以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
また、本発明の実施形態は、以下の第３の形態である。以下の第１、第２、第４、第５の形態は、参考形態として記載される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
Moreover, embodiment of this invention is the following 3rd forms. The following first, second, fourth, and fifth modes are described as reference modes.
（第１の形態）
図１は、第１の形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。また、図４および図５は、図１に示す発光装置１０の一部を示す図である。図４では、とくに第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０との位置関係が示されている。また、図５では、絶縁層１２０の構成が示されている。図６および７は、本形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の一例を示す図である。
(First form)
FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device 10 according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view showing the AA cross section of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing the BB cross section of FIG. 4 and 5 are views showing a part of the light emitting device 10 shown in FIG. In FIG. 4, the positional relationship between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 is particularly shown. FIG. 5 shows the configuration of the insulating layer 120. 6 and 7 are diagrams illustrating an example of a bonding structure 200 including the first conductive film 110 and the second conductive film 130 in this embodiment.
第１の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有する中間領域２０２が存在する。
The bonding structure 200 according to the first embodiment is formed by bonding a first conductive film 110 made of a conductive material and a second conductive film 130 made of a first metal material. The second conductive film 130 has a lower electrical resistance value than the first conductive film 110. Between the first conductive film 110 and the second conductive film 130, there is an intermediate region 202 having a higher electrical resistance value than that of the second conductive film 130.
また、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。
発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成される。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成される。
In addition, the light emitting device 10 according to this embodiment has a joint structure 200.
The light emitting device 10 includes an organic EL element 20, a first wiring 114, and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. The first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 and is configured by the first conductive film 110. The lead wiring 134 is joined to the first wiring 114 and is configured by the second conductive film 130.
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例、発光装置１０の構成の一例、および発光装置１０の製造方法の一例につき、詳細に説明する。
Hereinafter, an example of the configuration of the bonding structure 200 according to the present embodiment, an example of the configuration of the light emitting device 10, and an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described in detail.
まず、本形態に係る接合構造２００の構成の一例について説明する。
接合構造２００は、第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる接合構造である。なお、本明細書において、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が接合するとは、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に他の構成が介在する場合を含む。
本形態において、接合構造２００は、たとえば基板１００上に形成される。この場合、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、基板１００上に形成されることとなる。
First, an example of the configuration of the bonding structure 200 according to this embodiment will be described.
The bonding structure 200 is a bonding structure in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other. Note that in this specification, the bonding between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 includes a case where another structure is interposed between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
In this embodiment, the bonding structure 200 is formed on the substrate 100, for example. In this case, the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are formed on the substrate 100.
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線と電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、引出配線および第１配線を介して、有機ＥＬ素子を構成する電極に外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
本形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
The junction structure 200 constitutes a light emitting device including, for example, an organic EL element. The light emitting device includes, for example, an organic EL element, a first wiring that is electrically connected to an electrode that constitutes the organic EL element, and a lead wiring that is electrically connected to the first wiring. At this time, an electrical signal for controlling light emission / non-light emission from the outside is supplied to the electrodes constituting the organic EL element via the lead wiring and the first wiring.
In this embodiment, the first conductive film 110 in the bonding structure 200 constitutes a first wiring connected to, for example, an electrode constituting the organic EL element. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the first wiring and the lead-out wiring.
第１導電膜１１０は、実質的に導電材料を含んで構成される。第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。この中でも、透明導電材料がとくに好ましい。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０は、透明性を有する導電膜となる。
本形態において、第１導電膜１１０は、たとえば基板１００平面に平行な一方向に延在する形状を有する。
The first conductive film 110 is configured to substantially include a conductive material. Examples of the conductive material constituting the first conductive film 110 include a transparent conductive material or a paste-like conductive material such as silver. Among these, a transparent conductive material is particularly preferable. In the case where the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material, the first conductive film 110 is a conductive film having transparency.
In this embodiment, the first conductive film 110 has a shape extending in one direction parallel to the plane of the substrate 100, for example.
透明導電材料は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
透明導電材料が導電性高分子を含む場合、第１導電膜１１０は塗布法を用いて形成することができる。この場合、第１導電膜１１０を形成する工程において、基板１００等の他の構成へ熱負荷がかかってしまうことを抑制することが可能となる。
また、透明導電材料として無機材料を含む場合には、第１導電膜１１０は、この無機材料を有機溶剤中に分散させた溶液を塗布することにより形成される塗布型導電膜であることが好ましい。このような場合においても、第１導電膜１１０を、塗布法を用いて形成することができる。
The transparent conductive material includes, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a conductive polymer.
When the transparent conductive material includes a conductive polymer, the first conductive film 110 can be formed using a coating method. In this case, in the step of forming the first conductive film 110, it is possible to suppress a thermal load from being applied to other components such as the substrate 100.
When an inorganic material is included as the transparent conductive material, the first conductive film 110 is preferably a coating-type conductive film formed by applying a solution in which this inorganic material is dispersed in an organic solvent. . Even in such a case, the first conductive film 110 can be formed by a coating method.
本形態において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料に含まれる導電性高分子は、たとえばπ共役系導電性高分子とポリアニオンを含んでなる導電性高分子である。この場合、とくに導電性や耐熱性、フレキシブル性に優れた第１導電膜１１０を形成することが可能となる。
π共役系導電性高分子としては、特に限定されないが、たとえばポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、またはポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを用いることができる。導電性、透明性、安定性等の観点からは、ポリチオフェン類またはポリアニリン類であることが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることがとくに好ましい。
ポリアニオンとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、またはポリアクリル酸を用いることができる。本形態において用いられるポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
In this embodiment, the conductive polymer contained in the transparent conductive material constituting the first conductive film 110 is a conductive polymer including, for example, a π-conjugated conductive polymer and a polyanion. In this case, it is possible to form the first conductive film 110 that is particularly excellent in conductivity, heat resistance, and flexibility.
The π-conjugated conductive polymer is not particularly limited. A chain conductive polymer of phenylenes, polyparaphenylene sulfides, polyisothianaphthenes, or polythiazyl compounds can be used. From the viewpoint of conductivity, transparency, stability, etc., polythiophenes or polyanilines are preferable, and polyethylene dioxythiophene is particularly preferable.
Polyanions include polyvinyl sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polyacrylic acid ethyl sulfonic acid, polyacrylic acid butyl sulfonic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, polyisoprene sulfonic acid, polyvinyl Carboxylic acid, polystyrene carboxylic acid, polyallyl carboxylic acid, polyacryl carboxylic acid, polymethacryl carboxylic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane carboxylic acid, polyisoprene carboxylic acid, or polyacrylic acid can be used. The polyanion used in this embodiment may be a homopolymer of these or two or more types of copolymers.
第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、架橋剤、レベリング剤、または消泡剤等をさらに含んでいてもよい。
When a conductive polymer is included as the transparent conductive material constituting the first conductive film 110, the transparent conductive material may further include a crosslinking agent, a leveling agent, an antifoaming agent, or the like.
本形態において、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。第２導電膜１３０および第１導電膜１１０の電気抵抗値は、たとえば材料や膜厚、配線幅等をそれぞれ調整することにより制御することが可能である。
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０に含まれる第１金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料よりも電気抵抗率が低い金属材料が使用される。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０は、互いに異なる材料により構成されることとなる。
第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子が焼結されてなる焼結体である。
In this embodiment, the second conductive film 130 has a lower electrical resistance value than the first conductive film 110. The electrical resistance values of the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be controlled, for example, by adjusting the material, film thickness, wiring width, and the like.
The second conductive film 130 includes a first metal material. Here, as the first metal material included in the second conductive film 130, for example, a metal material having a lower electrical resistivity than the conductive material constituting the first conductive film 110 is used. In this case, the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are made of different materials.
The 1st metal material which comprises the 2nd electrically conductive film 130 is 1 type or 2 types selected from the group which consists of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, for example Consists of the above. The second conductive film 130 is a sintered body formed by sintering metal particles, for example.
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有する中間領域２０２が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２０２を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２０２を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２０２は、たとえばＳＥＭ等を用いて観察可能である。
Between the first conductive film 110 and the second conductive film 130, an intermediate region 202 having a higher electrical resistance value than the second conductive film 130 exists. In this case, the second conductive film 130 has a portion bonded to the first conductive film 110 through the intermediate region 202. The second conductive film 130 preferably does not have a portion that is joined to the first conductive film 110 without passing through the intermediate region 202, that is, a portion that is in direct contact with the first conductive film 110. Note that the second conductive film 130 may have a portion in direct contact with the first conductive film 110.
The intermediate region 202 can be observed using, for example, an SEM.
中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。中間領域２０２の電気抵抗値は、たとえば構成材料の電気抵抗率、および膜厚等をそれぞれ調整することにより制御することが可能である。中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば材料の組成や、形成方法等をそれぞれ適切に調整することにより制御できる。本形態において、中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料の電気抵抗率よりも高い。
本形態において、中間領域２０２は、たとえば導電材料または絶縁材料により構成される。中間領域２０２が酸化物等の絶縁材料を含む場合においても、膜厚等を調整することにより中間領域２０２の電気抵抗値を調整することが可能である。
The intermediate region 202 has a higher electrical resistance value than the second conductive film 130. The electrical resistance value of the intermediate region 202 can be controlled, for example, by adjusting the electrical resistivity and the film thickness of the constituent materials, for example. The electrical resistivity of the material constituting the intermediate region 202 can be controlled, for example, by appropriately adjusting the material composition, the formation method, and the like. In this embodiment, the electrical resistivity of the material constituting the intermediate region 202 is higher than the electrical resistivity of the first metal material constituting the second conductive film 130, for example.
In this embodiment, the intermediate region 202 is made of, for example, a conductive material or an insulating material. Even when the intermediate region 202 includes an insulating material such as an oxide, the electric resistance value of the intermediate region 202 can be adjusted by adjusting the film thickness or the like.
本形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、中間領域２０２が存在している。また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２により緩和することが可能となる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差異に起因した接合部分における局所的な電流集中を緩和することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。
According to this embodiment, the intermediate region 202 exists between the first conductive film 110 and the second conductive film 130. Further, the intermediate region 202 has a higher electrical resistance value than the second conductive film 130. In this case, a difference in electrical resistance value between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be reduced by the intermediate region 202. For this reason, local current concentration at the junction due to the difference in electrical resistance between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be reduced. Therefore, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
中間領域２０２は、たとえば第１導電膜１１０よりも低い電気抵抗値を有している。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２によってより効果的に緩和することが可能となる。したがって、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部分における局所的な電流集中を、より効果的に緩和することが可能となる。本形態において、中間領域２０２を構成する材料の電気抵抗率は、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料の電気抵抗率よりも低い。
The intermediate region 202 has an electrical resistance value lower than that of the first conductive film 110, for example. As a result, the difference in electrical resistance value between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be more effectively reduced by the intermediate region 202. Therefore, local current concentration at the junction between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be more effectively mitigated. In this embodiment, the electrical resistivity of the material constituting the intermediate region 202 is lower than the electrical resistivity of the transparent conductive material constituting the first conductive film 110, for example.
中間領域２０２は、たとえば金属粒子が分散した透明導電材料により構成される。この場合、中間領域２０２は、たとえば金属粒子が分散した透明導電材料含有塗布液を第２導電膜１３０上へ塗布し、これを乾燥することにより形成される。これにより、中間領域２０２の電気抵抗値を第２導電膜１３０よりも高くしつつ、中間領域２０２と第１導電膜１１０との密着性を良好なものとすることができる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性をさらに向上させることができる。
透明導電材料としては、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。また、金属粒子としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄからなるものを用いることができる。本形態においては、中間領域２０２中に、これらのいずれかの材料からなる１種または２種以上の金属粒子を分散させることができる。
The intermediate region 202 is made of a transparent conductive material in which metal particles are dispersed, for example. In this case, the intermediate region 202 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating liquid in which metal particles are dispersed onto the second conductive film 130 and drying it. Thereby, it is possible to improve the adhesion between the intermediate region 202 and the first conductive film 110 while making the electric resistance value of the intermediate region 202 higher than that of the second conductive film 130. For this reason, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be further improved.
As the transparent conductive material, the same material as the transparent conductive material constituting the first conductive film 110 can be used. Moreover, as a metal particle, what consists of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, or Pd can be used, for example. In the present embodiment, one type or two or more types of metal particles made of any of these materials can be dispersed in the intermediate region 202.
また、中間領域２０２は、たとえば金属粒子を焼結する焼結法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される第２金属材料、または第２金属材料の酸化物により構成される。これにより、中間領域２０２の電気抵抗値を第２導電膜１３０よりも高くしつつ、中間領域２０２と第２導電膜１３０との密着性を良好なものとすることができる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性をさらに向上させることができる。なお、第２金属材料は、第１金属材料と同一の材料であってもよい。
Further, the intermediate region 202 may be formed by using, for example, a sintering method, a sputtering method, or a vapor deposition method for sintering metal particles. In this case, the intermediate region 202 is composed of one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, for example. It is comprised by the 2nd metal material or the oxide of a 2nd metal material. Thereby, the adhesiveness between the intermediate region 202 and the second conductive film 130 can be improved while the electric resistance value of the intermediate region 202 is made higher than that of the second conductive film 130. For this reason, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be further improved. The second metal material may be the same material as the first metal material.
中間領域２０２を焼結法により形成する場合、中間領域２０２は、たとえば金属粒子と、バインダ樹脂となる樹脂材料と、を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し、焼結を行うことにより形成される。この場合、中間領域２０２は、たとえば樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含む。なお、これらのバインダ樹脂材料や金属材料等をそれぞれ適切に選択することにより中間領域２０２の電気抵抗率を調整できる。このため、中間領域２０２の電気抵抗率を精度よく制御することが可能となる。
ここでは、バインダ樹脂となる樹脂材料として、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。また、塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。なお、中間領域２０２に含まれる一部の金属粒子は、たとえば互いに融着していてもよい。
When the intermediate region 202 is formed by a sintering method, the intermediate region 202 is applied to a coating film obtained by applying a coating liquid containing, for example, metal particles and a resin material that becomes a binder resin, and drying the coating liquid. It is formed by sintering. In this case, the intermediate region 202 includes metal particles bound to each other through, for example, a resin material. Note that the electrical resistivity of the intermediate region 202 can be adjusted by appropriately selecting these binder resin materials, metal materials, and the like. For this reason, it becomes possible to control the electrical resistivity of the intermediate region 202 with high accuracy.
Here, for example, an epoxy resin can be used as the resin material to be the binder resin. In addition, the coating liquid contains, for example, one or more metal materials selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. Metal particles are included. Note that some of the metal particles included in the intermediate region 202 may be fused together, for example.
また、中間領域２０２を焼結法により形成する場合、中間領域２０２は、バインダ樹脂を含まずに金属粒子を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し焼結を行うことにより形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえば互いに融着した金属粒子を含む。このとき、金属粒子を構成する金属材料等をそれぞれ適切に選択することにより中間領域２０２の電気抵抗率を調整できる。
塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。
In addition, when the intermediate region 202 is formed by a sintering method, the intermediate region 202 is applied to a coating solution containing metal particles without containing a binder resin, and the resulting coating film is dried and then sintered. It may be formed by performing. In this case, the intermediate region 202 includes metal particles fused to each other, for example. At this time, the electrical resistivity of the intermediate region 202 can be adjusted by appropriately selecting a metal material or the like constituting the metal particles.
In the coating solution, for example, a metal composed of one or more metal materials selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. Contains particles.
中間領域２０２を焼結法により形成する場合、塗布液中には、たとえば無機充填剤が含有されていてもよい。この場合、中間領域２０２は、無機充填剤を含有することとなる。無機充填剤は、たとえばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、または粉末ガラスから選択される。粉末ガラスとしては、たとえばＢ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系のガラス材料を用いることができる。中間領域２０２に無機充填剤を含有させることにより、中間領域２０２における電気抵抗率の調整が容易となる。
When the intermediate region 202 is formed by a sintering method, the coating liquid may contain, for example, an inorganic filler. In this case, the intermediate region 202 contains an inorganic filler. The inorganic filler is selected from, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO, or powdered glass. As the powder glass, for example, a B—Zn—Si—O-based glass material can be used. By including the inorganic filler in the intermediate region 202, the electrical resistivity in the intermediate region 202 can be easily adjusted.
中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２０２の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２０２の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２０２の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２０２の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
The intermediate region 202 is formed so as to cover at least a part of the second conductive film 130, for example. The first conductive film 110 is formed on the substrate 100 so as to cover at least part of the portion of the second conductive film 130 covered by the intermediate region 202. For this reason, at least a part of the intermediate region 202 is disposed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110, and these are electrically connected.
The intermediate region 202 is provided in a layered manner on the second conductive film 130, for example. In this case, the film thickness of the intermediate region 202 formed on the second conductive film 130 is, for example, 1 nm or more and 10 μm or less. Thereby, it is possible to sufficiently improve the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 while suppressing an increase in cost due to the formation of the intermediate region 202. In addition, the shape of the intermediate | middle area | region 202 is not limited to this, For example, you may provide in island shape.
図６に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２０２が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２０２を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２０２が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２０２により覆われていてもよい。
In the example illustrated in FIG. 6, a layered intermediate region 202 is formed in a part of the upper surface and a part of the side surface of the second conductive film 130. The first conductive film 110 is bonded to the second conductive film 130 through the intermediate region 202. Note that the intermediate region 202 may be formed in the entire area of the second conductive film 130 other than the lower surface. Further, the entire surface of the second conductive film 130 may be covered with the intermediate region 202.
また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０の側面に接触するよう基板１００上に設けられていてもよい。このとき、中間領域２０２は、たとえば配線状に形成される。この場合においても、中間領域２０２の少なくとも一部に接触するよう、第１導電膜１１０が形成される。このため、中間領域２０２は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
図７に示す例では、中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０の側面に接触するよう、配線状に設けられる。このとき、第１導電膜１１０は、たとえば平面視で第２導電膜１３０と重なる部分を有しない。
Further, the intermediate region 202 may be provided on the substrate 100 so as to be in contact with the side surface of the second conductive film 130. At this time, the intermediate region 202 is formed in a wiring shape, for example. Even in this case, the first conductive film 110 is formed so as to be in contact with at least a part of the intermediate region 202. For this reason, the intermediate region 202 is disposed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 and electrically connects them.
In the example illustrated in FIG. 7, the intermediate region 202 is provided in a wiring shape so as to be in contact with the side surface of the second conductive film 130, for example. At this time, the first conductive film 110 does not have a portion overlapping the second conductive film 130 in plan view, for example.
本形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。当該工程において使用される塗布法としては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、またはディスペンサー塗布法が挙げられる。
塗布法により引出配線１３４を形成する際に用いられる塗布液は、たとえばバインダ樹脂および有機溶剤を含む。バインダ樹脂としては、たとえばセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、またはアクリル系樹脂を用いることができる。有機溶剤としては、たとえば炭化水素系溶剤、またはアルコール系溶剤を用いることができる。また、塗布液中に含有される金属粒子は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄである。当該塗布液中には、これらの金属粒子のうち１種または２種以上が含まれる。
In the present embodiment, for example, a bonded structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed as follows.
First, the second conductive film 130 is formed over the substrate 100. The second conductive film 130 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. Although it does not specifically limit as a coating method used in the said process, For example, the inkjet method, the screen printing method, the spray coating method, or the dispenser coating method is mentioned.
The coating liquid used when forming the lead wiring 134 by a coating method includes, for example, a binder resin and an organic solvent. As the binder resin, for example, a cellulose resin, an epoxy resin, or an acrylic resin can be used. As the organic solvent, for example, a hydrocarbon solvent or an alcohol solvent can be used. The metal particles contained in the coating solution are, for example, Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. The coating liquid contains one or more of these metal particles.
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２０２を形成する。中間領域２０２は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。中間領域２０２は、たとえば金属粒子および透明導電材料を含有する塗布液を第２導電膜１３０上へ塗布し、これを乾燥することにより形成される。透明導電材料としては、上述したものを使用できる。また、金属粒子としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄからなるものを用いることができる。この場合、塗布液中には、これらの金属粒子のうち１種または２種以上が含まれる。
中間領域２０２が図７に示す構成を有する場合には、たとえばインクジェット法等を用いて金属粒子および透明導電材料を含有する塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより、中間領域２０２を形成することができる。
Next, the intermediate region 202 is formed on the second conductive film 130. The intermediate region 202 is formed so as to cover a part of the second conductive film 130, for example. The intermediate region 202 is formed, for example, by applying a coating liquid containing metal particles and a transparent conductive material onto the second conductive film 130 and drying it. As the transparent conductive material, those described above can be used. Moreover, as a metal particle, what consists of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, or Pd can be used, for example. In this case, the coating solution contains one or more of these metal particles.
When the intermediate region 202 has the configuration shown in FIG. 7, for example, by applying a coating liquid containing metal particles and a transparent conductive material on the substrate 100 using an inkjet method or the like, and drying this, the intermediate region 202 202 can be formed.
また、中間領域２０２は、焼結法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成されてもよい。この場合、中間領域２０２は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される一種以上を含む金属材料、または当該金属材料の酸化物を含む。
焼結法を用いて形成する場合には、たとえば金属粒子を含む塗布液を塗布し、これを乾燥して得られた塗布膜に対し、焼結を行うことにより形成される。なお、塗布液中には、バインダ樹脂となる樹脂材料や無機充填剤が含まれていてもよい。塗布液中には、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄからなる群から選択される一種以上の金属材料からなる金属粒子が含まれる。バインダ樹脂となる樹脂材料として、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。また、無機充填剤は、たとえばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、または粉末ガラスから選択される。
Further, the intermediate region 202 may be formed using a sintering method, a sputtering method, or an evaporation method. In this case, the intermediate region 202 is, for example, a metal material containing one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, or the metal Contains the oxide of the material.
In the case of forming using a sintering method, for example, it is formed by applying a coating solution containing metal particles and sintering the coating film obtained by drying the coating solution. Note that the coating liquid may contain a resin material that becomes a binder resin or an inorganic filler. The coating liquid contains, for example, metal particles made of one or more metal materials selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. . For example, an epoxy resin can be used as the resin material that becomes the binder resin. The inorganic filler is selected from, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO, or powder glass.
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、第２導電膜１３０のうち中間領域２０２により覆われていない部分に第１導電膜１１０が接触しないよう、第１導電膜１１０が形成されることが好ましい。
基板１００上に形成される第１導電膜１１０の膜厚は、特に限定されないが、たとえば１０ｎｍ以上１０μｍ以下である。なお、第１導電膜１１０の膜厚は、抵抗値、透過率、およびコスト等を考慮して適宜選択することが可能である。また、当該工程においては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ダイコート、スピンコート、またはスプレーを用いて透明導電材料含有塗布液が基板１００上に塗布される。第１導電膜１１０を形成する当該工程において用いられる透明導電材料含有塗布液は、たとえば上述した透明導電材料に加え、有機溶剤や水等を含む。有機溶剤としては、たとえばアルコール系溶剤を用いることができる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
Next, a first conductive film 110 is formed over the substrate 100. The first conductive film 110 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it. For example, the first conductive film 110 is formed so as to cover at least a part of the portion of the second conductive film 130 covered by the intermediate region 202. At this time, it is preferable that the first conductive film 110 is formed so that the first conductive film 110 does not contact a portion of the second conductive film 130 that is not covered with the intermediate region 202.
Although the film thickness of the 1st electrically conductive film 110 formed on the board | substrate 100 is not specifically limited, For example, they are 10 nm or more and 10 micrometers or less. Note that the thickness of the first conductive film 110 can be appropriately selected in consideration of the resistance value, the transmittance, the cost, and the like. Further, although not particularly limited in this step, for example, the transparent conductive material-containing coating liquid is applied onto the substrate 100 using an inkjet method, a screen printing method, a relief printing method, a gravure printing method, a die coat, a spin coat, or a spray. Is done. The transparent conductive material-containing coating solution used in the step of forming the first conductive film 110 includes, for example, an organic solvent and water in addition to the above-described transparent conductive material. As the organic solvent, for example, an alcohol solvent can be used. The first conductive film 110 may be formed by applying a paste-like conductive material such as silver on the substrate 100 and drying it.
In the present embodiment, for example, in this way, the bonding structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed.
次に、発光装置１０の構成の一例について説明する。
図１においては、発光装置１０がディスプレイである場合が例示される。
なお、発光装置１０は、照明装置であってもよい。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は、たとえば互いに発光色が異なるライン状の有機層１４０を複数繰り返し並べた構成を有する。これにより、演色性に優れた照明装置が実現される。また、照明装置である発光装置１０は、面状の有機層１４０を有していてもよい。
Next, an example of the configuration of the light emitting device 10 will be described.
In FIG. 1, the case where the light-emitting device 10 is a display is illustrated.
The light emitting device 10 may be a lighting device. When the light-emitting device 10 is an illumination device, the light-emitting device 10 has a configuration in which, for example, a plurality of linear organic layers 140 having different emission colors are arranged repeatedly. Thereby, the illuminating device excellent in color rendering properties is realized. In addition, the light-emitting device 10 that is a lighting device may have a planar organic layer 140.
基板１００は、たとえば透明基板である。本形態において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた発光装置１０を安価に製造することが可能となる。
The substrate 100 is a transparent substrate, for example. In this embodiment, the substrate 100 can be a glass substrate. Thereby, the light emitting device 10 having excellent heat resistance and the like can be manufactured at low cost.
基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリカーボネートが挙げられる。
The substrate 100 may be a film-like substrate made of a resin material. In this case, a display with particularly high flexibility can be realized. Examples of the resin material constituting the film substrate include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polycarbonate.
ディスプレイである発光装置１０は、たとえばアレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０を基板１００上に有する。有機ＥＬ素子２０は、基板１００上に設けられた第１電極１１２と、第１電極１１２上に設けられた有機層１４０と、有機層１４０上に設けられた第２電極１５２と、を有している。このとき、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２により狭持されることとなる。
The light-emitting device 10 that is a display has a plurality of organic EL elements 20 arranged in an array on a substrate 100, for example. The organic EL element 20 includes a first electrode 112 provided on the substrate 100, an organic layer 140 provided on the first electrode 112, and a second electrode 152 provided on the organic layer 140. ing. At this time, the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 112 and the second electrode 152.
本形態では、たとえば図中Ｙ方向に延びる複数の第１電極１１２と、図中Ｘ方向に延びる複数の第２電極１５２と、が基板１００上に設けられる。そして、第１電極１１２と第２電極１５２が平面視で互いに重なる各部分において、有機ＥＬ素子２０が形成される。これにより、基板１００上には、アレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０が形成されることとなる。
In this embodiment, for example, a plurality of first electrodes 112 extending in the Y direction in the drawing and a plurality of second electrodes 152 extending in the X direction in the drawing are provided on the substrate 100. The organic EL element 20 is formed in each portion where the first electrode 112 and the second electrode 152 overlap each other in plan view. As a result, a plurality of organic EL elements 20 arranged in an array are formed on the substrate 100.
第１電極１１２は、たとえば有機ＥＬ素子の陽極となる。この場合、第１電極１１２は、たとえば後述する有機層１４０のうちの発光層１４４から発光される光の波長に対して透明または半透明である透明電極となる。また、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、かつ画素領域３００内において、図中Ｙ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第１電極１１２が、第１電極１１２の延在方向と垂直な方向（図中Ｘ方向）に配列される。このとき、複数の第１電極１１２は、たとえば互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図４に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
The 1st electrode 112 becomes an anode of an organic EL element, for example. In this case, the first electrode 112 is, for example, a transparent electrode that is transparent or translucent to the wavelength of light emitted from the light emitting layer 144 of the organic layer 140 described later. Further, the first electrode 112 is provided, for example, on the substrate 100 and in the pixel region 300 so as to extend linearly in the Y direction in the drawing. On the substrate 100, for example, a plurality of first electrodes 112 that are separated from each other are arranged in a direction (X direction in the drawing) perpendicular to the extending direction of the first electrodes 112. At this time, the plurality of first electrodes 112 are separated from each other, for example. The pixel region 300 is a region including a plurality of organic EL elements 20. In the example illustrated in FIG. 4, a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
本形態において、第１電極１１２は、たとえば透明導電材料により構成される。第１電極１１２を構成する透明導電材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。
In the present embodiment, the first electrode 112 is made of, for example, a transparent conductive material. As the transparent conductive material constituting the first electrode 112, for example, the same transparent conductive material as that constituting the first conductive film 110 can be used. For this reason, the 1st electrode 112 can have transparency.
基板１００上には、たとえば第１配線１１４が設けられている。本形態では、第１配線１１４が、第１電極１１２と電気的に接続する場合が例示される。このとき、基板１００上には、それぞれ異なる第１電極１１２へ接続する複数の第１配線１１４が設けられる。このため、本形態における複数の第１電極１１２は、それぞれ第１配線１１４を介して引出配線１３４へ接続されることとなる。
On the substrate 100, for example, a first wiring 114 is provided. In this embodiment, the case where the first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 is exemplified. At this time, a plurality of first wirings 114 connected to different first electrodes 112 are provided on the substrate 100. For this reason, the plurality of first electrodes 112 in this embodiment are each connected to the lead-out wiring 134 via the first wiring 114.
本形態において、第１配線１１４は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４は透明性を有することができる。
In the present embodiment, the first wiring 114 is constituted by the first conductive film 110 made of a conductive material. In the case where the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material, the first wiring 114 formed of the first conductive film 110 can have transparency.
本形態において、第１電極１１２および第１配線１１４は、たとえば基板１００上に一体として設けられる。この場合、第１配線１１４および第１電極１１２は、たとえば第１導電膜１１０により構成されることとなる。このとき、第１導電膜１１０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第１電極１１２となる。また、第１導電膜１１０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第１配線１１４となる。第１電極１１２は、第１配線１１４を介して引出配線１３４に接続する。
図４に示す例において、基板１００上には、図中Ｙ方向に延在する第１導電膜１１０が複数設けられている。これら複数の第１導電膜１１０は、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列されている。そして、第１導電膜１１０のうち、一点鎖線で示される画素領域３００よりも引出配線１３４と接続する端部側に位置する部分が、第１配線１１４となる。
In this embodiment, the first electrode 112 and the first wiring 114 are provided integrally on the substrate 100, for example. In this case, the first wiring 114 and the first electrode 112 are constituted by the first conductive film 110, for example. At this time, a portion of the first conductive film 110 located in the pixel region 300 including the plurality of organic EL elements 20 becomes the first electrode 112. Further, a portion of the first conductive film 110 located outside the pixel region 300 becomes the first wiring 114. The first electrode 112 is connected to the lead wiring 134 through the first wiring 114.
In the example shown in FIG. 4, a plurality of first conductive films 110 extending in the Y direction in the drawing are provided on the substrate 100. The plurality of first conductive films 110 are arranged in the X direction in the drawing so as to be separated from each other. A portion of the first conductive film 110 located on the end side connected to the extraction wiring 134 from the pixel region 300 indicated by the alternate long and short dash line is the first wiring 114.
基板１００上には、引出配線１３４が設けられている。
本形態では、引出配線１３４が第１配線１１４に接続する場合が例示される。基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれ第１配線１１４に接続される。このため、複数の第１配線１１４は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、第１配線１１４および引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
On the substrate 100, a lead wiring 134 is provided.
In this embodiment, a case where the lead wiring 134 is connected to the first wiring 114 is exemplified. A plurality of lead wires 134 arranged in the X direction in the figure are provided on the substrate 100 so as to be separated from each other. Each lead-out wiring 134 is connected to the first wiring 114. For this reason, the plurality of first wires 114 are connected to the outside via the lead wires 134, respectively. A light emission / non-light emission signal is supplied to the organic EL element 20 via the first wiring 114 and the lead-out wiring 134.
本形態において、引出配線１３４は、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４が第１配線１１４に接続される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図４に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
In this embodiment, the lead-out wiring 134 is configured by the second conductive film 130 that is configured by the first metal material. Therefore, when the lead wiring 134 is connected to the first wiring 114, the first wiring 114 configured by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 configured by the second conductive film 130 are bonded to each other. Thus, the joint structure 200 is formed. In the example illustrated in FIG. 4, the joint structure 200 is formed in a portion surrounded by a broken line.
第１配線１１４は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１配線１１４は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。第１配線１１４は、引出配線１３４からみて第１方向に延びている。なお、本形態において第１方向とは、たとえば図中Ｙ方向をさす。
図４では、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部のみが、平面視で第１配線１１４と重なる場合が例示される。この場合、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部は第１配線１１４により覆われ、他の部分は第１配線１１４により覆われずに露出することとなる。本形態においては、引出配線１３４は、たとえば上面の一部、画素領域３００に面する端面、および当該端面に隣接する二つの側面の一部において第１配線１１４により覆われる。
The first wiring 114 is connected to the lead wiring 134 at one end. At this time, the first wiring 114 is bonded to, for example, the lead wiring 134 at the one end portion to form the bonding structure 200. The first wiring 114 extends in the first direction when viewed from the lead wiring 134. In the present embodiment, the first direction refers to the Y direction in the figure, for example.
FIG. 4 illustrates a case where only the end portion located on the pixel region 300 side of the lead-out wiring 134 overlaps the first wiring 114 in plan view. In this case, the end of the lead-out wiring 134 located on the pixel region 300 side is covered with the first wiring 114, and the other part is exposed without being covered with the first wiring 114. In this embodiment, the lead-out wiring 134 is covered with the first wiring 114, for example, on a part of the upper surface, an end face facing the pixel region 300, and a part of two side faces adjacent to the end face.
基板１００上には、たとえば第１電極１１２を覆うように絶縁層１２０が設けられている。本形態においては、たとえば第１電極１１２と、第１配線１１４および後述する引出配線１６４それぞれの一部と、を覆うように絶縁層１２０が設けられる。
絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
An insulating layer 120 is provided on the substrate 100 so as to cover the first electrode 112, for example. In this embodiment, for example, the insulating layer 120 is provided so as to cover the first electrode 112 and the first wiring 114 and a part of each of the extraction wirings 164 described later.
The insulating layer 120 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by exposure and development. The insulating layer 120 may be made of a resin material other than polyimide resin, and may be epoxy resin or acrylic resin.
絶縁層１２０には、たとえば複数の第１開口１２２が設けられている。図５に示すように、第１開口１２２は、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本形態においては、複数の第１開口１２２は、第１電極１１２上に位置するように形成される。図中Ｙ方向に延在する各第１電極１１２の上には、たとえば複数の第１開口１２２が所定の間隔を空けて図中Ｙ方向に配列される。また、これらの複数の第１開口１２２は、たとえば第１電極１１２と直交する方向（図中Ｘ方向）に延在する第２電極１５２と重なる位置に設けられる。このため、複数の第１開口１２２は、マトリクスを構成するように配置されることとなる。
The insulating layer 120 is provided with a plurality of first openings 122, for example. As shown in FIG. 5, the first openings 122 are formed so as to form a matrix, for example.
In the present embodiment, the plurality of first openings 122 are formed so as to be located on the first electrode 112. On each first electrode 112 extending in the Y direction in the figure, for example, a plurality of first openings 122 are arranged in the Y direction in the figure at a predetermined interval. In addition, the plurality of first openings 122 are provided at positions overlapping the second electrode 152 extending in a direction orthogonal to the first electrode 112 (X direction in the figure), for example. For this reason, the plurality of first openings 122 are arranged to form a matrix.
絶縁層１２０には、たとえば複数の第２開口１２４が設けられている。
図５に示すように、第２開口１２４は、たとえば引出配線１６４上に位置するように設けられる。複数の第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。この一辺に沿う方向（たとえば図中Ｙ方向）でみた場合、第２開口１２４は、第１開口１２２と同じ間隔で配置されている。
The insulating layer 120 is provided with a plurality of second openings 124, for example.
As shown in FIG. 5, the second opening 124 is provided, for example, so as to be located on the lead wiring 164. The plurality of second openings 124 are arranged along one side of the matrix formed by the first openings 122. When viewed in a direction along this one side (for example, Y direction in the figure), the second openings 124 are arranged at the same interval as the first openings 122.
絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。
図１に示すように、隔壁１７０は、図中Ｘ方向に延在するように設けられる。すなわち、隔壁１７０は、第２電極１５２の延在方向に沿って形成されることとなる。また、隔壁１７０は、図中Ｙ方向に配列されるよう複数設けられる。
隔壁１７０は、たとえばポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。なお、隔壁１７０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
On the insulating layer 120, for example, a partition wall 170 is provided.
As shown in FIG. 1, the partition 170 is provided so as to extend in the X direction in the drawing. That is, the partition 170 is formed along the extending direction of the second electrode 152. A plurality of partition walls 170 are provided so as to be arranged in the Y direction in the drawing.
The partition wall 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin material other than a polyimide resin, or may be an epoxy resin or an acrylic resin.
隔壁１７０は、たとえば断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）を有している。すなわち、隔壁１７０の上面の幅は、たとえば隔壁１７０の底面の幅よりも大きい。この場合、複数の第２電極１５２をスパッタリング法や蒸着法等により一括して形成する場合であっても、隣接する隔壁１７０間にそれぞれ位置する複数の第２電極１５２を互いに分断させることが可能となる。したがって、第２電極１５２を容易に形成することができる。
なお、隔壁１７０の平面形状は、図１に示すものに限られない。このため、隔壁１７０の平面形状を変更することにより、隔壁１７０により互いに分断される複数の第２電極１５２の平面パターンを自由に変更することが可能となる。
The partition wall 170 has, for example, a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the bottom surface of the partition wall 170, for example. In this case, even when the plurality of second electrodes 152 are collectively formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, the plurality of second electrodes 152 positioned between the adjacent partition walls 170 can be separated from each other. It becomes. Therefore, the second electrode 152 can be easily formed.
The planar shape of the partition wall 170 is not limited to that shown in FIG. Therefore, by changing the planar shape of the partition 170, the planar pattern of the plurality of second electrodes 152 that are separated from each other by the partition 170 can be freely changed.
図２に示すように、第１開口１２２の中には、たとえば有機層１４０が形成されている。
本形態において、有機層１４０は、たとえば正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に積層した積層体により構成される。このとき、正孔注入層１４２は第１電極１１２に接し、電子注入層１４６は第２電極１５２に接する。このため、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に狭持されることとなる。
なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されてもよいし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。また、有機層１４０は、正孔注入層１４２を有していなくともよい。
As shown in FIG. 2, for example, an organic layer 140 is formed in the first opening 122.
In this embodiment, the organic layer 140 is configured by a stacked body in which, for example, a hole injection layer 142, a light emitting layer 144, and an electron injection layer 146 are stacked in this order. At this time, the hole injection layer 142 is in contact with the first electrode 112, and the electron injection layer 146 is in contact with the second electrode 152. For this reason, the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 112 and the second electrode 152.
Note that a hole transport layer may be formed between the hole injection layer 142 and the light emitting layer 144, or an electron transport layer may be formed between the light emitting layer 144 and the electron injection layer 146. Further, the organic layer 140 may not include the hole injection layer 142.
本形態において、絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。この場合、図２に示すように、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた有機層１４０は、図中Ｙ方向において互いに分断される。なお、隔壁１７０上には、たとえば有機層１４０と同一材料からなる積層膜が形成される。
一方で、図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する図中Ｘ方向において、隣り合う第１開口１２２の間において連続するように設けられる。
In this embodiment, for example, a partition 170 is provided over the insulating layer 120. In this case, as shown in FIG. 2, the organic layers 140 provided in each of a plurality of regions sandwiched between adjacent partition walls 170 are separated from each other in the Y direction in the drawing. A laminated film made of the same material as the organic layer 140 is formed on the partition wall 170, for example.
On the other hand, as shown in FIG. 3, each layer constituting the organic layer 140 is provided so as to be continuous between adjacent first openings 122 in the X direction in the drawing in which the partition 170 extends.
有機層１４０上には、第２電極１５２が設けられている。
本形態において、第２電極１５２は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極となる。第２電極１５２は、たとえば図中Ｘ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第２電極１５２が、第２電極１５２の延在方向と垂直な方向（図中Ｙ方向）に配列される。
A second electrode 152 is provided on the organic layer 140.
In this embodiment, the second electrode 152 serves as a cathode of an organic EL element, for example. The second electrode 152 is provided, for example, so as to extend linearly in the X direction in the drawing. On the substrate 100, for example, a plurality of second electrodes 152 spaced apart from each other are arranged in a direction (Y direction in the drawing) perpendicular to the extending direction of the second electrodes 152.
第２電極１５２は、たとえば錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、もしくは銀、またはこれらの合金等の金属材料により構成される。これらの材料は、一種を単独で用いてもよく、二種以上の任意の組み合わせを用いてもよい。なお、第２電極１５２が陰極である場合、第２電極１５２は、陽極である第１電極１１２よりも仕事関数が小さい導電性材料により構成されることが好ましい。
The second electrode 152 is made of a metal material such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof. One of these materials may be used alone, or two or more arbitrary combinations may be used. Note that in the case where the second electrode 152 is a cathode, the second electrode 152 is preferably made of a conductive material having a work function smaller than that of the first electrode 112 that is an anode.
基板１００上には、第２配線１５４が設けられている。
第２配線１５４は、第１電極１１２または第２電極１５２のうち第１配線１１４と接続していない一方に接続している。これにより、第１電極１１２および第２電極１５２のうち第２配線１５４と接続されるいずれか一方は、第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。
本形態においては、第２配線１５４が有機層１４０上に設けられ、第２電極１５２に接続される場合が例示される。このとき、有機層１４０上には、それぞれ異なる第２電極１５２へ接続する複数の第２配線１５４が設けられる。このため、本形態における複数の第２電極１５２は、それぞれ第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。なお、第２配線１５４は、たとえば一部が第２開口１２４内に埋め込まれ、当該一部において後述する引出配線１６４に接続される。
A second wiring 154 is provided on the substrate 100.
The second wiring 154 is connected to one of the first electrode 112 and the second electrode 152 that is not connected to the first wiring 114. As a result, one of the first electrode 112 and the second electrode 152 that is connected to the second wiring 154 is connected to the outside via the second wiring 154.
In this embodiment, a case where the second wiring 154 is provided on the organic layer 140 and connected to the second electrode 152 is exemplified. At this time, a plurality of second wirings 154 connected to the different second electrodes 152 are provided on the organic layer 140. For this reason, the plurality of second electrodes 152 in this embodiment are each connected to the outside via the second wiring 154. For example, part of the second wiring 154 is embedded in the second opening 124, and part of the second wiring 154 is connected to an extraction wiring 164 described later.
第２配線１５４は、たとえば金属材料により構成される。第２配線１５４を構成する金属材料としては、たとえば第２電極１５２と同様のものを用いることができる。
The second wiring 154 is made of, for example, a metal material. As a metal material constituting the second wiring 154, for example, the same material as the second electrode 152 can be used.
本形態において、第２電極１５２および第２配線１５４は、たとえば有機層１４０上に一体として設けられ、導電膜１５０を構成する。この場合、導電膜１５０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第２電極１５２となる。また、導電膜１５０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第２配線１５４となる。第２電極１５２は、たとえば第２配線１５４を介して引出配線１６４に接続する。なお、図１に示す例では、一点鎖線で囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
図１に示す例において、有機層１４０上には、図中Ｘ方向に延在する導電膜１５０が複数設けられている。また、これらの複数の導電膜１５０は、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列されている。そして、導電膜１５０のうち、画素領域３００よりも引出配線１６４と接続する端部側に位置する部分が、第２配線１５４となる。
In this embodiment, the second electrode 152 and the second wiring 154 are provided integrally on the organic layer 140, for example, and constitute the conductive film 150. In this case, a part of the conductive film 150 located in the pixel region 300 including the plurality of organic EL elements 20 becomes the second electrode 152. In addition, a portion of the conductive film 150 located outside the pixel region 300 serves as the second wiring 154. The second electrode 152 is connected to the lead wiring 164 via the second wiring 154, for example. In the example illustrated in FIG. 1, a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
In the example shown in FIG. 1, a plurality of conductive films 150 extending in the X direction in the drawing are provided on the organic layer 140. The plurality of conductive films 150 are arranged in the Y direction in the drawing so as to be separated from each other. In the conductive film 150, a portion located on the end side connected to the extraction wiring 164 with respect to the pixel region 300 becomes the second wiring 154.
複数の導電膜１５０は、たとえばスパッタリング法または蒸着法等を用いて有機層１４０上に一括で形成される。このような場合であっても、本形態においては絶縁層１２０上に隔壁１７０が形成されているため、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた導電膜１５０は図中Ｙ方向において互いに分断されることとなる。
これにより、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列され、かつ図中Ｘ方向に延在する複数の導電膜１５０を形成することが可能となる。このとき、隔壁１７０上には、導電膜１５０と同一材料からなる膜が形成されることとなる。
The plurality of conductive films 150 are collectively formed on the organic layer 140 using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Even in such a case, since the partition 170 is formed over the insulating layer 120 in this embodiment mode, the conductive film 150 provided in each of a plurality of regions sandwiched between adjacent partitions 170 is Y in the drawing. They will be separated from each other in the direction.
As a result, it is possible to form a plurality of conductive films 150 arranged in the Y direction in the drawing and extending in the X direction in the drawing so as to be separated from each other. At this time, a film made of the same material as the conductive film 150 is formed over the partition wall 170.
基板１００上には、たとえば引出配線１６４が設けられている。第２配線１５４は、引出配線１６４を介して外部に接続する。このため、第２電極１５２は、第２配線１５４および引出配線１６４を介して外部に接続され、信号が供給されることとなる。
On the substrate 100, for example, a lead wiring 164 is provided. The second wiring 154 is connected to the outside through the lead wiring 164. Therefore, the second electrode 152 is connected to the outside via the second wiring 154 and the lead wiring 164, and a signal is supplied.
引出配線１６４は、たとえば金属材料により構成される。引出配線１６４を構成する金属材料としては、たとえば引出配線１３４と同様のものを用いることができる。この場合、引出配線１６４は、引出配線１３４と同時に形成することが可能となる。このため、発光装置１０の製造工程数が増大することを抑制することができる。
The lead wiring 164 is made of, for example, a metal material. As the metal material constituting the lead wiring 164, for example, the same material as the lead wiring 134 can be used. In this case, the lead wiring 164 can be formed simultaneously with the lead wiring 134. For this reason, it can suppress that the manufacturing process number of the light-emitting device 10 increases.
次に、発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
まず、基板１００上に引出配線１３４を形成する。引出配線１３４は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて基板１００上に形成される。なお、本形態において、引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４は、たとえば上述した第２導電膜１３０を形成する方法および第２導電膜１３０を構成する材料を用いて形成される。
Next, an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described.
First, the lead wiring 134 is formed on the substrate 100. The lead wiring 134 is formed on the substrate 100 using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. In the present embodiment, the lead wiring 134 is constituted by the second conductive film 130. For this reason, the lead wiring 134 is formed using, for example, the above-described method for forming the second conductive film 130 and the material forming the second conductive film 130.
また、本形態においては、たとえば引出配線１３４を形成する工程と同時に、基板１００上に引出配線１６４が形成される。この場合、引出配線１６４は、たとえば引出配線１３４と同様の方法および材料により形成される。
In this embodiment, for example, the lead wiring 164 is formed on the substrate 100 simultaneously with the step of forming the lead wiring 134. In this case, the lead wiring 164 is formed by the same method and material as the lead wiring 134, for example.
次に、基板１００上に、第１配線１１４を形成する。第１配線１１４は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。なお、本形態において、第１配線１１４は、第１導電膜１１０である。このため、第１配線１１４は、たとえば上述した第１導電膜１１０を形成する方法および第１導電膜１１０を構成する材料を用いて形成される。また、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４および第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４は、互いに接合して接合構造２００を形成する。このとき、接合構造２００は、たとえば上述した接合構造２００を形成する方法を用いて形成される。
第１配線１１４を形成する上記工程においては、たとえば第１配線１１４とともに、第１配線１１４に接続する第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば第１配線１１４と一体として第１導電膜１１０により形成される。
Next, the first wiring 114 is formed on the substrate 100. The first wiring 114 is formed by, for example, applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it. Note that in this embodiment, the first wiring 114 is the first conductive film 110. For this reason, the first wiring 114 is formed using, for example, the above-described method for forming the first conductive film 110 and the material constituting the first conductive film 110. In addition, the first wiring 114 constituted by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 constituted by the second conductive film 130 are bonded to each other to form the bonded structure 200. At this time, the bonding structure 200 is formed using, for example, the method for forming the bonding structure 200 described above.
In the step of forming the first wiring 114, for example, the first electrode 112 connected to the first wiring 114 is formed together with the first wiring 114. In this case, the first electrode 112 is formed by the first conductive film 110 integrally with the first wiring 114, for example.
次に、第１配線１１４に対し熱処理を施す。これにより、第１配線１１４を乾燥させる。透明導電材料が導電性高分子を含む場合には、第１配線１１４を乾燥させることにより導電性高分子の凝集力が高まり、第１配線１１４を強固な膜とすることができる。また、第１配線１１４に対し熱処理を施すことにより、第１配線１１４の硬化が行われる。また、第１配線１１４を構成する透明導電材料が感光性材料を含む場合には、ＵＶ照射により第１配線１１４を硬化してもよい。
この段階において得られる構造が、図４に示されるものである。
Next, heat treatment is performed on the first wiring 114. Thereby, the first wiring 114 is dried. When the transparent conductive material includes a conductive polymer, the first wiring 114 is dried to increase the cohesive force of the conductive polymer, so that the first wiring 114 can be a strong film. Further, the first wiring 114 is cured by performing a heat treatment on the first wiring 114. When the transparent conductive material constituting the first wiring 114 includes a photosensitive material, the first wiring 114 may be cured by UV irradiation.
The structure obtained at this stage is shown in FIG.
次に、基板１００上、第１電極１１２上、第１配線１１４上および引出配線１６４上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、ドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングされる。これにより、絶縁層１２０に、複数の第１開口１２２および複数の第２開口１２４が形成される。このとき、複数の第１開口１２２は、たとえば各第１開口１２２から第１電極１１２の一部が露出するように形成される。
Next, the insulating layer 120 is formed on the substrate 100, the first electrode 112, the first wiring 114, and the lead wiring 164. The insulating layer 120 is patterned into a predetermined shape using dry etching or wet etching. As a result, a plurality of first openings 122 and a plurality of second openings 124 are formed in the insulating layer 120. At this time, the plurality of first openings 122 are formed, for example, such that a part of the first electrode 112 is exposed from each first opening 122.
次に、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、絶縁層１２０上に設けられた絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングすることにより得られる。隔壁１７０が感光性樹脂により形成される場合、露光および現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。この段階において得られる構造が、図５に示されるものである。
Next, a partition 170 is formed over the insulating layer 120. The partition wall 170 is obtained by patterning an insulating film provided over the insulating layer 120 into a predetermined shape using dry etching or wet etching. When the partition wall 170 is formed of a photosensitive resin, the cross-sectional shape of the partition wall 170 can be changed to an inverted trapezoid by adjusting the conditions during exposure and development. The structure obtained at this stage is shown in FIG.
次に、第１開口１２２内に、正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に形成する。これらは、たとえば塗布法または蒸着法を用いて形成される。
これにより、有機層１４０が形成される。
Next, a hole injection layer 142, a light emitting layer 144, and an electron injection layer 146 are sequentially formed in the first opening 122. These are formed using, for example, a coating method or a vapor deposition method.
Thereby, the organic layer 140 is formed.
次に、有機層１４０上に、第２電極１５２および第２配線１５４を構成する導電膜１５０を形成する。このとき、たとえば導電膜１５０の一部が第２開口１２４内に位置するように、導電膜１５０が形成される。導電膜１５０は、たとえば蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。
これにより、第１電極１１２と、第２電極１５２と、これらに狭持された有機層１４０と、により構成される有機ＥＬ素子２０が、基板１００上に形成されることとなる。
本形態においては、たとえばこのようにして発光装置１０が形成される。
Next, the conductive film 150 constituting the second electrode 152 and the second wiring 154 is formed on the organic layer 140. At this time, for example, the conductive film 150 is formed so that a part of the conductive film 150 is located in the second opening 124. The conductive film 150 is formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
As a result, the organic EL element 20 composed of the first electrode 112, the second electrode 152, and the organic layer 140 sandwiched therebetween is formed on the substrate 100.
In the present embodiment, for example, the light emitting device 10 is formed in this way.
以上、本形態によれば、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間において、中間領域２０２が存在している。また、中間領域２０２は、第２導電膜１３０よりも高い電気抵抗値を有している。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における電気抵抗値の差異を、中間領域２０２により緩和することが可能となる。このため、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差異に起因した接合部分における局所的な電流集中を緩和することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１０の動作信頼性を向上させることも可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the intermediate region 202 exists between the first conductive film 110 and the second conductive film 130. Further, the intermediate region 202 has a higher electrical resistance value than the second conductive film 130. In this case, a difference in electrical resistance value between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be reduced by the intermediate region 202. For this reason, local current concentration at the junction due to the difference in electrical resistance between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be reduced. Therefore, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
In addition, a light emission including a first wiring 114 connected to the first electrode 112 configuring the organic EL element 20 and configured by the first conductive film 110 and an extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130. The device 10 can be realized. Thereby, the connection reliability between the 1st electrode 112 and the extraction wiring 134 can be improved. In addition, the operational reliability of the light emitting device 10 can be improved.
（第２の形態）
図８は、第２の形態に係る発光装置１２を示す平面図であり、第１の形態に係る図１に対応している。図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。図１１は、図８に示す発光装置１２の一部を示す図である。図１１では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との位置関係が示されている。
(Second form)
FIG. 8 is a plan view showing the light emitting device 12 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 according to the first embodiment. 9 is a cross-sectional view showing a CC cross section of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view showing a DD cross section of FIG. FIG. 11 is a diagram showing a part of the light emitting device 12 shown in FIG. FIG. 11 particularly shows the positional relationship between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
本形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極と電気的に接続する引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、接合構造２００が形成される。
In this embodiment, the first conductive film 110 in the bonding structure 200 constitutes an electrode that constitutes an organic EL element, for example. In the bonding structure 200, the second conductive film 130 forms, for example, a lead wiring that is electrically connected to an electrode that forms the organic EL element. In this case, the junction structure 200 is formed between the electrode constituting the organic EL element and the lead wiring.
本形態に係る発光装置１２は、第１電極１１２、および引出配線１３４の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。
The light emitting device 12 according to this embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the configuration of the first electrode 112 and the lead-out wiring 134.
The light emitting device 12 has a joint structure 200. The light emitting device 12 includes the organic EL element 20 and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112 configured by the first conductive film 110, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. doing. The lead wiring 134 is joined to the first electrode 112 and is constituted by the second conductive film 130.
本形態において、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、画素領域３００内にマトリクス状に配置される。マトリクス状に配置された複数の第１電極１１２は、互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図８に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
第１電極１１２は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２は透明性を有することができる。
In the present embodiment, the first electrode 112 is disposed on the substrate 100 in the pixel region 300 in a matrix, for example. The plurality of first electrodes 112 arranged in a matrix are separated from each other. The pixel region 300 is a region including a plurality of organic EL elements 20. In the example illustrated in FIG. 8, a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
The first electrode 112 is composed of a first conductive film 110 composed of a conductive material. When the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material, the first electrode 112 made of the first conductive film 110 can have transparency.
本形態に係る発光装置１２においては、第１の形態に係る発光装置１０を構成する第１配線１１４が設けられていない。
In the light emitting device 12 according to this embodiment, the first wiring 114 constituting the light emitting device 10 according to the first embodiment is not provided.
本形態では、引出配線１３４が第１電極１１２に接続される場合が例示される。引出配線１３４は、図中Ｙ方向に延在している。また、基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれＹ方向に配列された複数の第１電極１１２に接続される。このため、複数の第１電極１１２は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
本形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図１１に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
In this embodiment, a case where the lead wiring 134 is connected to the first electrode 112 is exemplified. The lead-out wiring 134 extends in the Y direction in the figure. A plurality of lead wires 134 arranged in the X direction in the figure are provided on the substrate 100 so as to be separated from each other. Each lead-out wiring 134 is connected to a plurality of first electrodes 112 arranged in the Y direction. For this reason, the plurality of first electrodes 112 are each connected to the outside via the lead wiring 134. A light emission / non-light emission signal is supplied to the organic EL element 20 through the lead wiring 134.
In this embodiment, the lead-out wiring 134 is configured by the second conductive film 130 that is configured by a metal material. For this reason, the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 are bonded to each other to form the bonded structure 200. In the example illustrated in FIG. 11, the joint structure 200 is formed in a portion surrounded by a broken line.
第１電極１１２は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１電極１１２は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。図１０に示すように、引出配線１３４のうち第１電極１１２と接合する部分は、たとえば平面視で有機ＥＬ素子２０を形成する領域内に位置する。
第１電極１１２は、引出配線１３４からみて第２方向に延在している。なお、本形態において第２方向とは、たとえば図中Ｘ方向をさす。第１電極１１２の形状は、特に限定されず有機ＥＬ素子２０の設計に併せて適宜選択可能であるが、たとえば矩形である。
The first electrode 112 is connected to the lead wiring 134 at one end. At this time, the first electrode 112 is bonded to, for example, the lead wiring 134 at the one end portion to form the bonded structure 200. As shown in FIG. 10, a portion of the lead-out wiring 134 that is joined to the first electrode 112 is located, for example, in a region where the organic EL element 20 is formed in plan view.
The first electrode 112 extends in the second direction when viewed from the lead wiring 134. In the present embodiment, the second direction refers to, for example, the X direction in the drawing. The shape of the first electrode 112 is not particularly limited and can be selected as appropriate in accordance with the design of the organic EL element 20. For example, it is rectangular.
引出配線１３４は、少なくとも一部が第１電極１１２と重なるように設けられている。
図１１に示す例においては、第１電極１１２の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば引出配線１３４のうちの、上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成されることとなる。
The lead wiring 134 is provided so that at least a part thereof overlaps the first electrode 112.
In the example shown in FIG. 11, the first electrode 112 is formed so that one end of the first electrode 112 overlaps a part of the lead-out wiring 134. In this case, the first electrode 112 is formed so as to cover a part of each of the upper surface and the side surface of the lead-out wiring 134, for example.
絶縁層１２０は、たとえば引出配線１３４を覆うように形成される。本形態においては、たとえば引出配線１３４と引出配線１６４のそれぞれの一部を覆うように絶縁層１２０が設けられる。また、図１１に示すように、絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２が、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本形態においては、第１電極１１２は、第１開口１２２内に形成される。これにより、基板１００上にマトリクス状に配置された複数の第１電極１１２が形成される。また、図９および１０に示すように、複数の第１電極１１２は、絶縁層１２０によって互いに離間されることとなる。第１開口１２２は、たとえば引出配線１３４の一部と平面視で重なるように形成される。この場合、引出配線１３４のうちの第１開口１２２と平面視で重なる一部が、第１開口１２２に形成された第１電極１１２と接続することとなる。
絶縁層１２０は、たとえば第１の形態と同様の材料により構成される。
The insulating layer 120 is formed so as to cover the lead wiring 134, for example. In this embodiment, for example, the insulating layer 120 is provided so as to cover a part of each of the lead wiring 134 and the lead wiring 164. Also, as shown in FIG. 11, a plurality of first openings 122 are formed in the insulating layer 120 so as to form a matrix, for example.
In the present embodiment, the first electrode 112 is formed in the first opening 122. As a result, a plurality of first electrodes 112 arranged in a matrix on the substrate 100 are formed. Further, as shown in FIGS. 9 and 10, the plurality of first electrodes 112 are separated from each other by the insulating layer 120. The first opening 122 is formed, for example, so as to overlap a part of the lead wiring 134 in a plan view. In this case, a part of the lead wiring 134 that overlaps the first opening 122 in plan view is connected to the first electrode 112 formed in the first opening 122.
The insulating layer 120 is made of the same material as that of the first embodiment, for example.
本形態における隔壁１７０、有機層１４０、第２電極１５２、第２配線１５４および引出配線１６４は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。
The partition wall 170, the organic layer 140, the second electrode 152, the second wiring 154, and the extraction wiring 164 in this embodiment have the same configuration as that of the first embodiment, for example.
以上、本形態においても、第１の形態と同様に、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、本形態によれば、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
As described above, also in this embodiment, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be improved as in the first embodiment.
In addition, according to this embodiment, it is possible to realize the light emitting device 12 including the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130. Thereby, the connection reliability between the 1st electrode 112 and the extraction wiring 134 can be improved. In addition, the operational reliability of the light emitting device can be improved.
（第３の形態）
図１２〜１４は、第３の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
(Third form)
12-14 is a figure which shows an example of a structure of the junction structure 200 comprised by the 1st electrically conductive film 110 and the 2nd electrically conductive film 130 in a 3rd form.
第３の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。
第２導電膜１３０の一部は、第１導電膜１１０により覆われている。第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０から露出した露出面２２０には、少なくとも一部において第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第１皮膜２０４が存在している。第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０に覆われた被覆面２２２には、少なくとも一部において第１皮膜２０４よりも薄く、かつ第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない。
The bonding structure 200 according to the third embodiment is formed by bonding a first conductive film 110 made of a conductive material and a second conductive film 130 made of a first metal material.
A part of the second conductive film 130 is covered with the first conductive film 110. The exposed surface 220 of the upper surface of the second conductive film 130 exposed from the first conductive film 110 has at least a portion of the first film 204 composed of the oxide or hydroxide of the first metal material. Yes. Of the upper surface of the second conductive film 130, the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 is at least partially thinner than the first coating 204 and is made of an oxide or hydroxide of the first metal material. The second coating 206 is present, or there is no oxide or hydroxide of the first metal material.
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
The bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 10. The light emitting device 10 according to this embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 10 according to this embodiment has the joint structure 200. The light emitting device 10 includes an organic EL element 20, a first wiring 114, and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. The first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 and is configured by the first conductive film 110. The lead-out wiring 134 is joined to the first wiring 114 and is configured by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first wiring 114 constituted by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 constituted by the second conductive film 130.
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
Further, the bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 12. The light emitting device 12 according to the present embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 12 according to the second embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 12 has the joint structure 200. The light emitting device 12 includes the organic EL element 20 and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112 configured by the first conductive film 110, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. doing. The lead wiring 134 is joined to the first electrode 112 and is constituted by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130.
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
Hereinafter, an example of the configuration of the bonding structure 200 according to this embodiment will be described in detail.
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
The junction structure 200 constitutes a light emitting device including, for example, an organic EL element.
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
The light-emitting device according to an example of this embodiment includes, for example, an organic EL element, a first wiring that is electrically connected to an electrode that constitutes the organic EL element, and a lead wiring that is electrically connected to the first wiring. At this time, an electrical signal for controlling light emission / non-light emission from the outside is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring and the first wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the 1st wiring connected to the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the first wiring and the lead-out wiring.
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
A light-emitting device according to another example of this embodiment includes, for example, an organic EL element and a lead-out wiring that is electrically connected to an electrode constituting the organic EL element. An electrical signal for controlling light emission / non-light emission is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the electrode constituting the organic EL element and the lead wiring.
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
The first conductive film 110 includes a conductive material.
The first conductive film 110 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Moreover, the conductive material which comprises the 1st electrically conductive film 110 can use what was illustrated in the 1st form. That is, examples of the conductive material constituting the first conductive film 110 include a transparent conductive material or a paste-like conductive material such as silver. The transparent conductive material includes an inorganic material such as ITO, or a conductive polymer.
本形態における第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、さらに皮膜反応剤を含んでいてもよい。皮膜反応剤としては、第２導電膜１３０上に形成される第１金属材料の酸化物および水酸化物を除去しうるものであれば特に限定されないが、たとえば塩酸が挙げられる。
この場合、第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０により覆われる被覆面２２２において生じる第１金属材料の酸化物または水酸化物の除去を行うことができる。したがって、後述するように、被覆面２２２に生じる第２皮膜２０６を第１皮膜２０４よりも薄くする、または完全に除去することができる。
When a conductive polymer is included as the transparent conductive material constituting the first conductive film 110 in this embodiment, the transparent conductive material may further include a film reactant. The film reactant is not particularly limited as long as it can remove the oxide and hydroxide of the first metal material formed on the second conductive film 130. For example, hydrochloric acid may be mentioned.
In this case, the oxide or hydroxide of the first metal material generated on the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 in the second conductive film 130 can be removed. Therefore, as will be described later, the second film 206 formed on the coating surface 222 can be made thinner than the first film 204 or completely removed.
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
The second conductive film 130 includes a first metal material.
The second conductive film 130 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Further, as the first metal material constituting the second conductive film 130, the materials exemplified in the first embodiment can be used. That is, the first metal material is composed of one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, for example.
第２導電膜１３０の一部は、第１導電膜１１０により覆われている。このため、第２導電膜１３０の上面は、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２と、第１導電膜１１０から露出した露出面２２０と、を有することとなる。
本形態において、第１導電膜１１０は、平面視で第２導電膜１３０の一部と重なるように設けられる。そして、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０とが重なる積層領域において、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０により覆われることとなる。第２導電膜１３０は、たとえば上面の一部および側面の一部が第１導電膜１１０により覆われる。この場合、第２導電膜１３０は、上面および側面のそれぞれにおいて、被覆面２２２および露出面２２０を有することとなる。
A part of the second conductive film 130 is covered with the first conductive film 110. For this reason, the upper surface of the second conductive film 130 has a cover surface 222 covered with the first conductive film 110 and an exposed surface 220 exposed from the first conductive film 110.
In this embodiment, the first conductive film 110 is provided so as to overlap with part of the second conductive film 130 in plan view. In the stacked region where the first conductive film 110 and the second conductive film 130 overlap, the second conductive film 130 is covered with the first conductive film 110. For example, part of the upper surface and part of the side surface of the second conductive film 130 are covered with the first conductive film 110. In this case, the second conductive film 130 has a covering surface 222 and an exposed surface 220 on each of the upper surface and the side surface.
第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０から露出した露出面２２０には、少なくとも一部において第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第１皮膜２０４が存在している。なお、第２導電膜１３０表面に皮膜が存在しているとは、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０の表面部分が酸化または水酸化され、これにより皮膜が生じている場合を含む。また、第２導電膜１３０表面に皮膜が存在していないとは、第２導電膜１３０の表面部分が酸化または水酸化されて生じる皮膜が存在していない場合を含む。以下、本明細書において同様である。
The exposed surface 220 of the upper surface of the second conductive film 130 exposed from the first conductive film 110 has at least a portion of the first film 204 composed of the oxide or hydroxide of the first metal material. Yes. Note that the presence of a film on the surface of the second conductive film 130 means a case where the surface part of the second conductive film 130 made of the first metal material is oxidized or hydroxylated, thereby generating a film. Including. In addition, the phrase “the film does not exist on the surface of the second conductive film 130” includes the case where there is no film generated by oxidation or hydroxylation of the surface portion of the second conductive film 130. The same applies hereinafter.
本形態において、第１皮膜２０４は、たとえば第２導電膜１３０の上面および側面のうちの、第１導電膜１１０により覆われていない露出部分の全域に形成される。この場合、第１皮膜２０４は、第２導電膜１３０表面のうち、基板１００に接しておらず、かつ第１導電膜１１０により覆われていない部分の全域に存在することとなる。
また、本形態において、露出面２２０に存在する第１皮膜２０４は、第１金属材料の酸化物と、第１金属材料の水酸化物と、の双方を含んでいてもよい。
In this embodiment, the first film 204 is formed, for example, on the entire exposed portion of the upper surface and side surfaces of the second conductive film 130 that is not covered with the first conductive film 110. In this case, the first film 204 exists on the entire surface of the second conductive film 130 that is not in contact with the substrate 100 and is not covered by the first conductive film 110.
In the present embodiment, the first film 204 existing on the exposed surface 220 may include both an oxide of the first metal material and a hydroxide of the first metal material.
第１皮膜２０４を構成する第１金属材料としては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料と同様のものが挙げられる。本形態において、第１皮膜２０４を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
As a 1st metal material which comprises the 1st membrane | film | coat 204, the thing similar to the 1st metal material which comprises the 2nd electrically conductive film 130 is mentioned, for example. In this embodiment, the first metal material constituting the first film 204 is, for example, one selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. Or it consists of 2 or more types.
第２導電膜１３０の上面のうち第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２には、少なくとも一部において第１皮膜２０４よりも薄く、かつ第１金属材料の酸化物または水酸化物により構成される第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない。被覆面２２２に第２皮膜２０６が存在する場合、第２皮膜２０６は、第１金属材料の酸化物と、第１金属材料の水酸化物と、の双方を含んでいてもよい。
本形態において、第２導電膜１３０は、上面の一部および側面の一部において、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２を有する。この場合、第２導電膜１３０の上面および側面それぞれの被覆面２２２において、第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しないこととなる。
Of the upper surface of the second conductive film 130, the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 is at least partially thinner than the first coating 204 and is made of an oxide or hydroxide of the first metal material. The second coating 206 is present, or there is no oxide or hydroxide of the first metal material. When the second coating 206 is present on the covering surface 222, the second coating 206 may include both an oxide of the first metal material and a hydroxide of the first metal material.
In the present embodiment, the second conductive film 130 has a covering surface 222 covered with the first conductive film 110 at a part of the upper surface and a part of the side surface. In this case, the second coating film 206 is present on the covering surfaces 222 on the upper surface and the side surfaces of the second conductive film 130, or the oxide and hydroxide of the first metal material are not present.
図１２および図１３においては、第２導電膜１３０の上面および側面のうち、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２に、第１皮膜２０４よりも膜厚が薄い第２皮膜２０６が存在している場合が例示されている。
図１２に示す例では、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２全域に第２皮膜２０６が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、第２皮膜２０６を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有しない。
一方で、図１３に示す例においては、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２の一部のみに第２皮膜２０６が存在している。この場合、第２導電膜１３０の被覆面２２２のうち第２皮膜２０６が存在しない部分は、たとえば第１導電膜１１０と直接接触する。
In FIGS. 12 and 13, the second film 206 having a thickness smaller than that of the first film 204 is present on the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 among the upper surface and the side surface of the second conductive film 130. The case where it is doing is illustrated.
In the example shown in FIG. 12, for example, the second film 206 exists over the entire coated surface 222 of the second conductive film 130. In this case, the second conductive film 130 does not have a portion that is bonded to the first conductive film 110 without passing through the second film 206, that is, a portion that directly contacts the first conductive film 110.
On the other hand, in the example shown in FIG. 13, for example, the second film 206 exists only on a part of the covering surface 222 of the second conductive film 130. In this case, a portion of the covering surface 222 of the second conductive film 130 where the second film 206 does not exist is in direct contact with the first conductive film 110, for example.
図１４においては、第２導電膜１３０の上面および側面のうち、第１導電膜１１０により覆われた被覆面２２２に、第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない場合が例示されている。図１４に示す例では、たとえば第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２全域において、第２皮膜２０６が存在しない。この場合、第２導電膜１３０は、たとえば被覆面２２２の全域において第１導電膜１１０と直接接触する。
FIG. 14 illustrates a case where the oxide and the hydroxide of the first metal material are not present on the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 among the upper surface and the side surface of the second conductive film 130. Yes. In the example shown in FIG. 14, for example, the second film 206 does not exist over the entire coated surface 222 of the second conductive film 130. In this case, the second conductive film 130 is in direct contact with the first conductive film 110, for example, over the entire covered surface 222.
第２皮膜２０６を構成する第１金属材料としては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料と同様のものが挙げられる。本形態において、第２皮膜２０６を構成する第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
As a 1st metal material which comprises the 2nd membrane | film | coat 206, the thing similar to the 1st metal material which comprises the 2nd electrically conductive film 130 is mentioned, for example. In the present embodiment, the first metal material constituting the second film 206 is, for example, one selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd Or it consists of 2 or more types.
本形態によれば、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２には、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物または水酸化物が存在しない。すなわち、被覆面２２２における酸化物または水酸化物による被覆の程度を、低減することが可能となる。この場合、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接触抵抗を低減することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
According to this embodiment, the coating film 222 on the upper surface of the second conductive film 130 has the second film 206 thinner than the first film 204, or the oxide or hydroxide of the first metal material. There is no thing. That is, the degree of coating with the oxide or hydroxide on the coating surface 222 can be reduced. In this case, the contact resistance between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be reduced. Therefore, connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
また、本形態によれば、第２導電膜１３０表面のうちの露出面２２０には、第１皮膜２０４が存在している。この場合、第２導電膜１３０上に存在する第１皮膜２０４は、第２導電膜１３０表面に対し保護膜として機能する。すなわち、第２導電膜１３０上に第１皮膜２０４が存在していることにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０へ通電する際に、外部から侵入してくる酸素や水等による劣化が進行してしまうことを抑制できる。このような観点からも、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上できる。
Further, according to this embodiment, the first film 204 is present on the exposed surface 220 of the surface of the second conductive film 130. In this case, the first film 204 existing on the second conductive film 130 functions as a protective film for the surface of the second conductive film 130. That is, the presence of the first film 204 on the second conductive film 130 causes deterioration due to oxygen, water, or the like entering from the outside when the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are energized. Can be suppressed. Also from this point of view, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
第１皮膜２０４の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、第２導電膜１３０に対する保護膜としての機能を確保しつつ、酸化膜や水酸化膜の厚膜化に起因して第２導電膜１３０内の電気抵抗が増大してしまうことを抑制することができる。また、第２皮膜２０６の膜厚は、たとえば１０ｎｍ以下である。これにより、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接触抵抗を十分に低減することができる。
The film thickness of the first film 204 is, for example, not less than 1 nm and not more than 10 μm. As a result, it is possible to prevent the electrical resistance in the second conductive film 130 from increasing due to the thickening of the oxide film or the hydroxide film while ensuring the function as a protective film for the second conductive film 130. can do. Moreover, the film thickness of the 2nd film | membrane 206 is 10 nm or less, for example. Thereby, the contact resistance between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be sufficiently reduced.
第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に第２皮膜２０６が存在する場合には、第２皮膜２０６の電気抵抗値が、第２導電膜１３０よりも高く、第１導電膜１１０よりも低くなるよう、これらを設計することが好ましい。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における電流集中を緩和し、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。なお、第２皮膜２０６の電気抵抗値は、たとえば第２皮膜２０６を構成する材料の電気抵抗率や、第２皮膜２０６の膜厚等をそれぞれ調整することにより適宜制御することが可能である。
When the second film 206 exists on the covering surface 222 of the second conductive film 130, the electric resistance value of the second film 206 is higher than that of the second conductive film 130 and lower than that of the first conductive film 110. These are preferably designed to be Thereby, the current concentration at the junction between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be relaxed, and the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be improved. The electric resistance value of the second film 206 can be appropriately controlled by adjusting, for example, the electric resistivity of the material constituting the second film 206, the film thickness of the second film 206, and the like.
なお、引出配線１３４表面に存在する金属材料の酸化物または水酸化物は、たとえばＴＥＭまたはＳＥＭ等を用いて観察可能である。また、第１皮膜２０４および第２皮膜２０６の材料は、たとえば元素分析により分析が可能である。
Note that the oxide or hydroxide of the metal material present on the surface of the lead-out wiring 134 can be observed using, for example, TEM or SEM. The materials of the first film 204 and the second film 206 can be analyzed by elemental analysis, for example.
本形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。次に、第２導電膜１３０に対して、表面酸化処理またはＵＶオゾン処理等の処理を行う。これにより、第２導電膜１３０表面のうち基板１００と接する下面以外の部分、すなわち第２導電膜１３０の上面および側面に、引出配線１３４を構成する第１金属材料の酸化物または水酸化物の皮膜が形成される。
次に、第２導電膜１３０上に形成された上記皮膜の表層部分を除去し、皮膜を薄化する。ここで、皮膜の除去は、たとえばプラズマ処理、メカニカル処理、またはケミカル処理を用いて行われる。メカニカル処理としては、たとえば皮膜を研磨して除去する研磨処理が挙げられる。ケミカル処理としては、たとえばシアンまたはアンモニア等を用いたアルカリ処理や、塩酸、硫酸または硝酸等を用いた酸処理が挙げられる。
In the present embodiment, for example, a bonded structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed as follows.
First, the second conductive film 130 is formed over the substrate 100. The second conductive film 130 can be formed using the method exemplified in the first embodiment. Next, a process such as a surface oxidation process or a UV ozone process is performed on the second conductive film 130. Thus, the oxide or hydroxide of the first metal material constituting the lead-out wiring 134 is formed on the surface of the second conductive film 130 other than the lower surface in contact with the substrate 100, that is, on the upper surface and the side surface of the second conductive film 130. A film is formed.
Next, the surface layer portion of the film formed on the second conductive film 130 is removed, and the film is thinned. Here, the removal of the film is performed using, for example, plasma processing, mechanical processing, or chemical processing. Examples of the mechanical treatment include a polishing treatment for polishing and removing the film. Examples of the chemical treatment include alkali treatment using cyan or ammonia, and acid treatment using hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid.
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。このとき、上記塗布液は、基板１００上、および第２導電膜１３０の一部上に塗布される。このため、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。これにより、第２導電膜１３０の上面は、第１導電膜１１０により覆われる被覆面２２２と、第１導電膜１１０から露出する露出面２２０と、を有することとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
Next, a first conductive film 110 is formed over the substrate 100. The first conductive film 110 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it. At this time, the coating solution is applied onto the substrate 100 and a part of the second conductive film 130. Therefore, the first conductive film 110 is formed so as to cover a part of the second conductive film 130. As a result, the upper surface of the second conductive film 130 has the covering surface 222 covered with the first conductive film 110 and the exposed surface 220 exposed from the first conductive film 110. The first conductive film 110 may be formed by applying a paste-like conductive material such as silver on the substrate 100 and drying it.
本形態において、透明導電材料含有塗布液は、たとえば皮膜反応剤を含む透明導電材料を含有している。この場合、第２導電膜１３０上に存在する金属材料の酸化物または水酸化物からなる皮膜の一部は、透明導電材料を塗布することにより皮膜反応剤により溶解または分解され、第２導電膜１３０表面から除去されることとなる。このため、第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に存在する上記皮膜は、露出面２２０に存在する皮膜よりも薄くなる、または完全に除去されることとなる。このとき、皮膜反応剤の種類や添加量等をそれぞれ適宜調整することにより、被覆面２２２に存在する上記皮膜が除去される程度を調節することが可能である。
本形態においては、たとえばこのようにして、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２において、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない構成を実現することができる。
In this embodiment, the transparent conductive material-containing coating liquid contains a transparent conductive material containing, for example, a film reactant. In this case, a part of the film made of the oxide or hydroxide of the metal material present on the second conductive film 130 is dissolved or decomposed by the film reactant by applying the transparent conductive material, and the second conductive film. 130 will be removed from the surface. For this reason, the said film | membrane which exists in the coating surface 222 of the 2nd electrically conductive films 130 will become thinner than the film | membrane which exists in the exposed surface 220, or will be removed completely. At this time, it is possible to adjust the degree of removal of the film existing on the coating surface 222 by appropriately adjusting the type and amount of the film reactant.
In the present embodiment, for example, in this way, there is a second film 206 thinner than the first film 204 on the covering surface 222 of the upper surface of the second conductive film 130, or oxidation of the first metal material. It is possible to realize a configuration in which neither an object nor a hydroxide exists.
また、第２導電膜１３０のうちの被覆面２２２に存在する金属材料の酸化物または水酸化物からなる皮膜は、たとえば電気分解処理を行うことによっても除去することができる。この電気分解処理においては、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に電圧を印加して皮膜を電気的に還元することにより、被覆面２２２に存在する皮膜が除去される。
本形態においては、たとえばこのようにして、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２において、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物および水酸化物が存在しない構成を実現することもできる。
Moreover, the film | membrane which consists of the oxide or hydroxide of the metal material which exists in the coating surface 222 among the 2nd electrically conductive films 130 can be removed also by performing an electrolysis process, for example. In this electrolysis treatment, the film existing on the covering surface 222 is removed by applying a voltage between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 to electrically reduce the film.
In the present embodiment, for example, in this way, there is a second film 206 thinner than the first film 204 on the covering surface 222 of the upper surface of the second conductive film 130, or oxidation of the first metal material. It is also possible to realize a configuration in which no substances and hydroxides are present.
以上、本形態によれば、第２導電膜１３０の上面のうちの被覆面２２２には、第１皮膜２０４よりも薄い第２皮膜２０６が存在している、または第１金属材料の酸化物または水酸化物が存在しない。すなわち、被覆面２２２における酸化物または水酸化物による被覆の程度を、低減することが可能となる。この場合、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接触抵抗を低減することができる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the second coating 206 thinner than the first coating 204 exists on the covering surface 222 of the upper surface of the second conductive film 130, or the oxide of the first metal material or There is no hydroxide. That is, the degree of coating with the oxide or hydroxide on the coating surface 222 can be reduced. In this case, the contact resistance between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be reduced. Therefore, connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
In addition, a light emission including a first wiring 114 connected to the first electrode 112 configuring the organic EL element 20 and configured by the first conductive film 110 and an extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130. The device 10 can be realized. Furthermore, the light emitting device 12 including the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 can also be realized. In any of these, the connection reliability between the first electrode 112 and the lead-out wiring 134 can be improved. Accordingly, it is possible to improve the operational reliability of the light emitting device.
（第４の形態）
図１５は、第４の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
(4th form)
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of the configuration of the bonding structure 200 including the first conductive film 110 and the second conductive film 130 according to the fourth embodiment.
第４の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。
第１金属材料と上記導電材料は、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８が存在している。
なお、本明細書において、イオン化ポテンシャルとは、特に明記しない限り第１イオン化ポテンシャルを意味する。また、金属材料の場合、イオン化ポテンシャルとはとくに仕事関数を意味する。
In the bonding structure 200 according to the fourth embodiment, a first conductive film 110 made of a conductive material and a second conductive film 130 made of a first metal material are bonded to each other.
The first metal material and the conductive material have different ionization potentials. An intermediate region 208 having an ionization potential between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130 exists between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
In the present specification, the ionization potential means the first ionization potential unless otherwise specified. In the case of a metal material, the ionization potential particularly means a work function.
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
The bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 10. The light emitting device 10 according to this embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 10 according to this embodiment has the joint structure 200. The light emitting device 10 includes an organic EL element 20, a first wiring 114, and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. The first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 and is configured by the first conductive film 110. The lead-out wiring 134 is joined to the first wiring 114 and is configured by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first wiring 114 constituted by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 constituted by the second conductive film 130.
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
Further, the bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 12. The light emitting device 12 according to the present embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 12 according to the second embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 12 has the joint structure 200. The light emitting device 12 includes the organic EL element 20 and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112 configured by the first conductive film 110, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. doing. The lead wiring 134 is joined to the first electrode 112 and is constituted by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130.
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
Hereinafter, an example of the configuration of the bonding structure 200 according to this embodiment will be described in detail.
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
The junction structure 200 constitutes a light emitting device including, for example, an organic EL element.
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
The light-emitting device according to an example of this embodiment includes, for example, an organic EL element, a first wiring that is electrically connected to an electrode that constitutes the organic EL element, and a lead wiring that is electrically connected to the first wiring. At this time, an electrical signal for controlling light emission / non-light emission from the outside is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring and the first wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the 1st wiring connected to the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the first wiring and the lead-out wiring.
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
A light-emitting device according to another example of this embodiment includes, for example, an organic EL element and a lead-out wiring that is electrically connected to an electrode constituting the organic EL element. An electrical signal for controlling light emission / non-light emission is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the electrode constituting the organic EL element and the lead wiring.
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
The first conductive film 110 includes a conductive material.
The first conductive film 110 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Moreover, the conductive material which comprises the 1st electrically conductive film 110 can use what was illustrated in the 1st form. That is, examples of the conductive material constituting the first conductive film 110 include a transparent conductive material or a paste-like conductive material such as silver. The transparent conductive material includes an inorganic material such as ITO, or a conductive polymer.
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料と異なるイオン化ポテンシャルが有するものが使用される。第１金属材料のイオン化ポテンシャルは、第１導電膜１１０を構成する導電材料のイオン化ポテンシャルより大きくてもよく、小さくてもよい。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
The second conductive film 130 includes a first metal material. Here, as the first metal material constituting the second conductive film 130, for example, a material having an ionization potential different from that of the conductive material constituting the first conductive film 110 is used. The ionization potential of the first metal material may be larger or smaller than the ionization potential of the conductive material constituting the first conductive film 110.
The second conductive film 130 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Further, as the first metal material constituting the second conductive film 130, the materials exemplified in the first embodiment can be used. That is, the first metal material is composed of one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, for example.
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２０８を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２０８を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２０８は、たとえばＴＥＭまたはＳＥＭ等を用いて観察可能である。
An intermediate region 208 having an ionization potential between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130 exists between the first conductive film 110 and the second conductive film 130. In this case, the second conductive film 130 has a portion bonded to the first conductive film 110 through the intermediate region 208. It is preferable that the second conductive film 130 does not have a portion that is joined to the first conductive film 110 without the intermediate region 208, that is, a portion that is in direct contact with the first conductive film 110. Note that the second conductive film 130 may have a portion in direct contact with the first conductive film 110.
The intermediate region 208 can be observed using, for example, a TEM or SEM.
中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有する。すなわち、第１導電膜１１０、中間領域２０８、第２導電膜１３０の順に、イオン化ポテンシャルの大きさが増大または減少していくこととなる。中間領域２０８、第１導電膜１１０、および第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルは、たとえばそれぞれを構成する材料によって設計することができる。
なお、中間領域２０８のイオン化ポテンシャルとは、たとえば中間領域２０８を構成する材料のイオン化ポテンシャルをさす。このため、本形態においては、中間領域２０８を構成する材料のイオン化ポテンシャルが、第１導電膜１１０を構成する導電材料のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０を構成する第１金属材料のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有することとなる。
The intermediate region 208 has an ionization potential having a magnitude between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130. That is, the magnitude of the ionization potential increases or decreases in the order of the first conductive film 110, the intermediate region 208, and the second conductive film 130. The ionization potentials of the intermediate region 208, the first conductive film 110, and the second conductive film 130 can be designed by, for example, the materials that constitute them.
Note that the ionization potential of the intermediate region 208 refers to, for example, the ionization potential of the material constituting the intermediate region 208. For this reason, in this embodiment, the ionization potential of the material constituting the intermediate region 208 is the ionization potential of the conductive material constituting the first conductive film 110 and the ionization potential of the first metal material constituting the second conductive film 130. It will have a size between.
本形態によれば、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する材料からなる第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間において、中間領域２０８が形成されている。また、中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する。この場合、第２導電膜１３０から第１導電膜１１０へのキャリア注入が促進される。すなわち、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の接触抵抗が低減されることとなる。したがって、互いに接合された第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接続信頼性を向上させることができる。
According to this embodiment, the intermediate region 208 is formed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 made of materials having different ionization potentials. The intermediate region 208 has an ionization potential between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130. In this case, carrier injection from the second conductive film 130 to the first conductive film 110 is promoted. That is, the contact resistance between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 is reduced. Therefore, the connection reliability between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 bonded to each other can be improved.
中間領域２０８は、たとえばホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含んでいる。これにより、第２導電膜１３０や第１導電膜１１０について発光装置を構成するための好適な材料を選択した場合においても、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有する中間領域２０８を容易に実現することができる。
ホール注入材料としては、たとえば正孔輸送性を有する化合物を使用することができる。本形態においては、ホール注入材料として、たとえば芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、またはオリゴチオフェン誘導体が挙げられる。
The intermediate region 208 includes one or more selected from, for example, a hole injection material, Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh. Accordingly, even when a suitable material for configuring the light emitting device is selected for the second conductive film 130 and the first conductive film 110, the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130 are determined. An intermediate region 208 having an ionization potential having a size in between can be easily realized.
As the hole injection material, for example, a compound having a hole transporting property can be used. In this embodiment, examples of the hole injection material include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and oligothiophene derivatives.
本形態においては、たとえば第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第３金属材料により中間領域２０８を構成することが好ましい。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、中間領域２０８が第２導電膜１３０に対し腐食防止膜として機能するため、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。
この場合、中間領域２０８は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上からなる金属材料により構成されることが好ましい。これにより、第２導電膜１３０について発光装置を構成するための好適な材料を選択した場合においても、第２導電膜１３０を構成する金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料により中間領域２０８を形成することが容易となる。
In the present embodiment, for example, it is preferable that the intermediate region 208 is made of a third metal material having a lower ionization tendency than the first metal material making up the second conductive film 130. Thereby, for example, even when the material such as the conductive polymer constituting the first conductive film 110 is acidic, the intermediate region 208 functions as a corrosion prevention film with respect to the second conductive film 130. It can suppress that the surface of 130 corrodes.
In this case, the intermediate region 208 is preferably made of a metal material composed of one or more selected from Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh. Accordingly, even when a suitable material for configuring the light emitting device is selected for the second conductive film 130, the intermediate region 208 is formed of a metal material having a lower ionization tendency than the metal material forming the second conductive film 130. Easy to do.
中間領域２０８は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２０８を塗布法により形成する場合には、ホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２０８が得られる。
塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２０８に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。このとき、中間領域２０８中にバインダ樹脂となる樹脂材料が含まれる場合には、中間領域２０８は、たとえば樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含む。また、中間領域２０８中にバインダ樹脂が含まれない場合には、中間領域２０８は、たとえば互いに融着した金属粒子を含む。バインダ樹脂となる樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
The intermediate region 208 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. When the intermediate region 208 is formed by a coating method, a coating solution containing one or more selected from hole injection material, Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh is applied and dried. By doing so, an intermediate region 208 is obtained.
Thereafter, the intermediate region 208 including the metal particles formed by the coating method may be sintered by heat treatment. At this time, when a resin material that becomes a binder resin is included in the intermediate region 208, the intermediate region 208 includes, for example, metal particles that are bound to each other through the resin material. Further, when the binder resin is not included in the intermediate region 208, the intermediate region 208 includes, for example, metal particles fused to each other. As the resin material that becomes the binder resin, for example, an epoxy resin can be used.
上述したとおり、第１導電膜１１０は、無機材料もしくは導電性高分子を含んでなる透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料により構成される。第２導電膜１３０は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される第１金属材料により構成される。中間領域２０８は、ホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、ＣｕまたはＲｈから選択される１種または２種以上により構成される。本形態においては、中間領域２０８が第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間の大きさを有するイオン化ポテンシャルを有するよう、第１導電膜１１０、中間領域２０８および第２導電膜１３０の材料をそれぞれ上記の中から適宜選択することが可能である。本形態に係る材料の組み合わせの一例として、第１導電膜１１０、中間領域２０８および第２導電膜１３０を、それぞれポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、Ａｕ、Ａｇにより構成することができる。
As described above, the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material containing an inorganic material or a conductive polymer, or a paste-like conductive material such as silver. The second conductive film 130 is a first metal composed of one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd. Consists of materials. The intermediate region 208 is composed of one or more selected from hole injection materials, Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh. In this embodiment, the first conductive film 110, the intermediate region 208, and the first conductive film 110 have an ionization potential having a magnitude between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130. The material of the two conductive films 130 can be appropriately selected from the above. As an example of the combination of materials according to the present embodiment, the first conductive film 110, the intermediate region 208, and the second conductive film 130 are made of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT-PSS), Au, respectively. , Ag.
中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２０８により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２０８の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２０８の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２０８の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２０８の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
The intermediate region 208 is formed so as to cover at least a part of the second conductive film 130, for example. The first conductive film 110 is formed on the substrate 100 so as to cover at least part of the portion of the second conductive film 130 covered by the intermediate region 208. For this reason, at least a part of the intermediate region 208 is disposed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110, and these are electrically connected.
The intermediate region 208 is provided in a layered manner on the second conductive film 130, for example. In this case, the film thickness of the intermediate region 208 formed on the second conductive film 130 is, for example, 1 nm or more and 10 μm or less. Thereby, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be sufficiently improved while suppressing an increase in cost due to the formation of the intermediate region 208. The shape of the intermediate region 208 is not limited to this, and may be provided in an island shape, for example.
図１５に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２０８が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２０８を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２０８が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２０８により覆われていてもよい。
In the example shown in FIG. 15, a layered intermediate region 208 is formed in part of the upper surface and part of the side surface of the second conductive film 130. The first conductive film 110 is bonded to the second conductive film 130 through the intermediate region 208. Note that the intermediate region 208 may be formed in the entire region of the second conductive film 130 other than the lower surface. Further, the entire surface of the second conductive film 130 may be covered with the intermediate region 208.
本形態においては、たとえば次のように第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２０８を形成する。中間領域２０８は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。中間領域２０８は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２０８を塗布法により形成する場合には、たとえばホール注入材料、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２０８が得られる。塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２０８に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。
In this embodiment, for example, a bonded structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed as follows.
First, the second conductive film 130 is formed over the substrate 100. The second conductive film 130 can be formed using the method exemplified in the first embodiment.
Next, the intermediate region 208 is formed on the second conductive film 130. The intermediate region 208 is formed so as to cover a part of the second conductive film 130, for example. The intermediate region 208 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. When the intermediate region 208 is formed by a coating method, for example, a coating liquid containing one or more selected from hole injection material, Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh is applied, and this is applied. By drying, an intermediate region 208 is obtained. Thereafter, the intermediate region 208 including the metal particles formed by the coating method may be sintered by heat treatment.
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２０８により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、中間領域２０８は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の間において、これらを接続するように設けられることとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
Next, a first conductive film 110 is formed over the substrate 100. The first conductive film 110 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it. For example, the first conductive film 110 is formed so as to cover at least a part of the portion of the second conductive film 130 covered by the intermediate region 208. At this time, the intermediate region 208 is provided between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 so as to connect them. The first conductive film 110 may be formed by applying a paste-like conductive material such as silver on the substrate 100 and drying it.
In the present embodiment, for example, in this way, the bonding structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed.
以上、本形態によれば、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する材料からなる第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間において、中間領域２０８が形成されている。また、中間領域２０８は、第１導電膜１１０のイオン化ポテンシャルと第２導電膜１３０のイオン化ポテンシャルの間のイオン化ポテンシャルを有する。この場合、第２導電膜１３０から第１導電膜１１０へのキャリア注入が促進される。すなわち、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の接触抵抗が低減されることとなる。したがって、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the intermediate region 208 is formed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 made of materials having different ionization potentials. The intermediate region 208 has an ionization potential between the ionization potential of the first conductive film 110 and the ionization potential of the second conductive film 130. In this case, carrier injection from the second conductive film 130 to the first conductive film 110 is promoted. That is, the contact resistance between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 is reduced. Therefore, the connection reliability between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be improved.
In addition, a light emission including a first wiring 114 connected to the first electrode 112 configuring the organic EL element 20 and configured by the first conductive film 110 and an extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130. The device 10 can be realized. Furthermore, the light emitting device 12 including the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 can also be realized. In any of these, the connection reliability between the first electrode 112 and the lead-out wiring 134 can be improved. Accordingly, it is possible to improve the operational reliability of the light emitting device.
（第５の形態）
図１６は、第５の形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の構成の一例を示す図である。
(5th form)
FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a configuration of the bonding structure 200 including the first conductive film 110 and the second conductive film 130 according to the fifth embodiment.
第５の形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、第１金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域２１０が存在している。
In the bonding structure 200 according to the fifth embodiment, a first conductive film 110 made of a conductive material and a second conductive film 130 made of a first metal material are bonded to each other. Between the 1st electrically conductive film 110 and the 2nd electrically conductive film 130, the intermediate | middle area | region 210 comprised with the 4th metal material whose ionization tendency is lower than a 1st metal material exists.
本形態に係る接合構造２００は、発光装置１０に適用することが可能である。本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００の構成を除いて第１の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
すなわち、本形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
The bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 10. The light emitting device 10 according to this embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 10 according to this embodiment has the joint structure 200. The light emitting device 10 includes an organic EL element 20, a first wiring 114, and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. The first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 and is configured by the first conductive film 110. The lead-out wiring 134 is joined to the first wiring 114 and is configured by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first wiring 114 constituted by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 constituted by the second conductive film 130.
また、本形態に係る接合構造２００は、発光装置１２にも適用することが可能である。本形態に係る発光装置１２は、接合構造２００の構成を除いて第２の形態に係る発光装置１２と同様の構成を有する。
すなわち、発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。このとき、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、の間において接合構造２００が形成されることとなる。
Further, the bonding structure 200 according to this embodiment can be applied to the light emitting device 12. The light emitting device 12 according to the present embodiment has the same configuration as that of the light emitting device 12 according to the second embodiment except for the configuration of the bonding structure 200.
In other words, the light emitting device 12 has the joint structure 200. The light emitting device 12 includes the organic EL element 20 and a lead wiring 134. The organic EL element 20 includes a first electrode 112 configured by the first conductive film 110, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. doing. The lead wiring 134 is joined to the first electrode 112 and is constituted by the second conductive film 130. At this time, the junction structure 200 is formed between the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130.
以下、本形態に係る接合構造２００の構成の一例につき詳細に説明する。
Hereinafter, an example of the configuration of the bonding structure 200 according to this embodiment will be described in detail.
接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。
The junction structure 200 constitutes a light emitting device including, for example, an organic EL element.
本形態の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線および第１配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
The light-emitting device according to an example of this embodiment includes, for example, an organic EL element, a first wiring that is electrically connected to an electrode that constitutes the organic EL element, and a lead wiring that is electrically connected to the first wiring. At this time, an electrical signal for controlling light emission / non-light emission from the outside is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring and the first wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the 1st wiring connected to the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the first wiring and the lead-out wiring.
本形態の他の一例に係る発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する引出配線と、を備える。有機ＥＬ素子を構成する電極には、引出配線を介して外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
この例において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
A light-emitting device according to another example of this embodiment includes, for example, an organic EL element and a lead-out wiring that is electrically connected to an electrode constituting the organic EL element. An electrical signal for controlling light emission / non-light emission is supplied to the electrodes constituting the organic EL element from the outside via the lead wiring.
In this example, the 1st electrically conductive film 110 among the junction structures 200 comprises the electrode which comprises an organic EL element, for example. In addition, the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the electrode constituting the organic EL element and the lead wiring.
第１導電膜１１０は、導電材料を含んで構成される。
本形態における第１導電膜１１０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第１導電膜１１０を構成する導電材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。また、透明導電材料は、たとえばＩＴＯ等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
The first conductive film 110 includes a conductive material.
The first conductive film 110 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Moreover, the conductive material which comprises the 1st electrically conductive film 110 can use what was illustrated in the 1st form. That is, examples of the conductive material constituting the first conductive film 110 include a transparent conductive material or a paste-like conductive material such as silver. The transparent conductive material includes an inorganic material such as ITO, or a conductive polymer.
第２導電膜１３０は、第１金属材料を含んで構成される。
本形態における第２導電膜１３０は、たとえば第１の形態と同様の構成を有する。また、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料は、第１の形態において例示したものを用いることができる。すなわち、第１金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕおよびＰｄからなる群から選択される１種または２種以上により構成される。
The second conductive film 130 includes a first metal material.
The second conductive film 130 in this embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment, for example. Further, as the first metal material constituting the second conductive film 130, the materials exemplified in the first embodiment can be used. That is, the first metal material is composed of one or more selected from the group consisting of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd, for example.
第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間には、第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される中間領域２１０が存在している。この場合、第２導電膜１３０は、中間領域２１０を介して第１導電膜１１０と接合する部分を有することとなる。第２導電膜１３０は、中間領域２１０を介さずに第１導電膜１１０と接合する部分、すなわち第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していないことが好ましい。なお、第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と直接接触する部分を有していてもよい。
なお、中間領域２１０は、たとえばＳＥＭ等を用いて観察可能である。
Between the 1st electrically conductive film 110 and the 2nd electrically conductive film 130, the intermediate | middle area | region 210 comprised with the 4th metal material whose ionization tendency is lower than a 1st metal material exists. In this case, the second conductive film 130 has a portion bonded to the first conductive film 110 through the intermediate region 210. It is preferable that the second conductive film 130 does not have a portion that is joined to the first conductive film 110 without passing through the intermediate region 210, that is, a portion that is in direct contact with the first conductive film 110. Note that the second conductive film 130 may have a portion in direct contact with the first conductive film 110.
The intermediate region 210 can be observed using, for example, an SEM.
本形態において、中間領域２１０は、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。したがって、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接続信頼性を向上させることができる。
In this embodiment, the intermediate region 210 is made of a fourth metal material having a lower ionization tendency than the first metal material constituting the second conductive film 130. Thereby, for example, even when the material such as the conductive polymer constituting the first conductive film 110 is acidic, the surface of the second conductive film 130 can be prevented from corroding. Therefore, the connection reliability between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 can be improved.
中間領域２１０を構成する第４金属材料は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上により構成されることが好ましい。これにより、第２導電膜１３０に好適な材料を用いた場合においても、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い金属材料により中間領域２１０を形成することが容易となる。
The fourth metal material constituting the intermediate region 210 is preferably composed of one or more selected from Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh. Thus, even when a suitable material is used for the second conductive film 130, it is easy to form the intermediate region 210 with a metal material having a lower ionization tendency than the first metal material constituting the second conductive film 130. Become.
中間領域２１０は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２１０を塗布法により形成する場合には、たとえばＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２１０が得られる。
なお、塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２１０に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。このとき、中間領域２１０中にバインダ樹脂となる樹脂材料が含まれる場合には、中間領域２１０は樹脂材料を介して互いに結着した金属粒子を含むこととなる。また、中間領域２１０中にバインダ樹脂が含まれない場合には、中間領域２１０は互いに融着した金属粒子を含むこととなる。バインダ樹脂となる樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
The intermediate region 210 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. When the intermediate region 210 is formed by a coating method, for example, a coating solution containing one or more selected from Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh is applied and dried. An intermediate region 210 is obtained.
Note that the intermediate region 210 including the metal particles formed by the coating method may be subsequently subjected to a sintering process by heat treatment. At this time, when the intermediate region 210 includes a resin material that becomes a binder resin, the intermediate region 210 includes metal particles bound to each other through the resin material. Further, when the binder resin is not included in the intermediate region 210, the intermediate region 210 includes metal particles fused to each other. As the resin material that becomes the binder resin, for example, an epoxy resin can be used.
中間領域２１０は、たとえば第２導電膜１３０のうちの少なくとも一部を覆うように形成される。そして、第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０のうち中間領域２１０により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように基板１００上に形成される。このため、中間領域２１０の少なくとも一部は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間に配置され、これらを電気的に接続することとなる。
中間領域２１０は、たとえば第２導電膜１３０上に層状に設けられる。この場合、第２導電膜１３０上に形成される中間領域２１０の膜厚は、たとえば１ｎｍ以上１０μｍ以下である。これにより、中間領域２１０の形成に起因したコストの増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を十分に向上できる。なお、中間領域２１０の形状はこれに限定されず、たとえば島状に設けられていてもよい。
The intermediate region 210 is formed so as to cover at least a part of the second conductive film 130, for example. The first conductive film 110 is formed on the substrate 100 so as to cover at least part of the portion of the second conductive film 130 covered with the intermediate region 210. For this reason, at least a part of the intermediate region 210 is disposed between the second conductive film 130 and the first conductive film 110, and these are electrically connected.
The intermediate region 210 is provided in a layered manner on the second conductive film 130, for example. In this case, the film thickness of the intermediate region 210 formed on the second conductive film 130 is, for example, not less than 1 nm and not more than 10 μm. Thereby, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be sufficiently improved while suppressing an increase in cost due to the formation of the intermediate region 210. In addition, the shape of the intermediate | middle area | region 210 is not limited to this, For example, you may be provided in island shape.
図１６に示す例では、第２導電膜１３０のうち、上面の一部と、側面の一部と、に層状の中間領域２１０が形成される。そして、第１導電膜１１０は、この中間領域２１０を介して第２導電膜１３０へ接合されている。なお、第２導電膜１３０のうち下面以外の全域に中間領域２１０が形成されていてもよい。さらに、第２導電膜１３０の全面が中間領域２１０により覆われていてもよい。
In the example shown in FIG. 16, a layered intermediate region 210 is formed in a part of the upper surface and a part of the side surface of the second conductive film 130. The first conductive film 110 is bonded to the second conductive film 130 through the intermediate region 210. Note that the intermediate region 210 may be formed in the entire region of the second conductive film 130 other than the lower surface. Further, the entire surface of the second conductive film 130 may be covered with the intermediate region 210.
本形態においては、たとえば次のように第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、第１の形態において例示された方法を用いて形成することができる。
次に、第２導電膜１３０上に中間領域２１０を形成する。中間領域２１０は、たとえば塗布法、スパッタリング法、または蒸着法を用いて形成される。中間領域２１０を塗布法により形成する場合には、たとえばＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、またはＲｈから選択される１種または２種以上を含む塗布液を塗布し、これを乾燥することにより中間領域２１０が得られる。塗布法により形成された金属粒子を含む中間領域２１０に対しては、その後、熱処理によって焼結処理が行われてもよい。
In this embodiment, for example, a bonded structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed as follows.
First, the second conductive film 130 is formed over the substrate 100. The second conductive film 130 can be formed using the method exemplified in the first embodiment.
Next, the intermediate region 210 is formed on the second conductive film 130. The intermediate region 210 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method. When the intermediate region 210 is formed by a coating method, for example, a coating solution containing one or more selected from Ag, Pd, Pt, Au, Cu, or Rh is applied and dried. An intermediate region 210 is obtained. Thereafter, the intermediate region 210 including the metal particles formed by the coating method may be sintered by heat treatment.
次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうち中間領域２１０により覆われた部分の少なくとも一部を覆うように形成される。このとき、中間領域２１０は、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０の間において、これらを接続するように設けられることとなる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
本形態においては、たとえばこのようにして、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成されることとなる。
Next, a first conductive film 110 is formed over the substrate 100. The first conductive film 110 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it. For example, the first conductive film 110 is formed so as to cover at least a part of the second conductive film 130 covered with the intermediate region 210. At this time, the intermediate region 210 is provided between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 so as to connect them. The first conductive film 110 may be formed by applying a paste-like conductive material such as silver on the substrate 100 and drying it.
In the present embodiment, for example, in this way, the bonding structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed.
以上、本形態によれば、中間領域２１０は、第２導電膜１３０を構成する第１金属材料よりもイオン化傾向が低い第４金属材料により構成される。これにより、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電性高分子等の材料が酸性である場合においても、第２導電膜１３０の表面が腐食してしまうことを抑制することができる。したがって、互いに接合される第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接続信頼性を向上させることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。さらに、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することもできる。これらのいずれにおいても、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。したがって、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the intermediate region 210 is made of the fourth metal material having a lower ionization tendency than the first metal material constituting the second conductive film 130. Thereby, for example, even when the material such as the conductive polymer constituting the first conductive film 110 is acidic, the surface of the second conductive film 130 can be prevented from corroding. Therefore, the connection reliability between the second conductive film 130 and the first conductive film 110 that are bonded to each other can be improved.
In addition, a light emission including a first wiring 114 connected to the first electrode 112 configuring the organic EL element 20 and configured by the first conductive film 110 and an extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130. The device 10 can be realized. Furthermore, the light emitting device 12 including the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 can also be realized. In any of these, the connection reliability between the first electrode 112 and the lead-out wiring 134 can be improved. Accordingly, it is possible to improve the operational reliability of the light emitting device.
以下、実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to examples. In addition, embodiment is not limited to description of these Examples at all.
（実施例１）
まず、ガラス基板上に、銀からなる金属膜を、スパッタリング法を用いて形成した。次いで、この金属膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第２導電膜を形成した。次いで、第２導電膜に対しオゾン処理を、ＵＶランプ照射の条件下において行った。これにより、第２導電膜表面に、酸化銀および水酸化銀を含む皮膜を形成した。次いで、第２導電膜表面に対し、水素プラズマを用いてプラズマ処理を行った。これにより、第２導電膜上の皮膜の表層部分を除去して、当該皮膜を薄化した。次いで、透明導電材料含有塗布液をガラス基板上にライン状に塗布し、これを乾燥して第１導電膜を形成した。このとき、第１導電膜が、第２導電膜の一部を覆うように、上記塗布液を塗布した。ここで、上記塗布液としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ＣＬＥＶＩＯＳ ＰＨ５１０（Ｈｅｒａｅｕｓ社製））と、皮膜反応剤として塩酸と、を溶剤中へ分散して得られる溶液を使用した。これにより、第１導電膜と、第２導電膜と、からなる構造体を作製した。
このようにして得られた構造体を、第１の形態に係る発光装置に適用した。
(Example 1)
First, a metal film made of silver was formed on a glass substrate by a sputtering method. Next, this metal film was patterned into a line shape by dry etching to form a second conductive film. Next, ozone treatment was performed on the second conductive film under the conditions of UV lamp irradiation. As a result, a film containing silver oxide and silver hydroxide was formed on the surface of the second conductive film. Next, plasma processing was performed on the surface of the second conductive film using hydrogen plasma. Thereby, the surface layer part of the film | membrane on a 2nd electrically conductive film was removed, and the said film | membrane was thinned. Next, a transparent conductive material-containing coating solution was applied in a line shape on a glass substrate and dried to form a first conductive film. At this time, the said coating liquid was apply | coated so that a 1st electrically conductive film might cover a part of 2nd electrically conductive film. Here, as the coating liquid, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT-PSS, CLEVIOS PH510 (manufactured by Heraeus)) and hydrochloric acid as a film reactant are dispersed in a solvent. The resulting solution was used. Thereby, the structure which consists of a 1st electrically conductive film and a 2nd electrically conductive film was produced.
The structure thus obtained was applied to the light emitting device according to the first embodiment.
実施例１では、第２導電膜のうち第１導電膜から露出した露出面には、酸化銀および水酸化銀を含む第１皮膜が存在していた。また、第２導電膜のうち第１導電膜に覆われた被覆面には、第１皮膜よりも薄く、かつ酸化銀および水酸化銀を含む第２皮膜が存在していた。実施例１においては、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れていた。
In Example 1, the 1st membrane | film | coat containing silver oxide and silver hydroxide existed in the exposed surface exposed from the 1st electrically conductive film among 2nd electrically conductive films. Moreover, the 2nd membrane | film | coat which is thinner than a 1st membrane | film | coat and contains silver oxide and silver hydroxide existed in the coating surface covered with the 1st electrically conductive film among 2nd electrically conductive films. In Example 1, the connection reliability between the first conductive film and the second conductive film was excellent when a current was passed between the first conductive film and the second conductive film for a long time.
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
