JP2016093871A - Processing device and nozzle - Google Patents
Processing device and nozzle Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016093871A JP2016093871A JP2014231877A JP2014231877A JP2016093871A JP 2016093871 A JP2016093871 A JP 2016093871A JP 2014231877 A JP2014231877 A JP 2014231877A JP 2014231877 A JP2014231877 A JP 2014231877A JP 2016093871 A JP2016093871 A JP 2016093871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- nozzle
- processing apparatus
- sample
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明の実施形態は、処理装置およびノズルに関する。 Embodiments described herein relate generally to a processing apparatus and a nozzle.
ウェハ等の半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、半導体基板に設けられたダイシング領域に沿ってダイシングすることによって、複数の半導体チップに分割される。半導体基板の一方の面に、半導体素子の電極となる金属膜や、ダイボンディングフィルム等の樹脂膜が形成されている場合、ダイシングの際にダイシング領域の金属膜や樹脂膜も除去する必要がある。 A plurality of semiconductor elements formed on a semiconductor substrate such as a wafer is divided into a plurality of semiconductor chips by dicing along a dicing region provided on the semiconductor substrate. When a metal film serving as an electrode of a semiconductor element or a resin film such as a die bonding film is formed on one surface of the semiconductor substrate, it is necessary to remove the metal film or resin film in the dicing region during dicing. .
金属膜や樹脂膜を除去する方法として、例えば、半導体基板と、金属膜又は樹脂膜を同時にブレードダイシングにより除去する方法がある。この場合、金属膜又は樹脂膜に突起(バリ)等の形状異常が生じやすい。金属膜や樹脂膜の形状異常が生ずると、半導体チップの外観検査不良と判定されたり、ベッドと半導体チップの接合不良が生じたりすることで製品歩留りが低下するため問題となる。 As a method of removing the metal film or the resin film, for example, there is a method of removing the semiconductor substrate and the metal film or the resin film simultaneously by blade dicing. In this case, shape abnormalities such as protrusions (burrs) are likely to occur in the metal film or the resin film. If the metal film or the resin film has an abnormal shape, it is determined that the appearance inspection of the semiconductor chip is defective, or a bonding failure between the bed and the semiconductor chip is caused, resulting in a decrease in product yield.
本発明が解決しようとする課題は、金属膜又は樹脂膜を処理する際の形状異常の抑制を可能にする処理装置およびノズルを提供することにある。 The problem to be solved by the present invention is to provide a processing apparatus and a nozzle capable of suppressing shape abnormality when processing a metal film or a resin film.
実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、前記ステージを回転させる回転機構と、前記試料に物質を噴射するノズルと、前記ステージと前記ノズルを前記ステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部と、を備える。 The processing apparatus according to the embodiment includes a stage on which a sample can be placed, a rotation mechanism that rotates the stage, a nozzle that injects a substance onto the sample, and a direction in which the stage and the nozzle are perpendicular to the rotation axis of the stage. And a control unit that controls the moving mechanism.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same members and the like are denoted by the same reference numerals, and the description of the members and the like once described is omitted as appropriate.
(第1の実施形態)
本実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、ステージを回転させる回転機構と、試料に物質を噴射するノズルと、ステージとノズルをステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、移動機構を制御する制御部と、を備える。本実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、試料に、試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する物質を噴射して、試料を分離するノズルと、を備える
(First embodiment)
The processing apparatus according to this embodiment includes a stage on which a sample can be placed, a rotating mechanism that rotates the stage, a nozzle that injects a substance onto the sample, and the stage and the nozzle are relatively moved in a direction perpendicular to the rotation axis of the stage. A moving mechanism; and a control unit that controls the moving mechanism. The processing apparatus of this embodiment includes a stage on which a sample can be placed, and a nozzle that separates the sample by injecting a material that removes a metal film or a resin film provided on the sample.
本実施形態の処理装置は、例えば、半導体基板のダイシングに用いられる半導体製造装置である。例えば、半導体基板の一方の面に設けられ、半導体素子の電極等となる金属膜をダイシング時に除去する場合に用いられる。 The processing apparatus of this embodiment is a semiconductor manufacturing apparatus used for dicing a semiconductor substrate, for example. For example, it is used when a metal film provided on one surface of a semiconductor substrate and serving as an electrode of a semiconductor element is removed during dicing.
また、本実施形態では、金属膜に噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。なお、二酸化炭素を含有する粒子(以下、単に二酸化炭素粒子とも記述する)とは、二酸化炭素を主成分とする粒子である。二酸化炭素に加え、例えば、不可避的な不純物が含有されていても構わない。 Further, in the present embodiment, a case where the substance to be injected onto the metal film is a particle containing carbon dioxide will be described as an example. Note that particles containing carbon dioxide (hereinafter also simply referred to as carbon dioxide particles) are particles containing carbon dioxide as a main component. In addition to carbon dioxide, for example, inevitable impurities may be contained.
図1は、本実施形態の処理装置の模式図である。図1(a)は、装置の断面構造を含む模式図、図1(b)はステージの上面図である。 FIG. 1 is a schematic diagram of a processing apparatus according to this embodiment. FIG. 1A is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus, and FIG. 1B is a top view of the stage.
本実施形態の半導体製造装置は、ステージ10、支持軸12、回転機構14、ノズル16、移動機構18、制御部20、処理室22を備える。
The semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment includes a
ステージ10は、処理する試料Wを載置可能に構成されている。ステージ10は、例えば、ダイシングフレームに固定されたダイシングシートに接着された半導体ウェハを載置する。
The
ステージ10は、支持軸12に固定される。回転機構14は、ステージ10を回転させる。回転機構14は、例えば、モータと、支持軸12を回転可能に保持するベアリングを備える。回転機構14により、ステージ10は、回転軸Cを中心に回転する。
The
ノズル16からは、金属膜を除去する二酸化炭素粒子が噴射される。二酸化炭素粒子が噴射して金属膜を除去することにより、例えば、試料Wが分離される。二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
Carbon dioxide particles that remove the metal film are ejected from the
ノズル16は、例えば、図示しない液化炭酸ガスのボンベに接続される。ボンベ内の液化炭酸ガスを断熱膨張により固体化して、二酸化炭素粒子が生成される。ノズル16は、例えば、図示しない窒素ガスの供給源に接続される。生成された二酸化炭素粒子を、例えば、窒素ガスと共にステージ10に載置された試料Wに向けてノズル16から噴射する。
The
ノズル16の径は、例えば、φ1mm以上φ3mm以下である。また、ノズル16と試料Wの表面との距離は、例えば、10mm以上20mm以下に設定される。
The diameter of the
移動機構18は、図1に矢印で示すように、ステージ10とノズル16をステージ10の回転軸Cに垂直な方向に直線的に相対移動させる。例えば、ステージ10の回転軸Cと試料Wの端部との間を繰り返し走査するようにノズル16を移動させる。図1では、移動機構18によりステージ10ではなく、ノズル16を移動させる場合を示す。
The
移動機構18は、ノズル16をステージ10に対して直線的に往復移動できる機構であれば、特に限定されるものではない。例えば、ベルト、プーリ、及びプーリを回転させるモータを組み合わせたベルト駆動シャトル機構を用いる。また、例えば、ラックピニオン機構とモータとの組み合わせを用いる。また、例えば、リニアモータを用いる。
The
なお、移動機構18は、ノズル16ではなく、固定されたノズル16に対し、ステージ10を移動させる機構であっても構わない。
The
制御部20は、移動機構18を制御する。例えば、ステージ10に対するノズル16の走査範囲、ステージ10に対するノズル16の相対速度等を所望の値に制御する。制御部20は、例えば、回路基板等のハードウェアであっても、ハードウェアとメモリに記憶される制御プログラム等のソフトウェアとの組み合わせであっても構わない。制御部20は、回転機構14と同期させて移動機構18を制御する構成であっても構わない。また、例えば、制御部20は、ステージ10とノズル16をステージ10の表面と平行方向に相対移動させる。
The
筐体22は、ステージ10、ノズル16、移動機構18等を内蔵する。筐体22は、ステージ10、ノズル16、移動機構18等を保護するとともに、試料Wへの処理が外部環境からの影響を受けることを防止する。
The
次に、本実施形態の半導体製造装置を用いた半導体デバイスの製造方法の一例を示す。以下、製造する半導体デバイスが、半導体デバイスの両面に金属電極を備えるシリコン(Si)を用いた縦型のパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である場合を例に説明する。 Next, an example of a semiconductor device manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment will be described. Hereinafter, a case where the semiconductor device to be manufactured is a vertical power MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) using silicon (Si) having metal electrodes on both sides of the semiconductor device will be described as an example.
図2は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。 FIG. 2 is a schematic process cross-sectional view showing the device manufacturing method of this embodiment.
まず、第1の面(以下、表面とも称する)と第2の面(以下、裏面とも称する)を備えるシリコン基板(半導体基板)30の表面側に縦型のMOSFET(半導体素子)のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。表面側に設けられたダイシング領域の表面には、シリコン基板30が露出していることが望ましい。
First, a base region of a vertical MOSFET (semiconductor element) on the surface side of a silicon substrate (semiconductor substrate) 30 having a first surface (hereinafter also referred to as a front surface) and a second surface (hereinafter also referred to as a back surface), Patterns such as a source region, a gate insulating film, a gate electrode, and a source electrode are formed. Thereafter, a protective film is formed on the uppermost layer. The protective film is, for example, a resin film such as polyimide, or an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film. It is desirable that the
次に、シリコン基板30の表面側に支持基板32を貼りあわせる(図2(a))。支持基板32は、例えば、石英ガラスである。
Next, the
次に、シリコン基板30の裏面側を研削により除去し、シリコン基板30を薄膜化する。その後、シリコン基板30の裏面側に金属膜34を形成する(図2(b))。
Next, the back surface side of the
金属膜34は、MOSFETのドレイン電極である。金属膜34は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜34は、例えば、シリコン基板30の裏面側から、アルミニウム/チタン/ニッケル/金の積層膜である。金属膜34は、例えば、スパッタ法により形成される。
The
次に、シリコン基板30の裏面側に樹脂シート36を貼りつける。樹脂シート36は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート36は、例えば、金属のフレーム38に固定されている。樹脂シート36は、金属膜34の表面に接着される。その後、シリコン基板30から支持基板32を剥離する(図2(c))。
Next, a
次に、シリコン基板30の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、表面側から裏面側の金属膜34が露出するようにシリコン基板30に溝40を形成する(図2(d))。ここで、ダイシング領域とは、半導体チップをダイシングにより分割するための所定の幅を備える予定領域であり、シリコン基板30の表面側に設けられる。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板30表面側に、格子状に設けられる。
Next,
溝40は、例えば、プラズマエッチングにより形成する。プロズマエッチングは、例えば、F系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、CF4系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、F系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
The
溝40は、シリコン基板30の表面側の保護膜をマスクに、全面エッチングにより形成することが望ましい。この方法によれば、リソグラフィーを用いないため、製造工程の簡略化及び低コスト化が可能である。
The
次に、シリコン基板30の表面側に樹脂シート42を貼りつける。樹脂シート42は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート42は、例えば、金属のフレーム44に固定されている。樹脂シート42は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート36を剥離する(図2(e))。
Next, a
次に、図1の半導体製造装置を用いて、シリコン基板30の裏面側から金属膜34に二酸化炭素粒子を吹き付ける(図2(f))。まず、樹脂シート42がステージ10(図1)の表面にくるように、フレーム44をステージ10上に載置する。そして、回転駆動機構14によりステージ10を回転させる。ノズル16を移動機構18により、ステージ10の回転軸に垂直な方向に直線往復運動させながら、ノズル16から二酸化炭素粒子を噴射する。
Next, carbon dioxide particles are sprayed onto the
二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、溝40の裏面側の金属膜34を除去する。金属膜34が除去されることで、シリコン基板30が複数のMOSFETに分離される。金属膜34は二酸化炭素粒子により物理的に空洞部である溝40に削ぎ落とされることで除去される(図2(g))。
The
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。 The carbon dioxide particles are carbon dioxide in a solid state. The carbon dioxide particles are so-called dry ice. The shape of the carbon dioxide particles is, for example, a pellet shape, a powder shape, a spherical shape, or an indefinite shape.
二酸化炭素粒子は、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜34に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が10μm以上200μm以下であることが望ましい。また、二酸化炭素粒子が金属膜34に吹き付けられる際の金属膜34表面でのスポット径は、例えば、φ3mm以上φ10mm以下であることが望ましい。
The carbon dioxide particles are sprayed from the nozzle together with the nitrogen gas and sprayed onto the
二酸化炭素粒子を吹き付けて、金属膜34を除去する際に、図2(f)に示すように、樹脂シート42の領域をマスク46で覆うことが望ましい。樹脂シート42の領域をマスク46で覆うことで、例えば、樹脂シート42が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム44から剥がれることを抑制できる。マスク46は、例えば、金属である。
When removing the
その後、シリコン基板30の表面側の樹脂シート42を剥離することにより、分割された複数のMOSFETが得られる。
Thereafter, the
以下、本実施形態の処理装置の作用及び効果について説明する。 Hereinafter, the operation and effect of the processing apparatus of this embodiment will be described.
縦型のMOSFETのように、シリコン基板30の裏面側にも金属膜34が形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の金属膜34も除去する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板30と、金属膜34とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域の溝40端部の金属膜34が裏面側に捲れあがり、いわゆるバリが発生する。
When the
金属膜34のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、例えば、半導体チップとベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、バリの部分で密着性が悪くなることで、接合不要が生じる恐れがある。
If burrs occur in the
本実施形態の半導体製造装置を用いたダイシングでは、シリコン基板30のダイシング領域に沿って溝40を形成した後、金属膜34に裏面側から二酸化炭素粒子を吹き付け、溝部40に跨っている部分の金属膜34を除去する。除去された金属膜34は、空洞となっている溝部40に削ぎ落とされるため、バリの発生が抑制される。また、溝部40の金属膜34のみを自己整合的に除去することが可能である。
In dicing using the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment, after forming the
溝部40に跨っている部分の金属膜34の除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、金属膜34が低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、金属膜34に衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃による金属膜34の除去効果を促進するものと考えられる。
It is considered that the removal of the
さらに、本実施形態の半導体製造装置では、回転するステージ10上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する。したがって、固定されたステージ上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する場合に比べて、試料表面にむらなく二酸化炭素粒子を噴射することが可能となる。したがって、金属膜34を均一性良く除去することが可能となる。
Furthermore, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment, carbon dioxide particles are injected onto the sample on the
また、回転する試料に二酸化炭素粒子を噴射するため、二酸化炭素粒子の衝突速度に試料の速度が加算される。したがって、二酸化炭素粒子が金属膜34に衝突する際の速度が大きくなる。よって、金属膜34を効率良く除去することが可能となる。
Further, since the carbon dioxide particles are jetted onto the rotating sample, the velocity of the sample is added to the collision velocity of the carbon dioxide particles. Accordingly, the speed at which the carbon dioxide particles collide with the
なお、シリコン基板30の裏面側に金属膜にかえて、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する場合にも、本実施形態の半導体製造装置を用いることが可能である。この場合には、二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、金属膜にかえて樹脂膜を除去する。
Note that the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment can also be used when manufacturing a semiconductor device including a resin film instead of a metal film on the back side of the
以上、本実施形態の処理装置によれば、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の形状異常の抑制が可能になる。また、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の除去を均一且つ効率良く行うことが可能となる。 As described above, according to the processing apparatus of the present embodiment, it is possible to suppress the abnormal shape of the metal film or the resin film during dicing. Further, the metal film or the resin film can be removed uniformly and efficiently during dicing.
(第2の実施形態)
本実施形態の処理装置は、制御部が、ステージとノズルの相対移動の速度を、ステージの回転軸からのノズルの距離が大きくなるほど遅くするよう制御する以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Second Embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the control unit controls the relative movement speed of the stage and the nozzle to be slower as the distance of the nozzle from the rotation axis of the stage increases. is there. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図3は、本実施形態の処理装置の作用の説明図である。図3(a)は、ステージ10の回転軸Cからのノズル16の距離が小さい場合、図3(b)は、ステージ10の回転軸Cからのノズル16の距離が大きい場合の図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of the processing apparatus of this embodiment. 3A is a diagram when the distance of the
本実施形態では、図3(a)に示すようにステージ10の回転軸Cからのノズル16の距離が小さい場合は、ノズル16の移動速度を速くする。一方、図3(b)に示すようにステージ10の回転軸Cからのノズル16の距離が大きい場合は、ノズル16の移動速度を遅くする。図3中の矢印の長さが、相対的な移動速度の違いを示している。
In this embodiment, when the distance of the
仮に、ステージ10の回転軸Cからのノズル16の距離に関わらず、ノズル16の移動速度を一定とすると、回転軸Cから遠い領域の試料Wの単位面積あたりに噴射される二酸化炭素粒子の量が、回転軸Cから近い領域の試料Wの単位面積あたりに噴射される二酸化炭素粒子の量よりも少なくなる恐れがある。
If the moving speed of the
本実施形態によれば、回転軸Cからの距離に関わらず、試料Wに噴射される二酸化炭素粒子の単位面積あたりの量を同程度にすることが可能である。したがって、試料Wの加工の均一性をより高めることが可能となる。具体的には、例えば、金属膜や樹脂膜除去の均一性が向上する。 According to the present embodiment, regardless of the distance from the rotation axis C, it is possible to make the amount of carbon dioxide particles injected to the sample W per unit area comparable. Therefore, it is possible to further improve the processing uniformity of the sample W. Specifically, for example, the uniformity of metal film or resin film removal is improved.
(第3の実施形態)
本実施形態の処理装置は、ノズルのステージの表面に対する傾斜角を変化させる傾斜機構を有する以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Third embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment except having a tilt mechanism which changes the tilt angle with respect to the surface of the stage of a nozzle. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図4は、本実施形態の処理装置の模式図である。図4(a)は、装置の断面構造を含む模式図、図4(b)は、図4(a)と垂直な方向の断面構造を含む模式図である。 FIG. 4 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. 4A is a schematic diagram including a cross-sectional structure of the device, and FIG. 4B is a schematic diagram including a cross-sectional structure in a direction perpendicular to FIG. 4A.
本実施形態の半導体製造装置は、傾斜機構24を備える。傾斜機構24は、ノズル16のステージ10の表面に対する傾斜角を変化させる。傾斜機構24の傾斜角は、例えば、制御部20により制御される。
The semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment includes an
傾斜機構24は、例えば、回転軸とステッピングモータを組み合わせた回転傾斜機構である。ノズル16の傾斜角が、回転する試料W表面への二酸化炭素粒子の衝突速度が、傾斜角が90度の場合に比較して、増大する方向に制御されることが望ましい。具体的には、噴出する二酸化炭素粒子の試料W表面における向きが、試料W表面の回転移動の向きと逆向きになるようノズル16の傾斜角を設定することが望ましい。
The
本実施形態の半導体製造装置を用いた製造方法では、ノズル16のステージ10の表面に対する傾斜角を90度未満にした状態、例えば、15度以上45度以下の状態で、試料Wに二酸化炭素粒子を吹き付ける。
In the manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment, carbon dioxide particles are applied to the sample W in a state where the inclination angle of the
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子の噴射が、試料W表面に対し、水平方向成分を備える。このため、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込みにくくなる。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が溝内の残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Wへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜34を効率良く除去することが可能となる。また、傾斜角を所望の値に設定することが可能となり、試料Wに応じた最適な処理条件を設定できる。
According to this embodiment, the injection of carbon dioxide particles has a horizontal component with respect to the surface of the sample W. For this reason, the metal film or resin film removed by the carbon dioxide particles is less likely to enter the dicing groove. Therefore, it can suppress that the removed metal film and resin film become the residue in a groove | channel. Moreover, since the collision speed of the carbon dioxide particles to the sample W can be increased, the
なお、ノズル16がステージ10の表面に対し、90度未満の傾斜角を有するよう固定された構成とすることも可能である。この構成によっても、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込み残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Wへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜34を効率良く除去することが可能となる。
Note that the
(第4の実施形態)
本実施形態の処理装置は、筐体に設けられる吸気口と、筐体に設けられる排気口とを備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Fourth embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the processing apparatus includes an air inlet provided in the housing and an air outlet provided in the housing. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図5は、本実施形態の処理装置の模式図である。図5は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 5 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. FIG. 5 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
本実施形態の半導体製造装置は、筐体22に設けられる吸気口48と、筐体22に設けられる排気口50とを備える。吸気口48は、例えば、筐体22の上部に設けられ、排気口50は、例えば、筐体22の下部に設けられる。
The semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment includes an
空気や窒素ガス等の気体が、吸気口48から筐体22内に供給され、排気口50から排出される。排気口50には、例えば、図示しないポンプが接続され筐体22内の気体を排気する。気体は、筐体22内を上部から下部へ向かって流れる。筐体22内にいわゆるダウンフローを形成できる。
A gas such as air or nitrogen gas is supplied from the
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、筐体22内の気体の流れで排気口50から排出される。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が試料Wに再付着したり、ダイシングの溝内に入り込み残渣となったりすることを抑制できる。
According to this embodiment, the metal film or resin film removed by the carbon dioxide particles is discharged from the
(第5の実施形態)
本実施形態の処理装置は、ステージの表面が、重力方向に垂直な面に対し傾斜する以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Fifth embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment except the surface of a stage inclining with respect to a surface perpendicular | vertical to a gravitational direction. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図6は、本実施形態の処理装置の模式図である。図6は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 6 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. FIG. 6 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
本実施形態の半導体製造装置は、ステージ10の表面が、重力方向に垂直な面に対し傾斜する。言い換えれば、ステージ10の表面が、水平面に対し傾斜する。図6では、ステージ10の表面が、重力方向に垂直な面に対し90度の傾斜角で傾斜する場合を示している。
In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the surface of the
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、筐体22内を重力方向、すなわち、下方へ落下しやすくなる。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が試料Wに再付着したり、ダイシングの溝内に入り込み残渣となったりすることを抑制できる。
According to this embodiment, the metal film or the resin film removed by the carbon dioxide particles easily falls in the gravity direction, that is, downward in the
なお、除去された金属膜や樹脂膜が試料Wに再付着することを抑制する観点から、ステージ10の表面が、重力方向を向くように傾斜することがより望ましい。
(第6の実施形態)
本実施形態の処理装置は、筐体内の雰囲気を冷却する冷却機構を備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
From the viewpoint of preventing the removed metal film or resin film from reattaching to the sample W, it is more desirable that the surface of the
(Sixth embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment except providing the cooling mechanism which cools the atmosphere in a housing | casing. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図7は、本実施形態の処理装置の模式図である。図7は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 7 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. FIG. 7 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
本実施形態の半導体製造装置は、筐体内22の雰囲気を冷却する冷却機構52を備える。冷却機構52は、例えば、ヒートポンプを用いる。
The semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment includes a
本実施形態によれば、筐体内22の温度を下げることにより、ノズルから噴出する二酸化炭素粒子の気化を抑制する。したがって、金属膜や樹脂膜の除去の効率が向上する。
According to this embodiment, by lowering the temperature in the
(第7の実施形態)
本実施形態の処理装置は、ノズルを複数備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Seventh embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment except having a plurality of nozzles. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図8は、本実施形態の処理装置の模式図である。図8は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 8 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. FIG. 8 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
図8に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、3本のノズル16を備えている。ノズル16は2本以上であれば、3本に限られるものではない。
As shown in FIG. 8, the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment includes three
本実施形態によれば、複数のノズル16を備えることにより、処理の生産性を向上させることが可能となる。
According to the present embodiment, by providing the plurality of
(第8の実施形態)
本実施形態の処理装置は、ステージとノズルをステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構を備える以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Eighth embodiment)
The processing apparatus of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that the processing apparatus includes a moving mechanism that relatively moves the stage and the nozzle in the rotation axis direction of the stage. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図9は、本実施形態の処理装置の模式図である。図9は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 9 is a schematic diagram of the processing apparatus of the present embodiment. FIG. 9 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
図9に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、ステージ10とノズル16をステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構18を備える。ここでは、移動機構18は、ステージ10とノズル16をステージ10の回転軸Cに垂直な方向にも相対移動させる機能を備える。ステージ10とノズル16をステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構を、ステージ10とノズル16をステージ10の回転軸Cに垂直な方向に移動させる移動機構と異なる別の移動機構として設けても構わない。
As shown in FIG. 9, the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment includes a moving
本実施形態によれば、ステージ10とノズル16との距離を所望の値に設定することが可能となり、試料Wに応じた最適な処理条件を設定できる。
According to this embodiment, the distance between the
(第9の実施形態)
本実施形態の処理装置は、ステージの表面が凹形状であること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Ninth embodiment)
The processing apparatus of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment except that the surface of a stage is concave shape. Therefore, the description overlapping with the first embodiment is omitted.
図10は、本実施形態の処理装置の模式図である。図10は、装置の断面構造を含む模式図である。 FIG. 10 is a schematic diagram of the processing apparatus of this embodiment. FIG. 10 is a schematic view including a cross-sectional structure of the apparatus.
図10に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、ステージ10の表面が凹形状である。このため、ステージ10に試料Wを載置した際に、ステージ10と試料Wとの間に空間60が形成される。
As shown in FIG. 10, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment, the surface of the
本実施形態によれば、ステージ10と試料Wとの間に空間60が形成されるため、例えば、シリコン基板30をダイシングする際に、ダイシングにより分割された複数のMOSFETをステージの凹部で受けることが可能となる。したがって、表面側及び裏面側のダイシングシートを貼りつける工程を省略することが可能となる。よって、処理の生産性を向上させることが可能となる。
According to the present embodiment, since the
以上、実施形態では、半導体素子が、縦型のMOSFETである場合を例に説明したが、半導体素子は縦型のMOSFETに限定されるものではない。 As described above, in the embodiment, the case where the semiconductor element is a vertical MOSFET has been described as an example. However, the semiconductor element is not limited to the vertical MOSFET.
また、実施形態では、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の除去を例に説明したが、実施形態の処理装置を、例えば、半導体基板表面の洗浄に適用することも可能である。 In the embodiment, the removal of the metal film or the resin film at the time of dicing has been described as an example. However, the processing apparatus of the embodiment can be applied to, for example, cleaning of the surface of the semiconductor substrate.
また、実施形態では、噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明したが、噴射する物質は、例えば、加圧された水、砥粒を含む加圧された水、二酸化炭素粒子以外の粒子等、その他の物質であってもかまわない。例えば、ノズルからの噴射時には固体で、常温等の基板が置かれた雰囲気中では気化するその他の粒子を適用することも可能である。例えば、窒素粒子やアルゴン粒子を適用することも可能である。 Further, in the embodiment, the case where the substance to be ejected is a particle containing carbon dioxide has been described as an example. However, the substance to be ejected may be, for example, pressurized water, pressurized water containing abrasive grains, or dioxide dioxide. Other materials such as particles other than carbon particles may be used. For example, it is also possible to apply other particles that are solid when ejected from a nozzle and vaporize in an atmosphere in which a substrate is placed at room temperature or the like. For example, nitrogen particles or argon particles can be applied.
また、実施形態では、半導体製造装置を例に説明したが、本発明をMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)製造装置に適用することも可能である。 In the embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) manufacturing apparatus.
また、実施形態では、ノズルが試料の一部の領域に物質を噴射し、ステージとノズルとを相対移動させることで試料の全域を処理する場合を例に説明した。しかしながら、例えば、試料全域にノズルから物質を同時に噴射可能に構成し、試料全域を一括して処理することもできる。例えば、ノズル径を試料のサイズと同等以上としたり、多数のノズルを組み合わせたりすることで、試料全域を一括して処理するノズルが構成できる。 Further, in the embodiment, the case has been described in which the nozzle sprays a substance onto a partial region of the sample and processes the entire region of the sample by moving the stage and the nozzle relative to each other. However, for example, it is possible to simultaneously inject the substance from the nozzle over the entire sample, and the entire sample can be processed in a lump. For example, by setting the nozzle diameter to be equal to or larger than the size of the sample or combining a number of nozzles, a nozzle that collectively processes the entire sample can be configured.
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments and examples of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. For example, a component in one embodiment may be replaced or changed with a component in another embodiment. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
10 ステージ
14 回転機構
16 ノズル
18 移動機構
20 制御部
22 筐体
24 傾斜機構
48 吸気口
50 排気口
52 冷却機構
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記ステージを回転させる回転機構と、
前記試料に物質を噴射するノズルと、
前記ステージと前記ノズルを前記ステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、
前記移動機構を制御する制御部と、
を備える処理装置。 A stage on which a sample can be placed;
A rotation mechanism for rotating the stage;
A nozzle for injecting a substance onto the sample;
A moving mechanism for relatively moving the stage and the nozzle in a direction perpendicular to the rotation axis of the stage;
A control unit for controlling the moving mechanism;
A processing apparatus comprising:
前記試料に前記試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する物質を噴射して、前記試料を分離するノズルと、
を備える処理装置。 A stage on which a sample can be placed;
A nozzle for separating the sample by injecting a material for removing a metal film or a resin film provided on the sample to the sample;
A processing apparatus comprising:
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014231877A JP2016093871A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Processing device and nozzle |
KR1020150113668A KR20160057966A (en) | 2014-11-14 | 2015-08-12 | Processing apparatus, nozzle and dicing apparatus |
TW104128895A TW201617137A (en) | 2014-11-14 | 2015-09-02 | Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus |
CN201510553406.7A CN105609444A (en) | 2014-11-14 | 2015-09-02 | Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus |
US14/928,747 US9947571B2 (en) | 2014-11-14 | 2015-10-30 | Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014231877A JP2016093871A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Processing device and nozzle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016093871A true JP2016093871A (en) | 2016-05-26 |
Family
ID=56070876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231877A Pending JP2016093871A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Processing device and nozzle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016093871A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018018980A (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社ディスコ | Processing method for device wafer |
JP2018160578A (en) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社ディスコ | Processing method |
CN113043173A (en) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 新东工业株式会社 | Jet processing apparatus and jet processing method |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5227267A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor manufacturing process |
JPS63156661A (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | Wafer polishing device |
JPH08274060A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Taiyo Toyo Sanso Co Ltd | Substrate rotating device |
WO2002092283A2 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Universal Ice Blast, Inc. | Ice blast cleaning cabinet |
JP2003031362A (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Tdk Corp | Method for manufacturing organic el element, and device for manufacturing organic el element |
JP2005044920A (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Asahi Sunac Corp | Working method and working device of substrate |
JP2005522056A (en) * | 2002-04-05 | 2005-07-21 | ビーオーシー・インコーポレーテッド | Fluid assisted cryogenic cleaning |
WO2009131020A1 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-29 | 新東工業株式会社 | Nozzle, nozzle unit, and blasting machine |
JP2010067819A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | Treatment device and treatment method of substrate |
JP2013006258A (en) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Canon Inc | Surface treatment method and method for manufacturing electrophotographic photoreceptor |
JP2014039976A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Substrate manufacturing method |
-
2014
- 2014-11-14 JP JP2014231877A patent/JP2016093871A/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5227267A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor manufacturing process |
JPS63156661A (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | Wafer polishing device |
JPH08274060A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Taiyo Toyo Sanso Co Ltd | Substrate rotating device |
WO2002092283A2 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Universal Ice Blast, Inc. | Ice blast cleaning cabinet |
JP2003031362A (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Tdk Corp | Method for manufacturing organic el element, and device for manufacturing organic el element |
JP2005522056A (en) * | 2002-04-05 | 2005-07-21 | ビーオーシー・インコーポレーテッド | Fluid assisted cryogenic cleaning |
JP2005044920A (en) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Asahi Sunac Corp | Working method and working device of substrate |
WO2009131020A1 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-29 | 新東工業株式会社 | Nozzle, nozzle unit, and blasting machine |
JP2010067819A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | Treatment device and treatment method of substrate |
JP2013006258A (en) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Canon Inc | Surface treatment method and method for manufacturing electrophotographic photoreceptor |
JP2014039976A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Substrate manufacturing method |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018018980A (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社ディスコ | Processing method for device wafer |
JP2018160578A (en) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社ディスコ | Processing method |
CN113043173A (en) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 新东工业株式会社 | Jet processing apparatus and jet processing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201617137A (en) | Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus | |
JP2016134433A (en) | Dicing machine | |
JP6305355B2 (en) | Device manufacturing method | |
JP6677459B2 (en) | Semiconductor element manufacturing method and substrate processing method | |
JP4767138B2 (en) | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method, and substrate processing method | |
JP6545511B2 (en) | Processing unit | |
JP5243165B2 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
JP6218343B2 (en) | Wafer grinding equipment | |
JPH10335272A (en) | Wafer-sawing device | |
JP2016093871A (en) | Processing device and nozzle | |
JP5839523B2 (en) | Single wafer etching system | |
JP2008130952A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
JP2008135557A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20160141209A1 (en) | Device manufacturing method and device | |
JP4767204B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2016093870A (en) | Processing device | |
JP5315271B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5798828B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5528927B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
JP2016096265A (en) | Manufacturing method of device | |
JP6370720B2 (en) | Device manufacturing method | |
JP2006229057A (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP6325421B2 (en) | Device manufacturing method | |
KR20160127537A (en) | Substrate treating apparatus and mixture gas nozzle used therein | |
JP2013030613A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170227 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170914 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180508 |