JP2016081036A - ディスプレイの画素回路及びそのコモン電位補償方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ディスプレイの画素回路及びコモン電位補償方法を提供する。【解決手段】画素回路は、複数のゲート線G1ないしGmと、複数のゲート線G1ないしGmと互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線S1ないしSmと、複数のゲート線G1ないしGmと互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線D1ないしDmと、複数のゲート線G1ないしGm、データ線S1ないしSm及び共用パワー線D1ないしDmにより囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、複数のゲート線G1ないしGmと同じ方向に沿って、複数のデータ線S1ないしSm及び複数の共用パワー線D1ないしDmと互いに交差し且つ絶縁する1つのダミーゲート線GDと、を含み、ダミーゲート線GD上で取得したシフトコモン電位を反転して、画素回路に対してコモン電位補償を行う。【選択図】図5
Description
本発明は、ディスプレイの画素回路に関し、具体的に、ディスプレイの画素回路及びその補償方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)は、自発光の特性を有し、非常に薄い有機材料である塗布層及びガラス基板を利用し、電流が流れると、有機材料が発光し、有機EL表示パネルの可視角度が大きく、電気エネルギーを顕著に減少できるため、有機ELは、多くの液晶ディスプレイが比べになれない利点を有する。
有機ELは、単純マトリックス型とアクティブマトリックス型とに分けられ、単純マトリックスの場合、画素は、走査線と信号線が互いに交差する箇所においてマトリックス状に配置され、アクティブマトリックス型の場合、各画素は、スイッチングする薄膜トランジスタ(thin film transistor、以下にTFTと称する)により制御される。
図1は、従来の有機ELの画素回路を示す回路図である。
図1を参照し、従来の有機ELの画素回路は、同じ方向に伸びる複数のゲート線G1ないしGn、同じ方向に伸びる複数のデータ線S1ないしSm、同じ方向に伸びる複数の共用パワー線D1ないしDm及び複数の画素ユニット101を含む。なお、データ線の数と共用パワー線の数は同様である。複数のデータ線S1ないしSmと複数のゲート線G1ないしGnとは互いに交差するが、絶縁する。複数の共用パワー線D1ないしDmと複数ゲート線G1ないしGnは互いに交差するが、絶縁する。各画素ユニット101は、複数のゲート線、複数のデータ線及び複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される。
図1を参照し、従来の有機ELの画素回路は、同じ方向に伸びる複数のゲート線G1ないしGn、同じ方向に伸びる複数のデータ線S1ないしSm、同じ方向に伸びる複数の共用パワー線D1ないしDm及び複数の画素ユニット101を含む。なお、データ線の数と共用パワー線の数は同様である。複数のデータ線S1ないしSmと複数のゲート線G1ないしGnとは互いに交差するが、絶縁する。複数の共用パワー線D1ないしDmと複数ゲート線G1ないしGnは互いに交差するが、絶縁する。各画素ユニット101は、複数のゲート線、複数のデータ線及び複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される。
なお、画素ユニット101の回路図は、図2に示される。各画素ユニット101は、スイッチTFT108、駆動TFT112、コンデンサ110及び有機発光ダイオード(以下にOLEDと称する)114を含む。なお、1つの画素101は、ゲート線102、データ線104及び共用パワー線106により囲まれる領域により規定される。
OLED114は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層、有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。1つの変化例において、有機ELの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。OLED114は、励起子が励起状態から基底状態に変化するときに、発光する。
スイッチTFT108は、スイッチ半導体層(図示せず)、スイッチゲート電極107、スイッチソース電極103及びスイッチドレイン電極105を含む。駆動TFT112は、駆動半導体層(図示せず)、駆動ゲート電極115、駆動ソース電極113及び駆動ドレイン電極117を含む。
コンデンサ110は、第1の維持電極109及び第2の維持電極111を含み、第1の維持電極109と第2の維持電極111との間に層間絶縁層が設けられている。
スイッチTFT108は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極107は、ゲート線102に接続される。スイッチソース電極103は、データ線104に接続される。スイッチドレイン電極105は、スイッチソース電極103と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極105は、第1の維持電極109に接続される。
駆動TFT112は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるOLED114の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極115は、第1の維持電極に接続される。駆動ソース電極113と第2の維持電極111は、それぞれ共用パワー線106に接続される。駆動ドレイン電極117は、コンタクトホールによりOLED114の画素電極に接続される。
上記構造によれば、ゲート線102に印加するゲート電圧によりスイッチTFT108を駆動することで、データ線104に印加するデータ電圧を駆動TFT112に伝送する。共用パワー線106から駆動TFT112に伝送したコモン電圧とスイッチTFT108により伝送するデータ電圧との間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ110に記憶され、コンデンサ110に記憶される電圧に対応する電流が駆動TFT112を経由してOLED114に流れることにより、OLED114が発光する。
さらに、有機ELの電圧源は、輝度を影響する要因であり、電圧源の安定度は、有機EL特性を影響する1つの重要な指標である。
高解像度の有機ELは、既に現在の必然トレンドとなっているが、高解析パネルに起因して充電時間が短くなり、且つデータ線数が増加してしまう。この2つの要素のいずれも、有機EL電圧源が干渉されて元の安定電位に回復できない問題を招くおそれがある。
具体的には、図3に示した従来の低解像度を有する有機ELのコモン電位が変化する模式図のようである。従来の低解像度を有する有機ELの充電時間が長く、干渉された後にも時間が十分にあって基準コモン電位に回復して正常に電力を供給し、有機ELに正常に発光させることができる。
高解像度を有する有機ELは、データ線数の増加及び充電時間の減少に起因して、干渉されたコモン電位が充電時間内に基準コモン電位に回復することができない。図4に示した高解像度を有する有機ELのコモン電位が変化する模式図を参照する。有機ELは、このような場合に発光輝度が影響される。
本発明は、ディスプレイの画素回路を提供し、当該画素回路は、複数のゲート線と、上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線と、上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線と、上記複数のゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、上記複数のゲート線と同じ方向に沿って延在し、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線と互いに交差し且つ絶縁する1つのダミーゲート線と、を含み、上記ダミーゲート線上で取得したシフトコモン電位は、上記画素回路に対してコモン電位補償を行うためのものであり、上記ダミーゲート線は、上記複数のゲート線の一側に位置し、さらに、上記ダミーゲート線、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数のダミー画素ユニットを含み、上記複数のダミー画素ユニットは、上記複数の画素ユニットと同じ回路構造を有する。
好ましくは、各上記画素ユニットは、スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる1つのスイッチTFTと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、1つの発光ダイオードと、を含み、上記スイッチTFTのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第2の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、PMOS構造、NMOS構造、又はCMOS構造の何れか1つを有し、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、多結晶シリコンTFT、又は非結晶シリコンTFTであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、OLEDである。
好ましくは、各上記画素ユニットは、スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる1つのスイッチTFTと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、1つの発光ダイオードと、を含み、上記スイッチTFTのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ドレイン電極と第2の維持電極は、それぞれグランドに接続され、駆動ソース電極は、上記発光ダイオードユニットの負極に接続され、上記発光ダイオードの正極は、上記共用パワー線に接続され、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、PMOS構造、NMOS構造、又はCMOS構造の何れか1つを有し、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、多結晶シリコンTFT、又は非結晶シリコンTFTであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、OLEDである。
好ましくは、各上記画素ユニットは、第1のスイッチゲート電極、第1のスイッチソース電極及び第1のスイッチドレイン電極が設けられる第1のスイッチTFTと、第2のスイッチゲート電極、第2のスイッチソース電極及び第2のスイッチドレイン電極が設けられる第2のスイッチTFTと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、1つの発光ダイオードと、を含み、上記第1のスイッチTFTの第1のスイッチゲート電極は、第1のゲート線に接続され、第1のスイッチソース電極は、上記データ線に接続され、第1のスイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第2の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記第2のスイッチTFTの第2のスイッチソース電極に接続され、上記第2のスイッチゲート電極は、第2のゲート線に接続され、上記第2のスイッチドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、上記第1のゲート線及び上記第2のゲート線から入力した電位レベルは、逆であり、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、PMOS構造、NMOS構造、又はCMOS構造の何れか1つを有し、上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、多結晶シリコンTFT、又は非結晶シリコンTFTであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、OLEDである。
本発明の他の態様によると、上記画素回路に対するコモン電位補償方法を提供し、基準コモン電位を取得するステップと、上記ダミーゲート線上でシフトコモン電位を取得するステップと、上記シフトコモン電位を反転した後に、上記基準コモン電位までプルアップするステップとを含む。
本発明は、有機ELの画素回路にダミーゲート線を追加することに伴い、ダミー画素ユニットを追加し、ダミー画素ユニットと画素ユニットは同様である。当該ダミーゲート線上でシフトのコモン電位をリアルタイムに取得できる。シフトのコモン電位を反転した後基準コモン電位までプルアップすることで、有機ELが正常に発光するようにする。
図面を参照しながら例示的な実施形態を詳細に説明することにより、本発明の上記特徴及び利点及びその他の特徴及び利点は、より明らかになる。
ここで、図面を参照しながら例示的な実施形態をより全面に説明する。なお、例示的な実施形態は、様々な形式で実施でき、ここで記載する実施形態に限られないことを理解すべきである。逆に、これらの実施形態を提供することにより、本発明を全面且つ完全的にし、例示的な実施形態の思想を当業者に全面に伝達する。図面において、明らかにするために、領域及び層の厚みを誇張して示した。図面において、同じ符号は、同じ或いは類似の構造を示し、よってそれらの詳細な説明を省略する。
図5は、本発明が提供する有機ELの画素回路を模式的に示す回路図である。有機ELの画素回路は、同じ方向に伸びる複数のゲート線G1ないしGn、同じ方向に伸びる複数のデータ線S1ないしSm、同じ方向に伸びる複数の共用パワー線D1ないしDm、複数の画素ユニット201、1つのダミーゲート線GD及び複数のダミー画素ユニット250を含む。ダミーゲート線GDで取得するシフトコモン電位は、画素回路に対してコモン電位補償を行う。
なお、データ線の数は、m共用パワー線の数と同じである。複数のデータ線S1ないしSmは、複数のゲート線G1ないしGnと互いに交差するが絶縁する。複数の共用パワー線D1ないしDm(電位VDD)は、複数のゲート線G1ないしGnと互いに交差するが絶縁する。各画素ユニット101は、ゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される。ダミーゲート線GDは、複数のデータ線S1ないしSm及び複数の共用パワー線D1ないしDmと互いに交差するが絶縁する。ダミーゲート線GDが複数のゲート線の一側に位置することが好ましく、例えば、ゲート線Gnの下側(図5に示す)に位置する。各ダミー画素ユニット250は、ダミーゲート線GD、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される。ダミー画素ユニット250は、画素ユニット201と同じ回路構造を有する。なお、画素ユニット201は1つ或いは複数のTFT、1つ或いは複数のコンデンサ及び1つの発光ダイオードを含む。ダミー画素ユニット250は、他の好適な実施例で、TFT、コンデンサ及び発光ダイオードを含まない。
図6は、本発明の第1の実施例の有機ELの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット201は、スイッチTFT208、駆動TFT212、コンデンサ210及びOLED214を含む。なお、1つの画素201はゲート線202、データ線204、共用パワー線206により囲まれる領域により規定される。
OLED214は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層及び有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。1つの変化例で、有機ELの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。OLED214は、励起子が励起状態から基底状態に変化するときに、発光する。
スイッチTFT208は、スイッチ半導体層(図示せず)、スイッチゲート電極207、スイッチソース電極203及びスイッチドレイン電極205を含む。駆動TFT212は、駆動半導体層(図示せず)、駆動ゲート電極215、駆動ソース電極213及び駆動ドレイン電極217を含む。
コンデンサ210は、第1の維持電極209及び第2の維持電極211を含み、第1の維持電極209と第2の維持電極211との間に層間絶縁層が設置される。
スイッチTFT208は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極207は、ゲート線202に接続される。スイッチソース電極203は、データ線204に接続される。スイッチドレイン電極205は、スイッチソース電極203と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極205は第1の維持電極209に接続される。
駆動TFT212は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるOLED214の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極215は第1の維持電極に接続される。駆動ソース電極213と第2の維持電極211は、それぞれ共用パワー線206に接続される。駆動ドレイン電極217は、コンタクトホールによりOLED214の画素電極に接続される。
上記構造によれば、ゲート線202に印加するゲート電圧によりスイッチTFT208を駆動することで、データ線204に印加するデータ電圧を駆動TFT212に伝送する。共用パワー線206から駆動TFT212に伝送したコモン電圧とスイッチTFT208により伝送するデータ電圧との間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ210に記憶され、コンデンサ210に記憶される電圧に対応する電流が駆動TFT212を経由してOLED214に流れることにより、OLED214が発光する。
スイッチTFT208及び駆動TFT212がP型不純物であるPMOS構造を有するTFTであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、NMOS構造を有するTFT或いはCMOS構造を有するTFTは、スイッチTFT208或いは駆動TFT212に用いることができる。スイッチTFT208及び駆動TFT212は、多結晶TFT、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンTFTであってもよい。コンデンサ210は、セラミックコンデンサである。
図7は、本発明の第2の実施例における有機ELの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット201は、スイッチTFT308、駆動TFT312、コンデンサ310及びOLED314を含む。なお、1つの画素ユニット201は、ゲート線302、データ線304及び共用パワー線306により囲まれる領域により規定される。
OLED314は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層及び有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。1つの変化例において、有機ELの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。OLED314は、励起子が励起状態から基底状態に変化するとき、発光する。
スイッチTFT308は、スイッチ半導体層(図示せず)、スイッチゲート電極307、スイッチソース電極303及びスイッチドレイン電極305を含む。駆動TFT312は、駆動半導体層(図示せず)、駆動ゲート電極315、駆動ソース電極313及び駆動ドレイン電極317を含む。
コンデンサ310は、第1の維持電極309及び第2の維持電極311を含み、第1の維持電極309と第2の維持電極311との間に層間絶縁層が設置される。
スイッチTFT308は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極307は、ゲート線302に接続される。スイッチソース電極303は、データ線304に接続される。スイッチドレイン電極305は、スイッチソース電極303と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極305は、第1の維持電極309に接続される。
駆動TFT312は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるOLED314の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極315は、第1の維持電極に接続される。駆動ドレイン電極317と第2の維持電極311は、それぞれグランドに接続される。駆動ソース電極313は、OLED314のコモン電極に接続される。OLED314の画素電極は、共用パワー線306に接続される。
上記構造によれば、ゲート線302に印加するゲート電圧によりスイッチTFT308を駆動することで、データ線304に印加するデータ電圧を駆動TFT312に伝送する。スイッチTFT308により伝送されるデータ電圧とグランドとの間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ310に記憶され、コンデンサ310に記憶される電圧に対応する電流が駆動TFT212を経由してOLED314に流れることにより、OLED314が発光する。
スイッチTFT308及び駆動TFT312がP型不純物であるPMOS構造を有するTFTであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、NMOS構造を有するTFT或いはCMOS構造を有するTFTは、スイッチTFT208或いは駆動TFT312に用いることができる。スイッチTFT308及び駆動TFT312は、多結晶TFT、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンTFTであってもよい。コンデンサ310は、セラミックコンデンサである。
図8は、本発明の第3の実施例における有機ELの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット201は、第1のスイッチTFT408、第2のスイッチTFT418、駆動TFT412、コンデンサ410及びOLED414を含む。なお、1つの画素ユニット201は、第1のゲート線402、第2のゲート線422、データ線404及び共用パワー線406により囲まれる領域により規定される。
OLED414は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層と有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。1つの変化例において、有機ELの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。OLED414は、励起子が励起状態から基底状態に変化するとき、発光する。
第1のスイッチTFT408は、第1のスイッチ半導体層(図示せず)、第1のスイッチゲート電極407、第1のスイッチソース電極403及び第1のスイッチドレイン電極405を含む。第2のスイッチTFT418は、第2のスイッチ半導体層(図示せず)、第2のスイッチゲート電極416、第2のスイッチソース電極419及び第2のスイッチドレイン電極420を含む。駆動TFT412は、駆動半導体層(図示せず)、駆動ゲート電極415、駆動ソース電極413及び駆動ドレイン電極417を含む。
コンデンサ410は、第1の維持電極409及び第2の維持電極411を含み、第1の維持電極409と第2の維持電極411との間に層間絶縁層が設置される。
第1のスイッチTFT408は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチとなる。第1のスイッチゲート電極407は、第1のゲート線402に接続される。第1のスイッチソース電極403は、データ線404に接続される。第1のスイッチドレイン電極405は、第1のスイッチソース電極403と一定距離を空けるように設置され、第1のスイッチドレイン電極405は、第1の維持電極409に接続される。
駆動TFT412は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるOLED414の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極415は、第1の維持電極に接続される。駆動ソース電極413と第2の維持電極411は、それぞれ共用パワー線406に接続される。駆動ドレイン電極417は第2のスイッチTFT418の第2のスイッチソース電極419に接続される。
第2のスイッチTFT422は、発光ダイオード414の発光を保護するためのスイッチである。第2のスイッチゲート電極416は、第2のゲート線422に接続される。第2のスイッチソース電極419は、駆動ドレイン電極417に接続される。第2のスイッチドレイン電極420は、OLED414の画素電極に接続される。OLED414のコモン電極は、グランドに接続される。
上記構造によれば、ゲート線402に印加するゲート電圧によりスイッチTFT408を駆動することで、データ線404に印加するデータ電圧を駆動TFT412に伝送する。スイッチTFT408により伝送されるデータ電圧とグランドとの間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ410に記憶され、コンデンサ410に記憶される電圧に対応する電流が駆動TFT412を経由してOLED414に流れることにより、OLED414が発光する。
具体的には、第1のゲート線402と第2のゲート線422から、異なる電位レベルを入力する。第1のゲート線402がローレベルを入力し、第2のゲート線422がハイレベルを入力する場合、第1のスイッチTFT408がオンし、リニア動作状態に入る。第2のスイッチTFT418は、オフする。データ信号は、第1のスイッチTFT408により駆動TFT412の駆動ゲート電極415に伝達され、コンデンサ410は、充電し始め、第2のスイッチTFT418がオフするため、OLED414が発光しない。
第1のゲート線402がハイレベルを入力し、第2のゲート線がローレベルを入力する場合、第1のスイッチTFT408がオフする。第2のスイッチTFT418がオンし、リニア動作状態に入る。コンデンサ410両端の電圧が変わらず、駆動TFT412が飽和状態になり、第2のスイッチTFT418がオンし、駆動TFT412のドレイン電流が第2のスイッチTFT418を経由してOLED414に入るため、OLED414が発光しない。
第1のスイッチTFT408及び第2のスイッチTFT412及び駆動TFT412がP型不純物であるPMOS構造を有するTFTであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、NMOS構造を有するTFT或いはCMOS構造を有するTFTは、スイッチTFT408或いは駆動TFT412に用いることができる。スイッチTFT408及び駆動TFT412は、多結晶TFT、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンTFTであってもよい。コンデンサ410は、セラミックコンデンサである。
図9は、本発明が提供する有機ELの画素回路補償方法を示すフローチャートである。図面に示されるように、当該方法は、3つのステップを含む。
ステップS101において、基準コモン電位を取得する。
ステップS102において、ダミーゲート線上のシフトコモン電位を取得する。
ステップS102において、ダミーゲート線上のシフトコモン電位を取得する。
ステップS103において、シフトコモン電位を反転した後に基準コモン電位までぷるアップする。
図10は、本発明が提供する有機ELの画素回路のコモン電位が変化する模式図である。ダミーゲート線上で取得されたシフトコモン電位を反転して基準コモン電位までぷるアップすることで、有機ELを正常に発光させる。
以上、本発明の例示的な実施形態について具体的に説明した。理解すべきことは、本発明は、開示した実施形態に限られず、逆に、請求の範囲の精神及び範囲に含まれる様々な修正と同等な配置を含むことを意図する。
Claims (5)
- ディスプレイの画素回路であって、
複数のゲート線と、
上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線と、
上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線と、
上記複数のゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、
上記複数のゲート線と同じ方向に沿って延在し、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線と互いに交差し且つ絶縁する1つのダミーゲート線と、を含み、
上記ダミーゲート線上で取得したシフトコモン電位は、上記画素回路に対してコモン電位補償を行うためのものであり、
上記ダミーゲート線は、上記複数のゲート線の一側に位置し、
さらに、上記ダミーゲート線、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数のダミー画素ユニットを含み、
上記複数のダミー画素ユニットは、上記複数の画素ユニットと同じ回路構造を有する
ことを特徴とする画素回路。 - 各上記画素ユニットは、
スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる1つのスイッチTFTと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、
第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、
1つの発光ダイオードと、を含み、
上記スイッチTFTのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第2の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
PMOS構造、
NMOS構造、
又はCMOS構造の何れか1つを有し、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
多結晶シリコンTFT、
又は非結晶シリコンTFTであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、OLEDである
ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 各上記画素ユニットは、
スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる1つのスイッチTFTと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、
第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、
1つの発光ダイオードと、を含み、
上記スイッチTFTのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ドレイン電極と第2の維持電極は、それぞれグランドに接続され、駆動ソース電極は、上記発光ダイオードユニットの負極に接続され、上記発光ダイオードの正極は、上記共用パワー線に接続され、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
PMOS構造、
NMOS構造、
又はCMOS構造の何れか1つを有し、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
多結晶シリコンTFT、
又は非結晶シリコンTFTであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、OLEDである
ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 各上記画素ユニットは、
第1のスイッチゲート電極、第1のスイッチソース電極及び第1のスイッチドレイン電極が設けられる第1のスイッチTFTと、
第2のスイッチゲート電極、第2のスイッチソース電極及び第2のスイッチドレイン電極が設けられる第2のスイッチTFTと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる1つの駆動TFTと、
第1の維持電極及び第2の維持電極が設けられる1つのコンデンサと、
1つの発光ダイオードと、を含み、
上記第1のスイッチTFTの第1のスイッチゲート電極は、第1のゲート線に接続され、第1のスイッチソース電極は、上記データ線に接続され、第1のスイッチドレイン電極は、第1の維持電極及び上記駆動TFTの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第2の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記第2のスイッチTFTの第2のスイッチソース電極に接続され、上記第2のスイッチゲート電極は、第2のゲート線に接続され、上記第2のスイッチドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、
上記第1のゲート線及び上記第2のゲート線から入力した電位レベルは、逆であり、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
PMOS構造、
NMOS構造、
又はCMOS構造の何れか1つを有し、
上記スイッチTFT及び上記駆動TFTは、
多結晶シリコンTFT、
又は非結晶シリコンTFTであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、OLEDである
ことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 請求項1から4の何れか一項の画素回路に対するコモン電位補償方法であって、
基準コモン電位を取得するステップと、
上記ダミーゲート線上でシフトコモン電位を取得するステップと、
上記シフトコモン電位を反転した後に、上記基準コモン電位までプルアップするステップとを含む
ことを特徴とするコモン電位補償方法。
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