JP2016181607A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】搭載部材と、搭載部材側に凸に反った半導体チップとをはんだ接合してなる半導体装置において、放熱性及び接続信頼性を確保すること。【解決手段】ヒートシンク１１と、ヒートシンクとの対向面１２ａに金属層１３を有するとともにヒートシンク側に凸に反った半導体チップ１２とを、準備する。半導体チップ１２は、中心Ｃ１を含む中央領域１２ａ１と、中央領域１２ａ１を取り囲む１２ａ２とを有する。準備工程後、半導体チップの中央領域１２ａ１に第１はんだ１５ａを配置し、ヒートシンク１１における外周領域に対応する部分に、第２はんだ１５ｂを第１はんだよりも厚く、且つ、中央領域を取り囲むように配置する。そして、ヒートシンク上に半導体チップを配置し、溶融した第１はんだ及び第２はんだにより、金属層とヒートシンクとを接合する。【選択図】図９

Description

本発明は、搭載部材と、搭載部材との対向面に金属層を有し、搭載部材側に凸に反った半導体チップと、金属層と搭載部材とを接合するはんだと、を備える半導体装置及びその製造方法に関する。

特許文献１には、搭載部材と、搭載部材との対向面に金属層を有し、搭載部材側に凸に反った半導体チップと、金属層と搭載部材とを接合するはんだと、を備える半導体装置が示されている。

特開平１０−１９９９００号公報

ところで、半導体チップの中心付近は、半導体チップに形成された素子の駆動により、半導体チップの周辺部分よりも温度が高くなる。このため、半導体チップの中心付近については、半導体チップから搭載部材へ効率よく放熱させるためにはんだ厚を薄くしたい。一方、半導体チップの端部には応力が集中するため、はんだ厚を厚くしたい。すなわち、半導体チップの中心を含む半導体チップの中央領域に対応するはんだ厚を薄くし、中央領域を取り囲む半導体チップの外周領域に対応するはんだ厚については、中央領域よりも厚くしたい。

しかしながら、従来の構成では、半導体装置を形成する際に、溶融したはんだが、搭載部材側に凸に反った半導体チップに押され、中央領域から外周領域へはんだが大きく流動する。この流動にともなって半導体チップに傾きが生じる虞がある。たとえば、押されたはんだが外周領域全周において同様に拡がればよいが、拡がりに偏りがあると、半導体チップに傾きが生じる。半導体チップに傾きが生じると、中央領域のはんだ厚が所望の厚さよりも厚くなり、放熱性を確保できない虞がある。また、外周領域のはんだ厚が所望の厚さよりも薄くなり、接続信頼性（はんだ寿命）を確保できない虞がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、搭載部材と、搭載部材側に凸に反った半導体チップとをはんだ接合してなる半導体装置において、放熱性及び接続信頼性を確保することを目的とする。

ここに開示される発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。

開示された発明のひとつは、搭載部材（１１）と、搭載部材との対向面（１２ａ）に金属層（１３）を有するとともに搭載部材側に凸に反った半導体チップ（１２）とを、はんだ（１５）により接合し、半導体チップの中心（Ｃ１）を含む半導体チップの中央領域（１２ａ１）に対応するはんだ厚が、中央領域を取り囲む半導体チップの外周領域（１２ａ２）に対応するはんだ厚よりも薄い半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、搭載部材と、凸に反った半導体チップを準備する準備工程と、準備工程後、半導体チップ及び搭載部材の一方に、はんだを構成する第１はんだ（１５ａ）を中央領域に対応して配置するとともに、他方に、第１はんだとともにはんだを構成する第２はんだ（１５ｂ）を、外周領域に対応しつつ中央領域を取り囲むように、第１はんだよりも厚く配置し、この配置状態で、溶融した第１はんだ及び第２はんだにより、金属層と搭載部材とを接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。

これによれば、搭載部材と半導体チップの金属層の一方に第１はんだを配置し、他方に第２はんだを配置するため、搭載部材と金属層とを接合するまで、第１はんだと第２はんだを分けておくことができる。また、はんだ厚を薄くしたい中央領域には、第２はんだよりも薄い第１はんだを配置し、はんだ厚を厚くしたい外周領域には、第１はんだよりも厚い第２はんだを配置する。したがって、従来に較べて、溶融したはんだ（第１はんだ及び第２はんだ）の流動を抑制することができる。これにより、半導体チップの傾きを抑制し、放熱性と接続信頼性（はんだ寿命）を確保することができる。

開示された他の発明のひとつは、準備工程では、半導体チップ及び搭載部材の少なくとも一方における中央領域と外周領域との境界部分に、第１はんだ及び第２はんだの流動を抑制するための流動抑制部を形成することを特徴とする。

これによれば、流動抑制部によって、はんだ（第１はんだ及び第２はんだ）の流動を効果的に抑制することができる。

開示された他の発明のひとつは、搭載部材（１１）と、搭載部材との対向面（１２ａ）に金属層（１３）を有するとともに搭載部材側に凸に反った半導体チップ（１２）とを、はんだ（１５）により接合し、半導体チップの中心（Ｃ１）を含む半導体チップの中央領域（１２ａ１）に対応するはんだ厚が、中央領域を取り囲む半導体チップの外周領域（１２ａ２）に対応するはんだ厚よりも薄い半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、搭載部材と、凸に反った半導体チップを準備する準備工程と、準備工程後、はんだを構成する第１はんだ（１５ａ）を中央領域に対応して配置するとともに、第１はんだとともにはんだを構成する第２はんだ（１５ｂ）を、外周領域に対応しつつ中央領域を取り囲むように、第１はんだよりも厚く配置し、この配置状態で、溶融した第１はんだ及び第２はんだにより、金属層と搭載部材とを接合する接合工程と、を備え、準備工程では、半導体チップ及び搭載部材の少なくとも一方における中央領域と外周領域との境界部分に、第１はんだ及び第２はんだの流動を抑制するための流動抑制部を形成し、接合工程では、半導体チップ及び搭載部材のうちの流動抑制部がされた一方に、第１はんだと第２はんだをまとめて配置することを特徴とする。

本発明によれば、半導体チップ及び搭載部材の一方に、第１はんだと第２はんだをまとめて配置しても、流動抑制部によって、第１はんだと第２はんだを配置する際に一体化するのを抑制することができる。このため、搭載部材と半導体チップの金属層を接合する時点で、第１はんだと第２はんだは離れており、搭載部材と金属層とを接合するまで、所定の厚みの関係を維持できる。したがって、上記した他の発明同様、半導体チップの傾きを抑制し、放熱性と接続信頼性（はんだ寿命）を確保することができる。

第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。 図１のII-II線に沿う断面図である。 半導体チップの概略構成を示す平面図である。 図３のIV-IV線に沿う断面図である。 半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。 図５のVI-VI線に沿う断面図である。 半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。 図７のVIII-VIII線に沿う断面図である。 半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。 第１変形例を示す断面図である。 第２実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。 半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。 半導体装置の概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。 図１４のXV-XV線に沿う断面図である。 半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。 半導体装置の概略構成を示す断面図である。 第２変形例を示す平面図である。 第３変形例を示す平面図である。 図１９のXX-XX線に沿う断面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、ヒートシンクの一面に直交する方向、換言すればヒートシンクと半導体チップとの積層方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交し、平面矩形状をなす半導体チップの一辺に沿う方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断わりのない限り、上記したＸ方向及びＹ方向により規定されるＸＹ平面に沿う形状、すなわちＺ方向から見た形状を平面形状とする。

（第１実施形態）
先ず、図１〜図４に基づき、半導体装置の概略構成について説明する。

図１及び図２に示すように、半導体装置１０は、ヒートシンク１１と、半導体チップ１２と、はんだ１５と、を備えている。ヒートシンク１１が、搭載部材に相当する。ヒートシンク１１は金属材料を用いて形成され、半導体チップ１２の後述する金属層１３とはんだ１５により接合される。したがって、ヒートシンク１１は、半導体チップ１２の熱を放熱する放熱部材として機能する。本実施形態では、金属層１３が電極であるため、半導体チップ１２と電気的に接続されて配線としての機能も果たす。

図１〜図４に示すように、半導体チップ１２は、シリコンなどの半導体基板に、素子が形成されている。本実施形態では、パワートランジスタ素子、その一例として絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が形成されている。ＩＧＢＴは、Ｚ方向に電流が流れるように所謂縦型構造をなしている。このため、半導体チップ１２は、Ｚ方向両面に電極として機能する金属層１３，１４を有している。

半導体チップ１２におけるヒートシンク１１との対向面１２ａには、ＩＧＢＴのコレクタ電極をなす金属層１３が形成されている。この金属層１３は、基板側からＡｌＳｉ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕの順で積層された４層構造をなしている。金属層１３を構成する各層は、スパッタにより形成されている。一方、対向面１２ａと反対の面に形成された金属層１４は、基板側からＡｌＳｉ、ＮｉＰ、Ａｕの順で積層された３層構造をなしている。また、ＡｌＳｉ層のみがスパッタにより形成され、ＮｉＰ層及びＡｕ層は、めっきにより形成されている。

図３及び図４に示すように、対向面１２ａは、半導体チップ１２の中心Ｃ１を含む中央領域１２ａ１と、中央領域１２ａ１を取り囲むとともに対向面１２ａの外周端側の領域である外周領域１２ａ２と、中央領域１２ａ１と外周領域１２ａ２との間の境界領域１２ａ３と、を有している。金属層１３は、対向面１２ａの全面に形成されている。中央領域１２ａ１は、平面略正方形をなしており、正方形をなす隣り合う２辺の一方がＸ方向に沿い、他方がＹ方向に沿っている。外周領域１２ａ２と境界領域１２ａ３は、ともに矩形環状をなしている。

金属層１３は、はんだ１５によりヒートシンク１１と接合されている。はんだ１５は、溶融接合を提供し、金属層１３とヒートシンク１１とを接合する。金属層１３とヒートシンク１１との間に溶融状態のはんだ１５を介在することで、金属層１３とヒートシンク１１とが接合されている。溶融接合としては、たとえば、リフローやソルダダイボンダなどがある。

さらに金属層１３には、対向面１２ａの境界領域１２ａ３に対応して形成され、はんだ１５による接合時において、溶融状態のはんだ１５が中央領域１２ａ１と外周領域１２ａ２との間で流動するのを抑制する流動抑制部が形成されている。本実施形態では、流動抑制部の一例として、金属層１３における境界領域１２ａ３の部分に、金属層１３の一部を除去してなる溝部１６が形成されている。上記したように、金属層１３は、はんだ１５に対する濡れ性に優れた金属からなる表層を有している。具体的には、Ａｕ層を有している。溝部１６は、少なくともＡｕ層を部分的に除去することで形成されている。溝部１６は、金属層１３を厚み方向に一部分のみ除去することで形成されている。この溝部１６が低濡れ部に相当する。

溝部１６は、境界領域１２ａ３の少なくとも一部に形成されている。好ましくは、中央領域１２ａ１を取り囲むように境界領域１２ａ３に形成されるとよい。本実施形態では、図１及び図３に示すように、境界領域１２ａ３の全域が溝部１６とされている。すなわち、溝部１６が、中央領域１２ａ１を取り囲むように環状に形成されている。

図２に示すように、半導体チップ１２は、ヒートシンク１１に接合した状態で、ヒートシンク１１側に凸に反っている。また、図４に示すように、半導体チップ１２は、ヒートシンク１１に接合する前の状態で、ヒートシンク１１側に凸に反っている。換言すれば、ヒートシンク１１に接合される金属層１３に凸に反っている。本実施形態では、上記したように、金属層１４が、めっきにより形成されたＮｉＰ層及びＡｕ層を含んでいる。このため、半導体チップ１２を形成する際のアニール工程での加熱により、ＮｉＰ層及びＡｕ層が密となり、冷却される過程で半導体チップ１２に上記した反りが生じる。

そして、ヒートシンク１１と半導体チップ１２の対向面１２ａとの間に介在するはんだ１５のＺ方向の厚みは、以下のようになっている。図２に示すように、半導体チップの中央領域１２ａ１に対応するはんだ厚は、外周領域１２ａ２に対応するはんだ厚よりも薄くなっている。理想的には、中心Ｃ１におけるはんだ厚が最も薄く、ＸＹ平面において中心Ｃ１から遠ざかるほどはんだ厚が厚くなっている。溝部１６内にもはんだ１５が配置されている。

次に、図５〜図９に基づき、上記した半導体装置１０の製造方法について説明する。本実施形態では、リフロー接合の例を示す。図５及び図７では、明確化のために、後述する第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂにハッチングを施している。

先ず、準備工程を実施する、準備工程では、ヒートシンク１１と、図３及び図４に示したように、凸に反るとともに金属層１３に溝部１６の形成された半導体チップ１２を準備する。スパッタにより４層構造の金属層１３を形成した後、表層のＡｕ層のうち、境界領域１２ａ３の部分をエッチングにより除去して、溝部１６を形成する。凸の反りについては、上記したように、アニール工程後の冷却により形成される。

次いで、接合工程を実施する。本実施形態では、図５及び図６に示すように、半導体チップ１２の対向面１２ａ、すなわち金属層１３上であって、溝部１６により囲まれた中央領域１２ａ１に、第１はんだ１５ａを配置する。第１はんだ１５ａは、中央領域１２ａ１の少なくとも一部に配置されればよい。本実施形態では、中央領域１２ａ１のほぼ全域に、第１はんだ１５ａを配置する。

また、図７及び図８に示すように、ヒートシンク１１における半導体チップ１２の搭載面上であって、Ｚ方向からの投影視において外周領域１２ａ２に対応する部分（重なる部分）に、第２はんだ１５ｂを配置する。第２はんだ１５ｂは、上記した第１はんだ１５ａとともに、はんだ１５を構成する。第２はんだ１５ｂは、Ｚ方向からの投影視において、外周領域１２ａ２に対応しつつ、中央領域１２ａ１を取り囲むように配置される。本実施形態では、外周領域１２ａ２のほぼ全域に、第２はんだ１５ｂを配置する。すなわち、中央領域１２ａ１を連続して取り囲むように、第２はんだ１５ｂを環状に配置する。また、第２はんだ１５ｂとして、第１はんだ１５ａと同じ組成のはんだを用いる。

第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂの配置においては、第２はんだ１５ｂの厚みが、第１はんだ１５ａの厚みよりも厚くなるように、それぞれを配置する。第１はんだ１５ａの厚みは、中央領域１２ａ１に必要なはんだ量に所定のマージンを加味して決定される。第２はんだ１５ｂの厚みは、外周領域１２ａ２に必要なはんだ量に所定のマージンを加味して決定される。なお、マージンは、境界領域１２ａ３に必要なはんだ量である。このはんだ量は、中央領域１２ａ１に必要なはんだ量や、外周領域１２ａ２に必要なはんだ量に較べると極わずかである。

はんだ１５ａ，１５ｂの配置後、図９に示すように、半導体チップ１２をヒートシンク１１上に配置する。このとき、対向面１２ａがヒートシンク１１と対向し、且つ、Ｚ方向からの投影視において、外周領域１２ａ２内に第２はんだ１５ｂが位置するように、位置決めしつつ配置する。本実施形態では、この状態で、第２はんだ１５ｂが半導体チップ１２の外周領域１２ａ２に接触する。一方、第１はんだ１５ａとヒートシンク１１との間には隙間がある。このように、第２はんだ１５ｂによって半導体チップ１２がヒートシンク１１上に支持される。

なお、半導体チップ１２の反りによっては、第２はんだ１５ｂの厚みが、第１はんだ１５ａの厚みよりも厚い関係を満たしつつ、第１はんだ１５ａがヒートシンク１１に接触し、且つ、第２はんだ１５ｂが外周領域１２ａ２に接触してもよい。また、第１はんだ１５ａがヒートシンク１１に接触し、且つ、第２はんだ１５ｂと外周領域１２ａ２との間に隙間を有してもよい。

そして、この配置状態で、溶融した第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂにより、金属層１３とヒートシンク１１とを接合する。本実施形態では、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂをリフローし、金属層１３とヒートシンク１１とを接合する。リフローにより、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂは一体化し、はんだ１５を形成する。以上により、図１及び図２に示す半導体装置１０を得ることができる。

次に、本実施形態の半導体装置１０及びその製造方法の効果について説明する。

上記したように、半導体チップ１２の中央領域１２ａ１に第１はんだ１５ａを配置し、ヒートシンク１１における外周領域１２ａ２に対応する部分に、第２はんだ１５ｂを配置する。また、第２はんだ１５ｂの厚みが、第１はんだ１５ａの厚みよりも厚くなるように、それぞれを配置する。このように、はんだ厚を薄くしたい中央領域１２ａ１には、第２はんだ１５ｂよりも薄く第１はんだ１５ａを配置し、はんだ厚を厚くしたい外周領域１２ａ２には、第１はんだ１５ａよりも厚く第２はんだ１５ａｂを配置する。半導体チップ１２に第１はんだ１５ａを配置し、ヒートシンク１１に第２はんだを配置するため、リフローするまで、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂを分けておくことができる。すなわち、上記した厚みの関係を保持することができる。このため、従来に較べて、溶融したはんだ１５（第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂ）の流動を抑制することができる。これにより、接合時において、半導体チップ１２に傾きが生じるのを抑制することができる。

半導体チップ１２の傾きを抑制できるため、中央領域１２ａ１のはんだ厚が薄くなる。これにより、素子の駆動で高温となる半導体チップの中心Ｃ１付近の熱を、効率よくヒートシンク１１に逃がすことができる。すなわち、半導体チップ１２の放熱性を確保することができる。また、外周領域１２ａ２のはんだ厚が厚くなるため、半導体チップ１２の外周端部に応力が集中しても、はんだ１５の接続信頼性（はんだ寿命）を確保することができる。

特に本実施形態において、第１はんだ１５ａは、半導体チップ１２の反りに応じて、中央領域１２ａ１に必要な量が配置されている。このため、溶融した第１はんだ１５ａは、そのほとんどが中央領域１２ａ１内に留まり、中央領域１２ａ１から外周領域１２ａ２に向けての大きな流動は生じない。同じく、第２はんだ１５ｂは、半導体チップ１２の反りに応じて、外周領域１２ａ２に必要な量が配置されている。このため、溶融した第２はんだ１５ｂは、そのほとんどが外周領域１２ａ２内に留まり、外周領域１２ａ２から中央領域１２ａ１に向けての大きな流動は生じない。このため、溶融したはんだ１５（第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂ）の流動により、半導体チップ１２に傾きが生じるのを、効果的に抑制することができる。

さらに本実施形態では、上記したように、半導体チップ１２の金属層１３には、溝部１６が形成されている。溝部１６は、表層のＡｕ層を除去してなるため、Ａｕ層が除去されない部分に較べて、溶融したはんだ１５（第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂ）に対する濡れ性が低くなっている。このような溝部１６が、中央領域１２ａ１と外周領域１２ａ２との間に形成されているため、溶融した第１はんだ１５ａは、外周領域１２ａ２側に濡れ拡がりにくく、溶融したはんだ１５ｂは、中央領域１２ａ１側に濡れ拡がりにくい。これによっても、溶融した第１はんだ１５ａの外周領域１２ａ２に向けての流動、及び、溶融した第２はんだ１５ｂの中央領域１２ａ１に向けての流動を抑制できる。すなわち、半導体チップ１２に傾きが生じるのを、より効果的に抑制することができる。なお、溝部１６は、Ａｕ層が除去されない部分に較べて、溶融したはんだ１５に対する濡れ性が低いものの、濡れないわけではない。したがって、リフロー時において、最終亭には、溝部１６内にも溶融したはんだ１５が配置される。

本実施形態では、ヒートシンク１１の外周領域１２ａ２に対応する部分に第２はんだ１５ｂを配置し、半導体チップ１２の中央領域１２ａ１に第１はんだ１５ａを配置する例を示した。しかしながら、図１０に示す第１変形例のように、ヒートシンク１１の中央領域１２ａ１に対応する部分に第１はんだ１５ａを配置し、半導体チップ１２の外周領域１２ａ２に第２はんだ１５ｂを配置してもよい。

本実施形態では、低濡れ部（流動抑制部）として、金属層１３に形成された溝部１６の例を示した。しかしながら、低濡れ部は、溝部１６に限定されない。低濡れ部が形成されていない部分よりも、溶融した第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂに対する濡れ性の低いものであれば採用することができる。たとえば粗化することで、粗化されていない部分よりも濡れ性を低くしてもよい。また、酸化膜を設けることで、酸化膜が形成されていない部分よりも濡れ性を低くしてもよい。

（第２実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した半導体装置１０及びその製造方法と共通する部分についての説明は割愛する。

第１実施形態では、溝部１６（流動抑制部）を環状に形成する例を示した。これに対し、本実施形態では、図１１に示すように、溝部１６を、中央領域１２ａ１を取り囲むように非連続で形成している。図１１は、接合工程において、半導体チップ１２に第１はんだ１５ａを配置した状態（図５に対応）を示している。図１１では、中央領域１２ａ１と境界領域１２ａ３の境、境界領域１２ａ３と外周領域１２ａ２の境をそれぞれ二点鎖線で示している。また、図１１では、明確化のために、第１はんだ１５ａにハッチングを施している。

具体的には、平面略正方形をなす中央領域１２ａ１に対し、四辺の中央付近に溝部１６をそれぞれ設け、四隅には溝部１６を設けていない。溝部１６の配置を、中心Ｃ１を軸として、Ｚ軸周りに回転対称（４回対称）としている。換言すれば、溝部１６を設けず、溝部１６よりも、溶融したはんだ１５（第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂ）が流動しやすい部分を、Ｚ軸周りに回転対称（４回対称）としている。

このように、溝部１６を、中央領域１２ａ１を取り囲むように非連続で形成すると、接合工程において、中央領域１２ａ１で生じたボイドを、溝部１６の形成されていない部分を通じて、はんだ１５の外部に逃がすことができる。特に、溝部１６の配置を、中心Ｃ１を軸としてＺ軸周りに回転対称にすると、中央領域１２ａ１から外周領域１２ａ２への溶融した第１はんだ１５ａの流動がほぼ均等となるため、ボイドを逃がしつつ、半導体チップ１２の傾きを抑制することもできる。

（第３実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した半導体装置１０及びその製造方法と共通する部分についての説明は割愛する。

第１実施形態では、ヒートシンク１１及び半導体チップ１２の一方に第１はんだ１５ａを配置し、他方に第２はんだ１５ｂを配置する例を示した。これに対し、本実施形態では、ヒートシンク１１及び半導体チップ１２のうち、流動抑制部が形成されている一方に、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂの両方を配置する。図１２に示す例では、ヒートシンク１１及び半導体チップ１２のうち、ヒートシンク１１における境界領域１２ａ３に対応する部分に、低濡れ部としての粗化部１７を形成する。この粗化部１７は、たとえばヒートシンク１１にレーザ光を照射することで形成することができる。

そして、ヒートシンク１１において、中央領域１２ａ１に対応する部分に第１はんだ１５ａを配置し、外周領域１２ａ２に対応する部分に第２はんだ１５ｂを配置する。第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂを配置した後、図１２に示すように、ヒートシンク１１上に半導体チップ１２を配置し、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂをリフローすることで、図１３に示す半導体装置１０を得ることができる。

これによれば、ヒートシンク１１及び半導体チップ１２の一方に、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂをまとめて配置しても、粗化部１７によって、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂを配置する際に一体化するのを抑制することができる。このため、ヒートシンク１１と半導体チップ１２の金属層１３を接合するまで、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂは離れており、配置した時点での厚みの関係を維持できる。したがって、上記した実施形態同様、半導体チップ１２の傾きを抑制しつつ、放熱性と接続信頼性（はんだ寿命）を確保することができる。なお、流動抑制部としては、上記した粗化部１７に限定されるものではない。

（第４実施形態）
本実施形態において、第１実施形態に示した半導体装置１０及びその製造方法と共通する部分についての説明は割愛する。

第１実施形態では、流動抑制部として、低濡れ部（溝部１６）の例を示した。本実施形態では、図１４及び図１５に示すように、流動抑制部として壁部１８を形成する。図１４及び図１５に示す例では、ヒートシンク１１及び半導体チップ１２のうち、ヒートシンク１１に壁部１８を形成する。図１４では、明確化のために、第１はんだ１５ａ、第２はんだ１５ｂ、及び壁部１８に、ハッチングを施している。

壁部１８は、準備工程において形成される。この壁部１８は、ヒートシンク１１と半導体チップ１２の金属層１３とを接合する前（リフロー前）の配置状態の第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂよりも、Ｚ方向の高さが低くなるように形成される。すなわち、第１はんだ１５ａよりも低い高さで形成される。

本実施形態では、一例として、ボンディングワイヤにより壁部１８を形成する。アルミニウム系のボンディングワイヤを準備し、該ワイヤの長手方向がＺ方向に直交するように、ヒートシンク１１における半導体チップ１２の搭載面に平置きする。詳しくは、図１４に示すように、図１１に示した溝部１６のごとく、中央領域１２ａ１の四辺の中央付近に対応する部分にボンディングワイヤをそれぞれ配置して壁部１８を形成する。このとき、超音波接合により、ボンディングワイヤをヒートシンク１１に接合する。したがって、壁部１８の高さは、ボンディングワイヤの直径にほぼ等しくなる。

そして、壁部１８の形成されたヒートシンク１１に対し、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂを配置する。第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂを配置する際、壁部１８が形成されているため、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂが一体化するのを抑制することができる。

準備工程後、図１６に示すように、ヒートシンク１１上に半導体チップ１２を配置する。溝部１６の代わりに壁部１８を有する点以外は、第１実施形態（図９参照）と同じである。そして、この配置状態で、溶融した第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂにより、金属層１３とヒートシンク１１とを接合する。本実施形態でも、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂをリフローし、金属層１３とヒートシンク１１とを接合する。リフローにより、第１はんだ１５ａと第２はんだ１５ｂは一体化し、はんだ１５を形成する。以上により、図１７に示す半導体装置１０を得ることができる。図１７に示す半導体装置１０は、溝部１６の代わりに壁部１８を有する点以外は、第１実施形態（図２参照）と同じである。

このように、壁部１８を形成すると、壁部１８を乗り越えるだけのエネルギが必要となり、第１はんだ１５ａが外周領域１２ａ２側に濡れ拡がりにくくなる。同様に、第２はんだ１５ｂが中央領域１２ａ１側に濡れ拡がりにくくなる。したがって、低濡れ部同様、半導体チップ１２に傾きが生じるのを、より効果的に抑制することができる。なお、壁部１８は、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂよりも、Ｚ方向の高さが低くなるように形成される。したがって、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂの半導体チップ１２への接触を、壁部１８が妨げることはない。

特に本実施形態では、第２実施形態同様、壁部１８を、中央領域１２ａ１を取り囲むように非連続で形成するため、接合工程において中央領域１２ａ１で生じたボイドを、壁部１８の形成されていない部分を通じて、はんだ１５の外部に逃がすことができる。

さらには、半導体チップ１２をヒートシンク１１上に配置した状態で、Ｚ方向からの投影視において、壁部１８の配置を、中心Ｃ１を軸として、Ｚ軸周りに回転対称（４回対称）としている。換言すれば、壁部１８を設けず、壁部１８よりも、溶融したはんだ１５（第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂ）が流動しやすい部分を、Ｚ軸周りに回転対称（４回対称）としている。このため、中央領域１２ａ１から外周領域１２ａ２への溶融した第１はんだ１５ａの流動がほぼ均等となり、ボイドを逃がしつつ、半導体チップ１２の傾きを抑制することもできる。

なお、ボンディングワイヤ以外の部材を用いて壁部１８を形成してもよい。また、ヒートシンク１１ではなく、半導体チップ１２の対向面１２ａ上に壁部１８を形成してもよい。この場合、半導体チップ１２上に、第１はんだ１５ａ及び第２はんだ１５ｂを配置することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

第２はんだ１５ｂを、中央領域１２ａ１を取り囲むように環状に配置する例を示した。しかしながら、中央領域１２ａ１を取り囲むように非連続で形成してもよい。図１８に示す第２変形例では、平面矩形状をなす半導体チップ１２の四隅に対応して、矩形環状の外周領域１２ａ２の四隅に対応する部分に、第２はんだ１５ｂをそれぞれ配置している。半導体チップ１２の反りは、一般的に、中心Ｃ１に対して四隅で最も大きくなる。このように、外周領域１２ａ２のうち、特に反りの大きい部分に対して第２はんだ１５ｂを配置すると、はんだ１５の接続信頼性を確保しやすくなる。図１８では、明確化のために、第２はんだ１５ｂにハッチングを施している。

搭載部材は、ヒートシンク１１に限定されない。配線基板やリードフレームを採用することもできる。配線基板の場合、配線基板のランドと金属層１３とが接合される。

半導体チップ１２は、少なくとも搭載部材（ヒートシンク１１）との対向面に金属層１３を有し、搭載部材側に凸に反っているものであれば採用することができる。すなわち、金属層１３が電極の機能を有していないもの、たとえば放熱のために金属層１３が設けられたものにも適用することができる。

半導体装置１０の構成は、上記例に限定されない。半導体装置１０は、少なくともヒートシンク１１（搭載部材）と、ヒートシンク１１との対向面１２ａに金属層１３を有し、ヒートシンク１１側に凸に反った半導体チップ１２と、溶融接合を提供し、金属層１３とヒートシンク１１とを接合するはんだ１５と、を備えればよい。

たとえば、図１９及び図２０に示す第３変形例では、半導体装置１０が、ヒートシンク１１と、半導体チップ１２と、はんだ１５に加えて、はんだ２０，２２と、ターミナル２１と、ヒートシンク２３と、封止樹脂体２４を備えている。さらに、半導体装置１０は、外部接続用の端子として、主端子２５，２６と信号端子２７を備えている。このような半導体装置１０は、たとえばハイブリッド車や電気自動車の主機インバータに用いられる。

半導体チップ１２におけるヒートシンク１１と反対の面上には、金属製のターミナル２１が配置されており、エミッタ電極をなす金属層１４とターミナル２１とが、はんだ２０により接合されている。また、ターミナル２１における半導体チップ１２と反対の面上には、ヒートシンク２３が配置されており、ターミナル２１とヒートシンク２３とが、はんだ２２により接合されている。ターミナル２１は、半導体チップ１２の金属層１４とヒートシンク２３とを電気的に中継している。半導体チップ１２、ヒートシンク１１，２３、ターミナル２１、及びはんだ１５，２０，２２は、封止樹脂体２４により封止されている。ヒートシンク１１のうち、半導体チップ１２と反対の放熱面１１ａは、封止樹脂体２４におけるＺ方向の一面２４ａから露出されている。同じく、ヒートシンク２３のうち、半導体チップ１２と反対の放熱面２３ａは、封止樹脂体２４における一面２４ａと反対の裏面２４ｂから露出されている。

ヒートシンク１１には、主端子２５が連結されている。この主端子２５は、ヒートシンク１１を介して、半導体チップ１２の金属層１３（コレクタ電極）と電気的に接続されている。主端子２５は、ヒートシンク１１からＹ方向に延設され、封止樹脂体２４の側面２４ｃから、外部に突出している。一方、ヒートシンク２３には、主端子２５が連結されている。この主端子２５は、ターミナル２１及びヒートシンク２３を介して、半導体チップ１２の金属層１４（エミッタ電極）と電気的に接続されている。主端子２６は、ヒートシンク２３から、Ｙ方向であって主端子２５と同じ側面２４ｃから外部に突出している。

半導体チップ１２における金属層１４と同じ面には、信号用のパッドが形成されている。このパッドはゲートパッドを含む、このパッドに、図示しないボンディングワイヤを介して、信号端子２７が電気的に接続されている。信号端子２７は、Ｙ方向に延設されており、封止樹脂体２４における側面２４ｃと反対の側面２４ｄから外部に突出している。

このように、半導体装置１０は、素子としてＩＧＢＴが形成された半導体チップ１２を１つ有し、Ｚ方向において半導体チップ１２の両側にヒートシンク１１，２３を有する両面放熱構造の１ｉｎ１パッケージとなっている。この半導体装置１０も上記実施形態同様、ヒートシンク１１（搭載部材）と、ヒートシンク１１との対向面１２ａに金属層１３を有し、ヒートシンク１１側に凸に反った半導体チップ１２と、溶融接合を提供し、金属層１３とヒートシンク１１とを接合するはんだ１５と、を備えている。したがって、上記構成を適用することで、半導体チップ１２とヒートシンク１１とを接合する際に、半導体チップ１２に傾きが生じるのを抑制することができる。

なお、１ｉｎ１パッケージに限らず、半導体チップ１２を２つ有する２ｉｎ１パッケージや、三相分の半導体チップ１２、すなわち６つの半導体チップ１２を有する６ｉｎ１パッケージにも適用することができる。

１０…半導体装置、１１…ヒートシンク、１１ａ…放熱面、１２…半導体チップ、１２ａ…対向面、１２ａ１…中央領域、１２ａ２…外周領域、１２ａ３…境界領域１２ｂ…裏面、１３…金属層、１４…金属層、１５…はんだ、１５ａ…第１はんだ、１５ｂ…第２はんだ、１６…溝部、１７…粗化部、１８…壁部、２０…はんだ、２１…ターミナル、２２…はんだ、２３…ヒートシンク、２３ａ…放熱面、２４…封止樹脂体、２４ａ…一面、２４ｂ…裏面、２４ｃ，２４ｄ…側面、２５，２６…主端子、２７…信号端子

Claims (12)

1. 搭載部材（１１）と、前記搭載部材との対向面（１２ａ）に金属層（１３）を有するとともに前記搭載部材側に凸に反った半導体チップ（１２）とを、はんだ（１５）により接合し、前記半導体チップの中心（Ｃ１）を含む前記半導体チップの中央領域（１２ａ１）に対応するはんだ厚が、前記中央領域を取り囲む前記半導体チップの外周領域（１２ａ２）に対応するはんだ厚よりも薄い半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、
   前記搭載部材と、凸に反った前記半導体チップを準備する準備工程と、
   前記準備工程後、前記半導体チップ及び前記搭載部材の一方に、前記はんだを構成する第１はんだ（１５ａ）を前記中央領域に対応して配置するとともに、他方に、前記第１はんだとともに前記はんだを構成する第２はんだ（１５ｂ）を、前記外周領域に対応しつつ前記中央領域を取り囲むように、前記第１はんだよりも厚く配置し、この配置状態で、溶融した前記第１はんだ及び前記第２はんだにより、前記金属層と前記搭載部材とを接合する接合工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記準備工程では、前記半導体チップ及び前記搭載部材の少なくとも一方における前記中央領域と前記外周領域との境界部分に、前記第１はんだ及び前記第２はんだの流動を抑制するための流動抑制部を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 搭載部材（１１）と、前記搭載部材との対向面（１２ａ）に金属層（１３）を有するとともに前記搭載部材側に凸に反った半導体チップ（１２）とを、はんだ（１５）により接合し、前記半導体チップの中心（Ｃ１）を含む前記半導体チップの中央領域（１２ａ１）に対応するはんだ厚が、前記中央領域を取り囲む前記半導体チップの外周領域（１２ａ２）に対応するはんだ厚よりも薄い半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、
   前記搭載部材と、凸に反った前記半導体チップを準備する準備工程と、
   前記準備工程後、前記はんだを構成する第１はんだ（１５ａ）を前記中央領域に対応して配置するとともに、前記第１はんだとともに前記はんだを構成する第２はんだ（１５ｂ）を、前記外周領域に対応しつつ前記中央領域を取り囲むように、前記第１はんだよりも厚く配置し、この配置状態で、溶融した前記第１はんだ及び前記第２はんだにより、前記金属層と前記搭載部材とを接合する接合工程と、を備え、
   前記準備工程では、前記半導体チップ及び前記搭載部材の少なくとも一方における前記中央領域と前記外周領域との境界部分に、前記第１はんだ及び前記第２はんだの流動を抑制するための流動抑制部を形成し、
   前記接合工程では、前記半導体チップ及び前記搭載部材のうちの前記流動抑制部が形成された一方に、前記第１はんだと前記第２はんだをまとめて配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記流動抑制部として、他の部分よりも前記第１はんだ及び前記第２はんだに対する濡れ性の低い低濡れ部（１６，１７）を形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記流動抑制部として、前記金属層と前記搭載部材とを接合する前の配置状態の前記第１はんだ及び前記第２はんだよりも高さの低い壁部（１８）を形成することを特徴とする請求項２〜４いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記流動抑制部を、前記中央領域を取り囲むように非連続で形成することを特徴とする請求項２〜５いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 搭載部材（１１）と、
   前記搭載部材との対向面（１２ａ）に金属層（１３）を有し、前記搭載部材側に凸に反った半導体チップ（１２）と、
   溶融接合を提供し、前記金属層と前記搭載部材とを接合するはんだ（１５）と、を備え
   前記半導体チップの中心（Ｃ１）を含む前記半導体チップの中央領域（１２ａ１）に対応するはんだ厚が、前記中央領域を取り囲む前記半導体チップの外周領域（１２ａ２）に対応するはんだ厚よりも薄くされた半導体装置であって、
   前記半導体チップ及び前記搭載部材の少なくとも一方が、前記中央領域と前記外周領域との境界部分に形成され、溶融状態の前記はんだが前記中央領域と前記外周領域との間で流動するのを抑制する流動抑制部を有していることを特徴とする半導体装置。
8. 前記流動抑制部として、他の部分よりも前記はんだに対する濡れ性の低い低濡れ部（１６，１７）を有していることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記金属層は多層構造をなすとともに、前記はんだに対する濡れ性に優れた金属の表層を含んでおり、
   前記低濡れ部は、少なくとも前記表層が部分的に除去されてなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記流動抑制部として、壁部（１８）を有していることを特徴とする請求項７又は請求項７に記載の半導体装置。
11. 前記壁部は、ボンディングワイヤにより形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記流動抑制部は、前記中央領域を取り囲むように非連続で形成されていることを特徴とする請求項７〜１１いずれか１項に記載の半導体装置。

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