JP2015515212A - 埋込み誘電性導波路を用いるチップ間通信 - Google Patents

Abstract

或る装置が提供される。パッケージ基板（３０４−Ａ）及び集積回路（ＩＣ）（３０２−Ａ）を備えた回路アセンブリ（２０６−Ａ１）がある。パッケージ基板は、マイクロストリップライン（２０８−Ａ１）を有し、ＩＣは、パッケージ基板に固定され、マイクロストリップラインに電気的に結合される。回路ボード（２０２−Ａ）もパッケージ基板に固定される。誘電性導波路（２０４−Ａ）が回路ボードに固定される。誘電性導波路は、誘電性導波路とマイクロストリップラインとの間に位置する遷移領域（３１４−Ａ）内に延びる誘電性コア（３１０−Ａ）を有し、マイクロストリップラインは、誘電性導波路との通信リンクを形成するように構成される。

Description

本開示は、概してチップ対チップ通信に関し、より詳細には、誘電性導波路を用いるチップ対チップ通信に関する。

最も広く利用される相互接続システム（これはほとんどの電子デバイスで用いられる）は、印刷回路基板（ＰＣＢ）又はバックプレーンに組み込まれる金属トレースを用いる。このタイプのシステムでは、トレースの１つ又は複数に電気的に結合され、それによってチップ間又はチップ対チップ通信が可能になるように、集積回路（ＩＣ）がＰＣＢに固定される。この配置の問題は、データレート又はデータ送信に関する物理的な限界に達しつつあることであり、そのため、光リンクやワイヤレスリンクといったいくつかの異なる種類の通信リンクが開発済み又は開発中である。これら開発中の技術の各々は、伝送媒体、すなわち、光リンク用の光ファイバやワイヤレスリンク用の金属導波路を用いる。

図１及び図２に移ると、ワイヤレスリンク又は光リンクを用いる相互接続システム１００の例を見ることができる。この例では、伝送媒体１０４（これは、金属導波路又は光ファイバである）がＰＣＢ１０２に組み込まれている。ＩＣ１０６−１及び１０６−２が、ＰＣＢ１０２に固定され、伝送媒体１０４のそれぞれの端部に近接して位置する。理論上は、次いで、トランシーバ１０８−１及び１０８−２（これらは、光リンク用の光トランシーバ及びワイヤレスリンク用の無線周波数（ＲＦ）トランシーバである）により、ＩＣ１０６−１と１０６−２の間のチップ間通信が可能となる。しかし、実際には、このチップ間通信は単純なタスクではない。例えば、システム１００が光リンクを用いると仮定すると、光トランシーバ１０８−１及び１０８−２は、光軸を有する、オンダイ発光ダイオード（ＬＥＤ）及び／又はフォトダイオードを有し得ることになる（これは、現在のプロセス技術では難しい）。ＬＥＤ（送信用）は通常、特定の波長又は周波数を有するレーザダイオードであり、伝送媒体１０４（この例では光ファイバ）はＬＥＤから発光される光の波長に適応するような寸法とされる。典型的には、伝送媒体１０４（この例では光ファイバ）は、帯域幅を改善するために単一モードファイバであり、これは、ＬＥＤから発せされる光の波長に関係する直径を有する。例えば、近赤外（すなわち、約０．７μｍ〜約３μｍの波長）の場合、単一モード光ファイバは概して約８μｍ〜約１０μｍの直径を有する。そのため、伝送媒体１０４（この例では光ファイバ）の光軸とＬＥＤ（又はフォトダイオード）の光軸のアライメントがずれていると（それが数ミクロンであっても）、相互接続が悪化するか、又は全く相互接続しなくなり得る。したがって、概して、精密な機械加工又は他のより斬新な微小光学構造が必要になる。金属導波路についても同様であり、すなわち、適切なアライメントには、概して、精密な機械加工が必要になる。サブミリ波用の金属導波路は損失もかなり大きく、そのため、導波路が機能する距離が実質的に制限される。

従って、改善された相互接続システムが求められている。

従来のシステムのいくつかの他の例が、下記文献に記載されている。
米国特許番号第５，７５４，９４８号 米国特許番号第７，７６８，４５７号 米国特許番号第７，３７９，７１３号 米国特許番号第７，３３０，７０２号 米国特許番号第６，９６７，３４７号 米国特許公開番号２００９／０００９４０８

一態様において、例示の実施形態が或る装置を提供する。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面とを有する回路ボードであって、第１の接地平面が回路ボードの第１の側に形成される回路ボード、及び回路ボードの第１の側に固定されるパッケージ基板を含む。パッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第２の接地平面と、第１及び第２の接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインとを含む。マイクロストリップラインは、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、マイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、マイクロストリップラインの第２の部分が、前記波長を有する放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされ、マイクロストリップラインの第２の部分が遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、マイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される集積回路（ＩＣ）、及び回路ボードに固定される誘電性導波路を含む。誘電性導波路は、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、遷移領域内に延びる、コアを含む。

特定の実装形態では、この波長が約１ｍｍ以下であり得る。誘電性導波路はクラッディング（cladding）をさらに含み得、コアは第１の誘電率を有し得、クラッディングは第２の誘電率を有し得、第１の誘電率は第２の誘電率より大きくし得る。パッケージ基板は第１及び第２の側を有し得、マイクロストリップラインはパッケージ基板の第１の側に形成され得、ＩＣはパッケージ基板の第１の側に固定され得、第１の接地平面はパッケージ基板の第２の側に形成され得る。１つ又は複数のはんだボールが第１及び第２の接地平面に固定され得る。インピーダンスは約５０Ωとし得る。マイクロストリップラインの第１の部分は、概して、約２５μｍの幅を有する矩形とし得、マイクロストリップラインの第２の部分は、概して、約５０μｍの幅を有する矩形とし得る。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と複数の回路ボード接地平面とを有する回路ボードであって、各回路ボード接地平面が回路ボードの第１の側に形成される回路ボード、及び複数のパッケージ基板を含む。各パッケージ基板は回路ボードの第１の側に固定され、各パッケージ基板は回路ボード接地平面の少なくとも１つとコロケートされる（collocated）。各パッケージ基板は、その回路ボード接地平面に電気的に結合されるパッケージ基板接地平面と、そのパッケージ基板接地平面及びその回路ボード接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインとを含む。マイクロストリップラインは、そのパッケージ基板接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、そのパッケージ基板接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、マイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、その回路ボード接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、その回路ボード接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、マイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、マイクロストリップラインの第２の部分は遷移領域内に位置する。この装置はさらに、複数のＩＣであって、各ＩＣがパッケージ基板の少なくとも１つに固定され、そのマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合されるＩＣ、及び回路ボードに固定される誘電性導波路ネットワークを含む。誘電性導波路ネットワークからのコアが、各回路ボード接地平面の少なくとも一部に重なり、その遷移領域内に延びる。

本発明の一実施形態に従って、誘電性導波路ネットワークはさらに、クラッディングを有する複数の誘電性導波路を含み、コアは第１の誘電率を有し、クラッディングは第２の誘電率を有し、第１の誘電率は第２の誘電率より大きい。

特定の実施形態では、各パッケージ基板は第１及び第２の側を有し得、マイクロストリップラインはパッケージ基板の第１の側に形成され得、ＩＣはパッケージ基板の第１の側に固定され得、パッケージ基板接地平面はパッケージ基板の第２の側に形成され得る。１つ又は複数のはんだボールが、各パッケージ基板に対して、回路ボード接地平面及びパッケージ基板接地平面に固定され得る。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面と第２の接地平面とを有する回路ボードであって、第１及び第２の接地平面が回路ボードの第１の側に形成され、第１及び第２の接地平面が互いに分離される回路ボード、及び回路ボードの第１の側に固定される第１のパッケージ基板を含む。第１のパッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第３の接地平面と、第１及び第３の接地平面に実質的に平行な第１のマイクロストリップラインとを含む。第１のマイクロストリップラインは、第３の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第３の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、第１のマイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、第１のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第１のマイクロストリップラインの第２の部分は第１の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、第１のパッケージ基板に固定され、第１のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第１のＩＣ、及び回路ボードの第１の側に固定される第２のパッケージ基板を含む。第２のパッケージ基板は、第２の接地平面に電気的に結合される第４の接地平面と、第２及び第４の接地平面に実質的に平行な第２のマイクロストリップラインとを含む。第２のマイクロストリップラインは、第４の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第４の接地平面から第３の距離分離される第１の部分であって、第２のマイクロストリップラインの第１の部分が、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第４の距離分離される第２の部分とを有する。第４の距離は第３の距離より長く、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は第２の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、第２のパッケージ基板に固定され、且つ、第２のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第２のＩＣ、及び第１及び第２の端部を備えたコアを有する誘電性導波路を含む。コアは、回路ボードに固定され、第１及び第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、コアの第１の端部は第１の遷移領域内に延び、コアの第２の端部は第２の遷移領域内に延び、コアは第１の誘電率を有する。この装置はさらに、コアに固定されるクラッディングを有し、クラッディングは第２の誘電率を有し、第１の誘電率は第２の誘電率より大きい。

特定の実装形態では、第１及び第２のパッケージ基板の各々は第１及び第２の側を有し得、そのマイクロストリップラインがパッケージ基板の第１の側に形成され得、そのＩＣがパッケージ基板の第１の側に固定され得、その第１の接地平面がパッケージ基板の第２の側に形成され得る。１つ又は複数のはんだボールが第１及び第３の接地平面に固定され得、１つ又は複数のはんだボールが第２及び第４の接地平面に固定され得る。第１及び第２のマイクロストリップラインの各々の第１の部分は概して矩形であり得、第１及び第２のマイクロストリップラインの各々の第２の部分は概して矩形であり得る。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面とを有する回路ボード、回路ボードの第１の側に形成されるチャネルであって、第１の接地平面がチャネルの少なくとも一部の下にあるチャネル、及び回路ボードの第１の側に固定されるパッケージ基板を含む。パッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第２の接地平面と、第１及び第２の接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインとを含む。マイクロストリップラインは、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、マイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、マイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、マイクロストリップラインの第２の部分は遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、マイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される集積回路（ＩＣ）、及び第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、遷移領域内に延び、且つ、チャネル内で固定される誘電性コアを含む。

特定の実装形態では、この装置はクラッディングをさらに含み得、コアは第１の誘電率を有し得、クラッディングは第２の誘電率を有し得、第１の誘電率は第２の誘電率より大きくし得る。回路ボードはさらに、第１の接地平面から回路ボードの第１の側まで延びるバイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが第２の接地平面及びバイアに固定され得る。マイクロストリップラインの第１の部分は概して矩形であり得る。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と複数の回路ボード接地平面とを有する回路ボード、回路ボードの第１の側に形成されるチャネルネットワークであって、各回路ボード接地平面がチャネルネットワークの少なくとも一部の下にあるチャネルネットワーク、及び複数のパッケージ基板であって、各パッケージ基板が回路ボードの第１の側に固定され、各パッケージ基板が回路ボード接地平面の少なくとも１つとコロケートされるパッケージ基板を含む。各パッケージ基板は、その回路ボード接地平面に電気的に結合されるパッケージ基板接地平面と、そのパッケージ基板接地平面及びその回路ボード接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインとを含む。マイクロストリップラインは、そのパッケージ基板接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、そのパッケージ基板接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、マイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、その回路ボード接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、その回路ボード接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、マイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、マイクロストリップラインの第２の部分は遷移領域内に位置する。この装置はさらに、複数のＩＣであって、各ＩＣがパッケージ基板の少なくとも１つに固定され、そのマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される、複数のＩＣ、及びチャネルネットワーク内で固定され、且つ、複数の端部を有する誘電性コアネットワークを含む。誘電性導波路ネットワークからの各端部が、回路ボード接地平面の少なくとも１つの少なくとも一部に重なり、その遷移領域内に延びる。

特定の実装形態では、誘電性導波路ネットワークはさらに、クラッディングを有する複数の誘電性導波路を含み得、コアは第１の誘電率を有し得、クラッディングは第２の誘電率を有し得、第１の誘電率は第２の誘電率より大きくし得る。回路ボードはさらに複数のバイアを含み得、各バイアは、回路ボードの第１の側と回路ボード接地平面の少なくとも１つとの間を延び、少なくとも１つのはんだボールが、少なくとも１つのバイア及び少なくとも１つのパッケージ基板接地平面に固定される。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面と第２の接地平面とを有する回路ボード、回路ボードの第１の側に形成され、第１の端部及び第２の端部を有するチャネルであって、チャネルの第１の端部が第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、チャネルの第２の端部が第２の接地平面の少なくとも一部に重なるチャネル、及び回路ボードの第１の側に固定される第１のパッケージ基板を含む。第１のパッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第３の接地平面と、第１及び第３の接地平面に実質的に平行な第１のマイクロストリップラインとを含む。第１のマイクロストリップラインは、第３の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第３の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、第１のマイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、第１のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第１のマイクロストリップラインの第２の部分は第１の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、第１のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第１のＩＣ、及び回路ボードの第１の側に固定される第２のパッケージ基板を含む。第２のパッケージ基板は、第２の接地平面に電気的に結合される第４の接地平面と、第２及び第４の接地平面に実質的に平行な第２のマイクロストリップラインとを含む。第２のマイクロストリップラインは、第４の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第４の接地平面から第３の距離分離される第１の部分であって、第２のマイクロストリップラインの第１の部分が、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第４の距離分離される第２の部分とを有する。第４の距離は第３の距離より長く、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は第２の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、第２のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第２のＩＣ、及び第１及び第２の端部を備えた誘電性コアを含む。誘電性コアはチャネル内で固定され、誘電性コアの第１の端部が第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、誘電性コアの第２の端部が第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、誘電性コアの第１の端部が第１の遷移領域内に延び、誘電性コアの第２の端部が第２の遷移領域内に延び、誘電性コアが回路ボードの誘電率より大きな誘電率を有する。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面と第１のマイクロストリップラインとを有する回路ボードであって、第１のマイクロストリップラインが第１の接地平面に概して平行な回路ボード、回路ボードの第１の側に形成されるチャネルであって、第１の接地平面がチャネルの少なくとも一部の下にあるチャネル、及び回路ボードの第１の側に固定されるパッケージ基板を含む。パッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第２の設置面と、第１及び第２の接地平面に実質的に平行な第２のマイクロストリップラインとを含む。第２のマイクロストリップラインは、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、第２のマイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、マイクロストリップラインの第２の部分は遷移領域内に位置する。第２のマイクロストリップラインの第２の部分は第１のマイクロストリップラインに電気的に結合される。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、第２のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される集積回路（ＩＣ）、チャネル内で固定され、且つ、遷移領域内に位置し、且つ、第１のマイクロストリップラインに電気的に結合される金属導波路、及び第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、金属導波路内に延び、且つ、チャネル内で固定される誘電性コアを含む。

特定の実装形態では、パッケージ基板は第１及び第２の側を有し得、第２のマイクロストリップラインはパッケージ基板の第１の側に形成され得、ＩＣはパッケージ基板の第１の側に固定され得、第１の接地平面はパッケージ基板の第２の側に形成され得、パッケージ基板はさらに、第２のマイクロストリップラインの第２の部分からパッケージ基板の第２の側まで延びるバイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが、バイア及び第１のマイクロストリップラインに固定され得る。バイアはさらに第１のバイアを含み得、回路ボードはさらに、第１の接地平面から回路ボードの第１の側まで延びる第２のバイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが、第２の接地平面及び第２のバイアに固定され得る。金属導波路はさらに、第１のマイクロストリップラインと同一平面上にあり、第１のマイクロストリップラインに電気的に結合される第１のプレート、第１のプレートと同一平面上にあり、第１のプレートに電気的に結合される第２のプレート、及び第２のプレートと第１の接地平面との間を延びる複数の導波路バイアを含み得る。

別の態様において或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と複数の回路ボード接地平面と複数の回路ボードマイクロストリップラインとを有する回路ボード、回路ボードの第１の側に形成されるチャネルネットワークであって、各回路ボード接地平面がチャネルネットワークの少なくとも一部の下にあるチャネルネットワーク、及び複数のパッケージ基板であって、各パッケージ基板が回路ボードの第１の側に固定され、各パッケージ基板が回路ボード接地平面の少なくとも１つとコロケートされるパッケージ基板を含む。各パッケージ基板は、その回路ボード接地平面に電気的に結合されるパッケージ基板接地平面と、そのパッケージ基板接地平面及びその回路ボード接地平面に実質的に平行なパッケージ基板マイクロストリップラインとを含む。パッケージ基板マイクロストリップラインは、そのパッケージ基板接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、そのパッケージ基板接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、パッケージ基板マイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、その回路ボード接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、その回路ボード接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、パッケージ基板マイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、パッケージ基板マイクロストリップラインの第２の部分は遷移領域内に位置する。この装置はさらに、複数のＩＣであって、各ＩＣがパッケージ基板の少なくとも１つに固定され、そのマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される、複数のＩＣ、複数の金属導波路であって、各金属導波路がチャネルネットワーク内で固定され、且つ、パッケージ基板の少なくとも１つについて遷移領域内に位置し、且つ、回路ボードマイクロストリップラインの少なくとも１つに電気的に結合される金属導波路、及びチャネルネットワーク内で固定され、且つ、複数の端部を有する誘電性コアネットワークを含む。誘電性導波路ネットワークからの各端部は、回路ボード接地平面の少なくとも１つの少なくとも一部に重なり、その金属導波路内に延びる。

特定の実装形態では、誘電性導波路ネットワークはさらに、クラッディングを有する複数の誘電性導波路を含み得、コアは第１の誘電率を有し得、クラッディングは第２の誘電率を有し得、第１の誘電率は第２の誘電率より大きくし得る。各パッケージ基板は第１及び第２の側を有し得、マイクロストリップラインはパッケージ基板の第１の側に形成され得、ＩＣはパッケージ基板の第１の側に固定され得、パッケージ基板接地平面はパッケージ基板の第２の側に形成され得、各パッケージ基板はさらに、そのパッケージ基板マイクロストリップラインの第２の部分からパッケージ基板の第２の部分まで延びるパッケージ基板バイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが、パッケージ基板バイア及びその回路ボードマイクロストリップラインに固定され得る。

別の態様に従って或る装置が提供される。この装置は、第１の側と第２の側と第１の接地平面と第２の接地平面と第１のマイクロストリップラインと第２のマイクロストリップラインとを有する回路ボードであって、第１及び第２のマイクロストリップラインが回路ボードの第１の側に形成され、第１のマイクロストリップラインが第１の接地平面と同一平面上にあり第１の接地平面に概して平行であり、第２のマイクロストリップラインが第２の接地平面と同一平面上にあり第２の接地平面に概して平行である回路ボード、回路ボードの第１の側に形成され、第１の端部及び第２の端部を有するチャネルであって、チャネルの第１の端部が第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、チャネルの第２の端部が第２の接地平面の少なくとも一部に重なるチャネル、及び回路ボードの第１の側に固定される第１のパッケージ基板を含む。第１のパッケージ基板は、第１の接地平面に電気的に結合される第３の接地平面と、第１及び第３の接地平面に実質的に平行な第３のマイクロストリップラインとを含む。第３のマイクロストリップラインは、第３の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第３の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、第３のマイクロストリップラインの第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分とを有する。第２の距離は第１の距離より長く、第３のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第３のマイクロストリップラインの第２の部分は第１の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、第３のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第１のＩＣ、及び回路ボードの第１の側に固定される第２のパッケージ基板を含む。第２のパッケージ基板は、第２の接地平面に電気的に結合される第４の接地平面と、第２及び第４の接地平面に実質的に平行な第４のマイクロストリップラインとを含む。第４のマイクロストリップラインは、第４の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第４の接地平面から第３の距離分離される第１の部分であって、第４のマイクロストリップラインの第１の部分が、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる第１の部分と、第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、第２の接地平面から第４の距離分離される第２の部分とを有する。第４の距離は第３の距離より長く、第４のマイクロストリップラインの第２の部分は、前記波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされ、第２のマイクロストリップラインの第２の部分は第２の遷移領域内に位置する。この装置はさらに、パッケージ基板に固定され、且つ、第４のマイクロストリップラインの第１の部分に電気的に結合される第２のＩＣ、チャネル内で固定され、且つ、第１の遷移領域内に位置し、且つ、第１のマイクロストリップラインに電気的に結合される第１の金属導波路、チャネル内で固定され、且つ、第２の遷移領域内に位置し、且つ、第２のマイクロストリップラインに電気的に結合される第２の金属導波路、及び第１及び第２の端部を備えた誘電性コアを含む。誘電性コアはチャネル内で固定され、誘電性コアの第１の端部が第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、誘電性コアの第２の端部が第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、誘電性コアの第１の端部が第１の金属導波路内に延び、誘電性コアの第２の端部が第２の金属導波路内に延び、誘電性コアが、回路ボードの誘電率より大きな誘電率を有する。

特定の実装形態では、パッケージ基板は第１及び第２の側を有し得、マイクロストリップラインはパッケージ基板の第１の側に形成され得、ＩＣはパッケージ基板の第１の側に固定され得、第１の接地平面はパッケージ基板の第２の側に形成され得る。第１のパッケージ基板はさらに、第３の基板マイクロストリップラインの第２の部分から第１のパッケージ基板の第２の側まで延びる第１のバイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが、第１のバイア及び第１のマイクロストリップラインに固定され得る。第２のパッケージ基板はさらに、第４の基板マイクロストリップラインの第２の部分から第２のパッケージ基板の第２の側まで延びる第２のバイアを含み得、１つ又は複数のはんだボールが、第２のバイア及び第２のマイクロストリップラインに固定され得る。第１及び第２の金属導波路の各々はさらに、そのマイクロストリップラインと同一平面上にあり、そのマイクロストリップラインに電気的に結合される第１のプレートと、第１のプレートと同一平面上にあり、第１のプレートに電気的に結合される第２のプレートと、第２のプレートとその回路ボード接地平面との間を延びる複数の導波路バイアとを含み得る。

従来の相互接続システムの一例の図である。

図１の相互接続システムの切断線Ｉ−Ｉに沿った断面図である。

本発明に従った相互接続システムの一例の図である。

図３の相互接続システムの切断線ＩＩ−ＩＩに沿った例示断面図である。

図３及び図４のマイクロストリップラインの例示配置を示す等角図である。 図３の相互接続システムの切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った例示断面図である。

本発明に従った相互接続システムの一例の図である。

図７の相互接続システムの切断線ＩＶ−ＩＶに沿った例示断面図である。

本発明に従った相互接続システムの一例の図である。

図９の相互接続システムの切断線ＶＩ−ＶＩに沿った例示断面図である。

図７及び図９の相互接続システムの、それぞれ、切断線Ｖ−Ｖ及びＶＩＩ−ＶＩＩに沿った例示断面図である。

図１０及び図１１の金属導波路の等角図である。

図３〜図６に移ると、本発明に従った相互接続システム２００−Ａの例を見ることができる。この例示のシステム２００−Ａでは、回路アセンブリ２０６−Ａ１と２０６−Ａ２が、ＰＣＢ２０２−Ａに固定される（すなわち、接着される）誘電性導波路２０４−Ａを介して互いに通信し得る。回路アセンブリ２０６−Ａ１及び２０６−Ａ２は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）又ははんだボール（これらは、破線で示されている）を介してパッケージ基板３０４−Ａ（これは、例えばＰＣＢとし得る）に固定されるＩＣ３０２−Ａで形成され得る。次いで、パッケージ基板３０４−Ａは、ＢＧＡ又ははんだボール（すなわち、はんだボール３０１−Ａ）を用いてＰＣＢ２０２−Ａに固定され得、それによって、ＩＣ３０２−Ａが少なくとも１つのはんだボールに電気的に結合され得る。回路アセンブリ２０６−１及び２０６−２のための付加的な機械的支持を提供するように、パッケージ基板３０４−ＡとＰＣＢ２０２−Ａの間にアンダーフィル層３０３−Ａを含めることもできる。パッケージ基板３０４−ＡとＰＣＢ２０２−Ａは、例えば約０．２５ｍｍ分離され得る。誘電性導波路システムの他の例が、２０１０年９月２１日出願の同時係属中の米国特許出願、出願番号１２／８８７，２７０、発明の名称「高速デジタル相互接続及び方法」、及び２０１０年９月２１日出願の同時係属中の米国特許出願、出願番号１２／８８７，３２３、発明の名称「サブミリ波通信リンクのためのチップ−誘電性導波路インターフェース」に見られ、これらは参照により本明細書に組み込まれる。
米国特許出願番号１２／８８７，２７０ 米国特許出願番号１２／８８７，３２３

チップ間リンクを提供するために、パッケージ基板３０４−Ａ及びＰＣＢ２０２−Ａはアンテナシステムを含む。この例（これは、回路アセンブリ２０６−Ａ１を示す）のアンテナシステムは、概して、マイクロストリップライン（これは、パッケージ基板３０４−Ａと統合される導電層である）、接地平面３０６−Ａ（これは、パッケージ基板３０４−Ａと統合される導電層である）、及び接地平面３０８−Ａ（これは、パッケージ基板３０８−Ａと統合される導電層である）を含む。接地平面３０８−Ａは、図に示すように及び例として、はんだボール３０１−Ａを介して接地平面３０６−Ａに結合される（これにより、接地平面３０６−Ａと３０８−Ａが電気的に互いに結合され得る）。この例に示すように、誘電性導波路２０４−Ａは、回路アセンブリ２０６−Ａ１及び２０６−Ａ２と同じ側又は面に固定され、遷移領域３１４−Ａ内に延びる。遷移領域３１４−Ａでは、コア３１０−Ａの一部が接地平面３０８−Ａとマイクロストリップライン２０８−Ａ１の一部との間に位置する。典型的に、マイクロストリップライン２０８−Ａ１（これは、パッケージ基板３０４−Ａを介してＩＣ３０２−Ａに電気的に結合される）は、サブミリ波（すなわち、約０．５ｍｍ〜約１ｍｍの間又は約１ｍｍ未満の波長）或いはテラヘルツ放射（すなわち、約１００ＧＨｚ〜約１ＴＨｚ）を送信するような寸法とされる。この例では、マイクロストリップライン２０８−Ａ１は、ＲＦ又はワイヤレス信号が誘電性導波路２０４−Ａへ伝送され得るように遷移領域３１４−Ａにおける境界により２つの部分を有する。マイクロストリップライン２０８−Ａ１の一部（これは、ＩＣ３０２−Ａから遷移領域３１４−Ａまで延びるように示されている）は接地平面３０６−Ａ１に概して平行であり、そのため、電場がパッケージ基板３０４−Ａにおけるマイクロストリップライン２０８−Ａ１と接地平面３０６−Ａ１の間を延在し得る。マイクロストリップライン２０８−Ａ１と接地平面３０６−Ａ１に比較的短い距離（すなわち、約０．２ｍｍ）があるので、マイクロストリップライン２０８−Ａ１のこの部分は、所望のインピーダンス（すなわち、約５０Ω）が得られるように狭くし得る。遷移領域では、マイクロストリップライン２０８−Ａ１とその接地平面（これは接地平面３０８−Ａである）の間の分離がステップ状に増大している（すなわち、約０．２５ｍｍ）。この増大のため、マイクロストリップライン２０８−Ａ１のこの部分が広くなり、そのため整合インピーダンス（すなわち、約５０Ω）が得られる。これにより、ＲＦ信号が回路アセンブリ２０６−Ａ１と２０６−Ａ２の間で直接伝播され得る。遷移領域３１４−Ａにおける境界は急激であるが、ほとんどの問題（すなわち、反射）は、ＩＣ３０２−Ａ内の信号処理（すなわち、事前歪み）を用いることによって補償又はフィルタされ得る。

マイクロストリップライン２０８−Ａ１は他の形状もとり得る。図５に、マイクロストリップライン２０８−Ａ１の例示の構成を見ることができる。この構成では、マイクロストリップライン２０８−Ａ１は２つの部分２０９及び２１１を有する。図に示すように、部分２０９はＩＣ３０２−Ａに電気的に結合されるフィードラインとして機能し得、部分２１１は部分２０９の幅より広い。この広がりは、テーパによって実現され得るが、図に示すように、部分２０９に電気的に結合される部分２１１の端部は丸くされる。

効率をさらに改善するために、誘電性導波路２０４−Ａ及びＰＣＢ２０２−Ａは適切に構成され得る。典型的に及びこの例に示すように、コア３１０−Ａ（これは、例えば、ポリアミド、ポリエステル、或いは、Rogers CorporationのＲＯ３００６（商標）又はＲＯ３０１０（商標）で形成され得、例えば、約０．５ｍｍの高さとし得る）は、ＰＣＢ２０２−Ａ（これは、例えば、Rogers CorporationのＲＯ３００３（商標）で形成され得る）に固定され得、残りのコア３１０−Ａはクラッディング３１２−Ａで実質的に囲まれる。クラッディング３１２−Ａ及びＰＣＢ２０２−Ａはいずれも誘電率がコア３１０−Ａより小さく、クラッディング３１２−Ａの誘電率はＰＣＢ２０２−Ａと同じか又は類似とし得る。これにより、電場がコア３１０−Ａ内に閉じ込められ得る。また、誘電性導波路２０４−Ａは、アンテナシステムから発せられる放射の波長（すなわち、サブミリ波波長）に適応するような寸法とされ得る。

或いは、図７〜図１２に示すように、誘電性導波路３１２−Ｂ、ＣがＰＣＢ２０２−Ｂ、Ｃと統合され得る。これらの例では、チャネルがＰＣＢ２０２−Ｂ、Ｃにおいて配路され得、誘電性導波路２０４−Ｂ、Ｃは、このチャネルにおいてＰＣＢ２０２−Ｂ、Ｃに固定され得る。図に示すように及びコア３１０−Ａと同様に、コア３１０−Ｂ、Ｃは遷移領域３１４−Ｂ、Ｃ内に延びる。ＰＣＢ２０２−Ｂ、Ｃは、図１１の例で示すように、クラッディング３１２−Ｂ、Ｃとしても用いることができるが、或いは、クラッディング材料をチャネルに含めてもよい。また、クラッディング３１２−Ｂ、ＣのＰＣＢ２０２−Ｂ、Ｃの上を延びる部分（これは破線で示されている）は省かれ得る。チャネルに固定されるコア３１０−Ｂ、Ｃの端部は（例えば、図８に示すように）テーパ状としてもよいし、（例えば、図１０に示すように）「矩形」としてもよい。テーパ状とする場合、段は例えば深さ方向に約５ミルずつ増分し得る。

図７及び図８で、アンテナシステム及び遷移領域３１４−Ｂの１つの例示の構成（システム２００−Ｂ）を見ることができる。回路アセンブリ２０６−Ｂ１（例えば）用のアンテナシステムは、概して、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１（これは、パッケージ基板３０４−Ｂ内に位置し、ＩＣ３０２−Ｂに電気的に結合される）及び接地平面３０６−Ｂ（これは、パッケージ基板３０４−Ｂ内に位置し、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１の一部に概して平行でありマイクロストリップライン２０８−Ｂ１の一部から分離される）で構成される。例えば、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１の一部（これは、ＩＣ３０２−Ｂから遷移領域３１４−Ｂとの境界まで延びるように示されている）と接地平面３０６−Ｂは、約０．２ｍｍ分離され得る。接地平面３０８−Ｂ（これは、図示するように及び例として、ＰＣＢ２０２−Ｂ内に位置する）は、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１の遷移領域３１４−Ｂ内の部分に平行でありマイクロストリップライン２０８−Ｂ１の遷移領域３１４−Ｂ内の部分から分離される。マイクロストリップライン２０８−Ｂ１との間の距離も、例えば、接地平面３０６−Ｂから約１ｍｍの距離分離され得る。この構成を有することによって、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１の幅、及びマイクロストリップライン２０８−Ｂ１と接地平面３０８−Ｂとの間の距離は、所望のインピーダンス（例えば、約５０Ω）を提供するような寸法とし得る。典型的に、この例では、マイクロストリップライン２０８−Ｂ１のこれらの部分は、概して、遷移領域内の部分がより広い矩形である。例えば、これらの幅は、約５０Ωの所望のインピーダンスを実現する幅を含み得る。この例に示すように、接地平面３０８−Ｂが接地平面３０６−Ｂに（すなわち、はんだボール３０１−Ｂを介して）電気的に結合され得るように、接地平面３０８−Ｂの一つの側から延びるバイア３１６もある。

図９及び図１０では、アンテナシステム及び遷移領域３１４−Ｃのための別の例示の構成（システム２００−Ｃ）を見ることができる。回路アセンブリ２０６−Ｃ１（例えば）用のアンテナシステムは、概して、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１（これは、パッケージ基板３０４−Ｃ内に位置し、ＩＣ３０２−Ｂに電気的に結合される）、マイクロストリップライン３２０−１（これはＰＣＢ２０２−Ｃ内に位置する）、接地平面３０６−Ｃ（これは、パッケージ基板３０４−Ｃ内に位置し、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の一部に概して平行である）、及びバイア３１８（これは、パッケージ基板３０４−Ｃの一つの側とマイクロストリップライン２０８−Ｃ１との間を延び、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１をはんだボール３０１−Ｃ”を介してマイクロストリップライン３２０−１に電気的に結合させる）で構成される。例えば、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の一部（これは、ＩＣ３０２−Ｃから遷移領域３１４−Ｃとの境界まで延びるように示されている）及び接地平面３０６−Ｃは、約０．２ｍｍ分離され得る。接地平面３０８−Ｂ（これは、図示するように及び例として、ＰＣＢ２０２−Ｂ内に位置する）は、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の遷移領域３１４−Ｃ内の部分に平行でありマイクロストリップライン２０８−Ｃ１の遷移領域３１４−Ｃ内の部分から分離される。マイクロストリップライン２０８−Ｂ１との距離も、例えば、接地平面３０８−Ｂから約１ｍｍの距離分離され得る。この構成を有することによって、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の幅、及びマイクロストリップライン２０８−Ｂ１と接地平面３０６−Ｃとの間の距離は、所望のインピーダンス（すなわち、約５０Ω）を提供するような寸法とし得る。典型的に、この例では、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の一部（これは、ＩＣ３０２−Ｃから遷移領域３１４−Ｃまで延びるように示されている）は、所望のインピーダンス（すなわち、約５０Ω）を提供するような寸法とされる幅（すなわち、約２５μｍ）を有し、別の部分（これは、遷移領域３１４−Ｃの境界からパッケージ基板３０４−Ｃの縁まで延びるように示されている）は、マイクロストリップライン３２０−１（これはまた、この放射を搬送するような寸法とされる）と接地平面３０８−Ｂとの間の領域への遷移が得られるような寸法とされる。典型的に、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の、ＩＣ３０２−Ｃから遷移領域３１４−Ｃまで延びるように示されている部分は、マイクロストリップライン２０８−Ｃ１の、遷移領域３１４−Ｃの境界からパッケージ基板３０４−Ｃの縁まで延びるように示されている部分より概して広い。この例に示すように、接地平面３０８−Ｃが接地平面３０６−Ｃに（すなわち、はんだボール３０１−Ｃ’を介して）電気的に結合され得るように、接地平面３０８−Ｂの一つの側から延びるバイア３１６もある。

遷移領域３１４−Ｃの一部として、誘電性導波路２０４−Ｃのコア３１０−Ｃが延びる金属導波路３２２もあり、金属導波路３２２の例が図１２に示されている。（システム２００−Ｂのいずれかについて）誘電性導波路２０４−Ｃとの所望の結合を得るために、金属導波路３２２は、プレート４０２及び４０４、接地平面３０８−Ｃ、及びバイア４０８で形成され得る。この例に示すように、プレート４０４（これは、例えば、銅で形成され得、マイクロストリップライン３２０−１に電気的に結合される）は、狭い部分及びテーパ状の部分を含み、プレート４０６（これは、例えば、銅で形成され得る）に概して平行である。プレート４０４の狭い部分の幅は、所望のインピーダンスが実現されるように（すなわち、システム２００−Ｃのアンテナシステムからのインピーダンスと整合するように）選択される。また、プレート４０２は、プレート４０４と概して同一平面上にあり得、プレート４０４に電気的に結合され得る。さらに、バイア４０８は、この例では、プレート４０２及び４０４と接地平面３０８−Ｃが互いに電気的に結合されるように、プレート４０２と接地平面３０８−Ｃの間を延びるように示されている。また、バイア４０８は、誘電性導波路２０４−Ｃが金属導波路３２２内に延在し得るように離間されている。また、誘電性導波路２０４−Ｃの端部の形状は、遷移領域３１４−Ｃの特性に影響を及ぼすことがあり、この例では、誘電性導波路（これは金属導波路３２２内に延びる）の端部はテーパ状である。ただし、他の形状も可能である。

本発明の特許請求の範囲内で、多くの改変を行うことができ、多くの他の実施形態が可能であることが当業者には理解されよう。

Claims (20)

1. 装置であって、
   第１の側と、第２の側と、第１の接地平面とを有する回路ボード、
   前記回路ボードの前記第１の側に形成されるチャネルであって、前記第１の接地平面が前記チャネルの少なくとも一部の下にある、前記チャネル、及び
   前記回路ボードの前記第１の側に固定されるパッケージ基板であって、
   前記パッケージ基板が、
   前記第１の接地平面に電気的に結合される第２の接地平面と、
   前記第１及び第２の接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインと、
   を含み、
   前記マイクロストリップラインが、
   前記第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第２の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、前記マイクロストリップラインの前記第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる、前記第１の部分と、
   前記第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分であって、前記第２の距離が前記第１の距離より長く、前記マイクロストリップラインの前記第２の部分が、前記波長を有する前記放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされ、前記マイクロストリップラインの前記第２の部分が遷移領域内に位置する、前記第２の部分と、
   を有する、前記パッケージ基板、
   前記パッケージ基板に固定され、且つ、前記マイクロストリップラインの前記第１の部分に電気的に結合される集積回路（ＩＣ）、及び
   前記第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、前記遷移領域内に延び、且つ、前記チャネル内で固定される誘電性コア、
   を含む、装置。
2. 請求項１に記載の装置であって、前記波長が約１ｍｍ以下である、装置。
3. 請求項２に記載の装置であって、前記装置がクラッディングをさらに含み、前記誘電性コアが第１の誘電率を有し、前記クラッディングが第２の誘電率を有し、前記第１の誘電率が前記第２の誘電率より大きい、装置。
4. 請求項２に記載の装置であって、前記パッケージ基板が第１及び第２の側を有し、前記マイクロストリップラインが前記パッケージ基板の前記第１の側に形成され、前記ＩＣが前記パッケージ基板の前記第１の側に固定され、前記第１の接地平面が前記パッケージ基板の前記第２の側に形成される、装置。
5. 請求項４に記載の装置あって、前記回路ボードがさらに、前記第１の接地平面から前記回路ボードの前記第１の側まで延びるバイアを含み、少なくとも１つのはんだボールが前記第２の接地平面及び前記バイアに固定される、装置。
6. 請求項５に記載の装置であって、前記インピーダンスが約５０Ωである、装置。
7. 請求項６に記載の装置であって、前記マイクロストリップラインの前記第１の部分が概して矩形である、装置。
8. 装置であって、
   第１の側と、第２の側と、複数の回路ボード接地平面とを有する回路ボード、
   前記回路ボードの前記第１の側に形成されるチャネルネットワークであって、各回路ボード接地平面が前記チャネルネットワークの少なくとも一部の下にある、前記チャネルネットワーク、
   複数のパッケージ基板であって、各パッケージ基板が前記回路ボードの前記第１の側に固定され、各パッケージ基板が前記回路ボード接地平面の少なくとも１つとコロケートされる（collocated）、前記パッケージ基板であって、
   各パッケージ基板が、
   その回路ボード接地平面に電気的に結合されるパッケージ基板接地平面と、
   そのパッケージ基板接地平面及びその回路ボード接地平面に実質的に平行なマイクロストリップラインと、
   を含み、
   前記前記マイクロストリップラインが、
   そのパッケージ基板接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、そのパッケージ基板接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、前記マイクロストリップラインの前記第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる、前記第１の部分と、
   その回路ボード接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、その回路ボード接地平面から第２の距離分離される第２の部分であって、前記第２の距離が前記第１の距離より長く、前記マイクロストリップラインの前記第２の部分が、前記波長を有する前記放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされ、前記マイクロストリップラインの前記第２の部分が遷移領域内に位置する、前記第２の部分と、
   を有する、前記パッケージ基板、
   複数のＩＣであって、各ＩＣが前記パッケージ基板の少なくとも１つに固定され、そのマイクロストリップラインの前記第１の部分に電気的に結合される、前記複数のＩＣ、及び
   前記チャネルネットワーク内で固定され、且つ、複数の端部を有する誘電性コアネットワークであって、誘電性導波路ネットワークからの各端部が、前記回路ボード接地平面の少なくとも１つの少なくとも一部に重なり、その遷移領域内に延びる、前記誘電性コアネットワーク、
   を含む、装置。
9. 請求項８に記載の装置であって、前記波長が約１ｍｍ以下である、装置。
10. 請求項９に記載の装置であって、前記誘電性導波路ネットワークがさらに、クラッディングを有する複数の誘電性導波路を含み、前記コアが第１の誘電率を有し、前記クラッディングが第２の誘電率を有し、前記第１の誘電率が前記第２の誘電率より大きい、装置。
11. 請求項９に記載の装置であって、各パッケージ基板が第１及び第２の側を有し、前記マイクロストリップラインが前記パッケージ基板の前記第１の側に形成され、前記ＩＣが前記パッケージ基板の前記第１の側に固定され、前記パッケージ基板接地平面が前記パッケージ基板の前記第２の側に形成される、装置。
12. 請求項１１に記載の装置であって、前記回路ボードがさらに複数のバイアを含み、各バイアが、前記回路ボードの前記第１の側と前記回路ボード接地平面の少なくとも１つとの間を延び、少なくとも１つのはんだボールが、少なくとも１つのバイア及び少なくとも１つのパッケージ基板接地平面に固定される、装置。
13. 請求項１２に記載の装置であって、前記インピーダンスが約５０Ωである、装置。
14. 請求項１３に記載の装置であって、前記マイクロストリップラインの前記第１の部分が概して矩形である、装置。
15. 装置であって、
    第１の側と、第２の側と、第１の接地平面と、第２の接地平面とを有する回路ボード、
    前記回路ボードの前記第１の側に形成され、第１の端部及び第２の端部を有するチャネルであって、前記チャネルの前記第１の端部が前記第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、前記チャネルの前記第２の端部が前記第２の接地平面の少なくとも一部に重なる、前記チャネル、及び
    前記回路ボードの前記第１の側に固定される第１のパッケージ基板であって、
    前記第１のパッケージ基板が、
    前記第１の接地平面に電気的に結合される第３の接地平面と、
    前記第１及び第３の接地平面に実質的に平行な第１のマイクロストリップラインと、
    を含み、
    前記第１のマイクロストリップラインが、
    前記第３の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第３の接地平面から第１の距離分離される第１の部分であって、前記第１のマイクロストリップラインの前記第１の部分が、或る波長を有する放射を伝播させるインピーダンスを有するような寸法とされる、前記第１の部分と、
    前記第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第１の接地平面から第２の距離分離される第２の部分であって、前記第２の距離が前記第１の距離より長く、前記第１のマイクロストリップラインの前記第２の部分が、前記波長を有する前記放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされ、前記第１のマイクロストリップラインの前記第２の部分が第１の遷移領域内に位置する、前記第２の部分と、
    を有する、前記第１のパッケージ基板、
    前記第１のパッケージ基板に固定され、且つ、前記第１のマイクロストリップラインの前記第１の部分に電気的に結合される第１のＩＣ、
    前記回路ボードの前記第１の側に固定される第２のパッケージ基板であって、
    前記第２のパッケージ基板が、
    前記第２の接地平面に電気的に結合される第４の接地平面と、
    前記第２及び第４の接地平面に実質的に平行な第２のマイクロストリップラインと、
    を含み、
    前記第２のマイクロストリップラインが、
    前記第４の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第４の接地平面から第３の距離分離される第１の部分であって、前記第２のマイクロストリップラインの前記第１の部分が、前記波長を有する前記放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされる、前記第１の部分と、
    前記第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、且つ、前記第２の接地平面から第４の距離分離される第２の部分であって、前記第４の距離が前記第３の距離より長く、前記第２のマイクロストリップラインの前記第２の部分が、前記波長を有する前記放射を伝播させる前記インピーダンスを有するような寸法とされ、前記第２のマイクロストリップラインの前記第２の部分が第２の遷移領域内に位置する、前記第２のパッケージ基板、
    前記第２のパッケージ基板に固定され、前記第２のマイクロストリップラインの前記第１の部分に電気的に結合される第２のＩＣ、及び
    第１及び第２の端部を備えた誘電性コアであって、前記誘電性コアが前記チャネル内で固定され、前記誘電性コアの前記第１の端部が前記第１の接地平面の少なくとも一部に重なり、前記誘電性コアの前記第２の端部が前記第２の接地平面の少なくとも一部に重なり、前記誘電性コアの前記第１の端部が前記第１の遷移領域内に延び、前記誘電性コアの前記第２の端部が前記第２の遷移領域内に延び、前記誘電性コアが前記回路ボードの誘電率より大きな誘電率を有する、前記誘電性コア、
    を含む、装置。
16. 請求項１５に記載の装置であって、前記波長が約１ｍｍ以下である、装置。
17. 請求項１６に記載の装置であって、前記第１及び第２のパッケージ基板の各々が第１及び第２の側を有し、そのマイクロストリップラインが前記パッケージ基板の前記第１の側に形成され、そのＩＣが前記パッケージ基板の前記第１の側に固定され、その第１の接地平面が前記パッケージ基板の前記第２の側に形成される、装置。
18. 請求項１７に記載の装置であって、少なくとも１つのはんだボールが前記第１及び第３の接地平面に固定され、少なくとも１つのはんだボールが前記第２及び第４の接地平面に固定される、装置。
19. 請求項１８に記載の装置であって、前記インピーダンスが約５０Ωである、装置。
20. 請求項１９に記載の装置であって、前記第１及び第２のマイクロストリップラインの各々の前記第１の部分が概して矩形である、装置。

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