JP2016015416A - 光微小共振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層11と、中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層21と、中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層22と、中心層と第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層31と、中心層と第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層32と、を有し、第1の材料により形成される層または前記第2の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、第3の材料と第4の材料との屈折率差は、第1の材料と第2の材料との屈折率差よりも大きい。
【選択図】図3
Description
本実施の形態における光微小共振器は、中心層と、中心層の両側に各々形成された遷移DBR層と、遷移DBR層の外側となる両側に形成された通常DBR層とを有している。中心層は第1の材料により形成されており、例えば、化合物半導体であるInGaAsPにより形成されている。遷移DBR層は、第1の材料と第2の材料とを膜厚を変化させながら交互に積層することにより形成されている。第2の材料は化合物半導体により形成されており、例えば、InPが用いられている。通常DBR層は、第3の材料と第4の材料を一定の周期で交互に積層することにより形成されている。第3の材料としては、例えば、SiO2が用いられ、第4の材料としては、例えば、Siが用いられる。
DBRを用いたマイクロピラー型微小共振器では、近似的に言えば、ピラーの縦方向となる軸方向においてはDBRによるブラッグ反射により光閉じ込めを行い、横方向となる半径方向においては屈折率差による全反射による光閉じ込めを行う。これにより、共振器構造を実現している。しかしながら、全反射がおこるのは平面波の場合であり、微小共振器のように反射面が有限領域である場合は厳密には、全反射はおこらず有限のリークが発生する。これが微小共振器におけるQ値が有限の値になる理由の1つである。即ち、全反射が起こらない理由は、光が有限領域に閉じ込められていることにより、波数成分に広がりが生じ、全反射条件を満たさない成分が発生するからである。
(構造)
本実施の形態における光微小共振器について、図3に基づき説明する。本実施の形態における光微小共振器は、遷移DBR層を形成している第1の材料により形成される層と第2の材料により形成される層の膜厚が、中心層に近づくに伴い、徐々に薄くなっているマイクロピラー共振器である。
本実施の形態における光微小共振器であるマイクロピラー共振器の光学性能は、FDTD(finite-difference-time-domain)法を用いて解析することができる。上述した第1の材料111、第2の材料112、第3の材料113、第4の材料114は上述した材料を用いた光微小共振器について解析を行った。光微小共振器は、第2の通常DBR層22/第1の通常DBR層21を4/6.5対、第1の遷移DBR層31及び第2の遷移DBR層32におけるテーパDBRの段数N=6とした。また、ブラッグ波長λBを1.55μm、ρを0.03とし、数8〜10に基づき膜厚を設定した場合の計算を行った。この結果を図4に示す。尚、図4(a)は、ピラー直径Dとモード波長λとの関係を示し、図4(b)は、ピラー直径Dと品質因子Qとの関係を示し、図4(c)は、ピラー直径DとPurcell因子FPとの関係を示す。尚、図4において、従来構造は、図1に示される構造の光微小共振器におけるものである。
次に、本実施の形態における光微小共振器であるマイクロピラー共振器の製造方法について説明する。説明の便宜上、基板10がSi、第1の材料111がInGaAsP、第2の材料112がInP、第3の材料113がSiO2、第4の材料114がSiにより形成されている場合について説明する。図5から図7は、本実施の形態における光微小共振器の製造方法を説明する工程断面図である。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、第1の遷移DBR層31及び第2の遷移DBR層32が、中心層11に近づくに伴い、第1の材料111により形成される層が徐々に厚くなり、第2の材料112により形成される層が徐々に薄くなる構造のものである。
図9に基づき、本実施の形態における光微小共振器について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、基板10の上に形成されたピラー100により形成されている。具体的には、本実施の形態における光微小共振器は、基板10の上に、第1の通常DBR層21、第1の遷移DBR層31、中心層11、第2の遷移DBR層32、第2の通常DBR層22を積層することにより形成されたピラー100により形成されている。
本実施の形態における光微小共振器の効果について説明する。光微小共振器は、第1の通常DBR層21及び第2の通常DBR層22を4/6.5対とし、第1の遷移DBR層31及び第2の遷移DBR層32におけるテーパDBRの段数N=6とした。尚、本実施の形態における光微小共振器は、第1の材料111がInGaAsP、第2の材料112がInP、第3の材料113がSiO2、第4の材料114がSiにより形成されている。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、第1の遷移DBR層及び第2の遷移DBR層がハイブリッドとなっている構造のものである。第1の実施の形態等において、第1の材料111と第2の材料112との屈折率差が小さい場合、第1の遷移DBR層及び第2の遷移DBR層において得られる減衰率は、あまり大きくない。このような第1の遷移DBR層及び第2の遷移DBR層である遷移DBR層に、減衰率の大きい第1の通常DBR層及び第2の通常DBR層である通常DBR層を直接接合すると、減衰率の不連続性が大きくなってしまう。
図11に基づき、本実施の形態における光微小共振器について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、基板10の上に形成されたピラー100により形成されている。基板10の上に形成されるピラー100は、第1の通常DBR層21、第1の外遷移DBR層141、第1の内遷移DBR層151、中心層11、第2の内遷移DBR層152、第2の外遷移DBR層142、第2の通常DBR層22が積層されている。本実施の形態においては、第1の外遷移DBR層141と第1の内遷移DBR層151により第1の遷移DBR層131が形成され、第2の外遷移DBR層142と第2の内遷移DBR層152により第2の遷移DBR層132が形成される。
本実施の形態における光微小共振器の効果について説明する。光微小共振器は、第1の外遷移DBR層141及び第2の外遷移DBR層142と第1の内遷移DBR層151及び第2の内遷移DBR層152におけるテーパDBRの段数Nex=Nin=3とした。また、第1の通常DBR層21及び第2の通常DBR層22を4/6.5対とした。尚、第1の外遷移DBR層141及び第2の外遷移DBR層142は、第3の材料113により形成される層と第4の材料114により形成される層とを交互に積層することにより形成されている。また、第1の内遷移DBR層151及び第2の内遷移DBR層152は、第1の材料111により形成される層と第2の材料112により形成される層とを交互に積層することにより形成されている。本実施の形態における光微小共振器は、第1の材料111がInGaAsP、第2の材料112がInP、第3の材料113がSiO2、第4の材料114がSiにより形成されている。
次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、第1の遷移DBR層及び第2の遷移DBR層がハイブリッドとなっている構造のものである。本実施の形態は、内遷移DBR層及び外遷移DBR層を形成している層の一部が、中心層に向かって徐々に厚くなるように形成されているマイクロピラー共振器である。
図13に基づき、本実施の形態における光微小共振器について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、基板10の上に形成されたピラー100により形成されている。基板10の上に形成されるピラー100は、第1の通常DBR層21、第1の外遷移DBR層141、第1の内遷移DBR層151、中心層11、第2の内遷移DBR層152、第2の外遷移DBR層142、第2の通常DBR層22が積層されている。本実施の形態においては、第1の外遷移DBR層141と第1の内遷移DBR層151により第1の遷移DBR層131が形成され、第2の外遷移DBR層142と第2の内遷移DBR層152により第2の遷移DBR層132が形成される。
本実施の形態における光微小共振器の効果について説明する。光微小共振器は、第1の外遷移DBR層141及び第2の外遷移DBR層142と第1の内遷移DBR層151及び第2の内遷移DBR層152における遷移DBR層の段数Nex=Nin=3とした。また、第1の通常DBR層21及び第2の通常DBR層22を4/6.5対とした。尚、第1の外遷移DBR層141及び第2の外遷移DBR層142は、第3の材料113により形成される層と第4の材料114により形成される層とを交互に積層することにより形成されている。また、第1の内遷移DBR層151及び第2の内遷移DBR層152は、第1の材料111により形成される層と第2の材料112により形成される層とを交互に積層することにより形成されている。この光微小共振器は、第1の材料111がInGaAsP、第2の材料112がInP、第3の材料113がSiO2、第4の材料114がSiにより形成されている。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、遷移DBR層と通常DBR層との間に、第1の材料111と第2の材料112を交互に積層することにより、半導体通常DBR層を形成した構造のものである。
図16に基づき、本実施の形態における光微小共振器について説明する。本実施の形態における光微小共振器は、基板10の上に形成されたピラー100により形成されている。基板10の上に形成されるピラー100は、第1の通常DBR層21、第3の通常DBR層223、第1の遷移DBR層31、中心層11、第2の遷移DBR層32、第4の通常DBR層224、第2の通常DBR層22が積層されている。即ち、第1の通常DBR層21と第1の遷移DBR層31との間に第3の通常DBR層223が形成されており、第2の通常DBR層22と第2の遷移DBR層32との間に第4の通常DBR層224が形成されている。
本実施の形態における光微小共振器の効果について説明する。光微小共振器は、第1の通常DBR層21及び第2の通常DBR層22を4/6.5対、第3の通常DBR層223及び第4の通常DBR層224を3/3対、第1の遷移DBR層31及び第2の遷移DBR層32のテーパDBRの段数N=3とした。尚、本実施の形態における光微小共振器は、第1の材料111がInGaAsP、第2の材料112がInP、第3の材料113がSiO2、第4の材料114がSiにより形成されている。
(付記1)
微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層と、
前記中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層と、
前記中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層と、
前記中心層と前記第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層と、
前記中心層と前記第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層と、
を有し、
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層は、前記第1の材料により形成される層と第2の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第1の材料により形成される層または前記第2の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の通常DBR層及び前記第2の通常DBR層は、第3の材料により形成される層と第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第3の材料と前記第4の材料との屈折率差は、前記第1の材料と前記第2の材料との屈折率差よりも大きいことを特徴とする光微小共振器。
(付記2)
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層は、前記中心層に近づくに従って光の減衰率が徐々に小さくなっていることを特徴とする付記1に記載の光微小共振器。
(付記3)
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層において、前記第1の材料により形成される層及び前記第2の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっていることを特徴とする付記1に記載の光微小共振器。
(付記4)
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層において、
前記第1の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って徐々に厚くなっており、
前記第2の材料により形成される層の膜厚は、前記中心層に近づくに従って徐々に薄くなっていることを特徴とする付記1に記載の光微小共振器。
(付記5)
微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層と、
前記中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層と、
前記中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層と、
前記中心層と前記第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層と、
前記中心層と前記第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層と、
を有し、
前記第1の遷移DBR層は、前記中心層と接して形成される第1の内遷移DBR層と、前記第1の通常DBR層と接して形成される第1の外遷移DBR層とを有しており、
前記第2の遷移DBR層は、前記中心層と接して形成される第2の内遷移DBR層と、前記第2の通常DBR層と接して形成される第2の外遷移DBR層とを有しており、
前記第1の内遷移DBR層及び前記第2の内遷移DBR層は、前記第1の材料により形成される層と第2の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第1の材料により形成される層または前記第2の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層は、第3の材料により形成される層と第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第3の材料により形成される層または前記第4の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の通常DBR層及び前記第2の通常DBR層は、前記第3の材料により形成される層と前記第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第3の材料と前記第4の材料との屈折率差は、前記第1の材料と前記第2の材料との屈折率差よりも大きいことを特徴とする光微小共振器。
(付記6)
前記第1の内遷移DBR層及び前記第2の内遷移DBR層において、前記第1の材料により形成される層及び前記第2の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっており、
前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層において、前記第3の材料により形成される層及び前記第4の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっていることを特徴とする付記5に記載の光微小共振器。
(付記7)
前記第1の内遷移DBR層、前記第2の内遷移DBR層、前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層を形成している、前記第1の材料、前記第2の材料、前記第3の材料及び前記第4の材料のうちのいずれかにより形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に厚くなっていることを特徴とする付記5に記載の光微小共振器。
(付記8)
前記第1の通常DBR層と第1の遷移DBR層との間に設けられた第3の通常DBR層と、
前記第2の通常DBR層と第2の遷移DBR層との間に設けられた第4の通常DBR層と、
を有し、
前記第3の通常DBR層及び前記第4の通常DBR層は、前記第3の材料により形成される層と前記第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されていることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の光微小共振器。
(付記9)
前記第1の通常DBR層、前記第1の遷移DBR層、前記中心層、前記第2の遷移DBR層、前記第2の通常DBR層は、基板の上に形成されているピラーに形成されており、
前記ピラーの上面は円形であることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の光微小共振器。
(付記10)
前記第1の材料はInGaAsPを含む材料により形成されており、前記第2の材料はInPを含む材料により形成されており、前記第3の材料はSiO2を含む材料により形成されており、前記第4の材料はSiを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の光微小共振器。
11 中心層
21 第1の通常DBR層
22 第2の通常DBR層
31 第1の遷移DBR層
32 第2の遷移DBR層
50 InPウェハ
51 エッチストップ層
100 ピラー
111 第1の材料
112 第2の材料
113 第3の材料
114 第4の材料
131 第1の遷移DBR層
132 第2の遷移DBR層
141 第1の外遷移DBR層
142 第2の外遷移DBR層
151 第1の内遷移DBR層
152 第2の内遷移DBR層
223 第3の通常DBR層
224 第4の通常DBR層
Claims (7)
- 微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層と、
前記中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層と、
前記中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層と、
前記中心層と前記第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層と、
前記中心層と前記第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層と、
を有し、
前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層は、前記第1の材料により形成される層と第2の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第1の材料により形成される層または前記第2の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の通常DBR層及び前記第2の通常DBR層は、第3の材料により形成される層と第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第3の材料と前記第4の材料との屈折率差は、前記第1の材料と前記第2の材料との屈折率差よりも大きいことを特徴とする光微小共振器。 - 前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層において、前記第1の材料により形成される層及び前記第2の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっていることを特徴とする請求項1に記載の光微小共振器。
- 前記第1の遷移DBR層及び前記第2の遷移DBR層において、
前記第1の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って徐々に厚くなっており、
前記第2の材料により形成される層の膜厚は、前記中心層に近づくに従って徐々に薄くなっていることを特徴とする請求項1に記載の光微小共振器。 - 微小な発光体を含み、第1の材料を含む材料により形成された中心層と、
前記中心層の一方の側に設けられた第1の通常DBR層と、
前記中心層の他方の側に設けられた第2の通常DBR層と、
前記中心層と前記第1の通常DBR層との間に設けられた第1の遷移DBR層と、
前記中心層と前記第2の通常DBR層との間に設けられた第2の遷移DBR層と、
を有し、
前記第1の遷移DBR層は、前記中心層と接して形成される第1の内遷移DBR層と、前記第1の通常DBR層と接して形成される第1の外遷移DBR層とを有しており、
前記第2の遷移DBR層は、前記中心層と接して形成される第2の内遷移DBR層と、前記第2の通常DBR層と接して形成される第2の外遷移DBR層とを有しており、
前記第1の内遷移DBR層及び前記第2の内遷移DBR層は、前記第1の材料により形成される層と第2の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第1の材料により形成される層または前記第2の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層は、第3の材料により形成される層と第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、前記第3の材料により形成される層または前記第4の材料により形成される層の膜厚を徐々に変化させながら形成されるものであって、
前記第1の通常DBR層及び前記第2の通常DBR層は、前記第3の材料により形成される層と前記第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第3の材料と前記第4の材料との屈折率差は、前記第1の材料と前記第2の材料との屈折率差よりも大きいことを特徴とする光微小共振器。 - 前記第1の内遷移DBR層及び前記第2の内遷移DBR層において、前記第1の材料により形成される層及び前記第2の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっており、
前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層において、前記第3の材料により形成される層及び前記第4の材料により形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に薄くなっていることを特徴とする請求項4に記載の光微小共振器。 - 前記第1の内遷移DBR層、前記第2の内遷移DBR層、前記第1の外遷移DBR層及び前記第2の外遷移DBR層を形成している、前記第1の材料、前記第2の材料、前記第3の材料及び前記第4の材料のうちのいずれかにより形成される層の膜厚が、前記中心層に近づくに従って、徐々に厚くなっていることを特徴とする請求項4に記載の光微小共振器。
- 前記第1の通常DBR層と第1の遷移DBR層との間に設けられた第3の通常DBR層と、
前記第2の通常DBR層と第2の遷移DBR層との間に設けられた第4の通常DBR層と、
を有し、
前記第3の通常DBR層及び前記第4の通常DBR層は、前記第3の材料により形成される層と前記第4の材料により形成される層とを交互に積層することにより形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光微小共振器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018116596A1 (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618414B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-09 | Optical Communication Products, Inc. | Hybrid vertical cavity laser with buried interface |
JP2008211164A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-07-02 JP JP2014136996A patent/JP6422048B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618414B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-09 | Optical Communication Products, Inc. | Hybrid vertical cavity laser with buried interface |
JP2008211164A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
M. LERMER ET AL.: "Bloch-wave engineering of quantunm dot-micropillars for cavity quantum electrodynamics experiments", PHYS. REV. LETT., vol. 108, 057402, JPN6018001003, ISSN: 0003793417 * |
宋他: "1.55μm帯量子ドット単一光子光源のためのSiO2/a-Si微小共振器設計", 第60回応用物理学会春期学術講演会 講演予稿集, vol. 29a-PB6-1, JPN6018001004, ISSN: 0003793418 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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