JP2016162983A - エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作によりシリコン基板などの被処理物の表面に逆ピラミッド構造のテクスチャを形成することのできるエッチング処理用組成物を提供する。【解決手段】含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。【選択図】なし
Description
本発明は、エッチング処理用組成物、及び該エッチング処理用組成物を用いたエッチング処理方法に関する。
太陽電池は、昨今の地球温暖化対策として最も重要な技術であり、現在開発に注力化されている。太陽電池の開発における効率向上策は非常に重要であるが、材料による効率向上には限界があるため、デバイス全体での効率向上策が検討されている。
効率の改善策としては、デバイス受光面での光吸収効率を向上させれば、効率向上に大きく寄与できることが知られている。このため、単結晶シリコン等のシリコン基板の表面のテクスチャ構造の最適化による光の低反射率化及び光閉じ込め効果が注目されており、このテクスチャ構造の形成方法が精力的に検討されている。
このシリコン基板表面のテクスチャ構造について、変換効率への効果は、形状によって異なり、ハニカム形状>逆ピラミッド形状>ピラミッド形状>クレーター形状の順に優れていることが知られている。
ハニカム形状のテクスチャ構造は、シリコン基板にプラズマCVDでマスクを形成し、レーザパターニングにより穴あけ加工を行う。その後、 フッ硝酸等を用いた等方性湿式エッチングにより、半球状の穴を最密配置でシリコン基板表面に形成したものであり、工程数が多く、高コストであり、実用化はされていない(非特許文献1等参照)。
逆ピラミッド形状のテクスチャ構造は、通常、結晶シリコン基板に対して、マスクを用いて、リソグラフィによる工程により形成されているため、工程数が多く、高コストとなり、汎用には使われていない(非特許文献2等参照)。
ピラミッド形状は、単結晶シリコンにアルカリエッチングを行うことにより形成されるテクスチャで、最も汎用に使われており、コストは低いが、太陽光の光閉じ込め効果はピラミッド構造ゆえに高くない。
クレーター形状のテクスチャは、多結晶シリコンを酸でエッチングした場合のもので、アルカリエッチング同様にコストは低いが、太陽光の閉じ込め効果はこれらの中でもっとも低い。
上記のようなシリコン基板表面にテクスチャ構造を形成する技術として、本発明者らは、エッチング処理の対象となる固体材料上に、N−F結合を有する有機化合物を含む薄膜を形成し、当該薄膜に露光を行うことによりエッチング処理を行うという、従来のエッチング処理方法とは異なる方法を開発した。
本発明者らが開発したエッチング処理方法では、N−F結合を有する有機化合物をシリコン基板などの固体材料の表面に塗布し、当該塗布面を露光することにより、固体材料表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することができる(特許文献1等参照)。
上記の通り、本発明者らが開発したエッチング処理方法は、簡便な操作により、固体材料表面に光の低反射率化及び/又は光閉じ込め効果の高い逆ピラミッド形状のテクスチャを形成できる画期的な方法であるものの、エッチング処理の際に用いるN−F結合を有する有機化合物の調達コストが高いため、実用化に向けてはコスト面の問題を克服する必要がある。
J. Plasma Fusion Res.,Vol.85,No.12(2009),p.829-832
M. A. Green et al, Very high efficiency silicon solar cells science and technology,IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES,46(1999),p.1940-1947
本発明は、上記した課題を解決するためになされたものであり、低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作により、シリコン基板などの被処理物の表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することのできる、エッチング処理用組成物及び該エッチング処理用組成物を用いたエッチング処理方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、驚くべきことに、ピリジン等の含窒素芳香族複素環化合物、及びフッ化水素を含む組成物を用いることにより、上記した課題を解決できることを見出した。さらに、当該組成物を用いたエッチング処理により、被処理物に逆ピラミッド形状のテクスチャを形成できることを見出した。本発明者らは、かかる知見に基づき、さらなる研究を重ねることにより本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、代表的には以下の項に記載のエッチング処理用組成物、及び該エッチング処理用組成物を用いたエッチング処理方法を提供するものである。
項1.
含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。
含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。
項2.
含窒素芳香族複素環化合物が、ピリジン又はその誘導体である、上記項1に記載のエッチング処理用組成物。
含窒素芳香族複素環化合物が、ピリジン又はその誘導体である、上記項1に記載のエッチング処理用組成物。
項3.
ピリジン又はその誘導体が、下記式(1):
ピリジン又はその誘導体が、下記式(1):
[式中、隣接するR1とR2、R2とR3、R3とR4又はR4とR5は連結して、−CR6=CR7−CR8=CR9−を形成していてもよく、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、及びR9は同一又は異なって、水素原子;ハロゲン原子;ニトロ基;ヒドロキシ基;シアノ基;カルバモイル基;ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシルオキシ基及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルケニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリール基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数2〜15のアルコキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数7〜15のアリールオキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルコキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールオキシ基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルオキシ基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルチオ基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルカンスルホニルオキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニルオキシ基;炭素数1〜5のアルキル基及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいカルバモイル基;炭素数1〜5のアシル基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいアミノ基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のN−アルキルピリジニウム塩基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数11〜15のN−アリールピリジニウム塩基;又は有機ポリマー鎖を表わす。]
で表わされる化合物である、上記項2に記載のエッチング処理用組成物。
で表わされる化合物である、上記項2に記載のエッチング処理用組成物。
項4.
さらに、酸化剤を含む、上記項1〜3のいずれかに記載のエッチング処理用組成物。
さらに、酸化剤を含む、上記項1〜3のいずれかに記載のエッチング処理用組成物。
項5.
酸化剤が、過酸化水素、過酢酸、及び含窒素芳香族複素環化合物の酸化物からなる群から選択される少なくとも1種である、上記項4に記載のエッチング処理用組成物。
酸化剤が、過酸化水素、過酢酸、及び含窒素芳香族複素環化合物の酸化物からなる群から選択される少なくとも1種である、上記項4に記載のエッチング処理用組成物。
項6.
(1)上記項1〜5のいずれかに記載のエッチング処理用組成物を被処理物に接触させる工程
を含む、エッチング処理方法。
(1)上記項1〜5のいずれかに記載のエッチング処理用組成物を被処理物に接触させる工程
を含む、エッチング処理方法。
項7.
さらに、
(2−1)被処理物を加熱する工程
を含む、上記項6に記載のエッチング処理方法。
さらに、
(2−1)被処理物を加熱する工程
を含む、上記項6に記載のエッチング処理方法。
項8.
さらに、
(2−2)被処理物におけるエッチング処理用組成物との接触面にエネルギー線を照射する工程
を含む、上記項6又は7に記載のエッチング処理方法。
さらに、
(2−2)被処理物におけるエッチング処理用組成物との接触面にエネルギー線を照射する工程
を含む、上記項6又は7に記載のエッチング処理方法。
項9.
被処理物が、半導体材料又は絶縁体材料である、上記項6〜8のいずれかに記載のエッチング処理方法。
被処理物が、半導体材料又は絶縁体材料である、上記項6〜8のいずれかに記載のエッチング処理方法。
項10.
上記項6〜9のいずれかに記載のエッチング処理方法により得られるエッチング処理物。
上記項6〜9のいずれかに記載のエッチング処理方法により得られるエッチング処理物。
項11.
上記項10に記載のエッチング処理物を含む、太陽電池。
上記項10に記載のエッチング処理物を含む、太陽電池。
本発明によれば、低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作により、被処理物の表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することができる。
以下、本発明について詳細に説明する。
1.エッチング処理用組成物
本発明のエッチング処理用組成物は、含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含有する。なお、以下において、本発明のエッチング処理用組成物を「本発明の組成物」と記載する場合がある。
本発明のエッチング処理用組成物は、含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含有する。なお、以下において、本発明のエッチング処理用組成物を「本発明の組成物」と記載する場合がある。
本発明で用いる含窒素芳香族複素環化合物は、環内に少なくとも1つの窒素原子を有する複素環化合物のうち芳香族性を示す化合物である。
本発明で用いる含窒素芳香族複素環化合物としては、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、これらの誘導体などの5員環化合物;ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、これらの誘導体などの6員環化合物;インドール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、キナゾリン、フタラジン、ナフチリジン、プテリジン、アクリジン、ナフタジン、フェナジン、ヘナントロリン、これらの誘導体などの複環化合物などを例示することができる。中でも、ピリジン又はその誘導体が好ましい。ピリジン又はその誘導体としては、下記式(1):
[上記式(1)中、隣接するR1とR2、R2とR3、R3とR4又はR4とR5は連結して、−CR6=CR7−CR8=CR9−を形成していてもよく、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、及びR9は同一又は異なって、水素原子;ハロゲン原子;ニトロ基;ヒドロキシ基;シアノ基;カルバモイル基;ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数2〜5のアシル基(アルカノイル基等)、炭素数2〜5のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等)及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルケニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリール基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシル基(アルカノイル基等);ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数2〜15のアルコキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数7〜15のアリールオキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルコキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールオキシ基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等);少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルチオ基(アルカノイルチオ基等);ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルカンスルホニルオキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニルオキシ基;炭素数1〜5のアルキル基及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいカルバモイル基;炭素数1〜5のアシル基(アルカノイル基等)及びハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいアミノ基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のN−アルキルピリジニウム塩基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数11〜15のN−アリールピリジニウム塩基;又は有機ポリマー鎖を表わす。]で表わされる化合物が好ましく、下記式(2):
[上記式(2)中、R1a、R2a、R3a、R4a、及びR5aは同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、ハロゲン原子、メチル基もしくはハロゲンで置換されていてもよいフェニル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基(アルカノイル基等)、炭素数2〜4のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等)、炭素数2〜4のアルコキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を表わす。]で表わされる化合物がより好ましく、ピリジン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2,4−ジメチルピリジン、2,5−ジメチルピリジン、2,6−ジメチルピリジン、3,4−ジメチルピリジン、3,5−ジメチルピリジン、3,6−ジメチルピリジン、2−クロロピリジン、3−クロロピリジン、4−クロロピリジン、2,4−ジクロロピリジン、2,5−ジクロロピリジン、2,6−ジクロロピリジン、3,4−ジクロロピリジン、3,5−ジクロロピリジン、3,6−ジクロロピリジンが特に好ましい。
本発明の組成物に含まれる含窒素芳香族複素環化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。2種以上を組み合わせて用いる場合には、上記した含窒素芳香族複素環化合物を任意に組み合わせて用いればよく、その組成比は特に制限されない。
本発明の組成物における含窒素芳香族複素環化合物の含有量は、エッチング処理を好適に行うことができる範囲であれば特に制限されず、組成物全量を基準として、通常、0.01〜100mol/L程度、好ましくは0.1〜50mol/L程度、より好ましくは1〜25mol/Lである。
本発明で用いるフッ化水素は、水溶液の形態(フッ化水素酸又はフッ酸)として用いることが好ましい。当該水溶液におけるフッ化水素の濃度は特に制限されないが、通常、0.1〜80%程度、好ましくは1〜40%程度である。また、当該水溶液に溶解する溶媒を添加してもよい。このような溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどが挙げられる。
本発明の組成物におけるフッ化水素の含有量は、エッチング処理を好適に行うことができる範囲であれば特に制限されず、組成物全量を基準として、0.001〜200mol/L程度、好ましくは0.01〜100mol/L程度、より好ましくは0.1〜50mol/Lである。
また、本発明の組成物における含窒素芳香族複素環化合物とフッ化水素との組成比は、エッチング処理を好適に行うことができる範囲であれば特に制限されないが、(含窒素芳香族複素環化合物:フッ化水素)のモル濃度比が、(100:1)〜(1:200)程度であることが好ましく、(50:1)〜(1:100)程度であることがより好ましく、(10:1)〜(1:50)程度であることがさらに好ましく、(1:10)〜(1:25)程度であることが特に好ましい。
本発明の組成物は、さらに、酸化剤を含んでいてもよい。酸化剤を含む本発明の組成物を用いることにより、エッチング処理速度を向上させることができ、より短時間で逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することができる。
酸化剤としては、エッチング処理の被処理物から電子を受け取ることができ、かつ被処理物表面を酸化できるものであれば特に制限されないが、取り扱い易さやコスト面の観点からは、過酸化水素、過酢酸、上記した含窒素芳香族複素環化合物の酸化物、オゾン、硫酸又は硝酸が好ましく、中でも過酸化水素又は上記した含窒素芳香族複素環化合物の酸化物がより好ましい。
過酸化水素は、水溶液の形態(過酸化水素水)として用いることが好ましい。当該水溶液における過酸化水素の濃度は特に制限されないが、0.01〜100mol/L程度、好ましくは0.01〜50mol/L程度、より好ましくは0.1〜25mol/L程度である。
含窒素複素環化合物の酸化物は、環内の少なくとも1つの窒素原子に酸素原子が結びついたものであり、具体的には、環内に下記式(3):
で表わされる部分構造を有する化合物である。
上記式(3)で表わされる部分構造を有する化合物としては、ピリジン−n−オキシド、ピリダジン−n−オキシド、ピリダジン−1,2−ジオキシド、ピラジン−n−オキシド、ピラジン−1,4−ジオキシド、ピリミジン−n−オキシド、ピリミジン−1,3−ジオキシド、これらの誘導体などの6員環化合物を例示することができる。中でも、下記式(4):
[上記式(4)中、隣接するR1とR2、R2とR3、R3とR4又はR4とR5は連結して、−CR6=CR7−CR8=CR9−を形成していてもよく、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、及びR9は同一又は異なって、水素原子;ハロゲン原子;ニトロ基;ヒドロキシ基;シアノ基;カルバモイル基;ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、炭素数2〜5のアシル基(アルカノイル基等)、炭素数2〜5のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等)及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルケニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリール基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシル基(アルカノイル基等);ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数2〜15のアルコキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数7〜15のアリールオキシカルボニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキルスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルフィニル基;ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルコキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールオキシ基;少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等);少なくとも1種のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜15のアシルチオ基(アルカノイルチオ基等);ハロゲン原子及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数1〜15のアルカンスルホニルオキシ基;ハロゲン原子及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のアリールスルホニルオキシ基;炭素数1〜5のアルキル基及び炭素数6〜10のアリール基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいカルバモイル基;炭素数1〜5のアシル基(アルカノイル基等)及びハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよいアミノ基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数6〜15のN−アルキルピリジニウム塩基;ハロゲン原子、炭素数6〜10のアリール基及び炭素数1〜5のアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい炭素数11〜15のN−アリールピリジニウム塩基;又は有機ポリマー鎖を表わす。]で表わされる化合物が好ましく、下記式(5):
[上記式(5)中、R1a、R2a、R3a、R4a、及びR5aは同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロアルキル基、ハロゲン原子、メチル基もしくはハロゲンで置換されていてもよいフェニル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基(アルカノイル基等)、炭素数2〜4のアシルオキシ基(アルカノイルオキシ基等)、炭素数2〜4のアルコキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を表わす。]で表わされる化合物がより好ましく、2−メチルピリジン−N−オキシド、3−メチルピリジン−N−オキシド、4−メチルピリジン−N−オキシド、2,4−ジメチルピリジン−N−オキシド、2,5−ジメチルピリジン−N−オキシド、2,6−ジメチルピリジン−N−オキシド、3,4−ジメチルピリジン−N−オキシド、3,5−ジメチルピリジン−N−オキシド、3,6−ジメチルピリジン−N−オキシド、2−クロロピリジン−N−オキシド、3−クロロピリジン−N−オキシド、4−クロロピリジン−N−オキシド、2,4−ジクロロピリジン−N−オキシド、2,5−ジクロロピリジン−N−オキシド、2,6−ジクロロピリジン−N−オキシド、3,4−ジクロロピリジン−N−オキシド、3,5−ジクロロピリジン−N−オキシド、3,6−ジクロロピリジン−N−オキシドが特に好ましい。
本発明の組成物が酸化剤を含有する場合、その含有量は、本発明の効果が著しく損なわれない限り特に制限されず、組成物全量を基準として、通常、0.001〜200mol/L程度、好ましくは0.01〜100mol/L程度、より好ましくは0.1〜50mol/Lである。
また、本発明の組成物が酸化剤を含有する場合、フッ化水素と酸化剤との組成比は、本発明の効果が著しく損なわれない限り特に制限されないが、(フッ化水素:酸化剤)のモル濃度比が、(50:1)〜(1:50)程度であることが好ましく、(20:1)〜(1:20)程度であることがより好ましく、(10:1)〜(1:10)程度であることがさらに好ましく、(5:1)〜(1:5)程度であることが特に好ましい。
さらに、本発明の組成物が酸化剤を含有する場合、含窒素芳香族複素環化合物と、フッ化水素及び酸化剤との組成比は、本発明の効果が著しく損なわれない限り特に制限されないが、(含窒素芳香族複素環化合物:フッ化水素及び酸化剤)のモル濃度比が、(100:1)〜(1:100)程度であることが好ましく、(50:1)〜(1:50)程度であることがより好ましく、(20:1)〜(1:20)程度であることがさらに好ましく、(10:1)〜(1:10)程度であることが特に好ましい。
本発明の組成物の形態は、エッチング処理を行う際に被処理物と接触可能な形態であれば特に制限されないが、組成物の調製の簡便さや取り扱い易さの観点からは液状であることが好ましい。溶媒としては特に制限されず、例えば、水などを用いることができる。
また、本発明の組成物の調製方法としては特に制限されず、例えば、フッ化水素の水溶液に含窒素芳香族複素環化合物を添加することなどにより調製することができる。
2.エッチング処理方法
本発明のエッチング処理方法は、(1)上記したエッチング処理用組成物を被処理物に接触させる工程を含む。なお、以下において、当該工程を「工程(1)」と記載する場合がある。
本発明のエッチング処理方法は、(1)上記したエッチング処理用組成物を被処理物に接触させる工程を含む。なお、以下において、当該工程を「工程(1)」と記載する場合がある。
被処理物としては、半導体材料や絶縁体材料などの固体材料を例示することができる。半導体材料としては、例えば、シリコン(単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等)、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド(SiC)、ガリウムヒ素、ガリウムアルミニウムヒ素、インジウムリン、インジウムアンチモン、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁体材料としては、例えば、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロムなどの金属酸化物及びこれらのシリケート、二酸化ケイ素、石英などのシリコン酸化物、シリコン窒化物、サファイアなどが挙げられる。
なお、被処理物の表面形状等については特に制限されず、例えば、被処理物の全面について鏡面処理が施されたもの、被処理物の片面(例えば、本発明の組成物の接触面)のみについて鏡面処理が施されたもの、鏡面処理が施されていないものなど、いずれも好ましく用いることができる。シリコン材料を例にとると、鏡面処理が施されたものとしてはLSI用シリコン基板を、鏡面処理が施されていないものとしては太陽電池用シリコン基板を例示することができる。
また、被処理物は、工程(1)の前に前処理が施されたものであってもよい。前処理としては、前処理としては、アセトン等の有機溶媒、硫酸と過酸化水素水との混合物などによる被処理物表面の有機物の除去処理、フッ酸やバッファードフッ酸などによる被処理物表面の酸化膜除去処理、塩酸、硝酸と過酸化水素水との混合物などによる金属不純物除去処理などが挙げられる。
太陽電池用シリコン基板は、通常、シリコンを遊離砥粒又は固定砥粒によりスライスされており、鏡面処理がなされていない。特に、太陽電池用単結晶シリコン基板の場合は、通常、シリコンが(100)面に沿ってスライスされることにより、当該基板の表面にチッピングによる傷が存在する。当該チッピングによる傷はエッチングの起点となり得るため、このような材料を被処理物としてエッチング処理を行う場合には、より短時間で逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することができる。
本発明の組成物を被処理物に接触させる方法としては特に制限されず、公知の方法により接触させればよい。例えば、キャスト法、スピンコート法、スプレー法、インクジェット法、ドクターブレード法などの塗布法や、本発明の組成物に被処理物を浸漬させることで実施することができる。
本発明の組成物の被処理物への接触は、被処理物の全面に行ってもよいし、被処理物の所望の箇所に部分的に行ってもよい。被処理物の全面に本発明の組成物を接触させた場合には、被処理物の全面をエッチングすることができ、被処理物の所望の箇所に部分的に本発明の組成物を接触させた場合には、本発明の組成物の接触面のみを部分的にエッチングすることができる。なお、マスキングをしてスプレーする方法やインクジェット法は、被処理物の所望の箇所に部分的に本発明の組成物を接触させることができるため好ましい。
また、被処理物は、工程(1)の前に本発明のエッチング処理方法以外の方法によるエッチング処理が施されたものであってもよい。本発明のエッチング処理方法以外の方法としては、例えば、アルカリエッチング処理や、上記特許文献1に記載のエッチング処理などが挙げられる。
また、本発明のエッチング処理方法は、さらに、(2−1)被処理物を加熱する工程を含む。なお、以下において、当該工程を「工程(2−1)」と記載する場合がある。
加熱温度は、常温(20℃程度)を超える温度であれば特に制限はないが、25℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましく、75℃以上がさらに好ましい。なお、加熱と同時に後述の工程(2−2)を行う場合には25℃以上であることが好ましく、行わない場合には28℃以上であることが好ましい。後述の工程(2−2)を行う場合と行わない場合のいずれの場合にも、加熱温度を60℃以上(好ましくは75℃以上、より好ましくは150℃以上)とすれば、さらにエッチング処理速度を向上させることができる。加熱温度の上限値は、特に制限はないが、本発明の組成物に含まれる各成分が分解する温度以下であることが好ましい。具体的には、200℃以下が好ましく、150℃以下がより好ましい。
加熱時間についても特に制限されず、所望するエッチング処理により形成される逆ピラミッド形状のテクスチャの大きさに応じて適宜設定すればよい。具体的には、1分〜2時間程度が好ましい。これにより、さらに効率的に、被処理物の表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを形成することが可能である。なお、加熱温度が60℃未満の場合は5分〜2時間程度がより好ましく、加熱温度が60℃以上の場合は1〜30分程度がより好ましい。なお、加熱と同時に後述する工程(2−2)を行う場合には、エネルギー線を照射している間は加熱していることが好ましい。
加熱方法としても特に制限はなく、従来から行われている方法を採用することができる。例えば、ホットプレート、ペルチェ素子、水浴、オイルバス、恒温槽、恒温恒湿槽、乾燥機、インキュベーター、加熱炉、電気炉、赤外線照射等を使用することができる。
当該工程(2−1)により、被処理物における本発明の組成物との接触面の全面にわたって、エッチング処理速度を向上させることができる。
また、本発明のエッチング処理方法では、上記工程(1)を行った後に工程(2−1)を順次行ってもよいし、上記工程(1)及び工程(2−1)を同時に行ってもよい。工程(1)及び工程(2−1)を同時に行う方法としては、例えば、エッチング処理用組成物を加熱することにより予め上記した加熱温度に設定しておき、被処理物を当該加熱された組成物に上記した加熱時間浸漬する等して接触させる方法などが挙げられる。このように工程(1)及び工程(2−1)を同時に行うことにより、エッチング処理に要する工数を削減することができる。
なお、加熱による反応機構は必ずしも明らかではないが、被処理物がシリコンである場合を例とすると、被処理物表面の温度上昇により、含窒素芳香族複素環化合物とシリコンとの間の電子授受が活発になり、界面でシリコンがフッ素化されることによりエッチング処理が促進されると考えられる。なお、高温(具体的には60℃以上)では、本発明の組成物の粘度が下がり流動しやすくなるため、常にシリコン表面が活性な含窒素芳香族複素環化合物と接することが出来る。
また、本発明のエッチング処理方法は、さらに、(2−2)被処理物におけるエッチング処理用組成物との接触面にエネルギー線を照射する工程を含む。なお、以下において、当該工程を「工程(2−2)」と記載する場合がある。
照射するエネルギー線としては、被処理物において電子励起を起こさせることができるものであれば特に制限されず、例えば、可視光、紫外線、赤外線、X線、電子ビーム、イオンビーム、レーザービームなどが挙げられる。中でも、可視光又は紫外線が好ましい。
なお、ここで、可視光とは波長が400〜800nm程度、紫外線とは波長が10〜400nm程度、赤外線とは波長が800nm〜25μm程度、X線とは波長が0.01〜70nm程度、電子ビームとは加速電圧が0.1kV〜200kV程度、イオンビームとは加速電圧が1kV〜200kV程度である。また、レーザービームは、光の照射範囲を正確かつ容易にコントロールできる点で優れており、パルス巾、出力、波長、発振方式及び媒体にこだわらず使用可能である。また、可視光〜紫外線領域の波長を有するエネルギー線を照射可能なエネルギー線源としては、例えば、キセノンランプを用いることができる。
エネルギー線の照射条件は、エッチング処理を好適に行うことができる条件であれば特に制限されない。例えば、照射強度としては、0.001〜10W/cm2程度、好ましくは0.1〜5W/cm2程度、照射時間としては、1秒〜2時間程度、好ましくは10秒〜2時間程度の条件で行うことができる。
エネルギー線を照射する場合、被処理物における本発明の組成物との接触面全面に照射してもよいし、マスキングする方法やプロジェクタなどを用いることにより、被処理物の所望の箇所に部分的にエネルギー線を照射することができる。
当該工程(2−2)により、エネルギー線の照射面の全面にわたって、エッチング処理速度を向上させることができる。
また、本発明のエッチング処理方法では、上記工程(1)を行った後に工程(2−2)を順次行ってもよいし、上記工程(1)及び工程(2−2)を同時に行ってもよい。工程(1)及び工程(2−2)を同時に行う方法としては、例えば、キセノンランプなどのエネルギー線照射環境下において、被処理物をエッチング処理用組成物に上記したエネルギー線の照射時間浸漬する等して接触させる方法などが挙げられる。このように工程(1)及び工程(2−2)を同時に行うことにより、エッチング処理に要する工数を削減することができる。
またさらに、本願のエッチング処理方法では、上記工程(1)を行った後、上記工程(2−1)を行い、その後工程(2−2)を順次行ってもよいし、上記工程(1)を行った後、上記工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行ってもよいし、上記工程(1)、工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行ってもよい。
工程(1)を行った後、上記工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行う方法としては、例えば、エッチング処理用組成物を被処理物に塗布する等して接触させた後に、当該被処理物をキセノンランプ等のエネルギー線照射環境下のホットプレート上などに上記した加熱時間及び/又はエネルギー線の照射時間静置し、エネルギー線の照射と加熱を同時に行う方法などが挙げられる。このように工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行うことにより、エッチング処理に要する工数を削減することができるだけでなく、エッチング処理速度をより向上させることができる。
工程(1)、工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行う方法としては、例えば、エッチング処理用組成物を加熱することにより予め上記した加熱温度に設定しておき、キセノンランプなどのエネルギー線照射環境下において、被処理物を当該加熱された組成物に上記した加熱時間及び/又はエネルギー線の照射時間浸漬する等して接触させる方法などが挙げられる。このように工程(1)、工程(2−1)及び工程(2−2)を同時に行うことにより、エッチング処理に要する工数を大幅に削減することができ、さらにエッチング処理速度を向上させることができるため好ましい。
さらに、本発明のエッチング処理方法では、上記した工程を経た後、(3)被処理物から本発明の組成物を被処理物の残渣と共に除去する工程を含んでいてもよい。
被処理物から本発明の組成物を除去する方法としては、被処理物に付着したエッチング処理用組成物やエッチング残渣を除去し得るもので特に限定されず、例えば、水や水溶性の有機溶媒に被処理物を浸漬する方法、回転させながら被処理物に吹き付ける方法などが挙げられる。
3.エッチング処理物
上記した本発明のエッチング処理方法により得られる被処理物(以下、「本発明のエッチング処理物」と記載する場合がある。)は、その表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを有するものである。
上記した本発明のエッチング処理方法により得られる被処理物(以下、「本発明のエッチング処理物」と記載する場合がある。)は、その表面に逆ピラミッド形状のテクスチャを有するものである。
ここで、「逆ピラミッド形状のテクスチャ」とは、エッチング処理された被処理物表面におけるピラミッド(四角錐)の底面と頂点とを逆さにした形にエッチングされた凹部を意味する。なお、逆ピラミッド形状のテクスチャは、ピラミッドの頂点に相当する凹部の最下点と、ピラミッドの底面の頂点に相当する点とが認識可能な形状であればよく、必ずしも完全なピラミッド形状であることを要しない。例えば、ピラミッドの頂点に相当する凹部の最下点が丸みを帯びていてもよいし、底面の形状が略多角形状や略円形状であってもよい。
本発明のエッチング処理物の有する逆ピラミッド形状のテクスチャの深さ(即ち、ピラミッドの高さ)は、1nm〜50μm程度であることが好ましく、10nm〜20μm程度であることがより好ましい。シリコン基板を例とした場合、逆ピラミッド形状のテクスチャの深さが上記のような範囲にあるエッチング処理物では、光の低反射率化及び/又は光閉じ込め効果が高いため好ましい。なお、逆ピラミッド形状のテクスチャの深さは、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)観察などにより測定することができる。
本発明のエッチング処理物の有する逆ピラミッド形状のテクスチャの径(即ち、ピラミッドの底面を円とみなした場合の平均直径)は、10nm〜50μm程度であることが好ましく、50nm〜20μm程度であることがより好ましい。シリコン基板を例とした場合、逆ピラミッド形状のテクスチャの深さが上記のような範囲にあるエッチング処理物では、光の低反射率化及び/又は光閉じ込め効果が高いため好ましい。なお、逆ピラミッド形状のテクスチャの径は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)観察などにより測定することができる。
上記の通り、逆ピラミッド形状のテクスチャを有する本発明のエッチング処理物は、高い光の低反射率化及び/又は光閉じ込め効果を有する。従って、本発明のエッチング処理物は太陽電池用素材として有用である。さらに、本発明のエッチング処理物を含む太陽電池によれば、高い変換効率を達成することができる。
また、上記した本発明のエッチング処理方法における工程(1)の前に、予め本発明のエッチング処理方法以外の方法によりエッチング処理がなされたものを被処理物とした場合、本発明のエッチング処理物はダブルテクスチャを有する。シリコン基板を例とし、工程(1)の前にアルカリエッチング処理を行った場合、当該シリコン基板表面にはピラミッド形状のテクスチャが形成されることが知られている。そして、当該シリコン基板を被処理物として用いた場合、得られるエッチング処理物は、当該ピラミッド形状(メインテクスチャ)の側面に(111)面に対する異方性エッチングに起因する三角柱状の微細孔(サブテクスチャ)が形成されたダブルテクスチャを有する。
また、(100)面が露出したシリコン基板を例とした場合、工程(1)の前に上記特許文献1に記載のエッチング処理方法を行った場合、当該(100)面がエッチングされ、逆ピラミッド形状のテクスチャが形成されることが知られている。そして、当該シリコン基板を被処理物として用いた場合、得られるエッチング処理物は、当該逆ピラミッド形状(メインテクスチャ)の側面に(110)面に対する異方性エッチングに起因する横方向の細長い溝(サブテクスチャ)が形成されたダブルテクスチャを有する。
以上のようなダブルテクスチャを有する本発明のエッチング処理物では、光の低反射率化及び/又は光閉じ込め効果が高くなるものと考えられる。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例において、含窒素芳香族複素環化合物として12.4mol/Lピリジン水溶液を使用し、フッ化水素としては28.75mol/Lフッ酸を使用した。また、実施例17〜22では、過酸化水素として9.794mol/L過酸化水素水を使用し、また実施例23及び24では、10.29mol/Lピリジン−N−オキシドを使用した。
また、被処理物及びエネルギー線照射源としては以下のものを使用した。
<被処理物>
太陽電池用シリコン基板(n型、面方位(100)、抵抗率:0.5〜3.5Ω・cm、厚み:200μm、遊離砥粒でスライスしたシリコン基板であるため、表面に微小なチッピング傷を有する)。なお、以下の実施例において、当該太陽電池用シリコン基板を、単に「シリコン基板」と記載する。また、当該シリコン基板は、本実施例において使用する前に、予めアセトンによる有機物除去処理及びフッ酸による酸化皮膜除去処理を施したものである。
太陽電池用シリコン基板(n型、面方位(100)、抵抗率:0.5〜3.5Ω・cm、厚み:200μm、遊離砥粒でスライスしたシリコン基板であるため、表面に微小なチッピング傷を有する)。なお、以下の実施例において、当該太陽電池用シリコン基板を、単に「シリコン基板」と記載する。また、当該シリコン基板は、本実施例において使用する前に、予めアセトンによる有機物除去処理及びフッ酸による酸化皮膜除去処理を施したものである。
<エネルギー線照射源>
キセノンランプ(出力:150W、透過波長:220〜2000nm、放射強度:2μm/cm2・nm−1)。
実施例1
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを調製した後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
キセノンランプ(出力:150W、透過波長:220〜2000nm、放射強度:2μm/cm2・nm−1)。
実施例1
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを調製した後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程2:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した後、図1に示すようにシリコン基板を暗室に15分放置した。なお、温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した後、図1に示すようにシリコン基板を暗室に15分放置した。なお、温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した。
<工程3:シリコン基板のSEM観察>
上記工程2を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面及び断面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図2に示す。
上記工程2を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面及び断面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図2に示す。
実施例2
実施例1の工程2において、シリコン基板を暗室に20分間放置したこと以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図3に示す。
実施例1の工程2において、シリコン基板を暗室に20分間放置したこと以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図3に示す。
実施例3
実施例1の工程2において、シリコン基板を暗室に25分間放置したこと以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図4に示す。
実施例1の工程2において、シリコン基板を暗室に25分間放置したこと以外は、実施例1と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面及び断面のSEM画像を図4に示す。
実施例1〜3のエッチング処理で得られたシリコン基板表面のSEM画像(図2〜4)をまとめたものを図5に示す。なお、図5中、参考例1は、エッチング処理前のシリコン基板表面のSEM画像を示しており、参考例2は、実施例1の工程2においてシリコン基板を暗室に10分間放置したこと以外は実施例1と同様にしてエッチング処理を行ったシリコン基板表面のSEM画像を示している。
図5から明らかなように、暗室中でエッチング処理を行った場合、暗室下で放置してから10分程度でエッチング処理が徐々に進行し始め、15分程度でシリコン基板表面に微細孔が形成され、20分程度で逆ピラミッド形状のテクスチャが形成され始め、25分程度で逆ピラミッド形状のテクスチャが形成されることが分かった。
実施例4
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程2:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
<工程3:エネルギー線の照射>
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、図6に示すように当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:1.5W/cm2)を3分間照射した。
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、図6に示すように当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:1.5W/cm2)を3分間照射した。
<工程4:シリコン基板のSEM観察>
上記工程3を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板表面のSEM画像を図7に示す。
上記工程3を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板表面のSEM画像を図7に示す。
実施例5
実施例4の工程3において、キセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図8に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図8に示す。
実施例6
実施例4の工程3において、キセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図9に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図9に示す。
実施例7
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図10に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図10に示す。
実施例8
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図11に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図11に示す。
実施例9
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図12に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図12に示す。
実施例10
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を3.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図13に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を3.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図13に示す。
実施例11
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を3.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図14に示す。
実施例4の工程3において、キセノンランプの露光強度を3.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図14に示す。
図2〜14から明らかなように、キセノンランプの露光強度が強くなるに従って、逆ピラミッド形状のテクスチャが形成されるまでの時間が短縮されることが示唆された。
実施例12
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を12:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を12:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例13
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を12:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を12:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例14
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例15
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を5分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例16
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例4の工程1において、ピリジンとフッ酸を1:23(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例4の工程3においてキセノンランプの露光強度を2.5W/cm2とし、かつキセノンランプの照射時間を8分間としたこと以外は実施例4と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例7〜9及び実施例12〜16のエッチング処理で得られたシリコン基板表面のSEM画像をまとめたものを図15に示す。なお、図15中、参考例3は、エッチング処理前のシリコン基板表面のSEM画像を示している。
図15から、エッチング処理用組成物におけるピリジンの割合が高くなるに従って、逆ピラミッド形状のテクスチャが形成される時間が短縮されることが示唆された。
実施例17
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を21:1:6(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程1:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を21:1:6(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物をシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程2:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
<工程3:エネルギー線の照射>
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、図16に示すように当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を5分間照射した。
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、図16に示すように当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を5分間照射した。
<工程4:シリコン基板のSEM観察>
上記工程3を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。
上記工程3を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。
実施例18
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:9:54(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:9:54(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例19
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:18:108(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:18:108(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例20
実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を2分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を2分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例21
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:9:54(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を15分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:9:54(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を15分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例22
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:18:108(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及び過酸化水素水を7:18:108(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと、実施例17の工程2において、プレート温度を150℃に設定したこと、及び実施例17の工程3において、キセノンランプの照射時間を10分間としたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。
実施例17〜22のエッチング処理で得られたシリコン基板表面のSEM画像をまとめたものを図17に示す。
実施例23
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及びピリジン−N−オキシドを47:559:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図18に示す。
実施例17の工程1において、ピリジン、フッ酸、及びピリジン−N−オキシドを47:559:1(モル濃度比)で混合したエッチング処理用組成物を用いたこと以外は実施例17と同様にしてシリコン基板のエッチング処理を行った。シリコン基板表面のSEM画像を図18に示す。
図17及び18から明らかなように、エッチング処理用組成物に過酸化水素やピリジン−N−オキシドなどの酸化剤を配合することにより、逆ピラミッド形状のテクスチャが形成されるまでの時間が短縮されることが確認された。
実施例24
<工程1:アルカリエッチング処理>
シリコン基板を、80℃に加温した20質量%の水酸化カリウム水溶液に30分間浸漬することにより、アルカリエッチング処理を行った。超純水で2回リンスを行った後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板のSEM画像を図19に示す。
<工程1:アルカリエッチング処理>
シリコン基板を、80℃に加温した20質量%の水酸化カリウム水溶液に30分間浸漬することにより、アルカリエッチング処理を行った。超純水で2回リンスを行った後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板のSEM画像を図19に示す。
<工程2:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物を得た後、当該エッチング処理用組成物を上記工程1のSEM観察を終えたシリコン基板上に塗布した。
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物を得た後、当該エッチング処理用組成物を上記工程1のSEM観察を終えたシリコン基板上に塗布した。
<工程3:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程2で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程2で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
<工程4:エネルギー線の照射>
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を2分間照射した。
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を2分間照射した。
<工程5:シリコン基板のSEM観察>
上記工程4を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板のSEM画像を図19に示す。
上記工程4を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板のSEM画像を図19に示す。
図19から明らかなように、アルカリエッチング処理により形成されたピラミッド形状のテクスチャ(メインテクスチャ)の側面に、(111)面に対する結晶異方性エッチングである三角柱形状の微細孔(サブテクスチャ)が形成されていることが確認された。
実施例25
<工程1:MEC−75によるエッチング処理>
N−フルオロ−3−メチルピリジニウム テトタフルオロボレート(MEC−75)を150℃に加熱して融解させ、シリコン基板上に塗布した。
<工程1:MEC−75によるエッチング処理>
N−フルオロ−3−メチルピリジニウム テトタフルオロボレート(MEC−75)を150℃に加熱して融解させ、シリコン基板上に塗布した。
<工程2:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した後、シリコン基板を暗室に40分放置した。なお、温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程1で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した後、シリコン基板を暗室に40分放置した。なお、温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した。
<工程3:シリコン基板のSEM観察>
上記工程2を経たシリコン基板上のMEC−75及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板の表面のSEM画像を図20に示す。
上記工程2を経たシリコン基板上のMEC−75及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板の表面のSEM画像を図20に示す。
<工程4:エッチング処理用組成物の塗布>
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物を上記工程3のSEM観察を終えたシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
ピリジンとフッ酸を1:12(モル濃度比)で混合し、エッチング処理用組成物125μLを得た後、当該エッチング処理用組成物を上記工程3のSEM観察を終えたシリコン基板上に5mm角の範囲で5mm厚となるように塗布した。
<工程5:シリコン基板の温度制御>
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程4で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
冷却機能付きのホットプレート上に、上記工程4で得られたシリコン基板を載せ、プレート温度を100℃に設定した。
<工程6:エネルギー線の照射>
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を4分間照射した。
温度センサーを用いてシリコン基板の表面温度を測定し、実験中のシリコン基板の表面温度が設定通りであることを確認した後、当該シリコン基板にキセノンランプ(露光波長:220〜2000nm、露光強度:2.5W/cm2)を4分間照射した。
<工程7:シリコン基板のSEM観察>
上記工程6を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板の表面のSEM画像を図20に示す。
上記工程6を経たシリコン基板上のエッチング処理用組成物及びエッチング処理により生じた残渣を除去した後、シリコン基板の表面形状を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した。シリコン基板の表面のSEM画像を図20に示す。
図20から明らかなように、MEC−75によるエッチング処理により形成された逆ピラミッド形状のテクスチャの側面に横方向の細長い溝が形成されていることが確認された。
Claims (11)
- 含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。
- 含窒素芳香族複素環化合物が、ピリジン又はその誘導体である、請求項1に記載のエッチング処理用組成物。
- ピリジン又はその誘導体が、下記式(1):
で表わされる化合物である、請求項2に記載のエッチング処理用組成物。 - さらに、酸化剤を含む、請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング処理用組成物。
- 酸化剤が、過酸化水素、過酢酸、及び含窒素芳香族複素環化合物の酸化物からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項4に記載のエッチング処理用組成物。
- (1)請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング処理用組成物を被処理物に接触させる工程
を含む、エッチング処理方法。 - さらに、
(2−1)被処理物を加熱する工程
を含む、請求項6に記載のエッチング処理方法。 - さらに、
(2−2)被処理物におけるエッチング処理用組成物との接触面にエネルギー線を照射する工程
を含む、請求項6又は7に記載のエッチング処理方法。 - 被処理物が、半導体材料又は絶縁体材料である、請求項6〜8のいずれかに記載のエッチング処理方法。
- 請求項6〜9のいずれかに記載のエッチング処理方法により得られるエッチング処理物。
- 請求項10に記載のエッチング処理物を含む、太陽電池。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015043031A JP2016162983A (ja) | 2015-03-04 | 2015-03-04 | エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法 |
CN201610124361.6A CN105936823A (zh) | 2015-03-04 | 2016-03-04 | 蚀刻处理用组合物和蚀刻处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015043031A JP2016162983A (ja) | 2015-03-04 | 2015-03-04 | エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016162983A true JP2016162983A (ja) | 2016-09-05 |
Family
ID=56847344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015043031A Pending JP2016162983A (ja) | 2015-03-04 | 2015-03-04 | エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016162983A (ja) |
CN (1) | CN105936823A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11820751B2 (en) | 2021-01-27 | 2023-11-21 | Vandria Sa | Urolithin derivatives and methods of use thereof |
US11884647B2 (en) | 2019-10-18 | 2024-01-30 | The Regents Of The University Of California | Compounds and methods for targeting pathogenic blood vessels |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102336865B1 (ko) * | 2017-07-06 | 2021-12-09 | 오씨아이 주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2478068A1 (en) * | 2009-09-18 | 2012-07-25 | Merck Patent GmbH | Ink jet printable etching inks and associated process |
KR101728553B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2017-04-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 오믹 컨택층용 식각액 조성물 |
JP5850939B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2016-02-03 | 国立大学法人大阪大学 | エッチング方法及び太陽電池用固体材料の表面加工方法 |
-
2015
- 2015-03-04 JP JP2015043031A patent/JP2016162983A/ja active Pending
-
2016
- 2016-03-04 CN CN201610124361.6A patent/CN105936823A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11884647B2 (en) | 2019-10-18 | 2024-01-30 | The Regents Of The University Of California | Compounds and methods for targeting pathogenic blood vessels |
US11820751B2 (en) | 2021-01-27 | 2023-11-21 | Vandria Sa | Urolithin derivatives and methods of use thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105936823A (zh) | 2016-09-14 |
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