JP2016013933A - アンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】結晶に生じるクラックを抑制し、結晶性に優れたアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】EFG法等により成長させたβ−Ga2O3系単結晶から切り出されたアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を準備する基板準備ステップと、前記単結晶基板に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶基板の抵抗率を1〜2.06×105Ω・cmにする抵抗率制御ステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】EFG法等により成長させたβ−Ga2O3系単結晶から切り出されたアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を準備する基板準備ステップと、前記単結晶基板に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶基板の抵抗率を1〜2.06×105Ω・cmにする抵抗率制御ステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、アンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法に関する。
半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板として特許第5382589号(特許文献1)に記載されているものがある。この半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板は、Mg、BeまたはZn等のII族元素のドープにより半絶縁化されたものである。
しかし、上記した半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板によれば、Mg、BeまたはZn等のII族元素を含んでいることから、結晶育成のときに、結晶にクラックが生じ、所望のサイズの結晶が得られなかったり、結晶性が悪くなることがある。
そこで、本発明は、結晶に生じるクラックを抑制し、結晶性に優れたアンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法を提供することに目的を有する。
本発明の一態様は、上記の目的を達成するために、下記の[1]〜[4]のアンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板を提供する。
[1]抵抗率が1Ω・cm以上のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
[2]抵抗率が2.06×105Ω・cm以下の上記[1]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
[3]抵抗率が2.28×104Ω・cm以下の上記[1]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
[4]面方位が(010)又は(−201)である上記[1]〜[3]のいずれか1項に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
[4]面方位が(010)又は(−201)である上記[1]〜[3]のいずれか1項に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
ここで、アンドープβ−Ga2O3系単結晶とは、意図的にドーパントがドープされていない(Un-Intentionally Doped)β−Ga2O3系単結晶をいう。アンドープGa2O3系単結晶基板を作製するためのアンドープGa2O3系単結晶は、一般的には、所定の純度を有するGa2O3粉末を原料に用いて育成、製造される。この原料は、Siを不可避的に含有する。その結果、アンドープβ−Ga2O3系単結晶は、最大で数〜数十ppm程度の濃度のSiを含有する。このβ−Ga2O3系単結晶から基板を切り出し、この基板をN2雰囲気でアニールして活性化すると、不可避的に混入しているSiがドナーとなって抵抗率が約10−1Ω・cmとなるが、この基板を酸素雰囲気中でアニールすることにより抵抗率が上昇し、アンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板となる。
また、本発明の一態様は、上記の目的を達成するため、上記した[1]〜[4]のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板に加えて、下記の[5]〜[10]のアンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板の製造方法を提供する。
[5]アンドープβ−Ga2O3系単結晶から切り出されたアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を準備する基板準備ステップと、前記単結晶基板に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶基板の抵抗率を1Ω・cm以上にする抵抗率制御ステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[6]前記抵抗率制御ステップは、前記単結晶基板の抵抗率を2.06×105Ω・cm以下にする上記[5]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[7]前記抵抗率制御ステップは、前記酸素を含む雰囲気としてO2雰囲気において実施される上記[5]あるいは[6]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[8]アンドープβ−Ga2O3系単結晶を準備する単結晶準備ステップと、前記単結晶に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶の抵抗率を1Ω・cm以上にする抵抗率制御ステップと、前記抵抗率を制御された単結晶からアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板を切り出す基板切り出しステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[9]前記抵抗率制御ステップは、前記単結晶の抵抗率を2.06×105Ω・cm以下にする上記[8]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[10]前記抵抗率制御ステップは、前記酸素を含む雰囲気としてO2雰囲気において実施される上記[8]あるいは[9]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[9]前記抵抗率制御ステップは、前記単結晶の抵抗率を2.06×105Ω・cm以下にする上記[8]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
[10]前記抵抗率制御ステップは、前記酸素を含む雰囲気としてO2雰囲気において実施される上記[8]あるいは[9]に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
本発明によれば、結晶に生じるクラックを抑制し、結晶性に優れたアンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法を提供することができる。
〔実施の形態〕
本実施の形態においては、種結晶を用いて、不可避的なSiを含有する平板状のβ−Ga2O3系単結晶(つまり、アンドープGa2O3系単結晶)をb軸もしくはc軸方向に成長させる。これにより、b軸もしくはc軸方向に垂直な方向の結晶品質のばらつきが小さいβ−Ga2O3系単結晶を得ることができる。
本実施の形態においては、種結晶を用いて、不可避的なSiを含有する平板状のβ−Ga2O3系単結晶(つまり、アンドープGa2O3系単結晶)をb軸もしくはc軸方向に成長させる。これにより、b軸もしくはc軸方向に垂直な方向の結晶品質のばらつきが小さいβ−Ga2O3系単結晶を得ることができる。
(β−Ga2O3系単結晶の成長)
以下に、平板状のアンドープβ−Ga2O3系単結晶を成長させる方法の一例として、EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いる場合の方法について説明する。なお、本実施の形態の平板状のアンドープβ−Ga2O3系単結晶の成長方法はEFG法に限られず、他の成長方法、例えば、マイクロPD(pulling-down)法等の引き下げ法を用いてもよい。また、ブリッジマン法にEFG法のダイのようなスリットを有するダイを適用し、平板状のβ−Ga2O3系単結晶を育成してもよい。
以下に、平板状のアンドープβ−Ga2O3系単結晶を成長させる方法の一例として、EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いる場合の方法について説明する。なお、本実施の形態の平板状のアンドープβ−Ga2O3系単結晶の成長方法はEFG法に限られず、他の成長方法、例えば、マイクロPD(pulling-down)法等の引き下げ法を用いてもよい。また、ブリッジマン法にEFG法のダイのようなスリットを有するダイを適用し、平板状のβ−Ga2O3系単結晶を育成してもよい。
図1は、本実施の形態に係るEFG結晶製造装置の一部の垂直断面図である。このEFG結晶製造装置10は、不可避的なSiを含有するGa2O3系融液12を受容するルツボ13と、このルツボ13内に設置されたスリット14aを有するダイ14と、スリット14aの開口部14bを含むダイ14の上部を露出させるようにルツボ13の上面を閉塞する蓋15と、β−Ga2O3系種結晶(以下、「種結晶」という)20を保持する種結晶保持具21と、種結晶保持具21を昇降可能に支持するシャフト22とを有する。
ルツボ13は、不可避的なSiを含有するGa2O3系粉末を溶解させて得られたGa2O3系融液12を収容する。ルツボ13は、Ga2O3系融液12を収容しうる耐熱性を有するイリジウム等の材料からなる。
ダイ14は、Ga2O3系融液12を毛細管現象により上昇させるためのスリット14aを有する。
蓋15は、ルツボ13から高温のGa2O3系融液12が蒸発することを防止し、さらにスリット14aの上面以外の部分にGa2O3系融液12の蒸気が付着することを防ぐ。
種結晶20を下降させて、スリット14aの開口部14bまで上昇したGa2O3系融液12に接触させ、Ga2O3系融液12と接触した種結晶20を引き上げることにより、平板状の不可避的なSiを含有するβ−Ga2O3系単結晶25を成長させる。β−Ga2O3系単結晶25の結晶方位は種結晶20の結晶方位と等しく、β−Ga2O3系単結晶25の結晶方位を制御するためには、例えば、種結晶20の底面の面方位及び水平面内の角度を調整する。
図2は、β−Ga2O3系単結晶の成長中の様子を表す斜視図である。図2中の面26は、スリット14aのスリット方向と平行なβ−Ga2O3系単結晶25の主面である。成長させたβ−Ga2O3系単結晶25を切り出してβ−Ga2O3系単結晶基板を形成する。この場合は、β−Ga2O3系単結晶基板の所望の主面の面方位にβ−Ga2O3系単結晶25の面26の面方位を一致させる。例えば、(−201)面を主面とするβ−Ga2O3系単結晶基板を形成する場合は、面26の面方位を(−201)とする。一方、(010)面を主面とするβ−Ga2O3系基板を形成する場合は、面26の面方位を(010)とする。また、成長させた不可避的なSiを含有するβ−Ga2O3系単結晶25は、新たな不可避的なSiを含有するβ−Ga2O3系単結晶を成長させるための種結晶として用いることができる。図1、2に示される結晶成長方向は、β−Ga2O3系単結晶25のb軸に平行な方向(b軸方向)である。
以下に、本実施の形態のアンドープβ−Ga2O3系単結晶25の育成条件の一例について述べる。
例えば、アンドープβ−Ga2O3系単結晶25の育成は、窒素雰囲気下で行われる。
図1、2に示される例では、水平断面の大きさがGa2O3系単結晶25とほぼ同じ大きさの種結晶20を用いている。この場合、Ga2O3系単結晶25の幅を広げる肩広げ工程を行わないため、肩広げ工程において発生しやすい双晶化を抑えることができる。
なお、この場合、種結晶20は通常の結晶育成に用いられる種結晶よりも大きく、熱衝撃に弱いため、Ga2O3系融液12に接触させる前の種結晶20のダイ14からの高さは、ある程度低いことが好ましく、例えば、10mmである。また、Ga2O3系融液12に接触させるまでの種結晶20の降下速度は、ある程度低いことが好ましく、例えば、1mm/minである。
種結晶20をGa2O3系融液12に接触させた後の引き上げるまでの待機時間は、温度をより安定させて熱衝撃を防ぐために、ある程度長いことが好ましく、例えば、10minである。
ルツボ13中の原料を溶かすときの昇温速度は、ルツボ13周辺の温度が急上昇して種結晶20に熱衝撃が加わることを防ぐために、ある程度低いことが好ましく、例えば、11時間掛けて原料を溶かす。
アンドープGa2O3系単結晶25を切り出すことにより得られたアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板は、前述したN2雰囲気のアニールを経ると、約10−1Ω・cmの抵抗率を有する。次に、このアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板に酸素アニールを施す。酸素アニールを施されることにより製造されたβ−Ga2O3系単結晶基板の抵抗率は、2.28×104Ω・cm以下、あるいは2.06×105Ωcm以下の半絶縁基板となる。
アンドープβ−Ga2O3系単結晶からアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を作製するときは、切断、スライス、研削、研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishing)の通常の工程を経て作製される。このとき、基板サイズは、1×1.5cm、厚さが0.05cmである。
前述した酸素アニールの処理条件は、50ml/分の酸素流量とし、9時間かけて室温から1450℃に上昇し、この温度に6時間保持し、12時間かけて室温に降温する。
このアニール処理後に、基板の表面及び裏面をそれぞれ0.0075cm研磨し、CMP処理を施す。
このようにして作製されたアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の抵抗率を算出した。この抵抗率の算出は、下記の表1に示したサンプル(A)及び(B)の厚み、主電極の直径から求めた主電極の面積、図3〜図5を用いて以下に説明する、I−V測定装置の測定結果から算出される抵抗に基づいて行われる。
ここで、サンプル(A)は、(010)面を主面とするアンドープ半絶縁β−Ga2O3系基板であり、サンプル(B)は、(−201)面を主面とするアンドープ半絶縁β−Ga2O3系基板である。
ここで、サンプル(A)は、(010)面を主面とするアンドープ半絶縁β−Ga2O3系基板であり、サンプル(B)は、(−201)面を主面とするアンドープ半絶縁β−Ga2O3系基板である。
図3(a)、(b)は、I−V測定装置で用いられる電極を示す。この電極は、(010)面を主面とするサンプル(A)100あるいは、(−201)面を主面とするサンプル(B)100の主面上にAgペーストを施して形成された主電極101と、主電極101と同心円状に形成されたガード電極102(ガード電極102は省略しても良い)と、サンプル(A)100あるいはサンプル(B)100の裏面にAgペーストを施して形成された対向電極103を有する。
図4、図5は、図3の主電極101と対向電極103(図4及び図5の測定結果は、ガード電極102を省略した構造によって得た)の間に電圧(V)を印加して(正の電圧は対向電極103側)測定した電流値(A)の関係を示す。
図4、図5において、電圧(V)をx軸とし、電流値(A)をy軸とすると、図4では、y=1.72×10−4・xの一次比例式となり、図5では、y=1.91×10−5・xの一次比例式となる。
図4において、一次比例式の比例定数である1.72×10−4の逆数から、表1のサンプル(A)の抵抗(5.81×103Ω)を算出した。また、図5において、一次比例式の比例定数である1.91×10−5の逆数から、表1のサンプル(B)の抵抗(5.24×104Ω)を算出した。
前述したように、サンプル(A)及び(B)の厚み(0.05cm)と、主電極101の直径(0.5cm)から算出した主電極101の面積、及び図4及び図5から求めたサンプル(A)の抵抗(5.81×103Ω)、及びサンプル(B)の抵抗(5.24×104Ω)とに基づき、表1のサンプル(A)及び(B)の抵抗率(2.28×104Ω・cm及び2.06×105Ω・cm)を算出した。また、表1の導電率(Ω−1・cm−1)は、抵抗率(Ω・cm)の逆数である。
上記した酸素アニールの処理温度は、1000℃以上であれば、半絶縁の効果が得られることを確認した。
この酸素アニールの処理条件を制御することにより、アンドープ半絶縁Ga2O3系単結晶基板は、1〜2.28×104Ω・cm、あるいは1〜2.06×105Ω・cmの抵抗率になるように制御された。
(実施の形態の効果)
本発明のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法によれば、抵抗率が1Ωcm以上、2.06×105Ω・cm以下のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板が得られる。
本発明のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板及びその製造方法によれば、抵抗率が1Ωcm以上、2.06×105Ω・cm以下のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板が得られる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、以上の実施の形態において、酸素アニールの雰囲気は、O2雰囲気、あるいはO2と他のガスとの混合雰囲気であっても良いし、H2Oガス等のように酸素含有ガスであっても良い。また、アンドープGa2O3系単結晶は、アンドープGa2O3単結晶、あるいはGaの一部がAlあるいはIn等で置換された単結晶であってもよい。酸素アニールは、アンドープβ−Ga2O3系単結晶に施して半絶縁単結晶とし、この半絶縁単結晶から半絶縁単結晶基板を切り出しても良く、また、アンドープβ−Ga2O3系単結晶からアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を切り出し、この基板に酸素アニール処理を施して半絶縁基板にしても良い。
また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
10…EFG結晶製造装置、 20…種結晶、 25…β−Ga2O3系単結晶
100…アンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板のサンプル(A)あるいはサンプル(B) 101…主電極 102…ガード電極 103…対向電極
100…アンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板のサンプル(A)あるいはサンプル(B) 101…主電極 102…ガード電極 103…対向電極
Claims (10)
- 抵抗率が1Ω・cm以上のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
- 抵抗率が2.06×105Ω・cm以下の請求項1に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
- 抵抗率が2.28×104Ω・cm以下の請求項1に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
- 面方位が(010)又は(−201)である請求項1〜3のいずれか1項に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板。
- アンドープβ−Ga2O3系単結晶から切り出されたアンドープβ−Ga2O3系単結晶基板を準備する基板準備ステップと、前記単結晶基板に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶基板の抵抗率を1Ω・cm以上にする抵抗率制御ステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
- 前記抵抗率制御ステップは、前記単結晶基板の抵抗率を2.06×105Ω・cm以下にする請求項5に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
- 前記抵抗率制御ステップは、前記酸素を含む雰囲気としてO2雰囲気において実施される請求項5あるいは6に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
- アンドープβ−Ga2O3系単結晶を準備する単結晶準備ステップと、前記単結晶に酸素を含む雰囲気中でアニール処理を施して前記単結晶の抵抗率を1Ω・cm以上にする抵抗率制御ステップと、前記抵抗率を制御された単結晶からアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板を切り出す基板切り出しステップと、を含むアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
- 前記抵抗率制御ステップは、前記単結晶の抵抗率を2.06×105Ω・cm以下にする請求項8に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
- 前記抵抗率制御ステップは、前記酸素を含む雰囲気としてO2雰囲気において実施される請求項8あるいは9に記載のアンドープ半絶縁β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法。
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JP2023512385A (ja) * | 2020-12-31 | 2023-03-27 | 杭州富加▲じゃ▼業科技有限公司 | ディープラーニング及びefgテクニック方法による高抵抗型酸化ガリウムの品質予測方法、製造方法及びそのシステム |
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