JP2015230307A - 複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010979 ruby Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 230000001447 compensatory effect Effects 0.000 description 5
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G04—HOROLOGY
- G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00531—Dry etching
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- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
- G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
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- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00539—Wet etching
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- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
- G04B17/20—Compensation of mechanisms for stabilising frequency
- G04B17/22—Compensation of mechanisms for stabilising frequency for the effect of variations of temperature
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- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
【課題】可能な材料の範囲をケイ素と二酸化ケイ素との単なる組み合わせよりも大きく広げることができる、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１の材料製の第１のウェハ１を用意するステップと、温度によるヤング率の変動が、第１の材料の変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ３を用意するステップと、第１のウェハを少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材２を形成するステップと、基材２を貫通するようにパターン４をエッチングして、第１の厚さの第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を形成するステップとを有する。
【選択図】図３
【解決手段】第１の材料製の第１のウェハ１を用意するステップと、温度によるヤング率の変動が、第１の材料の変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ３を用意するステップと、第１のウェハを少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材２を形成するステップと、基材２を貫通するようにパターン４をエッチングして、第１の厚さの第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を形成するステップとを有する。
【選択図】図３
Description
本発明は、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法に関し、特にテンプと協働して熱補償型共振器、即ち周波数が温度変動に対して非感受性又は実質的に非感受性である共振器を形成するよう構成された、上述のようなヒゲゼンマイを製造するための方法に関する。
特許文献１は、スイス公式クロノメーター検査協会（ＣＯＳＣ）による基準の温度、即ち＋８〜−３８℃付近において熱係数を略０とするために二酸化ケイ素でコーティングされた、ケイ素で形成されたヒゲゼンマイを開示している。酸化ケイ素は一般にケイ素のコアを酸化することによって得られ、これにより補償性ヒゲゼンマイの工業的生産が可能となる。
一方、その他の材料の組み合わせも考えられるものの、これらは互いに対して固定するのが比較的困難であり、従って製造が比較的困難となる。
本発明の目的は、可能な材料の範囲をケイ素と二酸化ケイ素との単なる組み合わせよりも大きく広げることができる、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための代替的な方法を提案することによって、上述の欠点の全て又は一部を克服することである。
この目的のために、第１の実施形態によると、本発明は以下のステップを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法に関する：
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｃ）第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成するステップ；
ｄ）上記基材を貫通するようにパターンをエッチングして、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｃ）第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成するステップ；
ｄ）上記基材を貫通するようにパターンをエッチングして、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
更に第２の実施形態によると、本発明は以下のステップを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法に関する：
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｄ’）各ウェハを貫通するように同一のパターンをエッチングするステップ；
ｃ’）第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成し、上記同一のパターンを重ね合わせることによって、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｄ’）各ウェハを貫通するように同一のパターンをエッチングするステップ；
ｃ’）第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成し、上記同一のパターンを重ね合わせることによって、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
最後に第３の実施形態によると、本発明は以下のステップを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法に関する：
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｆ）各ウェハの厚さの一部のみに、同一のパターンをエッチングするステップ；
ｇ）上記同一のパターンを重ね合わせることによって、第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成するステップ；
ｆ’）上記同一のパターンを基材の残りの部分にエッチングして、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
ａ）第１の材料製の第１のウェハを用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動が、第１の材料の上記変動とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハを用意するステップ；
ｆ）各ウェハの厚さの一部のみに、同一のパターンをエッチングするステップ；
ｇ）上記同一のパターンを重ね合わせることによって、第１のウェハを上記少なくとも１つの第２のウェハに連結又は接合して基材を形成するステップ；
ｆ’）上記同一のパターンを基材の残りの部分にエッチングして、第１の厚さの上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さの上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを形成するステップ；
ｅ）複合体補償性ヒゲゼンマイを基材から取り外すステップ。
従って本発明によると有利には、複合体補償性ヒゲゼンマイを工業的に形成するために幅広い材料を使用できる。使用される材料に応じて上記３つの実施形態のうちの少なくとも１つを用いて、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイを製造できる。
本発明の他の有利な変形例によると：
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料はケイ素系材料であり、単結晶ケイ素、ドープされた単結晶ケイ素、多結晶ケイ素、ドープされた多結晶ケイ素、多孔性ケイ素、酸化ケイ素、石英、シリカ、窒化ケイ素又は炭化ケイ素を含み；
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料はセラミック系材料であり、光構造化性ガラス、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、石英ガラス、ゼロデュア（Ｚｅｒｏｄｕｒ）、単結晶コランダム、多結晶コランダム、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、単結晶ルビー、多結晶ルビー、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、窒化タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素又は炭化ホウ素を含み；
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料は金属系材料であり、鉄合金、銅合金、ニッケル若しくはその合金、チタン若しくはその合金、金若しくはその合金、銀若しくはその合金、白金若しくはその合金、ルテニウム若しくはその合金、ロジウム若しくはその合金、又はパラジウム若しくはその合金を含み；
−同一の基材上で複数の複合体補償性ヒゲゼンマイが形成される。
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料はケイ素系材料であり、単結晶ケイ素、ドープされた単結晶ケイ素、多結晶ケイ素、ドープされた多結晶ケイ素、多孔性ケイ素、酸化ケイ素、石英、シリカ、窒化ケイ素又は炭化ケイ素を含み；
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料はセラミック系材料であり、光構造化性ガラス、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、石英ガラス、ゼロデュア（Ｚｅｒｏｄｕｒ）、単結晶コランダム、多結晶コランダム、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、単結晶ルビー、多結晶ルビー、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、窒化タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素又は炭化ホウ素を含み；
−第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料は金属系材料であり、鉄合金、銅合金、ニッケル若しくはその合金、チタン若しくはその合金、金若しくはその合金、銀若しくはその合金、白金若しくはその合金、ルテニウム若しくはその合金、ロジウム若しくはその合金、又はパラジウム若しくはその合金を含み；
−同一の基材上で複数の複合体補償性ヒゲゼンマイが形成される。
他の特徴及び利点は、添付の図面を参照して非限定的な例示として提供される以下の説明から明らかになるであろう。
上述のように本発明は、ゼンマイ−テンプタイプの熱補償型共振器を形成するよう構成された複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法に関する。
定義として、共振器の相対周波数変動は以下の関係に従う。
ここで：
−Ａは、基準点に応じた定数（ｐｐｍ）であり；
−Ｔは測定温度（℃）であり；
−Ｔ0は基準温度（℃）であり；
−αは一次熱係数（ｐｐｍ・℃-1）であり；
−βは二次熱係数（ｐｐｍ・℃-2）であり；
−γは三次熱係数（ｐｐｍ・℃-3）である。
−Ｔは測定温度（℃）であり；
−Ｔ0は基準温度（℃）であり；
−αは一次熱係数（ｐｐｍ・℃-1）であり；
−βは二次熱係数（ｐｐｍ・℃-2）であり；
−γは三次熱係数（ｐｐｍ・℃-3）である。
更に、熱弾性係数（ｔｈｅｒｍｏ−ｅｌａｓｔｉｃ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：ＴＥＣ）は、温度による相対ヤング率変動を表す。熱係数、即ち温度に応じた共振器の周波数の相対変動は、共振器本体の熱弾性係数及び上記本体の膨張係数に左右される。更にこの熱係数は、ゼンマイ−テンプ式共振器のためのテンプ（これはフライホイールを形成する）に固有の係数も考慮する。タイムベース又は周波数ベースとして構成されたいずれの共振器の発振を維持しなければならないため、熱係数は、脱進機機構等の維持システムから何らかの寄与も含む。
従って最も重要なパラメータは熱弾性係数（ＴＥＣ）である。「ＣＴＥ」、即ち膨張係数に関連する熱膨張率と混同してはならない。
本発明の目的は、温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が逆の符号となっている少なくとも２つの連結又は接合された材料を含む、幅広い複合体補償性ヒゲゼンマイを製造できるようにすることである。
更に上記少なくとも２つの材料は、付着させるのが困難なこれら２つの材料の接合を促進するよう構成された中間材料も任意に含んでよい。従ってこの中間材料は、選択される接合技術に応じて、中間材料の連結接着力によって２つの材料を互いに付着させることを目的とする蝋接と同等のものであってよく、又は２つの材料を溶融させるために十分な高熱を生成するよう構成された層を形成してよい。当然のことながら、このような任意の中間材料を使用する場合、発振器の熱係数の全体的な補償のためにこの中間材料も考慮しなければならない。
図１〜３に示す本発明の第１の実施形態によると、この製造方法は、第１の材料製の第１のウェハ１を用意することを目的とした第１のステップａ）を含む。第２のステップｂ）は、温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が第１の材料の上記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ３を用意することを目的としている。
図２に示すように、第３のステップｃ）は、第１のウェハ１を上記少なくとも１つの第２のウェハ３に連結又は接合して基材２を形成することを目的としている。使用される材料に応じて、可能な接合方法は複数存在する。非限定的な例として、例えば欧州特許第１４３６８３０号において説明されているような、レーザを用いた電磁放射による表面のダイレクト溶接を挙げることができ、上記文献は参照により本説明に援用されるものとする。陽極接合、溶融接合、熱圧縮接合、リフロー接合、共晶接合、超音波接合又は超音波熱圧着の使用を想定することも完全に可能である。
第１の実施形態による方法は第４のステップｄ）へと続き、このステップｄ）は、上記基材を貫通するようにパターン４をエッチングして、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を形成することを目的としている。使用される材料に応じて、可能なエッチングは複数存在する。非限定的な例として、深掘り反応性イオンエッチング（ｄｅｅｐ ｒｅａｖｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＤＲＩＥ）、レーザエッチング又はプラズマエッチングを挙げることができる。化学エッチング等のウェットエッチングの使用を想定することも完全に可能である。最後に、樹脂のフォトリソグラフィと組み合わせた光構造化及びそれに続くドライエッチング又はウェットエッチングの使用を想定することも可能である。
最後に本方法は、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を基材から取り外すことを目的とした最終ステップｅ）を含む。本発明によると有利には、複合体補償性ヒゲゼンマイを工業的に形成するために幅広い材料を使用できる。図１１に示すように、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１は、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む。
図４〜６に示す本発明の第２の実施形態によると、この製造方法は、第１の材料の第１のウェハ１１を用意することを目的とした第１のステップａ）を含む。第２のステップｂ）は、温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が第１の材料の上記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ１３を用意することを目的としている。
図４、５に示すように、第３のステップｄ’）は、ウェハ１１、１３それぞれを貫通するように同一のパターン１４、１６をエッチングすることを目的としている。使用される材料に応じて、可能なエッチングは複数存在する。非限定的な例として、深掘り反応性イオンエッチング（ｄｅｅｐ ｒｅａｖｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＤＲＩＥ）、レーザエッチング又はプラズマエッチングを挙げることができる。化学エッチング等のウェットエッチングの使用を想定することも完全に可能である。最後に、樹脂のフォトリソグラフィと組み合わせた光構造化及びそれに続くドライエッチング又はウェットエッチングの使用を想定することも可能である。
第２の実施形態による方法は第４のステップｃ’）へと続き、このステップｃ’）は、第１のウェハ１１を上記少なくとも１つの第２のウェハ１３に連結又は接合して基材１２を形成し、上記同一のパターン１４、１６を重ね合わせることによって、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を形成することを目的としている。
使用される材料に応じて、可能な接合方法は複数存在する。非限定的な例として、例えば欧州特許第１４３６８３０号において説明されているような、レーザを用いた電磁放射による表面のダイレクト溶接を挙げることができ、上記文献は参照により本説明に援用されるものとする。陽極接合、溶融接合、熱圧縮接合、リフロー接合、共晶接合、超音波接合又は超音波熱圧着の使用を想定することも完全に可能である。
最後に本方法は、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を基材から取り外すことを目的とした最終ステップｅ）を含む。本発明によると有利には、複合体補償性ヒゲゼンマイを工業的に形成するために幅広い材料を使用できる。図１１に示すように、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１は、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む。
図７〜１０に示す本発明の第３の実施形態によると、この製造方法は、第１の材料の第１のウェハ２１を用意することを目的とした第１のステップａ）を含む。第２のステップｂ）は、温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が第１の材料の上記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ２３を用意することを目的としている。
図７、８に示すように、第３のステップｆ）は、各ウェハ２１、２３の厚さの一部のみに、同一のパターン２４、２６をエッチングすることを目的としている。非限定的な例として、深掘り反応性イオンエッチング（ｄｅｅｐ ｒｅａｖｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＤＲＩＥ）、レーザエッチング又はプラズマエッチングを挙げることができる。化学エッチング等のウェットエッチングの使用を想定することも完全に可能である。最後に、樹脂のフォトリソグラフィと組み合わせた光構造化及びそれに続くドライエッチング又はウェットエッチングの使用を想定することも可能である。
第３の実施形態による方法は第４のステップｇ）へと続き、このステップｇ）は、図９に示すように上記同一のパターンを重ね合わせることによって、第１のウェハ２１を上記少なくとも１つの第２のウェハ２３に連結又は接合して基材２２を形成することを目的としている。使用される材料に応じて、可能な接合方法は複数存在する。非限定的な例として、例えば欧州特許第１４３６８３０号において説明されているような、レーザを用いた電磁放射による表面のダイレクト溶接を挙げることができ、上記文献は本説明に援用できるものとする。陽極接合、溶融接合、熱圧縮接合、リフロー接合、共晶接合、超音波接合又は超音波熱圧着の使用を想定することも完全に可能である。
第３の実施形態による方法は第５のステップｆ’）へと続き、このステップｆ’）は、上記同一のパターン２４、２６を基材２２の残りの部分にエッチングして、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を形成することを目的としている。ステップｆ’）は、ステップｆ）に関して上述したものと同一の技術を用いて達成できる。
最後に本方法は、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を基材２２から取り外すことを目的とした最終ステップｅ）を含む。本発明によると有利には、複合体補償性ヒゲゼンマイを工業的に形成するために幅広い材料を使用できる。この第３の実施形態は特に、２つの本体を互いに対して組み付けるのが、これらの膨張値のために通常困難となる場合に有用となり得る。図１１に示すように、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１は、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む。
本発明によると有利には、使用される材料に応じて上記３つの実施形態のうちの少なくとも１つを用いて、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さＥ2の上記少なくとも１つの第２の材料とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を製造できる。また、同一の基材２、１２、２２上で複数の複合体補償性ヒゲゼンマイ３１を製造でき、各複合体補償性ヒゲゼンマイは同一のパターン４、１４、１６、２４、２６で又は別個のパターンで作製してよいことが分かる。
本発明によると好ましくは、第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料はケイ素系材料又はセラミック系材料である。従って、第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料がケイ素系材料である場合、これ／これらは好ましくは、単結晶ケイ素、ドープされた単結晶ケイ素、多結晶ケイ素、ドープされた多結晶ケイ素、多孔性ケイ素、酸化ケイ素、石英、シリカ、窒化ケイ素又は炭化ケイ素を含んでよい。
その一方で、第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料がセラミック系材料である場合、これ／これらは好ましくは、光構造化性ガラス、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、石英ガラス、ゼロデュア、単結晶コランダム、多結晶コランダム、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、単結晶ルビー、多結晶ルビー、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、窒化タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素又は炭化ホウ素を含んでよい。
最後に、第１の材料及び／又は上記少なくとも１つの第２の材料が金属系材料である場合、これ／これらは、１５Ｐ、２０ＡＰ若しくは３１６Ｌ鋼等の鉄合金、真鍮等の銅合金、洋銀等のニッケル合金、チタン若しくはその合金、金若しくはその合金、銀若しくはその合金、白金若しくはその合金、ルテニウム若しくはその合金、ロジウム若しくはその合金、又はパラジウム若しくはその合金を含んでよい。
図１２、１３に示す第１の実施形態の代替例によると、ステップｂ）は、同一の材料から又は複数の異なる材料から形成された、複数の第２のウェハ３、３’を形成することからなってよい。これらの図は２つのウェハを図示しているが、更に多数の第２のウェハを設けてよい。
従って第１の実施形態のこのような代替例では、ステップｃ）において、図１２に示すように３つの連結又は接合されたウェハ３、１、３’を用いた基材２’が得られることが分かる。続いて図１３に示すように、エッチングステップｄ）により、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、同一の材料から又は複数の異なる材料から形成された２つの第２の厚さＥ2、Ｅ’2とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ４１を形成できる。このような複合体補償性ヒゲゼンマイ４１を図１８に示す。
図１４〜１７に示す第２及び第３の実施形態の代替例によると、ステップｂ）は、同一の材料から又は複数の異なる材料から形成された、複数の第２のウェハ１３、１３’、２３、２３’を形成することからなってよい。これらの図は２つのウェハを図示しているが、更に多数の第２のウェハを設けてよい。
従って第２及び第３の実施形態のこのような代替例では、ステップｃ’）又はｇ）において、３つの連結又は接合されたウェハ１３、１１、１３’、２３、２１、２３’を用いた基材１２’、２２’が得られることが分かる。続いて図１３に示すように、エッチングステップｄ’）、ｆ）又はｆ’）により、第１の厚さＥ1の上記第１の材料と、同一の材料から又は複数の異なる材料から形成された２つの第２の厚さＥ2、Ｅ’2とを含む、複合体補償性ヒゲゼンマイ４１を形成できる。このような複合体補償性ヒゲゼンマイ４１を図１８に示す。
当然のことながら、本発明は図示した例に限定されるものではなく、当業者に明らかであろう様々な変形例及び修正例が可能である。特に共振器に関するその他の用途は、当業者であれば上述の教示から、多大な困難を被ることなく達成できる。例えば複合体補償性ヒゲゼンマイの代わりに、音叉、又はより一般にはＭＥＭＳ共振器を形成できる。
接着接合若しくは蝋接といった代替連結若しくは接合方法、及び／又は機械加工、ウォータージェット切断若しくはウォータージェット切断とレーザ切断との組み合わせといった代替エッチング方法の使用を想定することもできる。
１ 第１のウェハ
２、２’ 基材
３、３’ 第２のウェハ
４ パターン
１１ 第１のウェハ
１２、１２’ 基材
１３、１３’ 第２のウェハ
１４、１６、１６’ パターン
２１ 第１のウェハ
２２、２２’ 基材
２３、２３’ 第２のウェハ
２４、２６、２６’ パターン
３１、４１ 補償性ヒゲゼンマイ
Ｅ1 第１の厚さ
Ｅ2、Ｅ’2 第２の厚さ
ＴＥＣ 温度によるヤング率の変動
２、２’ 基材
３、３’ 第２のウェハ
４ パターン
１１ 第１のウェハ
１２、１２’ 基材
１３、１３’ 第２のウェハ
１４、１６、１６’ パターン
２１ 第１のウェハ
２２、２２’ 基材
２３、２３’ 第２のウェハ
２４、２６、２６’ パターン
３１、４１ 補償性ヒゲゼンマイ
Ｅ1 第１の厚さ
Ｅ2、Ｅ’2 第２の厚さ
ＴＥＣ 温度によるヤング率の変動
Claims (10)
- 複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を製造するための方法であって、
前記方法は、
ａ）第１の材料製の第１のウェハ（１）を用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が、前記第１の材料の前記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ（３、３’）を用意するステップ；
ｃ）前記第１のウェハ（１）を前記少なくとも１つの第２のウェハ（３、３’）に連結して基材（２、２’）を形成するステップ；
ｄ）前記基材（２、２’）を貫通するようにパターン（４）をエッチングして、第１の厚さ（Ｅ1）の前記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さ（Ｅ2、Ｅ’2）の前記少なくとも１つの第２の材料とを含む、前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を形成するステップ；
ｅ）前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を前記基材（２、２’）から取り外すステップ
を含む、方法。 - 複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を製造するための方法であって、
前記方法は、
ａ）第１の材料製の第１のウェハ（１１）を用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が、前記第１の材料の前記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ（１３、１３’）を用意するステップ；
ｄ’）各前記ウェハ（１３、１１、１３’）を貫通するように同一のパターン（１４、１６、１６’）をエッチングするステップ；
ｃ’）前記第１のウェハ（１１）を前記少なくとも１つの第２のウェハ（１３、１３’）に連結して基材（１２、１２’）を形成し、前記同一のパターン（１４、１６、１６’）を重ね合わせることによって、第１の厚さ（Ｅ1）の前記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さ（Ｅ2、Ｅ’2）の前記少なくとも１つの第２の材料とを含む、前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を形成するステップ；
ｅ）前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を前記基材（１２、１２’）から取り外すステップ
を含む、方法。 - 複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を製造するための方法であって、
前記方法は、
ａ）第１の材料製の第１のウェハ（２１）を用意するステップ；
ｂ）温度によるヤング率の変動（ＴＥＣ）が、前記第１の材料の前記変動（ＴＥＣ）とは逆の符号のものとなる少なくとも１つの第２の材料製の、少なくとも１つの第２のウェハ（２３、２３’）を用意するステップ；
ｆ）各前記ウェハ（２３、２１、２３’）の厚さの一部のみに、同一のパターン（２４、２６、２６’）をエッチングするステップ；
ｇ）前記同一のパターン（２４、２６、２６’）を重ね合わせることによって、前記第１のウェハ（２１）を前記少なくとも１つの第２のウェハ（２３、２３’）に連結して基材（２２、２２’）を形成するステップ；
ｆ’）前記同一のパターン（２４、２６、２６’）を前記基材（２２、２２’）の残りの部分にエッチングして、第１の厚さ（Ｅ1）の前記第１の材料と、少なくとも１つの第２の厚さ（Ｅ2、Ｅ’2）の前記少なくとも１つの第２の材料とを含む、前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を形成するステップ；
ｅ）前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を前記基材（２２、２２’）から取り外すステップ
を含む、方法。 - 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つの第２の材料はケイ素系材料であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つのケイ素系の第２の材料は、単結晶ケイ素、ドープされた単結晶ケイ素、多結晶ケイ素、ドープされた多結晶ケイ素、多孔性ケイ素、酸化ケイ素、石英、シリカ、窒化ケイ素又は炭化ケイ素を含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
- 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つの第２の材料はセラミック系材料であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つのセラミック系の第２の材料は、光構造化性ガラス、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、石英ガラス、ゼロデュア（Ｚｅｒｏｄｕｒ）、単結晶コランダム、多結晶コランダム、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、単結晶ルビー、多結晶ルビー、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、窒化タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素又は炭化ホウ素を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
- 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つの第２の材料は金属系材料であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記第１の材料及び／又は前記少なくとも１つの金属系の第２の材料は、鉄合金、銅合金、ニッケル若しくはニッケル合金、チタン若しくはチタン合金、金若しくは金合金、銀若しくは銀合金、白金若しくは白金合金、ルテニウム若しくはルテニウム合金、ロジウム若しくはロジウム合金、又はパラジウム若しくはパラジウム合金を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
- 同一の前記基材（２、２’、１２、１２’、２２、２２’）上で複数の前記複合体補償性ヒゲゼンマイ（３１、４１）を作製することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP14171012.9 | 2014-06-03 | ||
| EP14171012.9A EP2952972B1 (fr) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | Procédé de fabrication d'un spiral compensateur composite |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015230307A true JP2015230307A (ja) | 2015-12-21 |
| JP6006835B2 JP6006835B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=50841695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015109474A Active JP6006835B2 (ja) | 2014-06-03 | 2015-05-29 | 複合体補償性ヒゲゼンマイを製造するための方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9428382B2 (ja) |
| EP (1) | EP2952972B1 (ja) |
| JP (1) | JP6006835B2 (ja) |
| CN (1) | CN105182721B (ja) |
| HK (1) | HK1219137A1 (ja) |
| RU (1) | RU2683118C2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3106932A1 (fr) * | 2015-06-16 | 2016-12-21 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication comportant une étape de montage modifiée |
| EP3106930A1 (fr) * | 2015-06-16 | 2016-12-21 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication comportant une étape d'usinage modifiée |
| EP3217228B1 (fr) * | 2016-03-07 | 2019-08-28 | Montres Breguet S.A. | Dispositif bilame sensible aux variations de température |
| EP3502288B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2020-10-14 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'un ressort spiral pour mouvement d'horlogerie |
| TWI796444B (zh) * | 2018-03-20 | 2023-03-21 | 瑞士商百達翡麗日內瓦股份有限公司 | 用於製造精確剛度之時計熱補償游絲的方法 |
| EP3543796A1 (fr) * | 2018-03-21 | 2019-09-25 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un spiral en silicium |
| CN108645397B (zh) * | 2018-04-03 | 2020-08-14 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的制造方法 |
| EP3557333B1 (fr) | 2018-04-16 | 2020-11-04 | Patek Philippe SA Genève | Procédé de fabrication d'un ressort moteur d'horlogerie |
| EP3839644A1 (fr) * | 2019-12-20 | 2021-06-23 | Nivarox-FAR S.A. | Composant horloger flexible, notamment pour mecanisme oscillateur, et mouvement d'horlogerie comportant un tel composant |
| US11420866B2 (en) * | 2020-03-23 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite spring structure to reinforce mechanical robustness of a MEMS device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507454A (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-02 | セーエスエーエム サントル スイス ドュレクトロニック エ ドゥ ミクロテクニック エスアー | 時計のヒゲゼンマイ、及びその製造方法 |
| JP2009244266A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Nivarox-Far Sa | 一体構造型ヘアスプリング及びその製造方法 |
| JP2011002457A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Nivarox-Far Sa | 熱補償スプリングおよびその製作方法 |
| WO2013064351A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Résonateur thermocompensé en céramique |
| JP2013525743A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-06-20 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 少なくとも１次と２次の温度補正が施された振動子 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731715B1 (fr) * | 1995-03-17 | 1997-05-16 | Suisse Electronique Microtech | Piece de micro-mecanique et procede de realisation |
| DE10149140A1 (de) | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Verbindung einer Siliziumplatte mit einer weiteren Platte |
| EP1431844A1 (fr) * | 2002-12-19 | 2004-06-23 | SFT Services SA | Assemblage pour organe régulateur d'un mouvement d'horlogerie |
| ATE430953T1 (de) * | 2004-07-02 | 2009-05-15 | Nivarox Sa | Spiralfeder aus zwei materialen mit selbstkompensation |
| EP1791039A1 (fr) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Spiral en verre athermique pour mouvement d'horlogerie et son procédé de fabrication |
| CH706252B1 (fr) * | 2008-03-20 | 2013-09-30 | Nivarox Sa | Procédé de fabrication d'un spiral monobloc et spiral monobloc en matériau à base de silicium. |
| EP2104008A1 (fr) * | 2008-03-20 | 2009-09-23 | Nivarox-FAR S.A. | Organe régulateur monobloc et son procédé de fabrication |
| DE602008001778D1 (de) * | 2008-03-20 | 2010-08-26 | Nivarox Sa | Monoblock-Doppelspirale und ihr Herstellungsverfahren |
-
2014
- 2014-06-03 EP EP14171012.9A patent/EP2952972B1/fr active Active
-
2015
- 2015-05-21 US US14/718,492 patent/US9428382B2/en active Active
- 2015-05-29 JP JP2015109474A patent/JP6006835B2/ja active Active
- 2015-06-02 CN CN201510294325.XA patent/CN105182721B/zh active Active
- 2015-06-02 RU RU2015121117A patent/RU2683118C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-06-21 HK HK16107134.4A patent/HK1219137A1/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507454A (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-02 | セーエスエーエム サントル スイス ドュレクトロニック エ ドゥ ミクロテクニック エスアー | 時計のヒゲゼンマイ、及びその製造方法 |
| JP2009244266A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Nivarox-Far Sa | 一体構造型ヘアスプリング及びその製造方法 |
| JP2011002457A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Nivarox-Far Sa | 熱補償スプリングおよびその製作方法 |
| JP2013525743A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-06-20 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 少なくとも１次と２次の温度補正が施された振動子 |
| WO2013064351A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Résonateur thermocompensé en céramique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105182721A (zh) | 2015-12-23 |
| EP2952972A1 (fr) | 2015-12-09 |
| RU2683118C2 (ru) | 2019-03-26 |
| RU2015121117A (ru) | 2016-12-27 |
| EP2952972B1 (fr) | 2017-01-25 |
| RU2015121117A3 (ja) | 2019-01-17 |
| JP6006835B2 (ja) | 2016-10-12 |
| US9428382B2 (en) | 2016-08-30 |
| US20150344300A1 (en) | 2015-12-03 |
| HK1219137A1 (zh) | 2017-03-24 |
| CN105182721B (zh) | 2017-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
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