JP2012004439A - シリコンウエーハのpn判定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フローティングゾーン法(FZ法)により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハのPN判定方法において、該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は該シリコンウエーハの該熱処理工程前のPN(導電型)はN型、負の場合はP型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのPN判定方法。
【選択図】 図1
Description
前述のように、高抵抗率シリコンウエーハであっても簡便かつ正確にPN判定でき、その上シリコンウエーハ面内のPN(導電型)分布も正確に判定することのできるPN判定方法が求められていた。
以下、このPN判定方法の各工程について詳細に説明するが本発明の内容はこれに限定されるものではない。
以下、一般的なFZ法によるシリコン単結晶インゴットの育成方法について簡単に説明する。図2は、FZ法による従来のFZ単結晶製造装置30である。先ず、原料結晶棒1を、チャンバー20内に設置された上軸3の上部保持治具4に保持する。一方、直径の小さい単結晶の種(種結晶8)を、原料結晶棒1の下方に位置する下軸5の下部保持治具6に保持する。次に、誘導加熱コイル7により原料結晶棒1を溶融して、種結晶8に融着させる。その後、種絞りにより絞り部9を形成して無転位化する。そして、上軸3と下軸5を回転させながら原料結晶棒1と育成単結晶棒2を下降させることで浮遊帯域(溶融帯あるいはメルトともいう。)10を原料結晶棒1と育成単結晶棒2の間に形成し、該浮遊帯域10を原料結晶棒1の上端まで移動させてゾーニングし、育成単結晶棒2を成長させる。尚、この単結晶成長は、Arガスに微量の窒素ガスを混合した雰囲気中で行われ、N型シリコン単結晶インゴットを製造するためには、ドープノズル11より、製造する抵抗率に応じた量のArベースのPH3ガスを流し、また、P型シリコン単結晶インゴットを製造するためには、ドープノズル11より、製造する抵抗率に応じた量のArベースのB2H6ガスを流す。上記誘導加熱コイル7としては、銅または銀からなる単巻または複巻の誘導加熱コイルであって、冷却用の水を流通させた誘導加熱コイルが用いられている。このようにして育成したシリコン単結晶インゴットは一般的に純度が高く、高抵抗率となり、該シリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハは各種センサー、パワーデバイスなどに好適に用いられる。
上記のようにして、調査ウエーハサンプルである高抵抗率シリコンウエーハを用意し、熱処理工程前にその高抵抗率シリコンウエーハの抵抗率を測定する。ここで得られる抵抗率は高抵抗率シリコンウエーハのキャリア濃度に依存する。キャリア不純物はシリコン単結晶インゴット育成雰囲気中に添加した窒素及びP(リン)などのN型キャリア不純物又はB(ボロン)などのP型キャリア不純物である。
その後、高抵抗率シリコンウエーハに対して、乾燥酸素雰囲気下、1100℃〜1200℃の温度で100分以上の熱処理工程を行い、シリコン単結晶インゴット育成中に雰囲気に添加した窒素のN型キャリアとしての機能を消去する。
熱処理工程後に高抵抗率シリコンウエーハの抵抗率を測定する。ここで得られる抵抗率は高抵抗率シリコンウエーハのキャリア濃度に依存する。キャリアはシリコン単結晶インゴット育成雰囲気中に添加したPH3などのN型キャリアまたはB2H6などのP型キャリアである。
熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差を算出する。この時に算出される抵抗率差は、N型キャリアとして作用する窒素の添加量に依存する。
前記算出工程において、熱処理工程によりN型キャリアを除去することで抵抗率が増大する(キャリア濃度が減少する)のであれば熱処理工程前において多数キャリアはN型であると判定でき、抵抗率が減少する(キャリア濃度が増大する)のであれば熱処理工程前において多数キャリアはP型であると判定することができる。すなわち、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は高抵抗率シリコンウエーハの熱処理工程前のPN(導電型)はN型、負の場合はP型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのPN判定方法を提供することができる。
前記のように、熱処理工程前抵抗率が2000〜5000Ωcmであるシリコンウエーハを例えば図2の装置を用いて用意し、その熱処理工程前後の抵抗率差を算出する。
前記抵抗率差から窒素添加量を算出する。窒素添加量の算出にあたり、ASTM F574に従うことが好ましく、N型シリコンウエーハの場合、窒素添加量(ppba)=93/熱処理工程前抵抗率(Ωcm)−93/熱処理工程後抵抗率(Ωcm)、P型シリコンウエーハの場合、窒素添加量(ppba)=263/熱処理工程後抵抗率(Ωcm)−263/熱処理工程前抵抗率(Ωcm)として窒素添加量を算出することができる。
前記窒素添加量からPN判定限界抵抗率を算出する。PN判定限界抵抗率の算出にあたり、ASTM F574に従うことが好ましく、熱処理工程後抵抗率(P型シリコンウエーハ)(Ωcm)=263/(窒素添加量(ppba)−93/熱処理工程前抵抗率(N型シリコンウエーハ)(Ωcm))となる。PN判定限界抵抗率は熱処理工程前後においてシリコンウエーハの抵抗率が変化しない熱処理工程前抵抗率と定義されているから、前記式において熱処理工程後抵抗率(P型シリコンウエーハ)=熱処理工程前抵抗率(N型シリコンウエーハ)の場合の抵抗率がPN判定限界抵抗率となる。従って、PN判定限界抵抗率(Ωcm)=356/窒素添加量(ppba)と計算される。
FZ法により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製した直径6インチ(150mm)のシリコンウエーハ(サンプル1、サンプル2及びサンプル3)に対して本発明のPN判定を行う。熱処理工程前抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して乾燥酸素雰囲気中で1200℃の温度で100分の熱処理工程を行い、熱処理工程後抵抗率を測定することで、熱処理工程前後の抵抗率を得、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差を算出しPN判定を行う。
FZ法により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製した直径5インチ(125mm)のシリコンウエーハ(サンプル6、サンプル7、サンプル8、サンプル9、サンプル10及びサンプル11)に対して本発明のPN判定を行う。熱処理工程前抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して乾燥酸素雰囲気中で1200℃の温度で100分の熱処理工程を行い、熱処理工程後抵抗率を測定することで、熱処理工程前後の抵抗率を得、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差を算出しPN判定を行う。
比較例1として表3左側に、サンプル1、サンプル2及びサンプル3に対して前記熱処理前後での点接触整流法、熱起電力法によりPN判定を行った結果を示す。
比較例2として表6左側に、サンプル6、サンプル7、サンプル8、サンプル9、サンプル10及びサンプル11に対して、前記熱処理前後での点接触整流法、熱起電力法によりPN判定を行った結果を示す。
Claims (6)
- フローティングゾーン法(FZ法)により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハのPN判定方法において、該シリコンウエーハの抵抗率(熱処理工程前抵抗率)を測定し、その後該シリコンウエーハに対して1100℃〜1200℃の温度で100分以上の熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率(熱処理工程後抵抗率)を測定することで、熱処理工程前後の抵抗率を得、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は該シリコンウエーハの該熱処理工程前のPN(導電型)はN型、負の場合はP型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのPN判定方法。
- 前記シリコンウエーハの熱処理工程前抵抗率が5000Ωcm以上のシリコンウエーハに対してPN判定を行うことを特徴とする請求項1に記載のPN判定方法。
- 前記シリコンウエーハのPN判定方法において、熱処理工程前後のシリコンウエーハの抵抗率が同値になるシリコンウエーハの熱処理工程前抵抗率をPN判定限界抵抗率とし、該PN判定限界抵抗率以下の熱処理工程前抵抗率を有するシリコンウエーハに対してPN判定を行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のPN判定方法。
- 前記PN判定限界抵抗率として、PN判定をするシリコンウエーハと同一育成条件により育成されたシリコンウエーハであって熱処理工程前抵抗率が2000〜5000Ωcmであるシリコンウエーハに対し、該シリコンウエーハの抵抗率(熱処理工程前抵抗率)を測定し、その後該シリコンウエーハに対して1100℃〜1200℃の温度で100分以上の熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率(熱処理工程後抵抗率)を測定することで、熱処理工程前後の抵抗率を得、熱処理工程前後の抵抗率から該シリコンウエーハの窒素添加量を算出し、該窒素添加量を用いて該シリコンウエーハのPN判定限界抵抗率を算出することで得られたPN判定限界抵抗率を用いることを特徴とする請求項3に記載のPN判定方法。
- 前記窒素添加量として、シリコンウエーハがN型ウエーハの場合は窒素添加量(ppba)=93/熱処理工程前抵抗率(Ωcm)−93/熱処理工程後抵抗率(Ωcm)とし、P型ウエーハの場合は窒素添加量(ppba)=263/熱処理工程後抵抗率(Ωcm)−263/熱処理工程前抵抗率(Ωcm)として算出することで得られた窒素添加量を用いることを特徴とする請求項4に記載のPN判定方法。
- 前記PN判定限界抵抗率として、PN判定限界抵抗率(Ωcm)=356/窒素添加量(ppba)として算出することで得られたPN判定限界抵抗率を用いることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のPN判定方法。
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