JP2015531892A - 光結合および光電子変換のための方法および装置 - Google Patents
光結合および光電子変換のための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015531892A JP2015531892A JP2015531998A JP2015531998A JP2015531892A JP 2015531892 A JP2015531892 A JP 2015531892A JP 2015531998 A JP2015531998 A JP 2015531998A JP 2015531998 A JP2015531998 A JP 2015531998A JP 2015531892 A JP2015531892 A JP 2015531892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interface
- optical
- photodetector
- refractive index
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
- H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
光ファイバ内で伝搬する光信号を電気出力信号に変換するための方法であって、対向する平坦な表面を有し、光ファイバの屈折率より実質的に高い屈折率を有する材料から形成される光インターフェースを提供するステップと、インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第1の表面を、光ファイバの出力端に隣接して配置し、光検出器をインターフェースの対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置するステップとを含み、これにより、光信号が光検出器に結合され、光検出器によって電気出力信号に変換される。
Description
この発明は、光通信の分野に関し、より詳細には、光インターコネクトと結合して使用するための光結合技法および機器に関する。
本願と同じ譲受人に譲渡された特許文献1は、高速光通信のための光インターコネクトを開示している。この公開に記載されているように、開示されているインターコネクトは、第1の位置と第2の位置の間で通信リンクを確立する際に使用するために適用され、第1の位置は通信されることになる入力データを受信する電気ドライバ回路を有し、第2の位置はその入力データを表す出力データを生成するための電気受信機回路を有する。この方法は、以下のステップ、すなわち、第1の位置にあり、傾斜電荷発光デバイスによって生成される光が入力データの関数であるようにドライバ回路と結合された傾斜電荷発光デバイスを提供するステップと、第1の位置と第2の位置との間に光ファイバを提供するステップと、傾斜電荷発光デバイスからの光を光ファイバ内に結合するステップと、第2の位置で、光ファイバとおよび受信機回路と結合された光検出器を提供するステップとを含み、それにより、入力データを表す電気信号が受信機回路から出力される。
そのような光インターコネクトシステムの受信機回路では、光ファイバケーブルの出力端からの光信号を、光信号を電気信号に変換する光ディテクタ、典型的には半導体光検出器内に結合することが必要である。当然ながら、この結合を高い効率で、すなわち、光ファイバの出力端を離れる光の最小限の損失で実施することは有利である。しかし、この技術の問題は、高効率結合の達成が受信機サブアセンブリのコストを実質的に増大することであり、これは、通信応用例における広範な使用に適している比較的安価な光インターコネクトを達成しようと努めるとき受け入れられない。
効率的な光結合技法を実装しようと試みるとき含まれるいくつかのコスト成分がある。最初に、光ファイバと光検出器能動エリアの相対サイズ(典型的には直径)が十分一致せず、異なるタイプの光インターコネクトについて変わることに注目することができる。1つのそのようなコスト成分は、光結合要素それ自体、たとえばファイバから出力された光を光検出器能動領域内に集束するためのレンズのコストである。コストの別の成分は、位置決め、位置合わせ、および光結合構成要素を定位置で固定することを含むアセンブリプロセス、およびアセンブリの最終的な光結合効率を損なうことなしにそれを行うことに関する。
従来技術の手法の例が、図1および図2に示されている。これらの図のどちらも、コア105およびクラッディング108を備える光ファイバの出力端が取り付けられているレセプタクル120を示す。レンズ要素190は、ファイバから出力された光を集束する。図1では、光は、基板182上の光検出器180の裏側で集束される。図2では、光は、基板182上の光検出器180の表側で集束される。(光検出器電気出力は、別々に示されていない。)図のように、従来技術は、ファイバから放出される光を光検出器上に結合するために比較的大きな1または複数のレンズの使用を含む可能性がある。これらのレンズは、通常、ファイバのものと同様の屈折率を有するプラスチックから構築される。デバイスの分離とレンズの焦点距離を一致させるために、アセンブリ中に精度が必要とされる。さらに、正確に湾曲した表面を構築するのが困難であることが、レンズのより高いコストの一因になる。
記載されている従来技術の手法の欠点および限界に対処することが、とりわけ本発明の目的である。
R.Fisher et al.,Optical System Design,McGraw Hill,2008
本発明は、光結合および光電子変換のための改善された方法および装置を提供する。
出願人は、使いやすい平坦な光インターフェースを使用するという簡潔な技法が、屈折集束効果を提供することができ、高い光結合効率の目的を達成することができ、一方、普及した安価な通信応用例に適している光インターコネクトに理想的である、複雑でないアセンブリ、および低コストの目的をも満たすことを発見した。
本発明の一形態によれば、光ファイバ(すなわち、本明細書では、典型的なクラッドファイバのためのファイバコア)内で伝搬する光信号を電気出力信号に変換するための方法であって、以下のステップ、すなわち、対向する平坦な表面を有し、前記光ファイバの屈折率より実質的に高い屈折率を有する材料から形成される光インターフェースを提供するステップと、前記インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第1の表面を、前記光ファイバの出力端に隣接して配置し、光検出器を前記インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置するステップとを含み、それにより、前記光信号が前記光検出器に結合され、前記光検出器によって電気出力信号に変換される方法が説明される。
本発明のこの形態の一実施形態では、前記光インターフェースを提供する前記ステップは、光ファイバの屈折率より少なくとも20パーセント高い屈折率を有する材料から形成されたインターフェースを提供するステップを含む。この実施形態の好ましい形態では、前記光ファイバは約1.5の屈折率を有し、前記光インターフェースを提供する前記ステップは、約3.1の屈折率を有する材料から形成された光透過性インターフェースを提供するステップを含む。この実施形態では、光インターフェースは、InPから形成される。代替の材料の例は、限定することなしにSi、GaAs、GaN、GaP、およびZnSeを含む。また、この実施形態では、前記光ファイバの出力端と前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第1の表面との間に、反射防止層が提供される。また、この実施形態では、光検出器を前記インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置する前記ステップは、半導体光検出器を前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの前記第2の表面上に堆積するステップを含む。また、光検出器は、たとえば前記表面の前記第2の表面上に接着される。
本発明の他の形態によれば、光ファイバ内で伝搬する光信号を受信し、前記光信号を電気出力信号に変換するための光受信機サブシステムであって、対向する平坦な表面を有し、前記光ファイバの屈折率より実質的に高い屈折率を有する材料から形成される光インターフェースと、前記光ファイバの出力端に隣接して配置される前記インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第1の表面と、前記インターフェースの対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接する光検出器とを備え、それにより、前記光信号が前記光検出器に結合され、前記光検出器によって電気出力信号に変換される光受信機サブシステムが説明される。
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面と併せ読めば、以下の詳細な説明からより容易に明らかになる。
光媒体の屈折率nは、光など放射が媒体を通っていかに伝搬するか表す無次元数である。屈折率はn=c/vとして定義され、ただし、cは真空内での光の速さであり、vは媒体内での光の速さである。光波が1つの屈折率n1の媒体から第2の屈折率n2の別の媒体に入ったとき、スネルの屈折の法則およびフレネルの反射の法則によって説明される2つの光学現象が経験される。
スネルの法則によれば、
n1sinθ1=n2sinθ2
光波がn1の屈折率を有する媒体を横断し、(表面法線に対する)θ1の伝搬角が、第2の屈折率n2の別の媒体に入ったとき、得られる伝搬角θ2は、上記の式で与えられる。
n1sinθ1=n2sinθ2
光波がn1の屈折率を有する媒体を横断し、(表面法線に対する)θ1の伝搬角が、第2の屈折率n2の別の媒体に入ったとき、得られる伝搬角θ2は、上記の式で与えられる。
たとえば、θ1=17.45°、n1=1、およびn2=3.1の場合、媒体2における得られる伝搬角は、5.55°である。したがって、比較的高屈折率の領域は、光波の伝搬角を(発散を小さく、または収束を小さく)低減するために使用できる。
また、フレネルの法則によれば、屈折率n1およびθ1の伝搬角を有する媒体内を伝搬する光波が第2の屈折率n2の別の媒体に入ったとき、光波の一部は反射される。フレネル反射を著しく低減するために、表面を適切な反射防止(AR)コーティングでコートすることができる。
本発明の一実施形態の特徴によれば、平坦な高屈折率差インターフェース(HDII)が一方の側で光導波路(光ファイバ)に結合され、他方の側は、光検出器に結合される。光検出器は、導波路コア領域のエリアより著しく小さく(最大40%小さい)、または大きくすることができる能動領域エリアを有する。また、HDIIの平坦な表面は、導波路放出軸と光検出器検出軸との間で傾斜軸のセルフアライメントを可能にすることによってアセンブリプロセスを単純化する。
図3の実施形態の例では、レセプタクル120内に取り付けられたファイバ光ケーブルの出力端が示されている。ファイバ光導波路は、従来、クラッディング108内にコア105を備える。コア105は、約1.5の屈折率と、62.5μmのコア直径と、0.3の開口数(NA)とを有し、透明なエポキシ材料130(n約1.5、約5μmの厚さ)を使用して、3.1の屈折率を有する厚さ150μmのInP HDII140の1つの表面に結合される。HDIIの反対側の表面は、この例では85μmの能動エリア直径を有する厚さ2μmの光検出器150の裏側に結合される。光検出器は、知られている有機金属化学気相成長法(MOCVD)によってなど、HDII130上に堆積させることができる。あるいは、光検出器は、HDIIに接着することができる。HDIIの平坦な表面は、光放出および光検出のそれぞれの軸のセルフアライメントを可能にする。
この例についての光結合効率が、ZEMAX光学ソフトウェアを使用し、シミュレーションを実施して決定された(たとえば、非特許文献1参照)。ファイバから光検出器の能動エリアへの約88%の光結合効率が達成され、大部分の損失は、ファイバとHDIIとの屈折率の差に関連するフレネル損失に起因する。光ファイバに結合されるInP HDIIの表面に適切な反射防止コーティングが適用されたとき、結合効率は約99%にさらに改善される。ZEMAXソフトウェアを使用する構造シミュレーションの結果が図4に示されている。
図5は、図1および図2の例について、NA0.3を有する直径62.5μmファイバから光検出器内への、検出器能動エリアの関数としての光結合効率のグラフであり、エリアは、直径45μmから85μmに変化が与えられる。グラフ化されたシミュレーション結果は、光検出器能動エリアがファイバ導波路のコアエリアより実質的に小さい、すなわち約40%小さい(約49μm能動領域直径対62.5μmコア直径)ときでさえ、80%を超える結合効率が達成されることを示す。
13.35μWの光パワーを放出する62.5μmコア直径のファイバを有する同じ例について、図6の表は、左側の縦列にリストされた光検出器能動エリアのそれぞれについて、光検出器内に結合される電力をマイクロワットで中央の縦列にリストする。右側の縦列は、光検出器内に結合される電力のパーセンテージをリストする。
図7は、ファイバが高屈折率差インターフェース(HDII)140の反射防止(AR)コートされた表面に機械的に押し付けられる一実施形態を示す。これは、約5μmの空隙(141で示されている)をもたらす。空気は、1の屈折率を有する。機械的な方法(図示されていないハウジングを含むことができる)の使用は、硬化を含む追加のアセンブリステップを必要とするエポキシの使用に比べたとき、アセンブリの複雑さを低減することによってコストを削減する。ZEMAXソフトウェアを使用するシミュレーションは、約94.5%の結合効率が依然として達成されることを示す。結合効率は、適切なARコーティングをファイバの表面上に適用することによって、さらに99%に改善することができる。
図8Aおよび図8Bに示されている他の実施形態では、HDIIが光検出器の前側に電気的および光学的に結合される。適切な反射防止コーティングがHDIIの両側および光検出器の前側に適用される。パターン化されたメタライゼーション(別々に示されていない)は、光検出器(出力は別々に示されていない)に電気的に結合するためにHDIIの上部に堆積することができ、および他の構成要素を一体化するために使用することができる。図8Aおよび図8Bでわかるように、この実施形態では、光検出器150が基板155上に、堆積されるまたは取り付けられる。基板がDHIIに結合されるとき、光検出器とHDIIの間の(接着材料内の)凹部内の空隙175は、空気として残す、またはエポキシで充填することができる。
Claims (18)
- 光ファイバ内で伝搬する光信号を電気出力信号に変換するための方法であって、
対向する平坦な表面を有し、前記光ファイバの屈折率より実質的に高い前記屈折率を有する光透過性材料から形成される光インターフェースを提供するステップと、
前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第1の表面を、前記光ファイバの出力端に隣接して配置し、光検出器を前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置するステップと
を備え、これにより、前記光信号が前記光検出器に結合され、前記光検出器によって電気出力信号に変換されることを特徴とする方法。 - 前記光インターフェースを提供する前記ステップは、前記光ファイバの屈折率より少なくとも20パーセント高い前記屈折率を有する材料から形成されたインターフェースを提供するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記光インターフェースを提供する前記ステップは、約3.1の屈折率を有する材料から形成されたインターフェースを提供するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記光ファイバは、約1.5の屈折率を有するコアを有し、前記光インターフェースを提供する前記ステップは、約3.1の屈折率を有する材料から形成されたインターフェースを提供するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記光インターフェースを提供する前記ステップは、InPから形成されたインターフェースを提供するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。
- 前記光ファイバの前記出力端と前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの前記第1の表面との間に、反射防止層を提供するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 前記光インターフェースを、約1.5の屈折率を有するエポキシで前記ファイバに固定するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 設定された光インターフェースを前記光ファイバに機械的に押し付けるステップをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 光検出器を前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置するステップは、半導体光検出器を前記インターフェースの前記対向する表面のうちの前記第2の表面上に堆積するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 光検出器を前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接して配置するステップは、半導体光検出器を前記インターフェースの前記対向する表面のうちの前記第2の表面上に接着するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 前記光インターフェースの前記対向する表面のうちの前記第2の表面上にメタライゼーションパターンを提供するステップと、前記光検出器を前記メタライゼーションパターンと電気的に結合するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。
- 光ファイバ内で伝搬する光信号を受信し、前記光信号を電気出力信号に変換するための光受信機サブシステムであって、
対向する平坦な表面を有し、前記光ファイバの屈折率より実質的に高い前記屈折率を有する光透過性材料から形成される光インターフェースと、
前記光ファイバの出力端に隣接して配置される前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第1の表面と、
前記インターフェースの前記対向する平坦な表面のうちの第2の表面に隣接する光検出器と
を備え、これにより、前記光信号が前記光検出器に結合され、および前記光検出器によって電気出力信号に変換されることを特徴とする受信機サブシステム。 - 前記光インターフェースは、前記光ファイバの屈折率より少なくとも20パーセント高い前記屈折率を有する材料から形成されることを特徴とする請求項12に記載の受信機サブシステム。
- 前記光インターフェースは、約3.1の屈折率を有する材料を含むことを特徴とする請求項12に記載の受信機サブシステム。
- 前記光ファイバは、約1.5の屈折率を有するコアを有し、前記光インターフェースは、約3.1の屈折率を有する材料から形成されることを特徴とする請求項12に記載の受信機サブシステム。
- 前記光インターフェースは、InPから形成されることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載の受信機サブシステム。
- 前記インターフェースの前記対向する表面と前記光検出器の前記表面との間に反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載の受信機サブシステム。
- 前記光検出器は、前記インターフェースの前記対向する表面のうちの前記第2の表面上に堆積されることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載の受信機サブシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261743746P | 2012-09-11 | 2012-09-11 | |
US61/743,746 | 2012-09-11 | ||
PCT/US2013/058946 WO2014043089A1 (en) | 2012-09-11 | 2013-09-10 | Method and apparatus for optical coupling and opto-electronic conversion |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015531892A true JP2015531892A (ja) | 2015-11-05 |
Family
ID=50278634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015531998A Pending JP2015531892A (ja) | 2012-09-11 | 2013-09-10 | 光結合および光電子変換のための方法および装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9304267B2 (ja) |
JP (1) | JP2015531892A (ja) |
KR (1) | KR20150065721A (ja) |
CN (1) | CN104620520A (ja) |
IN (1) | IN2015DN02239A (ja) |
MY (1) | MY178442A (ja) |
TW (1) | TW201411209A (ja) |
WO (1) | WO2014043089A1 (ja) |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2295437A1 (fr) * | 1974-12-20 | 1976-07-16 | Thomson Csf | Systeme de liaison par transmission optique au moyen de guides de lumiere |
US4355321A (en) * | 1981-02-02 | 1982-10-19 | Varian Associates, Inc. | Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window |
JPH0498204A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-30 | Nec Corp | アレイ光ファイバ端末 |
US5202553A (en) | 1992-03-24 | 1993-04-13 | Raynet Corporation | Enhanced performance optical receiver having means for switching between high and low amplifier configurations |
US5420953A (en) * | 1994-02-17 | 1995-05-30 | The Whitaker Corporation | Optoelectronic integration of holograms using (110) oriented silicon on (100) oriented silicon waferboard |
DE19534936C2 (de) * | 1995-09-20 | 1997-09-11 | Siemens Ag | Optoelektronische Sende-Empfangs-Vorrichtung |
JPH10117012A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
US6328482B1 (en) * | 1998-06-08 | 2001-12-11 | Benjamin Bin Jian | Multilayer optical fiber coupler |
JP4050402B2 (ja) * | 1998-08-25 | 2008-02-20 | 日本オプネクスト株式会社 | 光電子装置およびその製造方法 |
US6483969B1 (en) * | 1999-12-01 | 2002-11-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Apparatus, assembly, and method for making micro-fixtured lensed assembly for optoelectronic devices and optical fibers |
TW527676B (en) * | 2001-01-19 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo-semiconductor module and method for manufacturing |
JP4240890B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2009-03-18 | 沖電気工業株式会社 | 光学素子の製造方法および光学素子 |
US7123798B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-10-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of producing the same |
US6965714B2 (en) * | 2002-06-13 | 2005-11-15 | Northrop Grumman Corporation | Integrated aspheric optical coupler for RF planarized automatic photonics packaging |
US6727530B1 (en) | 2003-03-04 | 2004-04-27 | Xindium Technologies, Inc. | Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors |
US7998807B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-08-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for increasing the speed of a light emitting biopolar transistor device |
US7286583B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-10-23 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor laser devices and methods |
US7354780B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-04-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor light emitting devices and methods |
US7091082B2 (en) | 2003-08-22 | 2006-08-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor method and device |
US7696536B1 (en) | 2003-08-22 | 2010-04-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor method and device |
US20050040432A1 (en) | 2003-08-22 | 2005-02-24 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Light emitting device and method |
US6892010B2 (en) * | 2003-09-09 | 2005-05-10 | Emcore Corporation | Photodetector/optical fiber apparatus with enhanced optical coupling efficiency and method for forming the same |
US20050129367A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | The Boeing Company, A Delaware Corporation | Method and apparatus for angled fiber optical attenuation |
US7535034B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-05-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | PNP light emitting transistor and method |
US7711015B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-05-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for controlling operation of light emitting transistors and laser transistors |
JP4519888B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子及び光半導体モジュール |
US8159287B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-04-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transistor device and method |
US7953133B2 (en) | 2007-10-12 | 2011-05-31 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Light emitting and lasing semiconductor devices and methods |
US7813396B2 (en) | 2007-10-12 | 2010-10-12 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transistor laser devices and methods |
JP2009198908A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光通信用レンズ部品 |
US7888625B2 (en) | 2008-09-25 | 2011-02-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method and apparatus for producing linearized optical signals with a light-emitting transistor |
US8005124B2 (en) | 2008-10-15 | 2011-08-23 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Optical bandwidth enhancement of light emitting and lasing transistor devices and circuits |
EP2386132A2 (en) | 2009-01-08 | 2011-11-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Light emitting and lasing semiconductor devices and methods |
US8509274B2 (en) | 2009-01-08 | 2013-08-13 | Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd. | Light emitting and lasing semiconductor methods and devices |
US8179937B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-05-15 | Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd. | High speed light emitting semiconductor methods and devices |
JP2010251649A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hitachi Ltd | 面出射型レーザモジュールおよび面受光型モジュール |
CN102449785A (zh) | 2009-06-05 | 2012-05-09 | 住友化学株式会社 | 光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法 |
US8269431B2 (en) | 2009-06-15 | 2012-09-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method and apparatus for producing linearized optical signals |
US8195016B2 (en) * | 2009-11-02 | 2012-06-05 | Harris Corporation | Optical fiber switch including an index matching elastomeric solid layer and related methods |
JP5635116B2 (ja) | 2009-11-09 | 2014-12-03 | クワンタム エレクトロ オプト システムズ エスディーエヌ. ビーエイチディー.Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd. | 高速通信 |
US8399292B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-03-19 | International Business Machines Corporation | Fabricating a semiconductor chip with backside optical vias |
US8618575B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-12-31 | Quantum Electro Opto Systems Sdn. Bhd. | Light emitting and lasing semiconductor methods and devices |
JP5631176B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-11-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及びカメラ |
-
2013
- 2013-09-10 US US14/022,733 patent/US9304267B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-10 CN CN201380047259.5A patent/CN104620520A/zh active Pending
- 2013-09-10 KR KR1020157009227A patent/KR20150065721A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-09-10 JP JP2015531998A patent/JP2015531892A/ja active Pending
- 2013-09-10 MY MYPI2015700738A patent/MY178442A/en unknown
- 2013-09-10 WO PCT/US2013/058946 patent/WO2014043089A1/en active Application Filing
- 2013-09-11 TW TW102132830A patent/TW201411209A/zh unknown
-
2015
- 2015-03-19 IN IN2239DEN2015 patent/IN2015DN02239A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104620520A (zh) | 2015-05-13 |
IN2015DN02239A (ja) | 2015-08-21 |
KR20150065721A (ko) | 2015-06-15 |
WO2014043089A1 (en) | 2014-03-20 |
TW201411209A (zh) | 2014-03-16 |
US20140086589A1 (en) | 2014-03-27 |
US9304267B2 (en) | 2016-04-05 |
MY178442A (en) | 2020-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1341019B1 (en) | Three-dimensional optical waveguide | |
CN110637246B (zh) | 具有集成准直结构的光子芯片 | |
US20150177459A1 (en) | Radiation Coupler | |
US20090067799A1 (en) | Optical Device and Optical Device Manufacturing Method | |
EP2494394A1 (en) | Expanded beam interface device and method for fabricating same | |
EP3109681B1 (en) | Optical assembly and optical module | |
JP5369046B2 (ja) | 光ファイバアレイ、光スイッチ、光ファイバ及び端面加工方法 | |
US20120114293A1 (en) | Optical waveguide structure having angled mirror and lens | |
Nieweglowski et al. | Optical coupling with flexible polymer waveguides for chip-to-chip interconnects in electronic systems | |
US7572069B2 (en) | Surface warp resistant optical devices | |
WO2005036212A2 (en) | Photodetector/optical fiber apparatus with enhanced optical coupling efficiency and method for forming the same | |
US6892010B2 (en) | Photodetector/optical fiber apparatus with enhanced optical coupling efficiency and method for forming the same | |
JP5395042B2 (ja) | 光路変換デバイスの製造方法 | |
CN215641959U (zh) | 一种光电耦合装置 | |
JP2015531892A (ja) | 光結合および光電子変換のための方法および装置 | |
US9140852B2 (en) | High-density fiber coupling and emission/detection system | |
US20150268418A1 (en) | Expanded beam interconnector | |
Chen et al. | Silicon photonic beam steering module with backside coupling elements toward dense heterogeneous integration with drive electronics | |
JP2002311260A (ja) | プラスチック光ファイバ、その作製方法、それを用いた光実装体および光配線装置 | |
Mohammed et al. | Efficient and scalable single mode waveguide coupling on silicon based substrates | |
Kim et al. | High-efficiency and stable optical transmitter using VCSEL-direct-bonded connector for optical interconnection | |
CN215769116U (zh) | 带模式转化的光纤阵列 | |
Palen | Optical coupling to monolithic integrated photonic circuits | |
JPH10319278A (ja) | 光結合回路 | |
Ramesh et al. | Design of a coupling lens assembly and study on the impact of optical misalignments and variations of lens assembly on BER of a system |