JP2015232158A - スパッタ装置、ito膜付長尺フィルム、および、ito膜付長尺フィルムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)本発明のスパッタ装置においては、円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石により形成される磁場の磁束密度が、円筒型回転ターゲットの表面において、50mT(ミリテスラ)以上である。スパッタ条件としては磁束密度の上限は特に無いが、磁石の大きさや種類により、磁束密度の上限は自ずと決まる。
(3)本発明のスパッタ装置は、更に、真空槽に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置を備える。
(4)本発明のスパッタ装置は、更に、長尺フィルムを供給するフィルム供給機構と、長尺フィルムを収納するフィルム収納機構を備える。
(5)本発明のスパッタ装置は、スパッタガス供給装置および反応性ガス供給装置をそれぞれ複数備える。
(6)本発明のスパッタ装置は、円筒型回転ターゲットを複数備える。
(7)本発明のスパッタ装置においては、複数の円筒型回転ターゲットが複数のグループに分類され、グループ毎にスパッタガスおよび反応性ガスの、種類および圧力が異なる。
(8)本発明のスパッタ装置は、成膜ロールを複数備える。
(9)本発明のスパッタ装置においては、スパッタガスがアルゴンガスであり、反応性ガスが酸素ガスである。
(10)本発明のITO膜付長尺フィルムは、上記のスパッタ装置を用いて製造されたITO膜を有する。
(11)本発明のITO膜付長尺フィルムの製造方法においては、上記のスパッタ装置を用いて、長尺フィルムにITO膜を形成する。
11 長尺フィルム
12 真空槽
13 供給ロール
14 ガイドロール
15 成膜ロール
16 収納ロール
17 円筒型回転ターゲット
18 カソード
19 磁石
20 RF電源
21 マッチングボックス
22 DC電源
23 ローパスフィルター
24 隔壁
25 分割槽
26 ガス供給装置
27 配管
28 マスフローコントローラー
30 スパッタ装置
Claims (11)
- 真空槽と、
前記真空槽にスパッタガスを供給するスパッタガス供給装置と、
前記真空槽内に備えられ、その中心軸回りに自転する成膜ロールと、
前記成膜ロールと対向し、その中心軸回りに自転する円筒型回転ターゲットと、
前記円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石と、
前記円筒型回転ターゲットにDC電圧とRF電圧を重畳して印加するDC電源およびRF電源を備え、
前記成膜ロールに巻かれた長尺フィルムにスパッタ膜を形成するスパッタ装置。 - 前記円筒型回転ターゲットの内部に設置された磁石により形成される磁場の磁束密度が、前記円筒型回転ターゲットの表面において、50mT(ミリテスラ)以上である請求項1に記載のスパッタ装置。
- 更に、前記真空槽に反応性ガスを供給する反応性ガス供給装置を備えた請求項1または2に記載のスパッタ装置。
- 更に、前記長尺フィルムを供給するフィルム供給機構と、前記長尺フィルムを収納するフィルム収納機構を備えた請求項1〜3のいずれかに記載のスパッタ装置。
- 前記スパッタガス供給装置、および、前記反応性ガス供給装置を、それぞれ複数備えた請求項3または4に記載のスパッタ装置。
- 前記円筒型回転ターゲットを複数備えた請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタ装置。
- 前記複数の円筒型回転ターゲットが複数のグループに分類され、前記グループ毎に前記スパッタガスおよび前記反応性ガスの、種類および圧力が異なる請求項3〜6のいずれかに記載のスパッタ装置。
- 前記成膜ロールを複数備えた請求項1〜7のいずれかに記載のスパッタ装置。
- 前記スパッタガスがアルゴンガスであり、前記反応性ガスが酸素ガスである請求項3〜8のいずれかに記載のスパッタ装置。
- 請求項1〜9に記載のいずれかのスパッタ装置を用いて製造されたITO(Indium Tin Oxideインジウム錫酸化物)膜を有するITO膜付長尺フィルム。
- 請求項1〜9に記載のいずれかのスパッタ装置を用いて、長尺フィルムにITO(Indium Tin Oxideインジウム錫酸化物)膜を形成する、ITO膜付長尺フィルムの製造方法。
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Cited By (6)
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CN111605037A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-01 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种高压注浆成型装置以及一种ito旋转靶材的制备方法 |
WO2021200635A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 日東電工株式会社 | マグネトロンプラズマ成膜装置 |
CN113631752A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-11-09 | 日东电工株式会社 | 磁控等离子体成膜装置 |
WO2022009536A1 (ja) * | 2020-07-07 | 2022-01-13 | ソニーグループ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法 |
CN114277348A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-05 | 晋能清洁能源科技股份公司 | Hjt电池生产中操控磁控溅射设备的方法 |
JP2023501699A (ja) * | 2019-11-15 | 2023-01-18 | ダイソン・テクノロジー・リミテッド | スパッタ堆積装置及び方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1088347A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明電極薄膜の製造方法 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1088347A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明電極薄膜の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113631752A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-11-09 | 日东电工株式会社 | 磁控等离子体成膜装置 |
CN113631752B (zh) * | 2019-03-26 | 2024-03-29 | 日东电工株式会社 | 磁控等离子体成膜装置 |
JP2023501699A (ja) * | 2019-11-15 | 2023-01-18 | ダイソン・テクノロジー・リミテッド | スパッタ堆積装置及び方法 |
JP7450716B2 (ja) | 2019-11-15 | 2024-03-15 | ダイソン・テクノロジー・リミテッド | スパッタ堆積装置及び方法 |
WO2021200635A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 日東電工株式会社 | マグネトロンプラズマ成膜装置 |
CN115398028A (zh) * | 2020-03-30 | 2022-11-25 | 日东电工株式会社 | 磁控等离子体成膜装置 |
CN111605037A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-01 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种高压注浆成型装置以及一种ito旋转靶材的制备方法 |
WO2022009536A1 (ja) * | 2020-07-07 | 2022-01-13 | ソニーグループ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法 |
CN114277348A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-05 | 晋能清洁能源科技股份公司 | Hjt电池生产中操控磁控溅射设备的方法 |
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