JP2016143678A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高密度のラジカルを用いた成膜処理を提供する。【解決手段】成膜装置は、真空容器と、基板を載置可能な回転テーブルと、該回転テーブルの回転方向に沿って設けられ、回転テーブルの表面上に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給領域４８Ａと、回転テーブルの回転方向に沿って第１の処理ガス供給領域４８Ａと離間して設けられ、回転テーブル２の表面に第１の処理ガスと反応して反応生成物を生成可能な第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給領域４８Ｂと、第２の処理ガス供給領域４８Ｂに連通する前記真空容器の側壁に設けられた開口３２を介して真空容器の外側の側壁に隣接して設けられ、第２の処理ガスのラジカルを生成可能するとともに開口３２を介して第２の処理ガスのラジカルを第２の処理ガス供給領域に噴射供給するラジカル生成手段８０とを有する。【選択図】図２

Description

本発明は、成膜装置に関する。

従来から、真空容器内に基板を水平に載置する回転テーブルを設け、回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部及び第２の処理ガス供給部を設けるとともに、真空容器の天板上にプラズマ発生部を設け、第１の処理ガスと第２の処理ガスとの反応生成物をプラズマにより改質処理する原子堆積法（ＡＬＤ、Atomic Layer Deposition）を用いた成膜装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−２５３３１３号公報

しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、改質処理において、第２の処理ガスをラジカル化して供給しているが、Ｎ_２ガス等のラジカルの寿命が短いガスを用いた成膜処理の場合、高密度のラジカルを得るのが困難な場合があるという問題があった。

そこで、本発明は、高密度のラジカルを得ることが可能であり、ラジカルの寿命が短いガスを用いた成膜処理においても、高品質の膜を得ることが可能な成膜装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る成膜装置は、真空容器と、
該真空容器内に設けられ、表面上に基板を載置可能な基板載置領域を有する回転テーブルと、
該回転テーブルの回転方向に沿って設けられ、前記回転テーブルの表面上に第１の処理ガスを供給可能な第１の処理ガス供給領域と、
前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の処理ガス供給領域と離間して設けられ、前記回転テーブルの表面に前記第１の処理ガスと反応して反応生成物を生成可能な第２の処理ガスを供給可能な第２の処理ガス供給領域と、
前記第２の処理ガス供給領域に連通する前記真空容器の側壁に設けられた開口を介して前記真空容器の外側の側壁に隣接して設けられ、大気圧下で前記第２の処理ガスのラジカルを生成可能であるとともに前記開口を介して前記第２の処理ガスのラジカルを前記第２の処理ガス供給領域に噴射供給可能なラジカル生成手段と、を有する。

本発明によれば、高密度のラジカルを生成することができ、ガスの種類を問わず高品質な成膜を行うことができる。

本発明の実施形態による成膜装置の断面図である。 図１の成膜装置の内部の概略構成に示す斜視図である。 図１の成膜装置の平面図である。 図１の成膜装置における供給領域及び分離領域の一例を示す断面図である。 図１の成膜装置の他の断面図である。 図１の成膜装置のまた別の断面図である。 本発明の実施形態に係る成膜装置のラジカル源の一例の構成を示した図である。図７（ａ）は、ラジカル源を無声放電式ラジカル源として構成した第１の例が示されている。図７（ｂ）は、ラジカル源を無声放電式ラジカル源として構成した第２の例が示されている。 ラジカル源の真空容器への取り付け構造の一例を示した縦断面図である。 シミュレーション条件を説明するための図である。 管状部の内周面の開口端の位置及び角度を第１の位置及び角度に調整した場合のシミュレーション結果である。図１０（ａ）は、最大流速をそのまま示したシミュレーション結果である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の最大流速を３６０ｍ／ｓに換算してシミュレーション結果を示した図である。 管状部の内周面の開口端の位置及び角度を第２の位置及び角度に調整した場合のシミュレーション結果である。図１１（ａ）は、最大流速をそのまま示したシミュレーション結果である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の最大流速を３６０ｍ／ｓに換算してシミュレーション結果を示した図である。 管状部の内周面の開口端の位置及び角度を第３の位置及び角度に調整した場合のシミュレーション結果である。図１２（ａ）は、最大流速をそのまま示したシミュレーション結果である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の最大流速を３６０ｍ／ｓに換算してシミュレーション結果を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

本発明の実施形態による成膜装置は、図１（図３のＡ−Ａ線に沿った断面図）及び図２に示すように、概ね円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備える。真空容器１は、容器本体１２と、これから分離可能な天板１１とから構成されている。天板１１は、例えばＯリングなどの封止部材１３を介して容器本体１２に取り付けられ、これにより真空容器１が気密に密閉される。天板１１及び容器本体１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で作製することができる。

図１を参照すると、回転テーブル２は、中央に円形の開口部を有しており、開口部の周りで円筒形状のコア部２１により上下から挟まれて保持されている。コア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は容器本体１２の底面部１４を貫通し、その下端が当該回転軸２２を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられている。この構成により、回転テーブル２はその中心軸を回転中心として回転することができる。なお、回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。このケース体２０はその上面に設けられたフランジ部分を介して真空容器１の底面部１４の下面に気密に取り付けられており、これにより、ケース体２０の内部雰囲気が外部雰囲気から隔離されている。

図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上面に、それぞれウエハＷが載置される複数（図示の例では５つ）の円形凹部状の載置部２４が等角度間隔で形成されている。ただし、図３ではウエハＷを１枚のみを示している。

図４を参照すると、載置部２４と載置部２４に載置されたウエハＷとの断面が示されている。図示のとおり、載置部２４は、ウエハＷの直径よりも僅かに（例えば４ｍｍ）大きい直径と、ウエハＷの厚さに等しい深さとを有している。載置部２４の深さとウエハＷの厚さがほぼ等しいため、ウエハＷが載置部２４に載置されたとき、ウエハＷの表面は、回転テーブル２の載置部２４を除く領域の表面とほぼ同じ高さになる。仮に、ウエハＷとその領域との間に比較的大きい段差があると、その段差によりガスの流れに乱流が生じ、ウエハＷ上での膜厚均一性が影響を受ける。この影響を低減するため、２つの表面がほぼ同じ高さにある。「ほぼ同じ高さ」は、高さの差が約５ｍｍ以下であって良いが、加工精度が許す範囲でできるだけゼロに近いと好ましい。

図２から図４を参照すると、回転テーブル２の回転方向（例えば図３の矢印ＲＤ）に沿って互いに離間した２つの凸状部４が設けられている。図２及び図３では天板１１を省略しているが、凸状部４は、図４に示すように天板１１の下面に取り付けられている。また、図３から分かるように、凸状部４は、ほぼ扇形の上面形状を有しており、その頂部は真空容器１のほぼ中心に位置し、円弧は容器本体１２の内周壁に沿って位置している。さらに、図４に示すように、凸状部４は、その下面４４が回転テーブル２から高さｈ１に位置するように配置される。

また、図３及び図４を参照すると、凸状部４は、凸状部４が二分割されるように半径方向に延びる溝部４３を有し、溝部４３には分離ガスノズル４１（４２）が収容されている。溝部４３は、本実施形態では、凸状部４を二等分するように形成されるが、他の実施形態においては、例えば、凸状部４における回転テーブル２の回転方向上流側が広くなるように溝部４３を形成しても良い。分離ガスノズル４１（４２）は、図３に示すように、容器本体１２の周壁部から真空容器１内へ導入され、その基端部であるガス導入ポート４１ａ（４２ａ）を容器本体１２の外周壁に取り付けることにより支持されている。

分離ガスノズル４１（４２）は、分離ガスのガス供給源（図示せず）に接続されている。分離ガスはチッ素（Ｎ_２）ガスや不活性ガスであって良く、また、成膜に影響を与えないガスであれば、分離ガスの種類は特に限定されない。本実施形態においては、分離ガスとしてＮ_２ガスが利用される。また、分離ガスノズル４１（４２）は、回転テーブル２の表面に向けてＮ_２ガスを吐出するための吐出孔４０（図４）を有している。吐出孔４０は、長さ方向に所定の間隔で配置されている。本実施形態においては、吐出孔４０は、約０．５ｍｍの口径を有し、分離ガスノズル４１（４２）の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配列されている。

以上の構成により、分離ガスノズル４１とこれに対応する凸状部４とにより、分離空間Ｈを画成する分離領域Ｄ１が提供される。同様に、分離ガスノズル４２とこれに対応する凸状部４とにより、分離空間Ｈを画成する分離領域Ｄ２が提供される。また、分離領域Ｄ１に対して回転テーブル２の回転方向下流側には、分離領域Ｄ１，Ｄ２と、回転テーブル２と、天板１１の下面４５（以下、天井面４５）と、容器本体１２の内周壁とで概ね囲まれる第１の領域４８Ａ（第１の供給領域）が形成されている。さらに、分離領域Ｄ１に対して回転テーブル２の回転方向上流側には、分離領域Ｄ１，Ｄ２と、回転テーブル２と、天井面４５と、容器本体１２の内周壁とで概ね囲まれる第２の領域４８Ｂ（第２の供給領域）が形成されている。分離領域Ｄ１，Ｄ２において、分離ガスノズル４１，４２からＮ_２ガスが吐出されると、分離空間Ｈは比較的高い圧力となり、Ｎ_２ガスは分離空間Ｈから第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂへ向かって流れる。言い換えると、分離領域Ｄ１，Ｄ２における凸状部４は、分離ガスノズル４１，４２からのＮ_２ガスを第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂへ案内する。

また、図２及び図３を参照すると、第１の領域４８Ａにおいて容器本体１２の周壁部から回転テーブル２の半径方向に処理ガスノズル３１が導入されている。一方、第２の領域４８Ｂにおいては、容器本体１２の周壁部にオリフィス３２が設けられている。オリフィス３２は、容器本体１２の周壁部（又は側壁）を貫通するように形成された開口であり、細長い管状の形状を有する管状部３２ａと、漏斗状、ラッパ状又はテーパー状の形状部分を含み管状部３２ａより大きな径を有するテーパー部３２ｂとを有する。なお、オリフィス３２の導入方向は、処理ガスノズル３１と同様に回転テーブル２の半径方向に沿っている。

処理ガスノズル３１は、分離ガスノズル４１，４２と同様に、基端部であるガス導入ポート３１ａを容器本体１２の外周壁に取り付けることにより支持されている。なお、処理ガスノズル３１は、半径方向に対して所定の角度をなすように導入されてもよい。一方、オリフィス３２は、容器本体１２に段差を有する開口部１６が形成され、開口部１６と嵌合する段差を有するガス導入部材１７を貫通するようにして形成されている。なお、開口部１６とガス導入部材１７との段差部の対向面には、Ｏ−リング等のシール部材１８が必要に応じて設けられてよい。なお、本実施形態においては、オリフィス３２がガス導入部材１７に形成され、ガス導入部材１７を容器本体１２の開口部１６に取り付けることにより容器本体１２にオリフィス３２を設ける構成を示しているが、容器本体１２に直接オリフィス３２を設ける構成としてもよい。また、ガス導入部材１７を用いる場合であっても、開口部１６及びガス導入部材１７の形状は、用途に応じて種々の形状としてよい。

また、オリフィス３２の内周面の開口端、つまり管状部３２ａの開口端には、管状部３２ａの周囲を囲むようなカバー３４を必要に応じて設けてもよい。カバー３４は、分離ガスがオリフィス３２内に導入されることを防ぐために設けられる。

処理ガスノズル３１は、回転テーブル２の上面（ウエハの載置部２４がある面）に向けて処理ガスを吐出するための複数の吐出孔３３を有している（図４参照）。本実施形態においては、吐出孔３３は約０．５ｍｍの口径を有し、処理ガスノズル３１の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配列されている。

一方、オリフィス３２は、処理ガスノズル３１と類似した形状を有する管状部３２ａを容器本体１２の側壁の内周面側に有するが、内周面と連通する開口端がガスの噴射口となるだけであり、噴射口は１つだけである。

図示を省略するが、処理ガスノズル３１は、第１の処理ガスのガス供給源に接続されている。一方、オリフィス３２は、図２及び図３に示すように、フランジ配管９０を介してラジカル源８０に接続されている。ラジカル源８０は、第２の領域４８Ｂに第２の処理ガスのラジカルを大気圧下で生成し、第２の処理ガスのラジカルを第２の領域４８Ｂに供給するためのラジカル生成手段である。ラジカル源８０は、第２の処理ガスを大気圧下でラジカル化できれば、種々のラジカル生成手段が用いられてよいが、例えば、無声放電によりラジカルを生成してもよいし、触媒等を用いてラジカルを生成してもよい。なお、ラジカル源８０の構成の詳細は後述するが、大気圧下でラジカルを生成するため、真空状態の真空容器１の内部とは大きな圧力差があるため、ラジカル源８０で生成されたラジカルは、レーザのようにオリフィス３２から真空容器１内に導入される。よって、ラジカル源８０で生成されたラジカルは、オリフィス３２の管状部３２ａから第２の領域４８Ｂ内に噴射供給されて導入される。

フランジ配管９０は、ラジカル源８０を容器本体１２の外周壁に固定接続するための手段であり、フランジ部９０ａと配管部９０ｂとを有する。配管部９０ｂは短く構成され、ラジカル源８０を真空容器１に隣接して配置するよう構成する。ラジカル源８０で生成されるラジカルの寿命が短い場合には、ラジカル源８０と真空容器１とを連結する配管部９０ｂが長いと、ラジカル源８０で生成されたラジカルが配管部９０ｂ内で失活してしまい、真空容器１内に十分なラジカルを供給できなくなるおそれがある。よって、本実施形態に係る成膜装置においては、フランジ配管９０の配管部９０ｂを短く構成し、ラジカル源８０を真空容器１に隣接して配置する。フランジ部９０ａは、ラジカル源８０を容器本体１２の外周壁に取り付けるための手段である。フランジ配管９０を設けることにより、オリフィス３２を介してラジカル源８０と第２の領域４８Ｂが連通し、ラジカル源８０で生成されたラジカルが第２の領域４８Ｂに供給可能となる。

なお、本実施形態においては、フランジ配管９０を用いてラジカル源８０と真空容器１とを接続固定した例を挙げて説明しているが、ラジカル源８０を、真空容器１の外周壁と一体化して構成してもよい。

第１の処理ガス及び第２の処理ガスとしては後に述べる組み合わせを始めとして種々のガスを使用できるが、本実施形態においては、第１の処理ガスとしてビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを利用し、第２の処理ガスとして窒素（Ｎ_２）ガスを利用した例を挙げて説明する。窒素ガスは、ラジカルの寿命が短く、高密度のラジカルを生成するのが困難なガスである。本実施形態に係る成膜装置では、高密度のラジカルを大気圧下で生成するとともに、真空容器１内の圧力差を利用して、ラジカルを真空容器１内に噴射供給する。よって、ラジカルを失活させることなく真空容器１の中心部まで到達させることができ、そのような短寿命の成膜に極めて有効である。但し、本実施形態に係る成膜装置は、そのような短寿命のラジカルのガスのみならず、他の酸素、オゾン等の酸化ガス、アンモニア等の窒化ガスを用いる場合にも当然に適用可能である。また、原料ガス、即ち第１の処理ガスについても、他のシリコン含有ガスを用いてもよいし、シリコン含有ガス以外の原料ガスを用いてもよい。本実施形態に係る成膜装置は、成膜する膜の種類及び用いるガスの種類に拘わらず、種々の組み合わせに適用可能である。なお、窒素ラジカルには、窒素分子（Ｎ_２）ラジカル及び窒素原子（Ｎ）ラジカルの双方を含んでよい。

また、以下の説明において、処理ガスノズル３１の下方の領域を、ＢＴＢＡＳガスをウエハに吸着させるための処理領域Ｐ１といい、オリフィス３２のからのラジカルが供給可能な下方の領域を、Ｎ_２ガスをウエハに吸着したＢＴＢＡＳガスと反応（窒化）させるための処理領域Ｐ２という場合がある。

再び図４を参照すると、分離領域Ｄ１には平坦な低い天井面４４があり（図示していないが分離領域Ｄ２においても同様）、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂには、天井面４４よりも高い天井面４５がある。このため、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの容積は、分離領域Ｄ１，Ｄ２における分離空間Ｈの容積よりも大きい。また、後述するように、本実施形態による真空容器１には、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂをそれぞれ排気するための排気口６１，６２が設けられている。これらにより、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂを、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈに比べて低い圧力に維持することができる。この場合、第１の領域４８Ａにおいて処理ガスノズル３１から吐出されるＢＴＢＡＳガスは、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力が高いため、分離空間Ｈを通り抜けて第２の領域４８Ｂへ到達することができない。また、第２の領域４８Ｂにおいてオリフィス３２から噴射されるＮ_２ガスは、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力が高いため、分離空間Ｈを通り抜けて第１の領域４８Ａへ到達することができない。したがって、両処理ガスは、分離領域Ｄ１，Ｄ２により分離され、真空容器１内の気相中で混合されることは殆ど無い。

なお、低い天井面４４の回転テーブル２の上面から測った高さｈ１（図４）は、分離ガスノズル４１（４２）からのＮ_２ガスの供給量にもよるが、分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力を第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの圧力よりも高くできるように設定される。高さｈ１は例えば０．５ｍｍから１０ｍｍであると好ましく、できる限り小さくすると更に好ましい。ただし、回転テーブル２の回転ぶれによって回転テーブル２が天井面４４に衝突するのを避けるため、高さｈ１は３．５ｍｍから６．５ｍｍ程度であって良い。また、凸状部４の溝部４３に収容される分離ガスノズル４２（４１）の下端から回転テーブル２の表面までの高さｈ２（図４）も同様に０．５ｍｍ〜４ｍｍであって良い。

以上の構成を有する分離領域Ｄ１，Ｄ２によれば、回転テーブル２が例えば約２４０ｒｐｍの回転速度で回転した場合であっても、ＢＴＢＡＳガスとＮ_２ガスとをより確実に分離することができる。

図１、図２、及び図３を再び参照すると、コア部２１を取り囲むように天板１１の下面に取り付けられた環状の突出部５が設けられている。突出部５は、コア部２１よりも外側の領域において回転テーブル２と対向している。本実施形態においては、図５に明瞭に示すように、空間５０の下面の回転テーブル２からの高さｈ１５は、空間Ｈの高さｈ１よりも僅かに低い。これは、回転テーブル２の中心部近傍での回転ぶれが小さいためである。具体的には、高さｈ１５は１．０ｍｍから２．０ｍｍ程度であって良い。なお、他の実施形態においては、高さｈ１５とｈ１は等しくても良く、また、突出部５と凸状部４は一体に形成されても、別体として形成されて結合されても良い。なお、図２及び図３は、凸状部４を真空容器１内に残したまま天板１１を取り外した真空容器１の内部を示している。

図１の約半分の拡大図である図５を参照すると、真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されており、これにより、天板１１とコア部２１との間の空間５２にＮ_２ガスが供給される。この空間５２に供給されたＮ_２ガスにより、突出部５と回転テーブル２との狭い隙間５０は、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂに比べて高い圧力に維持され得る。このため、第１の領域４８Ａにおいて処理ガスノズル３１から吐出されるＢＴＢＡＳガスは、圧力の高い隙間５０を通り抜けて第２の領域４８Ｂへ到達することができない。また、第２の領域４８Ｂにおいてオリフィス３２から吐出されるＮ_２ガスは、圧力の高い隙間５０を通り抜けて第１の領域４８Ａへ到達することができない。したがって、両処理ガスは、隙間５０により分離され、真空容器１内の気相中で混合されることは殆ど無い。すなわち、本実施形態の成膜装置においては、ＢＴＢＡＳガスとＮ_２ガスとを分離するために回転テーブル２の回転中心部と真空容器１とにより画成され、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂよりも高い圧力に維持される中心領域Ｃが設けられている。

図６は、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図の約半分を示し、ここには凸状部４と、凸状部４と一体に形成された突出部５が図示されている。図示のとおり、凸状部４は、その外縁においてＬ字状に屈曲する屈曲部４６を有している。屈曲部４６は、回転テーブル２と容器本体１２との間の空間を概ね埋めており、処理ガスノズル３１からのＢＴＢＡＳガスとオリフィス３２からのＮ_２ガス（ラジカルを含む、以下同様）とがこの隙間を通して混合するのを阻止する。屈曲部４６と容器本体１２との間の隙間、及び屈曲部４６と回転テーブル２との間の隙間は、例えば、回転テーブル２から凸状部４の天井面４４までの高さｈ１とほぼ同一であって良い。また、屈曲部４６があるため、分離ガスノズル４１，４２（図３）からのＮ_２ガスは、回転テーブル２の外側に向かっては流れ難い。よって、分離領域Ｄ１，Ｄ２から第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８ＢへのＮ_２ガスの流れが促進される。なお、屈曲部４６の下方にブロック部材７１ｂを設ければ、分離ガスが回転テーブル２の下方まで流れるのを更に抑制することができるため、更に好ましい。

なお、屈曲部４６と回転テーブル２との間の隙間は、回転テーブル２の熱膨張を考慮し、回転テーブル２が後述のヒータユニットにより加熱された場合に、上記の間隔（ｈ１程度）となるように設定することが好ましい。

一方、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂにおいて、容器本体１２の内周壁は、図３に示すように外方側に窪み、排気領域６が形成されている。この排気領域６の底部には、図３及び図５に示すように、例えば排気口６１，６２が設けられている。これら排気口６１，６２は各々排気管６３を介して真空排気装置である例えば共通の真空ポンプ６４に接続されている。これにより、主に第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂが排気され、したがって、上述の通り、第１の領域４８Ａ及び第２の領域４８Ｂの圧力が分離領域Ｄ１，Ｄ２の分離空間Ｈの圧力よりも低くすることができる。

また、図３を参照すると、第１の領域４８Ａに対応する排気口６１は、回転テーブル２の外側（排気領域６）において処理ガスノズル３１の下方に位置している。これにより、処理ガスノズル３１の吐出孔３３（図４）から吐出されるＢＴＢＡＳガスは、回転テーブル２の上面に沿って、処理ガスノズル３１の長手方向に排気口６１へ向かって流れることができる。

再び図１を参照すると、排気管６３には圧力調整器６５が設けられ、これにより真空容器１内の圧力が調整される。複数の圧力調整器６５を、対応する排気口６１，６２に対して設けてもよい。また、排気口６１，６２は、排気領域６の底部（真空容器１の底部１４）に限らず、真空容器の容器本体１２の周壁部に設けても良い。また、排気口６１，６２は、排気領域６における天板１１に設けても良い。ただし、天板１１に排気口６１，６２を設ける場合、真空容器１内のガスが上方へ流れるため、真空容器１内のパーティクルが巻き上げられて、ウエハＷが汚染されるおそれがある。このため、排気口６１，６２は、図示のように底部に設けるか、容器本体１２の周壁部に設けると好ましい。また、排気口６１，６２を底部に設ければ、排気管６３、圧力調整器６５、及び真空ポンプ６４を真空容器１の下方に設置することができるため、成膜装置のフットプリントを縮小する点で有利である。

図１、図５及び図６に示すように、回転テーブル２と容器本体１２の底部１４との間の空間には、加熱部としての環状のヒータユニット７が設けられ、これにより、回転テーブル２上のウエハＷが、回転テーブル２を介して所定の温度に加熱される。また、ブロック部材７１ａが、回転テーブル２の下方及び外周の近くに、ヒータユニット７を取り囲むように設けられるため、ヒータユニット７が置かれている空間がヒータユニット７の外側の領域から区画されている。ブロック部材７１ａより内側にガスが流入することを防止するため、ブロック部材７１ａの上面と回転テーブル２の下面との間に僅かな間隙が維持されるように配置される。ヒータユニット７が収容される領域には、この領域をパージするため、複数のパージガス供給管７３が、容器本体１２の底部を貫通するように所定の角度間隔をおいて接続されている。なお、ヒータユニット７の上方において、ヒータユニット７を保護する保護プレート７ａが、ブロック部材７１ａと隆起部ＢＵ（図５参照）とにより支持されており、これにより、ヒータユニット７が設けられる空間にＢＴＢＡＳガスやＮ_２ガスが仮に流入したとしても、ヒータユニット７を保護することができる。保護プレート７ａは、例えば石英から作製すると好ましい。

図２及び図３を参照すると、容器本体１２の周壁部には搬送口１５が形成されている。ウエハＷは、搬送口１５を通して搬送アーム１０により真空容器１の中へ、又は真空容器１から外へと搬送される。この搬送口１５にはゲートバルブ（図示せず）が設けられ、これにより搬送口１５が開閉される。また、凹部２４の底面には３つの貫通孔（図示せず）が形成されており、これらの貫通孔を通して図示しない３本の昇降ピンが上下動することができる。昇降ピンは、ウエハＷの裏面を支えて当該ウエハＷを昇降させ、ウエハＷの搬送アーム１０との間で受け渡しを行う。

また、この実施形態による成膜装置には、図３に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うための制御部１００が設けられている。この制御部１００は、例えばコンピュータで構成されるプロセスコントローラ１００ａと、ユーザインタフェース部１００ｂと、メモリ装置１００ｃとを有する。ユーザインタフェース部１００ｂは、成膜装置の動作状況を表示するディスプレイや、成膜装置の操作者がプロセスレシピを選択したり、プロセス管理者がプロセスレシピのパラメータを変更したりするためのキーボードやタッチパネル（図示せず）などを有する。なお、制御部１００は、ラジカル源８０の動作も制御してよい。

メモリ装置１００ｃは、プロセスコントローラ１００ａに種々のプロセスを実施させる制御プログラム、プロセスレシピ、及び各種プロセスにおけるパラメータなどを記憶している。これらの制御プログラムやプロセスレシピは、ユーザインタフェース部１００ｂからの指示に従って、プロセスコントローラ１００ａにより読み出されて実行される。また、これらのプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体１００ｄに格納され、これらに対応した入出力装置（図示せず）を通してメモリ装置１００ｃにインストールしてよい。コンピュータ可読記憶媒体１００ｄは、ハードディスク、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、フレキシブルディスク、半導体メモリなどであってよい。また、プログラムは通信回線を通してメモリ装置１００ｃへダウンロードしてもよい。

次に、図７を用いて、ラジカル源８０の一例の構成について説明する。図７は、本発明の実施形態に係る成膜装置のラジカル源８０の一例の構成を示した図である。図７（ａ）、（ｂ）においては、ラジカル源８０を無声放電式ラジカル源として構成した例が示されている。

図７（ａ）に示すように、無声放電式のラジカル源８０は、放電室８１と、高電圧電極８２と、按置電極８３と、誘電体８４とを備える。図７（ａ）に示すラジカル源８０は、放電室８１内に高電圧電極８２と按置電極８３とが対をなして対向して設けられ、高電圧電極８２と按置電極８３との間に誘電体８４を設けて構成されている。また、高電圧電極８２と按置電極８３に交流高電圧を印加可能な交流高電圧電源１１０が高電圧電極８２及び按置電極８３に接続されて設けられている。

放電室８１は、内部で無声放電を発生させるための容器であり、無声放電を発生させる際、内部は大気圧に保たれる。即ち、無声放電は大気圧下で放電が発生する大気圧放電の一種である。高電圧電極８２及び按置電極８３は、互いに対をなす電極であり、双方とも平板電極が用いられ、所定の間隔を有して平行に対向して配置される。即ち、高電圧電極８２及び按置電極８３は、平行平板電極として構成される。誘電体８４は、種々の絶縁体を用いることができる。図７（ａ）においては、１枚の誘電体８４が、高電圧電極８２の按置電極８３との対向面を覆うように設けられている。

かかる構成を有するラジカル源８０において、ラジカルを生成するガスを高電圧電極８２と按置電極８３との間に供給し、交流高電圧電源１１０から高電圧電極８２及び按置電極８３に交流高電圧を印加する。これにより、無声放電が発生する。なお、図７（ａ）において、無声放電の発生を示す微小放電柱８６が模式的に示されている。本実施形態においては、Ｎ_２ガスを供給し、Ｎ_２ラジカルを生成するが、酸素ガス、乾燥空気等を供給し、酸化ガスのラジカルを生成してもよい。また、無声放電は、一般的にオゾナイザに利用されている放電方式なので、ラジカル源８０として、オゾナイザを用いてもよい。

図７（ｂ）は、図７（ａ）とは異なる構成を有するラジカル源８０ａの一例を示した図である。ラジカル源８０ａにおいては、図７（ａ）で示したラジカル源８０に加えて、按置電極８３を覆う誘電体８５を更に備えている。他の構成要素については、図７（ａ）と同様であるので、同様の構成要素に図７（ａ）と同一の参照符号を付し、その説明を省略する。

図７（ｂ）に係るラジカル源８０ａでは、図７（ａ）に係るラジカル源８０と同様、ラジカルを生成するガスを高電圧電極８２と按置電極８３との間に供給し、交流高電圧電源１１０から高電圧電極８２及び按置電極８３に交流高電圧を印加することにより無声放電が発生するが、按置電極８３を覆う誘電体８５が設けられていることにより、高電圧電極８２と按置電極８３との間の誘電率が高くなり、無声放電の放電エネルギーを高めることができる。

図７で説明したように、ラジカル源８０、８０ａは、無声放電方式のラジカル生成手段として構成してもよい。その他、ラジカル源８０、８０ａを、放電室８１内に金属触媒等の触媒を配置した触媒式のラジカル生成手段として構成してもよい。この場合も、大気圧下でラジカルの生成が可能であるので、ラジカル源８０、８０ａからラジカルを真空容器１内に噴射供給することができる。

図８は、ラジカル源８０の真空容器１への取り付け構造の一例を示した縦断面図である。図８に示すように、真空容器１の容器本体１２の側壁に段差を有する開口部１６を形成し、オリフィス３２が形成されたガス導入部材１７を開口部１６に挿入する。開口部１６とガス導入部材１７との間には、Ｏ−リング等のシール部材１８が設けられ、開口部１６とガス導入部材１７とが気密に嵌合するように構成される。また、オリフィス３２と連通するようにフランジ配管９０を介してラジカル源８０が容器本体１２の外周壁に取り付けられる。なお、フランジ配管９０は、フランジ部９０ａ及び配管部９０ｂを有するが、配管部９０ｂを設けずフランジ部９０ａのみをラジカル源８０の放電室８１に形成し、真空容器１とラジカル源８０を一体形成してもよい。

また、ラジカル源８０は、配管３５を介してガス供給源３６に接続され、ガス供給源３６からラジカル源８０に第２の処理ガス、例えば窒素ガスが供給される。

次に、図９〜１２を参照して、オリフィス３２の管状部３２ａの位置及び角度を変化させた本発明の実施形態に係る成膜装置のシミュレーション結果について説明する。

図９は、シミュレーション条件を説明するための図である。図９に示されるように、Ｎ_２ラジカルがオリフィス３２の管状部３２ａから噴射されたときに、管状部３２ａから回転テーブル２の中心部に向かう直方体の空間３７における流速をシミュレーション解析した。具体的な解析条件は、真空容器１内の圧力が１０Ｔｏｒｒ、真空容器１内の温度は３００℃である。また、オリフィス３２の管状部３２ａの直径は１．９ｍｍ、Ｎ_２ラジカルは９ｓｌｍの流量で供給した。ラジカル源８０の内部は大気圧である。

図１０は、オリフィス３２の管状部３２ａの内周面の開口端の位置を回転テーブル２から１０ｍｍ高い位置に設定し、回転テーブル２の表面と平行、即ち水平に管状部３２ａの角度を調整した場合のシミュレーション結果である。

図１０（ａ）は、オリフィス３２の管状部３２ａを回転テーブル２よりも１０ｍｍ高い位置で回転テーブル２の表面と同じ角度で設置した場合のシミュレーション結果である。図１０（ａ）のシミュレーション結果において、噴射された窒素ラジカルの最大流速は９１１．６０６ｍ／ｓ、最小流速は０ｍ／ｓであった。また、シミュレーションの反復回数は８８４５回である。

図１０（ａ）の右側に示すように、最小流速の０ｍ／ｓから最大流速の９１１．６０６ｍ／ｓの範囲において、空間３７の流速分布が左側のシミュレーション結果で示されている。Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔの順に流速は小さくなる。図１０（ａ）の左側の図に示されるように、ウエハＷ上における流速は、管状部３２ａに最も近い外側で大きく、管状部３２ａから離れて回転テーブル２の中心に近付くにつれて小さくなっており、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔと推移している。しかしながら、ウエハＷ表面近傍に着目すると、回転テーブル２の外側（図中左側）では、流速の速いＱ、Ｒの部分はウエハＷの表面に接触しておらず、ウエハＷの表面付近は最も流速の低いＴの領域となっている。回転テーブル２の中心側（図中右側）でウエハＷの表面に２番目に流速が小さい領域Ｓの部分が接触しているが、ウエハＷの外側は、最も流速の低い領域である領域Ｔに接触している。

領域Ｓの流速は、全体の流速範囲内では２番目に低い流速範囲であるが、１００ｍ／ｓ程度の流速は確保されているので、ウエハＷに供給する流速としては十分な流速である。よって、本実施形態に係る成膜装置における第２の処理ガスのラジカル供給は、最も遠いウエハＷの中心にも十分届くことが示されている。よって、噴出パワーとしては十分であることが示されている。また、回転テーブル２上のウエハＷの回転移動は、回転テーブル２の中心側で遅く、外側で速いので、回転テーブル２の外周側の流速が速く、中心部が遅い噴射供給は、ラジカル供給の均一化を図るのに適した方法であることが分かる。

一方、図１０（ａ）に示す通り、回転テーブル２の外側におけるウエハＷとラジカルの接触は十分でないおそれもあり、管状部３２ａの位置、角度については、回転テーブル２の外側にもラジカルが供給されるような位置、角度を検討した方が良いことが示唆されている。

図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の最大流速９１１．６０６ｍ／ｓを３６０ｍ／ｓに換算して図１０（ａ）のシミュレーション結果を示した図である。流速範囲を狭くすることにより、流速分布の相違がより明確に示されることを意図したシミュレーション結果である。図１０（ｂ）により明確に示される通り、管状部３２ａから噴射されるラジカルは、回転テーブル２の外側で高く、中心側で低くなっているが、中心側でも十分な流速を有している。しかしながら、ウエハＷの表面付近に着目すると、回転テーブル２の中心側ではラジカルとウエハＷの十分な接触がなされているが、外側ではラジカルがウエハＷの表面に十分に接触していないことが示されている。

図１１は、オリフィス３２の管状部３２ａの内周側開口端の位置を回転テーブル２の表面より１０ｍｍ高い位置に、管状部３２ａの長手方向の角度を回転テーブル２の表面よりも２度下向きの角度にして設置した場合のシミュレーション結果を示した図である。なお、その他の条件は図１０で説明した条件と同様であるので、その説明を省略する。

図１１（ａ）は、最大流速をそのまま示したシミュレーション結果であり、管状部３２ａから噴射されるラジカルの最大流速は１０１７．１２ｍ／ｓ、最小流速は０ｍ／ｓであった。この範囲で、流速の高い順に、領域Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔに分類しているのは図１０と同様である。なお、シミュレーションの反復回数は８８６６回である。

図１１（ａ）のウエハＷの表面近傍に着目すると、ウエハＷの回転テーブル２の外側において領域Ｓの流速範囲でラジカルが供給され、流速Ｓの範囲が大半を占め、中心側のみ流速Ｔの範囲となっている。これは、中心側が流速Ｔとなっているものの、流速Ｓに近いレベルの流速であるので、１００ｍ／ｓ程度の流速は確保できており、ラジカルの供給流速としては十分な流速である。このように、オリフィス３２の管状部３２ａの角度をやや下向きにすると、ラジカルが管状部３２ａに近い領域（回転テーブル２の外側）にも十分に供給され、更に中心側にも十分な流速でラジカルを供給できる状態となることが分かる。なお、ウエハＷへのラジカルの供給方法は、ウエハＷの表面全体をラジカルがなめるように接触するような供給方法が好ましく、図１１（ａ）に示す流速分布は、そのようなラジカルの供給方法の状態を満たしている。

図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における０〜１０１７．１３ｍ／ｓを０〜３６０ｍ／ｓの範囲に換算して流速分布を示したシミュレーション結果である。図１１（ｂ）により明確に示されるように、ウエハＷの表面付近の流速は、Ｑ、Ｒ、Ｓの範囲となり、十分な流速でウエハＷの表面にラジカルが供給されていることが示されている。

図１２は、オリフィス３２の管状部３２ａの内周側開口端の位置を回転テーブル２の表面より５ｍｍ高い位置に、管状部３２ａの長手方向の角度を回転テーブル２の表面よりも１度下向きの角度にして設置した場合のシミュレーション結果を示した図である。図１１に示したシミュレーション条件よりも、管状部３２ａの位置を若干低くして回転テーブル２の表面に近づけるとともに、管状部３２ａの長手方向の角度を下向き度合いを小さくし、水平状態に近付けたシミュレーション条件と言える。また、その他の条件は図１０で説明した条件と同様であるので、その説明を省略する。

図１２（ａ）は、最大流速をそのまま示したシミュレーション結果であり、管状部３２ａから噴射されるラジカルの最大流速は１１１１．６９ｍ／ｓ、最小流速は０ｍ／ｓであった。この範囲で、流速の高い順に、領域Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔに分類しているのは図１０と同様である。なお、シミュレーションの反復回数は８８１４回である。

図１２（ａ）のウエハＷの表面近傍に着目すると、ウエハＷの回転テーブル２の外側において領域Ｒの流速範囲でラジカルが供給されるとともに流速Ｐ、Ｒの範囲が大半を占め、中心側で流速Ｓ、Ｔの範囲となっている。図１１（ａ）と同様、中心側が流速Ｔとなっているものの、流速Ｓに近いレベルの流速であるので、１００ｍ／ｓ程度の流速は確保できており、ラジカルの供給流速としては十分な流速である。図１２（ａ）におけるシミュレーション結果は、図１１（ａ）のシミュレーション結果よりもより流速の面内均一性が良好になっていることが分かる。

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における０〜１１１１．６９ｍ／ｓを０〜３６０ｍ／ｓの範囲に換算して流速分布を示したシミュレーション結果である。図１２（ｂ）に示されるように、ウエハＷの表面付近の流速は、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓの範囲となり、図１１（ｂ）よりも高い流速でウエハＷの表面に接触する領域が増加し、より効果的にラジカルがウエハＷの表面に供給されていることが示されている。

図１０〜１２に示したように、オリフィス３２の管状部３２ａの位置及び角度は、用途、条件に応じて種々変更可能であり、これらを調整することにより、ウエハＷの表面へのラジカル供給の効率及び均一性を高めることができる。即ち、管状部３２ａの容器本体１２の内周側の開口端を、回転テーブル２よりも高い位置で、水平又は下向きに傾斜させた範囲で、最適な位置及び傾斜角度に調整することにより、ラジカル供給の最適化を図ることができる。また、ラジカル供給の調整は、成膜される膜の膜厚等にも影響するので、管状部３２ａの調整により、面内均一性の良好な成膜を行うことができる。また、大気圧下でラジカルを生成するラジカル源８０の利用により、高密度のラジカル生成と、これが失活する前に迅速にウエハＷに供給することが可能であるので、高品質な成膜を行うことができる。

次に、本実施形態の成膜装置の動作（成膜方法）について説明する。まず、載置部２４が搬送口１５に整列するように回転テーブル２が回転して、ゲートバルブ（図示せず）を開く。次に、搬送アーム１０により搬送口１５を介してウエハＷを真空容器１内へ搬入される。ウエハＷは、昇降ピン（図示せず）により受け取られ、搬送アーム１０が容器１から引き抜かれた後に、昇降機構（図示せず）により駆動される昇降ピン（図示せず）によって載置部２４へと下げられる。上述の一連の動作が５回繰り返されて、５枚のウエハＷが対応する凹部２４に載置される。

続いて、真空容器１内が、真空ポンプ６４及び圧力調整器６５により、予め設定した圧力に維持される。回転テーブル２が上から見て時計回りに回転を開始する。回転テーブル２は、ヒータユニット７により前もって所定の温度（例えば３００℃）に加熱されており、ウエハＷがこの回転テーブル２に載置されることで加熱される。ウエハＷが加熱され、所定の温度に維持されたことが温度センサ（図示せず）により確認された後、ＢＴＢＡＳガスが反応ガスノズル３１を通して第１の処理領域Ｐ１へ供給され、ラジカル源８０で生成されたＮ_２ガスのラジカルがオリフィス３２を通して第２の処理領域Ｐ２へ噴射供給される。加えて、分離ガスノズル４１，４２からＮ_２ガスが供給される。さらに、中心領域Ｃから、すなわち、突出部５と回転テーブル２との間から回転テーブル２の表面に沿ってＮ_２ガスが吐出される。また、分離ガス供給管５１、パージガス供給管７２，７３からもＮ_２ガスが供給される。

ウエハＷが反応ガスノズル３１の下方の第１の処理領域Ｐ１を通過するときに、ウエハＷの表面にＢＴＢＡＳ分子が吸着し、オリフィス３２の下方の第２の処理領域Ｐ２と通過するときに、ウエハＷの表面に窒素（Ｎ_２、Ｎ）ラジカルが吸着し、窒素ラジカルによりＢＴＢＡＳ分子が窒化され、反応生成物である窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が堆積する。上述のように、高密度な窒素ラジカルが高い流速でウエハＷの表面に均一に供給されるので、高品質の窒化シリコン膜が、優れた面内均一性を有してウエハＷの表面上に成膜される。また、ラジカルの供給は、回転テーブル２の回転速度が速い外側で高く、回転テーブル２の回転速度が遅い中心側で低い流速で行われるため、そのような回転テーブル２上の位置（半径）に依存する回転速度の相違を是正しつつラジカル供給を行うことができる。

なお、回転テーブル２の回転により、ウエハＷが処理領域Ｐ１、Ｐ２の両方を一回通過すると、ウエハＷの表面に窒化シリコンの一分子層（又は２以上の分子層）が形成される。次いで、ウエハＷが領域Ｐ１、Ｐ２を交互に複数回通過し、所定の膜厚を有する窒化シリコン膜がウエハＷの表面に堆積される。所定の膜厚を有する窒化シリコン膜が堆積された後、ＢＴＢＡＳガスとＮ_２ガスラジカルの供給を停止し、回転テーブル２の回転を停止する。そして、ウエハＷは搬入動作と逆の動作により順次搬送アーム１０により容器１から搬出され、成膜プロセスが終了する。

このように、本発明の実施形態に係る成膜装置によれば、大気圧下でラジカルの生成を行うラジカル源８０を設け、これを真空容器１に隣接して配置することにより、高密度のラジカルを失活させること無く均一にウエハＷの表面に噴射供給することができ、高品質の膜を良好な面内均一性を有して成膜することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ 真空容器
２ 回転テーブル
２４ 凹部（基板載置領域）
３１ 処理ガスノズル
３２ オリフィス
３２ａ 管状部
３２ｂ テーパー部
４１、４２ 分離ガスノズル
４８Ａ 第１の領域
４８Ｂ 第２の領域
８０ ラジカル源
８１ 放電室
８２、８３ 電極
８４、８５ 誘電体
９０ フランジ配管
９０ａ フランジ部
９０ｂ 配管部
１１０ 交流高電圧電源
Ｗ ウエハ
Ｄ 分離領域

Claims (12)

1. 真空容器と、
   該真空容器内に設けられ、表面上に基板を載置可能な基板載置領域を有する回転テーブルと、
   該回転テーブルの回転方向に沿って設けられ、前記回転テーブルの表面上に第１の処理ガスを供給可能な第１の処理ガス供給領域と、
   前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の処理ガス供給領域と離間して設けられ、前記回転テーブルの表面に前記第１の処理ガスと反応して反応生成物を生成可能な第２の処理ガスを供給可能な第２の処理ガス供給領域と、
   前記第２の処理ガス供給領域に連通する前記真空容器の側壁に設けられた開口を介して前記真空容器の外側の側壁に隣接して設けられ、大気圧下で前記第２の処理ガスのラジカルを生成可能であるとともに前記開口を介して前記第２の処理ガスのラジカルを前記第２の処理ガス供給領域に噴射供給可能なラジカル生成手段と、を有する成膜装置。
2. 前記ラジカル生成手段は、放電室と、該放電室内に所定間隔を置いて配置された一対の電極と、該電極間に配置された誘電体とを有する無声放電発生手段である請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記放電室は、フランジを介して前記開口の周囲の前記真空容器の外側の側壁に直接接続された請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記真空容器の側壁に設けられた開口の内周面側には、前記回転テーブルの前記表面に略平行に細長く管状に延びる管状部が形成された請求項１乃至３のいずれか一項に記載の成膜装置。
5. 前記管状部は、前記回転テーブルの前記表面よりも上方の位置に、前記表面が形成する面よりも下向きの角度を有して設けられた請求項４に記載の成膜装置。
6. 前記管状部の位置及び角度は、前記管状部から噴射供給される前記第２の処理ガスのラジカルが前記回転テーブルの表面に接触しつつ前記回転テーブルの中心部まで到達可能となるように調整された請求項５に記載の成膜装置。
7. 前記真空容器の側壁に設けられた開口の内周面側の開口端の周囲には、前記回転テーブルの中心側に向かって延びる筒状のカバーが設けられた請求項１乃至６のいずれか一項に記載の成膜装置。
8. 前記回転テーブルの前記回転方向における前記第１の処理ガス供給領域と前記第２の処理ガス供給領域との間には、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを分離する分離ガスが供給可能な分離領域が設けられた請求項１乃至７のいずれか一項に記載の成膜装置。
9. 前記分離領域は、前記真空容器の天井面から下方に向かって突出した凸状部と、該凸状部内に形成された溝内に設けられた分離ガス供給手段とを有する請求項８に記載の成膜装置。
10. 前記第１の処理ガス供給領域は、前記基板の表面上に吸着可能な原料ガスを前記第１の処理ガスとして供給可能である請求項１乃至９のいずれか一項に記載の成膜装置。
11. 前記ラジカル生成手段は、前記原料ガスと反応して酸化物又は窒化物を生成可能な酸化ガス又は窒化ガスのラジカルを前記第２の処理ガスのラジカルとして前記第２の処理ガス供給領域に噴射供給する請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の成膜装置。
12. 前記ラジカル生成手段は、前記窒化ガスのラジカルとして窒素ガスのラジカルを生成する請求項１１に記載の成膜装置。

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