JP2016046405A - Shield film and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、遮蔽膜及びその製造方法に関し、特に、遮蔽膜の接地性能を増加し、電磁遮蔽効果を増進する遮蔽膜構造及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a shielding film and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a shielding film structure that increases the grounding performance of the shielding film and enhances an electromagnetic shielding effect, and a manufacturing method thereof.
現在の産業は、現在の電子及び通信製品の発展の要求に応じる為、製品のパッケージにおいて軽薄短小が要求されているとともに、機能においても高機能性が要求されている。 In order to meet the current demands for the development of electronic and communication products, the current industry demands light, thin, and small product packages and high functionality in terms of functions.
しかしながら、上記目的を達成する為、往々にして電子製品の回路を高密度化及びクロック高周波化させ、電磁輻射の問題を日増しに深刻にさせ、機器間の干渉を招き、更に歯、人体の健康に影響を及ぼしえる。 However, in order to achieve the above-mentioned purpose, it is often the case that the circuit of an electronic product is densified and the frequency of the clock is increased, the problem of electromagnetic radiation becomes more serious every day, causing interference between devices, and further, teeth, human body May affect health.
以前、電磁輻射の問題を解決する為、回路の特殊設計及び規格が必要とされたが、この方法は、比較的長い時間及び比較的高いコストの支出が必要となっていた。近年より、遮蔽膜を利用して電磁波を遮蔽する方法に発展し、遮蔽膜は、設計し直しが不要であり、使用に便利で低コストである利点を有するので、遮蔽膜は、近年より業界中で広く使用されている。 Previously, special circuit designs and standards were required to solve the problem of electromagnetic radiation, but this method required a relatively long time and a relatively high cost of expenditure. In recent years, a method for shielding electromagnetic waves using a shielding film has been developed, and the shielding film has the advantages of being re-designed, convenient to use, and low in cost. Widely used in.
遮蔽膜の主な原理は、導電性が良好な遮蔽層を利用して電子加工部品の上下表面に貼付し、更に、回路接地線に導通する。電磁輻射が遮蔽層に入る時、電磁輻射及び遮蔽層が電磁交互作用を発生し、接地回路により電磁エネルギーを吸収し、遮蔽層に遮蔽電磁輻射の効果を達成させる。 The main principle of the shielding film is that it is attached to the upper and lower surfaces of the electronic processing component using a shielding layer having good conductivity, and is further conducted to the circuit ground line. When the electromagnetic radiation enters the shielding layer, the electromagnetic radiation and the shielding layer generate an electromagnetic interaction, absorb the electromagnetic energy by the ground circuit, and cause the shielding layer to achieve the effect of the shielding electromagnetic radiation.
遮蔽層及び電子加工部品間の接地回路の導通性は、遮蔽膜の電磁遮蔽性能に直接影響を及ぼし、接地接触抵抗が小さく、電磁交互作用が強いほど、良好な派兵効果を得ることができる。 The continuity of the ground circuit between the shielding layer and the electronic processing component directly affects the electromagnetic shielding performance of the shielding film, and the better the ground contact resistance and the stronger the electromagnetic interaction, the better the troop effect.
図１が示すのは、公知の遮蔽膜１の構造であり、それは、主に、絶縁層１１、遮蔽層１２及び導電接着剤層１３から構成される。絶縁層１１は、導電を阻隔する遮蔽層１２であり、電子部材と接触し、導電接着剤層１３は、接着剤に導電粒子１３ａを添加して構成され、前記導電粒子１３ａが電子部材の接地回路及び遮蔽層１２を導通すること、及び導電接着剤層１３の熱硬化の工程によって、前記遮蔽膜１を電子部材の上方に固着させ、電磁波を遮蔽する目的を達成することができる。
FIG. 1 shows the structure of a known shielding film 1, which is mainly composed of an insulating layer 11, a
しかしながら、図１に示す前記遮蔽膜１の周知構造は、導電接着剤層１３に導電粒子１３ａを添加し、この構造は、接着及び導電の効果を達成することができるが、同電粒子１３ａの間の接触抵抗が大きく、導電性が良好でなくなり、遮蔽効果に間接的に影響を及ぼし、且つ導電粒子１３ａの寸法の均一性、分散度及び沈降現象が何れも遮蔽膜１の導電性及び接着性に影響を及ぼし、遮蔽膜１の遮蔽効果を低減する。
However, the known structure of the shielding film 1 shown in FIG. 1 adds
周知の遮蔽膜が有する欠陥に鑑み、簡易で低コストな工程により迅速に生産可能な電磁波を良好に遮蔽できる機能を有する遮蔽膜構造及びその製造方法を提供することが必要とされている。 In view of the defects of a known shielding film, it is necessary to provide a shielding film structure having a function of satisfactorily shielding electromagnetic waves that can be quickly produced by a simple and low-cost process and a method for manufacturing the same.
本発明の目的は、導電遮蔽層の複数の金属接地電極の間の領域に充填接着層を充填し、周知技術の導電粒子を導電接着剤層に添加して導電粒子間の高い接触抵抗が導通効果を低減させることを回避し、故に本発明の遮蔽膜が、良好な接地効果を有するようにすることにある。 The object of the present invention is to fill a region between a plurality of metal ground electrodes of a conductive shielding layer with a filling adhesive layer, and add conductive particles of a well-known technique to the conductive adhesive layer to make high contact resistance between the conductive particles conductive. The object is to avoid reducing the effect, so that the shielding film of the present invention has a good grounding effect.
本発明のもう１つの目的は、本発明の遮蔽膜構造によって導電粒子を接着剤層に添加する必要がなく、故に接着剤の粘性の低下を招き、接着強度に影響を及ぼすことがないようにし、これに基づき、本発明の遮蔽膜が比較的強い接着強度を有するようにすることにある。 Another object of the present invention is that it is not necessary to add conductive particles to the adhesive layer by the shielding film structure of the present invention, so that the viscosity of the adhesive is lowered and the adhesive strength is not affected. Based on this, the shielding film of the present invention has a relatively strong adhesive strength.
本発明のもう１つの目的は、高い電気導通性、良好な接着強度及び良好な遮蔽性能の遮蔽膜を製造することができる遮蔽膜の製造方法を提供することにあり、この製造方法は、工程が簡単であるという利点を有し、コスト低減の目的を達成し、産業応用性の利点を大幅に上昇する。 Another object of the present invention is to provide a method for producing a shielding film capable of producing a shielding film having high electrical conductivity, good adhesive strength, and good shielding performance. Has the advantage of being simple, achieves the objective of cost reduction, and greatly increases the advantage of industrial applicability.
前記目的を実現する為、本発明の遮蔽膜は、
絶縁層と、
前記絶縁層の表面に設けられ、且つ一部分の領域に複数の金属接地電極を突出形成し、前記金属接地電極により散布パターンを共同構成し、複数の金属接地電極の間の領域に充填空間が形成される導電遮蔽層と、
前記充填空間に収容設置される粘着剤層と、
を含む。
In order to achieve the object, the shielding film of the present invention is
An insulating layer;
Provided on the surface of the insulating layer and projecting and forming a plurality of metal ground electrodes in a part of the region, and forming a spray pattern together with the metal ground electrode, and forming a filling space in a region between the plurality of metal ground electrodes A conductive shielding layer,
An adhesive layer accommodated and installed in the filling space;
including.
前記絶縁層は、第１絶縁材で単独構成されるか、第１絶縁材及び接着材により共同構成される。 The insulating layer is composed solely of the first insulating material or is composed of the first insulating material and the adhesive.
第１実施例において、前記導電遮蔽層には、前記絶縁層と接続する少なくとも１つの金属遮蔽材が設けられ、且つ前記金属遮蔽材の表面に複数の金属接地電極が設けられる。 In the first embodiment, the conductive shielding layer is provided with at least one metal shielding material connected to the insulating layer, and a plurality of metal ground electrodes are provided on the surface of the metal shielding material.
第２実施例において、前記導電遮蔽層には、前記絶縁層と接続する少なくとも１つの金属遮蔽材が設けられ、且つ前記金属遮蔽材に複数の金属接地電極が突出形成される。 In the second embodiment, the conductive shielding layer is provided with at least one metal shielding material connected to the insulating layer, and a plurality of metal ground electrodes protrude from the metal shielding material.
第３実施例において、前記絶縁層は、複数の第１隆起部を有し、前記導電遮蔽層には、前記絶縁層と接続する少なくとも１つの金属遮蔽材が設けられ、前記金属遮蔽材には、各第１隆起部に対応して金属接地電極がそれぞれ形成される。 In a third embodiment, the insulating layer has a plurality of first raised portions, the conductive shielding layer is provided with at least one metal shielding material connected to the insulating layer, and the metal shielding material has A metal ground electrode is formed corresponding to each first raised portion.
可能な実施例において、前記導電遮蔽層には、更に、少なくとも１つの耐候層が設けられる。 In a possible embodiment, the conductive shielding layer is further provided with at least one weathering layer.
好適実施例において、前記導電遮蔽層には、少なくとも１つの第２絶縁材が設けられ、前記第２絶縁材の上下表面は、それぞれ金属遮蔽材の表面に接続する。 In a preferred embodiment, the conductive shielding layer is provided with at least one second insulating material, and the upper and lower surfaces of the second insulating material are connected to the surface of the metal shielding material, respectively.
前記接着剤の材料は、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、亜鉛（Zn）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、鉄（Fe）、バナジウム（V）、コバルト（Co）、ニオブ（Nb）、高分子材料のうちの少なくとも１種の材料又は前記材料の酸化物から選択して構成される。 The adhesive material is nickel (Ni), tin (Sn), zinc (Zn), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), molybdenum (Mo ), Tungsten (W), iron (Fe), vanadium (V), cobalt (Co), niobium (Nb), at least one material selected from polymer materials, or an oxide of the material. The
第４実施例において、遮蔽膜は、その中に絶縁導熱材料粒子を有する絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられ、且つ一部分の領域に複数の金属接地電極を突設形成し、前記金属接地電極によって散布パターンを共同構成し、複数の金属接地電極の間の領域に充填空間が形成される絶縁層と、前記充填空間に収容設置される接着剤層と、を含み、前記接着剤層に金属粒子を設置する。 In the fourth embodiment, the shielding film includes an insulating layer having insulating heat conducting material particles therein, a surface of the insulating layer, and a plurality of metal ground electrodes projectingly formed in a partial region, The adhesive layer includes an insulating layer in which a dispersion pattern is jointly configured by ground electrodes, and a filling space is formed in a region between a plurality of metal ground electrodes, and an adhesive layer accommodated and installed in the filling space. Install metal particles on
第５実施例において、遮蔽膜は、一部分領域に複数の金属接地電極が突出形成され、前記金属接地電極によって電極パターンを共同構成し、複数の金属接地電極の間の領域に充填空間が形成される導電遮蔽層と、前記充填空間に収容設置される接着剤層と、含む。 In the fifth embodiment, the shielding film has a plurality of metal ground electrodes protruding in a partial region, and an electrode pattern is jointly formed by the metal ground electrode, and a filling space is formed in a region between the plurality of metal ground electrodes. A conductive shielding layer and an adhesive layer accommodated and installed in the filling space.
第１実施例の遮蔽膜の製造方法において、（Ａ）基材を導電遮蔽層と接続し、前記基材及び導電遮蔽層に複数の凹孔を形成するステップと、（Ｂ）前記導電遮蔽層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層によって前記凹孔を充填するステップと、（Ｃ）前記絶縁層の表面にカバーフィルムを形成するステップと、（Ｄ）前記導電遮蔽層の表面の基材を除去し、前記導電遮蔽層の表面に複数の金属接地電極を突出形成するステップと、（Ｅ）前記導電遮蔽層の表面に接着剤層を設置し、前記金属接地電極に電極パターンを露出形成させるステップと、を含む。 In the manufacturing method of the shielding film of the first embodiment, (A) connecting the base material to the conductive shielding layer, forming a plurality of concave holes in the base material and the conductive shielding layer, and (B) the conductive shielding layer. Forming an insulating layer on the surface of the insulating layer and filling the concave hole with the insulating layer; (C) forming a cover film on the surface of the insulating layer; and (D) a surface base of the conductive shielding layer. Removing a material and forming a plurality of metal ground electrodes on the surface of the conductive shield layer; and (E) installing an adhesive layer on the surface of the conductive shield layer to expose an electrode pattern on the metal ground electrode. Forming.
第１の方法の実施例において、そのステップ（Ａ）は、前記基材に複数の凹孔を形成すること、及び前記基材の表面及び凹孔に前記導電遮蔽層を形成することを含む。 In an embodiment of the first method, the step (A) includes forming a plurality of concave holes in the base material, and forming the conductive shielding layer on the surface and concave holes of the base material.
第２の方法の実施例において、そのステップ（Ａ）は、前記基材の表面に前記導電遮蔽層を形成すること、及び前記基材及び導電遮蔽層により複数の凹孔を共同形成することを含む。 In an embodiment of the second method, the step (A) includes forming the conductive shielding layer on the surface of the base material, and co-forming a plurality of concave holes by the base material and the conductive shielding layer. Including.
第３の方法の実施例において、そのステップ（Ａ）は、基材に前記凹孔を形成し、前記基材の表面に導電材を形成することと、前記導電材に対して鈍化の表面処理を行うことと、前記導電材表面に前記導電遮蔽層を形成することとを含む。 In an embodiment of the third method, the step (A) includes forming the concave hole in a base material, forming a conductive material on the surface of the base material, and a surface treatment for blunting the conductive material. And forming the conductive shielding layer on the surface of the conductive material.
本発明の利点は、導電遮蔽層及びその金属接地電極によって、前記複数の金属接地電極間の領域に接着剤層を充填し、上記構造を利用して、導通性質を向上し、良好な電磁遮蔽効果を獲得し、且つ導電粒子を接着剤層に添加する必要がなく、接着強度を増加させることもでき、また、本発明の遮蔽膜の製造方法によって、工程を簡単にし、コストを低減し、産業応用性を増加させる目的を達成することができる。 An advantage of the present invention is that the conductive shielding layer and its metal ground electrode fill the region between the plurality of metal ground electrodes with an adhesive layer, and the above structure is used to improve conduction properties and to provide good electromagnetic shielding. It is not necessary to obtain the effect and conductive particles need to be added to the adhesive layer, and the adhesive strength can be increased. Further, the manufacturing method of the shielding film of the present invention simplifies the process, reduces the cost, The purpose of increasing industrial applicability can be achieved.
本考案の構造、使用及びその特徴をより一層明確に、詳細に認識、理解させる為、好適実施例を挙げ、図面を併せて以下に詳細に説明する。 In order to make the structure, use and features of the present invention clearer and more detailed, a preferred embodiment will be given and described in detail below with reference to the drawings.
図２を参考し、それは、本発明の遮蔽膜２の構造の第１実施例であり、それは、絶縁層２１、導電遮蔽層２２及び接着剤層２４を含む。
Referring to FIG. 2, it is a first embodiment of the structure of the
図２に示すように、前記絶縁層２１は、第１絶縁材２１ａを有する単独構造であることができ、前記第１絶縁材２１ａの厚さは、５〜２５μｍに介する。前記第１絶縁材２１ａの材料は、ポリイミド（PI-Polyimide）、ポリエチレンテレフタレート（PET-Polyethylene Terephthalate）、ポリカーボネート（PC-polycarbonate）又はポリフェニレンスルホン（PPSU-Polyphenylene sulfon）のうちの少なくとも１種の材料から選択して構成されることができる。好適実施例において、前記第１絶縁材２１ａの材料は、黒色材料により本発明の遮蔽膜２の製造時に良好な効果を有する。
As shown in FIG. 2, the insulating
継続して図２を参照し、前記絶縁層２１の表面に導電遮蔽層２２を設置し、前記導電遮蔽層２２は、金属遮蔽材２２１を有し、前記金属遮蔽材２２１は、前記絶縁層２１の表面に接続し、前記金属遮蔽材２２１の厚さは、０．１〜１５μｍの範囲に介し、且つ前記金属遮蔽材２２１の材料は、銅（Cu）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、ニッケル（Ni）と、亜鉛（Zn）、スズ（Sn）、鉄（Fe）、炭素（C）、グラファイト（黒鉛）、グラフェン（グラフェン）、導電高分子材料のうちの少なくとも１種の材料から構成される。
Continuing to refer to FIG. 2, a
図２に示すように、前記金属遮蔽材２２１の表面に複数の外凸状の金属接地電極２２２を設置し、前記金属接地電極２２２の高さは、３〜３０μｍに介し、且つ前記金属接地電極２２２の材料は、銅（Cu）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、ニッケル（Ni）と、亜鉛（Zn）、スズ（Sn）、鉄（Fe）、炭素（C）、グラファイト（黒鉛）、グラフェン（グラフェン）、導電高分子材料のうちの少なくとも１種の材料から構成される。
As shown in FIG. 2, a plurality of outer convex
継続して図２を参照し、前記複数の金属接地電極２２２は、導電遮蔽層２２表面に共同で電極パターンを形成する。前記金属接地電極２２２をパターン化することによって複数の金属接地電極２２２の間の領域に充填空間２３を形成させることができ、前記充填空間２３は、前記導電遮蔽層２２表面積の１００分の６５〜９９を占め、前記充填空間２３は、接着剤層２４をその中に充填することに用いる。
Continuing to refer to FIG. 2, the plurality of
図２の接着剤層２４の材質は、熱硬化のエポキシ樹脂、（Epoxy）、アクリル樹脂（Acrylic acid）、ポリウレタン樹脂（Polyurethane）、ポリイミド樹脂（Polyimide）のうちの少なくとも１種から構成される。
The material of the
図３に示すように、好適実施例において、前記絶縁層２１は、接着材２１ｂを更に含むことができ、前記第１絶縁材２１ａ及び前記接着剤２１ｂに複合構造の絶縁層２１を共同形成させ、前記接着材２１ｂの厚さは、０．０１〜１０μｍに介し、且つ前記接着材２１ｂの材料は、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、亜鉛（Zn）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、鉄（Fe）、バナジウム（V）、コバルト（Co）、ニオブ（Nb）、高分子材料のうちの少なくとも１種の材料又は前記材料の酸化物から選択されて構成され、また、前記導電遮蔽層２２には、更に、耐候層２２３が設けられることができ、前記金属接地電極２２２表面に更に耐候層２２３を接続被覆することができ、前記耐候層２２３の厚さは、０．００５〜１μｍに介し、且つ前記耐候層２２３の材料は、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、亜鉛（Zn）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、鉄（Fe）、バナジウム（V）、コバルト（Co）、ニオブ（Nb）、高分子材料のうちの少なくとも１種の材料又は前記材料の酸化物から選択されて構成される。
As shown in FIG. 3, in a preferred embodiment, the insulating
本発明の遮蔽膜２の第１実施例の構造の前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、複数層の金属遮蔽材２２１を形成させ、図４に示すようである。
The
もう１つの可能な実施例において、本発明の遮蔽膜２の第１実施例の構造の前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図５に示すようである。
In another possible embodiment, the
もう１つの好適実施例において、図６に示すように、前記導電遮蔽層２２に少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面がそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
In another preferred embodiment, as shown in FIG. 6, at least one second insulating
図７を参照し、それは、本発明の遮蔽膜２の第２実施例の構造であり、前記導電遮蔽層２２には、前記絶縁層２１と接続する金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１の部分領域に外向きに凸伸し、複数の金属接地電極２２２を形成し、前記複数の金属接地電極２２２の間で前記接着剤層２４を充填空間２３に充填する。
Referring to FIG. 7, it is the structure of the second embodiment of the
図８に示すように、前記絶縁層２１は、更に接着材２１ｂを有し、前記金属遮蔽材２２１の表面に耐候層２２３を設置し、且つ前記実施例と同様に、前記複数の金属接地電極２２２の間で前記接着剤層２４を充填空間２３に充填する。
As shown in FIG. 8, the insulating
本発明の遮蔽膜２の第２実施例の構造の前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、複数層の金属遮蔽材２２１を形成させ、図９に示すようである。
The
もう１つの可能な実施例において、本発明の遮蔽膜２の第２実施例の構造の前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１０に示すようである。
In another possible embodiment, the
もう１つの好適実施例において、図１１に示すように、前記導電遮蔽層２２に少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
In another preferred embodiment, as shown in FIG. 11, at least one second insulating
図１２を参照し、それは、本発明の遮蔽膜２の第３実施例の結構であり、第３実施例において、前記絶縁層２１の部分領域表面に複数の第１隆起部２１ｃを有し、前記第１隆起部２１ｃは、外向きに表面に凸伸し、前記導電遮蔽層２２には、前記絶縁層２１と接続する金属遮蔽材２２１が設けられ、前記金属遮蔽材２２１の前記第１隆起部２１ｃと対応する箇所に金属接地電極２２２をそれぞれ形成し、また、前記複数の金属接地電極２２２の間で前記接着剤層２４を充填空間２３に充填する。
Referring to FIG. 12, it is the structure of the third embodiment of the
図１３を参照し、前記絶縁層２１は、接着材２１ｂを更に有し、前記金属遮蔽材２２１の表面に更に耐候層２２３を設置し、前記複数の金属接地電極２２２の間で前記接着剤層２４を充填空間２３に充填する。
Referring to FIG. 13, the insulating
本発明の遮蔽膜２の第３実施例構造の前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、複数層の金属遮蔽材２２１を形成させ、図１４に示すようである。
The
もう１つの可能な実施例において、本発明の遮蔽膜２の第３実施例の構造の前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１５に示すようである。
In another possible embodiment, the
もう１つの好適実施例において、図１６に示すように、前記導電遮蔽層２２には、少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
In another preferred embodiment, as shown in FIG. 16, the
本発明の遮蔽膜２の第４実施例の構造の図１７〜図１９に示すように、絶縁層２１と、一部分領域に複数の金属接地電極２２２が突出形成され、前記金属接地電極２２２によって電極パターンを共同構成し、複数の金属接地電極２２２の間の領域に充填空間２３を形成する導電遮蔽層２２と、前記充填空間２３に収容設置される接着剤層２４とを含む。前記絶縁層２１中に絶縁導熱材料粒子２１ｅ、例えば、酸化アルミ（Al2O3）、窒化アルミニウム（AlN）、窒化ホウ素（BN）、炭化珪素（SiC）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化ニッケル（NiO）、シリカ（SiO2）、窒化ケイ素（Si3N4）、炭素（C）、重合体の絶縁導熱材料粒子のうちの少なくとも１種を添加し、且つ前記接着剤層２４に金属粒子２４ａを設置する。
As shown in FIGS. 17 to 19 of the structure of the fourth embodiment of the
前記導電遮蔽層２２には、前記絶縁層２１と接続する金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１表面に複数の外凸状の金属接地電極２２２を設置し、図１７に示すようである。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、図４に示すようであり、もう１つの実施例において、前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうち一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時接地することができ、図５に示すようである。もう１つの好適実施例において、前記導電遮蔽層２２には、少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面がそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続し、図６に示すようである。
The
図１８に示すように、前記導電遮蔽層２２には、前記絶縁層２１と接続する金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１の部分領域は、外向きに凸伸して複数の金属接地電極２２２を形成する。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、図９に示すようである。もう１つの実施例において、本発明の遮蔽膜２の第２実施例の構造の前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１０に示すようである。もう１つの好適実施例において、図１１に示すように、前記導電遮蔽層２２に少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
As shown in FIG. 18, the
図１９に示すように、前記絶縁層２１の部分領域表面に複数の第１隆起部２１ｃを有し、前記第１隆起部２１ｃは、外向きに表面に凸伸し、前記導電遮蔽層２２には、前記絶縁層２１と接続する金属遮蔽材２２１が設けられ、前記金属遮蔽材２２１の前記第１隆起部２１ｃと対応する箇所に金属接地電極２２２をそれぞれ形成する。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、図１４に示すようである。もう１つの実施例において、前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１５に示すようである。もう１つの好適実施例において、図１６に示すように、前記導電遮蔽層２２には、少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
As shown in FIG. 19, the insulating
上記好適実施例において、金属接地電極２２２により接地し、絶縁導熱材料粒子２１ｅを絶縁層２１中に添加し、同時に金属粒子２４ａを接着剤層２４に増加する技術手段によって、本発明の遮蔽膜２に良好な接地効果をもたせ、放熱効果ももたせる。
In the above preferred embodiment, the shielding
本発明の遮蔽膜２の第５実施例の構造は、図２０〜図２２に示すように、一部分の領域に複数の金属接地電極２２２が突出形成され、前記金属接地電極２２２によって電極パターンを共同構成し、複数の金属接地電極２２２の間の領域に充填空間２３を形成する導電遮蔽層２２と、前記充填空間２３に収容設置する接着剤層２４と、を含む。
In the structure of the fifth embodiment of the
図２０に示すように、前記導電遮蔽層２２には、金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１表面に複数の外凸状金属接地電極２２２を設置する。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、複数層の金属遮蔽材２２１を形成させ、図４に示すようである。もう１つの実施例において、前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図５に示すようである。もう１つの好適実施例において、前記導電遮蔽層２２中に少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面がそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続し、図６に示すようである。
As shown in FIG. 20, the
図２１に示すように、前記導電遮蔽層２２には、金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１の部分領域に外向きに凸伸し、複数の金属接地電極２２２を形成する。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、図９に示すようである。もう１つの実施例において、前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１０に示すようである。もう１つの好適実施例において、図１１に示すように、前記導電遮蔽層２２中に少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
As shown in FIG. 21, the
図２２に示すように、前記導電遮蔽層２２には、金属遮蔽材２２１が設けられ、且つ前記金属遮蔽材２２１は、金属接地電極２２２を形成する。実施例において、前記導電遮蔽層２２は、少なくとも１つの前記金属遮蔽材２２１を有することができ、図１４に示すようである。もう１つの実施例において、前記耐候層２２３は、前記金属遮蔽材２２１の上下表面のうちの一面に増設するか、前記金属遮蔽材２２１の上下表面に同時に設置することができ、図１５に示すようである。もう１つの好適実施例において、図１６に示すように、前記導電遮蔽層２２には、少なくとも１つの第２絶縁材２２４が設けられ、前記第２絶縁材２２４の上下表面にそれぞれ金属遮蔽材２２１の表面に接続する。
As shown in FIG. 22, the
本発明の第５実施例の遮蔽膜２も、絶縁層２１を設置する必要があるが、第５実施例の遮蔽膜２を電子製品の表面殻体と接続するように設置し、これにより遮蔽電子製品の電磁波は、金属接地電極２２２によって接地され、良好な接地効果を獲得する。
The shielding
前記実施例の接着材２１ｂ及び耐候層２２３は、何れも遮蔽膜２の製造工程の要求に従って設置することができ、前記接着材２１ｂ及び耐候層２２３を同時に増設することなく、ただ前記接着材２１ｂのみを増設するか、ただ前記耐候層２２３のみを増設するか、或いは、前記接着材２１ｂ及び耐候層２２３を同時に増設することができる。
Both the
図２３〜図２５に示すように、前記導電遮蔽層２２の金属接地電極２２２の堆積態様は、各種幾何態様のうちの１種に設けることができ、例えば、図２３に示すように柱状の堆積態様であり、図２４に示すように台形状の堆積態様であり、図２５に示すように錐形状堆積態様であることができる。
As shown in FIGS. 23 to 25, the
図２６〜図２８に示すのは、各種金属接地電極２２２が前記導電遮蔽層２２表面上方に設置される態様の構造の説明図であり、前記金属接地電極２２２の態様は、各種幾何態様のうちの１種に設けることができ、接着剤層２４を複数の金属接地電極２２２の間の充填空間２３に充填し、好適実施例において、金属接地電極２２２を、図２５に示すように直線ストライプ状に設け、図２６に示すように円柱形状に設け、図２７に示すように菱形メッシュ状に設けるか、図２８に示すように、六角形状メッシュ状に設けることができる。
FIG. 26 to FIG. 28 are explanatory views of a structure in which various
図２９〜図３０に示すのは、遮蔽膜２の製造方法の第１実施例のフロー及び構造説明図であり、それは、以下のステップを含む。
FIG. 29 to FIG. 30 are explanatory views of the flow and structure of the first embodiment of the method for manufacturing the
（Ａ）基材２５をエンボス加工機により少なくとも１つの凹孔を形成した後、前記基材２５の表面及び凹孔にスパッタリング機によるスパッタリング、蒸着機による蒸着、又は化学鍍金のうちの１種の方式で前記導電遮蔽層２２を形成し、前記基材２５及び導電遮蔽層２２を相互に接続し、複数の凹孔パターンを共同でもたせる。前記エンボス加工機による熱プレスダイキャストの熱圧温度は、約１００〜２００℃である。
(A) After forming at least one concave hole on the
（Ｂ）前記導電遮蔽層２２表面に塗布機により絶縁層２１を塗布貼合し、前記絶縁層２１を前記導電遮蔽層２２上方に設置し、前記絶縁層２１を前記凹孔に充填して充満させ、前記絶縁層２１は、単一第１絶縁材２１ａ構造又は第１絶縁材２１ａ表面に接着材２１ｂの複合構造を設ける。
(B) The insulating
（Ｃ）前記絶縁層２１表面にカバーフィルム２６を貼合形成し、前記カバーフィルム２６は、ＰＥＴであることができ、前記カバーフィルム２６は、遮蔽膜２を使用する時に除去することができる。
(C) A
（Ｄ）前記導電遮蔽層２２表面の基材２５を除去し、前記エンボス加工機によりダイキャストした凹孔パターンを露出させ、前記凹孔パターンが導電遮蔽層２２の表面に突出し、複数の金属接地電極２２２を形成する。
(D) The
（Ｅ）前記導電遮蔽層２２表面に金属接地電極２２２を有さない充填空間２３内に接着剤層２４を充填設置し、前記金属接地電極２２２を導電遮蔽層２２の表面上方に露出させ、電極パターンを形成する。
(E) An
可能な態様において、図３１に示すように、更に、もう１つのステップを含むことができる。 前記接着剤層２４及び金属接地電極２２２の表面に離型材３を設置し、製品表面を保護し、美観性を増加する。
In a possible embodiment, another step may be included as shown in FIG. The release material 3 is installed on the surface of the
図３２〜図３３は、遮蔽膜２の製造方法の第２実施例であり、それは、ただステップ（Ａ）が前記第１実施例と異なり、本発明の第２実施例のステップ（Ａ）は、基材２５を設置し、先ず、前記基材２５の表面において、蒸着、スパッタリング又は化学鍍金により前記導電遮蔽層２２を形成し、前記基材２５を前記導電遮蔽層２２と相互に接続させ、前記基材２５及び導電遮蔽層２２をエンボス加工機により共同でダイキャストし、前記凹孔を形成し、前記基材２５及び導電遮蔽層２２を共同で複数の凹孔をもたせた後にその残りのステップを行う。そのステップ（Ｂ）〜（Ｅ）は、第１実施例と何れも同一であるので、ここでは、再度記載しない。
32 to 33 show a second embodiment of the manufacturing method of the
図３４〜図３５を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第３実施例であり、それは、ステップ（Ａ）のみが前記第１及び第２実施例と異なり、本発明の第３実施例のステップ（Ａ）は、直接エンボス加工機により基材２５をダイキャストし、前記基材は、繰り返し使用できる母型として設けられて前記凹孔パターンを形成し、前記基材２５の表面において、蒸着、スパッタリング又は化学鍍金方式で導電材２７を形成し、前記導電材２７は、金属材質であり、それから、前記導電材２７に鈍化の表面処理を行い、前記鈍化処理は、金属の表面状態を変化させており、金属を耐腐蝕の鈍化状態にし、金属表面に薄膜を形成し、この層膜は、即ち、鈍化膜であり、産業応用において、通常鈍化材（主に酸化剤）を使用し、金属に対して鈍化処理を行い、一層の保護膜を形成し、例えば、冷濃硫酸、冷濃硝酸及び鉄、アルミは、何れも鈍化を発生することができ、本発明のこの鈍化処理は、導電材２７を容易に接触する層耐と剥離分離させ、基材２５の耐久性を増強することができる。
34 to 35, which is a third embodiment of the method for manufacturing the
ステップ（Ａ）は、最後に前記導電材２７の表面において、スパッタリング、化学鍍金又は電気鍍金方式で前記導電遮蔽層２２を形成する。前記電気鍍金工程は、高効率且つ精密な成型技術であり、電気鍍金堆積の原理によって、外部に提供される電気エネルギーにより、金属イオン及びその他の添加物を含有する混合溶液を陰極又は陽極表面で電気化学の酸化還元反応を行わせ、堆積させたい金属を物体表面に形成する。前記第３実施例は、その残りのステップ（Ｂ）〜（Ｅ）は、第１及び第２実施例と何れも同一であるので、ここでは、再度記載しない。
In step (A), finally, the
図３６〜図３７を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第４実施例であり、それは、以下のステップを含む。
（Ａ）絶縁層２１を提供する。
（Ｂ）前記絶縁層２１の表面に蒸着、スパッタリング又は化学鍍金方式で導電遮蔽層２２を成型する。
（Ｃ）前記絶縁層２１及び導電遮蔽層２２に対してエンボス加工機により突起した金属接地電極２２２を同時に共同形成する。
（Ｄ）前記導電遮蔽層２２の表面の充填空間２３内に接着剤層２４を充填設置し、前記金属接地電極２２２を表面に露出させて電極パターンを形成する。
36 to 37, it is the fourth embodiment of the manufacturing method of the
(A) The insulating
(B) A
(C) A
(D) The
図３８〜図３９を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第５実施例のフロー説明図及びその構造図であり、それは、以下のステップを含む。
そのステップ（Ａ）は、先ず、第１絶縁材２１ａを提供し、塗布機により高分子材料２１ｄを前記第１絶縁材２１ａ表面上方に塗布した後、前記高分子材料２１ｄを予備硬化し、ダイキャストを行って、前記高分子材料２１ｄをパターン化し、前記第１絶縁材２１ａ及び前記高分子材料２１ｄを共同で前記絶縁層２１を構成し、その後、前記絶縁層２１の表面に複数の突起を形成し、最後に、ＵＶ光照射又はオーブンでベイクする方式で前記高分子材料２１ｄの硬化定形を完成することができる。
（Ｂ）前記絶縁層２１上に導電遮蔽層２２を形成し、前記導電遮蔽層２２は、前記突起に対応して金属接地電極２２２を形成する。
（Ｃ）前記導電遮蔽層２２の表面に接着剤層２４を設置し、前記金属接地電極２２２を露出して電極パターンを形成する。
38 to 39, which are a flow diagram and a structural diagram of a fifth embodiment of the method for manufacturing the
In the step (A), first, the first insulating
(B) A
(C) An
続けて、図４０〜図４１を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第６実施例のフロー図及びその構造図であり、第６実施例及び第５実施例が同一のフロー図を有し、ステップ（Ａ）のみが異なり、第６実施例のステップ（Ａ）は、第１絶縁材２１ａを提供し、転写又はスクリーン印刷方式で高分子材料２１ｄをパターン化し、前記高分子材料２１ｄを前記第１絶縁材２１ａの表面に設置し、前記絶縁層２１を共同構成し、その後、前記絶縁層２１は、複数の突起を形成し、最後に、前記実施例と同様に、ＵＶ光照射又はオーブンでベイクする方式前記高分子材料２１ｄの硬化定形を完成することができる。
Next, referring to FIGS. 40 to 41, which are a flow chart and a structural diagram of the sixth embodiment of the manufacturing method of the
第６実施例は、ステップ（Ａ）のみが第５実施例と異なり、その残りのステップ（Ｂ）〜（Ｃ）は、第５実施例と何れも同一であるので、ここでは、再度記載しない。 In the sixth embodiment, only step (A) is different from the fifth embodiment, and the remaining steps (B) to (C) are the same as those in the fifth embodiment, and are not described here again. .
図４２〜図４４を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第７実施例のフロー説明図及びその構造図であり、それは、以下のステップを含む。
（Ａ）圧延方式又は電気鍍金方式で導電遮蔽層２２を形成し、前記導電遮蔽層２２の表面に複数の突起を形成し、前記突起が金属接地電極２２２を形成する。
（Ｂ）前記導電遮蔽層２２の表面に絶縁層２１を形成する。
（Ｃ）前記導電遮蔽層２２の絶縁層２１一側に相対するもう１つの表面上方に接着剤層２４を設置し、前記金属接地電極２２２を露出させ、電極パターンを形成する。
42 to 44, which are a flow diagram and a structural diagram of the seventh embodiment of the manufacturing method of the
(A) The
(B) An insulating
(C) An
実施例において、前記ステップ（Ａ）の導電遮蔽層２２は、エンボス加工機により複数の突起をダイキャスト形成し、図４３に示すようである。
In the embodiment, the
もう１つの実施例において、前記ステップ（Ａ）の導電遮蔽層２２は、凹孔を有する金型で成型でき、前記導電遮蔽層２２に金型中において複数の突起を形成させ、図４４に示すようである。
In another embodiment, the
前記第７実施例の２つの可能な態様は、ステップ（Ａ）の導電遮蔽層２２を形成する方式のみが異なり、故にステップ（Ｂ）及び（Ｃ）は、更に説明せず、また、本第７実施例の図４４の導電遮蔽層２２は、前記耐候層２２は、前記耐候層２２３を設置せず、可能な方式において、電気鍍金方式により更に耐候層２２３（図示せず）を金属接地電極２２２の外部に設置することができる。
The two possible aspects of the seventh embodiment differ only in the method of forming the
前記第１実施例の第７実施例の製造方法の絶縁層２１は、何れも単一の第１絶縁材２１ａ構造又は第１絶縁材２１ａの表面に接着材２１ｂを設けた複合構造であることができ、且つその導電遮蔽層２２の耐候層２２３は、必要に応じて設置することができ、実施例において、前記耐候層２２３は、金属接地電極２２２の表面に耐候層２２３を増設するか（図４、図９、図１４参照）、前記導電遮蔽層２２を形成する時にスパッタリング、電気鍍金又は化学鍍金の方式で耐候層２２３を前記金属遮蔽材２２１の上下表面に増加形成し（図５、図１０、図１５参照）、また、上記遮蔽膜２の製造方法は、何れも更にもう１つのステップを含む：前記接着剤層２４及び金属接地電極２２２の表面に離型材３（図３２参照）を設置し、製品表面を保護し、美観性を増加する。
The insulating
下表は、本発明の遮蔽膜２の構造及びその製造方法により製造した遮蔽膜２と周知の遮蔽膜１の比較表であり、本発明の遮蔽膜２の構造及びその製造方法で製造した遮蔽膜２が確かに周知の遮蔽膜２と比較して良好な接地効果及び接着強度を有することを分かることができる。
The following table is a comparison table between the shielding
上記のように、本発明の利点は、導電遮蔽層及びその金属接地電極によって、前記複数の金属接地電極間の領域において接着剤層をその中に充填し、前記構造は、従来技術の遮蔽膜内の導電粒子間の高い接触抵抗を回避することができ、従って、本発明の遮蔽膜は、良好な導電性質を獲得し、遮蔽膜の電磁遮蔽効果を向上させることができることである。 As described above, the advantage of the present invention is that the conductive shielding layer and the metal ground electrode fill the adhesive layer in the region between the plurality of metal ground electrodes, and the structure is a conventional shielding film. A high contact resistance between the conductive particles can be avoided, and therefore the shielding film of the present invention can acquire good conductive properties and improve the electromagnetic shielding effect of the shielding film.
なお、本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない均等の範囲内で各種の変動や潤色を加えることができることは勿論である。 In the present invention, the preferred embodiments have been disclosed as described above, but these are not intended to limit the present invention in any way, and anyone who is familiar with the technology can make an equivalent scope without departing from the spirit and scope of the present invention. Of course, various fluctuations and hydration colors can be added.
〔従来技術〕
１ 遮蔽膜 shielding film
１１ 絶縁層 insulating layer
１２ 遮蔽層 shield layer
１３ 導電接着剤層 conductive adhesive layer
１４ 導電粒子 conductive particles
〔本発明〕
２ 遮蔽膜 shielding film
２１ 絶縁層 insulating layer
２１ａ 第１絶縁材 first insulating material
２１ｂ 接着材 adhesive material
２１ｃ 第１隆起部 first ridge portion
２１ｄ 高分子材料 polymer material
２１ｅ 絶縁導電材料粒子 insulated conductive material particles
２２ 導電遮蔽層 conductive shielding layer
２２１ 金属遮蔽材 metal shielding material
２２２ 金属接地電極 metal ground electrode
２２３ 耐候層 weather-proof layer
２２４ 第２絶縁材 second insulating material
２３ 充填空間 filling space
２４ 接着剤層 adhesive layer
２４ａ 金属粒子 metal particles
２５ 基材 substrate
２６ カバーフィルム cover film
２７ 導電材 conductive material
３ 離型材 release material
[Conventional technology]
1 Shielding film
11 Insulating layer
12 shield layer
13 conductive adhesive layer
14 conductive particles
[Invention]
2 shielding film
21 insulating layer
21a first insulating material
21b adhesive material
21c first ridge portion
21d polymer material
21e insulated conductive material particles
22 conductive shielding layer
221 metal shielding material
222 metal ground electrode
223 weather-proof layer
224 second insulating material
23 filling space
24 adhesive layer
24a metal particles
25 substrate
26 cover film
27 conductive material
3 Release material
好適実施例において、前記絶縁層は、第１絶縁材で単独構成されるか、第１絶縁材及び接着材により共同構成され、且つ前記接着材の材料は、高分子材料から選択される。
もう１つの好適実施例において、前記絶縁層及び導電遮蔽層の間に接着材を設け、前記接着材の材料は、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、亜鉛（Zn）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、鉄（Fe）、バナジウム（V）、コバルト（Co）、ニオブ（Nb）のうちの少なくとも１種の材料又は前記材料の酸化物から選択して構成される。
In a preferred embodiment, the insulating layer is constituted by a first insulating material alone or jointly by a first insulating material and an adhesive material, and the material of the adhesive material is selected from polymer materials.
In another preferred embodiment, an adhesive is provided between the insulating layer and the conductive shielding layer, and the material of the adhesive is nickel (Ni), tin (Sn), zinc (Zn), silver (Ag), Copper (Cu), aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), iron (Fe), vanadium (V), cobalt (Co), niobium (Nb) At least one of these materials or an oxide of the material is selected.
図８に示すように、前記絶縁層２１は、更に接着材２１ｂを有し、且つ前記接着材２１ｂの材料は、高分子材料から選択され、前記金属遮蔽材２２１の表面に耐候層２２３を設置し、且つ前記実施例と同様に、前記複数の金属接地電極２２２の間で前記接着剤層２４を充填空間２３に充填する。
または、前記絶縁層２１及び導電遮蔽層２２１の間にさらに接着材２１ｂを設け、前記接着材２１ｂの材料は、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、亜鉛（Zn）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、鉄（Fe）、バナジウム（V）、コバルト（Co）、ニオブ（Nb）のうちの少なくとも１種の材料又は前記材料の酸化物から選択して構成される。
As shown in FIG. 8, the insulating
Alternatively, an adhesive 21b is further provided between the insulating
図４２〜図４４を参照し、それは、遮蔽膜２の製造方法の第７実施例のフロー説明図及びその構造図であり、それは、以下のステップを含む。
（Ａ）ダイキャスト方式又は電気鍍金方式で導電遮蔽層２２を形成し、前記導電遮蔽層２２の表面に複数の突起を形成し、前記突起が金属接地電極２２２を形成する。
（Ｂ）前記導電遮蔽層２２の表面に絶縁層２１を形成する。
（Ｃ）前記導電遮蔽層２２の絶縁層２１一側に相対するもう１つの表面上方に接着剤層２４を設置し、前記金属接地電極２２２を露出させ、電極パターンを形成する。
42 to 44, which are a flow diagram and a structural diagram of the seventh embodiment of the manufacturing method of the
(A) The
(B) An insulating
(C) An
Claims (14)
前記絶縁層の表面に設けられ、且つ一部分の領域に複数の金属接地電極が突出形成され、前記金属接地電極により電極パターンを共同構成し、複数の金属接地電極の間の領域に充填空間が形成される導電遮蔽層と、
前記充填空間に収容設置される粘着剤層と、
を含む遮蔽膜。 An insulating layer;
Provided on the surface of the insulating layer, and a plurality of metal ground electrodes protrude from a part of the region, and an electrode pattern is jointly formed by the metal ground electrode, and a filling space is formed in a region between the plurality of metal ground electrodes. A conductive shielding layer,
An adhesive layer accommodated and installed in the filling space;
Shielding film containing.
前記充填空間に収容設置される接着剤層と、
を含む遮蔽膜。 A plurality of metal ground electrodes projecting in a partial region, an electrode pattern is jointly configured by the metal ground electrodes, and a conductive shielding layer in which a filling space is formed in a region between the plurality of metal ground electrodes;
An adhesive layer accommodated and installed in the filling space;
Shielding film containing.
（Ｂ）前記導電遮蔽層の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層によって前記凹孔を充填するステップと、
（Ｃ）前記絶縁層の表面にカバーフィルムを形成するステップと、
（Ｄ）前記導電遮蔽層の表面の基材を除去し、前記導電遮蔽層の表面に複数の金属接地電極を突出形成するステップと、
（Ｅ）前記導電遮蔽層の表面に接着剤層を設置し、前記金属接地電極に電極パターンを露出形成させるステップと、
を含む遮蔽膜の製造方法。 (A) connecting a base material with a conductive shielding layer, and forming a plurality of concave holes in the base material and the conductive shielding layer;
(B) forming an insulating layer on the surface of the conductive shielding layer, and filling the concave hole with the insulating layer;
(C) forming a cover film on the surface of the insulating layer;
(D) removing the base material on the surface of the conductive shielding layer and projecting a plurality of metal ground electrodes on the surface of the conductive shielding layer;
(E) installing an adhesive layer on the surface of the conductive shielding layer, and exposing and forming an electrode pattern on the metal ground electrode;
The manufacturing method of the shielding film containing this.
前記基材に複数の凹孔を形成することと、
前記基材の表面及び凹孔に前記導電遮蔽層を形成することと、
を含む請求項１１に記載の遮蔽膜の製造方法。 The step (A)
Forming a plurality of concave holes in the substrate;
Forming the conductive shielding layer on the surface and concave holes of the substrate;
The manufacturing method of the shielding film of Claim 11 containing this.
前記基材及び導電遮蔽層に複数の凹孔を共同形成することと、
を含む請求項１１に記載の遮蔽膜の製造方法。 The step (A) includes forming the conductive shielding layer on the surface of the substrate;
Co-forming a plurality of concave holes in the substrate and the conductive shielding layer;
The manufacturing method of the shielding film of Claim 11 containing this.
前記基材の表面に導電材を形成することと、
前記導電材に対して鈍化の表面処理を行うことと、
前記導電材の表面に前記導電遮蔽層を形成することと、
を含む請求項１１に記載の遮蔽膜の製造方法。 The step (A) includes forming the concave hole in a substrate;
Forming a conductive material on the surface of the substrate;
Performing a blunting surface treatment on the conductive material;
Forming the conductive shielding layer on the surface of the conductive material;
The manufacturing method of the shielding film of Claim 11 containing this.
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