JP2016100091A - 有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】押し潰しによる悪影響の大きな領域がマスクにより局所的に押し潰されることを回避することができる有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】多層配線層１２０は、マスク１９０による押圧が禁止された押圧禁止領域２２と、押圧禁止領域とは異なる非押圧禁止領域２１とを含む。マスク１９０の対向面１９３は、マスク１９０がパネル中間品１００Ｘにあてがわれた際に多層配線層１２０の非押圧禁止領域２１を部分的または全体的に被覆する第１面部分１９１と、第１面部分から窪んでおり多層配線層１２０の押圧禁止領域２２を全体的に被覆する第２面部分１９２とを含む。【選択図】図７

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。

従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ表示パネルは、例えば、基板と、基板上に配された多層配線層と、多層配線層上に配された有機ＥＬ素子アレイとを備える。有機ＥＬ素子アレイは、複数の有機ＥＬ素子を含む。
各有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、少なくとも、下部電極と、上部電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。下部電極と有機発光層の間、または、上部電極と有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などが設けられる。

多層配線層は、有機ＥＬ素子の下部電極に接続された第１電源線と、有機ＥＬ素子の上部電極に接続された第２電源線とを含む。第１電源線が正極で第２電源線が負極の場合、あるいは、その逆の場合がある。有機ＥＬ表示パネルを平面視したとき、第１電源線および第２電源線は、何れも、有機ＥＬ素子アレイが配された領域（以下、「表示領域」という）からその周囲にある領域（以下、「額縁領域」という）まで引き出され、額縁領域において外部駆動回路に接続されている（例えば、特許文献１参照）。

有機ＥＬ表示パネルの製造は、一般に、基板を供給し、基板上に多層配線層を形成し、多層配線層上に有機ＥＬ素子アレイを形成する、という工程を経る。

特開２００９−１２３５３８号公報

有機ＥＬ素子アレイを形成する工程では、有機ＥＬ表示パネルの額縁領域となる領域を保護するためにマスクが利用されることがある。例えば、蒸着、スパッタリング、および、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成処理を実施する場合、額縁領域となる領域に不必要に薄膜の材料が堆積することを防止するため、その領域をマスクで被覆しておくことがある。また、例えば、表面改質、表面洗浄、および、ドライエッチング等を目的としてプラズマ処理を実施する場合、額縁領域となる領域がプラズマによりダメージを受けることを防止するため、その領域をマスクで被覆しておくことがある。

一方、マスクは、マスクの製造過程で生じるバリなどの突起を有する場合がある。この場合、製造途中の有機ＥＬ表示パネル（少なくとも基板と多層配線層を含む。以下、「パネル中間品」という）にマスクをあてがうと、パネル中間品の多層配線層が局所的に押し潰され、第１電源線と第２電源線との間の電気絶縁性に悪影響が及ぼされることがある。例えば、多層配線層の局所的な押し潰しにより、第１電源線と第２電源線との間の耐圧特性が低下すると、第１電源線と第２電源線との間のリーク電流が増大したり、場合によっては、第１電源線と第２電源線とが短絡することがある。特に、多層配線層における第１電源線と第２電源線とが近い位置に存在する領域など、第１電源線と第２電源線の位置関係によっては、多層配線層の局所的な押し潰しによる悪影響が大きな領域が存在する。

本発明は、押し潰しによる悪影響の大きな領域がマスクにより局所的に押し潰されることを回避することができる有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、前記基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線とを含む多層配線層を形成し、前記多層配線層上に、多層構造の有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記第１電源線および前記第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイを形成すること、を含む。前記有機ＥＬ素子アレイの形成は、前記基板と前記多層配線層を少なくとも含むパネル中間品にマスクをあてがい、前記マスクがあてがわれた状態で前記パネル中間品を処理することを含む。前記多層配線層は、前記有機ＥＬ素子アレイが上面に形成される第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有する。前記第２部分は、前記第１電源線と前記第２電源線の位置関係に基づき規定された前記マスクによる押圧が禁止された押圧禁止領域と、前記押圧禁止領域とは異なる非押圧禁止領域と、を含む。前記マスクは、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記パネル中間品の上面に対向する対向面を有する。前記対向面は、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記多層配線層の前記非押圧禁止領域を部分的または全体的に被覆する第１面部分と、前記第１面部分から窪んでおり前記多層配線層の前記押圧禁止領域を全体的に被覆する第２面部分とを含む。

上記構成によれば、マスクの第２面部分が第１面部分から窪んでいるので、マスクがパネル中間品にあてがわれた際に、マスクの第１面部分がパネル中間品の上面に接触し、マスクの第２面部分はパネル中間品の上面に接触しない。すなわち、マスクの第２面部分とパネル中間品の上面との間に隙間が生じる。従って、局所的な押し潰しによる悪影響の大きな領域を多層配線層の押圧禁止領域に設定することで、その領域がマスクにより押し潰されることを回避することができる。

第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面レイアウト図 第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの等価回路図 第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す一部切欠き斜視図 第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＡ−Ａ断面図 第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＢ−Ｂ断面図 （ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 第１実施形態に係るマスクの構造を示す斜視図 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法の効果を説明するための断面図 第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す一部切欠き斜視図 第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＡ−Ａ断面図 第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＢ−Ｂ断面図 第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図 第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線を示す平面レイアウト図 第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するためのＡ−Ａ断面図 マスクの構造の変形例を示す斜視図 （ａ）、（ｂ）は、押圧禁止領域の位置および形状の変形例を示す有機ＥＬ表示パネルの平面レイアウト図

＜１＞ 本発明の一態様
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、前記基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線とを含む多層配線層を形成し、前記多層配線層上に、多層構造の有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記第１電源線および前記第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイを形成すること、を含む。前記有機ＥＬ素子アレイの形成は、前記基板と前記多層配線層を少なくとも含むパネル中間品にマスクをあてがい、前記マスクがあてがわれた状態で前記パネル中間品を処理することを含む。前記多層配線層は、前記有機ＥＬ素子アレイが上面に形成される第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有する。前記第２部分は、前記第１電源線と前記第２電源線の位置関係に基づき規定された前記マスクによる押圧が禁止された押圧禁止領域と、前記押圧禁止領域とは異なる非押圧禁止領域と、を含む。前記マスクは、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記パネル中間品の上面に対向する対向面を有する。前記対向面は、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記多層配線層の前記非押圧禁止領域を部分的または全体的に被覆する第１面部分と、前記第１面部分から窪んでおり前記多層配線層の前記押圧禁止領域を全体的に被覆する第２面部分とを含む。

本明細書において、「平面視」とは、基板に垂直な方向に見ることを言う。上記構成によれば、マスクの第２面部分が第１面部分から窪んでいるので、マスクがパネル中間品にあてがわれた際に、マスクの第１面部分がパネル中間品の上面に接触し、マスクの第２面部分はパネル中間品の上面に接触しない。すなわち、マスクの第２面部分とパネル中間品の上面との間に隙間が生じる。従って、局所的な押し潰しによる悪影響の大きな領域を多層配線層の押圧禁止領域に設定することで、その領域がマスクにより押し潰されることを回避することができる。

また、前記押圧禁止領域は、前記第２電源線の一部が前記多層配線層の最上の階層にあり、前記第１電源線の一部が前記多層配線層の前記最上の階層のひとつ下の階層にあり、かつ、平面視で前記第２電源線の前記一部と前記第１電源線の前記一部とが重なる領域であることとしてもよい。
多層配線層の最上の階層とそのひとつ下の階層は、それらよりも下の階層に比べて、多層配線層の局所的な押し潰しによる悪影響を受けやすい。上記構成によれば、悪影響を受けやすい領域を保護することができる。

さらに、前記第１電源線および前記第２電源線は、それぞれ、幹線と前記幹線から分岐した複数の支線とを含み、前記第１電源線の前記一部は、前記第１電源線の幹線の一部であり、前記第２電源線の前記一部は、前記第２電源線の幹線の一部であることとしてもよい。
幹線に流れる電流は、各支線に流れる電流の合計であるため、幹線に不具合が生じた場合、支線に不具合が生じた場合に比べて悪影響の波及が大きい。上記構成によれば、不具合が生じた場合に悪影響の波及が大きな領域を保護することができる。

また、前記第１電源線の前記幹線の前記一部は、前記第２電源線の前記幹線の前記一部と平行に延在し、前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の前記幹線の前記一部の長手方向に沿って延在することとしてもよい。
また、前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の一部および前記第２電源線の一部が前記多層配線層の最上の階層にあり、前記第１電源線の前記一部と前記第２電源線の前記一部とが隣り合う領域であることとしてもよい。

多層配線層の最上の階層は、それよりも下の階層に比べて、多層配線層の局所的な押し潰しによる悪影響を受けやすい。上記構成によれば、悪影響を受けやすい領域を保護することができる。なお、本明細書では、第１電源線と第２電源線とが「隣り合う」とは、第１電源線と第２電源線の間に別の配線が存在しないことを言う。従って、第１電源線と第２電源線の間に電気絶縁材料が存在していても、別の配線が存在しなければ、それらは「隣り合う」ということになる。

また、前記第１電源線および前記第２電源線は、それぞれ、幹線と前記幹線から分岐した複数の支線とを含み、前記第１電源線の前記一部は、前記第１電源線の幹線の一部であり、前記第２電源線の前記一部は、前記第２電源線の幹線の一部であることとしてもよい。
幹線に流れる電流は、各支線に流れる電流の合計であるため、幹線に不具合が生じた場合、支線に不具合が生じた場合に比べて悪影響の波及が大きい。上記構成によれば、不具合が生じた場合に悪影響の波及が大きな領域を保護することができる。

また、前記第１電源線の前記幹線の前記一部は、前記第２電源線の前記幹線の前記一部と平行に延在し、前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の前記幹線の前記一部の長手領域に沿って延在することとしてもよい。
有機ＥＬ素子アレイの製造過程では、パネル中間品上に意図せず異物が付着する場合がある。異物としては、例えば、空気中の塵または埃の類や、製造装置または製造プロセスに起因した粒子状物質などがある。パネル中間品上に異物が付着している場合、パネル中間品にマスクをあてがうとパネル中間品の多層配線層が異物を介して局所的に押し潰されることがある。つまり、パネル中間品上に異物が付着している場合も、マスクに突起が存在する場合と同様の問題が生じてしまう。発明者らが、パネル中間品上に意図せず付着する異物のサイズを測定したところ、５０μｍ未満の異物が全体の大部分（約９８％）を占めることが判明した。

そこで、前記マスクの前記第１面部分から前記第２面部分までの窪みの深さが、５０μｍ以上であることとしてもよい。
上記構成によれば、パネル中間品上に異物が付着したとしても、マスクが異物を介して多層配線層を局所的に押し潰すことを極力防止することができる。
また、前記パネル中間品の処理は、前記パネル中間品に薄膜を形成する処理、または、前記パネル中間品にプラズマを晒す処理であることとしてもよい。

また、前記マスクは、磁性材料を含有することとしてもよい。
以下、図面を用いて本発明の実施形態について詳細に説明する。
＜２＞ 第１実施形態
図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面レイアウト図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、画像を表示するための表示領域１０と、平面視で表示領域１０を囲む額縁領域２０とを含む。表示領域１０は、複数の画素（ピクセル）を含み、各画素は、複数のサブ画素（サブピクセル）を含む。額縁領域２０は、画素が存在しない領域である。額縁領域２０は、非押圧禁止領域２１と押圧禁止領域２２とを含む。これらの詳細は後述する。なお、有機ＥＬ表示パネル１００の形状は、本実施形態では平面視で長方形状であるが、これに限られない。

図２は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの等価回路図である。同図は、図１のＡ部分を示している。有機ＥＬ表示パネル１００は、水平方向（図中Ｘ方向）および垂直方向（図中Ｙ方向）に並んだ複数の画素１２を有する。本実施の形態では、ひとつの画素１２は、水平方向に並ぶ３つのサブ画素１１からなる。サブ画素１１は、有機ＥＬ素子１３１と、有機ＥＬ素子１３１に接続されたサブ画素駆動回路１２３とを含む。有機ＥＬ表示パネル１００は、さらに、垂直方向に延在する複数のデータ信号線１７０と、水平方向に延在する複数のスキャン信号線１８０とを含む。データ信号線１７０とスキャン信号線１８０は、有機ＥＬ素子１３１をそれぞれ所望の輝度で点灯させるための信号を伝達する。データ信号線１７０およびスキャン信号線１８０は公知なので、ここでは説明を省略する。

有機ＥＬ表示パネル１００は、さらに、第１電源線１５０と第２電源線１６０とを含む。第１電源線１５０は、幹線１５１と、幹線１５１に接続された複数の支線１５２とを含む。第２電源線１６０は、幹線１６１と、幹線１６１に接続された複数の支線１６２とを含む。幹線１５１、１６１は、それぞれ有機ＥＬ表示パネル１００の額縁領域２０内で水平方向に延在する。支線１５２、１６２は、それぞれ有機ＥＬ表示パネル１００の表示領域１０内で垂直方向に延在する。なお、幹線１５１、１６１が水平方向に延在するのは、図２が、額縁領域２０が水平方向に延在する部分を示しているからである。額縁領域２０が垂直方向（Ｙ方向）に延在する部分では、幹線１５１、１６１は垂直方向に延在する。

本実施形態では、第１電源線１５０は、有機ＥＬ素子１３１のアノードに接続され、第２電源線１６０は、有機ＥＬ素子１３１のカソードに接続されている。第１電源線１５０には、第１電圧（例えば、２０Ｖ）が印加され、第２電源線１６０には、第１電圧とは異なる第２電圧（例えば、０Ｖ）が印加される。
以下、有機ＥＬ表示パネル１００の構造について説明する。図３は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す一部切欠き斜視図である。同図には、図１のＡ部分の額縁領域２０が現れている。図４および図５は、それぞれ第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面を示し、図５は、図３のＢ−Ｂ断面を示す。

図４に示す通り、有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１０と、基板１１０上に配された多層配線層１２０と、多層配線層１２０上に配された有機ＥＬ素子アレイ１３０と、有機ＥＬ素子アレイ１３０および多層配線層１２０上に配された封止層１４０とを備える。
基板１１０は、例えば、ガラスまたは樹脂からなる。
多層配線層１２０は、配線層１２０ａ〜１２０ｄと層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｆとを含む。配線層１２０ａ〜１２０ｄは、それぞれ、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、タングステン、モリブデン、銅、アルミニウムなどを利用することができる。層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｆは、それぞれ、無機材料または有機材料からなる。無機材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを利用することができる。有機材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを利用することができる。また、配線層１２０ａ〜１２０ｄは、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。同様に、層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｇも、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。多層配線層１２０の配線構造は、表示領域１０内の第１部分１２１と額縁領域２０内の第２部分とで異なる。多層配線層１２０の第１部分１２１は、第１電源線１５０の支線１５２、サブ画素駆動回路１２３および第２電源線１６０の支線１６２（図５参照）を含む。多層配線層１２０の第２部分１２２は、第１電源線１５０の幹線１５１および第２電源線１６０の幹線１６１を含む。

有機ＥＬ素子アレイ１３０は、複数の有機ＥＬ素子１３１と、各有機ＥＬ素子１３１の間に配された絶縁層１３５とを含む。有機ＥＬ素子１３１は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、下部電極１３２と、下部電極１３２上に配された有機発光層１３３と、有機発光層１３３上に配された上部電極１３４とを含む。下部電極１３２は、有機ＥＬ素子１３１のアノードとして機能する。上部電極１３４は、有機ＥＬ素子１３１のカソードとして機能する。有機発光層１３３は、下部電極１３２から注入された正孔と上部電極１３４から注入された電子を再結合させることで発光する機能を有する。なお、有機ＥＬ素子１３１は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層の少なくともひとつを含んでいてもよい。また、下部電極１３２、有機発光層１３３および上部電極１３４は、それぞれ、単層構造でも多層構造でもよい。本実施形態では、各有機ＥＬ素子１３１の上部電極１３４は、それぞれ連結された共通の電極となっている。絶縁層１３５は、各有機ＥＬ素子１３１の有機発光層１３３を電気的に絶縁する機能を果たす。なお、本実施形態では、絶縁層１３５は、表示領域１０だけでなく額縁領域２０にも存在している。絶縁層１３５の額縁領域２０に存在する部分は、配線層１２０ｄを被覆しており、これにより有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程で配線層１２０ｄを保護する機能を果たす。

封止層１４０は、無機材料または有機材料からなる。無機材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを利用することができる。有機材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを利用することができる。封止層１４０は、単層構造でも多層構造でもよい。
図４および図５に示す通り、第１電源線１５０の幹線１５１は、配線層１２０ｂに配された配線１５１ｂと、配線層１２０ｃに配された配線１５１ｃとを含む。図３に示す通り、各配線１５１ｂ、１５１ｃは、それぞれ水平方向（Ｘ方向）に延在しており、コンタクトプラグで互いに接続されている。コンタクトプラグは、水平方向の適切な間隔で複数存在する。このように、幹線１５１が、ふたつの配線１５１ｂ、１５１ｃを含むので、幹線１５１の実質的な断面積が増加し、幹線１５１での電圧降下を抑制することができる。

また、図４および図５に示す通り、第２電源線１６０の幹線１６１は、配線層１２０ｂに配された配線１６１ｂと、配線層１２０ｃに配された配線１６１ｃと、配線層１２０ｄに配された配線１６１ｄとを含む。図３に示す通り、各配線１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄは、それぞれ水平方向（Ｘ方向）に延在しており、コンタクトプラグで互いに接続されている。コンタクトプラグは、水平方向の適切な間隔で複数存在する。このように、幹線１６１は、３つの配線１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄを含むので、幹線１６１の実質的な断面積が増加し、幹線１６１での電圧降下を抑制することができる。また、幹線１６１の配線１６１ｄの幅は、配線１６１ｂ、１６１ｃの幅よりも広い。これにより、幹線１６１の断面積をより増加することができる。

第２電源線１６０に属する配線１６１ｄの幅が比較的広いため、多層配線層１２０は、図４および図５のＢ部分に示す通り、第２電源線１６０に属する配線１６１ｄと第１電源線１５０に属する配線１５１ｃとが平面視で部分的に重なる領域を有する。このような領域では、多層配線層１２０が厚み方向に押し潰された場合に、層間絶縁層１２０ｇが変形したり、層間絶縁層１２０ｇにクラックが生じたりして、配線１６１ｄと配線１５１ｃとの間の電気絶縁性に悪影響が及ぼされることがある。特に、第２電源線１６０に属する配線１６１ｄは、多層配線層１２０の最上の階層の配線層１２０ｄに存在し、第１電源線１５０に属する配線１５１ｃは、多層配線層１２０の最上の階層のひとつ下の階層の配線層１２０ｃに存在する。この場合、押し潰しの影響を受ける可能性が高い。本実施形態では、次の条件を満たす領域を押圧禁止領域２２と規定し、多層配線層１２０の押圧禁止領域２２が有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程で不用意に押し潰されないように対策する。

（１−１）第２電源線の一部が、多層配線層の最上の階層の配線層に存在する。
（１−２）第１電源線の一部が、多層配線層の最上の階層のひとつ下の階層の配線層に存在する。
（１−３）平面視で第２電源線の前記一部と第１電源線の前記一部とが重なる。
これによると、図４および図５のＢ部分に示す領域が押圧禁止領域２２となる。また、額縁領域２０内の押圧禁止領域２２以外の領域が非押圧禁止領域２１となる。押圧禁止領域２２は、第１電源線１５０に属する配線１５１ｃの長手方向に沿って延在している。

次に、多層配線層１２０の押圧禁止領域２２が有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程で不用意に押し潰されない対策について説明する。図６〜図８は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。図９は、第１実施形態に係るマスクの構造を示す斜視図である。
まず、基板１１０を供給し（図６（ａ））、基板１１０上に多層配線層１２０を形成する（図６（ｂ））。本実施形態では、有機ＥＬ素子の下部電極１３２は、第２電源線１６０に属する配線１６１ｄと同じ工程で形成される。

次に、多層配線層１２０上に絶縁層１３５を形成し、下部電極１３２上に有機発光層１３３を形成する（図６（ｃ））。
次に、パネル中間品１００Ｘ上に、マスク１９０をあてがう（図７（ａ））。パネル中間品１００Ｘは、製造途中の有機ＥＬ表示パネル１００であり、少なくとも基板１１０と多層配線層１２０とを含む。本実施形態では、パネル中間品１００Ｘは、基板１１０および多層配線層１２０に加えて、有機発光層１３３および絶縁層１３５を含む。マスク１９０は、パネル中間品１００Ｘ上の所望の領域に上部電極１３４を形成するために利用されている。例えば、上部電極１３４の材料が、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ（Zinc Oxide）などの透明導電材料の場合、上部電極１３４をスパッタリングで形成することができる。また、上部電極１３４の材料が、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金などの金属材料の場合、上部電極１３４を蒸着で形成することができる。このような、蒸着、スパッタリング、および、ＣＶＤ等の薄膜形成処理を実施する場合、額縁領域２０となる領域に不必要に薄膜の材料が堆積することを防止することが好ましい。そのため、額縁領域２０となる領域をマスク１９０で被覆している。マスク１９０は、パネル中間品１００Ｘにあてがわれた際にパネル中間品１００Ｘの上面１０１Ｘに対向する対向面１９３を有する。対向面１９３は、第１面部分１９１と、第１面部分１９１から窪んだ第２面部分１９２を有する。第１面部分１９１は、マスク１９０がパネル中間品１００Ｘにあてがわれた際に多層配線層１２０の非押圧禁止領域２１を部分的または全体的に被覆する。また、第２面部分１９２は、マスク１９０がパネル中間品１００Ｘにあてがわれた際に多層配線層１２０の押圧禁止領域２２を全体的に被覆する。このように、マスク１９０の第２面部分１９２が第１面部分１９１から窪んでいるので、マスク１９０がパネル中間品１００Ｘにあてがわれた際に、マスク１９０の第１面部分１９１がパネル中間品１００Ｘの上面１０１Ｘに接触し、マスク１９０の第２面部分１９２はパネル中間品１００Ｘの上面１０１Ｘに接触しない。すなわち、マスク１９０の第２面部分１９２とパネル中間品１００Ｘの上面１０１Ｘとの間に隙間が生じる。従って、マスク１９０に意図しない突起が生じていても、押圧禁止領域２２がマスク１９０の突起により局所的に押し潰されることを回避することができる。

図９に示す通り、本実施形態では、マスク１９０は、Ｘ方向に平行な２本の帯状部とＹ方向に平行な２本の帯状部からなる。蒸着装置、スパッタリング装置およびＣＶＤ装置は、それぞれ薄膜を形成するためのチャンバーを備えている。各帯状部の両端は、それらのチャンバー内に固定されている。パネル中間品１００Ｘは、チャンバー内においてＸ方向およびＹ方向の適切な位置に配置され、マスク１９０に押し当てられる。マスク１９０はチャンバー内で輻射熱を受けるので、マスク１９０の温度は室温よりも高くなる。そのため、マスク１９０の材料は、熱膨張係数が小さいことが望まれる。また、マスク１９０をパネル中間品１００Ｘに密着させるために、パネル中間品１００Ｘの裏側にマグネットを配置して、マスク１９０を引き寄せる場合がある。このような場合、マスク１９０は、磁性材料を含有することが望まれる。マスク１９０の材料としては、例えば、金属材料、セラミックス材料などを利用することができる。金属材料としては、例えば、インバー（invar）、ステンレスなどを利用することができる。マスク１９０の窪みの形成方法としては、マスク１９０の材料にもよるが、例えば、機械加工やエッチングを利用することができる。

マスク１９０の厚みｔは、例えば、１００μｍ〜５００μｍである。マスク１９０の窪みの深さｄは、１μｍ以上であればよい。これにより、マスク１９０の製造過程でマスク１９０に意図しない突起が生じていても、突起による押圧禁止領域２２の押し潰しを極力回避することができる。なお、マスク１９０の窪みの深さｄは、５０μｍ以上であってもよい。有機ＥＬ素子アレイ１３０の製造過程では、パネル中間品１００Ｘ上に意図せず異物が付着する場合がある。パネル中間品１００Ｘ上に異物が付着している場合、パネル中間品１００Ｘにマスク１９０をあてがうとパネル中間品１００Ｘの多層配線層１２０が異物を介して局所的に押し潰されることがある。発明者らが、パネル中間品上に意図せず付着する異物のサイズを測定したところ、５０μｍ未満の異物が全体の大部分（約９８％）を占めることが判明した。そこで、マスク１９０の窪みの深さｄを５０μｍ以上とすることで、パネル中間品１００Ｘ上に異物が付着していたとしても、異物による押圧禁止領域２２の押し潰しを極力防止することができる。

図７に戻り、マスク１９０がパネル中間品１００Ｘ上にあてがわれた状態で、パネル中間品１００Ｘ上に上部電極１３４の材料１３４Ｘを堆積させる（図７（ｂ））。マスク１９０をパネル中間品１００Ｘ上から取り除くと、パネル中間品１００Ｘの所望の領域に上部電極１３４が形成されている（図８（ａ））。
次に、有機ＥＬ素子アレイ１３０上および多層配線層１２０上に封止層１４０を形成する（図８（ｂ））。これにより、有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。

図１０は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法の効果を説明するための断面図であり、（ａ）はマスクに窪みが存在しない場合、（ｂ）はマスクに窪みが存在する場合を示す。通常の有機ＥＬ表示パネル１００では、各層間絶縁層の厚みがサブミクロンから数ミクロンのオーダーであり、多層配線層１２０の全体の厚みは数ミクロンのオーダーである。これに対して、異物５０のサイズは、数ミクロンから数十ミクロンのオーダーである。つまり、異物５０のサイズは、多層配線層１２０の全体の厚みよりも大きいことが多い（図１０（ａ）（ｂ）は、実際のサイズを正確に反映したものではない）。また、製造の都合上、層間絶縁層１２０ｇの材料として、有機材料が利用される場合がある。有機材料は、無機材料に比べて押し潰されたときに変形しやすい。さらに、マスクをパネル中間品に密着させるべく、マスクをパネル中間品の裏側のマグネットで引き寄せる場合もある。そのため、マスク１９５に窪みが存在しない場合、図１０（ａ）に示す通り、マスク１９５が異物５０を介して多層配線層１２０を局所的に押し潰し、その結果、第１電源線１５０と第２電源線１６０との間の電気絶縁性に悪影響が及ぼされる。具体的には、第２電源線１６０に属する配線１６１ｄが異物５０に押されて折れ曲がり、第１電源線１５０に属する配線１５０ｃに部分的に近づいている。これにより、第１電源線１５０と第２電源線１６０との間のリーク電流が増大したり、場合によっては、配線１６１ｄと配線１５１ｃとが短絡することがある。一方、マスク１９０に窪みが存在する場合、図１０（ｂ）に示す通り、多層配線層１２０が異物５０により押し潰される事態が回避されている。

＜３＞ 第２実施形態
第２実施形態と第１実施形態の異なる点は、第１電源線および第２電源線の構造、ならびに、押圧禁止領域の規定条件である。これら以外については実施形態１と同様なので説明を省略する。
図１１は、、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す一部切欠き斜視図である。図１２および図１３は、それぞれ第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ断面を示し、図１３は、図１１のＢ−Ｂ断面を示す。第２電源線２６０の幹線２６１は、配線層１２０ｂに配された配線２６１ｂと、配線層１２０ｃに配された配線２６１ｃと、配線層１２０ｄに配された配線２６１ｄとを含む。第２実施形態では、第２電源線２６０の配線２６１ｄの幅が、配線２６１ｂ、２６１ｃの幅と同程度である。これにより、多層配線層１２０の最上の階層の配線層１２０ｄに、第１電源線２５０の配線２５１ｄを配する領域が確保されている。第１電源線２５０の幹線２５１は、配線層１２０ｂに配された配線２５１ｂと、配線層１２０ｃに配された配線２５１ｃと、配線層１２０ｄに配された配線２５１ｄとを含む。

多層配線層１２０は、図１２および図１３のＣ部分に示す通り、最上の階層の配線層１２０ｄにおいて第１電源線２５０に属する配線２５１ｄと第２電源線２６０に属する配線２６１ｄとが隣り合う領域を有する。このような領域では、多層配線層１２０が局所的に押し潰された場合に、多層配線層１２０が変形することで配線２５１ｄと配線２６１ｄとの間の電気絶縁性に悪影響が及ぼされることがある。特に、第１電源線２５０に属する配線２５１ｄおよび第２電源線２６０に属する配線２６１ｄは、多層配線層１２０の最上の階層の配線層１２０ｄに存在する。この場合、押し潰しの影響を受ける可能性が高い。本実施形態では、次の条件を満たす領域を押圧禁止領域２２と規定し、多層配線層１２０の押圧禁止領域２２が有機ＥＬ表示パネル２００の製造過程で不用意に押し潰されないように対策する。

（２−１）第１電源線の一部が、多層配線層の最上の階層の配線層に存在する。
（２−２）第２電源線の一部が、多層配線層の最上の階層の配線層に存在する。
（２−３）第１電源線の前記一部と第２電源線の前記一部とが隣り合う。
これによると、図１２および図１３のＣ部分に示す領域が押圧禁止領域２２となる。また、額縁領域２０内の押圧禁止領域２２以外の領域が非押圧禁止領域２１となる。押圧禁止領域２２は、第１電源線２５０に属する配線２５１ｄの長手方向に沿って延在している。

図１４は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。パネル中間品２００Ｘにマスク２９０があてがわれている。マスク２９０は、パネル中間品２００Ｘにあてがわれた際にパネル中間品２００Ｘの上面２０１Ｘに対向する対向面２９３を有する。対向面２９３は、第１面部分２９１と、第１面部分２９１から窪んだ第２面部分２９２を有する。第１面部分２９１は、マスク２９０がパネル中間品２００Ｘにあてがわれた際に多層配線層１２０の非押圧禁止領域２１を部分的または全体的に被覆する。また、第２面部分２９２は、マスク２９０がパネル中間品２００Ｘにあてがわれた際に多層配線層１２０の押圧禁止領域２２を全体的に被覆する。これにより、マスク２９０に意図しない突起が生じていたり、パネル中間品２００Ｘ上に意図しない異物が付着していても、押圧禁止領域２２が局所的に押し潰されることを回避することができる。

＜４＞ 第３実施形態
第３実施形態と第１実施形態の異なる点は、第１電源線および第２電源線の構造である。これら以外については実施形態１と同様なので説明を省略する。
図１５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線を示す平面レイアウト図である。図１６は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図であり、図１５のＡ−Ａ断面を示す。

図１５に示す通り、第１電源線３５０は、水平方向（Ｘ方向）に延在する幹線３５１と、垂直方向（Ｙ方向）に延在する支線３５２とを含む。第２電源線３６０は、水平方向（Ｘ方向）に延在する幹線３６１と、垂直方向（Ｙ方向）に延在する支線３６２とを含む。図１６に示す通り、多層配線層３２０は、配線層３２０ａ〜３２０ｃと、層間絶縁層３２０ｅ、３２０ｆとを含む。第２電源線３６０は、多層配線層３２０の最上の階層の配線層３２０ｃに配されている。第１電源線３５０は、多層配線層３２０の最上の階層からひとつ下の階層の配線層３２０ｂに配されている。本実施形態では、第１実施形態と同様に、次の条件を満たす領域を押圧禁止領域２２と規定し、多層配線層３２０の押圧禁止領域２２が有機ＥＬ表示パネル３００の製造過程で不用意に押し潰されないように対策する。

（１−１）第２電源線の一部が、多層配線層の最上の階層の配線層に存在する。
（１−２）第１電源線の一部が、多層配線層の最上の階層のひとつ下の階層の配線層に存在する。
（１−３）平面視で第２電源線の前記一部と第１電源線の前記一部とが重なる。
第１実施形態では、第１電源線の幹線と第２電源線の幹線とが上記の条件を満たしている。これに対して、第３実施形態では、第１電源線の支線と第２電源線の幹線とが上記の条件を満たす。第３実施形態では、図１５および図１６のＤ部分に示す領域が押圧禁止領域２２となる。また、額縁領域２０内の押圧禁止領域２２以外の領域が非押圧禁止領域２１となる。図１５に示す通り、押圧禁止領域２２は、第２電源線３６０に属する幹線３６１の長手方向に沿って複数点在している。

図１６に示す通り、マスク３９０は、パネル中間品３００Ｘにあてがわれた際にパネル中間品３００Ｘの上面３０１Ｘに対向する対向面３９３を有する。対向面３９３は、第１面部分３９１と、第１面部分３９１から窪んだ第２面部分３９２を有する。第１面部分３９１は、マスク３９０がパネル中間品３００Ｘにあてがわれた際に多層配線層３２０の非押圧禁止領域２１を部分的または全体的に被覆する。また、第２面部分３９２は、マスク３９０がパネル中間品３００Ｘにあてがわれた際に多層配線層３２０の押圧禁止領域２２を全体的に被覆する。これにより、マスク３９０に意図しない突起が生じていたり、パネル中間品３００Ｘ上に意図しない異物が付着していても、押圧禁止領域２２が局所的に押し潰されることを回避することができる。

なお、上述の通り、押圧禁止領域２２は、第２電源線３６０の幹線３６１の長手方向に沿って複数点在している。マスク３９０の対向面３９３の窪みは、これに合わせて、複数点在してもよい。また、図９に示されるような溝状の窪みを有するマスクを利用してもよい。
＜５＞ 変形例
第１および第２実施形態は、第１電源線の幹線と第２電源線の幹線が押圧禁止領域を規定する条件を満たす配線構造を開示している。第３実施形態は、第１電源線の支線と第２電源線の幹線が押圧禁止領域を規定する条件を満たす配線構造を開示している。しかしながら、第１電源線の一部と第２電源線の一部が押圧禁止領域を規定する条件を満たす配線構造であれば、これらに限られない。例えば、第１電源線の支線と第２電源線の支線が上記条件を満たす配線構造も適用可能である。

第１、第２および第３実施形態は、薄膜形成処理を実施する工程で押圧禁止領域が押し潰されないように対策しているが、これに限られない。マスクを利用する工程であれば、同様の対策が適用可能である。マスクを利用する工程としては、例えば、表面改質、表面洗浄、および、ドライエッチング等を目的としたプラズマ処理を実施する工程がある。
第１、第２および第３実施形態では、マスクを利用する薄膜形成処理として、上部電極を形成する工程を例示しているが、これに限られない。例えば、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層を形成する工程でも、マスクを利用する場合がある。

第１、第２および第３実施形態は、４本の帯状部からなるマスクを開示しているが、マスクの構造はこれに限られない。例えば、図１７に示すような枠状のマスク４９０を利用してもよい。
第１、第２および第３実施形態は、長方形の有機ＥＬ表示パネルの全周にわたり連続した押圧禁止領域が存在する配線構造を開示しているが、これに限られない。例えば、図１８（ａ）に示す通り、長方形の有機ＥＬ表示パネル４００のひとつの長辺とひとつの短辺だけに押圧禁止領域が存在する配線構造でもよい。また、図１８（ｂ）に示す通り、長方形の有機ＥＬ表示パネル５００の全周にわたり不連続に押圧禁止領域が存在する配線構造でもよい。

第１、第２および第３実施形態は、下部電極がアノードであり上部電極がカソードとしている。これに伴い、第１電源線に印加される第１電圧が第２電源線に印加される第２電圧よりも高い。しかしながら、これに限られない。下部電極がカソードであり上部電極がアノードであってもよい。この場合、第１電源線に印加される第１電圧が第２電源線に印加される第２電圧よりも低い。

本発明は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法に利用可能である。

１００、２００、３００、４００、５００ 有機ＥＬ表示パネル
１００Ｘ、２００Ｘ、３００Ｘ パネル中間品
１１０ 基板
１２０、３２０ 多層配線層
１３０ 有機ＥＬ素子アレイ
１３１ 有機ＥＬ素子
１３５ 絶縁層
１４０ 封止層
１５０、２５０、３５０ 第１電源線
１５１、２５１、３５１ 第１電源線の幹線
１５２、３５２ 第１電源線の支線
１６０、２６０、３６０ 第２電源線
１６１、２６１、３６１ 第２電源線の幹線
１６２、３６２ 第２電源線の支線
１９０、２９０、３９０、４９０ マスク
１９１、２９１、３９１ 第１面部分
１９２、２９２、３９２ 第２面部分
１９３、２９３、３９３ 対向面
１０ 表示領域
２０ 額縁領域
２１ 非押圧禁止領域
２２ 押圧禁止領域

Claims (10)

1. 基板を供給し、
   前記基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線とを含む多層配線層を形成し、
   前記多層配線層上に、多層構造の有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記第１電源線および前記第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイを形成すること、を含み、
   前記有機ＥＬ素子アレイの形成は、前記基板と前記多層配線層を少なくとも含むパネル中間品にマスクをあてがい、前記マスクがあてがわれた状態で前記パネル中間品を処理することを含み、
   前記多層配線層は、前記有機ＥＬ素子アレイが上面に形成される第１部分と、平面視したとき前記第１部分の周囲にある第２部分とを有し、前記第２部分は、前記第１電源線と前記第２電源線の位置関係に基づき規定された前記マスクによる押圧が禁止された押圧禁止領域と、前記押圧禁止領域とは異なる非押圧禁止領域と、を含み、
   前記マスクは、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記パネル中間品の上面に対向する対向面を有し、前記対向面は、前記マスクが前記パネル中間品にあてがわれた際に前記多層配線層の前記非押圧禁止領域を部分的または全体的に被覆する第１面部分と、前記第１面部分から窪んでおり前記多層配線層の前記押圧禁止領域を全体的に被覆する第２面部分とを含む、
   有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
2. 前記押圧禁止領域は、前記第２電源線の一部が前記多層配線層の最上の階層にあり、前記第１電源線の一部が前記多層配線層の前記最上の階層のひとつ下の階層にあり、かつ、平面視で前記第２電源線の前記一部と前記第１電源線の前記一部とが重なる領域である、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
3. 前記第１電源線および前記第２電源線は、それぞれ、幹線と前記幹線から分岐した複数の支線とを含み、
   前記第１電源線の前記一部は、前記第１電源線の幹線の一部であり、
   前記第２電源線の前記一部は、前記第２電源線の幹線の一部である、
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
4. 前記第１電源線の前記幹線の前記一部は、前記第２電源線の前記幹線の前記一部と平行に延在し、
   前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の前記幹線の前記一部の長手方向に沿って延在する、
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
5. 前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の一部および前記第２電源線の一部が前記多層配線層の最上の階層にあり、前記第１電源線の前記一部と前記第２電源線の前記一部とが隣り合う領域である、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
6. 前記第１電源線および前記第２電源線は、それぞれ、幹線と前記幹線から分岐した複数の支線とを含み、
   前記第１電源線の前記一部は、前記第１電源線の幹線の一部であり、
   前記第２電源線の前記一部は、前記第２電源線の幹線の一部である、
   請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
7. 前記第１電源線の前記幹線の前記一部は、前記第２電源線の前記幹線の前記一部と平行に延在し、
   前記押圧禁止領域は、前記第１電源線の前記幹線の前記一部の長手領域に沿って延在する、
   請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
8. 前記マスクの前記第１面部分から前記第２面部分までの窪みの深さが、５０μｍ以上である、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
9. 前記パネル中間品の処理は、前記パネル中間品に薄膜を形成する処理、または、前記パネル中間品にプラズマを晒す処理である、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
10. 前記マスクは、磁性材料を含有する、
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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