JP2016040800A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基部1上に配置され、ウエハ10が載置される静電チャック2と、基部1上の静電チャック2の周囲に配置され、静電チャック2側がウエハ10と干渉しないよう肉薄であるフォーカスリング4と、ウエハ10上の外周部分に被せられ、当該ウエハ10が静電チャック2上に載置されることでフォーカスリング4の肉薄部分41を覆う保護カバー5とを備えた。
【選択図】図1
Description
ここで、プラズマエッチング装置においてエッチングを行う空間(エッチング室)にはガスが充填されており、フォーカスリング4の交換を行う場合には、その置換作業を行う必要がある。しかしながら、この置換作業には時間がかかる(数日程度かかる)ため、フォーカスリング4の交換に時間を要することになり、装置稼働率を下げる主因となっている。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係るプラズマエッチング装置の構成を示す断面図である。
プラズマエッチング装置は、レジスト11が塗られたウエハ10に対してプラズマによりエッチングを行う装置である。なお、レジスト11は熱可塑性を有する物質であり、ウエハ10の外周部分のレジスト11は表面張力により盛り上がっている。
プラズマエッチング装置によりエッチングを行う場合には、まず、作業者は、搬送室の扉を介して搬送アーム上に、加工対象であるウエハ10を載置する。なお、このウエハ10上にはレジスト11が塗られている。そして、作業者は、このウエハ10上に保護カバー5を被せる。
また、通常、ウエハ10の外周端はレジスト11が薄くなっているため、図3,4に示す従来構成では、この外周部分が過剰なエッチングを受けて削れてしまう。しかしながら、本発明の保護カバー5を用いることで、ウエハ10の外周端の露出も防ぐことができ、プラズマの照射を防ぐことができる。
2 静電チャック
3 接着剤層
4 フォーカスリング
5 保護カバー
10 ウエハ
11 レジスト
41 肉薄部分
51 肉厚部分
52 面
Claims (3)
- レジストが塗られたウエハに対してプラズマによりエッチングを行うプラズマエッチング装置において、
基部上に配置され、前記ウエハが載置される静電チャックと、
前記基部上の前記静電チャックの周囲に配置され、前記静電チャック側が前記ウエハと干渉しないよう肉薄であるフォーカスリングと、
前記ウエハ上の外周部分に被せられ、当該ウエハが前記静電チャック上に載置されることで前記フォーカスリングの肉薄部分を覆う保護カバーと
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記保護カバーは、前記フォーカスリングとの対向面が肉厚であり、当該肉厚部分の内壁と前記ウエハの外壁との間のクリアランスは小さい
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング装置。 - 前記保護カバーは、前記フォーカスリングとの対向面が肉厚であり、当該肉厚部分の高さは、前記ウエハが前記静電チャックに載置された際に当該ウエハと当該保護カバーとの間に隙間がなくなるように設計された
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110967916A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造euv光掩模的方法 |
US12068141B2 (en) | 2021-12-21 | 2024-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ring assembly, substrate support apparatus and plasma processing apparatus including the same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08339895A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09120988A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2003243492A (ja) * | 2003-02-19 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法 |
JP2004200219A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2010192488A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20110159200A1 (en) * | 2008-09-08 | 2011-06-30 | Shibaura Mechatronics Coporation | Substrate holding member, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
WO2012133585A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
WO2013108750A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
-
2014
- 2014-08-12 JP JP2014164383A patent/JP2016040800A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08339895A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09120988A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2004200219A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2003243492A (ja) * | 2003-02-19 | 2003-08-29 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法 |
US20110159200A1 (en) * | 2008-09-08 | 2011-06-30 | Shibaura Mechatronics Coporation | Substrate holding member, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
JP2010192488A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2012133585A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
WO2013108750A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110967916A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造euv光掩模的方法 |
US12068141B2 (en) | 2021-12-21 | 2024-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ring assembly, substrate support apparatus and plasma processing apparatus including the same |
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