JP2016173379A - Current sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被測定電流によって生じる磁界に基づいて電流値を算出する電流センサに係わり、特に小型化可能な電流センサに係わる。 The present invention relates to a current sensor that calculates a current value based on a magnetic field generated by a current to be measured, and more particularly to a current sensor that can be miniaturized.
近年、各種機器の制御や監視のために機器に取り付けられて、機器に流れる電流を測定する電流センサが一般に用いられている。この種の電流センサとして、電流路に流れる電流から生じる磁界を感知する磁気抵抗効果素子やホール素子等の磁気センサ素子を用いた電流センサが知られている。 In recent years, a current sensor that is attached to a device and measures a current flowing through the device is generally used for controlling and monitoring various devices. As this type of current sensor, a current sensor using a magnetic sensor element such as a magnetoresistive effect element or a Hall element that senses a magnetic field generated from a current flowing in a current path is known.
このような電流センサの一例として、被測定電流が流れる電流線をU字形状とした電流センサが特許文献1に記載されている。特許文献1に開示された電流センサ900の構造を図13に示す。
As an example of such a current sensor,
電流センサ900は、電流の流れる方向が逆向きで同じ電流量の平行電流線部932a及び932bを、貫通穴930aを介して回路基板930上に配置し、その平行電流線部932a及び932bの軸を結ぶ延長線上に磁気検出素子910を配置する。また、磁気検出素子910の磁界検出方向はその延長線とは直角方向であり、磁気検出素子910に近い側の平行電流線部932bの磁界と、遠い側の平行電流線部932aの逆方向の磁界の差分を検知して、平行電流線部932に流れる電流量を検知する。
In the
この構成によれば、電流センサ900のサイズが大型化することなく、高感度で電流量を検出でき、生産も容易に行うことが可能な電流センサ900を提供することができる、としている。
According to this configuration, it is possible to provide the
しかしながら特許文献1に開示された電流センサ900には、以下のような課題があった。
However, the
電流センサ900では、測定した電流量の情報を外部の回路に伝送するため、回路基板930に複数の端子が取り付けられている。該複数の端子は、回路基板930の端部に取り付けられているが、端子に近い側の平行電流線部932aと端子との間において、絶縁耐性を維持するために、測定する電流量の大きさに対応した絶縁距離を確保する必要がある。従って、測定する電流量が大きくなった場合には、平行電流線部932aと複数の端子との間の距離を拡げる必要がある。その結果、電流センサ900の小型化が困難になるという問題があった。また、磁束を集めるためのコアや磁界制御板が無く、感度を高めることが困難で、小電流の計測ができない問題があった。一方、コアを用いた一般的な電流センサでは、コアの飽和を押さえる構造が無く、大電流まで計測できない問題が有った。
In the
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、測定範囲(ダイナミックレンジ)を広げることが可能な電流センサを提供することにある。 The present invention has been made in view of such a state of the art, and an object thereof is to provide a current sensor capable of extending a measurement range (dynamic range).
本発明の電流センサは、被測定電流の流れる電流路と、前記被測定電流によって発生する磁場を制御する磁界制御板と、前記磁場を測定する磁気センサ素子と、を備え、前記電流路は、第1の電流路と、前記第1の電流路の一端から前記第1の電流路に対して傾きを持て延びる第2の電流路と、前記第1の電流路の他端から傾きを持って延びる第3の電流路とを有し、前記第2の電流路と、前記第3の電流路とは、前記第1の電流路が含まれる平面に対して、同じ側に設けられ、前記磁界制御板は、第1の磁界制御板と、前記第1の磁界制御板の一端から前記第1の磁界制御板に対して傾きを持て延びる第2の磁界制御板と、前記第1の磁界制御板の他端から傾きを持って延びる第3の磁界制御板とを有し、前記第2の磁界制御板と、前記第3の磁界制御板とは、前記第1の磁界制御板が含まれる平面に対して、同じ側に設けられ、前記磁気センサ素子は、前記第1の電流路に対して前記第1の磁界制御板とは反対側で前記第1の電流路に対向して位置し、前記第1の電流路と前記第1の磁界制御板とは、平行で有り、前記第1の電流路に対して前記第2の電流路及び前記第3の電流路が設けられる方向と、前記第1の磁界制御板に対して前記第2の磁界制御板及び前記第3の磁界制御板が設けられる方向とが同じであることを特徴とする。 The current sensor of the present invention includes a current path through which a current to be measured flows, a magnetic field control plate that controls a magnetic field generated by the current to be measured, and a magnetic sensor element that measures the magnetic field, and the current path includes: A first current path, a second current path extending from one end of the first current path with an inclination to the first current path, and an inclination from the other end of the first current path A third current path extending, and the second current path and the third current path are provided on the same side with respect to a plane including the first current path, and the magnetic field The control plate includes a first magnetic field control plate, a second magnetic field control plate extending from one end of the first magnetic field control plate with an inclination with respect to the first magnetic field control plate, and the first magnetic field control. A third magnetic field control plate extending with an inclination from the other end of the plate, and the second magnetic field control plate, The magnetic field control plate is provided on the same side with respect to the plane including the first magnetic field control plate, and the magnetic sensor element is the first magnetic field control plate with respect to the first current path. Opposite to the first current path, the first current path and the first magnetic field control plate are parallel to each other, and the first current path is parallel to the first current path. The direction in which the second current path and the third current path are provided is the same as the direction in which the second magnetic field control plate and the third magnetic field control plate are provided with respect to the first magnetic field control plate. It is characterized by being.
この構成によれば、前記第2の電流路及び前記第3の電流路で発生した誘導磁界(磁束)は、前記第2の磁界制御板及び第3の磁界制御板を貫通する方向に流れて、第1の電流路で発生した誘導磁界と合流する。第2の電流路及び第3の電流路で発生した誘導磁界は、第2の電流路、又は第3の電流路の囲むように発生するので、第1の磁界制御板を通らない。
そのため、前記電流路に大電流が流れる場合でも、第1の磁界制御板は飽和し難く、高い感度を得ることができる。
すなわち、この構成によれば、前記磁界制御板の中央領域である前記第1の磁界制御板を通過する誘導磁界が前記第1の電流路から発生する誘導磁界のみとなる。即ち、前記第2の電流路及び前記第3の電流路から発生する誘導磁界は、前記第1の磁界制御板を通過しないので、前記第1の磁界制御板が飽和し難くなり、大電流の測定を正確にできる。また、前記磁気センサを通過する磁束が増えるので、感度が高くなり、小電流の測定を正確にできる。よって、測定範囲(ダイナミックレンジ)を広げることができる。
According to this configuration, the induced magnetic field (magnetic flux) generated in the second current path and the third current path flows in a direction penetrating the second magnetic field control plate and the third magnetic field control plate. , Merged with the induced magnetic field generated in the first current path. The induced magnetic field generated in the second current path and the third current path is generated so as to surround the second current path or the third current path, and therefore does not pass through the first magnetic field control plate.
Therefore, even when a large current flows through the current path, the first magnetic field control plate is hardly saturated and high sensitivity can be obtained.
That is, according to this configuration, the induced magnetic field that passes through the first magnetic field control plate, which is the central region of the magnetic field control plate, is only the induced magnetic field generated from the first current path. That is, since the induced magnetic field generated from the second current path and the third current path does not pass through the first magnetic field control plate, the first magnetic field control plate is less likely to be saturated, and a large current is generated. Measurement can be made accurately. Further, since the magnetic flux passing through the magnetic sensor is increased, the sensitivity is increased and a small current can be accurately measured. Therefore, the measurement range (dynamic range) can be expanded.
前記第1の電流路と前記第2の電流路及び前記第3の電流路とは直角であり、前記第1の磁界制御板と前記第2の磁界制御板及び前記第3の磁界制御板とは直角であるという特徴を有する。 The first current path, the second current path, and the third current path are at right angles, and the first magnetic field control plate, the second magnetic field control plate, and the third magnetic field control plate, Has a feature of being a right angle.
この構成によれば、前記磁界制御板の外部磁界のシールド機能を高めることができる。 According to this configuration, the shielding function of the external magnetic field of the magnetic field control plate can be enhanced.
本発明によれば、大電流及び小電流の双方を正確に測定でき、測定範囲(ダイナミックレンジ)を広げることができる。 According to the present invention, both a large current and a small current can be measured accurately, and the measurement range (dynamic range) can be expanded.
[比較例]
以下、本発明の実施形態の比較例を説明する。
図14は、本発明の実施形態の比較例に係わる電流センサ800の外観図である。図15は、図14に示す電流センサ800に生じる誘導磁界を説明するための図である。
[Comparative example]
Hereinafter, a comparative example of the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is an external view of a
比較例の電流センサ800は、被測定電流が流れる電流路801と、電流路801を流れる被測定電流によって発生する磁場(誘導磁界)を制御する磁界制御板803と、磁場を測定する磁気センサ素子807と備えている。
The
電流路801は、第1の電流路821と、第1の電流路821の一端からZ2方向に延びる第2の電流路822と、第1の電流路821の他端からZ2方向に延びる第3の電流路823とを有する。
電流路801はU字形状をしており、第1の電流路821と第2の電流路822及び第3の電流路823とは略直角である。
The
The
磁界制御板803は、第1の磁界制御板831と、第1の磁界制御板831の一端からZ1方向に延びる第2の磁界制御板832と、第1の磁界制御板831の他端からZ1方向に延びる第3の磁界制御板833とを有する。
磁界制御板803は、U字形状をしており、第1の磁界制御板831と、第2の磁界制御板832及び第3の磁界制御板833とは略直角である。
また、第1の磁界制御板831は、第1の電流路821と平行である。
The magnetic
The magnetic
The first magnetic
電流センサ800では、第1の電流路821に対して第2の電流路822及び第3の電流路823が延びるZ2方向と反対方向であるZ1方向に、第1の磁界制御板831から第2の磁界制御板832及び第3の磁界制御板833が延びている。
In the
磁気センサ素子807は、第1の電流路821に対して第1の磁界制御板831とは反対側(Z1側)で第1の電流路821に対向して位置する。
The
図14に示すように、電流センサ800は、電流路801と磁界制御板803とが、共にU字形状であると共に、それぞれの端部が相互に逆方向となるように配置されている。電流路801の中央にある第1の電流路821は平らで、磁界制御板803の中央の平らな第1の磁界制御板831と平行且つ対向している。
As shown in FIG. 14, in the
電流センサ800では、第1の電流路821を流れた電流から発生する誘導磁界の大半が、第1の磁界制御板831を流れる。一方、第1の電流路821に対してZ1側は、磁界制御板803が開放された構造となっているため、第1の電流路821と直交して延びる両方の腕である第2の磁界制御板832及び第3の磁界制御板833の間を誘導磁界が通り、当該誘導磁界が磁気センサ素子807で検出される。
In the
図15に示すように、比較例の電流センサ800では、中央の第1の電流路821を流れた電流が発生する磁束851は、磁気センサ素子807をX1方向に向けて通過するため、精度良く電流を検出できる。
As shown in FIG. 15, in the
一方、第2の電流路822及び第3の電流路823を流れる電流で発生した磁束852は、第1の磁界制御板831をX2方向に向けて通過する。すなわち、磁束852が、第1の磁界制御板831に吸われる。
このように磁束851と磁束852とは同じであることから、電流路801に大電流が流れると、第1の磁界制御板831を多くの磁束が通過して第1の磁界制御板831が飽和する。そのため、磁界制御板803の磁気シールド機能が低下し、外部磁場の影響で、電流路801の電流を正確に測定できない。
On the other hand, the magnetic flux 852 generated by the current flowing through the second
Thus, since the
[実施形態]
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、本明細書では、特に断りの無い限り、各図面のX1側を右側、X2側を左側、Y1側を奥側、Y2側を手前側、Z1側を上側、Z2側を下側として説明する。
[Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, unless otherwise specified, the X1 side of each drawing is described as the right side, the X2 side as the left side, the Y1 side as the back side, the Y2 side as the near side, the Z1 side as the upper side, and the Z2 side as the lower side. To do.
実施形態に係る電流センサ100の構成及び動作について図1乃至図6を用いて説明する。電流センサ100は、各種機器に搭載され、制御や監視のために、該機器に流れる電流を測定する電流センサである。また、電流センサ100は、電流センサ100を搭載した機器に設けられたマザー基板51上に取り付けられる。
The configuration and operation of the
図1は、筐体11を外した状態の電流センサ100の外観を示す斜視図であり、図2は、筐体11を取り付けた状態の電流センサ100の外観を示す斜視図である。また、図3は、電流センサ100を右側から見た場合の側面図であり、図4は、電流センサ100を手前側から見た場合の側面図である。図5は、電流センサ100の平面図である。図6は、電流センサ100をマザー基板51に搭載した状態での、電流センサ100の各構成要件間の左右方向における距離を示す模式図である。尚、図1及び図3乃至図6では、説明を分かり易くするため、筐体11を外した状態で電流センサ100を示している。また、図6では、説明を分かり易くするために電流路1を破線で示している。
FIG. 1 is a perspective view showing the external appearance of the
図1に示すように、電流センサ100は、被測定電流の流れる電流路1と、被測定電流によって発生する磁場を制御する磁界制御板3と、長方形形状をした絶縁基板5と、絶縁基板5に搭載されていて、磁場を測定する磁気センサ素子7aを内蔵したセンサIC7と、を備えている。そして、絶縁基板5には、磁気センサ素子7aと電気的に接続された複数の端子9が設けられている。複数の端子9は、絶縁基板5の一方の短辺である第1短辺5aに沿って配置され、台座13を介して絶縁基板5に取り付けられている。また、電流路1の両方の端部1aの先端は、複数の挿入片1dに分かれている。
As shown in FIG. 1, a
図2に示すように、電流センサ100は樹脂製の筐体11を備えており、前述した電流路1と磁界制御板3と絶縁基板5とを含む電流センサ100の主要部が筐体11内に収納され、接着剤等で取り付けられている。また、電流路1の両方の端部1aの表面と磁界制御板3の天面部3cの表面と絶縁基板5の第1短辺5aの表面とは、筐体11の最大外形の内側面近傍にある。また、電流路1の両方の端部1aの表面と磁界制御板3の天面部3cの表面と絶縁基板5の第1短辺5aの表面とは、外部に対して露出している。
As shown in FIG. 2, the
従って、電流路1と磁界制御板3と絶縁基板5とからなる電流センサ100の主要部が、挿入片1dと端子9とを除いて、筐体11の最大外形ぎりぎりに収まっている。また、電流路1、磁界制御板3、及び絶縁基板5それぞれの一部の領域の表面が外部に対して露出している。そのため、挿入片1dと端子9とを除く電流センサ100の主要部の外形と筐体11の最大外形とがほぼ同一になる。その結果、筐体11には余分な領域が含まれないため、電流センサ100をより小型化することができる。
Therefore, the main part of the
電流路1は、図3に示すように、U字状に折り曲げられており、電流路1の両方の端部1aが絶縁基板5の対向する両方の長辺5cに当接するように配置されている。そして、電流路1の各端部1aの一方の側面が図4に示すように、絶縁基板5の、第1短辺5aと対向する第2短辺5bの付近に位置するように配置されている。また、電流路1は、図5に示すように、平面視で右側(X1)から左側(X2)方向へ突き出すように湾曲して形成されている。
As shown in FIG. 3, the
前述したように、電流路1の両方の端部1aの先端は複数の挿入片1dに分かれている。図4に示す各挿入片1dは、マザー基板51に設けられた取り付け穴(図示せず)に挿入され、マザー基板51に半田によって取り付けられる。このように、電流路1の両方の端部1aの先端が複数の挿入片1dに分かれているので、電流センサ100をマザー基板51に半田付けする際に、半田の熱が挿入片1dに伝わりやすく、しかも端部1aへ半田の熱を逃げにくくすることができる。
As described above, the tips of both ends 1a of the
図3及び図4に示すように、複数の端子9は、電子回路(図示せず)が搭載されているマザー基板51に設けられた取り付け穴(図示せず)に挿入され、電流路1と同時に半田によって取り付けられる。その結果、磁気センサ素子7aが、複数の端子9を介してマザー基板51に搭載されている電子回路に接続される。
As shown in FIGS. 3 and 4, the plurality of terminals 9 are inserted into mounting holes (not shown) provided in a
磁界制御板3は、図4に示すように、U字状に折り曲げられており、磁界制御板3の一方の端部である第1端部3aが絶縁基板5の第2短辺5bに当接するように配置されている。一方、磁界制御板3の他方の端部である第2端部3bは、図1及び図4に示すように、絶縁基板5に設けられた取り付け穴5dに挿入されている。第2端部3bが、絶縁基板5の取り付け穴5dに挿入されることによって、絶縁基板5に対する磁界制御板3の位置が決定することになる。尚、磁界制御板3は、絶縁基板5に取り付けられているが、図4に示すように、マザー基板51には取り付けられない。
As shown in FIG. 4, the magnetic
また、磁界制御板3は、図5に示すように、電流路1と平面視で直交するように取り付けられる。そのため、電流路1と磁界制御板3とが直交することによって、電流路1に平面視矩形形状の直交部1cが形成される。そして、この直交部1cの中心1eが磁気センサ素子7aと対向する位置に配置される。
Further, as shown in FIG. 5, the magnetic
磁界制御板3は、高透磁率で飽和磁束密度の大きい磁性材で構成されており、図4及び図5に示すように、電流路1の直交部1c及び磁気センサ素子7aを上側から覆っている。磁界制御板3は、電流路1による磁場を磁気センサ素子7aの周辺に集中させる働きをすると共に、外部磁場を弱めて磁気センサ素子7aを磁気シールドする働きもある。
The magnetic
センサIC7に内蔵されている磁気センサ素子7aの、手前側から奥側への方向(Y1−Y2方向)における位置は、図5に示すように、磁界制御板3の手前側から奥側への方向における開口長さD1の中心位置、即ち平面視で直交部1cの中心1eに対向する位置に設定されている。一方、磁気センサ素子7aの左右方向(X1−X2方向)における位置は、図6に示すように、磁界制御板3の左右方向における開口幅D2の中心位置、即ち磁界制御板3の幅方向の中心3dに設定されている。言い換えれば、磁気センサ素子7aを含むセンサIC7は、磁気センサ素子7aの位置が磁界制御板3の長方形形状をした開口部の中心位置になるように載置される。その結果、磁気センサ素子7aの左右方向における取り付け位置を示す中心線C1は、磁界制御板3の左右方向における開口幅D2を2分割する位置になる。
The position of the
磁気センサ素子7aは、電流路1に流れる被測定電流から生じる磁界を感知し、その磁界強度の値によって電流路1に流れる被測定電流の値を決定する。この被測定電流の値は、複数の端子9を介してマザー基板51に搭載されている電子回路(図示せず)に伝送され、各種制御等に使用される。
The
図5及び図6に示すように、電流路1と磁界制御板3とが直交することのよって電流路1に形成される直交部1cの幅D4は、電流路1の両方の端部1aの幅D3とほぼ同一の幅となっている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the width D4 of the
図6に示すように、電流路1の直交部1cの幅D4は、磁界制御板3の左右方向(X1−X2方向)における開口幅D2よりも狭い。また、図6に示すように、直交部1cの中心位置を示す中心線C2は、磁気センサ素子7aの中心位置を示す中心線C1と同一で、磁界制御板3の左右方向における開口幅D2を2分割する位置にある。言い換えれば、直交部1cの中心1eの位置は、磁気センサ素子7aの中心の位置と同様に、磁界制御板3の第1端部3aの内側の面、即ち絶縁基板5の第2短辺5bからD2/2の距離にある。
As shown in FIG. 6, the width D4 of the
一方、電流路1の端部1aの左右方向における幅D3を2分割する中心線C3は、図6に示すように、電流路1の直交部1cの取り付け位置を示す中心線C2より右側にある。即ち、電流路1の端部1aの幅方向の中心1bは、電流路1の直交部1cの中心1eより絶縁基板5の第2短辺5b側にある。
On the other hand, the center line C3 that divides the width D3 of the
ところで、大電流の流れる電流センサ100において、電流路1は大電流の流れる1次電流路であり、複数の端子9は測定の為に小電流の電源やデータが流れる2次電流路である。1次電流路と2次電流路との間の距離は、決められた絶縁距離以上に保たれていなければならない。従って、電流センサ100においても、1次電流路と2次電流路との間の距離を決められた絶縁距離以上に設定するため、図6に示す電流路1の複数の挿入片1dの内の最も端子9に近い挿入片1dと端子9との間の距離T1を、必要な絶縁距離以上に設定している。その結果、電流センサ100は、絶縁耐性を維持することができる。
By the way, in the
前述したように、電流路1の端部1aの左右方向(X1−X2方向)即ち幅方向の中心1bの位置は、直交部1cの中心1eより絶縁基板5の第2短辺5b側に設定されている。このように設定することによって、端部1aの幅方向の中心1bを直交部1cの中心1eと同一の位置に設定した場合に比較して、電流路1の複数の挿入片1dの内の最も端子9に近い挿入片1dと端子9との間の距離T1をより長い距離に設定することが容易になる。従って、必要な絶縁距離を確保することが容易にできる。
As described above, the position of the
このように、電流センサ100では、複数の端子9を絶縁基板5の第1短辺5aに沿って配置し、電流路1の磁界制御板3と平面視で直交する部分である直交部1cの中心1eを磁気センサ素子7aと対向する位置に配置し、電流路1の端部1aの幅方向の中心1bが、電流路1の直交部1cの中心1eより絶縁基板5の第2短辺5b側になるように電流路1を形成させたので、電流路1と端子9との間の距離T1をより長い距離に設定することが容易になる。その結果、必要な絶縁距離を確保することが容易にできるため、絶縁耐性を維持したままでの電流センサ100の小型化が容易に可能となる。
As described above, in the
また、電流路1と磁界制御板3と絶縁基板5とからなる電流センサ100の主要部が、挿入片1dと端子9とを除いて、筐体11の最大外形ぎりぎりに収まっている。そのため、挿入片1dと端子9とを除く電流センサ100の主要部の外形と筐体11の最大外形とがほぼ同一になる。その結果、筐体11には余分な領域が含まれないため、電流センサ100をより小型化することができる。
The main part of the
また、電流路1の両方の端部1aの先端が複数の挿入片1dに分かれているので、電流センサ100をマザー基板51に半田付けする際に、半田の熱が挿入片1dに伝わりやすく、しかも端部1aへ半田の熱を逃げにくくすることができる。そのため、半田付けをし易くすることができる。
Further, since the tips of both
次に、実施形態に係る電流センサ100と、電流センサ100より外側に存在する可能性のある上側隣接電流路41及び下側隣接電流路42と、の関係について図7を用いて説明する。
Next, the relationship between the
図7は、電流センサ100をマザー基板51に搭載した状態での、電流センサ100の各構成要件間の上下方向における距離を示す模式図である。尚、説明を分かり易くするために電流路1を破線で示している。
FIG. 7 is a schematic diagram showing the distance in the vertical direction between the constituent elements of the
電流センサ100の外側には外部磁場を生成させている上側隣接電流路41及び又は下側隣接電流路42が存在することがある。上側隣接電流路41は、磁界制御板3の上方に距離A1を隔てて存在している。また、下側隣接電流路42は、電流路1の挿入片1dの先端との間に距離A2を隔てて存在している。通常、電流センサ100の上側及び下側に隣接電流路が存在する場合、上記距離A1と距離A2とは同一の距離に設定される。
There may be an upper adjacent
磁気センサ素子7aと上側隣接電流路41との間は、距離A1を含んで距離B1だけ離れている。また、磁気センサ素子7aと上側隣接電流路41との間には磁界制御板3がある。従って、磁界制御板3によって磁気センサ素子7aへの上側隣接電流路41からの影響を受けにくくすることができる。
The
一方、磁気センサ素子7aと下側隣接電流路42との間は、距離A2を含んで距離B2だけ離れている。ここで、電流路1の両方の端部1aにある挿入片1dの先端と、磁界制御板3の両方の端部、即ち第1端部3a及び第2端部3bの先端とが、どちらも同一方向(下方)を向いている。従って、磁気センサ素子7aと下側隣接電流路42との間には、センサIC7と磁界制御板3が取り付けられている絶縁基板5、及び電流センサ100が取り付けられているマザー基板51が存在することになる。
On the other hand, the
磁気センサ素子7aと下側隣接電流路42との間には、磁界制御板3は存在しないが、絶縁基板5及びマザー基板51が存在するため、必然的に磁気センサ素子7aと下側隣接電流路42との間の距離B2をより長い距離に設定することができる。その結果、磁気センサ素子7aへの下側隣接電流路42からの影響をより受けにくくすることができる。尚、距離B2は距離B1の2倍程度に設定される。距離B2を距離B1の2倍程度に設定することにより、磁気センサ素子7aへの下側隣接電流路42からの影響を、磁気センサ素子7aへの上側隣接電流路41からの影響と同等程度までに受けにくくすることができる。
The magnetic
このように、電流センサ100では、電流路1の両方の端部1aの先端と、磁界制御板3の両方の端部、即ち第1端部3a及び第2端部3bの先端とが、同一方向を向いているので、磁界制御板3の開口方向において絶縁基板5とマザー基板51とが存在することになる。そのため、磁気センサ素子7aと磁界制御板3の開口方向側の下側隣接電流路42との間の距離をより長い距離に設定することができ、磁気センサ素子7aに対する下側隣接電流路42からの影響を受けにくくすることができる。
Thus, in the
電流センサ200では、電流路1の中央の平らな領域となっている中央領域を流れた電流が発生する磁束は、当該中央領域より図1中Z1側では磁界制御板3の中央領域を通過すると共に、磁気センサ素子7aを通過することで、精度良く電流を検出できる。
In the current sensor 200, the magnetic flux generated by the current flowing through the central region that is a flat region at the center of the
一方、電流路1の中央領域の両側のZ1−Z2方向に延びる電流路を流れる電流で発生した磁束は、磁界制御板3の中央領域を通らない。そのため、図14に示す比較例の構成に比べて、電流路1に大電流が流れる場合でも、磁界制御板3は飽和し難く、高い感度を得ることができる。
すなわち、この構成によれば、比較例と比べて磁界制御板3の中央領域を通過する誘導磁界が減るので、磁界制御板3が飽和し難くなり、大電流を正確に測定できる。また、磁気センサ素子7aを通過する磁束が増えるので、感度が高くなり、小電流の測定を正確にできるようになる。よって、測定範囲(ダイナミックレンジ)を広げることができる。
On the other hand, the magnetic flux generated by the current flowing through the current path extending in the Z1-Z2 direction on both sides of the central area of the
That is, according to this configuration, since the induction magnetic field passing through the central region of the magnetic
[本実施形態の第1の変形例]
次に、本発明の実施形態の変形例である電流センサ110の構成及び動作について図8乃至図10を用いて説明する。電流センサ110は、電流センサ100と同様に、各種機器に搭載され、制御や監視のために、該機器に流れる電流を測定する電流センサである。尚、電流センサ110の電流センサ100との相違点は電流路21の形状のみであり、その他の構造は共通であるため、共通の項目については説明を省略することがある。また、電流路21に関する構成以外については、電流センサ100で使用した符号をそのまま使用する。
[First Modification of the Embodiment]
Next, the configuration and operation of the
図8は、筐体11を外した状態の電流センサ110の外観を示す斜視図であり、図9は、の電流センサ110の平面図である。また、図10は、電流センサ110をマザー基板51に搭載した状態での、電流センサ110の各構成要件間の左右方向における距離を示す模式図である。尚、図10では、説明を分かり易くするために電流路21を破線で示している。また、図8乃至図10では、電流センサ110を、筐体11を外した状態で示している。
FIG. 8 is a perspective view showing the appearance of the
図8に示すように、電流センサ110は、被測定電流の流れる電流路21と、被測定電流によって発生する磁場を制御する磁界制御板3と、長方形形状をした絶縁基板5と、絶縁基板5に搭載されていて、磁場を測定する磁気センサ素子7aを内蔵したセンサIC7と、を備えている。そして、絶縁基板5には、磁気センサ素子7aと電気的に接続された複数の端子9が設けられている。複数の端子9は、絶縁基板5の一方の短辺である第1短辺5aに沿って配置され、台座13を介して絶縁基板5に取り付けられている。また、電流路21の両方の端部21aの先端は、複数の挿入片21dに分かれている。
As shown in FIG. 8, the
図9及び図10に示すように、電流路21と磁界制御板3とが直交することによって電流路21に形成される直交部21cの幅D6は、電流路21の両方の端部21aの幅D5よりも狭く形成されている。電流路21の直交部21cの幅D6が、電流路21の端部21aの幅D5よりも狭くなっているので、電流路21からの磁束が電流路21の直交部21cに集中し、感度を高くすることができる。そのため、電流センサ110の構造は、測定対象の電流が小電流の場合に効果的である。
As shown in FIGS. 9 and 10, the width D <b> 6 of the
このように、電流路21の直交部21cの幅D6を電流路21の端部21aの幅D5よりも狭く設定したことによって、電流路21からの磁束が電流路21の直交部21cに集中し、検知感度を高くすることができる。
Thus, by setting the width D6 of the
尚、電流センサ110において、磁気センサ素子7aが磁界制御板3の開口幅D2の中心3dに配置され、電流路21の磁界制御板3と平面視で直交する部分である直交部21cの中心21eが磁気センサ素子7aと対向する位置に配置され、電流路21の端部21aの幅方向の中心21bが、直交部21cの中心21eより絶縁基板5の第2短辺5b側にあることは、電流センサ100と同様である。そのため、電流センサ110における絶縁距離を確保することが容易にできるという効果は、電流センサ100と同一である。
In the
[本実施形態の第2の変形例]
図11は、本発明の実施形態の第2の変形例に係わる電流センサ400の外観図である。図12は、図11に示す電流センサ400に生じる磁界を説明するための図である。
[Second Modification of this Embodiment]
FIG. 11 is an external view of a
電流センサ400は、被測定電流が流れる電流路201と、電流路201を流れる被測定電流によって発生する磁場(誘導磁界)を制御する磁界制御板203と、磁場を測定する磁気センサ素子207aと備えている。
The
電流路201は、第1の電流路221と、第1の電流路221の一端から第1の電流路221に対して略90°の傾きを持てZ2方向に延びる第2の電流路222と、第1の電流路221に対して第2の電流路222が延びる側に向けて第1の電流路221の他端から略90°の傾きを持ってZ2方向に延びる第3の電流路233とを有する。
第2の電流路222と第3の電流路233とは、第1の電流路221が含まれる平面に対して同じ側に設けられている。
電流路201はU字形状をしており、第1の電流路221と第2の電流路222及び第
3の電流路223とは略直角である。なお、第1の電流路221と第2の電流路222及び第3の電流路223との角度は直角以外でもよい。
The
The second
The
磁界制御板203は、第1の磁界制御板231と、第1の磁界制御板231の一端から第1の磁界制御板231に対して略90°の傾きを持てZ2方向に延びる第2の磁界制御板232と、第1の磁界制御板231に対して第2の磁界制御板232が延びる側に向けて第1の磁界制御板231の他端から略90°の傾きを持ってZ2方向に延びる第3の磁界制御板233とを有する。
磁界制御板203は、U字形状をしており、第1の磁界制御板231と、第2の磁界制御板232及び第3の磁界制御板233とは略直角である。なお、第1の磁界制御板231と、第2の磁界制御板232及び第3の磁界制御板233との角度は直角以外でもよい。
また、第1の磁界制御板231は、第1の電流路221と平行である。
The magnetic
The magnetic
The first magnetic
電流センサ400では、第1の電流路221に対して第2の電流路222及び第3の電流路223が延びるZ2方向に、第1の磁界制御板231の両端から第2の磁界制御板232及び第3の磁界制御板233が延びている。すなわち、電流路201と磁界制御板231とは端部が同じZ2方向に位置している。
In the
磁気センサ素子207aは、絶縁基板205上に搭載され、第1の電流路221に対して第1の磁界制御板231とは反対側(Z1側)で第1の電流路221に対向して位置する。
The
図11および図12に示すように、電流センサ400は、電流路201と磁界制御板203とが、共にU字形状であると共に、これらが同一のZ2方向に開放された構造になっている。電流路201の中央にある第1の電流路221は平らで、磁界制御板203の中央の平らな第1の磁界制御板231と平行且つ対向している。
As shown in FIGS. 11 and 12, the
電流センサ400では、図12に示すように、第1の電流路221を流れる電流から発生する誘導磁界の大半が、第1の磁界制御板231を流れる。また、第1の電流路221のZ2方向側は、磁界制御板203が開放された構造となっているため、第1の電流路221と直交して延びる両方の腕である第2の磁界制御板232及び第3の磁界制御板233の間において、電流路201を流れる電流から生じる誘導磁界が磁気センサ素子207aを通り、磁気センサ素子207aで誘導磁界が検出される。
In the
電流センサ400では、図12に示すように、中央の第1の電流路221を流れる電流が発生する磁束251が、磁気センサ素子207aをX2方向に向けて通過することで、電流路201を流れる電流を精度良く検出できる。
In the
また、第2の電流路222を流れる電流で発生した磁束252は、図12の紙面手前側をX1方向に流れてから、紙面奥側に曲がって流れる。それから、X2方向に曲がって、第2の磁界制御板232を厚み方向(X2方向)に貫通し、磁束が磁気センサ素子207aの内部又は周辺をX2方向に通過する。それから、第3の磁界制御板233を厚み方向(X2方向)に貫通し、紙面手前側に曲がってから、再び、紙面手前側をX1方向に流れる。同様に、第3の電流路を流れる電流から発生した磁束も、電流センサ800の外側をX1方向に流れ、曲がってから、磁気センサ素子207aの内部又は周辺をX2方向に流れる。
Further, the
そのため、電流センサ400は、界制御板中央領域である第1の磁界制御板231を通過する誘導磁界が第1の電流路221を流れる電流から発生する磁界のみとなる。つまり、第2の電流路222及び、第3の電流路223を流れる電流から発生する磁界は、第1の磁界制御板231を通過しない。図14に示す比較例の電流センサ800に比べて、磁界制御板中央領域である第1の磁界制御板231を通過する誘導磁界が減るので、第1の磁界制御板231が飽和し難くなり、大電流の測定を正確にできるようになる。また、磁気センサ素子207aを通過する磁束が増えるので、測定感度が高くなり、小電流の測定を正確にできる。よって、測定範囲(ダイナミックレンジ)を広げることができる。
Therefore, in the
以上のように、本発明の実施形態に係る電流センサ100、電流センサ110について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能である。
As described above, the
1,201 電流路
1a 端部
1b 中心
1c 直交部
1d 挿入片
1e 中心
3,203 磁界制御板
3a 第1端部
3b 第2端部
3c 天面部
3d 中心
5,205 絶縁基板
5a 第1短辺
5b 第2短辺
5c 長辺
5d 取り付け穴
7 センサIC
7a,207a 磁気センサ素子
9 端子
11 筐体
13 台座
21 電流路
21a 端部
21b 中心
21c 直交部
21d 挿入片
21e 中心
31 電流路
31a 端部
31b 中心
31c 直交部
31d 挿入片
31e 中心
33 磁界制御板
33a 第1端部
33b 第2端部
33c 天面部
33d 中心
34 台座
35 絶縁基板
35a 取り付け穴
36 カバー
36a 留め部
37 ケース
38 筐体
38a 第1短辺
38b 第2短辺
38c 長辺
39 端子
41 上側隣接電流路
42 下側隣接電流路
51 マザー基板
100,110,200,400 電流センサ
221 第1の電流路
222 第2の電流路
223 第3の電流路
231 第1の磁界制御板
232 第2の磁界制御板
233 第3の磁界制御板
1,201
7a, 207a Magnetic sensor element 9
Claims (2)
前記電流路は、第1の電流路と、前記第1の電流路の一端から前記第1の電流路に対して傾きを持て延びる第2の電流路と、前記第1の電流路の他端から傾きを持って延びる第3の電流路とを有し、
前記第2の電流路と、前記第3の電流路とは、前記第1の電流路が含まれる平面に対して、同じ側に設けられ、
前記磁界制御板は、第1の磁界制御板と、前記第1の磁界制御板の一端から前記第1の磁界制御板に対して傾きを持て延びる第2の磁界制御板と、前記第1の磁界制御板の他端から傾きを持って延びる第3の磁界制御板とを有し、
前記第2の磁界制御板と、前記第3の磁界制御板とは、前記第1の磁界制御板が含まれる平面に対して、同じ側に設けられ、
前記磁気センサ素子は、前記第1の電流路に対して前記第1の磁界制御板とは反対側で前記第1の電流路に対向して位置し、
前記第1の電流路と前記第1の磁界制御板とは、平行で有り、
前記第1の電流路に対して前記第2の電流路及び前記第3の電流路が設けられる方向と、前記第1の磁界制御板に対して前記第2の磁界制御板及び前記第3の磁界制御板が設けられる方向とが同じである
ことを特徴とする電流センサ。 A current path through which a current to be measured flows, a magnetic field control plate for controlling a magnetic field generated by the current to be measured, and a magnetic sensor element for measuring the magnetic field,
The current path includes a first current path, a second current path extending from one end of the first current path with an inclination to the first current path, and the other end of the first current path. And a third current path extending with an inclination from
The second current path and the third current path are provided on the same side with respect to a plane including the first current path,
The magnetic field control plate includes a first magnetic field control plate, a second magnetic field control plate extending with an inclination from one end of the first magnetic field control plate with respect to the first magnetic field control plate, and the first magnetic field control plate. A third magnetic field control plate extending with an inclination from the other end of the magnetic field control plate,
The second magnetic field control plate and the third magnetic field control plate are provided on the same side with respect to a plane including the first magnetic field control plate,
The magnetic sensor element is located opposite to the first current path on the side opposite to the first magnetic field control plate with respect to the first current path,
The first current path and the first magnetic field control plate are parallel to each other,
The direction in which the second current path and the third current path are provided with respect to the first current path, and the second magnetic field control plate and the third current path with respect to the first magnetic field control plate. A current sensor characterized in that the direction in which the magnetic field control plate is provided is the same.
前記第1の磁界制御板と前記第2の磁界制御板及び前記第3の磁界制御板とは直角である、ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
The first current path, the second current path and the third current path are at right angles;
The current sensor according to claim 1, wherein the first magnetic field control plate, the second magnetic field control plate, and the third magnetic field control plate are perpendicular to each other.
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