JP2015226043A - Wafer ID reader - Google Patents

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貴彦 津野
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貴彦 津野
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer ID reader that is able to restrict a large size and a high price.SOLUTION: A wafer ID reader (1) that detects an ID mark (23) for identifying a wafer (21): comprises: a reading part (9) that detects an ID mark formed on a wafer; a first path (L1) composed of one or two or more mirrors (5) that guide first reflection light reflected from one face of the wafer; a second path (L2) composed of one or two or more mirrors (5b, 5c) that guides second reflection light reflected from the other face of the wafer; joining means (7) that joins the first and second paths; a third path (L3) that guides first reflection light and second reflection light to the reading part from the joining means; reflection-light selection means (11) that selectively guides the first reflection light or second reflection light to the reading part; and control means that controls the reflection-light selection means.

Description

本発明は、ウェーハを識別するためのIDマークを読み取るウェーハID読み取り装置に関する。   The present invention relates to a wafer ID reader for reading an ID mark for identifying a wafer.

半導体デバイスの製造工程では、シリコン等の半導体材料でなるウェーハに対して様々な加工処理が施される。ウェーハは、例えば、表面又は裏面に形成される識別用のIDマークに基づいて加工処理の履歴等を管理される(例えば、特許文献1参照)。ウェーハのIDマークは、光学式のウェーハID読み取り装置で読み取ることができる。   In the manufacturing process of a semiconductor device, various processings are performed on a wafer made of a semiconductor material such as silicon. For example, the processing history of the wafer is managed based on an identification ID mark formed on the front surface or the back surface (see, for example, Patent Document 1). The wafer ID mark can be read by an optical wafer ID reader.

近年では、ウェーハの表面側と裏面側とにそれぞれ対応した2組の読み取りユニットを備えるウェーハID読み取り装置が提案されている(例えば、特許文献2参照)。このウェーハID読み取り装置によれば、ウェーハの表面又は裏面に形成されたIDマークを、各読み取りユニットで適切に読み取ることができる。   In recent years, a wafer ID reading apparatus including two sets of reading units respectively corresponding to the front side and the back side of a wafer has been proposed (see, for example, Patent Document 2). According to this wafer ID reading apparatus, the ID mark formed on the front surface or the back surface of the wafer can be appropriately read by each reading unit.

特開平9−7977号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-7777 特開2005−45033号公報JP-A-2005-45033

しかしながら、上述のように2組の読み取りユニットを設けてしまうと、ウェーハID読み取り装置は大型化して価格も高くなる。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、大型化及び高価格化を抑制可能なウェーハID読み取り装置を提供することである。   However, if two sets of reading units are provided as described above, the wafer ID reading apparatus becomes large and expensive. The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer ID reading apparatus capable of suppressing an increase in size and cost.

本発明によれば、ウェーハの一方の面又は一方の面の反対側の他方の面に形成された、ウェーハを識別するためのIDマークを検出するウェーハID読み取り装置であって、ウェーハの一方の面と他方の面とを照明する光源と、ウェーハよりも小さい直径を有し、ウェーハの一方の面又は他方の面を吸引して保持する保持テーブルと、該保持テーブルを回転させる回転手段と、ウェーハに形成されたIDマークを検出する読み取り部と、ウェーハの一方の面で反射された第1の反射光を導く1又は2以上のミラーで構成された第1の経路と、ウェーハの他方の面で反射された第2の反射光を導く1又は2以上のミラーで構成された第2の経路と、該第1の経路と該第2の経路とを合流させる合流手段と、該合流手段から該読み取り部に該第1の反射光及び該第2の反射光を導く第3の経路と、該読み取り部に該第1の反射光と該第2の反射光とのいずれか一方を選択的に導く反射光選択手段と、該反射光選択手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とするウェーハID読み取り装置が提供される。   According to the present invention, there is provided a wafer ID reading device for detecting an ID mark for identifying a wafer formed on one surface of a wafer or the other surface opposite to the one surface. A light source that illuminates the surface and the other surface, a holding table that has a smaller diameter than the wafer and that sucks and holds one or the other surface of the wafer, and a rotating means that rotates the holding table; A reader for detecting an ID mark formed on the wafer; a first path composed of one or more mirrors for guiding the first reflected light reflected by one surface of the wafer; and the other of the wafer A second path composed of one or more mirrors for guiding the second reflected light reflected by the surface, a merging means for merging the first path and the second path, and the merging means To the reading unit from the first A third path that guides the reflected light and the second reflected light; and a reflected light selection means that selectively guides either the first reflected light or the second reflected light to the reading unit; There is provided a wafer ID reader having control means for controlling the reflected light selection means.

本発明において、該合流手段はビームスプリッターであることが好ましい。   In the present invention, the merging means is preferably a beam splitter.

また、本発明において、該反射光選択手段は、光を通過させる開口部及び光を遮る遮光部を有するマスク部材と、該マスク部材を移動させるマスク部材移動手段と、を備え、該制御手段は、該マスク部材を該マスク部材移動手段によって移動させることで、ウェーハの一方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該開口部を該第1の経路上に位置付けるとともに該遮光部を該第2の経路上に位置付け、ウェーハの他方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該開口部を該第2の経路上に位置付けるとともに該遮光部を該第1の経路上に位置付けることが好ましい。   In the present invention, the reflected light selecting means includes a mask member having an opening that allows light to pass through and a light shielding part that blocks light, and a mask member moving means that moves the mask member, and the control means includes: When the ID mark formed on one surface of the wafer is detected by moving the mask member by the mask member moving means, the opening is positioned on the first path and the light shielding portion is When the ID mark formed on the other surface of the wafer is positioned on the second path, the opening is positioned on the second path and the light-shielding part is positioned on the first path. Positioning is preferred.

また、本発明において、該光源は、ウェーハの一方の面を照明する第1の光源と、ウェーハの他方の面を照明する第2の光源と、を含み、ウェーハの一方の面及び他方の面を選択的に照明できるように構成されており、該制御手段は、該一方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該第1の光源を点灯するとともに該第2の光源を消灯して、該第1の経路と該第3の経路とを介して該第1の反射光を該読み取り部に到達させ、該他方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該第2の光源を点灯するとともに該第1の光源を消灯して、該第2の経路と該第3の経路とを介して該第2の反射光を該読み取り部に到達させることで、該第1の光源及び該第2の光源を該反射光選択手段として機能させることが好ましい。   In the present invention, the light source includes a first light source that illuminates one surface of the wafer and a second light source that illuminates the other surface of the wafer, and the one surface and the other surface of the wafer. The control means turns on the first light source and turns off the second light source when detecting the ID mark formed on the one surface. Then, when the first reflected light reaches the reading unit via the first path and the third path and the ID mark formed on the other surface is detected, the first reflected light is detected. The second light source is turned on, the first light source is turned off, and the second reflected light reaches the reading unit via the second path and the third path, It is preferable that one light source and the second light source function as the reflected light selection unit.

本発明に係るウェーハID読み取り装置は、ウェーハの一方の面で反射された第1の反射光を導く第1の経路と、ウェーハの他方の面で反射された第2の反射光を導く第2の経路と、第1の経路と第2の経路とを合流させる合流手段と、合流手段から読み取り部に第1の反射光及び第2の反射光を導く第3の経路と、読み取り部に第1の反射光と第2の反射光とのいずれか一方を選択的に導く反射光選択手段と、を備えるので、ウェーハの一方の面で反射された第1の反射光及び他方の面で反射された第2の反射光の両方を1組の読み取り部で読み取ることができる。   The wafer ID reading device according to the present invention has a first path for guiding the first reflected light reflected by one surface of the wafer and a second path for guiding the second reflected light reflected by the other surface of the wafer. , A merging means for merging the first path and the second path, a third path for guiding the first reflected light and the second reflected light from the merging means to the reading section, and a second path for the reading section. Reflection light selecting means for selectively guiding either one of the reflected light and the second reflected light, so that the first reflected light reflected on one surface of the wafer and the reflected light on the other surface are reflected. Both of the reflected second reflected lights can be read by a set of reading units.

すなわち、本発明では、従来のウェーハID読み取り装置のように、2組の読み取り部を用いることなくウェーハの一方の面及び他方の面に形成されたIDマークを検出するので、大型化及び高価格化を抑制可能なウェーハID読み取り装置を提供できる。   That is, in the present invention, unlike the conventional wafer ID reading apparatus, the ID marks formed on one surface and the other surface of the wafer are detected without using two sets of reading units, so that the size and cost are increased. It is possible to provide a wafer ID reading device capable of suppressing the formation of the wafer ID.

図1(A)は、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置の構成例を模式的に示す一部断面側面図であり、図1(B)は、ウェーハID読み取り装置が備える反射光選択ユニットの構成例を模式的に示す断面図である。FIG. 1A is a partial cross-sectional side view schematically showing a configuration example of a wafer ID reading apparatus according to this embodiment, and FIG. 1B is a diagram of a reflected light selection unit provided in the wafer ID reading apparatus. It is sectional drawing which shows the example of a structure typically. ウェーハの例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of a wafer typically. 図3(A)は、ウェーハID読み取り装置で上面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、ウェーハID読み取り装置で下面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図である。FIG. 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing how the upper surface ID mark is detected by the wafer ID reader, and FIG. 3B shows the lower surface ID mark by the wafer ID reader. It is a partial cross section side view which shows a mode that is detected. 本実施形態に係るウェーハID読み取り装置を含むウェーハID読み取り機構を備えた研削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically an example of composition of a grinding device provided with a wafer ID reading mechanism including a wafer ID reading device concerning this embodiment. 図5(A)は、変形例に係るウェーハID読み取り装置で上面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図5(B)は、変形例に係るウェーハID読み取り装置で下面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図である。FIG. 5A is a partial cross-sectional side view schematically showing how the upper surface ID mark is detected by the wafer ID reader according to the modification, and FIG. 5B is a wafer according to the modification. It is a partial cross section side view which shows typically a mode that the ID mark of a lower surface is detected with an ID reader.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置の構成例を模式的に示す一部断面側面図である。図1(A)に示すように、ウェーハID読み取り装置1は、ウェーハ21より径の小さい円盤状の保持テーブル3を備えている。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a partial cross-sectional side view schematically showing a configuration example of a wafer ID reading apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1A, the wafer ID reading device 1 includes a disk-shaped holding table 3 having a diameter smaller than that of the wafer 21.

保持テーブル3は、モータ等の回転機構(回転手段)(不図示)と連結されており、鉛直方向に延びる回転軸の周りに回転する。この保持テーブル3の上面は、ウェーハ21の中央部分を吸引保持する保持面3aとなっている。保持面3aは、保持テーブル3の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。   The holding table 3 is connected to a rotating mechanism (rotating means) (not shown) such as a motor, and rotates around a rotating shaft extending in the vertical direction. The upper surface of the holding table 3 is a holding surface 3 a that sucks and holds the central portion of the wafer 21. The holding surface 3 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the holding table 3.

保持テーブル3と近接する位置には、ウェーハ21の上面(一方の面)及び下面(他方の面)を照明する光源(不図示)が設置されている。保持テーブル3の保持面3aより高い位置には、保持テーブル3側から順に第1のミラー5a及びビームスプリッター(合流手段)7が配置されている。   A light source (not shown) that illuminates the upper surface (one surface) and the lower surface (the other surface) of the wafer 21 is installed at a position close to the holding table 3. At a position higher than the holding surface 3a of the holding table 3, a first mirror 5a and a beam splitter (merging means) 7 are arranged in order from the holding table 3 side.

第1のミラー5aは、ウェーハ21の上面で反射された光源の光(第1の反射光)を、略水平な方向に反射させる。ビームスプリッター7は、第1のミラー5aで反射された第1の反射光を透過させて、ビームスプリッター7と略同じ高さに設置された読み取りユニット(読み取り部)9へと導く。   The first mirror 5a reflects light from the light source (first reflected light) reflected by the upper surface of the wafer 21 in a substantially horizontal direction. The beam splitter 7 transmits the first reflected light reflected by the first mirror 5 a and guides it to a reading unit (reading unit) 9 installed at substantially the same height as the beam splitter 7.

一方、保持テーブル3の保持面3aより低い位置には、保持テーブル3側から順に第2のミラー5b及び第3のミラー5cが配置されている。第2のミラー5bは、第1のミラー5aの下方に位置付けられており、第3のミラー5cは、ビームスプリッター7の下方に位置付けられている。   On the other hand, at a position lower than the holding surface 3a of the holding table 3, a second mirror 5b and a third mirror 5c are arranged in order from the holding table 3 side. The second mirror 5b is positioned below the first mirror 5a, and the third mirror 5c is positioned below the beam splitter 7.

第2のミラー5bは、ウェーハ21の下面で反射された光源の光(第2の反射光)を、略水平な方向に反射させる。第3のミラー5cは、第2のミラー5bで反射された第2の反射光を上向きに反射させる。第3のミラー5cで反射された第2の反射光は、ビームスプリッター7で水平方向に反射されて、読み取りユニット(読み取り部)9へと導かれる。   The second mirror 5 b reflects light from the light source (second reflected light) reflected by the lower surface of the wafer 21 in a substantially horizontal direction. The third mirror 5c reflects the second reflected light reflected by the second mirror 5b upward. The second reflected light reflected by the third mirror 5 c is reflected by the beam splitter 7 in the horizontal direction and guided to the reading unit (reading unit) 9.

すなわち、第1のミラー5aによって、第1の反射光をビームスプリッター7へと導く第1の経路(第1の光路)L1(図3(A)参照)が形成されている。また、第2のミラー5b及び第3のミラー5cによって、第2の反射光をビームスプリッター7へと導く第2の経路(第2の光路)L2(図3(B)参照)が形成されている。   That is, a first path (first optical path) L1 (see FIG. 3A) for guiding the first reflected light to the beam splitter 7 is formed by the first mirror 5a. The second mirror 5b and the third mirror 5c form a second path (second optical path) L2 (see FIG. 3B) that guides the second reflected light to the beam splitter 7. Yes.

上述した第1の経路L1と第2の経路L2とは、ビームスプリッター7で合流している。ビームスプリッター7と読み取りユニット9との間には、第1の反射光又は第2の反射光を読み取りユニット9へと導く第3の経路(第3の光路)L3(図3(A)等参照)が形成されている。読み取りユニット9は、第3の経路L3によって導かれた第1の反射光又は第2の反射光に基づいて、ウェーハ21のIDマーク23を検出できる。   The first path L1 and the second path L2 described above merge at the beam splitter 7. Between the beam splitter 7 and the reading unit 9, a third path (third optical path) L3 for guiding the first reflected light or the second reflected light to the reading unit 9 (see FIG. 3A, etc.) ) Is formed. The reading unit 9 can detect the ID mark 23 of the wafer 21 based on the first reflected light or the second reflected light guided by the third path L3.

第1のミラー5aとビームスプリッター7との間、及び第2のミラー5bと第3のミラー5cとの間の位置には、第1の反射光と第2の反射光とを選択的に読み取りユニット9へと導く反射光選択ユニット(反射光選択手段)11が配置されている。図1(B)は、ウェーハID読み取り装置1が備える反射光選択ユニット11の構成例を模式的に示す斜視図である。   The first reflected light and the second reflected light are selectively read at positions between the first mirror 5a and the beam splitter 7 and between the second mirror 5b and the third mirror 5c. A reflected light selection unit (reflected light selection means) 11 that leads to the unit 9 is arranged. FIG. 1B is a perspective view schematically showing a configuration example of the reflected light selection unit 11 provided in the wafer ID reading device 1.

図1(A)及び図1(B)に示すように、反射光選択ユニット11は、板状のマスク部材13を備えている。このマスク部材13は、光を遮る遮光部13aと、光を通過させる開口部13bとを含む。開口部13bは、例えば、遮光部13aの中央において矩形状に形成されている。ただし、遮光部13aや開口部13bの形状は特に限定されない。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the reflected light selection unit 11 includes a plate-like mask member 13. The mask member 13 includes a light blocking portion 13a that blocks light and an opening portion 13b that allows light to pass through. For example, the opening 13b is formed in a rectangular shape at the center of the light shielding portion 13a. However, the shape of the light shielding part 13a and the opening part 13b is not particularly limited.

マスク部材13の下方には、マスク部材13を移動させる移動機構(マスク部材移動手段)15が設けられている。移動機構15は、エアー供給源(不図示)に接続されたエアーシリンダ15aと、エアーシリンダ15aに下端側を挿通されたピストンロッド15bとを含む。   Below the mask member 13, a moving mechanism (mask member moving means) 15 for moving the mask member 13 is provided. The moving mechanism 15 includes an air cylinder 15a connected to an air supply source (not shown), and a piston rod 15b inserted through the air cylinder 15a at the lower end side.

ピストンロッド15bの上端部は、マスク部材13の下端部に固定されている。マスク部材13は、エアー供給源(不図示)から供給されるエアーの圧力でピストンロッド15bとともに昇降し、上方の第1位置又は下方の第2位置に位置付けられる。マスク部材13の昇降は、制御装置(制御手段)(不図示)で制御される。   The upper end portion of the piston rod 15 b is fixed to the lower end portion of the mask member 13. The mask member 13 moves up and down together with the piston rod 15b by the pressure of air supplied from an air supply source (not shown), and is positioned at the upper first position or the lower second position. The elevation of the mask member 13 is controlled by a control device (control means) (not shown).

マスク部材13を第1位置に位置付けると、開口部13bは、第1の反射光をビームスプリッター7へと導く第1の経路L1(図3(A)参照)上に位置付けられる。また、遮光部13aは、第2の反射光をビームスプリッター7へと導く第2の経路L2(図3(A)参照)上に位置付けられる。   When the mask member 13 is positioned at the first position, the opening 13b is positioned on the first path L1 (see FIG. 3A) that guides the first reflected light to the beam splitter 7. The light shielding portion 13a is positioned on the second path L2 (see FIG. 3A) that guides the second reflected light to the beam splitter 7.

一方、マスク部材13を第2位置に位置付けると、開口部13bは、第2の反射光をビームスプリッター7へと導く第2の経路L2(図3(B)参照)上に位置付けられる。また、遮光部13aは、第1の反射光をビームスプリッター7へと導く第1の経路L1(図3(B)参照)上に位置付けられる。マスク部材13は、この動作に適した態様で形成されている。   On the other hand, when the mask member 13 is positioned at the second position, the opening 13b is positioned on the second path L2 (see FIG. 3B) that guides the second reflected light to the beam splitter 7. In addition, the light shielding portion 13a is positioned on the first path L1 (see FIG. 3B) that guides the first reflected light to the beam splitter 7. The mask member 13 is formed in a mode suitable for this operation.

図2は、ウェーハ21の例を模式的に示す斜視図である。図2に示すように、ウェーハ21は、例えば、シリコン等の半導体材料で形成された円形の板状物である。このウェーハ21は、略平坦な表面21a及び裏面21bを有しており、外周縁には、結晶方位を示すノッチ21cが形成されている。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing an example of the wafer 21. As shown in FIG. 2, the wafer 21 is a circular plate-shaped object formed of a semiconductor material such as silicon. The wafer 21 has a substantially flat front surface 21a and back surface 21b, and a notch 21c indicating a crystal orientation is formed on the outer peripheral edge.

ウェーハ21の表面21a側において、ノッチ21cと近接する位置には、ウェーハ21を識別するためのIDマーク23が形成されている。ただし、このIDマーク23は、ウェーハ21の裏面21b側に形成されても良い。IDマーク23は、例えば、レーザー刻印等の方法で形成できる。   On the surface 21 a side of the wafer 21, an ID mark 23 for identifying the wafer 21 is formed at a position close to the notch 21 c. However, the ID mark 23 may be formed on the back surface 21 b side of the wafer 21. The ID mark 23 can be formed by a method such as laser engraving.

なお、図1(A)では、ウェーハ21の裏面21b側を保持テーブル3で吸引保持しており、表面21a側が上方に位置付けられている。すなわち、図1(A)では、ウェーハ21の表面21aが上面(一方の面)であり、ウェーハ21の裏面21bが下面(他方の面)である。   In FIG. 1A, the back surface 21b side of the wafer 21 is sucked and held by the holding table 3, and the front surface 21a side is positioned upward. That is, in FIG. 1A, the front surface 21a of the wafer 21 is the upper surface (one surface), and the back surface 21b of the wafer 21 is the lower surface (the other surface).

次に、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1の動作を説明する。図3(A)は、ウェーハID読み取り装置1で上面のIDマーク23が検出される様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図3(B)は、ウェーハID読み取り装置1で下面のIDマーク23が検出される様子を模式的に示す一部断面側面図である。   Next, the operation of the wafer ID reading apparatus 1 according to this embodiment will be described. FIG. 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing how the ID mark 23 on the upper surface is detected by the wafer ID reader 1, and FIG. 3B shows the lower surface of the wafer ID reader 1. It is a partial cross section side view showing typically signs that ID mark 23 of is detected.

なお、図3(A)では、ウェーハ21の裏面21b側を保持テーブル3で吸引保持し、IDマーク23のある表面21a側を上方に位置付けている。一方、図3(B)では、ウェーハ21の表面21a側を保持テーブル3で吸引保持し、IDマーク23のある表面21a側を下方に位置付けている。   In FIG. 3A, the back surface 21b side of the wafer 21 is sucked and held by the holding table 3, and the front surface 21a side with the ID mark 23 is positioned upward. On the other hand, in FIG. 3B, the surface 21a side of the wafer 21 is sucked and held by the holding table 3, and the surface 21a side with the ID mark 23 is positioned downward.

図3(A)に示すように、上面のIDマーク23を検出する際には、まず、制御装置でマスク部材13を第1位置へと移動させて、上面のIDマーク23で反射された光源の光(第1の反射光)をビームスプリッター7へと導けるようにする。   As shown in FIG. 3A, when detecting the ID mark 23 on the upper surface, first, the mask member 13 is moved to the first position by the control device, and the light source reflected by the ID mark 23 on the upper surface. The light (first reflected light) can be guided to the beam splitter 7.

上述のように、マスク部材13を第1位置に位置付けると、開口部13bは、第1の反射光をビームスプリッター7へと導く第1の経路L1上に位置付けられ、また、遮光部13aは、第2の反射光をビームスプリッター7へと導く第2の経路L2上に位置付けられる。   As described above, when the mask member 13 is positioned at the first position, the opening 13b is positioned on the first path L1 that guides the first reflected light to the beam splitter 7, and the light shielding unit 13a is It is positioned on the second path L2 that guides the second reflected light to the beam splitter 7.

これにより、ビームスプリッター7から読み取りユニット9へと至る第3の経路L3には、第1の反射光のみが導かれる。すなわち、第2の反射光はマスク部材13で遮られ、読み取りユニット9に到達しないので、第1の反射光のみを読み取りユニット9で検出して、ウェーハ21の上面にあるIDマーク23を適切に検出できる。   As a result, only the first reflected light is guided to the third path L3 from the beam splitter 7 to the reading unit 9. That is, since the second reflected light is blocked by the mask member 13 and does not reach the reading unit 9, only the first reflected light is detected by the reading unit 9, and the ID mark 23 on the upper surface of the wafer 21 is appropriately detected. It can be detected.

一方、図3(B)に示すように、下面のIDマーク23を検出する際には、まず、制御装置でマスク部材13を第2位置へと移動させて、下面のIDマーク23で反射された光源の光(第2の反射光)をビームスプリッター7へと導けるようにする。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, when detecting the ID mark 23 on the lower surface, first, the mask member 13 is moved to the second position by the control device and reflected by the ID mark 23 on the lower surface. The light from the light source (second reflected light) can be guided to the beam splitter 7.

上述のように、マスク部材13を第2位置に位置付けると、開口部13bは、第2の反射光をビームスプリッター7へと導く第2の経路L2上に位置付けられ、また、遮光部13aは、第1の反射光をビームスプリッター7へと導く第1の経路L1上に位置付けられる。   As described above, when the mask member 13 is positioned at the second position, the opening 13b is positioned on the second path L2 that guides the second reflected light to the beam splitter 7, and the light shielding unit 13a is It is positioned on the first path L1 that guides the first reflected light to the beam splitter 7.

これにより、ビームスプリッター7から読み取りユニット9へと至る第3の経路L3には、第2の反射光のみが導かれる。すなわち、第1の反射光はマスク部材13で遮られ、読み取りユニット9に到達しないので、第2の反射光のみを読み取りユニット9で検出して、ウェーハ21の下面にあるIDマーク23を適切に検出できる。   Thus, only the second reflected light is guided to the third path L3 from the beam splitter 7 to the reading unit 9. That is, since the first reflected light is blocked by the mask member 13 and does not reach the reading unit 9, only the second reflected light is detected by the reading unit 9, and the ID mark 23 on the lower surface of the wafer 21 is appropriately set. It can be detected.

このように、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1は、ウェーハ21の上面(一方の面)で反射された第1の反射光を導く第1の経路L1と、ウェーハ21の下面(他方の面)で反射された第2の反射光を導く第2の経路L2と、第1の経路L1と第2の経路L2とを合流させるビームスプリッター(合流手段)7と、ビームスプリッター7から読み取りユニット(読み取り部)9に第1の反射光及び第2の反射光を導く第3の経路L3と、読み取りユニット9に第1の反射光と第2の反射光とのいずれか一方を選択的に導く反射光選択ユニット(反射光選択手段)11と、を備えるので、ウェーハ21の上面で反射された第1の反射光及び下面で反射された第2の反射光の両方を1組の読み取りユニット9で読み取ることができる。   As described above, the wafer ID reader 1 according to this embodiment includes the first path L1 that guides the first reflected light reflected by the upper surface (one surface) of the wafer 21 and the lower surface (the other surface) of the wafer 21. A second path L2 for guiding the second reflected light reflected by the surface), a beam splitter (merging means) 7 for merging the first path L1 and the second path L2, and a reading unit from the beam splitter 7. (Reading unit) The third path L3 that guides the first reflected light and the second reflected light to the reading unit 9, and selectively either one of the first reflected light or the second reflected light to the reading unit 9. And a reflected light selection unit (reflected light selection means) 11 for guiding the first reflected light reflected on the upper surface of the wafer 21 and a second reflected light reflected on the lower surface. 9 can read

すなわち、本実施形態では、従来のウェーハID読み取り装置のように、2組の読み取りユニットを用いることなくウェーハ21の上面及び下面に形成されたIDマーク23を検出するので、大型化及び高価格化を抑制可能なウェーハID読み取り装置1を提供できる。   That is, in this embodiment, since the ID mark 23 formed on the upper surface and the lower surface of the wafer 21 is detected without using two sets of reading units as in the conventional wafer ID reading device, the size and the price are increased. Can be provided.

次に、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1を含むウェーハID読み取り機構を備えた加工装置の構成例を説明する。図4は、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1を含むウェーハID読み取り機構を備えた研削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。なお、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1を含むウェーハID読み取り機構は、切削装置等の他の加工装置に組み込まれても良い。   Next, a configuration example of a processing apparatus including a wafer ID reading mechanism including the wafer ID reading apparatus 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 4 is a perspective view schematically illustrating a configuration example of a grinding apparatus including a wafer ID reading mechanism including the wafer ID reading apparatus 1 according to the present embodiment. Note that the wafer ID reading mechanism including the wafer ID reading device 1 according to the present embodiment may be incorporated in another processing device such as a cutting device.

図4に示すように、研削装置(加工装置)2は、各構成を支持する基台4を備えている。基台4の上面前端側には、開口4aが形成されており、この開口4a内には、加工対象のウェーハ21を搬送する搬送機構6が設けられている。また、開口4aのさらに前方の領域には、ウェーハ21を収容可能なカセット8a,8bが載置されている。   As shown in FIG. 4, the grinding device (processing device) 2 includes a base 4 that supports each component. An opening 4 a is formed on the front end side of the upper surface of the base 4, and a transfer mechanism 6 for transferring the wafer 21 to be processed is provided in the opening 4 a. Further, cassettes 8a and 8b capable of accommodating the wafer 21 are placed in a region further forward of the opening 4a.

カセット8aが載置される載置領域及び開口4aの後方には、例えば、裏面21b側を上方に露出させるように仮置きされたウェーハ21の位置合わせを行うアライメント機構10が設けられている。例えば、アライメント機構10は、カセット8aから搬送機構6で搬送され、保持テーブルに仮置きされたウェーハ21の中心を位置合わせする。   An alignment mechanism 10 is provided behind the placement area on which the cassette 8a is placed and the opening 4a, for example, to align the temporarily placed wafer 21 so that the back surface 21b side is exposed upward. For example, the alignment mechanism 10 aligns the center of the wafer 21 that is transported from the cassette 8a by the transport mechanism 6 and temporarily placed on the holding table.

アライメント機構10と近接する位置には、本実施形態に係るウェーハID読み取り装置1を含むウェーハID読み取り機構12が設けられている。このウェーハID読み取り機構12でウェーハ21のIDマークを読み取ることで、例えば、加工処理の履歴等に応じた研削条件の最適化が可能になる。   A wafer ID reading mechanism 12 including the wafer ID reading device 1 according to the present embodiment is provided at a position close to the alignment mechanism 10. By reading the ID mark of the wafer 21 with the wafer ID reading mechanism 12, for example, it is possible to optimize the grinding conditions according to the processing history.

本実施形態では、例えば、位置合わせが終了したウェーハ21のIDマーク23を検出する。研削装置2では、アライメント機構10とウェーハID読み取り機構12との間でウェーハ21を保持する保持テーブルが共用されており、例えば、ウェーハID読み取り機構12は、下方に位置付けられた表面21aのIDマーク23を検出する。   In the present embodiment, for example, the ID mark 23 of the wafer 21 that has been aligned is detected. In the grinding apparatus 2, a holding table for holding the wafer 21 is shared between the alignment mechanism 10 and the wafer ID reading mechanism 12. For example, the wafer ID reading mechanism 12 has an ID mark on the surface 21 a positioned below. 23 is detected.

アライメント機構10及びウェーハID読み取り機構12と隣接する位置には、ウェーハ21を吸引保持して旋回する搬入機構14が配置されている。この搬入機構14は、例えば、ウェーハ21の表面21a側を下方に露出させるように裏面21b側を吸引し、アライメント機構10で位置合わせされたウェーハ21を後方に搬送する。   At a position adjacent to the alignment mechanism 10 and the wafer ID reading mechanism 12, a carry-in mechanism 14 that sucks and holds the wafer 21 and rotates is disposed. For example, the carry-in mechanism 14 sucks the back surface 21b side so that the front surface 21a side of the wafer 21 is exposed downward, and transports the wafer 21 aligned by the alignment mechanism 10 backward.

搬入機構14の後方には、回転可能なターンテーブル16が配置されている。ターンテーブル16の上面には、ウェーハ21を吸引保持する3個のチャックテーブル18が設けられている。なお、ターンテーブル16上に配置されるチャックテーブル18の数は、必ずしも3個に限定されない。   A rotatable turntable 16 is disposed behind the carry-in mechanism 14. Three chuck tables 18 for sucking and holding the wafer 21 are provided on the upper surface of the turntable 16. Note that the number of chuck tables 18 arranged on the turntable 16 is not necessarily limited to three.

搬入機構14で吸引保持されたウェーハ21は、表面21a側を下方に位置付けられた状態で各チャックテーブル18に搬入される。各チャックテーブル18は、モータ等の回転機構(不図示)と連結されており、鉛直方向に延びる回転軸の周りに回転する。   The wafer 21 sucked and held by the carry-in mechanism 14 is carried into each chuck table 18 with the surface 21a side positioned downward. Each chuck table 18 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis extending in the vertical direction.

各チャックテーブル18の上面は、ウェーハ21を吸引保持する保持面18aとなっている。この保持面18aは、チャックテーブル18の内部に形成された流路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。各チャックテーブル18に搬入されたウェーハ21は、保持面18aに作用する吸引源の負圧で表面21a側を吸引される。   The upper surface of each chuck table 18 is a holding surface 18 a that holds the wafer 21 by suction. The holding surface 18 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 18. The wafer 21 carried into each chuck table 18 is sucked on the surface 21a side by the negative pressure of the suction source acting on the holding surface 18a.

ターンテーブル16の後方には、上方に伸びる2本の支持構造20が設けられている。各支持構造20の前面には、Z軸移動機構22を介してZ軸移動テーブル24が設けられている。各Z軸移動機構22は、Z軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール26を備えており、Z軸ガイドレール26には、Z軸移動テーブル24がスライド可能に設置されている。   Two support structures 20 extending upward are provided behind the turntable 16. A Z-axis movement table 24 is provided on the front surface of each support structure 20 via a Z-axis movement mechanism 22. Each Z-axis moving mechanism 22 includes a pair of Z-axis guide rails 26 parallel to the Z-axis direction, and a Z-axis moving table 24 is slidably installed on the Z-axis guide rails 26.

各Z軸移動テーブル24の後面側(裏面側)には、ナット部(不図示)が固定されており、このナット部には、Z軸ガイドレール26と平行なZ軸ボールネジ28が螺合されている。各Z軸ボールネジ28の一端部には、Z軸パルスモータ30が連結されている。Z軸パルスモータ30でZ軸ボールネジ28を回転させれば、Z軸移動テーブル24はZ軸ガイドレール26に沿ってZ軸方向に移動する。   A nut portion (not shown) is fixed to the rear surface side (back surface side) of each Z-axis moving table 24, and a Z-axis ball screw 28 parallel to the Z-axis guide rail 26 is screwed to the nut portion. ing. A Z-axis pulse motor 30 is connected to one end of each Z-axis ball screw 28. When the Z-axis ball screw 28 is rotated by the Z-axis pulse motor 30, the Z-axis moving table 24 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 26.

各Z軸移動テーブル24の前面(表面)には、研削機構32が設けられている。各研削機構32は、Z軸移動テーブル24に固定されたスピンドルハウジング34を備えている。各スピンドルハウジング34には、スピンドル(不図示)が回転可能に支持されている。   A grinding mechanism 32 is provided on the front surface (surface) of each Z-axis moving table 24. Each grinding mechanism 32 includes a spindle housing 34 fixed to the Z-axis moving table 24. A spindle (not shown) is rotatably supported on each spindle housing 34.

各スピンドルの下端側には、研削ホイール36が装着されている。各研削ホイール36は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成された円筒状のホイール基台と、ホイール基台の下面において環状に配置された複数の砥石とを含む。   A grinding wheel 36 is attached to the lower end side of each spindle. Each grinding wheel 36 includes a cylindrical wheel base formed of a metal material such as aluminum or stainless steel, and a plurality of grindstones arranged in an annular shape on the lower surface of the wheel base.

搬入されたウェーハ21がチャックテーブル18に吸引保持されると、ターンテーブル16が回転してウェーハ21を研削機構32の下方に位置付ける。チャックテーブル18及び研削ホイール36を回転させるとともに、Z軸移動機構22で研削機構32を下降させ、研削ホイール36をウェーハ21の裏面21bに接触させることで、ウェーハ21は研削される。   When the loaded wafer 21 is sucked and held by the chuck table 18, the turntable 16 rotates to position the wafer 21 below the grinding mechanism 32. The wafer 21 is ground by rotating the chuck table 18 and the grinding wheel 36, lowering the grinding mechanism 32 by the Z-axis moving mechanism 22, and bringing the grinding wheel 36 into contact with the back surface 21 b of the wafer 21.

搬入機構14と隣接する位置には、研削後のウェーハ21を吸引保持して旋回する搬出機構38が設けられている。搬出機構38の前方、且つ開口4aの後方には、搬出機構38で搬出された研削後のウェーハ21を洗浄する洗浄機構40が配置されている。洗浄機構40で洗浄されたウェーハ21は、搬送機構6で搬送され、カセット8bに収容される。   At a position adjacent to the carry-in mechanism 14, a carry-out mechanism 38 that rotates by sucking and holding the ground wafer 21 is provided. A cleaning mechanism 40 that cleans the ground wafer 21 that has been unloaded by the unloading mechanism 38 is disposed in front of the unloading mechanism 38 and behind the opening 4a. The wafer 21 cleaned by the cleaning mechanism 40 is transferred by the transfer mechanism 6 and stored in the cassette 8b.

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。図5(A)は、変形例に係るウェーハID読み取り装置で上面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図5(B)は、変形例に係るウェーハID読み取り装置で下面のIDマークが検出される様子を模式的に示す一部断面側面図である。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. FIG. 5A is a partial cross-sectional side view schematically showing how the upper surface ID mark is detected by the wafer ID reader according to the modification, and FIG. 5B is a wafer according to the modification. It is a partial cross section side view which shows typically a mode that the ID mark of a lower surface is detected with an ID reader.

図5(A)及び図5(B)に示すように、変形例に係るウェーハID読み取り装置31は、ウェーハ21の上面(一方の面)を照明する第1の光源17aと、ウェーハ21の下面(他方の面)を照明する第2の光源17bと、を含んでいる。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the wafer ID reading device 31 according to the modification includes a first light source 17 a that illuminates the upper surface (one surface) of the wafer 21, and the lower surface of the wafer 21. And a second light source 17b that illuminates (the other surface).

第1の光源17a及び第2の光源17bは、上記実施形態に係るウェーハID読み取り装置1の光源に相当する。また、第1の光源17a及び第2の光源17bは、制御装置(制御手段)からの指示に基づいてウェーハ21の上面及び下面を選択的に照明できるように構成されており、第1の反射光と第2の反射光とを選択する反射光選択ユニット(反射光選択手段)11の機能を併せ備えている。その他の構成は、ウェーハID読み取り装置1と同じで良い。   The first light source 17a and the second light source 17b correspond to the light sources of the wafer ID reading device 1 according to the above embodiment. Further, the first light source 17a and the second light source 17b are configured to selectively illuminate the upper surface and the lower surface of the wafer 21 based on an instruction from the control device (control means), and the first reflection is performed. A function of a reflected light selection unit (reflected light selection means) 11 for selecting light and second reflected light is also provided. Other configurations may be the same as those of the wafer ID reader 1.

図5(A)に示すように、上面のIDマーク23を検出する際には、制御装置で第1の光源17aを点灯させるとともに第2の光源17bを消灯させる。これにより、上面のIDマーク23で反射された第1の光源17aの光(第1の反射光)のみがビームスプリッター7へと導かれる。   As shown in FIG. 5A, when detecting the ID mark 23 on the upper surface, the control device turns on the first light source 17a and turns off the second light source 17b. As a result, only the light (first reflected light) of the first light source 17 a reflected by the ID mark 23 on the upper surface is guided to the beam splitter 7.

このように、第2の光源17bを消灯させることで、第2の光源17bからの光がウェーハ21の下面で反射することはないので、第1の反射光のみを読み取りユニット9で検出して、ウェーハ21の上面にあるIDマーク23を適切に検出できる。   As described above, since the light from the second light source 17b is not reflected by the lower surface of the wafer 21 by turning off the second light source 17b, only the first reflected light is detected by the reading unit 9. The ID mark 23 on the upper surface of the wafer 21 can be detected appropriately.

一方、図5(B)に示すように、下面のIDマーク23を検出する際には、制御装置で第2の光源17bを点灯させるとともに第1の光源17aを消灯させる。これにより、下面のIDマーク23で反射された第2の光源17bの光(第2の反射光)のみがビームスプリッター7へと導かれる。   On the other hand, as shown in FIG. 5B, when the ID mark 23 on the lower surface is detected, the control device turns on the second light source 17b and turns off the first light source 17a. Thereby, only the light (second reflected light) of the second light source 17 b reflected by the ID mark 23 on the lower surface is guided to the beam splitter 7.

このように、第1の光源17aを消灯させることで、第1の光源17aからの光がウェーハ21の上面で反射することはないので、第2の反射光のみを読み取りユニット9で検出して、ウェーハ21の下面にあるIDマーク23を適切に検出できる。   Thus, since the light from the first light source 17a is not reflected on the upper surface of the wafer 21 by turning off the first light source 17a, only the second reflected light is detected by the reading unit 9. The ID mark 23 on the lower surface of the wafer 21 can be detected appropriately.

その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

1 ウェーハID読み取り装置
3 保持テーブル
3a 保持面
5a 第1のミラー
5b 第2のミラー
5c 第3のミラー
7 ビームスプリッター(合流手段)
9 読み取りユニット(読み取り部)
11 反射光選択ユニット(反射光選択手段)
13 マスク部材
13a 遮光部
13b 開口部
15 移動機構(マスク部材移動手段)
15a エアーシリンダ
15b ピストンロッド
17a 第1の光源
17b 第2の光源
21 ウェーハ
21a 表面
21b 裏面
21c ノッチ
23 IDマーク
31 ウェーハID読み取り装置
L1 第1の経路(第1の光路)
L2 第2の経路(第2の光路)
L3 第3の経路(第3の光路)
2 研削装置(加工装置)
4 基台
4a 開口
6 搬送機構
8a,8b カセット
10 アライメント機構
12 ウェーハID読み取り機構
14 搬入機構
16 ターンテーブル
18 チャックテーブル
18a 保持面
20 支持構造
22 Z軸移動機構
24 Z軸移動テーブル
26 Z軸ガイドレール
28 Z軸ボールネジ
30 Z軸パルスモータ
32 研削機構
34 スピンドルハウジング
36 研削ホイール
38 搬出機構
40 洗浄機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer ID reader 3 Holding table 3a Holding surface 5a 1st mirror 5b 2nd mirror 5c 3rd mirror 7 Beam splitter (merging means)
9 Reading unit (reading unit)
11 Reflected light selection unit (reflected light selection means)
13 mask member 13a light shielding part 13b opening 15 moving mechanism (mask member moving means)
15a air cylinder 15b piston rod 17a first light source 17b second light source 21 wafer 21a front surface 21b back surface 21c notch 23 ID mark 31 wafer ID reader L1 first path (first optical path)
L2 Second path (second optical path)
L3 Third path (third optical path)
2 Grinding equipment (processing equipment)
4 Base 4a Opening 6 Transport mechanism 8a, 8b Cassette 10 Alignment mechanism 12 Wafer ID reading mechanism 14 Loading mechanism 16 Turntable 18 Chuck table 18a Holding surface 20 Support structure 22 Z-axis moving mechanism 24 Z-axis moving table 26 Z-axis guide rail 28 Z-axis ball screw 30 Z-axis pulse motor 32 Grinding mechanism 34 Spindle housing 36 Grinding wheel 38 Unloading mechanism 40 Cleaning mechanism

Claims (4)

ウェーハの一方の面又は一方の面の反対側の他方の面に形成された、ウェーハを識別するためのIDマークを検出するウェーハID読み取り装置であって、
ウェーハの一方の面と他方の面とを照明する光源と、
ウェーハよりも小さい直径を有し、ウェーハの一方の面又は他方の面を吸引して保持する保持テーブルと、
該保持テーブルを回転させる回転手段と、
ウェーハに形成されたIDマークを検出する読み取り部と、
ウェーハの一方の面で反射された第1の反射光を導く1又は2以上のミラーで構成された第1の経路と、
ウェーハの他方の面で反射された第2の反射光を導く1又は2以上のミラーで構成された第2の経路と、
該第1の経路と該第2の経路とを合流させる合流手段と、
該合流手段から該読み取り部に該第1の反射光及び該第2の反射光を導く第3の経路と、
該読み取り部に該第1の反射光と該第2の反射光とのいずれか一方を選択的に導く反射光選択手段と、
該反射光選択手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とするウェーハID読み取り装置。
A wafer ID reading device for detecting an ID mark for identifying a wafer formed on one surface of a wafer or the other surface opposite to one surface,
A light source that illuminates one side and the other side of the wafer;
A holding table having a smaller diameter than the wafer and sucking and holding one side or the other side of the wafer;
Rotating means for rotating the holding table;
A reading unit for detecting an ID mark formed on the wafer;
A first path composed of one or more mirrors for guiding the first reflected light reflected by one surface of the wafer;
A second path composed of one or more mirrors for guiding second reflected light reflected by the other surface of the wafer;
Merging means for merging the first path and the second path;
A third path for guiding the first reflected light and the second reflected light from the merging means to the reading unit;
Reflected light selection means for selectively guiding one of the first reflected light and the second reflected light to the reading unit;
And a control means for controlling the reflected light selection means.
該合流手段はビームスプリッターであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハID読み取り装置。   2. The wafer ID reading apparatus according to claim 1, wherein the merging means is a beam splitter. 該反射光選択手段は、
光を通過させる開口部及び光を遮る遮光部を有するマスク部材と、
該マスク部材を移動させるマスク部材移動手段と、を備え、
該制御手段は、
該マスク部材を該マスク部材移動手段によって移動させることで、
ウェーハの一方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該開口部を該第1の経路上に位置付けるとともに該遮光部を該第2の経路上に位置付け、
ウェーハの他方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該開口部を該第2の経路上に位置付けるとともに該遮光部を該第1の経路上に位置付けることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハID読み取り装置。
The reflected light selecting means includes
A mask member having an opening that allows light to pass through and a light blocking part that blocks light; and
A mask member moving means for moving the mask member,
The control means includes
By moving the mask member by the mask member moving means,
When detecting the ID mark formed on one surface of the wafer, the opening is positioned on the first path and the light-shielding part is positioned on the second path,
2. When detecting an ID mark formed on the other surface of the wafer, the opening is positioned on the second path and the light-shielding part is positioned on the first path. Or the wafer ID reading apparatus of Claim 2.
該光源は、ウェーハの一方の面を照明する第1の光源と、ウェーハの他方の面を照明する第2の光源と、を含み、ウェーハの一方の面及び他方の面を選択的に照明できるように構成されており、
該制御手段は、該一方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該第1の光源を点灯するとともに該第2の光源を消灯して、該第1の経路と該第3の経路とを介して該第1の反射光を該読み取り部に到達させ、該他方の面に形成されたIDマークを検出する際に、該第2の光源を点灯するとともに該第1の光源を消灯して、該第2の経路と該第3の経路とを介して該第2の反射光を該読み取り部に到達させることで、該第1の光源及び該第2の光源を該反射光選択手段として機能させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハID読み取り装置。
The light source includes a first light source that illuminates one surface of the wafer and a second light source that illuminates the other surface of the wafer, and can selectively illuminate one surface and the other surface of the wafer. Is configured as
When detecting the ID mark formed on the one surface, the control means turns on the first light source and turns off the second light source so that the first path and the third light source are turned off. When the first reflected light reaches the reading unit via the path and the ID mark formed on the other surface is detected, the second light source is turned on and the first light source is turned on. The light is turned off and the second reflected light reaches the reading unit via the second path and the third path, so that the first light source and the second light source are reflected by the reflected light. 3. The wafer ID reading device according to claim 1, wherein the wafer ID reading device is made to function as a selection unit.
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