JP2015527113A - 薬剤パッケージのＳｉＯｘバリア及び被覆プロセス - Google Patents

Abstract

内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器が開示される。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯx複合バリア皮膜又は層を支持する。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、複合バリア皮膜又は層と、壁又は基材との間の界面の存在を示す。一態様においては、界面は、Ｏ3−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ4結合の比率として少なくとも１モル％のＯ3−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。別の態様においては、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ4結合の結合エネルギと比較して低下させるために界面はＳｉ ２ｐ化学シフトを有する。結果は、実際の使用条件下で基材への高度の付着性を有する、密接に付着した複合バリア皮膜又は層である。複合バリア皮膜又は層を塗布する方法もまた開示される。

Description

２０１２年７月３日に出願の米国特許出願第６１／６６７，８７１号明細書及び２０１３年３月１５日に出願の米国特許出願第６１／８００，７４６号明細書の優先権を主張する。本出願は、現在係属中の２０１１年６月２７日出願の米国特許出願第１３／１６９，８１１号明細書の一部継続出願であり、２００９年７月２日出願の米国仮特許出願第６１／２２２，７２７号明細書、２００９年７月２４日出願の米国仮特許出願第６１／２１３，９０４号明細書、２００９年８月１７日出願の米国仮特許出願第６１／２３４，５０５号明細書、２００９年１１月１４日出願の米国仮特許出願第６１／２６１，３２１号明細書、２００９年１１月２０日出願の米国仮特許出願第６１／２６３，２８９号明細書、２００９年１２月１１日出願の米国仮特許出願第６１／２８５，８１３号明細書、２０１０年１月２５日出願の米国仮特許出願第６１／２９８，１５９号明細書、２０１０年１月２９日出願の米国仮特許出願第６１／２９９，８８８号明細書、２０１０年３月２６日出願の米国仮特許出願第６１／３１８，１９７号明細書、及び２０１０年５月１１日出願の米国仮特許出願第６１／３３３，６２５号明細書の優先権を主張する、現在、米国特許第７，９８５，１８８号明細書であり、２０１０年５月１２日出願の米国特許出願第１２／７７９，００７号明細書の分割出願である。上記特許及び出願は参照によってそれら全体を本明細書中に組み込む。

米国特許第７，９８５，１８８号明細書、２０１１年５月１１日出願の国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書、２０１１年１１月１１日出願の米国特許出願第６１／５５８，８８５号明細書、及び２０１２年４月２０日出願の米国特許出願第６１／６３６，３７７号明細書は全て参照によってそれら全体を本明細書中に組み込む。

また、参照によりそれら全体を組み込むのは以下の欧州特許出願である。２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７５５．２号明細書、２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７６０．２号明細書、２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７５６．０号明細書、２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７５８．６号明細書、２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７６１．０号明細書、及び２０１０年５月１２日出願の欧州特許出願公開第１０１６２７５７．８号明細書。これら欧州特許出願は、本明細書中に特に明記しない限りは本発明の実施において全般的に使用されうる装置、容器、前駆体、皮膜又は層並びに方法（特に、被覆方法及び皮膜又は層を検査するための試験方法）を記載する。

本発明は、被覆表面の技術分野に関し、例えば、保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器の内部表面に関する。適切な流体の例は、食品、生物学的に活性の化合物又は体液、例えば、製薬材料、血液及び他の多くを含む。本発明は、また、薬剤パッケージ又は他の容器に関し、また、薬剤パッケージ又は他の容器の内側又は内部表面を被覆するための方法に関する。本発明は、また、より全般的には、パッケージ又は容器以外のデバイス、例えば、カテーテルを含む医療デバイスに関する。

本開示は、また、薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、製剤保管及び送達、静脈穿刺及び他の医療試料採集並びに他の目的のために使用される複数の同一薬剤パッケージ又は他の容器を加工するための改良された方法に関する。このような薬剤パッケージ又は他の容器はこれら目的において多数が使用されるため、製造が比較的経済的でなければならないが、保管及び使用においても非常に信頼性の高いものでなければならない。

保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、バイアル及びプレフィルドシリンジの製造における重要なことの１つは、薬剤パッケージ又は他の容器の内容が望ましくは相当な保管寿命を有することである。この保管寿命の間、薬剤パッケージ又は他の容器に充填された物質を酸素などの大気ガスから分離することが重要である。また、そのような物質を、それを含む容器壁から、又は薬剤パッケージ又は他の容器壁に塗布されたバリア皮膜又は層、又は他の機能層から分離し、薬剤パッケージ又は他の容器壁、バリア皮膜又は層、又は他の機能層から充填済み内容に、又はその逆に物質が浸出することを回避することも重要となりうる。

これら薬剤パッケージ又は他の容器の多くは安価であり大量に使用されることから、特定用途においては、製造コストを極端に高い水準まで増加させることなく必要な保管寿命を確実に得るのに有用となろう。

数十年もの間、ほとんどの非経口治療はバイアル又はプレフィルドシリンジなどのタイプＩ（Ｔｙｐｅ Ｉ）医療グレードホウケイ酸ガラス容器において最終使用者に送達されてきた。ホウケイ酸ガラスの比較的丈夫な、不浸透性及び不活性表面はほとんどの薬物製品において適切に機能してきた。しかしながら、高価、複雑且つ敏感な生物学的製剤並びにオートインジェクタなどの高性能の送達システムの近頃の出現により、数ある問題の中でも、金属による汚染の可能性、フレーキング及び破損を含む、ガラス薬剤パッケージ又は他の容器の物理的及び化学的欠点が明らかとなった。更に、ガラスは、保管中に浸出するおそれがあり、保管した物質を損傷する原因となるいくつかの成分を含む。より詳細には、ホウケイ酸薬剤パッケージ又は他の容器はいくつかの欠点を示す。

ガラスは多くの元素（ケイ素、酸素、ホウ素、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム）と微量レベルの他のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の不均質混合物を含有する砂から製造される。タイプＩホウケイ酸ガラスは、約７６％のＳｉＯ₂、１０．５％のＢ₂Ｏ₃、５％のＡｌ₂Ｏ₃、７％のＮａ₂Ｏ及び１．５％のＣａＯを含み、鉄、マグネシウム、亜鉛、銅及びその他などの微量の金属をしばしば含む。ホウケイ酸ガラスの不均質な性質は分子レベルにおいて不均一な表面という化学的性質を形成する。ガラス容器を作製するために使用されるガラス成形プロセスは容器の一部を１２００℃のように高い温度に曝露する。そのような高温下、アルカリイオンは局所表面に移動し、酸化物を形成する。ホウケイ酸ガラスデバイスから抽出されたイオンの存在は一部の生物学的製剤の劣化、凝集及び変質に関与するおそれがある。多くのタンパク質及び他の生物学的製剤はそれらがガラスバイアル又はシリンジ内において溶液では十分に安定しないため、凍結乾燥（フリーズドライ）せねばならない。

ガラス薬剤パッケージ又は他の容器は、製造、充填作業、発送及び使用中に破損又は劣化しやすく、これはガラス微粒子が薬物に入る可能性があることを意味する。ガラス粒子の存在により多くのＦＤＡ警告書及び製品回収に至っている。

ガラス成形プロセスは新型のオートインジェクタ及び送達システムのいくつかに要求される厳格な寸法公差を提供しない。

その結果、一部の企業では、より良好な寸法公差を提供し、ガラスに比べ破損が少ないがその不透性を欠くプラスチック薬剤パッケージ又は他の容器を採用している。

プラスチックは破損、寸法公差及び表面均一性に関してガラスよりも優れてはいるが、以下の欠点により、一次薬剤包装としてのその使用は依然限定されている。

ガス（酸素）透過性：プラスチックは小分子ガスをデバイス内に（又は外に）透過させる。プラスチックのガス透過性はガラスのガス透過性より極めて大きくなり、多くの場合（エピネフリンなどの酸素に敏感な薬物のように）、プラスチックはこの理由のため容認されてこなかった。

水分透過：プラスチックはガラスに比べてデバイスに水分を透過させる度合いが大きい。これは固形（凍結乾燥）薬物の保管寿命には好ましくない場合がある。あるいは、乾燥した環境では液体製品が水を失うおそれがある。

浸出性物質（ｌｅａｃｈａｂｌｅｓ）及び抽出性物質（ｅｘｔｒａｃｔａｂｌｅｓ）：プラスチック薬剤パッケージ又は他の容器は薬物製品に浸出又は抽出するおそれのある有機化合物を収容する。これら化合物が薬物を汚染する、及び／又は薬物の安定性に悪影響を及ぼす可能性がある。

明らかに、プラスチック及びガラス薬剤パッケージ又は他の容器は薬剤の一次包装においてそれぞれ特定の利点を提供するが、いずれも全ての薬物、生物学的製剤又は他の治療法に最適というわけではない。したがって、ガラスの特性に近いガス及び溶質バリア特性を備えたプラスチック薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、バイアル、試料採集管及びシリンジが所望される。

関連する可能性のある特許の非網羅的な一覧には、米国特許第７，４８８，６８３号明細書、米国特許第７，９０１，７８３号明細書、米国特許第６，０６８，８８４号明細書、米国特許第４，８４４，９８６号明細書及び米国特許第８０６７０７０号明細書、並びに米国特許出願公開第２００８／００９００３９号明細書、米国特許出願公開第２０１１／０１５２８２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／００４６００６号明細書及び米国特許出願公開第２００４／０２６７１９４号明細書を含む。これら文書は全て参照により組み込まれる。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）段階において以下の条件下で形成される。結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は２．５〜１０である。堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は０．１〜０．０５である。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層は２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで形成される。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。この明細書に記載されている物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層の保持の程度は少なくとも９５％である。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層の保持の程度は少なくとも９０％である。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は複合バリア皮膜又は層と、壁又は基材との間の界面の存在を示す。界面は、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と内腔との間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を支持する。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は複合バリア皮膜又は層と、壁又は基材との間の界面の存在を示す。結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるために界面はＳｉ ２ｐ化学シフトを有する。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積段階において以下の条件下で塗布される。結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は２．５〜１０である。堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は０．１〜０．０５である。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで塗布される。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積段階において塗布される。物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層の保持の程度は少なくとも９５％である。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積段階において塗布される。被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層の保持の程度は少なくとも９０％である。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積段階において塗布される。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、複合バリア皮膜又は層と基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す。

本発明の非限定的な態様は容器を作製する方法である。内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供される。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。複合バリア皮膜又は層は少なくとも結合段階及び堆積段階において塗布される。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためのＳｉ ２ｐ化学シフトの存在を示す。

本発明の非限定的な態様は、少なくとも一部が壁によって画定される内腔を有する容器を含む充填済みパッケージである。壁は、内腔に面する内部表面と、外部表面と、結合皮膜又は層を含む内部表面上の皮膜一式と、バリア皮膜又は層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、を有する。任意選択的に、任意の実施形態においては、前に定義したように、結合皮膜又は層とバリア皮膜又は層は共に複合バリアの形態で提供される。

結合皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yを含む。結合皮膜又は層は、内腔に面する内部表面と、壁内部表面に面する外部表面と、を有する。

バリア皮膜又は層は、ｘが１．５〜２．９であり、２〜１０００ｎｍの厚さであるＳｉＯ_xを含み、ＳｉＯ_xのバリア皮膜又は層は、内腔に面する内部表面と、結合皮膜又は層の内部表面に面する外部表面と、を有し、バリア皮膜又は層は、バリア皮膜又は層のない容器と比べて内腔への大気ガスの進入を低減するのに有効である。

ｐＨ保護皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yを含み、ｐＨ保護皮膜又は層は、内腔に面する内部表面と、複合バリア皮膜又は層の内部表面に面する外部表面と、を有する。

結合皮膜又は層とｐＨ保護皮膜又は層の併用はパッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）を増加させるのに有効である。

パッケージは、また、内腔内に収容されており、且つ５〜９のｐＨを有する流体組成物を含む。パッケージの計算保管寿命は４℃の保管温度で６か月を超える。

本発明の非限定的な態様は、表面と、結合皮膜又は層とバリア皮膜又は層とｐＨ保護皮膜又は層とを含む表面上の皮膜一式と、を有する壁を含む物品である。

結合皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yを含む。結合皮膜又は層は、壁表面に面する外部表面と、内部表面と、を有する。

バリア皮膜又は層は、ｘが１．５〜２．９であり、２〜１０００ｎｍの厚さであるＳｉＯ_xを含む。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層は結合皮膜又は層の内部表面に面する外部表面を有し、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層は内部表面を有する。複合バリア皮膜又は層は、非被覆壁と比べて壁を通じた大気ガスの進入を低減するのに有効である。

任意選択的に、任意の実施形態においては、前に定義したように結合皮膜又は層とバリア皮膜又は層は共に複合バリア皮膜又は層の形態で提供される。

ｐＨ保護皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yを含む。ｐＨ保護皮膜又は層は複合バリア皮膜又は層上に堆積される。ｐＨ保護皮膜又は層は、非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体の化学気相成長によって形成される。

５〜９のある点のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度は、流体組成物が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層の侵食の速度よりも低い。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む内部表面を有する熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。内部表面は、結合皮膜又は層と、バリア皮膜又は層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、を有する。５を超えるｐＨを有する流体が内腔内に収容される。

結合皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yを含む。結合皮膜又は層は壁表面に面する外部表面を有し、結合皮膜又は層は内部表面を有する。

バリア皮膜又は層は、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯ_xを含む。バリア皮膜又は層はＰＥＣＶＤによって塗布され、結合皮膜又は層の内部表面と流体との間に配置され、熱可塑性プラスチック壁によって支持される。バリア皮膜又は層は、流体による攻撃の結果、６か月未満でバリア改善度が測定可能な程度低下するという特徴を有する。

任意選択的に、任意の実施形態においては、前に定義したように、結合皮膜又は層とバリア皮膜又は層は共に複合バリアの形態で提供される。

容器は、ｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜又は層を有する。ｐＨ保護皮膜又は層は、ＰＥＣＶＤによって塗布され、複合バリア皮膜又は層と、流体との間に配置され、熱可塑性プラスチック壁によって支持される。ｐＨ保護皮膜又は層と結合皮膜又は層は共に、複合バリア皮膜又は層を、流体による攻撃の結果、少なくとも６か月の期間少なくとも実質的に溶解しない状態に維持するのに有効である。

本開示の一実施形態による、被覆ステーション内の容器保持器の概略断面図である。 図１の断面線Ａ−Ａに沿って切った断面図である。 シリンジバレル及び他の薬剤パッケージ又は他の容器を処理するための、図１に類似する別の実施形態の図である。 図３の処理容器の拡大詳細図である。 薬剤パッケージ又は他の容器を処理するためのアセンブリの概略図である。アセンブリは先行する図のいずれにおいても装置とともに使用可能である。 複合バリア皮膜又は層上に被覆され、更にはＣＯＣ基材上に被覆された本発明による滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層のＴＥＭ画像を示す。 ＣＯＣ基材上に被覆された複合バリア皮膜又は層のＴＥＭ画像を示す。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、滑性層とが設けられ、充填及び閉鎖されて薬剤パッケージを提供するプレフィルドシリンジの組立図である。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、任意選択的に滑性層とが設けられたバイアルの形態の薬剤パッケージの概略図である。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層とが設けられたブリスタパッケージの形態の薬剤パッケージの概略図である。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５から加筆されたＦＴＩＲ振幅対波数プロットである。

図面では以下の参照符号を使用する。

ここで、いくつかの実施形態を示す添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で具現化することができ、ここで説明する実施形態に限定されるものと解釈すべきではない。むしろ、これら実施形態は本発明の例であり、特許請求の範囲の文言により示される全範囲を有する。全体にわたり同様の数は同様の要素又は対応する要素を意味する。以下の開示は、特定の実施形態に特に限定されない限りは全実施形態に関連する。

定義の項
本発明の文脈においては、以下の定義及び略語を使用する。

ＲＦは高周波である。

用語「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」は、本発明の文脈においては、同用語に続く整数と「等しいかそれを超える（ｅｑｕａｌ ｏｒ ｍｏｒｅ）」ことを意味する。「を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素又はステップを排除するものではなく、また、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は別段の定めがなければ複数形を排除するものではない。パラメータ範囲が示される場合、範囲の限界として提供するパラメータ値及び前記範囲内にあるパラメータの全ての値を開示することを意図する。

例えば、処理ステーション又は処理デバイスに対する「第１」及び「第２」又は類似の言及は、存在する最小数の処理ステーション又はデバイスを意味するものであり、必ずしも処理ステーション及びデバイスの順序又は総数を示すものとは限らない。これら用語は、処理ステーション又は各々のステーションにおいて実施される特定の処理の数を限定するものではない。

本発明の目的においては、「有機ケイ素前駆体」は、酸素原子又は窒素原子及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である、以下の結合の少なくとも１つを有する化合物である。

揮発性の有機ケイ素前駆体は、ＰＥＣＶＤ装置に蒸気として供給されうる前駆体と定義され、任意の有機ケイ素前駆体である。任意選択的に、有機ケイ素前駆体は直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、アルキルトリメトキシシラン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、及びこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせからなる群から選択される。

明細書及び特許請求の範囲において、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及びキャリアガスの供給量は「標準体積（ｓｔａｎｄａｒｄ ｖｏｌｕｍｅｓ）」で表される場合がある。チャージガス又は他の一定量のガスの標準体積は、（実際の送達温度及び圧力を考慮しない）標準温度及び圧力において占める一定量のガスの体積である。標準体積は異なる体積の単位を使用して測定することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、同じ一定量のガスを、標準立方センチメートルの数値、標準立方メートルの数値、又は標準立方フィートの数値として表すことができる。標準体積もまた異なる標準温度及び圧力を使用して定義することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、標準温度が０℃、標準圧力が７６０Ｔｏｒｒ（従来のまま）である可能性も、標準温度が２０℃、標準圧力が１Ｔｏｒｒである可能性もある。しかし、特定の場合においてどのような標準を使用したとしても、２つ以上の異なるガスの相対体積を特定のパラメータを明示せずに比較する場合、特に明示しない限りは、各ガスに対して同じ体積、標準温度及び標準圧力の単位が使用される。

本明細書においては、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及びキャリアガスの対応する供給速度は単位時間あたりの標準体積で表される。例えば、実施例において、流量は標準立方センチメートル／分として表され、ｓｃｃｍと略される。他のパラメータと同様、秒又は時間などの他の時間単位を使用できるが、２つ以上のガスの流量を比較する場合、特に明記されない限りは一貫したパラメータが使用される。

「容器」は、本発明の文脈においては、少なくとも１つの開口部と、内側又は内部表面を画定する壁とを備えた任意の種類の容器とされうる。基材は内腔を有する容器の内側壁とされうる。本発明は特定の容量の薬剤パッケージ又は他の容器に必ずしも限定されるわけではないが、内腔が０．５〜５０ｍＬ、任意選択的に、１〜１０ｍＬ、任意選択的に、０．５〜５ｍＬ、任意選択的に、１〜３ｍＬの空隙容量を有する薬剤パッケージ又は他の容器が企図される。基材表面は、少なくとも１つの開口部及び内側又は内部表面を有する容器の内側又は内部表面の一部又は全てとされうる。

用語「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」は、本発明の文脈においては、同用語に続く整数と「等しいかそれを超える（ｅｑｕａｌ ｏｒ ｍｏｒｅ）」ことを意味する。したがって、容器は、本発明の文脈においては、１つ又は複数の開口部を有する。試料管（１つの開口部）又はシリンジバレル（２つの開口部）の開口部のような１つ又は２つの開口部が好適である。容器が２つの開口部を有する場合、それらは同じ又は異なる大きさのものとされうる。２つ以上の開口部がある場合、１つの開口部は本発明によるＰＥＣＶＤ被覆方法のガス注入用に使用することができる一方で、もう一方の開口部はキャップが嵌められるか開放されるかのいずれかである。本発明による容器は、例えば、血液又は尿などの生物学的流体を採集又は保管するための試料管、生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、薬剤又は薬剤組成物を保管又は送達するためのシリンジ（又はその一部、例えば、シリンジバレル）、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保管するためのバイアル、管、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を輸送するためのカテーテル、又は流体を保持するための、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保持するためのキュベットとすることができる。

容器はあらゆる形状のものとすることができ、その開端部の少なくとも１つに隣接する、実質的に円筒状の壁を有する容器が好適である。一般に、例えば、試料管又はシリンジバレル内のように容器の内部壁は円筒状の形状である。試料管及びシリンジ又はそれらの部品（例えば、シリンジバレル）が企図される。

「疎水性層」は、本発明の文脈においては、皮膜又は層が、皮膜又は層で被覆された表面のぬれ張力を、対応する非被覆表面と比べて低下させることを意味する。疎水性は、したがって、非被覆基材及び皮膜又は層両方に関係する。用語「疎水性」が使用される他の文脈の適切な代替物にも同じことが当てはまる。用語「親水性」は逆、すなわち、基準試料と比べてぬれ張力が増加することを意味する。本疎水性層は、それら疎水性及び疎水性を提供するプロセス条件によって主に定義される。

この明細書全体を通して使用されるｗ、ｘ、ｙ、及びｚの値は、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又は本明細書におけるその等価であるＳｉＯ_xＣ_yと同様に、分子中の原子の数又は種類を限定するものではなく、（例えば、皮膜又は層の）比率又は実験式と理解すべきである。例えば、分子組成Ｓｉ₄Ｏ₄Ｃ₈Ｈ₂₄を有するオクタメチルシクロテトラシロキサンは、分子式のｗ、ｘ、ｙ、及びｚそれぞれを最大公約数である４で割ることにより得た以下の実験式、Ｓｉ₁Ｏ₁Ｃ₂Ｈ₆で記載されうる。ｗ、ｘ、ｙ及びｚの値は、また、整数に限定されない。例えば、（非環式）オクタメチルトリシロキサンの分子組成Ｓｉ₃Ｏ₂Ｃ₈Ｈ₂₄はＳｉ₁Ｏ_0.67Ｃ_2.67Ｈ₈に可約である。また、本明細書においては、ＳｉＯ_xＣ_yＨ_zはＳｉＯ_xＣ_yに等しい（すなわち、ｗは１に等しく設定され、水素の量はあるとしても報告されない）。ＳｉＯ_xＣ_yの存在を示すために水素の存在をいかなる比率においても示す必要はない。

「ぬれ張力」は表面の疎水性又は親水性の特定の測度である。任意のぬれ張力測定方法は、本発明の文脈においては、ＡＳＴＭ Ｄ２５７８又はＡＳＴＭ Ｄ２５７８に記載されている方法の変更形態である。この方法では、標準的なぬれ張力の溶液（ダイン溶液（ｄｙｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）と称される）を使用してプラスチック膜表面をちょうど２秒間濡らすのに最も近い溶液を特定する。これが膜のぬれ張力である。本明細書中において使用する手順はＡＳＴＭ Ｄ ２５７８から変更され、基材は平坦なプラスチック膜でなく、管内側を疎水性皮膜又は層（欧州特許出願公開第２２５１６７１Ａ２号明細書の実施例９を参照）で被覆するための手順（制御以外）に従い被覆された管である。

本発明による「滑性及び／又はｐＨ保護皮膜」は、非被覆表面よりも低い摩擦抵抗を有する（滑性層）及び／又は下地表面又は層を層に接触する流体組成物から保護する（ｐＨ保護皮膜又は層）（この明細書の別の場所においてより広範に定義される）皮膜又は層である。換言すると、滑性層に関しては、それは非被覆の基準表面と比較して被覆表面の摩擦抵抗を低減する。本滑性及び／又はｐＨ保護皮膜は、主として、それらの、非被覆表面よりも低い摩擦抵抗並びに非被覆表面よりも低い摩擦抵抗を提供するプロセス条件により滑性層として定義され、任意選択的に、本明細書中に定義される実験組成物Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）による組成物を有しうる。それは、概して、ｗが１、ｘが約０．５〜約２．４、ｙが約０．６〜約３の原子比率Ｓｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）を有する。

通常、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yとして表される場合、「滑性及び／又はｐＨ保護皮膜」中のＳｉ、Ｏ及びＣの原子比率はいくつかのオプションとして以下の通りである。
Ｓｉ １００：Ｏ ５０〜１５０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ７０〜１３０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．７〜１．３、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１２０：Ｃ ９０〜１５０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．８〜１．２、ｙ＝０．９〜１．５）、
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９〜１．２、ｙ＝０．９〜１．４）、又は
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９２〜１．０７、ｙ＝１．１６〜１．３３）。

原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって特定されうる。ＸＰＳによって測定されないＨ原子を考慮すると、皮膜又は層は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価ＳｉＯ_xＣ_y）を有しても良く、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３、及びｚは約２〜約９である。一般に、そのような皮膜又は層は、したがって、炭素と酸素とケイ素の１００％に正規化した３６％〜４１％の炭素を含む。

「摩擦抵抗」は静的摩擦抵抗及び／又は動的摩擦抵抗とされうる。

本発明の任意の実施形態の１つはシリンジ部品、例えば、滑性層及び／又はｐＨ保護皮膜で被覆されたシリンジバレル又はプランジャである。この企図される実施形態においては、本発明の文脈において該当する静的摩擦抵抗は本明細書中に定義される始動力（ｂｒｅａｋｏｕｔ ｆｏｒｃｅ）であり、本発明の文脈において該当する動的摩擦抵抗は本明細書中に定義されるプランジャ摺動力である。例えば、本発明の文脈においては、本明細書中において定義及び決定されるプランジャ摺動力は、皮膜が任意のシリンジ又はシリンジ部品、例えば、シリンジバレルの内壁に塗布されるときには、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層の存在又は欠如並びに滑性及び／又はｐＨ保護特性を判断するのに好適である。始動力は、プレフィルドシリンジ、すなわち、被覆後に充填され、プランジャが再び動かされる（「破壊（ｂｒｏｋｅｎ ｏｕｔ）」されねばならない）まで、いくらかの時間、例えば、数か月又は更には数年間保管されうるシリンジに対する皮膜又は層の効果の評価に特に関係するものである。

「プランジャ摺動力」（同様にこの明細書内で使用される「映進力（ｇｌｉｄｅ ｆｏｒｃｅ）」、「維持力（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ ｆｏｒｃｅ）」又はＦｍの類義語）は、本発明の文脈においては、例えば、吸引又は分与時、シリンジバレル内において、プランジャの運動を維持するのに必要な力である。プランジャ摺動力は本明細書中に記載され、且つ当技術分野において公知のＩＳＯ７８８６−１：１９９３試験を使用して有利に決定されうる。当技術分野においてしばしば使用される「プランジャ摺動力」の類義語は「プランジャ力」又は「押力」である。

「プランジャ始動力（ｐｌｕｎｇｅｒ ｂｒｅａｋｏｕｔ ｆｏｒｃｅ）」（同様に本明細書において使用される「始動力」、「解放力（ｂｒｅａｋ ｌｏｏｓｅ ｆｏｒｃｅ）」、「開始力（ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ ｆｏｒｃｅ）」、Ｆｉの類義語）は、本発明の文脈においては、プランジャをシリンジ内、例えば、プレフィルドシリンジ内において動かすのに必要な初期カである。

「プランジャ摺動力」及び「プランジャ始動力」の両方並びにそれらの測定の方法約は本明細書の後の部分に更に詳細に記載する。これら２つの力は、Ｎ、ｌｂｓ又はｋｇで表すことができ、本明細書中においては全３つの単位を使用する。これら単位は以下のように相関する：１Ｎ＝０．１０２ｋｇ＝０．２２４８ｌｂｓ（ポンド）。

摺動力及び始動力は、本明細書中においては、ストッパを容器に配置して容器を閉じるために、ストッパ又は他のクロージャを医療試料管又はバイアルなどの薬剤パッケージ又は他の容器内に前進させるのに必要な力を表すために使用されることがある。少なくともほとんどの場合においてクロージャを着座位置に前進させた場合に液体が容器から排出されないこと以外は、その使用は、シリンジ及びそのプランジャの文脈における使用に類似しうるものであり、容器及びそのクロージャのこれら力の測定はシリンジのこれら力の測定に類似するものであると考えられる。

「摺動可能に」は、プランジャ、クロージャ、又は他の着脱部品がシリンジバレル又は他の容器内において摺動することを可能とされることを意味する。

ＳｉＯ_xの皮膜を、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）又は他の化学気相成長法によって薬剤パッケージの容器、特に、熱可塑性プラスチックパッケージ上に堆積させ、酸素、二酸化炭素又は他のガスが容器に入ることを防止する、及び／又は薬剤材料がパッケージ壁内に又はパッケージ壁を通じて浸出することを防止する複合バリア皮膜又は層として機能させる。

図を参照すると、容器又は方法の任意の実施形態においては、容器は、いくつかの非限定的な例として、任意の構成、例えば、管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０、プレフィルドシリンジ（図８）、カートリッジ、試料管８０、又は真空血液試料管において提供されうる。これらタイプの容器のいずれも本開示においては代わりに２８８容器８０と呼ばれる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、０．２〜５０ｍｌ．、任意選択的に２〜５０ｍｌ．、任意選択的に２〜２０ｍｌ．、任意選択的に２〜６ｍｌ．、任意選択的に３〜５ｍｌ．、任意選択的に０．２５〜２０ｍｌ．、任意選択的に０．５〜５ｍｌ．、任意選択的に１〜２ｍｌ．の定格容積（製造者の報告による、収容及び送達するためにそれが慣例的に使用される流体の最大体積）を有しうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、０．３〜７５ｍｌ．、任意選択的に３〜７５ｍｌ．、任意選択的に３〜３０ｍｌ．、任意選択的に４〜９ｍｌ．、任意選択的に４〜８ｍｌ．、任意選択的に０．４〜３５ｍｌ．、任意選択的に０．８〜９ｍｌ．、任意選択的に１．７〜３．５ｍｌ．の充填容積（栓をした容器８０の、ヘッドスペースを含む全体容積）を有する。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、内腔２１２を取り囲む熱可塑性プラスチック壁２１４を含む。「熱可塑性プラスチック」は、明示的に、ガラス又は石英材料（その一例はホウケイ酸ガラスである）、有機熱可塑性樹脂、及び樹脂組成物を含むと定義される。壁はｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８を壁と内腔との間において支持する。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される。

容器８０の任意の実施形態においては、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、少なくとも結合段階及び堆積段階において形成されうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、基材は、任意選択的に、ＳｉＯ_x結合段階及び堆積段階前にプラズマによりアブレーションされる。アブレーションにより基材表面を粗化し、プラズマ中の炭素及び水素に加え、皮膜形成に関与する有機物質をプラズマ中に導入する。アブレーションは複合バリア皮膜又は層２８８が結合及び堆積し始め、堆積条件下で容易にアブレーションされない表面が残ると終了すると考えられる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、有機ケイ素単量体、酸化性ガス及びキャリアガスを含むガス供給物からＰＥＣＶＤによって形成されうる。（本明細書での使用においては、「キャリアガス」には希釈ガスも含まれる。）

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、有機ケイ素単量体は、また、有機シロキサン、有機シラン、有機シロキサザン（ｏｒｇａｎｏｓｉｌｏｘａｚａｎｅ）、有機シラザン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含みうる前駆体供給物として公知である。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ガス供給物は、任意選択的に、１〜６個のケイ素原子を有する直鎖又は分岐シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含みうる。複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布されうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、酸化性ガスは二原子酸素、Ｏ₂を含みうる。任意選択的に、酸化性ガスは過酸化水素、Ｈ₂Ｏ₂を含む。任意選択的に、酸化性ガスはオゾン、Ｏ₃を含む。任意選択的に、酸化性ガスは水、Ｈ₂Ｏを含む。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは使用されるか否かのいずれかとされうる。使用される場合、用いられるＰＥＣＶＤ条件下において、キャリアガスは任意選択的に不活性ガスを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的に希ガスを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にヘリウムを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にネオンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にアルゴンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にクリプトンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にキセノンを含む。これらガスの任意の２つ以上の混合物もまた用いられうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は２．５〜１０とされうる。堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は０．１〜０．０５とされうる。

本開示によるＰＥＣＶＤに使用されるプラズマは、従来、高周波（ＲＦ）エネルギ又はマイクロ波エネルギの使用により発生させることができる。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、２０〜４Ｗの初期電力レベル（例えば、ＲＦ電力レベル）及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで形成されうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、初期ＲＦ電力レベルにおける出力密度は、任意選択的に、３〜１Ｗ／ｍｌとされうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、最大ＲＦ電力レベルにおける出力密度は３０〜４Ｗ／ｍｌである。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器の任意の実施形態においては、この明細書に記載されている物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に、少なくとも９５％とされうる。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器８０の任意の実施形態においては、この明細書に記載されている被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に、少なくとも９０％とされうる。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器の任意の実施形態においては、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８と、壁又は基材との間に界面の存在を示す。界面は、任意選択的に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器８０の任意の実施形態においては、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるために、界面は、任意選択的にＳｉ ２ｐ化学シフトを有する。

別の実施形態は容器８０を作製する方法である。方法の任意の実施形態においては、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供されうる。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層２８８は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層２８８はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、少なくとも結合段階及び堆積段階において以下の条件下で塗布されうる。結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は、任意選択的に、２．５〜１０とされうる。堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は、任意選択的に、０．１〜０．０５とされうる。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで塗布されうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ＲＦ電力レベルは、任意選択的に、初期ＲＦ電力レベルから最大ＲＦ電力レベルまで均等に増加されうる。任意選択的に、ＲＦ電力レベルは初期ＲＦ電力レベルから最大ＲＦ電力レベルまで１つ又は複数の段階で増加されうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ＲＦ電力レベルは、任意選択的に、パルスされない。これは堆積の始めから終わりまで間断なく印加されることを意味する。別のオプションとして、しかしながら、単一の複合バリア皮膜又は層２８８を単一の容器８０上に堆積する間、ＲＦ電力レベルは定期的にパルスすることもオン及びオフにすることもできる。パルス式ＲＦ電力レベルを使用するこの種の堆積は時としてプラズマインパルス化学気相成長として公知である。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、物品変形／テープ試験法によって測定された、少なくとも９５体積％の、基材上における保持の程度を有しうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に少なくとも９６体積％、任意選択的に少なくとも９７体積％、任意選択的に少なくとも９８体積％、任意選択的に少なくとも９９体積％、任意選択的に１００体積％である。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、物品変形／テープ試験法は、任意選択的に軸方向変形を使用して実施されるが、その代わりに、任意選択的に、直径方向変形を使用して実施されうる。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、少なくとも９０％の基材上における保持の程度を有しうる。被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に少なくとも９１体積％、任意選択的に少なくとも９２体積％、任意選択的に少なくとも９３体積％、任意選択的に少なくとも９４体積％、任意選択的に少なくとも９５体積％、任意選択的に少なくとも９６体積％、任意選択的に少なくとも９７体積％、任意選択的に少なくとも９８体積％、任意選択的に少なくとも９９体積％、任意選択的に１００体積％である。任意の実施形態における１つのオプションとして、被覆物品クロススクラッチテープ試験法はＸ字スクラッチパターンを使用して実施されうる。任意の実施形態における別のオプションとして、被覆物品クロススクラッチテープ試験法は矩形のスクラッチパターンを使用して実施されうる。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８と基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面を有しうる。

高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に複合バリア皮膜又は層２８８と、基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として、少なくとも２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも少なくとも１２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す。容器８０又は方法の任意の実施形態の界面は、任意選択的に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として、多くとも２５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）を使用して測定した場合、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためにＳｉ ２ｐ化学シフトを有しうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８と基材との間に、ＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して少なくとも０．２ｅＶのＳｉ２ｐピークの広がりを有する界面の存在を示す。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、内腔は、任意選択的に、医薬品を収容しうる。医薬品は、任意選択的に、５〜９のｐＨを有しうる。容器８０の、内腔と容器８０の外側との間に開口部が任意選択的に設けられうる。クロージャが任意選択的に開口部内に着座されうる。

結合皮膜又は層
結合部及び堆積部を有する複合バリア皮膜又は層の上記記載の代替として、本発明の他の態様においては、各々の層の特性が別個に定義される別個の結合皮膜又は層及び複合バリア皮膜又は層が記載されうる。結合皮膜又は層は以下のように定義されうる。

結合皮膜又は層２８９は少なくとも２つの機能を有する。結合皮膜又は層２８９の１つの機能は、複合バリア皮膜又は層の、基材、特に、熱可塑性プラスチック基材への付着を向上することであるが、結合層はガラス基材又は別の皮膜又は層への付着を向上するために使用することができる。例えば、バリア層又は皮膜の、基材への付着を向上するために、接着層又は皮膜とも呼ばれる結合皮膜又は層が基材に塗布されうるとともに、バリア層が接着層に塗布されうる。

結合皮膜又は層２８９の別の機能が見出されている。複合バリア皮膜又は層２８８の下に塗布された結合皮膜又は層２８９は複合バリア皮膜又は層２８８上に塗布されるｐＨ保護皮膜又は層２８６の機能を向上させことができる。

結合皮膜又は層２８９は、ｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_xＣ_yからなりうる、ｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_xＣ_yを含みうる、又はｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_xＣ_yから本質的になりうる。あるいは、原子比率は式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yとして表されうる。結合皮膜又は層２８９におけるＳｉ、Ｏ及びＣの原子比率をいくつかのオプションとして以下に記載する。
Ｓｉ １００：Ｏ ５０〜１５０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ７０〜１３０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．７〜１．３、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１２０：Ｃ ９０〜１５０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．８〜１．２、ｙ＝０．９〜１．５）、
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９〜１．２、ｙ＝０．９〜１．４）、又は
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９２〜１．０７、ｙ＝１．１６〜１．３３）。

原子比率はＸＰＳによって特定されうる。ＸＰＳによって測定されないＨ原子を考慮すると、結合皮膜又は層２８９は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）を有してもよく、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３及びｚは約２〜約９である。通常、結合皮膜又は層２８９は、したがって、炭素と酸素とケイ素の１００％に正規化した３６％〜４１％の炭素を含む。

任意選択的に、結合皮膜又は層はこの明細書の別の場所に記載されるｐＨ保護皮膜又は層２８６と類似又は同一とされうるが、これは必須ではない。

結合皮膜又は層２８９は、特に化学気相成長によって塗布される場合、全般的に、５ｎｍ〜１００ｎｍの厚さ、好ましくは５〜２０ｎｍの厚さであると考えられる。これら厚さは重要ではない。一般的ではあっても必然的ではなく、結合皮膜又は層２８９は比較的薄いが、これは、その機能が基材の表面特性の変化だからである。

バリア皮膜又は層
別個の結合皮膜又は層及び複合バリア皮膜又は層が記載される場合、複合バリア皮膜又は層は以下のように記載されうる。

複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、酸素、二酸化炭素又は他のガスが容器に入ることを防止するため及び／又は製薬材料がパッケージ壁内に又はパッケージ壁を通じて浸出することを防止するため、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）又は他の化学気相成長法によって薬剤パッケージの容器、特に、熱可塑性プラスチックパッケージに堆積せることができる。

本明細書に定義される任意の実施形態の複合バリア皮膜又は層は（特定の例において明記されない限り）任意選択的に、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に示されるＰＥＣＶＤによって塗布される皮膜又は層である。バリア層は、任意選択的に、「ＳｉＯ_x」皮膜を特徴とし、ケイ素、酸素、及び任意選択的に他の元素を含有する。酸素原子とケイ素原子の比率であるｘは、約１．５〜約２．４、又は１．５〜約２．３、又は約２である。これら選択的なｘの定義はこの明細書における、複合バリア皮膜又は層（しかし複合バリア皮膜又は層はｘの異なる定義を有する）を定義するための用語ＳｉＯ_xのいずれの使用にも適用される。複合バリア皮膜又は層は、例えば、薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、試料採集管、シリンジバレル、バイアル又は別の種類の容器の内側に塗布される。

複合バリア皮膜又は層２８８は、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xを含むか、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xから本質的になり、２〜１０００ｎｍの厚さである。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は、内腔２１２に面する内部表面２２０と、壁２１４物品表面２５４に面する外部表面２２２と、を有する。複合バリア皮膜又は層２８８は、非被覆容器２５０と比較すると内腔２１２への大気ガスの進入を低減するのに有効である。１つの好適なバリア組成物は、例えば、ｘが２．３のものである。例えば、任意の実施形態の２８８などの複合バリア皮膜又は層は、少なくとも２ｎｍ、又は少なくとも４ｎｍ、又は少なくとも７ｎｍ、又は少なくとも１０ｎｍ、又は少なくとも２０ｎｍ、又は少なくとも３０ｎｍ、又は少なくとも４０ｎｍ、又は少なくとも５０ｎｍ、又は少なくとも１００ｎｍ、又は少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも３００ｎｍ、又は少なくとも４００ｎｍ、又は少なくとも５００ｎｍ、又は少なくとも６００ｎｍ、又は少なくとも７００ｎｍ、又は少なくとも８００ｎｍ、又は少なくとも９００ｎｍの厚さで塗布されうる。複合バリア皮膜又は層は、１０００ｎｍ以下、又は多くとも９００ｎｍ、又は多くとも８００ｎｍ、又は多くとも７００ｎｍ、又は多くとも６００ｎｍ、又は多くとも５００ｎｍ、又は多くとも４００ｎｍ、又は多くとも３００ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍ、又は多くとも１００ｎｍ、又は多くとも９０ｎｍ、又は多くとも８０ｎｍ、又は多くとも７０ｎｍ、又は多くとも６０ｎｍ、又は多くとも５０ｎｍ、又は多くとも４０ｎｍ、又は多くとも３０ｎｍ、又は多くとも２０ｎｍ、又は多くとも１０ｎｍ、又は多くとも５ｎｍの厚さとされうる。２０〜２００ｎｍ、任意選択的に２０〜３０ｎｍの範囲が考えられる。上に記載した最小厚さのいずれか１つに加え、上に記載した最大厚さの任意の１つに等しい又はそれを超えるものを含む特定の厚さ範囲が特に考えられる。

ＳｉＯ_x又は他の複合バリア皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定することができ、その組成はＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定することができる。本明細書中に記載されるプライマー皮膜又は層は、プラスチック又はガラス製の種々の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、プラスチック管、バイアル及びシリンジに塗布されうる。

充填済み薬剤パッケージ又は他の容器２１０において、複合バリア皮膜又は層２８６が熱可塑性プラスチック壁２１４の内側又は内部表面２２０と流体２１８との間に配置されるように、ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は熱可塑性プラスチック壁２１４にプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって直接的又は間接的に塗布される。

ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８６は熱可塑性プラスチック壁２１４によって支持される。この明細書の別の場所又は米国特許第７，９８５，１８８号明細書で記載される複合バリア皮膜又は層２８６は任意の実施形態において使用されうる。

この明細書の別の場所で記載されるように、ここで定義されたＳｉＯｘなどの特定のバリア皮膜又は層は、特に複合バリア皮膜又は層が内容に直に接触する場合、被覆容器の特定の比較的高いｐＨを有する内容による攻撃の結果、６か月未満でバリア改善度が測定可能な程度低下するという特徴を有することが判明した。この課題についてはこの明細書に記載されるｐＨ保護皮膜又は層を使用して対処されうる。

ｐＨ保護皮膜又は層
本発明者は、ＳｉＯ_xの一部のバリア層又は皮膜は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。化学気相成長によって塗布される皮膜は非常に薄くなりうる（厚さ数十〜数百ナノメートル）ため、比較的遅い速度の浸食であっても製品パッケージの所望の保管寿命よりも短い時間でバリア層の有効性を排除又は低減する可能性がある。これは流体薬剤組成物においては特に問題であるが、その理由は、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するか、より広範には５〜９の範囲内であるためである。製剤のｐＨが高くなるほどそれはＳｉＯ_x皮膜をより急速に侵食又は溶解する。

本発明者は、更に、環状又は非環状シロキサン前駆体から形成された特定のＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜（このｐＨ保護皮膜はかなりの有機成分を有する）は、流体組成物に曝露された場合に急速に侵食せず、実際、流体組成物が５〜９の範囲内におけるより高いｐＨを有する場合にはよりゆっくりと侵食又は溶解することを見出した。例えば、ｐＨ８においては、前駆体オクタメチルシクロテトラシロキサン、すなわちＯＭＣＴＳから作製されたｐＨ保護皮膜の溶解速度は非常に遅い。したがって、これらＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜を、ＳｉＯ_xのバリア層を被覆するために使用することができ、それを薬剤パッケージ内の流体組成物から保護することによってバリア層の利点を保持する。

本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、効果的なＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜の材料特性と、米国特許第７，９８５，１８８号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている効果的な滑性層の材料特性は場合によっては類似するため、本明細書の特定実施例、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている滑性層の特性を有する皮膜は、また、特定の場合においては、パッケージのバリア層を保護するため、及びその逆のための機能する並びにｐＨ保護皮膜と考えられる。

ここで企図される１つの特定のタイプの滑性及び／又はｐＨ保護皮膜は、本開示に記載される１つ又は複数の環状シロキサン及びシラザンから作製される。本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、直鎖シロキサン前駆体又は直鎖シラザン前駆体、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）から堆積させたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、かなりの量の本来の前駆体断片及び少量の有機成分を含有すると考えられる。このようなＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜はわずかな水混和性又は膨潤性を有するため、それらへの水溶液による攻撃を可能にする。環状シロキサン前駆体又は直鎖シラザン前駆体、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から堆積させたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、より完全な（ｉｎｔａｃｔ）環式シロキサン環及び前駆体構造の繰り返し単位のより長い列を含むと考えられる。これら皮膜は、ナノ多孔性であるが構造化されており且つ疎水性であると考えられ、また、これら特性はそれらのｐＨ保護皮膜としての成功に寄与すると考えられる。これは、例えば、米国特許第７，９０１，７８３号明細書に示されている。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、それぞれ前に定義した、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）からなりうる、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）を含みうる、又はＳｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）から本質的になりうる。Ｓｉ：Ｏ：Ｃ又はＳｉ：Ｎ：Ｃの原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって特定されうる。Ｈ原子を考慮すると、ｐＨ保護皮膜又は層は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yを有してもよく、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３、及びｚは約２〜約９である。

通常、式ＳｉｗＯｘＣｙとして示される場合、Ｓｉ、Ｏ及びＣの原子比率は、いくつかの選択肢として以下の通りである。
Ｓｉ １００：Ｏ ５０〜１５０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ７０〜１３０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．７〜１．３、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１２０：Ｃ ９０〜１５０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．８〜１．２、ｙ＝０．９〜１．５）、
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９〜１．２、ｙ＝０．９〜１．４）、
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９２〜１．０７、ｙ＝１．１６〜１．３３）、又は
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１３０：Ｃ ９０〜１５０。

あるいは、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した炭素５０％未満及びケイ素２５％超の原子濃度を有しうる。あるいは、原子濃度は炭素２５〜４５％、ケイ素２５〜６５％、及び酸素１０〜３５％である。あるいは、原子濃度は、炭素３０〜４０％、ケイ素３２〜５２％及び酸素２０〜２７％である。あるいは、原子濃度は炭素３３〜３７％、ケイ素３７〜４７％及び酸素２２〜２６％である。

ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは、例えば、
１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜９００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜８００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜７００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜６００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜５００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜４００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜３００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜５０ｎｍ、
あるいは２０ｎｍ〜１０００ｎｍ、
あるいは５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、
あるいは１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、
あるいは５０ｎｍ〜８００ｎｍ、
あるいは１００ｎｍ〜７００ｎｍ、
あるいは３００〜６００ｎｍとされうる。

任意選択的に、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、ｐＨ保護層中の炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した炭素の原子濃度は有機ケイ素前駆体の原子式における炭素の原子濃度よりも高くすることができる。例えば、炭素の原子濃度が１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５０原子パーセント、あるいは３５〜４５原子パーセント、あるいは３７〜４１原子パーセント増加する実施形態が企図される。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層中の炭素対酸素の原子比率は有機ケイ素前駆体と比較して増加されうる、及び／又は酸素対ケイ素の原子比率は有機ケイ素前駆体と比較して低減されうる。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、供給ガスの原子式におけるケイ素の原子濃度より低い、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化したケイ素の原子濃度を有しうる。例えば、ケイ素の原子濃度が１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５５原子パーセント、あるいは４０〜５０原子パーセント、あるいは４２〜４６原子パーセント減少する実施形態が企図される。

別のオプションとして、有機ケイ素前駆体の合計式と比較して原子比率Ｃ：Ｏが増加されうる及び／又は原子比率Ｓｉ：Ｏが低減されうる合計式を特徴としうるｐＨ保護皮膜又は層が考えられる。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、一般に、完成物品において、複合バリア皮膜又は層２８８と、流体２１８との間に配置されている。ｐＨ保護皮膜又は層２８６は熱可塑性プラスチック壁２１４によって支持されている。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８を、流体２１８による攻撃の結果、少なくとも６か月の期間少なくとも実質的に溶解しない状態に維持するのに有効である。

ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ）によって特定される、１．２５〜１．６５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．３５〜１．５５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４４〜１．４８ｇ／ｃｍ³の密度を有しうる。任意選択的に、有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサンとすることができ、ｐＨ保護皮膜又は層は同じＰＥＣＶＤ反応条件下で有機ケイ素化合物としてＨＭＤＳＯから作製されたｐＨ保護皮膜又は層の密度よりも高くされうる密度を有しうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層に接触する化合物又は組成物の成分の沈殿を防止又は低減することができ、特に、非被覆表面及び／又はＨＭＤＳＯを前駆体として使用したバリア被覆表面と比較してインスリン沈殿又は血液凝固を防止又は低減しうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、任意選択的に、（ＡＦＭによって測定された）約５〜約９、任意選択的に約６〜約８、任意選択的に約６．４〜約７．８のＲＭＳ表面粗さ値を有しうる。ＡＦＭによって測定されたｐＨ保護皮膜又は層のＲａ表面粗さ値は、約４〜約６、任意選択的に約４．６〜約５．８とされうる。ＡＦＭによって測定されたｐＨ保護皮膜又は層のＲｍａｘ表面粗さ値は、約７０〜約１６０、任意選択的に約８４〜約１４２、任意選択的に約９０〜約１３０とされうる。

ｐＨ保護の内部表面は、任意選択的に、ＡＳＴＭ Ｄ７３３４−０８「前進接触角測定による、皮膜、基材及び顔料の表面ぬれ性のための標準的手法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｐｒａｃｔｉｃｅ ｆｏｒ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｃｏａｔｉｎｇｓ，Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ ｂｙ Ａｄｖａｎｃｉｎｇ Ｃｏｎｔａｃｔ Ａｎｇｌｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）」に準拠する、ｐＨ保護表面上の水滴のゴニオメータ角度測定によって測定された９０°〜１１０°、任意選択的に８０°〜１２０°、任意選択的に７０°〜１３０°の（蒸留水による）接触角を有しうる。

不動態化層又はｐＨ保護皮膜又は層２８６は、任意選択的に、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定された０．４未満のＯパラメータを示し、Ｏパラメータは以下のように測定される。

Ｏパラメータは、最も広くは０．４〜０．９のＯパラメータ値を請求する米国特許第８，０６７，０７０号明細書において定義される。図２２に示すように、Ｏパラメータは、ＦＴＩＲ振幅対波数プロットを物理的に分析し、上記式の分子及び分母を見出すことから測定されうる。図２２は、波数及び吸光度スケールを補間し、１２５３ｃｍ^-1における０．０４２４の吸光度及び１０００〜１１００ｃｍ^-1における０．０８の最大吸光度を得、計算されたＯパラメータの０．５３を得たことを示すことが注釈されること以外は米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５と同じである。Ｏパラメータは、また、デジタル波数対吸光度データから測定されうる。

米国特許第８，０６７，０７０号明細書では、双方がともに非環状シロキサンであるＨＭＤＳＯ及びＨＭＤＳＮのみによる実験に依拠し、その請求されるＯパラメータ範囲が優れたｐＨ保護皮膜又は層を提供すると主張する。驚くべきことに、本発明者は、ＰＥＣＶＤ前駆体が環状シロキサン、例えば、ＯＭＣＴＳである場合、ＯＭＣＴＳを使用した米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外のＯパラメータが、米国特許第８，０６７，０７０号明細書においてＨＭＤＳＯを用いて得られるものよりも良好な結果を提供することを見出した。

あるいは図１９〜２１の実施形態においては、Ｏパラメータは、０．１〜０．３９、又は０．１５〜０．３７、又は０．１７〜０．３５の値を有する。

本発明の更に別の態様は、図１９〜２１にちょうど記載し、例証したような複合材料である。不動態化層は、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定された０．７未満のＮパラメータを示し、以下のように測定される。

Ｎパラメータはは、また米国特許第８，０６７，０７０号明細書に記載されており、２つの特定波数（これら波数のどちらも範囲ではない）における強度が使用されること以外はＯパラメータと同様に測定される。米国特許第８，０６７，０７０号明細書は、０．７〜１．６のＮパラメータを有する不動態化層を請求する。同じく、本発明者は、上述のように、０．７を下回るＮパラメータを有するｐＨ保護皮膜又は層２８６を用いてより良好な皮膜を作製した。あるいは、Ｎパラメータは、少なくとも０．３、又は０．４〜０．６、又は少なくとも０．５３の値を有する。

流体２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜又は層２８６の侵食、溶解又は浸出（関連する概念の異なる名称）の速度は、流体２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは５０〜５００ｎｍであり、好適な範囲は１００〜２００ｎｍであると考えられる。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、薬剤パッケージ又は他の容器２１０の保管寿命の間、少なくとも、バリア皮膜がバリアとして機能することを可能にするほど十分な時間、流体２１８を複合バリア皮膜又は層２８８から分離するのに有効である。

本発明者は、更に、環式ポリシロキサン前駆体から形成されたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yの特定のｐＨ保護皮膜又は層（このｐＨ保護皮膜又は層はかなりの有機成分を有する）は、流体に曝露された場合に急速に侵食せず、実際には、流体が５〜９の範囲内のより高いｐＨを有する場合によりゆっくりと侵食又は溶解することを見出した。例えば、ｐＨ８においては、前駆体オクタメチルシクロテトラシロキサン、すなわちＯＭＣＴＳから作製されたｐＨ保護皮膜又は層の溶解速度は非常に遅い。ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのこれらｐＨ保護皮膜又は層は、したがって、ＳｉＯｘのバリア層を被覆するために使用することができ、それを薬剤パッケージ内の流体から保護することによってバリア層の利点を保持する。ＳｉＯｘ層を容器内に保管された内容から保護するためｐＨ保護層はＳｉＯｘ層の少なくとも一部の上に塗布されるが、そうでなければ内容はＳｉＯｘ層に接触するであろう。

本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、更に、この開示に記載されるように、侵食を回避するのに有効なｐＨ保護皮膜又は層は環状シロキサン類及びシラザンから作製されうると考えられる。環状シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から堆積されるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、完全な（ｉｎｔａｃｔ）環状シロキサン環及び前駆体構造の繰り返し単位のより長い列を含むと考えられる。これら皮膜はナノ多孔性であるが構造化されており且つ疎水性であると考えられ、また、これら特性はそれらのｐＨ保護皮膜又は層としての成功に寄与すると考えられる。これは、例えば、米国特許第７，９０１，７８３号明細書に示されている。

ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、また、直鎖シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）又はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）から堆積されうる。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６のＦＴＩＲ吸光度スペクトルは、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える比率を有する。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、少なくとも０．８、又は少なくとも０．９、又は少なくとも１．０、又は少なくとも１．１、又は少なくとも１．２とされうる。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、多くとも１．７、又は多くとも１．６、又は多くとも１．５、又は多くとも１．４、又は多くとも１．３とされうる。図１９〜２１の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最小比率はここで記載した任意の最大比率と組み合わせることができる。

任意選択的に、任意の実施形態においては、薬剤のない状態のｐＨ保護皮膜又は層２８６は非油性の外観を有する。いくつかの場合においては、この外観は、場合によっては油性（すなわち光沢のある）外観を有するとされている滑性層から、有効なｐＨ保護皮膜又は層を区別するとされている。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、注射用水で希釈され、濃縮硝酸でｐＨ８に調整され、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有し（溶解試薬の変化を回避するために薬剤のない状態で測定した）、４０℃である５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満とされうる。（ポリソルベート８０は、例えば、Ｔｗｅｅｎ（登録商標）−８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能な一般的な製剤の原料である。）

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、ケイ素溶解速度は、１６０ｐｐｂ／日未満、又は１４０ｐｐｂ／日未満、又は１２０ｐｐｂ／日未満、又は１００ｐｐｂ／日未満、又は９０ｐｐｂ／日未満、又は８０ｐｐｂ／日未満である。任意選択的に、図２４〜２６の任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１０ｐｐｂ／日超、又は２０ｐｐｂ／日超、又は３０ｐｐｂ／日超、又は４０ｐｐｂ／日超、又は５０ｐｐｂ／日超、又は６０ｐｐｂ／日超である。任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、ここで記載した任意の最低速度はここで記載した任意の最大速度と組み合わせることができる。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、容器から８のｐＨを有する試験組成物への溶解時のｐＨ保護皮膜又は層及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、又は６０ｐｐｍ未満、又は５０ｐｐｍ未満、又は４０ｐｐｍ未満、又は３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満である。

本発明者は、ここで記載したｐＨ保護皮膜又は層の動作理論を以下に記載する。本発明は、この理論の精度にもこの理論の使用によって予測可能な実施形態にも限定されるものではない。

ＳｉＯｘバリア層の溶解速度は層内のＳｉＯ結合に依存すると考えられる。酸素結合部位（シラノール）が溶解速度を増加させると考えられる。

ＯＭＣＴＳベースのｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯｘバリア層のシラノール部位と結合してＳｉＯｘ表面を「治癒」又は不動態化するため、溶解速度を大幅に低減すると考えられる。この仮説においては、ＯＭＣＴＳ層の厚さは保護の主要手段ではなく、主要手段はＳｉＯｘ表面の不動態化である。この明細書に記載されるように、ｐＨ保護皮膜又は層はｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度を増加させることにより改良されうると考えられる。

疎水性層
ＳｉＯ_xＣ_yのｐＨ保護又は滑性皮膜又は層は、また、それがｐＨ保護皮膜又は層としても機能するかどうかとは関係なく疎水性層としての有用性を有しうる。好適な疎水性皮膜又は層及びそれら用途、特性及び使用については米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。本発明の任意の実施形態においては両タイプの皮膜又は層の特性を有する二重機能的な（ｄｕａｌ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ）ｐＨ保護／疎水性皮膜又は層が提供されうる。

一実施形態は、疎水性ｐＨ保護皮膜又は層を基材上に形成するのに有効な条件下で実施されうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層の疎水性特性は、気体反応物中におけるＯ₂の有機ケイ素前駆体に対する比率を設定することによって及び／又はプラズマを発生させるために使用される電力を設定することによって設定されうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は非被覆表面よりも低いぬれ張力、任意選択的に、２０〜７２ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３０〜６０ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３０〜４０ダイン／ｃｍ、任意選択的に、３４ダイン／ｃｍのぬれ張力を有しうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は非被覆表面よりも更に疎水性とされうる。

任意の記載される実施形態による皮膜又は層の、（ｉ）非被覆表面よりも低い摩擦抵抗を有する滑性皮膜、及び／又は（ｉｉ）流体に接触するバリア皮膜の溶解を防止するｐＨ保護皮膜又は層、及び／又は（ｉｉｉ）非被覆表面よりも疎水性の疎水性層、としての使用が考えられる。

薬剤パッケージ
多くの共通の特徴を有する本発明の３つの実施形態は図８〜１０の実施形態である。それら共通の特徴のいくつかは以下の通りであり、多くの場合、共通の参照符号又は名称によって示される。各実施形態の特徴の性質は本明細書に後述する通りとされうる。

図８〜１０の薬剤パッケージ２１０は、それぞれ、容器と、流体組成物２１８と、複合バリア皮膜又は層２８８（あるいは、結合皮膜又は層プラス複合バリア皮膜又は層と記載される）と、ｐＨ保護皮膜２８６と、を含む。容器２５０は、少なくとも一部が熱可塑性プラスチック材料製の壁２１４によって画定される内腔２１２を有する。

壁２１４は、内腔２１２に面する内部表面２５４と、外部表面２１６とを有する。

流体組成物２１８は内腔２１２内に収容されており、５〜９のｐＨを有する。

複合バリア皮膜又は層２８８は、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xを含むか、本質的にｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xからなり、２〜１０００ｎｍの厚さである。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は、内腔２１２に面する内部表面２２０と、壁２１４内部表面２５４に面する外部表面２２２と、を有する。複合バリア皮膜又は層２８８は、非被覆容器２５０と比べて内腔２１２への大気ガスの進入を低減するのに有効である。１つの好適なバリア組成物は、例えば、ｘが２．３のものである。

ｐＨ保護皮膜２８６は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yから作製される。ｐＨ保護皮膜２８６は、内腔２１２に面する内部表面２２４と、複合バリア皮膜又は層２８８の内部表面２２０に面する外部表面２２６と、を有する。ｐＨ保護皮膜２８６は、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体の化学気相成長によって形成される。このプロセスについてはこの明細書全体を通じてより詳細に記載する。

流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食の速度は流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜２８６は流体組成物２１８を複合バリア皮膜又は層２８８から分離するのに有効である。

図８〜９の実施形態は、また、共通の特徴として、図８のシリンジ内においてはシリンジバレル２５０内を摺動するプランジャ２５８の摩擦を低減し、図９のバイアル内においては、バイアルを閉めるための、ストッパキャップ（不図示）の、バイアルの口への挿入を容易にする機能を果たす滑性層２８７を有する。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれも、容器２５０の壁２１４の少なくとも一部が、ポリマー、例えば、ポリオレフィン（例えば、環式オレフィン重合体、環式オレフィン共重合体又はポリプロピレン）、ポリエステル、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、又はこれらのいずれかの任意の組み合わせ又は共重合体を含む／から本質的になるという共通の特徴を有する。任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、容器２５０の壁２１４の少なくとも一部は、ガラス、例えば、ホウケイ酸ガラスを含む／から本質的になる。この段落内の物質の任意の２つ以上の組み合わせもまた使用されうる。

任意選択的に、図８の実施形態においては、容器２５０はシリンジバレル２５０を含む。

任意選択的に、図９の実施形態においては、容器２５０はバイアルを含む。

任意選択的に、図１０の実施形態においては、容器２５０はブリスタパッケージを含む。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、５〜６、任意選択的に６〜７、任意選択的に７〜８、任意選択的に８〜９、任意選択的に６．５〜７．５、任意選択的に７．５〜８．５、任意選択的に８．５〜９のｐＨを有する。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、２０℃であり、７６０ｍｍＨｇの圧力と定義される海面大気圧の液体である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は水性の液体である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、複合バリア皮膜又は層２８８は、４ｎｍ〜５００ｎｍの厚さ、任意選択的に７ｎｍ〜４００ｎｍの厚さ、任意選択的に１０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さ、任意選択的に２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さ、任意選択的に３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さである。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、ｐＨ保護皮膜２８６はＳｉＯ_xＣ_yを含むか、本質的にＳｉＯ_xＣ_yからなる。任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、ｐＨ保護皮膜２８６は、ＳｉＮ_xＣ_yを含む／から本質的になる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、前駆体は、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、前駆体は、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む。任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、前駆体は、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含むか、本質的にＯＭＣＴＳからなる。この明細書の別の場所に記載される、又は当技術分野において公知の他の前駆体もまた本発明による使用に企図される。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、前駆体は、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、塗布された際のｐＨ保護皮膜２８６は、１０〜１０００ｎｍの厚さ、任意選択的に５０〜８００ｎｍの厚さ、任意選択的に１００〜７００ｎｍの厚さ、任意選択的に３００〜６００ｎｍの厚さである。厚さは容器全体にわたり均一である必要はなく、通常、容器の一部においては好適な値と異なる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８に接触しているｐＨ保護皮膜２８６は、薬剤パッケージ２１０の組立の２年後、１０〜１０００ｎｍの厚さ、任意選択的に５０〜５００ｎｍの厚さ、任意選択的に１００〜４００ｎｍの厚さ、任意選択的に１５０〜３００ｎｍの厚さである。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、８のｐＨを有する流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食の速度は、同じ条件下で同じ流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度の２０％未満、任意選択的に１５％未満、任意選択的に１０％未満、任意選択的に７％未満、任意選択的に５％〜２０％、任意選択的に５％〜１５％、任意選択的に５％〜１０％、任意選択的に５％〜７％である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、ｐＨ保護皮膜２８６は複合バリア皮膜又は層２８８と少なくとも同一領域を占める。流体組成物がｐＨ保護皮膜のないバリア皮膜の特定の部分に接触しないか、めったに接触しない場合、代替的に、ｐＨ保護皮膜２８６はバリア皮膜よりも広範でないものとされうる。ｐＨ保護皮膜２８６は、バリア皮膜が設けられていない領域をカバーすることができるため、代替的に、バリア皮膜よりも広範なものとされうる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、薬剤パッケージ２１０は薬剤パッケージ２１０の組立後、少なくとも１年、あるいは少なくとも２年の保管寿命を有しうる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、保管寿命は、３℃、あるいは４℃以上、あるいは２０℃以上、あるいは２３℃、あるいは４０℃で測定される。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８のｐＨは５〜６であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも８０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは６〜７であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも８０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは７〜８であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも８０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは８〜９であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも８０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは５〜６であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも１５０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは６〜７であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも１５０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは７〜８であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも１５０ｎｍである。あるいは、流体組成物２１８のｐＨは８〜９であり、保管寿命の終了時におけるｐＨ保護皮膜２８６のＴＥＭによる厚さは少なくとも１５０ｎｍである。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、流体組成物２１８との接触の４４時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年２００ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の８８時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年１００ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の１７５時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年５０ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の２５０時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年３５ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の３５０時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年２５ｎｍ）の速度でｐＨ保護皮膜２８６を除去する。ｐＨ保護皮膜の剥離の速度は既知の期間流体組成物に曝露させた試料のＴＥＭにより特定されうる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、ｐＨ保護皮膜２８６は、非被覆内部表面２５４よりも低い摩擦抵抗を提供するのに有効である。好ましくは、摩擦抵抗は非被覆内部表面２５４と比較して、少なくとも２５％、より好ましくは少なくとも４５％、更により好ましくは少なくとも６０％減少する。例えば、ｐＨ保護皮膜２８６は、好ましくは、薬剤パッケージ２１０の組立後、流体組成物２１８に接触する壁２１４の部分と、相対的に摺動する部品２５８との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である。好ましくは、ｐＨ保護皮膜２８６は、薬剤パッケージ２１０の組立の少なくとも２年後、壁２１４と、相対的に摺動する部品２５８との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である。

流体組成物
任意選択的に、図８〜１０のいずれかの実施形態においては、流体組成物２１８は、
吸入麻酔薬
アリフルラン
クロロホルム
シクロプロパン
デスフルラン（Ｓｕｐｒａｎｅ）
ジエチルエーテル
エンフルラン（Ｅｔｈｒａｎｅ）
塩化エチル
エチレン
ハロタン（Ｆｌｕｏｔｈａｎｅ）
イソフルラン（Ｆｏｒａｎｅ、Ｉｓｏｆｌｏ）
イソプロペニルビニルエーテル
メトキシフルラン
メトキシフルラン
メトキシプロパン
亜酸化窒素
ロフルラン
セボフルラン（Ｓｅｖｏｒａｎｅ、Ｕｌｔａｎｅ、Ｓｅｖｏｆｌｏ）
テフルラン
トリクロロエチレン
ビニルエーテル
キセノン

注射剤
Ａｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）
アバレリックスデポ
アボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）
ＡＢＴ−２６３
ＡＢＴ−８６９
ＡＢＸ−ＥＦＧ
Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
Ａｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）
アセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）
アセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）
アクテムラ（トシリズマブ注射薬）
Ａｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート）
Ａｃｔｕｍｍｕｎｅ
アクチバーゼ
注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）
Ａｄａｃｅｌ
アダリムマブ
アデノスキャン（アデノシン注射薬）
アデノシン注射薬（アデノスキャン）
Ａｄｒｅｎａｃｌｉｃｋ
ＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬）
Ａｆｌｕｒｉａ
Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）
アウドラザイム（ラロニダーゼ）
アルグルセラーゼ注射薬（セレデース）
アルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）
アロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）
Ａｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）
アルプロスタジル
Ａｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）
ＡＬＴＵ−２３８
アミノ酸注射薬
Ａｍｉｎｏｓｙｎ
アピドラ
アプレミラスト
アルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）
ＡＭＧ００９
ＡＭＧ０７６
ＡＭＧ１０２
ＡＭＧ１０８
ＡＭＧ１１４
ＡＭＧ１６２
ＡＭＧ２２０
ＡＭＧ２２１
ＡＭＧ２２２
ＡＭＧ２２３
ＡＭＧ３１７
ＡＭＧ３７９
ＡＭＧ３８６
ＡＭＧ４０３
ＡＭＧ４７７
ＡＭＧ４７９
ＡＭＧ５１７
ＡＭＧ５３１
ＡＭＧ５５７
ＡＭＧ６２３
ＡＭＧ６５５
ＡＭＧ７０６
ＡＭＧ７１４
ＡＭＧ７４５
ＡＭＧ７８５
ＡＭＧ８１１
ＡＭＧ８２７
ＡＭＧ８３７
ＡＭＧ８５３
ＡＭＧ９５１
アミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
アモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）
アミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）
アナキンラ
Ａｎｔｉ−Ａｂｅｔａ
Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ７
Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ２０
Ａｎｔｉ−ＣＤ４
Ａｎｔｉ−ＣＤ２０
Ａｎｔｉ−ＣＤ４０
Ａｎｔｉ−ＩＦＮａｌｐｈａ
Ａｎｔｉ−ＩＬ１３
Ａｎｔｉ−ＯＸ４０Ｌ
Ａｎｔｉ−ｏｘＬＤＳ
Ａｎｔｉ−ＮＧＦ
Ａｎｔｉ−ＮＲＰ１
アリクストラ
Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）
Ａｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）
Ａｎａｐｒｏｘ
アンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）
アピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
Ａｐｏｍａｂ
Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）
アルガトロバン（アルガトロバン注射薬）
塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ１０
アリストコート
アリストスパン
三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）
アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）
アーゼラ（オファツムマブ注射薬）
Ａｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）
アタルレン
アタルレン−ＤＭＤ
アテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）
ベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）
アバスチン
アザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）
アジスロマイシン（ジスロマック注射薬）
アズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）
バクロフェン注射薬（リオレサール髄注（Ｉｎｔｒａｔｈｅｃａｌ））
静菌水（注射用静菌水）
バクロフェン注射薬（リオレサール髄注）
Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）
ＢａｙＨｅｐＢ
ＢａｙＴｅｔ
ベナドリル
塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）
メシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）
ベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）
ベキサール
バイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）
ブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）
ブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）
ボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）
ボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）
ＢＲ３−ＦＣ
Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）
ブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）
ブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）
Ｂｒｅｔｈｉｎｅ
Ｂｒｉｏｂａｃｅｐｔ
ＢＴＴ−１０２３
ブピバカインＨＣｌ
バイエッタ
Ｃａ−ＤＴＰＡ（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）
カバジタキセル注射薬（ジェブタナ）
カフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）
カルシジェックス注射薬（カルシトリオール）
カルシトリオール（カルシジェックス注射薬）
塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）
カルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）
キャンパス（アルテムツズマブ（Ａｌｔｅｍｔｕｚｕｍａｂ））
Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）
カナキヌマブ注射薬（イラリス）
カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（カプレオマイシン注射用）
カプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））
カーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））
カーティセル
Ｃａｔｈｆｌｏ
注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）
セフェピム塩酸塩
セフォタキシム
セフトリアキソン
セレザイム
Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬
Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ
Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ
Ｃｅｌｓｉｏｒ
Ｃｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
セレデース（アルグルセラーゼ注射薬）
Ｃｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）
セルトリズマブ
ＣＦ−１０１
クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）
クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）
コレスタゲル（コレセベラムＨＣＬ）
絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）
シムジア
シスプラチン（シスプラチン注射薬）
クロラール（クロファラビン注射薬）
クエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）
クロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）
コゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）
コリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）
Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）
Ｃｏｍｐａｔｈ
コニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）
注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）
コパキソン
注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート（Ａｃｔｈｒｅｌ）
コルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）
キュビシン（ダプトマイシン注射薬）
ＣＦ−１０１
Ｃｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）
シタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）
シアノコバラミン
サイトベン（ガンシクロビル）
Ｄ．Ｈ．Ｅ．４５
ダセツズマブ
ダコゲン（デシタビン注射薬）
ダルテパリン
ダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）
注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）
ダプトマイシン注射薬（キュビシン）
ダルベポエチンアルファ
ＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）
Ｄｅｃａｖａｘ
デシタビン注射薬（ダコゲン）
無水アルコール（無水アルコール注射薬）
デノスマブ注射薬（プロリア）
デラテストリル
デルエストロゲン
デルテパリンナトリウム（Ｄｅｌｔｅｐａｒｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ）
Ｄｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
デポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）
デポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）
デポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）
デスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）
デポエストラジオール
デポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌ
デポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌ
デポテストステロン
注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）
ブドウ糖／電解質
ブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）
ブドウ糖
ジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）
ジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）
ジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）
ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）
ジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）
ジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）
ＤＭＯＡＤ
ドセタクセル注射用（タキソテール）
メシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）
ドリバックス（ドリペネム注射用）
ドリペネム注射用（ドリバックス）
ドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）
ドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）
ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）
Ｄｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）
Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）
Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）
エカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）
ＥＣ−ナプロシン（ナプロキセン）
エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）
Ｅｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）
Ｅｎｇｅｒｉｘ
エドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）
エリグルスタットターテート（Ｅｌｉｇｌｕｓｔａｔ Ｔａｒｔａｔｅ）
エロキサチン（オキサリプラチン注射薬）
イメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）
エナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）
Ｅｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）
エノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）
エオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）
エンブレル（エタネルセプト）
エノキサパリン
Ｅｐｉｃｅｌ
エピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）
エピペン
エピペンＪｒ．
エピラツズマブ
アービタックス
エルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）
エリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）
必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）
エストラジオールシピオネート
吉草酸エストラジオール
エタネルセプト
エキセナチド注射薬（バイエッタ）
エブロトラ（Ｅｖｌｏｔｒａ）
ファブラザイム（アダルシダーゼベータ（Ａｄａｌｓｉｄａｓｅ ｂｅｔａ））
ファモチジン注射薬
ＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）
フェラヘム（フェルモキシトール注射薬）
フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
Ｆｅｒｔｉｎｅｘ
フェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）
フェルモキシトール注射薬（フェラヘム）
フラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）
Ｆｌｕａｒｉｘ
フルダラ（リン酸フルダラビン）
フルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）
フルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）
フォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）
フォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）
フォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）
フォロチン（プララトレキサート溶液静注用）
フォンダパリヌクス
フォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
Ｆｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂ
フォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）
ホスフェニトインナトリウム注射薬（ホスカビル）
ホスカビル（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
ホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）
ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）
フラグミン
フゼオン（エンフビルチド）
ＧＡ１０１
ガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）
ガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）
ガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）
カドベルセタミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）
ガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）
ガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）
ガーダシル
ＧＣ１００８
ＧＤＦＤ
注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）
ジェノトロピン
ゲンタマイシン注射薬
ＧＥＮＺ−１１２６３８
ゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）
ゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）
グラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）
ゲンタマイシン硫酸塩
グラチラマー酢酸塩
Ｇｌｕｃａｇｅｎ
グルカゴン
ＨＡＥ１
Ｈａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）
Ｈａｖｒｉｘ
Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬（ドキセルカルシフェロール注射薬）
ヘッジホッグ経路阻害薬
へパリン
ハーセプチン
ｈＧ−ＣＳＦ
ヒューマログ
ヒト成長ホルモン
ヒューマトロープ
ＨｕＭａｘ
ヒュメゴン
ヒュミラ
ヒューマリン
イバンドロネートナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）
イブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）
フマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）
イダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）
イダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）
イラリス（カナキヌマブ注射薬）
注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）
イミトレックス
インコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）
Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
インダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）
インドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）
Ｉｎｆａｎｒｉｘ
イノヘップ
インスリン
インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）
インスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）
インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）
インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）
イントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）
Ｉｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）
Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）
インビラーゼ（サキナビルメシル酸塩）
ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）
イオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）
イオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）
Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
Ｉｐｒｉｖａｓｋ
イリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）
含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）
Ｉｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）
イトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）
ジェブタナ（カバジタキセル注射薬）
Ｊｏｎｅｘａ
Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）
ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗ
ＫＣＬ ｉｎ ＮＳ
ケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
ケピバンス（パリフェルミン）
ケプラ注射薬（レベチラセタム）
ケラチノサイト
ＫＦＧ
キナーゼ阻害薬
Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）
Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）
Ｋｉｎｒｉｘ
クロノピン（クロナゼパム）
カイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）
ラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）
乳酸リンゲル液
ラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）
ランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）
ランタス
ロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）
レンテ（Ｌ）
レプチン
レベミル
リューカインサルグラモスチム（Ｌｅｕｋｉｎｅ Ｓａｒｇｒａｍｏｓｔｉｍ）
ロイプロリド酢酸塩
レボチロキシン
レベチラセタム（ケプラ注射薬）
ラブノックス
レボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）
レキスキャン（レガデノソン注射薬）
リオレサール髄注（バクロフェン注射薬）
リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）
ラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）
ルセンティス（ラニビズマブ注射薬）
Ｌｕｍｉｚｙｍｅ
ルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）
Ｌｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）
Ｍａｃｉ
マグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）
マンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）
マーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）
マキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）
テクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）
メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）
メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）
メルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）
メトトレキサート
メナクトラ
Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）
メノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）
メトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）
メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）
メチレンブルー（メチレンブルー注射薬）
酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
ＭｅｔＭａｂ
メトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）
Ｍｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）
メトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）
Ｍｉａｃａｌｃｉｎ
ミダゾラム（ミダゾラム注射薬）
ミンパラ（シナカレト（Ｃｉｎａｃａｌｅｔ））
ミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）
ミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）
ミポメルセン
ミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）
モルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）
モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）
モルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）
モテサニブ
モゾビル（プレリキサフォル注射薬）
Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）
多電解質及びブドウ糖注射薬
多電解質注射薬
マイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）
マイオザイム（アルグルコシダーゼアルファ）
ナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）
ナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）
ナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）
ナプロシン（ナプロキセン）
ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）
ナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）
ネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）
ＮＥＯ−ＧＡＡ
ＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）
Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）
Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）
Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）
ノボリン
Ｎｏｖｏｌｏｇ
ＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎ
Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）
ＮＰＨ（Ｎ）
Ｎｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
ノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）
生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）
ノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）
ノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）
ＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）
ニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
ニュートロピンＡＱ
ニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
オクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）
オクレリズマブ
オファツムマブ注射薬（アーゼラ）
徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）
Ｏｍｎｉｔａｒｇ
Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
オンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）
ＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）
オプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）
オレンシア
Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック容器２５０）
Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器２５０）
オステオプロテグリン（Ｏｓｔｅｏｐｒｏｔｅｇｒｉｎ）
Ｏｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）
オキサシリン（オキサシリン注射用）
オキサリプラチン注射薬（エロキサチン）
オキシトシン注射薬（ピトシン）
パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）
パミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）
パニツムマブ静注用（ベクティビックス）
パパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）
パパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）
副甲状腺ホルモン
パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）
ＰＡＲＰ阻害薬
Ｐｅｄｉａｒｉｘ
ペグイントロン
ペグインターフェロン
ペグフィルグラスチム
ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン
ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ＤＴＰＡ）
ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）
ペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）
Ｐｅｒｇｏｎａｌ
ペルツズマブ
フェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）
サリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））
サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）
ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）
ピトシン（オキシトシン注射薬）
Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）
Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器２５０）
ＰｌａｓｍａＬｙｔｅ
プレリキサフォル注射薬（モゾビル）
ポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）
塩化カリウム
プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）
プレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）
注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）
プレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）
プリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）
Ｐｒｏｃｈｙｍａｌ
プロクリット
黄体ホルモン
プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
プロリア（デノスマブ注射薬）
プロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）
プロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）
グルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）
キニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）
Ｒ−Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）
ラニビズマブ注射薬（ルセンティス）
ラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）
ラプティバ
リクラスト（ゾレドロン酸注射薬）
Ｒｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢ
レガデノソン注射薬（レキスキャン）
Ｒｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）
レミケード
レナジェル
Ｒｅｎｖｅｌａ（炭酸セベラマー）
Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）
レトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）
ｒｈＡｐｏ２Ｌ／ＴＲＡＩＬ
リンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））
リンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）
リツキサン
リツキシマブ
ロセフィン（セフトリアキソン）
ロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）
Ｒｏｆｅｒｏｎ−Ａ（インターフェロンアルファ−２ａ）
Ｒｏｍａｚｉｃｏｎ（フルマゼニル）
ロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）
サイゼン（ソマトロピン注射薬）
サンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）
スクレロスチンＡｂ
Ｓｅｎｓｉｐａｒ（シナカルセト）
Ｓｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣｌ注射薬）
Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）
Ｓｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
シンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）
ナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）
炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）
乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）
フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）
ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）
スポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）
ステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）
Ｓｔｅｍｇｅｎ
Ｓｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）
クエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）
Ｓｕｍａｖｅｌ
スマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）
Ｓｙｍｌｉｎ
Ｓｙｍｌｉｎ Ｐｅｎ
全身用ヘッジホッグ（Ｓｙｓｔｅｍｉｃ Ｈｅｄｇｅｈｏｇ）拮抗薬
Ｓｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）
タルセバ
タキソテール（ドセタクセル注射用）
テクネチウムＴｃ９９ｍ
テラバンシン注射用（ヴィバティブ）
テムシロリムス注射薬（トーリセル）
テノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）
テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）
テストステロンシピオネート
テストステロンエナント酸エステル
テストステロンプロピオン酸エステル
Ｔｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）
ｔｇＡＡＣ９４
塩化タリウム
テオフィリン
チオテパ（チオテパ注射薬）
サイモグロブリン（抗胸腺細胞免疫グロブリン（ウサギ）
タイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）
チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）
Ｔｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））
チメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））
ＴＮＫａｓｅ
トブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）
トシリズマブ注射薬（アクテムラ）
トーリセル（テムシロリムス注射薬）
Ｔｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）
トラスツズマブ−ＤＭ１
Ｔｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））
トレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）
トレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）
トリアムシノロンアセトニド
酢酸トリアムシノロン
トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）
Ｔｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）
グルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）
トリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）
Ｔｗｉｎｊｅｃｔ
Ｔｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
トリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）
Ｔｗｉｎｒｉｘ
腸チフスＶｉ
Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）
ウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）
ウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）
ウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）
ウルトラレンテ（Ｕ）
バリウム（ジアゼパム）
バルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）
Ｖａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
バルプロ酸ナトリウム（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
バルプロ酸ナトリウム注射薬（バルプロ酸ナトリウム）
バプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）
ＶＡＱＴＡ
バソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）
ベクティビックス（パニツムマブ静注用）
ヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）
ベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）
ヴィバティブ（テラバンシン注射用）
ビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）
ビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）
ビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）
Ｖｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
ビクトーザ
ビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
ビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）
ビタミンＢ−１２
ビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）
ボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
ゼローダ
ゼニカル（オルリスタット）
Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）
ゾレア
ザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）
Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）
Ｚｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）
ゼナパックス（ダクリズマブ）
ゼバリン
ジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）
ジスロマック注射薬（アジスロマイシン）
Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）
ゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）
Ｚｉｎｇｏ
ゾレドロン酸注射用（ゾメタ）
ゾレドロン酸注射薬（リクラスト）
ゾメタ（ゾレドロン酸注射用）
ゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）
Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）

液剤（非注射型）
エビリファイ
ＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）
Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）
薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）
アドベア
Ａｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）
Ａｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）
Ａｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）
アルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）
アルブテロール硫酸塩吸入液
Ａｌｉｎｉａ
Ａｌｏｃｒｉｌ
アルファガン
Ａｌｒｅｘ
オルベスコ
アンプレナビル経口液
Ａｎａｌｐｒａｍ−ＨＣ
アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）
アリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）
アサコール
アズマネックス
Ａｓｔｅｐｒｏ
Ａｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）
アトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）
アトロベント鼻用スプレー．０６
オーグメンチンＥＳ−６００
Ａｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）
アゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）
アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）
Ａｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）
エイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）
静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）
平衡塩類（Ｂａｌａｎｃｅｄ Ｓａｌｔ）
ベポタスチン
バクトロバン鼻腔用
バクトロバン
Ｂｅｃｌｏｖｅｎｔ
Ｂｅｎｚａｃ Ｗ
Ｂｅｔｉｍｏｌ
ベトプティックエス
Ｂｅｐｒｅｖｅ
ビマトプロスト点眼液
Ｂｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）
ブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）
ブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）
Ｂｒｏｍｈｉｓｔ
Ｂｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）
ブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）
Ｃａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）
Ｃａｐｅｘ
Ｃａｒａｃ
Ｃａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥ
Ｃａｒｎｉｔｏｒ
Ｃａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）
セルセプト
Ｃｅｎｔａｎｙ
Ｃｅｒｕｍｅｎｅｘ
Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）
Ｃｉｐｒｏｄｅｘ
シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）
クレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）
ＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）
Ｃｏｍｂｉｖｅｎ
コムタン
Ｃｏｎｄｙｌｏｘ
Ｃｏｒｄｒａｎ
Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液
Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液
クロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）
クロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）
電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）
Ｃｕｔｉｖａｔｅ
Ｃｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）
シアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）
サイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）
サイクロジル
Ｃｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
ＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））
デスモプレシン酢酸塩鼻用スプレー
ＤＤＡＶＰ
Ｄｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳ
デキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌ
ダイアニール低カルシウム
ダイアニールＰＤ
ジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）
ジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）
ディフェリン
ディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）
Ｄｉｔｒｏｐａｎ
ドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）
ドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）
ドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）
ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）
Ｅｆｕｄｅｘ
エラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）
Ｅｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）
Ｅｌｏｃｏｎ
エピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）
エピビルＨＢＶ
Ｅｐｏｇｅｎ（エポエチンアルファ）
エリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）
Ｅｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）
エトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）
オイラックス
Ｅｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）
Ｆｅｌｂａｔｏｌ
フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
Ｆｌｏｖｅｎｔ
Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）
Ｆｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）
Ｆｌｕｏｒｏｐｌｅｘ
フルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）
フルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）
フルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）
ＦＭＬ
Ｆｏｒａｄｉｌ
フマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）
フォサマックス
フラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）
フロキソン
ガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）
ガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）
ガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）
Ｇｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）
グリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）
ハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）
Ｈａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）
ＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）
ヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０
ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）
酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）
ヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）
ＩＡＰ拮抗薬
Ｉｓｏｐｔｏ
臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）
イトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）
ケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）
カレトラ
ラノキシン
レクシヴァ
ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）
レボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）
レボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）
レボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）
リドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）
Ｌｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）
ロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌ
Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）
Ｌｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）
エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）
低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）
ルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）
ルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）
メゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）
ＭＥＫ阻害薬
Ｍｅｐｒｏｎ
Ｍｅｓｎｅｘ
メスチノン
メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）
Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）
ＭｅｔＭａｂ
メチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）
Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）
酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）
コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）
メチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）
Ｍｉｇｒａｎａｌ
Ｍｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）
ミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）
ナサコート
ネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾン
ネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）
ネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）
ニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）
Ｎｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）
ニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）
ニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））
Ｏｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）
オフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）
オフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）
オロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）
Ｏｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）
Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）
パタノール
Ｐｅｄｉａｐｒｅｄ
ＰｅｒｉｏＧａｒｄ
フェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）
Ｐｈｉｓｏｈｅｘ
ポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）
塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）
Ｐａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）
Ｐａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）
ＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）
ペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）
Ｐｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）
ＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）
Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）
腹膜透析溶液
フェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）
フォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）
ポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）
Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）
プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
Ｐｒｅｄ Ｍｉｌｄ
Ｐｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌ
プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）
プレバシド
ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
プロエアー
Ｐｒｏｇｌｙｃｅｍ
プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）
Ｐｒｏｐｉｎｅ
パルミコート
プルモザイム
Ｑｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）
ＱＶＡＲ
ラパミューン
レベトール
Ｒｅｌａｃｏｎ−ＨＣ
ロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）
経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）
Ｒｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））
サブリル（ビガバトリン経口液）
サクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）
サンディミュン
Ｓｅｐｒａ
Ｓｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓ
ソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）
ソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）
スピリーバ
スポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）
Ｓｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）
スタレボ
Ｓｔａｒｌｉｘ
滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）
Ｓｔｉｍａｔｅ
スクラルファート（カラファート懸濁液）
スルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０
Ｓｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）
Ｔａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））
タミフル
トービイ
ＴｏｂｒａＤｅｘ
Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）
トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）
チモロール
Ｔｉｍｏｐｔｉｃ
トラバタンズ
トレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）
トルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）
Ｔｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）
ベントリン
ブイフェンド
ビブラマイシン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）
ヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）
ビガバトリン経口液（サブリル）
Ｖｉｏｋａｓｅ
ビラセプト
ビラミューン
ビタミンＫ１（ビタミンＫ１の流体コロイド溶液）
ボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）
ザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）
ザイアジェン
ザイボックス
Ｚｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）
Ｚｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）

薬物分類
５α還元酵素阻害薬
５−アミノサリチル酸塩
５ＨＴ３受容体拮抗薬
アダマンタン抗ウイルス薬
副腎皮質ステロイド
副腎皮質ホルモン阻害薬
アドレナリン作動性気管支拡張薬
高血圧性緊急疾患用薬剤
肺高血圧症用薬剤
アルドステロン受容体拮抗薬
アルキル化薬
αアドレナリン受容体拮抗薬
αグルコシダーゼ阻害薬
代替薬
殺アメーバ薬
アミノグリコシド
アミノペニシリン類
アミノサリチル酸塩
アミリン類似体
鎮痛薬配合剤
鎮痛薬
アンドロゲン及びアナボリックステロイド
アンジオテンシン変換酵素阻害薬
アンジオテンシンＩＩ阻害薬
肛門直腸製剤
食欲抑制薬
制酸薬
駆虫薬
抗血管原性眼用薬
抗ＣＴＬＡ−４モノクローナル抗体
感染症薬
抗アドレナリン作動薬、中枢作用型
抗アドレナリン作動薬、末梢作用型
抗アンドロゲン薬
抗狭心症薬
抗不整脈薬
抗喘息薬配合剤
抗生物質／抗腫瘍薬
抗コリン性制吐剤
抗コリン性抗パーキンソン薬
抗コリン性気管支拡張薬
抗コリン性変時性薬（ａｎｔｉｃｈｏｌｉｎｅｒｇｉｃ ｃｈｒｏｎｏｔｒｏｐｉｃ ａｇｅｎｔｓ）
抗コリン作動薬／鎮痙薬
凝固阻止剤
抗痙攣薬
抗うつ薬
抗糖尿病薬
抗糖尿病薬配合剤
止瀉薬
抗利尿ホルモン
解毒薬
制吐薬／抗暈眩薬
抗真菌薬
抗ゴナドトロピン薬
痛風治療薬
抗ヒスタミン薬
高脂血症用薬
高脂血症用配合剤
降圧配合剤
尿酸降下薬
抗マラリア薬
抗マラリア薬配合剤
抗マラリア薬キノリン類
代謝拮抗薬
抗片頭痛薬
抗腫瘍性解毒剤
抗腫瘍性インターフェロン
抗腫瘍性モノクローナル抗体
抗腫瘍薬
抗パーキンソン薬
抗血小板薬
抗緑膿菌ペニシリン系薬
抗乾癬薬
抗精神病薬
抗リウマチ薬
防腐薬及び殺菌薬
抗甲状腺薬
抗毒素及び抗蛇毒素
抗結核薬
抗結核薬配合剤
鎮咳薬
抗ウイルス薬
抗ウイルス配合剤
抗ウイルスインターフェロン
抗不安薬、鎮静薬、及び催眠薬
アロマターゼ阻害薬
非定型抗精神病薬
アゾ−ル抗真菌薬
細菌性ワクチン
バルビツール酸系抗痙攣薬
バルビツール薬
ＢＣＲ−ＡＢＬチロシンナーゼ阻害薬
ベンゾジアゼピン系抗痙攣薬
ベンゾジアゼピン
βアドレナリン遮断薬
βラクタマーゼ阻害薬
胆汁酸金属イオン封鎖剤
生物学的製剤
ビスホスホネート製剤
骨吸収阻害薬
気管支拡張薬配合剤
気管支拡張薬
カルシトニン
カルシウムチャネル遮断薬
カルバメート系抗痙攣薬
カルバペネム
炭酸脱水酵素阻害抗痙攣薬
炭酸脱水酵素阻害薬
心緊張薬（ｃａｒｄｉａｃ ｓｔｒｅｓｓｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
心選択性β遮断薬
心血管作動薬
カテコールアミン
ＣＤ２０モノクローナル抗体
ＣＤ３３モノクローナル抗体
ＣＤ５２モノクローナル抗体
中枢神経系薬
セファロスポリン
耳垢水
キレート剤
ケモカイン受容体拮抗薬
クロライドチャネルアクチベーター
コレステロール吸収阻害薬
コリン作動薬
コリン作動性筋興奮薬
コリンエステラーゼ阻害薬
中枢興奮薬
凝固調整剤
コロニー刺激因子
避妊薬
副腎皮質刺激ホルモン
クマリン類及びインダンジオン類
ｃｏｘ−２阻害薬
充血除去薬
外皮用薬
診断的放射性医薬品
ジベンザゼピン系抗痙攣薬
消化酵素
ジペプチジルペプチダーゼ４阻害薬
利尿薬
ドパミン作用性抗パーキンソン薬
アルコール依存性に使用される薬物
エキノカンジン
ＥＧＦＲ阻害薬
エストロゲン受容体拮抗薬
エストロゲン
去痰薬
第Ｘａ因子阻害剤
脂肪酸誘導体抗痙攣薬
フィブリン酸誘導体
第１世代セファロスポリン
第４世代セファロスポリン
機能性腸疾患薬
胆石可溶化薬（ｇａｌｌｓｔｏｎｅ ｓｏｌｕｂｉｌｉｚｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
ＧＡＢＡ類似体
ＧＡＢＡ再取り込み阻害薬
ＧＡＢＡトランスアミナーゼ阻害薬
胃腸薬
全身麻酔薬
尿生殖路薬（ｇｅｎｉｔｏｕｒｉｎａｒｙ ｔｒａｃｔ ａｇｅｎｔｓ）
胃腸刺激薬
グルココルチコイド
グルコース上昇剤（ｇｌｕｃｏｓｅ ｅｌｅｖａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
グリコペプチド系抗生物質
糖タンパク質血小板阻害薬（ｇｌｙｃｏｐｒｏｔｅｉｎ ｐｌａｔｅｌｅｔ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｓ）
グリシルシクリン類
ゴナドトロピン放出ホルモン
ゴナドトロピン放出ホルモン拮抗薬
ゴナドトロピン
Ｉ群抗不整脈薬
ＩＩ群抗不整脈薬
ＩＩＩ群抗不整脈薬
ＩＶ群抗不整脈薬
Ｖ群抗不整脈薬
成長ホルモン受容体遮断薬
成長ホルモン
ヘリコバクターピロリ除菌薬
Ｈ２拮抗薬
造血幹細胞モビライザー（ｍｏｂｉｌｉｚｅｒ）
へパリン拮抗薬
へパリン
ＨＥＲ２阻害薬
植物製品
ヒストン脱アセチル化酵素阻害薬
ホルモン補充療法
ホルモン
ホルモン／抗腫瘍薬
ヒダントイン系抗痙攣薬
違法（ストリート）薬物
免疫グロブリン
免疫薬
免疫抑制薬
インポテンス薬
インビボ診断生物学的製剤
インクレチンミメティクス
吸入感染症薬（ｉｎｈａｌｅｄ ａｎｔｉ−ｉｎｆｅｃｔｉｖｅｓ）
吸入コルチコステロイド
強心薬
インスリン
インスリン様増殖因子
インテグラーゼ鎖移転阻害薬
インターフェロン
静脈内栄養製品（ｉｎｔｒａｖｅｎｏｕｓ ｎｕｔｒｉｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
ヨード造影剤
イオン化ヨード造影剤
鉄製品
ケトライド類
緩下薬
鎮癩薬
ロイコトリエン調整剤
リンコマイシン誘導体
脂質化グリコペプチド
局所注射麻酔薬
ループ利尿薬
肺表面活性剤
リンパ管染色剤
リソソーム酵素
マクロライド誘導体
マクロライド類
磁気共鳴イメージング造影剤
肥満細胞安定化剤
医療ガス
メグリチニド類
代謝薬
メチルキサンチン類
ミネラルコルチコイド
ミネラル及び電解質
その他薬剤
その他鎮痛薬
その他抗生物質
その他抗痙攣薬
その他抗うつ薬
その他抗糖尿病薬
その他制吐剤
その他抗真菌薬
その他高脂血症用薬
その他抗マラリア薬
その他抗腫瘍薬
その他抗パーキンソン薬
その他抗精神病薬
その他抗結核薬
その他抗ウイルス薬
その他抗不安薬、鎮静薬及び催眠薬
その他生物学的製剤
その他骨吸収阻害薬
その他心血管作動薬
その他中枢神経系薬
その他凝固調整剤
その他利尿薬
その他尿生殖路薬
その他ＧＩ薬
その他ホルモン
その他代謝薬
その他眼用薬
その他耳用薬
その他呼吸薬
その他性ホルモン
その他局所薬
その他未分類薬
その他腟用薬（ｖａｇｉｎａｌ ａｇｅｎｔｓ）
有糸分裂阻害薬
モノアミン酸化酵素阻害薬
モノクローナル抗体
口及び咽喉製品（ｍｏｕｔｈ ａｎｄ ｔｈｒｏａｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
ｍＴＯＲ阻害薬
ｍＴＯＲキナーゼ阻害薬
粘液溶解薬
マルチキナーゼ阻害薬
筋弛緩薬
散瞳薬
麻薬性鎮痛薬配合剤
麻薬性鎮痛薬
鼻用感染症薬
鼻用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
鼻用潤滑剤及び灌注剤
鼻用製剤
鼻用ステロイド
天然ペニシリン系薬
ノイラミニダーゼ阻害薬
神経筋遮断薬
次世代セファロスポリン
ニコチン酸誘導体
硝酸薬
ＮＮＲＴＩｓ
非心選択性β遮断薬
非ヨード造影剤
非イオン性ヨード造影剤
非スルホニル尿素
非ステロイド性抗炎症薬
ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
ノルエピネフィリン−ドパミン再取り込み阻害薬
ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬（ＮＲＴＩｓ）
栄養補助食品
栄養製品
眼用麻酔薬
眼用感染症薬
眼用抗炎症薬
眼用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
眼用診断用薬
眼用緑内障薬
眼用潤滑剤及び灌注剤
眼用製剤
眼用ステロイド
感染症薬追加眼用ステロイド
眼外科薬（ｏｐｈｔｈａｌｍｉｃ ｓｕｒｇｉｃａｌ ａｇｅｎｔｓ）
経口栄養補助食
耳用麻酔薬
耳用感染症薬
耳用製剤
耳用ステロイド
感染症薬追加耳用ステロイド
オキサゾリジンジオン系抗痙攣薬
上皮小体ホルモン及び類似体
ペニシリナーゼ耐性ペニシリン
ペニシリン系薬
末梢性オピオイド受容体拮抗薬
末梢性血管拡張薬
末梢作用型抗肥満薬
フェノチアジン制吐剤
フェノチアジン系抗精神病薬
フェニルピペラジン系抗うつ薬
血漿増量剤
血小板凝集阻害薬
血小板刺激剤
ポリエン類
カリウム保持性利尿薬
プロバイオティクス
黄体ホルモン受容体調節薬
プロゲスチン
プロラクチン阻害薬
プロスタグランジンＤ２拮抗薬
タンパク分解酵素阻害薬
プロトンポンプ阻害薬
ソラレン類
精神治療薬
精神治療用複合剤（ｐｓｙｃｈｏｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
プリンヌクレオシド
ピロリジン抗痙攣薬
キノロン剤
造影剤
放射線補助剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ａｄｊｕｎｃｔｓ）
放射線剤
放射線共役剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ｃｏｎｊｕｇａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
放射性医薬品
ＲＡＮＫリガンド阻害薬
遺伝子組換えヒトエリスロポエチン
レニン阻害薬
呼吸薬
呼吸吸入薬製品（ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｉｎｈａｌａｎｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
リファマイシン誘導体
サリチル酸塩
硬化剤
第２世代セファロスポリン
選択的エストロゲン受容体調節薬
選択的セロトニン再取り込み阻害薬
セロトニン−ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
セロトニン作動性神経腸調節薬
性ホルモン複合剤
性ホルモン
骨格筋弛緩薬複合剤
骨格筋弛緩薬
禁煙薬
ソマトスタチン及びソマトスタチン類似体
殺精子剤
スタチン
滅菌洗浄溶液（ｓｔｅｒｉｌｅ ｉｒｒｉｇａｔｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）
ストレプトミセス誘導体
スクシンイミド抗痙攣薬
スルホンアミド
スルホニル尿素
合成排卵誘発剤
四環系抗うつ薬
テトラサイクリン
治療用放射性医薬品
サイアザイド系利尿薬
チアゾリジンジオン類
チオキサンテン
第３世代セファロスポリン
トロンビン阻害剤
血栓溶解薬
甲状腺剤
陣痛抑制薬
局所座瘡薬
局所薬
局所麻酔薬
局所感染症薬
局所抗生物質
局所抗真菌薬
局所抗ヒスタミン薬
局所抗乾癬薬
局所抗ウイルス薬
局所収斂薬
局所排膿促進薬
局所脱色剤
局所皮膚軟化薬
局所角質溶解薬
局所ステロイド
感染症薬追加局所ステロイド
トキソイド
トリアジン抗痙攣薬
三環系抗うつ薬
三官能性モノクローナル抗体
腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）阻害薬
チロシンナーゼ阻害薬
超音波造影剤
上気道用複合剤（ｕｐｐｅｒ ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
尿素抗痙攣薬（ｕｒｅａ ａｎｔｉｃｏｎｖｕｌｓａｎｔｓ）
尿路感染症薬
尿路鎮痙薬
尿ｐＨ調整剤
子宮収縮薬
ワクチン
混合ワクチン
腟抗感染薬
膣坐剤
血管拡張薬
バソプレッシン拮抗薬
昇圧薬
ＶＥＧＦ／ＶＥＧＦＲ阻害薬
ウイルス性ワクチン
関節内補充薬
ビタミンミネラル複合体
ビタミン

診断試験
１７−ヒドロキシプロゲステロン
ＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）
アセトアミノフェン
酸性ホスファターゼ
副腎皮質刺激ホルモン
活性凝固時間
活性化プロテインＣ耐性
副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）
アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）
アルブミン
アルドラーゼ
アルドステロン
アルカリフォスファターゼ
アルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）
α１−抗トリプシン
α−フェトプロテイン
α−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）
アンモニアレベル
アミラーゼ
ＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））
ＡＮＡ（抗核抗体）
アンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）
アニオンギャップ
抗カルジオリピン抗体
抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）
抗セントロメア抗体
抗利尿ホルモン
抗ＤＮＡ
抗デオキシリボヌクレアーゼＢ
抗グリアジン抗体
抗糸球体基底膜抗体
抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体
抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体
抗リン脂質抗体
抗ＲＮＡポリメラーゼ
抗スミス（Ｓｍ）抗体
抗平滑筋抗体
抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）
抗トロンビンＩＩＩ
抗Ｘａ活性
抗Ｘａアッセイ
アポリポタンパク
ヒ素
アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）
Ｂ１２
塩基好性白血球
β２−ミクログロブリン
β−ヒドロキシブチレート
Ｂ−ＨＣＧ
ビリルビン
直接ビリルビン
間接ビリルビン
総ビリルビン
出血時間
血液ガス（動脈性）
血液尿素窒素（ＢＵＮ）
ＢＵＮ
ＢＵＮ（血液尿素窒素）
ＣＡ１２５
ＣＡ１５−３
ＣＡ１９−９
カルシトニン
カルシウム
カルシウム（イオン化）
一酸化炭素（ＣＯ）
癌胎児性抗原（ＣＥＡ）
全血球計算（ＣＢＣ）
ＣＥＡ
ＣＥＡ（癌胎児性抗原）
セルロプラスミン
ＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）
コレステロール
ＨＤＬコレステロール
血栓溶解時間
血餅退縮時間
ＣＭＰ
ＣＯ₂
寒冷凝集素
補体第３成分
銅
副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験
コルチゾル
コートロシン刺激試験
Ｃペプチド
ＣＰＫ（総）
ＣＰＫ−ＭＢ
Ｃ反応性タンパク
クレアチニン
クレアチニンキナーゼ（ＣＫ）
クリオグロブリン
ＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）
Ｄダイマー
デキタメタゾン抑制試験
ＤＨＥＡ−Ｓ
希釈ラッセルクサリ蛇毒
楕円赤血球
好酸球
赤血球沈降速度（ＥＳＲ）
エストラジオール
エストリオール
エタノール
エチレングリコール
ユーグロブリン溶解
第Ｖ因子ライデン
第ＶＩＩＩ因子インヒビター
第ＶＩＩＩ因子レベル
フェリチン
フィブリン体分解産物
フィブリノーゲン
葉酸塩
葉酸塩（血清
ナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）
ＦＳＨ（卵胞刺激因子）
ＦＴＡ−ＡＢＳ
γグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）
ガストリン
ＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）
グルコース
成長ホルモン
ハプトグロビン
ＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）
ＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）
ヘリコバクターピロリ
ヘマトクリット
ヘマトクリット（ＨＣＴ）
ヘモグロビン
ヘモグロビンＡ１Ｃ
ヘモグロビン電気泳動
Ａ型肝炎抗体
Ｃ型肝炎抗体
ＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）
免疫固定法（ＩＦＥ）
鉄
乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）
乳酸（乳酸塩）
ＬＤＨ
ＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモン
リパーゼ
ループス抗凝固因子
リンパ球
マグネシウム
ＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量
ＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）
ＭＣＶ（平均赤血球容積）
マロン酸メチル
単球
ＭＰＶ（平均血小板容積）
ミオグロビン
好中球
上皮小体ホルモン（ＰＴＨ）
リン
血小板（ｐｌｔ）
カリウム
プレアルブミン
プロラクチン
前立腺特異抗原（ＰＳＡ）
タンパク質Ｃ
タンパク質Ｓ
ＰＳＡ（前立腺特異抗原）
ＰＴ（プロトロンビン時間）
ＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）
ＲＤＷ（赤血球分布幅）
レニン
レンニン
網状赤血球数
網状赤血球
リウマチ因子（ＲＦ）
血沈速度
血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ
血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）
ナトリウム
Ｔ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）
フリーＴ４
トロンビン時間
甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）
チロキシン（Ｔ４
全鉄結合能（ＴＩＢＣ）
総タンパク
トランスフェリン
トランスフェリン飽和剤
トリグリセリド（ＴＧ）
トロポニン
尿酸
ビタミンＢ１２
白血球（ＷＢＣ）
ウィダール試験
からなる群から選択される要素又は２つ以上の要素の組み合わせを含む。

いくつかの例として、流体組成物２１８は、吸入麻酔薬、薬物又は診断検査材料とされうる。これら流体組成物２１８のいずれかは、注射可能物質、吸入することが可能な、又はそうでなければ患者に導入することが可能な揮散物質とされうる。

特に図８の実施形態においては、薬剤パッケージ２１０はシリンジである。シリンジはシリンジバレル２５０及びプランジャ２５８を含みうる。壁２１４はシリンジバレル２５０の少なくとも一部を画定しうる。プランジャ２５８は、シリンジの、シリンジバレル２５０に対して相対的に摺動する部品とされうる。用語「シリンジ」は、しかしながら、カートリッジ、「ペン」型注射器、及び１つ又は複数の他の構成要素と組み立てられて機能的なシリンジを提供するようになっている他の種類のバレル又はリザーバを含むよう広く定義される。「シリンジ」は、また、オートインジェクタなどの、内容を分与するための機構を提供する関連物品を含むよう広く定義される。

図８〜１０によって示される本発明の別の態様は、壁２１４と、流体組成物２１８と、複合バリア皮膜又は層２８８と、ｐＨ保護皮膜２８６と、を含む、薬剤パッケージ又は他の容器２１０のいずれかなどの物品である。

壁２１４は内側又は内部表面２５４を有する。

流体組成物２１８は内腔２１２内に収容されており、５〜９のｐＨを有する。

複合バリア皮膜又は層２８８は少なくとも一部が、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xから作製され、厚さは２〜１０００ｎｍである。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は、内腔２１２に面する内部表面２２０と、壁内側又は内部表面２５４に面する外部表面２２２と、を有する。複合バリア皮膜又は層２８８は、その他の点では薬剤パッケージ又は他の容器２１０と同じ非被覆コンテナと比べて内腔２１２への大気ガスの進入を低減するのに有効である。

ｐＨ保護皮膜２８６は少なくとも一部、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yから作製される。ｐＨ保護皮膜２８６は、内腔２１２に面する内部表面２２４と、複合バリア皮膜又は層２８８の内部表面２５４に面する外部表面２２６と、を有する。ｐＨ保護皮膜２８６は、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体の化学気相成長によって形成される。このタイプの適切なｐＨ保護皮膜前駆体の１つの特定の例はオクタメチルシクロテトラシロキサン又はＯＭＣＴＳである。この広範な定義の範囲内の前駆体の他の特定の例はこの明細書の別の場所に提供される。

流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食、溶解又は浸出（関連概念の異なる名称）の速度は、流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜２８６は、薬剤パッケージ又は他の容器２１０の保管寿命の間、少なくとも、バリア皮膜がバリアとして機能することを可能にするほど十分な時間、複合バリア皮膜又は層２８８から流体組成物２１８を分離するのに有効である。

再度図８〜１０によって示される本発明の更に別の態様は、内腔２１２を取り囲む内側又は内部表面２２０を有する熱可塑性プラスチック壁２１４を含む薬剤パッケージ又は他の容器２１０である。内腔２１２内に収容される流体組成物２１８は５を超えるｐＨを有する。

充填済み薬剤パッケージ又は他の容器２１０において、複合バリア皮膜又は層２８６が熱可塑性プラスチック壁２１４の内側又は内部表面２２０と流体組成物２１８との間に配置されるように、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８６がプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって直接的又は間接的に熱可塑性プラスチック壁２１４に塗布される。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８６は熱可塑性プラスチック壁２１４によって支持される。複合バリア皮膜又は層２８６は、流体組成物２１８による攻撃の結果、６か月未満でバリア改善度が測定可能な程度低下するという特徴を有する。この明細書の別の場所又は米国特許第７，９８５，１８８号明細書で記載される複合バリア皮膜又は層２８６は任意の実施形態において使用されうる。

バリア層のバリア改善度（ＢＩＦ：ｂａｒｒｉｅｒ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｆａｃｔｏｒ）は、同一コンテナの２つの群を用意し、バリア層をコンテナの１つの群に付加して、バリアを有するコンテナのバリア特性（マイクログラム／分又は別の適切な測度におけるガス放出の速度など）を試験し、バリアのないコンテナに同じ試験を実施して、バリアを有する材料の特性の比率に対する、バリアを有しない材料の特性の比率を得ることによって特定されうる。例えば、バリアを通過するガス放出の速度がバリアのないガス放出の速度の３分の１であれば、バリアは３のＢＩＦを有する。

ｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜２８６は複合バリア皮膜又は層２８８にＰＥＣＶＤによって直接又は間接的に塗布され、それは完成物品において複合バリア皮膜又は層２８８と流体組成物２１８との間に配置されている。ｐＨ保護皮膜２８６は熱可塑性プラスチック壁２１４によって支持されている。ｐＨ保護皮膜２８６は、流体組成物２１８による攻撃の結果、少なくとも６か月の期間、複合バリア皮膜又は層２８８を少なくとも実質的に溶解しないまま維持するのに有効である。

図８〜１０の任意の実施形態は、滑性層２８７を更に任意選択的に含みうる。滑性層２８７はｐＨ保護皮膜と内腔との間に塗布されうる。この明細書の別の場所又は米国特許第７，９８５，１８８号明細書で記載されるように滑性層２８７は任意の実施形態において使用されうる。

図８〜１０の任意の実施形態は、ｐＨ保護皮膜の内側表面の近傍に塗布された更なる皮膜を更に任意選択的に含みうる。更なる皮膜は、熱可塑性プラスチック壁の内部表面に面する外部表面と、内腔に面する内側表面と、を有する。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態はｐＨ保護皮膜に接触する流体組成物２１８を更に含みうる。

図８〜１０の任意の実施形態のｐＨ保護及び滑性層２８６及び２８７は、明確な遷移（ｓｈａｒｐ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を有する別個の層、又はｐＨ保護皮膜２８６と滑性層２８７との間においてそれらの間に明確な界面を有することなく遷移する１つの段階的な層（ｇｒａｄｕａｔｅｄ ｌａｙｅｒ）のいずれかとされうる。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態のｐＨ保護皮膜２８６のＦＴＩＲ吸光度スペクトルは、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える比率を有する。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、少なくとも０．８、又は少なくとも０．９、又は少なくとも１．０、又は少なくとも１．１、又は少なくとも１．２とされうる。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、多くとも１．７、又は多くとも１．６、又は多くとも１．５、又は多くとも１．４、又は多くとも１．３とされうる。図８〜１０の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最小比率はここで記載した任意の最大比率と組み合わせることができる。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、薬剤のない状態のｐＨ保護皮膜は非油性の外観を有しうる。この外観により、場合によっては、効果的なｐＨ保護皮膜を、場合によっては油性（すなわち、光沢のある）外観を有するとされている滑性層と区別するとされている。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、注射用水で希釈され、濃縮硝酸でｐＨ８に調整され、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有し（溶解試薬の変化を回避するために薬剤のない状態で測定した）、４０℃である５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満である。（ポリソルベート８０は、例えば、Ｔｗｅｅｎ（登録商標）−８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能な一般的な製剤の原料である。）実施例から分かるように、ケイ素溶解速度は、容器からその内容に浸出される総ケイ素を決定することによって測定され、ｐＨ保護皮膜２８６、滑性層２８７、複合バリア皮膜又は層２８８、又は存在する他の物質から由来するケイ素間において区別するものではない。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１６０ｐｐｂ／日未満、又は１４０ｐｐｂ／日未満、又は１２０ｐｐｂ／日未満、又は１００ｐｐｂ／日未満、又は９０ｐｐｂ／日未満、又は８０ｐｐｂ／日未満である。任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１０ｐｐｂ／日超、又は２０ｐｐｂ／日超、又は３０ｐｐｂ／日超、又は４０ｐｐｂ／日超、又は５０ｐｐｂ／日超、又は６０ｐｐｂ／日超である。図８〜１０の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最低速度はここで記載した任意の最大速度と組み合わせることができる。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、容器からｐＨ８の試験組成物への溶解時のｐＨ保護皮膜及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、又は６０ｐｐｍ未満、又は５０ｐｐｍ未満、又は４０ｐｐｍ未満、又は３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満である。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は、６か月超、又は１年超、又は１８か月超、又は２年超、又は２年半超、又は３年超、又は４年超、又は５年超、又は１０年超、又は２０年超である。任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は６０年未満である。

図８〜１０の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最低時間はここで記載した任意の最大時間と組み合わせることができる。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、ｐＨ保護皮膜は、ＰＥＣＶＤによって、前駆体の質量の２２，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の３０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の４０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の５０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の６０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の６２，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の７０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の８０，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の１００，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の２００，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の３００，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の４００，０００ｋＪ／ｋｇ超、又は前駆体の質量の５００，０００ｋＪ／ｋｇ超あたりの電力レベルで塗布されうる。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、ｐＨ保護皮膜は、ＰＥＣＶＤによって、前駆体の質量の２，０００，０００ｋＪ／ｋｇ未満、前駆体の質量の１，０００，０００ｋＪ／ｋｇ未満、又は前駆体の質量の７００，０００ｋＪ／ｋｇ未満、又は前駆体の質量の５００，０００ｋＪ／ｋｇ未満、又は前駆体の質量の１００，０００ｋＪ／ｋｇ未満、又は前駆体の質量の９０，０００ｋＪ／ｋｇ未満、又は前駆体の質量の８１，０００ｋＪ／ｋｇ未満あたりの電力レベルで塗布される。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、熱可塑性プラスチック壁はシリンジバレルである。バレル内における摺動のためプランジャが配置され、プランジャの少なくとも一部に滑性皮膜又は層が存在する。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、滑性皮膜又は層は、非被覆基材よりも低いピストン摺動力又は始動力を提供するように構成されている。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、滑性層は、Ｘ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定された、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜に関して前に定義された原子比率の１つを有する。滑性層は、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）による、１０〜５００ｎｍの厚さを有し、滑性層は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体から皮膜を形成するのに有効な条件下で堆積される。

図８〜１０に例証される本発明の更に別の態様は、壁２１４などの基材と、基材又は壁２１４に配置された複合バリア皮膜又は層２８８と、バリア層又は皮膜２８８上の不動態化層又はｐＨ保護皮膜２８６と、を含む複合材料である。そのような複合材料から作製された物品のいくつかの例は、シリンジバレル、バイアル及び任意の種類の医療デバイスである。不動態化層又はｐＨ保護皮膜２８６は単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む原料物質を使用するＰＥＣＶＤによって堆積される。

不動態化層又はｐＨ保護皮膜は、Ｈ原子を考慮すると、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_zを有してもよく、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３及びｚは約２〜約９である。通常、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yとして表される場合、Ｓｉ、Ｏ及びＣの原子比率はいくつかの選択肢として以下の通りである。
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１３０：Ｃ ９０〜１５０、
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０、又は
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３。

不動態化層又はｐＨ保護皮膜２８６は、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定される０．４未満のＯパラメータを示し、以下のように測定される。

Ｏパラメータは、最も広くは０．４〜０．９のＯパラメータ値を請求する米国特許第８，０６７，０７０号明細書において定義される。１２５３ｃｍ^-1において０．０４２４の吸光度及び１０００〜１１００ｃｍ^-1において０．０８の最大吸光度を得るための波数及び吸光度スケールの補間の結果として計算されたＯパラメータの０．５３を示すために注釈されること以外は、米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５と同じである図１５に示すように、Ｏパラメータは、上記式の分子及び分母を見いだすための、ＦＴＩＲ振幅対波数プロットの物理的分析から測定されうる。Ｏパラメータは、また、デジタル波数対吸光度データから測定されうる。

米国特許第８，０６７，０７０号明細書では、双方がともに非環状シロキサン類であるＨＭＤＳＯ及びＨＭＤＳＮのみによる実験に依拠し、請求されるＯパラメータ範囲が優れたｐＨ保護皮膜又は層を提供すると主張する。驚くべきことに、本発明者は、ＰＥＣＶＤ前駆体が環状シロキサン、例えば、ＯＭＣＴＳである場合、ＯＭＣＴＳを使用した米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外のＯパラメータが、米国特許第８，０６７，０７０号明細書においてＨＭＤＳＯを用いて得られるものよりも更に良好な結果を提供することを見出した。

あるいは、図８〜１０の実施形態においては、Ｏパラメータは、０．１〜０．３９、又は０．１５〜０．３７、又は０．１７〜０．３５の値を有する。

本発明の更に別の態様は、ちょうど記載した、図８〜１０に例証したような複合材料である。不動態化層は減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定される０．７未満のＮパラメータを示し、以下のように測定される。

Ｎパラメータもまた米国特許第８，０６７，０７０号明細書に記載されており、２つの特定波数（これら波数のどちらも範囲ではない）における強度が使用されること以外はＯパラメータと同様に測定される。米国特許第８，０６７，０７０号明細書は、０．７〜１．６のＮパラメータを有する不動態化層を請求する。同じく、本発明者は、上述のように、０．７を下回るＮパラメータを有するｐＨ保護皮膜２８６を用いてより良好な皮膜を作製した。あるいは、Ｎパラメータは、少なくとも０．３、又は０．４〜０．６、又は少なくとも０．５３の値を有する。

動作理論
本発明者は、ここで記載したｐＨ保護皮膜又は層の動作理論を以下に記載する。本発明は、この理論の精度にも、この理論の使用によって予測可能な実施形態にも限定されるものではない。

ＳｉＯ_xバリア皮膜の溶解速度は層内のＳｉＯ結合に依存すると考えられる。酸素結合部位（シラノール）が溶解速度を増加させると考えられる。

ＯＭＣＴＳベースのｐＨ保護皮膜はＳｉＯ_xバリア層のシラノール部位と結合して、ＳｉＯ_x表面を「治癒」、すなわち不動態化するため、溶解速度を大幅に低減すると考えられる。この仮説においては、ＯＭＣＴＳ層の厚さは保護の主要手段ではなく、主要手段はＳｉＯ_x表面の不動態化である。本明細書に記載されるように、ｐＨ保護皮膜は、ｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度を増加させることによって改良することができると考えられる。

更なる実施形態
この明細書に記載されているｐＨ保護皮膜は多くの異なる手法で塗布されうる。１つの例としては、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている低圧ＰＥＣＶＤ法が使用されうる。別の例としては、ｐＨ保護皮膜を堆積させるため、低圧ＰＥＣＶＤを使用する代わりに大気圧ＰＥＣＶＤが用いられうる。別の例としては、皮膜を単に蒸発させ、保護されるべきＳｉＯ_x層上に堆積させることができる。別の例としては、皮膜は保護されるべきＳｉＯ_x層上にスパッタリングされうる。更に別の例としては、ｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯ_x層のリンス又は洗浄に使用された液体媒体から塗布されうる。

ｐＨ保護皮膜を塗布するため又は不動態化処理のために他の前駆体及び方法を使用することができる。例えば、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＺ）を前駆体として使用することができる。ＨＭＤＺはその分子構造に酸素を含まないという利点を有する。この不動態化処理は、ＳｉＯ_xバリア層の、ＨＭＤＺによる表面処理であると考えられる。シラノール結合部位における二酸化ケイ素皮膜の分解を遅延及び／又は排除するため、皮膜を不動態化しなければならない。ＨＭＤＺによる表面の不動態化（及び任意選択的にＨＭＤＺ由来皮膜（ＨＭＤＺ−ｄｅｒｉｖｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ）のいくつかの単層の塗布）は溶解に対する表面の強化につながり、その結果、分解の低減につながると考えられる。ＨＭＤＺは二酸化ケイ素皮膜中に存在する−ＯＨ部位と反応し、その結果、ＮＨ₃の放出及びＳ−（ＣＨ₃）₃のケイ素への結合（水素原子が発生してＨＭＤＺの窒素と結合し、ＮＨ３を生成すると考えられる）が生じると考えられる。

このＨＭＤＺ不動態化はいくつかの可能な経路により達成が可能であると考えられる。

１つの考えられる経路は、周囲温度におけるＨＭＤＺの脱水／気化である。まず、例えば、ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を使用してＳｉＯ_x表面を堆積させる。被覆されたそのままの二酸化ケイ素表面を、その後、ＨＭＤＺ蒸気と反応させる。一実施形態においては、ＳｉＯ_x表面が対象の物品上に堆積されるとすぐに真空が維持される。ＨＭＤＳＯ及び酸素は押し出され、ベース真空（ｂａｓｅ ｖａｃｕｕｍ）が達成される。ベース真空が達成されると、ＨＭＤＺ蒸気はｍＴｏｒｒ範囲から大きなＴｏｒｒ（ｍａｎｙ Ｔｏｒｒ）の圧力で二酸化ケイ素の表面上に流れされる（対象の部分が被覆されたため）。ＨＭＤＺは、その後、（生じた反応の副産物であるＮＨ₃とともに）押し出される。ガス流中のＮＨ₃の量は（残留ガス分析器、例としてＲＧＡを用いて）監視することができ、それ以上のＮＨ₃が検出されない場合には反応が完了する。この部分は、その後、（清浄なドライガス又は窒素とともに）大気に排出される。生じた表面は、その後、不動態化されていることが認められる。この方法は、任意選択的に、プラズマを形成することなく実現することが可能と考えられる。

あるいは、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層の形成後、ＨＭＤＺの脱水／気化前に真空を遮断することができる。ＨＭＤＺの脱水／気化は、その後、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層の形成に使用したものと同じ装置又は異なる装置のいずれかにおいて実施されうる。

高温でのＨＭＤＺの脱水／気化もまた考えられる。上記プロセスは、あるいは、室温を超えて約１５０℃までの高温で実施されうる。最高温度は被覆された部分が構成される物質によって決定される。被覆される部分を歪ませない、又はそうでなければ損傷しない上限温度を選択すべきである。

プラズマアシストによるＨＭＤＺの脱水／気化もまた考えられる。上記実施形態の脱水／気化のいずれかを実施した後、その部分にＨＭＤＺ蒸気が入るとプラズマが発生する。プラズマ電力は数ワット〜１００ワット以上の範囲とされうる（ＳｉＯ_xを堆積させるのに使用したものと同様の電力）。上記はＨＭＤＺに限定されるものではなく、水素と反応する任意の分子、例えば、この明細書に記載されている窒素含有前駆体のいずれかに適用可能とされうる。

ｐＨ保護皮膜を塗布する別の手法は、ｐＨ保護皮膜として無定形炭素又はフルオロカーボン皮膜又はこの２つの組み合わせを塗布することである。

無定形炭素皮膜は飽和炭化水素（例えば、メタン又はプロパン）又は不飽和炭化水素（例えば、エチレン、アセチレン）をプラズマ重合のための前駆体として使用するＰＥＣＶＤによって形成されうる。フルオロカーボン皮膜はフルオロカーボン（例えば、ヘキサフルオロエチレン又はテトラフルオロエチレン）から得られる。いずれのタイプの皮膜又はその両方の組み合わせは真空ＰＥＣＶＤ又は大気圧ＰＥＣＶＤによって堆積されうる。無定形炭素及び／又はフルオロカーボン皮膜がシラノール結合を含まないことから無定形炭素及び／又はフルオロカーボン皮膜はシロキサン皮膜に比べてＳｉＯ_xバリア層のより良好な不動態化を提供すると考えられる。

更に、ｐＨ保護皮膜又は層をＳｉＯ_xバリア層上に提供するためにフルオロシリコン前駆体が使用されうることが考えられる。これは、前駆体としてヘキサフルオロシランなどのフッ素化シラン前駆体及びＰＥＣＶＤ法を使用することによって実施されうる。生じる皮膜は、また、非湿潤性皮膜（ｎｏｎ−ｗｅｔｔｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇ）となることが予想される。

更に、この明細書に記載されているｐＨ保護皮膜プロセスの任意の実施形態は、また、プラズマを閉じ込めるため、被覆される物品を使用することなく実施されうると考えられる。例えば、医療デバイス、例えば、カテーテル、外科用器具、クロージャ、及びその他の外部表面は、高周波目標を用いた皮膜のスパッタリングによって保護又は不動態化されうる。

ＳｉＯ_xバリア層の保護又は不動態化のために企図される更に別の皮膜様式は、ポリアミドアミンエピクロルヒドリン樹脂を使用したバリア層の被覆である。例えば、バリア被覆された部分は、流体ポリアミドアミンエピクロルヒドリン樹脂融液、溶液又は分散液中において浸漬被覆され、高圧蒸気殺菌又は他の６０〜１００℃の温度での加熱によって硬化されうる。ｐＨ５〜８の水性環境においてはポリアミドアミンエピクロルヒドリン樹脂の皮膜が優先的に使用されうると考えられる。これは、そのような樹脂がそのｐＨ範囲内において紙の高い湿潤強度を提供することが公知であることが理由である。湿潤強度は長期間にわたり完全な水の浸漬にさらされた紙が機械強度を維持する能力であり、ＳｉＯ_xバリア層上のポリアミドアミンエピクロルヒドリン樹脂の皮膜は水性媒体中の溶解に対して同様の抵抗を有することが考えられる。また、ポリアミドアミンエピクロルヒドリン樹脂は滑性の向上を紙に付与することから、それはまた、例えば、ＣＯＣ又はＣＯＰから作製した、熱可塑性プラスチック表面上の皮膜の形態において滑性を提供すると考えられる。

ＳｉＯ_x層を保護するための更に別の手法は、ｐＨ保護皮膜又は層としてポリフルオロアルキルエーテルの液体塗布皮膜（ｌｉｑｕｉｄ−ａｐｐｌｉｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ）を塗布し、その後、ｐＨ保護皮膜を大気圧プラズマ硬化させることである。例えば、ｐＨ保護皮膜又は層を提供するため、この明細書に記載されている商標ＴｒｉｂｏＧｌｉｄｅ（登録商標）下で実施されるプロセスが使用できると考えられる。ｐＨ保護皮膜又は層は滑性層でもあるが、これは、ＴｒｉｂｏＧｌｉｄｅ（登録商標）が、従来、滑性を提供するために使用されているからである。

ＰＥＣＶＤ装置及びｐＨ保護被覆のための方法
ＳｉＯ_x、ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yの、９０などのバリア又は滑性皮膜又は層を、容器８０（図１）又はバイアルなどの基材に塗布するための適切な方法及び装置については、例えば、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は段落［００２］において引用した欧州出願に、皮膜又は層を形成するのに有効な条件下で記載されている。

ｐＨ保護皮膜を堆積させるため、例えば以下の標準体積比率を有する前駆体供給物又はプロセスガスが用いられうる。
・０．５〜１０標準体積、任意選択的に、１〜６標準体積、任意選択的に、２〜４標準体積、任意選択的に、６以下の標準体積、任意選択的に、２．５以下の標準体積、任意選択的に、１．５以下の標準体積、任意選択的に、１．２５以下の標準体積の前駆体、例えば、ＯＭＣＴＳ又は任意の実施形態の他の前駆体の１つ。
・０〜１００標準体積、任意選択的に、１〜８０標準体積、任意選択的に、５〜１００標準体積、任意選択的に、１０〜７０標準体積の任意の実施形態のキャリアガス。
・０．１〜１０標準体積、任意選択的に、０．１〜２標準体積、任意選択的に、０．２〜１．５標準体積、任意選択的に、０．２〜１標準体積、任意選択的に、０．５〜１．５標準体積、任意選択的に、０．８〜１．２標準体積の酸化剤。

別の実施形態は上記プロセスによって作製される種類のｐＨ保護皮膜又は層である。

別の実施形態は、基材を画定する表面によって画定される内腔を含む容器８０（図１）などの容器である。バリア層を溶解から保護するため、ｐＨ保護皮膜又は層が基材の少なくとも一部上に存在し、通常、ＳｉＯ_xバリア層上に堆積される。ｐＨ保護皮膜又は層は前に定義されたプロセスによって作製される。

更に別の実施形態は、図５に示される装置２８（又は図１〜４に示される装置などの、任意の他の示される被覆装置）などの、ｐＨ保護皮膜又は層を基材に塗布するための化学気相成長装置である。

ここで図５を参照すると、適切な化学気相成長装置が示される。

図８を参照すると、更に別の実施形態は、プランジャ２５８と、バレル２５０と、内側又は内部表面２６４上のｐＨ保護皮膜又は層と、を含む２５２などのシリンジである。バレル２５０は容器であり、容器内腔２７４を画定し、且つ摺動のためプランジャ２５８を受容する内側又は内部表面２６４を有する。容器内側又は内部表面２６４は基材である。ｐＨ保護皮膜又は層は、化学気相成長によって基材２６４、プランジャ２５８、又はその両方に塗布されうる。このｐＨ保護皮膜又は層に加えて、シリンジは、１つ又は複数の他の皮膜又は層、例えば、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を含んでもよい。前記更なる皮膜又は層は滑性及び／又は複合バリア皮膜又は層の下、すなわちシリンジのバレルのより近傍に配置されてもよい。

２５２などのシリンジの任意の実施形態、特に、事前充填される一方で長期間保管される又は保管されることになるシリンジにおいては、プランジャ２５８の少なくともそのバレル内部表面２６４に接触する表面に、任意選択的に、滑性層が提供され、バレル内部表面２６４に、ＳｉＯ_xバリア層が提供され、ＳｉＯ_xバリア層は、シリンジ内に収容された流体薬剤組成物に接触している、又は接触する傾向にあるときには常にｐＨ保護皮膜又は層によって保護される。この構造の利点は、シリンジが事前充填された状態で保管される場合に流体薬剤組成物に接触しているｐＨ保護皮膜又は層がＳｉＯ_xバリア層の保護のために最適化されうる一方で、保管中プランジャが内側表面２６４に通常接触する固定位置にある滑性層は滑性のために最適化されうる。プランジャ上の滑性皮膜又は層は、保管中の「付着（ｓｔｉｃｋｔｉｏｎ）」を防止するため、並びにプランジャを前進させる際にプランジャとバレルとの間の摩擦を低下させ続けるための適正な位置にあり、ＣＶＤによって塗布される場合は、従来のシリコン油皮膜又は層に比べてプランジャがバレルに作用する力による変位の影響を受けにくく、且つ個々の液体の小滴としてではなくむしろ均一な皮膜としてより均一に塗布されると考えられる。更なるオプションとして、ＳｉＯ_xＣ_yの接着層又は皮膜は基材に塗布されうるとともに、バリア層は、基材へのＳｉＯ_xバリア層又は皮膜の付着を向上するために接着層に塗布されうる。

ガラスからプラスチックシリンジに変える上での主な懸念は、プラスチックから潜在的に浸出可能な物質である。プラズマ被覆技術によって、非金属気体前駆体、例えば、ＨＭＤＳＯ又はＯＭＣＴＳ又は他の有機ケイ素化合物から得られる皮膜又は層がそれ自体微量金属を含まず、無機金属及び有機溶質のバリアとして機能し、被覆された基材からこれら種がシリンジ流体中に浸出することを防止する。プラスチックシリンジの浸出制御に加えて、同プラズマｐＨ保護皮膜又は層技術は、更に高いレベルの浸出性有機オリゴマー及び触媒を含有するエラストマープラスチック組成物で通常作製されたプランジャチップに溶質バリアを設ける可能性を提供する。

更に、合成及び生物学的医薬製剤が予め充填された特定のシリンジは酸素及び水分に非常に敏感である。ガラスからプラスチックシリンジバレルへの変更における重要な要素はプラスチックにおいての酸素及び水分バリア性能の向上であろう。プラズマｐＨ保護皮膜又は層技術は、長期間の保管寿命にわたり酸素及び水分から保護するためのＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を維持するのに好適である。

更に別の実施形態は、ピストン又はチップと、ｐＨ保護皮膜又は層と、プッシュロッドと、を含む、シリンジ２５２のためのプランジャ２５８である。ピストン又はチップは、前面と、基材を含むバレル２５０内において摺動する略円筒状の側面と、後部と、を有する。側面はシリンジバレル内に可動的に着座するように構成されている。ｐＨ保護皮膜又は層は基材上にあり、且つ側面に接する滑性及び／又はｐＨ保護皮膜である。滑性及び／又はｐＨ保護皮膜は前に定義された前駆体供給物又はプロセスガスを用いた化学気相成長（ＣＶＤ）法により生成される。プッシュロッドはピストンの後部と係合し、シリンジバレル内においてピストンを前進させるように構成されている。

更に別の実施形態は、上記のいずれかの実施形態において定義された基材上の、本明細書中のいずれかの実施形態において定義された皮膜又は層を有する容器を含む医療又は診断キットである。任意選択的に、キットは、付加的に、ｐＨ保護皮膜を有する容器内に皮膜又は層と接触して収容された薬剤又は診断用薬及び／又は皮下針、両頭針又は他の送達導管及び／又は取扱説明書を含む。

本発明の他の態様は、以下の任意の１つ又は複数を含む。

表面を処理し、それによって、ｐＨ保護皮膜又は層に接触する化合物又は組成物に対する表面の機械的及び／又は化学的作用を防止又は低減するための上述の任意の実施形態によるｐＨ保護皮膜又は層の使用。

滑性及び／又はｐＨ保護皮膜としての任意の記載される実施形態による皮膜又は層の使用。

ｐＨ保護皮膜又は層に接触している化合物又は組成物を、ｐＨ保護皮膜を有しない容器材料の表面の機械的及び／又は化学的作用から保護するための任意の記載される実施形態による皮膜又は層の使用。

皮膜又は層に接触する化合物又は組成物の成分の沈殿及び／又は凝固又は血小板活性化を防止又は低減するための、任意の記載される実施形態による皮膜又は層の使用。

１つのオプションとして、化合物又は組成物の成分はインスリンであり、インスリンの沈殿は防止又は低減される。別のオプションとして、化合物又は組成物の成分は血液又は血液分画であり、血液凝固又は血小板活性化は防止又は低減される。更に別のオプションとして、ｐＨ保護皮膜を有する容器は採血管である。任意選択的に、採血管は、血液凝固又は血小板活性化を防止するための薬剤、例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、そのナトリウム塩、又はへパリン、を含みうる。

本発明の使用における更なるオプションは、以下の任意の１つ又は複数を含む。

任意の記載される実施形態による被覆基材、例えば、試料採集管、例えば、採血管及び／又は閉端（ｃｌｏｓｅｄ−ｅｎｄｅｄ）試料採集管などの容器、バイアル、導管、キュベット、又は容器部品、例えば、ストッパ、又は化合物又は組成物の受容及び／又は保管及び／又は送達のためのシリンジ又はシリンジ部品、例えば、バレル又はピストンの使用。

インスリンを保管するため、任意の記載される実施形態による被覆基材の使用が考えられる。

血液を保管するため、任意の記載される実施形態による被覆基材の使用が考えられる。任意選択的に、保管された血液は患者の血管系に戻すために生存可能（ｖｉａｂｌｅ）とされうる。

記載したいずれかの実施形態による、（ｉ）非被覆表面に比べてより低い摩擦抵抗を有する滑性皮膜、及び／又は（ｉｉ）流体と接触しているバリア皮膜の溶解を防止するｐＨ保護皮膜、及び／又は（ｉｉｉ）非被覆表面よりも更に疎水性である疎水性層としての皮膜又は層の使用が考えられる。

本発明の他の態様は、上記発明の概要部分に定義された使用のいずれかを含む。

ＰＥＣＶＤによるｐＨ保護皮膜又は層用の前駆体
複合バリア皮膜又は層及びｐＨ保護層用の有機ケイ素前駆体はＰＥＣＶＤに有用な以下の前駆体のいずれかを含みうる。本発明のＰＥＣＶＤによるｐＨ保護皮膜又は層用の前駆体は有機金属前駆体として広く定義される。有機金属前駆体は、本明細書においては、有機残渣、例えば、炭化水素、アミノカーボン（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎ）又はオキシカーボン（ｏｘｙｃａｒｂｏｎ）残渣を有する、周期表の第ＩＩＩ族及び／又は第ＩＶ族の金属元素の包含（ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｄｉｎｇ）化合物と定義される。本明細書において定義される有機金属化合物は、ケイ素又は他の第ＩＩＩ族／第ＩＶ族金属原子に直接結合した、又は任意選択的に、酸素又は窒素原子を介して結合した有機部分を有する任意の前駆体を含む。周期表の第ＩＩＩ族の関連元素は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スカンジウム、イットリウム、及びランタンであり、アルミニウム及びホウ素が好適である。周期表の第ＩＶ族の関連元素は、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、及びトリウムであり、ケイ素及びスズが好適である。他の揮発性有機化合物も考えられる。しかしながら、本発明の実施には有機ケイ素化合物が好適である。

有機ケイ素前駆体が考えられる。「有機ケイ素前駆体」は、この明細書全体において、最も広くは、以下の結合の少なくとも１つを有する化合物と定義される。

すぐ上に記載した第１の構造は、酸素原子及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である。すぐ上に記載した第２の構造は、−ＮＨ−結合及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子に結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である。任意選択的に、有機ケイ素前駆体は、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、及びこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせからなる群から選択される。また、直前の２つの式内にはないが前駆体として考えられるのはアルキルトリメトキシシランである。

酸素含有前駆体（ｏｘｙｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）（例えば、シロキサン）を使用する場合、疎水性又は潤滑ｐＨ保護皮膜又は層を形成する条件下でＰＥＣＶＤにより形成される代表的な予測実験組成物は、定義の項に定義されるように、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yである一方で、複合バリア皮膜又は層を形成する条件下でＰＥＣＶＤにより形成される代表的な予測実験組成物はＳｉＯ_xであり、この式におけるｘは約１．５〜約２．４である。窒素含有前駆体（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）（例えば、シラザン）を使用する場合、予測組成物はＳｉ_w*Ｎ_x*Ｃ_y*Ｈ_z*である。すなわち、定義の項に明記されるように、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yにおいては、ＯはＮに置換され、Ｈの指数はＯと比べてより高い原子価のＮ（２ではなく３に適応される。後者の適応は、全般的に、シロキサンにおいては、そのアザ対応物（ａｚａ ｃｏｕｎｔｅｒｐａｒｔ）の対応する指数に対するｗ、ｘ、ｙ及びｚの比率に従う。本発明の特定の態様においては、Ｓｉ_w*Ｎ_x*Ｃ_y*Ｈ_z*（又はその等価のＳｉＮ_x*Ｃ_y*）であり、ｗ^*、ｘ^*、ｙ^*、及びｚ^*がシロキサン対応物のｗ、ｘ、ｙ及びｚと同様に定義されるが、これは水素原子数の任意の偏差のためである。

上記実験式を有する前駆体出発物質の１つの種類は、直鎖シロキサン、例えば、以下の式を有する物質である。

式中、各Ｒは、アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン又はその他から独立して選択され、ｎは１、２、３、４又はそれ以上、任意選択的に、２以上である。考えられる直鎖シロキサンのいくつかの例は、
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、
オクタメチルトリシロキサン、
デカメチルテトラシロキサン、
ドデカメチルペンタシロキサン、
又はこれらの２つ以上の組み合わせである。上記構造において−ＮＨ−を酸素原子に置換された類似シラザン類もまた、類似ｐＨ保護皮膜又は層の作製に有用である。考えられる直鎖シラザンのいくつかの例は、オクタメチルトリシラザン、デカメチルテトラシラザン、又はこれら２つ以上の組み合わせである。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の前駆体出発物質は単環シロキサンであり、例えば、以下の構造式を有する物質である。

式中、Ｒは、線状構造のものと同様に定義され、「ａ」は３〜約１０、又は類似単環シラザン類である。企図されるヘテロ置換及び未置換単環シロキサン類及びシラザン類のいくつかの例には、以下を含む。
１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリス（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチル］シクロトリシロキサン、
２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、
ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン、
ヘキサメチルシクロトリシロキサン、
ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、
デカメチルシクロペンタシロキサン
ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、
メチル（３，３，３−トリフルオロプロプル）シクロシロキサン、
以下のような環式オルガノシラザンもまた考えられる。
オクタメチルシクロテトラシラザン、
１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンヘキサメチルシクロトリシラザン、
オクタメチルシクロテトラシラザン、
デカメチルシクロペンタシラザン、
ドデカメチルシクロヘキサシラザン、又は
これらのいずれか２つ以上の組み合わせ。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の前駆体出発物質は多環シロキサンであり、例えば以下の構造式のうちの１つを有する物質である。

式中、Ｙは酸素又は窒素とすることができ、Ｅはケイ素であり、Ｚは水素原子又は有機置換基であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン又はその他などのアルキル基である。各Ｙが酸素である場合、各々の構造は、左から右に、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトランである。Ｙが窒素である場合、各々の構造は、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトランである。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の多環シロキサン前駆体出発物質は、実験式ＲＳｉＯ_1.5及び以下の構造式を有するポリシルセスキオキサンである。

式中、各Ｒは水素原子又は有機置換基であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン、又はその他などのアルキル基である。この種の２つの市販物質は、各ＲがメチルであるＳＳＴ−ｅＭ０１ポリ（メチルシルセスキオキサン）及びＲ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン）である。この物質は、例えば、テトラヒドロフランの１０％溶液において入手可能である。これら２つ以上の組み合わせもまた考えられる。考えられる前駆体の他の例は、各Ｙが酸素、Ｚがメチルであるメチルシラトラン（ＣＡＳ番号２２８８−１３−３）、メチルアザシラトラン、各Ｒが任意選択的にメチルとされうるポリ（メチルシルセスキオキサン）（例えば、ＳＳＴ−ｅＭ０１ポリ（メチルシルセスキオキサン））、Ｒ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン）（例えば、ＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン））、又はこれらのいずれか２つ以上の組み合わせである。

上記構造において−ＮＨ−を酸素原子に置換した類似ポリシルセスキアザンもまた、類似ｐＨ保護皮膜又は層の作製に有用である。考えられるポリシルセスキアザンの例は、各Ｒがメチルであるポリ（メチルシルセスキアザン）、及びＲ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるポリ（メチル−ヒドリドシルセスキアザンである。これらの２つ以上の組み合わせもまた考えられる。

本発明による複合バリア皮膜又は層用に特に考えられる前駆体の１つは直鎖シロキサン、例えばＨＭＤＳＯである。本発明による滑性皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層用に特に考えられる前駆体の１つは環状シロキサン、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）である。

ＯＭＣＴＳ又は他の環状シロキサン分子は他のシロキサン材料と比べていくつかの利点をもたらすと考えられる。第１に、その環状構造によって（ＨＭＤＳＯから調整されたｐＨ保護皮膜又は層と比べて）より低密度のｐＨ保護皮膜又は層が生じる。この分子は、また、選択的なイオン化を可能にするため、ｐＨ保護皮膜又は層の最終構造及び化学組成をプラズマ電力の印加により直接制御することができる。他の有機ケイ素分子は容易にイオン化（破壊する）ため、分子の元の構造を保持することがより困難である。

本発明によるＰＥＣＶＤ方法のいずれにおいても、塗布するステップは、任意選択的に、前駆体を蒸発させ、それを基材の近傍に提供することによって実施されうる。例えば、ＯＭＣＴＳは、通常、ＯＭＣＴＳをＰＥＣＶＤ装置に適用する前にそれを約５０℃に加熱することによって蒸発させる。

環式有機ケイ素前駆体、特に、単環有機ケイ素前駆体（本明細書の別の場所に記載される単環前駆体など）、特に、ＯＭＣＴＳは、ｐＨ保護皮膜又は層を得るのに特に好適である。

ＰＥＣＶＤ反応混合物の他の成分及びｐＨ保護皮膜又は層の成分比率
概して、ｐＨ保護皮膜又は層においては、Ｏ₂は、有機ケイ素化合物量よりも１桁未満多い量（例えば、流量ｓｃｃｍによって表されうる）において存在しうる。対照的に、複合バリア皮膜又は層を実現するため、Ｏ₂の量は、通常、有機ケイ素前駆体の量よりも少なくとも１桁多い。特に、ｐＨ保護皮膜又は層の有機ケイ素前駆体とＯ₂の体積比（ｓｃｃｍ）は、０．１：１〜１０：１の範囲内、任意選択的に、０．３：１〜８：１の範囲内、任意選択的に、０．５：１〜５：１の範囲内、任意選択的に、１：１〜３：１とされうる。表１〜３に記載される体積比における前駆体及びＯ₂の存在はｐＨ保護皮膜又は層を実現するのに特に好適とされうる。

本発明の一態様においては、反応混合物中にキャリアガスはなく、本発明の別の態様においては、キャリアガスはある。好適なキャリアガスは、例えば、アルゴン、ヘリウム、及びネオン及びキセノンなどの他の希ガスである。キャリアガスが反応混合物中に存在する場合、それは、通常、有機ケイ素前駆体の体積を超える体積（ｓｃｃｍ）において存在する。例えば、有機ケイ素前駆体とキャリアガスの比率は、１：１〜１：５０、任意選択的に、１：５〜１：４０、任意選択的に、１：１０〜１：３０とされうる。キャリアガスの１つの機能は、基材に付着せず主として排出ガスとともに除去される粉末反応生成物の代わりに、プラズマ中における反応物を希釈し、基材上における皮膜の形成を促進することである。

アルゴンガスの添加により滑性及び／又はｐＨ保護性能が向上することから（以下の実施例を参照）、アルゴンの存在下における分子の更なるイオン化が滑性の付与に寄与すると考えられる。分子のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は高い結合エネルギを有し、それにＳｉ−Ｃが続き、Ｃ−Ｈ結合が最も弱い。滑性及び／又はｐＨ保護はＣ−Ｈ結合の一部が壊れた場合に得られると思われる。これにより、構造が成長する際にその連結（架橋）を可能にする。酸素（アルゴンとともに）の添加はこのプロセスを強化すると理解されている。少量の酸素もまた、他の分子が結合することができるＣ−Ｏ結合を提供することができる。Ｃ−Ｈ結合の破壊と酸素の添加の組み合わせを全て低圧及び低電力で実施すると、滑性を提供する一方で、安定（ｓｏｌｉｄ）な化学構造となる。

実施形態のいずれにおいても、プロセスガスの好適な組み合わせの１つには、酸化性ガスとしての酸素及びキャリアガスとしてのアルゴンの存在下における、前駆体としてのオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）又は別の環状シロキサンを含む。この理論の正確性に拘束されるものではないが、本発明者は、以下の理由から、この特定の組み合わせが有効であると考える。Ｏ₂、Ｎ₂Ｏ又は別の酸化性ガス及び／又はキャリアガスの存在、特に、キャリアガス、例えば希ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）の存在により、結果として生成されるｐＨ保護皮膜又は層が改良されると考えられる。

前駆体ガス、酸素及びキャリアガスのいくつかの非網羅的な代替的選択肢及び好適な比率を以下に記載する。
ＯＭＣＴＳ：０．５〜５．０ｓｃｃｍ
酸素：０．１〜５．０ｓｃｃｍ
アルゴン：１．０〜２０ｓｃｃｍ

ｐＨ保護皮膜又は層を形成するためのＰＥＣＶＤ装置
本明細書に記載されるバリア、滑性及びｐＨ保護層を提供するために、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている低圧ＰＥＣＶＤ法を使用することができる。そのプロセスの簡潔な概要を以下に記載する。

本発明の実施に好適なＰＥＣＶＤ装置は、容器保持器と、内部電極と、外部電極と、電源と、を含む。容器保持器に配置された容器は、任意選択的に真空室とされうるプラズマ反応室を画定する。任意選択的に、真空源、反応ガス源、ガス供給物又はこれらの２つ以上の組み合わせが供給されうる。任意選択的に、ポートに着座した容器の内部に、又はポートに配置された容器の内部からガスを移送するための、必ずしも真空源を含まないガス排出部が提供され、密閉された室を画定する。

ＰＥＣＶＤ装置は大気圧ＰＥＣＶＤのために使用されうる。この場合、プラズマ反応室は真空室として機能する必要はない。

図１及び図２を参照すると、容器保持器５０は、容器ポートに配置された容器内にガスを運ぶためのガス注入ポート１０４を含む。ガス注入ポート１０４は、例えば、プローブ１０８がガス注入ポート１０４を通じて挿入されると円筒状プローブ１０８に配置されうる少なくとも１つのＯリング１０６、又は連続する２つのＯリング又は連続する３つのＯリングによって提供される摺動シールを有しうる。プローブ１０８はその先端部１１０にあるガス送達ポートまで延在するガス注入導管とされうる。示される実施形態の先端部１１０は１つ又は複数のＰＥＣＶＤ反応物及び他の前駆体供給物又はプロセスガスを提供するために容器８０内に深く挿入されうる。

図５は、例えば、示される全ての実施形態において使用可能な皮膜又は層用ステーション２８の更なる任意の詳細を示す。皮膜又は層用ステーション２８は、また、圧力センサ１５２に通じるその真空ライン５７６内に主要真空バルブ５７４を有しうる。手動バイパスバルブ５７８がバイパスライン５８０内に提供される。ベントバルブ５８２がベント４０４における流れを制御する。

ＰＥＣＶＤガス又は前駆体源１４４を出る流れは、主要反応物供給ライン５８６を通過する流れを調整する主要反応ガスバルブ５８４によって制御される。ガス源１４４の１つの構成要素は、有機ケイ素液体リザーバ５８８である。リザーバ５８８の内容は有機ケイ素毛管ライン５９０を通じて出される。有機ケイ素毛管ライン５９０は、所望の流量を提供するのに適した長さで提供される。有機ケイ素蒸気の流れは有機ケイ素締切弁５９２によって制御される。大気圧（及びその変動）に依存しない反復可能な有機ケイ素液体の送達を確立するため、液体リザーバ５８８のヘッドスペース６１４に、圧力源６１６から、圧力ライン６１８によってヘッドスペース６１４に連結された加圧空気などの圧力、例えば、０〜１５ｐｓｉ（０〜７８ｃｍ．Ｈｇ）の範囲内の圧力が印加される。リザーバ５８８は密閉され、毛管連結部６２０は、純粋な（ｎｅａｔ）有機ケイ素液体（ヘッドスペース６１４の加圧ガスではない）のみが毛管チューブ５９０内を流れることを確実とするためにリザーバ５８８の底部にある。有機ケイ素液体は、任意選択的に、有機ケイ素液体を蒸発させて有機ケイ素蒸気を形成することが必要又は所望であれば周囲温度を超えて加熱することができる。この加熱を実現するため、ｐＨ保護皮膜又は層用装置は、有利には、前駆体リザーバの出口からシリンジへのガス注入口の可能な限り近傍までの、加熱された送達ラインを含みうる。例えば、ＯＭＣＴＳを供給する際には予熱が有用である。

酸素タンク５９４から酸素供給ライン５９６を通じて酸素が提供される。酸素供給ライン５９６は質量流量制御器５９８によって制御され、酸素締切弁６００が設けられている。

キャリアガスが使用される場合、キャリアガスはキャリアガス源６０２から得られ、導管６０４を通過し、キャリアガス締切弁６０６によって制御され、主要反応物供給ライン５８６に送られ、そこでＰＥＣＶＤガス供給物の他の成分と混合される。

特に図１を参照すると、処理ステーション２８は、処理中、容器８０内にプラズマを発生させるための電界を提供するための高周波電源１６２によって供給される電極１６０を含みうる。この実施形態においては、プローブ１０８は、また、電気的に伝導性であるとともに接地されており、このため、容器８０内においてカウンタ電極を提供する。あるいは、任意の実施形態においては、外部電極１６０は接地することができ、プローブ１０８は電源１６２に直接接続されている。

図１の実施形態においては、外部電極１６０は図１及び図２に示されるような略円筒状、又は図１（図２は図１の断面線Ａ−Ａに沿って切った断面の一実施形態である）に示されるような略Ｕ字形の長尺状のチャネルのいずれかとされうる。示される実施形態のそれぞれは１６４及び１６６などの１つ又は複数の側壁と、任意選択的に、容器８０の周囲に近接して配置された上端部１６８と、を有する。

図３及び図４を参照すると、両端が開いているシリンジバレルなどの容器にＰＥＣＶＤ皮膜を塗布するためのＰＥＣＶＤプロセスの特定の適応について記載されている。

図３及び図４は、２９０で全体的に示される、処理される略管状容器２５０の制限開口部２９４の内側又は内部表面２９２、例えば、シリンジバレル２５０の制限前部開口部２９４をＰＥＣＶＤによって被覆又は層状にするための方法及び装置を示す。前に記載したプロセスは、制限開口部２９４を処理容器２９６に連結することによって、及び任意選択的に特定の他の変更を行うことによって変更される。

処理される略管状容器２５０は、外部表面２９８と、内腔３００を画定する内側又は内側又は内部表面２５４と、内径を有するより大きな開口部３０２と、内側又は内部表面２９２によって画定され、より大きな開口部３０２の内径よりも小さな内径を有する制限開口部２９４と、を含む。

処理容器２９６は内腔３０４と処理容器開口部３０６とを有し、処理容器開口部３０６は、任意選択的に、唯一の開口部であるが、他の実施形態においては、任意選択的に処理中に閉じられる第２開口部が提供されうる。処理される容器２５０の内腔３００と処理容器内腔との間に制限開口部２９４を介した連通を設けるために、処理容器開口部３０６は処理される容器２５０の制限開口部２９４と連結されている。

処理される容器２５０の内腔３００及び処理容器２９６の内腔３０４内に少なくとも部分真空が引かれる。ＰＥＣＶＤ反応物が流され、ガス源１４４から第１開口部３０２を通過し、その後、処理される容器２５０の内腔３００を通過して、その後、制限開口部２９４を通過し、その後、処理容器２９６の内腔３０４に入る。

ＰＥＣＶＤ反応物は、内部通路３１０と、基端部３１２と、先端部３１４と、先端側開口部３１６と、を有する略管状内部電極３０８を提供することにより、容器２５０のより大きな開口部３０２を通じて導入されうる。別の実施形態においては、先端部３１４の近傍にあり、内部通路３１０に連通する複数の先端側開口部が提供されうる。電極３０８の先端部は処理される容器２５０のより大きな開口部３０２の近傍に又はその中に配置されうる。反応ガスは電極３０８の先端側開口部３１６を通じ、処理される容器２５０の内腔３００に供給されうる。ＰＥＣＶＤ反応物が、初めにＰＥＣＶＤ反応物が導入される前に引かれた真空よりも高い圧力で提供される程度まで、反応物は制限開口部２９４を流れ、その後、内腔３０４に入る。

プラズマ３１８は、制限開口部２９４の近傍において、ＰＥＣＶＤ反応生成物の皮膜又は層を制限開口部２９４の内側又は内部表面２９２に堆積させるのに有効な条件下で発生させる。

ＰＥＣＶＤ法をシリンジ処理に適応させることについての更なる詳細は、例えば、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。

ｐＨ保護皮膜又は層の塗布のための特定のＰＥＣＶＤ条件が以下に提供される。

ｐＨ保護皮膜又は層のプラズマ条件
通常、ＰＥＣＶＤ法におけるプラズマはＲＦ周波数で発生させる。容器内において実施されるプラズマ反応によって容器の内側にｐＨ保護層を提供するため、任意の実施形態のプラズマは、０．１〜５００Ｗ、任意選択的に、０．１〜４００Ｗ、任意選択的に、０．１〜３００Ｗ、任意選択的に、１〜２５０Ｗ、任意選択的に、１〜２００Ｗ、更に任意選択的に、１０〜１５０Ｗ、任意選択的に、２０〜１５０Ｗ、例えば、４０Ｗ、任意選択的に、４０〜１５０Ｗ、更に任意選択的に、６０〜１５０Ｗの電力によって発生させることができる。電極電力とプラズマ量の比率は、１００Ｗ／ｍｌ未満、任意選択的に、５Ｗ／ｍｌ〜７５Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、６Ｗ／ｍｌ〜６０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に、２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌである。これら電力レベルは、ｐＨ保護皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤプラズマを発生させることができる５ｍＬの空隙容量を有するシリンジ及び試料管及び薬剤パッケージ又は類似の幾何学的形状の他の容器に塗布するのに好適である。より大きな又はより小さな物体においては、プロセスを基材のサイズに合わせて変更するため、印加される電力（ワット）を増加又は低減すべきであると考えられる。

１／８’’直径チューブ（端部が開いている）の３ｍｌ試料サイズシリンジ内に本発明によるｐＨ保護皮膜を形成するための例示的な反応条件は以下の通りである。
流量範囲：
ＯＭＣＴＳ：０．５〜１０ｓｃｃｍ
酸素：０．１〜１０ｓｃｃｍ
アルゴン：１．０〜２００ｓｃｃｍ
電力：０．１〜５００ワット

特定流量：
ＯＭＣＴＳ：２．０ｓｃｃｍ
酸素：０．７ｓｃｃｍ
アルゴン：７．０ｓｃｃｍ
電力：３．５ワット

以下、ｐＨ保護皮膜又は層及びその塗布についてさらに詳細に記載する。皮膜を塗布するための方法にはいくつかのステップを含む。プラズマ形成ガス、すなわち、有機ケイ素化合物ガス、任意選択的に酸化性ガス、任意選択的に炭化水素ガスを含む反応混合物と同様に容器壁が設けられる。

ホロー陰極プラズマを実質的に含まない反応混合物中においてプラズマが形成される。容器壁を反応混合物と接触させ、ＳｉＯ_xのｐＨ保護皮膜又は層を容器壁の少なくとも一部に堆積させる。

特定の実施形態においては、特定の場合においてより良好なｐＨ保護皮膜又は層が生じることが認められたことから、容器の被覆される部分全体にわたる均一なプラズマの生成が考えられる。均一なプラズマとは、大量のホロー陰極プラズマ（通常のプラズマよりも高い放出強度を有し、通常のプラズマのより均一な強度を阻止する、より高い強度の局所領域として現れる）を含まない通常のプラズマを意味する。

滑性皮膜又は層を塗布する方法
有機ケイ素前駆体から得られる任意の滑性皮膜又は層を塗布する方法、並びに生じるｐＨ保護皮膜又は層及び被覆物品については、例えば、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。「滑性皮膜」又は任意の類似用語は、全般的に、被覆表面の摩擦抵抗を非被覆表面と比べて低減する皮膜又は層と定義される。被覆の物体が、全般的にプランジャ、又は被覆表面と摺接する可動部品を含むシリンジ（又はシリンジ部品、例えば、シリンジバレル）又は任意の他の物品である場合、摩擦抵抗は２つの主要側面、始動力及びプランジャ摺動力を有する。

皮膜は、任意選択的に、滑性皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層の両方とされうることを理解すべきであり、そのそれぞれはこの明細書に説明される。

疎水性層
Ｓｉ_wＯ_xＣ_y又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yのｐＨ保護又は滑性皮膜又は層は、また、疎水性層としての有用性を有しうる。この種の皮膜又は層は、それが滑性及び／又はｐＨ保護皮膜としても機能するかどうかとは無関係に疎水性であると考えられる。皮膜又は層又は処理は、それが表面のぬれ張力を、対応する非被覆又は未処理表面と比べて低下させる場合は「疎水性」と定義される。疎水性は、したがって、未処理基材及び処理両方に関係する。

適切な疎水性皮膜又は層及びそれらの用途、特性及び使用については米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。両タイプの皮膜又は層の特性を有する二重機能（ｄｕａｌ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ）ｐＨ保護／疎水性皮膜又は層を本発明の任意の実施形態のために提供することができる。

皮膜厚さの測定
ｐＨ保護皮膜又は層、複合バリア皮膜又は層、滑性皮膜又は層及び／又はこれら層の任意の２つ以上の複合物などのＰＥＣＶＤ皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定されうる。滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層の例示的なＴＥＭ画像が図６に示される。ＳｉＯ₂複合バリア皮膜又は層の例示的なＴＥＭ画像は図７に示される。

ＴＥＭは、例えば、以下のように実施されうる。２方向の断面を取る（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎｉｎｇ ｉｎ ｔｗｏ ｗａｙｓ）集束イオンビーム（ＦＩＢ）用に試料が用意されうる。いずれの試料も、Ｋ５７５Ｘ Ｅｍｉｔｅｃｈ ｐＨ保護皮膜又は層用システムを使用し、炭素の薄層（厚さ５０〜１００ｎｍ）でまず被覆され、その後、スパッタリングされた白金の皮膜又は層（厚さ５０〜１００ｎｍ）で被覆されうる。あるいは、試料はｐＨ保護スパッタＰｔ層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｐｔ ｌａｙｅｒ）で直接被覆されうる。被覆された試料はＦＥＩ ＦＩＢ２００ ＦＩＢシステム内に配置されうる。３０ｋＶガリウムイオンビームを対象の領域上にラスターする間、白金の追加皮膜又は層が有機金属ガスの注入によってＦＩＢ堆積されうる。各試料の対象の領域は、シリンジバレルの長さの半分の位置になるように選択されうる。長さ約１５μｍ（「マイクロメートル」）、幅２μｍ及び深さ１５μｍの寸法の薄い断面はダイ表面からその場でＦＩＢリフトアウト法を使用して抽出されうる。この断面は２００メッシュ銅製ＴＥＭグリッドにＦＩＢ堆積した白金を使用して取り付けられうる。幅約８μｍの寸法の、各断面内の１つ又は２つの窓はＦＥＩ ＦＩＢのガリウムイオンビームを使用して電子透かしになるまで薄くされうる。

用意した試料の断面画像分析は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）のいずれか又は両方を利用して実施することができる。全画像化データはデジタル方式で記録されうる。ＳＴＥＭ画像化では、薄箔のグリッドをＳＴＥＭ専用のＨｉｔａｃｈｉ ＨＤ２３００に移動する。走査透過電子画像は原子番号コントラストモード（ＺＣ）及び透過電子モード（ＴＥ）において適切な倍率で取得されうる。以下の機器設定が使用されうる。

ＴＥＭ分析では、試料グリッドはＨｉｔａｃｈｉ ＨＦ２０００透過電子顕微鏡に移動されうる。透過電子画像は適切な倍率で取得されうる。画像取得時に使用される関連機器設定は以下に記載するものとされうる。

付着性の測定
複合バリア皮膜又は層の、基材への付着の程度を測定するために以下の方法を使用することができる。重要となる基準は以下の通りである。
（１）ＡＳＴＭ Ｄ３３５９−０９「テープ試験による付着性を測定するための標準試験法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｂｙ Ｔａｐｅ Ｔｅｓｔ）」
（２）Ｂ９０５−００「機械化テープ試験による金属皮膜及び無機皮膜の付着性を評価するための標準法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ａｓｓｅｓｓｉｎｇ ｔｈｅ Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａｌｌｉｃ ａｎｄ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｂｙ ｔｈｅ Ｍｅｃｈａｎｉｚｅｄ Ｔａｐｅ Ｔｅｓｔ）」

（Ａ１）被覆物品の変形／テープ試験法
（関連する場合は参考文献１及び２の段落が以下に続く）

全般
本明細書において使用される本方法においては、ＳｉＯｘ被覆物品に変形力を印加して皮膜に応力をかけ、その後、粘着テープによる皮膜の剥離の程度が評価される。

試料準備
円筒状部分を有する被覆バイアル、シリンジバレル、カートリッジ又は他の物品を物品の各端部において切断し、均一な一定の内径（ＩＤ）の開放式シリンダとした。非円筒状又は異なるＩＤの部分は廃棄される。切断は熱線カッターで実施した。適宜、清浄で乾燥した圧縮空気（シリンダの被覆された内側と物理的接触すべきではない）による、存在しうる任意の粒子の慎重な除去を実施した。

試料変形
バイアル、シリンジバレル、カートリッジ又は他の物品から得られる均一に被覆されたシリンダは、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）応力ひずみ材料試験機内に、（ａ）開端部が垂直であり、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）ステンレス板が円形の開放縁端に接触している軸方向変形姿勢（ａｘｉａｌ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（「上下変形（ｔｏｐ ｄｏｗｎ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）」としても公知である）、又は（ｂ）その開端部が水平であり、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）ステンレス板がシリンダの２つの平行な対向する長さに接触している直径方向変形姿勢（ｄｉａｍｅｔｒｉｃ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（「側方変形」としても公知である）、のいずれかにおいて配置される。特に明記されない限り、特許請求の範囲に明記される試験法においては軸方向変形が用いられる。

プラスチックの成分、型条件及びシリンダ厚さに応じて圧縮変形力が印加されるが、力はシリンダの任意の不可逆的な物理的変形又は破壊を生じるレベルを超えるべきではない。特許請求の範囲に列挙される熱可塑性プラスチックコンテナの軸方向試験においては、３５０ｌｂ．（１５８Ｋｇ）の圧縮力が用いられる。別の試験における直径方向変形では、同じ圧縮力が印加される。側方圧縮又は直径方向変形が選択される場合、型の列に対し、ステンレス板上におけるシリンダの再現可能な接触位置を確立すべきである。

テープ適用：半シリンダ法（Ｈａｌｆ Ｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｐｐｒｏａｃｈ）
シリンダは試料準備セクションにおいて適用されたものと同じ切断方法を使用して長手方向に半分に切断される。

シリンダの湾曲した性質のため、被覆された内壁表面への均一な気泡のないテープの接着を容易にするためには狭いテープ片が必要である。Ｓｃｏｔｃｈブランドの片面粘着テープを、３ミリメートルの幅及びシリンダ全長より約６ミリメートル長い長さに切断する。粘着テープ部分は、テープの各端部から約３ミリメートルから、壁に触れることなく、長いハンドルを有するニードルノーズピンセット又はマイクロ止血鉗子によって固定する。テープが軸方向に延びて、その端部がシリンダの各開端部を越えて等しく配置されると、テープは湾曲した被覆内壁に接触する。小さな鉛筆消しゴムヘッド又は半球状端部を有する３ミリメートルステンレスロッドを、その後、クランプ間においてテープ表面上を上下に動かし、テープ下の任意の気泡を除去する。テープに均一な力を加えることが重要である。

テープが内壁に均一に接着されるとクランプは取り外すことができるが、前に固定された端部が壁に付着しないようにする。

テープ除去
（テープを引きはがす時間、速度及び角度の詳細については参考文献２、ｐ．３（段落７．４）を参照）。以下に記載されるように、本明細書において実施される試験においては、９０ ｏ のテープ引きはがしを使用した。

９０°テープ引きはがし
壁表面に貼り付けたテープの対向自由端を、前にテープ適用セクションにおいて使用した単一のニードルノーズピンセット又はマイクロ止血鉗子で固定し、続いて、固定されたテープ端部を９０°の角度で（接着されたテープに対して垂直に）均一に引きはがし、テープを除去した。均一な速度のテープ引きはがし除去を提供するため、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）垂直運動バー（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｍｏｔｉｏｎ ｂａｒ）に取り付けられたクランプが使用されうる。

付着性評価
皮膜厚さ特定（ライン走査）
Ｌａｙｅｒ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＵＴ機器（ｗｗｗ．ｒａｐ−ｉｄ．ｃｏｍ）又は同等の干渉式厚さ測定デバイスを使用し、接着テープの位置を二分する軸方向線に沿ってテープ適用前後の皮膜厚さを測定した。テープ引きはがし後対テープ接着前の面積（皮膜厚さｘ走査の長さ）の差の減少が皮膜付着の程度の測定値である。これはテープ引きはがし後に保持された元の皮膜のパーセントとして示される。

（Ａ２）被覆物品クロススクラッチ／テープ試験法
（関連する場合は参考文献１及び２の段落が以下に続く）

全般
本明細書において使用されるこの方法においては、ＳｉＯｘ被覆物品の皮膜をひっかいて皮膜に応力を加え、その後、粘着テープによる皮膜の剥離の程度が評価される。

試料準備
上述のように、被覆バイアル、シリンジバレル又はカートリッジを物品の各端部において切断し、且つ軸方向面に沿って半分に切断し、均一な一定の内径（ＩＤ）の半シリンダとした。

Ｘ字スクラッチパターン
特定のクレームに明記されるようにＸ字スクラッチパターンが選択される場合、ステンレス製デンタルピックを使用し、半シリンダの内側が被覆された壁表面上に「Ｘ」を描く。Ｘの形は均等な形状であり、配置された一対のスクラッチが軸方向に長尺のパターンを形成する。２つのスクラッチの間の小さい方の角度は３０°〜４０°の均一な値である。

半シリンダのクロスカット
特定のクレームに明記される、又は参考文献２の段落１０（ｐ．３）に記載されるように、矩形のスクラッチパターンが選択される場合、鋭利な剃刃、メス、ナイフ又は他の切削デバイスを使用し、シリンダの内側が被覆された壁表面上に「四角形のクロスカット」を入れる。

テープ適用
半シリンダ法（Ｈａｌｆ Ｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｐｐｒｏａｃｈ）
テープは上述のように適用されるが、スクラッチに重なるように配置される。Ｘ字スクラッチパターンを用いる場合、テープは、Ｘの中央がテープの周方向中央に位置合わせされた状態で軸方向に延在するように配置される。矩形のスクラッチパターンを用いる場合、テープは、テープがスクラッチパターン上に周方向中央に位置合わせされた状態で軸方向に延在するように配置される。

テープ除去
（テープを引きはがす時間、速度及び角度の詳細については参考文献２、ｐ．３（段落７．４）を参照）

９０°テープ引きはがし
壁表面に貼り付けたテープの対向自由端を単一クランプで固定し、続いて、固定されたテープ端部を９０°の角度で（接着されたテープに対して垂直に）均一に引きはがし、テープを除去した。均一な速度のテープ引きはがし除去を提供するためにクランプはＩｎｓｔｒｏｎ（登録商標）垂直運動バーに取り付けられる。

付着性評価
皮膜厚さ特定（ライン走査）
Ｌａｙｅｒ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＵＴ機器（ｗｗｗ．ｒａｐ−ｉｄ．ｃｏｍ）又は同等の干渉式厚さ測定デバイスを使用し、接着テープの位置を二分する線に沿ってテープ適用前後の皮膜厚さ（しかし双方ともｘ字カット又はクロスカットを入れた後）を測定した。テープ引きはがし後対テープ接着前の面積（皮膜厚さｘ走査の長さ）の差の減少が皮膜付着の程度の測定値である。これはテープ引きはがし後に保持された元の皮膜のパーセントとして示されうる。

（Ｂ１）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）バイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明のＳｉＯｘバリア皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに記載されている、確立されたＳｉＯ_x被覆手順を使用し、５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたバイアル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製５ミリリットルバイアル（Ｓｃｈｏｔｔ）を複合バリア皮膜又は層で被覆した。
Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ２）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ ５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）バイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明の二層被覆された（ＳｉＯｘバリア及びｐ−ＯＭＣＴＳ ｐＨ保護）皮膜の付着性能。

本明細書において、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに前述した、確立されたＳｉＯ_x被覆手順を使用し、５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたバイアル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製５ミリリットルバイアル（Ｓｃｈｏｔｔ）を標準的ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及び標準的ｐＨ保護皮膜又は層で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ３）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ１ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の長いステーキドニードルシリンジバレル対比較ホウケイ酸ガラスシリンジバレル上における、本発明のＳｉＯｘバリア皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルを使用し、１ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたステーキドニードルシリンジバレル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製シリンジバレル（Ｂｅｃｔｏｎ−Ｄｉｃｋｅｎｓｏｎ社製、シリコーン油はヘキサンで事前に除去した）を標準的ＳｉＯｘ被覆手順下で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ４）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、熱可塑性プラスチックバイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明の二層被覆された（ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及びｐ−ＯＭＣＴＳ ｐＨ保護皮膜又は層）皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯｘで被覆するためのプロトコルを使用し、１ｍＬ（ミリリットル）の射出ブロー成形されたステーキドニードルシリンジバレル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製シリンジバレル（Ｂｅｃｔｏｎ−Ｄｉｃｋｅｎｓｏｎ社製、シリコーン油は事前にヘキサンで除去した）を本明細書に示すようにＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層のプロトコル下で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表５）を予測した。

ＰＥＣＶＤ処理した薬剤パッケージ又は他の容器
被覆薬剤パッケージ又は他の容器
２８６などのｐＨ保護皮膜又は層によって少なくとも部分的に被覆された、２８８などの複合バリア皮膜又は層を有するプレフィルドシリンジ（図８に概略的に示される）又はバイアル又はブリスタパック（図９及び図１０に概略的に示される）などの薬剤パッケージ又は他の容器が企図される。

任意の実施形態、例えば、図８〜１０に示すように、薬剤パッケージ２１０は、２５０などの容器又は容器部品と、任意選択的に、容器又は容器部品上の、２８８などの複合バリア皮膜又は層と、容器、容器部品、又は複合バリア皮膜又は層上の、２８６などのｐＨ保護皮膜又は層と、容器内に収容された、２１８などの薬剤組成物又は製剤と、を含む。

２８８などの複合バリア皮膜又は層はこの明細書の任意の実施形態において記載されるように塗布されるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層とされうる。例えば、２８８などの、任意の実施形態の複合バリア皮膜又は層は、少なくとも２ｎｍ、又は少なくとも４ｎｍ、又は少なくとも７ｎｍ、又は少なくとも１０ｎｍ、又は少なくとも２０ｎｍ、又は少なくとも３０ｎｍ、又は少なくとも４０ｎｍ、又は少なくとも５０ｎｍ、又は少なくとも１００ｎｍ、又は少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも３００ｎｍ、又は少なくとも４００ｎｍ、又は少なくとも５００ｎｍ、又は少なくとも６００ｎｍ、又は少なくとも７００ｎｍ、又は少なくとも８００ｎｍ、又は少なくとも９００ｎｍの厚さで塗布されうる。複合バリア皮膜又は層は、１０００ｎｍ以下、又は多くとも９００ｎｍ、又は多くとも８００ｎｍ、又は多くとも７００ｎｍ、又は多くとも６００ｎｍ、又は多くとも５００ｎｍ、又は多くとも４００ｎｍ、又は多くとも３００ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍ、又は多くとも１００ｎｍ、又は多くとも９０ｎｍ、又は多くとも８０ｎｍ、又は多くとも７０ｎｍ、又は多くとも６０ｎｍ、又は多くとも５０ｎｍ、又は多くとも４０ｎｍ、又は多くとも３０ｎｍ、又は多くとも２０ｎｍ、又は多くとも１０ｎｍ、又は多くとも５ｎｍの厚さとされうる。上に記載した最小厚さのいずれか１つに加え、上に記載した最大厚さの任意の１つに等しい又はそれを超えるものを含む特定の厚さ範囲が特に企図される。ＳｉＯ_x又は他の複合バリア皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定することができ、その組成はＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定することができる。本明細書中に記載されるｐＨ保護皮膜又は層は、プラスチック又はガラス製の種々の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、プラスチックチューブ、バイアル及びシリンジに適用されうる。

２８６などのｐＨ保護皮膜又は層は、この明細書の任意の実施形態において記載されるように塗布されるＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜又は層とされうる。例えば、任意の実施形態の２８６などのｐＨ保護皮膜又は層は、複合バリア皮膜又は層の少なくとも一部を図８〜１０の２１８などの製剤から保護するために複合バリア皮膜又は層２８８上に塗布されるＳｉＯ_xＣ_yの皮膜又は層を含む／から本質的になる。２８６などのｐＨ保護皮膜又は層は、例えば、ＰＥＣＶＤプロセスにおいて、記載した前駆体の１つを、基材上に又は基材の近傍に塗布し、ｐＨ保護皮膜を設けることによって提供される。皮膜は、例えば、１〜５０００ｎｍ、又は１０〜１０００ｎｍ、又は１０〜５００ｎｍ、又は１０〜２００ｎｍ、又は２０〜１００ｎｍ、又は３０〜１０００ｎｍ、又は３０〜５００ｎｍの厚さ、又は３０〜１０００ｎｍ、又は２０〜１００ｎｍ、又は８０〜１５０ｎｍの厚さで塗布されうる。保護表面を提供するため、任意選択的にＰＥＣＶＤプロセスにおいて、ｐＨ保護層を架橋又は重合する（又はその両方）。

以下の理論の精度により拘束されるものではないが、本発明者は、容器壁のＳｉＯ_xバリア層上に塗布されるｐＨ保護皮膜又は層は、少なくとも部分的に、容器の内容による攻撃からＳｉＯ_xバリア層表面を不動態化することによって、及びＳｉＯ_xバリア層を容器の内容から分離するためのより抵抗的又は犠牲的な独立層を提供することによって機能すると考える。したがって、ｐＨ保護皮膜又は層は非常に薄くすることができ、そうであっても、薬剤パッケージの保管寿命を向上させることができると考えられる。

米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されるように、滑性皮膜又は層は、ＳｉＯ_xバリア層及び／又はｐＨ保護皮膜又は層を薬剤パッケージの内側もしくは内部表面又は他の部分に塗布した後に塗布されうる。

したがって、皮膜又は層９０は、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層と、Ｓｉ_wＯ_xＣ_y（この明細書の全実施形態では、ｗ＝１であるため、ＳｉＯ_xＣ_yと等価である）のｐＨ保護層とを含むことができ、任意選択的に、任意の実施形態においては、更に、それぞれこの明細書に定義されるような特徴を有する滑性皮膜又は層を含む。別のオプションとして、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層は、別の材料の少なくとも１つの介在皮膜又は層により、ｐＨ保護皮膜又は層からより離れた位置に堆積されうる。

ここで考えられるＳｉＯ_x及び滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層の隣接する層の別手法は、定義の項に定義されるように、ＳｉＯ_x及びＳｉ_wＯ_xＣ_y、又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yの段階的複合物（ｇｒａｄｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）である。段階的複合物とは、中間組成物の遷移又は界面を間に有する別個の滑性層及び／又はｐＨ保護層及び／又はバリア層又は皮膜、又は中間組成物の中間にある別個のｐＨ保護皮膜又は層を間に有する別個の滑性層及び／又はｐＨ保護層及び／又は疎水性層及びＳｉＯ_x、又は滑性及び／又はｐＨ保護及び／又は疎水性層の組成物から、よりＳｉＯ_xのような組成物に、ｐＨ保護皮膜又は層を法線方向に通過して連続的に又は段階的に変化する１つの皮膜又は層とされうる。

段階的複合物の段階はどの方向にも進むことができる。例えば、ＳｉＯ_xの組成物は基材に直接塗布することができ、ｐＨ保護皮膜又は層の表面から離れた組成物まで段階状になることができ、任意選択的に、更に、疎水性皮膜又は層、又は滑性皮膜又は層などの別の種類の皮膜又は層まで段階状になることができる。更に、任意の実施形態においては、接着皮膜又は層、例えば、Ｓｉ_wＯ_xＣ_y、又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yを、任意選択的に、バリア層を塗布する前に基材に直接塗布することができる。段階的ｐＨ保護皮膜又は層は、ある組成物の層が別の組成物の層に比べて基材に接着するのにより好適である場合に特に企図される。この場合、より良好に接着する組成物は、例えば、基材に直接塗布することができる。段階的ｐＨ保護皮膜のより遠い部分は、隣接する段階的ｐＨ保護皮膜の部分に比べて基材とあまり融和しないものとなりうることが考えられる。これは、いずれの箇所においてもｐＨ保護皮膜又は層は特性が徐々に変化していることから、ｐＨ保護皮膜又は層のほぼ同じ深さの隣接する部分はほぼ同一の組成物を有し、実質的に異なる深さの物理的により広く離れた部分はより多様な特性を有しうることが理由である。また、より劣るバリアを形成する、より離れたｐＨ保護皮膜部分が、バリアによって妨げられる又は遮断されることになる物質で汚染されることを防止するため、基材への又は基材からの物質の移動に対してより良好なバリアを形成するｐＨ保護皮膜又は層部分を基材に直接設けることができると考えられる。

塗布された皮膜又は層は、段階的とされる代わりに、任意選択的に、１つの層と次の層との間における組成物の大きな勾配なく鮮明な遷移を有することができる。そのようなｐＨ保護皮膜又は層は、例えば、層を形成するためのガスを非プラズマ状態において定常状態流として提供し、その後、短時間のプラズマ放電によりシステムを励起し、皮膜又は層を基材上に形成することによって作製することができる。次のｐＨ保護皮膜又は層が塗布される場合、前のｐＨ保護皮膜又は層用のガスは除去され、次のｐＨ保護皮膜又は層用のガスがプラズマを励起する前に定常状態で適用され、再度、基材又はその最外側の前のｐＨ保護皮膜又は層の表面に、界面に任意の段階的遷移のほとんどない別の層を形成する。

ガラス製の容器
別の実施形態は、任意の実施形態、例えば、図８〜１０に示すような、２１４又は２５０などのガラス製の容器又は容器部品と、任意選択的に、容器又は容器部品上の２８８などの複合バリア皮膜又は層と、容器、容器部品又は複合バリア皮膜又は層上の２８６などのｐＨ保護皮膜又は層と、容器内に収容された２１８などの薬剤組成物又は製剤と、を含む薬剤パッケージ２１０である。この実施形態においては、複合バリア皮膜又は層は任意であるが、これは、ガラス容器壁それ自体が極めて良好なバリア層であることが理由である。主として分離を提供するため、換言すると、容器壁と容器の内容との間における、ガラスのイオン又は薬剤組成物又は製剤の成分などのあらゆる種類の物質の接触及び交換を防止するため、任意選択的に、バリア層を提供することが企図される。この明細書に定義されるｐＨ保護層は分離機能を少なくともある程度単独で実施するように企図される。本実施例では薬剤包装において現在一般的に使用されているホウケイ酸ガラスが、５を超えるｐＨを有する流体組成物により溶解することを示すことから、この防護層は薬剤組成物又は製剤に接触しているガラスに有用な機能を提供すると考えられる。特に、そのような溶解が不利益とされうるか、不利益であると認められる場合の用途においては、本ｐＨ保護皮膜又は層が有用であろう。

容器は、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス又は他のガラス配合物（ｇｌａｓｓ ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）などの医療又は実験室用途で使用される任意のタイプのガラス製とされうる。ガラス容器上のｐＨ保護皮膜又は層の１つの機能は、意図的に又は不純物（例えば、ナトリウム、カルシウム又はその他）としてのいずれかにおいて、ガラス内のイオンが、ガラスから、真空採血管内の試薬又は血液などの薬剤パッケージ又は他の容器の内容に進入するのを低減しうることである。あるいは、ガラス容器上の全体又は一部に、例えば、選択的に、摺動関係において他の部品と接触する表面に、例えば、ストッパの挿入もしくは取り外し又はシリンジ内のピストンなどの摺動要素の通過を容易にするための滑性を提供するために、並びにｐＨ保護皮膜又は層の分離を提供するために、二重機能式のｐＨ保護／滑性皮膜又は層が使用されうる。ガラス容器を、例えば、二重機能式の疎水性及びｐＨ保護皮膜又は層で被覆する更に別の理由は、試薬又は血液などの、薬剤パッケージもしくは他の容器用の試料が容器の壁に固着すること、又は容器の壁に接触している血液の凝固の速度を増加させることを防止するため、並びにｐＨ保護皮膜又は層の分離を提供するためである。

関連する実施形態は、複合バリア皮膜又は層がソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス製又は基材上の別のタイプのガラス皮膜又は層である、前段落に記載したような容器である。

容器全般
本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製されるｐＨ保護皮膜を有する容器は化合物又は組成物の受容及び／又は保管及び／又は送達のために使用されうる。化合物又は組成物は感受性を有し、例えば、空気に対して感受性を有し、酸素に対して感受性を有し、湿度に対して感受性を有し、及び／又は機械的作用（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ）に対して感受性を有しうる。化合物又は組成物は生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、インスリンなどの製剤もしくは薬剤又はインスリンを含む組成物とされうる。別の態様においては、化合物又は組成物は生物学的流体、任意選択的に、体液、例えば、血液又は血液分画とされうる。本発明の特定の態様においては、化合物又は組成物は、その必要に応じて患者に投与される製品、例えば、（ドナーからレシピエントへの血液の輸血又はある患者からこの患者への血液の再導入のように）血液又はインスリンなどの、注射される製品とされうる。

本明細書中に記載される及び／又は本明細書中に記載される方法に従い調製されるｐＨ保護皮膜を有する容器は、更に、その内部空間に収容された化合物又は組成物を容器材料の表面の機械的及び／又は化学的作用から保護するために使用されうる。例えば、この容器は、化合物又は組成物の成分の沈殿及び／又は凝固又は血小板活性化、例えば、インスリン沈殿又は血液凝固又は血小板活性化を防止又は低減するために使用されうる。

この容器は、更に、その内部に収容された化合物又は組成物を、例えば、１つ又は複数の化合物が容器周囲の環境から容器の内部空間に進入することを防止又は低減することにより、薬剤パッケージ又は他の容器外部の環境から保護するために使用されうる。そのような環境化合物は、ガス又は液体、例えば、大気ガス又は酸素、空気及び／又は水分を含有する液体とされうる。

本明細書中に記載されるｐＨ保護皮膜を有する容器は、また、真空排気することができ、且つ真空排気した状態で保管されうる。例えば、ｐＨ保護皮膜又は層は、対応するｐＨ保護皮膜を有しない容器と比べて真空のより良好な維持を可能にする。この実施形態の一態様においては、ｐＨ保護皮膜は採血管である。管は、また、血液凝固又は血小板活性化を防止するための薬剤、例えば、ＥＤＴＡ又はへパリンを含みうる。

上述の実施形態のいずれも、例えば、容器として、長さ約１ｃｍ〜約２００ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約１５０ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約１２０ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約１００ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約８０ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約６０ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約４０ｃｍ、任意選択的に約１ｃｍ〜約３０ｃｍの長さの管類を用意し、それを以下に記載されるようにプローブ電極で処理することにより作製することができる。特に上記範囲内の長い方の長さにおいては、ｐＨ保護皮膜又は層形成中の、プローブと容器との間の相対運動が有用となりうると考えられる。これは、例えば、容器をプローブに対して動かすことによって、又はプローブを容器に対して動かすことによって実施することができる。

これら実施形態においては、複合バリア皮膜又は層は、真空採血管に必要な高いガスバリア完全性（ｂａｒｒｉｅｒ ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）を提供するのに好適なものより薄くすることも、完全に満たないものとすることもできると考えられる。これら実施形態においては、ｐＨ保護皮膜又は層は、バリア層と接触する液体物質を長期間保管するのに必要な長い保管寿命を提供するのに好適なものより薄くすることも、完全に満たないものとすることもできると考えられる。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は中心軸線を有する。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器壁は、２０℃において、壁を破損することなく、少なくとも実質的に直線から、容器の外径の１００倍以下の中心軸線曲げ半径（ｂｅｎｄｉｎｇ ｒａｄｉｕｓ ａｔ ｔｈｅ ｃｅｎｔｒａｌ ａｘｉｓ）までの範囲にわたり少なくとも一度撓むほど十分に可撓性を有する。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、中心軸線曲げ半径は、容器の外径の、９０倍以下、又は８０倍以下、又は７０倍以下、又は６０倍以下、又は５０倍以下、又は４０倍以下、又は３０倍以下、又は２０倍以下、又は１０倍以下、又は９倍以下、又は８倍以下、又は７倍以下、又は６倍以下、又は５倍以下、又は４倍以下、又は３倍以下、又は２倍以下、又は容器の外径以下である。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器壁は可撓性材料で作製された流体接触面（ｆｌｕｉｄ−ｃｏｎｔａｃｔｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ）とされうる。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器内腔はポンプの流体流通路とされうる。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は、血液を医療用途のための良好な状態に維持するように適合された血液バッグとされうる。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、高分子材料は、２つの例として、シリコーンエラストマーもしくは熱可塑性プラスチックポリウレタン、又は血液又はインスリンとの接触に適した任意の材料とされうる。

任意の実施形態においては、容器は少なくとも２ｍｍ、又は少なくとも４ｍｍの内径を有する。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、容器は管である。

前述の実施形態のいずれかの任意の特徴として、内腔は少なくとも２つの開端部を有する。

有機ケイ素前駆体から堆積させたｐＨ保護皮膜又は層を有する、生存可能な血液収容用容器
更に別の実施形態は血液収容用容器である。そのような容器のいくつかの非限定的な例は、輸血バッグ、試料が採取された血液試料採取容器、人工心肺のチューブ類、可撓性壁採血バッグ、又は手術中に患者の血液を採取するため、及び血液を患者の血管系に再導入するために使用されるチューブ類である。容器が血液を圧送するためのポンプ含む場合、特に好適なポンプは遠心ポンプ又は蠕動ポンプである。容器は壁を有する。壁は内腔を画定する内側又は内部表面を有する。壁の内側又は内部表面は、任意選択的に疎水性表面も呈する、ｐＨ保護層の少なくとも部分（ｐａｒｔｉａｌ）ｐＨ保護皮膜又は層を有する。ｐＨ保護皮膜又は層は単分子の厚さほどの薄さとすることも約１０００ｎｍの厚さとすることもできる。容器は、内腔内に疎水性層と接触して配置された、患者の血管系に戻すための生存可能な（ｖｉａｂｌｅ）血液を含みうる。

一実施形態は、壁を含み、且つ内腔を画定する内側又は内部表面を有する血液収容用容器である。内側又は内部表面は、任意選択的に疎水性表面も呈する、少なくとも部分ｐＨ保護皮膜又は層を有する。ｐＨ保護皮膜又は層は、また、ＳｉＯ_xＣ_yを含みうる／から本質的になりうる。ｘ及びｙはこの明細書に定義される通りである。疎水性皮膜又は層の厚さは内側又は内部表面上で単分子の厚さ〜約１０００ｎｍの厚さの範囲内である。容器は、内腔内に疎水性皮膜又は層と接触して配置された、患者の血管系に戻すための生存可能な血液を含む。

有機ケイ素前駆体から堆積させたｐＨ保護皮膜又は層は容器内の血液の凝固又は血小板活性化を低減する
別の実施形態は壁を有する容器である。壁は内腔を画定する内側又は内部表面を有し、且つ任意選択的に、ｘ及びｙが前に定義された疎水性表面を呈する少なくとも部分ｐＨ保護皮膜又は層を有する。ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは内側又は内部表面で単分子の厚さ〜約１０００ｎｍの厚さである。ｐＨ保護皮膜又は層は、疎水性層が被覆されていない同じタイプの壁と比べ、内側又は内部表面に曝露される血液の凝固又は血小板活性化を低減するのに有効である。

疎水性層を組み込むと、その未修飾高分子又はＳｉＯ_x表面に接触する特性に比べて血液の癒着又は凝塊形成傾向を低減すると考えられる。この特性は、心臓手術中に人工心肺を使用する場合のように、患者から血液を抜き、その後、患者に戻すことを必要とする種類の手術を受ける患者に必要なへパリンの血中濃度を低減することによって、血液をへパリンで処理する必要を低下又は場合によっては排除すると考えられる。これによりへパリンの使用に起因する出血合併症を低減することによって、そのような薬剤パッケージ又は他の容器を血液が通過することに伴う手術の合併症を低減すると考えられる。

別の実施形態は、壁を含み、且つ内腔を画定する内側又は内部表面を有する容器である。内側又は内部表面は疎水性表面を呈する少なくとも部分ｐＨ保護皮膜又は層を有する。ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは内側又は内部表面上で単分子の厚さ〜約１０００ｎｍの厚さであり、ｐＨ保護皮膜又は層は内側又は内部表面に曝露される血液の凝固又は血小板活性化を低減するのに有効である。

第ＩＩＩ族又は第ＩＶ族元素のｐＨ保護皮膜又は層を有する生存可能な血液収容用容器
別の実施形態は、内腔を画定する内側又は内部表面を有する壁を有する血液収容用容器である。内側又は内部表面は、第ＩＩＩ族の１種又は複数種の元素、第ＩＶ族の１種又は複数種の元素、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む組成物の少なくとも部分ｐＨ保護皮膜又は層を有する。内側又は内部表面のｐＨ保護皮膜又は層の厚さは単分子の厚さと約１０００ｎｍの厚さの間（包含的）である。容器は、ｐＨ保護皮膜又は層に接触して内腔内に配置された、患者の血管系に戻すための生存可能な血液を含む。

容器内の血液の凝固又は血小板活性化を低減する第ＩＩＩ族又は第ＩＶ族元素のｐＨ保護皮膜又は層
任意選択的に、先行する段落の容器においては、第ＩＩＩ族又は第ＩＶ族元素のｐＨ保護皮膜又は層が、容器壁の内側又は内部表面に曝露される血液の凝固又は血小板活性化を低減するのに有効である。

薬剤送達容器
ｐＨ保護皮膜を有する容器又は本明細書中に記載される容器は、容器内に収容された化合物又は組成物の、容器の周囲環境への漏れを防止又は低減するために使用されうる。

明細書及び特許請求の範囲の任意の部分から明白な本明細書中に記載されるｐＨ保護皮膜又は層及び容器の更なる使用もまた考えられる。

全実施形態の共通条件
本明細書中において企図される任意の実施形態においては、多くの共通条件、例えば以下のいずれかを、任意の組み合わせにおいて使用することができる。あるいは、この明細書の別の場所又は特許請求の範囲に記載される任意の異なる条件を用いることができる。

Ｉ．任意の実施形態の皮膜レシーバ
任意の実施形態の容器
容器は、採血管などの試料採取管、又はシリンジ、又はバレルもしくはピストンもしくはプランジャなどのシリンジ部品、バイアル、導管、又はキュベットとされうる。基材は閉端管（ｃｌｏｓｅｄ−ｅｎｄｅｄ ｔｕｂｅ）、例えば、医学的試料採取管とされうる。基材は内腔を有する容器の内側壁とすることができ、内腔は、０．５〜５０ｍＬ、任意選択的に１〜１０ｍＬ、任意選択的に０．５〜５ｍＬ、任意選択的に１〜３ｍＬの空隙容量を有する。基材表面は少なくとも１つの開口部及び内側又は内部表面を有する容器の内側又は内部表面の一部又は全体とすることができ、任意の実施形態においては前駆体供給物としても周知の気体反応物が容器の内部内腔に充填され、プラズマを容器の内部内腔の一部又は全体において発生させることができる。

シリンジ及び部品
基材はシリンジバレルとされうる。シリンジバレルはプランジャ滑動面を有することができ、ｐＨ保護皮膜又は層はプランジャ滑動面の少なくとも一部に配置されうる。ｐＨ保護皮膜又は層は滑性及び／又はｐＨ保護皮膜とされうる。滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層はバレル内側又は内部表面上に配置されうる。滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層はプランジャ上に配置されうる。特定の態様においては、基材はステーキドニードルシリンジ又はステーキドニードルシリンジの一部である。

ストッパを受容するための容器
基材は容器の口にあるストッパ受容面とされうる。基材は、ストッパを受容するように適合された容器の開口部の略円錐形又は円筒状の内側又は内部表面とされうる。

ストッパ
基材はストッパの摺動面とされうる。基材は１つの実質的に真空にされた容器内に配置された多様なストッパを提供することにより被覆されうる。化学気相成長はプラズマ化学気相成長とすることができ、ストッパはプラズマと接触させることができる。化学気相成長はプラズマ化学気相成長とすることができる。プラズマはストッパの上流側に形成することができ、プラズマ生成物を生成し、プラズマ生成物はストッパと接触させることができる。

クロージャは、ｐＨ保護皮膜又は層で被覆された基材、任意選択的に、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜で被覆されたストッパを画定しうる。基材は内腔を画定する容器内に着座したクロージャとすることができ、クロージャの、内腔に面する表面はｐＨ保護皮膜又は層で被覆されうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、ストッパの金属イオン成分が容器の内腔に透過するのを低減するのに有効となりうる。

任意の実施形態の基材
基材は容器壁とされうる。容器壁の、クロージャの壁接触面に接触している部分はｐＨ保護皮膜又は層で被覆されうる。ｐＨ保護皮膜又は層は第１層及び第２層を有する物質の複合物とされうる。第１の皮膜又は層はエラストマーストッパと接しうる。ｐＨ保護皮膜又は層の第１層は、ストッパの１つ又は複数の成分が容器内腔に透過するのを低減するのに有効とされうる。第２のｐＨ保護皮膜又は層は容器の内壁と接しうる。第２層は、ストッパが容器に着座される場合にストッパと容器の内壁との間の摩擦を低減するのに有効とされうる。

あるいは、任意の実施形態の第１層及び第２層は炭素と水素を含有する段階的特性を有するｐＨ保護皮膜又は層によって画定されうるが、このｐＨ保護皮膜又は層においては、第１の皮膜又は層（基材に塗布される）の炭素及び水素の比率は第２の皮膜又は層（容器の内容に曝露される）に比べて小さい。

任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層はプラズマ化学気相成長法によって塗布されうる。

任意の実施形態の基材は、ガラス、あるいは、ポリマー、あるいはポリカーボネートポリマー、あるいはオレフィン重合体、あるいは環式オレフィン共重合体、あるいはポリプロピレン重合体、あるいはポリエステル重合体、あるいはポリエチレンテレフタレート重合体、あるいはポリエチレンナフタレート重合体、あるいは上記材料の任意の２つ以上の組み合わせ又は混合物を含みうる。

ＩＩ．任意の実施形態の気体反応物又はプロセスガス制約
任意の実施形態の堆積条件
ＰＥＣＶＤ用のプラズマは、使用される場合、低減された圧力で発生させることができ、低減された圧力は、３００ｍＴｏｒｒ未満、任意選択的に２００ｍＴｏｒｒ未満、更に任意選択的に１００ｍＴｏｒｒ未満とされうる。ｐＨ保護皮膜又は層の物理的及び化学的特性は、気体反応物中の有機ケイ素前駆体に対するＯ₂の比率を設定することによって、及び／又はプラズマを発生させるために使用される電力を設定することによって設定されうる。

任意の実施形態のガスの相対比率
プロセスガスは、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層を形成するためにこの比率のガスを含みうる。
・０．５〜１０標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．１〜１０標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１〜８０標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・３〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．２〜１標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．１〜２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．５〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．５〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．５〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．５〜１．５標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．８〜１．２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・５〜１００標準体積のキャリアガス、
・０．８〜１．２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・１〜６標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．８〜１．２標準体積の酸化剤。
あるいはこの比率：
・２〜４標準体積の前駆体、
・１０〜７０標準体積のキャリアガス、
・０．８〜１．２標準体積の酸化剤。

任意の実施形態の前駆体
有機ケイ素前駆体については本明細書内の別の場所に記載されている。

有機ケイ素化合物は、特定の態様において、特に滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層が形成される場合、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含みうる。前記特定の態様の任意の実施形態の有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から本質的になりうる。有機ケイ素化合物は、特定の態様において、特にバリア皮膜又は層が形成される場合、ヘキサメチルジシロキサンとされうる／を含みうる。

反応ガスは、また、炭化水素を含みうる。炭化水素は、メタン、エタン、エチレン、プロパン、アセチレン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含みうる。

有機ケイ素前駆体は、１０ｓｃｃｍ以下、任意選択的に６ｓｃｃｍ以下、任意選択的に２．５ｓｃｃｍ以下、任意選択的に１．５ｓｃｃｍ以下、任意選択的に１．２５ｓｃｃｍ以下の速度で送達されうる。薬剤パッケージ又は他の容器が大きくなるか他の条件又はスケールが変更される場合、より多量又は少量の前駆体を要してもよい。前駆体は１Ｔｏｒｒ未満の絶対圧力において提供されうる。

任意の実施形態のキャリアガス
キャリアガスは、不活性ガス、例えば、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、堆積条件下においてプロセスガスの他の成分に対して不活性な別のガス、又はこれら２つ以上の任意の組み合わせを含みうる／からなりうる。

任意の実施形態の酸化性ガス
酸化ガスは、酸素（Ｏ₂及び／又はＯ₃（一般にオゾンとして公知である））、窒素酸化物、又は用いられた条件でのＰＥＣＶＤ時に前駆体を酸化する任意の他のガスを含みうる／からなりうる。酸化ガスは約１標準体積の酸素を含む。気体反応物又はプロセスガスは少なくとも窒素を実質的に含まないものとされうる。

ＩＩＩ．任意の実施形態のプラズマ
任意のＰＥＣＶＤ実施形態のプラズマは基材の近傍において形成されうる。プラズマは、特定の場合において、特に複合バリア皮膜又は層を調製する場合において、非ホロー陰極（ｎｏｎ−ｈｏｌｌｏｗ−ｃａｔｈｏｄｅ）プラズマとされうる。他の特定の場合においては、特に滑性皮膜又は層を調製する場合において、非ホロー陰極プラズマは所望されない。プラズマは低減された圧力で気体反応物から形成されうる。基材上におけるｐＨ保護皮膜又は層形成を生じさせるため十分なプラズマ生成電力入力が提供されうる。

ＩＶ．任意の実施形態のＲＦ電力
前駆体は、１０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、代替的には約１３〜約１４ＭＨｚの周波数において駆動する電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

前駆体は、任意選択的に１０ｋＨｚ〜３００ＭＨｚ未満、任意選択的に１〜５０ＭＨｚ、更に任意選択的に１０〜１５ＭＨｚの周波数、任意選択的に１３．５６ＭＨｚの高周波で駆動する電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

前駆体は、０．１〜２５Ｗ、任意選択的に１〜２２Ｗ、任意選択的に１〜１０Ｗ、更に任意選択的に１〜５Ｗ、任意選択的に２〜４Ｗ、例えば３Ｗ、任意選択的に３〜１７Ｗ、更に任意選択的に５〜１４Ｗ、例えば６又は７．５Ｗ、任意選択的に７〜１１Ｗ、例えば８Ｗ、０．１〜５００Ｗ、任意選択的に０．１〜４００Ｗ、任意選択的に０．１〜３００Ｗ、任意選択的に１〜２５０Ｗ、任意選択的に１〜２００Ｗ、更に任意選択的に１０〜１５０Ｗ、任意選択的に２０〜１５０Ｗ、例えば、４０Ｗ、任意選択的に４０〜１５０Ｗ、更に任意選択的に６０〜１５０Ｗの電力が供給された電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

前駆体は、プラズマ量の１０Ｗ／ｍｌ未満、あるいはプラズマ量の６Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の５Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の４Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の２Ｗ／ｍｌ〜０．２Ｗ／ｍｌ、あるいは１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌの電力密度が供給された電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

プラズマは、反応混合物を電磁エネルギ、あるいはマイクロ波エネルギで励起させることによって形成されうる。

Ｖ．任意の実施形態の他のプロセスオプション
ｐＨ保護皮膜又は層を基材に塗布するための塗布するステップは、前駆体を蒸発させ、それを基材の近傍に提供することによって実施されうる。

使用される化学気相成長はＰＥＣＶＤとすることができ、堆積時間は１〜３０秒、あるいは２〜１０秒、あるいは３〜９秒とされうる。任意選択的に堆積時間を制限する目的は、基材の過熱を回避するため、生産速度を増加させるため、並びにプロセスガス及びその成分の使用を低減するためとされうる。任意選択的に堆積時間を延長する目的は、特定の堆積条件においてより厚いｐＨ保護皮膜又は層を提供するためとされうる。

ＶＩ．任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層特性
任意の実施形態の疎水性特性
一実施形態が、基材上に疎水性ｐＨ保護皮膜又は層を形成するのに有効な条件下で実施されうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層の疎水性特性は気体反応物中の有機ケイ素前駆体に対するＯ₂の比率を設定することによって、及び／又はプラズマを発生させるために使用される電力を設定することによって設定されうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、非被覆表面よりも低いぬれ張力、任意選択的に２０〜７２ダイン／ｃｍ、任意選択的に３０〜６０ダイン／ｃｍ、任意選択的に３０〜４０ダイン／ｃｍ、任意選択的に３４ダイン／ｃｍのぬれ張力を有しうる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は非被覆表面に比べてより疎水性とされうる。

任意の実施形態の厚さ
任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって特定される、本開示に記載される任意の量の厚さを有しうる。

任意の実施形態の組成物
任意選択的に、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層は、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）を含みうる。このそれぞれは前に定義されている。Ｓｉ：Ｏ：Ｃの原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって特定されうる。Ｈ原子を考慮すると、ｐＨ保護皮膜又は層は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yを有してもよく、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３、ｚは約２〜約９である。

通常、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yとして表される場合、Ｓｉ、Ｏ及びＣの原子比率はいくつかのオプションとして以下の通りである。
Ｓｉ １００：Ｏ ５０〜１５０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．５〜１．５、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ７０〜１３０：Ｃ ９０〜２００（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．７〜１．３、ｙ＝０．９〜２）、
Ｓｉ １００：Ｏ ８０〜１２０：Ｃ ９０〜１５０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．８〜１．２、ｙ＝０．９〜１．５）、
Ｓｉ １００：Ｏ ９０〜１２０：Ｃ ９０〜１４０（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９〜１．２、ｙ＝０．９〜１．４）、又は、
Ｓｉ １００：Ｏ ９２〜１０７：Ｃ １１６〜１３３（すなわちｗ＝１、ｘ＝０．９２〜１．０７、ｙ＝１．１６〜１．３３）。

あるいは、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した炭素５０％未満及びケイ素２５％超の原子濃度を有しうる。あるいは、原子濃度は炭素２５〜４５％、ケイ素２５〜６５％、及び酸素１０〜３５％である。あるいは、原子濃度は、炭素３０〜４０％、ケイ素３２〜５２％及び酸素２０〜２７％である。あるいは、原子濃度は炭素３３〜３７％、ケイ素３７〜４７％及び酸素２２〜２６％である。

任意選択的に、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、ｐＨ保護層中の炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した炭素の原子濃度は有機ケイ素前駆体の原子式における炭素の原子濃度よりも高くすることができる。例えば、炭素の原子濃度が１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５０原子パーセント、あるいは３５〜４５原子パーセント、あるいは３７〜４１原子パーセント増加する実施形態が考えられる。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層中の炭素対酸素の原子比率は有機ケイ素前駆体と比較して増加されうる、及び／又は酸素対ケイ素の原子比率は有機ケイ素前駆体と比較して低減されうる。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、供給ガスの原子式におけるケイ素の原子濃度より低い、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化したケイ素の原子濃度を有しうる。例えば、ケイ素の原子濃度が１〜８０原子パーセント、あるいは１０〜７０原子パーセント、あるいは２０〜６０原子パーセント、あるいは３０〜５５原子パーセント、あるいは４０〜５０原子パーセント、あるいは４２〜４６原子パーセント減少する実施形態が考えられる。

別のオプションとして、有機ケイ素前駆体の合計式と比較して原子比率Ｃ：Ｏが増加されうる及び／又は原子比率Ｓｉ：Ｏが低減されうる合計式を特徴としうるｐＨ保護皮膜又は層が考えられる。

任意の実施形態の他のｐＨ保護皮膜又は層特性
ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ）によって特定される、１．２５〜１．６５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．３５〜１．５５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４４〜１．４８ｇ／ｃｍ³の密度を有しうる。任意選択的に、有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサンとすることができ、ｐＨ保護皮膜又は層は、同じＰＥＣＶＤ反応条件下で有機ケイ素化合物としてＨＭＤＳＯから作製されたｐＨ保護皮膜又は層の密度よりも高くされうる密度を有しうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層に接触する化合物又は組成物の成分の沈殿を防止又は低減することができ、特に、非被覆表面及び／又はＨＭＤＳＯを前駆体として使用したバリア被覆表面と比べてインスリン沈殿又は血液凝固を防止又は低減することができる。

基材は、ｐＨ保護皮膜を有する容器内に収容又は受容された化合物又は組成物を非被覆基材の表面の機械的及び／又は化学的作用から保護するための薬剤パッケージ又は他の容器とされうる。

基材は、容器の内側又は内部表面に接触する化合物又は組成物の成分の沈殿及び／又は凝固を防止又は低減するための薬剤パッケージ又は他の容器とされうる。化合物又は組成物は生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、薬剤とすることができ、例えば、化合物又は組成物はインスリンを含みうる。インスリン沈殿は低減又は防止されうる。あるいは、化合物又は組成物は生物学的流体、例えば体液、例えば血液又は血液分画とすることができ、血液凝固は低減又は防止されうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、任意選択的に、約５〜約９、任意選択的に約６〜約８、任意選択的に約６．４〜約７．８の（ＡＦＭによって測定された）ＲＭＳ表面粗さ値を有しうる。ＡＦＭによって測定されたｐＨ保護皮膜又は層のＲ_a表面粗さ値は、約４〜約６、任意選択的に約４．６〜約５．８とされうる。ＡＦＭによって測定されたｐＨ保護皮膜又は層のＲ_max表面粗さ値は、約７０〜約１６０、任意選択的に約８４〜約１４２、任意選択的に約９０〜約１３０とされうる。

ＶＩＩ．容器と内容からできた製品、任意の実施形態におけるオプション
任意の実施形態においては、基材は、内腔を画定する内側又は内部表面と、外部表面とを有する容器とされうる。ｐＨ保護皮膜又は層は薬剤パッケージ又は他の容器の内側又は内部表面に配置されうる。容器は、その内腔に、化合物又は組成物、例えば、クエン酸塩もしくはクエン酸塩含有組成物、又は例えば、インスリンもしくはインスリン含有組成物を含みうる。インスリン等の注射可能な液剤又は他の液剤を含むプレフィルドシリンジが特に考慮される。

以下の実施例は、欧州特許第２２５１４５５号明細書で一部既に開示されている。不必要な繰り返しを避けるため、欧州特許出願公開第２２５１４５５Ａ２号明細書の実施例の全てをここで繰り返すわけではなく、ここではそれらの明確な参照を行う。

シリンジバレルを形成及び被覆するための基本プロトコル
後の実施例において試験される薬剤パッケージ又は他の容器は個々の実施例に特に定めのない限りは以下の例示的なプロトコルに従い形成及び被覆した。以下の基本プロトコルに記載される特定のパラメータ値、例えば、電力及び気体反応物又はプロセスガス流は典型的な値である。これら典型的な値と比較してパラメータ値に変化があった場合、これは後の実施例において示される。気体反応物又はプロセスガスのタイプ及び組成にも同様のことが適用される。

場合によっては、以下のプロトコルにおいて言及される参照符号及び図、並びに更なる詳細については米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されうる。

シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコル
シリンジバレル内部をＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層で被覆するため、全般的に米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている装置及びプロトコルを、以下のように変更を加え、使用することができる。バリア皮膜のため５ｍｌバイアルが提供される。供給ガスは１．５６ｓｃｃｍのＨＭＤＳＯ（ヘキサメチレンジシロキサン）と２０ｓｃｃｍのＯ₂の混合物であり、キャリアガスはない。ＲＦ電力プロファイルは以下の通りである。初期電力レベルは２０Ｗ、最終電力レベルは１４０Ｗである。電力レベルは２秒間にわたり２０Ｗから１４０Ｗまで直線的に増加される。電力レベルは、その後、被覆シーケンスの残りの１３秒間１４０Ｗに維持される。生じたＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層は厚さが最低４０ｎｍ、最大６５ｎｍである。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、通常、典型的には、複合バリア皮膜又は層と基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する厚さ３ｎｍ以下の界面の存在を示す。高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、また、複合バリア皮膜又は層と基材との間に、ＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して少なくとも０．２ｅＶのＳｉ ２ｐピークの広がりを有する界面を示す。

シリンジバレル内部をＯＭＣＴＳｐＨ保護皮膜で被覆するためのプロトコル
前に示したように、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層で既に内部が被覆されているシリンジバレルは、実施例に記載するような特定の例において変更した条件を用いること以外は、全般的に滑性皮膜又は層を塗布するための米国特許第７，９８５，１８８号明細書のプロトコルに従い、前に示したｐＨ保護皮膜で更に内部が被覆される。ここで記載する条件はＣＯＣシリンジバレル用であり、他の材料から作製されたシリンジバレル用に適宜変更することができる。シリンジバレルの基部にある突き当てシーリング（ｂｕｔｔ ｓｅａｌｉｎｇ）によりシリンジバレルを保持するため、全体として図３及び図４に示されるような装置が使用される。更に、シリンジバレルの端部を封止するキャップが提供される（図３に示される）。

シリンジバレルは、延在するプローブ又はカウンタ電極１０８上において密封位置に慎重に移動され、プラズマスクリーンに押し付けられる。プラズマスクリーンはプローブ又はカウンタ電極１０８の周りにぴったりと嵌合し良好な電気接触を確実とする。プローブ又はカウンタ電極１０８はＲＦ整合ネットワークのケーシングに接地される。

ガス送達ポート１１０は、排出用の手動ボールバルブ又は類似の装置と、熱電対圧力計と、真空ポンピングラインに連結されたバイパスバルブとに連結される。加えて、ガスシステムはガス送達ポート１１０に連結され、気体反応物又はプロセスガス、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）（又は特定の例において報告される特定の気体反応物又はプロセスガス）が（プロセス圧力下で）ガス送達ポート１１０を通してシリンジバレルの内部に流れることを可能にする。

ガスシステムは、ＯＭＣＴＳを約１００℃まで加熱する、市販されている加熱式質量流量気化システム（ｈｅａｔｅｄ ｍａｓｓ ｆｌｏｗ ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）を含む。加熱式質量流量気化システムは、液体オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（登録商標）品番Ａ１２５４０、９８％）に連結される。ＯＭＣＴＳ流量は特定の例において報告される特定の有機ケイ素前駆体流に合わせて設定される。蒸発したＯＭＣＴＳ流の凝縮がこのポイントを越えて発生しないようにするため、ガス流はそれが処理のためにＣＯＣシリンジバレルの内部に流れていないときにはポンピングラインに分流される。

シリンジバレルが配置されると、真空ポンプバルブは容器保持器５０及びＣＯＣシリンジバレルの内部に対して開かれる。真空ポンプ及びブロワが真空ポンプシステムに含まれる。ポンピングシステムは、気体反応物又はプロセスガスが指示された速度で流れている間、ＣＯＣシリンジバレルの内部の圧力を１００ｍＴｏｒｒ未満に低下することを可能にする。

ベース真空レベルが達成されると、容器保持器５０アセンブリは電極１６０アセンブリ内に移動する。ガス流（ＯＭＣＴＳ蒸気）がガス送達ポート１１０内に流される（３方弁をポンピングラインからガス送達ポート１１０に調節することによって。ＣＯＣシリンジバレル内部の圧力は、ポンピングラインの真空を制御するバルブの近辺に配置された静電容量型圧力計（ＭＫＳ）によって測定した場合、約１４０ｍＴｏｒｒである。ＣＯＣシリンジバレル圧力に加え、ガス送達ポート１１０及びガスシステム内部の圧力もまたガスシステムに連結された熱電対真空計によって測定される。この圧力は、通常、６Ｔｏｒｒ未満である。

ガスがＣＯＣシリンジバレルの内部に流れると、ＲＦ電源がオンにされ、その一定の電力レベルにされる。６００ワットＲＦ電源が（１３．５６ＭＨｚで）特定の例に示される一定の電力レベルで使用される。ＲＦ電源は、プラズマの複素インピーダンス（容器内で形成される）をＲＦ電源の出力インピーダンスに整合させるオートマッチ（ａｕｔｏ ｍａｔｃｈ）に接続される。進行波電力（ｆｏｒｗａｒｄ ｐｏｗｅｒ）は記載した通りであり、反射波電力（ｒｅｆｌｅｃｔｅｄ ｐｏｗｅｒ）は０ワットである。このため、定格電力が容器の内部に送達される。ＲＦ電源は、実験室タイマ及び１０秒（又は特定の例において定められた異なる時間）に設定された電源オン時間によって制御される。

ＲＦ電力を開始すると、容器の内部の内側に均一なプラズマが提供される。プラズマはＲＦ電力がタイマによって遮断されるまでの、ｐＨ保護皮膜又は層の全時間にわたり維持される。プラズマはｐＨ保護皮膜又は層を容器の内部に生成する。

ｐＨ保護皮膜の後、ガス流は真空ラインに再度分流され、真空バルブは閉じられる。その後、ベントバルブが開かれ、ＣＯＣシリンジバレルの内部を大気圧（約７６０Ｔｏｒｒ）に戻す。（容器保持器５０アセンブリを電極１６０アセンブリから出した後）処理後の容器はその後容器保持器５０アセンブリから慎重に取り外される。

ｐＨ保護皮膜又は層をバイアルに塗布するため、全般的に図１のもののような装置を使用する以外は同様のプロトコルが使用される。

総ケイ素測定のためのプロトコル
このプロトコルは、容器壁全体に存在するケイ素皮膜の総量を特定するために使用される。溶液又は成分とガラスとの間の接触を回避するよう留意し、ある供給量の０．１Ｎ水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用意する。使用される水は精製水で、１８ＭΩ品質である。特に定めのない限りは測定にＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ Ｍｏｄｅｌ ７３００ＤＶ ＩＣＰ−ＯＥＳ機器が使用される。

試験される各デバイス（バイアル、シリンジ、チューブ等）並びにそのキャップ及びクリンプ（バイアルの場合）又は他のクロージャを空〜０．００１ｇにおいて計量し、その後、ＫＯＨ溶液で完全に充填し（ヘッドスペースなしで）、キャップを嵌め、クリンプし、０．００１ｇ以下において再計量した。温浸ステップにおいては、４０℃の超音波処理水浴中に各バイアルが最低８〜１０時間配置される。温浸ステップはケイ素皮膜を容器壁からＫＯＨ溶液中に定量的に除去するために実施される。この温浸ステップ後、バイアルは超音波処理水浴から取り出され、室温まで冷却される。バイアルの内容は１５ｍｌＩＣＰチューブに移動される。ＩＣＰ／ＯＥＳの実施手順に従い、各溶液の総Ｓｉ濃度がＩＣＰ／ＯＥＳによって実施される。

総Ｓｉ濃度はＫＯＨ溶液中のＳｉの１０億分率として報告される。この濃度は、温浸ステップが使用され、それが除去される前に容器壁上にあったケイ素皮膜の総量を示す。

総Ｓｉ濃度は、また、ＳｉＯ_xバリア層が塗布され、ＳｉＯ_xＣ_y第２層（例えば、滑性層又はｐＨ保護皮膜もしくは層）がその後塗布され、ＳｉＯ_xＣ_y層だけの総ケイ素濃度を知りたい場合のように、容器上の全ケイ素層よりも少数の層について特定することができる。この特定は、２セットの容器を用意し、その１つのセットにはＳｉＯ_x層のみを塗布し、そのもう一方のセットには同じＳｉＯ_x層、続いてＳｉＯ_xＣ_y層又は関心のある他の層を塗布することによって実施される。各セットの容器の総Ｓｉ濃度は上に記載したのと同じ手法で特定される。２つのＳｉ濃度間の差がＳｉＯ_xＣ_y第２層の総Ｓｉ濃度である。

容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコル
実施例のいくつかにおいては、例えば、試験溶液の溶解速度を評価するために、試験溶液によって容器の壁から溶解したケイ素の量が１０億分率（ｐｐｂ）で決定される。この溶解したケイ素の特定は、試験条件下でＳｉＯ_x及び／又はＳｉＯ_xＣ_y皮膜又は層が提供された容器内に試験溶液を保管し、その後、溶液のサンプルを容器から除去し、サンプルのＳｉ濃度を試験することによって実施される。試験は、総ケイ素測定のためのプロトコルと同じ手法で実施されるが、そのプロトコルの温浸ステップの代わりに、このプロトコルに記載されるような容器内における試験溶液の保管が使用される。総Ｓｉ濃度は試験溶液中のＳｉの１０億分率として報告される。

平均溶解速度を特定するためのプロトコル
実施例において報告される平均溶解速度は以下のように特定される。既知の総総ケイ素測定値を有する一連の試験容器に、総ケイ素測定のためのプロトコルにおいてバイアルにＫＯＨ溶液を充填する手法と類似の手法で所望の試験溶液を充填する。（試験溶液は、本実施例で用いられるような生理的に不活性の試験溶液とすることも、薬剤パッケージを形成するために容器内に保管されることを意図した生理的に活性な製剤とすることもできる）。試験溶液は各々の容器内にいくつかの異なる時間量の間保管され、その後、各保管時間おける試験溶液中のＳｉ濃度を１０億分率で分析する。各々の保管時間及びＳｉ濃度は、その後、プロットされる。プロットを分析し、最急勾配を有する実質的に線形の点の列を求める。

溶解量（ｐｐｂ Ｓｉ）対日数のプロットでは時間とともに勾配が減少する。Ｓｉ層は試験溶液によって完全に温浸されているため溶解速度は平坦にならないと考えられる。

表２のＰＣ１９４試験データにおいては、最小二乗線形回帰プログラムを使用し、各実験プロットのうち最初の５つの標本値群に合致する線形プロットを求めることにより溶解対時間のデータの線形プロットを作成する。その後、各線形プロットの勾配が決定され、試験に適用可能な平均溶解速度を示すものとして、単位時間あたりの試験溶液中に溶解したＳｉの１０億分率で報告される。

計算保管寿命を特定するためのプロトコル
以下の実施例において報告される計算保管寿命値は、総ケイ素測定のためのプロトコル及び平均溶解速度を特定するためのプロトコルにそれぞれ記載したように特定された総ケイ素測定値及び平均溶解速度の外挿によって決定される。示された保管条件下において、ＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜は皮膜が完全に除去されるまで平均溶解速度で除去されると想定される。したがって、容器の総ケイ素測定値を溶解速度によって除算すると、試験溶液がＳｉＯ_xＣ_y皮膜を完全に溶解するのに要する時間が得られる。この期間は計算保管寿命として報告される。市販保管寿命の計算とは異なり、安全率は計算されない。その代わり、計算保管寿命は計算破損時間である。

ｐｐｂ Ｓｉ対時間のプロットでは時間とともに勾配が減少するため、比較的短い測定時間から比較的長い計算保管寿命への外挿は、実際に得られる計算保管寿命を低く見積もる傾向にある「最悪ケース」の試験（“ｗｏｒｓｔ ｃａｓｅ”ｔｅｓｔ）であると考えられると理解すべきである。

実施例１〜４
シリンジサンプルは以下のように作製した。ＣＯＣシリンジバレルを形成するためのプロトコルに従い、ＣＯＣ８００７延伸バレルシリンジを作製した。ＣＯＣシリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_xバリア皮膜又は層をシリンジのいくつかに塗布する。ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳ滑性皮膜で被覆するためのプロトコルに従い、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層をＳｉＯ_xで被覆されたシリンジに塗布し、以下のように変更を加える。ＯＭＣＴＳはその低い揮発性のため気化器から供給した。アルゴンキャリアガスを使用した。プロセス条件は以下のように設定した。
・ＯＭＣＴＳ：３ｓｃｃｍ
・アルゴンガス：６５ｓｃｃｍ
・電力：６ワット
・時間：１０秒

いくつかのシリンジについて、その後、滑性試験用のプロトコルに従い、Ｇｅｎｅｓｉｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｐｌｕｎｇｅｒ Ｆｏｒｃｅ Ｔｅｓｔｅｒ（Ｇｅｎｅｓｉｓ Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ，Ｌｉｏｎｖｉｌｌｅ，ＰＡ製のＭｏｄｅｌ ＳＦＴ−０１ Ｓｙｒｉｎｇｅ Ｆｏｒｃｅ Ｔｅｓｔｅｒ）を使用して滑性を試験する。非被覆サンプルに関する開始力（ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ ｆｏｒｃｅ）及び維持力（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ ｆｏｒｃｅ）（ニュートン）の両方が示すとともに、類似の実験に基づく予想データを表４に報告する。

シリコン油で被覆されたシリンジを基準として含めたが、その理由は、これが現在の業界標準だからである。

これら実施例に従い作製される滑性皮膜は、複合バリア皮膜又は層が設けられているが滑性皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比べて容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層としても機能する。

実施例５〜８
シリンジサンプルは以下のように作製する。ＣＯＣシリンジバレルを形成するためのプロトコルに従い、ＣＯＣ ８００７延伸バレルシリンジを作製した。ＣＯＣシリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_xｐＨ保護皮膜又は層をシリンジバレルに塗布する。ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳで被覆するためのプロトコルに従い、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層をＳｉＯ_xで被覆されたシリンジに塗布し、以下のように変更を加える。表６に示すアルゴンキャリアガス及び酸素を使用する。プロセス条件は以下のように又は表６に示すように設定する。
・ＯＭＣＴＳ−３ｓｃｃｍ（使用される場合）
・アルゴンガス−７．８ｓｃｃｍ（使用される場合）
・酸素 ０．３８ｓｃｃｍ（使用される場合）
・電力−３ワット
・電源オン時間−１０秒

実施例５及び６のシリンジはこれら条件下で用意する。実施例のシリンジは、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層がないこと以外はこれら条件下で７調製する。実施例８のシリンジ（シリコン油で被覆された市販シリンジ）は、その後、滑性試験用のプロトコルに従いＧｅｎｅｓｉｓ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｐｌｕｎｇｅｒ Ｆｏｒｃｅ Ｔｅｓｔｅｒを使用して滑性及び／又はｐＨ保護皮膜を試験する。非被覆試料に対する開始力及び維持力の両方（ニュートン）を示すとともに、類似の実験に基づく予測データを表６に報告する。シリコン油で被覆されたシリンジを基準として含めたが、その理由は、これが現在の業界標準だからである。

表６において予測された滑性結果（開始力及び維持力）は、これら試験条件下においても、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層が全くないシリンジＧと比較すると、シリンジＥ及びＦの滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層はそれら滑性が著しく向上すると予想されることを示す。業界における標準滑性皮膜又は層を含む実施例８のシリンジと比較すると、実施例５及び６のシリンジの滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層は、また、それら滑性が著しく向上すると予想される。

実施例５〜７のシリンジを、また、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用して試験し、総抽出可能レベル（有機ケイ素化合物ベースＰＥＣＶＤｐＨ保護皮膜又は層の抽出を示す）を特定し、この例に示すように変更を加えるとともに補足する。

ケイ素は塩水温浸（ｓａｌｉｎｅ ｗａｔｅｒ ｄｉｇｅｓｔｉｏｎ）を使用して抽出する。エラストマー製の先端材料から物質が抽出することを防止するため各シリンジプランジャの先端をＰＴＦＥテープで被覆し、その後、シリンジバレル基部内に挿入する。シリンジバレルに、２ミリリットルの０．９％水性の生理食塩水を、シリンジのルアーチップを通じて挿入した皮下針により充填する。生理食塩水を収容及び送達するために多くのプレフィルドシリンジが使用されることから、これは抽出性物質に適した試験である。ルアーチップは適切な直径を有する一片のＰＴＦＥビーディングとともに差し込まれる。シリンジをＰＴＦＥ試験台にルアーチップを上向きにした状態でセットし、オーブン内に５０℃で７２時間配置する。

その後、静的又は動的モードのいずれかを使用して生理食塩水をシリンジバレルから除去する。表６に示す静的モードにおいては、シリンジプランジャを試験台から取り外し、シリンジ内の流体を容器内に移す。表６に示す動的モードにおいては、ルアーチップシールを取り外し、プランジャを押下して流体をシリンジバレル内に通し、内容を容器内に排出する。いずれの場合においても、各シリンジバレルから得られる流体を１８．２ＭΩ−ｃｍ脱イオン水を使用して５０ｍｌの体積にし、更に、分析中におけるナトリウムバックグラウンド（ｓｏｄｉｕｍ ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）を最小にするために２倍希釈する。ＣＶＨバレルは２ミリリットルを収容し、市販バレルは２．３２ミリリットルを収容する。

次に、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用し、各シリンジから回収した流体を抽出可能ケイ素に関して試験する。使用した機器はＣｅｔａｃ ＡＳＸ−５２０オートサンプラを備えたＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｅｌａｎ ＤＲＣ ＩＩである。以下のＩＣＰ−ＭＳ条件を用いる。
・噴霧器：Ｑｕａｒｔｚ Ｍｅｉｎｈａｒｄｔ
・噴霧室：Ｃｙｃｌｏｎｉｃ
・ＲＦ（高周波）電力：１５５０ワット
・アルゴン（Ａｒ）流：１５．０Ｌ／分
・補助Ａｒ流：１．２Ｌ／分
・噴霧器ガス流：０．８８Ｌ／分
・積分時間：８０秒
・走査モード：ピークホッピング（ｐｅａｋ ｈｏｐｐｉｎｇ）
・ＣｅＯ（ｍ／ｚ１５６：＜２％としてのセリウムのＲＰｑ（ＲＰｑは拒絶パラメータ（ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ ｐａｒａｍｅｔｅｒ））

実施例５〜７のシリンジから得た水性希釈物の一定分量を注入し、Ｓｉに関して１リットルあたりマイクログラムの濃度単位において分析する。類似の試験に基づくこの試験の予想結果を表６に示す。結果は定量的でないが、それらは、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層からの抽出性物質が、ＳｉＯ_xバリア皮膜又は層のみの抽出性物質に比べて明らかに高いわけではないことは示している。また、静的モードは動的モードに比べて大幅に少ない抽出性物質を生じたが、これは予想通りであった。

比較実施例９：ＳｉＯ_x皮膜の溶解対ｐＨ
ここで変更を加えるもの以外の、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルは以下の通りである。試験溶液、ｐＨ３、６、７、８、９及び１２の５０ｍＭ緩衝溶液を用意する。調査されるｐＨ値を提供するのに適切なｐＫａ値を有する緩衝液を選択する。ｐＨ３、７、８及び１２についてはリン酸カリウム緩衝液を選択し、ｐＨ６についてはクエン酸ナトリウム緩衝液を使用し、ｐＨ９についてはトリス緩衝液を選択する。３ｍｌの各試験溶液をホウケイ酸ガラス５ｍｌ薬剤バイアル及びＳｉＯ_xで被覆された５ｍｌ熱可塑性プラスチック薬剤バイアル内に配置する。バイアルは全て、標準的な、被覆されたストッパで閉じられ、圧着される。バイアルをストレージ内に２０〜２５℃で配置し、誘導結合プラズマ分光計（ＩＣＰ）により、異なる保管時間の、バイアル内に収容された溶液中のＳｉ含有量を１０億分率（ｐｐｂ）重量において分析するため、種々の時点において出す。

ガラス溶解の速度を監視するためにここで変更を加えるもの以外は平均溶解速度Ｓｉ含有量を特定するためのプロトコルを使用する。各ｐＨ条件におけるホウケイ酸ガラス又はＳｉＯ_x皮膜の溶解の平均速度を特定するためにデータをプロットする。

ｐｐｂにおけるＳｉ溶解の速度は、除去されたＳｉの総重量を特定し、その後、溶液に曝露したバイアル表面（１１．６５ｃｍ²）量の表面積計算及びＳｉＯ_xの密度の２．２ｇ／ｃｍ³を使用することにより、Ｓｉ溶解速度における予測厚さ（ｎｍ）に変換する。皮膜の予測初期厚さは、ｐＨ５において約３６ｎｍ、ｐＨ６において約８０ｎｍ、ｐＨ７において約２３０ｎｍ、ｐＨ７．５において約４００ｎｍ、ｐＨ８において約７５０ｎｍ、及びｐＨ９において約２６００ｎｍである。

皮膜厚さは、医薬品及びバイオテクノロジー製品における典型的でない過酷な場合の状況を表す。大部分のバイオテクノロジー製品及び多くの医薬製品は冷却された状態で保管され、いずれも室温を超える温度での保管は通常推奨されない。一般的な経験則として、他の全ての条件が同じであれば、保管の温度が低くなるほど必要な厚さが低減される。

この試験に基づき以下の結論に達した。第１に、ＳｉＯ_x皮膜又はガラス中の溶解Ｓｉの量はｐＨが増加するにつれて指数関数的に増加する。第２に、８未満のｐＨにおいてＳｉＯ_x皮膜はホウケイ酸ガラスよりもゆっくりと溶解する。ＳｉＯ_x皮膜は、経時的に、線形の、単相性（ｍｏｎｏｐｈａｓｉｃ）の溶解を示し、その一方で、ホウケイ酸ガラスは溶液への曝露の早期において、よりゆっくりとした線形の溶解の後に、より急速な溶解を示す傾向にある。これは、ＳｉＯ_x皮膜の均一な組成に対し、形成プロセス中、いくらかの塩及び要素がホウケイ酸に表面蓄積することに起因する可能性がある。この結果は、８未満のｐＨにおいてガラスの溶解を低減するためにＳｉＯ_x皮膜をホウケイ酸ガラスバイアルの壁に設けることの有用性を付随的に示唆する。第３に、製剤が保管されるバイアルのための、ＰＥＣＶＤが塗布されたバリア皮膜は、少なくとも製剤がバリア皮膜と著しく相互作用する場合においては、特定の製剤及び提案された保管条件に適合させること（又はその逆）が必要である。

実施例１０
滑性層を、そのｐＨ保護皮膜としての機能性について試験するために、ＳｉＯ_x皮膜＋ＯＭＣＴＳ滑性層で被覆された容器について実験を実施した。容器は、環式オレフィンコポリマー（ＣＯＣ、Ｔｏｐａｓ（登録商標）６０１３Ｍ−０７）を含む５ｍＬバイアル（バイアルには、通常、５ｍＬまで製品が充填され、キャップが嵌められている場合の、ヘッドスペースなしでのそれら容量は約７．５ｍＬである）である。

６０個の容器のそれら内部表面をＳｉＯ_x皮膜で被覆した。ＳｉＯ_x皮膜は、バイアルを被覆するのに好適な機器が使用されること以外は、上に説明した、チューブ内側をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＨＭＤＳＯ前駆体ガスを使用して、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法で作製した。以下の条件が使用される。
・ＨＭＤＳＯ流量：０．４７ｓｃｃｍ
・酸素流量：７．５ｓｃｃｍ
・ＲＦ電力：７０ワット
・被覆時間：１２秒（２秒のＲＦ電力ランプアップ時間を含む）

次に、ＳｉＯ_x皮膜のものと同じ皮膜装置を使用すること以外は、上に説明した、ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳ滑性皮膜で被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_xで被覆されたバイアルのＳｉＯ_x上を、ＰＥＣＶＤ法でＯＭＣＴＳ前駆体ガスを使用して作製したＳｉＯ_xＣ_y皮膜で被覆した。したがって、シリンジを被覆するためのプロトコルにおいて特別な適応は使用されない。以下の条件が使用される。
・ＯＭＣＴＳ流量：２．５ｓｃｃｍ
・アルゴン流量：１０ｓｃｃｍ
・酸素流量：０．７ｓｃｃｍ
・ＲＦ電力：３．４ワット
・被覆時間：５秒

８つのバイアルを選択し、上に説明した総ケイ素測定のためのプロトコルを使用して、ＰＥＣＶＤ皮膜（ＳｉＯ_x＋ＳｉＯ_xＣ_y）の総堆積量をＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ Ｍｏｄｅｌ ７３００ＤＶ ＩＣＰ−ＯＥＳ機器により特定した。この測定は、両皮膜中のケイ素の総量を特定するものであり、ＳｉＯ_x皮膜とＳｉＯ_xＣ_y皮膜とをそれぞれ区別するものではない。結果を表７に示す。

以下の研究においては、この実施例に特に明記されない限り、平均溶解速度を特定するためのプロトコルに従う。ｐＨの溶解速度に対する効果を試験するため、残りの実験では、それぞれｐＨ４及びｐＨ８の２つの緩衝ｐＨ試験溶液を使用する。両試験溶液は、リン酸カリウムを緩衝液として使用し、注射用水（ＷＦＩ）で希釈した（０．１ｕｍ滅菌済、濾過済）５０ｍＭ緩衝液である。ｐＨは濃縮硝酸でｐＨ４又は８にそれぞれ調整した。

２５本のバイアルにおいては、各バイアルに７．５ｍｌの、ｐＨ４の緩衝試験溶液を充填し、別の２５本のバイアルにおいては、各バイアルに７．５ｍｌの、ｐＨ４の緩衝試験溶液を充填した（充填レベルはバイアルの上部まででありヘッドスペースはないことに留意されたい）。バイアルは、予洗したブチルストッパ及びアルミニウムクリンプを使用して閉じた。各ｐＨのバイアルは２つの群に分けた。１２本のバイアルを含む各ｐＨの１つの群を４℃で保管し、１３本のバイアルの第２の群を２３℃で保管する。

バイアルは、１日目、３日目、６日目、及び８日目に試料採取する。この実施例において特に明記されない限りは、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用する。分析結果は各バイアルの緩衝試験溶液中のケイ素の１０億分率に基づき報告する。平均溶解速度を特定するためのプロトコルにおいては、溶解速度は上述のように１日あたりの１０億分率の観点から計算する。各々の保管温度における結果は表８に示す。

ｐＨ８及びｐＨ４におけるＯＭＣＴＳベース皮膜のＳｉ溶解対時間の観察では、ｐＨ４の速度は室温条件において高くなることを示す。したがって、ｐＨ４の速度は、溶解するであろう初期皮膜の量を考慮した上で、保管寿命の終了時に適切な厚さの皮膜を残すには初めにどれほどの材料を塗布する必要があるかを特定するために使用される。この計算の結果は表９に示す。

この計算に基づくと、３年の計算保管寿命を達成するにはＯＭＣＴＳ滑性層を約２．５倍厚くする必要がある（試験された皮膜の全質量を示す１４，３７１ｐｐｂの溶解に対し、３３９４５ｐｐｂの溶解となる）。

実施例１１
表１０に示すように、上記の比較実施例９及び実施例１０の結果が比較されうる。「滑性層」とは、実施例１０において言及したＳｉＯ_xＣ_yの皮膜である。

このデータは、ＳｉＯ_xＣ_y皮膜も被覆されたバイアルにおいては、ｐＨ８において、ＳｉＯ_xのケイ素溶解速度のみが２桁超減少することを示す。

同様の加速させた溶解条件下で実施したいくつかの異なる実験のデータによる別の比較を表１１に示す。

行Ａ（ＯＭＣＴＳ皮膜を有するＳｉＯ_x）と行Ｃ（ＯＭＣＴＳ皮膜のないＳｉＯ_x）の比較では、ｐＨ８においては、ＯＭＣＴＳ滑性層もまた、ＳｉＯ_x皮膜に対する効果的なｐＨ保護皮膜又は層であることを示す。ＯＭＣＴＳ皮膜では、１日目の溶解速度が２５０４ｕｇ／Ｌ（本明細書では「ｕ」又はμ又はギリシャ文字「ｍｕ」は同一であり、「マイクロ」の略語である）から１６５ｕｇ／Ｌに減少した。このデータは、また、ＨＭＤＳＯベースのＳｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）オーバーコート（行Ｄ）では、ＯＭＣＴＳベースのＳｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）オーバーコート（行Ａ）よりもかなり高い溶解速度になったことを示す。このデータは、線状前駆体に対し、環式前駆体を使用することによりかなりの利点が得られることを示す。

実施例１２
表１に列挙した試料１〜６は実施例９に記載されるように用意する。更なる詳細は以下の通りである。

環式オレフィン共重合体（ＣＯＣ）樹脂を射出成形して５ｍｌバイアルのバッチを形成する。シリコンチップを両面粘着テープによってバイアルの内部壁に接着する。バイアル及びチップはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）によって２層皮膜で被覆する。第１層は本開示に定義されるバリア皮膜又は層特性を備えたＳｉＯ_xを含み、第２層はＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜又は層である。

ＯＭＣＴＳ、アルゴン及び酸素を含む前駆体混合ガスを各バイアル内部に導入する。バイアル内部のガスを高周波（１３．５６ＭＨｚ）電源ｉにより容量結合電極間において励起する。単位ｓｃｃｍにおけるモノマー流量（Ｆ_m）、単位ｓｃｃｍにおける酸素流量（Ｆ_o）、ｓｃｃｍにおけるアルゴン流量、及び単位ワットにおける電力（Ｗ）を表１に示す。

ｋＪ／ｋｇの単位における複合パラメータ（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）Ｗ／ＦＭは、プロセスパラメータＷ、Ｆ_m、Ｆ_o及び個々のガス種のｇ／モルにおける分子量Ｍから計算される。Ｗ／ＦＭは重合ガスの単位質量あたりエネルギ入カと定義される。重合ガスは、モノマー及び酸素などであるがそれらに限定されない、成長する皮膜に組み込まれる種と定義される。非重合ガス（ｎｏｎ−ｐｏｌｙｍｅｒｉｚｉｎｇ ｇａｓｅｓ）は、対照的に、アルゴン、ヘリウム及びネオンなどであるがそれらに限定されない、成長する皮膜に組み込まれることのない種である。

この試験においては、高Ｗ／ＦＭにおけるＰＥＣＶＤ処理によってより高いモノマーフラグメンテーション（ｍｏｎｏｍｅｒ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ）が発生し、より高い架橋結合密度を有する有機シロキサン皮膜を生成したと考えられる。これに対し、低いＷ／ＦＭにおけるＰＥＣＶＤ処理によって、より低いモノマーフラグメンテーションが発生し、比較的低い架橋結合密度を有する有機シロキサン皮膜を生成したと考えられる。

異なる皮膜間における、試料２、３、５及び６の相対的な架橋結合密度を、ＦＴＩＲ吸光度スペクトルを測定することによって比較した。試料２、３、５及び６のスペクトルを図１１〜１４に提供する。各スペクトルにおいて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）におけるピーク吸光度に対する非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）におけるピーク吸光度の比率を測定し、全て表１に示すようにこれら２つの測定値の比率を計算する。各々の比率は複合パラメータＷ／ＦＭに対して線形相関を有することが判明している。

定性的関係（シリコンチップに塗布した場合に皮膜が油性（光沢があり、しばしば虹色の光彩を伴う）に見えるか非油性（光沢がない）に見えるか）もまた、表１のＷ／ＦＭ値と相関することが判明している。表１において確認されるように、低いＷ／ＦＭ値で堆積させた油性外観の皮膜（ｏｉｌｙ ａｐｐｅａｒｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇｓ）は、それらのより低い対称／非対称比率によって特定されるように、より高いＷ／ＦＭ及びより高い架橋結合密度で堆積させた非油性皮膜と比べてより低い架橋結合密度を有すると考えられる。この一般的な経験則から唯一除外されるのは表１の試料２である。試料２の皮膜はそれが薄すぎて見えないことから非油性の外観を呈すると考えられる。したがって、表１において試料２の油性観察は報告されない。赤外線スペクトルをチップ及びサンプル皮膜に透過させ、非被覆ヌルチップ（ｎｕｌｌ ｃｈｉｐ）の透過を減じた、透過モードにおけるＦＴＩＲによってチップを分析した。

下地ＳｉＯ_x皮膜を高いｐＨ及び温度の水溶液から保護する、高いＷ／ＦＭ値で作製した非油性有機シロキサン層が好適であるが、この理由は、表１において類似の実験に基づき予想されるように、それらが低いＳｉ溶解及び長い保管寿命を提供するからである。例えば、油性皮膜における大幅に短い保管寿命及び高い溶解速度とは対照的に、非油性皮膜においてはｐＨ８及び４０℃のバイアルの内容による計算ケイ素溶解は低減され、結果的な保管寿命はある場合においては１３８１日、別の場合においては１１４７日であった。計算保管寿命は実施例９において示したように特定される。計算保管寿命は、また、有機シロキサンｐＨ保護皮膜におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モードと非対称伸縮モードの比率に線形に相関する。

試料６は特に試料５と比較されうる。有機シロキサン、ｐＨ保護皮膜を表１の試料６のプロセス条件に従い堆積させる。皮膜を高Ｗ／ＦＭで堆積させる。これにより、０．９５８の高い予想Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する非油性皮膜が形成され、結果的に、８４．１ｐｐｂ／日の低い溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルによって測定した）及び１１４７日の長い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルによって測定した）となる。対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的類似している非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示すこの皮膜のＦＴＩＲスペクトルを図１４に示す。これは高い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命において好適な特性である。

有機シロキサンｐＨ保護皮膜を表１の試料５のプロセス条件に従い堆積させた。皮膜は中程度のＷ／ＦＭで堆積させた。これにより、０．６７３の低いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する油性皮膜が形成され、結果的に、２３６．７ｐｐｂ／日の高い溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルに準ずる）及び２７１日のより短い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルに準ずる）になることが予想される。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的高い非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは低い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命においては好ましくない特性であると考えられる。

試料２は特に試料３と比較されうる。ｐＨ保護皮膜を表１の試料２のプロセス条件に従い堆積させる。皮膜は低Ｗ／ＦＭで堆積させる。これにより、０．５８２の低いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を示す皮膜を生じることが予想され、結果的に、１７４ｐｐｂ／日の高い溶解速度及び１０７日の短い保管寿命になる。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは、対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比較すると比較的高い非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは低い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命においては好ましくない特性である。

有機シロキサン、ｐＨ保護皮膜を表１の試料３のプロセス条件に従い堆積させた。皮膜は高Ｗ／ＦＭで堆積させた。これにより、０．９４７の高いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する非油性皮膜が形成され、結果的に、７９．５ｐｐｂ／日の予測された低いＳｉ溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルに準ずる）及び１３８１日の長い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルに準ずる）になる。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは、対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的類似する非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは高い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命において好適な特性である。

実施例１３
この実施例及び表２（異なるバリア皮膜又は層に関する類似の研究に基づく予想結果が表にされている）に示すように変更を加え、実施例１０と同様の実験を実施した。１００本の５ｍＬＣＯＰバイアルを作製し、試料ＰＣ１９４ではｐＨ保護皮膜又は層のみを塗布したこと以外は上述のようにＳｉＯ_xバリア層及びＯＭＣＴＳベースのｐＨ保護皮膜又は層で被覆した。表２に報告されるように、バイアルの表面から抽出され、全ｐＨ保護皮膜を除去する皮膜量を再度１０億分率において測定した。

この例では、いくつかの異なる皮膜溶解条件が用いられる。溶解のために使用した試験溶液は、０．０２又は０．２ｗｔ．％いずれかのポリソルベート８０界面活性剤、並びに８のｐＨを維持するための緩衝液を含有する。溶解試験は２３℃又は４０℃のいずれかにおいて実施される。

複数のシリンジに各試験溶液を充填し、示した温度で保管し、抽出プロファイル及び抽出されたケイ素の量を特定するためにいくつかの間隔をおいて分析する。長期に及んだ保管時間の平均溶解速度を、その後、平均溶解速度を特定するためのプロトコルに従って得たデータを外挿することによって計算する。類似の実験を基にした予想結果は上述の通りに計算し、表２に示す。特に注目すべきは、表２に示すように、ＰＣ１９４ｐＨ保護皮膜又は層によって充填済みパッケージの非常に長い計算保管寿命が提供されたことである。
ｐＨ８、０．０２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、２３℃での保管に基づくと、２１０４５日（５７年超）、
ｐＨ８、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、２３℃での保管に基づくと、３８７６８日（１００年超）、
ｐＨ８、０．０２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、４０℃での保管に基づくと、８１８４日（２２年超）、及び、
ｐＨ８、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、４０℃での保管に基づくと、１４７３２日（４０年超）。

表２を参照すると、最長計算保管寿命は１５０ワットのＲＦ電力レベル及び対応する高Ｗ／ＦＭ値の使用に対応する。使用する電力レベルが高くなるほどｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度が高くなると考えられる。

実施例１４
ＲＦ電力レベルの継続的な増加の、ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸光度スペクトルに対する影響を示す、実施例１３のものに類似する更なる一連の実験を実施した。結果を表３に示す。表３では、いずれの場合においても、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える対称／非対称比率を示す。したがって、特に定めのない限り比較可能な条件下における対称／非対称比率は、２０Ｗの電力レベルにおいては０．７９、４０、６０又は８０Ｗの電力レベルにおいては１．２１又は１．２２、１００ワットにおいては１．２６である。

表３の１５０ワットのデータは他のデータとは幾分異なる条件下でとったものであり、上に記載した２０〜１００ワットのデータと直接比較することはできない。表３の試料６及び８のＦＴＩＲデータはバイアルの上部からとったものであり、表３の試料７及び９のＦＴＩＲデータはバイアルの下部からとったものである。また、表３の試料８及び９においては、ＯＭＣＴＳの量が試料６及び７に比べて半分に削減されている。表３の試料６及び７と試料８及び９との比較によって示されるように、１５０Ｗの電力レベルを維持する一方で酸素レベルを低減すると対称／非対称比率が更に上昇することが予想される。

他の条件が同等であれば、対称／非対称比率を増加させると、５を超えるｐＨを有する物質が充填された容器の保管寿命は増加すると考えられる。

表１２は、表３に概要を示した実験の、算出されたＯパラメータ及びＮパラメータ（米国特許第８，０６７，０７０号明細書に定義された）を示す。表１２に示すように、０．１３４〜０．３４３の範囲のＯパラメータ及び０．４０８〜０．６２３の範囲のＮパラメータは全て米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外である。

実施例１５〜１７
３つの異なるｐＨ保護皮膜又は層を用いた実施例１５〜１７のシリンジサンプルを、表１３に示すもの以外は実施例５〜８と同じ手法で作製した。

実施例１５は、ＯＭＣＴＳ、酸素及びキャリアガスを用いた３成分のｐＨ保護皮膜又は層を有するものであった。実施例１６は、ＯＭＣＴＳ及び酸素を用いるがキャリアガスは用いない２成分のｐＨ保護皮膜又は層を有するものであった。実施例１７は、１成分のｐＨ保護皮膜又は層（ＯＭＣＴＳのみ）を有するものであった。実施例５〜８について記載したように、シリンジ１５〜１７を、その後、滑性について試験した。

これら実施例に従い作製されたｐＨ保護皮膜又は層は、また、複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層として機能すると考えられる。

実施例１８〜２０
実施例１８〜２０においては、実施例１８〜２０で前駆体としてＨＭＤＳＯを使用したこと以外は、ＯＭＣＴＳ前駆体ガスを使用する実施例１５〜１７を繰り返した。結果を表１４に示す。これら実施例に従い作製された皮膜は、ｐＨ保護皮膜又は層として、並びに複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層としても機能すると考えられる。

実施例２１〜３２
これら実施例においては、ｐＨ保護皮膜又は層の表面粗さを特定した。

ＯＭＣＴＳｐＨ保護皮膜又は層を、上記機器を用いて、示される特定のプロセス条件（表１５）で１ミリリットルＣＯＣ ６０１３成形シリンジバレル上に塗布した。示した手順を使用し、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）二乗平均（ＲＭＳ）及び他の粗さ特定（表１５及び表１６）を行った。平均ＲＭＳ値は表面における３つの異なるＲＭＳ読取り値から得た。全試験を１つの試料において実施することを禁ずる個々の試験の性質のため、表１５に報告するプランジャ力試験、ＡＦＭ及びＳＥＭ試験は異なるサンプルにおいて実施した。

ＡＦＭ粗さデータを示すため、実施例２３、２６及び２８に類似する条件下で作製した姉妹試料（ｓｉｓｔｅｒ ｓａｍｐｌｅ）の実施例２９、３０及び３１に対して更なる試験を実施した。

これら実施例に従い製作されるｐＨ保護皮膜又は層は、複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層として機能するとも考えられる。

実施例３２：ｐＨ保護皮膜又は層抽出性物質
シリンジからのケイ素抽出性物質を、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルに記載されるようにＩＣＰ−ＭＳ分析を使用して測定した。シリンジを静的状況及び動的状況の両方において評価した。以下のように変更を加えた、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルにより試験手順を説明する。
・シリンジに２ｍｌの０．９％生理食塩水を充填する。
・シリンジを台に配置し、５０℃で７２時間保管する。
・７２時間後、溶解したケイ素について生理食塩水試験を行う。
・シリンジを通じて生理食塩水を排出する前及び後に溶解したケイ素を測定する。

シリコン油被覆ガラスシリンジ並びにｐＨ保護被覆及びＳｉＯ_x被覆ＣＯＣシリンジから抽出可能なケイ素レベルを表１７に示す。ＩＣＰ−ＭＳ総ケイ素測定の精度は＋／−３％である。

滑性及び／又はｐＨ保護測定の概要
表１８は、上記ＯＭＣＴＳ皮膜又は層の概要を示す。

実施例３３
この実施例の目的は、ガラス、ＣＯＰ及び被覆バイアルからの、わずかに粘性の水溶液の回収性又は排出性を評価することである。

この研究では、（Ａ）非被覆ＣＯＰバイアル、（Ｂ）シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するための上記プロトコルに続き、シリンジバレル内部をＯＭＣＴＳｐＨ保護皮膜又は層で被覆するためのプロトコルに従い調製したＣＯＰバイアル上のＳｉＯ_x＋ｐＨ保護層被覆ＣＯＰバイアル、及び（Ｃ）ガラスバイアルからの、注射用水中の３０ｃｐｓ（センチポアズ）炭水化物溶液の回収率を評価した。

２．０ｍｌの炭水化物溶液を、それぞれ、ガラス、ＣＯＰ及びｐＨ保護被覆バイアルである３０個のバイアルにピペットで移した。溶液をバイアルから１０ｍｌシリンジにより、２３ゲージ、１．５’’針を通して吸引した。溶液が回収される量が最大になるように吸引するため、バイアルを片側に傾けた。全バイアルについて同じ手法及び同様の引き出し時間（ｗｉｔｈｄｒａｗａｌ ｔｉｍｅ）を使用した。バイアルを、空のとき、２．０ｍｌの溶液をバイアルに配置したのち、及びバイアルから溶液の吸引を終えたときに計量した。バイアルに送達された量は、（Ａ）空バイアルの重量を、２．０ｍｌの溶液を有するバイアルの重量から減ずることにより特定した。回収されなかった溶液の重量は、（Ｂ）空バイアルの重量を、溶液をバイアルから吸引したのちのバイアルの重量から減ずることにより特定した。未回収比率はＢをＡで除算し、１００を乗じることにより特定した。

薬物製品の吸引時、ガラスバイアルが溶液で濡れたままであることが認められた。ＣＯＰバイアルは液体をはじいた及び溶液がバイアルから吸引される際。これが回収の助けとなったが、液滴が吸引時バイアルの側壁に玉を形成する（ｂｅａｄ）のが認められた。ｐＨ保護被覆バイアルもまた吸引時に液体をはじいたが側壁に溶液の玉形成（ｂｅａｄｉｎｇ）は認められなかった。

結論は、ｐＨ保護被覆バイアルはガラスバイアルが濡れるようには水溶液で濡れず、ガラスと比して薬物製品の優れた回収につながるというものであった。ｐＨ保護被覆バイアルでは、水性製品の吸引時、側壁における溶液の玉形成の発生は認められなかった。したがって、製品回収実験においては、被覆バイアルは非被覆ＣＯＰバイアルよりも良好に機能した。

本発明を図面及び前述の記載において詳細に示し且つ説明したが、そのような説明及び記載は例証的又は例示的であり、限定的でないとみなされる。本発明は開示した実施形態に限定されるものではない。図面、開示及び添付の特許請求の範囲の研究により、当業者及び請求される発明を実施する者であれば、開示した実施形態の他の変形形態を理解し、且つ実施することができる。特許請求の範囲においては、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は複数形を排除するものではない。特定の方策が互いに異なる従属請求項に述べられているという単なる事実は、これら方策の組み合わせを有利に使用できないことを示すものではない。特許請求の範囲におけるいかなる参照符号も範囲を限定するものと解釈されるべきではない。

本発明は、被覆表面の技術分野に関し、例えば、保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器の内部表面に関する。適切な流体の例は、食品、生物学的に活性の化合物又は体液、例えば、製薬材料、血液及び他の多くを含む。本発明は、また、薬剤パッケージ又は他の容器に関し、また、薬剤パッケージ又は他の容器の内側又は内部表面を被覆するための方法に関する。本発明は、また、より全般的には、パッケージ又は容器以外のデバイス、例えば、カテーテルを含む医療デバイスに関する。

本開示は、また、薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、製剤保管及び送達、静脈穿刺及び他の医療試料採集並びに他の目的のために使用される複数の同一薬剤パッケージ又は他の容器を加工するための改良された方法に関する。このような薬剤パッケージ又は他の容器はこれら目的において多数が使用されるため、製造が比較的経済的でなければならないが、保管及び使用においても非常に信頼性の高いものでなければならない。

保管又は他の流体との接触用の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、バイアル及びプレフィルドシリンジの製造における重要なことの１つは、薬剤パッケージ又は他の容器の内容が望ましくは相当な保管寿命を有することである。この保管寿命の間、薬剤パッケージ又は他の容器に充填された物質を酸素などの大気ガスから分離することが重要である。また、そのような物質を、それを含む容器壁から、又は薬剤パッケージ又は他の容器壁に塗布されたバリア皮膜又は層、又は他の機能層から分離し、薬剤パッケージ又は他の容器壁、バリア皮膜又は層、又は他の機能層から充填済み内容に、又はその逆に物質が浸出することを回避することも重要となりうる。

これら薬剤パッケージ又は他の容器の多くは安価であり大量に使用されることから、特定用途においては、製造コストを極端に高い水準まで増加させることなく必要な保管寿命を確実に得るのに有用となろう。

本発明の非限定的な態様は、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を含む容器である。壁は、壁と打ちこうとの間に、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は沿うと、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３である、ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜又は層と、を支持する。ｐＨ保護皮膜又は層は、内腔に面する内部表面と、複合バリア皮膜又は層の内部表面に面する外部表面と、を有する。ｐＨ保護皮膜又は層は容器(総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度)の計算保管寿命を増加させるのに有効である。被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層の保持の程度は少なくとも９０％である。

本開示の一実施形態による、被覆ステーション内の容器保持器の概略断面図である。 図１の断面線Ａ−Ａに沿って切った断面図である。 シリンジバレル及び他の薬剤パッケージ又は他の容器を処理するための、図１に類似する別の実施形態の図である。 図３の処理容器の拡大詳細図である。 薬剤パッケージ又は他の容器を処理するためのアセンブリの概略図である。アセンブリは先行する図のいずれにおいても装置とともに使用可能である。 複合バリア皮膜又は層上に被覆され、更にはＣＯＣ基材上に被覆された本発明による滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層のＴＥＭ画像を示す。 ＣＯＣ基材上に被覆された複合バリア皮膜又は層のＴＥＭ画像を示す。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、滑性層とが設けられ、充填及び閉鎖されて薬剤パッケージを提供するプレフィルドシリンジの組立図である。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、任意選択的に滑性層とが設けられたバイアルの形態の薬剤パッケージの概略図である。 複合バリア層と、ｐＨ保護皮膜又は層とが設けられたブリスタパッケージの形態の薬剤パッケージの概略図である。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）及び非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）における吸光度を示すＦＴＩＲ吸光度スペクトルである。 米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５から加筆されたＦＴＩＲ振幅対波数プロットである。

図面では以下の参照符号を使用する。

定義の項
本発明の文脈においては、以下の定義及び略語を使用する。

ＲＦは高周波である。

用語「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」は、本発明の文脈においては、同用語に続く整数と「等しいかそれを超える（ｅｑｕａｌ ｏｒ ｍｏｒｅ）」ことを意味する。「を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素又はステップを排除するものではなく、また、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は別段の定めがなければ複数形を排除するものではない。パラメータ範囲が示される場合、範囲の限界として提供するパラメータ値及び前記範囲内にあるパラメータの全ての値を開示することを意図する。

例えば、処理ステーション又は処理デバイスに対する「第１」及び「第２」又は類似の言及は、存在する最小数の処理ステーション又はデバイスを意味するものであり、必ずしも処理ステーション及びデバイスの順序又は総数を示すものとは限らない。これら用語は、処理ステーション又は各々のステーションにおいて実施される特定の処理の数を限定するものではない。

明細書及び特許請求の範囲において、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及びキャリアガスの供給量は「標準体積（ｓｔａｎｄａｒｄ ｖｏｌｕｍｅｓ）」で表される場合がある。チャージガス又は他の一定量のガスの標準体積は、（実際の送達温度及び圧力を考慮しない）標準温度及び圧力において占める一定量のガスの体積である。標準体積は異なる体積の単位を使用して測定することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、同じ一定量のガスを、標準立方センチメートルの数値、標準立方メートルの数値、又は標準立方フィートの数値として表すことができる。標準体積もまた異なる標準温度及び圧力を使用して定義することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内とされうる。例えば、標準温度が０℃、標準圧力が７６０Ｔｏｒｒ（従来のまま）である可能性も、標準温度が２０℃、標準圧力が１Ｔｏｒｒである可能性もある。しかし、特定の場合においてどのような標準を使用したとしても、２つ以上の異なるガスの相対体積を特定のパラメータを明示せずに比較する場合、特に明示しない限りは、各ガスに対して同じ体積、標準温度及び標準圧力の単位が使用される。

本明細書においては、ＰＥＣＶＤ前駆体、気体反応物又はプロセスガス及びキャリアガスの対応する供給速度は単位時間あたりの標準体積で表される。例えば、実施例において、流量は標準立方センチメートル／分として表され、ｓｃｃｍと略される。他のパラメータと同様、秒又は時間などの他の時間単位を使用できるが、２つ以上のガスの流量を比較する場合、特に明記されない限りは一貫したパラメータが使用される。

「容器」は、本発明の文脈においては、少なくとも１つの開口部と、内側又は内部表面を画定する壁とを備えた任意の種類の容器とされうる。基材は内腔を有する容器の内側壁とされうる。本発明は特定の容量の薬剤パッケージ又は他の容器に必ずしも限定されるわけではないが、内腔が０．５〜５０ｍＬ、任意選択的に、１〜１０ｍＬ、任意選択的に、０．５〜５ｍＬ、任意選択的に、１〜３ｍＬの空隙容量を有する薬剤パッケージ又は他の容器が企図される。基材表面は、少なくとも１つの開口部及び内側又は内部表面を有する容器の内側又は内部表面の一部又は全てとされうる。

試料管（１つの開口部）又はシリンジバレル（２つの開口部）の開口部のような１つ又は２つの開口部が好適である。容器が２つの開口部を有する場合、それらは同じ又は異なる大きさのものとされうる。１つより多い開口部がある場合、１つの開口部は本発明によるＰＥＣＶＤ被覆方法のガス注入用に使用することができる一方で、もう一方の開口部はキャップが嵌められるか開放されるかのいずれかである。本発明による容器は、例えば、血液又は尿などの生物学的流体を採集又は保管するための試料管、生物学的に活性の化合物又は組成物、例えば、薬剤又は薬剤組成物を保管又は送達するためのシリンジ（又はその一部、例えば、シリンジバレル）、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保管するためのバイアル、管、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を輸送するためのカテーテル、又は流体を保持するための、例えば、生物学的材料又は生物学的に活性の化合物又は組成物を保持するためのキュベットとすることができる。

容器はあらゆる形状のものとすることができ、その開端部の少なくとも１つに隣接する、実質的に円筒状の壁を有する容器が好適である。一般に、例えば、試料管又はシリンジバレル内のように容器の内部壁は円筒状の形状である。試料管及びシリンジ又はそれらの部品（例えば、シリンジバレル）が企図される。

この明細書全体を通して使用されるｗ、ｘ、ｙ、及びｚの値は、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又は本明細書におけるその等価であるＳｉＯ_xＣ_yと同様に、分子中の原子の数又は種類を限定するものではなく、（例えば、皮膜又は層の）比率又は実験式と理解すべきである。例えば、分子組成Ｓｉ₄Ｏ₄Ｃ₈Ｈ₂₄を有するオクタメチルシクロテトラシロキサンは、分子式のｗ、ｘ、ｙ、及びｚそれぞれを最大公約数である４で割ることにより得た以下の実験式、Ｓｉ₁Ｏ₁Ｃ₂Ｈ₆で記載されうる。ｗ、ｘ、ｙ及びｚの値は、また、整数に限定されない。例えば、（非環式）オクタメチルトリシロキサンの分子組成Ｓｉ₃Ｏ₂Ｃ₈Ｈ₂₄はＳｉ₁Ｏ_0.67Ｃ_2.67Ｈ₈に可約である。また、本明細書においては、ＳｉＯ_xＣ_yＨ_zはＳｉＯ_xＣ_yに等しい（すなわち、ｗは１に等しく設定され、水素の量はあるとしても報告されない）。ＳｉＯ_xＣ_yの存在を示すために水素の存在をいかなる比率においても示す必要はない。

本発明による「滑性及び／又はｐＨ保護皮膜」は、下地表面又は層を層に接触する流体組成物から保護する（ｐＨ保護皮膜又は層）（この明細書の別の場所においてより広範に定義される）皮膜又は層である。本滑性及び／又はｐＨ保護皮膜は、任意選択的に、本明細書中に定義される実験組成物Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）による組成物を有しうる。それは、概して、ｗが１、ｘが約０．５〜約２．４、ｙが約０．６〜約３の原子比率Ｓｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）を有する。

原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって特定されうる。ＸＰＳによって測定されないＨ原子を考慮すると、皮膜又は層は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価ＳｉＯ_xＣ_y）を有しても良く、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３、及びｚは約２〜約９である。一般に、そのような皮膜又は層は、したがって、炭素と酸素とケイ素の１００％に正規化した３６％〜４１％の炭素を含む。

ここで、いくつかの実施形態を示す添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で具現化することができ、ここで説明する実施形態に限定されるものと解釈すべきではない。むしろ、これら実施形態は本発明の例であり、特許請求の範囲の文言により示される全範囲を有する。全体にわたり同様の数は同様の要素又は対応する要素を意味する。以下の開示は、特定の実施形態に特に限定されない限りは全実施形態に関連する。

図を参照すると、容器又は方法の任意の実施形態においては、容器は、いくつかの非限定的な例として、任意の構成、例えば、管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０、プレフィルドシリンジ（図８）、カートリッジ、試料管８０、又は真空血液試料管において提供されうる。これらタイプの容器のいずれも本開示においては代わりに容器８０と呼ばれる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、０．２〜５０ｍｌ．、任意選択的に２〜５０ｍｌ．、任意選択的に２〜２０ｍｌ．、任意選択的に２〜６ｍｌ．、任意選択的に３〜５ｍｌ．、任意選択的に０．２５〜２０ｍｌ．、任意選択的に０．５〜５ｍｌ．、任意選択的に１〜２ｍｌ．の定格容積（製造者の報告による、収容及び送達するためにそれが慣例的に使用される流体の最大体積）を有しうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、０．３〜７５ｍｌ．、任意選択的に３〜７５ｍｌ．、任意選択的に３〜３０ｍｌ．、任意選択的に４〜９ｍｌ．、任意選択的に４〜８ｍｌ．、任意選択的に０．４〜３５ｍｌ．、任意選択的に０．８〜９ｍｌ．、任意選択的に１．７〜３．５ｍｌ．の充填容積（栓をした容器８０の、ヘッドスペースを含む全体容積）を有する。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、容器８０は、任意選択的に、内腔２１２を取り囲む熱可塑性プラスチック壁２１４を含む。「熱可塑性プラスチック」は、明示的に、ガラス又は石英材料（その一例はホウケイ酸ガラスである）、有機熱可塑性樹脂、及び樹脂組成物を含むと定義される。壁はｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８を壁と内腔との間において支持する。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される。

容器８０の任意の実施形態においては、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、少なくとも結合段階及び堆積段階において形成されうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、基材は、任意選択的に、ＳｉＯ_x結合段階及び堆積段階前にプラズマによりアブレーションされる。アブレーションにより基材表面を粗化し、プラズマ中の炭素及び水素に加え、皮膜形成に関与する有機物質をプラズマ中に導入する。アブレーションは複合バリア皮膜又は層２８８が結合及び堆積し始め、堆積条件下で容易にアブレーションされない表面が残ると終了すると考えられる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、有機ケイ素単量体、酸化性ガス及びキャリアガスを含むガス供給物からＰＥＣＶＤによって形成されうる。（本明細書での使用においては、「キャリアガス」には希釈ガスも含まれる。）

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、有機ケイ素単量体は、また、有機シロキサン、有機シラン、有機シロキサザン（ｏｒｇａｎｏｓｉｌｏｘａｚａｎｅ）、有機シラザン又はこれらの２つ以上の組み合わせを含みうる前駆体供給物として公知である。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ガス供給物は、任意選択的に、１〜６個のケイ素原子を有する直鎖又は分岐シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含みうる。複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布されうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、酸化性ガスは二原子酸素、Ｏ₂を含みうる。任意選択的に、酸化性ガスは過酸化水素、Ｈ₂Ｏ₂を含む。任意選択的に、酸化性ガスはオゾン、Ｏ₃を含む。任意選択的に、酸化性ガスは水、Ｈ₂Ｏを含む。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは使用されるか否かのいずれかとされうる。使用される場合、用いられるＰＥＣＶＤ条件下において、キャリアガスは任意選択的に不活性ガスを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的に希ガスを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にヘリウムを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にネオンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にアルゴンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にクリプトンを含む。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、キャリアガスは任意選択的にキセノンを含む。これらガスの任意の２つ以上の混合物もまた用いられうる。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は２．５〜１０とされうる。堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率は０．１〜０．０５とされうる。

本開示によるＰＥＣＶＤに使用されるプラズマは、従来、高周波（ＲＦ）エネルギ又はマイクロ波エネルギの使用により発生させることができる。ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、２０〜４Ｗの初期電力レベル（例えば、ＲＦ電力レベル）及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで形成されうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、初期ＲＦ電力レベルにおける出力密度は、任意選択的に、３〜１Ｗ／ｍｌとされうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、最大ＲＦ電力レベルにおける出力密度は３０〜４Ｗ／ｍｌである。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器の任意の実施形態においては、この明細書に記載されている物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に、少なくとも９５％とされうる。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器８０の任意の実施形態においては、この明細書に記載されている被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に、少なくとも９０％、任意選択的に少なくとも９５％、任意選択的に少なくとも９８％、任意選択的に１００％とされうる。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器の任意の実施形態においては、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８と、壁又は基材との間に界面の存在を示す。界面は、任意選択的に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、少なくとも２モル％のＯ３−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。

管８０、バイアル２２８、ブリスタパッケージ２３０、シリンジ２５２、シリンジバレル２５０又はカートリッジなどの容器８０の任意の実施形態においては、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるために、界面は、任意選択的にＳｉ ２ｐ化学シフトを有する。

別の実施形態は容器８０を作製する方法である。方法の任意の実施形態においては、内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁が提供されうる。ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層２８８が熱可塑性プラスチック壁に塗布される。複合バリア皮膜又は層２８８は壁によって壁と内腔との間に支持される。複合バリア皮膜又は層２８８はＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから塗布される。

容器８０又は方法の任意の実施形態においては、ＲＦ電力レベルは、任意選択的に、パルスされない。これは堆積の始めから終わりまで間断なく印加されることを意味する。別のオプションとして、しかしながら、単一の複合バリア皮膜又は層２８８を単一の容器８０上に堆積する間、ＲＦ電力レベルは定期的にパルスすることもオン及びオフにすることもできる。パルス式ＲＦ電力レベルを使用するこの種の堆積は時としてプラズマインパルス化学気相成長として公知である。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、物品変形／テープ試験法によって測定された、少なくとも９５体積％の、基材上における保持の程度を有しうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、物品変形／テープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に少なくとも９６体積％、任意選択的に少なくとも９７体積％、任意選択的に少なくとも９８体積％、任意選択的に少なくとも９９体積％、任意選択的に１００体積％である。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、物品変形／テープ試験法は、任意選択的に軸方向変形を使用して実施されるが、その代わりに、任意選択的に、直径方向変形を使用して実施されうる。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、少なくとも９０％の基材上における保持の程度を有しうる。被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における複合バリア皮膜又は層２８８の保持の程度は、任意選択的に少なくとも９１体積％、任意選択的に少なくとも９２体積％、任意選択的に少なくとも９３体積％、任意選択的に少なくとも９４体積％、任意選択的に少なくとも９５体積％、任意選択的に少なくとも９６体積％、任意選択的に少なくとも９７体積％、任意選択的に少なくとも９８体積％、任意選択的に少なくとも９９体積％、任意選択的に１００体積％である。任意の実施形態における１つのオプションとして、被覆物品クロススクラッチテープ試験法はＸ字スクラッチパターンを使用して実施されうる。任意の実施形態における別のオプションとして、被覆物品クロススクラッチテープ試験法は矩形のスクラッチパターンを使用して実施されうる。

高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に複合バリア皮膜又は層２８８と、基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として、少なくとも２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも少なくとも１２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも１９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、任意選択的に少なくとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す。容器８０又は方法の任意の実施形態の界面は、任意選択的に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として、多くとも２５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合、あるいは多くとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する。

方法の任意の実施形態においては、複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）を使用して測定した場合、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためにＳｉ ２ｐ化学シフトを有しうる。容器８０又は方法の任意の実施形態においては、高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８と基材との間に、ＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して少なくとも０．２ｅＶのＳｉ２ｐピークの広がりを有する界面の存在を示す。

複合バリア皮膜又は層２８８は、任意選択的に、酸素、二酸化炭素又は他のガスが容器に入ることを防止するため及び／又は製薬材料がパッケージ壁内に又はパッケージ壁を通じて浸出することを防止するため、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）又は他の化学気相成長法によって薬剤パッケージの容器、特に、熱可塑性プラスチックパッケージに堆積せることができる。

本明細書に定義される任意の実施形態の複合バリア皮膜又は層は（特定の例において明記されない限り）任意選択的に、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に示されるＰＥＣＶＤによって塗布される皮膜又は層である。

複合バリア皮膜又は層２８８は、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xを含むか、ｘが１．５〜２．４であるＳｉＯ_xから本質的になり、２〜１０００ｎｍの厚さである。ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は、内腔２１２に面する内部表面２２０と、壁２１４物品表面２５４に面する外部表面２２２と、を有する。複合バリア皮膜又は層２８８は、非被覆容器２５０と比較すると内腔２１２への大気ガスの進入を低減するのに有効である。１つの好適なバリア組成物は、例えば、ｘが２．３のものである。例えば、任意の実施形態の２８８などの複合バリア皮膜又は層は、少なくとも２ｎｍ、又は少なくとも４ｎｍ、又は少なくとも７ｎｍ、又は少なくとも１０ｎｍ、又は少なくとも２０ｎｍ、又は少なくとも３０ｎｍ、又は少なくとも４０ｎｍ、又は少なくとも５０ｎｍ、又は少なくとも１００ｎｍ、又は少なくとも１５０ｎｍ、又は少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも３００ｎｍ、又は少なくとも４００ｎｍ、又は少なくとも５００ｎｍ、又は少なくとも６００ｎｍ、又は少なくとも７００ｎｍ、又は少なくとも８００ｎｍ、又は少なくとも９００ｎｍの厚さで塗布されうる。複合バリア皮膜又は層は、１０００ｎｍ以下、又は多くとも９００ｎｍ、又は多くとも８００ｎｍ、又は多くとも７００ｎｍ、又は多くとも６００ｎｍ、又は多くとも５００ｎｍ、又は多くとも４００ｎｍ、又は多くとも３００ｎｍ、又は多くとも２００ｎｍ、又は多くとも１００ｎｍ、又は多くとも９０ｎｍ、又は多くとも８０ｎｍ、又は多くとも７０ｎｍ、又は多くとも６０ｎｍ、又は多くとも５０ｎｍ、又は多くとも４０ｎｍ、又は多くとも３０ｎｍ、又は多くとも２０ｎｍ、又は多くとも１０ｎｍ、又は多くとも５ｎｍの厚さとされうる。２０〜２００ｎｍ、任意選択的に２０〜３０ｎｍの範囲が考えられる。上に記載した最小厚さのいずれか１つに加え、上に記載した最大厚さの任意の１つに等しい又はそれを超えるものを含む特定の厚さ範囲が特に考えられる。

ＳｉＯ_x又は他の複合バリア皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定することができ、その組成はＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定することができる。本明細書中に記載されるプライマー皮膜又は層は、プラスチック又はガラス製の種々の薬剤パッケージ又は他の容器、例えば、プラスチック管、バイアル及びシリンジに塗布されうる。

充填済み薬剤パッケージ又は他の容器２１０において、複合バリア皮膜又は層２８６が熱可塑性プラスチック壁２１４の内側又は内部表面２２０と流体２１８との間に配置されるように、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層２８８は熱可塑性プラスチック壁２１４にプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって直接的又は間接的に塗布される。

この明細書の別の場所で記載されるように、ここで定義されたＳｉＯｘなどの特定のバリア皮膜又は層は、特に複合バリア皮膜又は層が内容に直に接触する場合、被覆容器の特定の比較的高いｐＨを有する内容による攻撃の結果、６か月未満でバリア改善度が測定可能な程度低下するという特徴を有することが判明した。この課題についてはこの明細書に記載されるｐＨ保護皮膜又は層を使用して対処されうる。

ｐＨ保護皮膜又は層
本発明者は、ＳｉＯ_xの一部のバリア層又は皮膜は一部の流体組成物、例えば、約５を超えるｐＨを有する水性組成物によって浸食又は溶解されることを見出した。化学気相成長によって塗布される皮膜は非常に薄くなりうる（厚さ数十〜数百ナノメートル）ため、比較的遅い速度の浸食であっても製品パッケージの所望の保管寿命よりも短い時間でバリア層の有効性を排除又は低減する可能性がある。これは流体薬剤組成物においては特に問題であるが、その理由は、それらの多くが血液及び他のヒト又は動物の体液のｐＨと同様のおよそ７のｐＨを有するか、より広範には５〜９の範囲内であるためである。製剤のｐＨが高くなるほどそれはＳｉＯ_x皮膜をより急速に侵食又は溶解する。

本発明者は、更に、環状又は非環状シロキサン前駆体から形成された特定のＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜（このｐＨ保護皮膜はかなりの有機成分を有する）は、流体組成物に曝露された場合に急速に侵食せず、実際、流体組成物が５〜９の範囲内におけるより高いｐＨを有する場合にはよりゆっくりと侵食又は溶解することを見出した。例えば、ｐＨ８においては、前駆体オクタメチルシクロテトラシロキサン、すなわちＯＭＣＴＳから作製されたｐＨ保護皮膜の溶解速度は非常に遅い。したがって、これらＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜を、ＳｉＯ_xのバリア層を被覆するために使用することができ、それを薬剤パッケージ内の流体組成物から保護することによってバリア層の利点を保持する。

本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、効果的なＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜の材料特性と、米国特許第７，９８５，１８８号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている効果的な滑性層の材料特性は場合によっては類似するため、本明細書の特定実施例、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は国際出願ＰＣＴ／ＵＳ１１／３６０９７号明細書に記載されている滑性層の特性を有する皮膜は、また、特定の場合においては、パッケージのバリア層を保護するため、及びその逆のための機能する並びにｐＨ保護皮膜と考えられる。

ここで企図される１つの特定のタイプの滑性及び／又はｐＨ保護皮膜は、本開示に記載される１つ又は複数の環状シロキサン及びシラザンから作製される。本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、直鎖シロキサン前駆体又は直鎖シラザン前駆体、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）から堆積させたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、かなりの量の本来の前駆体断片及び少量の有機成分を含有すると考えられる。このようなＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜はわずかな水混和性又は膨潤性を有するため、それらへの水溶液による攻撃を可能にする。環状シロキサン前駆体又は直鎖シラザン前駆体、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から堆積させたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、より完全な（ｉｎｔａｃｔ）環式シロキサン環及び前駆体構造の繰り返し単位のより長い列を含むと考えられる。これら皮膜は、ナノ多孔性であるが構造化されており且つ疎水性であると考えられ、また、これら特性はそれらのｐＨ保護皮膜としての成功に寄与すると考えられる。これは、例えば、米国特許第７，９０１，７８３号明細書に示されている。

任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、それぞれ前に定義した、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）からなりうる、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）を含みうる、又はＳｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）又はＳｉ_wＮ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＮ_xＣ_y）から本質的になりうる。Ｓｉ：Ｏ：Ｃ又はＳｉ：Ｎ：Ｃの原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって特定されうる。Ｈ原子を考慮すると、ｐＨ保護皮膜又は層は、したがって、一態様においては、例えば、式Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yを有してもよく、式中、ｗは１、ｘは約０．５〜約２．４、ｙは約０．６〜約３、及びｚは約２〜約９である。

あるいは、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定される、炭素、酸素及びケイ素の１００％に正規化した炭素５０％未満及びケイ素２５％超の原子濃度を有しうる。あるいは、原子濃度は炭素２５〜４５％、ケイ素２５〜６５％、及び酸素１０〜３５％である。あるいは、原子濃度は、炭素３０〜４０％、ケイ素３２〜５２％及び酸素２０〜２７％である。あるいは、原子濃度は炭素３３〜３７％、ケイ素３７〜４７％及び酸素２２〜２６％である。ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍ；あるいは１００ｎｍ〜７００ｎｍ；あるいは３００ｎｍ〜６００ｎｍとされうる。

別のオプションとして、有機ケイ素前駆体の合計式と比較して原子比率Ｃ：Ｏが増加されうる及び／又は原子比率Ｓｉ：Ｏが低減されうる合計式を特徴としうるｐＨ保護皮膜又は層が考えられる。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、一般に、完成物品において、複合バリア皮膜又は層２８８と、流体２１８との間に配置されている。ｐＨ保護皮膜又は層２８６は熱可塑性プラスチック壁２１４によって支持されている。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、任意選択的に、複合バリア皮膜又は層２８８を、流体２１８による攻撃の結果、少なくとも６か月の期間少なくとも実質的に溶解しない状態に維持するのに有効である。

ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ）によって特定される、１．２５〜１．６５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．３５〜１．５５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４〜１．５ｇ／ｃｍ³、あるいは１．４４〜１．４８ｇ／ｃｍ³の密度を有しうる。任意選択的に、有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサンとすることができ、ｐＨ保護皮膜又は層は同じＰＥＣＶＤ反応条件下で有機ケイ素化合物としてＨＭＤＳＯから作製されたｐＨ保護皮膜又は層の密度よりも高くされうる密度を有しうる。

ｐＨ保護皮膜又は層は、任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層に接触する化合物又は組成物の成分の沈殿を防止又は低減することができ、特に、非被覆表面及び／又はＨＭＤＳＯを前駆体として使用したバリア被覆表面と比較してインスリン沈殿又は血液凝固を防止又は低減しうる。

不動態化層又はｐＨ保護皮膜又は層２８６は、任意選択的に、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定された０．４未満のＯパラメータを示し、Ｏパラメータは以下のように測定される。

Ｏパラメータは、最も広くは０．４〜０．９のＯパラメータ値を請求する米国特許第８，０６７，０７０号明細書において定義される。図２２に示すように、Ｏパラメータは、ＦＴＩＲ振幅対波数プロットを物理的に分析し、上記式の分子及び分母を見出すことから測定されうる。図２２は、波数及び吸光度スケールを補間し、１２５３ｃｍ^-1における０．０４２４の吸光度及び１０００〜１１００ｃｍ^-1における０．０８の最大吸光度を得、計算されたＯパラメータの０．５３を得たことを示すことが注釈されること以外は米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５と同じである。Ｏパラメータは、また、デジタル波数対吸光度データから測定されうる。

米国特許第８，０６７，０７０号明細書では、双方がともに非環状シロキサンであるＨＭＤＳＯ及びＨＭＤＳＮのみによる実験に依拠し、その請求されるＯパラメータ範囲が優れたｐＨ保護皮膜又は層を提供すると主張する。驚くべきことに、本発明者は、ＰＥＣＶＤ前駆体が環状シロキサン、例えば、ＯＭＣＴＳである場合、ＯＭＣＴＳを使用した米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外のＯパラメータが、米国特許第８，０６７，０７０号明細書においてＨＭＤＳＯを用いて得られるものよりも良好な結果を提供することを見出した。

あるいは図１９〜２１の実施形態においては、Ｏパラメータは、０．１〜０．３９、又は０．１５〜０．３７、又は０．１７〜０．３５の値を有する。

流体２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜又は層２８６の侵食、溶解又は浸出（関連する概念の異なる名称）の速度は、流体２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、薬剤パッケージ又は他の容器２１０の保管寿命の間、少なくとも、バリア皮膜がバリアとして機能することを可能にするほど十分な時間、流体２１８を複合バリア皮膜又は層２８８から分離するのに有効である。

本発明者は、更に、環式ポリシロキサン前駆体から形成されたＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yの特定のｐＨ保護皮膜又は層（このｐＨ保護皮膜又は層はかなりの有機成分を有する）は、流体に曝露された場合に急速に侵食せず、実際には、流体が５〜９の範囲内のより高いｐＨを有する場合によりゆっくりと侵食又は溶解することを見出した。例えば、ｐＨ８においては、前駆体オクタメチルシクロテトラシロキサン、すなわちＯＭＣＴＳから作製されたｐＨ保護皮膜又は層の溶解速度は非常に遅い。ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのこれらｐＨ保護皮膜又は層は、したがって、ＳｉＯｘのバリア層を被覆するために使用することができ、それを薬剤パッケージ内の流体から保護することによってバリア層の利点を保持する。ＳｉＯｘ層を容器内に保管された内容から保護するためｐＨ保護層はＳｉＯｘ層の少なくとも一部の上に塗布されるが、そうでなければ内容はＳｉＯｘ層に接触するであろう。

本発明は以下の理論の精度に依存するものではないが、更に、この開示に記載されるように、侵食を回避するのに有効なｐＨ保護皮膜又は層は環状シロキサン類及びシラザンから作製されうると考えられる。環状シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から堆積されるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、完全な（ｉｎｔａｃｔ）環状シロキサン環及び前駆体構造の繰り返し単位のより長い列を含むと考えられる。これら皮膜はナノ多孔性であるが構造化されており且つ疎水性であると考えられ、また、これら特性はそれらのｐＨ保護皮膜又は層としての成功に寄与すると考えられる。これは、例えば、米国特許第７，９０１，７８３号明細書に示されている。

ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_y皮膜は、また、直鎖シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）又はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）から堆積されうる。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６のＦＴＩＲ吸光度スペクトルは、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える比率を有する。あるいは、任意の実施形態においては、この比率は、多くとも１．７とされうる。本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最小比率はここで記載した任意の最大比率と組み合わせることができる。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、注射用水で希釈され、濃縮硝酸でｐＨ８に調整され、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有し（溶解試薬の変化を回避するために薬剤のない状態で測定した）、４０℃である５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満とされうる。（ポリソルベート８０は、例えば、Ｔｗｅｅｎ（登録商標）−８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能な一般的な製剤の原料である。）

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、ケイ素溶解速度は、１６０ｐｐｂ／日未満、又は１４０ｐｐｂ／日未満、又は１２０ｐｐｂ／日未満、又は１００ｐｐｂ／日未満、又は９０ｐｐｂ／日未満、又は８０ｐｐｂ／日未満である。任意選択的に、任意の実施形態においては、ケイ素溶解速度は、１０ｐｐｂ／日超、又は２０ｐｐｂ／日超、又は３０ｐｐｂ／日超、又は４０ｐｐｂ／日超、又は５０ｐｐｂ／日超、又は６０ｐｐｂ／日超である。任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、ここで記載した任意の最低速度はここで記載した任意の最大速度と組み合わせることができる。

任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６においては、容器から８のｐＨを有する試験組成物への溶解時のｐＨ保護皮膜又は層及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、又は６０ｐｐｍ未満、又は５０ｐｐｍ未満、又は４０ｐｐｍ未満、又は３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満である。

本発明者は、ここで記載したｐＨ保護皮膜又は層の動作理論を以下に記載する。本発明は、この理論の精度にもこの理論の使用によって予測可能な実施形態にも限定されるものではない。

ＳｉＯｘバリア層の溶解速度は層内のＳｉＯ結合に依存すると考えられる。酸素結合部位（シラノール）が溶解速度を増加させると考えられる。

ＯＭＣＴＳベースのｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯｘバリア層のシラノール部位と結合してＳｉＯｘ表面を「治癒」又は不動態化するため、溶解速度を大幅に低減すると考えられる。この仮説においては、ＯＭＣＴＳ層の厚さは保護の主要手段ではなく、主要手段はＳｉＯｘ表面の不動態化である。この明細書に記載されるように、ｐＨ保護皮膜又は層はｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度を増加させることにより改良されうると考えられる。

薬剤パッケージ
多くの共通の特徴を有する本発明の３つの実施形態は図８〜１０の実施形態である。それら共通の特徴のいくつかは以下の通りであり、多くの場合、共通の参照符号又は名称によって示される。各実施形態の特徴の性質は本明細書に後述する通りとされうる。

図８〜１０の薬剤パッケージ２１０は、それぞれ、容器と、流体組成物２１８と、複合バリア皮膜又は層２８８（あるいは、結合皮膜又は層プラス複合バリア皮膜又は層と記載される）と、ｐＨ保護皮膜２８６と、を含む。容器２５０は、少なくとも一部が熱可塑性プラスチック材料製の壁２１４によって画定される内腔２１２を有する。

壁２１４は、内腔２１２に面する内部表面２５４と、外部表面２１６とを有する。

流体組成物２１８は内腔２１２内に収容されており、５〜９のｐＨを有する。

流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食の速度は流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜２８６は流体組成物２１８を複合バリア皮膜又は層２８８から分離するのに有効である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれも、容器２５０の壁２１４の少なくとも一部が、ポリマー、例えば、ポリオレフィン（例えば、環式オレフィン重合体、環式オレフィン共重合体又はポリプロピレン）、ポリエステル、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、又はこれらのいずれかの任意の組み合わせ又は共重合体を含む／から本質的になるという共通の特徴を有する。

任意選択的に、図８の実施形態においては、容器２５０はシリンジバレル２５０を含む。

任意選択的に、図９の実施形態においては、容器２５０はバイアルを含む。

任意選択的に、図１０の実施形態においては、容器２５０はブリスタパッケージを含む。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、５〜９のｐＨを有する。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、２０℃であり、７６０ｍｍＨｇの圧力と定義される海面大気圧の液体である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は水性の液体である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、８のｐＨを有する流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食の速度は、同じ条件下で同じ流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度の２０％未満、任意選択的に１５％未満、任意選択的に１０％未満、任意選択的に７％未満、任意選択的に５％〜２０％、任意選択的に５％〜１５％、任意選択的に５％〜１０％、任意選択的に５％〜７％である。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、ｐＨ保護皮膜２８６は複合バリア皮膜又は層２８８と少なくとも同一領域を占める。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、薬剤パッケージ２１０は薬剤パッケージ２１０の組立後、少なくとも１年、あるいは少なくとも２年の保管寿命を有しうる。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、保管寿命は、３℃で測定される。

任意選択的に、図８〜１０の実施形態のいずれにおいても、流体組成物２１８は、流体組成物２１８との接触の４４時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年２００ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の８８時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年１００ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の１７５時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年５０ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の２５０時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年３５ｎｍ）、あるいは、流体組成物２１８との接触の３５０時間あたりに滑性及び／又はｐＨ保護皮膜厚さの１ｎｍ以下（毎年２５ｎｍ）の速度でｐＨ保護皮膜２８６を除去する。ｐＨ保護皮膜の剥離の速度は既知の期間流体組成物に曝露させた試料のＴＥＭにより特定されうる。

流体組成物
任意選択的に、図８〜１０のいずれかの実施形態においては、流体組成物２１８は、
吸入麻酔薬
アリフルラン；クロロホルム；シクロプロパン；
デスフルラン（Ｓｕｐｒａｎｅ）；ジエチルエーテル；エンフルラン（Ｅｔｈｒａｎｅ）；塩化エチル；エチレン；ハロタン（Ｆｌｕｏｔｈａｎｅ）；イソフルラン（Ｆｏｒａｎｅ、Ｉｓｏｆｌｏ）；イソプロペニルビニルエーテル；メトキシフルラン；メトキシプロパン；亜酸化窒素；ロフルラン；セボフルラン（Ｓｅｖｏｒａｎｅ、Ｕｌｔａｎｅ、Ｓｅｖｏｆｌｏ）；テフルラン；トリクロロエチレン；ビニルエーテル；キセノン；
注射剤
Ａｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）；アバレリックスデポ；アボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）；ＡＢＴ−２６３；ＡＢＴ−８６９；ＡＢＸ−ＥＦＧ；Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）；Ａｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）；アセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）；アセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）；アクテムラ（トシリズマブ注射薬）；Ａｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート）；Ａｃｔｕｍｍｕｎｅ；アクチバーゼ；注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）；Ａｄａｃｅｌ；アダリムマブ；アデノスキャン（アデノシン注射薬）；アデノシン注射薬（アデノスキャン）；Ａｄｒｅｎａｃｌｉｃｋ；ＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬）；Ａｆｌｕｒｉａ；Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）；アウドラザイム（ラロニダーゼ）；アルグルセラーゼ注射薬（セレデース）；アルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）；アロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）；Ａｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）；アルプロスタジル；Ａｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）；ＡＬＴＵ−２３８；アミノ酸注射薬；Ａｍｉｎｏｓｙｎ；アピドラ；アプレミラストアルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）；ＡＭＧ００９；ＡＭＧ０７６；ＡＭＧ１０２；ＡＭＧ１０８；ＡＭＧ１１４；ＡＭＧ１６２；ＡＭＧ２２０；ＡＭＧ２２１；ＡＭＧ２２２；ＡＭＧ２２３；ＡＭＧ３１７；ＡＭＧ３７９；ＡＭＧ３８６；ＡＭＧ４０３；ＡＭＧ４７７；ＡＭＧ４７９；ＡＭＧ５１７；ＡＭＧ５３１；ＡＭＧ５５７；ＡＭＧ６２３；ＡＭＧ６５５；ＡＭＧ７０６；ＡＭＧ７１４；ＡＭＧ７４５；ＡＭＧ７８５；ＡＭＧ８１１；ＡＭＧ８２７；ＡＭＧ８３７；ＡＭＧ８５３；ＡＭＧ９５１；アミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）；アモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）；アミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）；アナキンラ；Ａｎｔｉ−Ａｂｅｔａ；Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ７；Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ２０；Ａｎｔｉ−ＣＤ４；Ａｎｔｉ−ＣＤ２０；Ａｎｔｉ−ＣＤ４０；Ａｎｔｉ−ＩＦＮａｌｐｈａ；Ａｎｔｉ−ＩＬ１３；Ａｎｔｉ−ＯＸ４０Ｌ；Ａｎｔｉ−ｏｘＬＤＳ；Ａｎｔｉ−ＮＧＦ；Ａｎｔｉ−ＮＲＰ１；アリクストラ；Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）；Ａｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）；Ａｎａｐｒｏｘ；アンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）；アピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ａｐｏｍａｂ；Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）；アルガトロバン（アルガトロバン注射薬）；塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ１０；アリストコート；アリストスパン；三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）；アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）；アーゼラ（オファツムマブ注射薬）；Ａｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）；アタルレン；アタルレン−ＤＭＤ；アテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）；ベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）；アバスチン；アザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）；アジスロマイシン（ジスロマック注射薬）；アズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）；バクロフェン注射薬（リオレサール髄注（Ｉｎｔｒａｔｈｅｃａｌ））；静菌水（注射用静菌水）；バクロフェン注射薬（リオレサール髄注）；Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）；ＢａｙＨｅｐＢ；ＢａｙＴｅｔ；ベナドリル；塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）；メシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）；ベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）；ベキサール；バイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧロカイン注射薬）；ブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）；ブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）；ボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）；ボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）；ＢＲ３−ＦＣ；Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）；ブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）；ブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）；Ｂｒｅｔｈｉｎｅ；Ｂｒｉｏｂａｃｅｐｔ；ＢＴＴ−１０２３；ブピバカインＨＣｌ；バイエッタ；Ｃａ−ＤＴＰＡ（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）；カバジタキセル注射薬（ジェブタナ）；カフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）；カルシジェックス注射薬（カルシトリオール）；カルシトリオール（カルシジェックス注射薬）；塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）；カルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）；キャンパス（アルテムツズマブ（Ａｌｔｅｍｔｕｚｕｍａｂ））；Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）；カナキヌマブ注射薬（イラリス）；カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（カプレオマイシン注射用）；カプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））；カーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））；カーティセル；Ｃａｔｈｆｌｏ；注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）；セフェピム塩酸塩；セフォタキシム；セフトリアキソン；セレザイム；Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬；Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ；Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ；Ｃｅｌｓｉｏｒ；Ｃｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）；セレデース（アルグルセラーゼ注射薬）；Ｃｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）；セルトリズマブ；ＣＦ−１０１；クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）；クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）；コレスタゲル（コレセベラムＨＣＬ）；絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）；シムジア；シスプラチン（シスプラチン注射薬）；クロラール（クロファラビン注射薬）；クエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）；クロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）；コゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）；コリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）；Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）；Ｃｏｍｐａｔｈ；コニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）；注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）；コパキソン；注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート（Ａｃｔｈｒｅｌ）；コルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）；キュビシン（ダプトマイシン注射薬）；ＣＦ−１０１；Ｃｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）；シタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）；シアノコバラミン；サイトベン（ガンシクロビル）；Ｄ．Ｈ．Ｅ．４５；ダセツズマブ；ダコゲン（デシタビン注射薬）；ダルテパリン；ダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）；注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）；ダプトマイシン注射薬（キュビシン）；ダルベポエチンアルファ；ＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）；Ｄｅｃａｖａｘ；デシタビン注射薬（ダコゲン）；無水アルコール（無水アルコール注射薬）；デノスマブ注射薬（プロリア）；デラテストリル；デルエストロゲン；デルテパリンナトリウム（Ｄｅｌｔｅｐａｒｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ）；Ｄｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）；デポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）；デポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）；デポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）；デスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）；デポエストラジオール；デポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌ；デポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌ；デポテストステロン；注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）；ブドウ糖／電解質；ブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）；ブドウ糖；ジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）；ジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）；ジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）；ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）；ジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）；ジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）；ＤＭＯＡＤ；ドセタクセル注射用（タキソテール）；メシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）；ドリバックス（ドリペネム注射用）；ドリペネム注射用（ドリバックス）；ドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）；ドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）；ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）；Ｄｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）；Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）；Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）；エカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）；ＥＣ−ナプロシン（ナプロキセン）；エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）；Ｅｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）；Ｅｎｇｅｒｉｘ；エドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）；エリグルスタットターテート（Ｅｌｉｇｌｕｓｔａｔ Ｔａｒｔａｔｅ）；エロキサチン（オキサリプラチン注射薬）；イメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）；エナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）；Ｅｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）；エノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）；エオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）；エンブレル（エタネルセプト）；エノキサパリン；Ｅｐｉｃｅｌ；エピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）；エピペン；エピペンＪｒ．；エピラツズマブ；アービタックス；エルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）；エリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）；必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）；エストラジオールシピオネート；吉草酸エストラジオール；エタネルセプト；エキセナチド注射薬（バイエッタ）；エブロトラ（Ｅｖｌｏｔｒａ）；ファブラザイム（アダルシダーゼベータ（Ａｄａｌｓｉｄａｓｅ ｂｅｔａ））；ファモチジン注射薬；ＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）；フェラヘム（フェルモキシトール注射薬）；フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）；Ｆｅｒｔｉｎｅｘ；フェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）；フェルモキシトール注射薬（フェラヘム）；フラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）；Ｆｌｕａｒｉｘ；フルダラ（リン酸フルダラビン）；フルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）；フルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）；フォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）；フォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）；フォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）；フォロチン（プララトレキサート溶液静注用）；フォンダパリヌクス；フォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）；Ｆｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂ；フォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）；ホスフェニトインナトリウム注射薬（ホスカビル）；ホスカビル（ホスフェニトインナトリウム注射薬）；ホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）；ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）；フラグミン；フゼオン（エンフビルチド）；ＧＡ１０１；ガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）；ガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）；ガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）；カドベルセタ
ミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）；ガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）；ガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）；ガーダシル；ＧＣ１００８；ＧＤＦＤ；注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）；ジェノトロピン；ゲンタマイシン注射薬；ＧＥＮＺ−１１２６３８；ゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）；ゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）；グラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）；ゲンタマイシン硫酸塩；グラチラマー酢酸塩；Ｇｌｕｃａｇｅｎ；グルカゴン；ＨＡＥ１；Ｈａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）；Ｈａｖｒｉｘ；Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬（ドキセルカルシフェロール注射薬）；ヘッジホッグ経路阻害薬；へパリン；ハーセプチン；ｈＧ−ＣＳＦ；ヒューマログ；ヒト成長ホルモン；ヒューマトロープ；ＨｕＭａｘ；ヒュメゴン；ヒュミラ；ヒューマリン；イバンドロネートナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）；イブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）；フマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）；イダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）；イダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）；イラリス（カナキヌマブ注射薬）；注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）；イミトレックス；インコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）；Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；インダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）；インドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）；Ｉｎｆａｎｒｉｘ；イノヘップ；インスリン；インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）；インスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）；インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）；インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）；イントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）；Ｉｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）；Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）；インビラーゼ（サキナビルメシル酸塩）；ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）；イオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）；イオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）；Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ｉｐｒｉｖａｓｋ；イリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）；含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）；Ｉｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）；イトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）；ジェブタナ（カバジタキセル注射薬）；Ｊｏｎｅｘａ；Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）；ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）；ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗ；ＫＣＬ ｉｎ ＮＳ；ケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；ケピバンス（パリフェルミン）；ケプラ注射薬（レベチラセタム）；ケラチノサイト；ＫＦＧ；キナーゼ阻害薬；Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）；Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）；Ｋｉｎｒｉｘ；クロノピン（クロナゼパム）；カイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）；ラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）；乳酸リンゲル液；ラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）；ランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）；ランタス；ロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）；レンテ（Ｌ）；レプチン；レベミル；リューカインサルグラモスチム（Ｌｅｕｋｉｎｅ Ｓａｒｇｒａｍｏｓｔｉｍ）；ロイプロリド酢酸塩；レボチロキシン；レベチラセタム（ケプラ注射薬）；ラブノックス；レボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）；レキスキャン（レガデノソン注射薬）；リオレサール髄注（バクロフェン注射薬）；リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）；ラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）；ルセンティス（ラニビズマブ注射薬）；Ｌｕｍｉｚｙｍｅ；ルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）；Ｌｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）；Ｍａｃｉ；マグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）；マンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）；マーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）；マキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）；テクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）；メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）；メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）；メルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）；メトトレキサート；メナクトラ；Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）；メノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）；メトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）；メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）；メチレンブルー（メチレンブルー注射薬）；酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）；ＭｅｔＭａｂ；メトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）；Ｍｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）；メトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）；Ｍｉａｃａｌｃｉｎ；ミダゾラム（ミダゾラム注射薬）；ミンパラ（シナカレト（Ｃｉｎａｃａｌｅｔ））；ミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）；ミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）；ミポメルセン；ミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）；モルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）；モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）；モルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）；モテサニブ；モゾビル（プレリキサフォル注射薬）；Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）；多電解質及びブドウ糖注射薬；多電解質注射薬；マイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）；マイオザイム（アルグルコシダーゼアルファ）；ナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）；ナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）；ナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）；ナプロシン（ナプロキセン）；ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）；ナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）；ネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）；ＮＥＯ−ＧＡＡ；ＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）；Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）；Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）；Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）；ノボリン；Ｎｏｖｏｌｏｇ；ＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎ；Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）；ＮＰＨ（Ｎ）；Ｎｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）；ノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）；生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）；ノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）；ノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）；ＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）；ニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）；ニュートロピンＡＱ；ニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）；オクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）；オクレリズマブ；オファツムマブ注射薬（アーゼラ）；徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）；Ｏｍｎｉｔａｒｇ；Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；オンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）；ＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）；オプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）；オレンシア；Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック容器）；Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）；オステオプロテグリン（Ｏｓｔｅｏｐｒｏｔｅｇｒｉｎ）；Ｏｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）；オキサシリン（オキサシリン注射用）；オキサリプラチン注射薬（エロキサチン）；オキシトシン注射薬（ピトシン）；パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）；パミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）；パニツムマブ静注用（ベクティビックス）；パパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）；パパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）；副甲状腺ホルモン；パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）；ＰＡＲＰ阻害薬；Ｐｅｄｉａｒｉｘ；ペグイントロン；ペグインターフェロン；ペグフィルグラスチム；ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン；ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ＤＴＰＡ）；ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）；ペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）；Ｐｅｒｇｏｎａｌ；ペルツズマブ；フェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）；サリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））；サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）；ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）；ピトシン（オキシトシン注射薬）；Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）；Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）；ＰｌａｓｍａＬｙｔｅ；プレリキサフォル注射薬（モゾビル）；ポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）；塩化カリウム；プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）；酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）；プレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）；注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）；プレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）；プリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）；Ｐｒｏｃｈｙｍａｌ；プロクリット；黄体ホルモン；プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）；プロリア（デノスマブ注射薬）；プロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）；プロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）；グルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）；キニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）；Ｒ−Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）；ラニビズマブ注射薬（ルセンティス）；ラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）；ラプティバ；リクラスト（ゾレドロン酸注射薬）；Ｒｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢ；レガデノソン注射薬（レキスキャン）；Ｒｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）；レミケード；レナジェル；Ｒｅｎｖｅｌａ（炭酸セベラマー）；Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）；レトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）；ｒｈＡｐｏ２Ｌ／ＴＲＡＩＬ；リンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））；リンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）；リツキサン；リツキシマブ；ロセフィン（セフトリアキソン）；ロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）；Ｒｏｆｅｒｏｎ−Ａ（インターフェロンアルファ−２ａ）；Ｒｏｍａｚｉｃｏｎ（フルマゼニル）；ロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）；サイゼン（ソマトロピン注射薬）；サンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）；スクレロスチンＡｂ；Ｓｅｎｓｉｐａｒ（シナカルセト）；Ｓｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣｌ注射薬）；Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）；Ｓｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）；シンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）；ナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）；炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム
５％注射薬）；乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）；フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）；ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）；スポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）；ステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）；Ｓｔｅｍｇｅｎ；Ｓｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）；クエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）；Ｓｕｍａｖｅｌ；スマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）；Ｓｙｍｌｉｎ；Ｓｙｍｌｉｎ Ｐｅｎ；全身用ヘッジホッグ（Ｓｙｓｔｅｍｉｃ Ｈｅｄｇｅｈｏｇ）拮抗薬；Ｓｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）；タルセバ；タキソテール（ドセタクセル注射用）；テクネチウムＴｃ９９ｍ；テラバンシン注射用（ヴィバティブ）；テムシロリムス注射薬（トーリセル）；テノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）；テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）；テストステロンシピオネート；テストステロンエナント酸エステル；テストステロンプロピオン酸エステル；Ｔｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）；ｔｇＡＡＣ９４；塩化タリウム；テオフィリン；チオテパ（チオテパ注射薬）；サイモグロブリン（抗胸腺細胞免疫グロブリン（ウサギ）；タイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）；チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）；Ｔｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））；チメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））；ＴＮＫａｓｅ；トブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）；トシリズマブ注射薬（アクテムラ）；トーリセル（テムシロリムス注射薬）；Ｔｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）；トラスツズマブ−ＤＭ１；Ｔｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））；トレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）；トレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）；トリアムシノロンアセトニド；酢酸トリアムシノロン；トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）；Ｔｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）；グルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）；トリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）；Ｔｗｉｎｊｅｃｔ；Ｔｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；トリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）；Ｔｗｉｎｒｉｘ；腸チフスＶｉ；Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）；ウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）；ウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）；ウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）；ウルトラレンテ（Ｕ）；バリウム（ジアゼパム）；バルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）；Ｖａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）；バルプロ酸ナトリウム（バルプロ酸ナトリウム注射薬）；バルプロ酸ナトリウム注射薬（バルプロ酸ナトリウム）；バプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）；ＶＡＱＴＡ；バソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）；ベクティビックス（パニツムマブ静注用）；ヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）；ベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）；ヴィバティブ（テラバンシン注射用）；ビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）；ビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）；ビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）；Ｖｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）；ビクトーザ；ビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）；ビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）；ビタミンＢ−１２；ビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）；ボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）；ゼローダ；ゼニカル（オルリスタット）；Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）；ゾレア；ザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）；Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）；Ｚｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）；ゼナパックス（ダクリズマブ）；ゼバリン；ジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）；ジスロマック注射薬（アジスロマイシン）；Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）；ゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）；Ｚｉｎｇｏ；ゾレドロン酸注射用（ゾメタ）；ゾレドロン酸注射薬（リクラスト）；ゾメタ（ゾレドロン酸注射用）；ゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）；Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）
液剤（非注射型）
エビリファイ；ＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）；Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）；薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）；アドベア；Ａｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）；Ａｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）；Ａｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）；アルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）；アルブテロール硫酸塩吸入液；Ａｌｉｎｉａ；Ａｌｏｃｒｉｌ；アルファガン；Ａｌｒｅｘ；オルベスコ；アンプレナビル経口液；Ａｎａｌｐｒａｍ−ＨＣ；アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）；アリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）；アサコール；アズマネックス；Ａｓｔｅｐｒｏ；Ａｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）；アトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）；アトロベント鼻用スプレー．０６；オーグメンチンＥＳ−６００；Ａｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）；アゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）；アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）；Ａｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）；エイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）；静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）；平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）；ベポタスチン；バクトロバン鼻腔用；バクトロバン；Ｂｅｃｌｏｖｅｎｔ；Ｂｅｎｚａｃ Ｗ；Ｂｅｔｉｍｏｌ；ベトプティックエス；Ｂｅｐｒｅｖｅ；ビマトプロスト点眼液；Ｂｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）；ブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）；ブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）；Ｂｒｏｍｈｉｓｔ；Ｂｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）；ブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）；Ｃａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）；Ｃａｐｅｘ；Ｃａｒａｃ；Ｃａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥ；Ｃａｒｎｉｔｏｒ；Ｃａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）；セルセプト；Ｃｅｎｔａｎｙ；Ｃｅｒｕｍｅｎｅｘ；Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）；Ｃｉｐｒｏｄｅｘ；シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）；クレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）；ＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）；Ｃｏｍｂｉｖｅｎ；コムタン；Ｃｏｎｄｙｌｏｘ；Ｃｏｒｄｒａｎ；Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液；Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液；クロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）；クロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）；電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）；Ｃｕｔｉｖａｔｅ；Ｃｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）；シアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）；サイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）；サイクロジル；Ｃｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；ＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））；デスモプレシン酢酸塩鼻用スプレー；ＤＤＡＶＰ；Ｄｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳ；デキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌ；ダイアニール低カルシウム；ダイアニールＰＤ；ジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）；ジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）；ディフェリン；ディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）；Ｄｉｔｒｏｐａｎ；ドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）；ドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）；ドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）；ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）；Ｅｆｕｄｅｘ；エラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）；Ｅｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）；Ｅｌｏｃｏｎ；エピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）；エピビルＨＢＶ；Ｅｐｏｇｅｎ（エポエチンアルファ）；エリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）；Ｅｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）；エトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）；オイラックス；Ｅｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）；Ｆｅｌｂａｔｏｌ；フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）；Ｆｌｏｖｅｎｔ；Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）；Ｆｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）；Ｆｌｕｏｒｏｐｌｅｘ；フルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）；フルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）；フルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）；ＦＭＬ；Ｆｏｒａｄｉｌ；フマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）；フォサマックス；フラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）；フロキソン；ガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）；ガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）；ガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）；Ｇｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）；グリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）；ハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）；Ｈａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）；ＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）；ヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０；ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）；酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）；ヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）；ＩＡＰ拮抗薬；Ｉｓｏｐｔｏ；臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）；イトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）；ケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）；カレトラ；ラノキシン；レクシヴァ；ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）；レボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）；レボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）；レボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）；リドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）；Ｌｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）；ロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌ；Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）；Ｌｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）；エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）；低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）；ルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）；ルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）；メゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）；ＭＥＫ阻害薬；Ｍｅｐｒｏｎ；Ｍｅｓｎｅｘ；メスチノン；メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）；Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）；ＭｅｔＭａｂ；メチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）；Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）；酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）；メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）；コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）；メチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）；Ｍｉｇｒａｎａｌ；Ｍｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）；ミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）；ナサコート；ネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾン；ネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）；ネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）；ニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）；Ｎｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）；ニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）；ニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））；Ｏｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）；オフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）；オフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）；オロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）；Ｏｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）；Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）；パタノール；Ｐｅｄｉａｐｒｅｄ；ＰｅｒｉｏＧａｒｄ；フェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）；Ｐｈｉｓｏｈｅｘ；ポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）；塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）；Ｐａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）；Ｐａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）；ＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）；ペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）；Ｐｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）；ＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）；Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）；腹膜透析溶液；フェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）；フォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）；ポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）；Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）；プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）；Ｐｒｅｄ Ｍｉｌｄ；Ｐｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌ；プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）；プレバシド；ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；プロエアー；Ｐｒｏｇｌｙｃｅｍ；プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）；塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）；Ｐｒｏｐｉｎｅ；パルミコート；プルモザイム；Ｑｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）；ＱＶＡＲ；ラパミューン；レベトール；Ｒｅｌａｃｏｎ−ＨＣ；ロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）；経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）；Ｒｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））；サブリル（ビガバトリン経口液）；サクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）；サンディミュン；Ｓｅｐｒａ；Ｓｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓ；ソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）；ソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）；スピリーバ；スポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）；Ｓｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）；スタレボ；Ｓｔａｒｌｉｘ；滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）；Ｓｔｉｍａｔｅ；スクラルファート（カラファート懸濁液）；スルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０；Ｓｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）；Ｔａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））；タミフル；トービイ；ＴｏｂｒａＤｅｘ；Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）；トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）；チモロール；Ｔｉｍｏｐｔｉｃ；トラバタンズ；トレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）；トルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）；Ｔｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）；ベントリン；ブイフェンド；ビブラマイ
シン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）；ヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）；ビガバトリン経口液（サブリル）；Ｖｉｏｋａｓｅ；ビラセプト；ビラミューン；ビタミンＫ１（ビタミンＫ１の流体コロイド溶液）；ボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）；ザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）；ザイアジェン；ザイボックス；Ｚｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）；Ｚｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）
薬物分類
５α還元酵素阻害薬；５−アミノサリチル酸塩；５ＨＴ３受容体拮抗薬；アダマンタン抗ウイルス薬；副腎皮質ステロイド；副腎皮質ホルモン阻害薬；アドレナリン作動性気管支拡張薬；高血圧性緊急疾患用薬剤；肺高血圧症用薬剤；アルドステロン受容体拮抗薬；アルキル化薬；αアドレナリン受容体拮抗薬；αグルコシダーゼ阻害薬；代替薬；殺アメーバ薬；アミノグリコシド；アミノペニシリン類；アミノサリチル酸塩；アミリン類似体；鎮痛薬配合剤；鎮痛薬；アンドロゲン及びアナボリックステロイド；アンジオテンシン変換酵素阻害薬；アンジオテンシンＩＩ阻害薬；肛門直腸製剤；食欲抑制薬；制酸薬；駆虫薬；抗血管原性眼用薬；抗ＣＴＬＡ−４モノクローナル抗体；感染症薬；抗アドレナリン作動薬、中枢作用型；抗アドレナリン作動薬、末梢作用型；抗アンドロゲン薬；抗狭心症薬；抗不整脈薬；抗喘息薬配合剤；抗生物質／抗腫瘍薬；抗コリン性制吐剤；抗コリン性抗パーキンソン薬；抗コリン性気管支拡張薬；抗コリン性変時性薬（ａｎｔｉｃｈｏｌｉｎｅｒｇｉｃ ｃｈｒｏｎｏｔｒｏｐｉｃ ａｇｅｎｔｓ）；抗コリン作動薬／鎮痙薬；凝固阻止剤；抗痙攣薬；抗うつ薬；抗糖尿病薬；抗糖尿病薬配合剤；止瀉薬；抗利尿ホルモン；解毒薬；制吐薬／抗暈眩薬；抗真菌薬；抗ゴナドトロピン薬；痛風治療薬；抗ヒスタミン薬；高脂血症用薬；高脂血症用配合剤；降圧配合剤；尿酸降下薬；抗マラリア薬；抗マラリア薬配合剤；抗マラリア薬キノリン類；代謝拮抗薬；抗片頭痛薬；抗腫瘍性解毒剤；抗腫瘍性インターフェロン；抗腫瘍性モノクローナル抗体；抗腫瘍薬；抗パーキンソン薬；抗血小板薬；抗緑膿菌ペニシリン系薬；抗乾癬薬；抗精神病薬；抗リウマチ薬；防腐薬及び殺菌薬；抗甲状腺薬；抗毒素及び抗蛇毒素；抗結核薬；抗結核薬配合剤；鎮咳薬；抗ウイルス薬；抗ウイルス配合剤；抗ウイルスインターフェロン；抗不安薬、鎮静薬、及び催眠薬；アロマターゼ阻害薬；非定型抗精神病薬；アゾ−ル抗真菌薬；細菌性ワクチン；バルビツール酸系抗痙攣薬；バルビツール薬；ＢＣＲ−ＡＢＬチロシンナーゼ阻害薬；ベンゾジアゼピン系抗痙攣薬；ベンゾジアゼピン；βアドレナリン遮断薬；βラクタマーゼ阻害薬；胆汁酸金属イオン封鎖剤；生物学的製剤；ビスホスホネート製剤；骨吸収阻害薬；気管支拡張薬配合剤；気管支拡張薬；カルシトニン；カルシウムチャネル遮断薬；カルバメート系抗痙攣薬；カルバペネム；炭酸脱水酵素阻害抗痙攣薬；炭酸脱水酵素阻害薬；心緊張薬（ｃａｒｄｉａｃ ｓｔｒｅｓｓｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）；心選択性β遮断薬；心血管作動薬；カテコールアミン；ＣＤ２０モノクローナル抗体；ＣＤ３３モノクローナル抗体；ＣＤ５２モノクローナル抗体；中枢神経系薬；セファロスポリン；耳垢水；キレート剤；ケモカイン受容体拮抗薬；クロライドチャネルアクチベーター；コレステロール吸収阻害薬；コリン作動薬；コリン作動性筋興奮薬；コリンエステラーゼ阻害薬；中枢興奮薬；凝固調整剤；コロニー刺激因子；避妊薬；副腎皮質刺激ホルモン；クマリン類及びインダンジオン類；ｃｏｘ−２阻害薬；充血除去薬；外皮用薬；診断的放射性医薬品；ジベンザゼピン系抗痙攣薬；消化酵素；ジペプチジルペプチダーゼ４阻害薬；利尿薬；ドパミン作用性抗パーキンソン薬；アルコール依存性に使用される薬物；エキノカンジン；ＥＧＦＲ阻害薬；エストロゲン受容体拮抗薬；エストロゲン；去痰薬；第Ｘａ因子阻害剤；脂肪酸誘導体抗痙攣薬；フィブリン酸誘導体；第１世代セファロスポリン；第４世代セファロスポリン；機能性腸疾患薬；胆石可溶化薬（ｇａｌｌｓｔｏｎｅ ｓｏｌｕｂｉｌｉｚｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）；ＧＡＢＡ類似体；ＧＡＢＡ再取り込み阻害薬；ＧＡＢＡトランスアミナーゼ阻害薬；胃腸薬；全身麻酔薬；尿生殖路薬（ｇｅｎｉｔｏｕｒｉｎａｒｙ ｔｒａｃｔ ａｇｅｎｔｓ）；胃腸刺激薬；グルココルチコイド；グルコース上昇剤（ｇｌｕｃｏｓｅ ｅｌｅｖａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）；グリコペプチド系抗生物質；糖タンパク質血小板阻害薬（ｇｌｙｃｏｐｒｏｔｅｉｎ ｐｌａｔｅｌｅｔ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｓ）；グリシルシクリン類；ゴナドトロピン放出ホルモン；ゴナドトロピン放出ホルモン拮抗薬；ゴナドトロピン；Ｉ群抗不整脈薬；ＩＩ群抗不整脈薬；ＩＩＩ群抗不整脈薬；ＩＶ群抗不整脈薬；Ｖ群抗不整脈薬；成長ホルモン受容体遮断薬；成長ホルモン；ヘリコバクターピロリ除菌薬；Ｈ２拮抗薬；造血幹細胞モビライザー（ｍｏｂｉｌｉｚｅｒ）；へパリン拮抗薬；へパリン；ＨＥＲ２阻害薬；植物製品；ヒストン脱アセチル化酵素阻害薬；ホルモン補充療法；ホルモン；ホルモン／抗腫瘍薬；ヒダントイン系抗痙攣薬；違法（ストリート）薬物；免疫グロブリン；免疫薬；免疫抑制薬；インポテンス薬；インビボ診断生物学的製剤；インクレチンミメティクス；吸入感染症薬（ｉｎｈａｌｅｄ ａｎｔｉ−ｉｎｆｅｃｔｉｖｅｓ）；吸入コルチコステロイド；強心薬；インスリン；インスリン様増殖因子；インテグラーゼ鎖移転阻害薬；インターフェロン；静脈内栄養製品（ｉｎｔｒａｖｅｎｏｕｓ ｎｕｔｒｉｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）；ヨード造影剤；イオン化ヨード造影剤；鉄製品；ケトライド類；緩下薬；鎮癩薬；ロイコトリエン調整剤；リンコマイシン誘導体；脂質化グリコペプチド；局所注射麻酔薬；ループ利尿薬；肺表面活性剤；リンパ管染色剤；リソソーム酵素；マクロライド誘導体；マクロライド類；磁気共鳴イメージング造影剤；肥満細胞安定化剤；医療ガス；メグリチニド類；代謝薬；メチルキサンチン類；ミネラルコルチコイド；ミネラル及び電解質；その他薬剤；その他鎮痛薬；その他抗生物質；その他抗痙攣薬；その他抗うつ薬；その他抗糖尿病薬；その他制吐剤；その他抗真菌薬；その他高脂血症用薬；その他抗マラリア薬；その他抗腫瘍薬；その他抗パーキンソン薬；その他抗精神病薬；その他抗結核薬；その他抗ウイルス薬；その他抗不安薬、鎮静薬及び催眠薬；その他生物学的製剤；その他骨吸収阻害薬；その他心血管作動薬；その他中枢神経系薬；その他凝固調整剤；その他利尿薬；その他尿生殖路薬；その他ＧＩ薬；その他ホルモン；その他代謝薬；その他眼用薬；その他耳用薬；その他呼吸薬；その他性ホルモン；その他局所薬；その他未分類薬；その他腟用薬（ｖａｇｉｎａｌ ａｇｅｎｔｓ）；有糸分裂阻害薬；モノアミン酸化酵素阻害薬；モノクローナル抗体；口及び咽喉製品（ｍｏｕｔｈ ａｎｄ ｔｈｒｏａｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）；ｍＴＯＲ阻害薬；ｍＴＯＲキナーゼ阻害薬；粘液溶解薬；マルチキナーゼ阻害薬；筋弛緩薬；散瞳薬麻薬性鎮痛薬配合剤；麻薬性鎮痛薬；鼻用感染症薬；鼻用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬；鼻用潤滑剤及び灌注剤；鼻用製剤；鼻用ステロイド；天然ペニシリン系薬；ノイラミニダーゼ阻害薬；神経筋遮断薬；次世代セファロスポリン；ニコチン酸誘導体；硝酸薬；ＮＮＲＴＩｓ；非心選択性β遮断薬；非ヨード造影剤；非イオン性ヨード造影剤；非スルホニル尿素；非ステロイド性抗炎症薬；ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬；ノルエピネフィリン−ドパミン再取り込み阻害薬；ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬（ＮＲＴＩｓ）；栄養補助食品；栄養製品；眼用麻酔薬；眼用感染症薬；眼用抗炎症薬；眼用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬；眼用診断用薬；眼用緑内障薬；眼用潤滑剤及び灌注剤；眼用製剤；眼用ステロイド；感染症薬追加眼用ステロイド；眼外科薬（ｏｐｈｔｈａｌｍｉｃ ｓｕｒｇｉｃａｌ ａｇｅｎｔｓ）；経口栄養補助食；耳用麻酔薬；耳用感染症薬；耳用製剤；耳用ステロイド；感染症薬追加耳用ステロイド；オキサゾリジンジオン系抗痙攣薬；上皮小体ホルモン及び類似体；ペニシリナーゼ耐性ペニシリン；ペニシリン系薬；末梢性オピオイド受容体拮抗薬；末梢性血管拡張薬；末梢作用型抗肥満薬；フェノチアジン制吐剤；フェノチアジン系抗精神病薬；フェニルピペラジン系抗うつ薬；血漿増量剤；血小板凝集阻害薬；血小板刺激剤；ポリエン類；カリウム保持性利尿薬；プロバイオティクス；黄体ホルモン受容体調節薬；プロゲスチン；プロラクチン阻害薬；プロスタグランジンＤ２拮抗薬；タンパク分解酵素阻害薬；プロトンポンプ阻害薬；ソラレン類；精神治療薬；精神治療用複合剤（ｐｓｙｃｈｏｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）；プリンヌクレオシド；ピロリジン抗痙攣薬；キノロン剤；造影剤；放射線補助剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ａｄｊｕｎｃｔｓ）；放射線剤；放射線共役剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ｃｏｎｊｕｇａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）；放射性医薬品；ＲＡＮＫリガンド阻害薬；遺伝子組換えヒトエリスロポエチン；レニン阻害薬；呼吸薬；呼吸吸入薬製品（ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｉｎｈａｌａｎｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）；リファマイシン誘導体；サリチル酸塩；硬化剤；第２世代セファロスポリン；選択的エストロゲン受容体調節薬；選択的セロトニン再取り込み阻害薬；セロトニン−ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬；セロトニン作動性神経腸調節薬；性ホルモン複合剤；性ホルモン；骨格筋弛緩薬複合剤；骨格筋弛緩薬；禁煙薬；ソマトスタチン及びソマトスタチン類似体；殺精子剤；スタチン；滅菌洗浄溶液（ｓｔｅｒｉｌｅ ｉｒｒｉｇａｔｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）；ストレプトミセス誘導体；スクシンイミド抗痙攣薬；スルホンアミド；スルホニル尿素；合成排卵誘発剤；四環系抗うつ薬；テトラサイクリン；治療用放射性医薬品；サイアザイド系利尿薬；チアゾリジンジオン類；チオキサンテン；第３世代セファロスポリン；トロンビン阻害剤；血栓溶解薬；甲状腺剤；陣痛抑制薬；局所座瘡薬；局所薬；局所麻酔薬；局所感染症薬；局所抗生物質；局所抗真菌薬；局所抗ヒスタミン薬；局所抗乾癬薬；局所抗ウイルス薬；局所収斂薬；局所排膿促進薬；局所脱色剤；局所皮膚軟化薬；局所角質溶解薬；局所ステロイド；感染症薬追加局所ステロイド；トキソイド；トリアジン抗痙攣薬；三環系抗うつ薬；三官能性モノクローナル抗体；腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）阻害薬；チロシンナーゼ阻害薬；超音波造影剤；上気道用複合剤（ｕｐｐｅｒ ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）；尿素抗痙攣薬（ｕｒｅａ ａｎｔｉｃｏｎｖｕｌｓａｎｔｓ）；尿路感染症薬；尿路鎮痙薬；尿ｐＨ調整剤；子宮収縮薬；ワクチン；混合ワクチン；腟抗感染薬；膣坐剤；血管拡張薬；バソプレッシン拮抗薬；昇圧薬；ＶＥＧＦ／ＶＥＧＦＲ阻害薬；ウイルス性ワクチン；関節内補充薬；ビタミンミネラル複合体；ビタミン
診断試験
１７−ヒドロキシプロゲステロン；ＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）；アセトアミノフェン；酸性ホスファターゼ；副腎皮質刺激ホルモン；活性凝固時間；活性化プロテインＣ耐性；副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）；アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）；アルブミン；アルドラーゼ；アルドステロン；アルカリフォスファターゼ；アルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）；α１−抗トリプシン；α−フェトプロテイン；α−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）；アンモニアレベル；アミラーゼ；ＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））；ＡＮＡ（抗核抗体）；アンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）；アニオンギャップ；抗カルジオリピン抗体；抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）；抗セントロメア抗体；抗利尿ホルモン；抗ＤＮＡ；抗デオキシリボヌクレアーゼＢ；抗グリアジン抗体；抗糸球体基底膜抗体；抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体；抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体；抗リン脂質抗体；抗ＲＮＡポリメラーゼ；抗スミス（Ｓｍ）抗体；抗平滑筋抗体；抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）；抗トロンビンＩＩＩ；抗Ｘａ活性；抗Ｘａアッセイ；アポリポタンパク；ヒ素；アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）；Ｂ１２；塩基好性白血球；β２−ミクログロブリン；β−ヒドロキシブチレート；Ｂ−ＨＣＧ；ビリルビン；直接ビリルビン；間接ビリルビン；総ビリルビン；出血時間；血液ガス（動脈性）；血液尿素窒素（ＢＵＮ）；ＢＵＮ；ＢＵＮ（血液尿素窒素）；ＣＡ１２５；ＣＡ１５−３；ＣＡ１９−９；カルシトニン；カルシウム；カルシウム（イオン化）；一酸化炭素（ＣＯ）；癌胎児性抗原（ＣＥＡ）；全血球計算（ＣＢＣ）；ＣＥＡ；ＣＥＡ（癌胎児性抗原）；セルロプラスミン；ＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）；コレステロール；ＨＤＬコレステロール；血栓溶解時間；血餅退縮時間；ＣＭＰ；ＣＯ₂；寒冷凝集素；補体第３成分；銅；副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験；コルチゾル；コートロシン刺激試験；Ｃペプチド；ＣＰＫ（総）；ＣＰＫ−ＭＢ；Ｃ反応性タンパク；クレアチニン；クレアチニンキナーゼ（ＣＫ）；クリオグロブリン；ＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）；Ｄダイマー；デキタメタゾン抑制試験；ＤＨＥＡ−Ｓ；希釈ラッセルクサリ蛇毒；楕円赤血球；好酸球；赤血球沈降速度（ＥＳＲ）；エストラジオール；エストリオール；エタノール；エチレングリコール；ユーグロブリン溶解；第Ｖ因子ライデン；第ＶＩＩＩ因子インヒビター；第ＶＩＩＩ因子レベル；フェリチン；フィブリン体分解産物；フィブリノーゲン；葉酸塩；葉酸塩（血清；ナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）；ＦＳＨ（卵胞刺激因子）；ＦＴＡ−ＡＢＳ；γグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）；ガストリン；ＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）；グルコース；成長ホルモン；ハプトグロビン；ＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）；ＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）；ヘリコバクターピロリ；ヘマトクリット；ヘマトクリット（ＨＣＴ）；ヘモグロビン；ヘモグロビンＡ１Ｃ；ヘモグロビン電気泳動；Ａ型肝炎抗体；Ｃ型肝炎抗体；ＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）；免疫固定法（ＩＦＥ）；鉄；乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）；乳酸（乳酸塩）；ＬＤＨ；ＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモン；リパーゼ；ループス抗凝固因子；リンパ球；マグネシウム；ＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量；ＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）；ＭＣＶ（平均赤血球容積）；マロン酸メチル；単球；ＭＰＶ（平均血小板容積）；ミオグロビン；好中球；上皮小体ホルモン（ＰＴＨ）；リン；血小板（ｐｌｔ）；カリウム；プレアルブミン；プロラクチン；前立腺特異抗原（ＰＳＡ）；タンパク質Ｃ；タンパク質Ｓ；ＰＳＡ（前立腺特異抗原）；ＰＴ（プロトロンビン時間）；ＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）；ＲＤＷ（赤血球分布幅）；レニン；レンニン；網状赤血球数；網状赤血球；リウマチ因子（ＲＦ）；血沈速度；血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ；血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）；ナトリウム；Ｔ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）；フリーＴ４；トロンビン時間；甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）；チロキシン（Ｔ４）；全鉄結合能（ＴＩＢＣ）；総タンパク；トランスフェリン；トランスフェリン飽和剤；トリグリセリド（ＴＧ）；トロポニン；尿酸；ビタミンＢ１２；白血球（ＷＢＣ）；ウィダール試験
からなる群から選択される要素又は２つ以上の要素の組み合わせを含む。

いくつかの例として、流体組成物２１８は、吸入麻酔薬、薬物又は診断検査材料とされうる。これら流体組成物２１８のいずれかは、注射可能物質、吸入することが可能な、又はそうでなければ患者に導入することが可能な揮散物質とされうる。

特に図８の実施形態においては、薬剤パッケージ２１０はシリンジである。シリンジはシリンジバレル２５０及びプランジャ２５８を含みうる。壁２１４はシリンジバレル２５０の少なくとも一部を画定しうる。プランジャ２５８は、シリンジの、シリンジバレル２５０に対して相対的に摺動する部品とされうる。用語「シリンジ」は、しかしながら、カートリッジ、「ペン」型注射器、及び１つ又は複数の他の構成要素と組み立てられて機能的なシリンジを提供するようになっている他の種類のバレル又はリザーバを含むよう広く定義される。「シリンジ」は、また、オートインジェクタなどの、内容を分与するための機構を提供する関連物品を含むよう広く定義される。

図８〜１０によって示される本発明の別の態様は、壁２１４と、流体組成物２１８と、複合バリア皮膜又は層２８８と、ｐＨ保護皮膜２８６と、を含む、薬剤パッケージ又は他の容器２１０のいずれかなどの物品である。

流体組成物２１８が直接接触した場合のｐＨ保護皮膜２８６の侵食、溶解又は浸出（関連概念の異なる名称）の速度は、流体組成物２１８が直接接触した場合の複合バリア皮膜又は層２８８の侵食の速度よりも低い。

ｐＨ保護皮膜２８６は、薬剤パッケージ又は他の容器２１０の保管寿命の間、少なくとも、バリア皮膜がバリアとして機能することを可能にするほど十分な時間、複合バリア皮膜又は層２８８から流体組成物２１８を分離するのに有効である。

図８〜１０の任意の実施形態は、ｐＨ保護皮膜の内側表面の近傍に塗布された更なる皮膜を更に任意選択的に含みうる。更なる皮膜は、熱可塑性プラスチック壁の内部表面に面する外部表面と、内腔に面する内側表面と、を有する。

実施例から分かるように、ケイ素溶解速度は、容器からその内容に浸出される総ケイ素を決定することによって測定され、ｐＨ保護皮膜２８６、滑性層２８７、複合バリア皮膜又は層２８８、又は存在する他の物質から由来するケイ素間において区別するものではない。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、容器からｐＨ８の試験組成物への溶解時のｐＨ保護皮膜及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、又は６０ｐｐｍ未満、又は５０ｐｐｍ未満、又は４０ｐｐｍ未満、又は３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満である。

任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は、６か月超、又は１年超、又は１８か月超、又は２年超、又は２年半超、又は３年超、又は４年超、又は５年超、又は１０年超、又は２０年超である。任意選択的に、図８〜１０の任意の実施形態においては、パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は６０年未満である。

図８〜１０の本発明の別の実施形態として、ここで記載した任意の最低時間はここで記載した任意の最大時間と組み合わせることができる。

ＰＥＣＶＤ装置及びｐＨ保護被覆のための方法
ＳｉＯ_x、ＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yの、９０などのバリア又は滑性皮膜又は層を、容器８０（図１）又はバイアルなどの基材に塗布するための適切な方法及び装置については、例えば、米国特許第７，９８５，１８８号明細書又は段落［００２］において引用した欧州出願に、皮膜又は層を形成するのに有効な条件下で記載されている。

ｐＨ保護皮膜を堆積させるため、例えば以下の標準体積比率を有する前駆体供給物又はプロセスガスが用いられうる。
・０．５〜１０標準体積、任意選択的に、１〜６標準体積、任意選択的に、２〜４標準体積、任意選択的に、６以下の標準体積、任意選択的に、２．５以下の標準体積、任意選択的に、１．５以下の標準体積、任意選択的に、１．２５以下の標準体積の前駆体、例えば、ＯＭＣＴＳ又は任意の実施形態の他の前駆体の１つ。
・０〜１００標準体積、任意選択的に、１〜８０標準体積、任意選択的に、５〜１００標準体積、任意選択的に、１０〜７０標準体積の任意の実施形態のキャリアガス。
・０．１〜１０標準体積、任意選択的に、０．１〜２標準体積、任意選択的に、０．２〜１．５標準体積、任意選択的に、０．２〜１標準体積、任意選択的に、０．５〜１．５標準体積、任意選択的に、０．８〜１．２標準体積の酸化剤。

別の実施形態は上記プロセスによって作製される種類のｐＨ保護皮膜又は層である。

別の実施形態は、基材を画定する表面によって画定される内腔を含む容器８０（図１）などの容器である。バリア層を溶解から保護するため、ｐＨ保護皮膜又は層が基材の少なくとも一部上に存在し、通常、ＳｉＯ_xバリア層上に堆積される。ｐＨ保護皮膜又は層は前に定義されたプロセスによって作製される。

更に別の実施形態は、図５に示される装置２８（又は図１〜４に示される装置などの、任意の他の示される被覆装置）などの、ｐＨ保護皮膜又は層を基材に塗布するための化学気相成長装置である。

ここで図５を参照すると、適切な化学気相成長装置が示される。

図８を参照すると、更に別の実施形態は、プランジャ２５８と、バレル２５０と、内側又は内部表面２６４上のｐＨ保護皮膜又は層と、を含む２５２などのシリンジである。バレル２５０は容器であり、容器内腔２７４を画定し、且つ摺動のためプランジャ２５８を受容する内側又は内部表面２６４を有する。容器内側又は内部表面２６４は基材である。ｐＨ保護皮膜又は層は、化学気相成長によって基材２６４、プランジャ２５８、又はその両方に塗布されうる。このｐＨ保護皮膜又は層に加えて、シリンジは、１つ又は複数の他の皮膜又は層、例えば、ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を含んでもよい。前記更なる皮膜又は層は滑性及び／又は複合バリア皮膜又は層の下、すなわちシリンジのバレルのより近傍に配置されてもよい。

ＰＥＣＶＤによるｐＨ保護皮膜又は層用の前駆体
複合バリア皮膜又は層及びｐＨ保護層用の有機ケイ素前駆体はＰＥＣＶＤに有用な以下の前駆体のいずれかを含みうる。本発明のＰＥＣＶＤによるｐＨ保護皮膜又は層用の前駆体は有機金属前駆体として広く定義される。有機金属前駆体は、本明細書においては、有機残渣、例えば、炭化水素、アミノカーボン（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎ）又はオキシカーボン（ｏｘｙｃａｒｂｏｎ）残渣を有する、周期表の第ＩＩＩ族及び／又は第ＩＶ族の金属元素の包含（ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｄｉｎｇ）化合物と定義される。本明細書において定義される有機金属化合物は、ケイ素又は他の第ＩＩＩ族／第ＩＶ族金属原子に直接結合した、又は任意選択的に、酸素又は窒素原子を介して結合した有機部分を有する任意の前駆体を含む。周期表の第ＩＩＩ族の関連元素は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、スカンジウム、イットリウム、及びランタンであり、アルミニウム及びホウ素が好適である。周期表の第ＩＶ族の関連元素は、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、及びトリウムであり、ケイ素及びスズが好適である。他の揮発性有機化合物も考えられる。しかしながら、本発明の実施には有機ケイ素化合物が好適である。

有機ケイ素前駆体が考えられる。「有機ケイ素前駆体」は、この明細書全体において、最も広くは、以下の結合の少なくとも１つを有する化合物と定義される。

すぐ上に記載した第１の構造は、酸素原子及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である。すぐ上に記載した第２の構造は、−ＮＨ−結合及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子に結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である。任意選択的に、有機ケイ素前駆体は、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、及びこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせからなる群から選択される。また、直前の２つの式内にはないが前駆体として考えられるのはアルキルトリメトキシシランである。

酸素含有前駆体（ｏｘｙｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）（例えば、シロキサン）を使用する場合、疎水性又は潤滑ｐＨ保護皮膜又は層を形成する条件下でＰＥＣＶＤにより形成される代表的な予測実験組成物は、定義の項に定義されるように、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yである一方で、複合バリア皮膜又は層を形成する条件下でＰＥＣＶＤにより形成される代表的な予測実験組成物はＳｉＯ_xであり、この式におけるｘは約１．５〜約２．４である。窒素含有前駆体（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）（例えば、シラザン）を使用する場合、予測組成物はＳｉ_w*Ｎ_x*Ｃ_y*Ｈ_z*である。すなわち、定義の項に明記されるように、Ｓｉ_wＯ_xＣ_yＨ_z又はその等価のＳｉＯ_xＣ_yにおいては、ＯはＮに置換され、Ｈの指数はＯと比べてより高い原子価のＮ（２ではなく３に適応される。後者の適応は、全般的に、シロキサンにおいては、そのアザ対応物（ａｚａ ｃｏｕｎｔｅｒｐａｒｔ）の対応する指数に対するｗ、ｘ、ｙ及びｚの比率に従う。本発明の特定の態様においては、Ｓｉ_w*Ｎ_x*Ｃ_y*Ｈ_z*（又はその等価のＳｉＮ_x*Ｃ_y*）であり、ｗ^*、ｘ^*、ｙ^*、及びｚ^*がシロキサン対応物のｗ、ｘ、ｙ及びｚと同様に定義されるが、これは水素原子数の任意の偏差のためである。

上記実験式を有する前駆体出発物質の１つの種類は、直鎖シロキサン、例えば、以下の式を有する物質である。

式中、各Ｒは、アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン又はその他から独立して選択され、ｎは１、２、３、４又はそれ以上、任意選択的に、２以上である。考えられる直鎖シロキサンのいくつかの例は、
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、
オクタメチルトリシロキサン、
デカメチルテトラシロキサン、
ドデカメチルペンタシロキサン、
又はこれらの２つ以上の組み合わせである。上記構造において−ＮＨ−を酸素原子に置換された類似シラザン類もまた、類似ｐＨ保護皮膜又は層の作製に有用である。考えられる直鎖シラザンのいくつかの例は、オクタメチルトリシラザン、デカメチルテトラシラザン、又はこれら２つ以上の組み合わせである。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の前駆体出発物質は単環シロキサンであり、例えば、以下の構造式を有する物質である。

式中、Ｒは、線状構造のものと同様に定義され、「ａ」は３〜約１０、又は類似単環シラザン類である。企図されるヘテロ置換及び未置換単環シロキサン類及びシラザン類のいくつかの例には、以下を含む。
１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリス（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチル］シクロトリシロキサン、
２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、
ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン、
ヘキサメチルシクロトリシロキサン、
ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、
オクタフェニルシクロテトラシロキサン、
デカメチルシクロペンタシロキサン
ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、
メチル（３，３，３−トリフルオロプロプル）シクロシロキサン、
以下のような環式オルガノシラザンもまた考えられる。
オクタメチルシクロテトラシラザン、
１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンヘキサメチルシクロトリシラザン、
オクタメチルシクロテトラシラザン、
デカメチルシクロペンタシラザン、
ドデカメチルシクロヘキサシラザン、又は
これらのいずれか２つ以上の組み合わせ。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の前駆体出発物質は多環シロキサンであり、例えば以下の構造式のうちの１つを有する物質である。

式中、Ｙは酸素又は窒素とすることができ、Ｅはケイ素であり、Ｚは水素原子又は有機置換基であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン又はその他などのアルキル基である。各Ｙが酸素である場合、各々の構造は、左から右に、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトランである。Ｙが窒素である場合、各々の構造は、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトランである。

本文脈における好適な出発物質のうち、別の種類の多環シロキサン前駆体出発物質は、実験式ＲＳｉＯ_1.5及び以下の構造式を有するポリシルセスキオキサンである。

式中、各Ｒは水素原子又は有機置換基であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ビニル、アルキン、又はその他などのアルキル基である。この種の２つの市販物質は、各ＲがメチルであるＳＳＴ−ｅＭ０１ポリ（メチルシルセスキオキサン）及びＲ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン）である。この物質は、例えば、テトラヒドロフランの１０％溶液において入手可能である。これら２つ以上の組み合わせもまた考えられる。考えられる前駆体の他の例は、各Ｙが酸素、Ｚがメチルであるメチルシラトラン（ＣＡＳ番号２２８８−１３−３）、メチルアザシラトラン、各Ｒが任意選択的にメチルとされうるポリ（メチルシルセスキオキサン）（例えば、ＳＳＴ−ｅＭ０１ポリ（メチルシルセスキオキサン））、Ｒ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン）（例えば、ＳＳＴ−３ＭＨ１．１ポリ（メチル−ヒドリドシルセスキオキサン））、又はこれらのいずれか２つ以上の組み合わせである。

上記構造において−ＮＨ−を酸素原子に置換した類似ポリシルセスキアザンもまた、類似ｐＨ保護皮膜又は層の作製に有用である。考えられるポリシルセスキアザンの例は、各Ｒがメチルであるポリ（メチルシルセスキアザン）、及びＲ群の９０％がメチル、１０％が水素原子であるポリ（メチル−ヒドリドシルセスキアザンである。これらの２つ以上の組み合わせもまた考えられる。

本発明による複合バリア皮膜又は層用に特に考えられる前駆体の１つは直鎖シロキサン、例えばＨＭＤＳＯである。本発明による滑性皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層用に特に考えられる前駆体の１つは環状シロキサン、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）である。

ＯＭＣＴＳ又は他の環状シロキサン分子は他のシロキサン材料と比べていくつかの利点をもたらすと考えられる。第１に、その環状構造によって（ＨＭＤＳＯから調整されたｐＨ保護皮膜又は層と比べて）より低密度のｐＨ保護皮膜又は層が生じる。この分子は、また、選択的なイオン化を可能にするため、ｐＨ保護皮膜又は層の最終構造及び化学組成をプラズマ電力の印加により直接制御することができる。他の有機ケイ素分子は容易にイオン化（破壊する）ため、分子の元の構造を保持することがより困難である。

本発明によるＰＥＣＶＤ方法のいずれにおいても、塗布するステップは、任意選択的に、前駆体を蒸発させ、それを基材の近傍に提供することによって実施されうる。例えば、ＯＭＣＴＳは、通常、ＯＭＣＴＳをＰＥＣＶＤ装置に適用する前にそれを約５０℃に加熱することによって蒸発させる。

環式有機ケイ素前駆体、特に、単環有機ケイ素前駆体（本明細書の別の場所に記載される単環前駆体など）、特に、ＯＭＣＴＳは、ｐＨ保護皮膜又は層を得るのに特に好適である。

ＰＥＣＶＤ反応混合物の他の成分及びｐＨ保護皮膜又は層の成分比率
概して、ｐＨ保護皮膜又は層においては、Ｏ₂は、有機ケイ素化合物量よりも１桁未満多い量（例えば、流量ｓｃｃｍによって表されうる）において存在しうる。対照的に、複合バリア皮膜又は層を実現するため、Ｏ₂の量は、通常、有機ケイ素前駆体の量よりも少なくとも１桁多い。特に、ｐＨ保護皮膜又は層の有機ケイ素前駆体とＯ₂の体積比（ｓｃｃｍ）は、０．１：１〜１０：１の範囲内、任意選択的に、０．３：１〜８：１の範囲内、任意選択的に、０．５：１〜５：１の範囲内、任意選択的に、１：１〜３：１とされうる。表１〜３に記載される体積比における前駆体及びＯ₂の存在はｐＨ保護皮膜又は層を実現するのに特に好適とされうる。

本発明の一態様においては、反応混合物中にキャリアガスはなく、本発明の別の態様においては、キャリアガスはある。好適なキャリアガスは、例えば、アルゴン、ヘリウム、及びネオン及びキセノンなどの他の希ガスである。キャリアガスが反応混合物中に存在する場合、それは、通常、有機ケイ素前駆体の体積を超える体積（ｓｃｃｍ）において存在する。例えば、有機ケイ素前駆体とキャリアガスの比率は、１：１〜１：５０、任意選択的に、１：５〜１：４０、任意選択的に、１：１０〜１：３０とされうる。キャリアガスの１つの機能は、基材に付着せず主として排出ガスとともに除去される粉末反応生成物の代わりに、プラズマ中における反応物を希釈し、基材上における皮膜の形成を促進することである。

アルゴンガスの添加により滑性及び／又はｐＨ保護性能が向上することから（以下の実施例を参照）、アルゴンの存在下における分子の更なるイオン化が滑性の付与に寄与すると考えられる。分子のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は高い結合エネルギを有し、それにＳｉ−Ｃが続き、Ｃ−Ｈ結合が最も弱い。滑性及び／又はｐＨ保護はＣ−Ｈ結合の一部が壊れた場合に得られると思われる。これにより、構造が成長する際にその連結（架橋）を可能にする。酸素（アルゴンとともに）の添加はこのプロセスを強化すると理解されている。少量の酸素もまた、他の分子が結合することができるＣ−Ｏ結合を提供することができる。Ｃ−Ｈ結合の破壊と酸素の添加の組み合わせを全て低圧及び低電力で実施すると、滑性を提供する一方で、安定（ｓｏｌｉｄ）な化学構造となる。

実施形態のいずれにおいても、プロセスガスの好適な組み合わせの１つには、酸化性ガスとしての酸素及びキャリアガスとしてのアルゴンの存在下における、前駆体としてのオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）又は別の環状シロキサンを含む。この理論の正確性に拘束されるものではないが、本発明者は、以下の理由から、この特定の組み合わせが有効であると考える。Ｏ₂、Ｎ₂Ｏ又は別の酸化性ガス及び／又はキャリアガスの存在、特に、キャリアガス、例えば希ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）の存在により、結果として生成されるｐＨ保護皮膜又は層が改良されると考えられる。

前駆体ガス、酸素及びキャリアガスのいくつかの非網羅的な代替的選択肢及び好適な比率を以下に記載する。
ＯＭＣＴＳ：０．５〜５．０ｓｃｃｍ
酸素：０．１〜５．０ｓｃｃｍ
アルゴン：１．０〜２０ｓｃｃｍ

ｐＨ保護皮膜又は層を形成するためのＰＥＣＶＤ装置
本明細書に記載されるバリア、滑性及びｐＨ保護層を提供するために、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている低圧ＰＥＣＶＤ法を使用することができる。そのプロセスの簡潔な概要を以下に記載する。

本発明の実施に好適なＰＥＣＶＤ装置は、容器保持器と、内部電極と、外部電極と、電源と、を含む。容器保持器に配置された容器は、任意選択的に真空室とされうるプラズマ反応室を画定する。任意選択的に、真空源、反応ガス源、ガス供給物又はこれらの２つ以上の組み合わせが供給されうる。任意選択的に、ポートに着座した容器の内部に、又はポートに配置された容器の内部からガスを移送するための、必ずしも真空源を含まないガス排出部が提供され、密閉された室を画定する。

ＰＥＣＶＤ装置は大気圧ＰＥＣＶＤのために使用されうる。この場合、プラズマ反応室は真空室として機能する必要はない。

図１及び図２を参照すると、容器保持器５０は、容器ポートに配置された容器内にガスを運ぶためのガス注入ポート１０４を含む。ガス注入ポート１０４は、例えば、プローブ１０８がガス注入ポート１０４を通じて挿入されると円筒状プローブ１０８に配置されうる少なくとも１つのＯリング１０６、又は連続する２つのＯリング又は連続する３つのＯリングによって提供される摺動シールを有しうる。プローブ１０８はその先端部１１０にあるガス送達ポートまで延在するガス注入導管とされうる。示される実施形態の先端部１１０は１つ又は複数のＰＥＣＶＤ反応物及び他の前駆体供給物又はプロセスガスを提供するために容器８０内に深く挿入されうる。

図５は、例えば、示される全ての実施形態において使用可能な皮膜又は層用ステーション２８の更なる任意の詳細を示す。皮膜又は層用ステーション２８は、また、圧力センサ１５２に通じるその真空ライン５７６内に主要真空バルブ５７４を有しうる。手動バイパスバルブ５７８がバイパスライン５８０内に提供される。ベントバルブ５８２がベント４０４における流れを制御する。

ＰＥＣＶＤガス又は前駆体源１４４を出る流れは、主要反応物供給ライン５８６を通過する流れを調整する主要反応ガスバルブ５８４によって制御される。ガス源１４４の１つの構成要素は、有機ケイ素液体リザーバ５８８である。リザーバ５８８の内容は有機ケイ素毛管ライン５９０を通じて出される。有機ケイ素毛管ライン５９０は、所望の流量を提供するのに適した長さで提供される。有機ケイ素蒸気の流れは有機ケイ素締切弁５９２によって制御される。大気圧（及びその変動）に依存しない反復可能な有機ケイ素液体の送達を確立するため、液体リザーバ５８８のヘッドスペース６１４に、圧力源６１６から、圧力ライン６１８によってヘッドスペース６１４に連結された加圧空気などの圧力、例えば、０〜１５ｐｓｉ（０〜７８ｃｍ．Ｈｇ）の範囲内の圧力が印加される。リザーバ５８８は密閉され、毛管連結部６２０は、純粋な（ｎｅａｔ）有機ケイ素液体（ヘッドスペース６１４の加圧ガスではない）のみが毛管チューブ５９０内を流れることを確実とするためにリザーバ５８８の底部にある。有機ケイ素液体は、任意選択的に、有機ケイ素液体を蒸発させて有機ケイ素蒸気を形成することが必要又は所望であれば周囲温度を超えて加熱することができる。この加熱を実現するため、ｐＨ保護皮膜又は層用装置は、有利には、前駆体リザーバの出口からシリンジへのガス注入口の可能な限り近傍までの、加熱された送達ラインを含みうる。例えば、ＯＭＣＴＳを供給する際には予熱が有用である。

酸素タンク５９４から酸素供給ライン５９６を通じて酸素が提供される。酸素供給ライン５９６は質量流量制御器５９８によって制御され、酸素締切弁６００が設けられている。

キャリアガスが使用される場合、キャリアガスはキャリアガス源６０２から得られ、導管６０４を通過し、キャリアガス締切弁６０６によって制御され、主要反応物供給ライン５８６に送られ、そこでＰＥＣＶＤガス供給物の他の成分と混合される。

特に図１を参照すると、処理ステーション２８は、処理中、容器８０内にプラズマを発生させるための電界を提供するための高周波電源１６２によって供給される電極１６０を含みうる。この実施形態においては、プローブ１０８は、また、電気的に伝導性であるとともに接地されており、このため、容器８０内においてカウンタ電極を提供する。あるいは、任意の実施形態においては、外部電極１６０は接地することができ、プローブ１０８は電源１６２に直接接続されている。

図１の実施形態においては、外部電極１６０は図１及び図２に示されるような略円筒状、又は図１（図２は図１の断面線Ａ−Ａに沿って切った断面の一実施形態である）に示されるような略Ｕ字形の長尺状のチャネルのいずれかとされうる。示される実施形態のそれぞれは１６４及び１６６などの１つ又は複数の側壁と、任意選択的に、容器８０の周囲に近接して配置された上端部１６８と、を有する。

図３及び図４を参照すると、両端が開いているシリンジバレルなどの容器にＰＥＣＶＤ皮膜を塗布するためのＰＥＣＶＤプロセスの特定の適応について記載されている。

図３及び図４は、２９０で全体的に示される、処理される略管状容器２５０の制限開口部２９４の内側又は内部表面２９２、例えば、シリンジバレル２５０の制限前部開口部２９４をＰＥＣＶＤによって被覆又は層状にするための方法及び装置を示す。前に記載したプロセスは、制限開口部２９４を処理容器２９６に連結することによって、及び任意選択的に特定の他の変更を行うことによって変更される。

処理される略管状容器２５０は、外部表面２９８と、内腔３００を画定する内側又は内側又は内部表面２５４と、内径を有するより大きな開口部３０２と、内側又は内部表面２９２によって画定され、より大きな開口部３０２の内径よりも小さな内径を有する制限開口部２９４と、を含む。

処理容器２９６は内腔３０４と処理容器開口部３０６とを有し、処理容器開口部３０６は、任意選択的に、唯一の開口部であるが、他の実施形態においては、任意選択的に処理中に閉じられる第２開口部が提供されうる。処理される容器２５０の内腔３００と処理容器内腔との間に制限開口部２９４を介した連通を設けるために、処理容器開口部３０６は処理される容器２５０の制限開口部２９４と連結されている。

処理される容器２５０の内腔３００及び処理容器２９６の内腔３０４内に少なくとも部分真空が引かれる。ＰＥＣＶＤ反応物が流され、ガス源１４４から第１開口部３０２を通過し、その後、処理される容器２５０の内腔３００を通過して、その後、制限開口部２９４を通過し、その後、処理容器２９６の内腔３０４に入る。

ＰＥＣＶＤ反応物は、内部通路３１０と、基端部３１２と、先端部３１４と、先端側開口部３１６と、を有する略管状内部電極３０８を提供することにより、容器２５０のより大きな開口部３０２を通じて導入されうる。別の実施形態においては、先端部３１４の近傍にあり、内部通路３１０に連通する複数の先端側開口部が提供されうる。電極３０８の先端部は処理される容器２５０のより大きな開口部３０２の近傍に又はその中に配置されうる。反応ガスは電極３０８の先端側開口部３１６を通じ、処理される容器２５０の内腔３００に供給されうる。ＰＥＣＶＤ反応物が、初めにＰＥＣＶＤ反応物が導入される前に引かれた真空よりも高い圧力で提供される程度まで、反応物は制限開口部２９４を流れ、その後、内腔３０４に入る。

プラズマ３１８は、制限開口部２９４の近傍において、ＰＥＣＶＤ反応生成物の皮膜又は層を制限開口部２９４の内側又は内部表面２９２に堆積させるのに有効な条件下で発生させる。

ｐＨ保護皮膜又は層の塗布のための特定のＰＥＣＶＤ条件が以下に提供される。

皮膜厚さの測定
ｐＨ保護皮膜又は層、複合バリア皮膜又は層、滑性皮膜又は層及び／又はこれら層の任意の２つ以上の複合物などのＰＥＣＶＤ皮膜又は層の厚さは、例えば、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定されうる。滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層の例示的なＴＥＭ画像が図６に示される。ＳｉＯ₂複合バリア皮膜又は層の例示的なＴＥＭ画像は図７に示される。

ＴＥＭは、例えば、以下のように実施されうる。２方向の断面を取る（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎｉｎｇ ｉｎ ｔｗｏ ｗａｙｓ）集束イオンビーム（ＦＩＢ）用に試料が用意されうる。いずれの試料も、Ｋ５７５Ｘ Ｅｍｉｔｅｃｈ ｐＨ保護皮膜又は層用システムを使用し、炭素の薄層（厚さ５０〜１００ｎｍ）でまず被覆され、その後、スパッタリングされた白金の皮膜又は層（厚さ５０〜１００ｎｍ）で被覆されうる。あるいは、試料はｐＨ保護スパッタＰｔ層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｐｔ ｌａｙｅｒ）で直接被覆されうる。被覆された試料はＦＥＩ ＦＩＢ２００ ＦＩＢシステム内に配置されうる。３０ｋＶガリウムイオンビームを対象の領域上にラスターする間、白金の追加皮膜又は層が有機金属ガスの注入によってＦＩＢ堆積されうる。各試料の対象の領域は、シリンジバレルの長さの半分の位置になるように選択されうる。長さ約１５μｍ（「マイクロメートル」）、幅２μｍ及び深さ１５μｍの寸法の薄い断面はダイ表面からその場でＦＩＢリフトアウト法を使用して抽出されうる。この断面は２００メッシュ銅製ＴＥＭグリッドにＦＩＢ堆積した白金を使用して取り付けられうる。幅約８μｍの寸法の、各断面内の１つ又は２つの窓はＦＥＩ ＦＩＢのガリウムイオンビームを使用して電子透かしになるまで薄くされうる。

用意した試料の断面画像分析は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）のいずれか又は両方を利用して実施することができる。全画像化データはデジタル方式で記録されうる。ＳＴＥＭ画像化では、薄箔のグリッドをＳＴＥＭ専用のＨｉｔａｃｈｉ ＨＤ２３００に移動する。走査透過電子画像は原子番号コントラストモード（ＺＣ）及び透過電子モード（ＴＥ）において適切な倍率で取得されうる。以下の機器設定が使用されうる。

ＴＥＭ分析では、試料グリッドはＨｉｔａｃｈｉ ＨＦ２０００透過電子顕微鏡に移動されうる。透過電子画像は適切な倍率で取得されうる。画像取得時に使用される関連機器設定は以下に記載するものとされうる。

付着性の測定
複合バリア皮膜又は層の、基材への付着の程度を測定するために以下の方法を使用することができる。重要となる基準は以下の通りである。
（１）ＡＳＴＭ Ｄ３３５９−０９「テープ試験による付着性を測定するための標準試験法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｂｙ Ｔａｐｅ Ｔｅｓｔ）」
（２）Ｂ９０５−００「機械化テープ試験による金属皮膜及び無機皮膜の付着性を評価するための標準法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ａｓｓｅｓｓｉｎｇ ｔｈｅ Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａｌｌｉｃ ａｎｄ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｂｙ ｔｈｅ Ｍｅｃｈａｎｉｚｅｄ Ｔａｐｅ Ｔｅｓｔ）」

（Ａ１）被覆物品の変形／テープ試験法
０３２２ 本明細書において使用される本方法においては、ＳｉＯｘ被覆物品に変形力を印加して皮膜に応力をかけ、その後、粘着テープによる皮膜の剥離の程度が評価される。

試料準備
円筒状部分を有する被覆バイアル、シリンジバレル、カートリッジ又は他の物品を物品の各端部において切断し、均一な一定の内径（ＩＤ）の開放式シリンダとした。非円筒状又は異なるＩＤの部分は廃棄される。切断は熱線カッターで実施した。適宜、清浄で乾燥した圧縮空気（シリンダの被覆された内側と物理的接触すべきではない）による、存在しうる任意の粒子の慎重な除去を実施した。

試料変形
バイアル、シリンジバレル、カートリッジ又は他の物品から得られる均一に被覆されたシリンダは、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）応力ひずみ材料試験機内に、（ａ）開端部が垂直であり、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）ステンレス板が円形の開放縁端に接触している軸方向変形姿勢（ａｘｉａｌ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（「上下変形（ｔｏｐ ｄｏｗｎ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）」としても公知である）、又は（ｂ）その開端部が水平であり、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）ステンレス板がシリンダの２つの平行な対向する長さに接触している直径方向変形姿勢（ｄｉａｍｅｔｒｉｃ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（「側方変形」としても公知である）、のいずれかにおいて配置される。特に明記されない限り、特許請求の範囲に明記される試験法においては軸方向変形が用いられる。

プラスチックの成分、型条件及びシリンダ厚さに応じて圧縮変形力が印加されるが、力はシリンダの任意の不可逆的な物理的変形又は破壊を生じるレベルを超えるべきではない。特許請求の範囲に列挙される熱可塑性プラスチックコンテナの軸方向試験においては、３５０ｌｂ．（１５８Ｋｇ）の圧縮力が用いられる。別の試験における直径方向変形では、同じ圧縮力が印加される。側方圧縮又は直径方向変形が選択される場合、型の列に対し、ステンレス板上におけるシリンダの再現可能な接触位置を確立すべきである。

テープ適用：半シリンダ法（Ｈａｌｆ Ｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｐｐｒｏａｃｈ）
シリンダは試料準備セクションにおいて適用されたものと同じ切断方法を使用して長手方向に半分に切断される。

シリンダの湾曲した性質のため、被覆された内壁表面への均一な気泡のないテープの接着を容易にするためには狭いテープ片が必要である。Ｓｃｏｔｃｈブランドの片面粘着テープを、３ミリメートルの幅及びシリンダ全長より約６ミリメートル長い長さに切断する。粘着テープ部分は、テープの各端部から約３ミリメートルから、壁に触れることなく、長いハンドルを有するニードルノーズピンセット又はマイクロ止血鉗子によって固定する。テープが軸方向に延びて、その端部がシリンダの各開端部を越えて等しく配置されると、テープは湾曲した被覆内壁に接触する。小さな鉛筆消しゴムヘッド又は半球状端部を有する３ミリメートルステンレスロッドを、その後、クランプ間においてテープ表面上を上下に動かし、テープ下の任意の気泡を除去する。テープに均一な力を加えることが重要である。

テープが内壁に均一に接着されるとクランプは取り外すことができるが、前に固定された端部が壁に付着しないようにする。

テープ除去
（テープを引きはがす時間、速度及び角度の詳細については参考文献２、ｐ．３（段落７．４）を参照）。以下に記載されるように、本明細書において実施される試験においては、９０ ｏ のテープ引きはがしを使用した。

９０°テープ引きはがし
壁表面に貼り付けたテープの対向自由端を、前にテープ適用セクションにおいて使用した単一のニードルノーズピンセット又はマイクロ止血鉗子で固定し、続いて、固定されたテープ端部を９０°の角度で（接着されたテープに対して垂直に）均一に引きはがし、テープを除去した。均一な速度のテープ引きはがし除去を提供するため、Ｉｎｓｔｒｏｎ（登録商標）垂直運動バー（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｍｏｔｉｏｎ ｂａｒ）に取り付けられたクランプが使用されうる。

付着性評価
皮膜厚さ特定（ライン走査）
Ｌａｙｅｒ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＵＴ機器（ｗｗｗ．ｒａｐ−ｉｄ．ｃｏｍ）又は同等の干渉式厚さ測定デバイスを使用し、接着テープの位置を二分する軸方向線に沿ってテープ適用前後の皮膜厚さを測定した。テープ引きはがし後対テープ接着前の面積（皮膜厚さｘ走査の長さ）の差の減少が皮膜付着の程度の測定値である。これはテープ引きはがし後に保持された元の皮膜のパーセントとして示される。

（Ａ２）被覆物品クロススクラッチ／テープ試験法
（関連する場合は参考文献１及び２の段落が以下に続く）

全般
本明細書において使用されるこの方法においては、ＳｉＯｘ被覆物品の皮膜をひっかいて皮膜に応力を加え、その後、粘着テープによる皮膜の剥離の程度が評価される。

試料準備
上述のように、被覆バイアル、シリンジバレル又はカートリッジを物品の各端部において切断し、且つ軸方向面に沿って半分に切断し、均一な一定の内径（ＩＤ）の半シリンダとした。

Ｘ字スクラッチパターン
特定のクレームに明記されるようにＸ字スクラッチパターンが選択される場合、ステンレス製デンタルピックを使用し、半シリンダの内側が被覆された壁表面上に「Ｘ」を描く。Ｘの形は均等な形状であり、配置された一対のスクラッチが軸方向に長尺のパターンを形成する。２つのスクラッチの間の小さい方の角度は３０°〜４０°の均一な値である。

半シリンダのクロスカット
特定のクレームに明記される、又は参考文献２の段落１０（ｐ．３）に記載されるように、矩形のスクラッチパターンが選択される場合、鋭利な剃刃、メス、ナイフ又は他の切削デバイスを使用し、シリンダの内側が被覆された壁表面上に「四角形のクロスカット」を入れる。

テープ適用
半シリンダ法（Ｈａｌｆ Ｃｙｌｉｎｄｅｒ Ａｐｐｒｏａｃｈ）
テープは上述のように適用されるが、スクラッチに重なるように配置される。Ｘ字スクラッチパターンを用いる場合、テープは、Ｘの中央がテープの周方向中央に位置合わせされた状態で軸方向に延在するように配置される。矩形のスクラッチパターンを用いる場合、テープは、テープがスクラッチパターン上に周方向中央に位置合わせされた状態で軸方向に延在するように配置される。

テープ除去
（テープを引きはがす時間、速度及び角度の詳細については参考文献２、ｐ．３（段落７．４）を参照）

９０°テープ引きはがし
壁表面に貼り付けたテープの対向自由端を単一クランプで固定し、続いて、固定されたテープ端部を９０°の角度で（接着されたテープに対して垂直に）均一に引きはがし、テープを除去した。均一な速度のテープ引きはがし除去を提供するためにクランプはＩｎｓｔｒｏｎ（登録商標）垂直運動バーに取り付けられる。

付着性評価
皮膜厚さ特定（ライン走査）
Ｌａｙｅｒ Ｅｘｐｌｏｒｅｒ ＵＴ機器（ｗｗｗ．ｒａｐ−ｉｄ．ｃｏｍ）又は同等の干渉式厚さ測定デバイスを使用し、接着テープの位置を二分する線に沿ってテープ適用前後の皮膜厚さ（しかし双方ともｘ字カット又はクロスカットを入れた後）を測定した。テープ引きはがし後対テープ接着前の面積（皮膜厚さｘ走査の長さ）の差の減少が皮膜付着の程度の測定値である。これはテープ引きはがし後に保持された元の皮膜のパーセントとして示されうる。

（Ｂ１）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）バイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明のＳｉＯｘバリア皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに記載されている、確立されたＳｉＯ_x被覆手順を使用し、５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたバイアル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製５ミリリットルバイアル（Ｓｃｈｏｔｔ）を複合バリア皮膜又は層で被覆した。
０３４３Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ２）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ ５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）バイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明の二層被覆された（ＳｉＯｘバリア及びｐ−ＯＭＣＴＳ ｐＨ保護）皮膜の付着性能。

本明細書において、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに前述した、確立されたＳｉＯ_x被覆手順を使用し、５ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたバイアル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製５ミリリットルバイアル（Ｓｃｈｏｔｔ）を標準的ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及び標準的ｐＨ保護皮膜又は層で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ３）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、ＣＯＰ１ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の長いステーキドニードルシリンジバレル対比較ホウケイ酸ガラスシリンジバレル上における、本発明のＳｉＯｘバリア皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルを使用し、１ミリリットル（ｍｉｌｌｉｌｔｅｒ）の射出ブロー成形されたステーキドニードルシリンジバレル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製シリンジバレル（Ｂｅｃｔｏｎ−Ｄｉｃｋｅｎｓｏｎ社製、シリコーン油はヘキサンで事前に除去した）を標準的ＳｉＯｘ被覆手順下で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表４）を得た。

（Ｂ４）Ａ１及びＡ２付着性評価法を使用した、熱可塑性プラスチックバイアル対比較ホウケイ酸ガラスバイアル上における、本発明の二層被覆された（ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及びｐ−ＯＭＣＴＳ ｐＨ保護皮膜又は層）皮膜の付着性能。

本明細書における、シリンジバレル内部をＳｉＯｘで被覆するためのプロトコルを使用し、１ｍＬ（ミリリットル）の射出ブロー成形されたステーキドニードルシリンジバレル（ＳｉＯ₂医薬製品）及びホウケイ酸ガラス製シリンジバレル（Ｂｅｃｔｏｎ−Ｄｉｃｋｅｎｓｏｎ社製、シリコーン油は事前にヘキサンで除去した）を本明細書に示すようにＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層及びｐＨ保護皮膜又は層のプロトコル下で被覆した。

Ａ１及びＡ２付着性評価法を用いて付着性結果（表５）を予測した。

ＩＶ．任意の実施形態のＲＦ電力
前駆体は、１０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、代替的には約１３〜約１４ＭＨｚの周波数において駆動する電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

前駆体は、任意選択的に１０ｋＨｚ〜３００ＭＨｚ未満、任意選択的に１〜５０ＭＨｚ、更に任意選択的に１０〜１５ＭＨｚの周波数、任意選択的に１３．５６ＭＨｚの高周波で駆動する電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

前駆体は、プラズマ量の１０Ｗ／ｍｌ未満、あるいはプラズマ量の６Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の５Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の４Ｗ／ｍｌ〜０．１Ｗ／ｍｌ、あるいはプラズマ量の２Ｗ／ｍｌ〜０．２Ｗ／ｍｌ、あるいは１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌ、任意選択的に２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌの電力密度が供給された電極によって前駆体の近傍を励起することにより形成されたプラズマと接触させることができる。

プラズマは、反応混合物を電磁エネルギ、あるいはマイクロ波エネルギで励起させることによって形成されうる。

シリンジバレルを形成及び被覆するための基本プロトコル
後の実施例において試験される薬剤パッケージ又は他の容器は個々の実施例に特に定めのない限りは以下の例示的なプロトコルに従い形成及び被覆した。以下の基本プロトコルに記載される特定のパラメータ値、例えば、電力及び気体反応物又はプロセスガス流は典型的な値である。これら典型的な値と比較してパラメータ値に変化があった場合、これは後の実施例において示される。気体反応物又はプロセスガスのタイプ及び組成にも同様のことが適用される。

シリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコル
シリンジバレル内部をＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層で被覆するため、全般的に米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている装置及びプロトコルを、以下のように変更を加え、使用することができる。

シリンジバレル内部をＯＭＣＴＳｐＨ保護皮膜で被覆するためのプロトコル
前に示したように、ＳｉＯ_xの複合バリア皮膜又は層で既に内部が被覆されているシリンジバレルは、実施例に記載するような特定の例において変更した条件を用いること以外は、全般的に滑性皮膜又は層を塗布するための米国特許第７，９８５，１８８号明細書のプロトコルに従い、前に示したｐＨ保護皮膜で更に内部が被覆される。ここで記載する条件はＣＯＣシリンジバレル用であり、他の材料から作製されたシリンジバレル用に適宜変更することができる。シリンジバレルの基部にある突き当てシーリング（ｂｕｔｔ ｓｅａｌｉｎｇ）によりシリンジバレルを保持するため、全体として図３及び図４に示されるような装置が使用される。更に、シリンジバレルの端部を封止するキャップが提供される（図３に示される）。

シリンジバレルは、延在するプローブ又はカウンタ電極１０８上において密封位置に慎重に移動され、プラズマスクリーンに押し付けられる。プラズマスクリーンはプローブ又はカウンタ電極１０８の周りにぴったりと嵌合し良好な電気接触を確実とする。プローブ又はカウンタ電極１０８はＲＦ整合ネットワークのケーシングに接地される。

ガス送達ポート１１０は、排出用の手動ボールバルブ又は類似の装置と、熱電対圧力計と、真空ポンピングラインに連結されたバイパスバルブとに連結される。加えて、ガスシステムはガス送達ポート１１０に連結され、気体反応物又はプロセスガス、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）（又は特定の例において報告される特定の気体反応物又はプロセスガス）が（プロセス圧力下で）ガス送達ポート１１０を通してシリンジバレルの内部に流れることを可能にする。

ガスシステムは、ＯＭＣＴＳを約１００℃まで加熱する、市販されている加熱式質量流量気化システム（ｈｅａｔｅｄ ｍａｓｓ ｆｌｏｗ ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）を含む。加熱式質量流量気化システムは、液体オクタメチルシクロテトラシロキサン（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（登録商標）品番Ａ１２５４０、９８％）に連結される。ＯＭＣＴＳ流量は特定の例において報告される特定の有機ケイ素前駆体流に合わせて設定される。蒸発したＯＭＣＴＳ流の凝縮がこのポイントを越えて発生しないようにするため、ガス流はそれが処理のためにＣＯＣシリンジバレルの内部に流れていないときにはポンピングラインに分流される。

シリンジバレルが配置されると、真空ポンプバルブは容器保持器５０及びＣＯＣシリンジバレルの内部に対して開かれる。真空ポンプ及びブロワが真空ポンプシステムに含まれる。ポンピングシステムは、気体反応物又はプロセスガスが指示された速度で流れている間、ＣＯＣシリンジバレルの内部の圧力を１００ｍＴｏｒｒ未満に低下することを可能にする。

ベース真空レベルが達成されると、容器保持器５０アセンブリは電極１６０アセンブリ内に移動する。ガス流（ＯＭＣＴＳ蒸気）がガス送達ポート１１０内に流される（３方弁をポンピングラインからガス送達ポート１１０に調節することによって。ＣＯＣシリンジバレル内部の圧力は、ポンピングラインの真空を制御するバルブの近辺に配置された静電容量型圧力計（ＭＫＳ）によって測定した場合、約１４０ｍＴｏｒｒである。ＣＯＣシリンジバレル圧力に加え、ガス送達ポート１１０及びガスシステム内部の圧力もまたガスシステムに連結された熱電対真空計によって測定される。この圧力は、通常、６Ｔｏｒｒ未満である。

ガスがＣＯＣシリンジバレルの内部に流れると、ＲＦ電源がオンにされ、その一定の電力レベルにされる。６００ワットＲＦ電源が（１３．５６ＭＨｚで）特定の例に示される一定の電力レベルで使用される。ＲＦ電源は、プラズマの複素インピーダンス（容器内で形成される）をＲＦ電源の出力インピーダンスに整合させるオートマッチ（ａｕｔｏ ｍａｔｃｈ）に接続される。進行波電力（ｆｏｒｗａｒｄ ｐｏｗｅｒ）は記載した通りであり、反射波電力（ｒｅｆｌｅｃｔｅｄ ｐｏｗｅｒ）は０ワットである。このため、定格電力が容器の内部に送達される。ＲＦ電源は、実験室タイマ及び１０秒（又は特定の例において定められた異なる時間）に設定された電源オン時間によって制御される。

ＲＦ電力を開始すると、容器の内部の内側に均一なプラズマが提供される。プラズマはＲＦ電力がタイマによって遮断されるまでの、ｐＨ保護皮膜又は層の全時間にわたり維持される。プラズマはｐＨ保護皮膜又は層を容器の内部に生成する。

ｐＨ保護皮膜の後、ガス流は真空ラインに再度分流され、真空バルブは閉じられる。その後、ベントバルブが開かれ、ＣＯＣシリンジバレルの内部を大気圧（約７６０Ｔｏｒｒ）に戻す。（容器保持器５０アセンブリを電極１６０アセンブリから出した後）処理後の容器はその後容器保持器５０アセンブリから慎重に取り外される。

ｐＨ保護皮膜又は層をバイアルに塗布するため、全般的に図１のもののような装置を使用する以外は同様のプロトコルが使用される。

総ケイ素測定のためのプロトコル
このプロトコルは、容器壁全体に存在するケイ素皮膜の総量を特定するために使用される。溶液又は成分とガラスとの間の接触を回避するよう留意し、ある供給量の０．１Ｎ水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用意する。使用される水は精製水で、１８ＭΩ品質である。特に定めのない限りは測定にＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ Ｍｏｄｅｌ ７３００ＤＶ ＩＣＰ−ＯＥＳ機器が使用される。

試験される各デバイス（バイアル、シリンジ、チューブ等）並びにそのキャップ及びクリンプ（バイアルの場合）又は他のクロージャを空〜０．００１ｇにおいて計量し、その後、ＫＯＨ溶液で完全に充填し（ヘッドスペースなしで）、キャップを嵌め、クリンプし、０．００１ｇ以下において再計量した。温浸ステップにおいては、４０℃の超音波処理水浴中に各バイアルが最低８〜１０時間配置される。温浸ステップはケイ素皮膜を容器壁からＫＯＨ溶液中に定量的に除去するために実施される。この温浸ステップ後、バイアルは超音波処理水浴から取り出され、室温まで冷却される。バイアルの内容は１５ｍｌＩＣＰチューブに移動される。ＩＣＰ／ＯＥＳの実施手順に従い、各溶液の総Ｓｉ濃度がＩＣＰ／ＯＥＳによって実施される。

総Ｓｉ濃度はＫＯＨ溶液中のＳｉの１０億分率として報告される。この濃度は、温浸ステップが使用され、それが除去される前に容器壁上にあったケイ素皮膜の総量を示す。

総Ｓｉ濃度は、また、ＳｉＯ_xバリア層が塗布され、ＳｉＯ_xＣ_y第２層（例えば、滑性層又はｐＨ保護皮膜もしくは層）がその後塗布され、ＳｉＯ_xＣ_y層だけの総ケイ素濃度を知りたい場合のように、容器上の全ケイ素層よりも少数の層について特定することができる。この特定は、２セットの容器を用意し、その１つのセットにはＳｉＯ_x層のみを塗布し、そのもう一方のセットには同じＳｉＯ_x層、続いてＳｉＯ_xＣ_y層又は関心のある他の層を塗布することによって実施される。各セットの容器の総Ｓｉ濃度は上に記載したのと同じ手法で特定される。２つのＳｉ濃度間の差がＳｉＯ_xＣ_y第２層の総Ｓｉ濃度である。

容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコル
実施例のいくつかにおいては、例えば、試験溶液の溶解速度を評価するために、試験溶液によって容器の壁から溶解したケイ素の量が１０億分率（ｐｐｂ）で決定される。この溶解したケイ素の特定は、試験条件下でＳｉＯ_x及び／又はＳｉＯ_xＣ_y皮膜又は層が提供された容器内に試験溶液を保管し、その後、溶液のサンプルを容器から除去し、サンプルのＳｉ濃度を試験することによって実施される。試験は、総ケイ素測定のためのプロトコルと同じ手法で実施されるが、そのプロトコルの温浸ステップの代わりに、このプロトコルに記載されるような容器内における試験溶液の保管が使用される。総Ｓｉ濃度は試験溶液中のＳｉの１０億分率として報告される。

平均溶解速度を特定するためのプロトコル
実施例において報告される平均溶解速度は以下のように特定される。既知の総総ケイ素測定値を有する一連の試験容器に、総ケイ素測定のためのプロトコルにおいてバイアルにＫＯＨ溶液を充填する手法と類似の手法で所望の試験溶液を充填する。（試験溶液は、本実施例で用いられるような生理的に不活性の試験溶液とすることも、薬剤パッケージを形成するために容器内に保管されることを意図した生理的に活性な製剤とすることもできる）。試験溶液は各々の容器内にいくつかの異なる時間量の間保管され、その後、各保管時間おける試験溶液中のＳｉ濃度を１０億分率で分析する。各々の保管時間及びＳｉ濃度は、その後、プロットされる。プロットを分析し、最急勾配を有する実質的に線形の点の列を求める。

溶解量（ｐｐｂ Ｓｉ）対日数のプロットでは時間とともに勾配が減少する。Ｓｉ層は試験溶液によって完全に温浸されているため溶解速度は平坦にならないと考えられる。

表２のＰＣ１９４試験データにおいては、最小二乗線形回帰プログラムを使用し、各実験プロットのうち最初の５つの標本値群に合致する線形プロットを求めることにより溶解対時間のデータの線形プロットを作成する。その後、各線形プロットの勾配が決定され、試験に適用可能な平均溶解速度を示すものとして、単位時間あたりの試験溶液中に溶解したＳｉの１０億分率で報告される。

計算保管寿命を特定するためのプロトコル
以下の実施例において報告される計算保管寿命値は、総ケイ素測定のためのプロトコル及び平均溶解速度を特定するためのプロトコルにそれぞれ記載したように特定された総ケイ素測定値及び平均溶解速度の外挿によって決定される。示された保管条件下において、ＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜は皮膜が完全に除去されるまで平均溶解速度で除去されると想定される。したがって、容器の総ケイ素測定値を溶解速度によって除算すると、試験溶液がＳｉＯ_xＣ_y皮膜を完全に溶解するのに要する時間が得られる。この期間は計算保管寿命として報告される。市販保管寿命の計算とは異なり、安全率は計算されない。その代わり、計算保管寿命は計算破損時間である。

ｐｐｂ Ｓｉ対時間のプロットでは時間とともに勾配が減少するため、比較的短い測定時間から比較的長い計算保管寿命への外挿は、実際に得られる計算保管寿命を低く見積もる傾向にある「最悪ケース」の試験（“ｗｏｒｓｔ ｃａｓｅ”ｔｅｓｔ）であると考えられると理解すべきである。

実施例１〜２
シリンジサンプルは以下のように作製した。ＣＯＣシリンジバレルを形成するためのプロトコルに従い、ＣＯＣ８００７延伸バレルシリンジを作製した。ＣＯＣシリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_xバリア皮膜又は層をシリンジのいくつかに塗布する。ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳ滑性皮膜で被覆するためのプロトコルに従い、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層をＳｉＯ_xで被覆されたシリンジに塗布し、以下のように変更を加える。ＯＭＣＴＳはその低い揮発性のため気化器から供給した。アルゴンキャリアガスを使用した。プロセス条件は以下のように設定した。
・ＯＭＣＴＳ：３ｓｃｃｍ
・アルゴンガス：６５ｓｃｃｍ
・電力：６ワット
・時間：１０秒

これら実施例に従い作製される滑性皮膜は、複合バリア皮膜又は層が設けられているが滑性皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比べて容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層としても機能する。

実施例３〜５
シリンジサンプルは以下のように作製する。ＣＯＣシリンジバレルを形成するためのプロトコルに従い、ＣＯＣ ８００７延伸バレルシリンジを作製した。ＣＯＣシリンジバレル内部をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_x皮膜又は層をシリンジバレルに塗布する。ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳで被覆するためのプロトコルに従い、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層をＳｉＯ_xで被覆されたシリンジに塗布し、以下のように変更を加える。表６に示すアルゴンキャリアガス及び酸素を使用する。プロセス条件は以下のように示すように設定する。
・ＯＭＣＴＳ−３ｓｃｃｍ（使用される場合）
・アルゴンガス−７．８ｓｃｃｍ（使用される場合）
・酸素 ０．３８ｓｃｃｍ（使用される場合）
・電力−３ワット
・電源オン時間−１０秒

実施例３及び４のシリンジはこれら条件下で用意する。実施例５のシリンジは、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層がないこと以外はこれら条件下で調製する。

実施例３〜５のシリンジを、また、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用して試験し、総抽出可能レベル（有機ケイ素化合物ベースＰＥＣＶＤｐＨ保護皮膜又は層の抽出を示す）を特定し、この例に示すように変更を加えるとともに補足する。

ケイ素は塩水温浸（ｓａｌｉｎｅ ｗａｔｅｒ ｄｉｇｅｓｔｉｏｎ）を使用して抽出する。エラストマー製の先端材料から物質が抽出することを防止するため各シリンジプランジャの先端をＰＴＦＥテープで被覆し、その後、シリンジバレル基部内に挿入する。シリンジバレルに、２ミリリットルの０．９％水性の生理食塩水を、シリンジのルアーチップを通じて挿入した皮下針により充填する。生理食塩水を収容及び送達するために多くのプレフィルドシリンジが使用されることから、これは抽出性物質に適した試験である。ルアーチップは適切な直径を有する一片のＰＴＦＥビーディングとともに差し込まれる。シリンジをＰＴＦＥ試験台にルアーチップを上向きにした状態でセットし、オーブン内に５０℃で７２時間配置する。

その後、静的又は動的モードのいずれかを使用して生理食塩水をシリンジバレルから除去する。表６に示す静的モードにおいては、シリンジプランジャを試験台から取り外し、シリンジ内の流体を容器内に移す。表６に示す動的モードにおいては、ルアーチップシールを取り外し、プランジャを押下して流体をシリンジバレル内に通し、内容を容器内に排出する。いずれの場合においても、各シリンジバレルから得られる流体を１８．２ＭΩ−ｃｍ脱イオン水を使用して５０ｍｌの体積にし、更に、分析中におけるナトリウムバックグラウンド（ｓｏｄｉｕｍ ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）を最小にするために２倍希釈する。ＣＶＨバレルは２ミリリットルを収容し、市販バレルは２．３２ミリリットルを収容する。

次に、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用し、各シリンジから回収した流体を抽出可能ケイ素に関して試験する。使用した機器はＣｅｔａｃ ＡＳＸ−５２０オートサンプラを備えたＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｅｌａｎ ＤＲＣ ＩＩである。以下のＩＣＰ−ＭＳ条件を用いる。
・噴霧器：Ｑｕａｒｔｚ Ｍｅｉｎｈａｒｄｔ
・噴霧室：Ｃｙｃｌｏｎｉｃ
・ＲＦ（高周波）電力：１５５０ワット
・アルゴン（Ａｒ）流：１５．０Ｌ／分
・補助Ａｒ流：１．２Ｌ／分
・噴霧器ガス流：０．８８Ｌ／分
・積分時間：８０秒
・走査モード：ピークホッピング（ｐｅａｋ ｈｏｐｐｉｎｇ）
・ＣｅＯ（ｍ／ｚ１５６：＜２％としてのセリウムのＲＰｑ（ＲＰｑは拒絶パラメータ（ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ ｐａｒａｍｅｔｅｒ））

実施例５〜７のシリンジから得た水性希釈物の一定分量を注入し、Ｓｉに関して１リットルあたりマイクログラムの濃度単位において分析する。類似の試験に基づくこの試験の予想結果を表６に示す。結果は定量的でないが、それらは、滑性及び／又はｐＨ保護皮膜又は層からの抽出性物質が、ＳｉＯ_xバリア皮膜又は層のみの抽出性物質に比べて明らかに高いわけではないことは示している。また、静的モードは動的モードに比べて大幅に少ない抽出性物質を生じたが、これは予想通りであった。

比較実施例６：ＳｉＯ_x皮膜の溶解対ｐＨ
ここで変更を加えるもの以外の、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルは以下の通りである。試験溶液、ｐＨ３、６、７、８、９及び１２の５０ｍＭ緩衝溶液を用意する。調査されるｐＨ値を提供するのに適切なｐＫａ値を有する緩衝液を選択する。ｐＨ３、７、８及び１２についてはリン酸カリウム緩衝液を選択し、ｐＨ６についてはクエン酸ナトリウム緩衝液を使用し、ｐＨ９についてはトリス緩衝液を選択する。３ｍｌの各試験溶液をホウケイ酸ガラス５ｍｌ薬剤バイアル及びＳｉＯ_xで被覆された５ｍｌ熱可塑性プラスチック薬剤バイアル内に配置する。バイアルは全て、標準的な、被覆されたストッパで閉じられ、圧着される。バイアルをストレージ内に２０〜２５℃で配置し、誘導結合プラズマ分光計（ＩＣＰ）により、異なる保管時間の、バイアル内に収容された溶液中のＳｉ含有量を１０億分率（ｐｐｂ）重量において分析するため、種々の時点において出す。

ガラス溶解の速度を監視するためにここで変更を加えるもの以外は平均溶解速度Ｓｉ含有量を特定するためのプロトコルを使用する。各ｐＨ条件におけるホウケイ酸ガラス又はＳｉＯ_x皮膜の溶解の平均速度を特定するためにデータをプロットする。

ｐｐｂにおけるＳｉ溶解の速度は、除去されたＳｉの総重量を特定し、その後、溶液に曝露したバイアル表面（１１．６５ｃｍ²）量の表面積計算及びＳｉＯ_xの密度の２．２ｇ／ｃｍ³を使用することにより、Ｓｉ溶解速度における予測厚さ（ｎｍ）に変換する。皮膜の予測初期厚さは、ｐＨ５において約３６ｎｍ、ｐＨ６において約８０ｎｍ、ｐＨ７において約２３０ｎｍ、ｐＨ７．５において約４００ｎｍ、ｐＨ８において約７５０ｎｍ、及びｐＨ９において約２６００ｎｍである。

皮膜厚さは、医薬品及びバイオテクノロジー製品における典型的でない過酷な場合の状況を表す。大部分のバイオテクノロジー製品及び多くの医薬製品は冷却された状態で保管され、いずれも室温を超える温度での保管は通常推奨されない。一般的な経験則として、他の全ての条件が同じであれば、保管の温度が低くなるほど必要な厚さが低減される。

この試験に基づき以下の結論に達した。第１に、ＳｉＯ_x皮膜又はガラス中の溶解Ｓｉの量はｐＨが増加するにつれて指数関数的に増加する。第２に、８未満のｐＨにおいてＳｉＯ_x皮膜はホウケイ酸ガラスよりもゆっくりと溶解する。ＳｉＯ_x皮膜は、経時的に、線形の、単相性（ｍｏｎｏｐｈａｓｉｃ）の溶解を示し、その一方で、ホウケイ酸ガラスは溶液への曝露の早期において、よりゆっくりとした線形の溶解の後に、より急速な溶解を示す傾向にある。これは、ＳｉＯ_x皮膜の均一な組成に対し、形成プロセス中、いくらかの塩及び要素がホウケイ酸に表面蓄積することに起因する可能性がある。この結果は、８未満のｐＨにおいてガラスの溶解を低減するためにＳｉＯ_x皮膜をホウケイ酸ガラスバイアルの壁に設けることの有用性を付随的に示唆する。第３に、製剤が保管されるバイアルのための、ＰＥＣＶＤが塗布されたバリア皮膜は、少なくとも製剤がバリア皮膜と著しく相互作用する場合においては、特定の製剤及び提案された保管条件に適合させること（又はその逆）が必要である。

実施例７
滑性層を、そのｐＨ保護皮膜としての機能性について試験するために、ＳｉＯ_x皮膜＋ＯＭＣＴＳ滑性層で被覆された容器について実験を実施した。容器は、環式オレフィンコポリマー（ＣＯＣ、Ｔｏｐａｓ（登録商標）６０１３Ｍ−０７）を含む５ｍＬバイアル（バイアルには、通常、５ｍＬまで製品が充填され、キャップが嵌められている場合の、ヘッドスペースなしでのそれら容量は約７．５ｍＬである）である。

６０個の容器のそれら内部表面をＳｉＯ_x皮膜で被覆した。ＳｉＯ_x皮膜は、バイアルを被覆するのに好適な機器が使用されること以外は、上に説明した、チューブ内側をＳｉＯ_xで被覆するためのプロトコルに従い、ＨＭＤＳＯ前駆体ガスを使用して、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法で作製した。以下の条件が使用される。
・ＨＭＤＳＯ流量：０．４７ｓｃｃｍ
・酸素流量：７．５ｓｃｃｍ
・ＲＦ電力：７０ワット
・被覆時間：１２秒（２秒のＲＦ電力ランプアップ時間を含む）

次に、ＳｉＯ_x皮膜のものと同じ皮膜装置を使用すること以外は、上に説明した、ＣＯＣシリンジバレル内部をＯＭＣＴＳ滑性皮膜で被覆するためのプロトコルに従い、ＳｉＯ_xで被覆されたバイアルのＳｉＯ_x上を、ＰＥＣＶＤ法でＯＭＣＴＳ前駆体ガスを使用して作製したＳｉＯ_xＣ_y皮膜で被覆した。したがって、シリンジを被覆するためのプロトコルにおいて特別な適応は使用されない。以下の条件が使用される。
・ＯＭＣＴＳ流量：２．５ｓｃｃｍ
・アルゴン流量：１０ｓｃｃｍ
・酸素流量：０．７ｓｃｃｍ
・ＲＦ電力：３．４ワット
・被覆時間：５秒

８つのバイアルを選択し、上に説明した総ケイ素測定のためのプロトコルを使用して、ＰＥＣＶＤ皮膜（ＳｉＯ_x＋ＳｉＯ_xＣ_y）の総堆積量をＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ Ｍｏｄｅｌ ７３００ＤＶ ＩＣＰ−ＯＥＳ機器により特定した。この測定は、両皮膜中のケイ素の総量を特定するものであり、ＳｉＯ_x皮膜とＳｉＯ_xＣ_y皮膜とをそれぞれ区別するものではない。結果を表７に示す。

以下の研究においては、この実施例に特に明記されない限り、平均溶解速度を特定するためのプロトコルに従う。ｐＨの溶解速度に対する効果を試験するため、残りの実験では、それぞれｐＨ４及びｐＨ８の２つの緩衝ｐＨ試験溶液を使用する。両試験溶液は、リン酸カリウムを緩衝液として使用し、注射用水（ＷＦＩ）で希釈した（０．１ｕｍ滅菌済、濾過済）５０ｍＭ緩衝液である。ｐＨは濃縮硝酸でｐＨ４又は８にそれぞれ調整した。

２５本のバイアルにおいては、各バイアルに７．５ｍｌの、ｐＨ４の緩衝試験溶液を充填し、別の２５本のバイアルにおいては、各バイアルに７．５ｍｌの、ｐＨ４の緩衝試験溶液を充填した（充填レベルはバイアルの上部まででありヘッドスペースはないことに留意されたい）。バイアルは、予洗したブチルストッパ及びアルミニウムクリンプを使用して閉じた。各ｐＨのバイアルは２つの群に分けた。１２本のバイアルを含む各ｐＨの１つの群を４℃で保管し、１３本のバイアルの第２の群を２３℃で保管する。

バイアルは、１日目、３日目、６日目、及び８日目に試料採取する。この実施例において特に明記されない限りは、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルを使用する。分析結果は各バイアルの緩衝試験溶液中のケイ素の１０億分率に基づき報告する。平均溶解速度を特定するためのプロトコルにおいては、溶解速度は上述のように１日あたりの１０億分率の観点から計算する。各々の保管温度における結果は表８に示す。

ｐＨ８及びｐＨ４におけるＯＭＣＴＳベース皮膜のＳｉ溶解対時間の観察では、ｐＨ４の速度は室温条件において高くなることを示す。したがって、ｐＨ４の速度は、溶解するであろう初期皮膜の量を考慮した上で、保管寿命の終了時に適切な厚さの皮膜を残すには初めにどれほどの材料を塗布する必要があるかを特定するために使用される。この計算の結果は表９に示す。

この計算に基づくと、３年の計算保管寿命を達成するにはＯＭＣＴＳ滑性層を約２．５倍厚くする必要がある（試験された皮膜の全質量を示す１４，３７１ｐｐｂの溶解に対し、３３９４５ｐｐｂの溶解となる）。

実施例８
表１０に示すように、上記の比較実施例６及び実施例７の結果が比較されうる。「滑性層」とは、実施例７において言及したＳｉＯ_xＣ_yの皮膜である。

このデータは、ＳｉＯ_xＣ_y皮膜も被覆されたバイアルにおいては、ｐＨ８において、ＳｉＯ_xのケイ素溶解速度のみが２桁超減少することを示す。

同様の加速させた溶解条件下で実施したいくつかの異なる実験のデータによる別の比較を表１１に示す。

行Ａ（ＯＭＣＴＳ皮膜を有するＳｉＯ_x）と行Ｃ（ＯＭＣＴＳ皮膜のないＳｉＯ_x）の比較では、ｐＨ８においては、ＯＭＣＴＳ滑性層もまた、ＳｉＯ_x皮膜に対する効果的なｐＨ保護皮膜又は層であることを示す。ＯＭＣＴＳ皮膜では、１日目の溶解速度が２５０４ｕｇ／Ｌ（本明細書では「ｕ」又はμ又はギリシャ文字「ｍｕ」は同一であり、「マイクロ」の略語である）から１６５ｕｇ／Ｌに減少した。このデータは、また、ＨＭＤＳＯベースのＳｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）オーバーコート（行Ｄ）では、ＯＭＣＴＳベースのＳｉ_wＯ_xＣ_y（又はその等価のＳｉＯ_xＣ_y）オーバーコート（行Ａ）よりもかなり高い溶解速度になったことを示す。このデータは、線状前駆体に対し、環式前駆体を使用することによりかなりの利点が得られることを示す。

実施例９
表１に列挙した試料１〜６は実施例６に記載されるように用意する。更なる詳細は以下の通りである。

環式オレフィン共重合体（ＣＯＣ）樹脂を射出成形して５ｍｌバイアルのバッチを形成する。シリコンチップを両面粘着テープによってバイアルの内部壁に接着する。バイアル及びチップはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）によって２層皮膜で被覆する。第１層は本開示に定義されるバリア皮膜又は層特性を備えたＳｉＯ_xを含み、第２層はＳｉＯ_xＣ_yｐＨ保護皮膜又は層である。

ＯＭＣＴＳ、アルゴン及び酸素を含む前駆体混合ガスを各バイアル内部に導入する。バイアル内部のガスを高周波（１３．５６ＭＨｚ）電源ｉにより容量結合電極間において励起する。単位ｓｃｃｍにおけるモノマー流量（Ｆ_m）、単位ｓｃｃｍにおける酸素流量（Ｆ_o）、ｓｃｃｍにおけるアルゴン流量、及び単位ワットにおける電力（Ｗ）を表１に示す。

ｋＪ／ｋｇの単位における複合パラメータ（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）Ｗ／ＦＭは、プロセスパラメータＷ、Ｆ_m、Ｆ_o及び個々のガス種のｇ／モルにおける分子量Ｍから計算される。Ｗ／ＦＭは重合ガスの単位質量あたりエネルギ入カと定義される。重合ガスは、モノマー及び酸素などであるがそれらに限定されない、成長する皮膜に組み込まれる種と定義される。非重合ガス（ｎｏｎ−ｐｏｌｙｍｅｒｉｚｉｎｇ ｇａｓｅｓ）は、対照的に、アルゴン、ヘリウム及びネオンなどであるがそれらに限定されない、成長する皮膜に組み込まれることのない種である。

この試験においては、高Ｗ／ＦＭにおけるＰＥＣＶＤ処理によってより高いモノマーフラグメンテーション（ｍｏｎｏｍｅｒ ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ）が発生し、より高い架橋結合密度を有する有機シロキサン皮膜を生成したと考えられる。これに対し、低いＷ／ＦＭにおけるＰＥＣＶＤ処理によって、より低いモノマーフラグメンテーションが発生し、比較的低い架橋結合密度を有する有機シロキサン皮膜を生成したと考えられる。

異なる皮膜間における、試料２、３、５及び６の相対的な架橋結合密度を、ＦＴＩＲ吸光度スペクトルを測定することによって比較した。試料２、３、５及び６のスペクトルを図１１〜１４に提供する。各スペクトルにおいて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モード（１０００〜１０４０ｃｍ^-1）におけるピーク吸光度に対する非対称伸縮モード（１０６０〜１１００ｃｍ^-1）におけるピーク吸光度の比率を測定し、全て表１に示すようにこれら２つの測定値の比率を計算する。各々の比率は複合パラメータＷ／ＦＭに対して線形相関を有することが判明している。

定性的関係（シリコンチップに塗布した場合に皮膜が油性（光沢があり、しばしば虹色の光彩を伴う）に見えるか非油性（光沢がない）に見えるか）もまた、表１のＷ／ＦＭ値と相関することが判明している。表１において確認されるように、低いＷ／ＦＭ値で堆積させた油性外観の皮膜（ｏｉｌｙ ａｐｐｅａｒｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇｓ）は、それらのより低い対称／非対称比率によって特定されるように、より高いＷ／ＦＭ及びより高い架橋結合密度で堆積させた非油性皮膜と比べてより低い架橋結合密度を有すると考えられる。この一般的な経験則から唯一除外されるのは表１の試料２である。試料２の皮膜はそれが薄すぎて見えないことから非油性の外観を呈すると考えられる。したがって、表１において試料２の油性観察は報告されない。赤外線スペクトルをチップ及びサンプル皮膜に透過させ、非被覆ヌルチップ（ｎｕｌｌ ｃｈｉｐ）の透過を減じた、透過モードにおけるＦＴＩＲによってチップを分析した。

下地ＳｉＯ_x皮膜を高いｐＨ及び温度の水溶液から保護する、高いＷ／ＦＭ値で作製した非油性有機シロキサン層が好適であるが、この理由は、表１において類似の実験に基づき予想されるように、それらが低いＳｉ溶解及び長い保管寿命を提供するからである。例えば、油性皮膜における大幅に短い保管寿命及び高い溶解速度とは対照的に、非油性皮膜においてはｐＨ８及び４０℃のバイアルの内容による計算ケイ素溶解は低減され、結果的な保管寿命はある場合においては１３８１日、別の場合においては１１４７日であった。計算保管寿命は実施例９において示したように特定される。計算保管寿命は、また、有機シロキサンｐＨ保護皮膜におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の対称伸縮モードと非対称伸縮モードの比率に線形に相関する。

試料６は特に試料５と比較されうる。有機シロキサン、ｐＨ保護皮膜を表１の試料６のプロセス条件に従い堆積させる。皮膜を高Ｗ／ＦＭで堆積させる。これにより、０．９５８の高い予想Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する非油性皮膜が形成され、結果的に、８４．１ｐｐｂ／日の低い溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルによって測定した）及び１１４７日の長い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルによって測定した）となる。対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的類似している非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示すこの皮膜のＦＴＩＲスペクトルを図１４に示す。これは高い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命において好適な特性である。

有機シロキサンｐＨ保護皮膜を表１の試料５のプロセス条件に従い堆積させた。皮膜は中程度のＷ／ＦＭで堆積させた。これにより、０．６７３の低いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する油性皮膜が形成され、結果的に、２３６．７ｐｐｂ／日の高い溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルに準ずる）及び２７１日のより短い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルに準ずる）になることが予想される。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的高い非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは低い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命においては好ましくない特性であると考えられる。

試料２は特に試料３と比較されうる。ｐＨ保護皮膜を表１の試料２のプロセス条件に従い堆積させる。皮膜は低Ｗ／ＦＭで堆積させる。これにより、０．５８２の低いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を示す皮膜を生じることが予想され、結果的に、１７４ｐｐｂ／日の高い溶解速度及び１０７日の短い保管寿命になる。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは、対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比較すると比較的高い非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは低い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命においては好ましくない特性である。

有機シロキサン、ｐＨ保護皮膜を表１の試料３のプロセス条件に従い堆積させた。皮膜は高Ｗ／ＦＭで堆積させた。これにより、０．９４７の高いＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称／非対称比率を有する非油性皮膜が形成され、結果的に、７９．５ｐｐｂ／日の予測された低いＳｉ溶解速度（平均溶解速度を特定するためのプロトコルに準ずる）及び１３８１日の長い保管寿命（計算保管寿命を特定するためのプロトコルに準ずる）になる。この皮膜のＦＴＩＲスペクトルは、対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度と比べると比較的類似する非対称Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉピーク吸光度を示す。これは高い架橋結合密度の皮膜を示すものであり、ｐＨ保護及び長い保管寿命において好適な特性である。

実施例１０
この実施例及び表２（異なるバリア皮膜又は層に関する類似の研究に基づく予想結果が表にされている）に示すように変更を加え、実施例７と同様の実験を実施した。１００本の５ｍＬＣＯＰバイアルを作製し、試料ＰＣ１９４ではｐＨ保護皮膜又は層のみを塗布したこと以外は上述のようにＳｉＯ_xバリア層及びＯＭＣＴＳベースのｐＨ保護皮膜又は層で被覆した。表２に報告されるように、バイアルの表面から抽出され、全ｐＨ保護皮膜を除去する皮膜量を再度１０億分率において測定した。

この例では、いくつかの異なる皮膜溶解条件が用いられる。溶解のために使用した試験溶液は、０．０２又は０．２ｗｔ．％いずれかのポリソルベート８０界面活性剤、並びに８のｐＨを維持するための緩衝液を含有する。溶解試験は２３℃又は４０℃のいずれかにおいて実施される。

複数のシリンジに各試験溶液を充填し、示した温度で保管し、抽出プロファイル及び抽出されたケイ素の量を特定するためにいくつかの間隔をおいて分析する。長期に及んだ保管時間の平均溶解速度を、その後、平均溶解速度を特定するためのプロトコルに従って得たデータを外挿することによって計算する。類似の実験を基にした予想結果は上述の通りに計算し、表２に示す。特に注目すべきは、表２に示すように、ＰＣ１９４ｐＨ保護皮膜又は層によって充填済みパッケージの非常に長い計算保管寿命が提供されたことである。
ｐＨ８、０．０２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、２３℃での保管に基づくと、２１０４５日（５７年超）、
ｐＨ８、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、２３℃での保管に基づくと、３８７６８日（１００年超）、
ｐＨ８、０．０２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、４０℃での保管に基づくと、８１８４日（２２年超）、及び、
ｐＨ８、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤、４０℃での保管に基づくと、１４７３２日（４０年超）。

表２を参照すると、最長計算保管寿命は１５０ワットのＲＦ電力レベル及び対応する高Ｗ／ＦＭ値の使用に対応する。使用する電力レベルが高くなるほどｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度が高くなると考えられる。

実施例１１
ＲＦ電力レベルの継続的な増加の、ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸光度スペクトルに対する影響を示す、実施例１０のものに類似する更なる一連の実験を実施した。結果を表３に示す。表３では、いずれの場合においても、通常、約１０００〜１０４０ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1に位置するＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において０．７５を超える対称／非対称比率を示す。したがって、特に定めのない限り比較可能な条件下における対称／非対称比率は、２０Ｗの電力レベルにおいては０．７９、４０、６０又は８０Ｗの電力レベルにおいては１．２１又は１．２２、１００ワットにおいては１．２６である。

表３の１５０ワットのデータは他のデータとは幾分異なる条件下でとったものであり、上に記載した２０〜１００ワットのデータと直接比較することはできない。表３の試料６及び８のＦＴＩＲデータはバイアルの上部からとったものであり、表３の試料７及び９のＦＴＩＲデータはバイアルの下部からとったものである。また、表３の試料８及び９においては、ＯＭＣＴＳの量が試料６及び７に比べて半分に削減されている。表３の試料６及び７と試料８及び９との比較によって示されるように、１５０Ｗの電力レベルを維持する一方で酸素レベルを低減すると対称／非対称比率が更に上昇することが予想される。

他の条件が同等であれば、対称／非対称比率を増加させると、５を超えるｐＨを有する物質が充填された容器の保管寿命は増加すると考えられる。

表１２は、表３に概要を示した実験の、算出されたＯパラメータ及びＮパラメータ（米国特許第８，０６７，０７０号明細書に定義された）を示す。表１２に示すように、０．１３４〜０．３４３の範囲のＯパラメータ及び０．４０８〜０．６２３の範囲のＮパラメータは全て米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外である。

実施例１２〜１４
３つの異なるｐＨ保護皮膜又は層を用いた実施例１２〜１４のシリンジサンプルを、表１３に示すもの以外は実施例３〜５と同じ手法で作製した。

実施例１２は、ＯＭＣＴＳ、酸素及びキャリアガスを用いた３成分のｐＨ保護皮膜又は層を有するものであった。実施例１３は、ＯＭＣＴＳ及び酸素を用いるがキャリアガスは用いない２成分のｐＨ保護皮膜又は層を有するものであった。実施例１４は、１成分のｐＨ保護皮膜又は層（ＯＭＣＴＳのみ）を有するものであった。

これら実施例に従い作製されたｐＨ保護皮膜又は層は、また、複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層として機能すると考えられる。

実施例１５〜１７
実施例１２〜１４においては、実施例１５〜１７で前駆体としてＨＭＤＳＯを使用したこと以外は、ＯＭＣＴＳ前駆体ガスを使用する実施例１５〜１７を繰り返した。結果を表１４に示す。これら実施例に従い作製された皮膜は、ｐＨ保護皮膜又は層として、並びに複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層としても機能すると考えられる。

実施例１８〜２３
これら実施例においては０５１２ＯＭＣＴＳｐＨ保護皮膜又は層を、上記機器を用いて、示される特定のプロセス条件（表１８）で１ミリリットルＣＯＣ ６０１３成形シリンジバレル上に塗布した。

表１６に示すように、実施例１８、１９及び２０に類似する条件下で作製した姉妹試料（ｓｉｓｔｅｒ ｓａｍｐｌｅ）の実施例２１、２２及び２３に対して更なる試験を実施した。

これら実施例に従い製作されるｐＨ保護皮膜又は層は、複合バリア皮膜又は層が設けられているがｐＨ保護皮膜又は層は設けられていない類似の容器と比較して容器の保管寿命を増加させるためのｐＨ保護皮膜又は層として機能するとも考えられる。

実施例２４：ｐＨ保護皮膜又は層抽出性物質
シリンジからのケイ素抽出性物質を、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルに記載されるようにＩＣＰ−ＭＳ分析を使用して測定した。シリンジを静的状況及び動的状況の両方において評価した。以下のように変更を加えた、容器中の溶解したケイ素を測定するためのプロトコルにより試験手順を説明する。
・シリンジに２ｍｌの０．９％生理食塩水を充填する。
・シリンジを台に配置し、５０℃で７２時間保管する。
・７２時間後、溶解したケイ素について生理食塩水試験を行う。
・シリンジを通じて生理食塩水を排出する前及び後に溶解したケイ素を測定する。

シリコン油被覆ガラスシリンジ並びにｐＨ保護被覆及びＳｉＯ_x被覆ＣＯＣシリンジから抽出可能なケイ素レベルを表１７に示す。ＩＣＰ−ＭＳ総ケイ素測定の精度は＋／−３％である。

滑性及び／又はｐＨ保護測定の概要
表１８は、上記ＯＭＣＴＳ ｐＨ保護皮膜又は層の概要を示す。

本発明を図面及び前述の記載において詳細に示し且つ説明したが、そのような説明及び記載は例証的又は例示的であり、限定的でないとみなされる。本発明は開示した実施形態に限定されるものではない。図面、開示及び添付の特許請求の範囲の研究により、当業者及び請求される発明を実施する者であれば、開示した実施形態の他の変形形態を理解し、且つ実施することができる。特許請求の範囲においては、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は複数形を排除するものではない。特定の方策が互いに異なる従属請求項に述べられているという単なる事実は、これら方策の組み合わせを有利に使用できないことを示すものではない。特許請求の範囲におけるいかなる参照符号も範囲を限定するものと解釈されるべきではない。

Claims (1560)

1. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   前記ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において、
   前記結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率が２．５〜１０、及び
   前記堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率が０．１〜０．０５、
   の条件下で形成される、
   容器。
2. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   前記ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層がＲＦ ＰＥＣＶＤによって２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される、
   容器。
3. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   物品変形／テープ試験法による、基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９５％である、
   容器。
4. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９０％である、
   容器。
5. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、
   容器。
6. 内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁と、前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層と、を含む容器であって、
   高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためのＳｉ ２ｐ化学シフトの存在を示す、
   容器。
   
   独立請求項−方法
7. 容器を作製する方法であって、
   内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
   前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において、
   前記結合段階時の、ｓｃｃｍにおける有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率が２．５〜１０、
   前記堆積段階時の、有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率が０．１〜０．０５、
   の条件下で、前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
   を含む、方法。
8. 容器を作製する方法であって、
   内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
   前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において、２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
   を含む、方法。
9. 容器を作製する方法であって、
   内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
   前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
   を含み、
   物品変形／テープ試験法による基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９５％である、
   方法。
10. 容器を作製する方法であって、
    内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
    前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
    を含み、
    被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９０％である、
    方法。
11. 容器を作製する方法であって、
    内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
    前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
    を含み、
    高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、
    方法。
12. 容器を作製する方法であって、
    内腔を取り囲む熱可塑性プラスチック壁を設けるステップと、
    前記壁によって前記壁と前記内腔との間に支持される、ｘが１．８〜２．４であるＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層を、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも結合段階及び堆積段階において前記熱可塑性プラスチック壁に塗布するステップと、
    を含み、
    高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためのＳｉ ２ｐ化学シフトの存在を示す、
    方法。
    
    Ａ．上記要件の組み合わせの従属請求項
13. 前記結合段階時、２．５〜１０の有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率で形成される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発明。
14. 前記堆積段階時、０．１〜０．０５の有機ケイ素単量体と酸化性ガスの供給比率で形成される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発明。
15. 前記ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層が有機ケイ素単量体及び酸化性ガスからＲＦ ＰＥＣＶＤによって２０〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００Ｗ〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで形成される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の発明。
16. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９５％である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の発明。
17. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９０％である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の発明。
18. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の発明。
19. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、結合エネルギ（ｅＶ）をＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して低下させるためのＳｉ ２ｐ化学シフトの存在を示す、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｂ．ランプ比率
20. 前記ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層が有機ケイ素単量体及び酸化性ガスからＲＦ ＰＥＣＶＤによって２０Ｗ〜４Ｗの初期ＲＦ電力レベル及び３００〜３０Ｗの最大ＲＦ電力レベルで形成され、
    前記電力レベルが前記初期ＲＦ電力レベルから前記最大ＲＦ電力レベルまで均等に増加する、
    請求項１〜１９のいずれか一項に記載の発明。
21. 前記ＲＦ電力レベルがパルスされない、請求項２０に記載の容器。
    
    Ｃ．付着のレベル−変形試験
22. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９６％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
23. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９７％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
24. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９８％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
25. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９９％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
26. 前記物品変形／テープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が１００％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
27. 前記物品変形／テープ試験法が軸方向変形を使用して実施される、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の発明。
28. 前記物品変形／テープ試験法が直径方向変形を使用して実施される、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｄ．付着のレベル−クロススクラッチ試験
29. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９１％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
30. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９２％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
31. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９３％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
32. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９４％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
33. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９５％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
34. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９６％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
35. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９７％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
36. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９８％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
37. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が少なくとも９９％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
38. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法による、前記基材上における前記複合バリア皮膜又は層の保持の程度が１００％である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の発明。
39. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法がＸ字スクラッチパターンを使用して実施される、請求項１〜３８のいずれか一項に記載の発明。
40. 前記被覆物品クロススクラッチテープ試験法が矩形のスクラッチパターンを使用して実施される、請求項１〜３８のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｅ．共有結合の程度
41. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
42. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
43. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
44. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
45. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
46. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
47. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
48. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
49. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
50. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１１モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
51. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１２モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
52. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１３モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
53. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１４モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
54. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
55. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１６モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
56. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１７モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
57. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１８モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
58. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として少なくとも１９モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
59. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合（ｏｎｄｉｎｇ）の比率として少なくとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の発明。
60. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として多くとも２５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項４１〜５９のいずれか一項に記載の発明。
61. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として多くとも２０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項４１〜５９のいずれか一項に記載の発明。
62. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として多くとも１５モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項４１〜５９のいずれか一項に記載の発明。
63. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、Ｏ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合とＳｉＯ₄結合の比率として多くとも１０モル％のＯ₃−Ｓｉ−Ｃ共有結合を有する界面の存在を示す、請求項４１〜５９のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｆ．ｅＶにおける化学シフト
64. 高解像のＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）が、前記複合バリア皮膜又は層と前記基材との間に、ＳｉＯ₄結合の結合エネルギと比較して少なくとも０．２ｅＶのＳｉ ２ｐピークの広がりを有する界面の存在を示す、請求項１〜６３のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｇ．アブレーション
65. 前記ＳｉＯ_x複合バリア皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤによって有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから、少なくとも基材アブレーション段階、ＳｉＯ_x結合段階及びＳｉＯ_x堆積段階において形成される、請求項１〜６４のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｈ．定格容積
66. 前記容器が０．２〜５０ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
67. 前記容器が２〜５０ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
68. 前記容器が２〜２０ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
69. 前記容器が２〜６ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
70. 前記容器が３〜５ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
71. 前記容器が０．２５〜２０ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
72. 前記容器が０．５〜５ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
73. 前記容器が１〜２ｍｌの定格容積を有する、請求項１〜６５のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｉ．充填容積
74. 前記容器が０．３〜７５ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
75. 前記容器が３〜７５ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
76. 前記容器が３〜３０ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
77. 前記容器が４〜９ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
78. 前記容器が４〜８ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
79. 前記容器が０．４〜３５ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
80. 前記容器が０．８〜９ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
81. 前記容器が１．７〜３．５ｍｌの充填容積を有する、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｊ．容器のタイプ
82. 前記容器がバイアルである、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
83. 前記容器がシリンジである、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
84. 前記容器がプレフィルドシリンジである、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
85. 前記容器がカートリッジである、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
86. 前記容器が試料管である、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
87. 前記容器が真空血液試料管である、請求項１〜８１のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｋ．出力密度、Ｗ／ｍＬ
88. 前記初期ＲＦ電力レベルにおける出力密度が３〜１Ｗ／ｍＬである、請求項１〜８７のいずれか一項に記載の発明。
89. 前記最大ＲＦ電力レベルにおける出力密度が６０〜４Ｗ／ｍＬである、請求項１〜８７のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｌ．単量体
90. 前記有機ケイ素単量体が１分子中に２〜６個のケイ素原子を有する有機シロキサンである、請求項１〜８９のいずれか一項に記載の発明。
91. 前記有機ケイ素単量体がヘキサメチルジシロキサンである、請求項１〜８９のいずれか一項に記載の発明。
92. 前記有機ケイ素単量体が１分子中に２〜６個のケイ素原子を有する有機シロキサザンである、請求項１〜８９のいずれか一項に記載の発明。
93. 前記有機ケイ素単量体がヘキサメチルジシロキサザンである、請求項１〜８９のいずれか一項に記載の発明。
    
    Ｍ．事前充填薬剤容器
94. 前記内腔が医薬品を収容する、請求項１〜６又は１３〜９３のいずれか一項に記載の発明。
95. 前記医薬品が５〜９のｐＨを有する、請求項９４に記載の発明。
96. 前記内腔と前記容器の外側との間に開口部を更に含む、請求項１〜６又は１３〜９５のいずれか一項に記載の発明。
97. 前記開口部内に着座したクロージャを更に含む、請求項９６に記載の発明。
    
    Ｎ．事前充填薬剤容器を作製する方法
98. 前記内腔に医薬品を導入するステップを更に含む、請求項７〜９３のいずれか一項に記載の発明。
99. 前記医薬品が５〜９のｐＨを有する、請求項９８に記載の発明。
100. 前記内腔と前記容器の外側との間に開口部を設けるステップを更に含む、請求項７〜９９のいずれか一項に記載の発明。
101. クロージャを前記開口部内に着座させるステップを更に含む、請求項１００に記載の発明。
     
     Ｏ．ｐＨ保護皮膜又は層を有する
102. 前記内腔に面する前記複合バリア皮膜又は層の内部表面と、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜又は層と、を更に含み、前記ｐＨ保護皮膜又は層は、前記内腔に面する内部表面と、前記複合バリア皮膜又は層の前記内部表面に面する外部表面と、を有し、前記ｐＨ保護皮膜又は層は前記容器の計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）を増加させるのに有効である、請求項１〜６又は１３〜９７のいずれか一項に記載の発明。
103. 前記壁が、前記内腔に面する、ガラスを含む内部表面と、外部表面と、を有し、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜又は層を更に含み、前記ｐＨ保護皮膜又は層は、前記内腔に面する内部表面と、前記複合バリア皮膜又は層の前記内部表面に面する外部表面と、を有し、前記ｐＨ保護皮膜又は層は前記ガラス内部表面のＳｉ溶解速度を減少させるのに有効である、請求項１〜６又は１３〜９７のいずれか一項に記載の発明。
104. 前記内腔に面する前記複合バリア皮膜又は層の内部表面と、前記複合バリア皮膜又は層上にある、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_xＣ_y又はＳｉＮ_xＣ_yのｐＨ保護皮膜又は層と、を更に含み、前記ｐＨ保護皮膜又は層が、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体の化学気相成長によって形成される、請求項１〜６又は１３〜９７のいずれか一項に記載の発明。
     
     Ｐ．キャリアガス
105. 前記ＳｉＯｘ複合バリア皮膜又は層が、有機ケイ素単量体、酸化性ガス及びキャリアガスを含むガス供給物からＰＥＣＶＤによって形成される、請求項１〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
106. 用いられるＰＥＣＶＤ条件下において前記キャリアガスが本質的に不活性ガスからなる、請求項１０５に記載の発明。
107. 前記キャリアガスが希ガスを含む、請求項１０５又は１０６に記載の発明。
108. 前記キャリアガスがヘリウムを含む、請求項１０５、１０６又は１０７に記載の発明。
109. 前記キャリアガスがネオンを含む、請求項１０５〜１０８のいずれか一項に記載の発明。
110. 前記キャリアガスがアルゴンを含む、請求項１０５〜１０９のいずれか一項に記載の発明。
111. 前記キャリアガスがクリプトンを含む、請求項１０５〜１１０のいずれか一項に記載の発明。
112. 前記キャリアガスがキセノンを含む、請求項１０５〜１１１のいずれか一項に記載の発明。
     
     Ｑ．酸化性ガス
113. 前記ＳｉＯｘが有機ケイ素単量体及び酸化性ガスから形成される、請求項１〜１１２のいずれか一項に記載の発明。
114. 前記酸化性ガスが酸素を含む、請求項１１３に記載の発明。
115. 前記酸化性ガスがＯ₂を含む、請求項１１３又は１１４に記載の発明。
116. 前記酸化性ガスがＨ₂Ｏ₂を含む、請求項１１３〜１１５のいずれか一項に記載の発明。
117. 前記酸化性ガスがＯ₃を含む、請求項１１３〜１１６のいずれか一項に記載の発明。
118. 前記酸化性ガスがＨ₂Ｏを含む、請求項１１３〜１１７のいずれか一項に記載の発明。
     Ｒ．有機ケイ素単量体
119. 前記複合バリア皮膜又は層が有機シロキサン、有機シラン又は有機シラザンを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
120. 前記複合バリア皮膜又は層が、１〜５個のケイ素原子を有する直鎖又は分岐シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン、又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
121. 前記複合バリア皮膜又は層が、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
122. 前記複合バリア皮膜又は層が単環シロキサンを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
123. 前記複合バリア皮膜又は層がオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
124. 前記複合バリア皮膜又は層が、本質的にオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
125. 前記複合バリア皮膜又は層が、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１〜１１８のいずれか一項に記載の発明。
     
     追加クレーム
126. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が、
     ポリオレフィン、
     ポリエステル、又は、
     ポリオレフィンとポリエステルの組み合わせ、
     を含む、請求項１〜１２５のいずれか一項に記載の発明。
127. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリオレフィンを含む、請求項１〜１２６のいずれか一項に記載の発明。
128. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリオレフィンからなる、請求項１〜１２７のいずれか一項に記載の発明。
129. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が環式オレフィン重合体を含む、請求項１〜１２８のいずれか一項に記載の発明。
130. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的に環式オレフィン重合体からなる、請求項１〜１２９のいずれか一項に記載の発明。
131. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が環式オレフィン共重合体を含む、請求項１〜１３０のいずれか一項に記載の発明。
132. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的に環式オレフィン共重合体からなる、請求項１〜１３１のいずれか一項に記載の発明。
133. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリプロピレンを含む、請求項１〜１３２のいずれか一項に記載の発明。
134. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリプロピレンからなる、請求項１〜１３３のいずれか一項に記載の発明。
135. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリエステルを含む、請求項１〜１３４のいずれか一項に記載の発明。
136. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリエステルからなる、請求項１〜１３５のいずれか一項に記載の発明。
137. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリエチレンテレフタレートを含む、請求項１〜１３６のいずれか一項に記載の発明。
138. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリエチレンテレフタレートからなる、請求項１〜１３７のいずれか一項に記載の発明。
139. 前記容器がシリンジバレルを含む、請求項１〜１３８のいずれか一項に記載の発明。
140. 前記容器がバイアルを含む、請求項１〜１３８のいずれか一項に記載の発明。
141. 前記容器がブリスタパッケージを含む、請求項１〜１３８のいずれか一項に記載の発明。
142. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が５〜６のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
143. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が６〜７の間のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
144. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が７〜８のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
145. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が８〜９のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
146. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が６．５〜７．５のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
147. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が７．５〜８．５のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
148. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が８．５〜９のｐＨを有する、請求項１〜１４１のいずれか一項に記載の発明。
149. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が２０℃及び７６０ｍｍＨｇ．大気圧の液体である、請求項１〜１４８のいずれか一項に記載の発明。
150. 前記容器の前記内腔内に収容された流体を更に含み、前記流体組成物が水性の液体である、請求項１〜１４９のいずれか一項に記載の発明。
151. 前記複合バリア皮膜又は層が４ｎｍ〜５００ｎｍの厚さである、請求項１〜１５０のいずれか一項に記載の発明。
152. 前記複合バリア皮膜又は層が７ｎｍ〜４００ｎｍの厚さである、請求項１〜１５０のいずれか一項に記載の発明。
153. 前記複合バリア皮膜又は層が１０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さである、請求項１〜１５０のいずれか一項に記載の発明。
154. 前記複合バリア皮膜又は層が２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さである、請求項１〜１５０のいずれか一項に記載の発明。
155. 前記複合バリア皮膜又は層が３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さである、請求項１〜１５０のいずれか一項に記載の発明。
156. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＳｉＯ_xＣ_yを含む、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
157. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が本質的にＳｉＯ_xＣ_yからなる、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
158. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＳｉＮ_xＣ_yを含む、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
159. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が本質的にＳｉＮ_xＣ_yからなる、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
160. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
161. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
162. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が単環シロキサンを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
163. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
164. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が本質的にオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
165. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１０２〜１０４のいずれか一項に記載の発明。
166. 前記前駆体供給物が更に酸化性ガスを含む、請求項１６５に記載の発明。
167. 前記前駆体供給物が更にキャリアガスを含む、請求項１６５又は１６５Ａに記載の発明。
168. 前記キャリアガスがアルゴンを含む、請求項１６５〜１６５１６７のいずれか一項に記載の発明。
169. 前記前駆体供給物が、
     ０．５〜１０標準体積の有機ケイ素前駆体と、
     ０．１〜１０標準体積の酸化性ガスと、
     １〜１００ｓｃｃｍのキャリアガスと、
     を含む、請求項１６５〜１６５１６８のいずれか一項に記載の発明。
170. 前記前駆体供給物が、
     ０．５〜１０標準体積のオクタメチレンシクロテトラシロキサンと、
     ０．１〜１０標準体積の酸化性ガスと、
     １〜１００ｓｃｃｍのアルゴンと、
     を含む、請求項１６５〜１６５１６９のいずれか一項に記載の発明。
171. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が１０〜１０００ｎｍの厚さである、請求項１６５〜１６５１７０のいずれか一項に記載の発明。
172. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜８００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７１のいずれか一項に記載の発明。
173. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が１００〜７００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７２のいずれか一項に記載の発明。
174. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が３００〜６００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７３のいずれか一項に記載の発明。
175. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１０〜１０００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７４のいずれか一項に記載の発明。
176. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が２０〜７００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７５のいずれか一項に記載の発明。
177. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜５００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７６のいずれか一項に記載の発明。
178. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１００〜４００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７７のいずれか一項に記載の発明。
179. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１５０〜３００ｎｍの厚さである、請求項１０２〜１７８のいずれか一項に記載の発明。
180. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の２０％未満である、請求項１０２〜１７９のいずれか一項に記載の発明。
181. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の１５％未満である、請求項１０２〜１８０のいずれか一項に記載の発明。
182. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の１０％未満である、請求項１０２〜１８１のいずれか一項に記載の発明。
183. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の７％未満である、請求項１０２〜１８２のいずれか一項に記載の発明。
184. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜２０％である、請求項１０２〜１８３のいずれか一項に記載の発明。
185. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜１５％である、請求項１０２〜１８４のいずれか一項に記載の発明。
186. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜１０％である、請求項１０２〜１８５のいずれか一項に記載の発明。
187. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記複合バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜７％である、請求項１０２〜１８６のいずれか一項に記載の発明。
188. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が少なくとも前記複合バリア皮膜又は層と同一領域を占める、請求項１０２〜１８７のいずれか一項に記載の発明。
189. 本発明の組立後、少なくとも１年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８８のいずれか一項に記載の発明。
190. 本発明の組立後、少なくとも２年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
191. 本発明の組立後、少なくとも３年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
192. 本発明の組立後、少なくとも４年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
193. 本発明の組立後、少なくとも５年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
194. 本発明の組立後、少なくとも６年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
195. 本発明の組立後、少なくとも７年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
196. 本発明の組立後、少なくとも８年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
197. 本発明の組立後、少なくとも９年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
198. 本発明の組立後、多くとも１０年の保管寿命を有する、請求項１０２〜１８９のいずれか一項に記載の発明。
199. 前記保管寿命が３℃で決定される、請求項１０２〜１９８のいずれか一項に記載の発明。
200. 前記保管寿命が４℃で決定される、請求項１０２〜１９８のいずれか一項に記載の発明。
201. 前記保管寿命が２０℃で決定される、請求項１０２〜１９８のいずれか一項に記載の発明。
202. 前記保管寿命が２３℃で決定される、請求項１０２〜１９８のいずれか一項に記載の発明。
203. 前記保管寿命が４０℃で決定される、請求項１０２〜１９８のいずれか一項に記載の発明。
204. 前記流体組成物のｐＨが５〜６であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
205. 前記流体組成物のｐＨが６〜７であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
206. 前記流体組成物のｐＨが７〜８であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
207. 前記流体組成物のｐＨが８〜９であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
208. 前記流体組成物のｐＨが５〜６であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
209. 前記流体組成物のｐＨが６〜７であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
210. 前記流体組成物のｐＨが７〜８であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
211. 前記流体組成物のｐＨが８〜９であり、前記保管寿命の終了時における前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１０２〜２０３のいずれか一項に記載の発明。
212. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の４４時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１０２〜２１１のいずれか一項に記載の発明。
213. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の８８時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１０２〜２１１のいずれか一項に記載の発明。
214. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の１７５時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１０２〜２１１のいずれか一項に記載の発明。
215. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の２５０時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１０２〜２１１のいずれか一項に記載の発明。
216. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の３５０時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１０２〜２１１のいずれか一項に記載の発明。
217. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が前記非被覆内部表面よりも低い摩擦抵抗を提供するのに有効である、請求項１０２〜２１６のいずれか一項に記載の発明。
218. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも２５％減少する、請求項２１７に記載の発明。
219. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも４５％減少する、請求項２１７に記載の発明。
220. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも６０％減少する、請求項２１７に記載の発明。
221. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、本発明の組立後、前記壁の、前記流体組成物が接触する部分と、相対的に摺動する部品との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である、請求項１０２〜２２０のいずれか一項に記載の発明。
222. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、本発明の組立の少なくとも２年後、前記壁と、相対的に摺動する部品との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である、請求項１０２〜２２０のいずれか一項に記載の発明。
223. シリンジである、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
224. シリンジバレルを含むシリンジである、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
225. プランジャを含むシリンジである、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
226. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジである、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
227. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジであり、前記壁が前記シリンジバレルの少なくとも一部を画定する、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
228. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジであり、前記壁が前記シリンジバレルの少なくとも一部を画定し、前記相対的に摺動する部品が前記シリンジプランジャを含む、請求項１〜２２２のいずれか一項に記載の発明。
229. 前記ｐＨ保護皮膜又は層と前記内腔との間に塗布された滑性皮膜と、
     任意選択的に、前記ｐＨ保護皮膜の前記内側表面又は層の近傍に塗布された更なる皮膜であって、前記更なる皮膜が、前記熱可塑性プラスチック壁の前記内部表面に面する外部表面と、前記内腔に面する内側表面と、を有する、更なる皮膜と、
     前記ｐＨ保護皮膜又は層に接触する流体と、
     を更に含む、請求項１０２〜２２８のいずれか一項に記載の発明。
230. 前記ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸収スペクトルが、
     約１０００〜１０４０ｃｍ^-1におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
     約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において、０．７５を超える比率を有する、
     請求項１０２〜２２９のいずれか一項に記載の発明。
231. 前記比率が少なくとも０．８である、請求項２３０に記載の発明。
232. 前記比率が少なくとも０．９である、請求項２３０に記載の発明。
233. 前記比率が少なくとも１である、請求項２３０に記載の発明。
234. 前記比率が少なくとも１．１である、請求項２３０に記載の発明。
235. 前記比率が少なくとも１．２である、請求項２３０に記載の発明。
236. 前記比率が多くとも１．７である、請求項２３０〜２３５のいずれか一項に記載の発明。
237. 前記比率が多くとも１．６である、請求項２３０〜２３５のいずれか一項に記載の発明。
238. 前記比率が多くとも１．５である、請求項２３０〜２３５のいずれか一項に記載の発明。
239. 前記比率が多くとも１．４である、請求項２３０〜２３５のいずれか一項に記載の発明。
240. 前記比率が多くとも１．３である、請求項２３０〜２３５のいずれか一項に記載の発明。
241. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が非油性の外観を有する、請求項１０２〜２４０のいずれか一項に記載の発明。
242. 注射用水で希釈し、濃縮硝酸でｐＨ８に調整し、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有する５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液による、前記容器からのケイ素溶解速度が１７０ｐｐｂ／日未満である、請求項１０２〜２４１のいずれか一項に記載の発明。
243. 前記ケイ素溶解速度が１６０ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
244. 前記ケイ素溶解速度が１４０ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
245. 前記ケイ素溶解速度が１２０ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
246. 前記ケイ素溶解速度が１００ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
247. 前記ケイ素溶解速度が９０ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
248. 前記ケイ素溶解速度が８０ｐｐｂ／日未満である、請求項２４２に記載の発明。
249. 前記容器から４０℃の０．１Ｎ水酸化カリウム水溶液に溶解する際の前記ｐＨ保護皮膜及び複合バリア皮膜又は層の総ケイ素含有量が６６ｐｐｍ未満である、請求項１０２〜２４８のいずれか一項に記載の発明。
250. 前記総ケイ素含有量が６０ｐｐｍ未満である、請求項２４９に記載の発明。
251. 前記総ケイ素含有量が５０ｐｐｍ未満である、請求項２４９に記載の発明。
252. 前記総ケイ素含有量が４０ｐｐｍ未満である、請求項２４９に記載の発明。
253. 前記総ケイ素含有量が３０ｐｐｍ未満である、請求項２４９に記載の発明。
254. 前記総ケイ素含有量が２０ｐｐｍ未満である、請求項２４９に記載の発明。
255. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が１年を超える、請求項１〜２５４のいずれか一項に記載の発明。
256. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が１８か月を超える、請求項２５５に記載の発明。
257. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が２年を超える、請求項２５５に記載の発明。
258. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が２年半を超える、請求項２５５に記載の発明。
259. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が３年を超える、請求項２５５に記載の発明。
260. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が４年未満である、請求項１０２〜２５９のいずれか一項に記載の発明。
261. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が５年未満である、請求項１０２〜２５９のいずれか一項に記載の発明。
262. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の２２，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１０２〜２６１のいずれか一項に記載の発明。
263. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の３０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
264. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の４０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
265. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の５０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
266. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の６０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
267. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の６２，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
268. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の７０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
269. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の８０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２６２に記載の発明。
270. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の１００，０００ｋＪ／ｋｇ未満の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１０２〜２６９のいずれか一項に記載の発明。
271. 前記ＰＥＣＶＤ反応室内において、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の９０，０００ｋＪ／ｋｇ未満の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１０２〜２７０のいずれか一項に記載の発明。
272. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって０．１〜５００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１０２〜２７１のいずれか一項に記載の発明。
273. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって０．１〜４００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
274. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１〜３００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
275. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１〜２５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
276. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１０〜２００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
277. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって２０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
278. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって４０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
279. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって６０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項２７２に記載の発明。
280. 電極電力とプラズマ量の比率が１Ｗ／ｍｌ〜１００Ｗ／ｍｌである、請求項１０２〜２７９のいずれか一項に記載の発明。
281. 電極電力とプラズマ量の比率が５Ｗ／ｍｌ〜７５Ｗ／ｍｌである、請求項２８０に記載の発明。
282. 電極電力とプラズマ量の比率が６Ｗ／ｍｌ〜６０Ｗ／ｍｌである、請求項２８０に記載の発明。
283. 電極電力とプラズマ量の比率が１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌである、請求項２８０に記載の発明。
284. 電極電力とプラズマ量の比率が２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌである、請求項２８０に記載の発明。
285. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約５〜約９のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１０２〜２８４のいずれか一項に記載の発明。
286. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約６〜約８のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１０２〜２８４のいずれか一項に記載の発明。
287. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約４〜約６のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１０２〜２８４のいずれか一項に記載の発明。
288. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約４．６〜約５．８のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１０２〜２８４のいずれか一項に記載の発明。
289. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲｍａｘ表面粗さ値約７０〜約１６０を有する、請求項１０２〜２８８のいずれか一項に記載の発明。
290. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲｍａｘ表面粗さ値約８４〜約１４２を有する、請求項１０２〜２８８のいずれか一項に記載の発明。
291. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲｍａｘ表面粗さ値約９０〜約１３０を有する、請求項１０２〜２８８のいずれか一項に記載の発明。
292. 内部壁が前記ｐＨ保護層で被覆されたシリンジバレルを含み、前記バレル内における摺動のため配置されたプランジャと、前記プランジャの少なくとも一部の上にある滑性皮膜又は層と、を更に含む、請求項１０２〜２９１のいずれか一項に記載の発明。
293. 前記滑性皮膜又は層が前記非被覆基材よりも低いピストン摺動力又は始動力を提供するように構成されている、請求項２９２に記載の発明。
294. ＳｉＮ_xＣ_yｓ式が約０．５〜２．４、及びｙは約０．６〜約３である
295. 前記滑性皮膜又は層前記滑性層が透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）による１０〜５００ｎｍの厚さを有する、請求項２９２に記載の発明。
296. プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって堆積される前記滑性皮膜又は層前記滑性層である、請求項２９２に記載の発明。
297. 前記滑性皮膜又は層が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体から皮膜を形成するのに有効な条件下で堆積される、請求項２９２に記載の発明。
298. 前記前駆体が直鎖シロキサンを含む、請求項２９２に記載の発明。
299. 前記前駆体が単環シロキサンを含む、請求項２９２に記載の発明。
300. 前記前駆体が多環シロキサンを含む、請求項２９２に記載の発明。
301. 前記前駆体がポリシルセスキオキサンを含む、請求項２９２に記載の発明。
302. 前記前駆体が直鎖シラザンを含む、請求項２９２に記載の発明。
303. 前記前駆体が単環シラザンを含む、請求項２９２に記載の発明。
304. 前記前駆体が多環シラザンを含む、請求項２９２に記載の発明。
305. 前記前駆体がポリシルセスキアザンを含む、請求項２９２に記載の発明。
306. 前記前駆体がシラトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
307. 前記前駆体がシルクアシラトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
308. 前記前駆体がシルプロアトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
309. 前記前駆体がアザシラトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
310. 前記前駆体がアザシルクアシアトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
311. 前記前駆体がアザシルプロアトランを含む、請求項２９２に記載の発明。
312. 前記ｐＨ保護層が減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定され、
     

     

     のように測定された０．４未満のＯパラメータを示す、請求項１０２〜３１１のいずれか一項に記載の発明。
313. 前記Ｏパラメータが０．１〜０．３９の値を有する、請求項３１２に記載の発明。
314. 前記Ｏパラメータが０．１５〜０．３７の値を有する、請求項３１２に記載の発明。
315. 前記Ｏパラメータが０．１７〜０．３５の値を有する、請求項３１２に記載の発明。
316. 前記ｐＨ保護層が、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定され、
     

     

     のように測定された０．７未満のＮパラメータを示す、請求項１０２〜３１５のいずれか一項に記載の発明。
317. 前記Ｎパラメータが少なくとも０．３の値を有する、請求項３１６に記載の発明。
318. 前記Ｎパラメータが０．４〜０．６の値を有する、請求項３１６に記載の発明。
319. 基材と、
     請求項１〜３１８のいずれか一項に記載の、前記基材上の複合バリア皮膜又は層と、
     前記複合バリア皮膜又は層上の不動態化層であって、前記不動態化層が、
     約１０００〜１０４０ｃｍ^-1におけるＦＴＩＲスペクトルのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
     約１０６０〜約１１００ｃｍ^-1におけるＦＴＩＲスペクトルのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅と、
     の間において０．７５を超えるＦＴＩＲ吸光度比を示す、不動態化層と、
     を含む、複合材料。
320. 前記ｐＨ保護層のｘが０．５〜１．５であり、ｙが０．９〜２である、請求項１〜３１８のいずれか一項に記載の発明。
321. ｘが０．７〜１．３であり、ｙが０．９〜２である、請求項３２０に記載の発明。
322. ｘが０．８〜１．２であり、ｙが０．９〜１．５である、請求項３２０に記載の発明。
323. ｘが０．９〜１．２であり、ｙが０．９〜１．４である、請求項３２０に記載の発明。
324. ｘが０．９２〜１．０７であり、ｙが１．１６〜１．３３である、請求項３２０に記載の発明。
325. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲＭＳ表面粗さ値が、約５〜約９、任意選択的に約６〜約８、任意選択的に約６．４〜約７．８である、請求項１０２〜３２４のいずれか一項に記載の発明。
326. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_a表面粗さ値が約４〜約６、任意選択的に約４．６〜約５．８である、請求項１０２１〜３２５のいずれか一項に記載の発明。
327. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_max表面粗さ値が、約７０〜約１６０、任意選択的に約８４〜約１４２、任意選択的に約９０〜約１３０である、請求項１０２１〜３２６のいずれか一項に記載の発明。
     薬物クレーム
328. 前記内腔が、
     吸入麻酔薬
     アリフルラン
     クロロホルム
     シクロプロパン
     デスフルラン（Ｓｕｐｒａｎｅ）
     ジエチルエーテル
     エンフルラン（Ｅｔｈｒａｎｅ）
     塩化エチル
     エチレン
     ハロタン（Ｆｌｕｏｔｈａｎｅ）
     イソフルラン（Ｆｏｒａｎｅ、Ｉｓｏｆｌｏ）
     イソプロペニルビニルエーテル
     メトキシフルラン
     メトキシフルラン
     メトキシプロパン
     亜酸化窒素
     ロフルラン
     セボフルラン（Ｓｅｖｏｒａｎｅ、Ｕｌｔａｎｅ、Ｓｅｖｏｆｌｏ）
     テフルラン
     トリクロロエチレン
     ビニルエーテル
     キセノン
     
     注射剤
     Ａｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）
     アバレリックスデポ
     アボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）
     ＡＢＴ−２６３
     ＡＢＴ−８６９
     ＡＢＸ−ＥＦＧ
     Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
     Ａｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）
     アセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）
     アセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）
     アクテムラ（トシリズマブ注射薬）
     Ａｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート）
     Ａｃｔｕｍｍｕｎｅ
     アクチバーゼ
     注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）
     Ａｄａｃｅｌ
     アダリムマブ
     アデノスキャン（アデノシン注射薬）
     アデノシン注射薬（アデノスキャン）
     Ａｄｒｅｎａｃｌｉｃｋ
     ＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬）
     Ａｆｌｕｒｉａ
     Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）
     アウドラザイム（ラロニダーゼ）
     アルグルセラーゼ注射薬（セレデース）
     アルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）
     アロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）
     Ａｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）
     アルプロスタジル
     Ａｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）
     ＡＬＴＵ−２３８
     アミノ酸注射薬
     Ａｍｉｎｏｓｙｎ
     アピドラ
     アプレミラスト
     アルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）
     ＡＭＧ００９
     ＡＭＧ０７６
     ＡＭＧ１０２
     ＡＭＧ１０８
     ＡＭＧ１１４
     ＡＭＧ１６２
     ＡＭＧ２２０
     ＡＭＧ２２１
     ＡＭＧ２２２
     ＡＭＧ２２３
     ＡＭＧ３１７
     ＡＭＧ３７９
     ＡＭＧ３８６
     ＡＭＧ４０３
     ＡＭＧ４７７
     ＡＭＧ４７９
     ＡＭＧ５１７
     ＡＭＧ５３１
     ＡＭＧ５５７
     ＡＭＧ６２３
     ＡＭＧ６５５
     ＡＭＧ７０６
     ＡＭＧ７１４
     ＡＭＧ７４５
     ＡＭＧ７８５
     ＡＭＧ８１１
     ＡＭＧ８２７
     ＡＭＧ８３７
     ＡＭＧ８５３
     ＡＭＧ９５１
     アミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
     アモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）
     アミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）
     アナキンラ
     Ａｎｔｉ−Ａｂｅｔａ
     Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ７
     Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ２０
     Ａｎｔｉ−ＣＤ４
     Ａｎｔｉ−ＣＤ２０
     Ａｎｔｉ−ＣＤ４０
     Ａｎｔｉ−ＩＦＮａｌｐｈａ
     Ａｎｔｉ−ＩＬ１３
     Ａｎｔｉ−ＯＸ４０Ｌ
     Ａｎｔｉ−ｏｘＬＤＳ
     Ａｎｔｉ−ＮＧＦ
     Ａｎｔｉ−ＮＲＰ１
     アリクストラ
     Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）
     Ａｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）
     Ａｎａｐｒｏｘ
     アンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）
     アピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
     Ａｐｏｍａｂ
     Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）
     アルガトロバン（アルガトロバン注射薬）
     塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ１０
     アリストコート
     アリストスパン
     三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）
     アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）
     アーゼラ（オファツムマブ注射薬）
     Ａｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）
     アタルレン
     アタルレン−ＤＭＤ
     アテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）
     ベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）
     アバスチン
     アザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）
     アジスロマイシン（ジスロマック注射薬）
     アズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）
     バクロフェン注射薬（リオレサール髄注（Ｉｎｔｒａｔｈｅｃａｌ））
     静菌水（注射用静菌水）
     バクロフェン注射薬（リオレサール髄注）
     Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）
     ＢａｙＨｅｐＢ
     ＢａｙＴｅｔ
     ベナドリル
     塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）
     メシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）
     ベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）
     ベキサール
     バイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）
     ブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）
     ブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）
     ボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）
     ボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）
     ＢＲ３−ＦＣ
     Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）
     ブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）
     ブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）
     Ｂｒｅｔｈｉｎｅ
     Ｂｒｉｏｂａｃｅｐｔ
     ＢＴＴ−１０２３
     ブピバカインＨＣｌ
     バイエッタ
     Ｃａ−ＤＴＰＡ（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）
     カバジタキセル注射薬（ジェブタナ）
     カフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）
     カルシジェックス注射薬（カルシトリオール）
     カルシトリオール（カルシジェックス注射薬）
     塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）
     カルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）
     キャンパス（アルテムツズマブ（Ａｌｔｅｍｔｕｚｕｍａｂ））
     Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）
     カナキヌマブ注射薬（イラリス）
     カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（カプレオマイシン注射用）
     カプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））
     カーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））
     カーティセル
     Ｃａｔｈｆｌｏ
     注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）
     セフェピム塩酸塩
     セフォタキシム
     セフトリアキソン
     セレザイム
     Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬
     Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ
     Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ
     Ｃｅｌｓｉｏｒ
     Ｃｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
     セレデース（アルグルセラーゼ注射薬）
     Ｃｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）
     セルトリズマブ
     ＣＦ−１０１
     クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）
     クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）
     コレスタゲル（コレセベラムＨＣＬ）
     絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）
     シムジア
     シスプラチン（シスプラチン注射薬）
     クロラール（クロファラビン注射薬）
     クエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）
     クロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）
     コゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）
     コリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）
     Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）
     Ｃｏｍｐａｔｈ
     コニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）
     注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）
     コパキソン
     注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート（Ａｃｔｈｒｅｌ）
     コルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）
     キュビシン（ダプトマイシン注射薬）
     ＣＦ−１０１
     Ｃｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）
     シタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）
     シアノコバラミン
     サイトベン（ガンシクロビル）
     Ｄ．Ｈ．Ｅ．４５
     ダセツズマブ
     ダコゲン（デシタビン注射薬）
     ダルテパリン
     ダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）
     注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）
     ダプトマイシン注射薬（キュビシン）
     ダルベポエチンアルファ
     ＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）
     Ｄｅｃａｖａｘ
     デシタビン注射薬（ダコゲン）
     無水アルコール（無水アルコール注射薬）
     デノスマブ注射薬（プロリア）
     デラテストリル
     デルエストロゲン
     デルテパリンナトリウム（Ｄｅｌｔｅｐａｒｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ）
     Ｄｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
     デポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）
     デポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）
     デポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）
     デスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）
     デポエストラジオール
     デポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌ
     デポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌ
     デポテストステロン
     注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）
     ブドウ糖／電解質
     ブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）
     ブドウ糖
     ジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）
     ジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）
     ジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）
     ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）
     ジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）
     ジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）
     ＤＭＯＡＤ
     ドセタクセル注射用（タキソテール）
     メシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）
     ドリバックス（ドリペネム注射用）
     ドリペネム注射用（ドリバックス）
     ドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）
     ドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）
     ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）
     Ｄｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）
     Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）
     Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）
     エカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）
     ＥＣ−ナプロシン（ナプロキセン）
     エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）
     Ｅｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）
     Ｅｎｇｅｒｉｘ
     エドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）
     エリグルスタットターテート（Ｅｌｉｇｌｕｓｔａｔ Ｔａｒｔａｔｅ）
     エロキサチン（オキサリプラチン注射薬）
     イメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）
     エナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）
     Ｅｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）
     エノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）
     エオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）
     エンブレル（エタネルセプト）
     エノキサパリン
     Ｅｐｉｃｅｌ
     エピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）
     エピペン
     エピペンＪｒ．
     エピラツズマブ
     アービタックス
     エルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）
     エリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）
     必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）
     エストラジオールシピオネート
     吉草酸エストラジオール
     エタネルセプト
     エキセナチド注射薬（バイエッタ）
     エブロトラ（Ｅｖｌｏｔｒａ）
     ファブラザイム（アダルシダーゼベータ（Ａｄａｌｓｉｄａｓｅ ｂｅｔａ））
     ファモチジン注射薬
     ＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）
     フェラヘム（フェルモキシトール注射薬）
     フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
     Ｆｅｒｔｉｎｅｘ
     フェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）
     フェルモキシトール注射薬（フェラヘム）
     フラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）
     Ｆｌｕａｒｉｘ
     フルダラ（リン酸フルダラビン）
     フルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）
     フルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）
     フォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）
     フォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）
     フォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）
     フォロチン（プララトレキサート溶液静注用）
     フォンダパリヌクス
     フォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
     Ｆｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂ
     フォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）
     ホスフェニトインナトリウム注射薬（ホスカビル）
     ホスカビル（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
     ホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）
     ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）
     フラグミン
     フゼオン（エンフビルチド）
     ＧＡ１０１
     ガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）
     ガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）
     ガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）
     カドベルセタミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）
     ガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）
     ガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）
     ガーダシル
     ＧＣ１００８
     ＧＤＦＤ
     注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）
     ジェノトロピン
     ゲンタマイシン注射薬
     ＧＥＮＺ−１１２６３８
     ゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）
     ゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）
     グラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）
     ゲンタマイシン硫酸塩
     グラチラマー酢酸塩
     Ｇｌｕｃａｇｅｎ
     グルカゴン
     ＨＡＥ１
     Ｈａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）
     Ｈａｖｒｉｘ
     Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬（ドキセルカルシフェロール注射薬）
     ヘッジホッグ経路阻害薬
     へパリン
     ハーセプチン
     ｈＧ−ＣＳＦ
     ヒューマログ
     ヒト成長ホルモン
     ヒューマトロープ
     ＨｕＭａｘ
     ヒュメゴン
     ヒュミラ
     ヒューマリン
     イバンドロネートナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）
     イブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）
     フマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）
     イダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）
     イダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）
     イラリス（カナキヌマブ注射薬）
     注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）
     イミトレックス
     インコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）
     Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
     インダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）
     インドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）
     Ｉｎｆａｎｒｉｘ
     イノヘップ
     インスリン
     インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）
     インスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）
     インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）
     インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）
     イントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）
     Ｉｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）
     Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）
     インビラーゼ（サキナビルメシル酸塩）
     ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）
     イオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）
     イオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）
     Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
     Ｉｐｒｉｖａｓｋ
     イリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）
     含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）
     Ｉｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）
     イトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）
     ジェブタナ（カバジタキセル注射薬）
     Ｊｏｎｅｘａ
     Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）
     ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
     ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗ
     ＫＣＬ ｉｎ ＮＳ
     ケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
     ケピバンス（パリフェルミン）
     ケプラ注射薬（レベチラセタム）
     ケラチノサイト
     ＫＦＧ
     キナーゼ阻害薬
     Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）
     Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）
     Ｋｉｎｒｉｘ
     クロノピン（クロナゼパム）
     カイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）
     ラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）
     乳酸リンゲル液
     ラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）
     ランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）
     ランタス
     ロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）
     レンテ（Ｌ）
     レプチン
     レベミル
     リューカインサルグラモスチム（Ｌｅｕｋｉｎｅ Ｓａｒｇｒａｍｏｓｔｉｍ）
     ロイプロリド酢酸塩
     レボチロキシン
     レベチラセタム（ケプラ注射薬）
     ラブノックス
     レボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）
     レキスキャン（レガデノソン注射薬）
     リオレサール髄注（バクロフェン注射薬）
     リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）
     ラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）
     ルセンティス（ラニビズマブ注射薬）
     Ｌｕｍｉｚｙｍｅ
     ルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）
     Ｌｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）
     Ｍａｃｉ
     マグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）
     マンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）
     マーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）
     マキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）
     テクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）
     メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）
     メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）
     メルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）
     メトトレキサート
     メナクトラ
     Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）
     メノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）
     メトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）
     メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）
     メチレンブルー（メチレンブルー注射薬）
     酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
     ＭｅｔＭａｂ
     メトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）
     Ｍｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）
     メトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）
     Ｍｉａｃａｌｃｉｎ
     ミダゾラム（ミダゾラム注射薬）
     ミンパラ（シナカレト（Ｃｉｎａｃａｌｅｔ））
     ミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）
     ミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）
     ミポメルセン
     ミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）
     モルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）
     モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）
     モルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）
     モテサニブ
     モゾビル（プレリキサフォル注射薬）
     Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）
     多電解質及びブドウ糖注射薬
     多電解質注射薬
     マイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）
     マイオザイム（アルグルコシダーゼアルファ）
     ナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）
     ナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）
     ナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）
     ナプロシン（ナプロキセン）
     ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）
     ナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）
     ネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）
     ＮＥＯ−ＧＡＡ
     ＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）
     Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）
     Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）
     Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）
     ノボリン
     Ｎｏｖｏｌｏｇ
     ＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎ
     Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）
     ＮＰＨ（Ｎ）
     Ｎｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
     ノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）
     生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）
     ノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）
     ノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）
     ＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
     Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）
     ニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
     ニュートロピンＡＱ
     ニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
     オクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）
     オクレリズマブ
     オファツムマブ注射薬（アーゼラ）
     徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）
     Ｏｍｎｉｔａｒｇ
     Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
     オンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）
     ＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）
     オプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）
     オレンシア
     Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック容器）
     Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）
     オステオプロテグリン（Ｏｓｔｅｏｐｒｏｔｅｇｒｉｎ）
     Ｏｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）
     オキサシリン（オキサシリン注射用）
     オキサリプラチン注射薬（エロキサチン）
     オキシトシン注射薬（ピトシン）
     パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）
     パミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）
     パニツムマブ静注用（ベクティビックス）
     パパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）
     パパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）
     副甲状腺ホルモン
     パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）
     ＰＡＲＰ阻害薬
     Ｐｅｄｉａｒｉｘ
     ペグイントロン
     ペグインターフェロン
     ペグフィルグラスチム
     ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン
     ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ＤＴＰＡ）
     ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）
     ペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）
     Ｐｅｒｇｏｎａｌ
     ペルツズマブ
     フェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）
     サリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））
     サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）
     ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）
     ピトシン（オキシトシン注射薬）
     Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）
     Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）
     ＰｌａｓｍａＬｙｔｅ
     プレリキサフォル注射薬（モゾビル）
     ポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）
     塩化カリウム
     プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
     酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）
     プレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）
     注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）
     プレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）
     プリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）
     Ｐｒｏｃｈｙｍａｌ
     プロクリット
     黄体ホルモン
     プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
     プロリア（デノスマブ注射薬）
     プロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）
     プロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）
     グルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）
     キニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）
     Ｒ−Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）
     ラニビズマブ注射薬（ルセンティス）
     ラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）
     ラプティバ
     リクラスト（ゾレドロン酸注射薬）
     Ｒｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢ
     レガデノソン注射薬（レキスキャン）
     Ｒｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）
     レミケード
     レナジェル
     Ｒｅｎｖｅｌａ（炭酸セベラマー）
     Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）
     レトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）
     ｒｈＡｐｏ２Ｌ／ＴＲＡＩＬ
     リンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））
     リンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）
     リツキサン
     リツキシマブ
     ロセフィン（セフトリアキソン）
     ロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）
     Ｒｏｆｅｒｏｎ−Ａ（インターフェロンアルファ−２ａ）
     Ｒｏｍａｚｉｃｏｎ（フルマゼニル）
     ロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）
     サイゼン（ソマトロピン注射薬）
     サンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）
     スクレロスチンＡｂ
     Ｓｅｎｓｉｐａｒ（シナカルセト）
     Ｓｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣｌ注射薬）
     Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）
     Ｓｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
     シンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）
     ナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）
     炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）
     乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）
     フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）
     ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）
     スポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）
     ステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）
     Ｓｔｅｍｇｅｎ
     Ｓｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）
     クエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）
     Ｓｕｍａｖｅｌ
     スマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）
     Ｓｙｍｌｉｎ
     Ｓｙｍｌｉｎ Ｐｅｎ
     全身用ヘッジホッグ（Ｓｙｓｔｅｍｉｃ Ｈｅｄｇｅｈｏｇ）拮抗薬
     Ｓｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）
     タルセバ
     タキソテール（ドセタクセル注射用）
     テクネチウムＴｃ９９ｍ
     テラバンシン注射用（ヴィバティブ）
     テムシロリムス注射薬（トーリセル）
     テノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）
     テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）
     テストステロンシピオネート
     テストステロンエナント酸エステル
     テストステロンプロピオン酸エステル
     Ｔｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）
     ｔｇＡＡＣ９４
     塩化タリウム
     テオフィリン
     チオテパ（チオテパ注射薬）
     サイモグロブリン（抗胸腺細胞免疫グロブリン（ウサギ）
     タイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）
     チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）
     Ｔｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））
     チメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））
     ＴＮＫａｓｅ
     トブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）
     トシリズマブ注射薬（アクテムラ）
     トーリセル（テムシロリムス注射薬）
     Ｔｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）
     トラスツズマブ−ＤＭ１
     Ｔｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））
     トレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）
     トレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）
     トリアムシノロンアセトニド
     酢酸トリアムシノロン
     トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）
     Ｔｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
     塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）
     グルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）
     トリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）
     Ｔｗｉｎｊｅｃｔ
     Ｔｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
     トリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）
     Ｔｗｉｎｒｉｘ
     腸チフスＶｉ
     Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）
     ウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）
     ウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）
     ウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）
     ウルトラレンテ（Ｕ）
     バリウム（ジアゼパム）
     バルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）
     Ｖａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
     バルプロ酸ナトリウム（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
     バルプロ酸ナトリウム注射薬（バルプロ酸ナトリウム）
     バプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）
     ＶＡＱＴＡ
     バソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）
     ベクティビックス（パニツムマブ静注用）
     ヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）
     ベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）
     ヴィバティブ（テラバンシン注射用）
     ビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）
     ビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）
     ビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）
     Ｖｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
     ビクトーザ
     ビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
     ビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）
     ビタミンＢ−１２
     ビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）
     ボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
     ゼローダ
     ゼニカル（オルリスタット）
     Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）
     ゾレア
     ザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）
     Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）
     Ｚｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）
     ゼナパックス（ダクリズマブ）
     ゼバリン
     ジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）
     ジスロマック注射薬（アジスロマイシン）
     Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）
     ゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）
     Ｚｉｎｇｏ
     ゾレドロン酸注射用（ゾメタ）
     ゾレドロン酸注射薬（リクラスト）
     ゾメタ（ゾレドロン酸注射用）
     ゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）
     Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）
     
     液剤（非注射型）
     エビリファイ
     ＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）
     Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）
     薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）
     アドベア
     Ａｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）
     Ａｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）
     Ａｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）
     アルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）
     アルブテロール硫酸塩吸入液
     Ａｌｉｎｉａ
     Ａｌｏｃｒｉｌ
     アルファガン
     Ａｌｒｅｘ
     オルベスコ
     アンプレナビル経口液
     Ａｎａｌｐｒａｍ−ＨＣ
     アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）
     アリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）
     アサコール
     アズマネックス
     Ａｓｔｅｐｒｏ
     Ａｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）
     アトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）
     アトロベント鼻用スプレー．０６
     オーグメンチンＥＳ−６００
     Ａｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）
     アゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）
     アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）
     Ａｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）
     エイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）
     静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）
     平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）
     ベポタスチン
     バクトロバン鼻腔用
     バクトロバン
     Ｂｅｃｌｏｖｅｎｔ
     Ｂｅｎｚａｃ Ｗ
     Ｂｅｔｉｍｏｌ
     ベトプティックエス
     Ｂｅｐｒｅｖｅ
     ビマトプロスト点眼液
     Ｂｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）
     ブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）
     ブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）
     Ｂｒｏｍｈｉｓｔ
     Ｂｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）
     ブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）
     Ｃａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）
     Ｃａｐｅｘ
     Ｃａｒａｃ
     Ｃａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥ
     Ｃａｒｎｉｔｏｒ
     Ｃａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）
     セルセプト
     Ｃｅｎｔａｎｙ
     Ｃｅｒｕｍｅｎｅｘ
     Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）
     Ｃｉｐｒｏｄｅｘ
     シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）
     クレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）
     ＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）
     Ｃｏｍｂｉｖｅｎ
     コムタン
     Ｃｏｎｄｙｌｏｘ
     Ｃｏｒｄｒａｎ
     Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液
     Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液
     クロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）
     クロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）
     電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）
     Ｃｕｔｉｖａｔｅ
     Ｃｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）
     シアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）
     サイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）
     サイクロジル
     Ｃｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
     ＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））
     デスモプレシン酢酸塩鼻用スプレー
     ＤＤＡＶＰ
     Ｄｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳ
     デキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌ
     ダイアニール低カルシウム
     ダイアニールＰＤ
     ジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）
     ジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）
     ディフェリン
     ディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）
     Ｄｉｔｒｏｐａｎ
     ドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）
     ドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）
     ドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）
     ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）
     Ｅｆｕｄｅｘ
     エラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）
     Ｅｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）
     Ｅｌｏｃｏｎ
     エピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）
     エピビルＨＢＶ
     Ｅｐｏｇｅｎ（エポエチンアルファ）
     エリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）
     Ｅｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）
     エトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）
     オイラックス
     Ｅｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）
     Ｆｅｌｂａｔｏｌ
     フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
     Ｆｌｏｖｅｎｔ
     Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）
     Ｆｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）
     Ｆｌｕｏｒｏｐｌｅｘ
     フルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）
     フルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）
     フルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）
     ＦＭＬ
     Ｆｏｒａｄｉｌ
     フマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）
     フォサマックス
     フラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）
     フロキソン
     ガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）
     ガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）
     ガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）
     Ｇｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）
     グリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）
     ハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）
     Ｈａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）
     ＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）
     ヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０
     ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）
     酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）
     ヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）
     ＩＡＰ拮抗薬
     Ｉｓｏｐｔｏ
     臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）
     イトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）
     ケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）
     カレトラ
     ラノキシン
     レクシヴァ
     ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）
     レボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）
     レボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）
     レボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）
     リドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）
     Ｌｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）
     ロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌ
     Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）
     Ｌｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）
     エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）
     低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）
     ルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）
     ルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）
     メゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）
     ＭＥＫ阻害薬
     Ｍｅｐｒｏｎ
     Ｍｅｓｎｅｘ
     メスチノン
     メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）
     Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）
     ＭｅｔＭａｂ
     メチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）
     Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）
     酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
     メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）
     コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）
     メチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）
     Ｍｉｇｒａｎａｌ
     Ｍｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
     Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）
     ミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）
     ナサコート
     ネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾン
     ネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）
     ネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）
     ニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）
     Ｎｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）
     ニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）
     ニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））
     Ｏｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）
     オフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）
     オフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）
     オロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）
     Ｏｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）
     Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）
     パタノール
     Ｐｅｄｉａｐｒｅｄ
     ＰｅｒｉｏＧａｒｄ
     フェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）
     Ｐｈｉｓｏｈｅｘ
     ポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）
     塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）
     Ｐａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）
     Ｐａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）
     ＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）
     ペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）
     Ｐｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）
     ＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）
     Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）
     腹膜透析溶液
     フェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）
     フォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）
     ポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）
     Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）
     プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
     Ｐｒｅｄ Ｍｉｌｄ
     Ｐｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌ
     プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）
     プレバシド
     ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
     プロエアー
     Ｐｒｏｇｌｙｃｅｍ
     プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
     塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）
     Ｐｒｏｐｉｎｅ
     パルミコート
     プルモザイム
     Ｑｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）
     ＱＶＡＲ
     ラパミューン
     レベトール
     Ｒｅｌａｃｏｎ−ＨＣ
     ロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）
     経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）
     Ｒｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））
     サブリル（ビガバトリン経口液）
     サクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）
     サンディミュン
     Ｓｅｐｒａ
     Ｓｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓ
     ソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）
     ソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）
     スピリーバ
     スポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）
     Ｓｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）
     スタレボ
     Ｓｔａｒｌｉｘ
     滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）
     Ｓｔｉｍａｔｅ
     スクラルファート（カラファート懸濁液）
     スルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０
     Ｓｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）
     Ｔａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））
     タミフル
     トービイ
     ＴｏｂｒａＤｅｘ
     Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）
     トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）
     チモロール
     Ｔｉｍｏｐｔｉｃ
     トラバタンズ
     トレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）
     トルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）
     Ｔｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）
     ベントリン
     ブイフェンド
     ビブラマイシン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）
     ヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）
     ビガバトリン経口液（サブリル）
     Ｖｉｏｋａｓｅ
     ビラセプト
     ビラミューン
     ビタミンＫ１（ビタミンＫ１の流体コロイド溶液）
     ボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）
     ザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）
     ザイアジェン
     ザイボックス
     Ｚｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）
     Ｚｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）
     
     薬物分類
     ５α還元酵素阻害薬
     ５−アミノサリチル酸塩
     ５ＨＴ３受容体拮抗薬
     アダマンタン抗ウイルス薬
     副腎皮質ステロイド
     副腎皮質ホルモン阻害薬
     アドレナリン作動性気管支拡張薬
     高血圧性緊急疾患用薬剤
     肺高血圧症用薬剤
     アルドステロン受容体拮抗薬
     アルキル化薬
     αアドレナリン受容体拮抗薬
     αグルコシダーゼ阻害薬
     代替薬
     殺アメーバ薬
     アミノグリコシド
     アミノペニシリン類
     アミノサリチル酸塩
     アミリン類似体
     鎮痛薬配合剤
     鎮痛薬
     アンドロゲン及びアナボリックステロイド
     アンジオテンシン変換酵素阻害薬
     アンジオテンシンＩＩ阻害薬
     肛門直腸製剤
     食欲抑制薬
     制酸薬
     駆虫薬
     抗血管原性眼用薬
     抗ＣＴＬＡ−４モノクローナル抗体
     感染症薬
     抗アドレナリン作動薬、中枢作用型
     抗アドレナリン作動薬、末梢作用型
     抗アンドロゲン薬
     抗狭心症薬
     抗不整脈薬
     抗喘息薬配合剤
     抗生物質／抗腫瘍薬
     抗コリン性制吐剤
     抗コリン性抗パーキンソン薬
     抗コリン性気管支拡張薬
     抗コリン性変時性薬（ａｎｔｉｃｈｏｌｉｎｅｒｇｉｃ ｃｈｒｏｎｏｔｒｏｐｉｃ ａｇｅｎｔｓ）
     抗コリン作動薬／鎮痙薬
     凝固阻止剤
     抗痙攣薬
     抗うつ薬
     抗糖尿病薬
     抗糖尿病薬配合剤
     止瀉薬
     抗利尿ホルモン
     解毒薬
     制吐薬／抗暈眩薬
     抗真菌薬
     抗ゴナドトロピン薬
     痛風治療薬
     抗ヒスタミン薬
     高脂血症用薬
     高脂血症用配合剤
     降圧配合剤
     尿酸降下薬
     抗マラリア薬
     抗マラリア薬配合剤
     抗マラリア薬キノリン類
     代謝拮抗薬
     抗片頭痛薬
     抗腫瘍性解毒剤
     抗腫瘍性インターフェロン
     抗腫瘍性モノクローナル抗体
     抗腫瘍薬
     抗パーキンソン薬
     抗血小板薬
     抗緑膿菌ペニシリン系薬
     抗乾癬薬
     抗精神病薬
     抗リウマチ薬
     防腐薬及び殺菌薬
     抗甲状腺薬
     抗毒素及び抗蛇毒素
     抗結核薬
     抗結核薬配合剤
     鎮咳薬
     抗ウイルス薬
     抗ウイルス配合剤
     抗ウイルスインターフェロン
     抗不安薬、鎮静薬、及び催眠薬
     アロマターゼ阻害薬
     非定型抗精神病薬
     アゾ−ル抗真菌薬
     細菌性ワクチン
     バルビツール酸系抗痙攣薬
     バルビツール薬
     ＢＣＲ−ＡＢＬチロシンナーゼ阻害薬
     ベンゾジアゼピン系抗痙攣薬
     ベンゾジアゼピン
     βアドレナリン遮断薬
     βラクタマーゼ阻害薬
     胆汁酸金属イオン封鎖剤
     生物学的製剤
     ビスホスホネート製剤
     骨吸収阻害薬
     気管支拡張薬配合剤
     気管支拡張薬
     カルシトニン
     カルシウムチャネル遮断薬
     カルバメート系抗痙攣薬
     カルバペネム
     炭酸脱水酵素阻害抗痙攣薬
     炭酸脱水酵素阻害薬
     心緊張薬（ｃａｒｄｉａｃ ｓｔｒｅｓｓｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
     心選択性β遮断薬
     心血管作動薬
     カテコールアミン
     ＣＤ２０モノクローナル抗体
     ＣＤ３３モノクローナル抗体
     ＣＤ５２モノクローナル抗体
     中枢神経系薬
     セファロスポリン
     耳垢水
     キレート剤
     ケモカイン受容体拮抗薬
     クロライドチャネルアクチベーター
     コレステロール吸収阻害薬
     コリン作動薬
     コリン作動性筋興奮薬
     コリンエステラーゼ阻害薬
     中枢興奮薬
     凝固調整剤
     コロニー刺激因子
     避妊薬
     副腎皮質刺激ホルモン
     クマリン類及びインダンジオン類
     ｃｏｘ−２阻害薬
     充血除去薬
     外皮用薬
     診断的放射性医薬品
     ジベンザゼピン系抗痙攣薬
     消化酵素
     ジペプチジルペプチダーゼ４阻害薬
     利尿薬
     ドパミン作用性抗パーキンソン薬
     アルコール依存性に使用される薬物
     エキノカンジン
     ＥＧＦＲ阻害薬
     エストロゲン受容体拮抗薬
     エストロゲン
     去痰薬
     第Ｘａ因子阻害剤
     脂肪酸誘導体抗痙攣薬
     フィブリン酸誘導体
     第１世代セファロスポリン
     第４世代セファロスポリン
     機能性腸疾患薬
     胆石可溶化薬（ｇａｌｌｓｔｏｎｅ ｓｏｌｕｂｉｌｉｚｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
     ＧＡＢＡ類似体
     ＧＡＢＡ再取り込み阻害薬
     ＧＡＢＡトランスアミナーゼ阻害薬
     胃腸薬
     全身麻酔薬
     尿生殖路薬（ｇｅｎｉｔｏｕｒｉｎａｒｙ ｔｒａｃｔ ａｇｅｎｔｓ）
     胃腸刺激薬
     グルココルチコイド
     グルコース上昇剤（ｇｌｕｃｏｓｅ ｅｌｅｖａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
     グリコペプチド系抗生物質
     糖タンパク質血小板阻害薬（ｇｌｙｃｏｐｒｏｔｅｉｎ ｐｌａｔｅｌｅｔ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｓ）
     グリシルシクリン類
     ゴナドトロピン放出ホルモン
     ゴナドトロピン放出ホルモン拮抗薬
     ゴナドトロピン
     Ｉ群抗不整脈薬
     ＩＩ群抗不整脈薬
     ＩＩＩ群抗不整脈薬
     ＩＶ群抗不整脈薬
     Ｖ群抗不整脈薬
     成長ホルモン受容体遮断薬
     成長ホルモン
     ヘリコバクターピロリ除菌薬
     Ｈ２拮抗薬
     造血幹細胞モビライザー（ｍｏｂｉｌｉｚｅｒ）
     へパリン拮抗薬
     へパリン
     ＨＥＲ２阻害薬
     植物製品
     ヒストン脱アセチル化酵素阻害薬
     ホルモン補充療法
     ホルモン
     ホルモン／抗腫瘍薬
     ヒダントイン系抗痙攣薬
     違法（ストリート）薬物
     免疫グロブリン
     免疫薬
     免疫抑制薬
     インポテンス薬
     インビボ診断生物学的製剤
     インクレチンミメティクス
     吸入感染症薬（ｉｎｈａｌｅｄ ａｎｔｉ−ｉｎｆｅｃｔｉｖｅｓ）
     吸入コルチコステロイド
     強心薬
     インスリン
     インスリン様増殖因子
     インテグラーゼ鎖移転阻害薬
     インターフェロン
     静脈内栄養製品（ｉｎｔｒａｖｅｎｏｕｓ ｎｕｔｒｉｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
     ヨード造影剤
     イオン化ヨード造影剤
     鉄製品
     ケトライド類
     緩下薬
     鎮癩薬
     ロイコトリエン調整剤
     リンコマイシン誘導体
     脂質化グリコペプチド
     局所注射麻酔薬
     ループ利尿薬
     肺表面活性剤
     リンパ管染色剤
     リソソーム酵素
     マクロライド誘導体
     マクロライド類
     磁気共鳴イメージング造影剤
     肥満細胞安定化剤
     医療ガス
     メグリチニド類
     代謝薬
     メチルキサンチン類
     ミネラルコルチコイド
     ミネラル及び電解質
     その他薬剤
     その他鎮痛薬
     その他抗生物質
     その他抗痙攣薬
     その他抗うつ薬
     その他抗糖尿病薬
     その他制吐剤
     その他抗真菌薬
     その他高脂血症用薬
     その他抗マラリア薬
     その他抗腫瘍薬
     その他抗パーキンソン薬
     その他抗精神病薬
     その他抗結核薬
     その他抗ウイルス薬
     その他抗不安薬、鎮静薬及び催眠薬
     その他生物学的製剤
     その他骨吸収阻害薬
     その他心血管作動薬
     その他中枢神経系薬
     その他凝固調整剤
     その他利尿薬
     その他尿生殖路薬
     その他ＧＩ薬
     その他ホルモン
     その他代謝薬
     その他眼用薬
     その他耳用薬
     その他呼吸薬
     その他性ホルモン
     その他局所薬
     その他未分類薬
     その他腟用薬（ｖａｇｉｎａｌ ａｇｅｎｔｓ）
     有糸分裂阻害薬
     モノアミン酸化酵素阻害薬
     モノクローナル抗体
     口及び咽喉製品（ｍｏｕｔｈ ａｎｄ ｔｈｒｏａｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
     ｍＴＯＲ阻害薬
     ｍＴＯＲキナーゼ阻害薬
     粘液溶解薬
     マルチキナーゼ阻害薬
     筋弛緩薬
     散瞳薬
     麻薬性鎮痛薬配合剤
     麻薬性鎮痛薬
     鼻用感染症薬
     鼻用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
     鼻用潤滑剤及び灌注剤
     鼻用製剤
     鼻用ステロイド
     天然ペニシリン系薬
     ノイラミニダーゼ阻害薬
     神経筋遮断薬
     次世代セファロスポリン
     ニコチン酸誘導体
     硝酸薬
     ＮＮＲＴＩｓ
     非心選択性β遮断薬
     非ヨード造影剤
     非イオン性ヨード造影剤
     非スルホニル尿素
     非ステロイド性抗炎症薬
     ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
     ノルエピネフィリン−ドパミン再取り込み阻害薬
     ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬（ＮＲＴＩｓ）
     栄養補助食品
     栄養製品
     眼用麻酔薬
     眼用感染症薬
     眼用抗炎症薬
     眼用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
     眼用診断用薬
     眼用緑内障薬
     眼用潤滑剤及び灌注剤
     眼用製剤
     眼用ステロイド
     感染症薬追加眼用ステロイド
     眼外科薬（ｏｐｈｔｈａｌｍｉｃ ｓｕｒｇｉｃａｌ ａｇｅｎｔｓ）
     経口栄養補助食
     耳用麻酔薬
     耳用感染症薬
     耳用製剤
     耳用ステロイド
     感染症薬追加耳用ステロイド
     オキサゾリジンジオン系抗痙攣薬
     上皮小体ホルモン及び類似体
     ペニシリナーゼ耐性ペニシリン
     ペニシリン系薬
     末梢性オピオイド受容体拮抗薬
     末梢性血管拡張薬
     末梢作用型抗肥満薬
     フェノチアジン制吐剤
     フェノチアジン系抗精神病薬
     フェニルピペラジン系抗うつ薬
     血漿増量剤
     血小板凝集阻害薬
     血小板刺激剤
     ポリエン類
     カリウム保持性利尿薬
     プロバイオティクス
     黄体ホルモン受容体調節薬
     プロゲスチン
     プロラクチン阻害薬
     プロスタグランジンＤ２拮抗薬
     タンパク分解酵素阻害薬
     プロトンポンプ阻害薬
     ソラレン類
     精神治療薬
     精神治療用複合剤（ｐｓｙｃｈｏｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
     プリンヌクレオシド
     ピロリジン抗痙攣薬
     キノロン剤
     造影剤
     放射線補助剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ａｄｊｕｎｃｔｓ）
     放射線剤
     放射線共役剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ｃｏｎｊｕｇａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
     放射性医薬品
     ＲＡＮＫリガンド阻害薬
     遺伝子組換えヒトエリスロポエチン
     レニン阻害薬
     呼吸薬
     呼吸吸入薬製品（ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｉｎｈａｌａｎｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
     リファマイシン誘導体
     サリチル酸塩
     硬化剤
     第２世代セファロスポリン
     選択的エストロゲン受容体調節薬
     選択的セロトニン再取り込み阻害薬
     セロトニン−ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
     セロトニン作動性神経腸調節薬
     性ホルモン複合剤
     性ホルモン
     骨格筋弛緩薬複合剤
     骨格筋弛緩薬
     禁煙薬
     ソマトスタチン及びソマトスタチン類似体
     殺精子剤
     スタチン
     滅菌洗浄溶液（ｓｔｅｒｉｌｅ ｉｒｒｉｇａｔｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）
     ストレプトミセス誘導体
     スクシンイミド抗痙攣薬
     スルホンアミド
     スルホニル尿素
     合成排卵誘発剤
     四環系抗うつ薬
     テトラサイクリン
     治療用放射性医薬品
     サイアザイド系利尿薬
     チアゾリジンジオン類
     チオキサンテン
     第３世代セファロスポリン
     トロンビン阻害剤
     血栓溶解薬
     甲状腺剤
     陣痛抑制薬
     局所座瘡薬
     局所薬
     局所麻酔薬
     局所感染症薬
     局所抗生物質
     局所抗真菌薬
     局所抗ヒスタミン薬
     局所抗乾癬薬
     局所抗ウイルス薬
     局所収斂薬
     局所排膿促進薬
     局所脱色剤
     局所皮膚軟化薬
     局所角質溶解薬
     局所ステロイド
     感染症薬追加局所ステロイド
     トキソイド
     トリアジン抗痙攣薬
     三環系抗うつ薬
     三官能性モノクローナル抗体
     腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）阻害薬
     チロシンナーゼ阻害薬
     超音波造影剤
     上気道用複合剤（ｕｐｐｅｒ ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
     尿素抗痙攣薬（ｕｒｅａ ａｎｔｉｃｏｎｖｕｌｓａｎｔｓ）
     尿路感染症薬
     尿路鎮痙薬
     尿ｐＨ調整剤
     子宮収縮薬
     ワクチン
     混合ワクチン
     腟抗感染薬
     膣坐剤
     血管拡張薬
     バソプレッシン拮抗薬
     昇圧薬
     ＶＥＧＦ／ＶＥＧＦＲ阻害薬
     ウイルス性ワクチン
     関節内補充薬
     ビタミンミネラル複合体
     ビタミン
     
     診断試験
     １７−ヒドロキシプロゲステロン
     ＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）
     アセトアミノフェン
     酸性ホスファターゼ
     副腎皮質刺激ホルモン
     活性凝固時間
     活性化プロテインＣ耐性
     副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）
     アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）
     アルブミン
     アルドラーゼ
     アルドステロン
     アルカリフォスファターゼ
     アルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）
     α１−抗トリプシン
     α−フェトプロテイン
     α−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）
     アンモニアレベル
     アミラーゼ
     ＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））
     ＡＮＡ（抗核抗体）
     アンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）
     アニオンギャップ
     抗カルジオリピン抗体
     抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）
     抗セントロメア抗体
     抗利尿ホルモン
     抗ＤＮＡ
     抗デオキシリボヌクレアーゼＢ
     抗グリアジン抗体
     抗糸球体基底膜抗体
     抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体
     抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体
     抗リン脂質抗体
     抗ＲＮＡポリメラーゼ
     抗スミス（Ｓｍ）抗体
     抗平滑筋抗体
     抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）
     抗トロンビンＩＩＩ
     抗Ｘａ活性
     抗Ｘａアッセイ
     アポリポタンパク
     ヒ素
     アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）
     Ｂ１２
     塩基好性白血球
     β２−ミクログロブリン
     β−ヒドロキシブチレート
     Ｂ−ＨＣＧ
     ビリルビン
     直接ビリルビン
     間接ビリルビン
     総ビリルビン
     出血時間
     血液ガス（動脈性）
     血液尿素窒素（ＢＵＮ）
     ＢＵＮ
     ＢＵＮ（血液尿素窒素）
     ＣＡ１２５
     ＣＡ１５−３
     ＣＡ１９−９
     カルシトニン
     カルシウム
     カルシウム（イオン化）
     一酸化炭素（ＣＯ）
     癌胎児性抗原（ＣＥＡ）
     全血球計算（ＣＢＣ）
     ＣＥＡ
     ＣＥＡ（癌胎児性抗原）
     セルロプラスミン
     ＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）
     コレステロール
     ＨＤＬコレステロール
     血栓溶解時間
     血餅退縮時間
     ＣＭＰ
     ＣＯ₂
     寒冷凝集素
     補体第３成分
     銅
     副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験
     コルチゾル
     コートロシン刺激試験
     Ｃペプチド
     ＣＰＫ（総）
     ＣＰＫ−ＭＢ
     Ｃ反応性タンパク
     クレアチニン
     クレアチニンキナーゼ（ＣＫ）
     クリオグロブリン
     ＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）
     Ｄダイマー
     デキタメタゾン抑制試験
     ＤＨＥＡ−Ｓ
     希釈ラッセルクサリ蛇毒
     楕円赤血球
     好酸球
     赤血球沈降速度（ＥＳＲ）
     エストラジオール
     エストリオール
     エタノール
     エチレングリコール
     ユーグロブリン溶解
     第Ｖ因子ライデン
     第ＶＩＩＩ因子インヒビター
     第ＶＩＩＩ因子レベル
     フェリチン
     フィブリン体分解産物
     フィブリノーゲン
     葉酸塩
     葉酸塩（血清
     ナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）
     ＦＳＨ（卵胞刺激因子）
     ＦＴＡ−ＡＢＳ
     γグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）
     ガストリン
     ＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）
     グルコース
     成長ホルモン
     ハプトグロビン
     ＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）
     ＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）
     ヘリコバクターピロリ
     ヘマトクリット
     ヘマトクリット（ＨＣＴ）
     ヘモグロビン
     ヘモグロビンＡ１Ｃ
     ヘモグロビン電気泳動
     Ａ型肝炎抗体
     Ｃ型肝炎抗体
     ＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）
     免疫固定法（ＩＦＥ）
     鉄
     乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）
     乳酸（乳酸塩）
     ＬＤＨ
     ＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモン
     リパーゼ
     ループス抗凝固因子
     リンパ球
     マグネシウム
     ＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量
     ＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）
     ＭＣＶ（平均赤血球容積）
     マロン酸メチル
     単球
     ＭＰＶ（平均血小板容積）
     ミオグロビン
     好中球
     上皮小体ホルモン（ＰＴＨ）
     リン
     血小板（ｐｌｔ）
     カリウム
     プレアルブミン
     プロラクチン
     前立腺特異抗原（ＰＳＡ）
     タンパク質Ｃ
     タンパク質Ｓ
     ＰＳＡ（前立腺特異抗原）
     ＰＴ（プロトロンビン時間）
     ＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）
     ＲＤＷ（赤血球分布幅）
     レニン
     レンニン
     網状赤血球数
     網状赤血球
     リウマチ因子（ＲＦ）
     血沈速度
     血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ
     血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）
     ナトリウム
     Ｔ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）
     フリーＴ４
     トロンビン時間
     甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）
     チロキシン（Ｔ４）
     全鉄結合能（ＴＩＢＣ）
     総タンパク
     トランスフェリン
     トランスフェリン飽和剤
     トリグリセリド（ＴＧ）
     トロポニン
     尿酸
     ビタミンＢ１２
     白血球（ＷＢＣ）
     ウィダール試験
     からなる群より選択される物質を含む流体組成物を収容する、請求項１〜３２７のいずれか一項に記載の発明。
329. 前記流体組成物が吸入麻酔薬を含む、請求項３２８に記載の発明。
330. 前記吸入麻酔薬がフルオロエーテル系吸入麻酔剤を含む、請求項３２９に記載の発明。
331. 前記吸入麻酔薬が、セボフルラン、エンフルラン、イソフルラン、メトキシフルラン、デスフルラン、又はこれらのいずれか２つ以上の組み合わせを含む、請求項３２９に記載の発明。
332. 前記流体組成物が薬物を含む、請求項３２８に記載の発明。
333. 前記薬物がＡｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
334. 前記薬物がアボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
335. 前記薬物がＡｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
336. 前記薬物がＡｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
337. 前記薬物がアセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
338. 前記薬物がアセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
339. 前記薬物がアクテムラ（トシリズマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
340. 前記薬物がＡｃｔｈｒｅｌ（コルチコレリンオーバイントリフルテート注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
341. 前記薬物がアシクロビル注射用（ゾビラックス注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
342. 前記薬物がＡｄａｃｅｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
343. 前記薬物がアダリムマブを含む、請求項３３２に記載の発明。
344. 前記薬物がアデノスキャン（アデノシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
345. 前記薬物がアデノシン注射薬（アデノスキャン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
346. 前記薬物がＡｄｒｅｎａｃｌｉｃｋを含む、請求項３３２に記載の発明。
347. 前記薬物がＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静注用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
348. 前記薬物がＡｆｌｕｒｉａを含む、請求項３３２に記載の発明。
349. 前記薬物がＡｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
350. 前記薬物がアルグルセラーゼ注射薬（セレデース）を含む、請求項３３２に記載の発明。
351. 前記薬物がアルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
352. 前記薬物がアロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
353. 前記薬物がＡｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
354. 前記薬物がアルプロスタジルを含む、請求項３３２に記載の発明。
355. 前記薬物がＡｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
356. 前記薬物がアミノ酸注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
357. 前記薬物がＡｍｉｎｏｓｙｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
358. 前記薬物がアピドラを含む、請求項３３２に記載の発明。
359. 前記薬物がアプレミラストを含む、請求項３３２に記載の発明。
360. 前記薬物がアルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
361. 前記薬物がＡＭＧ１０８を含む、請求項３３２に記載の発明。
362. 前記薬物がＡＭＧ７１４を含む、請求項３３２に記載の発明。
363. 前記薬物がアミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
364. 前記薬物がアモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
365. 前記薬物がアミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
366. 前記薬物がアナキンラを含む、請求項３３２に記載の発明。
367. 前記薬物がアリクストラを含む、請求項３３２に記載の発明。
368. 前記薬物がＡｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
369. 前記薬物がＡｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
370. 前記薬物がアンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
371. 前記薬物がアピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
372. 前記薬物がアルガトロバン（アルガトロバン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
373. 前記薬物が塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ１０）を含む、請求項３３２に記載の発明。
374. 前記薬物がアリストコートを含む、請求項３３２に記載の発明。
375. 前記薬物がアリストスパンを含む、請求項３３２に記載の発明。
376. 前記薬物が三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
377. 前記薬物がアルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
378. 前記薬物がアーゼラ（オファツムマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
379. 前記薬物がＡｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
380. 前記薬物がアテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
381. 前記薬物がベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
382. 前記薬物がアバスチンを含む、請求項３３２に記載の発明。
383. 前記薬物がアザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
384. 前記薬物がアジスロマイシン（ジスロマック注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
385. 前記薬物がアズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
386. 前記薬物がバクロフェン注射薬（リオレサール髄注）を含む、請求項３３２に記載の発明。
387. 前記薬物が静菌水（注射用静菌水）を含む、請求項３３２に記載の発明。
388. 前記薬物がバクロフェン注射薬（リオレサール髄注）を含む、請求項３３２に記載の発明。
389. 前記薬物がＢａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
390. 前記薬物がＢａｙＨｅｐＢを含む、請求項３３２に記載の発明。
391. 前記薬物がＢａｙＴｅｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
392. 前記薬物がベナドリルを含む、請求項３３２に記載の発明。
393. 前記薬物が塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
394. 前記薬物がメシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
395. 前記薬物がベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
396. 前記薬物がベキサールを含む、請求項３３２に記載の発明。
397. 前記薬物がバイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
398. 前記薬物がブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
399. 前記薬物がブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
400. 前記薬物がボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
401. 前記薬物がボトックスコスメティック（ボツリヌストキシンＡ注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
402. 前記薬物がＢｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
403. 前記薬物がブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
404. 前記薬物がブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
405. 前記薬物がＢｒｅｔｈｉｎｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
406. 前記薬物がＢｒｉｏｂａｃｅｐｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
407. 前記薬物がＢＴＴ−１０２３を含む、請求項３３２に記載の発明。
408. 前記薬物がブピバカインＨＣｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
409. 前記薬物がバイエッタを含む、請求項３３２に記載の発明。
410. 前記薬物がＣａ−ＤＴＰＡ（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
411. 前記薬物がカバジタキセル注射薬（ジェブタナ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
412. 前記薬物がカフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
413. 前記薬物がカルシジェックス注射薬（カルシトリオール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
414. 前記薬物がカルシトリオール（カルシジェックス注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
415. 前記薬物が塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
416. 前記薬物がカルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
417. 前記薬物がＣａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）を含む、請求項３３２に記載の発明。
418. 前記薬物がカナキヌマブ注射薬（イラリス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
419. 前記薬物がカパスタット硫酸塩（カプレオマイシン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
420. 前記薬物がカプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
421. 前記薬物がカーディオライト（テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
422. 前記薬物がセファゾリン及びブドウ糖注射用（セファゾリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
423. 前記薬物がセフェピム塩酸塩を含む、請求項３３２に記載の発明。
424. 前記薬物がセフォタキシムを含む、請求項３３２に記載の発明。
425. 前記薬物がセフトリアキソンを含む、請求項３３２に記載の発明。
426. 前記薬物がＣａｒｎｉｔｏｒ注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
427. 前記薬物がＣａｖｅｒｊｅｃｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
428. 前記薬物がＣｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
429. 前記薬物がＣｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
430. 前記薬物がセレデース（アルグルセラーゼ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
431. 前記薬物がＣｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
432. 前記薬物がセルトリズマブを含む、請求項３３２に記載の発明。
433. 前記薬物がＣＦ−１０１を含む、請求項３３２に記載の発明。
434. 前記薬物がクロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
435. 前記薬物がクロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
436. 前記薬物が絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
437. 前記薬物がシムジアを含む、請求項３３２に記載の発明。
438. 前記薬物がシスプラチン（シスプラチン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
439. 前記薬物がクエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
440. 前記薬物がクロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
441. 前記薬物がコゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
442. 前記薬物がコリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
443. 前記薬物がＣｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
444. 前記薬物がＣｏｍｐａｔｈを含む、請求項３３２に記載の発明。
445. 前記薬物がコニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
446. 前記薬物が結合型エストロゲン注射用（プレマリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
447. 前記薬物がコパキソンを含む、請求項３３２に記載の発明。
448. 前記薬物がコルチコレリンオーバイントリフルテート注射用（Ａｃｔｈｒｅｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
449. 前記薬物がコルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
450. 前記薬物がキュビシン（ダプトマイシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
451. 前記薬物がＣＦ−１０１を含む、請求項３３２に記載の発明。
452. 前記薬物がＣｙａｎｏｋｉｔ（ヒドロキソコバラミン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
453. 前記薬物がシタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
454. 前記薬物がシアノコバラミンを含む、請求項３３２に記載の発明。
455. 前記薬物がＤ．Ｈ．Ｅ．４５を含む、請求項３３２に記載の発明。
456. 前記薬物がダコゲン（デシタビン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
457. 前記薬物がダルテパリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
458. 前記薬物がダントリウムＩＶ（ダントロレンナトリウム注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
459. 前記薬物がダントロレンナトリウム注射用（ダントリウムＩＶ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
460. 前記薬物がダプトマイシン注射薬（キュビシン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
461. 前記薬物がダルベポエチンアルファを含む、請求項３３２に記載の発明。
462. 前記薬物がＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
463. 前記薬物がＤｅｃａｖａｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
464. 前記薬物がデシタビン注射薬（ダコゲン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
465. 前記薬物が無水アルコール（無水アルコール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
466. 前記薬物がデノスマブ注射薬（プロリア）を含む、請求項３３２に記載の発明。
467. 前記薬物がデラテストリルを含む、請求項３３２に記載の発明。
468. 前記薬物がデルエストロゲンを含む、請求項３３２に記載の発明。
469. 前記薬物がデルテパリンナトリウム（Ｄｅｌｔｅｐａｒｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
470. 前記薬物がＤｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
471. 前記薬物がデポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
472. 前記薬物がデポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
473. 前記薬物がデポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
474. 前記薬物がデスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
475. 前記薬物がデポエストラジオールを含む、請求項３３２に記載の発明。
476. 前記薬物がデポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
477. 前記薬物がデポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
478. 前記薬物がデポテストステロンを含む、請求項３３２に記載の発明。
479. 前記薬物が注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
480. 前記薬物がブドウ糖／電解質を含む、請求項３３２に記載の発明。
481. 前記薬物がブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
482. 前記薬物がブドウ糖を含む、請求項３３２に記載の発明。
483. 前記薬物がジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
484. 前記薬物がジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
485. 前記薬物がジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
486. 前記薬物がジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
487. 前記薬物がジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
488. 前記薬物がジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
489. 前記薬物がドセタクセル注射用（タキソテール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
490. 前記薬物がメシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
491. 前記薬物がドリバックス（ドリペネム注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
492. 前記薬物がドリペネム注射用（ドリバックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
493. 前記薬物がドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
494. 前記薬物がドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
495. 前記薬物がドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
496. 前記薬物がＤｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
497. 前記薬物がＤｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
498. 前記薬物がＤｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
499. 前記薬物がエカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
500. 前記薬物がエデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）を含む、請求項３３２に記載の発明。
501. 前記薬物がＥｄｅｘ（アルプロスタジル注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
502. 前記薬物がＥｎｇｅｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
503. 前記薬物がエドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
504. 前記薬物がエロキサチン（オキサリプラチン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
505. 前記薬物がイメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
506. 前記薬物がエナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
507. 前記薬物がＥｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
508. 前記薬物がエノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
509. 前記薬物がエオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
510. 前記薬物がエンブレルを含む、請求項３３２に記載の発明。
511. 前記薬物がエノキサパリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
512. 前記薬物がエピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
513. 前記薬物がエピペンを含む、請求項３３２に記載の発明。
514. 前記薬物がエピペンＪｒ．を含む、請求項３３２に記載の発明。
515. 前記薬物がアービタックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
516. 前記薬物がエルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
517. 前記薬物がエリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
518. 前記薬物が必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
519. 前記薬物がエストラジオールシピオネートを含む、請求項３３２に記載の発明。
520. 前記薬物が吉草酸エストラジオールを含む、請求項３３２に記載の発明。
521. 前記薬物がエタネルセプトを含む、請求項３３２に記載の発明。
522. 前記薬物がエキセナチド注射薬（バイエッタ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
523. 前記薬物がファモチジン注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
524. 前記薬物がＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
525. 前記薬物がフェラヘム（フェルモキシトール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
526. 前記薬物がフェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
527. 前記薬物がＦｅｒｔｉｎｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
528. 前記薬物がフェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）を含む、請求項３３２に記載の発明。
529. 前記薬物がフェルモキシトール注射薬（フェラヘム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
530. 前記薬物がフラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
531. 前記薬物がＦｌｕａｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
532. 前記薬物がフルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
533. 前記薬物がフルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
534. 前記薬物がフォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
535. 前記薬物がフォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
536. 前記薬物がフォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
537. 前記薬物がフォロチン（プララトレキサート溶液静注用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
538. 前記薬物がフォンダパリヌクスを含む、請求項３３２に記載の発明。
539. 前記薬物がフォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
540. 前記薬物がＦｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂを含む、請求項３３２に記載の発明。
541. 前記薬物がフォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
542. 前記薬物がホスカルネットナトリウム注射薬（ホスカビル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
543. 前記薬物がホスカビル（ホスカルネットナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
544. 前記薬物がホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
545. 前記薬物がホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
546. 前記薬物がフラグミンを含む、請求項３３２に記載の発明。
547. 前記薬物がガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
548. 前記薬物がガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
549. 前記薬物がガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
550. 前記薬物がカドベルセタミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
551. 前記薬物がガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
552. 前記薬物がガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
553. 前記薬物がガーダシルを含む、請求項３３２に記載の発明。
554. 前記薬物がゲムツズマブオゾガマイシン注射用（マイロターグ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
555. 前記薬物がジェノトロピンを含む、請求項３３２に記載の発明。
556. 前記薬物がゲンタマイシン注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
557. 前記薬物がゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
558. 前記薬物がゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
559. 前記薬物がグラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
560. 前記薬物がゲンタマイシン硫酸塩を含む、請求項３３２に記載の発明。
561. 前記薬物がグラチラマー酢酸塩を含む、請求項３３２に記載の発明。
562. 前記薬物がＧｌｕｃａｇｅｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
563. 前記薬物がグルカゴンを含む、請求項３３２に記載の発明。
564. 前記薬物がＨａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
565. 前記薬物がＨａｖｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
566. 前記薬物がＨｅｃｔｏｒｏｌ ＩｎｊｅｃｔｉＺｎ（ドキセルカルシフェロール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
567. 前記薬物がへパリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
568. 前記薬物がハーセプチンを含む、請求項３３２に記載の発明。
569. 前記薬物がｈＧ−ＣＳＦを含む、請求項３３２に記載の発明。
570. 前記薬物がヒューマログを含む、請求項３３２に記載の発明。
571. 前記薬物がヒト成長ホルモンを含む、請求項３３２に記載の発明。
572. 前記薬物がヒューマトロープを含む、請求項３３２に記載の発明。
573. 前記薬物がＨｕＭａｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
574. 前記薬物がヒュメゴンを含む、請求項３３２に記載の発明。
575. 前記薬物がヒュミラを含む、請求項３３２に記載の発明。
576. 前記薬物がヒューマリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
577. 前記薬物がＩｂａｎｄｒ８ｎａｔｅナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
578. 前記薬物がイブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
579. 前記薬物がフマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
580. 前記薬物がイダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
581. 前記薬物がイダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
582. 前記薬物がイラリス（カナキヌマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
583. 前記薬物がイミペネム及びシラスタチン注射用（プリマキシンＩ．Ｖ．）を含む、請求項３３２に記載の発明。
584. 前記薬物がイミトレックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
585. 前記薬物がインコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
586. 前記薬物がＩｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
587. 前記薬物がインダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
588. 前記薬物がインドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
589. 前記薬物がＩｎｆａｎｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
590. 前記薬物がイノヘップを含む、請求項３３２に記載の発明。
591. 前記薬物がインスリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
592. 前記薬物がインスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
593. 前記薬物がインスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
594. 前記薬物がインスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
595. 前記薬物がインターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
596. 前記薬物がイントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
597. 前記薬物がＩｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
598. 前記薬物がＩｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
599. 前記薬物がイオベングアンＩ１２３静注用（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
600. 前記薬物がイオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
601. 前記薬物がイオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
602. 前記薬物がＩｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
603. 前記薬物がＩｐｒｉｖａｓｋを含む、請求項３３２に記載の発明。
604. 前記薬物がイリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
605. 前記薬物が含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
606. 前記薬物がＩｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
607. 前記薬物がイトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
608. 前記薬物がジェブタナ（カバジタキセル注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
609. 前記薬物がＫａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
610. 前記薬物がＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
611. 前記薬物がＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗを含む、請求項３３２に記載の発明。
612. 前記薬物がＫＣＬ ｉｎ ＮＳを含む、請求項３３２に記載の発明。
613. 前記薬物がケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
614. 前記薬物がケプラ注射薬（レベチラセタム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
615. 前記薬物がＫｉｎｅｒｅｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
616. 前記薬物がＫｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
617. 前記薬物がＫｉｎｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
618. 前記薬物がカイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）を含む、請求項３３２に記載の発明。
619. 前記薬物がラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）を含む、請求項３３２に記載の発明。
620. 前記薬物が乳酸リンゲル液を含む、請求項３３２に記載の発明。
621. 前記薬物がラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
622. 前記薬物がランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）を含む、請求項３３２に記載の発明。
623. 前記薬物がランタスを含む、請求項３３２に記載の発明。
624. 前記薬物がロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
625. 前記薬物がレンテ（Ｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
626. 前記薬物がレベミルを含む、請求項３３２に記載の発明。
627. 前記薬物がロイプロイド（Ｌｅｕｐｒｏｉｄｅ）酢酸塩を含む、請求項３３２に記載の発明。
628. 前記薬物がレボチロキシンを含む、請求項３３２に記載の発明。
629. 前記薬物がレベチラセタム（ケプラ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
630. 前記薬物がラブノックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
631. 前記薬物がレボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
632. 前記薬物がレキスキャン（レガデノソン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
633. 前記薬物がリオレサール髄注（バクロフェン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
634. 前記薬物がリラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
635. 前記薬物がラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
636. 前記薬物がルセンティス（ラニビズマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
637. 前記薬物がルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
638. 前記薬物がＬｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
639. 前記薬物がマグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
640. 前記薬物がマンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
641. 前記薬物がマーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
642. 前記薬物がマキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
643. 前記薬物がテクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
644. 前記薬物がメカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
645. 前記薬物がメカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
646. 前記薬物がメルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
647. 前記薬物がメトトレキサートを含む、請求項３３２に記載の発明。
648. 前記薬物がメナクトラを含む、請求項３３２に記載の発明。
649. 前記薬物がＭｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
650. 前記薬物がメノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
651. 前記薬物がメトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
652. 前記薬物がメチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
653. 前記薬物がメチレンブルー（メチレンブルー注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
654. 前記薬物が酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
655. 前記薬物がメトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
656. 前記薬物がＭｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
657. 前記薬物がメトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
658. 前記薬物がＭｉａｃａｌｃｉｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
659. 前記薬物がミダゾラム（ミダゾラム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
660. 前記薬物がミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
661. 前記薬物がミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
662. 前記薬物がミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
663. 前記薬物がモルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
664. 前記薬物がモルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
665. 前記薬物がモルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
666. 前記薬物がモゾビル（プレリキサフォル注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
667. 前記薬物がＭｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
668. 前記薬物が多電解質及びブドウ糖注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
669. 前記薬物が多電解質注射薬を含む、請求項３３２に記載の発明。
670. 前記薬物がマイロターグ（ゲムツズマブオゾガマイシン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
671. 前記薬物がナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
672. 前記薬物がナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
673. 前記薬物がナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
674. 前記薬物がＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
675. 前記薬物がナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
676. 前記薬物がネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
677. 前記薬物がＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
678. 前記薬物がＮｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
679. 前記薬物がＮｅｕｌａｓｔａを含む、請求項３３２に記載の発明。
680. 前記薬物がＮｅｕｐｏｇｅｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
681. 前記薬物がノボリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
682. 前記薬物がＮｏｖｏｌｏｇを含む、請求項３３２に記載の発明。
683. 前記薬物がＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
684. 前記薬物がＮｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
685. 前記薬物がＮＰＨ（Ｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
686. 前記薬物がＮｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
687. 前記薬物がノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
688. 前記薬物が生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
689. 前記薬物がノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
690. 前記薬物がノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
691. 前記薬物がＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
692. 前記薬物がニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
693. 前記薬物がニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
694. 前記薬物がオクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
695. 前記薬物がオクレリズマブを含む、請求項３３２に記載の発明。
696. 前記薬物がオファツムマブ注射薬（アーゼラ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
697. 前記薬物が徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
698. 前記薬物がＯｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
699. 前記薬物がオンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
700. 前記薬物がＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
701. 前記薬物がオプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
702. 前記薬物がオレンシアを含む、請求項３３２に記載の発明。
703. 前記薬物がＯｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック容器）を含む、請求項３３２に記載の発明。
704. 前記薬物がＯｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）を含む、請求項３３２に記載の発明。
705. 前記薬物がＯｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
706. 前記薬物がオキサシリン（オキサシリン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
707. 前記薬物がオキサリプラチン注射薬（エロキサチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
708. 前記薬物がオキシトシン注射薬（ピトシン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
709. 前記薬物がパリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
710. 前記薬物がパミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
711. 前記薬物がパニツムマブ静注用（ベクティビックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
712. 前記薬物がパパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
713. 前記薬物がパパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
714. 前記薬物が副甲状腺ホルモンを含む、請求項３３２に記載の発明。
715. 前記薬物がパリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
716. 前記薬物がＰｅｄｉａｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
717. 前記薬物がペグイントロンを含む、請求項３３２に記載の発明。
718. 前記薬物がペグインターフェロンを含む、請求項３３２に記載の発明。
719. 前記薬物がペグフィルグラスチムを含む、請求項３３２に記載の発明。
720. 前記薬物がペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカインを含む、請求項３３２に記載の発明。
721. 前記薬物がペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ＤＴＰＡ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
722. 前記薬物がペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）を含む、請求項３３２に記載の発明。
723. 前記薬物がペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
724. 前記薬物がＰｅｒｇｏｎａｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
725. 前記薬物がフェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
726. 前記薬物がサリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））を含む、請求項３３２に記載の発明。
727. 前記薬物がサリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
728. 前記薬物がピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
729. 前記薬物がピトシン（オキシトシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
730. 前記薬物がＰｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
731. 前記薬物がＰｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）を含む、請求項３３２に記載の発明。
732. 前記薬物がＰｌａｓｍａＬｙｔｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
733. 前記薬物がプレリキサフォル注射薬（モゾビル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
734. 前記薬物がポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
735. 前記薬物が塩化カリウムを含む、請求項３３２に記載の発明。
736. 前記薬物がプララトレキサート溶液静注用（フォロチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
737. 前記薬物が酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
738. 前記薬物がプレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
739. 前記薬物が注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
740. 前記薬物がプレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
741. 前記薬物がプリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
742. 前記薬物が黄体ホルモンを含む、請求項３３２に記載の発明。
743. 前記薬物がプロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
744. 前記薬物がプロリア（デノスマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
745. 前記薬物がプロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
746. 前記薬物がプロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
747. 前記薬物がグルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
748. 前記薬物がキニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
749. 前記薬物がＲ−Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
750. 前記薬物がラニビズマブ注射薬（ルセンティス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
751. 前記薬物がラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
752. 前記薬物がリクラスト（ゾレドロン酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
753. 前記薬物がＲｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢを含む、請求項３３２に記載の発明。
754. 前記薬物がレガデノソン注射薬（レキスキャン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
755. 前記薬物がＲｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
756. 前記薬物がレミケードを含む、請求項３３２に記載の発明。
757. 前記薬物がＲｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
758. 前記薬物がレトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
759. 前記薬物がリンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
760. 前記薬物がリンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
761. 前記薬物がリツキサンを含む、請求項３３２に記載の発明。
762. 前記薬物がリツキシマブを含む、請求項３３２に記載の発明。
763. 前記薬物がロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
764. 前記薬物がロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
765. 前記薬物がサイゼン（ソマトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
766. 前記薬物がサンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
767. 前記薬物がＳｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
768. 前記薬物がＳｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
769. 前記薬物がＳｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
770. 前記薬物がシンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
771. 前記薬物がナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
772. 前記薬物が炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
773. 前記薬物が乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
774. 前記薬物がフェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
775. 前記薬物がソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
776. 前記薬物がスポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
777. 前記薬物がステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
778. 前記薬物がＳｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
779. 前記薬物がクエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
780. 前記薬物がＳｕｍａｖｅｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
781. 前記薬物がスマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
782. 前記薬物がＳｙｍｌｉｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
783. 前記薬物がＳｙｍｌｉｎ Ｐｅｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
784. 前記薬物がＳｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
785. 前記薬物がタキソテール（ドセタクセル注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
786. 前記薬物がｖｖテクネチウムＴｃ９９ｍを含む、請求項３３２に記載の発明。
787. 前記薬物がテラバンシン注射用（ヴィバティブ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
788. 前記薬物がテムシロリムス注射薬（トーリセル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
789. 前記薬物がテノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
790. 前記薬物がテリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
791. 前記薬物がテストステロンシピオネートを含む、請求項３３２に記載の発明。
792. 前記薬物がテストステロンエナント酸エステルを含む、請求項３３２に記載の発明。
793. 前記薬物がテストステロンプロピオン酸エステルを含む、請求項３３２に記載の発明。
794. 前記薬物がＴｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
795. 前記薬物がｔｇＡＡＣ９４を含む、請求項３３２に記載の発明。
796. 前記薬物が塩化タリウムを含む、請求項３３２に記載の発明。
797. 前記薬物がテオフィリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
798. 前記薬物がチオテパ（チオテパ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
799. 前記薬物がタイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
800. 前記薬物がチカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
801. 前記薬物がＴｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
802. 前記薬物がチメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
803. 前記薬物がトブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
804. 前記薬物がトシリズマブ注射薬（アクテムラ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
805. 前記薬物がトーリセル（テムシロリムス注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
806. 前記薬物がＴｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
807. 前記薬物がＴｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））を含む、請求項３３２に記載の発明。
808. 前記薬物がトレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
809. 前記薬物がトレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
810. 前記薬物がトリアムシノロンアセトニドを含む、請求項３３２に記載の発明。
811. 前記薬物が酢酸トリアムシノロンを含む、請求項３３２に記載の発明。
812. 前記薬物がトリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
813. 前記薬物がＴｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
814. 前記薬物が塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
815. 前記薬物がグルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
816. 前記薬物がトリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）を含む、請求項３３２に記載の発明。
817. 前記薬物がＴｗｉｎｊｅｃｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
818. 前記薬物がＴｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
819. 前記薬物がトリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
820. 前記薬物がＴｗｉｎｒｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
821. 前記薬物が腸チフスＶｉを含む、請求項３３２に記載の発明。
822. 前記薬物がＵｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
823. 前記薬物がウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
824. 前記薬物がウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
825. 前記薬物がウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
826. 前記薬物がウルトラレンテ（Ｕ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
827. 前記薬物がバルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
828. 前記薬物がＶａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
829. 前記薬物が塩酸バンコマイシン（塩酸バンコマイシン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
830. 前記薬物が塩酸バンコマイシン注射薬（塩酸バンコマイシン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
831. 前記薬物がバプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
832. 前記薬物がＶＡＱＴＡを含む、請求項３３２に記載の発明。
833. 前記薬物がバソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
834. 前記薬物がベクティビックス（パニツムマブ静注用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
835. 前記薬物がヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
836. 前記薬物がベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
837. 前記薬物がヴィバティブ（テラバンシン注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
838. 前記薬物がビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
839. 前記薬物がビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
840. 前記薬物がビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
841. 前記薬物がＶｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
842. 前記薬物がビクトーザを含む、請求項３３２に記載の発明。
843. 前記薬物がビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
844. 前記薬物がビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
845. 前記薬物がビタミンＢ−１２を含む、請求項３３２に記載の発明。
846. 前記薬物がビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
847. 前記薬物がボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
848. 前記薬物がＸｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
849. 前記薬物がザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
850. 前記薬物がＺｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
851. 前記薬物がＺｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
852. 前記薬物がゼバリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
853. 前記薬物がジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
854. 前記薬物がジスロマック注射薬（アジスロマイシン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
855. 前記薬物がＺｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
856. 前記薬物がゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
857. 前記薬物がＺｉｎｇｏを含む、請求項３３２に記載の発明。
858. 前記薬物がゾレドロン酸注射用（ゾメタ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
859. 前記薬物がゾレドロン酸注射薬（リクラスト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
860. 前記薬物がゾメタ（ゾレドロン酸注射用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
861. 前記薬物がゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
862. 前記薬物がＺｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
863. 前記薬物がエビリファイを含む、請求項３３２に記載の発明。
864. 前記薬物がＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
865. 前記薬物がＡｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
866. 前記薬物が薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
867. 前記薬物がアドベアを含む、請求項３３２に記載の発明。
868. 前記薬物がＡｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
869. 前記薬物がＡｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
870. 前記薬物がＡｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
871. 前記薬物がアルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
872. 前記薬物がアルブテロール硫酸塩吸入液を含む、請求項３３２に記載の発明。
873. 前記薬物がＡｌｉｎｉａを含む、請求項３３２に記載の発明。
874. 前記薬物がＡｌｏｃｒｉｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
875. 前記薬物がアルファガンを含む、請求項３３２に記載の発明。
876. 前記薬物がＡｌｒｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
877. 前記薬物がオルベスコを含む、請求項３３２に記載の発明。
878. 前記薬物がアンプレナビル経口液を含む、請求項３３２に記載の発明。
879. 前記薬物がＡｎａｌｐｒａｍ−ＨＣを含む、請求項３３２に記載の発明。
880. 前記薬物がアルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
881. 前記薬物がアリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
882. 前記薬物がアサコールを含む、請求項３３２に記載の発明。
883. 前記薬物がアズマネックスＡｓｔｅｐｒｏを含む、請求項３３２に記載の発明。
884. 前記薬物がＡｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
885. 前記薬物がアトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
886. 前記薬物がアトロベント鼻用スプレー．０６を含む、請求項３３２に記載の発明。
887. 前記薬物がオーグメンチンＥＳ−６００を含む、請求項３３２に記載の発明。
888. 前記薬物がＡｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
889. 前記薬物がアゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
890. 前記薬物がアゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
891. 前記薬物がＡｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
892. 前記薬物がエイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
893. 前記薬物が静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
894. 前記薬物が平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
895. 前記薬物がベポタスチンを含む、請求項３３２に記載の発明。
896. 前記薬物がバクトロバン鼻腔用を含む、請求項３３２に記載の発明。
897. 前記薬物がバクトロバンを含む、請求項３３２に記載の発明。
898. 前記薬物がＢｅｃｌｏｖｅｎｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
899. 前記薬物がＢｅｎｚａｃ Ｗを含む、請求項３３２に記載の発明。
900. 前記薬物がＢｅｔｉｍｏｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
901. 前記薬物がベトプティックエスを含む、請求項３３２に記載の発明。
902. 前記薬物がＢｅｐｒｅｖｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
903. 前記薬物がビマトプロスト点眼液を含む、請求項３３２に記載の発明。
904. 前記薬物がＢｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
905. 前記薬物がブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
906. 前記薬物がブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
907. 前記薬物がＢｒｏｍｈｉｓｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
908. 前記薬物がＢｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
909. 前記薬物がブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
910. 前記薬物がＣａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
911. 前記薬物がＣａｐｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
912. 前記薬物がＣａｒａｃを含む、請求項３３２に記載の発明。
913. 前記薬物がＣａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥを含む、請求項３３２に記載の発明。
914. 前記薬物がＣａｒｎｉｔｏｒを含む、請求項３３２に記載の発明。
915. 前記薬物がＣａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
916. 前記薬物がセルセプトを含む、請求項３３２に記載の発明。
917. 前記薬物がＣｅｎｔａｎｙを含む、請求項３３２に記載の発明。
918. 前記薬物がＣｅｒｕｍｅｎｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
919. 前記薬物がＣｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
920. 前記薬物がＣｉｐｒｏｄｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
921. 前記薬物がシプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
922. 前記薬物がクレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
923. 前記薬物がＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
924. 前記薬物がＣｏｍｂｉｖｅｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
925. 前記薬物がコムタンを含む、請求項３３２に記載の発明。
926. 前記薬物がＣｏｎｄｙｌｏｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
927. 前記薬物がＣｏｒｄｒａｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
928. 前記薬物がＣｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液を含む、請求項３３２に記載の発明。
929. 前記薬物がＣｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液を含む、請求項３３２に記載の発明。
930. 前記薬物がクロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ噴霧器溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
931. 前記薬物がクロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
932. 前記薬物が電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）を含む、請求項３３２に記載の発明。
933. 前記薬物がＣｕｔｉｖａｔｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
934. 前記薬物がＣｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
935. 前記薬物がシアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
936. 前記薬物がサイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
937. 前記薬物がサイクロジルを含む、請求項３３２に記載の発明。
938. 前記薬物がＣｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
939. 前記薬物がＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
940. 前記薬物がデスモプレシン酢酸塩鼻用スプレーを含む、請求項３３２に記載の発明。
941. 前記薬物がＤＤＡＶＰを含む、請求項３３２に記載の発明。
942. 前記薬物がＤｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳを含む、請求項３３２に記載の発明。
943. 前記薬物がデキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
944. 前記薬物がダイアニール低カルシウムを含む、請求項３３２に記載の発明。
945. 前記薬物がダイアニールＰＤを含む、請求項３３２に記載の発明。
946. 前記薬物がジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
947. 前記薬物がジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
948. 前記薬物がディフェリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
949. 前記薬物がディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
950. 前記薬物がＤｉｔｒｏｐａｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
951. 前記薬物がドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
952. 前記薬物がドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）を含む、請求項３３２に記載の発明。
953. 前記薬物がドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
954. 前記薬物がドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
955. 前記薬物がＥｆｕｄｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
956. 前記薬物がエラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
957. 前記薬物がＥｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
958. 前記薬物がＥｌｏｃｏｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
959. 前記薬物がエピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
960. 前記薬物がエピビルＨＢＶを含む、請求項３３２に記載の発明。
961. 前記薬物がＥｐｏｇｅｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
962. 前記薬物がエリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
963. 前記薬物がＥｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）を含む、請求項３３２に記載の発明。
964. 前記薬物がエトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
965. 前記薬物がオイラックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
966. 前記薬物がＥｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
967. 前記薬物がＦｅｌｂａｔｏｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
968. 前記薬物がフェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
969. 前記薬物がＦｌｏｖｅｎｔを含む、請求項３３２に記載の発明。
970. 前記薬物がＦｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
971. 前記薬物がＦｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
972. 前記薬物がＦｌｕｏｒｏｐｌｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
973. 前記薬物がフルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
974. 前記薬物がフルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
975. 前記薬物がフルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
976. 前記薬物がＦＭＬを含む、請求項３３２に記載の発明。
977. 前記薬物がＦｏｒａｄｉｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
978. 前記薬物がフマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
979. 前記薬物がフォサマックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
980. 前記薬物がフラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
981. 前記薬物がフロキソンを含む、請求項３３２に記載の発明。
982. 前記薬物がガンマガード液体（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
983. 前記薬物がガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
984. 前記薬物がガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
985. 前記薬物がＧｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
986. 前記薬物がグリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
987. 前記薬物がハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
988. 前記薬物がＨａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
989. 前記薬物がＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
990. 前記薬物がヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０）を含む、請求項３３２に記載の発明。
991. 前記薬物がヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
992. 前記薬物が酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
993. 前記薬物がヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
994. 前記薬物がＩｓｏｐｔｏを含む、請求項３３２に記載の発明。
995. 前記薬物が臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
996. 前記薬物がイトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
997. 前記薬物がケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
998. 前記薬物がカレトラを含む、請求項３３２に記載の発明。
999. 前記薬物がラノキシンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1000. 前記薬物がレクシヴァを含む、請求項３３２に記載の発明。
1001. 前記薬物がロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1002. 前記薬物がレボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1003. 前記薬物がレボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1004. 前記薬物がレボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1005. 前記薬物がリドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1006. 前記薬物がＬｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1007. 前記薬物がロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
1008. 前記薬物がＬｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1009. 前記薬物がＬｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1010. 前記薬物がエタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1011. 前記薬物が低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1012. 前記薬物がルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1013. 前記薬物がルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1014. 前記薬物がメゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1015. 前記薬物がＭｅｐｒｏｎを含む、請求項３３２に記載の発明。
1016. 前記薬物がＭｅｓｎｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
1017. 前記薬物がメスチノンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1018. 前記薬物がメサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1019. 前記薬物がＭｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1020. 前記薬物がメチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1021. 前記薬物がＭｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1022. 前記薬物が酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1023. 前記薬物がメチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1024. 前記薬物がコハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1025. 前記薬物がメチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1026. 前記薬物がＭｉｇｒａｎａｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
1027. 前記薬物がＭｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
1028. 前記薬物がＭｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1029. 前記薬物がミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1030. 前記薬物がナサコートを含む、請求項３３２に記載の発明。
1031. 前記薬物がネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1032. 前記薬物がネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1033. 前記薬物がネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1034. 前記薬物がニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1035. 前記薬物がＮｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1036. 前記薬物がニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1037. 前記薬物がニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））を含む、請求項３３２に記載の発明。
1038. 前記薬物がＯｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1039. 前記薬物がオフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1040. 前記薬物がオフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1041. 前記薬物がオロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1042. 前記薬物がＯｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1043. 前記薬物がＯｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1044. 前記薬物がパタノールを含む、請求項３３２に記載の発明。
1045. 前記薬物がＰｅｄｉａｐｒｅｄを含む、請求項３３２に記載の発明。
1046. 前記薬物がＰｅｒｉｏＧａｒｄを含む、請求項３３２に記載の発明。
1047. 前記薬物がフェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1048. 前記薬物がＰｈｉｓｏｈｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
1049. 前記薬物がポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1050. 前記薬物が塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1051. 前記薬物がＰａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1052. 前記薬物がＰａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1053. 前記薬物がＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1054. 前記薬物がペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1055. 前記薬物がＰｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1056. 前記薬物がＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1057. 前記薬物がＰｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1058. 前記薬物が腹膜透析溶液を含む、請求項３３２に記載の発明。
1059. 前記薬物がフェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1060. 前記薬物がフォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1061. 前記薬物がポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1062. 前記薬物がＰｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1063. 前記薬物がプララトレキサート溶液静注用（フォロチン）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1064. 前記薬物がＰｒｅｄ Ｍｉｌｄを含む、請求項３３２に記載の発明。
1065. 前記薬物がＰｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌを含む、請求項３３２に記載の発明。
1066. 前記薬物がプレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1067. 前記薬物がプレバシドを含む、請求項３３２に記載の発明。
1068. 前記薬物がＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
1069. 前記薬物がプロエアーを含む、請求項３３２に記載の発明。
1070. 前記薬物がＰｒｏｇｌｙｃｅｍを含む、請求項３３２に記載の発明。
1071. 前記薬物がプロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1072. 前記薬物が塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1073. 前記薬物がＰｒｏｐｉｎｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
1074. 前記薬物がパルミコートを含む、請求項３３２に記載の発明。
1075. 前記薬物がプルモザイムを含む、請求項３３２に記載の発明。
1076. 前記薬物がＱｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1077. 前記薬物がＱＶＡＲを含む、請求項３３２に記載の発明。
1078. 前記薬物がラパミューンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1079. 前記薬物がレベトールを含む、請求項３３２に記載の発明。
1080. 前記薬物がＲｅｌａｃｏｎ−ＨＣを含む、請求項３３２に記載の発明。
1081. 前記薬物がロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1082. 前記薬物が経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1083. 前記薬物がＲｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
1084. 前記薬物がサブリル（ビガバトリン経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1085. 前記薬物がサクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1086. 前記薬物がサンディミュンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1087. 前記薬物がＳｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓを含む、請求項３３２に記載の発明。
1088. 前記薬物がソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1089. 前記薬物がソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1090. 前記薬物がスピリーバを含む、請求項３３２に記載の発明。
1091. 前記薬物がスポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1092. 前記薬物がＳｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1093. 前記薬物がスタレボを含む、請求項３３２に記載の発明。
1094. 前記薬物がＳｔａｒｌｉｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
1095. 前記薬物が滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1096. 前記薬物がＳｔｉｍａｔｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
1097. 前記薬物がスクラルファート（カラファート懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1098. 前記薬物がスルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1099. 前記薬物がＳｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1100. 前記薬物がＴａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））を含む、請求項３３２に記載の発明。
1101. 前記薬物がタミフルを含む、請求項３３２に記載の発明。
1102. 前記薬物がトービイを含む、請求項３３２に記載の発明。
1103. 前記薬物がＴｏｂｒａＤｅｘを含む、請求項３３２に記載の発明。
1104. 前記薬物がＴｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1105. 前記薬物がトブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1106. 前記薬物がチモロールを含む、請求項３３２に記載の発明。
1107. 前記薬物がＴｉｍｏｐｔｉｃを含む、請求項３３２に記載の発明。
1108. 前記薬物がトラバタンズを含む、請求項３３２に記載の発明。
1109. 前記薬物がトレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1110. 前記薬物がトルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1111. 前記薬物がＴｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1112. 前記薬物がベントリンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1113. 前記薬物がブイフェンドを含む、請求項３３２に記載の発明。
1114. 前記薬物がビブラマイシン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1115. 前記薬物がヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1116. 前記薬物がビガバトリン経口液（サブリル）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1117. 前記薬物がＶｉｏｋａｓｅを含む、請求項３３２に記載の発明。
1118. 前記薬物がビラセプトを含む、請求項３３２に記載の発明。
1119. 前記薬物がビラミューンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1120. 前記薬物がビタミンＫ１（ビタミンＫ１の水性コロイド溶液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1121. 前記薬物がボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1122. 前記薬物がザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1123. 前記薬物がザイアジェンを含む、請求項３３２に記載の発明。
1124. 前記薬物がザイボックスを含む、請求項３３２に記載の発明。
1125. 前記薬物がＺｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1126. 前記薬物がＺｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）を含む、請求項３３２に記載の発明。
1127. 前記流体組成物が診断検査材料を含む、請求項３２８に記載の発明。
1128. 前記診断検査材料が１７−ヒドロキシプロゲステロンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1129. 前記診断検査材料がＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1130. 前記診断検査材料がアセトアミノフェンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1131. 前記診断検査材料が酸性ホスファターゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1132. 前記診断検査材料がＡＣＴＨを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1133. 前記診断検査材料が活性凝固時間を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1134. 前記診断検査材料が活性化プロテインＣ耐性を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1135. 前記診断検査材料が副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1136. 前記診断検査材料がアラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1137. 前記診断検査材料がアルブミンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1138. 前記診断検査材料がアルドラーゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1139. 前記診断検査材料がアルドステロンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1140. 前記診断検査材料がアルカリフォスファターゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1141. 前記診断検査材料がアルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1142. 前記診断検査材料がα１−抗トリプシンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1143. 前記診断検査材料がα−フェトプロテインを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1144. 前記診断検査材料がα−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1145. 前記診断検査材料がアンモニアレベルを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1146. 前記診断検査材料がアミラーゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1147. 前記診断検査材料がＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1148. 前記診断検査材料がＡＮＡ（抗核抗体）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1149. 前記診断検査材料がアンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1150. 前記診断検査材料がアニオンギャップを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1151. 前記診断検査材料が抗カルジオリピン抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1152. 前記診断検査材料が抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1153. 前記診断検査材料が抗セントロメア抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1154. 前記診断検査材料が抗利尿ホルモンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1155. 前記診断検査材料が抗ＤＮＡを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1156. 前記診断検査材料が抗デオキシリボヌクレアーゼＢを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1157. 前記診断検査材料が抗グリアジン抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1158. 前記診断検査材料が抗糸球体基底膜抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1159. 前記診断検査材料が抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1160. 前記診断検査材料が抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1161. 前記診断検査材料が抗リン脂質抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1162. 前記診断検査材料が抗ＲＮＡポリメラーゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1163. 前記診断検査材料が抗スミス（Ｓｍ）抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1164. 前記診断検査材料が抗平滑筋抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1165. 前記診断検査材料が抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1166. 前記診断検査材料が抗トロンビンＩＩＩを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1167. 前記診断検査材料が抗Ｘａ活性を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1168. 前記診断検査材料が抗Ｘａアッセイを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1169. 前記診断検査材料がアポリポタンパクを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1170. 前記診断検査材料がヒ素を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1171. 前記診断検査材料がアスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1172. 前記診断検査材料がＢ１２を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1173. 前記診断検査材料が塩基好性白血球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1174. 前記診断検査材料がβ２−ミクログロブリンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1175. 前記診断検査材料がβ−ヒドロキシブチレートを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1176. 前記診断検査材料がＢ−ＨＣＧを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1177. 前記診断検査材料がビリルビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1178. 前記診断検査材料が直接ビリルビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1179. 前記診断検査材料が間接ビリルビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1180. 前記診断検査材料が総ビリルビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1181. 前記診断検査材料が出血時間を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1182. 前記診断検査材料が血液ガス（動脈性）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1183. 前記診断検査材料が血液尿素窒素（ＢＵＮ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1184. 前記診断検査材料がＢＵＮを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1185. 前記診断検査材料がＢＵＮ（血液尿素窒素）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1186. 前記診断検査材料がＣＡ１２５を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1187. 前記診断検査材料がＣＡ１５−３を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1188. 前記診断検査材料がＣＡ１９−９を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1189. 前記診断検査材料がカルシトニンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1190. 前記診断検査材料がカルシウムを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1191. 前記診断検査材料がカルシウム（イオン化）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1192. 前記診断検査材料が一酸化炭素（ＣＯ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1193. 前記診断検査材料が癌胎児性抗原（ＣＥＡ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1194. 前記診断検査材料がＣＢＣを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1195. 前記診断検査材料がＣＥＡを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1196. 前記診断検査材料がＣＥＡ（癌胎児性抗原）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1197. 前記診断検査材料がセルロプラスミンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1198. 前記診断検査材料がＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1199. 前記診断検査材料がコレステロールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1200. 前記診断検査材料がＨＤＬコレステロールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1201. 前記診断検査材料が血栓溶解時間を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1202. 前記診断検査材料が退縮時間を含む、請求項１１２７に記載の血餅発明。
1203. 前記診断検査材料がＣＭＰを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1204. 前記診断検査材料がＣＯ₂を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1205. 前記診断検査材料が寒冷凝集素を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1206. 前記診断検査材料が補体第３成分を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1207. 前記診断検査材料が銅を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1208. 前記診断検査材料が副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1209. 前記診断検査材料がコルチゾルを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1210. 前記診断検査材料がコートロシン刺激試験を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1211. 前記診断検査材料がＣペプチドを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1212. 前記診断検査材料がＣＰＫ（総）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1213. 前記診断検査材料がＣＰＫ−ＭＢを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1214. 前記診断検査材料がＣ反応性タンパクを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1215. 前記診断検査材料がクレアチニンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1216. 前記診断検査材料がクレアチニンキナーゼ（ＣＫ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1217. 前記診断検査材料がクリオグロブリンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1218. 前記診断検査材料がＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1219. 前記診断検査材料がＤダイマーを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1220. 前記診断検査材料がデキタメタゾン抑制試験を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1221. 前記診断検査材料がＤＨＥＡ−Ｓを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1222. 前記診断検査材料が希釈ラッセルクサリ蛇毒を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1223. 前記診断検査材料が楕円赤血球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1224. 前記診断検査材料が好酸球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1225. 前記診断検査材料が赤血球沈降速度（ＥＳＲ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1226. 前記診断検査材料がエストラジオールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1227. 前記診断検査材料がエストリオールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1228. 前記診断検査材料がエタノールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1229. 前記診断検査材料がエチレングリコールを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1230. 前記診断検査材料がユーグロブリン溶解を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1231. 前記診断検査材料が第Ｖ因子ライデンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1232. 前記診断検査材料が第ＶＩＩＩ因子インヒビターを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1233. 前記診断検査材料が第ＶＩＩＩ因子レベルを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1234. 前記診断検査材料がフェリチンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1235. 前記診断検査材料がフィブリン体分解産物を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1236. 前記診断検査材料がフィブリノーゲンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1237. 前記診断検査材料が葉酸塩を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1238. 前記診断検査材料が葉酸塩（血清）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1239. 前記診断検査材料がナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1240. 前記診断検査材料がＦＳＨ（卵胞刺激因子）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1241. 前記診断検査材料がＦＴＡ−ＡＢＳを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1242. 前記診断検査材料がγグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1243. 前記診断検査材料がガストリンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1244. 前記診断検査材料がＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1245. 前記診断検査材料がグルコースを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1246. 前記診断検査材料が成長ホルモンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1247. 前記診断検査材料がハプトグロビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1248. 前記診断検査材料がＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1249. 前記診断検査材料がＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1250. 前記診断検査材料がヘリコバクターピロリを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1251. 前記診断検査材料がヘマトクリットを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1252. 前記診断検査材料がヘマトクリット（ＨＣＴ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1253. 前記診断検査材料がヘモグロビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1254. 前記診断検査材料がヘモグロビンＡ１Ｃを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1255. 前記診断検査材料がヘモグロビン電気泳動を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1256. 前記診断検査材料がＡ型肝炎抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1257. 前記診断検査材料がＣ型肝炎抗体を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1258. 前記診断検査材料がＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1259. 前記診断検査材料が免疫固定法（ＩＦＥ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1260. 前記診断検査材料が鉄を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1261. 前記診断検査材料が乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1262. 前記診断検査材料が乳酸（乳酸塩）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1263. 前記診断検査材料がＬＤＨを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1264. 前記診断検査材料がＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1265. 前記診断検査材料がリパーゼを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1266. 前記診断検査材料がループス抗凝固因子を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1267. 前記診断検査材料がリンパ球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1268. 前記診断検査材料がマグネシウムを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1269. 前記診断検査材料がＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1270. 前記診断検査材料がＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1271. 前記診断検査材料がＭＣＶ（平均赤血球容積）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1272. 前記診断検査材料がマロン酸メチルを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1273. 前記診断検査材料が単球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1274. 前記診断検査材料がＭＰＶ（平均血小板容積）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1275. 前記診断検査材料がミオグロビンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1276. 前記診断検査材料が好中球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1277. 前記診断検査材料が上皮小体ホルモン（ＰＴＨ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1278. 前記診断検査材料がリンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1279. 前記診断検査材料が血小板（ｐｌｔ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1280. 前記診断検査材料がカリウムを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1281. 前記診断検査材料がプレアルブミンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1282. 前記診断検査材料がプロラクチンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1283. 前記診断検査材料が前立腺特異抗原（ＰＳＡ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1284. 前記診断検査材料がタンパク質Ｃを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1285. 前記診断検査材料がタンパク質Ｓを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1286. 前記診断検査材料がＰＳＡ（前立腺特異抗原）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1287. 前記診断検査材料がＰＴ（プロトロンビン時間）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1288. 前記診断検査材料がＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1289. 前記診断検査材料がＲＤＷ（赤血球分布幅）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1290. 前記診断検査材料がレニンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1291. 前記診断検査材料がレンニンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1292. 前記診断検査材料が網状赤血球数を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1293. 前記診断検査材料が網状赤血球を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1294. 前記診断検査材料がリウマチ因子（ＲＦ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1295. 前記診断検査材料が血沈速度を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1296. 前記診断検査材料が血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1297. 前記診断検査材料が血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1298. 前記診断検査材料がナトリウムを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1299. 前記診断検査材料がＴ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1300. 前記診断検査材料がフリーＴ４を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1301. 前記診断検査材料がトロンビン時間を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1302. 前記診断検査材料が甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1303. 前記診断検査材料がチロキシン（Ｔ４）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1304. 前記診断検査材料が全鉄結合能（ＴＩＢＣ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1305. 前記診断検査材料が総タンパクを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1306. 前記診断検査材料がトランスフェリンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1307. 前記診断検査材料がトランスフェリン飽和剤を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1308. 前記診断検査材料がトリグリセリド（ＴＧ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1309. 前記診断検査材料がトロポニンを含む、請求項１１２７に記載の発明。
1310. 前記診断検査材料が尿酸を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1311. 前記診断検査材料がビタミンＢ１２を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1312. 前記診断検査材料が白血球（ＷＢＣ）を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1313. 前記診断検査材料がウィダール試験を含む、請求項１１２７に記載の発明。
1314. （キャンセル）請求項１３１４−１４００
1315. 充填済みパッケージであって、
      少なくとも一部が壁によって画定される内腔を有する容器であって、前記壁が、前記内腔に面する内部表面と、外部表面と、結合皮膜又は層を含む前記内部表面上の皮膜一式と、バリア皮膜又は層と、ｐＨ保護皮膜又は層と、を有する、容器であり、
      前記結合皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．９、ｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含み、前記結合皮膜又は層は、前記内腔に面する内部表面と、前記壁内部表面に面する外部表面と、を有し、
      前記バリア皮膜又は層は、ｘが１．５〜２．９であり、２〜１０００ｎｍの厚さであるＳｉＯ_ｘを含み、ＳｉＯ_ｘの前記バリア皮膜又は層は、前記内腔に面する内部表面と、前記結合皮膜又は層の前記内部表面に面する外部表面と、を有し、前記バリア皮膜又は層は、バリア皮膜又は層のない容器と比べて前記内腔への大気ガスの進入を低減するのに有効であり、
      前記ｐＨ保護皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含み、前記ｐＨ保護皮膜又は層は、前記内腔に面する内部表面と、前記バリア皮膜又は層の前記内部表面に面する外部表面と、を有し、
      前記結合皮膜又は層と前記ｐＨ保護皮膜又は層の併用が前記パッケージの計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）を増加させるのに有効である、
      容器と、
      前記内腔内に収容されており、且つ５〜９のｐＨを有する流体組成物と、
      を含み、
      当該パッケージの前記計算保管寿命が４℃の保管温度で６か月を超える、
      充填済みパッケージ。
1316. （キャンセル）
1317. 表面と、結合皮膜又は層とバリア皮膜又は層とｐＨ保護皮膜又は層とを含む前記表面上の皮膜一式と、を有する壁であって、
      前記結合皮膜又は層は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含み、前記結合皮膜又は層は前記壁表面に面する外部表面を有し、前記結合皮膜又は層は内部表面を有し、
      前記バリア皮膜又は層は、ｘが１．５〜２．９であり、２〜１０００ｎｍの厚さであるＳｉＯ_ｘを含み、ＳｉＯ_ｘの前記バリア皮膜又は層は前記結合皮膜又は層の前記内部表面に面する外部表面を有し、ＳｉＯ_ｘの前記バリア皮膜又は層は内部表面を有し、前記バリア皮膜又は層は、非被覆壁と比べて前記壁を通じた大気ガスの進入を低減するのに有効であり、
      前記ｐＨ保護皮膜又は層は、前記バリア皮膜又は層上にある、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含み、前記ｐＨ保護皮膜又は層は、非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体の化学気相成長によって形成され、
      ５〜９のある点のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、前記流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度よりも低い、
      壁を含む、物品。
1318. 内腔を取り囲む内部表面を有する熱可塑性プラスチック壁と、
      前記内腔内に収容されている、５を超えるｐＨを有する、前記内腔内に配置された流体と、
      ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含む結合皮膜又は層であって、前記結合皮膜又は層は前記壁表面に面する外部表面を有し、前記結合皮膜又は層は内部表面を有する、結合皮膜又は層と、
      ｘが１．５〜２．９であるＳｉＯｘのバリア皮膜又は層であって、前記バリア皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって塗布され、前記結合皮膜又は層の前記内部表面と前記流体との間に配置され、且つ前記熱可塑性プラスチック壁によって支持され、前記バリア皮膜又は層は、前記流体による攻撃の結果、６か月未満でバリア改善度が測定可能な程度低下するという特徴を有する、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層と、
      ｘが０．５〜２．４及びｙが０．６〜３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙのｐＨ保護皮膜又は層であって、前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって塗布され、前記バリア皮膜又は層と前記流体との間に配置され、且つ前記熱可塑性プラスチック壁によって支持され、前記ｐＨ保護皮膜又は層及び結合皮膜又は層は共に、前記バリア皮膜又は層を、前記流体による攻撃の結果、少なくとも６か月の期間少なくとも実質的に溶解しない状態に維持するのに有効である、ｐＨ保護皮膜又は層と、
      を含む、容器。
1319. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が、
      ポリオレフィン、
      ポリエステル、又は、
      ポリオレフィンとポリエステルの組み合わせ、
      を含む、請求項１４０１〜１４０４のいずれか一項に記載の発明。
1320. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリオレフィンを含む、請求項１４０１〜１４０５のいずれか一項に記載の発明。
1321. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリオレフィンからなる、請求項１４０１〜１４０６のいずれか一項に記載の発明。
1322. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が環式オレフィン重合体を含む、請求項１４０１〜１４０７のいずれか一項に記載の発明。
1323. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的に環式オレフィン重合体からなる、請求項１４０１〜１４０８のいずれか一項に記載の発明。
1324. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が環式オレフィン共重合体を含む、請求項１４０１〜１４０９のいずれか一項に記載の発明。
1325. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的に環式オレフィン共重合体からなる、請求項１４０１〜１４１０のいずれか一項に記載の発明。
1326. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリプロピレンを含む、請求項１４０１〜１４１１のいずれか一項に記載の発明。
1327. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリプロピレンからなる、請求項１４０１〜１４１２のいずれか一項に記載の発明。
1328. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリエステルを含む、請求項１４０１〜１４１３のいずれか一項に記載の発明。
1329. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリエステルからなる、請求項１４０１〜１４１４のいずれか一項に記載の発明。
1330. 前記容器の前記壁の少なくとも一部がポリエチレンテレフタレートを含む、請求項１４０１〜１４１５のいずれか一項に記載の発明。
1331. 前記容器の前記壁の少なくとも一部が本質的にポリエチレンテレフタレートからなる、請求項１４０１〜１４１６のいずれか一項に記載の発明。
1332. 前記容器がシリンジバレルを含む、請求項１４０１〜１４１７のいずれか一項に記載の発明。
1333. 前記容器がバイアルを含む、請求項１４０１〜１４１７のいずれか一項に記載の発明。
1334. 前記容器がブリスタパッケージを含む、請求項１４０１〜１４１７のいずれか一項に記載の発明。
1335. 前記流体組成物が５〜６のｐＨを有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1336. 前記流体組成物が６〜７の間のｐＨを有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1337. 前記流体組成物が７〜８のｐＨを有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1338. 前記流体組成物が８〜９のｐＨを有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1339. 前記流体組成物が６．５〜７．５のｐＨを有する、請求項１４０１〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1340. 前記流体組成物が７．５〜８．５のｐＨを有する、請求項１４０１〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1341. 前記流体組成物が８．５〜９のｐＨを有する、請求項１４０１〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1342. 前記流体組成物が２０℃及び７６０ｍｍＨｇ．大気圧の液体である、請求項１４０１〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1343. 前記流体組成物が水性の液体である、請求項１４０１〜１４２０のいずれか一項に記載の発明。
1344. 前記バリア皮膜又は層が４ｎｍ〜５００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１４２９のいずれか一項に記載の発明。
1345. 前記バリア皮膜又は層が７ｎｍ〜４００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１４２９のいずれか一項に記載の発明。
1346. 前記バリア皮膜又は層が１０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１４２９のいずれか一項に記載の発明。
1347. 前記バリア皮膜又は層が２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１４２９のいずれか一項に記載の発明。
1348. 前記バリア皮膜又は層が３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１４２９のいずれか一項に記載の発明。
1349. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＳｉＯ_ｘＣ_ｙを含む、請求項１４０１〜１４３４のいずれか一項に記載の発明。
1350. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が本質的にＳｉＯ_ｘＣ_ｙからなる、請求項１４０１〜１４３５のいずれか一項に記載の発明。
1351. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含む、請求項１４０１〜１４３６のいずれか一項に記載の発明。
1352. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が本質的にＳｉＮ_ｘＣ_ｙからなる、請求項１４０１〜１４３７のいずれか一項に記載の発明。
1353. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1354. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1355. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が単環シロキサンを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1356. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1357. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、本質的にオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1358. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１４３８のいずれか一項に記載の発明。
1359. 前記前駆体供給物が更に酸素を含む、請求項１４３９〜１４４４のいずれか一項に記載の発明。
1360. 前記前駆体供給物が更にキャリアガスを含む、請求項１４３９〜１４４４１のいずれか一項に記載の発明。
1361. 前記キャリアガスがアルゴンを含む、請求項４４Ｂに記載の発明。
1362. 前記前駆体供給物が、
      ０．５〜１０標準体積の前記有機ケイ素前駆体と、
      ０．１〜１０標準体積の酸素と、
      １〜１００ｓｃｃｍのキャリアガスと、
      を含む、請求項１４３９〜１４４４３のいずれか一項に記載の発明。
1363. 前記前駆体供給物が、
      ０．５〜１０標準体積のオクタメチレンシクロテトラシロキサンと、
      ０．１〜１０標準体積の酸素と、
      １〜１００ｓｃｃｍのアルゴンと、
      を含む、請求項１４３９〜１４４４４のいずれか一項に記載の発明。
1364. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が１０〜１０００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１４４４５のいずれか一項に記載の発明。
1365. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜８００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１４４４５のいずれか一項に記載の発明。
1366. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が１００〜７００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１４４４５のいずれか一項に記載の発明。
1367. 塗布された際の前記ｐＨ保護皮膜又は層が３００〜６００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１４４４５のいずれか一項に記載の発明。
1368. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１０〜１０００ｎｍの厚さである、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４４８のいずれか一項に記載の発明。
1369. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が２０〜７００ｎｍの厚さである、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４４８のいずれか一項に記載の発明。
1370. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が５０〜５００ｎｍの厚さである、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４４８のいずれか一項に記載の発明。
1371. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１００〜４００ｎｍの厚さである、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４４８のいずれか一項に記載の発明。
1372. 当該発明の組立の２年後、前記流体組成物に接触している前記ｐＨ保護皮膜又は層が１５０〜３００ｎｍの厚さである、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４４８のいずれか一項に記載の発明。
1373. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の２０％未満である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1374. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の１５％未満である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1375. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の１０％未満である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1376. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の７％未満である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1377. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜２０％である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1378. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜１５％である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1379. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜１０％である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1380. ８のｐＨを有する流体組成物が直接接触した場合の前記ｐＨ保護皮膜又は層の侵食の速度が、同じ条件下で同じ流体組成物が直接接触した場合の前記バリア皮膜又は層の侵食の速度の５％〜７％である、請求項１４０１又は１４０３〜１４５３のいずれか一項に記載の発明。
1381. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が少なくとも前記バリア皮膜又は層と同一領域を占める、請求項１４０１又は１４０３〜１４５９のいずれか一項に記載の発明。
1382. 本発明の組立後、少なくとも１年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1383. 本発明の組立後、少なくとも２年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1384. 本発明の組立後、少なくとも３年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1385. 本発明の組立後、少なくとも４年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1386. 本発明の組立後、少なくとも５年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1387. 本発明の組立後、少なくとも６年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1388. 本発明の組立後、少なくとも７年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1389. 本発明の組立後、少なくとも８年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1390. 本発明の組立後、少なくとも９年の保管寿命を有する、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１４６２のいずれか一項に記載の発明。
1391. 本発明の組立後、多くとも１０年の保管寿命を有する、請求項１４６３〜１４６４７のいずれか一項に記載の発明。
1392. 前記保管寿命が３℃で決定される、請求項１４６３〜１４６４８のいずれか一項に記載の発明。
1393. 前記保管寿命が４℃で決定される、請求項１４６３〜１４６４８のいずれか一項に記載の発明。
1394. 前記保管寿命が２０℃で決定される、請求項１４６３〜１４６４８のいずれか一項に記載の発明。
1395. 前記保管寿命が２３℃で決定される、請求項１４６３〜１４６４８のいずれか一項に記載の発明。
1396. 前記保管寿命が４０℃で決定される、請求項１４６３〜１４６４８のいずれか一項に記載の発明。
1397. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが５〜６であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1398. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが６〜７であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1399. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが７〜８であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1400. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが８〜９であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも８０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1401. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが５〜６であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1402. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが６〜７であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1403. 前記保管寿命の終了時、前記流体組成物のｐＨが７〜８であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1404. 前記保管寿命の終了時前記流体組成物のｐＨが８〜９であり、前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さが少なくとも１５０ｎｍである、請求項１４６３〜１４６９のいずれか一項に記載の発明。
1405. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の４４時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１４０１〜１４７７のいずれか一項に記載の発明。
1406. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の８８時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１４０１〜１４７７のいずれか一項に記載の発明。
1407. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の１７５時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１４０１〜１４７７のいずれか一項に記載の発明。
1408. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の２５０時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１４０１〜１４７７のいずれか一項に記載の発明。
1409. 前記流体組成物が、前記流体組成物との接触の３５０時間あたりにｐＨ保護皮膜又は層厚さの１ｎｍ以下の速度で前記ｐＨ保護皮膜又は層を除去する、請求項１４０１〜１４７７のいずれか一項に記載の発明。
1410. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が前記非被覆内部表面よりも低い摩擦抵抗を提供するのに有効である、請求項１４０１〜１４８２のいずれか一項に記載の発明。
1411. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも２５％減少する、請求項１４８３に記載の発明。
1412. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも４５％減少する、請求項１４８３に記載の発明。
1413. 前記摩擦抵抗が前記非被覆内部表面と比較して少なくとも６０％減少する、請求項１４８３に記載の発明。
1414. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、本発明の組立後、前記壁の、前記流体組成物が接触する部分と、相対的に摺動する部品との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である、請求項１４０１〜１４８６のいずれか一項に記載の発明。
1415. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、本発明の組立の少なくとも２年後、前記壁と、相対的に摺動する部品との間の摩擦抵抗を低減するのに有効である、請求項１４０１〜１４８６のいずれか一項に記載の発明。
1416. シリンジである、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1417. シリンジバレルを含むシリンジである、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1418. プランジャを含むシリンジである、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1419. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジである、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1420. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジであり、前記壁が前記シリンジバレルの少なくとも一部を画定する、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1421. シリンジバレル及びプランジャを含むシリンジであり、前記壁が前記シリンジバレルの少なくとも一部を画定し、前記相対的に摺動する部品が前記シリンジプランジャを含む、請求項１４８３〜１４８８のいずれか一項に記載の発明。
1422. 前記ｐＨ保護皮膜又は層と前記内腔との間に塗布された滑性皮膜又は層と、
      任意選択的に、前記ｐＨ保護皮膜又は層の前記内側表面の近傍に塗布された更なる皮膜又は層であって、前記更なる皮膜又は層が、前記熱可塑性プラスチック壁の前記内部表面に面する外部表面と、前記内腔に面する内側表面と、を有する、更なる皮膜又は層と、
      前記ｐＨ保護皮膜又は層に接触する流体と、
      を更に含む、請求項１４０１〜１４９４のいずれか一項に記載の発明。
1423. 前記ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸収スペクトルが、
      約１０００〜１０４０ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
      約１０６０〜約１１００ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅との間において、０．７５を超える比率を有する、
      請求項１４０１〜１４９５のいずれか一項に記載の発明。
1424. 前記比率が少なくとも０．８である、請求項１４９６に記載の発明。
1425. 前記比率が少なくとも０．９である、請求項１４９６に記載の発明。
1426. 前記比率が少なくとも１である、請求項１４９６に記載の発明。
1427. 前記比率が少なくとも１．１である、請求項１４９６に記載の発明。
1428. 前記比率が少なくとも１．２である、請求項１４９６に記載の発明。
1429. 前記比率が多くとも１．７である、請求項１４９６〜１５０１のいずれか一項に記載の発明。
1430. 前記比率が多くとも１．６である、請求項１４９６〜１５０１のいずれか一項に記載の発明。
1431. 前記比率が多くとも１．５である、請求項１４９６〜１５０１のいずれか一項に記載の発明。
1432. 前記比率が多くとも１．４である、請求項１４９６〜１５０１のいずれか一項に記載の発明。
1433. 前記比率が多くとも１．３である、請求項１４９６〜１５０１のいずれか一項に記載の発明。
1434. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が非油性の外観を有する、請求項１４０１〜１５０６のいずれか一項に記載の発明。
1435. 注射用水で希釈し、濃縮硝酸でｐＨ８に調整し、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有する５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液による、前記容器からの前記ケイ素溶解速度が１７０ｐｐｂ／日未満である、請求項１４０１〜１５０７のいずれか一項に記載の発明。
1436. 前記ケイ素溶解速度が１６０ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1437. 前記ケイ素溶解速度が１４０ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1438. 前記ケイ素溶解速度が１２０ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1439. 前記ケイ素溶解速度が１００ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1440. 前記ケイ素溶解速度が９０ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1441. 前記ケイ素溶解速度が８０ｐｐｂ／日未満である、請求項１５０８に記載の発明。
1442. 前記容器から４０℃の０．１Ｎ水酸化カリウム水溶液に溶解する際の前記ｐＨ保護皮膜又は層及びバリア皮膜又は層の前記総ケイ素含有量が６６ｐｐｍ未満である、請求項１４０１又は１４０３〜１５１４のいずれか一項に記載の発明。
1443. 前記総ケイ素含有量が６０ｐｐｍ未満である、請求項１５１５に記載の発明。
1444. 前記総ケイ素含有量が５０ｐｐｍ未満である、請求項１５１５に記載の発明。
1445. 前記総ケイ素含有量が４０ｐｐｍ未満である、請求項１５１５に記載の発明。
1446. 前記総ケイ素含有量が３０ｐｐｍ未満である、請求項１５１５に記載の発明。
1447. 前記総ケイ素含有量が２０ｐｐｍ未満である、請求項１５１５に記載の発明。
1448. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が１年を超える、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２０のいずれか一項に記載の発明。
1449. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が１８か月を超える、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２０に記載の発明。
1450. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が２年を超える、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２０に記載の発明。
1451. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が２年半を超える、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２０に記載の発明。
1452. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が３年を超える、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２０に記載の発明。
1453. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が４年未満である、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２５のいずれか一項に記載の発明。
1454. 前記計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）が５年未満である、請求項１４０１、１４０２又は１４０４〜１５２５のいずれか一項に記載の発明。
1455. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の２２，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1456. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の３０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1457. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の４０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1458. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の５０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1459. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の６０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1460. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の６２，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1461. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の７０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1462. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の８０，０００ｋＪ／ｋｇ超の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1463. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の１００，０００ｋＪ／ｋｇ未満の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1464. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＰＥＣＶＤ反応室内において、ＰＥＣＶＤによって重合ガスの質量の９０，０００ｋＪ／ｋｇ未満の単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５２７のいずれか一項に記載の発明。
1465. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって０．１〜５００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1466. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって０．１〜４００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1467. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１〜２５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1468. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１〜２００Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1469. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって１０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1470. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって２０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1471. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって４０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1472. 前記ｐＨ保護皮膜又は層がＰＥＣＶＤによって６０〜１５０Ｗの単位あたりの電力レベルで塗布される、請求項１４０１〜１５３７のいずれか一項に記載の発明。
1473. 電極電力とプラズマ量の比率が１Ｗ／ｍｌ〜１００Ｗ／ｍｌである、請求項１４０１〜１５４４のいずれか一項に記載の発明。
1474. 電極電力とプラズマ量の比率が５Ｗ／ｍｌ〜７５Ｗ／ｍｌである、請求項１５４５に記載の発明。
1475. 電極電力とプラズマ量の比率が６Ｗ／ｍｌ〜６０Ｗ／ｍｌである、請求項１５４５に記載の発明。
1476. 電極電力とプラズマ量の比率が１０Ｗ／ｍｌ〜５０Ｗ／ｍｌである、請求項１５４５に記載の発明。
1477. 電極電力とプラズマ量の比率が２０Ｗ／ｍｌ〜４０Ｗ／ｍｌである、請求項１５４５に記載の発明。
1478. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約５〜約９のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１４０１〜１５４９のいずれか一項に記載の発明。
1479. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約６〜約８のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１４０１〜１５４９のいずれか一項に記載の発明。
1480. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約４〜約６のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１４０１〜１５４９のいずれか一項に記載の発明。
1481. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が約４．６〜約５．８のＲＭＳ表面粗さ値（ＡＦＭによって測定された）を有する、請求項１４０１〜１５４９のいずれか一項に記載の発明。
1482. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_ｍａｘ表面粗さ値約７０〜約１６０を有する、請求項１４０１〜１５４９４のいずれか一項に記載の発明。
1483. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_ｍａｘ表面粗さ値約８４〜約１４２を有する、請求項１４０１〜１５４９４のいずれか一項に記載の発明。
1484. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、ＡＦＭによって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_ｍａｘ表面粗さ値約９０〜約１３０を有する、請求項１４０１〜１５４９４のいずれか一項に記載の発明。
1485. 前記内腔と前記ｐＨ保護皮膜又は層との間に滑性皮膜又は層を更に含み、前記滑性皮膜は、ｘが約０．５〜約２．４及びｙが約０．６〜約３であるＳｉＯ_ｘＣ_ｙ又はＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含み、前記滑性皮膜又は層は、前記内腔に面する前記層としてｐＨ保護皮膜を有する皮膜一式よりも、前記皮膜一式の滑性を増加させるのに有効である、請求項１４０１〜１５４９７のいずれか一項に記載の発明。
1486. 内部壁をｐＨ保護皮膜又は層で被覆されたシリンジバレルを含み、前記バレル内における摺動のため配置されたプランジャと、前記プランジャの少なくとも一部の上にある滑性皮膜又は層と、を更に含む、請求項１４０１〜１５４９８のいずれか一項に記載の発明。
1487. 前記滑性皮膜又は層が、前記非被覆基材よりも低いピストン摺動力又は始動力を提供するように構成されている、請求項１５５０に記載の発明。
1488. 前記滑性皮膜又は層が、Ｘ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって測定された以下の原子比率の１つ、Ｓｉ_ｗＯ_ｘＣ_ｙ（又はその等価のＳｉＯ_ｘＣ_ｙ）又はＳｉ_ｗＮ_ｘＣ_ｙ（又はその等価のＳｉＮ_ｘＣ_ｙ）を有し、式中、ｗが１、この式中におけるｘが約０．５〜２．４、ｙが約０．６〜約３である、請求項１５５０に記載の発明。
1489. 前記滑性皮膜又は層前記滑性皮膜又は層が透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）による、１０〜５００ｎｍの厚さを有する、請求項１５５０に記載の発明。
1490. プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって堆積される前記滑性皮膜又は層前記滑性皮膜又は層である、請求項１５５０に記載の発明。
1491. 前記滑性皮膜又は層が、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせから選択される前駆体から皮膜又は層を形成するのに有効な条件下で堆積される、請求項１５５０に記載の発明。
1492. 前記前駆体が直鎖シロキサンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1493. 前記前駆体が単環シロキサンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1494. 前記前駆体が多環シロキサンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1495. 前記前駆体がポリシルセスキオキサンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1496. 前記前駆体が直鎖シラザンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1497. 前記前駆体が単環シラザンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1498. 前記前駆体が多環シラザンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1499. 前記前駆体がポリシルセスキアザンを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1500. 前記前駆体がシラトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1501. 前記前駆体がシルクアシラトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1502. 前記前駆体がシルプロアトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1503. 前記前駆体がアザシラトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1504. 前記前駆体がアザシルクアシアトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1505. 前記前駆体がアザシルプロアトランを含む、請求項１５５０に記載の発明。
1506. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定され、
      

      

      のように測定された０．４未満のＯパラメータを示す、請求項１４０１〜１５６９のいずれか一項に記載の発明。
1507. 前記Ｏパラメータが０．１〜０．３９の値を有する、請求項１５７０に記載の発明。
1508. 前記Ｏパラメータが０．１５〜０．３７の値を有する、請求項１７０に記載の発明。
1509. 前記Ｏパラメータが、０．１７〜０．３５の値を有する、請求項１５７０に記載の発明。
1510. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が、減衰全反射（ＡＴＲ）によって測定され、
      

      

      のように測定された０．７未満のＮパラメータを示す、請求項１４０１〜１５７３のいずれか一項に記載の発明。
1511. 前記Ｎパラメータが、少なくとも０．３の値を有する、請求項１５７４に記載の発明。
1512. 前記Ｎパラメータが、０．４〜０．６の値を有する、請求項１５７４に記載の発明。
1513. 基材と、
      前記基材上のバリア皮膜又は層と、
      前記バリア皮膜又は層上の不動態化皮膜又は層であって、前記不動態化皮膜又は層が、
      約１０００〜１０４０ｃｍ^−１におけるＦＴＩＲスペクトルのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、
      約１０６０〜約１１００ｃｍ^−１におけるＦＴＩＲスペクトルのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ非対称伸縮ピークの最大振幅と、
      の間において０．７５を超えるＦＴＩＲ吸光度比を示す、不動態化皮膜又は層と、
      を含む、複合材料。
1514. ｘが０．５〜１．５であり、ｙが０．９〜２である、請求項１４０１〜１５７６のいずれか一項に記載の発明。
1515. ｘが０．７〜１．３であり、ｙが０．９〜２である、請求項１４０１〜１５７６のいずれか一項に記載の発明。
1516. ｘが０．８〜１．２であり、ｙが０．９〜１．５である、請求項１４０１〜１５７６のいずれか一項に記載の発明。
1517. ｘが０．９〜１．２であり、ｙが０．９〜１．４である、請求項１４０１〜１５７６のいずれか一項に記載の発明。
1518. ｘが０．９２〜１．０７であり、ｙが１．１６〜１．３３である、請求項１４０１〜１５７６のいずれか一項に記載の発明。
1519. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲＭＳ表面粗さ値が、約５〜約９、任意選択的に約６〜約８、任意選択的に約６．４〜約７．８である、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８２のいずれか一項に記載の発明。
1520. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_ａ表面粗さ値が約４〜約６、任意選択的に約４．６〜約５．８である、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８３のいずれか一項に記載の発明。
1521. 原子間力顕微鏡法によって測定された前記ｐＨ保護皮膜又は層のＲ_ｍａｘ表面粗さ値が、約７０〜約１６０、任意選択的に約８４〜約１４２、任意選択的に約９０〜約１３０である、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８４のいずれか一項に記載の発明。
1522. （キャンセル）請求項１５８６〜１６３４
1523. 前記結合皮膜又は層がＳｉＯ_ｘＣ_ｙを含む、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５のいずれか一項に記載の発明。
1524. 前記結合皮膜又は層が本質的にＳｉＯ_ｘＣ_ｙからなる、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５のいずれか一項に記載の発明。
1525. 前記結合皮膜又は層がＳｉＮ_ｘＣ_ｙを含む、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５、１６３６のいずれか一項に記載の発明。
1526. 前記結合皮膜又は層が本質的にＳｉＮ_ｘＣ_ｙからなる、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３７のいずれか一項に記載の発明。
1527. 前記結合皮膜又は層が、非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1528. 前記結合皮膜又は層が非環状シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、シラトラン、シルクアシラトラン、シルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1529. 前記結合皮膜又は層が単環シロキサンを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1530. 前記結合皮膜又は層がオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1531. 前記結合皮膜又は層がテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1532. 前記結合皮膜又は層がヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1533. 前記結合皮膜又は層が本質的にオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1534. 前記結合皮膜又は層が本質的にテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1535. 前記結合皮膜又は層が本質的にヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）からなる前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1536. 前記結合皮膜又は層が非環式シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、アザシラトラン、アザシルクアシアトラン、アザシルプロアトラン又はこれら前駆体のいずれか２つ以上の組み合わせを含む前駆体供給物のＰＥＣＶＤによって塗布される、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６３８のいずれか一項に記載の発明。
1537. 前記結合皮膜又は層の前記前駆体供給物が更に酸素を含む、請求項１６３９〜１６４４のいずれか一項に記載の発明。
1538. 前記結合皮膜又は層の前記前駆体供給物が更にキャリアガスを含む、請求項１６３９〜１６４４１のいずれか一項に記載の発明。
1539. 前記結合皮膜又は層の前記キャリアガスがアルゴンを含む、請求項１６４４２に記載の発明。
1540. 前記結合皮膜又は層の前記前駆体供給物が、
      ０．５〜１０標準体積の前記有機ケイ素前駆体と、
      ０．１〜１０標準体積の酸素と、
      １〜１２０ｓｃｃｍのキャリアガスと、
      を含む、請求項１６３９〜１６４４３のいずれか一項に記載の発明。
1541. 前記結合皮膜又は層の前記有機ケイ素前駆体がＴＭＤＳＯを含み、
      前記結合皮膜又は層の前記キャリアガスがアルゴンを含む、
      請求項１６３９〜１６４４４のいずれか一項に記載の発明。
1542. 前記結合皮膜又は層の前記有機ケイ素前駆体がＨＭＤＳＯを含み、
      前記結合皮膜又は層の前記キャリアガスがアルゴンを含む、
      請求項１６３９〜１６４４４のいずれか一項に記載の発明。
1543. 前記結合皮膜又は層が平均５〜２００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６４４６のいずれか一項に記載の発明。
1544. 前記結合皮膜又は層が平均５〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６４４６のいずれか一項に記載の発明。
1545. 前記結合皮膜又は層が平均１０〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６４４６のいずれか一項に記載の発明。
1546. 前記結合皮膜又は層が平均１０〜５０ｎｍの厚さである、請求項１４０１〜１５７６及び１５７８〜１５８５及び１６３５〜１６４４６のいずれか一項に記載の発明。
1547. 前記結合皮膜又は層が少なくとも前記バリア皮膜又は層と同一領域を占める、請求項１４０１又は１４０３〜１６５９のいずれか一項に記載の発明。
1548. 前記バリア皮膜又は層が平均１０〜２００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1549. 前記バリア皮膜又は層が平均１０〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1550. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が平均５０〜４００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1551. 前記ｐＨ保護皮膜又は層が平均５０〜２５０ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1552. 前記結合皮膜又は層の厚さの範囲が５〜２００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1553. 前記結合皮膜又は層の厚さの範囲が５〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1554. 前記結合皮膜又は層の厚さの範囲が１０〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1555. 前記結合皮膜又は層の厚さの範囲が１０〜５０ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1556. 前記バリア皮膜又は層の厚さの範囲が１０〜２００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1557. 前記バリア皮膜又は層の厚さの範囲が１０〜１００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1558. 前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さの範囲が５０〜４００ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1559. 前記ｐＨ保護皮膜又は層の厚さの範囲が５０〜２５０ｎｍの厚さである、請求項１４０１又は１４０３〜１６４９のいずれか一項に記載の発明。
1560. 前記流体が、
      吸入麻酔薬
      アリフルラン
      クロロホルム
      シクロプロパン
      デスフルラン（Ｓｕｐｒａｎｅ）
      ジエチルエーテル
      エンフルラン（Ｅｔｈｒａｎｅ）
      塩化エチル
      エチレン
      ハロタン（Ｆｌｕｏｔｈａｎｅ）
      イソフルラン（Ｆｏｒａｎｅ、Ｉｓｏｆｌｏ）
      イソプロペニルビニルエーテル
      メトキシフルラン
      メトキシフルラン
      メトキシプロパン
      亜酸化窒素
      ロフルラン
      セボフルラン（Ｓｅｖｏｒａｎｅ、Ｕｌｔａｎｅ、Ｓｅｖｏｆｌｏ）
      テフルラン
      トリクロロエチレン
      ビニルエーテル
      キセノン
      
      注射剤
      Ａｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）
      アバレリックスデポ
      アボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）
      ＡＢＴ−２６３
      ＡＢＴ−８６９
      ＡＢＸ−ＥＦＧ
      Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
      Ａｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）
      アセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）
      アセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）
      アクテムラ（トシリズマブ注射薬）
      Ａｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート）
      Ａｃｔｕｍｍｕｎｅ
      アクチバーゼ
      注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）
      Ａｄａｃｅｌ
      アダリムマブ
      アデノスキャン（アデノシン注射薬）
      アデノシン注射薬（アデノスキャン）
      Ａｄｒｅｎａｃｌｉｃｋ
      ＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬）
      Ａｆｌｕｒｉａ
      Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）
      アウドラザイム（ラロニダーゼ）
      アルグルセラーゼ注射薬（セレデース）
      アルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）
      アロプリノールナトリウム注射用（Ａｌｏｐｒｉｍ）
      Ａｌｏｐｒｉｍ（アロプリノールナトリウム注射用）
      アルプロスタジル
      Ａｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）
      ＡＬＴＵ−２３８
      アミノ酸注射薬
      Ａｍｉｎｏｓｙｎ
      アピドラ
      アプレミラスト
      アルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）注射用（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）
      ＡＭＧ００９
      ＡＭＧ０７６
      ＡＭＧ１０２
      ＡＭＧ１０８
      ＡＭＧ１１４
      ＡＭＧ１６２
      ＡＭＧ２２０
      ＡＭＧ２２１
      ＡＭＧ２２２
      ＡＭＧ２２３
      ＡＭＧ３１７
      ＡＭＧ３７９
      ＡＭＧ３８６
      ＡＭＧ４０３
      ＡＭＧ４７７
      ＡＭＧ４７９
      ＡＭＧ５１７
      ＡＭＧ５３１
      ＡＭＧ５５７
      ＡＭＧ６２３
      ＡＭＧ６５５
      ＡＭＧ７０６
      ＡＭＧ７１４
      ＡＭＧ７４５
      ＡＭＧ７８５
      ＡＭＧ８１１
      ＡＭＧ８２７
      ＡＭＧ８３７
      ＡＭＧ８５３
      ＡＭＧ９５１
      アミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
      アモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）
      アミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）
      アナキンラ
      Ａｎｔｉ−Ａｂｅｔａ
      Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ７
      Ａｎｔｉ−Ｂｅｔａ２０
      Ａｎｔｉ−ＣＤ４
      Ａｎｔｉ−ＣＤ２０
      Ａｎｔｉ−ＣＤ４０
      Ａｎｔｉ−ＩＦＮａｌｐｈａ
      Ａｎｔｉ−ＩＬ１３
      Ａｎｔｉ−ＯＸ４０Ｌ
      Ａｎｔｉ−ｏｘＬＤＳ
      Ａｎｔｉ−ＮＧＦ
      Ａｎｔｉ−ＮＲＰ１
      アリクストラ
      Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）
      Ａｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）
      Ａｎａｐｒｏｘ
      アンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）
      アピドラ（インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
      Ａｐｏｍａｂ
      Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）
      アルガトロバン（アルガトロバン注射薬）
      塩酸アルギニン注射薬（Ｒ−Ｇｅｎｅ１０
      アリストコート
      アリストスパン
      三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）
      アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）
      アーゼラ（オファツムマブ注射薬）
      Ａｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）
      アタルレン
      アタルレン−ＤＭＤ
      アテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）
      ベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）
      アバスチン
      アザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）
      アジスロマイシン（ジスロマック注射薬）
      アズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）
      バクロフェン注射薬（リオレサール髄注（Ｉｎｔｒａｔｈｅｃａｌ））
      静菌水（注射用静菌水）
      バクロフェン注射薬（リオレサール髄注）
      Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）
      ＢａｙＨｅｐＢ
      ＢａｙＴｅｔ
      ベナドリル
      塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）
      メシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）
      ベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）
      ベキサール
      バイシリンＣ−Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）
      ブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）
      ブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）
      ボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）
      ボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）
      ＢＲ３−ＦＣ
      Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）
      ブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）
      ブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）
      Ｂｒｅｔｈｉｎｅ
      Ｂｒｉｏｂａｃｅｐｔ
      ＢＴＴ−１０２３
      ブピバカインＨＣｌ
      バイエッタ
      Ｃａ−ＤＴＰＡ（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）
      カバジタキセル注射薬（ジェブタナ）
      カフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）
      カルシジェックス注射薬（カルシトリオール）
      カルシトリオール（カルシジェックス注射薬）
      塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）
      カルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）
      キャンパス（アルテムツズマブ（Ａｌｔｅｍｔｕｚｕｍａｂ））
      Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）
      カナキヌマブ注射薬（イラリス）
      カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（カプレオマイシン注射用）
      カプレオマイシン注射用（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））
      カーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））
      カーティセル
      Ｃａｔｈｆｌｏ
      注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）
      セフェピム塩酸塩
      セフォタキシム
      セフトリアキソン
      セレザイム
      Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬
      Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ
      Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ
      Ｃｅｌｓｉｏｒ
      Ｃｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
      セレデース（アルグルセラーゼ注射薬）
      Ｃｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）
      セルトリズマブ
      ＣＦ−１０１
      クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）
      クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）
      コレスタゲル（コレセベラムＨＣＬ）
      絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）
      シムジア
      シスプラチン（シスプラチン注射薬）
      クロラール（クロファラビン注射薬）
      クエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）
      クロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）
      コゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）
      コリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ）
      Ｃｏｌｙ−Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）
      Ｃｏｍｐａｔｈ
      コニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）
      注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）
      コパキソン
      注射用コルチコレリンオーバイントリフルテート（Ａｃｔｈｒｅｌ）
      コルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）
      キュビシン（ダプトマイシン注射薬）
      ＣＦ−１０１
      Ｃｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）
      シタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）
      シアノコバラミン
      サイトベン（ガンシクロビル）
      Ｄ．Ｈ．Ｅ．４５
      ダセツズマブ
      ダコゲン（デシタビン注射薬）
      ダルテパリン
      ダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）
      注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）
      ダプトマイシン注射薬（キュビシン）
      ダルベポエチンアルファ
      ＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）
      Ｄｅｃａｖａｘ
      デシタビン注射薬（ダコゲン）
      無水アルコール（無水アルコール注射薬）
      デノスマブ注射薬（プロリア）
      デラテストリル
      デルエストロゲン
      デルテパリンナトリウム（Ｄｅｌｔｅｐａｒｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ）
      Ｄｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
      デポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）
      デポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）
      デポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）
      デスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）
      デポエストラジオール
      デポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌ
      デポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌ
      デポテストステロン
      注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）
      ブドウ糖／電解質
      ブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）
      ブドウ糖
      ジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）
      ジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）
      ジラウジッド−ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）
      ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）
      ジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）
      ジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）
      ＤＭＯＡＤ
      ドセタクセル注射用（タキソテール）
      メシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）
      ドリバックス（ドリペネム注射用）
      ドリペネム注射用（ドリバックス）
      ドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）
      ドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）
      ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）
      Ｄｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）
      Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）
      Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）
      エカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）
      ＥＣ−ナプロシン（ナプロキセン）
      エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）
      Ｅｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）
      Ｅｎｇｅｒｉｘ
      エドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）
      エリグルスタットターテート（Ｅｌｉｇｌｕｓｔａｔ Ｔａｒｔａｔｅ）
      エロキサチン（オキサリプラチン注射薬）
      イメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）
      エナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）
      Ｅｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）
      エノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）
      エオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）
      エンブレル（エタネルセプト）
      エノキサパリン
      Ｅｐｉｃｅｌ
      エピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）
      エピペン
      エピペンＪｒ．
      エピラツズマブ
      アービタックス
      エルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）
      エリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）
      必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）
      エストラジオールシピオネート
      吉草酸エストラジオール
      エタネルセプト
      エキセナチド注射薬（バイエッタ）
      エブロトラ（Ｅｖｌｏｔｒａ）
      ファブラザイム（アダルシダーゼベータ（Ａｄａｌｓｉｄａｓｅ ｂｅｔａ））
      ファモチジン注射薬
      ＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）
      フェラヘム（フェルモキシトール注射薬）
      フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
      Ｆｅｒｔｉｎｅｘ
      フェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）
      フェルモキシトール注射薬（フェラヘム）
      フラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）
      Ｆｌｕａｒｉｘ
      フルダラ（リン酸フルダラビン）
      フルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）
      フルオレセイン注射薬（Ａｋ−Ｆｌｕｏｒ）
      フォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）
      フォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）
      フォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）
      フォロチン（プララトレキサート溶液静注用）
      フォンダパリヌクス
      フォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
      Ｆｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂ
      フォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）
      ホスフェニトインナトリウム注射薬（ホスカビル）
      ホスカビル（ホスフェニトインナトリウム注射薬）
      ホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）
      ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）
      フラグミン
      フゼオン（エンフビルチド）
      ＧＡ１０１
      ガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）
      ガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）
      ガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）
      カドベルセタミド注射薬（ＯｐｔｉＭＡＲＫ）
      ガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）
      ガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）
      ガーダシル
      ＧＣ１００８
      ＧＤＦＤ
      注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）
      ジェノトロピン
      ゲンタマイシン注射薬
      ＧＥＮＺ−１１２６３８
      ゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）
      ゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）
      グラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）
      ゲンタマイシン硫酸塩
      グラチラマー酢酸塩
      Ｇｌｕｃａｇｅｎ
      グルカゴン
      ＨＡＥ１
      Ｈａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）
      Ｈａｖｒｉｘ
      Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬（ドキセルカルシフェロール注射薬）
      ヘッジホッグ経路阻害薬
      へパリン
      ハーセプチン
      ｈＧ−ＣＳＦ
      ヒューマログ
      ヒト成長ホルモン
      ヒューマトロープ
      ＨｕＭａｘ
      ヒュメゴン
      ヒュミラ
      ヒューマリン
      イバンドロネートナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）
      イブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）
      フマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）
      イダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）
      イダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）
      イラリス（カナキヌマブ注射薬）
      注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）
      イミトレックス
      インコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）
      Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
      インダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）
      インドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）
      Ｉｎｆａｎｒｉｘ
      イノヘップ
      インスリン
      インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）
      インスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）
      インスリングルリシン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）
      インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）
      イントロンＡ（インターフェロンアルファ−２ｂ、遺伝子組換え注射用）
      Ｉｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）
      Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）
      インビラーゼ（サキナビルメシル酸塩）
      ヨーベングアンＩ１２３静脈内使用用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）
      イオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）
      イオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）
      Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
      Ｉｐｒｉｖａｓｋ
      イリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）
      含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）
      Ｉｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）
      イトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）
      ジェブタナ（カバジタキセル注射薬）
      Ｊｏｎｅｘａ
      Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）
      ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
      ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗ
      ＫＣＬ ｉｎ ＮＳ
      ケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
      ケピバンス（パリフェルミン）
      ケプラ注射薬（レベチラセタム）
      ケラチノサイト
      ＫＦＧ
      キナーゼ阻害薬
      Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）
      Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）
      Ｋｉｎｒｉｘ
      クロノピン（クロナゼパム）
      カイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）
      ラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）
      乳酸リンゲル液
      ラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）
      ランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）
      ランタス
      ロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）
      レンテ（Ｌ）
      レプチン
      レベミル
      リューカインサルグラモスチム（Ｌｅｕｋｉｎｅ Ｓａｒｇｒａｍｏｓｔｉｍ）
      ロイプロリド酢酸塩
      レボチロキシン
      レベチラセタム（ケプラ注射薬）
      ラブノックス
      レボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）
      レキスキャン（レガデノソン注射薬）
      リオレサール髄注（バクロフェン注射薬）
      リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）
      ラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）
      ルセンティス（ラニビズマブ注射薬）
      Ｌｕｍｉｚｙｍｅ
      ルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）
      Ｌｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）
      Ｍａｃｉ
      マグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）
      マンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）
      マーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）
      マキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）
      テクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）
      メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）
      メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）
      メルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）
      メトトレキサート
      メナクトラ
      Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）
      メノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）
      メトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）
      メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）
      メチレンブルー（メチレンブルー注射薬）
      酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
      ＭｅｔＭａｂ
      メトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）
      Ｍｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）
      メトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）
      Ｍｉａｃａｌｃｉｎ
      ミダゾラム（ミダゾラム注射薬）
      ミンパラ（シナカレト（Ｃｉｎａｃａｌｅｔ））
      ミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）
      ミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）
      ミポメルセン
      ミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）
      モルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）
      モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）
      モルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）
      モテサニブ
      モゾビル（プレリキサフォル注射薬）
      Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）
      多電解質及びブドウ糖注射薬
      多電解質注射薬
      マイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）
      マイオザイム（アルグルコシダーゼアルファ）
      ナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）
      ナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）
      ナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル）
      ナプロシン（ナプロキセン）
      ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）
      ナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）
      ネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）
      ＮＥＯ−ＧＡＡ
      ＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）
      Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）
      Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）
      Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）
      ノボリン
      Ｎｏｖｏｌｏｇ
      ＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎ
      Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）
      ＮＰＨ（Ｎ）
      Ｎｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）
      ノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）
      生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）
      ノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）
      ノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）
      ＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
      Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）
      ニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
      ニュートロピンＡＱ
      ニュートロピンデポ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）
      オクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）
      オクレリズマブ
      オファツムマブ注射薬（アーゼラ）
      徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）
      Ｏｍｎｉｔａｒｇ
      Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）
      オンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）
      ＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）
      オプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）
      オレンシア
      Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック容器）
      Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）
      オステオプロテグリン（Ｏｓｔｅｏｐｒｏｔｅｇｒｉｎ）
      Ｏｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）
      オキサシリン（オキサシリン注射用）
      オキサリプラチン注射薬（エロキサチン）
      オキシトシン注射薬（ピトシン）
      パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）
      パミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）
      パニツムマブ静注用（ベクティビックス）
      パパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）
      パパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）
      副甲状腺ホルモン
      パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）
      ＰＡＲＰ阻害薬
      Ｐｅｄｉａｒｉｘ
      ペグイントロン
      ペグインターフェロン
      ペグフィルグラスチム
      ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン
      ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ−ＤＴＰＡ）
      ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸）
      ペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）
      Ｐｅｒｇｏｎａｌ
      ペルツズマブ
      フェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）
      サリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））
      サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）
      ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）
      ピトシン（オキシトシン注射薬）
      Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）
      Ｐｌａｓｍａ−Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック容器）
      ＰｌａｓｍａＬｙｔｅ
      プレリキサフォル注射薬（モゾビル）
      ポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）
      塩化カリウム
      プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
      酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）
      プレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）
      注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）
      プレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）
      プリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）
      Ｐｒｏｃｈｙｍａｌ
      プロクリット
      黄体ホルモン
      プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
      プロリア（デノスマブ注射薬）
      プロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）
      プロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）
      グルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）
      キニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）
      Ｒ−Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）
      ラニビズマブ注射薬（ルセンティス）
      ラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）
      ラプティバ
      リクラスト（ゾレドロン酸注射薬）
      Ｒｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢ
      レガデノソン注射薬（レキスキャン）
      Ｒｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）
      レミケード
      レナジェル
      Ｒｅｎｖｅｌａ（炭酸セベラマー）
      Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）
      レトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）
      ｒｈＡｐｏ２Ｌ／ＴＲＡＩＬ
      リンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））
      リンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）
      リツキサン
      リツキシマブ
      ロセフィン（セフトリアキソン）
      ロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）
      Ｒｏｆｅｒｏｎ−Ａ（インターフェロンアルファ−２ａ）
      Ｒｏｍａｚｉｃｏｎ（フルマゼニル）
      ロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）
      サイゼン（ソマトロピン注射薬）
      サンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）
      スクレロスチンＡｂ
      Ｓｅｎｓｉｐａｒ（シナカルセト）
      Ｓｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣｌ注射薬）
      Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）
      Ｓｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）
      シンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）
      ナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬）
      炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）
      乳酸ナトリウム（乳酸ナトリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）
      フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）
      ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）
      スポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）
      ステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）
      Ｓｔｅｍｇｅｎ
      Ｓｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）
      クエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）
      Ｓｕｍａｖｅｌ
      スマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）
      Ｓｙｍｌｉｎ
      Ｓｙｍｌｉｎ Ｐｅｎ
      全身用ヘッジホッグ（Ｓｙｓｔｅｍｉｃ Ｈｅｄｇｅｈｏｇ）拮抗薬
      Ｓｙｎｖｉｓｃ−Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ−Ｆ２０単回関節内注射薬）
      タルセバ
      タキソテール（ドセタクセル注射用）
      テクネチウムＴｃ９９ｍ
      テラバンシン注射用（ヴィバティブ）
      テムシロリムス注射薬（トーリセル）
      テノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）
      テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）
      テストステロンシピオネート
      テストステロンエナント酸エステル
      テストステロンプロピオン酸エステル
      Ｔｅｖ−Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）
      ｔｇＡＡＣ９４
      塩化タリウム
      テオフィリン
      チオテパ（チオテパ注射薬）
      サイモグロブリン（抗胸腺細胞免疫グロブリン（ウサギ）
      タイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）
      チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）
      Ｔｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ））
      チメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ））
      ＴＮＫａｓｅ
      トブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）
      トシリズマブ注射薬（アクテムラ）
      トーリセル（テムシロリムス注射薬）
      Ｔｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）
      トラスツズマブ−ＤＭ１
      Ｔｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））
      トレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）
      トレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）
      トリアムシノロンアセトニド
      酢酸トリアムシノロン
      トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）
      Ｔｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
      塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）
      グルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）
      トリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）
      Ｔｗｉｎｊｅｃｔ
      Ｔｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）
      トリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）
      Ｔｗｉｎｒｉｘ
      腸チフスＶｉ
      Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）
      ウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）
      ウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）
      ウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）
      ウルトラレンテ（Ｕ）
      バリウム（ジアゼパム）
      バルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）
      Ｖａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）
      バルプロ酸ナトリウム（バルプロ酸ナトリウム注射薬）
      バルプロ酸ナトリウム注射薬（バルプロ酸ナトリウム）
      バプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）
      ＶＡＱＴＡ
      バソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）
      ベクティビックス（パニツムマブ静注用）
      ヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）
      ベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）
      ヴィバティブ（テラバンシン注射用）
      ビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）
      ビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）
      ビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）
      Ｖｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
      ビクトーザ
      ビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）
      ビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）
      ビタミンＢ−１２
      ビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）
      ボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）
      ゼローダ
      ゼニカル（オルリスタット）
      Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）
      ゾレア
      ザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）
      Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）
      Ｚｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）
      ゼナパックス（ダクリズマブ）
      ゼバリン
      ジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）
      ジスロマック注射薬（アジスロマイシン）
      Ｚｎ−ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）
      ゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）
      Ｚｉｎｇｏ
      ゾレドロン酸注射用（ゾメタ）
      ゾレドロン酸注射薬（リクラスト）
      ゾメタ（ゾレドロン酸注射用）
      ゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）
      Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）
      
      液剤（非注射型）
      エビリファイ
      ＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）
      Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）
      薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）
      アドベア
      Ａｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）
      Ａｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）
      Ａｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）
      アルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）
      アルブテロール硫酸塩吸入液
      Ａｌｉｎｉａ
      Ａｌｏｃｒｉｌ
      アルファガン
      Ａｌｒｅｘ
      オルベスコ
      アンプレナビル経口液
      Ａｎａｌｐｒａｍ−ＨＣ
      アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）
      アリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）
      アサコール
      アズマネックス
      Ａｓｔｅｐｒｏ
      Ａｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）
      アトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）
      アトロベント鼻用スプレー．０６
      オーグメンチンＥＳ−６００
      Ａｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）
      アゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）
      アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）
      Ａｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）
      エイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）
      静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）
      平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）
      ベポタスチン
      バクトロバン鼻腔用
      バクトロバン
      Ｂｅｃｌｏｖｅｎｔ
      Ｂｅｎｚａｃ Ｗ
      Ｂｅｔｉｍｏｌ
      ベトプティックエス
      Ｂｅｐｒｅｖｅ
      ビマトプロスト点眼液
      Ｂｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）
      ブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）
      ブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）
      Ｂｒｏｍｈｉｓｔ
      Ｂｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）
      ブデソニド吸入用懸濁液（パルミコート吸入液）
      Ｃａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）
      Ｃａｐｅｘ
      Ｃａｒａｃ
      Ｃａｒｂｏｘｉｎｅ−ＰＳＥ
      Ｃａｒｎｉｔｏｒ
      Ｃａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）
      セルセプト
      Ｃｅｎｔａｎｙ
      Ｃｅｒｕｍｅｎｅｘ
      Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）
      Ｃｉｐｒｏｄｅｘ
      シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）
      クレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）
      ＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）
      Ｃｏｍｂｉｖｅｎ
      コムタン
      Ｃｏｎｄｙｌｏｘ
      Ｃｏｒｄｒａｎ
      Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液
      Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液
      クロモリンナトリウム吸入液（Ｉｎｔａｌ Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）
      クロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）
      電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）
      Ｃｕｔｉｖａｔｅ
      Ｃｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）
      シアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）
      サイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）
      サイクロジル
      Ｃｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
      ＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））
      デスモプレシン酢酸塩鼻用スプレー
      ＤＤＡＶＰ
      Ｄｅｒｍａ−Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳ
      デキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌ
      ダイアニール低カルシウム
      ダイアニールＰＤ
      ジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）
      ジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）
      ディフェリン
      ディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）
      Ｄｉｔｒｏｐａｎ
      ドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）
      ドルゾラミド塩酸塩−チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）
      ドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）
      ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）
      Ｅｆｕｄｅｘ
      エラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）
      Ｅｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）
      Ｅｌｏｃｏｎ
      エピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）
      エピビルＨＢＶ
      Ｅｐｏｇｅｎ（エポエチンアルファ）
      エリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）
      Ｅｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）
      エトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）
      オイラックス
      Ｅｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）
      Ｆｅｌｂａｔｏｌ
      フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）
      Ｆｌｏｖｅｎｔ
      Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）
      Ｆｌｏ−Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）
      Ｆｌｕｏｒｏｐｌｅｘ
      フルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）
      フルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）
      フルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）
      ＦＭＬ
      Ｆｏｒａｄｉｌ
      フマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）
      フォサマックス
      フラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）
      フロキソン
      ガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）
      ガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）
      ガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）
      Ｇｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）
      グリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）
      ハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）
      Ｈａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）
      ＨＥＰ−ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）
      ヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０
      ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）
      酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）
      ヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液）
      ＩＡＰ拮抗薬
      Ｉｓｏｐｔｏ
      臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）
      イトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）
      ケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）
      カレトラ
      ラノキシン
      レクシヴァ
      ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）
      レボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）
      レボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）
      レボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）
      リドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）
      Ｌｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）
      ロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌ
      Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）
      Ｌｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）
      エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）
      低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）
      ルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）
      ルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）
      メゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）
      ＭＥＫ阻害薬
      Ｍｅｐｒｏｎ
      Ｍｅｓｎｅｘ
      メスチノン
      メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）
      Ｍｅｌｑｕｉｎ−３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）
      ＭｅｔＭａｂ
      メチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）
      Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）
      酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）
      メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）
      コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）
      メチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）
      Ｍｉｇｒａｎａｌ
      Ｍｉｏｃｈｏｌ−Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
      Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）
      ミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）
      ナサコート
      ネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾン
      ネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）
      ネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）
      ニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）
      Ｎｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）
      ニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）
      ニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））
      Ｏｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）
      オフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）
      オフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）
      オロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）
      Ｏｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）
      Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）
      パタノール
      Ｐｅｄｉａｐｒｅｄ
      ＰｅｒｉｏＧａｒｄ
      フェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）
      Ｐｈｉｓｏｈｅｘ
      ポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）
      塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ−Ｋ液体懸濁液用）
      Ｐａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）
      Ｐａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）
      ＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）
      ペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）
      Ｐｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）
      ＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）
      Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）
      腹膜透析溶液
      フェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）
      フォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）
      ポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）
      Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）
      プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）
      Ｐｒｅｄ Ｍｉｌｄ
      Ｐｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌ
      プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）
      プレバシド
      ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））
      プロエアー
      Ｐｒｏｇｌｙｃｅｍ
      プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）
      塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）
      Ｐｒｏｐｉｎｅ
      パルミコート
      プルモザイム
      Ｑｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）
      ＱＶＡＲ
      ラパミューン
      レベトール
      Ｒｅｌａｃｏｎ−ＨＣ
      ロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）
      経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）
      Ｒｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））
      サブリル（ビガバトリン経口液）
      サクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）
      サンディミュン
      Ｓｅｐｒａ
      Ｓｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓ
      ソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）
      ソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）
      スピリーバ
      スポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）
      Ｓｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）
      スタレボ
      Ｓｔａｒｌｉｘ
      滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）
      Ｓｔｉｍａｔｅ
      スクラルファート（カラファート懸濁液）
      スルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０
      Ｓｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）
      Ｔａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））
      タミフル
      トービイ
      ＴｏｂｒａＤｅｘ
      Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）
      トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）
      チモロール
      Ｔｉｍｏｐｔｉｃ
      トラバタンズ
      トレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）
      トルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）
      Ｔｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）
      ベントリン
      ブイフェンド
      ビブラマイシン経口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）
      ヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）
      ビガバトリン経口液（サブリル）
      Ｖｉｏｋａｓｅ
      ビラセプト
      ビラミューン
      ビタミンＫ１（ビタミンＫ１の流体コロイド溶液）
      ボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）
      ザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）
      ザイアジェン
      ザイボックス
      Ｚｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）
      Ｚｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）
      
      薬物分類
      ５α還元酵素阻害薬
      ５−アミノサリチル酸塩
      ５ＨＴ３受容体拮抗薬
      アダマンタン抗ウイルス薬
      副腎皮質ステロイド
      副腎皮質ホルモン阻害薬
      アドレナリン作動性気管支拡張薬
      高血圧性緊急疾患用薬剤
      肺高血圧症用薬剤
      アルドステロン受容体拮抗薬
      アルキル化薬
      αアドレナリン受容体拮抗薬
      αグルコシダーゼ阻害薬
      代替薬
      殺アメーバ薬
      アミノグリコシド
      アミノペニシリン類
      アミノサリチル酸塩
      アミリン類似体
      鎮痛薬配合剤
      鎮痛薬
      アンドロゲン及びアナボリックステロイド
      アンジオテンシン変換酵素阻害薬
      アンジオテンシンＩＩ阻害薬
      肛門直腸製剤
      食欲抑制薬
      制酸薬
      駆虫薬
      抗血管原性眼用薬
      抗ＣＴＬＡ−４モノクローナル抗体
      感染症薬
      抗アドレナリン作動薬、中枢作用型
      抗アドレナリン作動薬、末梢作用型
      抗アンドロゲン薬
      抗狭心症薬
      抗不整脈薬
      抗喘息薬配合剤
      抗生物質／抗腫瘍薬
      抗コリン性制吐剤
      抗コリン性抗パーキンソン薬
      抗コリン性気管支拡張薬
      抗コリン性変時性薬（ａｎｔｉｃｈｏｌｉｎｅｒｇｉｃ ｃｈｒｏｎｏｔｒｏｐｉｃ ａｇｅｎｔｓ）
      抗コリン作動薬／鎮痙薬
      凝固阻止剤
      抗痙攣薬
      抗うつ薬
      抗糖尿病薬
      抗糖尿病薬配合剤
      止瀉薬
      抗利尿ホルモン
      解毒薬
      制吐薬／抗暈眩薬
      抗真菌薬
      抗ゴナドトロピン薬
      痛風治療薬
      抗ヒスタミン薬
      高脂血症用薬
      高脂血症用配合剤
      降圧配合剤
      尿酸降下薬
      抗マラリア薬
      抗マラリア薬配合剤
      抗マラリア薬キノリン類
      代謝拮抗薬
      抗片頭痛薬
      抗腫瘍性解毒剤
      抗腫瘍性インターフェロン
      抗腫瘍性モノクローナル抗体
      抗腫瘍薬
      抗パーキンソン薬
      抗血小板薬
      抗緑膿菌ペニシリン系薬
      抗乾癬薬
      抗精神病薬
      抗リウマチ薬
      防腐薬及び殺菌薬
      抗甲状腺薬
      抗毒素及び抗蛇毒素
      抗結核薬
      抗結核薬配合剤
      鎮咳薬
      抗ウイルス薬
      抗ウイルス配合剤
      抗ウイルスインターフェロン
      抗不安薬、鎮静薬、及び催眠薬
      アロマターゼ阻害薬
      非定型抗精神病薬
      アゾ−ル抗真菌薬
      細菌性ワクチン
      バルビツール酸系抗痙攣薬
      バルビツール薬
      ＢＣＲ−ＡＢＬチロシンナーゼ阻害薬
      ベンゾジアゼピン系抗痙攣薬
      ベンゾジアゼピン
      βアドレナリン遮断薬
      βラクタマーゼ阻害薬
      胆汁酸金属イオン封鎖剤
      生物学的製剤
      ビスホスホネート製剤
      骨吸収阻害薬
      気管支拡張薬配合剤
      気管支拡張薬
      カルシトニン
      カルシウムチャネル遮断薬
      カルバメート系抗痙攣薬
      カルバペネム
      炭酸脱水酵素阻害抗痙攣薬
      炭酸脱水酵素阻害薬
      心緊張薬（ｃａｒｄｉａｃ ｓｔｒｅｓｓｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
      心選択性β遮断薬
      心血管作動薬
      カテコールアミン
      ＣＤ２０モノクローナル抗体
      ＣＤ３３モノクローナル抗体
      ＣＤ５２モノクローナル抗体
      中枢神経系薬
      セファロスポリン
      耳垢水
      キレート剤
      ケモカイン受容体拮抗薬
      クロライドチャネルアクチベーター
      コレステロール吸収阻害薬
      コリン作動薬
      コリン作動性筋興奮薬
      コリンエステラーゼ阻害薬
      中枢興奮薬
      凝固調整剤
      コロニー刺激因子
      避妊薬
      副腎皮質刺激ホルモン
      クマリン類及びインダンジオン類
      ｃｏｘ−２阻害薬
      充血除去薬
      外皮用薬
      診断的放射性医薬品
      ジベンザゼピン系抗痙攣薬
      消化酵素
      ジペプチジルペプチダーゼ４阻害薬
      利尿薬
      ドパミン作用性抗パーキンソン薬
      アルコール依存性に使用される薬物
      エキノカンジン
      ＥＧＦＲ阻害薬
      エストロゲン受容体拮抗薬
      エストロゲン
      去痰薬
      第Ｘａ因子阻害剤
      脂肪酸誘導体抗痙攣薬
      フィブリン酸誘導体
      第１世代セファロスポリン
      第４世代セファロスポリン
      機能性腸疾患薬
      胆石可溶化薬（ｇａｌｌｓｔｏｎｅ ｓｏｌｕｂｉｌｉｚｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
      ＧＡＢＡ類似体
      ＧＡＢＡ再取り込み阻害薬
      ＧＡＢＡトランスアミナーゼ阻害薬
      胃腸薬
      全身麻酔薬
      尿生殖路薬（ｇｅｎｉｔｏｕｒｉｎａｒｙ ｔｒａｃｔ ａｇｅｎｔｓ）
      胃腸刺激薬
      グルココルチコイド
      グルコース上昇剤（ｇｌｕｃｏｓｅ ｅｌｅｖａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
      グリコペプチド系抗生物質
      糖タンパク質血小板阻害薬（ｇｌｙｃｏｐｒｏｔｅｉｎ ｐｌａｔｅｌｅｔ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｓ）
      グリシルシクリン類
      ゴナドトロピン放出ホルモン
      ゴナドトロピン放出ホルモン拮抗薬
      ゴナドトロピン
      Ｉ群抗不整脈薬
      ＩＩ群抗不整脈薬
      ＩＩＩ群抗不整脈薬
      ＩＶ群抗不整脈薬
      Ｖ群抗不整脈薬
      成長ホルモン受容体遮断薬
      成長ホルモン
      ヘリコバクターピロリ除菌薬
      Ｈ２拮抗薬
      造血幹細胞モビライザー（ｍｏｂｉｌｉｚｅｒ）
      へパリン拮抗薬
      へパリン
      ＨＥＲ２阻害薬
      植物製品
      ヒストン脱アセチル化酵素阻害薬
      ホルモン補充療法
      ホルモン
      ホルモン／抗腫瘍薬
      ヒダントイン系抗痙攣薬
      違法（ストリート）薬物
      免疫グロブリン
      免疫薬
      免疫抑制薬
      インポテンス薬
      インビボ診断生物学的製剤
      インクレチンミメティクス
      吸入感染症薬（ｉｎｈａｌｅｄ ａｎｔｉ−ｉｎｆｅｃｔｉｖｅｓ）
      吸入コルチコステロイド
      強心薬
      インスリン
      インスリン様増殖因子
      インテグラーゼ鎖移転阻害薬
      インターフェロン
      静脈内栄養製品（ｉｎｔｒａｖｅｎｏｕｓ ｎｕｔｒｉｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
      ヨード造影剤
      イオン化ヨード造影剤
      鉄製品
      ケトライド類
      緩下薬
      鎮癩薬
      ロイコトリエン調整剤
      リンコマイシン誘導体
      脂質化グリコペプチド
      局所注射麻酔薬
      ループ利尿薬
      肺表面活性剤
      リンパ管染色剤
      リソソーム酵素
      マクロライド誘導体
      マクロライド類
      磁気共鳴イメージング造影剤
      肥満細胞安定化剤
      医療ガス
      メグリチニド類
      代謝薬
      メチルキサンチン類
      ミネラルコルチコイド
      ミネラル及び電解質
      その他薬剤
      その他鎮痛薬
      その他抗生物質
      その他抗痙攣薬
      その他抗うつ薬
      その他抗糖尿病薬
      その他制吐剤
      その他抗真菌薬
      その他高脂血症用薬
      その他抗マラリア薬
      その他抗腫瘍薬
      その他抗パーキンソン薬
      その他抗精神病薬
      その他抗結核薬
      その他抗ウイルス薬
      その他抗不安薬、鎮静薬及び催眠薬
      その他生物学的製剤
      その他骨吸収阻害薬
      その他心血管作動薬
      その他中枢神経系薬
      その他凝固調整剤
      その他利尿薬
      その他尿生殖路薬
      その他ＧＩ薬
      その他ホルモン
      その他代謝薬
      その他眼用薬
      その他耳用薬
      その他呼吸薬
      その他性ホルモン
      その他局所薬
      その他未分類薬
      その他腟用薬（ｖａｇｉｎａｌ ａｇｅｎｔｓ）
      有糸分裂阻害薬
      モノアミン酸化酵素阻害薬
      モノクローナル抗体
      口及び咽喉製品（ｍｏｕｔｈ ａｎｄ ｔｈｒｏａｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
      ｍＴＯＲ阻害薬
      ｍＴＯＲキナーゼ阻害薬
      粘液溶解薬
      マルチキナーゼ阻害薬
      筋弛緩薬
      散瞳薬
      麻薬性鎮痛薬配合剤
      麻薬性鎮痛薬
      鼻用感染症薬
      鼻用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
      鼻用潤滑剤及び灌注剤
      鼻用製剤
      鼻用ステロイド
      天然ペニシリン系薬
      ノイラミニダーゼ阻害薬
      神経筋遮断薬
      次世代セファロスポリン
      ニコチン酸誘導体
      硝酸薬
      ＮＮＲＴＩｓ
      非心選択性β遮断薬
      非ヨード造影剤
      非イオン性ヨード造影剤
      非スルホニル尿素
      非ステロイド性抗炎症薬
      ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
      ノルエピネフィリン−ドパミン再取り込み阻害薬
      ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬（ＮＲＴＩｓ）
      栄養補助食品
      栄養製品
      眼用麻酔薬
      眼用感染症薬
      眼用抗炎症薬
      眼用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬
      眼用診断用薬
      眼用緑内障薬
      眼用潤滑剤及び灌注剤
      眼用製剤
      眼用ステロイド
      感染症薬追加眼用ステロイド
      眼外科薬（ｏｐｈｔｈａｌｍｉｃ ｓｕｒｇｉｃａｌ ａｇｅｎｔｓ）
      経口栄養補助食
      耳用麻酔薬
      耳用感染症薬
      耳用製剤
      耳用ステロイド
      感染症薬追加耳用ステロイド
      オキサゾリジンジオン系抗痙攣薬
      上皮小体ホルモン及び類似体
      ペニシリナーゼ耐性ペニシリン
      ペニシリン系薬
      末梢性オピオイド受容体拮抗薬
      末梢性血管拡張薬
      末梢作用型抗肥満薬
      フェノチアジン制吐剤
      フェノチアジン系抗精神病薬
      フェニルピペラジン系抗うつ薬
      血漿増量剤
      血小板凝集阻害薬
      血小板刺激剤
      ポリエン類
      カリウム保持性利尿薬
      プロバイオティクス
      黄体ホルモン受容体調節薬
      プロゲスチン
      プロラクチン阻害薬
      プロスタグランジンＤ２拮抗薬
      タンパク分解酵素阻害薬
      プロトンポンプ阻害薬
      ソラレン類
      精神治療薬
      精神治療用複合剤（ｐｓｙｃｈｏｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
      プリンヌクレオシド
      ピロリジン抗痙攣薬
      キノロン剤
      造影剤
      放射線補助剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ａｄｊｕｎｃｔｓ）
      放射線剤
      放射線共役剤（ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃ ｃｏｎｊｕｇａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔｓ）
      放射性医薬品
      ＲＡＮＫリガンド阻害薬
      遺伝子組換えヒトエリスロポエチン
      レニン阻害薬
      呼吸薬
      呼吸吸入薬製品（ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｉｎｈａｌａｎｔ ｐｒｏｄｕｃｔｓ）
      リファマイシン誘導体
      サリチル酸塩
      硬化剤
      第２世代セファロスポリン
      選択的エストロゲン受容体調節薬
      選択的セロトニン再取り込み阻害薬
      セロトニン−ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬
      セロトニン作動性神経腸調節薬
      性ホルモン複合剤
      性ホルモン
      骨格筋弛緩薬複合剤
      骨格筋弛緩薬
      禁煙薬
      ソマトスタチン及びソマトスタチン類似体
      殺精子剤
      スタチン
      滅菌洗浄溶液（ｓｔｅｒｉｌｅ ｉｒｒｉｇａｔｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）
      ストレプトミセス誘導体
      スクシンイミド抗痙攣薬
      スルホンアミド
      スルホニル尿素
      合成排卵誘発剤
      四環系抗うつ薬
      テトラサイクリン
      治療用放射性医薬品
      サイアザイド系利尿薬
      チアゾリジンジオン類
      チオキサンテン
      第３世代セファロスポリン
      トロンビン阻害剤
      血栓溶解薬
      甲状腺剤
      陣痛抑制薬
      局所座瘡薬
      局所薬
      局所麻酔薬
      局所感染症薬
      局所抗生物質
      局所抗真菌薬
      局所抗ヒスタミン薬
      局所抗乾癬薬
      局所抗ウイルス薬
      局所収斂薬
      局所排膿促進薬
      局所脱色剤
      局所皮膚軟化薬
      局所角質溶解薬
      局所ステロイド
      感染症薬追加局所ステロイド
      トキソイド
      トリアジン抗痙攣薬
      三環系抗うつ薬
      三官能性モノクローナル抗体
      腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）阻害薬
      チロシンナーゼ阻害薬
      超音波造影剤
      上気道用複合剤（ｕｐｐｅｒ ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓ）
      尿素抗痙攣薬（ｕｒｅａ ａｎｔｉｃｏｎｖｕｌｓａｎｔｓ）
      尿路感染症薬
      尿路鎮痙薬
      尿ｐＨ調整剤
      子宮収縮薬
      ワクチン
      混合ワクチン
      腟抗感染薬
      膣坐剤
      血管拡張薬
      バソプレッシン拮抗薬
      昇圧薬
      ＶＥＧＦ／ＶＥＧＦＲ阻害薬
      ウイルス性ワクチン
      関節内補充薬
      ビタミンミネラル複合体
      ビタミン
      
      診断試験
      １７−ヒドロキシプロゲステロン
      ＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）
      アセトアミノフェン
      酸性ホスファターゼ
      副腎皮質刺激ホルモン
      活性凝固時間
      活性化プロテインＣ耐性
      副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）
      アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）
      アルブミン
      アルドラーゼ
      アルドステロン
      アルカリフォスファターゼ
      アルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）
      α１−抗トリプシン
      α−フェトプロテイン
      α−フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）
      アンモニアレベル
      アミラーゼ
      ＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））
      ＡＮＡ（抗核抗体）
      アンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）
      アニオンギャップ
      抗カルジオリピン抗体
      抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）
      抗セントロメア抗体
      抗利尿ホルモン
      抗ＤＮＡ
      抗デオキシリボヌクレアーゼＢ
      抗グリアジン抗体
      抗糸球体基底膜抗体
      抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体
      抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体
      抗リン脂質抗体
      抗ＲＮＡポリメラーゼ
      抗スミス（Ｓｍ）抗体
      抗平滑筋抗体
      抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）
      抗トロンビンＩＩＩ
      抗Ｘａ活性
      抗Ｘａアッセイ
      アポリポタンパク
      ヒ素
      アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）
      Ｂ１２
      塩基好性白血球
      β２−ミクログロブリン
      β−ヒドロキシブチレート
      Ｂ−ＨＣＧ
      ビリルビン
      直接ビリルビン
      間接ビリルビン
      総ビリルビン
      出血時間
      血液ガス（動脈性）
      血液尿素窒素（ＢＵＮ）
      ＢＵＮ
      ＢＵＮ（血液尿素窒素）
      ＣＡ１２５
      ＣＡ１５−３
      ＣＡ１９−９
      カルシトニン
      カルシウム
      カルシウム（イオン化）
      一酸化炭素（ＣＯ）
      癌胎児性抗原（ＣＥＡ）
      全血球計算（ＣＢＣ）
      ＣＥＡ
      ＣＥＡ（癌胎児性抗原）
      セルロプラスミン
      ＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）
      コレステロール
      ＨＤＬコレステロール
      血栓溶解時間
      血餅退縮時間
      ＣＭＰ
      ＣＯ_２
      寒冷凝集素
      補体第３成分
      銅
      副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験
      コルチゾル
      コートロシン刺激試験
      Ｃペプチド
      ＣＰＫ（総）
      ＣＰＫ−ＭＢ
      Ｃ反応性タンパク
      クレアチニン
      クレアチニンキナーゼ（ＣＫ）
      クリオグロブリン
      ＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）
      Ｄダイマー
      デキタメタゾン抑制試験
      ＤＨＥＡ−Ｓ
      希釈ラッセルクサリ蛇毒
      楕円赤血球
      好酸球
      赤血球沈降速度（ＥＳＲ）
      エストラジオール
      エストリオール
      エタノール
      エチレングリコール
      ユーグロブリン溶解
      第Ｖ因子ライデン
      第ＶＩＩＩ因子インヒビター
      第ＶＩＩＩ因子レベル
      フェリチン
      フィブリン体分解産物
      フィブリノーゲン
      葉酸塩
      葉酸塩（血清
      ナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）
      ＦＳＨ（卵胞刺激因子）
      ＦＴＡ−ＡＢＳ
      γグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）
      ガストリン
      ＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）
      グルコース
      成長ホルモン
      ハプトグロビン
      ＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）
      ＨＢｓ−Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）
      ヘリコバクターピロリ
      ヘマトクリット
      ヘマトクリット（ＨＣＴ）
      ヘモグロビン
      ヘモグロビンＡ１Ｃ
      ヘモグロビン電気泳動
      Ａ型肝炎抗体
      Ｃ型肝炎抗体
      ＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）
      免疫固定法（ＩＦＥ）
      鉄
      乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）
      乳酸（乳酸塩）
      ＬＤＨ
      ＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモン
      リパーゼ
      ループス抗凝固因子
      リンパ球
      マグネシウム
      ＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量
      ＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）
      ＭＣＶ（平均赤血球容積）
      マロン酸メチル
      単球
      ＭＰＶ（平均血小板容積）
      ミオグロビン
      好中球
      上皮小体ホルモン（ＰＴＨ）
      リン
      血小板（ｐｌｔ）
      カリウム
      プレアルブミン
      プロラクチン
      前立腺特異抗原（ＰＳＡ）
      タンパク質Ｃ
      タンパク質Ｓ
      ＰＳＡ（前立腺特異抗原）
      ＰＴ（プロトロンビン時間）
      ＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）
      ＲＤＷ（赤血球分布幅）
      レニン
      レンニン
      網状赤血球数
      網状赤血球
      リウマチ因子（ＲＦ）
      血沈速度
      血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ
      血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）
      ナトリウム
      Ｔ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）
      フリーＴ４
      トロンビン時間
      甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）
      チロキシン（Ｔ４）
      全鉄結合能（ＴＩＢＣ）
      総タンパク
      トランスフェリン
      トランスフェリン飽和剤
      トリグリセリド（ＴＧ）
      トロポニン
      尿酸
      ビタミンＢ１２
      白血球（ＷＢＣ）
      ウィダール試験
      からなる群より選択される要素を含む、請求項１４０１又は１４０３〜１６６２のいずれか一項に記載の発明。

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