JP2015507517A - 短絡電極出力を備えた複数の電極ドライバ集積回路を有する埋込み可能刺激器デバイスのためのアーキテクチャ - Google Patents

短絡電極出力を備えた複数の電極ドライバ集積回路を有する埋込み可能刺激器デバイスのためのアーキテクチャ Download PDF

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Abstract

開示するのは、マスター及びスレーブ電極ドライバ集積回路を有するIPG(埋込み可能パルス発生器)のための新しいアーキテクチャである。集積回路上の電極出力が互いに配線される。各集積回路をプログラムしてパルスに異なる周波数を提供することができる。マスター及びスレーブ集積回路の各々のアクティブタイミングチャネルは、望ましいパルスを供給するようにプログラムされ、一方、マスター及びスレーブ内のシャドータイミングチャネルは、各チップがこれらのパルスを無効にしないようにその回復回路を無効にすることができるように、他方がパルスを供給している時を各チップが知るように他方の集積回路のアクティブタイミングチャネルからのタイミングデータを用いてプログラムされる。定められた電極でのパルス重複の場合には、各チップによって供給される電流は、影響を受ける電極で足し算されることになる。コンプライアンス電圧発生は、パルスが重なっている時の期間中でさえも最適コンプライアンス電圧を見出すようにアルゴリズムによって指示される。【選択図】図5A

Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、2012年1月16日出願の米国特許出願番号第61/586,930号及び2013年1月14日出願の米国特許出願番号第13/741,116号に対する優先権を主張するものであり、これらは、両方とも引用によって本明細書に組み込まれている。
本発明は、一般的に埋込み可能医療デバイスに関し、より具体的には、複数の電極ドライバ集積回路を利用する埋込み可能神経刺激器のための改良されたアーキテクチャに関する。
埋込み可能神経刺激器デバイスは、心不整脈を治療するペースメーカー、心細動を治療する除細動器、難聴を処置する蝸牛刺激器、盲目を処置する網膜刺激器、協働四肢運動を引き起こす筋肉刺激器、慢性疼痛を処置する脊髄刺激器、運動障害及び精神障害を治療する脳皮質及び脳深部刺激器、及び尿失禁、睡眠時無呼吸、肩亜脱臼などを治療する他の神経刺激器のような様々な生物学的疾患を治療するために電気刺激を発生させてこれらを体内神経及び組織へ送出するデバイスである。
図1A及び図1Bに示すように、「埋込み可能パルス発生器(IPG)」100は、例えば、チタンのような導電材料で形成された生体適合性デバイスケース30を含む。ケース30は、典型的には、IPG(埋込み可能パルス発生器)が機能するのに必要な回路及びバッテリ26を保持するが、IPG(埋込み可能パルス発生器)はまた、外部RFエネルギによりバッテリなしに給電することができる。IPG(埋込み可能パルス発生器)100は、1つ又はそれよりも多くの電極アレイ(アレイ102〜105のような4つを示す)を含み、各々は、いくつかの電極106を収容する。電極106は、可撓性本体108上にあり、可撓性本体108も、各電極に結合された個々の電極リード112〜115を収容する。図示の実施形態において、アレイ102〜105の各々の上に4つの電極106あるが、アレイ及び電極の数は、用途固有のものであるので、変化させることができる。導電性ケース30はまた、以下ですぐに説明する単極刺激に有用であるので電極Ecを含むことができる。アレイ102〜105は、リードコネクタ38a−dを使用してIPG(埋込み可能パルス発生器)100に結合し、リードコネクタ38a−dは、例えば、エポキシを含むことができる非導電性ヘッダ材料36内に固定される。
図1Bに示すように、IPG(埋込み可能パルス発生器)100は、典型的には、プリント基板(PCB)16を含む電子基板アセンブリ14をPCB(プリント基板)16に装着された集積回路及びコンデンサのような様々な電子構成要素20と共に含む。外部コントローラへ/からデータを送信/受信するために使用するテレメトリコイル13と、外部充電器を使用してIPG(埋込み可能パルス発生器)のバッテリ26を充電又は再充電するための充電コイル18との2つのコイル(より一般的に、アンテナ)は、一般的にIPG(埋込み可能パルス発生器)100に存在している。テレメトリコイル13は、典型的には、図示のようにIPG(埋込み可能パルス発生器)100のヘッダ36内に装着され、かつフェライトコア13’の回りに巻くことができる。しかし、テレメトリコイル13はまた、米国特許公開第2011/0112610号明細書に開示しているようにケース30の内側に現れる場合がある。どのようにしてIPG(埋込み可能パルス発生器)100が外部コントローラ及び外部充電器と通信するかの説明も、’610公報に見出すことができる。更に、単一コイルは、米国特許公開第2010/0069992号明細書に開示しているように充電及びテレメトリ機能の両方に使用することができると考えられる。
図1Aに示すIPG(埋込み可能パルス発生器)100は、例えば、パーキンソン病の治療において有用である可能性があるように、特に(限定するものではないが)「脳深部刺激(DBS)」に有用である。このような用途において、ケース30は、典型的には、胸部又は頭蓋骨の基部の近くに埋込まれ、アレイのうちの2つ(例えば、102及び103)は、脳の右側内の望ましい位置に位置決めされ、他の2つのアレイ(例えば、104及び105)は、脳の左側内に位置決めされる。両側のこれらの望ましい位置は、視床下核(STN)及び大脳脚橋核(PPN)を含むことができ、結果的にアレイのうちの2つ(例えば、102及び104)は、STN(視床下核)内に位置決めされるが、他の2つ(例えば、103及び105)は、PPN(大脳脚橋核)内に位置決めされるようになる。
DBS(脳深部刺激)刺激は、典型的には単極であり、アレイ上の定められた電極がカソード又は電流シンクとして選択され、ケース電極(Ec)がアノード又は電流源として作用することを意味する。定められたアレイ上のどの電極がカソードとして選択されることになるかは、実験、すなわち、いずれが最良の治療利益をもたらすかを調べるために連続でアレイ上の様々な電極について試みることに依存する可能性がある。1つの非ケース電極がアノードとして作用し、別の非ケース電極がカソードとして作用する2極刺激も、DBS(脳深部刺激)に対して使用することができるが、簡素化のために本発明の開示の残りの部分は、専ら単極刺激に着目することになる。
研究は、異なる脳領域が、異なる周波数の電流パルスで刺激する時に好ましく反応することを示唆している。例えば、STN(視床下核)の刺激は、より高い周波数(例えば、130〜185Hz)で刺激する時により良好な治療結果をもたらすが、PPN(大脳脚橋核)の刺激は、より低い周波数(例えば、25Hz)で刺激する時により良好な治療結果をもたらす。このようなパルスは、一般的に、干渉を防ぐために脳の異なる側で同じ周波数で作動する2つのアレイ上に交互配置することができる。例えば、アレイ102及び104によって供給される130Hzパルスを交互配置することができ、一方、アレイ103及び105によって供給される25Hzパルスも同様に交互配置することができる。
しかし、パルスのこのような交互配置は、パルスが異なる周波数で重なる可能性(又は確率)に対処しない。比較的高い周波数(f1)の電極E1(アレイ102)の単極刺激と、比較的低い周波数(f2)の電極E7(アレイ103)の単極刺激とを示す例えば図2を考えてみる。同様に示されているのは、ケース電極Ecのアノード応答であり、これは、上述したように、電極E1及びE7上に提供されたカソードパルスのための電流源として作用する。図2Aの左側において、パルスが点線ボックス内で重なることに注意されたい。
このパルスの重複は、IPG(埋込み可能パルス発生器)100に問題を呈する可能性があり、これを理解するために、タイミングチャネルの概念を説明する。図2Aのパルス列の各々は、タイミングチャネル176によってIPG(埋込み可能パルス発生器)100のソフトウエアにおいて定められ、タイミングチャネル176は、図2Bにより詳細に示されている。図示のように、4つのタイミングチャネル1761〜1764がある。タイミングチャネル176は、IPG(埋込み可能パルス発生器)100の刺激回路175の一部として示されているが、同じくそのマイクロコントローラ305内のようなIPG(埋込み可能パルス発生器)100の他の位置で論理として存在することができる。各タイミングチャネル176は、周波数(f)、パルス幅(pw)、振幅(a)、影響を受けた電極、電極の各々における極性(電極が、アノード(正の電流源)又はカソード(負の電流源)として作用することになるか否か)のような整合アノード及びカソード治療パルスを構成するのに必要な基本パラメータを用いてプログラムされる。このようなパラメータは、バス297を通してマイクロコントローラ305によってタイミングチャネル176に供給され、これに格納することができ、各タイミングチャネル176のための各パラメータは、それ自体の独特のアドレスを有する。
図示のように、タイミングチャネル1761(アレイ102に対応する)を使用して、特定の周波数(f1)、パルス幅(pw1)、及び振幅(al)でそれぞれ電極E1(例えば)及びEc(ケース電極)でカソード及びアノードパルスを供給する。従って、タイミングチャネル1761は、電極Ec及びE1の間で治療電流パルスを通し、Ecは電流源を含み、E1は対応する電流シンクを含む。タイミングチャネル1762(アレイ103に対応する)を同様に使用して、それぞれ電極E7(例えば)及びEcで、しかし、異なる周波数(f2)、特定のパルス幅(pw2)、及び振幅(a2)を有するカソード及びアノードパルスを供給する。上述のDBS(脳深部刺激)用途のタイプを仮定すると、タイミングチャネル1761及び1762は、脳の一方(例えば、右)の側部上の異なる領域を刺激することになる。
他のタイミングチャネル1763及び1764(それぞれアレイ104及び105に対応する)は、同じ周波数f1及びf2のパルスを脳の他方(例えば、左)の側部にある電極に提供する。しかし、以前に説明したように、これらのタイミングチャネル1763及び1764のパルスは、タイミングチャネル1761及び1762の同じ周波数のパルスと交互配置することができ、その事実を示すようにfx(180°)で表される。本発明の開示の特定の関心事であるが、同じ周波数の交互配置パルスは、重なりを阻止し、従って、このような交互配置パルス(すなわち、タイミングチャネル1763及び1764)は、大部分はその後の説明を簡素化するために無視される。
タイミングチャネル176からの情報は、IPG(埋込み可能パルス発生器)100の「デジタル/アナログコンバータ」82に供給され、これは、プログラマブル電流源83及びプログラマブル電流シンク84’を含む。電流源83及び電流シンク84’は、典型的には、それぞれPチャネル及びNチャネルから作られ、これらは、多くの場合、これらを区別するためにPDAC及びNDACと呼ばれる。PDAC83は、タイミングチャネル176によって識別された振幅、パルス幅、及び周波数の電流のソースであるが、一方、PDAC84は、適合する電流シンクを提供する。スイッチマトリックス85を次に使用して、PDAC82からのアノードパルスとNDAC84からのカソードパルスとをそのパルスを送出するタイミングチャネル176において指定された電極に送ることができる。
図2Aに関して上述したように、異なるタイミングチャネルを使用して異なる周波数の治療パルスを定義する時に、パルスは、時間と共に重なる可能性がある。このような重なりは、PDAC83及びNDAC84が同時に2つの異なる電流のソース及びシンクとして機能しないと考えられるので、従来技術の関心事であった。この問題は、2つの異なる解決法を示唆したが、いずれも最適ではないものである。
最初に、重なりが起こることを阻止し、すなわち、PDAC83及びNDAC84が同時に2つの異なるパルスを生成するようには要求されないことを保証するために、調整論理回路306(図2B)を使用することができると考えられる。(刺激回路175にあるように示されているが、調整論理回路306は、マイクロコントローラ305にもある可能性がある。)このような調整論理回路306は、重なりを識別すると考えられ、かつ一定のタイミングチャネル176を見分けて送出したパルス情報をDAC82に保持し、矛盾を解決すると考えられる。しかし、この方式は、パルスのそれ以外の望ましい周波数に影響を与える。例えばかつ図2Aに示すように、調整論理回路306を作動してタイミングチャネル1762によって供給されたパルスをシフトさせ、タイミングチャネル1761のパルスとの重なりを緩和している。従って、タイミングチャネル1762のパルスの周波数は、もはや理想的なものではなく、どのようにして高い頻度でこのような重なりが起こるかに応じて、調整の全体的影響は、このタイミングチャネルのパルスの周波数をこれらの望ましい値のf2から有意に変化させる可能性がある。残念ながら、タイミングチャネルの周波数の変化は、脳の影響を受けた領域における(すなわち、アレイ103における)治療の有効性を低下させる可能性がある。
第2の解決法は、図2Cに示すように2つの独立IPG(埋込み可能パルス発生器)100を患者に提供することであり、一方のIPG(埋込み可能パルス発生器)(1001)は、脳の望ましい領域(例えば、アレイ102及び104経由のSTN(視床下核))に第1の周波数(f1)で刺激を与え、他方のIPG(埋込み可能パルス発生器)(1002)は、脳の他の領域(例えば、アレイ103及び105経由のPPN(大脳脚橋核))に第2の周波数で刺激を与える。各IPG(埋込み可能パルス発生器)100は、独立してプログラムすることができ、各々は、それ自体PDAC83及びNDAC84を有し、従って、異なる周波数がこのような回路をダブルスケジューリングする心配はない。この手法の明らかな欠点は、全ての望ましい脳領域に完全治療カバレージを提供するために患者に2つのIPG(埋込み可能パルス発生器)100を埋込むという要件である。2つのIPG(埋込み可能パルス発生器)100は、明らかに費用を倍にし、患者の不快感を倍にし、かつ一般的に患者に対する治療を過度に複雑にする。
米国特許公開第2011/0112610号明細書 米国特許公開第2010/0069992号明細書 米国特許出願番号第13/253,552号明細書 米国特許出願第13/237,172号明細書 米国特許出願番号第13/237,531号明細書 米国特許第7,444,181号明細書
従って、より良好な解決法が、上述の問題に対して必要であり、かつ本発明の開示によって提供される。
従来技術の埋込み可能パルス発生器(IPG)及びIPG(埋込み可能パルス発生器)に結合された電極アレイを示す図である。 従来技術の埋込み可能パルス発生器(IPG)を示す図である。 従来技術のIPG(埋込み可能パルス発生器)の回路の態様を示し、かつ異なる周波数の重複パルスに対する問題及び従来技術の解決法を示す図である。 従来技術のIPG(埋込み可能パルス発生器)の回路の態様を示し、かつ異なる周波数の重複パルスに対する問題及び従来技術の解決法を示す図である。 従来技術のIPG(埋込み可能パルス発生器)の回路の態様を示し、かつ異なる周波数の重複パルスに対する問題及び従来技術の解決法を示す図である。 電極出力が互いに短絡される2つの電極ドライバICを有する改良IPG(埋込み可能パルス発生器)の回路及びアーキテクチャを示す図である。 電極出力が互いに短絡される2つの電極ドライバICを有する改良IPG(埋込み可能パルス発生器)の回路及びアーキテクチャを示す図である。 電極出力が互いに短絡される2つの電極ドライバICを有する改良IPG(埋込み可能パルス発生器)の回路及びアーキテクチャを示す図である。 電極出力が互いに短絡される2つの電極ドライバICを有する改良IPG(埋込み可能パルス発生器)の回路及びアーキテクチャを示す図である。 改良IPG(埋込み可能パルス発生器)の2つの電極ドライバICを収容するための任意的なBGAパッケージを示す図である。 改良IPG(埋込み可能パルス発生器)がパルスの重複にもかかわらず異なる周波数のパルスを供給するように作動する方法を示す図である。 改良IPG(埋込み可能パルス発生器)がパルスの重複にもかかわらず異なる周波数のパルスを供給するように作動する方法を示す図である。 改良IPG(埋込み可能パルス発生器)内のDACのためのコンプライアンス電圧を設定するための回路を示す図である。 改良IPG(埋込み可能パルス発生器)内のDACのためのコンプライアンス電圧を設定するためのアルゴリズムを示す図である。
開示されているのは、マスター及びスレーブ電極ドライバ集積回路(IC又はチップ)を有するIPG(埋込み可能パルス発生器)のための新しいアーキテクチャである。一意的に、集積回路上の電極出力が互いに配線される。各集積回路をプログラムして、例えば、DBS(脳深部刺激)で有用であるようにパルスに異なる周波数を提供することができる。マスター及びスレーブ集積回路の各々のアクティブタイミングチャネルをプログラムして望ましいパルスを供給し、一方、マスター及びスレーブのシャドータイミングチャネルは、他方がパルスを供給している時を各チップが認識するように、他方の集積回路においてアクティブタイミングチャネルからのタイミングデータを少なくとも用いてプログラムされる。このようにして、各チップは、これらのパルスを無効にしないようにその回復回路を無効にすることができる。各チップが望ましい周波数でスケジュール変更することなくそのパルスを供給することができるように、調整をオフにする。定められた電極においてパルスが重なる場合には、各チップによって供給される電流は、影響を受ける電極で足し算されることになる。パルスの供給のためのコンプライアンス電圧発生は、アルゴリズムによって指示されており、そのアルゴリズムは、パルスが重なっている時の期間中でさえもパルスを出力するための最適コンプライアンス電圧を見出そうとする。
IPG(埋込み可能パルス発生器)のための改良されたアーキテクチャ290は、最初に図3Aに示されている。アーキテクチャ290は、2つの電極ドライバIC300及び300’を含む。IC300の一方は、マスターとして作用するが、他方の300’は、スレーブとして作用する。IC300及び300’の両方は、集中バス297に接続され、そこでプロトコルにより通信が行われる。バス297に対する信号は、図3Dに示されている。バス297は、時分割アドレス及びデータ信号(A/Dx)、アドレスラッチ有効信号(ALE)、アクティブ−ロー書込可能信号(*W/E)、及びアクティブ−ロー読取可能信号(*R/E)を含む。これらの信号は、アドレスに続いてそのアドレスのための関連のデータがあるアドレス−ビフォー−データ方式を使用してプロトコルが作動することを可能にする。アドレスとデータの間で識別するために、アドレスラッチ有効信号(ALE)は、アドレスの送出だけによってアクティブであり、これは、クロックの立ち下りエッジによってアドレスをラッチすることを可能にする。特定のアドレスに対応するデータを次の立ち下りクロックエッジに書き込むか又は読み取るべきか否かは、書込及び読取可能信号(*W/E、*R/E)のアサーションに依存する。同様にバス297に含まれるのは、マスター300のためのチップ選択を含むCS_mとスレーブ300’のためのチップ選択を含むCS_sの2つのチップのいずれかを選択するための制御信号である。マスター300及びスレーブ300’ICの類似の回路ブロックが同じアドレスを共有し、従って、2つのIC300及び300’の間を区別するのにCS_m及びCS_sを使用することが必要である。
更に、図3Aを参照して、マイクロコントローラ305はまた、バス297に接続され、バス297は、IC300及び300’において様々な回路ブロックが取り扱わないシステム290における機能の制御を提供し、そうでなければ一般的にシステムのマスターコントローラとして作用する。例えば、バス297通信は、最終的にマイクロコントローラ305によって制御され、マイクロコントローラ305は、上述のバス制御信号(例えば、ALE、W/E*、R/E*、CS_m、及びCS_s)を送出する。マイクロコントローラ305はまた、211年10月5日出願の米国特許出願番号第13/253,552号明細書に説明するように、バス297に関する通信、並びにIC300及び300’の各々における内部作動に必要なクロックの送出を制御する。マイクロコントローラ305はまた、例えば、IPG(埋込み可能パルス発生器)が外部コントローラからテレメトリを聴取する時を予定することができる。マイクロコントローラ305は、システム290のメモリ(「フラッシュEPROM」)チップ307に接続され、それは、システムのためのオペレーティングソフトウエアを保持することができ、かつそれは、システムの長いデータ、例えば、解析及び/又は患者へのフィードバックのための外部コントローラに報告すべきデータをログする空き空間として作用することができる。
図示の例では、IC300及び300’の各々は、たとえこれらがシステム290においてマスター又はスレーブのいずれかとして作用するようになっていても同様に製作される。単一電極ドライバICのみの製作は、製造業者が個別にシステム290のために個別のマスター及びスレーブICを製作し、追跡し、かつ試験する必要がないので非常に有利である。いずれかの定められたICがマスター又はスレーブとして作動するか否かは、どのようにしてそのICをシステム290の残りの部分に接続するかに依存し、すなわち、このようなチップは、プログラマブルに結合される。図3Aに示すように、各ICは、入力M/Sを有し、この入力における電圧は、それがマスター300として又はスレーブ300’として作用するか否かにかかわらず、各ICに通知される。これは、マスター300の場合はIPG(埋込み可能パルス発生器)のバッテリ26の電圧Vbat、又はスレーブ300’の場合は接地(GND)のようなIPG(埋込み可能パルス発生器)のPCB(プリント基板)上の特定のノードにM/S入力を接続することによって達成することができる。定められたICが、それがスレーブとして作動していることを理解すると、ICは、後に説明するように、その回路ブロックのある一定のものを非アクティブ化する。
各IC300又は300’は、この例では、16の電極出力E1〜E16を収容し、これらは、従来技術と同様に、最終的にアレイ102〜105上の電極106(図1A)に結合され、1つのケース電極出力Ecは、最終的にIPG(埋込み可能パルス発生器)の導電性ケース30に結合される。このような結合は、コンデンサC1〜C16及びCc(図3C)を減結合することにより行うことができ、これらは、公知のように患者への直流DC電流注入を阻止することによって安全性を改善する。一般的に、このような減結合コンデンサは、刺激性能に影響を与えない。大きい1Mオーム抵抗器Rは、図3Aに示すようにケースCcに対して減結合コンデンサと平行に配置され、IPG(埋込み可能パルス発生器)エレクトロニクスが患者の組織の電位から離れて浮遊しないことを保証するために少量の漏れを可能にすることができる。
マスター及びスレーブIC300及び300’の電極出力の各々は、図4の代替パッケージ構成において後に説明するように、システム290に固有に、例えば、IPG(埋込み可能パルス発生器)のPCB(プリント基板)16(図1B)に又はワイヤボンディングによってチップ外で互いに短絡される。従って、このアーキテクチャ290において、たとえ32の電極出力(ケース30を含む34)がIC300及び300’によって供給されても、これらは、IPG(埋込み可能パルス発生器)上の16の電極(ケース30を含む17)のみのアクティブ化を互いにサポートすることになる。
図3Bは、同一のマスター300又はスレーブ300’ICのいずれかに回路ブロックを示している。各回路ブロックは、上述のプロトコルと関係のあるバスインタフェース回路215を含み、各々は、アドレス(又はアドレスの範囲)に関連し、かつバス297に関する通信を組織化する。
回路ブロックの各々は、IPG(埋込み可能パルス発生器)において標準機能を実施し、かつ上述の’552出願に更に説明されている。テレメトリブロック62は、IPG(埋込み可能パルス発生器)テレメトリコイル13(図1B)に結合し、かつ外部コントローラと通信するための送受信回路を含む。充電/保護ブロック64は、IPG(埋込み可能パルス発生器)充電コイル18(図1B)に結合し、かつ外部充電器から受け入れた電力を整流するための及び制御様式でバッテリ26を充電するための回路を収容する。
「背景技術」において前に導入した刺激回路ブロック175は、電極出力に結合され、かつ特殊な治療のパルスを定めて出力するためのタイミングチャネル及びDAC回路82を含む。どのようにしてこれが行われるかは、図5A及び図5Bを参照して後に説明する。
サンプル及び保持回路ブロック310は、電極電圧、バッテリ電圧、及び関連の他のアナログ信号を含むアナログバス192によって供給された様々なアナログ電圧をサンプリングして保持するための回路を収容し、かつ2011年9月20日出願の米国特許出願第13/237,172号明細書に詳述されている。サンプル及び保持ブロック310が作動して特定の電圧を決定した状態で、その電圧は、解析するのにそれが必要なシステム290のどこにでも通信バス297を通してデジタル化して広めるA/Dブロックに送ることができる。信号IN1、IN2、OUT1、及びOUT2を使用して、2011年9月20日出願の米国特許出願番号第13/237,531号明細書に説明するように、2つのIC300及び300’の間で様々なアナログ信号を送る。それはアナログ及びデジタル信号の両方を処理し、従って、IC300は、混合モードチップを含むことに注意されたい。
V+発生器ブロック320は、刺激回路ブロック175において電流源(DAC82)によって使用されるコンプライアンス電圧V+を発生させる。それは、電流源(すなわち、DAC82)を最適レベルまで給電するのに使用する適切なV+電圧までバッテリ電圧Vbatを電圧ブーストすることによってそうする。V+のためのこの最適レベルは、図6A及び図6Bを参照して後に説明するように、部分的には刺激中電極電圧をモニタすることによって推定することができる。
クロック発生器330は、バス297上の通信プロトコルによって使用する通信クロックを発生させる。マスターIC300は、’552出願で詳細に説明するように、そのクロック入力CLKIN(図3A)でスレーブIC300’にクロックを導出して提供することができるが、より簡単なクロック機構を使用することもできる。例えば、IC300及び300’のクロック入力CLKINに、システムクロックを提供することができる。
マスター/スレーブコントローラ350は、上述の配線M/S入力を受け入れ、その入力を解釈してそれが作動しているか否かに関してIC及びスレーブ又はマスターに情報を与え、かつこれは図3Cに更に示されている。図3Cにおいて、マスター及びスレーブ300及び300’は、プライム記号によって表示したスレーブIC300’において対応する回路ブロックと接続されて示されている。スレーブIC300’において、マスター/スレーブコントローラ350’は、接地入力に割り込み、これらは、マスターIC300におけるこれらの同じ回路ブロックの使用のために無効にされることになる一定の他の回路ブロックに通知される。具体的には、充電/保護ブロック64’、テレメトリブロック62’、A/Dブロック74’、サンプル及び保持ブロック310’、V+発生器320’、及びシリアルインタフェースブロック167は、スレーブIC300’において全て無効にされ、その事実を示すように点線で示されている。これらの回路ブロックの各々を無効にすることは、マスター/スレーブコントローラ350から情報を受け入れると各ブロックにおいて作動する状態機械に従って行うことができ、かつこのような無効にすることは、影響を受けるブロック(図3B)のインタフェース回路215において作動するバスドライバ及びバス受信機を無効にすることによる影響を受ける可能性がある。スレーブIC300’において依然として作動しているのは、電極に結合された刺激回路ブロック175’、及びマスター/スレーブコントローラ350’自体、並びにあまり重要でない他のブロックである。
再度図3Bを参照すると、割り込みコントローラブロック173は、他の回路ブロックから様々な割り込みを受け入れ、これらのブロックは、バス297を通してマイクロコントローラ305に送ることができる。
システム290のマスター及びスレーブIC300及び300’は、各々、個々にパッケージされてIPG(埋込み可能パルス発生器)のPCB(プリント基板)16(図1B)に接続することができ、これらの間の適切な接続(接続電極出力のような)は、PCB(プリント基板)自体の上に作られる。しかし、図4は、1つの「ボールグリッドアレイ(BGA)」パッケージ400のIC300及び300’の両方に対応する別の方法を示している。図示のように、ICの一方(図示のようにマスターIC300)は、ダイ取りつけ材料406によってインターポーザ402に取りつけることができる。インターポーザ402の表面は、基板の底部のボール410にインターポーザ402によって接続する接点404を収容する。最終的に、これらのボール410は、公知のようにIPG(埋込み可能パルス発生器)のPCB(プリント基板)16に表面実装することができる。他方のIC(図示のようなスレーブIC300’)は、次に、その上に垂直に積み重ねられ、分離器408によって底部ICから分離される。分離器408は、底部ICの結合パッド301が露出されたままであるような大きさにされ、上部IC上の結合パッド301’と同様に、インターポーザ402上の接点404にワイヤ結合411することができる。従って、電極出力のような両ICに共通するノードは、接点404においてBGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ400内で短絡させることができる。M/S入力のような固有の接続を必要とするIC上の他の入力又は出力は、短絡しないと考えられ、代わりに適切な結合パッド301又は301’は、個々にインターポーザ402上の適切な接点404にワイヤ結合すると考えられ、又は接続を必要としない場合に全てにおいてワイヤ結合しないと考えられる。ワイヤ結合した状態で、キャップ又は成形射出プラスチックを使用してアセンブリを封入412し、BGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ400の製造を終了することができる。
単一BGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ400n内のマスター及びスレーブIC300及び300’のパッケージは、それがサイズ及び費用を低減し、信頼性を改善し、かつそれが既存の単一ICパッケージ内に適合することができるので有利である。換言すれば、BGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ400は、1つのICだけの使用と比較してIPG(埋込み可能パルス発生器)のPCB(プリント基板)16上の電極ドライバ回路の「占有面積」を増加させず、従って、BGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ400は、単一電極ドライバICのみを使用することができたレガシーIPG(埋込み可能パルス発生器)の「ドロップイン」構成要素として使用することができる。これは、このようなレガシーIPG(埋込み可能パルス発生器)がアーキテクチャ290の改善された機能性から利益を受けることを可能にし、その改善をここで説明する。
図5Aは、マスター及びスレーブIC300及び300’の両方の刺激回路175及び175’を示している。上述したように(図2B)、両ICは、各々、脳の特定の領域に埋込まれた特定のアレイ102〜105(図1A)を制御するための4つのタイミングチャネル176を収容する。上述したように、タイミングチャネル176は、アノード及びカソードパルスを形成し、各ICにおいて、これらのパルスは、DBS(脳深部刺激)に対して望ましいような異なる周波数のものである。具体的には、「背景技術」に説明する同じ例に留まるように、マスターIC300のアクティブタイミングチャネル1761を使用して、周波数f1、パルス幅pw1、及び振幅a1で脳の右側で、例えば、EcとE1の間でアレイ102に治療パルスを供給する。同様に、スレーブIC300’のアクティブタイミングチャネル1762’は、周波数f2、パルス幅pw2、及び振幅a2で脳の右側で、例えば、EcとE7の間でアレイ103に治療パルスを供給する。
このようにしてタイミングチャネルをプログラムすることによって生成されるパルスは、図5Bに示されており、その図の態様を以下の段落に説明する。カソードパルスは、遅延又はスケジュール変更なく望ましい周波数(それぞれf1及びf2)で電極E1及びE7で送出されることに注意されたい。従って、従来技術と区別して、設定された異なる周波数における望ましい治療は、調整することなく単一IPG(埋込み可能パルス発生器)を使用して達成され、これは、DBS(脳深部刺激)治療に特に有用である。両タイミングチャネル1761及び1762’に共通のケース電極Ecは、E1及びE7でのカソードパルスのアノード重ね合わせを反映し、それを以下で更に説明する。
IC300及び300’の各々における他の非アクティブタイミングチャネルをシャドータイミングチャネルと呼び、図5Aでは点線に示してその事実を表示している。これらのシャドータイミングチャネルは、他方のICのアクティブタイミングチャネルのタイミング情報を用いてプログラムされる。従って、マスターIC300のシャドータイミングチャネル1762は、スレーブIC300’のアクティブタイミングチャネル1762’と同じ周波数(f2)及びパルス幅(pw2)を用いてプログラムされる。同様に、スレーブIC300’のシャドータイミングチャネル1761’は、マスターIC300のアクティブタイミングチャネル1761と同じ周波数(f1)及びパルス幅(pw1)を用いてプログラムされる。従って、各ICは、他方のICが予定してパルスを送出する時を認識する。
しかし、各ICが他方のICのパルスの振幅を認識することはこの例では必ずしも必要でなければ、これらのパルスを受け入れることになる電極も必要ないが、このような追加情報は、望ましいか又は有用である場合にタイミングチャネル176の中にプログラムすることができる。従って、シャドータイミングチャネル1762及び1761’の振幅をゼロに(又はドントケア値に)設定すること、及び他方のICで刺激された電極を報告しない(又は、更にドントケア値に設定する)ことが図5Aで認められる。上述したようなタイミングチャネル176及び176’のプログラミングは、バス297を通して行うことができ、単一CS_m及びCS_s(図3D)は、IC300及び300’の各々におけるタイミングチャネルを個別にアドレス指定することを可能にする。
同じく図5Aに示されているのは、脳の他方の側部に(すなわち、左側のアレイ104及び105に)交互配置パルスを供給するためのアクティブタイミングチャネル1763及び1764’と、これらのそれぞれのシャドータイミングチャネル1763’及び1764とである。「背景技術」に説明するようなチャネル1763及び1764と同様に、これらのアクティブシャドータイミングチャネル1763及び1764’によって供給されるパルスは、タイミングチャネル1761及び1762’の同じ周波数のパルスと交互配置され、その事実を示すようにf×(180°)で表されている。本発明の開示の特定の関心事であるが、同じ周波数の交互配置パルスは、重なりを阻止するので、このような交互配置パルス(すなわち、タイミングチャネル1763、1764、1763’、1764’)は、大部分はその後の説明を簡素化するために無視される。実際のDBS(脳深部刺激)用途において有用であるが、タイミングチャネル1763、1764、1763’、1764’は、IPG(埋込み可能パルス発生器)使用アーキテクチャ290の全ての有用な実施形態において必要であるとは限らない。
各ICが、電荷回復を含む実用的な理由から他方のICのパルスタイミングを理解することは重要である。電荷回復は、IPG(埋込み可能パルス発生器)分野で公知であるが、簡単に説明する。IPG(埋込み可能パルス発生器)技術において、刺激されている組織で電荷が増大しないことが望ましく、従って、定められたアノードから注入された電流は、定められたカソードで完全に受け入れることが望ましい。しかし、減結合コンデンサC1〜C16及びCcと刺激されている組織に固有の他のキャパシタンスとの使用が与えられると、完全な電荷回復を達成するのは困難である。
従って、各パルス後、IPG(埋込み可能パルス発生器)は、好ましくは、次のパルスの送出の前に持続時間中に電荷回復を行う。これらの電荷回復期間は、マスターIC300(これはE1を刺激する)のアクティブタイミングチャネル1761に対して「r1」とし、かつスレーブIC300’(これはE7を刺激する)のアクティブタイミングチャネル1762’に対して「r2」として図5Bに示されている。これらの電荷回復期間にわたって、電極の間のキャパシタンスを互いに短絡させてあらゆる残りの電荷を排出し、この残りの電荷は、図5Aに示す電荷回復スイッチ86及び86’によって得られたものである。(これらの回復スイッチ86及び86’は、いずれかの望ましい電極にPDAC83及びNDAC84によって供給された電流を送るために使用するスイッチマトリックス85及び85’と混ぜて示されている。)図示のように、回復スイッチ86及び86’は、電極の各々をバッテリ26電圧Vbatに短絡させ、この電圧は、実質的に電極を互いに短絡させ、従って、これらの間のキャパシタンスを短絡させてあらゆる残りの電荷を回復させる。Vbatに短絡させることは、いずれかの電極がコンプライアンス電圧(V+)を上回り又は接地(GND)よりも小さいことを阻止するのに望ましい。しかし、回復スイッチは、電極をIPG(埋込み可能パルス発生器)におけるあらゆる望ましい電位に短絡させることができる。
ICの各々のシャドータイミングチャネルは、IC300及び300’のうちの1つにおける電荷回復がICの他方におけるパルスの送出に悪影響を与えないことを保証するのを助ける。具体的には、他方のICがパルスを送出している時に、シャドータイミングチャネルは各ICに通知するので、各ICは、その回復スイッチを開くことによって電荷回復を一時停止することができる。このように電荷回復を一時停止することは、図5BのアーチファクトX及びX’で見ることができる。電極E1(マスターIC300によって刺激された)におけるアーチファクトXは、E7(スレーブIC300’によって刺激された)がパルス(タイミングチャネル1762’当たり)を送出している時に起こる。従って、マスターIC300は、X中にその回復スイッチ86を開いて、スレーブIC300’によって電極E7/Ecで送出されたパルスをVbatに短絡させるのを阻止している。同様に、電極E7(スレーブIC300’によって刺激された)におけるアーチファクトX’は、E1(マスターIC300によって刺激された)がパルス(タイミングチャネル1761当たり)を送出している時に起こる。従って、スレーブIC300は、X’中にその回復スイッチ86’を開いて、マスターIC300’によって電極E1/Ecで送出されたパルスをVbatに短絡させるのを阻止している。回復期間が現在一方のICで行われていないが、他方がパルスを送出している場合に、一方のICにおける回復スイッチがいずれにせよ開かれると考えられ、従って、他方のICのパルスを短絡させる危険性は非現実的である。
同じく上述したように、図5Bのケース電極は、E1及びE7におけるカソードパルスのアノード重ね合わせを反映する。従って、マスターIC(1761)及びスレーブIC(1762’)上の2つのアクティブタイミングチャネルにおけるEcからのアノードパルスが重なる場合、これらの電流が足し合わされる(a1+a2)。2つのこのような重なりの事象は、図5Bに示されており、左端は完全な重なりを示し、右端は部分的重なりを示している。これは、それ以外に治療的に必要とされない偶発的パルスをもたらし、例えば、振幅a1+a2のパルスを供給するのにタイミングチャネルが必要とされない。しかし、この偶発的電流の重ね合わせは、治療に悪影響を与えることになるとは考えられない。更に、特殊な治療からのこのようなずれは、単一IPG(埋込み可能パルス発生器)の一定の二重周波数パルスのより重要な利益によって影が薄くなると考えられる。
改良されたアーキテクチャ290における理解するための残りの考慮は、コンプライアンス電圧V+の設定に関するものであり、そのコンプライアンス電圧V+は、図6A及び図6Bを参照して説明されている。コンプライアンス電圧V+は、パルスを送出するDAC回路が使用する電源電圧を含む。上述したように、コンプライアンス電圧は、マスターIC300のV+発生器320によって発生され、2つのICの間の相互接続によりマスターIC300のDAC回路82に及びスレーブIC300’のDAC回路82’に送られる(図3C参照)。バッテリ電圧を高めることによってV+を発生させるが、V+は、最適レベルに設定されるのが望ましく、低すぎる場合に、電極は、望ましい振幅のパルスを送出することができなくなり、高すぎる場合に、バッテリ電力を不要に浪費する。この問題をより詳細に説明する米国特許第7,444,181号明細書を参照されたい。
改良されたシステムにおいて、V+は、アルゴリズム500を使用して設定され、アルゴリズム500は、マイクロコントローラ305の中にプログラムされる。導入の意味で、V+アルゴリズム500の目的は、送出パルスがほとんどの電力を必要とすることになる時のその間に、最悪のケースを処理するのに十分なレベルでV+を設定することである。開示した例において、このような最悪のケースは、図5Bの点線ボックスで起こるような時間と共に重なっている時に起こることになる。重なりのこのような期間にわたって、マスター及びスレーブIC300及び300’のPDAC83及び83’、並びにDAC84及び84’の両方が作動していることになる。V+を設定してこの最悪のケースのシナリを処理する場合に、パルスが2つのICにおいて重なっていない時により少ない電力集約期間で処理するほどV+を十分高くしなければならない(実際には、効率の観点からは高すぎる)。
図6Aは、アルゴリズム500によりV+を評価及び設定するのにIC300及び300’の両方に埋込まれた回路を示している。まだ特に説明していないが、図6Aに示されているのは、サンプルであり、かつ保持回路310及びA/D変換器ブロック74である。このような回路は、上述したようにスレーブIC300において非アクティブである。電極電圧及び一定の基準電位は、サンプル及び保持ブロック310によって受け入れられ、そこで、これらを安定化して差し引くことができる。サンプル及び保持回路310の詳細は、2011年9月20日出願の米国特許出願第13/237,172号明細書に見出すことができる。この出願は、引用によって本明細書に組み込まれ、従って、全詳細は説明しない。
本明細書で重要なこととして、サンプル及び保持ブロック310は、PDAC83及び83’にわたる電圧低下VPとNDAC82及び82’にわたる電圧低下Vnとを測定する。(スイッチマトリックス85及び85’にわたる電圧低下も、これらの測定値に含まれるが、比較的小さい。)V+アルゴリズム500の作動中に、マスター又はスレーブIC300又は300’のいずれかからパルスの送出中に影響を受ける電極において、これらのパラメータVp及びVnを測定する。マスターIC300のシャドータイミングチャネル(図5Aの1762及び1764)は、これらが、スレーブIC300’のパルスのタイミングのマスターIC300のサンプル及び保持回路310に通知するので、この場合も同じくこの点に関して有用であり、そうでなければマスターに知らされないと考えられる。要するに、タイミングチャネル176は、パルスを送出している時に及び従ってVp及びVn測定を行うべき時をサンプル及び保持回路310に通知する。サンプル及び保持回路310は、上述のように組み込まれた’172出願に開示されているように、適切な電極及び基準電圧を選択するためのマルチプレクサ(mux)を更に含む。
例えば、カソードパルスをE1で送出している時に、E1及び接地(GND)は、サンプル及び保持回路310のmuxによって選択され、Vnを決定するために差し引かれると考えられる。それに反して、対応するアノードEc及びV+を選択して差し引き、Vpを決定すると考えられる。どちらの電極が刺激され、従って、サンプル及び保持回路310によって選択されているかは、バス297を通して決定され、タイミングチャネル176(スレーブに対してプログラムする場合)又は直接マイクロコントローラ305のいずれかから読み取ることができる。測定された状態で、Vp及びVn電圧は、A/Dブロック74によってデジタル化され、バス297を通してこれらをV+アルゴリズム500によって考慮することができるマイクロコントローラ305に送られる。
本明細書に組み込まれたサンプル及び保持回路310の特定の実施は、Vp及びVnを同時に測定することはできないことに注意されたい。従って、サンプル及び保持回路310は、EcのためのVp(しかし、E1のためのVnではない)、E7のためのVn(しかし、EcのためのVpではない)、次に、E1のためのVn(しかし、EcのためのVpではない)など順次測定することができる。要するに、全ての単一パルスを測定するか又はアノード及びカソードパルスを同時に測定するかは、V+アルゴリズム500に対して重要ではないが、これは、異なる実施において可能である。
重要なことは、最悪のケースのシナリオ、典型的には重なりを適度に測定することを確実にすることである。従って、Vp及びVnの両方は、重なりの期間にわたって少なくとも時々測定し、コンプライアンス電圧V+が不十分であるか否かを評価する必要があり、上げるか又は十分であるが節電するために下げることができることが必要である。
図6Bは、改良されたシステム290において最適レベルにV+を設定するための1つのアルゴリズム500を説明している。アルゴリズムは、IPG(埋込み可能パルス発生器)が作動してパルスを供給している時はいつでも開始することができる(501)が、一例では、治療設定を何らかの方法で調整している時に開始される。これは、例えば、患者又は臨床医が外部コントローラを使用してパルスの周波数、持続時間、又は振幅を変更しているか又は刺激のために新しい電極を選んでいる時に行うことができる。
治療が調節されてアルゴリズムを開始する状態で、V+発生器320により、V+を最大電圧に設定することができる(502)。これは、約18V又はその付近の値とすることができる。図示のように、その後の段階の目的は、一般的に、この最大電圧からV+が低すぎて十分な電力を供給できない閾値に近い電圧までV+を下げることである。
その最大値に設定されたV+により、治療はプログラムされた通りに進み、Vp及びVnは、上述したように及びこれらの測定値が少なくともいくつかの重なりを測定することを保証する期間にわたってアクティブ電極上で測定される(504)。この期間は、タイミングチャネル176の中にプログラムされた周波数(f1、f2)及びパルス幅(pw1、pw2)を精査することによってV+アルゴリズム500によって決定することができる。これらのパラメータから、アルゴリズム500が段階504に使用する妥当な設定期間を計算することは困難ではない。例えば、f1が100Hzに等しく、f2が40Hzに等しい場合にかつ2msのパルス幅を仮定すると、パルスは(同時に開始する場合)、50ms間隔で又は1秒間に20回重なると考えられる。これは、高々、Vp及びVn(これらは同時に測定することはできない)が、1秒当たり10回の重なりの期間にわたって各々測定することができることを意味する。アルゴリズム500が、エラー、すなわち、部分的な重なりのみの可能性を考慮し、又は1秒当たりこれらの10回の測定のうちの1回のみを実際に捕捉し、すなわち、1秒当たり1回のVp及びVn測定が重なりを捕捉する処理を単にガードバンドすることができると仮定する。これは、30秒の期間にわたって30のVp及びVn測定値が重なりを捕捉することになることを意味すると考えられる。これは、これらの事実の下ではVp及びVn測定値の十分な数と考えられ、従って、30秒は、段階504における設定期間を含むことができる。実際に、更に多くのVp及びVn測定値(重なりの期間にわたって取られていない測定値を含む)は、この期間にわたってアルゴリズム500精査のためのマイクロコントローラ305において捕捉してログされると考えられる。必要に応じて及び周波数間の高調波を低減するために、アルゴリズム500は、この設定期間にわたって異なる時間にパルスの開始を互い違いに配置し、測定値をランダム化し、重なり捕捉の可能性を改善することができる。
Vp及びVn測定値を設定期間にわたって取った状態で、アルゴリズム500は、その期間にわたるVp及びVn測定値の全て(これらは重なり及び非重なり測定値の両方を含むと考えられる)を精査し、これらが常に特定の閾値、すなわち、Vpt及びVntを超えるか否かを評価することができる(506)。これらの閾値Vpt及びVntは、PDAC83及び83’、並びにNDAC84及び84’に使用する回路に基づいて選択することができる。米国特許第7,444,181号明細書を参照して、例えば、DACが、典型的であるように電流ミラーを含む場合に、PDACのPチャネル出力トランジスタ及びNDACのNチャネルトランジスタが、飽和状態にあり、従って、Vp及びVnがそれぞれ1.5V及び1.2Vを超える場合に適切な量の電流を供給するこことは既知であると考えられる。換言すれば、Vpt=1.5V、Vnt=1.2Vであり、段階506における評価は、それに基づいて進行することができる。段階506における決定は、このようなパラメータが、重なりがもたらすV+の追加装填によりそれらの最低値になる可能性が高いと考えられる時に重なり期間にわたって取られたVp及びVn測定によって支配される可能性が高いと考えられることに注意されたい。
全てのVp測定値が1.5Vを超え、全てのVn測定値が1.2Vを超えると仮定すると、V+アルゴリズム500は、V+を場合によっては下げることができるという結論を下すことができる。これは、V+を何らかの設定量(例えば、1V)だけその最大値から低減する(17Vへ)ことができる段階508において行われる。
段階504におけるVp及びVn測定処理は、再度この新しい減少したコンプライアンス電圧でこの場合も同じく前に決定した設定期間にわたってこうして開始することができる。更に、この新しい期間にわたるVp及びVnを評価することができ(506)、このような測定値は、一般的に、V+がより高くなった時に前の期間で起こったよりも低くしなければならない。
最終的に、V+が低下し続けると、測定Vp又はVn値は、これらの閾値Vpt又はVntを下回り始めることになり、更にそのように低下する第1の値は、重なり中に起こる可能性が高いと考えられる。これは、コンプライアンス電圧V+が現在低すぎて必要な電流を供給できず、又は少なくとも(閾値の中に構築された保護周波数帯に応じて)V+がこの点に近づいていることを示している。処理は、段階510に進み、ここで、V+は、何らかの量、例えば、10%だけ増加され(510)、かつ設定される(512)。この段階510におけるV+の増加は、より高いV+値が特定の治療設定に対して将来必要である場合があるなどでV+が十分に高いことを保証し、条件が変化する(例えば、電極アレイ移動、組織変化など)可能性があるという懸念を軽減することが望ましい。治療設定がこの場合も同じく変化する(501)場合に、アルゴリズム500は、V+に対して新しい値を設定し続けることができる。
コンプライアンス電圧を設定して重なり及び非重なり期間を評価することは重要であるが、最悪のケースのシナリオは、必ずしも重なりの期間にわたって起こるとは限らない。これは、重なり中に特定の電極が要求され、アノード及びカソードの両方として作用する場合に特に当て嵌まると考えられる。例えば、マスターICにおいてEcがカソードとして、かつE1がアノードとしてプログラムされるが、スレーブICにおいてEcがアノードとして、かつE7がカソードとしてプログラムされる場合に、パルスの重複は、ソース及びシンク電流の両方に対してEcを引き起こし、従って、そのノードにおける電流の振幅を差し引くと考えられる(すなわち、正及び負の電流の足し算)。これは、いずれかのICが重なりなしにパルスを送出し、従って、最高のV+を決定する最悪のケースが、非重なりの期間にわたって起こると考えられる時よりも、重なり中の所要電力がより小さくなることを意味する可能性がある。いずれの場合にも、V+アルゴリズム500は、重なり及び非重なりケースの両方をモニタし、従って、最悪のケースのシナリオが評価され、相応にV+が設定されることになる。
この時点まで簡素化するために大部分は無視されたが、脳の他方の側部において交互配置パルスを定義するのに使用するタイミングチャネル(図5Aの1763、1764、1763’、1764’)も、本明細書に説明する概念に照らして実際の実施において十分に考慮しなければならない。従って、マスターIC300内の回復スイッチ86は、アクティブタイミングチャネル1762’又は1764’のいずれかがこれらのパルスをVbatに短絡させないように、スレーブIC300’のパルスを送出している時に開かなければならない。同様に、スレーブIC300’の回復スイッチ86’は、アクティブタイミングチャネル1761又は1763のいずれかがマスターIC300のパルスを送出している時に開かなければならない。同様に、V+アルゴリズム500の作動中に、Vp及びVn測定は、アクティブタイミングチャネル1763及び1764’が送出する重なり及び非重複パルス中に行うべきである。
本発明の開示は、2つの異なる周波数でDBS(脳深部刺激)治療の提供に向けられたIPG(埋込み可能パルス発生器)の特定の実施に着目しているが、それに限定されると理解すべきではない。多くの変形が可能である。例えば、開示した回路は、電極のいずれに対してもカソード及びアノードパルスの送出をサポートすることができ、ケース電極は、アノードとして作用する必要はなく、二極刺激ケースでは使用する必要さえもない。更に、開示した回路は、特定の電極におけるアノードパルスに続いてカソードパルスがあり、逆も同様である2相パルスの送出をサポートすることができる。更に、開示した二重電極ドライバICシステムは、ICの一方からの第1の周波数のパルスと他方のICからの別の周波数のパルスを送出するのに特に有用であるが、そのように限定する必要はない。両ICは、同じ周波数のパルスを送出することができ、又はそれがどのようにしてプログラムされたかに応じて非周期的又はランダムパルスを送出することさえも可能である。タイミングチャネルは、特定のアレイ、特定の電極、又は刺激されている組織の領域に専用である必要はない。同様に、開示した手法は、更に別の数の電極ドライバICさえも伴って拡張可能である。例えば、3つ又はそれよりも多くのICは、それらの電極出力を互いに短絡させて使用することができ、従って、3つ又はそれよりも多くの異なる周波数の重複パルスを供給する機能を提供する。最後に、開示したアーキテクチャは、DBS(脳深部刺激)治療に限定する必要はなく、上述したような広範な治療のための刺激に適用することができる。
別々の集積回路に実施されるように開示したが、開示した回路及び方法は、刺激回路175及び175’の両方を含む単一集積回路に使用することができ、又は個別の回路と共に使用することができる。
本発明の特定の実施形態を図示して説明したが、上記説明は、本発明をこれらの実施形態に限定するように考えられていないことを理解しなければならない。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく様々な変形及び修正を行うことができることは、当業者には明らかであろう。すなわち、本発明は、特許請求の範囲によって定められる本発明の精神及び範囲内に含めることができる代替物、修正物、及び均等物を網羅するように意図している。
30 ケース
86、86’ 回復スイッチ
175、175’ 刺激回路
305 マイクロコントローラ
C1、C2、Cc コンデンサ

Claims (31)

  1. 埋込み可能刺激器デバイスであって、
    各々が複数の電極出力を含み、各々が該電極出力で電流を供給するように構成された刺激回路を更に含む複数の集積回路、
    を含み、
    前記複数の集積回路の各々の対応する電極出力が互いに短絡される、
    ことを特徴とするデバイス。
  2. 前記複数の集積回路は、単一パッケージに収容され、
    前記対応する電極出力は、前記パッケージ内で短絡される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記複数の集積回路は、前記単一パッケージ内に垂直に積み重ねられることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
  4. 前記複数の集積回路の第1のものが、マスター集積回路を含み、該複数の集積回路の第2のものが、該マスター集積回路に対するスレーブ集積回路を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  5. 前記マスター及びスレーブ集積回路は、プログラム可能に結合されることを特徴とする請求項4に記載のデバイス。
  6. マイクロコントローラを更に含み、
    前記マイクロコントローラ、前記マスター集積回路、及び前記スレーブ集積回路は、バスプロトコルに従ってバスによって通信する、
    ことを特徴とする請求項4に記載のデバイス。
  7. 前記複数の集積回路の各々の前記刺激回路は、それがいつ前記電極出力で電流を供給するように構成されるかに関するタイミング情報を用いてプログラムされることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  8. 前記複数の集積回路の各々の前記刺激回路は、他の集積回路の全てからの前記タイミング情報を用いて更にプログラムされることを特徴とする請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記タイミング情報は、電流パルス周波数及びパルス幅を含むことを特徴とする請求項8に記載のデバイス。
  10. 前記刺激回路は、前記複数の集積回路の各々において異なる周波数で前記電極出力で前記電流を供給するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  11. 前記電極出力は、各刺激回路によって供給される前記電流を患者の組織に送出するための電極に結合されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  12. 前記電極出力は、減結合コンデンサを通して前記電極に結合されることを特徴とする請求項11に記載のデバイス。
  13. 前記複数の集積回路は、同一であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  14. 埋込み可能刺激器デバイスであって、
    複数の電極ノードと、
    第1の周波数の第1の電流パルスを供給し、かつ該第1の電流パルスを受け入れる前記複数の電極ノードのうちの第1の複数のものを選択するようにプログラムされた第1の刺激回路と、
    第2の周波数の第2の電流パルスを供給し、かつ該第2の電流パルスを受け入れる前記複数の電極ノードのうちの第2の複数のものを選択するようにプログラムされた第2の刺激回路と、
    を含み、
    電極ノードが、前記選択された第1の複数の電極ノード及び前記第2の複数の電極ノードの両方に共通する場合に、前記第1及び第2の電流パルスは、それらが重なる時に該共通の電極ノードで足し合わされる、
    ことを特徴とするデバイス。
  15. 前記第1の刺激回路は、第1の集積回路を含み、
    前記第2の刺激回路は、第2の集積回路を含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
  16. 前記第1及び第2の集積回路は、単一パッケージに収容されることを特徴とする請求項15に記載のデバイス。
  17. 前記第1の刺激回路は、前記第2の電流パルスのタイミング情報を用いてプログラムされ、
    前記第2の刺激回路は、前記第1の電流パルスのタイミング情報を用いてプログラムされる、
    ことを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
  18. 前記第1の刺激回路は、前記第1の電流パルスの供給後に電荷を回復するための第1の回復回路を更に含み、
    前記第2の刺激回路は、前記第2の電流パルスの供給後に電荷を回復するための第2の回復回路を更に含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
  19. 前記第1の回復回路は、前記第2の電流パルス中に非アクティブ化されるように構成され、
    前記第2の回復回路は、前記第1の電流パルス中に非アクティブ化されるように構成される、
    ことを特徴とする請求項18に記載のデバイス。
  20. 前記電極ノードは、各刺激回路によって供給される電流を患者の組織に送出するための電極に結合されることを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
  21. 前記電極出力は、減結合コンデンサを通して前記電極に結合されることを特徴とする請求項20に記載のデバイス。
  22. 前記電極ノードと前記第1及び第2の刺激回路とを収容するためのケースと、
    患者の組織を刺激するための電極を含む少なくとも1つのアレイと、
    を更に含み、
    1つの電極ノードが、前記ケースに結合され、
    前記複数の電極ノードの他のものが、前記少なくとも1つの電極アレイの上の電極に結合される、
    ことを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
  23. 埋込み可能刺激器デバイスであって、
    導電性ケースと、
    第1の電極アレイと、
    第2の電極アレイと、
    前記導電性ケース内にあり、第1の周波数で第1の電流パルスを供給して前記第1の電極アレイと該ケースの間に第1の電流を流すように構成された第1の集積回路と、
    前記導電性ケース内にあり、第2の周波数で第2の電流パルスを供給して前記第2の電極アレイと該ケースの間に第2の電流を流すように構成された第2の集積回路と、
    を含み、
    前記第1及び第2の電流パルスは、時間的に共に重なり得る、
    ことを特徴とするデバイス。
  24. 前記第1及び第2の電流は、前記第1及び第2のパルスが時間的に重なる時に前記導電性ケースにおいて足し合わされることを特徴とする請求項23に記載のデバイス。
  25. 前記第1及び第2の集積回路は、単一パッケージに収容されることを特徴とする請求項23に記載のデバイス。
  26. 前記第1及び第2の集積回路は、前記単一パッケージ内に垂直に積み重ねられることを特徴とする請求項25に記載のデバイス。
  27. マイクロコントローラを更に含み、
    前記マイクロコントローラ、前記第1の集積回路、及び前記第2の集積回路は、バスプロトコルに従ってバスによって通信する、
    ことを特徴とする請求項23に記載のデバイス。
  28. 前記第1の集積回路は、それがいつ前記第1の電流パルスを供給するように構成されるかに関する第1のタイミング情報を用いてプログラムされ、
    前記第2の集積回路は、それがいつ前記第2の電流パルスを供給するように構成されるかに関する第2のタイミング情報を用いてプログラムされる、
    ことを特徴とする請求項23に記載のデバイス。
  29. 前記第1の集積回路は、前記第2のタイミング情報を用いて更にプログラムされ、
    前記第2の集積回路は、前記第1のタイミング情報を用いて更にプログラムされる、
    ことを特徴とする請求項28に記載のデバイス。
  30. 前記第1及び第2のタイミング情報は、電流パルス周波数及びパルス幅を含むことを特徴とする請求項29に記載のデバイス。
  31. 前記複数の集積回路は、同一であることを特徴とする請求項23に記載のデバイス。
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JP2014553361A Expired - Fee Related JP5875706B2 (ja) 2012-01-16 2013-01-16 短絡電極出力を備えた複数の電極ドライバ集積回路を有する埋込み可能刺激器デバイスのためのアーキテクチャ

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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8649858B2 (en) * 2007-06-25 2014-02-11 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Architectures for an implantable medical device system
US20150018728A1 (en) 2012-01-26 2015-01-15 Bluewind Medical Ltd. Wireless neurostimulators
US9861812B2 (en) 2012-12-06 2018-01-09 Blue Wind Medical Ltd. Delivery of implantable neurostimulators
US9119964B2 (en) 2013-03-06 2015-09-01 Boston Scientific Neuromodulation Corporation System for deep brain stimulation employing a sensor for monitoring patient movement and providing closed loop control
US10016604B2 (en) 2013-03-15 2018-07-10 Globus Medical, Inc. Implantable pulse generator that generates spinal cord stimulation signals for a human body
US9511227B2 (en) 2013-03-15 2016-12-06 Globus Medical, Inc. Implantable pulse generator that generates spinal cord stimulation signals for a human body
US9526899B2 (en) 2013-03-15 2016-12-27 Globus Medical, Inc. Implantable pulse generator that generates spinal cord stimulation signals for a human body
US9433796B2 (en) 2013-09-03 2016-09-06 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Medical device application for an external device using data logged at an implantable medical device
CN109998483B (zh) 2013-09-16 2023-02-28 斯坦福大学董事会 用于电磁能量生成的多元件耦合器
US9364673B2 (en) 2013-10-16 2016-06-14 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Power supply disconnect current measurement for an implantable medical device
EP3753517B1 (en) 2014-05-18 2022-05-11 Neuspera Medical Inc. Midfield coupler
US20160336813A1 (en) 2015-05-15 2016-11-17 NeuSpera Medical Inc. Midfield coupler
EP3166682B1 (en) * 2014-07-10 2021-01-06 Stimwave Technologies Incorporated Circuit for an implantable device
JP2018519968A (ja) * 2015-07-22 2018-07-26 グローバス メディカル インコーポレイティッド 人体用の脊髄刺激信号を生成する埋込型パルス発生器
US10105540B2 (en) 2015-11-09 2018-10-23 Bluewind Medical Ltd. Optimization of application of current
US10576292B2 (en) 2015-11-29 2020-03-03 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Skull-mounted deep brain stimulator
US10213596B2 (en) 2016-03-29 2019-02-26 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Skull-mounted optical implant
US10441778B2 (en) 2016-03-29 2019-10-15 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Optical stimulation implant
US11395917B2 (en) * 2016-07-15 2022-07-26 Precisis Gmbh Neurostimulation using AC and/or DC stimulation pulses
EP3269421B1 (en) * 2016-07-15 2023-08-30 PRECISIS GmbH Neurostimulation using ac and/or dc stimulation pulses
US10632300B2 (en) 2016-09-10 2020-04-28 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Measurement circuitry for measuring analog values in an implantable pulse generator
US10786665B2 (en) * 2016-09-10 2020-09-29 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Biasing of a current generation architecture for an implantable medical device
US10549091B2 (en) 2016-09-10 2020-02-04 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Use models for a current generation architecture for an implantable medical device
US10589090B2 (en) 2016-09-10 2020-03-17 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Implantable stimulator device with magnetic field sensing circuit
US10576265B2 (en) 2016-09-10 2020-03-03 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulse definition circuitry for creating stimulation waveforms in an implantable pulse generator
US10716932B2 (en) 2016-09-10 2020-07-21 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulse definition circuitry for creating stimulation waveforms in an implantable pulse generator
US10716937B2 (en) 2016-09-10 2020-07-21 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Passive charge recovery circuitry for an implantable medical device
US11040192B2 (en) 2016-09-10 2021-06-22 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable medical device
US20180071515A1 (en) 2016-09-10 2018-03-15 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulse Definition Circuitry for Creating Stimulation Waveforms in an Implantable Pulse Generator
US10525252B2 (en) 2016-09-10 2020-01-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Compliance voltage monitoring and adjustment in an implantable medical device
US10525253B2 (en) 2016-10-13 2020-01-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable medical device including controllable slew rate
US10124178B2 (en) 2016-11-23 2018-11-13 Bluewind Medical Ltd. Implant and delivery tool therefor
US10792491B2 (en) 2016-11-23 2020-10-06 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pulsed passive charge recovery circuitry for an implantable medical device
US20180345022A1 (en) 2017-06-02 2018-12-06 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Enhanced Selectivity and Modulation in Coordinated Reset in Deep Brain Stimulation
US20180353764A1 (en) 2017-06-13 2018-12-13 Bluewind Medical Ltd. Antenna configuration
US10938362B2 (en) * 2017-07-31 2021-03-02 Renesas Electronics Corporation Offset cancellation
US11844947B2 (en) 2017-08-11 2023-12-19 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Spinal cord stimulation occurring using monophasic pulses of alternating polarities and passive charge recovery
EP3681585B1 (en) 2017-09-12 2023-12-27 Boston Scientific Neuromodulation Corporation System for determination of connected neurostimulation leads
EP3681586A1 (en) 2017-09-12 2020-07-22 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Techniques for sensing incorrect lead connection to an implantable stimulator device
NL2019707B1 (en) 2017-10-11 2019-04-19 Boston Scient Neuromodulation Corp Current Generation Architecture for an Implantable Stimulator Device to Promote Current Steering Between Electrodes
AU2018222994B2 (en) 2017-09-15 2019-11-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device to promote current steering between electrodes
EP3681596B1 (en) 2017-09-15 2022-07-20 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device including distributor circuitry for sending an amplitude-scaled current to digital-to-analog converters at the electrodes
WO2019070376A1 (en) 2017-10-04 2019-04-11 Boston Scientific Neuromodulation Corporation SYSTEM FOR ENSURING COHERENT CONNECTION OF ELECTRODES TO AN IMPLANTABLE MEDICAL REPLACEMENT DEVICE
US11040202B2 (en) * 2018-03-30 2021-06-22 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Circuitry to assist with neural sensing in an implantable stimulator device
AU2019260567B2 (en) 2018-04-27 2021-09-23 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Neurostimulation system for delivering selectivity modes
WO2019209594A2 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Boston Scientific Neuromodulation Corporation System to optimize anodic/cathodic stimulation modes
EP3755423A1 (en) 2018-04-27 2020-12-30 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Anodic stimulation in an implantable stimulator system using asymmetric anodic and cathodic stimulation pulses
EP4223361A1 (en) 2018-05-09 2023-08-09 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Determination and use of a wellness factor in an implantable medical device system using qualitative and quantitative measurements
EP3755426B1 (en) 2018-05-11 2023-08-30 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Stimulation waveforms with high-and low-frequency aspects in an implantable stimulator device
WO2019231794A1 (en) 2018-06-01 2019-12-05 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Interleaving stimulation patterns provided by an implantable pulse generator
US11331495B2 (en) 2018-06-27 2022-05-17 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Stimulation field modelling in an implantable stimulator device
EP3840822A1 (en) 2018-08-23 2021-06-30 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Stimulation using long duration waveform phases in a spinal cord stimulator system
US11273309B2 (en) 2019-02-08 2022-03-15 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Linking and concurrent steering of multiple pole configurations in a spinal cord stimulation system
CN113412136A (zh) 2019-02-08 2021-09-17 波士顿科学神经调制公司 使用交替极性的单相脉冲和被动电荷恢复进行的脊髓刺激
US11565117B2 (en) 2019-05-02 2023-01-31 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Amplitude modulating waveform pattern generation for stimulation in an implantable pulse generator
US11738198B2 (en) 2019-05-10 2023-08-29 The Freestate Of Bavaria Represented By The Julius Maximilians-Universität Würzbrg System to optimize anodic stimulation modes
WO2021046120A1 (en) 2019-09-06 2021-03-11 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Management of compliance voltage for a stimulator device
WO2021138363A1 (en) 2019-12-31 2021-07-08 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Automatic determination of inputs for closed-loop algorithms for optimization of stimulation parameters
CN111505426B (zh) * 2020-05-15 2022-03-22 许昌许继风电科技有限公司 一种主从式双驱动风电变桨系统测试装置及测试方法
US11559693B2 (en) 2020-09-30 2023-01-24 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Pairing of external communication devices with an implantable medical device via a patient remote controller
CA3197467A1 (en) 2020-09-30 2022-04-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Adjustment of advertising interval in communications between an implantable medical device and an external device
AU2021355530A1 (en) 2020-09-30 2023-06-08 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Programming of pairing and mri modes in an implantable medical device system
US20220161033A1 (en) 2020-11-20 2022-05-26 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Compliance Voltage Monitoring and Adjustment in an Implantable Medical Device Using Low Side Sensing
WO2022217184A1 (en) 2021-04-06 2022-10-13 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device
US11400299B1 (en) 2021-09-14 2022-08-02 Rainbow Medical Ltd. Flexible antenna for stimulator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533082A (ja) * 2006-04-07 2009-09-17 ボストン サイエンティフィック ニューロモジュレーション コーポレイション 埋め込み刺激装置のセットアップ間における電極調節のために複数のタイミングチャネルを用いるシステムと方法
JP2010506654A (ja) * 2006-10-18 2010-03-04 ボストン サイエンティフィック ニューロモデュレイション コーポレイション 単一の電流路デカップリングキャパシタを備えた多電極埋込型刺激装置
JP2010233846A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Terumo Corp 電気刺激装置
WO2011082071A1 (en) * 2009-12-30 2011-07-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation System for independently operating multiple neurostimulation channels

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5501703A (en) 1994-01-24 1996-03-26 Medtronic, Inc. Multichannel apparatus for epidural spinal cord stimulator
DE69827420T2 (de) * 1997-02-10 2005-11-10 St. Jude Medical Ab Herzschrittmacher mit variabler Stimulationsenergie
US5987357A (en) * 1997-07-30 1999-11-16 Intermedics Inc. Stackable microelectronic components with self-addressing scheme
US5941906A (en) * 1997-10-15 1999-08-24 Medtronic, Inc. Implantable, modular tissue stimulator
US6516227B1 (en) * 1999-07-27 2003-02-04 Advanced Bionics Corporation Rechargeable spinal cord stimulator system
US8155752B2 (en) 2000-03-17 2012-04-10 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Implantable medical device with single coil for charging and communicating
ES2230129T3 (es) * 2000-07-26 2005-05-01 Advanced Bionics Corporation Sistema para la estimulacion de la medula espinal.
US7483748B2 (en) * 2002-04-26 2009-01-27 Medtronic, Inc. Programmable waveform pulses for an implantable medical device
EP1799101A4 (en) * 2004-09-02 2008-11-19 Proteus Biomedical Inc METHOD AND DEVICES FOR TISSUE ACTIVATION AND MONITORING
CN101048194B (zh) * 2004-09-08 2011-04-13 脊髓调制公司 神经刺激方法和系统
US20060167525A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-27 Medtronic, Inc. Method of stimulating multiple sites
US8620436B2 (en) 2005-07-08 2013-12-31 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current generation architecture for an implantable stimulator device having coarse and fine current control
US8606362B2 (en) * 2005-07-08 2013-12-10 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current output architecture for an implantable stimulator device
US7444181B2 (en) 2005-12-14 2008-10-28 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Techniques for sensing and adjusting a compliance voltage in an implantable stimulator device
US8649858B2 (en) 2007-06-25 2014-02-11 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Architectures for an implantable medical device system
EP2586491B1 (en) * 2007-07-20 2016-08-17 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Stimulation system to control neural recruitment order and clinical effect
US7890182B2 (en) 2008-05-15 2011-02-15 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Current steering for an implantable stimulator device involving fractionalized stimulation pulses
US8577474B2 (en) 2009-11-11 2013-11-05 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Minimizing interference between charging and telemetry coils in an implantable medical device
US9061140B2 (en) 2010-10-13 2015-06-23 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Sample and hold circuitry for monitoring voltages in an implantable neurostimulator
US8768453B2 (en) 2010-10-13 2014-07-01 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Monitoring electrode voltages in an implantable medical device system having daisy-chained electrode-driver integrated circuits
US9381364B2 (en) 2010-10-18 2016-07-05 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Telemetry optimization in an implantable medical device system to achieve equal and maximal distances in bidirectional communications
US9308373B2 (en) 2011-06-29 2016-04-12 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Architectures for sharing of current sources in an implantable medical device
US9393433B2 (en) 2011-07-20 2016-07-19 Boston Scientific Neuromodulation Corporation Battery management for an implantable medical device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533082A (ja) * 2006-04-07 2009-09-17 ボストン サイエンティフィック ニューロモジュレーション コーポレイション 埋め込み刺激装置のセットアップ間における電極調節のために複数のタイミングチャネルを用いるシステムと方法
JP2010506654A (ja) * 2006-10-18 2010-03-04 ボストン サイエンティフィック ニューロモデュレイション コーポレイション 単一の電流路デカップリングキャパシタを備えた多電極埋込型刺激装置
JP2010233846A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Terumo Corp 電気刺激装置
WO2011082071A1 (en) * 2009-12-30 2011-07-07 Boston Scientific Neuromodulation Corporation System for independently operating multiple neurostimulation channels

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