JP2015231019A - 周縁露光装置および周縁露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光開始点が露光過多になることを抑制できる周縁露光装置および周縁露光方法を提供する。【解決手段】周縁露光装置は、基板を保持する保持部と、保持部を回転させる回転機構と、光を出射する投光部と、原点と処理位置との間にわたって投光部を移動させる移動機構と、投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、回転機構と移動機構と開閉機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、を備える。制御部は、シャッターが開状態であり、かつ、保持部に保持された基板が回転している状態において投光部を原点から処理位置に移動させる（ステップＳ６、Ｓ７）。これにより、露光処理を開始させる。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に「基板」と称する）の周縁部を露光する周縁露光装置と、基板の周縁部を露光する周縁露光方法に関する。

従来、この種の装置として、エッジ露光ユニットがある。エッジ露光ユニットは、保持回転部と露光部とＸ軸駆動部とＹ軸駆動部とコントローラを備えている。保持回転部は基板を保持するとともに基板を回転させる。露光部は光を出射する。Ｘ軸駆動部とＹ軸駆動部とはそれぞれ、露光部を移動させる。コントローラは、保持回転部とＸ軸駆動部とＹ軸駆動部と露光部とを制御する。

このように構成されるエッジ露光ユニットは次のように動作する。すなわち、露光部は保持回転部に保持された基板の周縁部の上方に移動する。その後、露光部は光を出射し始めるとともに、保持回転部は基板を回転させ始める。これにより、エッジ露光ユニットは、基板の周縁部を露光する。より厳密には、エッジ露光ユニットは、基板上に形成されているレジスト膜を露光する。

特開２００９−３２８９８号公報（第１９頁、図６、図９）

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、最初に露光される基板の部位を「露光開始点」とすると、露光開始点は、基板が静止している状態で露光される。他方、露光開始点以外の基板の周縁部は、基板が回転している状態で露光される。基板に照射された光の量を単位面積で除した値を「露光量」とすると、露光開始点における露光量は、露光開始点以外の基板の周縁部における露光量よりも大きい。露光開始点は、露光過多（overexposure）となる。

近年、周縁露光装置のスループットの向上を図るために、露光部が出射する光の強度は増大している。光の強度が増大するほど、露光開始点と露光開始点以外の基板の周縁部との間における露光量の差は拡大し、露光開始点における露光過多の度合いが増す。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、露光開始点が露光過多になることを抑制できる周縁露光装置および周縁露光方法を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、周縁露光装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転機構と、光を出射する投光部と、前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記待機位置から前記処理位置に移動させることによって、前記露光処理を開始させる周縁露光装置である。

［作用・効果］シャッターが開状態であるとき、投光部は光を出射する。投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態で、投光部は待機位置から処理位置に向かって動く。投光部が処理位置に到達すると、投光部の光は基板の周縁部を照射し始め、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。最初に露光される基板の部位である「露光開始点」は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（２）
上述した発明において、前記周縁露光装置は、前記投光部が前記処理位置に位置しているか否かを検出するための投光部用センサを備え、前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記投光部用センサの検出結果に基づいて前記投光部が前記処理位置に到達したか否かを判断し、前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に到達したと判断された時刻から経過する時間を計測することが好ましい。周縁露光装置は投光部用センサを備えているので、制御部は露光処理が始まった時刻を精度良く特定できる。さらに、制御部は露光処理が始まった時刻から経過する時間を計測するので、露光処理を行う時間を制御部は好適に管理できる。

（３）
また、本発明は、周縁露光装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転機構と、光を出射する投光部と、前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記投光部が前記処理位置に位置しており、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記閉状態から前記開状態に切り替えることによって、前記露光処理を開始させる周縁露光装置である。

［作用・効果］投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態において、シャッターが閉状態から開状態に切り替わる。シャッターが開状態に切り替わると、投光部は光を出射し始める。投光部が処理位置に位置しているので、投光部の光は基板の周縁部を照射する。すなわち、シャッターが開状態に切り替わったとき、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（４）
上述した発明において、前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記シャッター用センサの検出結果に基づいて前記シャッターが前記開状態に切り替わったか否かを判断し、前記制御部は、さらに、前記シャッターが前記開状態に切り替わったと判断された時刻から経過する時間を計測することが好ましい。周縁露光装置はシャッター用センサを備えているので、制御部は露光処理が始まった時刻を精度良く特定できる。さらに、制御部は露光処理が始まった時刻から経過する時間を計測するので、露光処理を行う時間を制御部は好適に管理できる。

（５）
また、本発明は、周縁露光装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転機構と、光を出射する投光部と、前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、前記投光部から出射される光の量を調整可能な絞りと、前記絞りの開度を調整する調整機構と、前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構と前記調整機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記絞りの開度を零から増大させることによって、前記露光処理を開始させる周縁露光装置である。

［作用・効果］投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態で、絞りの開度が零から増大する。絞りの開度が零より大きくなると、投光部は光を出射し始める。投光部が処理位置に位置しているので、投光部の光は基板の周縁部を照射する。すなわち、絞りの開度が零より大きくなったとき、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

さらに、本発明によれば、絞りの開度が零より大きくなることによって露光処理が始まるので、露光処理が始まるときに露光開始点を照射する光の強度は比較的に小さい。よって、露光開始点が露光過多になることを一層抑制できる。

ここで、前記絞りの開度を零から少しずつ増大させることが好ましい。露光開始点と露光開始点に隣接する基板の周縁部との間で露光量が急激に変化することを抑制できる。

（６）
上述した発明において、前記周縁露光装置は、前記絞りの開度を検出するための絞り用センサを備え、前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記絞り用センサの検出結果に基づいて前記絞りの開度が所定値に達したか否かを判断し、前記制御部は、さらに、前記絞りの開度が所定値に達したと判断された時刻から経過する時間を計測することが好ましい。周縁露光装置は絞り用センサを備えているので、制御部は絞りの開度が所定値まで増大した時刻を精度良く特定できる。さらに、制御部は絞りの開度が所定値まで増大した時刻から経過する時間を計測するので、絞りの開度が所定値以上である状態で露光処理を行う時間を制御部は好適に管理できる。

（７）
上述した発明において、前記制御部は、さらに、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記処理位置から前記待機位置に移動させることによって、前記露光処理を終了させることが好ましい。投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態で投光部は処理位置から待機位置に移動する。投光部が処理位置から外れると、投光部は基板の周縁部を照射しなくなり、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。最後に露光される基板の部位（以下、「露光終了点」と呼ぶ）は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

（８）
上述した発明において、前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に位置しており、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記開状態から前記閉状態に切り替えることによって、前記露光処理を終了させることが好ましい。投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態で、シャッターが開状態から閉状態に切り替わる。シャッターが閉状態に切り替わると、投光部は光の出射を停止し、投光部は基板の周縁部を照射しなくなり、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

（９）
上述した発明において、前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記絞りの開度を零まで減少させることによって、前記露光処理を終了させることが好ましい。投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態で、絞りの開度が零まで減少する。絞りの開度が零まで減少すると、投光部は光の出射を停止し、投光部は基板の周縁部を照射しなくなり、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることも抑制できる。

さらに、本発明によれば、絞りの開度が零まで減少することによって露光処理が終了するので、露光処理が終了するときに露光終了点を照射する光の強度は比較的に小さい。よって、露光終了点が露光過多になることを一層抑制できる。

ここで、前記絞りの開度を零まで少しずつ減少させることが好ましい。絞りの開度が徐々に減少するので、露光終了点と露光終了点に隣接する基板の周縁部との間で露光量が急激に変化することを抑制できる。

（１０）
また、本発明は、周縁露光方法であって、シャッターが開状態であることによって投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態において、投光部が基板の上方から外れた待機位置から基板の周縁部の上方の処理位置に移動する露光開始工程を含む周縁露光方法である。

［作用・効果］露光開始工程では、投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態で投光部は待機位置から処理位置に移動する。投光部が処理位置に到達すると、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（１１）
また、本発明は、周縁露光方法であって、投光部が基板の周縁部の上方の処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態において、シャッターが閉状態から開状態に切り替わることによって前記投光部が光を出射し始める露光開始工程を含む周縁露光方法である。

［作用・効果］露光開始工程では、投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態で、シャッターが閉状態から開状態に切り替わる。シャッターが開状態に切り替わると、投光部は光を出射し始め、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（１２）
また、本発明は、周縁露光方法であって、投光部が基板の周縁部の上方の処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態において、絞りの開度が零から増大することによって投光部が光を出射し始める露光開始工程を含む周縁露光方法である。

［作用・効果］露光開始工程では、投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態で、絞りの開度が零から増大する。絞りの開度が零より大きくなると、投光部は光を出射し始め、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

さらに、本発明によれば、絞りの開度が零より大きくなることによって露光処理が始まるので、露光処理が始まるときに露光開始点を照射する光の強度は比較的に小さい。よって、露光開始点が露光過多になることを一層抑制できる。

（１３）
上述した発明において、シャッターが開状態であることによって投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態において、投光部が基板の周縁部の上方の処理位置から基板の上方から外れた待機位置に移動する露光終了工程を含むことが好ましい。露光終了工程では、投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態で投光部が処理位置から待機位置に移動する。投光部が処理位置から外れると、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

（１４）
上述した発明において、投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態において、シャッターが開状態から閉状態に切り替わることによって投光部が光の出射を停止する露光終了工程を含むことが好ましい。露光終了工程では、投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態で、シャッターが開状態から閉状態に切り替わる。シャッターが閉状態に切り替わると、投光部は光の出射を停止し、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

（１５）
上述した発明において、投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態において、絞りの開度が零まで減少することによって投光部が光の出射を停止する露光終了工程を含むことが好ましい。露光終了工程では、投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態で、絞りの開度が零まで減少する。絞りの開度が零になると、投光部は光の出射を停止し、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、本発明によれば、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

さらに、本発明によれば、絞りの開度が零まで減少することによって露光処理が終了するので、露光処理が終了するときに露光終了点を照射する光の強度は比較的に小さい。よって、露光終了点が露光過多になることを一層抑制できる。

なお、本明細書は、次のような周縁露光装置および周縁露光方法に係る発明も開示している。

（１）上述した発明に係る周縁露光装置において、前記制御部は、前記シャッターが前記開状態であり、前記絞りの開度が所定値以上であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記待機位置から前記処理位置に動かすことによって、前記露光処理を開始させることが好ましい。

前記（１）に記載の発明によれば、シャッターが開状態であり、かつ、絞りの開度が所定値以上であるとき、投光部は光を出射する。投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態において投光部が処理位置に到達すると、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（２）上述した発明に係る周縁露光装置において、前記制御部は、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記絞りの開度が所定値以上であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記閉状態から前記開状態に切り替えることによって、前記露光処理を開始させることが好ましい。

前記（２）に記載の発明によれば、投光部が処理位置に位置しており、絞りの開度が所定値以上であり、かつ、基板が回転している状態においてシャッターが開状態に切り替わると、投光部は光を出射し始め、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板は回転している。露光開始点は、基板が回転している状態で露光される。よって、露光開始点が露光過多になることを抑制できる。

（３）上述した発明に係る周縁露光装置において、
前記制御部は、さらに、前記シャッターが前記開状態であり、前記絞りの開度が所定値以上であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記処理位置から前記待機位置に移動させることによって、前記露光処理を終了させることが好ましい。

前記（３）に記載の発明によれば、投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態で投光部が処理位置から外れると、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、露光終了点が露光過多になることを抑制できる。

（４）上述した発明に係る周縁露光装置において、前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記絞りの開度が所定値以上であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記開状態から前記閉状態に切り替えることによって、前記露光処理を終了させることが好ましい。

前記（４）に記載の発明によれば、投光部が処理位置に位置しており、絞りの開度が所定値以上であり、かつ、基板が回転している状態においてシャッターが閉状態に切り替わると、投光部は光の出射を停止し、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板は回転している。露光終了点は、基板が回転している状態で露光される。よって、露光終了点が露光過多になることも抑制できる。

（５）上述した発明に係る周縁露光装置において、前記制御部は、計測された時間が所定の処理時間に達すると、露光処理を終了させることが好ましい。

前記（５）に記載の発明によれば、露光処理を適切なタイミングで終了させることがきる。

（６）上述した発明において、前記露光処理を実行している間、前記保持部に保持される基板は回転し続けることが好ましい。

（７）上述した発明において、前記周縁露光方法は、さらに、前記露光開始工程を実行した後から前記露光終了工程を実行するまでの間、投光部が処理位置に位置し、かつ、基板が回転している状態で投光部が光を出射する露光処理工程を備えていることが好ましい。

前記（６）および前記（７）に記載の発明によれば、露光処理が始まってから終了するまでの間、基板は常に回転している。よって、基板の周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを好適に抑制できる。

（８）上述した発明において、前記露光処理が始まってから前記露光処理が終了するまでの間、基板の回転速度は一定に保たれることが好ましい。

前記（８）に記載の発明によれば、露光開始点および露光終了点における処理条件が、露光開始点および露光終了点以外の基板の周縁部における処理条件と実質的に一致する。よって、基板の周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを一層抑制できる。

この発明に係る周縁露光装置および周縁露光方法によれば、露光開始点が露光過多になることを好適に抑制できる。

実施例１に係る周縁露光装置の模式的に示す図である。 投光部の位置を説明するための平面図である。 投光部の位置を説明するための側面図である。 周縁露光装置の制御系の構成を示すブロック図である。 実施例１に係る周縁露光装置の動作手順を示すフローチャートである。 比較例に係る周縁露光装置の動作手順を示すフローチャートである。 図７（ａ）は実施例１による露光範囲を模式的に例示する図であり、図７（ｂ）は比較例による露光範囲を模式的に例示する図である。 実施例２に係る周縁露光装置の動作手順を示すフローチャートである。 図９（ａ）は、実施例１による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に示す図であり、図９（ｂ）は、実施例２による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に示す図である。 実施例３に係る周縁露光装置１の動作手順を示すフローチャートである。 図１１（ａ）は、実施例２による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図であり、図１１（ｂ）は、実施例３による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図である。

図１は、実施例１に係る周縁露光装置の模式的に示す図である。周縁露光装置１は、基板Ｗの周縁部に対して露光処理を行う。ここで、「基板Ｗ」は、例えば、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、光磁気ディスク用の基板などである。

周縁露光装置１は、保持部３と軸部材４と回転機構５とを備える。保持部３は、１枚の基板Ｗを略水平姿勢で保持する。保持部３は、例えば、基板Ｗの下面中央を吸着することによって基板Ｗを保持する。軸部材４の軸心は、鉛直方向Ｚと略平行である。軸部材４の上端は保持部３の下部中央に連結されている。軸部材４の下端は回転機構５に連結されている。回転機構５は、例えば、モータである。回転機構５は、軸部材４をその軸心回りに回転させる。保持部３および保持部３に保持された基板Ｗは、軸部材４と一体に回転する。すなわち、回転機構５は、基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転軸ＲＡは、軸部材４の軸心と同軸である。基板Ｗの回転軸ＲＡは、基板Ｗの略中心を通る。

周縁露光装置１は、投光部７とライトガイド９と光源部１１とを備える。

投光部７は、露光用の光を出射する。露光用の光は、例えば、紫外線である。以下では、露光用の光を、単に「光」という。投光部７から出射された光は、鉛直方向Ｚの下向きに進む。投光部７は、例えば、不図示のマスクとレンズを備えている。

ライトガイド９の一端９ａは光源部１１に接続されている。ライトガイド９の他端は、投光部７と接続されている。ライトガイド９は、光源部１１から投光部７に光を送る。ライトガイド９は、例えば、光ファイバーである。

光源部１１は、光を発生する。光源部１１の詳細な構成について説明する。

光源部１１は、光源１２とリフレクタ１３とを備えている。光源１２は、光を発生する。光源１２は、例えば、水銀キセノンランプである。リフレクタ１３は、光源１２が発生した光の一部を反射する。光源１２およびリフレクタ１３は、ライトガイド９の一端９ａと向かいあうように配置されている。光源１２の光は、直接的に、または、リフレクタ１３を介して、一端９ａに入射する。図１では、光源１２から一端９ａまでの光の経路を、模式的に示す。一端９ａに入射した光は、ライトガイド９を通じて投光部７に伝送される。

光源部１１は、さらに、シャッター１４と開閉機構１５とシャッター用センサ１６とを備えている。

シャッター１４は、光を遮る部材である。シャッター１４は、光源１２と一端９ａとの間に配置されている。シャッター１４は、投光部７が光を出射することを禁止可能である。

開閉機構１５は、シャッター１４を開状態と閉状態との間で切り替える。開閉機構１５は、例えば、モータである。シャッター１４が開状態であるとき、シャッター１４は、光が一端９ａに入射することを許容する。シャッター１４が閉状態であるとき、シャッター１４は、光が一端９ａに入射することを禁止する。その結果、投光部７から光は出射されない。

シャッター用センサ１６は、シャッター１４が開状態であるか否かを検出する。シャッター用センサ１６は、例えば、開閉機構１５に取り付けられ、開閉機構１５の駆動量を検出するエンコーダである。開閉機構１５の駆動量によれば、シャッター１４が開状態であるか否かを好適に検出できる。

光源部１１は、さらに、絞り１７と調整機構１８と絞り用センサ１９とを備えている。

絞り１７は、光の通過を許容する開口（不図示）を有する。絞り１７は、光源１２と一端９ａとの間に配置されている。絞り１７は、投光部７から出射される光の量を調整可能である。

調整機構１８は、絞り１７の開度を調整する。開度は、開口の最大面積に対する開口の面積の割合である。調整機構１８は、例えば、モータである。調整機構１８が開度を変えると、開口の面積が変わり、絞り１７を通過する光の量が変わる。すなわち、調整機構１８は、投光部７から出射される光の量を調整できる。

調整機構１８が調整可能な開度の範囲は零（すなわち、０［％］）以上である。開度が零であるとき、光が絞り１７を透過することが禁止され、投光部７が光を出射することが禁止される。調整機構１８が調整可能な開度の範囲は、より好ましくは、１００［％］以下である。開度が１００［％］であるとき、開口の面積は最大面積である。調整機構１８は、さらに、開度をきめ細かく調整できる。例えば、調整機構１８は、少しずつ（小刻みに）開度を増減できる。

絞り用センサ１９は、絞り１７の開度を検出する。絞り用センサ１９は、例えば、調整機構１８に取り付けられ、調整機構１８の駆動量を検出するエンコーダである。調整機構１８の駆動量によれば、絞り１７の開度を好適に検出できる。

周縁露光装置１は、投光部７を移動させる移動機構２１を備えている。以下、移動機構２１の構成例を説明する。

移動機構２１は、固定台２２と可動台２３とアーム２４と第１移動機構２５と第２移動機構２６とを備える。固定台２２は、固定的に設置されている。固定台２２は、可動台２３を水平な第１方向Ｘに摺動可能に支持する。第１移動機構２５は、固定台２２に対して可動台２３を第１方向Ｘに移動させる。可動台２３は、アーム２４を水平な第２方向Ｙに摺動可能に支持する。第２方向Ｙは、第１方向Ｘと直交することが好ましい。第２移動機構２６は、可動台２３に対してアーム２４を第２方向Ｙに移動させる。アーム２４は、投光部７を、保持部３に保持される基板Ｗよりも高い位置で支持する。第１移動機構２５が可動台２３を移動させると、投光部７は可動台２３と一体に第１方向Ｘに移動する。第２移動機構２６がアーム２４を移動させると、投光部７はアーム２４と一体に第２方向Ｙに移動する。

図２は、投光部７の位置を説明するための平面図である。図３は、投光部７の位置を説明するための側面図である。投光部７は処理位置Ｐｔと原点Ｐｏとに移動可能である。図２、図３において、処理位置Ｐｔに位置する投光部７を実線で示し、原点Ｐｏに位置する投光部７を点線で示す。処理位置Ｐｔは、基板Ｗの周縁部の上方にあたる位置である。原点Ｐｏは、基板Ｗの上方から外れた位置である。実施例１では、処理位置Ｐｔは、原点Ｐｏを第２方向Ｙに平行移動した位置に相当する。原点Ｐｏの位置は、本発明における待機位置の例である。

実施例１では、原点Ｐｏの座標（ｘｏ、ｙｏ）と、原点Ｐｏに対する処理位置Ｐｔの変位量Δｙとが、予め規定されている。処理位置Ｐｔは、座標（ｘｏ、ｙｏ）と変位量Δｙとによって決まる。

図１を参照する。周縁露光装置１は、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しているか否かを検出するための投光部用センサ３１を備えている。実施例１では、投光部用センサ３１は、原点用センサ３３と変位量用センサ３７を含む。原点用センサ３３は、投光部７が原点Ｐｏに位置しているか否かを検出する。変位量用センサ３７は、第２方向Ｙにおける投光部７の移動量を検出する。

原点用センサ３３は、さらに、第１位置センサ３４と第２位置センサ３５を含む。第１位置センサ３４は、第１方向Ｘにおける投光部７の位置がＸ座標ｘｏであるか否かを検出する。第２位置センサ３５は、第２方向Ｙにおける投光部７の位置がＹ座標ｙｏであるか否かを検出する。

第１位置センサ３４と第２位置センサ３５の具体例を説明する。第１位置センサ３４は固定台２２に取り付けられ、第２位置センサ３５は可動台２３に取り付けられている。各位置センサ３４、３５は、例えば、透過型センサである。第１方向Ｘにおける投光部７の位置がＸ座標ｘｏであるとき、第１位置センサ３４は、可動台２３に取り付けられた第１突起部４１を検知する。第２方向Ｙにおける投光部７の位置がＹ座標ｙｏであるとき、第２位置センサ３５は、アーム２４に取り付けられた第２突起部４２を検知する。

変位量用センサ３７は、例えば、第２移動機構２６に取り付けられ、第２移動機構２６の駆動量を検出するエンコーダである。第２移動機構２６の駆動量によれば、第２方向Ｙにおける投光部７の移動量を好適に検出できる。

図４は、周縁露光装置１の制御系の構成を示すブロック図である。周縁露光装置１は、制御部４５を備える。制御部４５は、上述したシャッター用センサ１６、絞り用センサ１９および投光部用センサ３１と接続されている。各センサ１６、１９、３１の検出結果（例えば、検出信号）は、制御部４５に入力される。

また、制御部４５は、露光処理の条件を規定する情報（「処理レシピ」などと呼ばれる）を予め記憶している。条件情報は、処理時間と絞り１７の開度に関する所定値と変位量Δｙとを含む。絞り１７の開度に関する所定値は、例えば、１００［％］である。

さらに、制御部４５は、回転機構５、開閉機構１５、調整機構１８および移動機構２１（第１移動機構２５および第２移動機構２６）に接続されている。制御部４５は、各センサ１６、１９、３１の検出結果および処理レシピに基づいて、各機構５、１５、１８、２１を制御する。

次に、実施例１に係る周縁露光装置１の動作例について説明する。図５は、実施例１に係る周縁露光装置１の動作手順を示すフローチャートである。ここでは、シャッター１４は閉状態であり、絞り１７の開度は所定値であるものとして、動作説明を始める。

＜ステップＳ１＞ 投光部が原点に位置する
制御部４５は、原点用センサ３３の検出結果に基づいて移動機構２１を制御し、投光部７を原点Ｐｏに移動させる。

＜ステップＳ２＞ 基板が保持される
不図示の搬送機構が基板Ｗを保持部３に載置する。保持部３は基板Ｗを保持する。基板Ｗ上には、既にレジスト膜が形成されている。不図示の搬送機構は、周縁露光装置１の内部および外部のいずれに設けられていてもよい。

＜ステップＳ３＞ 基板が回転する
制御部４５は、回転機構５を制御し、基板Ｗを回転させ始める。
制御部４５は、基板Ｗを一定の回転速度で回転させる。基板Ｗの回転速度は、基板Ｗを静止させるとき（ステップＳ１１）まで一定に保たれる。基板Ｗの回転速度は、例えば、１秒当たり２周である。言い換えれば、基板Ｗは、例えば、１回転あたり０．５秒で回転する。

＜ステップＳ４＞ シャッターを開く
制御部４５は、開閉機構１５を制御して、シャッター１４を閉状態から開状態に切り替える。より厳密には、制御部４５は、シャッター１４を開状態に切り替えるような制御を実行する。

＜ステップＳ５＞ シャッターが開いたか？
制御部４５は、シャッター用センサ１６の検出結果に基づいて、シャッター１４が実際に開状態に切り替わったか否かを判断する。その結果、シャッター１４が開状態に切り替わったと判断された場合には、ステップＳ６に進む。そうでない場合は、ステップＳ４に戻る。

シャッター１４が実際に開状態に切り替わると、投光部７は光を出射し始める。ただし、投光部７は原点Ｐｏに位置しているので、投光部７の光は基板Ｗを照射しない。

＜ステップＳ６＞ 投光部７が処理位置に向かって動く
制御部４５は、移動機構２１を制御して、投光部７を原点Ｐｏから処理位置Ｐｔに向かって動かす。

＜ステップＳ７＞ 投光部７が処理位置に到達したか？
制御部４５は、変位量用センサ３７の検出結果に基づいて、投光部７が処理位置Ｐｔに到達したか否かを判断する。より詳しくは、制御部４５は、変位量用センサ３７の検出結果に基づいて第２方向Ｙにおける投光部７の移動量を特定し、第２方向Ｙにおける投光部７の移動量が変位量Δｙに達したか否かを判断する。その結果、第２方向Ｙにおける投光部７の移動量が変位量Δｙに達したと判断された場合には、制御部４５は投光部７が処理位置Ｐｔに到達したと判断し、ステップＳ８に進む。そうでない場合には、ステップＳ６に戻る。

投光部７が処理位置Ｐｔに到達すると、投光部７の光が基板Ｗの周縁部を照射し始める。すなわち、基板Ｗに対する露光処理が始まる。露光処理によって、基板Ｗ上に形成されているレジスト膜が露光される。ステップＳ６、Ｓ７は、本発明における露光開始工程の例である。

＜ステップＳ８＞ 時間を計測する
制御部４５は、投光部７が処理位置Ｐｔに到達したと判断された時刻から経過する時間を計測する。以下では、計測される時間を適宜に「計測時間」と呼ぶ。

＜ステップＳ９＞ 処理時間が経過したか？
制御部４５は、計測時間が所定の処理時間に達したか否かを判断する。その結果、計測時間が処理時間に達したと判断された場合には、ステップＳ１０に進む。そうでない場合には、ステップＳ８に戻る。処理時間は、例えば、基板Ｗが１０周、回転するのに要する時間である。処理時間は、例えば５秒である。ステップＳ８、Ｓ９は、本発明における露光処理工程の例である。

＜ステップＳ１０＞ 投光部７が原点に移動する
制御部４５は、移動機構２１を制御して、投光部７を処理位置Ｐｔから原点Ｐｏに移動させる。投光部７が処理位置Ｐｔから外れたとき（離れたとき）、露光処理が終了する。ステップＳ１０は、本発明における露光終了工程の例である。

＜ステップＳ１１＞ 基板が静止する
制御部４５は、回転機構５を制御し、基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗは静止する。

＜ステップＳ１２＞ シャッターが閉じる
制御部４５は、開閉機構１５を制御して、シャッター１４を開状態から閉状態に切り替える。

上述した実施例１によれば、以下の効果を奏する。

ステップＳ６では、投光部７が光を出射しており、かつ、基板Ｗが回転している状態で投光部７が処理位置Ｐｔに向かって動く。より厳密には、シャッター１４が開状態であり、絞り１７の開度が所定値であり、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態において投光部７が処理位置Ｐｔに向かって動く。そして、投光部７が処理位置Ｐｔに到達すると、露光処理が始まる（ステップＳ７）。露光処理が始まるとき、基板Ｗは回転している。最初に露光される基板Ｗの部位を「露光開始点」とすると、露光開始点は基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光開始点が露光過多になることを好適に抑制できる。

また、ステップＳ１０では、投光部７が光を出射しており、かつ、基板Ｗが回転している状態で投光部７が処理位置Ｐｔから原点Ｐｏに移動する。より厳密には、シャッター１４が開状態であり、絞り１７の開度が所定値であり、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態において投光部７が処理位置Ｐｔから原点Ｐｏに移動する。ここで、投光部７が処理位置Ｐｔから外れると、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板Ｗは回転している。最後に露光される基板Ｗの部位を「露光終了点」とすると、露光終了点は、基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光終了点が露光過多になることを好適に抑制できる。

ここで、上述した効果を具体的に説明するために、実施例１を比較例と対比する。比較例では、露光処理が始まるとき、基板Ｗは回転していない。また、比較例では、露光処理が終了するとき、基板Ｗは回転していない。

このような比較例の動作を例示する。図６は、比較例に係る周縁露光装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。

投光部は原点に位置する（ステップＴ１）。基板Ｗが保持される（ステップＴ２）。

投光部が処理位置に移動する（ステップＴ４、Ｔ５）。シャッターが開く（ステップＴ５、Ｔ６）。これにより、基板Ｗの周縁部に対する露光処理が始まる。このように、比較例では、露光処理が始まるとき、基板Ｗが静止している。

その後、基板Ｗが回転し始める（ステップＴ７）。基板Ｗは、例えば、１回転当たり３．２秒で回転する。基板Ｗの回転量が所定値に達するまで、基板Ｗを回転させる（ステップＴ８、Ｔ９）。所定値は、例えば、３６０度、または、３６０度より僅かに小さい値である。

基板Ｗの回転量が所定値に達すると、基板Ｗが静止する（ステップＴ１０）。その後、投光部が原点に移動する（ステップＴ１１）。投光部７が処理位置から外れたとき、露光処理が終了する。このように、比較例では、露光処理が終了するとき、基板Ｗが静止している。また、露光処理の間に基板Ｗは２周以上回転しない。

最後に、シャッターが閉じる（ステップＴ１２）。

図７（ａ）は実施例１による露光範囲を模式的に例示する図であり、図７（ｂ）は比較例による露光範囲を模式的に例示する図である。図７（ａ）、７（ｂ）はそれぞれ、基板Ｗの平面図において露光された範囲をハッチングで示す。

比較例の場合、露光処理が始まるときに基板Ｗが回転していないので、露光開始点Ｑｓが露光過多になる。また、露光処理が終了するときに基板Ｗが回転していないので、露光終了点Ｑｆが露光過多になる。その結果、図７（ｂ）に示すように、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆでは、露光された範囲が膨らむ。言い換えれば、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆでは、不要な領域が露光される。

実施例１の場合、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆが露光過多になることが好適に抑制されている。その結果、図７（ａ）に示すように、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆでは、露光された範囲が膨らまない。言い換えれば、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆでは、不要な領域が露光されない。

なお、図７では、便宜上、実施例１における露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆを、比較例におけるそれらと同じ位置に図示した。ただし、実施例１の場合、露光開始点Ｑｓと露光終了点Ｑｆとの相対的な位置は、基板Ｗの回転速度と処理時間とによって決まる。比較例の場合、露光開始点Ｑｓと露光終了点Ｑｆとの相対的な位置は、基板Ｗの回転量に関する所定値によって決まる。

実施例１のその他の効果を説明する。
露光処理が始まってから終了するまでの間、基板Ｗは回転し続けている。よって、基板Ｗの周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを好適に抑制できる。

特に、露光処理が始まってから終了するまでの間、基板Ｗの回転速度は一定に保たれている。よって、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆにおける処理条件が、露光開始点Ｑｓおよび露光終了点Ｑｆ以外の基板Ｗの周縁部における処理条件と実質的に一致する。よって、基板Ｗの周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを一層抑制できる。

周縁露光装置１は投光部用センサ３１を備えている。よって、制御部４５は、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しているか否かを好適に特定できる。

特に、制御部４５が露光処理を開始させるとき、制御部４５は投光部用センサ３１の検出結果に基づいて投光部７が処理位置Ｐｔに到達したか否かを判断する（ステップＳ７）。これにより、制御部４５は露光処理が始まった時刻を精度良く推定できる。

制御部４５は、露光処理が始まった時刻から経過する時間を計測する（ステップＳ８）。これにより、制御部４５は、露光処理を施す時間を好適に管理できる。

制御部４５は、露光処理が始まった時刻から所定時間が経過すると、露光処理を終了させる（ステップＳ１０）。これにより、露光処理を適切なタイミングで終了させることができる。

露光処理時における基板Ｗの回転速度は、１秒当たり２周以上であり、比較的に速い。よって、投光部７が出射する光の強度を増大させた場合であっても、基板Ｗの周縁部を適切に露光できる。すなわち、露光処理の品質を保ちつつ、露光処理のスループットを向上させることができる。

制御部４５が時間を計測し始めたときから処理時間が経過するまでの間に、基板Ｗは１０周、回転する。よって、基板Ｗの周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを一層抑制できる。

周縁露光装置１は、シャッター用センサ１６を備えている。よって、制御部４５は、シャッター１４が開状態であるか否かを好適に特定できる。

周縁露光装置１は、絞り用センサ１９を備えている。よって、制御部４５は、絞り１７の開度を好適に特定できる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。実施例２に係る周縁露光装置１の構造は、基本的に実施例１と同等である。よって、実施例２の構造に関する説明を省略し、実施例２に係る動作例のみを説明する。以下の説明では、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで、詳細な説明を省略する。

図８は、実施例２に係る周縁露光装置１の動作手順を示すフローチャートである。実施例２の動作手順は、実施例１の各ステップの順番を入れ換えたものである。このため、以下では、適宜に簡略に説明する。シャッター１４は閉状態であり、絞り１７の開度は１００［％］であるものとして、動作説明を始める。

投光部７が原点に位置する（ステップＳ２１）。基板Ｗが保持部３に保持される（ステップＳ２２）。基板Ｗが回転する（ステップＳ２３）。続いて、投光部７が原点Ｐｏから処理位置Ｐｔに移動する（ステップＳ２４、Ｓ２５）。

その後、制御部４５は開閉機構１５を制御して、シャッター１４を閉状態から開状態に切り替える（ステップＳ２６）。その際、制御部４５は、シャッター用センサ１６の検出結果に基づいて、シャッター１４が実際に開状態に切り替わったか否かを判断する（ステップＳ２７）。その結果、シャッター１４が開状態に切り替わったと判断された場合には、ステップＳ２８に進む。そうでない場合は、ステップＳ２６に戻る。

シャッター１４が開状態に切り替わると、投光部７が光を出射し始め、基板Ｗの周縁部を照射し始める。すなわち、露光処理が始まる。ステップＳ２６、Ｓ２７は、本発明における露光開始工程の例である。

制御部４５は、シャッター１４が開状態に切り替わったと判断された時刻から時間を計測する（ステップＳ２８）。そして、シャッター１４が開状態に切り替わったと判断された時刻から処理時間が経過するまで、露光処理を継続する（ステップＳ２９）。ステップＳ２８、Ｓ２９は、本発明における露光処理工程の例である。

処理時間が経過すると、シャッター１４が閉状態に切り替わる（ステップＳ３０）。これにより、露光処理が終了する。ステップＳ３０は、本発明における露光終了工程の例である。

続いて、基板Ｗの回転が停止する（ステップＳ３１）。その後、投光部７が処理位置Ｐｔから原点Ｐｏに移動する（ステップＳ３２）。

上述した実施例２によれば、基本的に実施例１と同様な効果を奏する。以下では、実施例２の主たる効果を説明する。

ステップＳ２６では、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、かつ、基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が閉状態から開状態に切り替わる。より厳密には、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、絞り１７の開度が所定値であり、かつ、基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が閉状態から開状態に切り替わる。シャッター１４が開状態に切り替わると、露光処理が始まる（ステップＳ２７）。露光処理が始まるとき、基板Ｗは回転している。露光開始点Ｑｓは基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光開始点Ｑｓが露光過多になることを好適に抑制できる。

また、ステップＳ３０では、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、かつ、基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が開状態から閉状態に切り替わる。より厳密には、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、絞り１７の開度が所定値であり、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が開状態から閉状態に切り替わる。シャッター１４が閉状態に切り替わると、露光処理が終了する。露光処理が終了するとき、基板Ｗは回転している。露光終了点Ｑｆは、基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光終了点Ｑｆが露光過多になることを好適に抑制できる。

制御部４５が露光処理を開始させるとき、制御部４５はシャッター用センサ１６の検出結果に基づいてシャッター１４が開状態に切り替わったか否かを判断する（ステップＳ２７）。これにより、制御部４５は露光処理が始まった時刻を精度良く推定できる。

さらに、実施例２では、投光部７が処理位置Ｐｔに位置している状態で露光処理が始まる。その結果、露光処理の最初から正規の幅で基板Ｗを露光できる。よって、露光開始点Ｑｓを一層適切に露光できる。ちなみに、実施例１では、投光部７が処理位置Ｐｔに移動することによって露光処理が始まるので、露光処理の最初から正規の幅で基板Ｗを露光することが困難である。

図９を参照する。図９（ａ）は、実施例１による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図であり、図９（ｂ）は、実施例２による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図である。図９（ａ）、（ｂ）では、露光処理が始まった時から基板Ｗが角度θ３だけ回転する時までの間に露光された範囲をハッチングで示す。

実施例１の場合、図９（ａ）に示すように、露光が始まった時から基板Ｗが角度θ２だけ回転する時まで、正規の幅で露光できない。図９（ａ）では、基板Ｗの回転量が角度θ１である時における露光幅ｄｆと、基板Ｗの回転量が角度θ３である時における露光幅Ｄを示す。幅は、図示のとおり、基板Ｗの半径方向における距離である。露光幅Ｄは正規の幅であり、この露光幅Ｄよりも露光幅ｄｆは小さい。なお、その後、露光処理が終了するまでに基板Ｗは２周以上回転するので、露光処理が始まった直後における露光量のばらつきは、好適に軽減される。

実施例２の場合、図９（ｂ）に示すように、露光が始まった時から正規の幅で露光できる。図９（ｂ）では、露光が始まった時における露光幅ＤＦと、基板Ｗの回転量が角度θ３である時における露光幅Ｄを示す。露光幅Ｄは正規の幅である。露光幅ＤＦは、この露光幅Ｄと実質的に等しい。よって、露光開始点Ｑｓを一層適切に露光できる。

投光部７が処理位置Ｐｔに位置している状態で露光処理が終了する。その結果、露光処理が終了する時まで正規の幅で基板Ｗを露光できる。よって、露光終了点Ｑｆを一層適切に露光できる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例３を説明する。実施例３に係る周縁露光装置１の構造は、基本的に実施例１と同等である。よって、実施例３の構造に関する説明を省略し、実施例３に係る動作例のみを説明する。以下の説明では、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで、詳細な説明を省略する。

図１０は、実施例３に係る周縁露光装置１の動作手順を示すフローチャートである。シャッター１４は閉状態であるものとして、動作説明を始める。

投光部７が原点に位置する（ステップＳ４１）。基板Ｗが保持部３に保持される（ステップＳ４２）。制御部４５は、調整機構１８を制御して、絞り１７の開度を零（すなわち、０［％］）に調整する（ステップＳ４３）。基板Ｗが回転する（ステップＳ４４）。続いて、投光部７が原点Ｐｏから処理位置Ｐｔに移動する（ステップＳ４５、Ｓ４６）。シャッター１４が開状態に切り替わる（ステップＳ４７、Ｓ４８）。

制御部４５は、調整機構１８を制御して、絞り１７の開度を零から増大させる（ステップＳ４９）。絞り１７の開度が零より大きくなると、投光部７は光を出射し始め、基板Ｗの周縁部を照射し始める。すなわち、露光処理が始まる。

ここで、絞り１７の開度は、少しずつ増大することが好ましい。言い換えれば、絞り１７の開度は、徐々に増大することが好ましい。たとえば、制御部４５は、絞り１７の開度を１［％］ずつ増大させることが好ましい。

また、絞り１７の開度が、時間的に緩やかに増大することが好ましい。例えば、制御部４５は、１秒当たり１００［％］の割合で絞り１７の開度を増大させることが好ましい。あるいは、制御部４５は、基板Ｗが１回転するごとに５０［％］ずつ、絞り１７の開度を増大させることが好ましい。

制御部４５は、絞り用センサ１９の検出結果に基づいて、絞り１７の開度が所定値に達したか否かを判断する（ステップＳ５０）。その結果、絞り１７の開度が所定値に達したと判断された場合には、ステップＳ５１に進む。そうでない場合には、ステップＳ４９に戻る。ステップＳ４９、Ｓ５０は、本発明における露光開始工程の例である。

制御部４５は、絞り１７の開度が所定値に達したと判断された時刻から時間を計測する（ステップＳ５１）。そして、絞り１７の開度が所定値に達したと判断された時刻から処理時間が経過するまで、絞り１７の開度が所定値である状態で露光処理を継続する（ステップＳ５２）。ステップＳ５１、Ｓ５２は、本発明における露光処理工程の例である。

処理時間が経過すると、制御部４５は調整機構１８を制御して、絞り１７の開度を減少させる（ステップＳ５３）。

ここで、絞り１７の開度は、少しずつ減少することが好ましい。たとえば、制御部４５は、絞り１７の開度を１［％］ずつ減少させることが好ましい。

また、絞り１７の開度が、時間的に緩やかに減少することが好ましい。例えば、制御部４５は、１秒当たり１００［％］の割合で絞り１７の開度を減少させることが好ましい。あるいは、制御部４５は、基板Ｗが１回転するごとに５０［％］ずつ、絞り１７の開度を減少させることが好ましい。

制御部４５は、絞り用センサ１９の検出結果に基づいて、絞り１７の開度が零まで減少したか否かを判断する（ステップＳ５４）。その結果、絞り１７の開度が零まで減少したと判断された場合には、ステップＳ５５に進む。そうでない場合には、ステップＳ５３に戻る。絞り１７の開度が零まで減少すると、投光部７は光を出射しなくなり、露光処理が終了する。ステップＳ５３、Ｓ５４は、本発明における露光終了工程の例である。

続いて、シャッター１４が閉状態に切り替わる（ステップＳ５５）。基板Ｗの回転が停止する（ステップＳ５６）。その後、投光部７が処理位置Ｐｔから原点Ｐｏに移動する（ステップＳ５７）。

上述した実施例３によれば、基本的に実施例１と同様な効果を奏する。以下では、実施例３の主たる効果を説明する。

ステップＳ４９では、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、シャッター１４が開状態であり、かつ、基板Ｗが回転している状態において絞り１７の開度が零より大きくなると、露光処理が始まる。露光処理が始まるとき、基板Ｗは回転している。露光開始点Ｑｓは基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光開始点Ｑｓが露光過多になることを好適に抑制できる。

投光部７が処理位置Ｐｔに位置している状態で露光処理が始まる。その結果、露光処理が始まる時から正規の幅で基板Ｗを露光でき、露光開始点Ｑｓを一層適切に露光できる。

また、絞り１７の開度が零より大きくなることによって露光処理が始まるので、露光処理が始まるときに投光部７が出射する光の強度は、比較的に小さい。よって、露光開始点Ｑｓが露光過多になることを一層抑制できる。

さらに、絞り１７の開度が少しずつ増大する場合、露光開始点Ｑｓと露光開始点Ｑｓに隣接する基板Ｗの周縁部との間で露光量が急激に変化することを抑制できる。

図１１を参照する。図１１（ａ）は、実施例２による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図であり、図１１（ｂ）は、実施例３による露光処理が始まった直後の露光範囲を模式的に例示する図である。図１１（ａ）、（ｂ）では、露光処理が始まった時から基板Ｗが角度θｃだけ回転する時までの間に基板Ｗに対して露光処理が施された範囲をハッチングで示す。

図１１（ａ）に示すように、実施例２では、露光処理が始まった時から、絞り１７の開度は所定値Ａｃのままである。図１１（ｂ）に示すように、実施例３では、露光処理が始まった時から、絞り１７の開度が、少しずつ増大する。図１１（ｂ）の例では、露光処理が始まった時から基板Ｗの回転量が角度θａである時までは、絞り１７の開度はＡａである。基板Ｗの回転量が角度θａから角度θｂまでの期間では、絞り１７の開度はＡｂである。基板Ｗの回転量が角度θｂから角度θｃである期間では、絞り１７の開度はＡｃである。ここで、開度Ａｂは開度Ａｃより小さく、開度Ａｃは開度Ａｂより小さい。その結果、実施例３における露光開始点Ｑｓにおける露光量は、実施例２における露光開始点Ｑｓの露光量より小さい。

露光開始点Ｑｓと、露光開始点Ｑｓに隣接する基板Ｗの周縁部Ｑｊとの間における露光量の差（以下、適宜に「露光量の差」と略記する）に注目する。そうすると、実施例２に比べて実施例３では、露光量の差が小さい。このように、実施例３によれば、露光開始点Ｑｓと、露光開始点Ｑｓに隣接する基板Ｗの周縁部Ｑｊとの間で露光量が急激に変化することを抑制できる。よって、露光開始点Ｑｓの近傍を一層適切に露光できる。

なお、実施例２の場合、露光処理が終了するまでに基板Ｗは２周以上回転するので、露光処理が始まった直後に露光開始点Ｑｓの近傍に生じる露光量のばらつきは、好適に軽減される。

投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、シャッター１４が開状態であり、かつ、基板Ｗが回転している状態において絞り１７の開度が零まで減少すると、露光処理が終了する（ステップＳ５３、Ｓ５４）。露光処理が終了するとき、基板Ｗは回転している。露光終了点Ｑｆは、基板Ｗが回転している状態で露光される。よって、露光終了点Ｑｆが露光過多になることを好適に抑制できる。

また、絞り１７の開度が零まで減少することによって露光処理が終了するので、露光処理が終了するときに投光部７が出射する光の強度は、比較的に小さい。よって、露光終了点Ｑｆが露光過多になることを一層抑制できる。

さらに、絞り１７の開度が少しずつ減少する場合、露光終了点Ｑｓと露光終了点Ｑｆに隣接する基板Ｗの周縁部との間で露光量が急激に変化することを抑制できる。

露光処理が行われている間（ステップＳ５１、Ｓ５２）、保持部３に保持される基板Ｗは回転している。よって、基板Ｗの周縁部の全体にわたって露光量がばらつくことを好適に抑制できる。

制御部４５が露光処理を開始させるとき、制御部４５は絞り用センサ１９の検出結果に基づいて絞り１７の開度が所定値まで増大したか否かを判断する（ステップＳ５０）。これにより、制御部４５は絞り１７の開度が所定値まで増大した時刻を精度良く推定できる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例１では、周縁露光装置１は絞り１７を備えていたが、これに限られない。すなわち、周縁露光装置１は絞り１７を備えていなくてもよい。この場合、調整機構１８および絞り用センサ１９を省略してもよい。

この変形実施例の場合、シャッター１４が開状態であり、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態において投光部７が処理位置Ｐｔに移動することによって、露光処理が始まる。このように、変形実施例によっても、露光開始点Ｑｓが露光過多になることを好適に抑制できる。

また、シャッター１４が開状態であり、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態において投光部７が処理位置Ｐｔから外れることによって、露光処理が終了する。このように、変形実施例によっても、露光終了点Ｑｆが露光過多になることを好適に抑制できる。

（２）上述した実施例２では、周縁露光装置１は絞り１７を備えていたが、これに限られない。すなわち、周縁露光装置１は絞り１７を備えていなくてもよい。この場合、調整機構１８および絞り用センサ１９を省略してもよい。

この変形実施例の場合、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、かつ、基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が開状態に切り替わることによって、露光処理が始まる。このように、変形実施例によっても、露光開始点Ｑｓが露光過多になることを好適に抑制できる。

また、投光部７が処理位置Ｐｔに位置しており、かつ、保持部３に保持された基板Ｗが回転している状態においてシャッター１４が閉状態に切り替わることによって、露光処理が終了する。このように、変形実施例によっても、露光終了点Ｑｆが露光過多になることを好適に抑制できる。

（３）上述した各実施例１−３によって、３種類の露光開始工程と、３種類の露光終了工程を例示した。ここで、いずれかの実施例における露光開始工程と他の実施例における露光終了工程とを組み合わせてもよい。例えば、実施例１における露光開始工程と実施例２における露光終了工程とを組み合わせてもよいし、実施例１における露光開始工程と実施例３における露光終了工程とを組み合わせてもよい。

（４）上述した各実施例１−３では、絞り１７の開度に関する所定値として、１００［％］を例示したが、これに限られない。例えば、所定値は、調整機構１８が調整可能な開度の最大値であってもよい。あるいは、所定値は、０［％］より大きく、１００［％］より小さな値であってもよい。

（５）上述した実施例３では、ステップＳ５０において、絞り１７の開度が所定値に達したと判断されると、ステップＳ４９に戻らなかった（すなわち、絞り１７の開度を更に増大させなかった）が、これに限られない。例えば、ステップＳ５０において、絞り１７の開度が所定値に達したと判断された後も、絞り１７の開度をさらに増大させてもよい。

例えば、絞り１７の開度が第１所定値に達したと判断されると、制御部４５は、時間を計測するとともに、絞り１７の開度を更に第１所定値よりも高い第２所定値まで増大させてもよい。

（６）上述した各実施例１−３は、原点Ｐｏと処理位置Ｐｔとの相対的な位置関係を具体的に例示したが、これに限られない。原点Ｐｏと処理位置Ｐｔとの相対的な位置関係は、適宜に変更することができる。

（７）上述した各実施例１−３では、基板Ｗの回転速度の具体的な値を例示したが、これに限られない。例えば、基板Ｗは、例えば、１秒当たり２周以上で回転してもよい。

（８）上述した各実施例１−３では、処理時間の具体的な値を例示したが、これに限られない。例えば、処理時間は、基板Ｗが２周以上、回転するのに要する時間であってもよい。

（９）上述した各実施例１−３では、移動機構２１はシャッター１４および絞り１７を移動させなかったが、これに限られない。すなわち、移動機構２１は、シャッター１４および絞り１７の少なくともいずれかと、投光部７とを移動させてもよい。

（１０）上述した各実施例１−３および上記（１）から（９）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の実施例の構成または他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 周縁露光装置
３ … 保持部
５ … 回転機構
７ … 投光部
１４ … シャッター
１５ … 開閉機構
１６ … シャッター用センサ
１７ … 絞り
１８ … 調整機構
１９ … 絞り用センサ
２１ … 移動機構
３１ … 投光部用センサ
Ｐｔ … 処理位置
Ｐｏ … 原点（待機位置）
Ｑｓ … 露光開始点
Ｑｆ … 露光終了点
Ｗ … 基板

Claims (15)

1. 周縁露光装置であって、
   基板を保持する保持部と、
   前記保持部を回転させる回転機構と、
   光を出射する投光部と、
   前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、
   前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、
   前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、
   前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記待機位置から前記処理位置に移動させることによって、前記露光処理を開始させる
   周縁露光装置。
2. 請求項１に記載の周縁露光装置において、
   前記周縁露光装置は、前記投光部が前記処理位置に位置しているか否かを検出するための投光部用センサを備え、
   前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記投光部用センサの検出結果に基づいて前記投光部が前記処理位置に到達したか否かを判断し、
   前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に到達したと判断された時刻から経過する時間を計測する
   周縁露光装置。
3. 周縁露光装置であって、
   基板を保持する保持部と、
   前記保持部を回転させる回転機構と、
   光を出射する投光部と、
   前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、
   前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、
   前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、
   前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記投光部が前記処理位置に位置しており、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記閉状態から前記開状態に切り替えることによって、前記露光処理を開始させる
   周縁露光装置。
4. 請求項３に記載の周縁露光装置において、
   前記周縁露光装置は、前記シャッターが前記開状態であるか否かを検出するためのシャッター用センサを備え、
   前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記シャッター用センサの検出結果に基づいて前記シャッターが前記開状態に切り替わったか否かを判断し、
   前記制御部は、さらに、前記シャッターが前記開状態に切り替わったと判断された時刻から経過する時間を計測する
   周縁露光装置。
5. 周縁露光装置であって、
   基板を保持する保持部と、
   前記保持部を回転させる回転機構と、
   光を出射する投光部と、
   前記保持部に保持された基板の上方から外れた待機位置と前記保持部に保持された基板の周縁部の上方の処理位置との間にわたって前記投光部を移動させる移動機構と、
   前記投光部が光を出射することを禁止可能なシャッターと、
   前記シャッターを閉状態と開状態との間で切り替える開閉機構と、
   前記投光部から出射される光の量を調整可能な絞りと、
   前記絞りの開度を調整する調整機構と、
   前記回転機構と前記移動機構と前記開閉機構と前記調整機構とを制御して基板の周縁部に対する露光処理を実行させる制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記絞りの開度を零から増大させることによって、前記露光処理を開始させる
   周縁露光装置。
6. 請求項５に記載の周縁露光装置において、
   前記周縁露光装置は、前記絞りの開度を検出するための絞り用センサを備え、
   前記制御部が前記露光処理を開始させるとき、前記制御部は前記絞り用センサの検出結果に基づいて前記絞りの開度が所定値に達したか否かを判断し、
   前記制御部は、さらに、前記絞りの開度が所定値に達したと判断された時刻から経過する時間を計測する
   周縁露光装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の周縁露光装置において、
   前記制御部は、さらに、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記投光部を前記処理位置から前記待機位置に移動させることによって、前記露光処理を終了させる
   周縁露光装置。
8. 請求項１から６のいずれかに記載の周縁露光装置において、
   前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に位置しており、かつ、前記保持部に保持された基板が回転している状態において前記シャッターを前記開状態から前記閉状態に切り替えることによって、前記露光処理を終了させる
   周縁露光装置。
9. 請求項５または６のいずれかに記載の周縁露光装置において、
   前記制御部は、さらに、前記投光部が前記処理位置に位置しており、前記シャッターが前記開状態であり、かつ、前記保持部に保持された基板が回転しているときに、前記絞りの開度を零まで減少させることによって、前記露光処理を終了させる
   周縁露光装置。
10. 周縁露光方法であって、
    シャッターが開状態であることによって投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態において、投光部が基板の上方から外れた待機位置から基板の周縁部の上方の処理位置に移動する露光開始工程を含む
    周縁露光方法。
11. 周縁露光方法であって、
    投光部が基板の周縁部の上方の処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態において、シャッターが閉状態から開状態に切り替わることによって前記投光部が光を出射し始める露光開始工程を含む
    周縁露光方法。
12. 周縁露光方法であって、
    投光部が基板の周縁部の上方の処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態において、絞りの開度が零から増大することによって投光部が光を出射し始める露光開始工程を含む
    周縁露光方法。
13. 請求項１０から１２のいずれかに記載の周縁露光方法において、
    シャッターが開状態であることによって投光部が光を出射しており、かつ、基板が回転している状態において、投光部が基板の周縁部の上方の処理位置から基板の上方から外れた待機位置に移動する露光終了工程を含む
    周縁露光方法。
14. 請求項１０から１３のいずれかに記載の周縁露光方法において、
    投光部が処理位置に位置しており、かつ、基板が回転している状態において、シャッターが開状態から閉状態に切り替わることによって投光部が光の出射を停止する露光終了工程を含む
    周縁露光方法。
15. 請求項１２に記載の周縁露光方法において、
    投光部が処理位置に位置しており、シャッターが開状態であり、かつ、基板が回転している状態において、絞りの開度が零まで減少することによって投光部が光の出射を停止する露光終了工程を含む
    周縁露光方法。
    

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