電粒子はナノ金属粒子である発光装置。 In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
The light emitting device, wherein the conductive particles are nano metal particles.
前記元素は銀である発光装置。 In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The light emitting device wherein the element is silver.
前記導電層は延在しており、
前記導電層を覆う絶縁層を備え、
前記導電層の幅方向において、前記導電層の中心から前記絶縁層の縁までの距離は、40μm以上60μm以下である発光装置。 In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-5,
The conductive layer extends;
An insulating layer covering the conductive layer;
In the width direction of the conductive layer, the distance from the center of the conductive layer to the edge of the insulating layer is 40 μm or more and 60 μm or less.
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