JP2016098776A - イグナイタおよび車両 - Google Patents
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Abstract
【課題】IGT信号が入力されるボンディングワイヤの故障を防止する。
【解決手段】スイッチ素子202は、出力端子OUTと接地端子GNDの間に設けられる。入力端子INは、ECU108(EngineControlUnit)からの点火信号IGTを受ける。スイッチ制御装置300は、点火信号IGTに応じてスイッチ素子202を制御する。保護回路204は、逆直列接続されたダイオードペアD1、D2を含む。イグナイタ200はひとつのパッケージに収容される。減衰回路322は、入力パッドPINの電圧を減衰させる。スイッチ制御装置300は、判定ステージ300A、駆動ステージ300B、減衰回路322を備え、第1半導体基板SUB1に集積化される。入力端子INと入力パッドPINは第1ボンディングワイヤW1を介して接続される。保護回路204の一端は、ボンディングワイヤを介すことなく入力端子INと接続される。
【選択図】図6
【解決手段】スイッチ素子202は、出力端子OUTと接地端子GNDの間に設けられる。入力端子INは、ECU108(EngineControlUnit)からの点火信号IGTを受ける。スイッチ制御装置300は、点火信号IGTに応じてスイッチ素子202を制御する。保護回路204は、逆直列接続されたダイオードペアD1、D2を含む。イグナイタ200はひとつのパッケージに収容される。減衰回路322は、入力パッドPINの電圧を減衰させる。スイッチ制御装置300は、判定ステージ300A、駆動ステージ300B、減衰回路322を備え、第1半導体基板SUB1に集積化される。入力端子INと入力パッドPINは第1ボンディングワイヤW1を介して接続される。保護回路204の一端は、ボンディングワイヤを介すことなく入力端子INと接続される。
【選択図】図6
Description
本発明は、エンジンの点火プラグと接続されるイグニッションコイルを制御するイグナイタに関する。
図1は、ガソリンエンジン車(以下、単に車両ともいう)100のエンジンルーム101の斜視図である。エンジンルーム101には、エンジン110、吸気マニホールド112、エアクリーナ113、ラジエータ114、バッテリ102などが収容される。図1には4気筒エンジンが示される。
エンジン110には、気筒ごとにプラグホール(不図示)が設けられ、プラグホールには、点火プラグ(不図示)が挿入される。エンジン110の各気筒には、エアクリーナ113、吸気マニホールド112を経由した空気と、図示しない燃料タンクからの燃料との混合気体が供給される。点火プラグを適切なタイミングで点火(スパーク)させることで、エンジンが始動、回転する。
図2は、車両100rの電気系統の一部のブロック図である。車両100rの電気系統は、バッテリ102、イグニッションコイル104、点火プラグ106、ECU108、イグナイタ200rを備える。ECU108は、点火プラグ106の点火タイミングを指示する点火信号IGTを、エンジン110の回転と同期して周期的に発生する。イグニッションコイル104の2次コイルL2は点火プラグ106と接続される。イグナイタ200rは、点火信号IGTに応じてイグニッションコイル104の1次コイルL1の電流を制御することにより、2次コイルL2に数十kVもの高電圧を発生させ、点火プラグ106を放電させて、エンジン110内の混合気を爆発させる。
イグナイタ200rは、スイッチ素子202およびスイッチ制御装置300rを備える。スイッチ素子202はたとえばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、そのコレクタは1次コイルL1と接続され、そのエミッタは接地される。スイッチ制御装置300rは、点火信号IGTに応じてスイッチ素子202の制御端子(ゲート)の電圧を制御し、スイッチ素子202のオン、オフを制御する。具体的にはスイッチ制御装置300rは、点火信号IGTがハイレベルの期間、スイッチ素子202をオン状態とする。スイッチ素子202がオンすると、1次コイルL1の両端間にバッテリ電圧VBATが印加され、1次コイルL1に流れる電流が時間とともに増大する。点火信号IGTがローレベルに遷移すると、スイッチ制御装置300rはスイッチ素子202を瞬時にターンオフさせ、1次コイルL1の電流IL1を遮断する。このとき1次コイルL1には、電流IL1の時間微分に比例した数百Vもの1次電圧VL1(=L・dIL1/dt)が発生する。このとき2次コイルL2には、1次電圧VL1に巻線比を乗じた数十kVもの2次電圧VSが発生する。
スイッチ制御装置300rは、前段の判定ステージ300Aと、後段の駆動ステージ300Bを含む。判定ステージ300Aは、ECU108からの点火信号IGTを受け、そのレベル(ハイ・ロー)を判定する。ここでイグナイタ200は、エンジンルーム内で使用され、さまざまなサージノイズや高周波ノイズに晒される。高周波ノイズによるイグナイタ200の誤動作を防止するために、判定ステージ300Aには、点火信号IGTに重畳する高周波ノイズを除去する高周波フィルタ303が設けられる。電圧コンパレータ302は、高周波フィルタ303を通過した点火信号IGTの電圧レベルVFILを所定の基準電圧(しきい値)VREFと比較し、ハイ・ロー2値の判定信号SDETを生成する。
駆動ステージ300Bは、判定信号SDETに応じて、スイッチ素子202のオン、オフを切りかえる。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。プリドライバ306およびゲートドライバ308は、遅延回路304の出力に応じてスイッチ素子202のゲート電圧を制御する。
イグナイタ200のサージやノイズの耐性を試験するために、さまざまな試験項目が規定されている(特許文献1参照)。たとえばBCI(Bulk Current Injection)やGTEM(Giga-herz Transverse Electro Magnetic)セルによる試験が知られている。特許文献2には、サージやノイズ対策を施したイグナイタが開示される。
図3(a)、(b)は、従来の保護回路の構成例を示す回路図である。図3(a)の保護回路320aは、特許文献2の図3の比較例に記載され、カソードが入力ライン301に、アノードが接地ラインに接続されたダイオードD1を含む。一方、図3(b)の保護回路320bは、特許文献2の図9、図10に開示され、双方向フローティングダイオードD1、D2を含む。
図4(a)は、周期ノイズの典型的な波形図であり、図4(b)、(c)は、図3(a)の保護回路320aの電圧波形図であり、図4(d)、(e)は、図3(b)の保護回路320bの電圧波形図である。
エンジンルームにおいてイグナイタ200に入射する周期ノイズは、典型的には1MHz〜数十MHzの周波数を有している。図4(a)には、単一の周波数成分のみを抽出して示す。
図3(a)の保護回路320aは、半波整流回路(包絡線検波回路)として動作する。したがって0Vを中心として振動する周期ノイズが入力されると、図4(b)に示すように入力電圧VINは、負電圧−VFにてクランプされる。ここで保護回路320aと電圧コンパレータ302の間に、キャパシタC11を含む高周波フィルタ303や寄生容量が存在すると、半波整流された電圧VINによって容量が充電され、点火信号IGTがローレベルであっても、図4(c)に示すように入力電圧VINが上昇し、やがて基準電圧VREFを超えて誤動作を引き起こすおそれがある。
これに対して、図3(b)の保護回路320bでは、図4(d)に示すように包絡線検波しなくなり、したがって図4(e)に示すように、入力電圧VINはローレベル(0V付近)を維持し、誤動作を抑えることができる。このように図3(b)の保護回路320bは、周期ノイズに対する耐性を備える。
本発明者は、図3(b)の保護回路について検討した結果、課題を認識するに至った。
図5(a)、(b)は、イグナイタ200rの外観および内部構造を示す斜視図である。イグナイタ200rは、SiP(Single In-Line Package)で構成され、4本のリードフレームLF1〜LF4を備える。リードフレームLF1〜LF4それぞれの先端が、図2のIN端子(入力端子)、GND端子(接地端子)、VDD端子(電源端子)、OUT端子(出力端子)に対応する。
図5(a)、(b)は、イグナイタ200rの外観および内部構造を示す斜視図である。イグナイタ200rは、SiP(Single In-Line Package)で構成され、4本のリードフレームLF1〜LF4を備える。リードフレームLF1〜LF4それぞれの先端が、図2のIN端子(入力端子)、GND端子(接地端子)、VDD端子(電源端子)、OUT端子(出力端子)に対応する。
図5(b)に示すように、スイッチ制御装置300rの入力パッドPINは、ボンディングワイヤW1を介して、IN端子に対応するリードフレームLF3と電気的に接続される。して保護回路320bは、スイッチ制御装置300が集積化される半導体基板(ダイ)上の入力パッドPINの近傍に形成される。またスイッチ制御装置300rの接地パッドPGNDは、ボンディングワイヤW2を介して、GND端子に対応するリードフレームLF2と電気的に接続される。
いまIN端子に、振幅が大きいサージあるいはサージ性ノイズが入力されたとする。そうすると、サージはボンディングワイヤW1を経由して入力パッドPINに伝搬し、保護回路320bによって吸収される。したがって保護回路320より後段の回路は保護される。ところが、保護回路320を設けた場合であっても、ボンディングワイヤW1には大電流が流れ、ボンディングワイヤW1が劣化したり、ワイヤが外れたり、あるいは破断するおそれがある。
また、サージやノイズによって、ボンディングワイヤW1、保護回路320b、ボンディングワイヤW2を含む経路に、瞬間的に大電流が流れることにより、ボンディングワイヤW1が大きな逆起電力を引き起こし、この逆起電力が内部回路の信頼性に影響を及ぼすおそれがある。あるいはボンディングワイヤW2に生ずる逆起電力によって、スイッチ制御装置300r内の接地ライン312の電位が変動するため、保護回路320bによるノイズ吸収性能を低下させる一因となる。なおこれらの課題を当業者の一般的な認識と捉えてはならない。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、IGT信号が入力されるボンディングワイヤの故障を防止可能なイグナイタの提供にある。
本発明のある態様はイグナイタに関する。イグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続される出力端子と、接地される接地端子と、出力端子と接地端子の間に設けられたスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号を受ける入力端子と、点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、逆直列接続されたダイオードペア(Anti-Series Diode Pair)を含む保護回路と、を備え、ひとつのパッケージに収容される。スイッチ制御装置は、点火信号を受ける入力パッドと、入力パッドの電圧を減衰させる減衰回路と、減衰回路の出力電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する判定ステージと、判定信号に応じてスイッチ素子のオン、オフを制御する駆動ステージと、を備え、第1半導体基板に集積化される。入力端子と入力パッドは第1ボンディングワイヤを介して接続される。保護回路の一端は、ボンディングワイヤを介さずに入力端子と接続される。
この態様によると、入力端子に混入するサージやノイズは、ボンディングワイヤを介すことなく保護回路に入力される。したがって第1ボンディングワイヤに、過電圧、過電流が入力されるのを防止でき、ひいては第1ボンディングワイヤの故障を防止し、信頼性を高めることができる。
また保護回路を、半導体基板上の素子ではなく、ディスクリート部品で構成することができるため、逆方向電圧が大きなダイオードを含む保護回路を使用できる。これにより以下の利点を享受できる。すなわち保護回路を半導体基板に集積化する場合、ダイオードの逆方向電圧は半導体プロセスの制約を受けることとなり、逆方向電圧を大きくできない場合がある。ダイオードの逆方向電圧が小さいと、入力端子に周期ノイズが注入されたときに、周期ノイズに応じた交流電圧が正負のピークでクランプされる。このクランプされる区間、ECUの出力電圧が、ピークまたはボトムの一方のみでクランプされ、平均レベルが正または負にオフセットされる。これにより、点火信号がハイレベルまたはローレベルに張り付き、制御不能となる場合がある。一方、この態様によれば、逆方向電圧を十分に大きく取ることで、この問題を解決できる。
また保護回路を、半導体基板上の素子ではなく、ディスクリート部品で構成することができるため、逆方向電圧が大きなダイオードを含む保護回路を使用できる。これにより以下の利点を享受できる。すなわち保護回路を半導体基板に集積化する場合、ダイオードの逆方向電圧は半導体プロセスの制約を受けることとなり、逆方向電圧を大きくできない場合がある。ダイオードの逆方向電圧が小さいと、入力端子に周期ノイズが注入されたときに、周期ノイズに応じた交流電圧が正負のピークでクランプされる。このクランプされる区間、ECUの出力電圧が、ピークまたはボトムの一方のみでクランプされ、平均レベルが正または負にオフセットされる。これにより、点火信号がハイレベルまたはローレベルに張り付き、制御不能となる場合がある。一方、この態様によれば、逆方向電圧を十分に大きく取ることで、この問題を解決できる。
保護回路の他端は、ボンディングワイヤを介すことなく、接地端子と接続されてもよい。
これにより、ボンディングワイヤにより保護回路によるノイズ吸収性能が低下するのを防止できる。
これにより、ボンディングワイヤにより保護回路によるノイズ吸収性能が低下するのを防止できる。
保護回路は、その一端が、第1ボンディングワイヤよりも入力端子に電気的に近い位置で点火信号を受けるように配置される。これにより、第1ボンディングワイヤにノイズが混入するのを防止できる。
保護回路は、第1電極とる第2電極を有するディスクリート部品であってもよい。
パッケージはリードフレームパッケージであってもよい。入力端子に対応する第1リードフレームと接地端子に対応する第2リードフレームは隣接して配置されてもよい。保護回路は、第1電極と第2電極を有するディスクリート部品であってもよい。保護回路は、第1リードフレームと第2リードフレームの間にブリッジ接続されてもよい。
この態様によれば、保護回路の両端が、低インピーダンスで入力端子と接地端子と接続されることとなるため、保護回路の性能を高めることができる。
この態様によれば、保護回路の両端が、低インピーダンスで入力端子と接地端子と接続されることとなるため、保護回路の性能を高めることができる。
保護回路は、第1ボンディングワイヤと第1リードフレームの接続箇所よりも、第1リードフレームの先端に近い位置に設けられてもよい。
これにより、第1ボンディングワイヤにノイズが混入するのを防止できる。
これにより、第1ボンディングワイヤにノイズが混入するのを防止できる。
第1半導体基板は、第2リードフレーム上に実装されてもよい。
スイッチ素子は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を含み、第2半導体基板に集積化され、第2半導体基板には、IGBTのコレクタと接続される裏面電極が形成されてもよい。第2半導体基板は、出力端子に対応する第3リードフレーム上に実装されてもよい。
本発明の別の態様も、イグナイタに関する。イグナイタは、イグニッションコイルの1次コイルと接続される出力端子と、接地される接地端子と、出力端子と接地端子の間に設けられたスイッチ素子と、ECU(Engine Control Unit)からの点火信号を受ける入力端子と、点火信号を受ける入力パッドを有し、第1半導体基板に集積化され、点火信号に応じてスイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、少なくともひとつのダイオードを含む保護回路と、を備え、ひとつのパッケージに収容される。入力端子と入力パッドは、第1ボンディングワイヤを介して接続される。保護回路は、第1ボンディングワイヤよりも電気的に近い箇所で入力端子と接続される。
この態様によると、入力端子に混入するサージやノイズは、第1ボンディングワイヤを介すことなく保護回路に入力される。したがって第1ボンディングワイヤに、過電圧、過電流が入力されるのを防止でき、ひいては第1ボンディングワイヤの故障を防止し、信頼性を高めることができる。
この態様によると、入力端子に混入するサージやノイズは、第1ボンディングワイヤを介すことなく保護回路に入力される。したがって第1ボンディングワイヤに、過電圧、過電流が入力されるのを防止でき、ひいては第1ボンディングワイヤの故障を防止し、信頼性を高めることができる。
保護回路は、逆直列接続されたダイオードペアを含んでもよい。
また保護回路を、半導体基板上の素子ではなく、ディスクリート部品で構成することができるため、逆方向電圧が大きなダイオードを含む保護回路を使用できる。これにより以下の利点を享受できる。すなわち保護回路を半導体基板に集積化する場合、ダイオードの逆方向電圧は半導体プロセスの制約を受けることとなり、逆方向電圧を大きくできない場合がある。ダイオードの逆方向電圧が小さいと、入力端子に周期ノイズが注入されたときに、周期ノイズに応じた交流電圧が正負のピークでクランプされる。このクランプされる区間、ECUの出力電圧が、ピーク(またはボトム)の一方のみでクランプされ、平均レベルが負(または正)にオフセットされる。これにより、点火信号がローレベル(またはハイレベル)に張り付き、制御不能となる場合がある。一方、この態様によれば、逆方向電圧を十分に大きく取ることで、この問題を解決できる。
また保護回路を、半導体基板上の素子ではなく、ディスクリート部品で構成することができるため、逆方向電圧が大きなダイオードを含む保護回路を使用できる。これにより以下の利点を享受できる。すなわち保護回路を半導体基板に集積化する場合、ダイオードの逆方向電圧は半導体プロセスの制約を受けることとなり、逆方向電圧を大きくできない場合がある。ダイオードの逆方向電圧が小さいと、入力端子に周期ノイズが注入されたときに、周期ノイズに応じた交流電圧が正負のピークでクランプされる。このクランプされる区間、ECUの出力電圧が、ピーク(またはボトム)の一方のみでクランプされ、平均レベルが負(または正)にオフセットされる。これにより、点火信号がローレベル(またはハイレベル)に張り付き、制御不能となる場合がある。一方、この態様によれば、逆方向電圧を十分に大きく取ることで、この問題を解決できる。
本発明の別の態様は、車両に関する。車両は、ガソリンエンジンと、点火プラグと、1次コイルと、点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、点火信号に応じてイグニッションコイルを駆動する上述のいずれかのイグナイタと、を備えてもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、イグナイタの負のサージに対する誤動作耐性を改善することができる。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aと部材Bが接続」された状態とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合や、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図6は、実施の形態に係るイグナイタ200の回路図である。イグナイタ200は、スイッチ素子202、保護回路204、スイッチ制御装置300を備え、ひとつのパッケージに収容される。
イグナイタ200には、電源(VDD)端子、接地(GND)端子、入力(IN)端子、出力(OUT)端子が設けられる。VDD端子には電源電圧が供給され、GND端子は接地される。IN端子は、ハーネスを介してECU108から点火信号IGTを受ける。またOUT端子は、イグニッションコイル104の1次コイルL1と接続される。
スイッチ素子202はたとえばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、その一端(コレクタ)はOUT端子と接続され、その他端(エミッタ)はGND端子と接続される。
スイッチ制御装置300には、電源パッドPVDD、接地パッドPGND、入力パッドPIN、ゲート出力パッドPGATEが設けられる。電源パッドPVDD、接地パッドPGND、入力パッドPINはそれぞれ、VDD端子、GND端子、IN端子と接続される。またゲート出力パッドPGATEはスイッチ素子202のゲートと接続される。
スイッチ制御装置300は、減衰回路322、判定ステージ300A、駆動ステージ300Bを備え、それらが第1半導体基板SUB1に集積化される。
減衰回路322は、入力パッドPINと接地ライン312の間に直列に設けられた第1抵抗R1、第2抵抗R2を含み、入力パッドPINの電圧を分圧により減衰させる。減衰回路322の分圧比は、想定されうる最大電圧が印加されたときに、判定ステージ300A(内部回路)に入力される電圧VATNが、それらの耐圧を超えないように定められる。たとえばR1:R2=9:1、分圧比は1/10程度とされる。減衰回路322によって、入力パッドPINの電圧は、1/10倍され、判定ステージ300Aに入力される。本実施の形態では、保護回路204と減衰回路322の組み合わせによって、判定ステージ300A以降の内部回路が保護される。
判定ステージ300Aは、減衰回路322の出力電圧VATNを基準電圧VREFと比較し、判定信号SDETを生成する。たとえば判定ステージ300Aは、高周波フィルタ303および電圧コンパレータ302を備える。高周波フィルタ303は、高周波ノイズによるイグナイタ200の誤動作を防止するために設けられ、点火信号IGTに重畳する高周波ノイズを除去する。電圧コンパレータ302は、高周波フィルタ303を通過した点火信号IGTの電圧レベルVFILを所定の基準電圧(しきい値)VREFと比較し、ハイ・ロー2値の判定信号SDETを生成する。
駆動ステージ300Bは、ゲート出力パッドPGATEを介してスイッチ素子202の制御端子(ゲート)と接続されており、判定信号SDETに応じてスイッチ素子202のオン、オフを制御する。駆動ステージ300Bは、遅延回路304、プリドライバ306、ゲートドライバ308を含む。遅延回路304は、判定信号SDETに所定の遅延を与える。この遅延量は、点火信号IGTの遷移と点火プラグの放電の時間の時間差(遅れ)が所定値となるように設定される。プリドライバ306およびゲートドライバ308は、遅延回路304の出力に応じてスイッチ素子202のゲート電圧を制御する。
IN端子と入力パッドPINは、第1ボンディングワイヤW1を介して接続される。保護回路204は、逆直列接続されたダイオードペアD1、D2を含む。保護回路204は、いかなるボンディングワイヤを介すことなくIN端子と接続される。なお、ダイオードD1とD2は、アノードが対向するように配置されてもよい。また保護回路204の他端は、ボンディングワイヤを介すことなく、GND端子と接続される。より好ましくは、保護回路204は、その一端が、第1ボンディングワイヤW1よりもIN端子に近い位置で点火信号IGTを受けるように配置される。
保護回路204は、2個のダイオードD1、D2を含んで一体に構成されるディスクリート部品であり、第1電極E1および第2電極E2を有する。第1電極E1がIN端子と電気的に接続され、第2電極E2がGND端子と電気的に接続される。
図7は、図6のイグナイタ200の内部構造を示す図である。
イグナイタ200は、リードフレームパッケージに収容され、たとえば4ピンのSiP(Single In-Line Package)で構成される。
イグナイタ200は、リードフレームパッケージに収容され、たとえば4ピンのSiP(Single In-Line Package)で構成される。
4本のリードフレームLF1〜LF4は、それぞれIN端子、GND端子、OUT端子、VDD端子に対応する。IN端子に対応する第1リードフレームLF1とGND端子に対応する第2リードフレームLF2は隣接して配置される。保護回路204であるディスクリート部品206は、第1リードフレームLF1と第2リードフレームLF2の間にブリッジ接続される。つまり、第1電極E1は、第1リードフレームLF1とはんだ付けされ、第2電極E2は、第2リードフレームLF2とはんだ付けされる。
特に図7に示すように、ディスクリート部品206は、第1ボンディングワイヤW1と第1リードフレームLF1の接続箇所208よりも、第1リードフレームLF1の先端に物理的に近い位置に設けられる。これにより、ディスクリート部品206を、第1ボンディングワイヤW1よりもIN端子に電気的に近い位置に配置することができる。
スイッチ制御装置300が集積化される第1半導体基板SUB1は、GND端子に対応する第2リードフレームLF2上に実装される。スイッチ素子202は、第2半導体基板SUB2に集積化されており、第2半導体基板SUB2には、IGBTのコレクタと接続される裏面電極(不図示)が形成される。第2半導体基板SUB2は、裏面電極が第3リードフレームLF3と接するようにして実装される。
第2半導体基板SUB2の表面には、IGBTのエミッタと接続されるパッドEと、ゲートと接続されるパッドGが形成される。ボンディングワイヤW3は、パッドEと第2リードフレームLF2とを接続する。ボンディングワイヤW4は、パッドGとスイッチ制御装置300のゲート出力パッドPGATEを接続する。ボンディングワイヤW5は、電源パッドPVDDと第4リードフレームLF4を接続する。
以上がイグナイタ200の構成である。
続いてその利点を説明する。
IN端子に混入するサージやノイズは、ボンディングワイヤW1やその他のボンディングワイヤを介すことなく保護回路204に入力される。したがって第1ボンディングワイヤW1に、過電圧、過電流が入力されるのを防止でき、ひいては第1ボンディングワイヤW1の故障を防止し、信頼性を高めることができる。
続いてその利点を説明する。
IN端子に混入するサージやノイズは、ボンディングワイヤW1やその他のボンディングワイヤを介すことなく保護回路204に入力される。したがって第1ボンディングワイヤW1に、過電圧、過電流が入力されるのを防止でき、ひいては第1ボンディングワイヤW1の故障を防止し、信頼性を高めることができる。
また保護回路204を、半導体基板SUB1上の素子ではなく、ディスクリート部品で構成することができ、半導体製造プロセスの制約を受けずに、逆方向電圧BVを大きくすることができる。これにより以下の問題を解決できる。
図8は、イグナイタ200およびECU108の等価回路図である。ECU108は、出力トランジスタQ1を含み、出力トランジスタQ1のオン、オフに応じて、イグナイタ200へ入力される点火信号IGTを制御する。具体的には出力トランジスタQ1がオンのとき、点火信号IGTはハイレベル、オフのときローレベルである。点火信号IGTは、ハーネス109を介してイグナイタ200のIN端子に入力される。ハーネス109は、たとえばT字型の等価回路で表される。
図9(a)、(b)は、保護回路204のダイオードの逆方向電圧が小さい場合の、BCI試験中の波形図である。BCI試験では、ハーネス109に交流信号(ここでは正弦波)が重畳される。この正弦波により、イグナイタ200の入力電圧VINが変動するが、保護回路204によって、入力ラインの電位VIN’は、±BVでクランプされる。
電圧がクランプされる区間Δtの間、保護回路204のインピーダンスは非常に小さい。この区間Δtの間、出力トランジスタQ1のコレクタ電圧Vrは、ECU_VCC+Vfにてクランプされる。これにより、コレクタ電圧Vrの平均レベルが、負側にオフセットされる。このコレクタ電圧Vrが、ハーネス109の抵抗およびキャパシタに印加されると、図9(b)に示すようにキャパシタが放電され、ハイレベルが出力できなくなる。ECU108の出力トランジスタがNPN型であり、ローサイド側に配置される場合には、反対の問題、つまり、ローレベルが出力できなくなる。
実施の形態に係るイグナイタ200によれば、BCI試験や実動作において想定される周期ノイズの最大振幅を考慮して、十分に大きな逆方向電圧BVを有する保護回路204を用いることができ、それにより、周期ノイズに対する耐性を高めることができる。
また保護回路204の他端を、ボンディングワイヤを介すことなく、GND端子と接続することとした。図5(b)に示すように、保護回路204を第1半導体基板SUB1に集積化する構成では、保護回路204とGND端子の間にもボンディングワイヤW2が挿入されることになり、このボンディングワイヤW2により、保護回路204のノイズ吸収性能が低下するという問題が発生する。本実施の形態によれば、GND端子側のボンディングワイヤが存在しないため、保護回路204によるノイズ吸収性能が低下するのを防止できる。
さらに保護回路204は、その一端が、第1ボンディングワイヤW1よりもIN端子に電気的に近い位置で点火信号IGTを受けるように配置される。これにより、第1ボンディングワイヤW1にノイズが混入するのを防止できる。
図7に示すように、ディスクリート部品206を、第1リードフレームLF1と第2リードフレームLF2に直付けすることとした。これにより、保護回路204の両端が、低インピーダンスでIN端子とGND端子と接続されることとなるため、保護回路204の性能を高めることができる。
また図7に示すように保護回路204(ディスクリート部品206)を、第1ボンディングワイヤW1と第1リードフレームLF1の接続箇所よりも、第1リードフレームLF1の先端に近い位置に設けた。これにより、より好適に第1ボンディングワイヤW1にノイズが混入するのを防止できる。
実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例を説明する。
(第1変形例)
実施の形態では、SiPを例に説明したが、本発明はそれには限定されない。イグナイタ200は、DiP(Dual In-line Package)やZIP(Zigzag In-line Package)に収容されてもよい。あるいは、表面実装形のパッケージに収容されてもよい。
実施の形態では、SiPを例に説明したが、本発明はそれには限定されない。イグナイタ200は、DiP(Dual In-line Package)やZIP(Zigzag In-line Package)に収容されてもよい。あるいは、表面実装形のパッケージに収容されてもよい。
(第2変形例)
実施の形態では、4ピンのパッケージのイグナイタ200について説明したが本発明はそれには限定されない。たとえばイグナイタ200は、ECU108に対して、点火確認信号(IGF:Ignition Confirm)信号を出力可能であってもよい。この場合、端子(ピン)およびその機能に関連する回路ブロックを追加すればよく、6ピンのパッケージを採用してもよい。あるいは、IGF機能を備えない場合であっても、6ピンのパッケージを採用して、2ピンを非接続(NC:Non-Connection)の状態で使用してもよいし、GNDピンを複数個、設けてもよい。
実施の形態では、4ピンのパッケージのイグナイタ200について説明したが本発明はそれには限定されない。たとえばイグナイタ200は、ECU108に対して、点火確認信号(IGF:Ignition Confirm)信号を出力可能であってもよい。この場合、端子(ピン)およびその機能に関連する回路ブロックを追加すればよく、6ピンのパッケージを採用してもよい。あるいは、IGF機能を備えない場合であっても、6ピンのパッケージを採用して、2ピンを非接続(NC:Non-Connection)の状態で使用してもよいし、GNDピンを複数個、設けてもよい。
実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎないことはいうまでもなく、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められることはいうまでもない。
100…車両、101…エンジンルーム、102…バッテリ、104…イグニッションコイル、106…点火プラグ、L1…1次コイル、L2…2次コイル、108…ECU、110…エンジン、112…吸気マニホールド、113…エアクリーナ、114…ラジエータ、200…イグナイタ、202…スイッチ素子、204…保護回路、206…ディスクリート部品、300…スイッチ制御装置、300A…判定ステージ、300B…駆動ステージ、301…入力ライン、302…電圧コンパレータ、303…高周波フィルタ、304…遅延回路、306…プリドライバ、308…ゲートドライバ、312…接地ライン、320…保護回路、322…減衰回路、LF1…第1リードフレーム、LF2…第2リードフレーム、LF3…第3リードフレーム、LF4…第4リードフレーム、E1…第1電極、E2…第2電極、SUB1…第1半導体基板、SUB2…第2半導体基板。
Claims (11)
- イグニッションコイルの1次コイルと接続される出力端子と、
接地される接地端子と、
前記出力端子と前記接地端子の間に設けられたスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号を受ける入力端子と、
前記点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
逆直列接続されたダイオードペアを含む保護回路と、
を備え、ひとつのパッケージに収容され、
前記スイッチ制御装置は、
前記点火信号を受ける入力パッドと、
前記入力パッドの電圧を減衰させる減衰回路と、
前記減衰回路の出力電圧を基準電圧と比較し、判定信号を生成する判定ステージと、
前記判定信号に応じて前記スイッチ素子のオン、オフを制御する駆動ステージと、
を備え、第1半導体基板に集積化され、
前記入力端子と前記入力パッドは第1ボンディングワイヤを介して接続され、
前記保護回路の一端は、ボンディングワイヤを介すことなく前記入力端子と接続されることを特徴とするイグナイタ。 - 前記保護回路の他端は、ボンディングワイヤを介すことなく、前記接地端子と接続されることを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ。
- 前記保護回路は、前記一端が、前記第1ボンディングワイヤよりも前記入力端子に近い位置で前記点火信号を受けるように配置されることを特徴とする請求項1または2に記載のイグナイタ。
- 前記保護回路は、第1電極と第2電極を有するディスクリート部品であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のイグナイタ。
- 前記パッケージはリードフレームパッケージであり、
前記入力端子に対応する第1リードフレームと、前記接地端子に対応する第2リードフレームは隣接して配置され、
前記保護回路は、第1電極と第2電極を有するディスクリート部品であり、
前記保護回路は、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームの間にブリッジ接続されることを特徴とする請求項4に記載のイグナイタ。 - 前記保護回路は、前記第1ボンディングワイヤと前記第1リードフレームの接続箇所よりも、前記第1リードフレームの先端に近い位置に設けられることを特徴とする請求項5に記載のイグナイタ。
- 前記第1半導体基板は、前記第2リードフレーム上に実装されることを特徴とする請求項5または6に記載のイグナイタ。
- 前記スイッチ素子は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を含み、第2半導体基板に集積化され、前記第2半導体基板には、前記IGBTのコレクタと接続される裏面電極が形成され、前記第2半導体基板は、前記出力端子に対応する第3リードフレーム上に実装されることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載のイグナイタ。
- イグニッションコイルの1次コイルと接続される出力端子と、
接地される接地端子と、
前記出力端子と前記接地端子の間に設けられたスイッチ素子と、
ECU(Engine Control Unit)からの点火信号を受ける入力端子と、
前記点火信号を受ける入力パッドを有し、第1半導体基板に集積化され、前記点火信号に応じて前記スイッチ素子を制御するスイッチ制御装置と、
少なくともひとつのダイオードを含む保護回路と、
を備え、ひとつのパッケージに収容され、
前記入力端子と前記入力パッドは、第1ボンディングワイヤを介して接続され、
前記保護回路は、前記第1ボンディングワイヤよりも電気的に近い箇所で前記入力端子と接続されることを特徴とするイグナイタ。 - 前記保護回路は、逆直列接続されたダイオードペアを含むことを特徴とする請求項9に記載のイグナイタ。
- ガソリンエンジンと、
点火プラグと、
1次コイルと、前記点火プラグと接続される2次コイルと、を有するイグニッションコイルと、
前記点火プラグの点火を指示する点火信号を生成するECUと、
前記点火信号に応じて前記イグニッションコイルを駆動する請求項1から10のいずれかに記載のイグナイタと、
を備えることを特徴とする車両。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238183A JP2016098776A (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | イグナイタおよび車両 |
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JP2014238183A JP2016098776A (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | イグナイタおよび車両 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2016098776A true JP2016098776A (ja) | 2016-05-30 |
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ID=56075406
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JP2014238183A Pending JP2016098776A (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | イグナイタおよび車両 |
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JP (1) | JP2016098776A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11448178B2 (en) | 2018-03-13 | 2022-09-20 | Rohm Co., Ltd. | Switch control circuit and igniter |
-
2014
- 2014-11-25 JP JP2014238183A patent/JP2016098776A/ja active Pending
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