JP2016054069A - 車両用灯具の点灯回路、車両用灯具の光源ユニット、車両用灯具 - Google Patents

Abstract

【課題】少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時に、残りの半導体発光素子を消灯させること。【解決手段】この発明は、３個の半導体発光素子２１〜２３と、電流供給部と、不点灯検出部７、８と、電流供給遮断部と、電源端子と、グランド端子、出力端子と、を備える。少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になると、不点灯検出部７、８が不点灯を検出して検出信号を電流供給遮断部に出力する。合せ外部端子の出力端子（３７）を介して他の光源ユニット１の電流供給遮断部へも出力し、残りの半導体発光素子への電流供給も遮断する。この結果、この発明は、少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時に、残りの半導体発光素子を消灯させることができる。【選択図】 図１

Description

この発明は、複数個の半導体発光素子が直列に接続されている車両用灯具の点灯回路に関するものである。また、この発明は、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットに関するものである。さらに、この発明は、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする光源ユニットを複数個使用する車両用灯具に関するものである。特に、この発明は、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が点灯しなくなった時（不点灯あるいは不灯になった時）に、全部の半導体発光素子を消灯させる（不点灯あるいは不灯にする）車両用灯具の点灯回路、車両用灯具の光源ユニット、車両用灯具（以下、総称して、あるいは、組み合わせて、あるいは、単独で、「車両用灯具システム」と称する）に関するものである。

複数個の発光ダイオードを使用する車両用灯具システムは、従来からある（たとえば、特許文献１）。従来の車両用灯具システムは、複数個の発光ダイオードと、異常検出回路と、切替手段と、を備えるものである。従来の車両用灯具システムは、複数個の発光ダイオードが点灯中において、異常検出回路が少なくとも１個の発光ダイオードの不具合を検出すると、切替手段が不具合の発光ダイオードをバイパスして、残りの発光ダイオードの点灯状態を維持するものである。

特開２００９−２８０１５７号公報

ところが、従来の車両用灯具システムは、少なくとも１個の発光ダイオードに不具合が発生しても、残りの発光ダイオードの点灯状態を維持するものである。このために、従来の車両用灯具システムでは、少なくとも１個の発光ダイオードに不具合が発生した時に、残りの発光ダイオードを消灯させることができない。

この発明が解決しようとする課題は、従来の車両用灯具システムでは、少なくとも１個の発光ダイオードに不具合が発生した時に、残りの発光ダイオードを消灯させることができない、という点にある。

この発明（請求項１にかかる発明）は、車両用灯具の点灯回路であって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子と、複数個の半導体発光素子に電流を供給する電流供給部と、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時を検出する不点灯検出部と、不点灯検出部からの不点灯の検出信号により、電流供給部による複数個の半導体発光素子への電流供給を遮断する電流供給遮断部と、他の点灯回路の電源端子およびグランド端子と並列接続される電源端子およびグランド端子と、不点灯検出部および電流供給遮断部がそれぞれ接続されていて、かつ、他の点灯回路の出力端子と相互に接続される出力端子と、を備える、ことを特徴とする。

この発明（請求項２にかかる発明）は、不点灯検出部が、複数個の半導体発光素子に直列に接続されている電流検出部の両端を非反転増幅回路を介して比較回路に接続するデュアルオペアンプから構成されていて、比較回路の出力端子が、電流供給遮断部に接続されていて、比較回路の出力が、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時、「Ｈ」となり、電流供給遮断部が、比較回路からの「Ｈ」出力により、電流供給部による複数個の半導体発光素子への電流供給を遮断する、ことを特徴とする。

この発明（請求項３にかかる発明）は、電流供給部が、カレントミラー回路から構成されていて、不点灯検出部が、カレントミラー回路の電流供給遮断部側の電圧と、電流供給部の定電圧源から抵抗分圧された基準電圧と、を比較して、電流供給遮断部に出力するコンパレータから構成されていて、コンパレータの出力が、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時、「Ｈ」となり、電流供給遮断部が、コンパレータからの「Ｈ」出力により、電流供給部による複数個の半導体発光素子への電流供給を遮断する、ことを特徴とする。

この発明（請求項４にかかる発明）は、入力電圧が所定電圧値以上に上昇した時を検出する過電圧検出部を備え、電流供給遮断部が、不点灯検出部からの不点灯の検出信号により、電流供給部による複数個の半導体発光素子への電流供給を遮断する機能と、過電圧検出部からの過電圧の検出信号により、電流供給部による複数個の半導体発光素子への電流供給を遮断する機能と、を兼用する、ことを特徴とする。

この発明（請求項５にかかる発明）は、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットにおいて、光源部と、ソケット部と、を備え、光源部が、基板と、基板に実装されている前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の車両用灯具の点灯回路と、を有し、ソケット部が、光源部を保持する保持部材と、点灯回路の電源端子、グランド端子、出力端子に接続されていて、コネクタを介して、他の光源ユニットの電源端子部材、グランド端子部材、出力端子部材と接続される電源端子部材、グランド端子部材、出力端子部材と、を有する、ことを特徴とする。

この発明（請求項６にかかる発明）は、灯室を区画するランプハウジングおよびランプレンズと、ソケット部がランプハウジングに取り付けられていて、かつ、光源部が灯室内に配置されている複数個の前記請求項５に記載の車両用灯具の光源ユニットと、を備える、ことを特徴とする。

この発明の車両用灯具システムは、前記の課題を解決するための手段により、複数個の点灯回路において、１個の点灯回路の複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になると、その１個の点灯回路の残りの全部の半導体発光素子と、他の点灯回路の全部の半導体発光素子と、を消灯させることができる。

図１は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す点灯回路の説明図である。 図２は、車両用灯具および３個の光源ユニットおよび３個の灯具側コネクタおよび電源側コネクタを示す一部が破断されている一部側面図である。 図３は、車両用灯具および１個の光源ユニットおよび１個の灯具側コネクタを示す一部が破断されている一部拡大側面図である。 図４は、レンズ部を除いた状態の光源ユニットを示す正面図（レンズ部を除いた状態の図３におけるＩＶ矢視図）である。 図５は、入力電圧と供給電流、損出電力、光束との相対関係を示す説明図である。 図６は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態２を示す点灯回路の説明図である。

以下、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態（実施例）の２例について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施形態１の構成の説明）
図１〜図５は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す。以下、この実施形態１における車両用灯具システムの構成について説明する。

図５（Ａ）は、入力電圧と供給電流との相対関係を示す説明図である。縦軸は、半導体発光素子の供給電流を示し、単位は、ミリアンペア（ｍＡ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小黒正方形は、３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。小黒菱形は、２個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。

図５（Ｂ）は、入力電圧と損出電力との相対関係を示す説明図である。縦軸は、電力損失を示し、単位は、ワット（Ｗ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小黒正方形は、３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。小黒菱形は、２個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。

図５（Ｃ）は、入力電圧と光束との相対関係を示す説明図である。縦軸は、光源ユニットの光束を示し、単位は、ルーメン（ｌｍ）である。横軸は、点灯回路の入力電圧を示し、単位は、ボルト（Ｖ）である。小黒丸は、２個および３個の半導体発光素子が点灯発光しているときの状態を示す。

（車両用灯具１００の説明）
図２、図３において、符号１００は、この実施形態１における車両用灯具である。前記車両用灯具１００は、この例では、白色光あるいはアンバー色光を照射するランプ（たとえば、デイタイムランニングランプ、フロントターンシグナルランプなどのフロント側のランプ）である。前記車両用灯具１００は、車両（図示せず）の前部の左右にそれぞれ装備される。前記車両用灯具１００は、他のランプと組み合わせられる場合がある。

前記車両用灯具１００は、図２に示すように、ランプハウジング１０１およびランプレンズ（図示せず）と、複数個この例では３個のこの実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）と、を備えるものである。

前記ランプハウジング１０１は、たとえば、光不透過性の部材、例えば、樹脂部材から構成されている。前記ランプハウジング１０１は、一方（前方）が開口し、他方（後方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプハウジング１０１の閉塞部には、取付孔１０２が設けられている。前記取付孔１０２は、円形形状をなす。前記取付孔１０２の縁には、複数個の凹部（図示せず）と複数個のストッパ部（図示せず）とがほぼ等間隔に設けられている。

前記ランプレンズは、たとえば、光透過性の部材、例えば、透明樹脂部材やガラス部材から構成されている。前記ランプレンズは、一方（後方）が開口し、他方（前方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプレンズの開口部の周縁部と前記ランプハウジング１０１の開口部の周縁部とは、水密に固定されている。前記ランプハウジング１０１および前記ランプレンズにより、灯室１０３が区画されている。

前記灯室１０３内には、配光制御部（図示せず）が配置されている場合がある。前記配光制御部は、前記光源ユニット１から放射される光を所定の配光パターンに配光制御するものである。前記配光制御部は、たとえば、リフレクタや導光体（導光部材）やインナーレンズなどから構成されている。なお、前記灯室１０３内に前記配光制御部を配置せずに、前記光源ユニット１に直接配光制御部を取り付ける場合がある。

（光源ユニット１の説明）
前記光源ユニット１は、図２〜図４に示すように、光源部１０と、ソケット部１１と、光学部品としてのレンズ部１２と、を備える。前記光源部１０は、前記ソケット部１１の一端部に取り付けられている。前記レンズ部１２は、前記ソケット部１１の一端部に固定もしくは着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０は、前記ソケット部１１と、キャップ形状もしくはカバー形状の前記レンズ部１２と、により覆われている。

前記光源ユニット１は、図２、図３に示すように、前記車両用灯具１００に装備されている。すなわち、前記ソケット部１１が前記ランプハウジング１０１にパッキン（Ｏリング）１０４を介して着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０および前記レンズ部１２が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２を経て前記灯室１０３内に配置されている。

（光源部１０の説明）
前記光源部１０は、図１、図４に示すように、基板２と、前記基板２に実装されているこの実施形態１における車両用灯具の点灯回路と、前記基板２に取り付けられている包囲壁部材２０および透明な封止部材２００と、を有するものである。

（基板２の説明）
前記基板２は、この例では、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などである。前記基板２の一面には、前記点灯回路、前記包囲壁部材２０、前記封止部材２００が実装されている。なお、前記基板２の一面の実装面には、高反射塗料や高反射蒸着などの高反射面を設けても良い。前記基板２の他面は、図示しない熱伝導性媒体（熱伝導性接着剤、グリース、熱伝導性グリースなど）を介して前記ソケット部１１に密着固定されている。前記基板２は、図４に示すように、平面から見てほぼ長方形形状もしくはほぼ正方形形状をなす。

（点灯回路の説明）
前記点灯回路は、図１に示すように、複数個この例では３個の半導体発光素子２１、２２、２３（以下、「２１〜２３」と記載する場合がある）と、入力電圧監視検出部と、切替手段としての電界効果トランジスタＦＥＴ１と、電流供給部としての電流制御供給部（定電流制御供給部）と、不点灯検出部７と、電流供給遮断部と、過電圧検出部と、電源端子（図示せず）およびグランド（接地、アース）端子（図示せず）および出力端子（図示せず）と、他の電子部品と、を備える。

（半導体発光素子２１〜２３の説明）
３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、ＬＥＤ、ＥＬ（有機ＥＬ）などの自発光半導体（この実施形態１ではＬＥＤ）を使用する。前記半導体発光素子２１〜２３は、図４に示すように、正面方向（前記基板２の前記実装面に対して垂直方向、図３中の矢印ＩＶ方向、図２、図３中の前記光源ユニット１の光軸Ｚ（Ｚ軸）方向）から見て微小な矩形（正方形もしくは長方形）形状の半導体チップ（光源チップ、ＬＥＤチップ、発光チップ、ベアチップ）からなる。

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、この例では、青色の光を放射するＧａＮ系のチップから構成されている。この１個のＧａＮ系のチップの順方向降下電圧は、約３Ｖ前後である。３個の前記半導体発光素子２１〜２３には、黄色の蛍光体（図示せず）が覆われている。または、前記半導体発光素子２１〜２３を保護する透明な前記封止部材２００の上面にシート状の蛍光体部材（図示せず）で覆われている。この結果、前記半導体発光素子２１〜２３が青色の光（約４５０ｎｍ）を放射する場合は、青色の光が黄色の蛍光体を透過して白色光が得られる。前記半導体発光素子２１〜２３が青色の光（約４５０ｎｍ）を放射する場合は、黄色と赤色の蛍光体、または、アンバー色に変換する蛍光体（たとえば、αサイアロン系蛍光体）を透過させるとアンバー色光が得られる。

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、図４に示すように、前記基板２の前記実装面において、Ｘ軸上に、Ｙ軸に対して左右対称に、一直線上にそれぞれ配置されている。すなわち、Ｘ軸とＹ軸との交点（前記基板２の実装面の中心）に対して点対称に配置されている。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸（光軸Ｚ）は、直交座標（Ｘ−Ｙ−Ｚ直交座標系）を構成する。

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、前記包囲壁部材２０中に配置されていて、透明な前記封止部材２００により封止されて保護されている。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、前記基板２の前記実装面に実装されている面以外の一正面および一正面と４側面から光を放射する。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、電源ラインＬ１とグランドラインＬ２との間に直列に接続されている。

（入力電圧監視検出部の説明）
前記入力電圧監視検出部は、前記電源ラインＬ１に接続されている抵抗Ｒ１と、前記抵抗Ｒ１にカソードが接続されているツエナーダイオードＺＤ１と、前記電源ラインＬ１に接続されている抵抗Ｒ２と、前記抵抗Ｒ２にカソードが接続されているツエナーダイオードＺＤ２と、前記ツエナーダイオードＺＤ２のアノードと前記グランドラインＬ２との間に接続されている抵抗Ｒ３と、前記抵抗Ｒ２と前記ツエナーダイオードＺＤ２のカソードとの間に接続されている抵抗Ｒ４と、前記半導体発光素子２１のカソードと前記半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６と、前記ツエナーダイオードＺＤ１のアノードと前記グランドラインＬ２との間に接続されている抵抗Ｒ１３と、前記グランドラインＬ２に接続されている抵抗Ｒ１４と、ドライバー手段４のトランジスタＴｒ１およびトランジスタＴｒ２と、トランジスタＴｒ３と、電界効果トランジスタＦＥＴ２と、から構成されている。

前記トランジスタＴｒ１のベースは、前記ツエナーダイオードＺＤ２のアノードと前記抵抗Ｒ３との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のコレクタは、前記抵抗Ｒ４に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。

前記トランジスタＴｒ２のベースは、前記抵抗Ｒ４と前記トランジスタＴｒ１のコレクタとの間に接続されている。前記トランジスタＴｒ２のコレクタは、前記抵抗Ｒ６に接続されている。前記トランジスタＴｒ２のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。

前記トランジスタＴｒ３のベースは、前記ツエナーダイオードＺＤ１のアノードと前記抵抗Ｒ１３との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ３のコレクタは、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲートに接続されている。前記トランジスタＴｒ３のエミッタは、前記抵抗Ｒ１３と前記抵抗Ｒ１４との間の前記グランドラインＬ２に接続されている。

前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲートは、前記トランジスタＴｒ３のコレクタに接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のソースは、前記抵抗Ｒ１４を介して前記グランドラインＬ２に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレインは、前記半導体発光素子２２のカソードに接続されている。

前記入力電圧監視検出部（第１作用）は、前記電源ラインＬ１および前記グランドラインＬ２に供給されている入力電圧Ｖ０を監視するものである。前記入力電圧Ｖ０が約１１．５Ｖ±約０．５Ｖ〜約１６．５Ｖ±約０．５Ｖの範囲にあるときには、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１をＯＦＦ（オフ）状態に保ち、かつ、前記電流制御供給部のカレントミラー回路５に定電圧Ｖ２を供給する。すなわち、前記入力電圧監視検出部（第１作用）は、定電圧供給源である。

前記入力電圧監視検出部（第２作用）は、前記入力電圧Ｖ０が所定電圧値（第１所定電圧値）以下に低下した時点を検出して出力するものである。すなわち、前記入力電圧Ｖ０が第１所定電圧値以下に低下した時点を検出した検出信号を、第１の検出信号としてラインＬ３、Ｌ４を介して、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１、前記電流制御供給部に、同時に出力するものである。

前記第１所定電圧値は、この例では、約１１Ｖである。すなわち、前記第１所定電圧値は、図示しない車両搭載のバッテリー（電源、直流電源のバッテリー）の動作保証における電圧変化範囲（約９Ｖ〜約１６Ｖ）内であって、前記バッテリーの通常変動範囲（約１２Ｖ〜約１４．５Ｖ）以下の範囲である。具体的な数値としては、約１０Ｖ〜約１２Ｖの範囲であって、好ましくは約１１Ｖである。

前記入力電圧監視検出部は、前記電流制御供給部のカレントミラー回路５に定電圧Ｖ２を供給する定電圧源素子と、切替手段としての前記電界効果トランジスタＦＥＴ１を（ＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態への切替）作動させる前記第１所定電圧値（約１１Ｖ）を設定する所定電圧設定素子と、を備えるものである。前記定電圧源素子と前記所定電圧設定素子とは、前記ツエナーダイオードＺＤ２により兼用されている。

前記入力電圧監視検出部は、切替手段としての前記電界効果トランジスタＦＥＴ１を（ＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態への切替）作動させる切替手段ドライバー素子と、前記電流制御供給部の電流を増加させる電流増加手段６を作動させる電流増加手段ドライバー素子と、を備え、前記切替手段ドライバー素子と前記電流増加手段ドライバー素子とは、前記ドライバー手段４の前記トランジスタＴｒ２により兼用されている。

前記入力電圧監視検出部（第３作用）は、前記入力電圧Ｖ０が所定電圧値（第２所定電圧値）以上に上昇した時点を検出して出力するものである。すなわち、前記入力電圧Ｖ０が第２所定電圧値以上に上昇した時点を検出した検出信号を、第２の検出信号として出力ラインＬ５を介して、前記トランジスタＴｒ３に、出力するものである。

前記第２所定電圧値は、この例では、約１７Ｖである。すなわち、前記第２所定電圧値は、車両搭載バッテリーの動作保証における電圧の変化範囲の最高電圧値以上である。具体的な数値としては、約１６Ｖ〜約１８Ｖの範囲であって、好ましくは約１７Ｖである。

前記入力電圧監視検出部（第３作用）は、前記入力電圧Ｖ０が第２所定電圧値（約１６Ｖ）以上に上昇した時点、すなわち、前記抵抗Ｒ１と前記ツエナーダイオードＺＤ１のカソードとの間の電圧Ｖ１が過電圧となった時点を検出して、第２の検出信号を出力する前記過電圧検出部である。前記ツエナーダイオードＺＤ１が前記過電圧検出部を構成する。

すなわち、前記入力電圧Ｖ０が前記第２所定電圧値（約１７Ｖ）以上に上昇して、前記抵抗Ｒ１と前記ツエナーダイオードＺＤ１のカソード間の電圧Ｖ１が過電圧となると、電流が前記抵抗Ｒ１を介して前記ツエナーダイオードＺＤ１のカソードからアノードに流れる。この電流が前記過電圧検出部から出力される前記第２の検出信号である。

前記第２の検出信号により、前記トランジスタＴｒ３のコレクタ・エミッタ間に電流が流れて、前記トランジスタＴｒ３がＯＮ（オン）状態となり、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレイン・ソース間の電流が遮断されて、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦ（オフ）状態となる。これにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が直列に接続されている電流ループは、遮断される。その結果、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、消灯する。前記トランジスタＴｒ３および前記電界効果トランジスタＦＥＴ２は、前記電流供給遮断部を構成する。

（電界効果トランジスタＦＥＴ１の説明）
切替手段としての前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートは、前記抵抗Ｒ５と前記抵抗Ｒ６との間に接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースは、前記半導体発光素子２３のアノードに接続されている。前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレインは、前記半導体発光素子２３のカソードに接続されている。

前記入力電圧Ｖ０が通常状態（約１１Ｖを超えた状態）の場合においては、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ドレイン間の電流が遮断されて、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１がＯＦＦ（オフ）状態となる。これにより、前記半導体発光素子２３のアノード・カソード間に電流が流れて、前記半導体発光素子２３は、点灯状態にある。

前記入力電圧Ｖ０が第１所定電圧値（約１１Ｖ）以下に低下すると、前記入力電圧監視検出部からの前記出力（前記ラインＬ３を介して出力される前記第１の検出信号）により、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ドレイン間に電流が流れて、前記電界効果トランジスタＦＥＴ１がＯＮ（オン）状態となる。これにより、前記半導体発光素子２３のアノード・カソード間の電流が遮断されて、前記半導体発光素子２３は、消灯状態となる。

この結果、発光状態の前記半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に減る。このように、切替手段としての前記電界効果トランジスタＦＥＴ１は、前記入力電圧監視検出部からの前記出力により、全個が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３の個数を減らすものである。

（電流制御供給部の説明）
前記電流制御供給部は、前記カレントミラー回路５と、前記電流増加手段６と、前記電流増加手段６と前記グランドラインＬ２との間に接続されている抵抗Ｒ７および抵抗Ｒ２３と、前記ラインＬ４と前記グランドラインＬ２との間に接続されている抵抗Ｒ８および抵抗Ｒ２４と、前記抵抗Ｒ７および前記抵抗Ｒ２３および前記抵抗Ｒ８および前記抵抗Ｒ２４と前記グランドラインＬ２との間に接続されている抵抗Ｒ９と、前記ラインＬ４と前記カレントミラー回路５・前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲート間との間に接続されている抵抗Ｒ１０と、前記ラインＬ４と前記カレントミラー回路５との間に接続されている抵抗Ｒ１１と、前記カレントミラー回路５と前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のソース・前記抵抗Ｒ１４間との間に接続されている抵抗Ｒ１２と、から構成されている。

前記カレントミラー回路５は、２個のトランジスタＴｒ４、Ｔｒ５から構成されている。前記トランジスタＴｒ４のコレクタは、前記抵抗Ｒ１０と前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲートとの間に接続されている。前記トランジスタＴｒ４のエミッタは、前記抵抗Ｒ７および前記抵抗Ｒ２３および前記抵抗Ｒ８および前記抵抗Ｒ２４と前記抵抗Ｒ９との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ４のベースは、前記トランジスタＴｒ５のベースおよび前記抵抗Ｒ１１・前記トランジスタＴｒ５のコレクタ間との間に接続されている。

前記トランジスタＴｒ５のコレクタは、前記抵抗Ｒ１１および前記トランジスタＴｒ４のベース・前記トランジスタＴｒ５のベース間との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ４のエミッタは、前記抵抗Ｒ１２に接続されている。前記トランジスタＴｒ５のベースは、前記トランジスタＴｒ４のベースおよび前記抵抗Ｒ１１・前記トランジスタＴｒ５のコレクタ間との間に接続されている。

前記電流制御供給部の前記カレントミラー回路５は、前記入力電圧Ｖ０が通常状態（１１Ｖを超えた状態）の場合においては、前記入力電圧監視検出部から定電圧Ｖ２が供給されていて、前記半導体発光素子２１〜２３に設定された定電流を供給するものである。

前記電流制御供給部の前記電流増加手段６は、１個のトランジスタＴｒ６と、２個の抵抗Ｒ１５、Ｒ１６と、から構成されている。前記トランジスタＴｒ６のエミッタは、前記ラインＬ４に接続されている。前記トランジスタＴｒ６のベースは、前記抵抗Ｒ１５と前記抵抗Ｒ１６との間に接続されている。前記トランジスタＴｒ６のコレクタは、前記抵抗Ｒ７に接続されている。前記抵抗Ｒ１５と前記抵抗Ｒ１６とは、直列に接続されている。前記抵抗Ｒ１５は、前記ラインＬ４に接続されている。前記抵抗Ｒ１６は、前記抵抗Ｒ６と前記トランジスタＴｒ２のコレクタとの間に接続されている。

前記電流制御供給部の前記電流増加手段６は、前記入力電圧監視検出部からの前記出力（前記ラインＬ４を介して出力される前記第１の検出信号）により、全個（３個）が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が３個から２個に減らされた前記半導体発光素子２１、２２に供給する電流の値を、増加させるものである。

全個（３個）が発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値は、この例では、約２５０ｍＡである。また、発光状態の個数が３個から２個に減らされた前記半導体発光素子２１、２２に供給する定電流の値は、この例では、約３７５ｍＡである。すなわち、前記半導体発光素子２１〜２３の発光状態の個数が３個から２個に減らされた場合の逆数倍（１．５倍）の電流に増加させることで、切り換え時の光束は概ね同等となり、切り換え時のチラツキや電流変化での違和感を無くすことができる。

（不点灯検出部７の説明）
前記不点灯検出部７は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の前記半導体発光素子が不点灯になった時（たとえば、オープン故障などした時）を検出して、不点灯の検出信号を第３の検出信号として出力するものである。

前記不点灯検出部７は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３に直列に接続されている電流検出部としての前記抵抗Ｒ１４の両端を非反転増幅回路ＡＭＰ１−１を介して比較回路ＡＭＰ１−２に接続するデュアルオペアンプから構成されている。

前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の反転入力端子（−）は、抵抗Ｒ１７を介して、前記グランドラインＬ２に接続されている前記抵抗Ｒ１４の一端に接続されている。また、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の反転入力端子（−）は、抵抗Ｒ１８を介して、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の出力端子に接続されている。さらに、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の非反転入力端子（＋）は、抵抗Ｒ２１を介して、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のソースに接続されている前記抵抗Ｒ１４の他端に接続されている。

前記比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）は、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の出力端子と前記抵抗Ｒ１８との間に接続されている。また、前記比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）は、前記ラインＬ４に接続されている抵抗Ｒ１９と前記グランドラインＬ２に接続されている抵抗Ｒ２０との間に接続されている。さらに、前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子は、抵抗Ｒ２２を介して、前記出力ラインＬ５、および、前記電流供給遮断部の前記トランジスタＴｒ３のベースに接続されている。

ここで、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のソースと前記抵抗Ｒ１４の他端との間を流れる電流が約２５０ｍＡと小さいので、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のソースと前記抵抗Ｒ１４の他端との間の非反転入力端子側の入力電圧Ｖｒｅｆが約０．２５Ｖ（前記抵抗Ｒ１４の抵抗値が１Ωの場合）と小さい。そこで、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１は、前記入力電圧Ｖｒｅｆを１１倍に増幅して約２．７５Ｖの出力電圧Ｖ４として出力するものである。

前記比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）には、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の出力端子から１１倍に増幅された前記出力電圧Ｖ４（たとえば、約２．７５Ｖ）が入力される。一方、前記比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）には、前記定電圧Ｖ２（たとえば、約８．５Ｖ）を前記抵抗Ｒ１９と前記抵抗Ｒ２０とにより分割した抵抗分割電圧Ｖ３（たとえば、約１．１Ｖ）が入力される。前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からは、「Ｌ」の信号あるいは「Ｈ」の信号すなわち前記第３の検出信号が出力される。

ここで、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が正常状態の時、たとえば、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が点灯状態の時、あるいは、２個の前記半導体発光素子２１、２２が点灯状態の時には、前記比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）に入力される前記出力電圧Ｖ４（たとえば、約２．７５Ｖ）が、前記比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）に入力される前記抵抗分割電圧Ｖ３（たとえば、約１．１Ｖ）より大きい。このために、前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からは、「Ｌ」の信号が出力される。

一方、３個の前記半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の前記半導体発光素子が不点灯になった時（たとえば、オープン故障などした時）には、前記入力電圧Ｖｒｅｆがほぼ０Ｖとなるので、前記出力電圧Ｖ４もほぼ０Ｖとなる。これにより、前記比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）に入力される前記出力電圧Ｖ４（ほぼ０Ｖ）が、前記比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）に入力される前記抵抗分割電圧Ｖ３（たとえば、約１．１Ｖ）より小さい。このために、前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からは、「Ｈ」の信号すなわち前記第３の検出信号が出力される。

前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子から「Ｈ」の信号すなわち前記第３の検出信号が出力されると、前記第３の検出信号（「Ｈ」の信号）は、前記電流供給遮断部の前記トランジスタＴｒ３のベースに入力される。前記第３の検出信号により、前記トランジスタＴｒ３のコレクタ・エミッタ間に電流が流れて、前記トランジスタＴｒ３がＯＮ（オン）状態となり、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレイン・ソース間の電流が遮断されて、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦ（オフ）状態となる。これにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が直列に接続されている電流ループは、遮断される。また、後記する出力端子（３７）を介して他の光学ユニットへも接続されているため、他の光学ユニットの前記トランジスタＴｒ３も同時にＯＮ（オン）状態となり、前記電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦ（オフ）状態となることで、不点灯状態以外の他の光学ユニットを含め正常な状態の半導体発光素子は、全て消灯する。

前記抵抗Ｒ１７および前記抵抗Ｒ１８は、前記非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の増幅率を決定する抵抗である。前記抵抗Ｒ１９および前記抵抗Ｒ２０は、前記抵抗分割電圧Ｖ３を決定する抵抗である。前記抵抗Ｒ２１は、前記比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）側のインピーダンスを前記比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）側のインピーダンスに合わせるための抵抗である。前記抵抗Ｒ２２は、前記過電圧検出部の前記ツエナーダイオードＺＤ１から出力される前記第２の検出信号すなわち電流が前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子側に流入するのを防止する抵抗である。前記抵抗Ｒ２２の代わりにダイオードであっても良い。すなわち、前記ダイオードのカソードを前記ツエナーダイオードＺＤ１のアノード側に接続し、かつ、前記ダイオードのアノードを前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子側に接続するものである。

前記電源端子および前記グランド端子は、他の点灯回路の電源端子およびグランド端子と並列接続されている。前記出力端子には、前記不点灯検出部の前記比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子および前記電流供給遮断部の前記トランジスタＴｒ３のベースがそれぞれ接続されていて、かつ、前記出力端子は、前記他の点灯回路の出力端子と相互に接続されている。

前記他の点灯回路とは、前記光源ユニット１が１Ａの場合において、他の前記光源ユニット１Ｂ、１Ｃに実装されている点灯回路を言う。また、前記光源ユニット１が１Ｂの場合において、他の前記光源ユニット１Ａ、１Ｃに実装されている点灯回路を言う。さらに、前記光源ユニット１が１Ｃの場合において、他の前記光源ユニット１Ａ、１Ｂに実装されている点灯回路を言う。

（他の電子部品の説明）
前記他の電子部品は、２個のコンデンサＣ１、Ｃ２と、ダイオードＤ１と、ツエナーダイオードＺＤ３と、から構成されている。２個の前記コンデンサＣ１、Ｃ２は、ノイズ吸収用であって、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記ダイオードＤ１は、逆接防止用であって、前記電源ラインＬ１に接続されている。前記ダイオードＤ１のアノードは、（＋）電源（端子部材３０）に接続されている。前記ダイオードＤ１のカソードは、前記半導体発光素子２１のアノードに接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ３は、ＥＳＤ保護用（静電気吸収用）であって、前記ツエナーダイオードＺＤ３のカソードは、前記電源ラインＬ１の前記半導体発光素子２１のアノードに接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤ３のアノードは、前記半導体発光素子２２のカソードと前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレインとの間に接続されている。

（包囲壁部材２０の説明）
前記包囲壁部材２０は、絶縁性部材たとえば樹脂、この例では、反射率を上げた樹脂から構成されている。前記包囲壁部材２０は、図４に示すように、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、配線素子の一部を包囲する長方形形状をなすものである。すなわち、前記包囲壁部材２０は、中央部が中空部であり、かつ、周囲部が壁部であり、４角が湾曲（Ｒ、もしくは、４分の１円の円弧）した長方形形状をなすものである。前記包囲壁部材２０の前記壁部の肉厚（前記壁部の内周面から外周面までの厚さ）は、ほぼ均一（均等）である。

前記包囲壁部材２０は、前記半導体発光素子２１〜２３および前記配線素子の高さよりも十分な高さを有する。前記包囲壁部材２０は、前記封止部材２００を充填（注入、モールド、モールディング）する容量（範囲）を小容量に規制する部材（土手、ダム）である。前記包囲壁部材２０の前記壁部の一端面は、前記基板２の前記実装面に、嵌合接着により、固定されかつ位置決めされている。なお、前記包囲壁部材２０は、デイスペンス方式の樹脂（デイスペンス後硬化）で形成しても良い。

前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面には、前記半導体発光素子２１〜２３（特に、前記半導体発光素子２１〜２３の４側面）から放射される光（図示せず）を所定の方向（たとえば、前記半導体発光素子２１〜２３の一正面から放射される光の方向とほぼ同方向）に反射させる反射面が設けられている。

４角が湾曲した長方形形状をなす前記包囲壁部材２０は、構造や製造が簡単であり、製造コストを安価にすることができる。前記包囲壁部材２０は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３を包囲するものであるから、包囲体積が小さい。この結果、前記封止部材２００の封止量が少なくて済む。その分、前記包囲壁部材２０が長方形形状をなすものであっても、前記封止部材２００による歪量が少なくなり、３個の前記半導体発光素子２１〜２３から放射される光に対する影響が小さく何ら問題がない。

なお、前記包囲壁部材２０としては、前記の長方形形状をなすもの以外のもの、たとえば、楕円状形状もしくは長円状形状の包囲壁部材、あるいは、円環状形状の包囲壁部材を使用しても良い。

長円状形状の前記包囲壁部材においては、長四方形形状をなす前記包囲壁部材２０と同様に、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、前記基板２の前記実装面において、Ｘ軸上に、Ｘ軸に対して上下対称に、かつ、Ｙ軸に対して左右対称に、配置されている。すなわち、Ｘ軸とＹ軸との交点に対して点対称に配置されている。長円状形状の前記包囲壁部材は、長方形形状をなす前記包囲壁部材２０よりも、包囲体積が小さいので、その分、前記封止部材２００による歪を軽減することができる。

円環状形状の前記包囲壁部材においては、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、Ｙ軸に対して左右対称に配置されていて、かつ、左右２個の前記半導体発光素子２１、２２の上辺がＸ軸上に位置するように配置されている。すなわち、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、正三角形の３角にそれぞれ位置する。

なお、円環状形状の前記包囲壁部材においては、３個の前記半導体発光素子２１〜２３が、前記基板２の前記実装面のほぼ中心からほぼ等距離位置にかつほぼ等中心角位置に集中して実装されていて、また、Ｙ軸に対して左右対称に配置されていても良い。この場合であっても、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、正三角形の３角にそれぞれ位置する。この配置は、左右２個の前記半導体発光素子２１、２２の上辺がＸ軸から下方にずれる。

円環状形状の前記包囲壁部材においては、長方形形状の包囲壁部材２０、楕円状形状もしくは長円状形状の包囲壁部材と比較して、前記封止部材２００による歪をさらに軽減することができる。

ここで、発光状態の前記半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らす場合は、前記のように配置されている３個の前記半導体発光素子２１〜２３のうち、Ｙ軸上の中間の前記半導体発光素子２３が減らされる。

（封止部材２００の説明）
前記封止部材２００は、光透過性部材、たとえば、エポキシ系樹脂またはシリコン系樹脂から構成されている。前記封止部材２００は、前記基板２の前記実装面に、前記半導体発光素子２１〜２３が実装され、かつ、ワイヤがボンディング配線された後に、前記基板２に実装された前記包囲壁部材２０の前記中空部中であって、前記基板２の前記実装面と前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面とにより区画されている空間中に充填される。前記封止部材２００が硬化することにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部が前記封止部材２００により封止されることとなる。

前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３などを外乱から保護するものである。

（ソケット部１１の説明）
前記ソケット部１１は、図２〜図４に示すように、保持部材３と、３本の端子部材３０、３１、３７とを有するものである。前記ソケット部１１は、前記保持部材３と３本の前記端子部材３０、３１、３７とを、絶縁部材（図示せず）を介して一体に構成したものである。前記保持部材３は、前記光源部１０を保持する。前記端子部材３０、３１、３７は、図１に示すように、前記点灯回路の前記電源端子、前記グランド端子、前記出力端子に、接続されている。なお、図１において、符号「３０」、「３１」、「３７」は、それぞれ、前記端子部材であり、かつ、前記点灯回路の前記電源端子、前記グランド端子、前記出力端子でもある。

（保持部材３の説明）
前記保持部材３は、一端部の嵌合部３２と、中間部の円形形状の鍔部３３と、他端部のコネクタ嵌合部３４と、から一体に構成されている。前記保持部材３は、熱伝導性樹脂、たとえば、炭素繊維（短炭素繊維）、あるいは、炭素顆粒、あるいは、炭素平板、あるいは、前記素材の混合物を含有する樹脂から構成されている。前記保持部材３は、この例では、少なくとも炭素繊維を含有する樹脂の射出成形品から構成されている。なお、前記保持部材３は、たとえば、熱伝導性なお導電性をも有するアルミダイカストから構成されているものであっても良い。

前記嵌合部３２は、外径が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の内径より若干小さいほぼ円筒形状をなす。前記嵌合部３２の内周面および円形の底面には、前記基板２が密着固定されている。この結果、前記光源部１０は、前記ソケット部１１の前記保持部材３に保持される。なお、前記保持部材３に前記基板２を金属体（図示せず）を介して密着固定しても良い。

前記嵌合部３２の一端部の外周面には、複数個この例では４個の凸部３５が、前記ランプハウジング１０１の前記凹部と対応させて、かつ、前記鍔部３３と対向して、一体に設けられている。前記コネクタ嵌合部３４には、電源側のコネクタ（図示せず）が挿入する挿入凹部３６が設けられている。

前記鍔部３３および４個の前記凸部３５は、前記光源ユニット１を前記車両用灯具１００に取り付けるものである。すなわち、前記保持部材３の前記嵌合部３２および前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２および前記凹部中に図３中の矢印ＩＶ方向と反対方向に挿入する。その状態で、前記保持部材３を前記Ｚ軸回りに回転させて、前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記ストッパ部に当てる。この時点において、前記凸部３５と前記鍔部３３とが前記パッキン１０４を介して前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の縁部を上下から挟み込む（図２、図３参照）。

この結果、前記光源ユニット１の前記ソケット部１１は、図２、図３に示すように、前記車両用灯具１００の前記ランプハウジング１０１に前記パッキン１０４を介して着脱可能にあるいは固定的に取り付けられる。この時点において、図２、図３に示すように、前記ソケット部１１のうち前記ランプハウジング１０１から外側に突出している部分（図２、図３中の前記ランプハウジング１０１よりも下側の部分）が前記ソケット部１１のうち前記灯室１０３内に収納されている部分（図２、図３中の前記ランプハウジング１０１よりも上側の部分）よりも大である。

（端子部材３０、３１、３７の説明）
前記端子部材３０、３１、３７は、導電性部材から構成されている。前記端子部材３０、３１、３７は、細長い長方形形状（短冊形状）をなすものである。前記端子部材３０、３１、３７の中間部は、前記絶縁部材を介して前記保持部材３に一体に設けられている。前記端子部材３０、３１、３７の一端部は、前記基板２に機械的に取り付けられていて、かつ、前記点灯回路の前記電源端子（３０）、前記グランド端子（３１）、前記出力端子（３７）に、電気的に接続されている。

前記端子部材３０、３１、３７の他端部は、図３に示すように、細長い長方形形状（短冊形状）のターミナル部を形成する。前記端子部材３０、３１、３７の他端部は、前記コネクタ嵌合部３４の前記挿入凹部３６中に位置する。前記保持部材３の一部の前記コネクタ嵌合部３４および前記端子部材３０、３１、３７の他端部は、コネクタ部を構成する。

（コネクタ９、９０の説明）
図２、図３に示すように、前記保持部材３の前記コネクタ部には、灯具側コネクタ９（９Ａ、９Ｂ、９Ｃ）が機械的に着脱可能にかつ電気的に断続可能に取り付けられている。前記灯具側コネクタ９には、電源ハーネス９１、グランドハーネス９２、出力ハーネス９３がそれぞれ電気的に接続されている。前記コネクタ部および前記灯具側コネクタ９は、防水構造をなす。

３個の灯具側コネクタ９（９Ａ、９Ｂ、９Ｃ）の前記電源ハーネス９１および前記グランドハーネス９２は、電源側コネクタ９０の電源ターミナル９４（＋）、グランドターミナル９５（−）に電気的に並列接続されている。３個の灯具側コネクタ９（９Ａ、９Ｂ、９Ｃ）の前記出力ハーネス９３は、相互に接続されている。前記電源側コネクタ９０の前記電源ターミナル９４（＋）、前記グランドターミナル９５（−）は、バッテリー側コネクタ（図示せず）の電源ターミナル、グランドターミナルに、機械的に着脱可能にかつ電気的に断続可能に取り付けられている。前記バッテリー側コネクタの前記電源ターミナル、前記グランドターミナルは、ハーネス（図示せず）およびスイッチ（図示せず）を介して前記バッテリーに接続されている。

（レンズ部１２の説明）
前記レンズ部１２は、光透過性部材からなる光学部品でかつカバー部材である。前記レンズ部１２は、図２、図３に示すように、前記光源部１０をカバーするように、前記ソケット部１１に着脱可能にまたは固定的に取り付けられている。前記レンズ部１２と前記ソケット部１１とには、誤組付部（図示せず）が設けられている。

前記レンズ部１２には、前記半導体発光素子２１〜２３から放射される光を光学制御して出射させるプリズムなどの光学制御部（図示せず）が設けられている。前記レンズ部１２は、前記封止部材２００と共に、前記半導体発光素子２１〜２３を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３を外乱から保護するものである。また、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３以外に、制御素子および前記配線素子および前記導電性接着剤をも外乱から保護するものである。前記レンズ部１２は、前記灯室１０３内に配置する前記配光制御部の代わりとしての配光制御部としても良い。

（実施形態１の作用の説明）
この実施形態１における車両用灯具システム（この実施形態１における車両用灯具の点灯回路、この実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１、この実施形態１における車両用灯具１００）は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。

（入力電圧Ｖ０が約１１Ｖ〜約１６Ｖの範囲にある時の作用）
まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図１中の実線矢印に示すように流れる。すなわち、ダイオードＤ１からの電流は、電源ラインＬ１を介して、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。３個の半導体発光素子２１〜２３から放射される光は、レンズ部１２を透過して配光制御され、かつ、ランプレンズを透過して配光制御され、所定の配光パターンで外部に照射される。ここで、３個の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）にそれぞれ実装されている３個の点灯回路の３個の半導体発光素子２１〜２３、合計９個の半導体発光素子が発光するので、高光量、高光度、高照度、高光束の配光パターンが得られる。これにより、デイタイムランニングランプ、フロントターンシグナルランプなどのフロント側のランプに最適である。

点灯回路に第１所定電圧値（約１１Ｖ）以上から最高電圧値（約１６Ｖ）未満までの電圧が入力されている時は、電流が抵抗Ｒ２を介してツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電圧がトランジスタＴｒ２のベースに加えられていないので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態にある。このために、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートに加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１の電流は、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。

この時、すなわち、トランジスタＴｒ２がＯＦＦ（オフ）状態にある時には、電圧が電流制御供給部のトランジスタＴｒ６のベースに加えられていないので、トランジスタＴｒ６はＯＦＦ（オフ）状態にある。このために、抵抗Ｒ７には、電圧が印加されていない（電流が流れていない）。

一方、電流制御供給部のカレントミラー回路５の作用により、全個（３個）が発光状態にある半導体発光素子２１〜２３には、約２５０ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている。すなわち、入力電圧監視検出部から定電圧Ｖ２がラインＬ４を介してカレントミラー回路５に供給されている。カレントミラー回路５は、抵抗Ｒ８と抵抗Ｒ９との分電圧ＶｅがトランジスタＴｒ５のエミッタと抵抗Ｒ１２との間の参照電圧（図示せず）と等しくなるように制御する。この結果、カレントミラー回路５は、３個の半導体発光素子２１〜２３に約２５０ｍＡの一定の電流（定電流）を供給する。

このように、電流制御供給部のカレントミラー回路５の作用により、全個（３個）が発光状態にある半導体発光素子２１〜２３には、約２５０ｍＡの一定の電流（定電流）が供給されている（図５（Ａ）中の小黒正方形を参照）。また、このときの電力損失は、図５（Ｂ）中の小黒正方形に示すように、約２．７Ｗ〜約４．１Ｗである。さらに、このときの光源ユニット１の光束（すなわち、３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯発光状態のときの光束）は、図５（Ｃ）中の小黒丸に示すように、約１８０ｌｍでほぼ一定である。

（入力電圧Ｖ０が約１１Ｖ以下に低下した時の作用）
ここで、入力電圧Ｖ０が第１所定電圧値（約１１Ｖ）以下に低下すると、入力電圧監視検出部から第１の検出信号がラインＬ３とＬ４とを介して、電界効果トランジスタＦＥＴ１とカレントミラー回路５および電流増加手段６とに同時に出力される。

すなわち、電流が抵抗Ｒ２を介してツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れなくなり、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れなくなる。一方、電圧がトランジスタＴｒ２のベースに加えられるので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態に切り替わる。このために、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートに加えられるので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態に切り替わる。

この結果、電源ラインＬ１の電流は、半導体発光素子２１を通り、かつ、半導体発光素子２３を通らずに、電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ドレインの間を通り、さらに、半導体発光素子２２を通る。これにより、１個の半導体発光素子２３は、消灯して、残りの２個の半導体発光素子２１、２２は、発光を続ける。

すなわち、図５（Ａ）、（Ｂ）中の実線両矢印に示すように、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒正方形を参照）から２個２１、２２（図５（Ａ）、（Ｂ）中の小黒菱形を参照）に切り替わって減る。

これと同時に、電圧が電流制御供給部のトランジスタＴｒ６のベースに加えられるので、トランジスタＴｒ６はＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態に切り替わる。このために、抵抗Ｒ７には、電圧が印加される（電流が流れる）。すると、カレントミラー回路５は、並列に接続された抵抗Ｒ７、抵抗Ｒ２３、抵抗Ｒ８、抵抗Ｒ２４と抵抗Ｒ９との分電圧Ｖｅが上昇する。この結果、カレントミラー回路５は、２個の半導体発光素子２１、２２に、今まで供給していた一定の電流（定電流）約２５０ｍＡから増加させた約３７５ｍＡの電流を供給する。

入力電圧Ｖ０が約１１Ｖ以下のときには、ツエナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードに流れなくなるので、ツエナーダイオードＺＤ２が定電圧源素子とし作用しない。このために、定電圧Ｖ２の電圧値は、入力電圧Ｖ０の電圧値の低下に伴って低下する。これにより、カレントミラー回路５の並列に接続された抵抗Ｒ７、抵抗Ｒ２３、抵抗Ｒ８、抵抗Ｒ２４と抵抗Ｒ９との分電圧Ｖｅの電圧値も入力電圧Ｖ０の電圧値の低下に伴って低下する。

この結果、２個の半導体発光素子２１、２２に供給する電流値は、同じく、入力電圧Ｖ０の電圧値の低下に伴って約３７５ｍＡから約９０ｍＡ（約９０ｍＡは、入力電圧Ｖ０の電圧値が約７Ｖまで低下した場合である）に低下する（図５（Ａ）中の小黒菱形を参照。すなわち、フロー電流の供給となる）。また、このときの電力損失は、図５（Ｂ）中の小黒菱形に示すように、約０．５Ｗ〜約４．１Ｗである。さらに、このときの光源ユニット１の光束（すなわち、３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯発光状態のときの光束）は、図５（Ｃ）中の小黒丸に示すように、約４２ｌｍ〜約１８０ｌｍである。

入力電圧Ｖ０が第１所定電圧値（約１１Ｖ）を超えると、前記の通り、発光状態の半導体発光素子が２個２１、２２から３個２１〜２３に増える。

（入力電圧Ｖ０が約１６Ｖ以上に上昇した時の作用）
ここで、入力電圧Ｖ０が第２所定電圧値の最高電圧値（約１６Ｖ）以上に上昇すると、入力電圧監視検出部から第２の検出信号が出力ラインＬ５を介して、トランジスタＴｒ３に出力される。すなわち、電流が抵抗Ｒ１を介してツエナーダイオードＺＤ１のカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ３のベースからエミッタに流れる。これにより、トランジスタＴｒ３のコレクタ・エミッタ間に電流が流れて、トランジスタＴｒ３がＯＮ（オン）状態となり、電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレイン・ソース間の電流が遮断されて、電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦ（オフ）状態となる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、消灯する。

なお、入力電圧Ｖ０が最高電圧値（約１６Ｖ）未満の状態の時は、電流が抵抗Ｒ１を介してツエナーダイオードＺＤ１のカソードからアノードに流れておらず、かつ、トランジスタＴｒ３のベースからエミッタに流れていない。このために、トランジスタＴｒ３はＯＦＦ（オフ）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ３のコレクタからエミッタに流れていない。この結果、電界効果トランジスタＦＥＴ２は、制御状態にある。これにより、入力電圧Ｖ０が最高電圧値（約１６Ｖ）未満の状態の時は、３個の半導体発光素子２１〜２３の点灯発光状態および２個の半導体発光素子２１、２２の点灯発光状態を維持することができる。

入力電圧Ｖ０が第２所定電圧値の最高電圧値（約１６Ｖ）未満になると、前記の通り、消灯状態の３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯発光する。

（３個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時の作用）
ここで、３個の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）にそれぞれ搭載されている点灯回路の３個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が、たとえば、オープン故障などで、不点灯になる。すると、不点灯検出部７の非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の非反転入力端子側の入力電圧Ｖｒｅｆがほぼ０Ｖとなるので、非反転増幅回路ＡＭＰ１−１の出力端子からの出力電圧Ｖ４もほぼ０Ｖとなる。これにより、比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）に入力される出力電圧Ｖ４（ほぼ０Ｖ）が、比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）に入力される抵抗分割電圧Ｖ３（たとえば、約１．１Ｖ）より小さい。このために、比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からは、「Ｈ」の信号すなわち第３の検出信号が出力される。

不点灯検出部７の比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子から「Ｈ」の信号すなわち第３の検出信号が出力されると、第３の検出信号（「Ｈ」の信号）は、電流供給遮断部のトランジスタＴｒ３のベースに入力される。第３の検出信号により、トランジスタＴｒ３のコレクタ・エミッタ間に電流が流れて、トランジスタＴｒ３がＯＮ（オン）状態となり、電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレイン・ソース間の電流が遮断されて、電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦ（オフ）状態となる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３が直列に接続されている電流ループは、遮断され消灯する。

不点灯検出部７の比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からの第３の検出信号（「Ｈ」の信号）は、出力ラインＬ５、出力端子、端子部材３７、出力ハーネス９３、および、正常な光源ユニット１の端子部材３７、出力端子、出力ラインＬ５を介して、電流供給遮断部のトランジスタＴｒ３のベースに入力される。これにより、正常な光源ユニット１の正常な３個の半導体発光素子２１〜２３は、消灯する。この結果、３個の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）にそれぞれ実装されている３個の半導体発光素子２１〜２３、合計で９個の半導体発光素子すべてが消灯する。

なお、半導体発光素子がすべて正常の時は、不点灯検出部７の非反転増幅回路ＡＭＰ１−１が入力電圧Ｖｒｅｆ（たとえば、約０．２５Ｖ）を増幅して出力電圧Ｖ４（たとえば、約２．７５Ｖ）として出力している。これにより、不点灯検出部７の比較回路ＡＭＰ１−２の反転入力端子（−）に入力される出力電圧Ｖ４（たとえば、約２．７５Ｖ）が、比較回路ＡＭＰ１−２の非反転入力端子（＋）に入力される抵抗分割電圧Ｖ３（たとえば、約１．１Ｖ）より大きい。このために、比較回路ＡＭＰ１−２の出力端子からは、「Ｌ」の信号が出力される。すると、トランジスタＴｒ３のベースからエミッタに電流が流れていない。このために、トランジスタＴｒ３はＯＦＦ（オフ）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ３のコレクタからエミッタに流れていない。この結果、電界効果トランジスタＦＥＴ２は、制御状態にある。これにより、半導体発光素子がすべて正常の時は、３個の半導体発光素子２１〜２３の点灯発光状態および２個の半導体発光素子２１、２２の点灯発光状態を維持することができる。

（実施形態１の効果の説明）
この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）にそれぞれ実装されている３個の点灯回路において、１個の点灯回路の３個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になると、その１個の点灯回路の残りの全部の半導体発光素子と、他の点灯回路の全部の半導体発光素子と、を消灯させることができる。

ここで、この実施形態１における車両用灯具システムと、他の車両用灯具システムと、を比較してみる。他の車両用灯具システムとしては、配光パターンの光（光量、光度、照度、光束など）を満足させるものと、テルテール信号をインジケータに表示するものと、がある。

すなわち、配光パターンの光を満足させるものは、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になっても、残りの半導体発光素子により配光パターンの光を満足させるものである。テルテール信号をインジケータに表示するものは、複数個の半導体発光素子のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になると、テルテール信号をインジケータに表示するものである。

ところが、配光パターンの光を満足させるものは、光源にかなりの余裕を持たせる必要があるので、コストなどが高価となり、かつ、形状が大型化するなどの問題がある。また、テルテール信号をインジケータに表示するものは、テルテール信号の出力がメーカーや車両によって異なり、標準化することが困難である。

これに対して、この実施形態１における車両用灯具システムは、合計９個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になると、残り全部の半導体発光素子を消灯させるものである。これにより、この実施形態１における車両用灯具システムの使用者に対して修理義務を負わせることができる。この結果、この実施形態１における車両用灯具システムは、コストなどを安価とすることができ、かつ、形状を小型化することができ、かつ、標準化することができる。

また、この実施形態１における車両用灯具システムは、不点灯検出部７がデュアルオペアンプ（非反転増幅回路ＡＭＰ１−１、比較回路ＡＭＰ１−２）から構成されているものである。このために、この実施形態１における車両用灯具システムは、電流供給部（カレントミラー回路５、電源増加手段６）、電流供給遮断部（トランジスタＴｒ３、電界効果トランジスタＦＥＴ２）、電源端子（３０）、グランド端子（３１）、出力端子（３７）を備える点灯回路に、デュアルオペアンプ（非反転増幅回路ＡＭＰ１−１、比較回路ＡＭＰ１−２）から構成されている不点灯検出部７を、追加するだけで簡便に製造することができる。しかも、この実施形態１における車両用灯具システムは、コストなどを安価とすることができ、かつ、形状を小型化することができ、かつ、標準化することができる。

さらに、この実施形態１における車両用灯具システムは、電流供給遮断部が、過電圧検出部（ツエナーダイオードＺＤ１）からの過電圧の検出信号により、電流供給部による３個の半導体発光素子２１〜２３への電流供給を遮断する手段と、不点灯検出部７からの不点灯の信号により、電流供給部による３個の半導体発光素子２１〜２３への電流供給を遮断する手段と、を兼用（共有）するものである。この結果、この実施形態１における車両用灯具システムは、部品点数を軽減することができ、その分、製造コストを安価にすることができる。

さらにまた、この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の光源ユニット１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）を備えるものである。このために、この実施形態１における車両用灯具システムは、デイタイムランニングランプ、フロントターンシグナルランプなどのフロント側のランプに最適である。

（実施形態２の構成の説明）
図６は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態２を示す。以下、この実施形態２にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図５と同符号は、同一のものを示す。

前記の実施形態１の車両用灯具システムは、不点灯検出部７がデュアルオペアンプ（非反転増幅回路ＡＭＰ１−１、比較回路ＡＭＰ１−２）から構成されているものである。これに対して、この実施形態２にかかる車両用灯具システムは、不点灯検出部８がコンパレータＣＯＭ１から構成されているものである。

前記不点灯検出部８は、カレントミラー回路５の電流供給遮断部（トランジスタＴｒ３、電界効果トランジスタＦＥＴ２）側の電圧すなわち参照電圧Ｖ６と、電流供給部（カレントミラー回路５、電源増加手段６）の定電圧源の定電圧Ｖ２から抵抗分圧された基準電圧Ｖ５と、を比較して、前記電流供給遮断部（トランジスタＴｒ３、電界効果トランジスタＦＥＴ２）に第４の検出信号として出力する前記コンパレータＣＯＭ１から構成されているものである。

すなわち、前記コンパレータＣＯＭ１の入力端子（＋）は、抵抗Ｒ２５の一端と抵抗Ｒ２６の一端との間に接続されている。前記抵抗Ｒ２５の他端は、定電圧源のラインＬ４に接続されている。前記抵抗Ｒ２６の他端は、グランドラインＬ２に接続されている。

また、前記コンパレータＣＯＭ１の入力端子（−）は、抵抗Ｒ２８を介して前記トランジスタＴｒ３のコレクタと前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲートとの間に接続されている。

さらに、前記コンパレータＣＯＭ１の出力端子は、抵抗Ｒ２７を介して前記出力ラインＬ５における出力端子（３７）と抵抗Ｒ１３の一端・前記トランジスタＴｒ３のベース間との間に接続されている。

前記電界効果トランジスタＦＥＴ２のゲート閾値の電圧Ｖｔｈの値は、最大で約２Ｖに設定されている。また、前記基準電圧Ｖ５は、約４〜約４．５Ｖに設定されている。このために、正常動作すなわち３個の半導体発光素子２１〜２３が点灯状態あるいは２個の半導体発光素子２１、２２が点灯状態にある時には、前記コンパレータＣＯＭ１から出力される第４の検出信号は、「Ｌ」である。

（実施形態２の作用の説明）
この実施形態２における車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。

点灯状態の３個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯状態となると、ゲート閾値の電圧Ｖｔｈの値が一瞬約２Ｖから定電圧Ｖ２の値約８．５Ｖになる。この結果、コンパレータＣＯＭ１から出力される第４の検出信号は、「Ｈ」となる。これにより、トランジスタＴｒ３がＯＮして電界効果トランジスタＦＥＴ２がＯＦＦして、消灯する。

トランジスタＴｒ３がＯＮしても、抵抗Ｒ２８の作用により、ゲート閾値の電圧Ｖｔｈの値が、定電圧Ｖ２の値約８．５Ｖよりも若干小さい値約６．５Ｖ〜約７Ｖに維持される。この結果、コンパレータＣＯＭ１から出力される第４の検出信号「Ｈ」は、維持される。

なお、３個の半導体発光素子２１〜２３のうち少なくとも１個の半導体発光素子が不点灯になった時の作用以外の作用は、前記の実施形態１の車両用灯具システムの作用とほぼ同様なので説明を省略する。

（実施形態２の効果の説明）
この実施形態２における車両用灯具システムは、以上のごとき構成、作用からなるので、前記の実施形態１の車両用灯具システムの効果とほぼ同様の効果を達成することができる。

特に、この実施形態２における車両用灯具システムは、不点灯検出部８がコンパレータＣＯＭ１から構成されているものであるから、さらに、部品点数を軽減することができ、その分、製造コストを安価にすることができる。

（実施形態１、２以外の例の説明）
なお、前記の実施形態１、２においては、３個の半導体発光素子２１〜２３を使用するものである。ところが、この発明においては、半導体発光素子を２個、もしくは、４個以上使用しても良い。また、切り換えシステムが無い場合でも良い。

また、前記の実施形態１、２においては、図１、図６に示す構成の点灯回路を使用するものである。ところが、この発明においては、図１、図６に示す構成以外の構成の点灯回路を使用しても良い。特に、実施形態１における電源供給部としては、カレントミラー回路５、電源増加手段６以外の電源供給回路あるいは電源供給手段であっても良い。

さらに、前記の実施形態１、２においては、基板２が、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などから構成されたものであって、一枚の板形状をなすものである。ところが、この発明においては、基板として、フレキシブル基板を使用して、Ｌ字形状に（垂直にもしくはほぼ垂直に）に折り曲げたものを使用しても良い。

さらにまた、前記の実施形態１、２においては、光源ユニット１が、レンズ部１２を使用するものである。ところが、この発明においては、レンズ部１２を使用せずに半導体発光素子からの光をリフレクタ、導光部材、インナーレンズで所定の配光パターンを形成しても良いし、また、所定の位置に導くように構成しても良い。

さらにまた、前記の実施形態１、２においては、電流制御供給部が、半導体発光素子２１〜２３に設定された定電流を供給し、かつ、入力電圧監視検出部からの出力により、全個（３個）が発光状態の半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流の値に対して、発光状態の個数が３個から２個に減らされた半導体発光素子２１、２２に供給する電流の値を、増加させるものである。ここで、全個（３個）が発光状態の半導体発光素子２１〜２３に供給する定電流、および、発光状態の個数が３個から２個に減らされた半導体発光素子２１、２２に供給する電流には、ＰＷＭ制御により制御された電流も含まれる。

さらにまた、前記の実施形態１、２においては、光源として、光源部１０の基板２に実装されているベアチップタイプの半導体発光素子２１、２２、２３を使用するものである。ところが、この発明においては、光源として、蛍光体を内蔵しパッケージされたＳＭＤタイプの半導体発光素子を使用するものであっても良い。

１００ 車両用灯具
１０１ ランプハウジング
１０２ 取付孔
１０３ 灯室
１０４ パッキン
１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ） 光源ユニット
１０ 光源部
１１ ソケット部
１２ レンズ部
２ 基板
２０ 包囲壁部材
２１、２２、２３ 半導体発光素子
２００ 封止部材
３ 保持部材
３０ 端子部材（電源端子）
３１ 端子部材（グランド端子）
３２ 嵌合部
３３ 鍔部
３４ コネクタ嵌合部
３５ 凸部
３６ 挿入凹部
３７ 端子部材（出力端子）
４ ドライバー手段
５ カレントミラー回路
６ 電流増加手段
７ 不点灯検出部
８ 不点灯検出部
９（９Ａ、９Ｂ、９Ｃ） 灯具側コネクタ
９０ 電源側コネクタ
９１ 電源ハーネス
９２ グランドハーネス
９３ 出力ハーネス
９４ 電源ターミナル
９５ グランドターミナル
ＡＭＰ１−１ 非反転増幅回路
ＡＭＰ１−２ 比較回路
Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ
ＣＯＭ１ コンパレータ
Ｄ１ ダイオード
ＦＥＴ１、ＦＥＴ２ 電界効果トランジスタ
Ｌ１ 電源ライン
Ｌ２ グランドライン
Ｌ３、Ｌ４ ライン
Ｌ５ 出力ライン
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８ 抵抗
Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５、Ｔｒ６ トランジスタ
Ｖ０ 入力電圧
Ｖ１ 抵抗Ｒ１とツエナーダイオードＺＤ１のカソード間の電圧
Ｖ２ 定電圧
Ｖ３ 抵抗分割電圧
Ｖ４ 出力電圧
Ｖ５ 基準電圧
Ｖ６ 参照電圧
Ｖｒｅｆ 入力電圧
Ｖｔｈ ゲート閾値の電圧
Ｘ Ｘ軸
Ｙ Ｙ軸
Ｚ 光軸（Ｚ軸）
ＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３ ツエナーダイオード

Claims (6)

1. 車両用灯具の点灯回路であって、
   直列に接続されている複数個の半導体発光素子と、
   複数個の前記半導体発光素子に電流を供給する電流供給部と、
   複数個の前記半導体発光素子のうち少なくとも１個の前記半導体発光素子が不点灯になった時を検出する不点灯検出部と、
   前記不点灯検出部からの不点灯の検出信号により、前記電流供給部による複数個の前記半導体発光素子への電流供給を遮断する電流供給遮断部と、
   他の点灯回路の電源端子およびグランド端子と並列接続される電源端子およびグランド端子と、
   前記不点灯検出部および前記電流供給遮断部がそれぞれ接続されていて、かつ、前記他の点灯回路の出力端子と相互に接続される出力端子と、
   を備える、
   ことを特徴とする車両用灯具の点灯回路。
2. 前記不点灯検出部は、複数個の前記半導体発光素子に直列に接続されている電流検出部の両端を非反転増幅回路を介して比較回路に接続するデュアルオペアンプから構成されていて、
   前記比較回路の出力端子は、前記電流供給遮断部に接続されていて、
   前記比較回路の出力は、複数個の前記半導体発光素子のうち少なくとも１個の前記半導体発光素子が不点灯になった時、「Ｈ」となり、
   前記電流供給遮断部は、前記比較回路からの「Ｈ」出力により、前記電流供給部による複数個の前記半導体発光素子への電流供給を遮断する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具の点灯回路。
3. 前記電流供給部は、カレントミラー回路から構成されていて、
   前記不点灯検出部は、前記カレントミラー回路の前記電流供給遮断部側の電圧と、前記電流供給部の定電圧源から抵抗分圧された基準電圧と、を比較して、前記電流供給遮断部に出力するコンパレータから構成されていて、
   前記コンパレータの出力は、複数個の前記半導体発光素子のうち少なくとも１個の前記半導体発光素子が不点灯になった時、「Ｈ」となり、
   前記電流供給遮断部は、前記コンパレータからの「Ｈ」出力により、前記電流供給部による複数個の前記半導体発光素子への電流供給を遮断する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具の点灯回路。
4. 入力電圧が所定電圧値以上に上昇した時を検出する過電圧検出部を備え、
   前記電流供給遮断部は、前記不点灯検出部からの不点灯の検出信号により、前記電流供給部による複数個の前記半導体発光素子への電流供給を遮断する機能と、前記過電圧検出部からの過電圧の検出信号により、前記電流供給部による複数個の前記半導体発光素子への電流供給を遮断する機能と、を兼用する、
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の車両用灯具の点灯回路。
5. 直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットにおいて、
   光源部と、ソケット部と、を備え、
   前記光源部は、基板と、前記基板に実装されている前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の車両用灯具の点灯回路と、を有し、
   前記ソケット部は、前記光源部を保持する保持部材と、前記点灯回路の前記電源端子、前記グランド端子、前記出力端子に接続されていて、コネクタを介して、他の光源ユニットの電源端子部材、グランド端子部材、出力端子部材と接続される電源端子部材、グランド端子部材、出力端子部材と、を有する、
   ことを特徴とする車両用灯具の光源ユニット。
6. 灯室を区画するランプハウジングおよびランプレンズと、
   前記ソケット部が前記ランプハウジングに取り付けられていて、かつ、前記光源部が前記灯室内に配置されている複数個の前記請求項５に記載の車両用灯具の光源ユニットと、
   を備える、
   ことを特徴とする車両用灯具。

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