JP6463354B2 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP6463354B2
JP6463354B2 JP2016522991A JP2016522991A JP6463354B2 JP 6463354 B2 JP6463354 B2 JP 6463354B2 JP 2016522991 A JP2016522991 A JP 2016522991A JP 2016522991 A JP2016522991 A JP 2016522991A JP 6463354 B2 JP6463354 B2 JP 6463354B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
light
emitting device
metal wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016522991A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2015181869A1 (en
Inventor
賢一 奥山
賢一 奥山
博樹 丹
博樹 丹
雄司 齋藤
雄司 齋藤
邦彦 白幡
邦彦 白幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku Pioneer Corp
Pioneer Corp
Original Assignee
Tohoku Pioneer Corp
Pioneer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Pioneer Corp, Pioneer Corp filed Critical Tohoku Pioneer Corp
Publication of JPWO2015181869A1 publication Critical patent/JPWO2015181869A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6463354B2 publication Critical patent/JP6463354B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

近年は、発光素子として有機EL(Organic Electroluminescence)素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、有機層を、透明電極である第1電極と、第2電極とで挟んだ構成を有している。透明電極の透明導電材料は、Alなどの金属材料と比較して抵抗が高い。このため、透明電極には、例えば特許文献1に記載されているように、補助電極が形成されることが多い。特許文献1において、補助電極は導電性塗料を用いて形成されている。   In recent years, development of light-emitting devices having organic EL (Organic Electroluminescence) elements as light-emitting elements has been progressing. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode that is a transparent electrode and a second electrode. The transparent conductive material of the transparent electrode has a higher resistance than a metal material such as Al. For this reason, an auxiliary electrode is often formed on the transparent electrode as described in Patent Document 1, for example. In Patent Document 1, the auxiliary electrode is formed using a conductive paint.

なお、特許文献2には、有機EL素子を用いた表示装置において、基板のうち画素となる領域に凹凸を形成すると、光の取り出し効率は向上する、と記載されている。   In Patent Document 2, it is described that in a display device using an organic EL element, when unevenness is formed in a region of a substrate in a substrate, light extraction efficiency is improved.

実開平5−1198号公報Japanese Utility Model Publication No.5-1198 特開2004−111354号公報JP 2004-111354 A

有機層を用いた発光装置において、光の取出効率を向上させることは重要である。本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の光取出効率を向上させることが一例として挙げられる。   In a light emitting device using an organic layer, it is important to improve light extraction efficiency. An example of a problem to be solved by the present invention is to improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

請求項1に記載の発明は、透光性の基板と、
前記基板に形成された、透光性の第1電極と、
前記第1電極の上に形成された有機層と、
前記有機層の上に形成された第2電極と、
前記第1電極に接している金属配線と、
を備え、
前記金属配線の少なくとも一部は、前記有機層と前記第1電極とが重なった領域である積層領域とは重なっていない非重複領域となっており、
前記積層領域、及び前記非重複領域から、光が取り出される発光装置である。
The invention according to claim 1 is a translucent substrate;
A translucent first electrode formed on the substrate;
An organic layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the organic layer;
Metal wiring in contact with the first electrode;
With
At least a part of the metal wiring is a non-overlapping region that does not overlap with a stacked region that is a region where the organic layer and the first electrode overlap.
In the light emitting device, light is extracted from the stacked region and the non-overlapping region.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。   The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.

第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning a 1st embodiment. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図5の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。It is the figure which expanded the area | region enclosed with the dotted line (alpha) of FIG. 第1の実施形態の変形例1に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on the modification 1 of 1st Embodiment. 第1の実施形態の変形例2に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on the modification 2 of 1st Embodiment. 図8のA−A断面の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of AA cross section of FIG. 第2の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment. 図10のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図10のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 図10のE−E断面図である。It is EE sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

(第1の実施形態)
図1、図2、図3、及び図4は、発光装置100の平面図である。図3は、図4から封止部材180を取り除いた図であり、図2は、図3から第2電極140を取り除いた図であり、図1は、図2から有機層130及び絶縁層170を取り除いた図である。
(First embodiment)
1, 2, 3 and 4 are plan views of the light emitting device 100. FIG. 3 is a view in which the sealing member 180 is removed from FIG. 4, FIG. 2 is a view in which the second electrode 140 is removed from FIG. 3, and FIG. 1 is a view in which the organic layer 130 and the insulating layer 170 are removed from FIG. FIG.

発光装置100は、例えば矩形などの多角形であり、複数の発光素子102(図2に図示)、第1端子150、及び第2端子160を有している。発光素子102は、有機EL素子である。そして、複数の発光素子102によって発光部104が形成されている。発光部104は、例えば矩形であり、その一辺の長さは、例えば45mm以上105mm以下である。また、以下に示す発光装置100の各構成のレイアウトは、あくまで一例である。本図に示す発光装置100は、例えば照明装置として利用される。   The light emitting device 100 has a polygonal shape such as a rectangle, for example, and includes a plurality of light emitting elements 102 (shown in FIG. 2), a first terminal 150, and a second terminal 160. The light emitting element 102 is an organic EL element. A light emitting unit 104 is formed by the plurality of light emitting elements 102. The light emitting unit 104 is, for example, a rectangle, and the length of one side is, for example, not less than 45 mm and not more than 105 mm. Moreover, the layout of each structure of the light-emitting device 100 shown below is an example to the last. The light emitting device 100 shown in this figure is used as, for example, a lighting device.

第1端子150及び第2端子160は、発光素子102に電力を供給するために設けられている。このため、第1端子150及び第2端子160には、発光装置100に電力を供給するための接続部材(例えば金属配線)が接続される。第1端子150は、第1の方向(図中左右方向)に延在しており、第2端子160は第1の方向に交わる第2の方向(例えば図中上下方向)に延在している。   The first terminal 150 and the second terminal 160 are provided to supply power to the light emitting element 102. Therefore, a connection member (for example, metal wiring) for supplying power to the light emitting device 100 is connected to the first terminal 150 and the second terminal 160. The first terminal 150 extends in a first direction (left-right direction in the drawing), and the second terminal 160 extends in a second direction (for example, up-down direction in the drawing) that intersects the first direction. Yes.

発光素子102は、基板110に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140を積層した構成を有している。本図に示す例では、基板110の上に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140がこの順に積層されている。   The light emitting element 102 has a configuration in which a first electrode 120, an organic layer 130, and a second electrode 140 are stacked on a substrate 110. In the example shown in this drawing, the first electrode 120, the organic layer 130, and the second electrode 140 are laminated on the substrate 110 in this order.

基板110は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板110は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板110の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板110は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板110は、例えば矩形などの多角形である。基板110が正方形である場合、基板110の一辺は、例えば50mm以上120mm以下である。   The substrate 110 is a transparent substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 110 may have flexibility. In this case, the thickness of the substrate 110 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. Also in this case, the substrate 110 may be formed of either an inorganic material or an organic material. The substrate 110 has a polygonal shape such as a rectangle. When the substrate 110 is square, one side of the substrate 110 is, for example, not less than 50 mm and not more than 120 mm.

有機層130は、発光層を有している。有機層130は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層130の少なくとも一つの層は、塗布法によって形成されている。なお、有機層130の残りの層は、蒸着法によって形成されている。なお、有機層130は塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成しても構わない。   The organic layer 130 has a light emitting layer. The organic layer 130 has, for example, a configuration in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. At least one layer of the organic layer 130 is formed by a coating method. The remaining layers of the organic layer 130 are formed by a vapor deposition method. Note that the organic layer 130 may be formed by an inkjet method, a printing method, or a spray method using a coating material.

第1電極120は発光素子102の陽極として機能し、第2電極140は発光素子102の陰極として機能する。第1電極120は、光透過性を有する透明電極である。発光素子102が発光した光は、第1電極120を介して外部に出射する。透明電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。   The first electrode 120 functions as an anode of the light emitting element 102, and the second electrode 140 functions as a cathode of the light emitting element 102. The first electrode 120 is a transparent electrode having optical transparency. Light emitted from the light emitting element 102 is emitted to the outside through the first electrode 120. The material of the transparent electrode includes, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a conductive polymer such as a polythiophene derivative.

また、第2電極140は、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。   The second electrode 140 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer.

より具体的には、第1電極120は、図1に示すように、第1端子150に接続している。そして第1電極120は、基板110のうち、発光部104となる領域から第1端子150まで連続して形成されている。本図に示す例では、基板110は矩形であり、第1端子150は基板110のうち互いに対向する2辺に沿って設けられている。第1電極120は、この2辺の間に形成されている。   More specifically, the first electrode 120 is connected to the first terminal 150 as shown in FIG. The first electrode 120 is continuously formed from the region of the substrate 110 that becomes the light emitting unit 104 to the first terminal 150. In the example shown in this drawing, the substrate 110 is rectangular, and the first terminals 150 are provided along two opposite sides of the substrate 110. The first electrode 120 is formed between the two sides.

図1に示す例において、第1電極120には複数の溝122が設けられている。溝122は複数の発光素子102の間を延在しており、第1電極120を、複数の発光素子102のそれぞれに分割している。そして、いずれの発光素子102が有する第1電極120も、第1端子150に接続している。また、後述するように、溝122の中には金属配線124が形成されている。このため、溝122が形成されていても、複数の発光素子102の第1電極120は互いにつながっており、共通の電極として機能する。   In the example shown in FIG. 1, the first electrode 120 is provided with a plurality of grooves 122. The groove 122 extends between the plurality of light emitting elements 102 and divides the first electrode 120 into each of the plurality of light emitting elements 102. The first electrode 120 included in any light emitting element 102 is also connected to the first terminal 150. Further, as will be described later, a metal wiring 124 is formed in the groove 122. For this reason, even if the groove | channel 122 is formed, the 1st electrode 120 of the some light emitting element 102 is connected mutually, and functions as a common electrode.

図1におけるすべての溝122は、いずれの第1端子150にも到達していない。ただし、少なくとも一部の溝122は、一方の第1端子150まで延びて到達していても構わない。   All the grooves 122 in FIG. 1 do not reach any of the first terminals 150. However, at least some of the grooves 122 may extend to one of the first terminals 150.

また、図3に示すように、複数の発光素子102の第2電極140は互いに繋がっている。言い換えると、第2電極140は、複数の発光素子102に共通の電極として形成されている。詳細には、第2電極140は、有機層130及び絶縁層170の上に形成されており、また、第2端子160に接続している。本図に示す例では、第2端子160は、基板110のうち互いに対向する2辺に沿って形成されている。そして第2電極140は、これら2つの第2端子160の間の領域を覆うように形成されている。   Further, as shown in FIG. 3, the second electrodes 140 of the plurality of light emitting elements 102 are connected to each other. In other words, the second electrode 140 is formed as an electrode common to the plurality of light emitting elements 102. Specifically, the second electrode 140 is formed on the organic layer 130 and the insulating layer 170, and is connected to the second terminal 160. In the example shown in this drawing, the second terminal 160 is formed along two sides of the substrate 110 that face each other. The second electrode 140 is formed so as to cover a region between the two second terminals 160.

図1〜図4に示す例において、第1端子150及び第2端子160は発光部104の外側に配置されている。詳細には、2つの第1端子150が第2の方向に互いに離れて配置されており、かつ、2つの第2端子160が第1の方向に互いに離れて配置されている。そして、発光部104は、2つの第1端子150の間、かつ2つの第2端子160の間に位置している。このようにすると、第1電極120には2つの第1端子150から電圧が供給され、かつ第2電極140には2つの第2端子160から電圧が供給されるため、発光部104の内部で電圧に分布が生じることを抑制できる。これにより、発光部104に輝度の分布が生じることを抑制できる。   In the example illustrated in FIGS. 1 to 4, the first terminal 150 and the second terminal 160 are disposed outside the light emitting unit 104. Specifically, the two first terminals 150 are arranged apart from each other in the second direction, and the two second terminals 160 are arranged apart from each other in the first direction. The light emitting unit 104 is located between the two first terminals 150 and between the two second terminals 160. In this case, the first electrode 120 is supplied with voltage from the two first terminals 150 and the second electrode 140 is supplied with voltage from the two second terminals 160. The distribution of voltage can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of luminance distribution in the light emitting unit 104.

第1端子150は、第1電極120と同一の層(第1層152)の上に第2層154を積層した構成を有している。そして第1層152は第1電極120と一体になっている。このため、第1端子150と第1電極120の間の距離を短くして、これらの間の抵抗値を小さくすることができる。また、発光装置100の縁に存在する非発光領域を狭くすることができる。   The first terminal 150 has a configuration in which a second layer 154 is stacked on the same layer (first layer 152) as the first electrode 120. The first layer 152 is integrated with the first electrode 120. For this reason, the distance between the 1st terminal 150 and the 1st electrode 120 can be shortened, and resistance value between these can be made small. In addition, the non-light emitting region existing at the edge of the light emitting device 100 can be narrowed.

第2層154は、第1電極120よりも抵抗値が低い材料によって形成されている。第2層154は、金属粒子を含む塗布材料を第1電極120上に塗布し、その後焼成することによって形成されている。第2層154を第1電極120上に塗布する方法としては、例えばインクジェット法が用いられる。また、塗布材料中に含まれる金属粒子は、例えば銀粒子であり、その直径は数十nm程度である。そして、第1端子150に電圧を供給する接続部材は、第2層154に接続している。なお、第2層154は、第1電極120よりも透光性が低い。   The second layer 154 is formed of a material having a lower resistance value than the first electrode 120. The second layer 154 is formed by applying a coating material containing metal particles on the first electrode 120 and then baking it. As a method of applying the second layer 154 on the first electrode 120, for example, an inkjet method is used. Moreover, the metal particles contained in the coating material are, for example, silver particles, and the diameter thereof is about several tens of nanometers. A connection member that supplies a voltage to the first terminal 150 is connected to the second layer 154. Note that the second layer 154 has lower translucency than the first electrode 120.

また、第2端子160は、第1層162の上に第2層164を積層した構成を有している。第1層162は第1電極120と同様の材料により形成されている。ただし、第1層162は第1電極120から分離している。第2層164は、第2層154と同様の材料かつ同様の方法を用いて形成されている。   The second terminal 160 has a configuration in which a second layer 164 is stacked on the first layer 162. The first layer 162 is formed of the same material as the first electrode 120. However, the first layer 162 is separated from the first electrode 120. The second layer 164 is formed using the same material and the same method as the second layer 154.

第1端子150及び第2端子160には、導電部材、例えばリード端子またはボンディングワイヤが接続する。第1端子150の第1層152及び第2層154は、いずれも少なくとも一つの発光素子102の端部に沿って延在している。このため、第1端子150は長くなり、発光装置100に電力を供給する導電部材の配置の制約が少なくなる。従って、導電部材を第1端子150に取り付けやすくなる。同様に、第2端子160の第1層162及び第2層164は、いずれも少なくとも一つの発光素子102の端部に沿って延在している。このため、第2端子160は長くなり、発光装置100に電力を供給する導電部材の配置の制約が少なくなる。従って、導電部材を第2端子160に取り付けやすくなる。   A conductive member such as a lead terminal or a bonding wire is connected to the first terminal 150 and the second terminal 160. The first layer 152 and the second layer 154 of the first terminal 150 both extend along the end of at least one light emitting element 102. For this reason, the 1st terminal 150 becomes long and the restrictions of arrangement | positioning of the electrically-conductive member which supplies electric power to the light-emitting device 100 reduce. Therefore, it becomes easy to attach the conductive member to the first terminal 150. Similarly, the first layer 162 and the second layer 164 of the second terminal 160 both extend along the end portion of at least one light emitting element 102. For this reason, the 2nd terminal 160 becomes long and the restrictions of arrangement | positioning of the electrically-conductive member which supplies electric power to the light-emitting device 100 reduce. Therefore, it becomes easy to attach the conductive member to the second terminal 160.

また、第1端子150に第2層154を設け、かつ第2端子160に第2層164を設けたため、第1端子150及び第2端子160の抵抗値を小さくすることができる。   Further, since the second layer 154 is provided on the first terminal 150 and the second layer 164 is provided on the second terminal 160, the resistance values of the first terminal 150 and the second terminal 160 can be reduced.

第1電極120には、金属配線124が接している。本図に示す例では、金属配線124は、溝122の中に設けられている。このため、金属配線124は、第1電極120の側面と、第1電極120の上面のうちこの側面の近くに位置する領域(以下、縁部126と記載)を覆っている。そして、溝122は第1電極120を貫通しているため、金属配線124は基板110のうち溝122の底に位置する領域と接している。金属配線124の間隔、すなわち溝122の間隔は、例えば0.5mm以上2mm以下、好ましくは0.75mm以上1.25mm以下である。金属配線124は、第1電極120よりも抵抗値の低い材料によって形成されている。金属配線124が形成されることにより、第1電極120の面内で電圧降下が生じることを抑制できる。これにより、発光装置100の輝度に分布が生じることを抑制できる。   A metal wiring 124 is in contact with the first electrode 120. In the example shown in this figure, the metal wiring 124 is provided in the groove 122. For this reason, the metal wiring 124 covers the side surface of the first electrode 120 and a region (hereinafter referred to as an edge portion 126) located near the side surface of the upper surface of the first electrode 120. And since the groove | channel 122 has penetrated the 1st electrode 120, the metal wiring 124 is in contact with the area | region located in the bottom of the groove | channel 122 among the board | substrates 110. FIG. The interval between the metal wirings 124, that is, the interval between the grooves 122 is, for example, not less than 0.5 mm and not more than 2 mm, preferably not less than 0.75 mm and not more than 1.25 mm. The metal wiring 124 is formed of a material having a lower resistance value than the first electrode 120. By forming the metal wiring 124, it is possible to suppress a voltage drop from occurring in the plane of the first electrode 120. Thereby, it can suppress that distribution arises in the brightness | luminance of the light-emitting device 100. FIG.

金属配線124は、例えば第2層154,164と同様の材料かつ同様の方法を用いて、形成されている。言い換えると、金属配線124は、金属粒子が焼成され、互いに結合することにより、形成されている。このため、金属配線124の表面の凹凸は、金属配線124が蒸着法などの気相成膜法及びエッチング法を用いて形成された場合と比較して、大きくなる。   The metal wiring 124 is formed using the same material and the same method as the second layers 154 and 164, for example. In other words, the metal wiring 124 is formed by firing metal particles and bonding them to each other. For this reason, the unevenness on the surface of the metal wiring 124 becomes larger compared to the case where the metal wiring 124 is formed using a vapor deposition method such as a vapor deposition method and an etching method.

なお、本図に示す例において、金属配線124は2つの第1端子150の間を延在しているが、2つの第1端子150の第2層154のいずれにも直接接続していない。ただし、金属配線124は、少なくとも一方の第2層154に直接接続していてもよい。   In the example shown in this figure, the metal wiring 124 extends between the two first terminals 150, but is not directly connected to any of the second layers 154 of the two first terminals 150. However, the metal wiring 124 may be directly connected to at least one second layer 154.

図2に示すように、第1電極120のうち第2層154で覆われていない領域の上、及び金属配線124の上には、絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂によって形成されている。絶縁層170には、複数の開口172が設けられている。開口172は、金属配線124と平行に延在している。ただし、開口172は金属配線124に重なっていない。このため、金属配線124は絶縁層170に覆われている。また、少なくとも開口172の内部には、上記した有機層130が形成されている。そして、第1電極120及び第2電極140の間に電圧又は電流が印加されることにより、開口172内に位置する有機層130は発光する。言い換えると、開口172のそれぞれの中に発光素子102が形成されている。   As shown in FIG. 2, an insulating layer 170 is formed on a region of the first electrode 120 that is not covered with the second layer 154 and on the metal wiring 124. The insulating layer 170 is made of a photosensitive resin such as polyimide. A plurality of openings 172 are provided in the insulating layer 170. The opening 172 extends in parallel with the metal wiring 124. However, the opening 172 does not overlap the metal wiring 124. For this reason, the metal wiring 124 is covered with the insulating layer 170. The organic layer 130 described above is formed at least inside the opening 172. Then, when a voltage or current is applied between the first electrode 120 and the second electrode 140, the organic layer 130 located in the opening 172 emits light. In other words, the light emitting element 102 is formed in each of the openings 172.

また、図4に示すように、複数の発光素子102は封止部材180によって封止されている。封止部材180は、基板110と同様の多角形の金属箔又は金属板(例えばAl箔又はAl板)の縁部182の全周を押し下げた形状を有している。そして縁部182は接着材又は粘着材等で基板110に固定されている。   Further, as shown in FIG. 4, the plurality of light emitting elements 102 are sealed with a sealing member 180. The sealing member 180 has a shape in which the entire circumference of the edge 182 of a polygonal metal foil or metal plate (for example, an Al foil or an Al plate) similar to the substrate 110 is pushed down. The edge 182 is fixed to the substrate 110 with an adhesive or an adhesive.

図5は、図1のA−A断面図である。上記したように、第2端子160は、第1層162の上に第2層164を積層した構成を有している。封止部材180の縁部182は、絶縁性の接着層184を介して、第2端子160の一部に固定されている。そして、第2端子160のうち縁部182から露出している部分には、上記した導電部材が接続される。   5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. As described above, the second terminal 160 has a configuration in which the second layer 164 is stacked on the first layer 162. An edge 182 of the sealing member 180 is fixed to a part of the second terminal 160 via an insulating adhesive layer 184. The conductive member described above is connected to a portion of the second terminal 160 exposed from the edge 182.

また、第1電極120には溝122が形成されている。そして、金属配線124の一部は、溝122の中に位置しているため、溝122の内面(言い換えると第1電極120の側面)に接している。また金属配線124の上部は、第1電極120の上面のうち溝122に隣接する領域である縁部126に接している。溝122、金属配線124、及び第1電極120の縁部126は、絶縁層170によって覆われている。   A groove 122 is formed in the first electrode 120. Since a part of the metal wiring 124 is located in the groove 122, it is in contact with the inner surface of the groove 122 (in other words, the side surface of the first electrode 120). Further, the upper portion of the metal wiring 124 is in contact with an edge portion 126 that is a region adjacent to the groove 122 on the upper surface of the first electrode 120. The groove 122, the metal wiring 124, and the edge 126 of the first electrode 120 are covered with an insulating layer 170.

図6は、図5の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本図に示すように、有機層130のうち第1電極120と重なる領域(以下、積層領域142と記載)には電流が流れる。このため、基板110に垂直な方向から見た場合、積層領域142は光が取り出される領域(発光領域)として認識される。   6 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line α in FIG. As shown in the drawing, a current flows in a region (hereinafter, referred to as a stacked region 142) overlapping the first electrode 120 in the organic layer 130. Therefore, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 110, the stacked region 142 is recognized as a region from which light is extracted (light emitting region).

そして、積層領域142から放射された光の一部は、基板110に入るための臨界角未満となり、第1電極120と基板110の界面で反射する。このような光は、基板110に対する角度が浅いため、積層領域142の外側に進行する場合が多い。一方、金属配線124の少なくとも一部(全部であってもよい)は、積層領域142と重なっていない。このため、第1電極120と基板110の界面で反射した光の一部は、金属配線124のうち積層領域142と重ならない領域の少なくとも一部(非重複領域:例えば縁部126)によってさらに反射される。そしてこの反射の際に、光の進行方向(角度)が変わることがある。これにより、上記した界面で反射した光の一部は、基板110に対して臨界角以上の角度で再び入射し、第1電極120と基板110の界面を透過して外部に放射される。このため、発光装置100の光取出効率は向上する。   A part of the light emitted from the stacked region 142 becomes less than the critical angle for entering the substrate 110 and is reflected at the interface between the first electrode 120 and the substrate 110. Such light often travels outside the stacked region 142 because the angle with respect to the substrate 110 is shallow. On the other hand, at least a part (or all) of the metal wiring 124 does not overlap the stacked region 142. Therefore, a part of the light reflected at the interface between the first electrode 120 and the substrate 110 is further reflected by at least a part (non-overlapping region: for example, the edge portion 126) of the metal wiring 124 that does not overlap with the stacked region 142. Is done. In this reflection, the traveling direction (angle) of light may change. As a result, part of the light reflected at the interface is incident again on the substrate 110 at an angle equal to or greater than the critical angle, is transmitted through the interface between the first electrode 120 and the substrate 110, and is emitted to the outside. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is improved.

なお、基板110と発光装置100の外部(例えば空気)の界面においても、接触領域から放射された光の一部は反射されるが、この反射光の一部も、金属配線124で反射された後、発光装置100の外部に放射される。   Note that a part of the light emitted from the contact region is also reflected at the interface between the substrate 110 and the light emitting device 100 (for example, air), but a part of the reflected light is also reflected by the metal wiring 124. Thereafter, the light is emitted to the outside of the light emitting device 100.

なお、図6に示す例では、上記した反射光の一部は、金属配線124のうち積層領域142の隣に位置する領域、具体的には金属配線124のうち縁部126と接している領域で反射し、外部に放射される。そして、基板110に垂直な方向から見た場合、この縁部126(すなわち上記した非重複領域)も、光が取り出される領域(発光領域)として認識される。言い換えると、ユーザが発光領域として認識する領域を広げることができる。   In the example illustrated in FIG. 6, a part of the reflected light described above is a region located next to the stacked region 142 in the metal wiring 124, specifically, a region in contact with the edge 126 of the metal wiring 124. Reflected and emitted to the outside. When viewed from a direction perpendicular to the substrate 110, the edge 126 (that is, the above-described non-overlapping region) is also recognized as a region from which light is extracted (light emitting region). In other words, the area that the user recognizes as the light emitting area can be expanded.

次に、発光装置100の製造方法について説明する。まず、基板110の上に第1電極120となる材料を、例えばスパッタリング法または蒸着法を用いて形成する。次いで、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板110上には、第1電極120、第1層152,162が形成される。この工程において、第1電極120には溝122も形成される。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 100 will be described. First, a material to be the first electrode 120 is formed on the substrate 110 by using, for example, a sputtering method or an evaporation method. Next, the conductive layer is selectively removed using etching (for example, dry etching or wet etching). As a result, the first electrode 120 and the first layers 152 and 162 are formed on the substrate 110. In this step, a groove 122 is also formed in the first electrode 120.

次いで、溝122内に金属配線124を形成し、第1層152上に第2層154を形成し、さらに第1層162上に第2層164を形成する。金属配線124及び第2層154,164は、例えばインクジェット法などの塗布法を用いて形成される。   Next, the metal wiring 124 is formed in the groove 122, the second layer 154 is formed on the first layer 152, and the second layer 164 is further formed on the first layer 162. The metal wiring 124 and the second layers 154 and 164 are formed using a coating method such as an ink jet method.

次いで、基板110上及び第1電極120上に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液(例えば現像液)を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層170及び開口172が形成される。絶縁層170が絶縁材料で形成されている場合、絶縁層170及び開口172は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層170がポリイミドで形成されている場合、絶縁層170には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層170のイミド化が進む。   Next, an insulating layer is formed on the substrate 110 and the first electrode 120, and the insulating layer is selectively removed using a chemical solution (for example, a developer). Thereby, the insulating layer 170 and the opening 172 are formed. When the insulating layer 170 is formed of an insulating material, the insulating layer 170 and the opening 172 are formed by exposure processing and development processing. In the case where the insulating layer 170 is formed of polyimide, the insulating layer 170 is further subjected to heat treatment. Thereby, imidation of the insulating layer 170 proceeds.

次いで、開口172内に有機層130を形成する。有機層130を構成する少なくとも一つの層(例えば正孔輸送層)は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層130の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。   Next, the organic layer 130 is formed in the opening 172. At least one layer (for example, a hole transport layer) constituting the organic layer 130 may be formed using a coating method such as spray coating, dispenser coating, inkjet, or printing. The remaining layers of the organic layer 130 are formed using, for example, a vapor deposition method, but these layers may also be formed using a coating method.

次いで、有機層130上に第2電極140を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。次いで、接着層184を用いて封止部材180を基板110に固定する。   Next, the second electrode 140 is formed on the organic layer 130 by using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. Next, the sealing member 180 is fixed to the substrate 110 using the adhesive layer 184.

以上、本実施形態によれば、積層領域142から放射された光の一部は、基板110に入るための臨界角未満であるため、第1電極120と基板110の界面で反射する。このような光は、基板110に対する角度が浅いため、積層領域142の外側に進行する場合が多い。一方、金属配線124の少なくとも一部は、積層領域142と重なっていない。このため、第1電極120と基板110の界面で反射した光の一部は、金属配線124によってさらに反射される。そしてこの反射の際に、光の進行方向(角度)が変わることがある。このため、金属配線124で反射されることによって、上記した界面で反射した光の一部は、第1電極120と基板110の界面に対して臨界角以上の角度で入射し、第1電極120と基板110の界面を透過して外部に放射される。このため、発光装置100の光取出効率は向上する。   As described above, according to the present embodiment, part of the light emitted from the stacked region 142 is less than the critical angle for entering the substrate 110, and is reflected at the interface between the first electrode 120 and the substrate 110. Such light often travels outside the stacked region 142 because the angle with respect to the substrate 110 is shallow. On the other hand, at least a part of the metal wiring 124 does not overlap with the stacked region 142. For this reason, part of the light reflected at the interface between the first electrode 120 and the substrate 110 is further reflected by the metal wiring 124. In this reflection, the traveling direction (angle) of light may change. For this reason, a part of the light reflected at the above-described interface by being reflected by the metal wiring 124 is incident on the interface between the first electrode 120 and the substrate 110 at an angle equal to or greater than the critical angle. And radiated to the outside through the interface between the substrate 110 and the substrate 110. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is improved.

また、金属配線124は金属粒子を用いて形成されているため、スパッタリング法などの成膜法で形成される場合と比較して、表面は荒くなる。このため、金属配線124によって光は乱反射される。従って、積層領域142から放射される光のうち基板110に対する入射角が臨界角未満の成分も、金属配線124の側面によって反射されることによって、少なくとも一部は、入射角が臨界角以上になる。従って、発光装置100の光取出効率は向上する。本実施形態では、溝122は第1電極120を貫通しているため、金属配線124の一部は基板110に接している。このため、図6の点線で示すように、光のうち基板100と外部の界面における臨界角未満の一部は、金属配線124の底部で反射することによって、臨界角以上になる。これによって発光装置100の光取出効率はさらに向上する。   Further, since the metal wiring 124 is formed using metal particles, the surface becomes rough as compared with a case where the metal wiring 124 is formed by a film forming method such as a sputtering method. For this reason, light is irregularly reflected by the metal wiring 124. Accordingly, a component whose incident angle with respect to the substrate 110 is less than the critical angle among the light emitted from the stacked region 142 is also reflected by the side surface of the metal wiring 124, so that at least a part of the incident angle becomes greater than the critical angle. . Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is improved. In the present embodiment, since the groove 122 penetrates the first electrode 120, a part of the metal wiring 124 is in contact with the substrate 110. For this reason, as shown by a dotted line in FIG. 6, a part of the light less than the critical angle at the interface between the substrate 100 and the outside is reflected by the bottom of the metal wiring 124, and becomes greater than the critical angle. Thereby, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is further improved.

また、金属配線124の側面も、上記した反射光をさらに反射する。金属配線124の側面の表面も荒いため、上記した反射光は、金属配線124の側面で乱反射される。従って、光のうち基板110に対する入射角が臨界角未満の成分も、金属配線124によって反射されることによって、少なくとも一部は、入射角が臨界角以上になる。このため、発光装置100の光取出効率はさらに向上する。   Further, the side surface of the metal wiring 124 also reflects the above-described reflected light. Since the surface of the side surface of the metal wiring 124 is also rough, the above-described reflected light is irregularly reflected on the side surface of the metal wiring 124. Accordingly, a component of the light whose incident angle with respect to the substrate 110 is less than the critical angle is also reflected by the metal wiring 124, so that at least a part of the incident angle becomes greater than the critical angle. For this reason, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is further improved.

なお、本実施形態において、溝122の側面は、基板110に近づくにつれて溝122の幅が狭くなる方向に傾斜していてもよい。   In the present embodiment, the side surface of the groove 122 may be inclined in a direction in which the width of the groove 122 becomes narrower as it approaches the substrate 110.

(変形例1)
図7は、第1の実施形態の変形例1に係る発光装置100の構成を示す断面図であり、第1の実施形態の図6に対応している。本実施形態に係る発光装置100は、溝122が第1電極120を貫いていない点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。本変形例において、溝122は、例えば、透明電極材料をエッチングして第1電極120を形成する工程とは別の工程で形成される。ただし、溝122の幅によっては、第1電極120と同一工程で形成できる場合もある。
(Modification 1)
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 100 according to Modification 1 of the first embodiment, and corresponds to FIG. 6 of the first embodiment. The light emitting device 100 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment, except that the groove 122 does not penetrate the first electrode 120. In this modification, the groove 122 is formed in a process different from the process of forming the first electrode 120 by etching the transparent electrode material, for example. However, depending on the width of the groove 122, it may be formed in the same process as the first electrode 120.

本変形例によっても、発光装置100の光取出効率を向上させることができる。また、金属配線124の底面は第1電極120に接するため、金属配線124と基板110の密着性が悪い場合には、下地に対する金属配線124の密着性を高めることができる。   Also according to this modification, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 can be improved. In addition, since the bottom surface of the metal wiring 124 is in contact with the first electrode 120, the adhesion of the metal wiring 124 to the base can be improved when the adhesion between the metal wiring 124 and the substrate 110 is poor.

(変形例2)
図8は、第1の実施形態の変形例2に係る発光装置100の構成を示す平面図である。図9は、図8のA−A断面の一部を拡大した図である。図8,9は、それぞれ第1の実施形態における図1,6に対応している。本変形例に係る発光装置100は、溝122を有していない点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
(Modification 2)
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 100 according to Modification 2 of the first embodiment. FIG. 9 is an enlarged view of a part of the AA cross section of FIG. 8 and 9 correspond to FIGS. 1 and 6 in the first embodiment, respectively. The light emitting device 100 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment, except that the groove 122 is not provided.

詳細には、第1電極120は連続した膜になっており、溝122を有していない。そして、第1電極120の基板110とは逆側の面のうち、絶縁層170で覆われている領域には、金属配線124が形成されている。そして金属配線124のうち第1電極120に面している部分が、非重複領域となり、光を反射する。ここで光は乱反射されるため、一部の光の進行角度は変わり、その結果、基板110の外に放射される。   Specifically, the first electrode 120 is a continuous film and does not have the groove 122. A metal wiring 124 is formed in a region covered with the insulating layer 170 on the surface of the first electrode 120 opposite to the substrate 110. A portion of the metal wiring 124 facing the first electrode 120 becomes a non-overlapping region and reflects light. Here, since the light is irregularly reflected, the traveling angle of a part of the light changes, and as a result, the light is radiated out of the substrate 110.

本変形例によっても、発光装置100の光取出効率を向上させることができる。   Also according to this modification, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 can be improved.

(第2の実施形態)
図10は、第2の実施形態に係る発光装置100の構成を示す平面図である。図11は、図10のC−C断面図であり、図12は図10のD−D断面図であり、図13は図10のE−E断面図である。本実施形態に係る発光装置100は、表示装置である点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。なお、本実施形態において、発光装置100は、演色性を有する照明装置であってもよい。
(Second Embodiment)
FIG. 10 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 100 according to the second embodiment. 11 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 10, FIG. 12 is a sectional view taken along the line DD in FIG. 10, and FIG. 13 is a sectional view taken along the line EE in FIG. The light emitting device 100 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 100 according to the first embodiment, except that the light emitting device 100 is a display device. In the present embodiment, the light emitting device 100 may be a lighting device having color rendering properties.

具体的には、絶縁層170の上には、複数の隔壁190が形成されている。複数の隔壁190は、第1の方向(図10におけるX方向)に延在しており、第1の方向に直交する第2の方向(図10におけるY方向)に互いに等間隔で離れている。そして発光素子102(すなわち開口172)は、複数の隔壁190の間に複数設けられている。複数の発光素子102は、第1の方向に配列されているとともに、第2の方向にも配列されている。言い換えると、複数の発光素子102は、マトリクス状に配置されている。   Specifically, a plurality of partition walls 190 are formed on the insulating layer 170. The plurality of partition walls 190 extend in the first direction (X direction in FIG. 10), and are spaced apart from each other at equal intervals in a second direction (Y direction in FIG. 10) orthogonal to the first direction. . A plurality of light emitting elements 102 (that is, openings 172) are provided between the plurality of partition walls 190. The plurality of light emitting elements 102 are arranged in the first direction and also in the second direction. In other words, the plurality of light emitting elements 102 are arranged in a matrix.

また、第1電極120は、第2の方向(図10におけるY方向)に延在しており、第1の方向(図10におけるX方向)に、複数、互いに離れて配置されている。また第2電極140は、第1の方向(図10におけるX方向)に延在しており、第2の方向(図10におけるY方向)に、複数、互いに離れて配置されている。そして、第1電極120と第2電極140の交点に、発光素子102及び絶縁層170の開口172が設けられている。このため、厳密にいうと、第1電極120及び第2電極140は、開口172と重なる部分のみが電極として機能し、それ以外の部分は配線として機能している。ただし、以下の説明では便宜上、この配線として機能する領域も含めて、第1電極120及び第2電極140とする。   The first electrodes 120 extend in the second direction (Y direction in FIG. 10), and a plurality of the first electrodes 120 are arranged apart from each other in the first direction (X direction in FIG. 10). The second electrodes 140 extend in the first direction (X direction in FIG. 10), and a plurality of the second electrodes 140 are arranged apart from each other in the second direction (Y direction in FIG. 10). An opening 172 of the light emitting element 102 and the insulating layer 170 is provided at the intersection of the first electrode 120 and the second electrode 140. For this reason, strictly speaking, in the first electrode 120 and the second electrode 140, only a portion overlapping with the opening 172 functions as an electrode, and the other portion functions as a wiring. However, in the following description, for the sake of convenience, the first electrode 120 and the second electrode 140 are also included including the region functioning as the wiring.

絶縁層170には、複数の開口172に加え、複数の開口174が形成されている。開口174は、平面視で複数の第2電極140それぞれの一端に位置している。また開口174は、開口172が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向(例えば図10におけるY方向)で見た場合、開口174は、第1電極120に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。そして開口174の中には、第2引出配線168の一端側が位置している。第2引出配線168は、開口174内で第2電極140に接続している。また、第1引出配線158の第1層152は、第1電極120と一体になっている。   The insulating layer 170 has a plurality of openings 174 in addition to the plurality of openings 172. The opening 174 is located at one end of each of the plurality of second electrodes 140 in plan view. The openings 174 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 172. When viewed in a direction along one side (for example, the Y direction in FIG. 10), the openings 174 are arranged at a predetermined interval in the direction along the first electrode 120. In the opening 174, one end side of the second lead wiring 168 is located. The second lead wiring 168 is connected to the second electrode 140 within the opening 174. Further, the first layer 152 of the first lead wiring 158 is integrated with the first electrode 120.

また、第1端子150と第1電極120の間には第1引出配線158が形成されており、第2端子160と第2電極140の間には第2引出配線168が形成されている。第1引出配線158は第1端子150と同様の層構造を有しており、第2引出配線168は第2端子160と同様の層構造を有している。言い換えると、第1引出配線158の一端が第1端子150になっており、第2引出配線168の一端が第2端子160になっている。   A first lead wire 158 is formed between the first terminal 150 and the first electrode 120, and a second lead wire 168 is formed between the second terminal 160 and the second electrode 140. The first lead wiring 158 has the same layer structure as the first terminal 150, and the second lead wiring 168 has the same layer structure as the second terminal 160. In other words, one end of the first lead wiring 158 is the first terminal 150, and one end of the second lead wiring 168 is the second terminal 160.

隔壁190は、隣り合う第2電極140の間に位置している。隔壁190は、第2電極140と平行すなわち第2方向に延在している。隔壁190は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁190は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁190はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。   The partition wall 190 is located between the adjacent second electrodes 140. The partition wall 190 extends in parallel with the second electrode 140, that is, in the second direction. The partition wall 190 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by exposure and development. The partition wall 190 is formed using, for example, a negative photosensitive resin. The partition wall 190 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁190は、断面が台形の上下を逆にした形状(逆台形)になっている。すなわち隔壁190の上面の幅は、隔壁190の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁190を第2電極140より前に形成しておくことで、蒸着法やスパッタリング法を用いて、複数の第2電極140を一括で形成することができる。   The partition wall 190 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 190 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 190. For this reason, by forming the partition wall 190 before the second electrode 140, the plurality of second electrodes 140 can be collectively formed by using an evaporation method or a sputtering method.

そして、図10及び図12に示すように、第1電極120の縁には、金属配線124が形成されている。本実施形態において、金属配線124は、第1部分124a及び第2部分124bを有している。   As shown in FIGS. 10 and 12, metal wiring 124 is formed on the edge of the first electrode 120. In the present embodiment, the metal wiring 124 has a first portion 124a and a second portion 124b.

第1部分124aは、第1電極120の上面の端部及び側面に接しており、塗布材料を用いて形成されている。第1部分124aは金属粒子が焼結により互いに繋がった構造を有しており、表面に凹凸を有している。そして、第1の実施形態における非重複領域は、第1部分124aの少なくとも一部、例えば第1部分124aのうち第1電極120の上面の縁に接する部分である。   The first portion 124a is in contact with the end portion and the side surface of the upper surface of the first electrode 120, and is formed using a coating material. The first portion 124a has a structure in which metal particles are connected to each other by sintering, and has an uneven surface. The non-overlapping region in the first embodiment is at least a part of the first portion 124a, for example, a portion of the first portion 124a that contacts the edge of the upper surface of the first electrode 120.

第2部分124bは、第1部分124aを介して第1電極120に接続している。言い換えると、第2部分124bと第1電極120の間に第1部分124aが形成されている。第2部分124bはスパッタリング法や蒸着法などの成膜法によって形成されており、第1部分124aと比較して平坦である。第2部分124bは、第1部分124aとは異なる材料、例えばAlやCrなどの金属によって形成されている。   The second portion 124b is connected to the first electrode 120 through the first portion 124a. In other words, the first portion 124 a is formed between the second portion 124 b and the first electrode 120. The second portion 124b is formed by a film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method, and is flatter than the first portion 124a. The second portion 124b is formed of a material different from that of the first portion 124a, for example, a metal such as Al or Cr.

第2部分124bは、第1電極120を形成した後、第1部分124aを形成する前に形成される。具体的には、基板110上及び第1電極120上に、スパッタリング法などを用いて導電膜を形成し、この導電膜をパターニングすることにより、第2部分124bは形成される。このため、第2部分124bの側面の上部と基板110とがなす角度は、第1部分124aと比較して、直角に近くなる。   The second portion 124b is formed after forming the first electrode 120 and before forming the first portion 124a. Specifically, the second portion 124b is formed by forming a conductive film on the substrate 110 and the first electrode 120 by sputtering or the like and patterning the conductive film. For this reason, the angle formed by the upper portion of the side surface of the second portion 124b and the substrate 110 is close to a right angle as compared with the first portion 124a.

そして、第1電極120と第2部分124bの間に、第1部分124aとなる塗布材料が塗布される。このため、第1部分124aとなる塗布材料が基板110上を濡れ広がって第1部分124aの幅が広くなることを抑制できる。なお、第1部分124aの幅が広くなった場合、隣り合う第1電極120が第1部分124aを介して短絡する可能性が出てくる。   Then, a coating material that becomes the first portion 124a is applied between the first electrode 120 and the second portion 124b. For this reason, it can suppress that the coating material used as the 1st part 124a spreads on the board | substrate 110, and the width | variety of the 1st part 124a becomes wide. In addition, when the width | variety of the 1st part 124a becomes wide, the possibility that the adjacent 1st electrode 120 will short-circuit via the 1st part 124a will come out.

また、金属配線124のうち隣の発光素子102に面している部分は、第2部分124bによって形成されている。第2部分124bの表面は第1部分124aの表面と比較してなめらかである。従って、隣の発光素子102から漏れてきた光が第2部分124bによって反射されても、この反射時に乱反射は起こりにくい。このため、この反射光が第1電極120と基板110の界面の臨界角以上でこの界面に入射する可能性は低い。従って、金属配線124の全体を第1部分124aのみで形成する場合と比較して、発光装置100によって表示される画像は鮮明になる。   Further, the portion of the metal wiring 124 facing the adjacent light emitting element 102 is formed by the second portion 124b. The surface of the second portion 124b is smoother than the surface of the first portion 124a. Therefore, even if light leaking from the adjacent light emitting element 102 is reflected by the second portion 124b, irregular reflection is unlikely to occur during this reflection. For this reason, it is unlikely that the reflected light is incident on this interface at a critical angle or more at the interface between the first electrode 120 and the substrate 110. Accordingly, the image displayed by the light emitting device 100 is clearer than the case where the entire metal wiring 124 is formed by only the first portion 124a.

なお、図10及び図12に示す例において、金属配線124は第1電極120の一辺に沿ってのみ設けられていたが、第1電極120のうち第1電極120が延在している方向と平行な2つの辺それぞれに、金属配線124が設けられていてもよい。   In the example shown in FIGS. 10 and 12, the metal wiring 124 is provided only along one side of the first electrode 120, but the direction in which the first electrode 120 extends in the first electrode 120. Metal wiring 124 may be provided on each of two parallel sides.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

Claims (6)

透光性の基板と、
前記基板に形成された複数の発光素子と
金属配線と、
を備え、
前記発光素子は、
透光性の第1電極と、
前記第1電極の上に形成された有機層と、
前記有機層の上に形成された第2電極と
備え
前記金属配線は、第1の前記発光素子の前記第1電極に接しており
記金属配線の少なくとも一部は、前記有機層と前記第1電極とが重なった領域である積層領域とは重なっていない非重複領域となっており、
前記積層領域及び前記非重複領域から、光が取り出され、
前記金属配線は、
前記金属粒子を用いて形成されている第1部分と、
表面が前記第1部分の表面よりも平坦であり、前記第1の発光素子の隣の第2の前記発光素子と前記第1部分の間に位置する第2部分と、
を備え、
前記非重複領域は前記第1部分の少なくとも一部である発光装置。
A translucent substrate;
A plurality of light emitting elements formed on the substrate;
Metal wiring,
With
The light emitting element is
A translucent first electrode;
An organic layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the organic layer ;
Equipped with a,
The metal wiring is in contact with the first electrode of the first light emitting element ;
At least part of the previous SL metal wires is adapted to the non-overlapping region not overlapping the organic layer and the first electrode and the overlapping area is a stack region,
Light is extracted from the stacked region and the non-overlapping region,
The metal wiring is
A first portion formed using the metal particles;
Surface Ri flat der than the surface of the first portion, a second portion you positioned between the second light emitting element and the first part of the next to the first light emitting element,
With
The light emitting device, wherein the non-overlapping region is at least a part of the first portion.
請求項1に記載の発光装置において、
前記金属配線の前記非重複領域は、前記第1電極の上面の縁部に接している発光装置。
The light-emitting device according to claim 1.
The light emitting device, wherein the non-overlapping region of the metal wiring is in contact with an edge of the upper surface of the first electrode.
請求項1又は2に記載の発光装置において、
前記金属配線は金属粒子を含む発光装置。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The metal wiring includes a light emitting device including metal particles.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記金属配線の一部は前記基板に接している発光装置。
In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
A light emitting device in which a part of the metal wiring is in contact with the substrate.
請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第1部分と前記第2部分は互いに異なる材料で形成されている発光装置。
In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
The light emitting device, wherein the first part and the second part are formed of different materials.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第1部分は、前記第2部分と、前記第1電極の側面との間に位置している発光装置。
In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-5,
The first portion is a light emitting device located between the second portion and a side surface of the first electrode.
JP2016522991A 2014-05-26 2014-05-26 Light emitting device Active JP6463354B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/063821 WO2015181869A1 (en) 2014-05-26 2014-05-26 Light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018246718A Division JP2019050433A (en) 2018-12-28 2018-12-28 Light-emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015181869A1 JPWO2015181869A1 (en) 2017-04-20
JP6463354B2 true JP6463354B2 (en) 2019-01-30

Family

ID=54698255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016522991A Active JP6463354B2 (en) 2014-05-26 2014-05-26 Light emitting device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6463354B2 (en)
WO (1) WO2015181869A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6595090B2 (en) * 2016-03-04 2019-10-23 パイオニア株式会社 Light emitting device and light emitting system
JP2020064851A (en) * 2019-09-25 2020-04-23 パイオニア株式会社 Light emitting device
WO2021079417A1 (en) * 2019-10-21 2021-04-29 シャープ株式会社 Light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11339970A (en) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp Organic electroluminescent display device
JP4693262B2 (en) * 2000-03-27 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Passive matrix light emitting device
JP4077756B2 (en) * 2003-04-11 2008-04-23 ローム株式会社 Method for manufacturing flat display panel
JP2010198935A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Dowa Electronics Materials Co Ltd Forming method of organic electroluminescent electrode, and organic electroluminescent structure obtained using the forming method
JP2013054837A (en) * 2011-09-01 2013-03-21 Toshiba Corp Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2013101893A (en) * 2011-11-10 2013-05-23 Konica Minolta Holdings Inc Organic el element

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015181869A1 (en) 2017-04-20
WO2015181869A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6495253B2 (en) Light emitting device
KR102453921B1 (en) Organic light emitting display and manufacturing method thereof
JP6463354B2 (en) Light emitting device
US9082736B2 (en) Organic EL panel and method of manufacturing the same
JP2015153583A (en) Light emitting device
JP2015220089A (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP2015220091A (en) Light-emitting device
JP6213940B2 (en) ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT
JP2019050433A (en) Light-emitting device
JP6266599B2 (en) Optical device
JP6230627B2 (en) Light emitting device
WO2017119068A1 (en) Light emitting device
JP6294071B2 (en) Light emitting device
JP2016192342A (en) Light-emitting device
JP2015220090A (en) Light-emitting device
JP2018156722A (en) Organic EL panel
JP2015162444A (en) light-emitting device
JP6302683B2 (en) Light emitting device
JP6441595B2 (en) Light emitting device
JP2015230883A (en) Light-emitting device
JP6371532B2 (en) Light emitting device
JP2015220088A (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP2015141841A (en) light-emitting device
JP2020035755A (en) Light-emitting device
JP2017162765A (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161101

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6463354

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150