JP2016022594A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 基材の少なくとも一方の面に、ポリシラザンおよび長周期型周期表の第２族〜第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素（ただし、ケイ素および炭素を除く）を含有する塗布液を塗布し塗膜層を得る工程と、
前記塗膜層にイオンを注入して改質処理を行うことにより第１のガスバリア層を形成する工程と、
を含む、ガスバリア性フィルムの製造方法。 - 前記改質処理を、外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを前記塗膜層に注入する方法により行い、
前記改質処理を行う際の雰囲気圧力が１Ｐａ以下である、請求項１に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。 - 前記第１のガスバリア層と隣接するように、真空成膜法により第２のガスバリア層を形成する工程をさらに含む、請求項１または２に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 前記長周期型周期表の第２族〜第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素が、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 前記第１のガスバリア層における前記長周期型周期表の第２族〜第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素の含有量が、ケイ素（Ｓｉ）の含有量１００ｍｏｌ％に対して５〜２０ｍｏｌ％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法によりガスバリア性フィルムを製造する工程と、
得られたガスバリア性フィルムを用いて電子素子本体を封止する工程と、
を含む、電子デバイスの製造方法。
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