JP2016012287A - ストレージ制御装置、およびストレージ制御プログラム - Google Patents

ストレージ制御装置、およびストレージ制御プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】ソリッドステートドライブ群におけるマルチデッドのリスクを低減できる。
【解決手段】ストレージ制御装置１は、ＳＳＤ群２を制御対象とする。ＳＳＤ群２は、データ保持を分担する２以上のＳＳＤ３を含み、たとえばＳＳＤ３ａ，３ｂを含む。検出部１ａは、ＳＳＤ３ごとの消耗状態を検出する。切り離し制御部１ｂは、消耗状態を示す消耗値が第１の閾値を超えたＳＳＤ３の切り離しをおこなう。拡大制御部１ｃは、ＳＳＤ群２のうちに消耗値が第１の閾値に至る前の第２の閾値を超えたＳＳＤ３がある場合に、第２の閾値を超えたＳＳＤ３と、他のＳＳＤ３との消耗値の差を拡大する。これにより、ストレージ制御装置１は、データ保持を分担する２以上のＳＳＤ３のうちの１つについて安全な切り離しをおこなうことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ストレージ制御装置、およびストレージ制御プログラムに関する。
データセンタは、信頼性を確保しながら大規模なデータを扱うことが求められ、一般に、多数のＨＤＤ（Hard Disk Drive：ハードディスクドライブ）を使用したＲＡＩＤ（Redundant Arrays of Inexpensive Disks）をストレージ装置（ＲＡＩＤ装置）に採用している。また、ＨＤＤより高速な記憶装置としてＳＳＤ（Solid State Drive）を使用するストレージ装置がある。ＳＳＤは、データの書き込みや消去により記憶素子が劣化することから信頼性確保の観点で、負荷の平準化などの寿命管理がおこなわれる。
特開２００７−２６５２６５号公報 特開２０１１−１５０５９０号公報
しかしながら、２以上のＳＳＤにより構成されたＲＡＩＤ（ソリッドステートドライブ群）は、複数のＳＳＤが同時に寿命を迎えるマルチデッドを生じる恐れがある。特に、ＳＳＤにかかる負荷の平準化がおこなわれている場合、ソリッドステートドライブ群は、マルチデッドのリスクがより顕著なものとなる。
１つの側面では、本発明は、ソリッドステートドライブ群におけるマルチデッドのリスクを低減できるストレージ制御装置、およびストレージ制御プログラムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、以下に示すような、データ保持を分担する２以上のソリッドステートドライブを含むソリッドステートドライブ群を制御対象とするストレージ制御装置が提供される。ストレージ制御装置は、検出部と、切り離し制御部と、拡大制御部とを備える。検出部は、ソリッドステートドライブごとの消耗状態を検出する。切り離し制御部は、消耗状態を示す消耗値が第１の閾値を超えたソリッドステートドライブの切り離しをおこなう。拡大制御部は、ソリッドステートドライブ群のうちに消耗値が第１の閾値に至る前の第２の閾値を超えたソリッドステートドライブがある場合に、第２の閾値を超えたソリッドステートドライブと、他のソリッドステートドライブとの消耗値の差を拡大する。
１態様によれば、ストレージ制御装置、およびストレージ制御プログラムにおいて、ソリッドステートドライブ群におけるマルチデッドのリスクを低減できる。
第１の実施形態のストレージ制御装置の構成の一例を示す図である。 第２の実施形態のストレージシステムの構成の一例を示す図である。 第２の実施形態のＲＡＩＤ装置の構成の一例を示す図である。 第２の実施形態のＣＭのハードウェア構成の一例を示す図である。 第２の実施形態のＳＳＤ監視処理のフローチャートを示す図である。 第２の実施形態の管理テーブルの一例を示す図である。 第２の実施形態のマルチデッド低減処理のフローチャートを示す図である。 第３の実施形態のマルチデッド低減処理のフローチャートを示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当初期の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当から所定期間経過後の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤのマルチデッド低減処理後の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属する特定ＳＳＤの寿命到達時の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当初期の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当から所定期間経過後の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤのマルチデッド低減処理後の領域構成の一例を示す図である。 第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属する特定ＳＳＤの寿命到達時の領域構成の一例を示す図である。
以下、実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
［第１の実施形態］
まず、第１の実施形態のストレージ制御装置について図１を用いて説明する。図１は、第１の実施形態のストレージ制御装置の構成の一例を示す図である。
ストレージ制御装置１は、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）群２を制御対象とする。ＳＳＤ群２は、データ保持を分担する２以上のＳＳＤ３を含み、たとえばＳＳＤ３ａ，３ｂを含む。たとえば、２以上のＳＳＤ３は、ＲＡＩＤによりデータ保持を分担する。なお、２以上のＳＳＤ３によるデータ保持の分担は、２以上のＳＳＤ３によりデータの保護と可用性を実現するものであり、各ＳＳＤ３が異なるデータを保持するほかに、２以上のＳＳＤ３が重複するデータを保持することを含む。また説明を簡単にするために、ＳＳＤ群２は、２つのＳＳＤ３ａ，３ｂを含むとしたが、３つ以上のＳＳＤ３を含むものであってもよい。
ＳＳＤ３は、使用開始からおこなわれる書き替え動作により消耗状態が変化する。消耗状態は、ＳＳＤ３が使用不能に至る程度を示す情報である。たとえば、消耗状態は、使用不能とされる閾値に向かって変化する値や百分率などであってもよい。消耗状態は、所定の閾値と比較化可能な数値（消耗値）によって表すことができる。
ストレージ制御装置１は、検出部１ａと、切り離し制御部１ｂと、拡大制御部１ｃとを備える。検出部１ａは、ＳＳＤ３ごとの消耗状態を検出する。すなわち、検出部１ａは、ＳＳＤ３ａの消耗状態と、ＳＳＤ３ｂの消耗状態とを検出する。なお、検出部１ａが検出する消耗状態は、消耗値と等価であってもよいし、所定の変換式あるいは変換規則により消耗値として数値化されるものであってもよい。このような消耗値は、ＳＳＤ３の消耗状態を示すことができる。
切り離し制御部１ｂは、消耗状態を示す消耗値が第１の閾値を超えたＳＳＤ３の切り離しをおこなう。たとえば、ＳＳＤ３ａの消耗状態６ａが第１の閾値を超えた場合に、切り離し制御部１ｂは、ＳＳＤ３ａの切り離しをおこなう。たとえば、切り離し制御部１ｂは、ＳＳＤ３ａが保持する情報を図示しない他のＳＳＤに移すことでＳＳＤ３ａの切り離しをおこなうことができる。第１の閾値は、ＳＳＤ３の切り離し契機となる閾値である。たとえば、第１の閾値は、ＳＳＤ３の自己診断機能が障害予兆警告を発生する契機となる値である。
拡大制御部１ｃは、ＳＳＤ群２のうちに消耗値が第１の閾値に至る前の第２の閾値を超えたＳＳＤ３がある場合に、第２の閾値を超えたＳＳＤ３と、他のＳＳＤ３との消耗値の差を拡大する。第２の閾値は、マルチデッドの警戒を開始する契機となる閾値である。
たとえば、拡大制御部１ｃは、ＳＳＤ３ａの消耗状態４ａを示す消耗値とＳＳＤ３ｂの消耗状態４ｂを示す消耗値とのうち、いずれか一方または両方が第２の閾値を超えた場合に、ＳＳＤ３ａの消耗値とＳＳＤ３ｂの消耗値との差を拡大する。なお、図示する消耗状態のハッチング部の大きさは、消耗状態を示す消耗値の大きさを表すとする。
拡大制御部１ｃは、ＳＳＤ３ａに対して書き替え動作をおこなうことで、ＳＳＤ３ａの消耗値とＳＳＤ３ｂの消耗値との差を拡大することができる。拡大制御部１ｃは、たとえばＳＳＤ３ａに対してガベージコレクションをおこなわせることで、ＳＳＤ３ａに対する書き替え動作をおこなうことができる。これにより、ＳＳＤ３ａの消耗状態４ａは消耗状態５ａとなり、ＳＳＤ３ｂの消耗状態４ｂは消耗状態５ｂとなり、ＳＳＤ３ａの消耗状態５ａを示す消耗値とＳＳＤ３ｂの消耗状態５ｂを示す消耗値との差が拡大する。
これにより、ストレージ制御装置１は、ＳＳＤ３ａとＳＳＤ３ｂとが同時に寿命を迎えるマルチデッドのリスクを低減できる。このようなストレージ制御装置１は、ＳＳＤ３ｂより先にＳＳＤ３ａが第１の閾値に至る消耗状態６ａに達することが期待できる。すなわち、ストレージ制御装置１は、データ保持を分担する２以上のＳＳＤ３のうちの１つについて安全な切り離しをおこなうことができる。
なお、ＳＳＤ３，４がＲＡＩＤによりデータ保持を分担している場合、ストレージ制御装置１は、マルチデッドを回避することでデータの喪失を抑制することができる。これにより、ストレージ制御装置１は、２以上のＳＳＤ３がデータ保持を分担するＲＡＩＤにおいて、データの保護と可用性を提供することができる。
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態のストレージシステムについて図２を用いて説明する。図２は、第２の実施形態のストレージシステムの構成の一例を示す図である。
ストレージシステム１０は、ホスト１１と、ネットワーク１２を介してホスト１１と接続するＲＡＩＤ装置１３を備える。ストレージシステム１０は、ホスト１１が要求するＩ／Ｏ（Input／Output）要求に応じて、ＲＡＩＤ装置１３にデータを書き込み、あるいはＲＡＩＤ装置１３からデータを読み出す。
次に、第２の実施形態のＲＡＩＤ装置１３の構成について図３を用いて説明する。図３は、第２の実施形態のＲＡＩＤ装置の構成の一例を示す図である。
ＲＡＩＤ装置１３は、ＣＭ（Controller Module：コントローラモジュール）１００と複数のＳＳＤ２０（２０ａ，２０ｂ，・・・，２０ｃ）を含む。ＲＡＩＤ装置１３は、複数のＳＳＤ２０を用いてＲＡＩＤを実装する。たとえば、ＲＡＩＤ装置１３は、ＳＳＤ２０ａをマスタとし、ＳＳＤ２０ｂをスレーブとしてＲＡＩＤ１を実装する。
複数のＳＳＤ２０は、ストレージ装置の１つである。ＣＭ１００は、ＲＡＩＤ装置１３のコントローラモジュールである。ＣＭ１００は、ホスト１１からホストＩ／Ｏ（ホスト１１からのＩ／Ｏ要求）を受け付けてＳＳＤ２０を制御する。したがって、ＲＡＩＤ装置１３（ＣＭ１００）は、ストレージ装置を制御対象とするストレージ制御装置に相当する。なお、ＲＡＩＤ装置１３は、ＳＳＤ２０を内蔵するものであってもよいし、外部接続するものであってもよい。
次に、第２の実施形態のＣＭ１００のハードウェア構成について図４を用いて説明する。図４は、第２の実施形態のＣＭのハードウェア構成の一例を示す図である。
ＣＭ１００は、ホストインタフェース１０１と、プロセッサ１０２と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１０３と、ＨＤＤ１０４と、機器接続インタフェース１０５と、ディスクインタフェース１０６と、バス１０７を含む。
ＣＭ１００は、プロセッサ１０２によって装置全体が制御されている。プロセッサ１０２には、バス１０７を介してＲＡＭ１０３と複数の周辺機器が接続されている。プロセッサ１０２は、２以上のプロセッサからなるマルチコアプロセッサであってもよい。
プロセッサ１０２は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、またはＰＬＤ（Programmable Logic Device）である。
ＲＡＭ１０３は、ＣＭ１００の主記憶装置として使用される。ＲＡＭ１０３には、プロセッサ１０２に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時格納される。また、ＲＡＭ１０３には、プロセッサ１０２による処理に必要な各種データが格納される。また、ＲＡＭ１０３は、プロセッサ１０２のキャッシュメモリとして機能する。
バス１０７に接続されている周辺機器としては、ホストインタフェース１０１、ＨＤＤ１０４、機器接続インタフェース１０５、およびディスクインタフェース１０６がある。
ホストインタフェース１０１は、ネットワーク１２を介してホスト１１との間でデータの送受信をおこなう。たとえば、ホストインタフェース１０１は、チャネルアダプタである。
ＨＤＤ１０４は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込みおよび読み出しをおこなう。ＨＤＤ１０４は、ＣＭ１００の補助記憶装置として使用される。ＨＤＤ１０４には、ＯＳのプログラム、アプリケーションプログラム、および各種データが格納される。なお、補助記憶装置としては、フラッシュメモリなどの半導体記憶装置を使用することもできる。
機器接続インタフェース１０５は、ＣＭ１００に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。たとえば機器接続インタフェース１０５には、図示しないメモリ装置やメモリリーダライタを接続することができる。メモリ装置は、機器接続インタフェース１０５との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタは、メモリカードへのデータの書き込み、またはメモリカードからのデータの読み出しをおこなう装置である。メモリカードは、たとえば、カード型の記録媒体である。
また、機器接続インタフェース１０５には、図示しないモニタを接続してもよい。その場合、機器接続インタフェース１０５は、プロセッサ１０２からの命令にしたがって、画像をモニタの画面に表示させるグラフィック処理機能を有する。
また、機器接続インタフェース１０５は、図示しないキーボードやマウスを接続してもよい。その場合、機器接続インタフェース１０５は、キーボードやマウスから送られてくる信号をプロセッサ１０２に送信する。なお、マウスは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボールなどがある。
また、機器接続インタフェース１０５は、図示しない光学ドライブ装置を接続してもよい。光学ドライブ装置は、レーザ光などを利用して、光ディスクに記録されたデータの読み取りをおこなう。光ディスクは、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスクには、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ（Recordable）／ＲＷ（ReWritable）などがある。
ディスクインタフェース１０６は、１または２以上のＳＳＤ２０との間でデータの送受信をおこなう。たとえば、ディスクインタフェース１０６は、Ｉ／Ｏコントローラとエキスパンダを含んで構成される。
以上のようなハードウェア構成によって、第２の実施形態のＣＭ１００の処理機能を実現することができる。なお、ホスト１１、および第１の実施形態に示したストレージ制御装置１も、図４に示したＣＭ１００と同様のハードウェアにより実現することができる。
ＣＭ１００は、たとえば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、第２の実施形態の処理機能を実現する。ＣＭ１００に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。たとえば、ＣＭ１００に実行させるプログラムをＨＤＤ１０４に格納しておくことができる。プロセッサ１０２は、ＨＤＤ１０４内のプログラムの少なくとも一部をＲＡＭ１０３にロードし、プログラムを実行する。また、ＣＭ１００に実行させるプログラムを、光ディスク、メモリ装置、メモリカードなどの可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、たとえばプロセッサ１０２からの制御により、ＨＤＤ１０４にインストールされた後、実行可能となる。またプロセッサ１０２が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。
次に、第２の実施形態のＳＳＤ監視処理について図５を用いて説明する。図５は、第２の実施形態のＳＳＤ監視処理のフローチャートを示す図である。
ＳＳＤ監視処理は、ＲＡＩＤを構成するＳＳＤ２０についてマルチデッドの可能性を評価してマルチデッドに至るリスクを低減する処理である。ＳＳＤ監視処理は、ＣＭ１００の起動後にＣＭ１００が実行する処理である。ＣＭ１００は、ＲＡＩＤグループごとにＳＳＤ監視処理を実行する。
［ステップＳ１１］ＣＭ１００は、監視対象となるＳＳＤ２０を特定する。ＣＭ１００は、ＲＡＩＤグループに属する２以上のＳＳＤ２０を、監視対象となるＳＳＤ２０として特定する。たとえば、ＳＳＤ２０ａ，２０ｂがＲＡＩＤ１に属する場合、ＣＭ１００は、ＳＳＤ２０ａ，２０ｂを監視対象となるＳＳＤ２０として特定する。
［ステップＳ１２］ＣＭ１００は、監視対象となるＳＳＤ２０を対象とした定期パトロールにより、監視対象となるＳＳＤ２０ごとの消耗度を測る情報を取得する。ＣＭ１００は、各ＳＳＤ２０がメタデータとし内部メモリに保持する情報を、消耗度を測る情報としてＳＳＤ２０の自己診断機能（Ｓ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ．（Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology））を介して取得できる。消耗度を測る情報は、たとえば、ＳＳＤ２０の不良ブロック数（Ｇ−Ｌｉｓｔ）や、書込量（累積書き込み回数）、書き替え回数指標値、ユーザ領域とスペア領域の割合などがある。
ＣＭ１００は、消耗度を測る情報から、あるいは消耗度を測る情報に基づいて算出した情報から、ＳＳＤ２０の消耗度を検出することができる。ＣＭ１００は、あらかじめ設定する周期で定期パトロールをおこなう。たとえば、ＣＭ１００は、１０分ごとに定期パトロールをおこなう。ＣＭ１００は、各ＳＳＤ２０から取得した情報を管理テーブルに記録する。管理テーブルについては、後で図６を用いて説明する。
［ステップＳ１３］ＣＭ１００は、マルチデッド監視状態遷移条件の成立を判定する。マルチデッド監視状態は、定期パトロールの結果から監視対象となるＳＳＤ２０でマルチデッドの危険を監視する状態である。ＣＭ１００は、マルチデッド監視状態遷移条件の成立の判定を、定期パトロールにより検出したＳＳＤ２０の消耗度と、あらかじめ設定する閾値（状態遷移閾値）との比較によりおこなう。ＣＭ１００は、監視対象となるＳＳＤ２０のうちのいずれか１つ以上の消耗度が状態遷移閾値を超えた場合にマルチデッド監視状態遷移条件の成立を判定する。
たとえば、ＣＭ１００は、ＳＳＤ２０の書込量を消耗度とするときに、いずれかのＳＳＤ２０の書込量が状態遷移閾値「１０００００」を超えた場合にマルチデッド監視状態遷移条件の成立を判定する。また、ＣＭ１００は、ＳＳＤ２０の書込量を消耗度とするときに、すべてのＳＳＤ２０の書込量が状態遷移閾値「１０００００」を超えない、たとえば、すべてのＳＳＤ２０の書込量が「７００００」の場合にマルチデッド監視状態遷移条件の不成立を判定する。
ＣＭ１００は、マルチデッド監視状態遷移条件が成立する場合にステップＳ１４にすすむ。一方、ＣＭ１００は、マルチデッド監視状態遷移条件が成立しない場合にステップＳ１２にすすむ。すなわち、ステップＳ１２とステップＳ１３をループする監視状態は、マルチデッドの危険が低い通常監視状態である。
［ステップＳ１４］ＣＭ１００は、監視対象となるＳＳＤ２０を対象とした定期パトロールにより、監視対象となるＳＳＤ２０ごとの消耗度を測る情報を取得する。なお、ステップＳ１４における定期パトロールは、ステップＳ１２における定期パトロールよりもパトロール頻度が高いものであってもよい。たとえば、ＣＭ１００は、５分ごとにステップＳ１４における定期パトロールをおこなう。ＣＭ１００は、各ＳＳＤ２０から取得した情報を管理テーブルに記録する。
［ステップＳ１５］ＣＭ１００は、管理テーブルが保持する情報にしたがいマルチデッド危険性評価をおこなう。マルチデッド危険性評価は、２以上のＳＳＤ２０がマルチデッドに至る危険性の評価である。たとえば、ＣＭ１００は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差があらかじめ定める閾値（危険性評価閾値）を超えるか否かによりマルチデッド危険性評価の評価をおこなう。
たとえば、ＣＭ１００は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差が危険性評価閾値「１０」を超えない場合に「マルチデッド危険性あり」を判定する。また、ＣＭ１００は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差が危険性評価閾値「１０」を超える場合に「マルチデッド危険性なし」を判定する。
［ステップＳ１６］ＣＭ１００は、マルチデッド危険性評価の結果がマルチデッド危険性ありか否かを判定する。ＣＭ１００は、２つのＳＳＤ２０の消耗度の差が危険性評価閾値を超える場合に、「マルチデッド危険性あり」としてステップＳ１７にすすむ。一方、ＣＭ１００は、２つのＳＳＤ２０の消耗度の差が危険性評価閾値を超えない場合に、「マルチデッド危険性なし」としてステップＳ１４にすすむ。
［ステップＳ１７］ＣＭ１００は、マルチデッド低減処理を実行する。マルチデッド低減処理は、ＲＡＩＤグループにおけるＳＳＤ２０のマルチデッドの危険性を低減する処理である。マルチデッド低減処理については、図７を用いて後で説明する。ＣＭ１００は、マルチデッド低減処理の実行後にステップＳ１４にすすむ。すなわち、ステップＳ１４からステップＳ１６、あるいはステップＳ１４からステップＳ１７をループする監視状態は、マルチデッドの危険が高いマルチデッド監視状態である。
このように、ＲＡＩＤ装置１３は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差を拡大して、ＲＡＩＤグループに含まれるＳＳＤ２０のマルチデッドのリスクを低減することができる。
なお、ＣＭ１００は、定期パトロールに代えて、ホスト１１から受け付けた書き込み要求の回数（たとえば、１００回ごと）に応じたイベントトリガパトロールをおこなうものとすることもできる。その場合、ＣＭ１００は、ステップＳ１２におけるイベントトリガパトロールよりもステップＳ１４におけるイベントトリガパトロールのパトロール頻度が高いものであってもよい。たとえば、ＣＭ１００は、書き込み要求１００回ごとにステップＳ１２におけるイベントトリガパトロールを実行し、書き込み要求２０回ごとにステップＳ１４におけるイベントトリガパトロールを実行する。
次に、ＣＭ１００が保持する管理テーブルについて図６を用いて説明する。図６は、第２の実施形態の管理テーブルの一例を示す図である。ＣＭ１００は、監視対象とするＳＳＤ２０から定期パトロールにより取得した情報を、管理テーブル２００に保持する。管理テーブル２００が保持する情報は、ＣＭ１００がＳＳＤ２０の自己診断機能を通じて、ＳＳＤ２０から収集する情報である。管理テーブル２００は、たとえば、ＲＡＭ１０３に記憶される。
管理テーブル２００は、項目「ＳＳＤ識別情報」と、項目「不良ブロック数」と、項目「書込量」とを含む。項目「ＳＳＤ識別情報」は、監視対象とするＳＳＤ２０を識別可能な情報である。たとえば、ＲＡＩＤ装置１３がＳＳＤ２０ａ，２０ｂを監視対象とするとき、ＳＳＤ２０ａ，２０ｂのＳＳＤ識別情報は、一方が「＃Ａ」であり、他方が「＃Ｂ」である。項目「不良ブロック数」は、ＳＳＤ２０のメモリセル（たとえば、ＮＡＮＤセル）が不良化したブロック数である。たとえば、ＳＳＤ識別情報「＃Ａ」の不良ブロック数は「２」であり、ＳＳＤ識別情報「＃Ｂ」の不良ブロック数は「４」である。項目「書込量」は、ＳＳＤ２０への累積書き込み回数である。たとえば、ＳＳＤ識別情報「＃Ａ」の書込量は「２００００」であり、ＳＳＤ識別情報「＃Ｂ」の書込量は「２５０００」である。なお、管理テーブル２００は、その他の項目、たとえば、書き替え回数指標値や、ユーザ領域とスペア領域の割合などを含むものであってもよい。
なお、管理テーブル２００が保持する情報は、定期パトロールの都度、ＣＭ１００によって更新される。また、ＣＭ１００は、定期パトロールによる情報の取得にかかる処理を、プロセッサ１０２とディスクインタフェース１０６とで分担してもよい。
次に、第２の実施形態のマルチデッド低減処理について図７を用いて説明する。図７は、第２の実施形態のマルチデッド低減処理のフローチャートを示す図である。
マルチデッド低減処理は、ＲＡＩＤグループにおけるＳＳＤ２０のマルチデッドの危険性を低減する処理である。マルチデッド低減処理は、ＳＳＤ監視処理のステップＳ１７でＣＭ１００が実行する処理である。
［ステップＳ２１］ＣＭ１００は、管理テーブルを参照して、消耗度が最大のＳＳＤ２０（以下、消耗度拡大対象ＳＳＤ）を選択する。
［ステップＳ２２］ＣＭ１００は、消耗度拡大対象ＳＳＤに対して消耗度を拡大する目標消耗度を設定する。ＣＭ１００は、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０に対して所定の差の消耗度が生じるように目標消耗度を設定する。たとえば、消耗度の指標として不良ブロック数を用いている場合、ＣＭ１００は、不良ブロック数が次に大きいＳＳＤ２０に対して不良ブロック数の差が「＋１０」となるように目標不良ブロック数（目標消耗度）を設定する。
［ステップＳ２３］ＣＭ１００は、消耗度を拡大する手段として、消耗度拡大対象ＳＳＤに対してガベージコレクションを指示する。なお、ガベージコレクションの指示は、消耗度を拡大する手段の一例であって、たとえば、トリムの実行指示などの積極的なイレース動作や、ダミーデータの書き込みと消去の実行などであってもよい。
［ステップＳ２４］ＣＭ１００は、消耗度拡大対象ＳＳＤからメタデータを取得する。
［ステップＳ２５］ＣＭ１００は、取得したメタデータから、消耗度拡大対象ＳＳＤが目標消耗度に到達したか否かを判定する。ＣＭ１００は、消耗度拡大対象ＳＳＤが目標消耗度に到達していない場合にステップＳ２３にすすみ、消耗度拡大対象ＳＳＤに対するさらなる消耗度拡大をおこなう。一方、ＣＭ１００は、消耗度拡大対象ＳＳＤが目標消耗度に到達した場合にマルチデッド低減処理を終了する。
これにより、ＲＡＩＤ装置１３は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差を拡大して、ＲＡＩＤグループに含まれるＳＳＤ２０のマルチデッドのリスクを低減することができる。
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態のＲＡＩＤ装置が実行するマルチデッド低減処理について図８を用いて説明する。図８は、第３の実施形態のマルチデッド低減処理のフローチャートを示す図である。第２の実施形態のマルチデッド低減処理が消耗度拡大対象ＳＳＤについて積極的に消耗度を拡大したのに対して、第３の実施形態のマルチデッド低減処理は、スペア領域の調整を図ることによりマルチデッドのリスクを低減する点で相違する。以下、第３の実施形態の説明では、第２の実施形態と同様の構成について符号を同じにして説明を省略する。
マルチデッド低減処理は、ＲＡＩＤグループにおけるＳＳＤ２０のマルチデッドの危険性を低減する処理である。マルチデッド低減処理は、ＳＳＤ監視処理のステップＳ１７でＣＭ１００が実行する処理である。
［ステップＳ３１］ＣＭ１００は、管理テーブルを参照して、消耗度が最大のＳＳＤ２０を特定ＳＳＤに選択する。
［ステップＳ３２］ＣＭ１００は、監視対象となるＳＳＤ２０（監視対象ＳＳＤ）に未割当領域があるか否かを判定する。ＣＭ１００は、監視対象ＳＳＤに未割当領域がある場合にステップＳ３３にすすみ、監視対象ＳＳＤに未割当領域がない場合にステップＳ３４にすすむ。なお、ＣＭ１００は、監視対象ＳＳＤから特定ＳＳＤを除いたＳＳＤ２０（非特定ＳＳＤ）を対象にして、未割当領域があるか否かの判定をおこなうようにしてもよい。
［ステップＳ３３］ＣＭ１００は、非特定ＳＳＤの未割当領域から一部または全部をスペア領域に割り当てて、マルチデッド低減処理を終了する。これにより、ＣＭ１００は、非特定ＳＳＤのスペア領域を拡大する。
［ステップＳ３４］ＣＭ１００は、特定ＳＳＤのスペア領域について一部または全部の割当を解除して、マルチデッド低減処理を終了する。これにより、ＣＭ１００は、特定ＳＳＤのスペア領域を縮小する。
これにより、ＲＡＩＤ装置１３は、消耗度が最大のＳＳＤ２０と、消耗度が次に大きいＳＳＤ２０との消耗度の差を拡大して、ＲＡＩＤグループに含まれるＳＳＤ２０のマルチデッドのリスクを低減することができる。
次に、マルチデッド低減処理におけるスペア領域の加減について図９から図１６を用いて説明する。先に、監視対象ＳＳＤに未割当領域がある場合について図９から図１２を用いて説明する。
まず、ＲＡＩＤ１に属するＳＳＤ２０の領域割当初期の領域構成について図９を用いて説明する。図９は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当初期の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ識別情報「＃Ａ」とＳＳＤ識別情報「＃Ｂ」の２つのＳＳＤ２０は、ＲＡＩＤ１に属する。以下、一方のＳＳＤ２０をＳＳＤ＃Ａ、他方のＳＳＤ２０をＳＳＤ＃Ｂとする。領域割当の初期において、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ユーザ領域、ＲＡＩＤ未割当領域、およびスペア領域をそれぞれ等しく有する領域構成である。
次に、領域割当から所定期間経過後のＳＳＤ２０について図１０を用いて説明する。図１０は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当から所定期間経過後の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、領域割当から所定期間経過後に、書き替え動作により不良ブロックが増加する。不良ブロックは、スペア領域と交替してユーザ領域を一定に保持する。なお、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ＲＡＩＤ１に属することから書き替え動作による不良ブロック数の増加（消耗度の増加）が均等である。したがって、領域割当から所定期間経過後において、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ユーザ領域、ＲＡＩＤ未割当領域、スペア領域、および不良ブロック交替領域をそれぞれ等しく有する領域構成である。
ここで、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂが属するＲＡＩＤ１は、マルチデッド監視状態を経て「マルチデッド危険性あり」とされたとする。このとき、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、スペア領域を有することから、マルチデッド低減処理において、ＣＭ１００は、非特定ＳＳＤのスペア領域を拡大する。
次に、非特定ＳＳＤのスペア領域拡大時のＳＳＤ２０について図１１を用いて説明する。図１１は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤのマルチデッド低減処理後の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃Ａが特定ＳＳＤであり、ＳＳＤ＃Ｂが非特定ＳＳＤであるときに、ＣＭ１００は、ＳＳＤ＃ＢについてＲＡＩＤ未割当領域の一部または全部をスペア領域に割り当てる。これにより、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ユーザ領域、および不良ブロック交替領域をそれぞれ等しく有するが、ＳＳＤ＃ＢがＳＳＤ＃Ａに比較してスペア領域を多く有する。ＳＳＤ＃Ｂ、すなわち非特定ＳＳＤのスペア領域の拡大は、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの消耗度の差を拡大する。
次に、特定ＳＳＤの寿命到達時のＳＳＤ２０について図１２を用いて説明する。図１２は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属する特定ＳＳＤの寿命到達時の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの消耗度の差が拡大した後の書き替え動作によるＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの不良ブロック数の均等増加により、特定ＳＳＤであるＳＳＤ＃Ａは、非特定ＳＳＤであるＳＳＤ＃Ｂより先に寿命を迎える。すなわち、ＳＳＤ＃Ａは、交替できるスペア領域がＳＳＤ＃Ｂより先に枯渇し、障害予兆警告を発する。
これにより、ＲＡＩＤ装置１３は、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂが同時に寿命を迎えるマルチデッドのリスクを低減する。また、ＲＡＩＤ装置１３は、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂについて不良ブロック交替領域の上限を減らすこともないため、マルチデッドのリスクを低減した状態でＳＳＤ２０のより長期間の使用を実現する。
なお、スペア領域の割当をコントロールできないＳＳＤについては、ＣＭ１００は、あらかじめＲＡＩＤ未割当領域から使用しないユーザ領域の１つとしてダミー領域を確保し、スペア領域の拡大時にダミー領域を解放するようにしてもよい。
次に、監視対象ＳＳＤに未割当領域がない場合について図１３から図１６を用いて説明する。まず、ＲＡＩＤ１に属するＳＳＤ２０の領域割当初期の領域構成について図１３を用いて説明する。図１３は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当初期の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ＲＡＩＤ１に属する。領域割当の初期において、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ユーザ領域、およびスペア領域をそれぞれ等しく有する領域構成である。
次に、領域割当から所定期間経過後のＳＳＤ２０について図１４を用いて説明する。図１４は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤの領域割当から所定期間経過後の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、領域割当から所定期間経過後に、書き替え動作により不良ブロックが増加する。不良ブロックは、スペア領域と交替してユーザ領域を一定に保持する。なお、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ＲＡＩＤ１に属することから書き替え動作による不良ブロック数の増加（消耗度の増加）が均等である。したがって、領域割当から所定期間経過後において、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、ユーザ領域、スペア領域、および不良ブロック交替領域をそれぞれ等しく有する領域構成である。
ここで、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂが属するＲＡＩＤ１は、マルチデッド監視状態を経て「マルチデッド危険性あり」とされたとする。このとき、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、スペア領域を有しないことから、マルチデッド低減処理において、ＣＭ１００は、特定ＳＳＤのスペア領域を縮小する。
次に、特定ＳＳＤのスペア領域縮小時のＳＳＤ２０について図１５を用いて説明する。図１５は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属するＳＳＤのマルチデッド低減処理後の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃Ａが特定ＳＳＤであり、ＳＳＤ＃Ｂが非特定ＳＳＤであるときに、ＣＭ１００は、ＳＳＤ＃Ａについてスペア領域の一部または全部をユーザ領域に割り当てる。これにより、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂは、不良ブロック交替領域を等しく有するが、ＳＳＤ＃ＢがＳＳＤ＃Ａに比較してスペア領域を多く有する。ＳＳＤ＃Ａ、すなわち特定ＳＳＤのスペア領域の縮小は、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの消耗度の差を拡大する。
次に、特定ＳＳＤの寿命到達時のＳＳＤ２０について図１６を用いて説明する。図１６は、第３の実施形態のＲＡＩＤ１に属する特定ＳＳＤの寿命到達時の領域構成の一例を示す図である。ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの消耗度の差が拡大した後の書き替え動作によるＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂの不良ブロック数の均等増加により、特定ＳＳＤであるＳＳＤ＃Ａは、非特定ＳＳＤであるＳＳＤ＃Ｂより先に寿命を迎える。すなわち、ＳＳＤ＃Ａは、交替できるスペア領域がＳＳＤ＃Ｂより先に枯渇し、障害予兆警告を発する。これにより、ＲＡＩＤ装置１３は、ＳＳＤ＃ＡとＳＳＤ＃Ｂが同時に寿命を迎えるマルチデッドのリスクを低減する。
なお、スペア領域の割当をコントロールできないＳＳＤについては、ＣＭ１００は、スペア領域の縮小時に使用しないユーザ領域の１つとしてダミー領域を設定するようにしてもよい。
なお、上記の処理機能は、コンピュータによって実現することができる。その場合、ストレージ制御装置１、ＲＡＩＤ装置１３が有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピュータで読み取り可能な記録媒体としては、磁気記憶装置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリなどがある。磁気記憶装置には、ハードディスク装置（ＨＤＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、磁気テープなどがある。光ディスクには、ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ／ＲＷなどがある。光磁気記録媒体には、ＭＯ（Magneto-Optical disk）などがある。
プログラムを流通させる場合には、たとえば、そのプログラムが記録されたＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどの可搬型記録媒体が販売される。また、プログラムをサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネットワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピュータにそのプログラムを転送することもできる。
プログラムを実行するコンピュータは、たとえば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくはサーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己の記憶装置からプログラムを読み取り、プログラムにしたがった処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み取り、そのプログラムにしたがった処理を実行することもできる。また、コンピュータは、ネットワークを介して接続されたサーバコンピュータからプログラムが転送されるごとに、逐次、受け取ったプログラムにしたがった処理を実行することもできる。
また、上記の処理機能の少なくとも一部を、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＰＬＤなどの電子回路で実現することもできる。
１ ストレージ制御装置
１ａ 検出部
１ｂ 切り離し制御部
１ｃ 拡大制御部
２ ＳＳＤ群
３，３ａ，３ｂ，２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ ＳＳＤ
１０ ストレージシステム
１１ ホスト
１２ ネットワーク
１３ ＲＡＩＤ装置
１００ ＣＭ
１０１ ホストインタフェース
１０２ プロセッサ
１０３ ＲＡＭ
１０４ ＨＤＤ
１０５ 機器接続インタフェース
１０６ ディスクインタフェース
１０７ バス
２００ 管理テーブル

Claims (7)

  1. データ保持を分担する２以上のソリッドステートドライブを含むソリッドステートドライブ群を制御対象とするストレージ制御装置であって、
    前記ソリッドステートドライブごとの消耗状態を検出する検出部と、
    前記消耗状態を示す消耗値が第１の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブの切り離しをおこなう切り離し制御部と、
    前記ソリッドステートドライブ群のうちに前記消耗値が前記第１の閾値に至る前の第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブがある場合に、前記第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブと、他のソリッドステートドライブとの前記消耗値の差を拡大する拡大制御部と、
    を備えるストレージ制御装置。
  2. 前記拡大制御部は、前記差が所定の閾値より小さい場合に、前記差を拡大する請求項１記載のストレージ制御装置。
  3. 前記拡大制御部は、前記第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブの前記消耗値を拡大する請求項１または請求項２記載のストレージ制御装置。
  4. 前記拡大制御部は、前記第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブに対してガベージコレクションを実行させる請求項３記載のストレージ制御装置。
  5. 前記拡大制御部は、前記第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブのスペア領域を縮小する請求項１または請求項２記載のストレージ制御装置。
  6. 前記拡大制御部は、前記他のソリッドステートドライブのスペア領域を拡大する請求項１または請求項２記載のストレージ制御装置。
  7. データ保持を分担する２以上のソリッドステートドライブを含むソリッドステートドライブ群を制御対象とする処理をコンピュータに実行させるストレージ制御プログラムであって、
    コンピュータに、
    前記ソリッドステートドライブごとの消耗状態を入力する入力処理と、
    前記消耗状態を示す消耗値が第１の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブの切り離しをおこなう切り離し処理と、
    前記ソリッドステートドライブ群のうちに前記消耗値が前記第１の閾値に至る前の第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブがある場合に、前記第２の閾値を超えた前記ソリッドステートドライブと、他のソリッドステートドライブとの前記消耗値の差を拡大する拡大処理と、
    を実行させるストレージ制御プログラム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116392A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社日立製作所 情報処理システム、及び、情報処理方法
JP2018156582A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 キヤノン株式会社 情報処理装置および画像形成装置等のストレージ制御方法
JP2018169979A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 日本電気株式会社 ストレージアレイ装置、ストレージシステム、ストレージアレイ制御方法、及び、プログラム
JP2022138311A (ja) * 2021-03-10 2022-09-26 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 情報処理装置、システム、プログラムおよび制御方法
JP7552141B2 (ja) 2020-08-21 2024-09-18 日本電気株式会社 情報処理装置、情報処理方法およびプログラム

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10474370B1 (en) 2016-05-20 2019-11-12 EMC IP Holding Company LLC Method and system for mitigating the effect of write and read disturbances in solid state memory regions
KR102653401B1 (ko) * 2016-07-18 2024-04-03 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그의 동작방법
JP6614062B2 (ja) * 2016-08-08 2019-12-04 株式会社バッファロー 磁気ディスク装置、コンピュータプログラム、および記録媒体
KR102409760B1 (ko) * 2017-03-17 2022-06-17 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템
CN108733313B (zh) * 2017-04-17 2021-07-23 伊姆西Ip控股有限责任公司 利用预备盘建立多级闪速缓存的方法、设备和计算机可读介质
CN110058788B (zh) 2018-01-18 2022-06-14 伊姆西Ip控股有限责任公司 分配存储的方法、电子设备、存储系统和计算机程序产品
JP7346311B2 (ja) * 2020-01-16 2023-09-19 キオクシア株式会社 メモリシステム
JP7490469B2 (ja) * 2020-06-25 2024-05-27 キオクシア株式会社 ストレージデバイス、ストレージシステム及び制御方法
US11561891B1 (en) * 2021-10-13 2023-01-24 Micron Technology, Inc. Adaptive user defined health indication

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030002366A1 (en) * 2001-06-27 2003-01-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Life warning generation system and method of semiconductor storage device equipped with flash memory
US20090046512A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 Munif Farhan Halloush Reliability System for Use with Non-Volatile Memory Devices
US20090138671A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for increasing spare space in memory to extend a lifetime of the memory
US20100005228A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Data control apparatus, storage system, and computer program product
WO2011036902A1 (en) * 2009-09-25 2011-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
US20110141833A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Seagate Technology Llc Low-wear writing in a solid state memory device
US8627181B1 (en) * 2012-09-12 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage apparatus, storage controller, and method for managing locations of error correcting code blocks in array

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4863749B2 (ja) 2006-03-29 2012-01-25 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを用いた記憶装置、その消去回数平準化方法、及び消去回数平準化プログラム
JP5331018B2 (ja) 2010-01-22 2013-10-30 株式会社日立製作所 ソリッド・ステート・ドライブ装置およびミラー構成再構成方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030002366A1 (en) * 2001-06-27 2003-01-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Life warning generation system and method of semiconductor storage device equipped with flash memory
US20090046512A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 Munif Farhan Halloush Reliability System for Use with Non-Volatile Memory Devices
US20090138671A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for increasing spare space in memory to extend a lifetime of the memory
JP2011505046A (ja) * 2007-11-28 2011-02-17 サンドフォース インコーポレイテッド メモリの寿命を延長するためにメモリ内のスペア領域を増加させること
US20100005228A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Data control apparatus, storage system, and computer program product
JP2010015516A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Toshiba Corp データ制御装置、ストレージシステムおよびプログラム
WO2011036902A1 (en) * 2009-09-25 2011-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2011070365A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp メモリシステム
US20110141833A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Seagate Technology Llc Low-wear writing in a solid state memory device
US8627181B1 (en) * 2012-09-12 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage apparatus, storage controller, and method for managing locations of error correcting code blocks in array
WO2014041638A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 株式会社 東芝 アレイにおける誤り訂正符号ブロック配置位置を管理するストレージ装置、ストレージコントローラ及び方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116392A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社日立製作所 情報処理システム、及び、情報処理方法
JP2018156582A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 キヤノン株式会社 情報処理装置および画像形成装置等のストレージ制御方法
JP2018169979A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 日本電気株式会社 ストレージアレイ装置、ストレージシステム、ストレージアレイ制御方法、及び、プログラム
JP7552141B2 (ja) 2020-08-21 2024-09-18 日本電気株式会社 情報処理装置、情報処理方法およびプログラム
JP2022138311A (ja) * 2021-03-10 2022-09-26 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 情報処理装置、システム、プログラムおよび制御方法
JP7235346B2 (ja) 2021-03-10 2023-03-08 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 システム、および制御方法

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