JP2016046165A - Method of manufacturing light-emitting device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 96
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device.
発光装置の光源の一つに有機EL素子がある。有機EL素子は、基板上に第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に積層させた構成を有している。有機層は、複数の層を積層させた構成を有している。そして第1電極と第2電極の間に電流を流すことにより、有機層が発光する。 One of the light sources of a light emitting device is an organic EL element. The organic EL element has a configuration in which a first electrode, an organic layer, and a second electrode are stacked in this order on a substrate. The organic layer has a configuration in which a plurality of layers are stacked. The organic layer emits light by passing a current between the first electrode and the second electrode.
特許文献1、2には、有機EL素子の有機層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、所定の形状にすることが記載されている。特に特許文献2には、絶縁層に開口を設け、この開口内が発光部分となるようにすることが記載されている。特許文献2において、絶縁層は、オルガノポリシロキサンを含んでもよいと記載されている。 Patent Documents 1 and 2 describe that an organic layer of an organic EL element is formed into a predetermined shape by patterning using a photolithography method. In particular, Patent Document 2 describes that an opening is provided in an insulating layer so that the inside of the opening becomes a light emitting portion. Patent Document 2 describes that the insulating layer may contain an organopolysiloxane.
近年は、有機EL素子の有機層の少なくとも一層を、塗布法を用いて塗布膜で形成することが検討されている。一方、塗布膜で有機層の少なくとも一層を形成する場合、この塗布膜の外周部の形状を高い精度で制御することは難しい。 In recent years, it has been studied to form at least one organic layer of an organic EL element with a coating film using a coating method. On the other hand, when forming at least one layer of an organic layer with a coating film, it is difficult to control the shape of the outer peripheral part of this coating film with high precision.
本発明が解決しようとする課題としては、塗布法で有機層の少なくとも一層を形成する場合において、この塗布膜の外周部の形状を高い精度で制御することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to control the shape of the outer peripheral portion of the coating film with high accuracy when at least one organic layer is formed by a coating method.
請求項1に記載の発明は、開口した構造物を形成する工程と、
塗布膜が形成される領域を、前記構造物の開口を覆うマスク部材及び前記構造物で覆う工程とマスク部材で覆う工程と、
前記基板のうち前記構造物の外側に位置する領域に、有機材料を付着させる工程と、
前記マスク部材を前記基板から取り除く工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
The invention according to claim 1 is a step of forming an open structure;
A step of covering a region where a coating film is formed with a mask member that covers an opening of the structure, and a step of covering the region with the structure;
Attaching an organic material to a region of the substrate located outside the structure;
Removing the mask member from the substrate;
A method for manufacturing a light emitting device comprising:
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
図1及び図2は、実施形態に係る発光装置100の製造方法を示す断面図である。発光装置100は、基板110を用いて形成される。基板110は、例えばガラスなどの無機材料によって形成されたガラス基板、ガラスで形成された部材の一面に酸化ケイ素の膜が形成された基板、ポリイミド系樹脂で形成された部材の一面に窒化珪素又は窒化酸化ケイ素等の無機材料からなる膜(バリア膜)が形成された基板、アルミニウム等の金属材料で形成された基板などが挙げられ、無機材料で形成された膜又は部材を有するものである。なお、以下の説明において、「基板110の表面」は、基板110そのものの表面を差す。このため、「基板110の表面」には、基板110上に形成された膜の表面は含まれない。
1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the
まず、図1(a)に示すように、基板110の上に、無機材料からなる導電膜、例えば透明導電膜を形成する。透明導電膜の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)である。次いで、導電膜上にレジストで形成したレジスト膜を所定の形状に形成し、このレジスト膜をマスクとして導電膜をエッチングする。これにより、所定の形状を有する第1電極120、第1端子150、及び第2端子160が形成される。本図に示す例において、第1端子150は第1電極120と一体に形成される。
First, as illustrated in FIG. 1A, a conductive film made of an inorganic material, for example, a transparent conductive film is formed on a
次いで、基板110及び第1電極120上に、絶縁膜を形成し、この絶縁膜を選択的に除去する。これにより、第1電極120上には絶縁層170(構造物の一例)が形成される。絶縁層170は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂を用いて形成されており、第1電極120のうち有機層130(後述)が形成される領域を囲んでいる。また、絶縁層170の一部は、第1電極120と第2端子160の間に位置している。この状態において、基板110のうち絶縁層170を囲む領域の表面には、第1電極120、第1端子150、第2端子160、又は基板110そのものが位置している。これらは、いずれも無機材料である。
Next, an insulating film is formed over the
次いで、図1(b)に示すように、基板110上に、マスク200を配置する。マスク200は、基板110のうち絶縁層170で囲まれた領域、すなわち有機層130(後述)が形成される領域及び絶縁層170を覆う。この状態において、基板110のうちマスク200を囲む領域の表面には、第1電極120、第1端子150、第2端子160、又は基板110そのものが位置している。これらは、いずれも無機材料である。
Next, as illustrated in FIG. 1B, a
なお、マスク200は、例えばステンレスなどの金属によって形成されたマスク部材である。図8に示した例において、基板110と基板110の上に配置されたマスク部材200は開口した形状を有しており、4つの外周側面202と、外周側面202に連結した天面部204を備える。これら外周側面202と天面部204で底部が開口した空間が形成されている。また、後述する実施例に適用した場合、マスク部材200と基板110上にある構造物(絶縁層170、第1電極120、第2電極140、第1端子150、及び第2端子160)、並びに封止部材180の縁部182との位置関係は、図9のようになる。図9に示される、マスク部材200と基板110上にある構造物の位置関係では、マスク部材200の外周側面202が絶縁層170の外側に位置し、かつ縁部182の内側に配置される。またマスク部材200の天面部204は、有機層が形成される領域(第1電極120の上)に配置される。
The
また、マスク200は所定の形状に加工された膜であってもよい。この場合、マスク200は、例えばポリイミドなどの感光性の材料、熱可塑性樹脂、熱硬化型樹脂、又は光硬化型樹脂等の樹脂で形成されており、例えばスピンコート法又はインクジェット法、予め形成した樹脂の膜を用いて形成される。また、マスク200のパターンは、例えばスピンコート法を用いた場合にはフォトリソグラフィーにより、有機層130が形成される領域を覆うように所定の形状に形成される。インクジェット法を用いてマスク200を形成する場合には、有機層130が形成される領域を覆うように塗布材料を滴下して、所定の形状に塗布膜を形成し、この塗布膜をマスク200とする。予め形成した樹脂の膜を用いてマスク200を形成する場合には、基板110のうち、有機層130が形成される領域に、樹脂の膜を貼り合わせ、この樹脂の膜をマスク200とする。
The
本図に示す例において、マスク200の縁の全周は、絶縁層170の外側に位置しており、基板110又は基板110上の構造物(例えば第1電極120)に接触している。一方、マスク200の他の部分である天面部204と、基板110又は上記した構造物との間には所定の間隙が設けられており、マスク200の他の部分は基板110又は上記した構造物に接していない。このようにすると、異物がマスク200を経由して基板110や第1電極120に付着することを抑制できる。マスク200は、図8に示されるような、例えば、縁を除いて下面を凹にした形状を有している。ただしマスク200の形状は本図に示す例に限定されない。また、本図において、マスク200の縁のうち第1電極120上に位置する領域は、マスク200の縁のうち基板110上に位置する部分と比較して短くなっている。ただし、マスク200の厚さに対して第1電極120は十分に薄いため、マスク200の縁の高さは全周にわたって同じであってもよい。
In the example shown in this figure, the entire periphery of the edge of the
次いで、基板110を、シロキサン結合を有する有機物を含む雰囲気にさらす。この有機物としては、例えば、シリコーン系の有機物、具体的には、例えばトリメチルシランである。また、雰囲気の温度は、例えば100℃以上300℃以下であり、雰囲気における有機物の濃度は、例えば1ppm以上1000ppm以下である。また、基板110を雰囲気に晒す時間は、例えば1分以上60分以下である。これにより、絶縁層170を囲む領域に位置する、基板110、第1端子150、第1電極120のうちマスク200を囲む領域、及び第2端子160には、有機物190(有機材料)が付着する。言い換えると、マスク200を囲む無機材料(例えば第1電極120すなわち基板110とは異なる材料)の表面には、有機物190が位置している。そして、有機物190が位置している無機材料は、厚さ方向において有機物190よりも基板110側に位置しており、シロキサン結合を有する有機材料190が基板110を形成する無機材料又は基板110上にある無機材料に接している。
Next, the
なお、有機物190が位置している無機材料は、マスク200の全周を囲んでいる。言い換えると、有機物190は絶縁層170の全周を取り囲んでいる。これに限らず、この無機材料は、絶縁層170又は有機層130の周囲に形成して複数の無機材料を点在させる、或いは絶縁層170又は有機層130の全周を囲んで形成して環状の無機材料を配置しても構わない。有機物190は、層になっていてもよいし、層になっていなくてもよい。有機物190が層になっていない場合、有機物190の分子は、所定の密度で上記した無機材料の上に付着している。有機物190が層になっている場合、有機物190の厚さは有機層130を構成するいずれの層の厚さよりも薄く、例えば1nm以下である。なお、有機物190の存在及び有機物190におけるシロキサン結合の有無は、例えばEDXやToF−SIMSを用いて検出することができる。
The inorganic material in which the
また、マスク200と基板110(又は第1電極120)との隙間を通って、有機物190がマスク200の内側に侵入する可能性もある。これに対して本実施形態では、マスク200の内側には絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、有機層130が形成されるべき領域を囲んでいる。従って、有機物190が第1電極120のうち有機層130が形成されるべき領域に付着することを抑制できる。なお、本図に示す例において、マスク200の縁の内面と絶縁層170の側面は接しているが、これらの間に隙間が設けられていてもよい。
In addition, the
次いで、図2(a)に示すように、マスク200を取り除く。マスク200が膜の場合には、基板110からマスク200を剥がし、有機層130が形成される領域を露出する。マスク200としての膜を剥がす方法は、例えばリフトオフ法等の公知の方法を採用できる。次いで、有機層130を形成する。有機層130は、発光層を含む複数の層を積層させた構成を有している。有機層130は、少なくとも、正孔注入層、発光層、電子注入層を有している。そして、有機層130を構成する少なくとも一つの層(例えば正孔注入層または電子注入層)は、塗布材料を用いて形成される。これにより、有機層130を構成する少なくとも1つの層は塗布膜で形成される。有機層130のすべての層を塗布法ですることで、有機層130が塗布膜となってもよい。塗布材料を用いた、塗布膜の形成方法(塗布法)の具体例は、例えばインクジェット法やディスペンサー法である。塗布材料は、有機層130を形成する有機材料と有機溶媒で構成される。ここで、絶縁層170を囲む無機材料(例えば第1電極120や基板110)の表面には、有機物190が付着している。有機物190はシロキサン結合を有しているため、有機層130を形成するための塗布材料に対して濡れにくい。このため、有機層130となる塗布材料は絶縁層170で囲まれた領域から広がりにくい。
Next, as shown in FIG. 2A, the
次いで、図2(b)に示すように、有機層130上に第2電極140を形成する。第2電極140の一部は、絶縁層170を超えて第2端子160に接続している。第2電極140は、Al、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される少なくとも一つの金属を含む合金からなる金属層を含んでいる。第2電極140は、例えばスパッタリング法、蒸着法または塗布法を用いて形成される。
Next, as illustrated in FIG. 2B, the
その後、基板110に、有機層130を封止する封止部材180を設ける。封止部材180は、第1電極120、有機層130、及び第2電極140の積層構造すなわち発光部を封止する。ただし、第1端子150及び第2端子160は、封止部材180の外部に位置している。本図に示す例において、封止部材180は気密封止構造を有しており、縁部182(すなわち基板110側と接する部分)は有機層130よりも外側に位置している。そして、少なくとも縁部182よりも内側の領域には有機物190が位置しているため、縁部182と重なる領域には有機層130のうち塗布材料で形成される層が位置していない。従って、封止部材180による封止性能は高くなる。
Thereafter, a sealing
なお、図2には有機物190が層として図示されているが、有機物190は、有機層130と第1電極120の間の電気的な接続に影響を与えない程度に、薄く形成されている。第1電極120が第1端子150と分離して形成されており、第1電極120が第1端子150と電気的に接続している場合には、有機物190は電気的な接続に影響を与えない程度に薄い。また、第2電極140が第2端子160に電気的に接続している場合には、有機物190は電気的な接続に影響を与えない程度に薄い。
In FIG. 2, the
以上、有機層130のうち少なくとも一つは、塗布法を用いて形成される。この際、塗布材料が絶縁層170で囲まれた領域の外側、例えば第1端子150、第2端子160又は後述する封止部材180の縁部182と重なる領域にまでの広がる可能性がある。これに対して本実施形態によれば、絶縁層170を囲む無機材料(例えば第1電極120や基板110)の表面には、有機物190が付着している。このため、有機層130となる塗布材料は絶縁層170で囲まれた領域から広がりにくい。従って、有機層130の外周部の形状を高い精度で制御することができる。また、上記したように、絶縁層170の外側にある縁部182と重なる領域に塗布材料が広がることを抑止できるので、良好な封止性能を得ることができる。
As described above, at least one of the
また、有機物190を基板110に付着させる工程において、マスク200の内側には絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、有機層130が形成されるべき領域を囲んでいる。従って、マスク200と第1電極120(又は基板110)との界面から有機物190が侵入しても、有機物190が第1電極120のうち有機層130が形成されるべき領域に付着することを抑制できる。特にマスク200の縁の内面と絶縁層170の側面が接している場合、有機物190は第1電極120のうち有機層130が形成されるべき領域にさらに付着しにくくなる。
In the step of attaching the
なお、上記した説明において、基板110が無機材料で形成される場合について説明したが、基板110は樹脂によって形成されていてもよい。
In the above description, the case where the
(変形例)
図3は、変形例に係る発光装置100の製造方法を示す断面図であり、実施形態における図1(b)に対応している。本変形例に係る発光装置100の製造方法は、マスク200の縁の下端の少なくとも一部を絶縁層170上に位置させている点を除いて、実施形態に係る発光装置100と同様の構成である。
(Modification)
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the
本変形例によっても、有機層130となる塗布材料は絶縁層170で囲まれた領域から広がりにくい。従って、有機層130の平面形状を高い精度で制御することができる。また、マスク200の縁の下面は絶縁層170に接しているため、マスク200と絶縁層170の間に隙間はできにくい。従って、有機物190は第1電極120のうち有機層130が形成されるべき領域に付着しにくくなる。
Also according to this modification, the coating material to be the
図4は、実施例に係る発光装置100の平面図である。図5は、図4から封止部材180を取り除いた図であり、図6は、図5から第2電極140を取り除いた図であり、図7は、図6から有機層130及び絶縁層170を取り除いた図である。
FIG. 4 is a plan view of the
発光装置100は、例えば矩形などの多角形であり、有機EL素子102、第1端子150、及び第2端子160を有している。第1端子150及び第2端子160は、有機EL素子102に電力を供給するために設けられている。図4〜図7に示す例では、第1端子150は、第1の方向(図中X方向)に延在しており、第2端子160は第2の方向(図中Y方向)に延在している。
The
有機EL素子102は、基板110に、第1電極120、有機層130、及び第2電極140をこの順に積層した構成を有している。本図に示す例では、有機EL素子102の光は基板110を介して外部に放射される(ボトムエミッション型)。
The organic EL element 102 has a configuration in which a
基板110は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板110は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板110の厚さは、例えば10μm以上10000μm以下である。この場合においても、基板110は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板110は、例えば矩形などの多角形である。
The
第1電極120は、例えば有機EL素子102の陽極として機能し、光透過性を有する透明電極である。有機EL素子102が発光した光は、第1電極120及び基板110を介して外部に出射する。透明電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。第1電極120は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成されている。
The
図6に示すように、第1電極120の上には、絶縁層170が形成されている。絶縁層170は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂によって形成されている。絶縁層170には、第1開口172が設けられている。そして、第1電極120のうち第1開口172の中に位置する領域の上に、有機層130が形成されている。このため、第1開口172は、有機EL素子102の縁を画定していることになる。
As shown in FIG. 6, an insulating
有機層130は、発光層を有している。有機層130は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。第1電極120と正孔輸送層の間には正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第2電極140の間には電子注入層が形成されていてもよい。有機層130の少なくとも一つの層は、インクジェット法などの塗布法によって形成されている。有機層130の残りの層は、蒸着法によって形成されている。なお、有機層130の全ての層は塗布材料を用いて、インクジェット法で形成しても構わない。
The
第2電極140は、Al、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される少なくとも一つの金属を含む合金層を含んでいる。第2電極140は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成されている。そして、第1電極120、有機層130、及び第2電極140が重なっている領域から発光するため、この領域が発光部104となる。
The
なお、第2電極140を透明電極にして、第1電極120を金属電極にしてもよい。この場合、有機EL素子102の光は、第2電極140を介して基板110とは逆側の面から放射される(トップエミッション型)。
The
第1端子150は第1電極120に接続しており、第2端子160は第2電極140に接続している。図4〜図7に示す例において、2つの第1端子150が第2の方向に互いに離れて配置されており、かつ、2つの第2端子160が第1の方向に互いに離れて配置されている。
The
第1端子150は、第1電極120と同一の層の上に第2層154を積層した構成を有している。第2層154は、第1電極120よりも抵抗値が低い材料(例えばAgなどの金属)によって形成されている。そして、第1端子150に電圧を供給する接続部材は、第2層154に接続している。
The
また、第2端子160は、第1層の上に第2層164を積層した構成を有している。第1層は第1電極120と同様の材料により形成されている。ただし、第1層は第1電極120から分離している。第2層164は、第2層154と同様の材料により形成されている。
The
また、第1電極120の上には複数の補助電極124が形成されている。補助電極124は、有機EL素子102内に位置しており、第1電極120よりも抵抗値の低い材料(例えばAgなどの金属)によって形成されている。補助電極124が形成されることにより、第1電極120の面内で電圧降下が生じることを抑制できる。これにより、発光装置100の輝度に分布が生じることを抑制できる。本図に示す例において、補助電極124は2つの第1端子150の間を延在しているが、2つの第1端子150の第2層154のいずれにも直接接続していない。ただし、補助電極124は、2つの第2層154の少なくとも一方に直接接続していてもよい。
A plurality of
また、図4及び図7に示すように、複数の有機EL素子102は封止部材180によって封止されている。封止部材180は、基板110と同様の多角形の金属箔又は金属板(例えばAl箔又はAl板)の縁部182の全周にわたって基板110側に下がった形状を有している。縁部182は段部として形成されていても構わない。そして、縁部182は接着材等で基板110に固定されている。なお、封止部材180はガラスで形成されていてもよい。
As shown in FIGS. 4 and 7, the plurality of organic EL elements 102 are sealed with a sealing
第1端子150の一部及び第2端子160の一部は、封止部材180の外に位置している。そして、第1端子150のうち封止部材180の外側に位置する部分、及び第2端子160のうち封止部材180の外側に位置する部分には、それぞれ導電部材が接続される。この導電部材は、例えばリードフレームやボンディングワイヤであり、第1端子150(又は第2端子160)を回路基板等に接続する。
A part of the
次に、本実施例に係る発光装置100の製造方法を説明する。まず、基板110の上に第1電極120となる導電膜を、例えば蒸着法、スパッタリング法を用いて形成する。次いで、この導電膜上にレジスト膜を所定の形状にを形成し、このレジスト膜をマスクとして導電膜をエッチングする。これにより、第1電極120(第1端子150の第1層を含む)、及び第2端子160の第1層が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
Next, a method for manufacturing the
次いで、基板110上に、補助電極124及び第2層154,164を形成する。
Next, the
次いで、第1電極120の上に絶縁層170となる絶縁性の感光材料を、例えば塗布法により形成する。次いで、この感光材料を露光及び現像する。これにより、絶縁層170及び第1開口172が形成される。次いで、第1開口172内に有機層130を形成する。有機層130を形成するときに、実施形態又は変形例に示した方法が適用される。
Next, an insulating photosensitive material to be the insulating
その後、有機層130上及び絶縁層170上に、第2電極140を、スパッタリング法を用いて形成する。その後、基板110に封止部材180を取り付ける。
Thereafter, the
本実施例によっても、有機層130の残りの層の少なくとも一つを塗布法で形成しても、塗布材料が絶縁層170の外側に広がることを抑制できる。
Even in this embodiment, even when at least one of the remaining layers of the
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
100 発光装置
110 基板
120 第1電極
130 有機層
140 第2電極
170 絶縁層(構造物)
190 有機物
200 マスク
100 Light-emitting
190
Claims (6)
塗布膜が形成される領域を、前記構造物の開口を覆うマスク部材及び前記構造物で覆う工程と、
前記基板のうち前記構造物の外側に位置する領域に、有機材料を付着させる工程と、
前記マスク部材を前記基板から取り除く工程と、
を備える発光装置の製造方法。 Forming an open structure on the substrate;
A step of covering a region where a coating film is formed with a mask member covering the opening of the structure and the structure;
Attaching an organic material to a region of the substrate located outside the structure;
Removing the mask member from the substrate;
A method for manufacturing a light emitting device.
前記構造物の内側に塗布膜を形成する工程を備える発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 1,
A method for manufacturing a light emitting device, comprising a step of forming a coating film inside the structure.
前記有機材料は、シロキサン結合を有する発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 1 or 2,
The organic material is a method for manufacturing a light emitting device having a siloxane bond.
前記有機材料を付着させる工程において、前記基板のうち前記構造物を囲む領域には前記基板を形成する無機材料又は当該基板上にある無機材料があり、前記無機材料に前記有機材料を付着させる発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
In the step of attaching the organic material, in the region of the substrate surrounding the structure, there is an inorganic material that forms the substrate or an inorganic material on the substrate, and light emission that attaches the organic material to the inorganic material. Device manufacturing method.
前記マスク部材は開口している発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claims 1-4,
A method of manufacturing a light emitting device in which the mask member is open.
前記有機材料を付着させる工程において、前記有機材料を前記塗布膜よりも薄く付着させる発光装置の製造方法。 In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claims 1-5,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein, in the step of attaching the organic material, the organic material is attached thinner than the coating film.
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