JP2016155077A - 試験ガス生成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水素ガス流路12と希釈ガス流路13とを合流部10で合流させ、合流部10を吸引ポンプ15で吸引して、水素ガスを水素ガス用抵抗体32に流し、希釈ガスを希釈ガス用抵抗体33に流して合流部10で合流させて混合ガスを生成する。吸引ポンプ15の吸引力の強さによって、合流部10の混合ガスの水素ガス濃度を制御することができるので、水素ガス濃度を測定しながら吸引力を調節することで、正確な濃度の混合ガスを生成して、試験ガスとして、車載水素センサ37に供給することができる。
【選択図】図1
Description
しかしながら、既存技術を使用して得られる高精度の試験ガス生成装置は、定置型の大型装置であったり、複雑な構造のため高価であったりして、現場で使用するのには不便である。
したがって、自動車以外の用途における従来型の水素センサを試験あるいは校正するときには、空気ベースの水素標準ガス1.3%が広く使われてきた。
また、マスフローコントローラを使用しない技術としては、例えば下記特許文献2に記載されている装置があるが、この装置は、供給切替器と貯留装置等を含む複雑な通気回路となるため、供給ガスの濃度が安定するまでの待ち時間が長く、安価で携帯可能な小型装置にすることは困難であった。
また、本発明は試験ガス生成装置であって、前記水素センサは、前記吸引ポンプが前記出力部に供給する前記混合ガスの水素ガス濃度を検出する試験ガス生成装置である。
また、本発明は試験ガス生成装置であって、前記希釈ガス源が供給する前記希釈ガスと、前記水素ガス源が供給する前記水素ガスとが、大気圧に晒された試験ガス生成装置である。
また、本発明は試験ガス生成装置であって、前記吸引ポンプは、前記水素ガス用抵抗体の両端の前記差圧と、前記希釈ガス用抵抗体の両端の前記差圧を400Pa以上の圧力にする前記吸引力で前記混合ガスを吸引するように構成された試験ガス生成装置である。
また、生成した試験ガスの水素濃度は測定されており、混合率を制御することができるので、混合率つまり水素ガス濃度を正確に調整することができる。
空気に水素を混合した試験ガスを、容器入り標準ガスでは供給されない1.3%を超える3.9%の濃度で生成し、供給することができる。
ガスを流れにくくする性質を流量制限特性と呼ぶと、流量制限特性を有する二個の通気抵抗素子(通気抵抗体)と、ガス吸引手段と、水素センサと、水素センサの信号に基づきガス吸引手段の吸引能力を調整するための制御手段とを有している。
差圧が微少変化するときの、ガス流量の微少変化量に対する差圧の微少変化量の比(差圧の微少変化量/ガス流量の微少変化量)の値は、流量制限特性を示しており、その値は差圧の関数であり、2点間の構造やガスの性質に基づいている。
Ya = Ka・X+b ……(2)
上記(1)、(2)式は、設定された差圧X(Pa)の近傍における近似式(直線式)として用いてもよい。
(1)式と(2)式とから、混合ガス中の水素ガス濃度Rは、下記の(3)式で表すことができる。
=Kh・X/[(Kh+Ka)・X+b] = Kh/[Kh+Ka+b/X]
……(3)
また、希釈ガス用抵抗体に流す希釈ガスの流量は、水素ガス用抵抗体に流す水素ガスの流量よりも多くなるようにされている。
この試験ガス生成装置2は、水素ガス源20と、希釈ガス源21とを有していて、水素ガス源20は、柔軟性を有する樹脂から成る袋状の容器28を有しており、容器28は、水素ガス配管22の一端である水素ガス流入部25に接続されている。
合流部10では、流入した水素ガスと希釈ガスとが混合され、混合ガスが生成されている。
この例では、水素ガス用抵抗体32と希釈ガス用抵抗体33の両端のうち、一端は合流部10に接続されており、水素ガス用抵抗体32の一端と希釈ガス用抵抗体33の一端とは、両方が、吸引ポンプ15が動作して合流部10を吸引したときの圧力にされている。
ここでは、混合ガス流路14を流れる混合ガスは、水素センサ16の内部を通過するようにされているが、混合ガスが水素センサ16を通過しないように配置してもよい。
制御装置17には、予め、水素ガス濃度の基準値が記憶されている。
水素ガス濃度が3.9%の試験ガスの生成を求められることから、水素ガス用抵抗体32の水素ガス流に対する流量制限特性と、希釈ガス用抵抗体33の希釈ガス流に対する流量制限特性は、水素ガスの流量に対する希釈ガス(空気)の流量の比率が1:24.6くらいになるように選定されている。
水素ガス用抵抗体32と希釈ガス用抵抗体33の差圧に対する流量測定は図7と図8に示す装置により行った。
検出した水素ガス濃度を、計算した水素ガス濃度と共に、下記表2に示す。
計算値と実測値の差異は、計算値が水素ガス用抵抗体32と希釈ガス用抵抗体33の両端の圧力の差に対する個別の流量測定値に基づくのに対し、実測値では、流量計41(石けん膜式)を挿入せずに、水素ガス濃度を水素センサ16により実測した結果であることに基づくと考えられる。石けん膜式流量計は、小さな圧力損失で微小流量を測定するのに適しているが、微小流量では、石けん膜の表面張力と重力の影響があり、流量比から求めた水素ガス濃度と流量計の挿入無しで水素ガス濃度を実測した値との差異となって現れる。
計算値と実測値のいずれの特性も、差圧を制御すること、または合流点の圧力を制御することによって、水素ガス濃度を調節することが可能であることを示している。
表1,2の数値を求めた測定装置を説明する。
水素ガス用抵抗体32についての、差圧と水素ガス流量の関係を得るために、図7に示すように、柔軟性を有する容器28を水素ガス流入部25に接続し、水素ガス流入部25を、流量計41を介して水素ガス用抵抗体32の一端に接続し、他端を吸引ポンプ15に接続する。
吸引ポンプ15を動作させ、空気を希釈ガスとして、希釈ガス流入部26から吸引し、流量計41で流量を測定しながら希釈ガス用抵抗体33を通過させ、放出部27から大気に放出させる。
次に、上記試験ガス生成装置2の制御装置17に、3.9%の水素ガス濃度を基準値として設定し、混合ガスを生成し、試験ガスとして放出部27から放出させた。生成した混合ガスの水素ガス濃度を水素センサ16で検出した。検出結果としての水素濃度の推移を、図6のグラフに示す。
上記水素ガス用抵抗体32には、内径0.35mm、長さ37mmの注射針様のステンレス管を用いた。希釈ガス用抵抗体33には内径1.0mm、長さ30mmの樹脂管を用いた。
このようなキャピラリチューブの他、水素ガス用抵抗体32や希釈ガス用抵抗体33には、ピンホールや、多孔質体を用いることができる。
12……水素ガス流路
13……希釈ガス流路
14……混合ガス流路
15……吸引ポンプ
16……水素センサ
17……制御装置
20、20a、20b……水素ガス源
21……希釈ガス源
28……容器
32……水素ガス用抵抗体
33……希釈ガス用抵抗体
Claims (4)
- 水素ガス源が供給する水素ガスが通る水素ガス流路と、
希釈ガス源が供給する希釈ガスが通る希釈ガス流路と、
前記水素ガス流路と前記希釈ガス流路とが合流する合流部と、
前記水素ガス流路から流入する前記水素ガスと前記希釈ガス流路から流入する前記希釈ガスとを含有し、前記合流部で生成された混合ガスを、吸引力で吸引し、出力部に供給する吸引ポンプと、
前記水素ガス流路に設けられ、前記水素ガス流路を通る前記水素ガスの流れを制限する水素ガス用抵抗体と、
前記希釈ガス流路に設けられ、前記希釈ガス流路を通る前記希釈ガスの流れを制限する希釈ガス用抵抗体と、
前記混合ガスの水素ガス濃度を検出する水素センサと、
前記吸引ポンプの前記吸引力を変化させる制御装置と、
を有し、
前記希釈ガスには空気が用いられ、
前記希釈ガス用抵抗体の両端に生じた差圧によって、前記希釈ガス用抵抗体に前記希釈ガスが流れ、前記水素ガス用抵抗体の両端に生じた差圧によって、前記水素ガス用抵抗体に前記水素ガスが流れるように構成され、
前記希釈ガス用抵抗体の両端の差圧と、前記希釈ガス用抵抗体を流れる前記希釈ガス流量の関係を示す希釈ガス流量曲線の傾きと、前記水素ガス用抵抗体の両端の差圧と、前記水素ガス用抵抗体を流れる前記水素ガス流量の関係を示す水素ガス流量曲線の傾きとが異なる数値であり、かつ、前記希釈ガス流量曲線上の接線が前記差圧と前記希釈ガス流量曲線の座標系における原点を通らず、前記座標系の流量軸との切片が正の値となるような前記希釈ガス用抵抗体であり、
前記制御装置には、前記水素センサが検出した検出結果が入力され、
前記制御装置は、前記水素ガス濃度が基準値になるように、前記吸引ポンプの前記吸引力を変化させる試験ガス生成装置。 - 前記水素センサは、前記吸引ポンプが前記出力部に供給する前記混合ガスの水素ガス濃度を検出する請求項1記載の試験ガス生成装置。
- 前記希釈ガス源が供給する前記希釈ガスと、前記水素ガス源が供給する前記水素ガスとが、大気圧に晒された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の試験ガス生成装置。
- 前記吸引ポンプは、前記水素ガス用抵抗体の両端の前記差圧と、前記希釈ガス用抵抗体の両端の前記差圧を400Pa以上の圧力にする前記吸引力で前記混合ガスを吸引するように構成された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の試験ガス生成装置。
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