JP2016106045A - 極性または活性金属基材を有するスルホン化ブロックコポリマーラミネート - Google Patents
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Abstract
Description
スルホン化ブロックコポリマーを調製するためのブロックコポリマーは、アニオン重合、抑制アニオン重合(moderated anionic polymerization)、カチオン重合、チーグラー・ナッタ重合およびリビング鎖または安定なフリーラジカル重合を含む、幾つかの異なる方法によって製造することができる。アニオン重合は、以下および参照する文書でさらに詳細に説明されている。スチレン系ブロックコポリマーを製造するための抑制アニオン重合法は、例えば、US6,391,981、US6,455,651およびUS6,492,469に開示されており、これらの開示はそれぞれ参照により本明細書に組み込まれる。ブロックコポリマーを調製するためのカチオン重合法は、例えば、US6,515,083およびUS4,946,899に開示されており、これらの開示はそれぞれ参照により本明細書に組み込まれる。
本開示の態様の1つは、スルホン化ブロックコポリマーのポリマー構造に関する。1つの実施形態では、スルホン化ブロックコポリマーはポリマーエンドまたは外部ブロックAを少なくとも2つ、飽和ポリマー内部ブロックBを少なくとも1つ有し、ここで各Aブロックはスルホン化されにくいポリマーブロックであり、各Bブロックはスルホン化されやすいポリマーブロックである。
アニオン重合法には、リチウム開始剤を用いて溶液中で適したモノマーを重合することが含まれる。重合媒体として用いる溶媒は、生成するポリマーのリビングアニオン鎖末端と反応せず、商用重合装置で容易に取り扱われ、生成物ポリマーに対して適切な溶解性を備える任意の炭化水素でもよい。例えば、非極性の脂肪族炭化水素には一般にイオン化する水素原子がなく、特に適した溶媒となる。しばしば用いられるのはシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンおよびシクロオクタンなどの環状アルカンであるが、これらはすべて比較的非極性である。他の適した溶媒は当業者には周知であろうし、また所与のプロセス条件において有効に機能するよう選択することができるが、重合温度は考慮に入れる主要な因子の1つである。
1)リビングポリマー溶液の粘度が低くなることで、プロセスを高いポリマー濃度で運転できるようになり、従って溶媒の使用が少なくなり、
2)リビングポリマー鎖末端の熱的な安定性が高まり、高い温度での重合が可能になり、この場合もポリマー溶液の粘度が下がり、溶媒の使用が少なくなり、
3)反応速度が遅くなることで、標準的なアニオン重合法で用いられてきたものと同じ反応熱を除去する技術を用いながら、高い温度での重合が可能になることである。
述べた通り場合によって−即ち(1)B内部ブロック内にジエンがあるとき、(2)Aブロックが1,3−シクロジエンのポリマーであるとき、(3)耐衝撃性改良因子ブロックDがあるとき、および(4)Aブロックが、35モルパーセント未満のビニル含有量を有する共役ジエンのポリマーであるとき−ブロックコポリマーを選択的に水素化して、スルホン化の前にエチレン性不飽和をすべて除去する必要がある。水素化によって一般に熱安定性、紫外線安定性、酸化安定性、従って最終ポリマーの耐候性が改善され、またAブロックまたはDブロックがスルホン化されるリスクが低減される。
スルホン化ブロックコポリマーの逆ミセル溶液を非プロトン性極性溶媒中で調製する方法は幾つかある。本明細書に開示される幾つかの方法では最初にスルホン化ブロックコポリマーを非ハロゲン化脂肪族溶媒中で調製することを含み、場合により以下でさらに説明する通り、このコポリマーを膜に成型する。脂肪族溶媒中でスルホン化した後、場合によりさらに膜に成型したら、該スルホン化ポリマーを次いで非プロトン性極性溶媒中に溶解して逆ミセルを含む溶液を生成することができる。この第2の溶液は次いで成型して膜またはフィルムを形成することができる。
有機溶媒は非ハロゲン化脂肪族溶媒であることが好ましく、1つまたは複数のスルホン化されにくいブロックまたはコポリマーの非スルホン化ブロックを溶媒和するような第1の非ハロゲン化脂肪族溶媒を含む。第1の非ハロゲン化脂肪族溶媒は、約5から10個の炭素を有する置換または非置換環状脂肪族炭化水素を含んでもよい。非限定的な例には、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン、シクロヘプタン、シクロオクタンおよびこれらの混合物が含まれる。最も好ましい溶媒は、シクロヘキサン、シクロペンタンおよびメチルシクロヘキサンである。第1の溶媒はまた、ポリマーブロックのアニオン重合用の重合媒体として用いる溶媒と同じでもよい。
幾つかの実施形態によれば、高いレベルのスチレンスルホン化は、前駆体ポリマーの濃度を少なくともスルホン化の初期段階の間、前駆体ポリマーの限界濃度よりも低く保つことにより、反応混合物、反応生成物またはこれらの両方において、実質的にポリマーを沈殿させずに、またゲル化させないようにすることなく実現することができる。実質的にポリマーが沈殿しない混合物中での処理の過程で、局部的に溶媒が蒸発した結果、少量のポリマーが表面に沈着することがあることを当業者なら理解するであろう。例えば、幾つかの実施形態によれば、5%以下のポリマーが混合物中で沈殿したとき、混合物は実質的にポリマーが沈殿しないと見なしている。
複数の実施形態によれば、硫酸アシルを重合されたブロックコポリマーのスルホン化のために用いてもよい。アシル基は、好ましくは、C2からC8、またはC3からC8、またはC3からC5の、直鎖、分岐鎖もしくは環状カルボン酸、無水物もしくは酸塩化物またはこれらの混合物から誘導される。これらの化合物は、非芳香族炭素−炭素二重結合、ヒドロキシル基または硫酸アシルと反応する、もしくはスルホン化反応条件下で容易に分解するどのような他の官能性も含まないことが好ましい。例えば、カルボニル官能性からアルファ位に脂肪族四級炭素を有するアシル基(例えば、無水トリメチル酢酸から誘導される硫酸アシル)は、ポリマーのスルホン化反応の間に容易に分解すると見受けられ、好ましくは、記載されている本技術では避けるべきである。芳香族カルボン酸、無水物および酸塩化物、例えば、無水安息香酸および無水フタル酸から誘導されるアシル基も、本技術における硫酸アシルを生成するために有用なアシル基の範囲内に含まれる。アシル基は、アセチル、プロピオニル、n−ブチリルおよびイソブチリルの群から選択されるのがより好ましい。さらにより好ましくは、アシル基はイソブチリルである。硫酸イソブチリルによって高度にポリマーがスルホン化され、副生成物の形成が比較的最小限になることが発見されている。
硫酸アシルと芳香族含有ポリマー(例えば、スチレン系ブロックコポリマー)などのスルホン化されやすいブロックコポリマーとの間のスルホン化反応は、約20℃から約150℃、または約20℃から約100℃、または約20℃から約80℃、または約30℃から約70℃、または約40℃から約60℃(例えば約50℃)の範囲の反応温度で実施することができる。反応時間は、反応の温度に応じて約1分未満から約24時間またはさらに長い時間の範囲内になりうる。カルボン酸無水物と硫酸のインサイチュ反応を利用する好ましい硫酸アシルの実施形態の幾つかにおいては、反応混合物の初期温度は所期のスルホン化反応温度とほぼ同じになりうる。または、この初期温度は、その後の所期のスルホン化反応温度よりも低くてもよい。好ましい実施形態において、硫酸アシルはインサイチュで約20℃から約40℃(例えば約30℃)において約0.5から約2時間で、または約1から約1.5時間で生成することができ、次いで反応混合物を約40℃から約60℃に加熱して反応の完了を早めることができる。
スルホン化反応が完了した後、ブロックコポリマーは、ブロックコポリマーを単離する必要なく、直接フィルムに成型することができる。
基材表面にスルホン化ブロックコポリマー膜をラミネーションするための本発明による使用のための基材には、膜のスルホン基との相互作用および結合(例えば水素結合、共有結合、イオン結合)の形成が可能な充実性および多孔性の基材が含まれる。この目的のために有用な基材は極性または活性金属基材である。
スルホン化ブロックコポリマーから成型されたフィルムは極性または活性金属基材上にラミネートされる。これは、部分的または完全にフィルムに水を含ませるのに十分な溶媒にフィルムをさらすことによって行うことができる。
さらに、本明細書に開示されるコポリマーは、コポリマーの特性またはスルホン化ブロックコポリマーから形成された膜に悪影響を及ぼさない他の成分と混ぜ合わせることができる。さらに、開示されたブロックコポリマーは、オレフィンポリマー、スチレンポリマー、粘着付与樹脂、親水性ポリマーおよびエンジニアリング熱可塑性プラスチック樹脂を含む多くの種類の他のポリマーと、イオン性液体、天然油、芳香剤などの高分子液体、ナノクレイ、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの充填材ならびにタルク、シリカおよび同種のものなどの従来の充填材とブレンドしてもよい。
1)顔料、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤および流動促進剤、
2)粒子状物質、充填材および油、ならびに
3)溶媒と組成物の加工性および取り扱い性を高めるために加える他の材料が含まれる。
スルホン化の程度:本明細書に記述され、滴定によって決定されるスルホン化の程度は、以下の電位差滴定法により測定した。スルホン化反応生成物の溶液は2つの別々の滴定(「二滴定法」)によって分析し、スチレン系ポリマースルホン酸、硫酸および非ポリマー性副生成物スルホン酸(2−スルホイソ酪酸)のレベルを決定した。それぞれの滴定において、反応生成物溶液約5グラムのアリコートを約100mLのテトラヒドロフランに溶解し、約2mLの水および約2mLのメタノールを加えた。第1の滴定において、この溶液をメタノール中の0.1Nシクロヘキシルアミンで電位差滴定して2つの終点を得た。第1の終点は、サンプル中のすべてのスルホン酸基に加えて硫酸の第1の酸性プロトンに対応し、第2の終点は、硫酸の第2の酸性プロトンに対応するものであった。第2の滴定において、この溶液をメタノール:水が約3.5:1の中の0.14N水酸化ナトリウムで電位差滴定し、3つの終点を得た。第1の終点は、サンプル中のすべてのスルホン酸基に加えて硫酸の第1および第2の酸性プロトンに対応し、第2の終点は、2−スルホイソ酪酸のカルボン酸に対応し、第3の終点は、イソ酪酸に対応するものであった。
スルホン化ブロックコポリマーSBC−1の調製
Aブロックがパラ−tert−ブチルスチレン(ptBS)のポリマーブロック、Dブロックが水素化イソプレン(Ip)のポリマーブロックからなり、およびBブロックが非置換スチレン(S)のポリマーブロックからなる、構造A−D−B−D−Aを有するペンタブロックコポリマーを逐次アニオン重合により調製した。シクロヘキサン中でのt−ブチルスチレンのアニオン重合は、sec−ブチルリチウムを用いて開始し、15,000g/molの分子量を有するAブロックを得た。次いで、イソプレンモノマーを加え、分子量が9,000g/molの第2のブロック(ptBS−Ip−Li)を得た。引き続き、スチレンモノマーをリビング(ptBS−Ip−Li)ジブロックコポリマー溶液に加えて重合させ、リビングトリブロックコポリマー(ptBS−Ip−S−Li)を得た。ポリマースチレンブロックは、分子量が28,000g/molのポリスチレンのみからなる。この溶液にイソプレンモノマーの別のアリコートを加え、この結果、分子量が11,000g/molのイソプレンブロックを生じた。従って、これによりリビングテトラブロックコポリマー構造(ptBS−Ip−S−Ip−Li)が得られた。パラ−tert−ブチルスチレンモノマーの第2のアリコートを加え、メタノールを加えることによりこの重合を停止して、分子量が約14,000g/molのptBSブロックを得た。次いで、標準的なCo2+/トリエチルアルミニウム法を用いて、このptBS−Ip−S−Ip−ptBSを水素化し、ペンタブロックのイソプレン部分内のC=C不飽和を除去した。次いで、イソ酪酸無水物/硫酸試薬を用いて(別の処理もなく、酸化、洗浄、「仕上げ」をせずに)ブロックポリマーを直接スルホン化した。ヘプタン(ブロックコポリマー溶液の体積当たりほぼ等しい体積のヘプタン。)を加えることにより、この水素化ブロックコポリマー溶液を固形分約10%まで希釈した。イソ酪酸無水物および硫酸(1/1(mol/mol))を十分に加え、ブロックコポリマー1g当たり2.0meqのスルホン化ポリスチレン官能性を得た。エタノール(2molエタノール/イソ酪酸無水物のmol)を加えることにより、スルホン化反応を停止した。得られるポリマーは、電位差滴定により、2.0meqの−SO3H/ポリマーgの「イオン交換容量(IEC)」を有することが明らかになった。スルホン化ポリマーの溶液には、約10%wt/wtのレベルの固形分がヘプタン、シクロヘキサンおよびイソ酪酸エチルの混合物中に含まれていた。
Claims (27)
- 基材をラミネートする方法であって、
スルホン化されたブロックコポリマーを含むフィルムを提供すること、
前記フィルムを水にさらすこと、
前記フィルムを乾燥することによって、前記フィルムを基材の極性表面または金属表面上にラミネートすること
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、スルホン化されたブロックコポリマーは少なくとも1つのエンドブロックAおよび少なくとも1つの内部ブロックBを有し、各Aブロックは本質的にスルホン酸またはスルホン酸エステル官能基を含まず、および各Bブロックはモノマー単位の数を基準にして約10から約100モルパーセントのスルホン酸またはスルホン酸エステル官能基を含むポリマーブロックである、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、ラミネーション後に、フィルムは水の存在に30時間さらしたときに層間剥離しない、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、ラミネートされたフィルムは水の存在下において基材への結合を保つ、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、ラミネートされたフィルムにしわが寄らない、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基材表面は活性金属を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基材表面は、Li、K、Ba、Ca、Na、Mg、Al、Zn、Cr、Fe、Cd、Co、Ni、SnおよびPb、またはこれらの合金からなる群から選択される活性金属を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基材表面は、元素周期表の2族から13族の第2から第4周期の金属、または2つ以上の金属の合金を含む、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、基材表面はアルミニウムを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基材表面はガラス、革または極性ポリマーを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基材表面は充実性または多孔性である、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、極性ポリマーは、アクリレート、メタクリレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリアクリロニトリル、ポリアクリルアミド、ポリエーテル、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリ酢酸ビニル(PVA)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリアミンポリアミド、ナイロン、スチレンアクリロニトリルポリマー(SAN)、エポキシド、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン(ABS)、ポリカーボネートまたはこれらの混合物を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、フィルムは25%水を含んでいる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、スルホン化されたブロックコポリマーは一般構造A−B−A、A−B−A−B−A、(A−B−A)nX、(A−B)nX、A−D−B−D−A、A−B−D−B−A、(A−D−B)nX、(A−B−D)nX、またはこれらの混合物を有し、ここでnは2から約30の整数、およびXはカップリング剤残基であり、ならびに各Dブロックはスルホン化されにくいポリマーブロックであり、ならびに複数のAブロック、BブロックまたはDブロックは同じか、または異なる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、スルホン化されたブロックコポリマーの各Dブロックは、(i)水素化前に20から80モルパーセントの間のビニル含有率を有する、重合または共重合された、イソプレン、1,3−ブタジエンから選択される共役ジエン、(ii)重合されたアクリレートモノマー、(iii)ケイ素ポリマー、(iv)重合されたイソブチレンおよび(v)これらの混合物からなる群から選択され、重合された1,3−ブタジエンまたはイソプレンを含むセグメントはすべて引き続き水素化される、方法。
- 請求項1に記載の方法により形成されたラミネート。
- 請求項1に記載の方法により調製されたラミネートを含む回転ホイール熱交換器。
- ラミネートであって、
活性金属または極性表面を有する基材、
前記基材の表面に結合してラミネートを形成しているフィルム、
を含み、
前記フィルムはスルホン化されたポリマーを含む、
ラミネート。 - 請求項18に記載のラミネートであって、スルホン化されたポリマーは、少なくとも1つのエンドブロックAおよび少なくとも1つの内部ブロックBを有するブロックコポリマーであり、各Aブロックは本質的にスルホン酸またはスルホン酸エステル官能基を含まず、および各Bブロックはモノマー単位の数を基準にして約10から約100モルパーセントのスルホン酸またはスルホン酸エステル官能基を含むポリマーブロックである、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、フィルムは水の存在に30時間さらしたときに層間剥離しない、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、ラミネートされたフィルムにしわが寄らない、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、ラミネートされたフィルムは水の存在下において基材への結合を保つ、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、基材表面は活性金属を含む、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、基材表面は、Li、K、Ba、Ca、Na、Mg、Al、Zn、Cr、Fe、Cd、Co、Ni、SnおよびPb、またはこれらの合金からなる群から選択される活性金属を含む、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、基材表面は、元素周期表の2族から13族の第2から第4周期の金属、または2つ以上の金属の合金を含む、ラミネート。
- 請求項25に記載のラミネートであって、基材表面はアルミニウムを含む、ラミネート。
- 請求項18に記載のラミネートであって、基材表面はガラス、革または極性ポリマーを含む、ラミネート。
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