JP2016053478A

JP2016053478A - 相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置

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Publication number: JP2016053478A
Application number: JP2014178411A
Authority: JP
Inventors: 剛治本川; Koji Motokawa
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2014-09-02
Filing date: 2014-09-02
Publication date: 2016-04-14
Also published as: US20160061716A1; US9976948B2

Abstract

【課題】相分離の進行度を直接的に観測することができる相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置を提供する。【解決手段】基板に形成された微細パターン上に、ブロックコポリマーなどの自己組織化材料を塗布して、ミクロ相分離させることにより、ガイドパターンに沿ったミクロ相分離パターンを形成する相分離プロセスにおいて、自己組織化材料の複屈折性と相分離の進行度との間の相関関係に基づいて、自己組織化材料層の相分離の進行度を判定する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置に関する。

近年、微細パターニング技術として、誘導自己組織化（DSA: Directed Self-Assembly）の活用が注目されている。ＤＳＡを利用したパターン形成方法では、ガイドパターン上にブロックコポリマー（BCP: Block copolymer）などの自己組織化材料を塗布してミクロ相分離させることにより、ガイドパターンに沿ったミクロ相分離パターンを形成する。

このパターン形成方法では、相分離プロセスの条件を設定するために、自己組織化材料の相分離の進行度を観測することが重要となる。

特開２０００−０５７９４８号公報（米国特許出願公開第２００８／００５０６５９号明細書）特開２００４−３４７４１２号公報特表２０１１−５２５９６７号公報（米国特許出願公開第２００９／０３０６３１１号明細書）

相分離の進行度を直接的に観測することができる相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置を提供する。

一実施形態に係る相分離観測方法は、観測対象の複屈折量に基づいて、自己組織化材料層の相分離の進行度を判定する。観測対象は、基板と、基板上に形成された自己組織化材料層とを有する。

観測対象の主軸方位の分布を示す平面図。観測対象のリタデーションの分布を示す平面図。相分離観測装置の概略構成を示す図。進行度モデルの一例を示すグラフ。判定部を構成するコンピュータ装置の概略構成を示す図。現像処理後の観測対象のリタデーションの分布を示す平面図。相分離観測装置の一例を示す図。アニール装置の一例を示す図。非パターン領域における観測対象のリタデーションの分布を示す平面図。ガラス基板のリタデーションの推定分布を示す平面図。ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡのリタデーションの推定分布を示す平面図。ガイドパターンのサイズと観測対象のリタデーションとの関係を示すグラフ。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
第１実施形態に係る相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置について、図１〜図８を参照して説明する。本実施形態に係る相分離観測方法は、自己組織化材料の複屈折性と相分離の進行度との間の相関関係に基づいて、相分離を観測することを基本原理としている。まず、複屈折性と相分離の進行度との間の相関関係について説明する。

図１は、観測対象の主軸方位の分布を示す平面図である。図１における観測対象は、自己組織化材料であるＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを積層されたガラス基板である。ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡは、複屈折性を有するブロックコポリマーである。主軸方位とは、基準方向に対する進相軸又は遅相軸の傾きである。

図１において、（Ｘ，Ｙ）＝（０．６，１．２）を中心とした２ｍｍ×２ｍｍの領域には、ミクロ相分離したＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡによるラインアンドスペースパターン（以下、「ＬＳパターン」という）が形成されており、他の領域には、ミクロ相分離したＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡによるフィンガープリントパターン（以下、「ＦＰパターン」という）が形成されている。以下では、観測対象においてＬＳパターンが形成される領域をパターン領域といい、ＬＳパターンが形成されない領域を非パターン領域という。図１の観測対象の場合、２ｍｍ×２ｍｍの領域がパターン領域であり、他の領域が非パターン領域である。

図１に示すように、パターン領域の主軸方位は略−１５〜５ｄｅｇであるのに対し、非パターン領域の主軸方位は略−９５〜−７５ｄｅｇである。図１からわかるように、ＬＳパターンを形成されたパターン領域と、ＦＰパターンを形成された非パターン領域とでは、主軸方位が異なっている。

また、図２は、図１の観測対象のリタデーション（位相差）の分布を示す平面図である。図２において、リタ−デーションは、進相軸の屈折率ｎ_１と遅相軸の屈折率ｎ_２との差の絶対値である複屈折率Δｎ（＝｜ｎ_１−ｎ_２｜）と、観測対象の厚さと、の積である。

図２に示すように、パターン領域のリタデーションは略２．０〜２．４ｎｍであり、非パターン領域のリタデーションは略０〜０．８ｎｍである。図２からわかるように、ＬＳパターンを形成されたパターン領域と、ＦＰパターンを形成された非パターン領域とでは、リタデーションが異なっている。

図１及び図２に示したように、パターン領域と非パターン領域とでは、主軸方位及びリタデーションが異なる。これは、パターン領域では複屈折性を有するＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡが規則的に配列されているため、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複屈折性が領域全体で観測されるのに対し、非パターン領域ではＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡが不規則に配列されているため、個々のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複屈折性が打ち消し合い、領域全体ではＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複屈折性が観測されないことが原因である。非パターン領域において、リタデーションが必ずしも０ｎｍとなっていないのは、観測対象のリタデーションには、ガラス基板の複屈折性が含まれているためである。

このように、複屈折性を有する自己組織化材料がＬＳパターン形状に配列されるか否かによって、観測対象の複屈折性は変化する。具体的には、ＬＳパターンの形成が進行するほど、観測対象の複屈折性は高くなる。したがって、複屈折性を有する自己組織化材料によりＬＳパターンを形成する場合、観測対象の複屈折性を観測することにより、ＬＳパターン形成の進行度、すなわち、自己組織化材料の相分離の進行度を観測することができる。

次に、このような基本原理に基づいて相分離の進行度を観測する、相分離観測方法及び相分離観測装置について説明する。ここで、図３は、本実施形態に係る相分離観測装置の機能構成を示す図である。図３に示すように、相分離観測装置は、計測部１と判定部２とを備える。

計測部１は、観測対象のパターン領域における１つ又は複数の複屈折量を計測する。観測対象は、自己組織化材料を含む自己組織化材料層を有する基板である。自己組織化材料は、例えば、ジブロックコポリマーやトリブロックコポリマーなどのブロックコポリマーであるが、これに限られない。いずれの場合も、自己組織化材料は、複屈折性を有する。基板は、例えば、半導体基板、ガラス基板、及び石英ガラス基板であるが、これに限られない。

複屈折量は、複屈折性の大きさを示す値である。複屈折量は、例えば、主軸方位、リタデーション、及び複屈折率であるが、これに限られない。リタデーションは、複屈折と基板の厚さとの積（ｎｍ）であってもよいし、位相差（ｄｅｇ）であってもよい。

このような計測部１として、観測対象に応じた任意の複屈折計測装置を用いることができる。計測部１による複屈折の計測方法として、例えば、回転検光子法、位相補償法、セナルモン法、位相変調法、及び光ヘテロダイン干渉法など、任意の計測方法を用いることができる。

判定部２は、計測部１が計測した複屈折量に基づいて、自己組織化材料の相分離の進行度を判定する。より詳細には、判定部２は、計測部１から複屈折量を取得し、取得した複屈折量と、予め記憶した進行度モデルと、を比較して相分離の進行度を判定する。

進行度モデルは、複屈折量と相分離の進行度との関係を示すモデルである。進行度モデルは、実験により予め作成され、判定部２に記憶される。図４は、進行度モデルの一例を示すグラフである。図４において、横軸はリタデーションであり、縦軸は相分離の進行度である。進行度モデルは、複屈折量毎にそれぞれ作成され、判定部２に複数の進行度モデルが記憶されてもよい。

判定部２は、コンピュータ装置１００により構成される。ここで、図５は、コンピュータ装置１００を示すブロック図である。図５に示すように、このコンピュータ装置１００は、ＣＰＵ１０１と、入力装置１０２と、表示装置１０３と、通信装置１０４と、主記憶装置１０５と、外部記憶装置１０６とを備え、これらはバス１０７により相互に接続されている。

ＣＰＵ（中央演算装置）１０１は、主記憶装置１０５上で、進行度判定プログラムを実行する。進行度判定プログラムとは、判定部２の機能を実現するプログラムのことである。ＣＰＵ１０１が、進行度判定プログラムを実行することにより、判定部２の機能が実現される。

入力装置１０２は、判定部２に外部からデータや命令を入力するための装置である。入力装置１０２は、例えば、キーボード、マウス、及びタッチパネルなどの、ユーザが直接的に入力するための装置であってもよい。また、入力装置１０２は、外部装置からの入力を可能にするＵＳＢなどの装置や、ソフトウエアであってもよい。

表示装置１０３は、判定部２から出力される映像信号を表示するディスプレイである。表示装置は、例えば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＣＲＴ（ブラウン管）、及びＰＤＰ（プラズマディスプレイ）であるが、これに限られない。判定部２による判定結果は、この表示装置１０３により表示することができる。

通信装置１０４は、判定部２が計測部１などの外部装置と通信するための装置である。判定部２は、通信装置１０４を介して、外部装置と所定の通信方式で無線通信又は有線通信を行う。通信装置１０４は、例えば、モデムやルータであるが、これに限られない。複屈折量などの情報は、この通信装置１０４を介して計測部１から入力することができる。

主記憶装置１０５は、進行度判定プログラムの実行の際に、進行度判定プログラム、進行度判定プログラムの実行に必要なデータ、及び進行度判定プログラムの実行により生成されたデータなどを記憶する。進行度判定プログラムは、主記憶装置１０５上で展開され、実行される。主記憶装置１０５は、例えば、ＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭであるが、これに限られない。進行度モデルは、この主記憶装置１０５及び外部記憶装置１０６の少なくとも一方に記憶される。また、主記憶装置１０５は、コンピュータ装置のＯＳ、ＢＩＯＳ、及び各種のミドルウエアを記憶してもよい。

外部記憶装置１０６は、進行度判定プログラム、進行度判定プログラムの実行に必要なデータ、及び進行度判定プログラムの実行により生成されたデータなどを記憶する。これらのプログラムやデータは、進行度判定プログラムの実行の際に、主記憶装置１０５に読み出される。外部記憶装置１０６は、例えば、ハードディスク、光ディスク、フラッシュメモリ、及び磁気テープであるが、これに限られない。

なお、進行度判定プログラムは、コンピュータ装置に予めインストールされていてもよいし、ＣＤ−ＲＯＭなどの記憶媒体に記憶されていてもよい。また、進行度判定プログラムは、インターネット上にアップロードされていてもよい。

以上説明した相分離観測装置及び相分離観測方法によれば、観測対象の複屈折量を計測することにより、自己組織化材料の相分離の進行度を直接的に観測することができる。つまり、相分離の成否を判定するために、観測対象を相分離観測装置から取り出す必要が無い。このため、相分離の成否を迅速に判定することができる。

なお、相分離観測装置は、観測対象のパターン領域の複数箇所における相分離の進行度を観測してもよい。これにより、観測精度を向上させることができる。また、相分離観測装置は、相分離プロセスが終了した観測対象の相分離の進行度を観測してもよいし、相分離プロセス中の観測対象の相分離の進行度を観測してもよい。

さらに、相分離観測装置は、自己組織化材料層のＬＳパターンを現像された観測対象の相分離の進行度を観測してもよい。ここでいうＬＳパターンの現像とは、相分離プロセスによって自己組織化材料層にＬＳパターンを形成した後、ＬＳパターンのスペース部分の自己組織化材料層を除去することをいう。

図６は、図１の観測対象を現像処理した後に計測したリタデーションの分布を示す平面図である。図６に示すように、パターン形成領域と非パターン形成領域とではリタデーションが異なっている。これは、ライン部分として残ったＰＳ（ポリスチレン）が複屈折性を有するためである。このように、観測対象を現像処理した後であっても、自己組織化材料層のライン部分が複屈折性を有する場合には、相分離の進行度を観測することができる。

図７は、本実施形態に係る相分離観測装置の具体例を示す図である。図７の相分離観測装置の計測部１は、光へテロダイン干渉法により複屈折量を計測する複屈折計測装置である。この計測部１は、図７に示すように、光源１１と、受光部１２と、算出部１３とを備え、観測対象３の複屈折量を計測する。

光源１１は、光へテロダイン干渉法により複屈折量を計測可能な任意の光を観測対象３に光を照射する。光源１１が照射する光は、例えば、２周波直交直線偏光であるが、これに限られない。２周波直交直線偏光とは、周波数の異なる２つの直交した直線偏光のことである。

光源１１は、レーザ発振器であるのが好ましい。これは、レーザ光のエネルギーは従来の相分離観測装置で利用されている電子線のエネルギーより小さく、複屈折量を計測する際に観測対象３の変質が生じにくいためである。光源１１は、例えば、波長が６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ発振器であるが、これに限られない。

受光部１２は、光源１１により照射され、観測対象３を透過した光を受光する。受光部１２は、受光した光に応じた電気信号を出力する。受光部１２は、例えば、フォトダイオードであるが、これに限られない。

算出部１３は、受光部１２から電気信号を受信し、受信した電気信号に基づいて複屈折量を算出する。算出部１３により算出された複屈折量は、計測部１による複屈折量の計測値として、判定部２に送られる。算出部１３は、例えば、２つの直線偏光の位相差を算出する位相差計であるが、これに限られない。

ここで、図７の相分離観測装置により相分離の進行度を観測される観測対象３について説明する。図７に示すように、観測対象３は、基板３１と、ガイドパターン３２と、自己組織化材料層３３とを備える。

基板３１は、光源１１が照射する光を透過可能な基板である。基板３１は、例えば、ガラス基板又は石英ガラス基板であるが、これに限られない。

ガイドパターン３２は、基板３１上に形成されており、ＬＳパターン形状を有する。ガイドパターン３２は、ケミカルガイド及び物理ガイドの少なくとも一方により構成され、自己組織化材料層３３がＬＳパターン形状に相分離するように、自己組織化材料をガイドする。観測対象３において、ガイドパターン３２が形成された領域がパターン領域となる。ガイドパターン３２は、光源１１が照射する光を透過可能に形成される。

自己組織化材料層３３は、ガイドパターン３２上に形成される。自己組織化材料層３３は、光源１１が照射する光を透過可能であり、かつ、複屈折性を有する自己組織化材料により形成される。自己組織化材料は、例えば、ブロックコポリマーであるが、これに限られない。自己組織化材料層３３は、相分離プロセス（アニール処理）によって、ガイドパターン３２のＬＳパターンに沿ったＬＳパターンを形成する。

上記のような観測対象３は、光源１１から受光部１２までの光路上に配置される。観測対象３の各部が、光源１１が照射する光を透過可能なのは、光へテロダイン干渉法では観測対象３の透過光により複屈折量が計測されるためである。

以上説明した通り、光へテロダイン干渉法を利用する計測部１によれば、レーザ光を利用して複屈折量を計測することができる。したがって、複屈折量を計測する際の観測対象３の変質を抑制することができる。これにより、複屈折量を高精度に計測し、相分離の進行度の観測精度を向上させることができる。また、観測対象３の変質が抑制されることにより、後工程に対する影響を抑制することができる。

なお、図７の相分離観測装置及びその相分離観測方法は、フォトマスクやナノインプリント用テンプレートのように、ガラス基板や石英ガラス基板などの透明基板の製造工程おける相分離の観測に適している。

次に、本実施形態に係るアニール装置について説明する。本実施形態に係るアニール装置は、本実施形態に係る相分離観測装置と、アニール処理のためのチャンバ４とを備える。図８は、アニール装置の一例を示す図である。図８において、アニール装置は図７に示した相分離観測装置を備える。

チャンバ４は、観測対象３のアニール処理（相分離プロセス）が行われるプロセスチャンバであり、光源１１と受光部１２との間に配置される。図８に示すように、チャンバ４は、支持部４１と、ヒータ４２と、入口部４３と、出口部４４とを備える。

支持部４１は、チャンバ４内に収納された観測対象３を支持する。支持部４１は、移動可能であるのが好ましい。これにより、支持部４１により支持された観測対象３を移動させ、観測対象３の複数箇所の相分離の進行度を観測することができる。

ヒータ４２は、支持部４１に支持された観測対象３を加熱する。図８において、ヒータ４２は、観測対象の下方に１つ設けられているが、複数設けられてもよいし、観測対象３の上方や側方に設けられてもよい。ヒータ４２は、例えば、ホットプレートであるが、これに限られない。

入口部４３は、チャンバ４の光源１１側に設けられ、光源１１から受光部１２までの光路を形成する。光源１１から照射された光は、入口部４３を介してチャンバ４内に入り、観測対象３に照射される。入口部４３は、ガラスなどの透明な材料により形成された窓であってもよいし、光源１１からの光の照射に同期して開閉するバルブやシャッターであってもよい。

出口部４４は、チャンバ４の受光部１２側に設けられ、光源１１から受光部１２までの光路を形成する。観測対象３を透過した光は、出口部４４を介してチャンバ４内を出て、受光部１２に入射する。出口部４４は、ガラスなどの透明な材料により形成された窓であってもよいし、光源１１からの光の照射に同期して開閉するバルブやシャッターであってもよい。

このアニール装置は、観測対象３のアニール処理（相分離プロセス）中に、観測対象３の相分離の進行度を観測する。チャンバ４内の温度、ガス成分、及びアニール処理の継続時間は、判定部２による判定された相分離の進行度に基づいて制御される。このような制御は、判定部２を構成するコンピュータ装置１００により行うことができる。

なお、このアニール装置は、相分離観測装置とチャンバ４とが一体に構成されてもよいし、相分離観測装置と、相分離観測装置用のチャンバ４とが、独立して構成されてもよい。また、相分離観測装置の光源１１及び受光部１２を含む光学系が移動可能であってもよい。これにより、観測対象３の複数箇所の相分離の進行度を観測することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態に係る相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置について、図９〜図１１を参照して説明する。なお、本実施形態において、相分離観測装置及びアニール装置の構成は第１実施形態と同様である。

第１実施形態に係る相分離観測方法では、観測対象の複屈折量に基づいて相分離の進行度を判定したが、上述の通り、観測対象の複屈折量には、基板の複屈折量が含まれている。そこで、本実施形態では、観測対象の複屈折量から、基板の複屈折量を減算することにより、自己組織化材料層の複屈折量を算出し、自己組織化材料層の複屈折量に基づいて、相分離の進行度を判定する。

基板の複屈折量は、例えば、相分離プロセスの開始前に、予め計測することにより取得することができる。この計測値を、観測対象の複屈折量から減算することにより、自己組織化材料層の複屈折量を算出することができる。

また、基板の複屈折量は、観測対象の非パターン領域の複屈折量を計測し、この計測値から推定することもできる。ここで、図９は、図１の観測対象の非パターン領域のリタデーションの分布を示す平面図である。上述の通り、ＦＰパターンが形成される非パターン領域では、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複屈折性が観測されない。したがって、図９に示す非パターン領域のリタデーションは、ガラス基板のリタデーションとなる。図９に示すように、ガラス基板のリタデーションは、略０〜０．８ｎｍである。

図１０は、図９のリタデーションに基づいて推定されたパターン領域のリタデーションの分布を示す平面図である。パターン領域のリタデーションの推定分布は、例えば、非パターン領域のリタデーションの分布を、最小二乗法によりフィッティングすることにより推定できる。

図１１は、図２のリタデーションから、図１０のリタデーションを減算したリタデーションの分布を示す平面図である。すなわち、図１１は、図１の観測対象のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡのリタデーションの推定分布を示している。図１１において、非パターン領域のリタデーションは、略０〜０．４ｎｍとなっており、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡのリタデーションの分布が精度よく推定されていることがわかる。

以上説明した通り、本実施形態に係る相分離観測方法によれば、自己組織化材料層の複屈折量に基づいて、相分離の進行度を判定することができる。したがって、相分離の進行度をより精度よく判定することができる。なお、パターン領域における基板の複屈折量の推定や、自己組織化材料層の複屈折量の算出は、判定部２を構成するコンピュータ装置１００により行うことができる。

（第３実施形態）
第３実施形態に係る相分離観測方法について、図１２を参照して説明する。なお、本実施形態において、相分離観測装置及びアニール装置の構成は第１実施形態と同様である。本実施形態に係る相分離観測方法は、観測対象の複屈折量に基づいて、ガイドパターンのサイズ（ピッチ）を判定する。

図１２は、ガイドパターンのサイズと、観測対象のリタデーションと、の関係を示すグラフである。図１２において、横軸はガイドパターンのサイズであり、縦軸はリタデーションの計測値である。図１２において、３つの計測結果がプロットされているが、これらはいずれも同一の自己組織化材料を含む自己組織化材料層を有する観測対象の計測結果である。

図１２に示すように、ガイドパターンのサイズが大きくなるほど、観測対象のリタデーションは大きくなっている。ガイドパターンのサイズが、自己組織化材料の固有の相分離パターンのピッチに基づいて予想した最適なガイドパターンのサイズである場合に、リタデーションは最大となった。

このように、自己組織化材料が同一の場合、ガイドパターンのサイズと、観測対象の複屈折量との間には相関がある。したがって、自己組織化材料の相分離パターンのピッチが判明している場合、観測対象の複屈折量を計測することにより、基板上に形成されたガイドパターンのサイズを判定することができる。

また、ガイドパターンのサイズと、観測対象の複屈折量との関係に基づいて、進行度モデルを補正することもできる。これにより、所定のサイズのガイドパターンを有する観測対象の進行度モデルに基づいて、様々なサイズのガイドパターンを有する観測対象の進行度モデルを作成することができる。

なお、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、各実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。さらに、異なる実施形態に記載した構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１：計測部、２：判定部、３：観測対象、４：チャンバ、１１：光源、１２：受光部、１３：算出部、３１：基板、３２：ガイドパターン、３３：自己組織化材料層、４１：支持部、４２：ヒータ、４３：入口部、４４：出口部、１００：コンピュータ装置、１０１：ＣＰＵ、１０２：入力装置、１０３：表示装置、１０４：通信装置、１０５：主記憶装置、１０６：外部記憶装置、１０７：バス

Claims

基板と、前記基板上に形成された自己組織化材料層と、を有する観測対象の複屈折量に基づいて、前記自己組織化材料層の相分離の進行度を判定することを含む
相分離観測方法。
前記複屈折量を計測することをさらに含む
請求項１に記載の相分離観測方法。
前記自己組織化材料層は、複屈折性を有するブロックコポリマーを含む
請求項１又は請求項２に記載の相分離観測方法。
前記複屈折量の計測を、光ヘテロダイン干渉法により行う
請求項２又は請求項３に記載の相分離観測方法。
前記進行度の判定は、前記観測対象の相分離プロセス中又は相分離プロセス後に行われる
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の相分離観測方法。
前記観測対象の複屈折量と前記基板の複屈折量とに基づいて、前記自己組織化材料層の前記複屈折量を算出することを更に含み、
前記進行度の判定は、前記自己組織化材料層の前記複屈折量に基づいて行われる
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の相分離観測方法。
前記自己組織化材料層を構成する自己組織化材料の相分離パターンのピッチと、前記観測対象の前記複屈折量とに基づいて、前記自己組織化材料層上に形成されたガイドパターンのサイズを判定することを更に含む
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の相分離観測方法。
基板と、前記基板上に形成された自己組織化材料層と、を有する観測対象の複屈折量に基づいて、前記自己組織化材料層の相分離の進行度を判定する判定部を備える
相分離観測装置。
請求項８に記載の相分離観測装置と、
前記観測対象のアニール処理を行うチャンバと、
を備えるアニール装置。
前記チャンバは、前記相分離観測装置の前記判定部が判定した相分離の前記進行度に基づいて、温度、ガス成分、及び処理時間の少なくとも１つを制御される
請求項９に記載のアニール装置。