JP2016042358A - タッチパネル及びこれを含む表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このようなタッチパネルは、キーボード、マウス等のような別の入力装置の代わりになるので、モバイル機器を中心にその利用範囲が徐々に広がっている趨勢である。
この中で、最近に広く利用されている靜電容量方式のタッチパネルは、多数のタッチ電極を含み、人の手又は物体の接触によって靜電容量が変化される地点を検出して接触位置を把握する。
但し、この場合、タッチ電極とディスプレイパネルに含まれた構成要素(例えば、カソード電極)との間に存在する寄生容量(Parasitic Capacitance)によって相当なRCディレイ(RC Delay)が発生し、これはタッチパネルの誤作動をもたらすおそれがある。
前記第1タッチ電極は、前記基板上に位置し、各々が多数のメッシュパターンを含み、各々が第1方向に延在する。
前記絶縁膜は、前記第1タッチ電極上に位置する。
前記第2タッチ電極は、前記絶縁膜上に位置し、各々が前記第1方向と交差する第2方向に延在する。
前記第1補助電極は、前記第1タッチ電極と同一の層上に配置され、各々がメッシュ形状を有し、前記第2タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続される。
前記第2補助電極は、前記第2タッチ電極と同一の層上に配置され、前記第1タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続される。
前記第2タッチ電極は、第1領域に配置された第1部分及び第2領域に配置され、前記第1部分と互いに異なるパターン形状を有する第2部分を含むことができる。
前記第2部分は、前記第1補助電極のうち前記第2領域に配置された第1補助電極をカバーする第1重畳パターンと、前記第1重畳パターンと離隔され、前記第2領域に配置された前記第1補助電極によって画定された開口部内に配置された第1内側パターンと、を含むことができる。
前記第1タッチ電極は、前記基板上に位置し、各々が多数のメッシュパターンを含み、各々が第1方向に延在することができる。
前記絶縁膜は、前記第1タッチ電極上に位置することができる。
前記第2タッチ電極は、前記絶縁膜上に位置し、各々が前記第1方向と交差する第2方向に延在することができる。
前記第1補助電極は、前記第1タッチ電極と同一の層上に配置され、各々がメッシュ形状を有し、前記第2タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続されることができる。
前記第2補助電極は、前記第2タッチ電極と同一の層上に配置され、前記第1タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続されることができる。
前記第2タッチ電極は、第1領域に配置された第1部分と、第2領域に配置され、前記第1部分と互いに異なるパターン形状を有する第2部分と、を含むことができる。
例えば、基板100はガラス、樹脂(resin)等のような絶縁性材料からなる。また、基板100は曲げられるか、或いは折られることが可能である柔軟性(flexibility)を有する材料からなり、単層構造又は多層構造を有する。
概ね、本発明の実施形態に含まれた基板100は、ディスプレイパネルに使用される封止薄膜(Encapsulation Thin Film)である。
また、基板100は光が透過できる透明性(Transparency)を有する。
例えば、各々の第1タッチ電極101は第1方向に沿って基板100上に配列される多数の第1メッシュパターン110を含む。
このとき、第1メッシュパターン110は相互に電気的に接続される。
このために、第1タッチ電極101は、基板100上に位置して第1メッシュパターン110を相互に連結する第1連結パターン112をさらに含む。
各々の第1メッシュパターン110は多数の開口部117を含むメッシュ形状を有し、薄い幅を有する金属ライン115からなる。
また、絶縁膜200は、基板100上に位置する他の構成要素(例えば、第1補助メッシュ電極210、第1トレースライン151、及び第2トレースライン152)の上側にも位置している。
絶縁膜200はSiOx、SiNx等のような多様な絶縁物質で形成される。
例えば、各々の第2タッチ電極102は第2方向に沿って絶縁膜200上に配列される多数の第2メッシュパターン120を含む。
このとき、第2メッシュパターン120は相互に電気的に接続される。
このために、第2タッチ電極102は、絶縁膜200上に位置して第2メッシュパターン120を相互に連結する第2連結パターン122をさらに含む。
各々の第2メッシュパターン120は多数の開口部127を含むメッシュ形状を有し、薄い幅を有する金属ライン125からなる。
第1補助メッシュ電極210は、絶縁膜200上に位置する第2メッシュパターン120のうち少なくとも一部と各々電気的に接続される。
このために、各々の第1補助メッシュ電極210は、それと電気的に接続される各々の第2メッシュパターン120の下側に位置する。
これによって、相互に電気的に接続された特定の第2メッシュパターン120と第1補助メッシュ電極210とは、少なくとも一部分が重畳する。
この場合、第2メッシュパターン120と第1補助メッシュ電極210との個数は同一である。
概ね、第2メッシュパターン120のうち一部のみが第1補助メッシュ電極210と電気的に接続される。
この場合、第2メッシュパターン120と第1補助メッシュ電極210との個数は異なってもよい。
第1補助メッシュ電極210は多様な導電性物質で形成される。例えば、第1補助メッシュ電極210はAg、Al、Cu、Cr、Ni、Mo等のような不透明な金属で形成される。
第2補助メッシュ電極220は、基板100上に位置する第1メッシュパターン110のうち少なくとも一部と各々電気的に接続される。
このために、各々の第2補助メッシュ電極220は、それと電気的に接続される各々の第1メッシュパターン110の上側に位置する。
これによって、相互に電気的に接続された特定の第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極220とは、少なくとも一部分が重畳する。
この場合、第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極220との個数は同一である。
概ね、第1メッシュパターン110のうち一部のみが第2補助メッシュ電極220と電気的に接続される。
この場合、第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極220との個数は異なってもよい。
第2補助メッシュ電極220は多様な導電性物質で形成される。例えば、第2補助メッシュ電極220はAg、Al、Cu、Cr、Ni、Mo等のような不透明な金属で形成される。
第1タッチ電極101と第2タッチ電極102とは同一の物質又は異なる物質で形成されてもよい。
また、第1メッシュパターン110と第2メッシュパターン120とは同一の物質又は異なる物質で形成されてもよい。
図3及び図4では第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極220との間の連結構造を図示した。
また、図3では第1メッシュパターン110を点線で図示し、第2補助メッシュ電極220を実線で図示した。
絶縁膜200は多数の第1コンタクトホール310を含む。
例えば、第1コンタクトホール310は図3に示したように第1メッシュパターン110に含まれた金属ライン115の交差点と、第2補助メッシュ電極220に含まれた金属ライン225の交差点との間に位置する。
例えば、図4に示したように、第1コンタクトパターン410は、第1メッシュパターン110上に位置する多数の第1コンタクトホール310を通じて、第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極220とを電気的に接続する。
第1コンタクトパターン410は第2補助メッシュ電極220と一体に形成される。
また、第1コンタクトホール310の位置及び個数は、多様に変更されることができる。
特に、図3に示したように、第2補助メッシュ電極220に含まれた金属ライン225の幅W1は第1メッシュパターン110に含まれた金属ライン115の幅W2より大きい。
また、図5では図3と同様に、第1メッシュパターン110を点線で図示し、第2補助メッシュ電極220を実線で図示した。
したがって、金属ライン225が交差する部分の面積は広くなり、若干の誤整列が発生しても第1メッシュパターン110とのコンタクトが可能である。
また、第1メッシュパターン110は金属ライン115の交差点で外側に延長された拡張部119をさらに含む。
これによって、金属ライン115が交差する部分の面積は広くなり、若干の誤整列が発生しても第2補助メッシュ電極220とのコンタクトが可能である。
また、第1コンタクトホール310の大きさも増加し、第1メッシュパターン110と第2補助メッシュ電極210との間のコンタクト面積も広くなる。
図6及び図7では第2メッシュパターン120と第1補助メッシュ電極210との間の連結構造を図示した。
また、図6では第2メッシュパターン120を実線で図示し、第1補助メッシュ電極210を点線で図示した。
絶縁膜200は多数の第2コンタクトホール320を含む。
例えば、第2コンタクトホール320は図6に示したように第1補助メッシュ電極210に含まれた金属ライン215の交差点と、第2メッシュパターン120に含まれた金属ライン125の交差点との間に位置する。
例えば、図7に示したように、第2コンタクトパターン420は、第1補助メッシュ電極210上に位置する多数の第2コンタクトホール320を通じて、第2メッシュパターン120と第1補助メッシュ電極210とを電気的に接続する。
第2コンタクトパターン420は第2メッシュパターン120と一体に形成される。
また、第2コンタクトホール320の位置及び個数は、多様に変更されることができる。
特に、図6に示したように、第1補助メッシュ電極210に含まれた金属ライン215の幅W3は第2メッシュパターン120に含まれた金属ライン125の幅W4より小さい。
また、第1補助メッシュ電極210は図5に図示された第2補助メッシュ電極220と同様に、金属ライン215の交差点で外側に延長された拡張部(図示せず)をさらに含む。
したがって、画素から放出される光がメッシュパターン110、120と補助メッシュ電極210、220とによって遮断されない。
このとき、メッシュパターン110、120の各開口部117、127内には少なくとも1つ以上の画素が位置する。
例えば、第1トレースライン151は基板100の外殻領域に位置する。
また、第1トレースライン151の各一端部は、各第1タッチ電極101に含まれたメッシュパターン110の中で外側に位置するメッシュパターンに連結され、第1トレースライン151の各他端部は第1パッド231に向かって延長形成される。
例えば、第2トレースライン152は基板100の外殻領域に位置し、第1補助メッシュ電極210と第2コンタクトパターン420とを通じて絶縁膜200上に位置する第2タッチ電極102と電気的に接続される。
このために、第2トレースライン152の各一端部は、第1補助メッシュ電極210の中で外側に位置する第1補助メッシュ電極に連結され、第2トレースライン152の各他端部は第2パッド232に向かって延長形成される。
各々の第3コンタクトホール330は第1トレースライン151の各他端部上に形成される。
例えば、第3コンタクトホール330は第1トレースライン151と第1パッド231とが各々重畳する領域に位置する。
例えば、第4コンタクトホール340は第2トレースライン152と第2パッド232とが各々重畳する領域に位置する。
また、第2パッド232は第4コンタクトパターン440を通じて第2トレースライン152の他端部と連結される。
第3コンタクトパターン430は、絶縁膜200に形成された多数の第3コンタクトホール330を通じて、第1パッド231と第1トレースライン151との間を各々連結する。
また、第3コンタクトパターン430は第1パッド231と一体に形成される。
第4コンタクトパターン440は、絶縁膜200に形成された多数の第4コンタクトホール340を通じて、第2パッド232と第2トレースライン152との間を各々連結する。
また、第4コンタクトパターン440は第2パッド232と一体に形成される。
第1補助ライン251は絶縁膜200上に位置する。例えば、第1補助ライン251は絶縁膜200の外殻領域に位置する。
第1補助ライン251は各々第1トレースライン151と電気的に接続される。
第1補助ライン251を具備することによって、第1トレースライン151の抵抗が低下し、これによってRCディレイ(RC Delay)を改善することができる。
このとき、第1補助ライン251は図11Aに示したように第1トレースライン151の上側に直接連結される。
例えば、第1補助ライン251の少なくとも一部分は第1トレースライン151上に直接的に接触する。
このために、絶縁膜200は第1トレースライン151上に位置する多数の第5コンタクトホール350を含む。
例えば、第5コンタクトホール350は第1トレースライン151と第1補助ライン251とが各々重畳する領域に位置する。
第5コンタクトパターン450は、絶縁膜200に形成された第5コンタクトホール350を通じて、第1トレースライン151と第1補助ライン251とを各々連結する。
これを通じて、第1トレースライン151と第1補助ライン251との間に絶縁膜200が存在しても、第1トレースライン151と第1補助ライン251とは電気的に接続される。
このとき、第5コンタクトパターン450を通じて相互に電気的に接続された第1トレースライン151と第1補助ライン251とは少なくとも一部分が重畳する。
例えば、図10に示したように、第1補助ライン251の幅W5は第1トレースライン151の幅W6より大きく設定される。
第2補助ライン252は絶縁膜200上に位置する。例えば、第2補助ライン252は絶縁膜200の外殻領域に位置する。
第2補助ライン252は各々第2トレースライン152と電気的に接続される。
第2補助ライン252を具備することによって、第2トレースライン152の抵抗が低下し、これによってRCディレイ(RC Delay)を改善することができる。
このとき、第2補助ライン252は図13Aに示したように第2トレースライン152の上側に直接連結される。
例えば、第2補助ライン252の少なくとも一部分は第2トレースライン152上に直接的に接触する。
このために、絶縁膜200は第2トレースライン152上に位置する多数の第6コンタクトホール360を含む。
例えば、第6コンタクトホール360は第2トレースライン152と第2補助ライン252とが各々重畳する領域に位置する。
第6コンタクトパターン460は、絶縁膜200に形成された第6コンタクトホール360を通じて、第2トレースライン152と第2補助ライン252とを各々連結する。
これを通じて、第2トレースライン152と第2補助ライン252との間に絶縁膜200が存在しても、第2トレースライン152と第2補助ライン252とは電気的に接続される。
このとき、第6コンタクトパターン460を通じて相互に電気的に接続された第2トレースライン152と第2補助ライン252とは少なくとも一部分が重畳する。
例えば、図12に示したように、第2補助ライン252の幅W7は第2トレースライン152の幅W8より大きく設定される。
第1補助ライン251と第1トレースライン151とは同一の物質又は異なる物質で形成される。
また、第2補助ライン252と第2トレースライン152とは同一の物質又は異なる物質で形成される。
したがって、当該特性の均一化のために、第1メッシュパターン110と第1補助メッシュ電極210との間に多数のダミーパターン400を配置する。
このために、ダミーパターン400は第1メッシュパターン110及び第1補助メッシュ電極210と所定距離だけ離隔して位置する。
また、ダミーパターン400は第1メッシュパターン110のようにメッシュ形状を有する。
例えば、各々の第1タッチ電極501は第1方向に沿って基板500上に配列される多数のメッシュパターン510を含む。
このとき、メッシュパターン510は相互に電気的に接続される。
このために、第1タッチ電極501は基板500上に位置してメッシュパターン510を相互に連結する連結パターン512をさらに含む。
第1タッチ電極501の各々は多数の開口部517を含むメッシュ形状を有し、薄い幅を有する金属ライン515からなる。
第1補助電極610は、絶縁膜600上に位置する第2タッチ電極502のうち少なくとも一部と各々電気的に接続される。
このために、各々の第1補助電極610はそれと電気的に接続される各々の第2タッチ電極502の下側に位置する。
これによって、相互に電気的に接続された第2タッチ電極502と第1補助電極610とは少なくとも一部分が重畳する。
第1補助電極610に含まれた金属ライン615の各々は第1方向及び第2方向と交差する方向に延在する直線形状を有する。平面上で第1補助電極610に含まれた金属ライン615はディスプレイパネル(図示せず)のブラックマトリックスのような非表示領域のみでなく、表示領域に重畳するように配置される。
第1補助電極610は多様な導電性物質で形成される。例えば、第1補助電極610はAg、Ti、Al、Cu、Cr、Ni、Mo等のような不透明な金属又はこれらの合金で形成される。
また、絶縁膜600は、基板500上に位置する他の構成要素(例えば、第1補助電極610、第1トレースライン551、及び第2トレースライン552)の上側に位置する。
絶縁膜600はSiOx、SiNx等のような多様な絶縁物質で形成される。
例えば、各々の第2タッチ電極502は第2方向に沿って互いに隣接する第1補助電極610と重畳する。
第2タッチ電極502は互いに異なるパターン形状を有する第1部分560及び第2部分570を含む。第1部分560は第1領域(図示せず)に配置され、第2部分570は第2領域(図示せず)に配置される。
重畳部分561は第1タッチ電極501と重畳する。具体的には、重畳部分561は連結パターン512と重畳する。
連結部分563のうち1つとこれに連結された第2部分570のうち1つとは、第1補助電極610のうち1つをカバーする。
第2補助電極620は、基板500上に位置するメッシュパターン510のうち少なくとも一部と各々電気的に接続される。
このために、各々の第2補助電極620はそれと電気的に接続される各々のメッシュパターン510の上側に位置する。
これによって、相互に電気的に接続された特定メッシュパターン510と第2補助電極620とは、少なくとも一部分が重畳する。
第2補助電極620を具備することによって、第1タッチ電極501の抵抗が低下し、これによってRCディレイ(RC Delay)を改善することができる。
第2補助電極620は互いに異なるパターン形状を有する第3部分660及び第4部分670を含む。第3部分660は第3領域(図示せず)に配置され、第4部分670は第4領域(図示せず)に配置される。図16で第3領域は中間濃度の陰影で表示し、第4領域は最も薄い濃度の陰影で表示した。
第4部分670は第3部分660に連結され、第3部分660の外側に配置される。第4部分670のうち1つは第3部分660のうち1つを囲む。
第4部分670は、第4部分670に連結された第3部分660に比べて、隣接する第2タッチ電極502とさらに近く離隔されている。
第3部分660のうち1つとこれに連結された第4部分670のうち1つとは、メッシュパターン510のうち1つをカバーする。
第1コンタクトホール710は第1補助電極610の上側に形成される。
例えば、第1コンタクトホール710は図19に示したように第1補助電極610に含まれた金属ライン615の交差点に位置する。
第2コンタクトホール720はメッシュパターン510の上側に形成される。
例えば、第2コンタクトホール720は図23に示したようにメッシュパターン510に含まれた金属ライン515の交差点に位置する。
第2コンタクトパターン820は、絶縁膜600に形成された第2コンタクトホール720内に形成されて、メッシュパターン510の少なくとも一部と第3部分660との間を電気的に接続する。
図27を参照して、図21を参照して説明した第2部分と差異点を中心に説明する。
第1補助電極610によって画定された1つの開口部617内に配置された複数個の第1内側パターン583は互いに離隔される。
図27の実施形態の1つの第1内側パターン583は図21の実施形態の1つの第1内側パターン573より小さい。
外殻コンタクトホール711は第1補助電極610に含まれた金属ライン615と重畳すれば、金属ライン615の交差点ではない位置に形成される。
例えば、第1トレースライン551は基板500の外殻領域に位置する。
また、第1トレースライン551の各一端部は、各第1タッチ電極501に含まれたメッシュパターン510の中で外側に位置するメッシュパターンに連結され、第1トレースライン551の各他端部は第1パッド631に向かって延長形成される。
第2トレースライン552は基板500の外殻領域に位置し、第1補助電極610と第2コンタクトパターン820とを通じて絶縁膜600上に位置する第2タッチ電極502と電気的に接続される。
このために、第2トレースライン552の各一端部は、第1補助電極610の中で外側に位置する第1補助電極に連結され、第2トレースライン552の各他端部は第2パッド632に向かって延長形成される。
各々の第3コンタクトホール730は第1トレースライン551の各他端部上に形成される。
例えば、第3コンタクトホール730は第1トレースライン551と第1パッド631とが各々重畳する領域に位置する。
例えば、第4コンタクトホール740は第2トレースライン552と第2パッド632とが各々重畳する領域に位置する。
また、第2パッド632は第4コンタクトパターン840を通じて第2トレースライン552の他端部と連結される。
第3コンタクトパターン830は、絶縁膜600に形成された多数の第3コンタクトホール730を通じて、第1パッド631と第1トレースライン551との間を各々連結する。
また、第3コンタクトパターン830は第1パッド631と一体に形成される。
第4コンタクトパターン840は、絶縁膜600に形成された多数の第4コンタクトホール740を通じて、第2パッド632と第2トレースライン552との間を各々連結する。
また、第4コンタクトパターン840は第2パッド632と一体に形成される。
第1補助ライン651は各々第1トレースライン551と電気的に接続される。
第1補助ライン651を具備することによって、第1トレースライン551の抵抗が低下し、これによってRCディレイ(RC Delay)を改善することができる。
このとき、第1補助ライン651は図32Aに示したように第1トレースライン551の上側に直接連結される。
例えば、第1補助ライン651の少なくとも一部分は第1トレースライン551上に直接的に接触する。
このために、絶縁膜600は第1トレースライン551上に位置する多数の第5コンタクトホール750を含む。
例えば、第5コンタクトホール750は第1トレースライン551と第1補助ライン651とが各々重畳する領域に位置する。
第5コンタクトパターン850は、絶縁膜600に形成された第5コンタクトホール750を通じて、第1トレースライン551と第1補助ライン651とを各々連結する。
これを通じて、第1トレースライン551と第1補助ライン651との間に絶縁膜600が存在しても、第1トレースライン551と第1補助ライン651とは電気的に接続される。
このとき、第5コンタクトパターン850を通じて相互に電気的に接続された第1トレースライン551と第1補助ライン651とは少なくとも一部分が重畳する。
第2補助ライン652は各々第2トレースライン552と電気的に接続される。
第2補助ライン652を具備することによって、第2トレースライン552の抵抗が低下し、これによってRCディレイ(RC Delay)を改善することができる。
このとき、第2補助ライン652は図34Aに示したように第2トレースライン552の上側に直接連結される。
例えば、第2補助ライン652の少なくとも一部分は第2トレースライン552上に直接的に接触する。
このために、絶縁膜600は第2トレースライン552上に位置する多数の第6コンタクトホール760を含む。
例えば、第6コンタクトホール760は第2トレースライン552と第2補助ライン652とが各々重畳する領域に位置する。
第6コンタクトパターン860は、絶縁膜600に形成された第6コンタクトホール760を通じて、第2トレースライン552と第2補助ライン652とを各々連結する。
これを通じて、第2トレースライン552と第2補助ライン652との間に絶縁膜600が存在しても、第2トレースライン552と第2補助ライン652とは電気的に接続される。
このとき、第6コンタクトパターン860を通じて相互に電気的に接続された第2トレースライン552と第2補助ライン652とは少なくとも一部分が重畳する。
重畳部分561’は連結パターン512を露出する開口部562を具備する。
重畳部分561’は連結パターン512に含まれた金属ライン515の交差点をカバーする。重畳部分561’は開口部562を通じて連結パターン512に含まれた金属ライン515の交差点ではない部分を露出する。
連結部分563’は第1補助電極610を露出する開口部564を具備する。開口部564は多様な形態の形状、例えば、楕円形、多角形等の形状を有する。
連結部分563’は第1補助電極610に含まれた金属ライン615の交差点をカバーする。連結部分563’は開口部564を通じて第1補助電極610に含まれた金属ライン615の交差点ではない部分を露出する。
重畳部分561”は連結パターン512を露出する開口部568を具備する。
重畳部分561”は連結パターン512に含まれた金属ライン515の交差点ではない部分をカバーする。重畳部分561”は開口部562を通じて連結パターン512に含まれた金属ライン515の交差点を露出する。
第3部分660’はメッシュパターン510を露出する開口部664を具備する。開口部664は多様な形態の形状、例えば、楕円形、多角形等の形状を有する。
第3部分660’はメッシュパターン510に含まれた金属ライン515の交差点をカバーする。第3部分660’は開口部664を通じてメッシュパターン510に含まれた金属ライン515の交差点ではない部分を露出する。
第4部分670’は隣接する第2内側パターン674との間に具備された開口部675を具備する。第4部分670’は開口部675を通じて第4領域に配置されたメッシュパターン510に含まれた金属ライン515を露出する。例示的に、第4部分670’内に具備された開口部675は一定の間隔を有する。
したがって、当該特性の均一化のために、平面上でメッシュパターン110と第1補助電極610との間に多数のダミーパターン800を配置する。
このために、ダミーパターン800はメッシュパターン510及び第1補助電極610と所定距離だけ離隔して位置する。
また、ダミーパターン800はメッシュパターン510のようにメッシュ形状を有する。
501 第1タッチ電極
502 第2タッチ電極
510 メッシュパターン
512 連結パターン
551 第1トレースライン
552 第2トレースライン
600 絶縁膜
610 第1補助電極
620 第2補助電極
651 第1補助ライン
652 第2補助ライン
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に位置する多数の第1メッシュパターンを各々含む多数の第1タッチ電極と、
前記第1タッチ電極上に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置する多数の第2メッシュパターンを各々含む多数の第2タッチ電極と、
前記基板上に位置し、前記第2メッシュパターンのうち少なくとも一部と各々電気的に接続される多数の第1補助メッシュ電極と、
前記絶縁膜上に位置し、前記第1メッシュパターンのうち少なくとも一部と各々電気的に接続される多数の第2補助メッシュ電極と、
を含むタッチパネル。 - 前記絶縁膜に形成された多数の第1コンタクトホールを通じて、前記第1メッシュパターンのうち少なくとも一部と前記第2補助メッシュ電極との間を各々連結する第1コンタクトパターンと、
前記絶縁膜に形成された多数の第2コンタクトホールを通じて、前記第2メッシュパターンのうち少なくとも一部と前記第1補助メッシュ電極との間を各々連結する第2コンタクトパターンと、
をさらに含む請求項1に記載のタッチパネル。 - 相互に電気的に接続された第2メッシュパターンと第1補助メッシュ電極とは、少なくとも一部分が重畳し、
相互に電気的に接続された第1メッシュパターンと第2補助メッシュ電極とは、少なくとも一部分が重畳することを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル。 - 前記第1メッシュパターンと前記第1補助メッシュ電極とは、同一の物質で形成され、
前記第2メッシュパターンと前記第2補助メッシュ電極とは、同一の物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル。 - 前記第1メッシュパターンと前記第2メッシュパターンとは、各々多数の開口部を形成する金属ラインを含み、
前記第1補助メッシュ電極と第2補助メッシュ電極とは、各々多数の開口部を形成する金属ラインを含み、
前記第1補助メッシュ電極に含まれた金属ラインの幅は、前記第2メッシュパターンに含まれた金属ラインの幅より小さく、
前記第2補助メッシュ電極に含まれた金属ラインの幅は、前記第1メッシュパターンに含まれた金属ラインの幅より大きいことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル。 - 前記絶縁膜上に位置する多数の第1パッド及び第2パッドと、
前記第1タッチ電極と同一の層上に位置し、前記第1タッチ電極と各々電気的に接続される多数の第1トレースラインと、
前記第2タッチ電極と同一の層上に位置し、前記第2タッチ電極と各々電気的に接続される多数の第2トレースラインと、
前記絶縁膜に形成された多数の第3コンタクトホールを通じて、前記第1パッドと前記第1トレースラインとの間を連結する多数の第3コンタクトパターンと、
前記絶縁膜に形成された多数の第4コンタクトホールを通じて、前記第2パッドと前記第2トレースラインとの間を連結する多数の第4コンタクトパターンと、
前記絶縁膜上に位置し、前記第1トレースラインと電気的に接続される多数の第1補助ラインと、
前記絶縁膜上に位置し、前記第2トレースラインと電気的に接続される多数の第2補助ラインと、
をさらに含む請求項1に記載のタッチパネル。 - 前記第1補助ラインの幅は、前記第1トレースラインの幅と異なり、
前記第2補助ラインの幅は、前記第2トレースラインの幅と異なることを特徴とする請求項6に記載のタッチパネル。 - 前記第1メッシュパターンと前記第1補助メッシュ電極との間に位置する多数のダミーパターンをさらに含み、前記ダミーパターンは、フローティング状態である請求項1に記載のタッチパネル。
- 基板と、
前記基板上に位置し、各々が多数のメッシュパターンを含み、各々が第1方向に延在する第1タッチ電極と、
前記第1タッチ電極上に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置し、各々が前記第1方向と交差する第2方向に延在する第2タッチ電極と、
前記第1タッチ電極と同一の層上に配置され、各々がメッシュ形状を有し、前記第2タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続される多数の第1補助電極と、
前記第2タッチ電極と同一の層上に配置され、前記第1タッチ電極のうち少なくとも一部と電気的に接続される多数の第2補助電極と、
を含み、
前記第2タッチ電極は、
第1領域に配置された第1部分と、
前記第1領域と互いに異なる第2領域に配置され、前記第1部分と互いに異なるパターン形状を有する第2部分と、
を含むタッチパネル。 - 前記第1部分は、前記第1補助電極のうち前記第1領域に配置された第1補助電極と、前記第1タッチ電極のうち前記第1領域に配置された第1タッチ電極と、前記第1領域に配置された前記第1補助電極によって画定された開口部と、前記第1領域に配置された前記第1タッチ電極によって画定された開口部と、をカバーし、
前記第2部分は、前記第1補助電極のうち前記第2領域に配置された第1補助電極をカバーする第1重畳パターンと、前記第1重畳パターンと離隔され、前記第2領域に配置された前記第1補助電極によって画定された開口部内に配置された第1内側パターンと、を含む請求項9に記載のタッチパネル。
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