JP2016170327A - 光反射型リソグラフィマスク、その検査方法、検査装置およびマスクブランク - Google Patents

光反射型リソグラフィマスク、その検査方法、検査装置およびマスクブランク Download PDF

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Abstract

【課題】実施形態は、高アスペクト比の反射層を有し、マスクパターンの欠陥検出を容易にした反射型リソグラフィマスク、その検査方法、検査装置およびマスクブランクを提供する。【解決手段】実施形態に係る反射型リソグラフィマスクは、基板と、前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、前記第１の層上に設けられ、所定のパターンに対応する開口部を有し、第２の光を反射可能な第２の層と、を備える。前記第１の層は、前記第２の層に覆われない部分において、前記基板を透過した前記第１の光により励起された電子を放出する。【選択図】図１

Description

実施形態は、光反射型リソグラフィマスク、その検査方法、検査装置およびマスクブランクに関する。
半導体装置の高集積化のために波長１３．５ｎｍ近傍の極端紫外光（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ技術の開発が進められている。このような極超短波長領域におけるリソグラフィには、所望のマスクパターンに加工された反射層を備えた反射型リソグラフィマスクが用いられる。この反射層には、例えば、モリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜を交互に積層した多層膜が用いられる。しかしながら、マスクパターンの微細化に伴い、このような反射型リソグラフィマスクの構造では、そのアスペクト比が大きくなる。このため、電子顕微鏡などを用いた反射型リソグラフィマスクの欠陥検査において、パターンの底にある欠陥や、エッチング残りのハーフ欠陥などの検出が難しくなり、半導体装置の製造歩留りを低下させる恐れがある。
特開２００５−３２２７５４号公報
実施形態は、高アスペクト比の反射層を有し、パターンの底にある欠陥や、エッチング残りのハーフ欠陥などの欠陥検出を容易にした反射型リソグラフィマスク、その検査方法、検査装置およびマスクブランクを提供する。
実施形態に係る反射型リソグラフィマスクは、基板と、前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、前記第１の層上に設けられ、所定のパターンに対応する開口部を有し、第２の光を反射可能な第２の層と、を備える。前記第１の層は、前記第２の層に覆われない部分において、前記基板を透過した第１の光により励起された電子を放出する 。
実施形態に係る反射型リソグラフィマスクを示す模式断面図である。 実施形態に係る反射型リソグラフィマスクの製作過程を示す模式断面図である。 実施形態に係る反射型リソグラフィマスクの検査方法を示す模式断面図である。 実施形態に係る反射型リソグラフィマスクの検査装置を示す模式図である。 実施形態に係る反射型リソグラフィマスクの検査方法を示すフロー図である。 実施形態に係る検査装置の動作を示す模式断面図である。 実施形態に係る検査装置の別の動作を示す模式断面図である。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
図１は、実施形態に係る反射型リソグラフィマスク（以下、リソグラフィマスク１）を示す模式断面図である。リソグラフィマスク１は、例えば、基板１０と、第１の層（以下、光電層２０）と、第２の層（以下、反射層３０）と、を備える。
基板１０には、例えば、ガラス基板を用いる。基板１０は、好ましくは、チタニウム（Ｔｉ）などをドーピングした低熱膨張ガラス(ＬＴＥＭ)である。これにより、ＥＵＶ光の照射による熱膨張を抑えることができる。ここでＥＵＶ光は、例えば、紫外光である。
図１に示すように、光電層２０は、基板１０の上面１０ａを覆う。光電層２０には、例えば、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）を含む群から選択された少なくともいずれか１つの元素を含む材料を用いる。光電層２０には、例えば、アルカリ金属のような仕事関数の小さい材料を用いることが好ましい。
反射層３０は、光電層２０の上に交互に積層された第１の膜３３および第２の膜３５を含み、ＥＵＶ光を反射する。第２の膜３５は、ＥＵＶ光に対して第１の膜とは異なる屈折率を有する。例えば、第１の膜３３は、モリブデン膜であり、第２の膜３５は、シリコン膜である。反射層３０には、例えば、モリブデン膜とシリコン膜のペアを４０程度積層した多層膜を用いることができる。また、反射層３０と、光電層２０と、の間に他の層を介在させても良い。
図１に示すように、反射層３０は、開口部３７を有する。そして、反射層３０は、その上面視において所定のマスクパターン３０ａを有する。
リソグラフィマスク１は、基板１０の下面１０ｂを覆う導電膜４０をさらに備える。リソグラフィマスク１は、導電膜４０を備えることにより、露光装置のマスクステージに静電チャックを用いて固定することが可能となる。導電膜４０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いることが好ましい。また、導電膜４０には、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）などの導電膜を用いても良い。導電膜４０が後述する検査光ＥＬ（図３参照）を透過しない場合は、マスクパターンの欠陥検査を実施した後に導電膜４０を形成する。
図２を参照して、実施形態に係るリソグラフィマスク１の製作方法を説明する。図２（ａ）〜図２（ｃ）は、リソグラフィマスク１の製作過程を順に示す模式断面図である。
リソグラフィマスク１は、図２（ａ）に示すマスクブランク３を用いて製作される。マスクブランク３は、基板１０と、基板１０の上面１０ａを覆う光電層２０と、光電層２０を覆う反射層３０と、を備える。反射層３０は、第１の膜３３と、第２の膜３５と、を交互に積層した構造を有する。
マスクブランク３は、反射層３０の上に設けられたキャップ層５０をさらに備える。キャップ層５０は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）膜と、窒化タンタル（ＴａＮ）膜と、酸化タンタル（ＴａＯ）膜と、を順に積層した多層構造を有する。反射層３０の最上層は、例えば、シリコン層であり、ルテニウム層は、シリコン層の上に直接形成される。
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば、電子ビーム露光により形成されたレジストマスクを用いてキャップ層５０を選択的に除去し、エッチングマスク５０ａを形成する。エッチングマスク５０ａは、その上面視においてマスクパターン３０ａの形状を有する。
図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク５０ａを用いて、反射層３０を選択的に除去し、開口部３７を形成する。これにより、反射層３０は、その上面視においてマスクパターン３０ａを有する形状に加工される。また、開口部３７の底面に光電層２０を露出させる。光電層２０は、反射層３０に覆われない状態において、基板１０を透過した光により励起される光電子を放出することができる。
続いて、エッチングマスク５０ａを除去し、さらに、基板１０の下面１０ｂ上に導電膜４０を形成することにより、リソグラフィマスク１を完成させる。エッチングマスク５０ａは、反射層３０の上に残しても良い。
図３は、実施形態に係るリソグラフィマスク１の検査方法を示す模式断面図である。図３（ａ）は、反射層３０に欠陥が無い場合を示し、図３（ｂ）は、反射層３０が欠陥Ｄ１およびＤ２を含む場合を示している。
図３（ａ）に示すように、基板１０の下面１０ｂに検査光ＥＬを照射する。検査光ＥＬは、例えば、波長２５７ナノメートル（ｎｍ）のＤＵＶ（Deep Ultra Violet）光である。導電膜４０および基板１０を透過した検査光ＥＬは、光電層２０に到達し、電子を励起する。検査光ＥＬにより励起された光電子は、光電層２０から開口部３７に放出され、電子検出部１０７（図４参照）により検出される。
図３（ｂ）に示すように、開口部３７の中に欠陥Ｄ１もしくはＤ２が存在する場合には、光電子の放出が阻害され、例えば、電子検出部１０７で取得される光電子像の明度が低下する。これにより、反射層３０の欠陥を検出することができる。
欠陥Ｄ１は、例えば、開口部３７の底部に反射層３０の一部が残ったハーフ欠陥であり、光電層２０から表面に放出される光電子の量を減少させる。したがって、光電子像の該当する部分では、光電子像の明度が低下する。また、欠陥Ｄ２は、開口部３７の底部に存在する異物であり、放出される光電子の量を減少させる。このため、光電子像の明度が低下する。
反射層３０が微細化され、そのアスペクト比が大きくなると、開口部３７が深くなり、底部の欠陥Ｄ１およびＤ２の検出が難しくなる。例えば、反射層３０の上面に検査光を照射する光学式欠陥検査法では、反射層３０の底部に検査光を到達させ、その反射光を検出することが難しくなる。ここで、「アスペクト比」とは、反射層３０底面の幅に対する高さの比であり、反射層３０が高くなるにつれてアスペクト比は大きくなる。
また、光学式欠陥検査法では、ＥＵＶ光を用いて露光するパターンサイズを解像することも難しくなる。さらに、電子顕微鏡などの電子線を用いる欠陥検査方法であっても、開口部３７の底に電子線を照射することが難しくなる。
これに対し、本実施形態に係る欠陥検査方法では、基板１０の下面１０ｂ側から光電層２０に検査光ＥＬを照射する。このため、反射層３０は検査光の障害にはならず、開口部３７の底部に存在する欠陥Ｄ１およびＤ２を高い確率で検出することができる。
検査光ＥＬは、波長２５７ｎｍのＤＵＶ光に限定される訳ではなく、例えば、１９３ｎｍ以上、１０６４ｎｍ以下の波長帯の光を用いても良い。また、導電膜４０が光を透過しない場合には、基板１０の下面１０ｂに導電膜４０を形成する前に、上記の欠陥検査を実施する。
図４は、実施形態に係るリソグラフィマスク１の検査装置５を示す模式図である。検査装置５は、例えば、検査ユニット１００と、制御ユニット２００と、を備える。
検査ユニット１００は、例えば、減圧容器１０１と、検査ステージ１０３と、光照射部１０５と、電子検出部１０７と、を備える。減圧容器１０１の内部は、例えば、真空ポンプなどを用いて減圧され、周囲よりも低い気圧に保持される。検査ステージ１０３および電子検出部１０７は、減圧容器１０１の内部に配置される。
マスク保持部は、例えば、検査ステージ１０３であり、図示しない駆動部を備える。検査ステージ１０３は、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ軸を中心とした回転方向に可動である。リソグラフィマスク１は、検査ステージ１０３の上面１０３ａに載置される。また、検査ステージ１０３は、光照射部１０５から放射される光を透過する光透過部１０３ｃを有する。光透過部１０３ｃは、例えば、検査光ＥＬを透過するガラスである。光透過部１０３ｃは、ステージに設けられた貫通孔であっても良い。
光照射部１０５は、例えば、波長２５７ｎｍのＤＵＶ光を放射するＵＶレーザである。図４に示すように、光照射部１０５から放射されるＤＵＶ光は、レンズ１２１により集光され平行光となる。そして、減圧容器１０１に設けられた光学窓１２２からその内部に導入される。
ＤＵＶ光は、減圧容器１０１の内部において、例えば、ミラー１２３により反射された後、レンズ１２５により集光され、検査ステージ１０３の下面１０３ｂを照射する。さらに、ＤＵＶ光は、光透過部１０３ｃを通過し、リソグラフィマスク１の下面側を照射する。これにより、リソグラフィマスク１の光電層２０から光電子を放出させる。
検査ステージ１０３の上方には、電子検出部１０７が配置される。電子検出部１０７は、例えば、ＴＤＩ（Time Delay Integration）センサを用いることができる。電子検出部１０７は、リソグラフィマスク１から放出される光電子を検出する。例えば、ＴＤＩセンサと同期させて検査ステージ１０３を移動させることにより、電子の検出感度を向上させることができる。
検査ステージ１０３と、電子検出部１０７と、の間には、例えば、静電レンズ１１５と、絞り１１７と、を配置する。静電レンズ１１５および絞り１１７は、電子を電子検出部１０７に集める。静電レンズ１１５および絞り１１７は、フォーカスや倍率を調整し、リソグラフィマスク１より放出された光電子を効率良く電子検出部１０７に入射させる。
さらに、静電レンズ１１５と、リソグラフィマスク１と、の間に、電極１１３を配置する。例えば、電極１１３を正電位に保持することにより、リソグラフィマスク１から光電子を引き出し、電子検出部１０７に導くことができる。
制御ユニット２００は、例えば、ステージ制御部２０１と、コントローラ２０３と、画像比較部２０５と、基準画像生成部２０７と、データベース２０９と、備える。制御ユニット２００は、電子検出部１０７の検査画像を基にマスクパターンの欠陥の有無を判定し、欠陥情報として出力する。コントローラ２０３は、例えば、ＣＰＵもしくはマイクロプロセッサである。
例えば、データベース２０９は、マスクパターンの設計データ、アライメント情報、キャリブレーション情報、検査領域、検査モードなどの情報を保持している。そして、基準画像生成部２０７は、データベース２０９に保持された設計データを基に基準画像を生成し、画像比較部２０５に出力する。画像比較部２０５は、例えば、電子検出部１０７から光電子像を取得し、基準画像と比較する。これにより、マスクパターンの欠陥の有無を判定する。
実施形態はこれに限定されず、例えば、電子検出部１０７で取得した検査位置の光電子像を、その周りのパターンや隣接マスクパターンの光電子像と比較することにより欠陥の有無を判定しても良い。
コントローラ２０３は、データベース２０９に保持された検査位置、検査条件、検査領域、検査モードなどの情報を基に、ステージ制御部２０１介して検査ステージ１０３を適宜移動させる。なお、これらの情報は、必ずしもデータベース２０９に保持されている必要はなく、外部から入力しても良い。
画像比較部２０５は、欠陥の有無をコントローラ２０３に出力する。そして、コントローラ２０３は、画像比較部２０５の欠陥情報と、ステージ制御部２０１の位置情報と、を基に欠陥の位置を決定する。また、コントローラ２０３は、画像比較部２０５から取得した画像と、欠陥の位置情報と、をデータベース２０９に記録する。
次に、図４および図５を参照して、実施形態に係るリソグラフィマスク１の検査方法を説明する。図５は、実施形態に係るリソグラフィマスク１の検査方法を示すフロー図である。
ステップＳ０１：リソグラフィマスク１をマスクローダー（図示しない）にセットする。
ステップＳ０２：アライメント座標、検査領域、検査モードなどの検査レシピをコントローラ２０３に入力する。ここで、検査モードとは、画像比較部２０５において実施する光電子像と基準画像の比較方法を意味する。
検査モードとしては、例えば、Cell to Cell、Die to Die、Die to databaseなどのモードがある。Cell to Cellモードでは、電子検出部１０７により取得される検査位置の光電子像と、その周囲のパターンの光電子像を比較することにより欠陥の有無を判定する。Die to Dieモードでは、電子検出部１０７により取得される検査位置の光電子像と、隣接するチップパターンの光電子像を比較することにより欠陥の有無を判定する。Die to Databaseモードでは、電子検出部１０７により取得される光電子像と、データベース２０９に保持された設計データに基づいて生成される基準画像を比較することにより、欠陥の有無を判定する。
ステップＳ０３：リソグラフィマスク１を検査ステージ１０３に移送する。リソグラフィマスク１は、検査ステージ１０３の上に載置され、一時的に固定される。
ステップＳ０４：コントローラ２０３は、ステージ制御部２０１を介して検査ステージ１０３をアライメント座標に移動させ、リソグラフィマスク１の位置調整を行う。例えば、光学顕微鏡（図示しない）を用いてマスクパターンをモニターしながらＸ方向、Ｙ方向およびＺ軸を中心とした回転方向のアライメントを行う。また、光学顕微鏡を用いたアライメントに加えて、電子検出部１０７の光電子像やその他の画像を用いたより高精度なアライメントを実施しても良い。
ステップＳ０５：コントローラ２０３は、ステージ制御部２０１を介して検査ステージ１０３を検査位置に移動させる。その後、光照射部１０５を起動しリソグラフィマスク１の下面に検査光を照射させる。例えば、オペレータは、電子検出部１０７の光電子像をモニターし、その明度およびセンサゲインなどに基づいて検査条件を決定し、コントローラ２０３に入力する。
ステップＳ０６：コントローラ２０３は、入力された検査領域の情報に基づき、ステージ制御部２０１を介して検査ステージ１０３の駆動部を動作させ、リソグラフィマスク１の検査領域をスキャンを開始する。
ステップＳ０７：コントローラ２０３は、電子検出部１０７を制御して光電子像を取得する。さらに、画像比較部２０５を介して取得した光電子像と、ステージ制御部２０１を介して取得したリソグラフィマスク１上の位置データと、を対応づけてデータベース２０９に記憶させる。
画像比較部２０５は、電子検出部１０７から取得した光電子像を解析し、欠陥の有無を判定する。例えば、検査モードがCell to Cellの場合、検査対象位置の光電子像と、その周囲の光電子像と、の間の明度差画像を生成し、予め設定した閾値に基づいて欠陥の有無を判定する。また、複数の閾値を設定し、欠陥の種類を判定しても良い。検査モードがDie to Dieの場合、隣接するチップパターンの同一部分に対する明度差画像を生成し、欠陥の有無もしくは種類を判定する。また、検査モードがDie to Databaseの場合、基準画像生成部２０７は、データベース２０９に保持されたマスクパターンの設計情報に基づいて基準画像を生成し、画像比較部２０５は、電子検出部１０７の光電子像と、基準画像と、の間の明度差画像を生成し、欠陥の有無もしくは種類を判定する。基準画像は、電子検出部１０７のセンササイズに基づいて生成される。
このような欠陥判定は、リアルタイムで実施しても良いし、検査領域をスキャンした後に実施しても良い。また、判定結果は、コントローラ２０３を介してデータベース２０９に保存される。
ステップＳ０８：リソグラフィマスク１の検査領域のスキャンを終了後、コントローラ２０３は、光照射部１０５に検査光の照射を停止させ、ステージ制御部２０１を介して検査ステージ１０３をマスクアンロード位置に移動させる。
上記の検査フローは１つの例であり、実施形態はこれに限定される訳では無い。また、コントローラ２０３は、ステージ制御部２０１、画像比較部２０５、基準画像生成部２０７およびデータベース２０９を制御し、上記の検査フローを実行する。
図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照して、検査装置５の光電子の引き出し動作を説明する。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、リソグラフィマスク１の断面を表す模式図である。
図６（ａ）に示すように、光電層２０から光電子が放出される方向はランダムである。したがって、開口部３７が深い場合、光電子は反射層３０の側面に衝突し、そのエネルギーを失う。この結果、開口部３７の外へ放出される光電子の数は限られる。
本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、リソグラフィマスク１の上方に電極１１３を配置する。そして、電極１１３にプラス電位を与える。開口部３７の内部の光電子は、電極１１３により生じる電界に引き寄せられて開口部３７の外に放出される。これにより、電子検出部１０７により検出される光電子の量を増やすことができる。
また、図６（ｃ）に示すように、反射層３０にマイナス電位を与えても良い。例えば、反射層３０および光電層２０は、導電性を有する。したがって、反射層３０および光電層２０の電位はマイナスとなる。このため、光電層２０から放出された光電子は、開口部３７中の電界に弾かれて外に放出される。これにより、電子検出部１０７により検出される光電子の量を増やすことができる。
例えば、リソグラフィマスク１の反射層３０に接する電極端子６０を検査ステージ１０３に設けることができる。これにより、反射層３０および光電層２０にマイナス電位を与えることができる。また、図６（ｂ）に示す電極１１３と、検査ステージ１０３の電極端子６０を併用しても良い。
図７は、実施形態に係る検査装置５の別の動作を示す模式図である。図７は、リソグラフィマスク１の断面を表す模式図である。
例えば、基板１０に使用する低熱膨張ガラス(ＬＴＥＭ)は、チタニウムなどの不純物ドーピングに起因する欠陥ＳＤ、所謂、脈理を含むことがある。これにより、検査光ＥＬが散乱され、所望の検査位置に照射されないことが懸念される。この場合、入射角および照射位置の少なくともいずれかを変化させた検査光ＥＬ１およびＥＬ２を照射し、欠陥ＳＤの影響を抑えることが望ましい。
例えば、検査装置５は検査ステージ１０３の下方にミラー１２３の角度およびレンズ１２５の位置を変化させる照射調整機構１２７を有する。これにより、検査光ＥＬの光路を変化させ、検査ステージ１０３の下面１０３ｂに対する入射角および照射位置を変化させることができる。
例えば、電子検出部１０７では、光電子像を形成するために所定の時間内に検出された光電子量を積算する。この間において、検査光ＥＬの入射角および照射位置の少なくともいずれかを変化させ、基板１０中の欠陥ＳＤの影響を低減することができる。
上記の実施形態では、光反射型リソグラフィマスク１は、基板１０と、反射層３０と、の間に光電層２０を備える。これにより、基板１０の下面１０ｂ側から検査光ＥＬを照射するマスクパターンの欠陥検査を実施することが可能となる。そして、本実施形態に係るマスクパターンの検査方法では、微細加工された反射層３０のアスペクト比に影響されることなく、マスク欠陥の検出が可能となる。これにより、光反射型リソグラフィマスクの製造歩留りを向上させると共に、半導体装置の製造歩留りを向上させることが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１・・・リソグラフィマスク、 ３・・・マスクブランク、 ５・・・検査装置、 １０・・・基板、 １０ａ、１０３ａ・・・上面、 １０ｂ、１０３ｂ・・・下面、 ２０・・・光電層、 ３０・・・反射層、 ３０ａ・・・マスクパターン、 ３３・・・第１の膜、 ３５・・・第２の膜、 ３７・・・開口部、 ４０・・・導電膜、 ５０・・・キャップ層、 ５０ａ・・・エッチングマスク、 ６０・・・電極端子、 １００・・・検査ユニット、 １０１・・・減圧容器、 １０３・・・検査ステージ、 １０３ｃ・・・光透過部、 １０５・・・光照射部、 １０７・・・電子検出部、 １１３・・・電極、 １１５・・・静電レンズ、 １１７・・・絞り、 １２１、１２５・・・レンズ、 １２２・・・光学窓、 １２３・・・ミラー、 １２７・・・照射調整機構、 ２００・・・制御ユニット、 ２０１・・・ステージ制御部、 ２０３・・・コントローラ、 ２０５・・・画像比較部、 ２０７・・・基準画像生成部、 ２０９・・・データベース、 ＥＬ・・・検査光

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、
    前記第１の層上に設けられ、所定のパターンに対応する開口を有し、第２の光を反射可能な第２の層と、
    を備えた光反射型リソグラフィマスク。
  2. 前記第１の層は、タンタル、ルテニウム、金、モリブデン、シリコン、クロム、白金、パラジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ジルコニウム、セシウムおよびフランシウムからなる群の少なくともいずれか１つを含む請求項１記載の光反射型リソグラフィマスク。
  3. 前記第２の層は、第１の膜と、前記第１の膜と交互に積層され前記第１の膜とは異なる屈折率を有する第２の膜と、を含む請求項１または２に記載の光反射型リソグラフィマスク。
  4. 基板と、
    前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、
    前記第１の層上に設けられ、第２の光を反射可能な第２の層と、
    を備えたマスクブランク。
  5. 基板と、
    前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、
    前記第１の層上に設けられ、所定のパターンに対応する開口部を有し、第２の光を反射可能な第２の層と、
    を有する光反射型リソグラフィマスクの検査方法であって、
    前記基板の第２面側から前記第１の層に第１の光を照射する工程と、
    前記第１の光を受けて前記第１の層から発せられた前記電子を、前記基板の第１面側に配置された検出器により検出する光反射型リソグラフィマスクの検査方法。
  6. 前記基板に対する前記第１の光の入射角および入射位置の少なくともいずれか一方を変えて前記第１の光を前記第１の層に照射し、前記第１の層から発せられる前記電子を検出する請求項５記載の光反射型リソグラフィマスクの検査方法。
  7. 基板と、前記基板の第１面に設けられ、第１の光を受けて電子を発することが可能な第１の層と、前記第１の層上に設けられ、所定のパターンに対応する開口部を有し、第２の光を反射可能な第２の層と、を有する光反射型リソグラフィマスクの検査装置であって、
    減圧容器と、
    前記減圧容器の中に設けられ、マスクを保持するマスク保持部と、
    前記マスク保持部の一方の側に第１の光を照射する光照射部と、
    前記マスク保持部の他方の側に配置され、電子を検出する電子検出部と、
    前記マスク保持部と、前記電子検出部と、の間に配置された電極と、
    前記電子検出部で検出した前記電子の像の画像情報を取得し、前記マスクの欠陥の有無を判定する制御部と、
    を備えた光反射型リソグラフィマスクの検査装置。
  8. 前記マスク保持部に入射させる前記第１の光の入射角および入射位置の少なくともいずれか一方を変化させる機構をさらに備える請求項７記載の光反射型リソグラフィマスクの検査装置。
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