JP2016149317A

JP2016149317A - Light emission device

Info

Publication number: JP2016149317A
Application number: JP2015026768A
Authority: JP
Inventors: 修一関; Shuichi Seki; 真滋中嶋; Shinji Nakajima
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2015-02-13
Filing date: 2015-02-13
Publication date: 2016-08-18

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emission device in which water component can be prevented from leaking from a partition wall of the light emission device.SOLUTION: Plural light emission parts 140 are arranged along a first direction (x direction in the figures) and have organic layers. An insulation layer 150 defines the plural light emission parts 140. A partition wall 170 is formed on the insulation layer 150, and located to be adjacent to the plural light emission parts 140. A sealing film 160 covers the light emission parts 140, the insulation layer 150 and the partition wall 170. A first adsorption material 172 absorbs water component and is located between the partition wall 170 and the sealing film 160.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年は、発光装置などの光源として、有機ＥＬ素子を用いることが増えている。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして有機ＥＬ素子の発光エリアを画定するために、発光装置は絶縁層を有している。一方、有機層は水分に弱い。特許文献１には、上記した絶縁層には、製造プロセスに起因して水分が入り込んでいるため、この水分に起因して、発光装置にダークスポットが発生したり輝度が低下する、と記載されている。 In recent years, organic EL elements are increasingly used as light sources for light emitting devices and the like. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. And in order to demarcate the light emission area of an organic EL element, the light-emitting device has an insulating layer. On the other hand, the organic layer is vulnerable to moisture. Patent Document 1 describes that the above-described insulating layer contains moisture due to the manufacturing process, and therefore, due to the moisture, dark spots are generated in the light-emitting device and luminance is reduced. ing.

そして特許文献１には、絶縁層から水分が放出されることを抑制するために、絶縁層に、シリカゲルや酸化チタンなどのフィラーを混ぜることが記載されている。 Patent Document 1 describes that a filler such as silica gel or titanium oxide is mixed in the insulating layer in order to suppress the release of moisture from the insulating layer.

なお、特許文献２には、発光装置において、発光素子の周囲に隔壁を形成し、さらにその隔壁の上面に、多孔質構造の第２の隔壁を形成することが記載されている。第２の隔壁は、水分を吸着するために設けられている。 Patent Document 2 describes that in a light emitting device, a partition wall is formed around a light emitting element, and a second partition wall having a porous structure is formed on the upper surface of the partition wall. The second partition is provided for adsorbing moisture.

特開２００４−２３５０１４号公報JP 2004-235014 A 特開２０１３−３０４６７号公報JP 2013-30467 A

有機ＥＬ素子を有する発光装置において、第２電極を分離するために、上記した絶縁層の上に隔壁を設けることがある。この隔壁は、複数の有機ＥＬ素子に沿って延在している場合が多い。そして、この隔壁は、絶縁層と同様に水分を放出することがある。 In a light-emitting device having an organic EL element, a partition wall may be provided on the above insulating layer in order to separate the second electrode. In many cases, the partition wall extends along the plurality of organic EL elements. And this partition may discharge | release a water | moisture content like an insulating layer.

本発明が解決しようとする課題としては、隔壁から水分が放出されないようにすることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent moisture from being released from the partition walls.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、第１の方向に沿って並んでおり、有機層を有する複数の発光部と、
前記複数の発光部を画定する絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、前記複数の発光部の隣に位置する隔壁と、
前記発光部、前記絶縁層、及び前記隔壁を被覆する封止膜と、
前記隔壁の側面と前記封止膜の間に位置し、水分を吸収する第１吸着材と
を備える発光装置である。 The invention according to claim 1 is a substrate;
A plurality of light-emitting portions formed on the substrate and arranged in a first direction and having an organic layer;
An insulating layer defining the plurality of light emitting portions;
A partition wall formed on the insulating layer and positioned next to the light emitting units;
A sealing film covering the light emitting portion, the insulating layer, and the partition;
It is a light-emitting device provided with the 1st adsorbent which is located between the side surface of the said partition, and the said sealing film, and absorbs a water | moisture content.

実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning an embodiment. 図１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図１のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 発光装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 発光装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 発光装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification Example 1. FIG. 変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification 2.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図３は図１のＡ−Ａ断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図１のＣ−Ｃ断面図である。なお、図１及び図２において、説明のため、点線で封止膜１６０を示している。 FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1 and 2, the sealing film 160 is indicated by a dotted line for the sake of explanation.

発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０、絶縁層１５０、封止膜１６０、隔壁１７０、及び第１吸着材１７２を有している。複数の発光部１４０は第１の方向（図中ｘ方向）に沿って並んでおり、有機層を有している。絶縁層１５０は複数の発光部１４０を画定している。隔壁１７０は絶縁層１５０の上に形成されており、複数の発光部１４０の隣に位置している。封止膜１６０は発光部１４０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０を被覆している。第１吸着材１７２は水分を吸収し、かつ、隔壁１７０と封止膜１６０の間に位置している。以下、詳細に説明する。 The light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting portions 140, an insulating layer 150, a sealing film 160, a partition wall 170, and a first adsorbent 172. The plurality of light emitting units 140 are arranged in the first direction (x direction in the drawing) and have an organic layer. The insulating layer 150 defines a plurality of light emitting portions 140. The partition wall 170 is formed on the insulating layer 150 and is located next to the plurality of light emitting units 140. The sealing film 160 covers the light emitting unit 140, the insulating layer 150, and the partition wall 170. The first adsorbent 172 absorbs moisture and is located between the partition wall 170 and the sealing film 160. Details will be described below.

本図に示す例において、発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の第１引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。 In the example shown in this figure, the light emitting device 10 is a display device, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a plurality of first terminals 112, a plurality of second terminals 132, a light emitting portion 140, an insulating layer 150, and a plurality of openings 152. A plurality of openings 154, a plurality of first extraction wirings 114, an organic layer 120, a second electrode 130, a plurality of second extraction wirings 134, and a plurality of partition walls 170.

発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 When the light emitting device 10 is a bottom emission type, the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin. However, when the light emitting device 10 is a top emission type, the substrate 100 may be formed of a material that does not have translucency. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. The substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In particular, when the substrate 100 is glass, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. When the substrate 100 is a resin, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from permeating the substrate 100. .

発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光部１４０は、表示装置の画素ごとに設けられている。 The light emitting unit 140 has an organic EL element. This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order. The light emitting unit 140 is provided for each pixel of the display device.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply | coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型である場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。 Note that the materials of the first electrode 110 and the second electrode 130 described above are for the case where the light emitting device 10 is a bottom emission type. When the light emitting device 10 is a top emission type, the material of the first electrode 110 and the material of the second electrode 130 are reversed. That is, the material of the second electrode 130 is used as the material of the first electrode 110, and the material of the first electrode 110 is used as the material of the second electrode 130.

また、第１電極１１０は、第２の方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。第１引出配線１１４は、第１電極１１０と同様の材料からなる導電層を有している。この導電層は、第１電極１１０と一体になっている。本図に示す例において、第１引出配線１１４の端部が第１端子１１２になっている。また、第１端子１１２は複数設けられているため、第１引出配線１１４も複数設けられている。 The first electrode 110 extends in a line in the second direction (Y direction in FIG. 1). The end portion of the first electrode 110 is connected to the first lead wiring 114. The first lead wiring 114 has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is integrated with the first electrode 110. In the example shown in this drawing, the end of the first lead-out wiring 114 is the first terminal 112. Further, since a plurality of first terminals 112 are provided, a plurality of first lead wires 114 are also provided.

第１引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は、第１引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１８０は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１８０は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１８０は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。 A conductor layer 180 may be formed on the first lead wiring 114. The conductor layer 180 is made of a material having a lower resistance than that of the first lead wiring 114, for example, a metal. The conductor layer 180 may have a multilayer structure. In this case, the conductor layer 180 includes, for example, a first conductive layer that is a metal layer such as Mo or Mo alloy, a second conductive layer that is a metal layer such as Al or Al alloy, and a metal layer such as Mo or Mo alloy. The third conductive layer is stacked in this order. The thickness of the second conductive layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. Preferably it is 100 nm or less. The first conductive layer and the third conductive layer are thinner than the second conductive layer, for example, 30 nm or less, preferably 25 nm or less. Note that the conductor layer 180 may or may not cover the first terminal 112.

絶縁層１５０は、図１、及び図３〜図５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。例えばポリイミド、エポキシ、アクリルやノボラック系の樹脂材料によって形成されており、可視光に対して透光性を有する。絶縁層１５０は、例えば、絶縁層１５０となる樹脂材料に感光性の材料を混入させ、この樹脂材料を塗布し、さらにこの樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。また、絶縁層１５０は、インクジェット法やスクリーン印刷法を用いて形成されてもよい。 As shown in FIGS. 1 and 3 to 5, the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween. For example, it is formed of polyimide, epoxy, acrylic, or novolac resin material, and has a light-transmitting property with respect to visible light. The insulating layer 150 is formed, for example, by mixing a photosensitive material into a resin material to be the insulating layer 150, applying the resin material, and further exposing and developing the resin material. Further, the insulating layer 150 may be formed using an inkjet method or a screen printing method.

絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 1). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (the Y direction in FIG. 1). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 1). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。 The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 1, ie, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the second lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The second lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる導電層を有している。この導電層は第１電極１１０から分離している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして第２引出配線１３４の上には、導体層１８０が形成されてもよい。導体層１８０は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。なお、本図に示す例において、第２端子１３２は複数設けられている。このため、第２引出配線１３４も複数設けられている。 The second lead wire 134 is a wire that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a conductive layer made of the same material as the first electrode 110. This conductive layer is separated from the first electrode 110. One end side of the second lead wire 134 is located below the opening 154, and the other end side of the second lead wire 134 is drawn to the outside of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the second lead wiring 134 is a second terminal 132. A conductor layer 180 may be formed on the second lead wiring 134. The conductor layer 180 may or may not cover the second terminal 132. In the example shown in this figure, a plurality of second terminals 132 are provided. For this reason, a plurality of second lead wires 134 are also provided.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。 In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. The hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.

なお、図３及び図４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。 In the example shown in FIG. 3 and FIG. 4, each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude to the outside of the opening 152. As shown in FIG. 1, the organic layer 120 may be formed continuously between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 5, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図１〜図４に示すように、第１の方向（図１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。複数の隔壁１７０は、いずれも第２電極１３０と平行すなわち第１の方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 1 to 4, the second electrode 130 extends in the first direction (X direction in FIG. 1). A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The plurality of partition walls 170 all extend in parallel with the second electrode 130, that is, in the first direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。なお、第２電極１３０を形成する際、例えば絶縁層１５０の外側の領域に導体膜が形成されることを抑制するために、マスクが用いられることがある。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. When forming the second electrode 130, for example, a mask may be used in order to prevent a conductor film from being formed in a region outside the insulating layer 150. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

また本図に示す例において、複数の隔壁１７０のうち最も外側に位置する隔壁１７０の幅は、他の隔壁１７０の幅と比較して広くなっている。これは、第２電極１３０を形成する際に用いられるマスクが基板１００等に触れることを抑制するためである。 Further, in the example shown in the drawing, the width of the outermost partition 170 among the plurality of partitions 170 is wider than the width of the other partitions 170. This is to prevent the mask used when forming the second electrode 130 from touching the substrate 100 or the like.

また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材が接続される。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺（第１辺）に沿って配置されている。このため、導通部材としてＦＰＣを用いた場合、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣに接続することができる。 In addition, a conductive member such as an FPC (Flexible Printed Circuit) is connected to the first terminal 112 and the second terminal 132. In the example shown in this drawing, the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side (first side) of the substrate 100. For this reason, when FPC is used as the conductive member, the first terminal 112 and the second terminal 132 can be connected to one FPC.

発光装置１０は、さらに封止膜１６０を有している。封止膜１６０は発光部１４０を封止するために設けられている。封止膜１６０は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。封止膜１６０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止膜１６０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜１６０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜１６０は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法を用いることにより、封止膜１６０の段差被覆性は高くなる。ただし封止膜１６０は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜１６０は、ＳｉＯ_２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 The light emitting device 10 further has a sealing film 160. The sealing film 160 is provided to seal the light emitting unit 140. The sealing film 160 is formed on the surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140. The sealing film 160 is made of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material. The thickness of the sealing film 160 is preferably 300 nm or less. Moreover, the thickness of the sealing film 160 is, for example, 50 nm or more. The sealing film 160 is formed using an ALD (Atomic Layer Deposition) method. By using the ALD method, the step coverage of the sealing film 160 is increased. However, the sealing film 160 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method. In this case, the sealing film 160 is formed of an insulating film such as SiO ₂ or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.

そして、図３及び図５に示すように、隔壁１７０の側面と封止膜１６０の間には、第１吸着材１７２が設けられている。本図に示す例では、第１吸着材１７２は隔壁１７０の２つの側面のそれぞれに配置されている。具体的には、第１吸着材１７２は隔壁１７０の側面に形成された膜である。第１吸着材１７２は、有機層１２０を劣化させる化学成分（劣化因子）、例えば水分を吸収する成分を有している。第１吸着材１７２は、この劣化因子を吸収する材料を有している。この吸収形態としては、化学的に吸着する形態であってもよいし、物理的に吸着する形態であってもよい。第１吸着材１７２を構成する材料としては、例えば酸化カルシウム（ＣａＯ）がある。ただし、第１吸着材１７２は他の材料を用いて形成されていてもよい。第１吸着材１７２は、例えば蒸着やスパッタリング法を用いて、隔壁１７０の側面に形成することができる。なお、図示していないが、第１吸着材１７２は隔壁１７０の端面にも形成されている。なお、第１吸着材１７２を形成するときの条件は、第２電極１３０を形成するときの条件とは異なるため、第１吸着材１７２を隔壁１７０の側面に形成することができる。 As shown in FIGS. 3 and 5, a first adsorbent 172 is provided between the side surface of the partition wall 170 and the sealing film 160. In the example shown in the figure, the first adsorbent 172 is disposed on each of the two side surfaces of the partition wall 170. Specifically, the first adsorbent 172 is a film formed on the side surface of the partition wall 170. The first adsorbent 172 has a chemical component (deterioration factor) that degrades the organic layer 120, for example, a component that absorbs moisture. The first adsorbent 172 has a material that absorbs this deterioration factor. The absorption form may be a chemically adsorbed form or a physically adsorbed form. An example of a material constituting the first adsorbent 172 is calcium oxide (CaO). However, the first adsorbent 172 may be formed using other materials. The first adsorbent 172 can be formed on the side surface of the partition wall 170 using, for example, vapor deposition or sputtering. Although not shown, the first adsorbent 172 is also formed on the end face of the partition wall 170. Since the conditions for forming the first adsorbent 172 are different from the conditions for forming the second electrode 130, the first adsorbent 172 can be formed on the side surface of the partition wall 170.

次に、図６〜図８の断面図を用いて、発光装置１０の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described with reference to the cross-sectional views of FIGS.

まず、図６に示すように、基板１００上に第１電極１１０となる導電膜を形成し、この導電膜を例えばフォトリソグラフィー法を用いて選択的に除去する。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４が形成される。 First, as shown in FIG. 6, a conductive film to be the first electrode 110 is formed on the substrate 100, and this conductive film is selectively removed using, for example, a photolithography method. Thus, the first electrode 110, the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134 are formed.

次いで、第１引出配線１１４上及び第２引出配線１３４上を含む領域に、導体層１８０となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１８０が形成される。 Next, a conductive film to be the conductor layer 180 is formed in a region including the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134. Next, the conductive film is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method. Thereby, the conductor layer 180 is formed.

次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁層を形成し、この絶縁層を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。この工程において、開口１５２，１５４も形成される。次いで、絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、例えば隔壁１７０となる感光膜を塗布法により形成し、この感光膜を露光及び現像することにより、形成される。 Next, an insulating layer to be the insulating layer 150 is formed on the first electrode 110, and this insulating layer is exposed and developed. Thereby, the insulating layer 150 is formed. In this step, openings 152 and 154 are also formed. Next, a partition 170 is formed over the insulating layer 150. The partition wall 170 is formed, for example, by forming a photosensitive film to be the partition wall 170 by a coating method, and exposing and developing the photosensitive film.

次いで、図７に示すように、絶縁層１５０の上、隔壁１７０の側面、及び隔壁１７０の上面を含む領域に、第１吸着材１７２を例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。次いで、図８に示すように、例えばドライエッチングなどの異方性エッチングを第１吸着材１７２に行うことにより、第１吸着材１７２のうち隔壁１７０の側面以外に位置する部分を除去する。 Next, as illustrated in FIG. 7, the first adsorbent 172 is formed on the insulating layer 150 in a region including the side surfaces of the partition 170 and the top surface of the partition 170 using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. Next, as shown in FIG. 8, for example, anisotropic etching such as dry etching is performed on the first adsorbent 172 to remove a portion of the first adsorbent 172 other than the side surface of the partition wall 170.

その後、有機層１２０、第２電極１３０、及び封止膜１６０を形成する。 Thereafter, the organic layer 120, the second electrode 130, and the sealing film 160 are formed.

なお、第１吸着材１７２を形成する工程は、第２電極１３０を形成した後、封止膜１６０を形成する前に行われてもよい。 Note that the step of forming the first adsorbent 172 may be performed after forming the second electrode 130 and before forming the sealing film 160.

隔壁１７０の上面及び側面は封止膜１６０によって被覆されているため、隔壁１７０から水分などの劣化因子（化学成分）が放出された場合、この劣化因子は、絶縁層１５０を介して発光部１４０の有機層１２０に到達し、有機層１２０を劣化させると考えられる。また、隔壁１７０の端部が封止膜１６０の外部に位置している場合、隔壁１７０及び絶縁層１５０を介して水分などの劣化因子が有機層１２０に到達し、有機層１２０を劣化させる可能性が出てくる。 Since the upper and side surfaces of the partition wall 170 are covered with the sealing film 160, when a deterioration factor (chemical component) such as moisture is released from the partition wall 170, the deterioration factor is transmitted through the insulating layer 150 to the light emitting unit 140. It is considered that the organic layer 120 is reached and deteriorates. In addition, when the end portion of the partition wall 170 is located outside the sealing film 160, deterioration factors such as moisture can reach the organic layer 120 through the partition wall 170 and the insulating layer 150, and the organic layer 120 can be deteriorated. Sex comes out.

これに対して本実施形態によれば、隔壁１７０と封止膜１６０の間には第１吸着材１７２が位置している。従って、隔壁１７０が封止膜１６０によって覆われていても、隔壁１７０から放出された劣化因子は第１吸着材１７２に吸収される。従って、有機層１２０が劣化することを抑制できる。 On the other hand, according to the present embodiment, the first adsorbent 172 is located between the partition wall 170 and the sealing film 160. Therefore, even if the partition wall 170 is covered with the sealing film 160, the deterioration factor released from the partition wall 170 is absorbed by the first adsorbent 172. Therefore, deterioration of the organic layer 120 can be suppressed.

（変形例１）
図９は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図３に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、隔壁１７０が第２吸着材１７４を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Modification 1)
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the first modification, and corresponds to FIG. 3 in the embodiment. The light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment except that the partition wall 170 includes the second adsorbent 174.

第２吸着材１７４は、例えばフィラー（粒子）として隔壁１７０となる塗布材料に、塗布前に導入されている。そして、第２吸着材１７４は、第１吸着材１７２と同様の材料（例えばＣａＯ）を含んでいる。 The second adsorbent 174 is introduced, for example, as a filler (particles) into a coating material that becomes the partition wall 170 before coating. The second adsorbent 174 includes the same material (for example, CaO) as the first adsorbent 172.

本変形例によっても、発光装置１０は第１吸着材１７２を有しているため、隔壁１７０から劣化因子が放出されて有機層１２０が劣化することを抑制できる。また、隔壁１７０は第２吸着材１７４を含んでいるため、隔壁１７０から劣化因子が放出されることを抑制できる。 Also according to this modification, since the light emitting device 10 includes the first adsorbent 172, it is possible to suppress the deterioration factor from being released from the partition wall 170 and the organic layer 120 from being deteriorated. Further, since the partition wall 170 includes the second adsorbent 174, it is possible to suppress the deterioration factor from being released from the partition wall 170.

（変形例２）
図１０は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図３に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１吸着材１７２の形成方法を除いて、実施形態又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Modification 2)
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to Modification Example 2, and corresponds to FIG. 3 in the embodiment. The light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment or modification 1 except for the method of forming the first adsorbent 172.

本変形例において、第１吸着材１７２は塗布型又は粉末状の吸着剤となっており、第２電極１３０を形成した後、封止膜１６０を形成する前に、塗布などによって隔壁１７０の側面に配置されている。本図に示す例において、第１吸着材１７２は隔壁１７０の側面にのみ配置されているが、発光部１４０の少なくとも一部の上にも配置されていてもよいし、隔壁１７０の上面も覆うように配置されていてもよい。 In the present modification, the first adsorbent 172 is a coating type or powdery adsorbent, and after the second electrode 130 is formed and before the sealing film 160 is formed, the side surface of the partition wall 170 is applied by coating or the like. Is arranged. In the example shown in the drawing, the first adsorbent 172 is disposed only on the side surface of the partition wall 170, but may be disposed on at least a part of the light emitting unit 140 and also covers the upper surface of the partition wall 170. It may be arranged as follows.

本変形例によっても、発光装置１０は第１吸着材１７２を有しているため、隔壁１７０から劣化因子が放出されて有機層１２０が劣化することを抑制できる。 Also according to this modification, since the light emitting device 10 includes the first adsorbent 172, it is possible to suppress the deterioration factor from being released from the partition wall 170 and the organic layer 120 from being deteriorated.

以上、図面を参照して実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment was described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and various structures other than the above are also employable.

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１４０発光部
１５０絶縁層
１６０封止膜
１７０隔壁
１７２第１吸着材
１７４第２吸着材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Board | substrate 110 1st electrode 120 Organic layer 130 2nd electrode 140 Light-emitting part 150 Insulating layer 160 Sealing film 170 Partition 172 1st adsorption material 174 2nd adsorption material

Claims

A substrate,
A plurality of light-emitting portions formed on the substrate and arranged in a first direction and having an organic layer;
An insulating layer defining the plurality of light emitting portions;
A partition wall formed on the insulating layer and positioned next to the light emitting units;
A sealing film covering the light emitting portion, the insulating layer, and the partition;
A light-emitting device provided with the 1st adsorbent which is located between the side surface of the said partition and the said sealing film, and absorbs a water | moisture content.

The light-emitting device according to claim 1.
The first adsorbent is a light emitting device disposed on a side surface of the partition wall.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
A light-emitting device including a second adsorbent that is contained in the partition and absorbs moisture.