JP2016119300A5 - - Google Patents

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JP2016119300A5
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Claims (25)

  1. 光学画像および荷電粒子画像を利用した試料体積中の関心の領域の位置の3次元相関の方法であって、
    試料体積を含む試料を提供することであり、前記試料体積が、関心の領域を包含し、前記試料体積中に分布した基準マークとを含み、前記基準マークが、前記試料体積の光学画像中と荷電粒子画像中の両方で識別可能であることと、
    前記試料体積を光学システムを使用して画像化することと、
    前記試料体積を荷電粒子ビームを使用して画像化することと、
    前記光学画像中と前記荷電粒子ビーム画像中の両方で識別された前記基準マークの位置を使用して、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることと
    を含む方法。
  2. 前記基準マークが既知の3次元形状を有し、前記基準マークが表面にマーカを含み、しかし内部には含まない、請求項1に記載の方法。
  3. 前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークのうちの少なくともいくつかの基準マークの3次元位置を、1つまたは複数の光学画像を使用して決定すること、および前記試料体積中に分布した前記基準マークの3次元位置を、1つまたは複数の荷電粒子画像を使用して決定することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記試料体積を前記光学システムを使用して画像化することと、前記試料体積を前記荷電粒子ビームを使用して画像化することの間で、前記試料体積の形状が変化し、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記荷電粒子ビーム画像の画素を再配分して、前記光学画像中の前記基準マークの3次元位置が、前記荷電粒子ビーム画像中の前記基準マークの3次元位置と一致するようにすることを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記試料体積を前記光学システムを使用して画像化することと、前記試料体積を前記荷電粒子ビームを使用して画像化することの間で、前記基準マークの形状が変化し、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記基準マークの形状の前記変化を使用することを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記基準マークが既知の3次元形状を有し、前記基準マークが表面にマーカを含み、しかし内部には含まない、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記試料体積中に分布した前記基準マークが蛍光球を含み、前記蛍光球が、前記球の表面に存在し前記球の内部には浸透しない染料を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 近くの蛍光マーカから実質的に干渉されることなくそれぞれの基準マークを個別に画像化することができる十分に低い濃度で、前記基準マークが前記試料体積中に分布している、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記試料体積と基板との境界面のX−Y平面内に基準マークの平面層をさらに含み、前記基準マークが、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークと区別できる、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記試料体積を光学システムを使用して画像化することが、3次元超解像画像化を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 超解像画像化が光活性化局在性顕微鏡法を含む、請求項10に記載の方法。
  12. 物体の3次元位置を、前記荷電粒子ビーム・システムを使用して、逐次画像化および材料除去サイクルによって得る、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 画像化が、走査電子顕微鏡画像を得ることを含み、材料除去が、集束イオン・ビームを用いたミリングを含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記基準マークが蛍光ナノ粒子を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記ナノ粒子が、染料によって機能化された球である、請求項14に記載の方法。
  16. 前記染料によって機能化された球が、前記球の表面に存在し前記球の内部には浸透しない染料を含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記染料が、光活性化可能な染料またはタンパク質である、請求項15または16に記載の方法。
  18. 前記ナノ粒子が量子ドットである、請求項14に記載の方法。
  19. 前記基準マークの3次元位置を、1つもしくは複数の荷電粒子画像または1つもしくは複数の光学画像を使用して決定することが、前記基準マークの3次元形状を決定することをさらに含む、請求項2から18のいずれか一項に記載の方法。
  20. 前記光学画像中と前記荷電粒子ビーム画像中の両方で識別された前記基準マークの位置を使用することが、前記基準マークの形状の変化を使用することをさらに含む、請求項14に記載の方法。
  21. 試料体積中の空間的変化の画像補正のための装置であって、
    荷電粒子画像化システムと、
    光学画像化システムと、
    試料体積の全体にわたって分布した基準マークを含む前記試料体積と、
    不揮発性記憶装置に接続された制御装置と
    を備え、
    前記記憶装置が、
    前記試料体積を光学システムを使用して画像化すること、
    集められた1つまたは複数の前記光学画像を使用して、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークの3次元位置を決定すること、
    前記試料体積を荷電粒子ビームを使用して画像化すること、
    集められた1つまたは複数の前記荷電粒子ビーム画像を使用して、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークの3次元位置を決定すること、
    前記1つまたは複数の光学画像中の前記基準マークの位置を、前記1つまたは複数の荷電粒子ビーム画像中の前記基準マークの位置と比較すること、
    前記1つまたは複数の光学画像と前記1つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算すること、および
    前記試料体積に対する空間的変化を考慮するために、前記1つまたは複数の光学画像あるいは前記1つまたは複数の荷電粒子画像に補正を適用すること
    を前記制御装置に命令する命令を記憶した、試料体積中の空間的変化の画像補正のための装置。
  22. 前記基準マークの3次元位置を決定することを前記制御装置に命令する前記命令が、前記基準マークの3次元形状を決定する命令をさらに含む、請求項21に記載の装置。
  23. 前記光学画像化システムが3次元超解像画像化システムを含み、前記荷電粒子画像化システム走査電子顕微鏡を含む、請求項21または22に記載の装置。
  24. 前記1つまたは複数の光学画像と前記1つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算する前記命令が、前記1つまたは複数の光学画像中の基準マークと前記1つまたは複数の荷電粒子画像中の基準マークの間の相対距離を比較する命令を含む、請求項21から23のいずれか一項に記載の装置。
  25. 前記1つまたは複数の光学画像と前記1つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算する前記命令が、前記試料の形状に対する物理的変化によって生じる基準マークの位置と形状のうちの一方または両方の差を計算する命令を含む、請求項21または24に記載の装置。
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