JP2016082199A - 面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態に係る面発光型半導体レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)素子10の構成の一例を示す縦断面図である。なお、本実施の形態では、n型GaAs基板を用いたGaAs系の面発光型半導体レーザ素子を例示して説明するが、これに限られず、InGaAsP系や、AlGaInP系、InGaN/GaN系材料等を用いた面発光型半導体レーザ素子に適用した形態としてもよい。また、基板はn型に限られず、p型を用いてもよい。その場合には、以下の説明において、n型とp型を逆に読み替えればよい。
また、酸化犠牲領域62の幅は、一例として5〜10μmである。
図8を参照して、本実施の形態に係るVCSEL素子10bについて説明する。本実施の形態に係るVCSEL素子10bは、上記のVCSEL素子10において、酸化防止スリットS3を設けた形態である。
10a VCSELアレイ
12 n型GaAs基板
14 n型GaAsバッファ層
16 下部DBR
24 活性領域
26 上部DBR
28 p型GaAsコンタクト層
30 n型電極
32 AlAs層
32a 電流注入領域
32b 選択酸化領域
34 シリコン酸窒化膜(SiON膜)
36 p型電極
38 出射保護膜
40 シリコン窒化膜(SiN膜)
42、42a 電極パッド
44 配線
60 酸化防止構造
62 酸化犠牲領域
70 ダイシング領域
CH コンタクトホール
CM コンタクトメタル
ES 端面
OB 障害
OX 酸化領域
P ポスト
PA パッド形成領域
S1 スリット
S2 ダイシングスリット
S3 酸化防止スリット
T1 溝
T2 酸化防止溝
WAF ウエハ
Wa 酸化防止構造の溝幅
Wd ダイシング領域幅
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜、活性領域、および前記第1の半導体多層膜とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜を含む半導体層と、
前記半導体層の外周の少なくとも一部に沿って形成された溝および該溝の表面に形成された酸化防止部を含む酸化防止構造と、
を備えた面発光型半導体レーザ素子。 - 前記酸化防止部は、前記溝の内部に形成された絶縁膜である
請求項1に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 前記半導体層に形成された形成溝によりメサ状に形成された発光部を1つまたは複数備え、
前記溝は1つまたは複数の前記発光部と前記外周との間に形成され、
前記絶縁膜は1つまたは複数の前記発光部の側面から前記外周まで形成された絶縁膜の一部である
請求項2に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 前記絶縁膜の少なくとも一部が1つまたは複数の前記発光部と前記酸化防止構造との間で切断されている
請求項3に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 1つまたは複数の前記発光部と前記溝との間に配置されるとともに、前記1つまたは複数の発光部の各々と接続された1つまたは複数の電極パッドをさらに備えた
請求項3または請求項4に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 前記酸化防止部は、前記溝の内部に形成された金属膜、酸化膜、半導体層、およびイオン注入領域のいずれか1つである
請求項1に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 前記溝が前記基板まで到達させて形成された
請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 前記溝が前記外周の全周に沿って形成された
請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザ素子。 - 基板上に第1導電型の第1の半導体多層膜、活性領域、および前記第1の半導体多層膜とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜を含む半導体層を形成する工程と、
前記基板の分割予定領域に沿いかつ該分割予定領域の内側に該分割予定領域の幅より狭い幅の溝を形成する工程と、
前記溝により露出した表面に酸化防止処理を施して酸化防止構造を形成する工程と、
を含む面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
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