JP2015209488A - Varnish, laminate, and manufacturing method of laminate - Google Patents

Varnish, laminate, and manufacturing method of laminate Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide varnish that is useful when forming a polyimide film excellent in transparency and mechanical characteristics and having a low thermal expansion coefficient, and to provide a laminate obtained using the varnish, and a manufacturing method of the laminate.SOLUTION: Varnish contains a polyimide having a repeating unit having a specific rigid structure, and a specific solvent. A laminate is obtained using the varnish. A manufacturing method manufactures the laminate.

Description

本発明は、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成する際に有用なワニス、このワニスを用いて得られる積層体、及びこの積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a varnish useful for forming a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion, a laminate obtained using the varnish, and a method for producing the laminate.

近年、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイにおいては、薄型化、軽量化、フレキシブル化が求められてきている。
このため、このような用途に用いられる透明基材として、極めて薄いガラスフィルムを用いることが提案されている。
例えば、特許文献1には、フィルム厚200μm以下のガラスフィルムをロール状に巻き取った特定のガラスロールが記載されている。また、特許文献1には、そのガラスフィルムが、ディスプレイ用基板として用いられることも記載されている。
In recent years, liquid crystal displays and organic EL displays have been required to be thin, light, and flexible.
For this reason, it has been proposed to use an extremely thin glass film as a transparent substrate used for such applications.
For example, Patent Document 1 describes a specific glass roll obtained by winding a glass film having a film thickness of 200 μm or less into a roll. Patent Document 1 also describes that the glass film is used as a display substrate.

また、耐熱性や透明性に優れる樹脂としてポリイミドが知られている。
例えば、特許文献2には、特定の脂環式構造を有する、ガラス転移温度が高く、透明性に優れ、低吸水率のポリイミドが記載されている。
In addition, polyimide is known as a resin excellent in heat resistance and transparency.
For example, Patent Document 2 describes a polyimide having a specific alicyclic structure, high glass transition temperature, excellent transparency, and low water absorption.

特開2011−042508号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-042508 特開2007−284414号公報JP 2007-284414 A

特許文献1に記載のガラスフィルムを基材として用いる際、ガラスフィルム表面に樹脂層を設けて積層フィルムにすることで、ガラスフィルムが破損し難くなると考えられる。
しかしながら、この樹脂層の材料として、特許文献2に記載のポリイミドを用いた場合、ガラスフィルムに比べて樹脂層の熱膨張率が大きくなり易く、積層フィルムに熱負荷がかかった時に、積層フィルムが反ったり、樹脂層がガラスフィルムから剥離したりすることがあった。
また、ポリイミド鎖中に、π結合が広がってなる剛直構造を導入することにより、ポリイミドの熱膨張率を低くすることができるが、この場合、ポリイミド膜が黄みを帯びたり、ポリイミドの溶解性の問題で、適当な濃度のワニスを調製できなかったりするという問題があった。
When using the glass film of patent document 1 as a base material, it is thought that it becomes difficult to break a glass film by providing a resin layer on the glass film surface and making it a laminated film.
However, when the polyimide described in Patent Document 2 is used as the material for the resin layer, the thermal expansion coefficient of the resin layer is likely to be larger than that of the glass film, and when the thermal load is applied to the laminated film, The resin layer may be warped or peeled off from the glass film.
In addition, by introducing a rigid structure in which the π bond is expanded in the polyimide chain, the thermal expansion coefficient of the polyimide can be lowered. In this case, the polyimide film is yellowish or the solubility of the polyimide is increased. There was a problem that it was not possible to prepare an appropriate concentration of varnish.

本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成する際に有用なワニス、このワニスを用いて得られる積層体、及びこの積層体の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described prior art, and is a varnish useful for forming a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion, and a laminate obtained by using this varnish. And it aims at providing the manufacturing method of this laminated body.

本発明者は上記課題を解決すべく、ポリイミドと、これを用いて得られるポリイミド膜について鋭意検討した。その結果、特定の剛直構造を有する繰り返し単位を有するポリイミドを含有するワニスを用いて、特定の方法により形成されたポリイミド膜は、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いことを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor diligently studied about polyimide and a polyimide film obtained using the polyimide. As a result, using a varnish containing a polyimide having a repeating unit having a specific rigid structure, a polyimide film formed by a specific method is found to have excellent transparency and mechanical properties, and a low coefficient of thermal expansion, The present invention has been completed.

かくして本発明によれば、下記〔1〕〜〔2〕のワニス、〔3〕〜〔4〕の積層体、〔5〕〜〔10〕の積層体の製造方法が提供される。
〔1〕ポリイミド及び溶媒を含有するワニスであって、前記ポリイミドが、分子内に、下記式(1)で示される繰り返し単位、又は、下記式(1)で示される繰り返し単位及び下記式(2)で示される繰り返し単位を有し、下記式(1)で示される繰り返し単位と下記式(2)で示される繰り返し単位の合計量が、全繰り返し単位中80〜100モル%で、かつ、式(1)で示される繰り返し単位と式(2)で示される繰り返し単位の割合〔式(1)で示される繰り返し単位:式(2)で示される繰り返し単位〕のモル比が、20:80〜100:0の高分子であり、前記溶媒が、沸点が170℃以下の非プロトン性極性溶媒であることを特徴とするワニス。
Thus, according to the present invention, the following [1] to [2] varnish, [3] to [4] laminate, and [5] to [10] laminate production methods are provided.
[1] A varnish containing a polyimide and a solvent, wherein the polyimide has in its molecule a repeating unit represented by the following formula (1), or a repeating unit represented by the following formula (1) and the following formula (2 ), The total amount of the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2) is 80 to 100 mol% in all repeating units, and the formula The molar ratio of the repeating unit represented by (1) and the repeating unit represented by formula (2) [repeating unit represented by formula (1): repeating unit represented by formula (2)] is from 20:80 to A varnish, which is a polymer of 100: 0, and the solvent is an aprotic polar solvent having a boiling point of 170 ° C. or lower.

Figure 2015209488
Figure 2015209488

〔式中、R、Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。Aは、下記式(3a)又は(3b) [Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, Or represents a trifluoromethyl group. A 1 represents the following formula (3a) or (3b)

Figure 2015209488
Figure 2015209488

(式中、*は、結合手を表す。)
で示される基を表す。a、bはそれぞれ独立に、0〜4の整数を表す。a、bがそれぞれ2以上のとき、複数のR同士およびR同士は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。〕
(In the formula, * represents a bond.)
Represents a group represented by a and b each independently represents an integer of 0 to 4; When a and b are each 2 or more, a plurality of R 1 s and R 2 s may be the same or different. ]

Figure 2015209488
Figure 2015209488

(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。Aは、前記式(3a)又は(3b)で示される基を表す。c〜fはそれぞれ独立に、0〜4の整数を表す。c、d、e、fがそれぞれ2以上のとき、複数のR同士、R同士、R同士およびR同士は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。)
〔2〕前記ポリイミドが、厚みが10μmのフィルムに成形したときに、そのフィルムの、波長400nmの光の光線透過率が85%以上になるものである、〔1〕に記載のワニス。
〔3〕基材と、基材上に形成されたポリイミド膜とを有する積層体であって、前記ポリイミド膜が、請求項1又は2に記載のワニスを用いて形成された、熱膨張率が30ppm/℃以下の膜であることを特徴とする積層体。
〔4〕前記基材がガラス基材である、〔3〕に記載の積層体。
〔5〕積層体の製造方法であって、
基材上に〔1〕又は〔2〕に記載のワニスを塗布し、得られた塗膜をプリベークするステップ(A−I)
ステップ(A−I)の後、塗膜を、前記ワニスに含まれるポリイミドに対する貧溶媒に浸漬処理するステップ(A−II)
ステップ(A−II)の後、塗膜を加熱乾燥して、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(A−III)
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
〔6〕ステップ(A−I)後の塗膜中の残留溶媒量が5〜45重量%である、〔5〕に記載の積層体の製造方法。
〔7〕前記貧溶媒が、水、炭素数1〜4のアルコール系溶媒、炭素数2〜4のケトン系溶媒、及び炭素数3〜4の酢酸エステル系溶媒からなる群から選ばれる溶媒である、〔5〕又は〔6〕に記載の積層体の製造方法。
〔8〕前記基材が、膜厚が100μm以下の長尺のガラスフィルムであって、前記ガラスフィルムを一定方向に搬送しながら、ステップ(A−1)〜(A−III)を連続して行うことを特徴とする、〔5〕〜〔7〕のいずれかに記載の積層体の製造方法。
〔9〕積層体の製造方法であって、
基材上に〔1〕又は〔2〕に記載のワニスを、乾燥後の膜厚が5μm以下になるように塗布するステップ(B−I)
ステップ(B−I)で得られた塗膜を、100〜200℃で加熱乾燥することにより、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(B−II)
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
〔10〕前記基材が、膜厚が100μm以下の長尺のガラスフィルムであって、前記ガラスフィルムを一定方向に搬送しながら、ステップ(B−1)〜(B−II)を連続して行うことを特徴とする、〔9〕に記載の積層体の製造方法。
(In the formula, R 3 to R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, Or A 1 represents a group represented by the formula (3a) or (3b), and cf each independently represents an integer of 0 to 4. c, d, e, When f is 2 or more, a plurality of R 3 s , R 4 s , R 5 s, and R 6 s may be the same or different.
[2] The varnish according to [1], wherein when the polyimide is formed into a film having a thickness of 10 μm, the light transmittance of light having a wavelength of 400 nm of the film becomes 85% or more.
[3] A laminate having a base material and a polyimide film formed on the base material, wherein the polyimide film is formed using the varnish according to claim 1 or 2, and has a thermal expansion coefficient. A laminate characterized by being a film of 30 ppm / ° C. or less.
[4] The laminate according to [3], wherein the substrate is a glass substrate.
[5] A method for producing a laminate,
A step of applying the varnish described in [1] or [2] on a substrate and prebaking the obtained coating film (AI)
After the step (AI), the coating film is immersed in a poor solvent for the polyimide contained in the varnish (A-II)
After step (A-II), the coating film is dried by heating to form a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less (A-III)
The manufacturing method of the laminated body characterized by having.
[6] The method for producing a laminate according to [5], wherein the amount of residual solvent in the coating film after step (AI) is 5 to 45% by weight.
[7] The poor solvent is a solvent selected from the group consisting of water, an alcohol solvent having 1 to 4 carbon atoms, a ketone solvent having 2 to 4 carbon atoms, and an acetate ester solvent having 3 to 4 carbon atoms. [5] or [6] The manufacturing method of the layered product according to [6].
[8] The substrate is a long glass film having a film thickness of 100 μm or less, and the steps (A-1) to (A-III) are continuously performed while the glass film is conveyed in a certain direction. The manufacturing method of the laminated body in any one of [5]-[7] characterized by performing.
[9] A method for producing a laminate,
A step of applying the varnish described in [1] or [2] on a substrate so that the film thickness after drying is 5 μm or less (BI)
Step (B-II) of forming a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less by heating and drying the coating film obtained in step (BI) at 100 to 200 ° C.
The manufacturing method of the laminated body characterized by having.
[10] The substrate is a long glass film having a thickness of 100 μm or less, and the steps (B-1) to (B-II) are continuously performed while the glass film is conveyed in a certain direction. It is performed, The manufacturing method of the laminated body as described in [9] characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成する際に有用なワニス、このワニスを用いて得られる積層体、及びこの積層体の製造方法、が提供される。   According to the present invention, a varnish useful for forming a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion, a laminate obtained using the varnish, and a method for producing the laminate are provided. Is done.

以下、本発明を、1)ワニス、2)積層体、及び、3)積層体の製造方法、に項分けして詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail by dividing it into 1) varnish, 2) a laminate, and 3) a method for producing a laminate.

1)ワニス
本発明のワニスは、ポリイミド及び溶媒を含有するワニスであって、前記ポリイミドが、分子内に、前記(1)で示される繰り返し単位、又は、前記式(1)で示される繰り返し単位及び前記式(2)で示される繰り返し単位を有し、前記式(1)で示される繰り返し単位と前記式(2)で示される繰り返し単位の合計量が、全繰り返し単位中80〜100モル%で、かつ、式(1)で示される繰り返し単位と式(2)で示される繰り返し単位の割合〔式(1)で示される繰り返し単位:式(2)で示される繰り返し単位〕のモル比が、20:80〜100:0の高分子であり、前記溶媒が、沸点が170℃以下の非プロトン性極性溶媒であることを特徴とする。
1) Varnish The varnish of the present invention is a varnish containing a polyimide and a solvent, and the polyimide is a repeating unit represented by the above (1) or a repeating unit represented by the above formula (1) in the molecule. And the total amount of the repeating unit represented by the formula (1) and the repeating unit represented by the formula (2) is 80 to 100 mol% in all repeating units. And the molar ratio of the repeating unit represented by formula (1) to the repeating unit represented by formula (2) [repeating unit represented by formula (1): repeating unit represented by formula (2)] is , 20:80 to 100: 0, and the solvent is an aprotic polar solvent having a boiling point of 170 ° C. or lower.

〔ポリイミド〕
本発明に用いるポリイミドは、分子内に、前記式(1)で示される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(1)」ということがある。)、又は、前記繰り返し単位(1)及び前記式(2)で示される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(2)」ということがある。)を有し、前記繰り返し単位(1)と繰り返し単位(2)の合計量が、全繰り返し単位中80〜100モル%で、繰り返し単位(1)と繰り返し単位(2)の割合〔繰り返し単位(1):繰り返し単位(2)〕のモル比が、20:80〜100:0のものである。
[Polyimide]
The polyimide used in the present invention has a repeating unit represented by the formula (1) in the molecule (hereinafter sometimes referred to as “repeating unit (1)”), or the repeating unit (1) and the formula (1). 2) (hereinafter also referred to as “repeating unit (2)”), and the total amount of the repeating unit (1) and the repeating unit (2) is 80 to 80% of all the repeating units. The molar ratio of the repeating unit (1) to the repeating unit (2) [repeating unit (1): repeating unit (2)] is 20:80 to 100: 0 at 100 mol%.

繰り返し単位(1)中、R、Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。 In the repeating unit (1), R 1 and R 2 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a linear or branched structure having 1 to 6 carbon atoms. An alkoxyl group or a trifluoromethyl group is represented.

、Rのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
、Rの炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基の炭素数は1〜3が好ましい。炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−へキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
、Rの炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基の炭素数は1〜3が好ましい。炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom for R 1 and R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
R 1, the number of carbon atoms of the linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms R 2 is 1-3 are preferable. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, Examples thereof include s-butyl group and t-butyl group.
R 1, the number of carbon atoms of the linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms R 2 is 1-3 are preferable. Examples of the linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, isopropoxy group, isobutoxy group. Group, t-butoxy group and the like.

a、bは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。a、bが、2〜4の整数の場合、複数のRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、複数のRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
は、前記式(3a)又は(3b)で示される基を表す。
a and b each independently represents an integer of 0 to 4; When a and b are integers of 2 to 4, the plurality of R 1 may be the same or different from each other, and the plurality of R 2 may be the same or different from each other. It may be.
A 1 represents a group represented by the formula (3a) or (3b).

繰り返し単位(1)は、下記式(4a)又は(4b)で示されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式(5)で示されるジアミンとを反応させて得られる構造を有する。
テトラカルボン酸二無水物〔下記式(4a)又は(4b)で示される化合物〕に由来する部分は、脂環式構造を有する。
The repeating unit (1) has a structure obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula (4a) or (4b) with a diamine represented by the following formula (5).
The part derived from tetracarboxylic dianhydride [compound represented by the following formula (4a) or (4b)] has an alicyclic structure.

Figure 2015209488
Figure 2015209488

Figure 2015209488
Figure 2015209488

このため、本発明に用いるポリイミドは透明性に優れる。また、この脂環式構造を有するポリイミドは、有機溶媒に対する溶解性に優れる。したがって、このポリイミドを用いることで、十分な樹脂濃度を有する本発明のワニスを効率よく得ることができる。   For this reason, the polyimide used for this invention is excellent in transparency. Moreover, the polyimide which has this alicyclic structure is excellent in the solubility with respect to an organic solvent. Therefore, by using this polyimide, the varnish of the present invention having a sufficient resin concentration can be obtained efficiently.

また、ジアミン〔下記式(5)で示される化合物〕に由来する部分は、π結合が広がってなる剛直構造を有する。   Moreover, the part derived from diamine [compound shown by following formula (5)] has a rigid structure where a pi bond spreads.

Figure 2015209488
Figure 2015209488

このため、本発明に用いるポリイミドを用いることで、熱膨張率が低いポリイミド膜を効率よく形成することができる。   For this reason, the polyimide film | membrane with a low thermal expansion coefficient can be efficiently formed by using the polyimide used for this invention.

繰り返し単位(2)中、R〜Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。
これらの基の具体例としては、R、Rとして例示したものと同様のものが挙げられる。
c〜fは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。cが2〜4の整数の場合、複数のRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、e〜fが2〜4の整数の場合におけるR〜Rについても同様である。
は、前記式(3a)又は(3b)で示される基を表す。
In the repeating unit (2), R 3 to R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a linear or branched structure having 1 to 6 carbon atoms. An alkoxyl group or a trifluoromethyl group is represented.
Specific examples of these groups include the same groups as those exemplified as R 1 and R 2 .
cf represents the integer of 0-4 each independently. When c is an integer of 2 to 4, a plurality of R 3 may be the same as or different from each other. The same applies to R 4 to R 6 when e to f are integers of 2 to 4.
A 1 represents a group represented by the formula (3a) or (3b).

繰り返し単位(2)は、前記式(4a)又は(4b)で示されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式(6)で示されるジアミンとを反応させて得られる構造を有する。
テトラカルボン酸二無水物〔前記式(4a)又は(4b)で示される化合物〕に由来する部分は、繰り返し単位(1)のテトラカルボン酸二無水物と同様のものである。したがって、本発明に用いるポリイミドは透明性及び有機溶媒に対する溶解性に優れる。
The repeating unit (2) has a structure obtained by reacting the tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (4a) or (4b) with the diamine represented by the following formula (6).
The part derived from tetracarboxylic dianhydride [the compound represented by the above formula (4a) or (4b)] is the same as the tetracarboxylic dianhydride of the repeating unit (1). Therefore, the polyimide used in the present invention is excellent in transparency and solubility in organic solvents.

また、ジアミン〔下記式(6)で示される化合物〕に由来する部分は、フルオレン環を有する。   Moreover, the part derived from diamine [the compound shown by following formula (6)] has a fluorene ring.

Figure 2015209488
Figure 2015209488

このフルオレン環構造を有するポリイミドは、有機溶媒に対する溶解性に優れる。したがって、このポリイミドを用いることで、十分な樹脂濃度を有する本発明のワニスを効率よく得ることができる。   The polyimide having this fluorene ring structure is excellent in solubility in an organic solvent. Therefore, by using this polyimide, the varnish of the present invention having a sufficient resin concentration can be obtained efficiently.

ポリイミド中の繰り返し単位(1)と繰り返し単位(2)の合計量は、全繰り返し単位中、80〜100モル%であり、好ましくは90〜100モル%、より好ましくは95〜100モル%である。
繰り返し単位(1)と繰り返し単位(2)の合計が上記範囲内にあることで、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜の原料として有用なポリイミドを得ることができる。
The total amount of the repeating unit (1) and the repeating unit (2) in the polyimide is 80 to 100 mol%, preferably 90 to 100 mol%, more preferably 95 to 100 mol% in all repeating units. .
When the total of the repeating unit (1) and the repeating unit (2) is within the above range, a polyimide useful as a raw material for a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion can be obtained.

用いるポリイミドの、繰り返し単位(1)と繰り返し単位(2)の割合〔繰り返し単位(1):繰り返し単位(2)〕のモル比は、20:80〜100:0であり、好ましくは30:70〜70:30である。
繰り返し単位(1)の割合が少な過ぎると、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成することが困難になる。また、繰り返し単位(2)を適度に有することで、有機溶媒に対する溶解性が高まるため、ワニスを調製する際に、多くの種類の有機溶媒の中から、用いる有機溶媒を選択することができる。
The molar ratio of the repeating unit (1) to the repeating unit (2) [repeating unit (1): repeating unit (2)] of the polyimide used is 20:80 to 100: 0, preferably 30:70. ~ 70: 30.
If the ratio of the repeating unit (1) is too small, it becomes difficult to form a polyimide film having a low coefficient of thermal expansion. Moreover, since the solubility with respect to an organic solvent increases by having a repeating unit (2) moderately, when preparing a varnish, the organic solvent to be used can be selected from many types of organic solvents.

用いるポリイミドは、繰り返し単位(1)、(2)以外の任意の繰り返し単位を有していてもよい。このような繰り返し単位としては、後述する、前記式(4a)、(4b)で示されるテトラカルボン酸二無水物以外のテトラカルボン酸二無水物(以下、「その他のテトラカルボン酸二無水物」ということがある。)や、前記式(5)、(6)で示されるジアミン以外のジアミン(以下、「その他のジアミン」ということがある。)を用いて形成された繰り返し単位が挙げられる。   The polyimide to be used may have an arbitrary repeating unit other than the repeating units (1) and (2). Examples of such a repeating unit include tetracarboxylic dianhydrides other than the tetracarboxylic dianhydrides represented by the formulas (4a) and (4b) described later (hereinafter, “other tetracarboxylic dianhydrides”). And repeating units formed using diamines other than the diamines represented by the formulas (5) and (6) (hereinafter sometimes referred to as “other diamines”).

本発明に用いるポリイミドの合成方法は特に限定されない。例えば、前記式(4a)又は(4b)で示されるテトラカルボン酸二無水物、前記式(5)で示されるジアミン、前記式(6)で示されるジアミン、その他必要に応じて用いられる、その他のテトラカルボン酸二無水物やその他のジアミンを原料として用いて反応を行うことにより、目的のポリイミドを合成することができる。   The method for synthesizing the polyimide used in the present invention is not particularly limited. For example, the tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (4a) or (4b), the diamine represented by the above formula (5), the diamine represented by the above formula (6), and other used as necessary. The target polyimide can be synthesized by performing a reaction using tetracarboxylic dianhydride or other diamine as a raw material.

前記その他のテトラカルボン酸二無水物としては、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,3’,4,4’−テトラカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシフェニル)スルホン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、シクロブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。   Examples of the other tetracarboxylic dianhydrides include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, pyromellitic acid anhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid anhydride. 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic anhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2 , 3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenyl Sul Tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,3 ′, 4,4′-tetracarboxyphenyl) tetrafluoropropane Dianhydride, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenoxyphenyl) sulfone dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis ( 3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride and the like.

前記その他のジアミンとしては、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,1−ジ(3−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ジ(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1−(3−アミノフェニル)−1−(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3− アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾニトリル、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ピリジン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2,2’−ジ(p−アミノフェニル)−6,6’−ビスベンゾオキサゾール、2−(4−アミノフェニル)−6−アミノベンゾオキサゾール、N−(4−アミノフェニル)−4−アミノベンズアミド、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、4−アミノフェニル−4−アミノベンゾエート、2,2’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジアミン等が挙げられる。   Examples of the other diamines include 4,4′-diaminodiphenyl ether, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'- Diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-di (3 -Aminophenyl Propane, 2,2-di (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2,2-di (3-aminophenyl) -1,1, 1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2 -(4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,1-di (4-amino) Phenyl) -1-phenylethane, 1- (3-aminophenyl) -1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis ( 4-aminophenoxy) benzene, 1, -Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-aminobenzoyl) benzene, , 4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis ( 4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene 1,3-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4 Bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 2,6-bis (3-aminophenoxy) benzo Nitrile, 2,6-bis (3-aminophenoxy) pyridine, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3- Aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [ -(3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4 -(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [ 4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) benzene Zoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] Benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenylsulfone, 3, 3'-diamino-4,4'-diphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dibiphenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,3'-diamino-4 -Biphenoxybenzophenone, 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole, 2,2'-di (p-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole, 2- (4-aminophenyl) -6-aminobenzoxazole, N- (4-aminophenyl) -4-aminobenzamide, N, N'-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 4-aminophenyl-4-aminobenzoate, 2,2 ' -Dimethylbiphenyl-4,4'-diamine etc. are mentioned.

本発明に用いるポリイミドの合成方法としては、テトラカルボン酸二無水物とジアミン(以下、これらの化合物をまとめて「モノマー」ということがある。)を反応させて、ポリイミド前駆体を得た後、得られたポリイミド前駆体をイミド化してポリイミドを合成する方法(方法1)や、テトラカルボン酸二無水物とジアミンから、直接、ポリイミドを合成する方法(方法2)等が挙げられる。   As a method for synthesizing the polyimide used in the present invention, after reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine (hereinafter, these compounds may be collectively referred to as “monomer”) to obtain a polyimide precursor, Examples include a method of imidizing the obtained polyimide precursor to synthesize polyimide (method 1), a method of directly synthesizing polyimide from tetracarboxylic dianhydride and diamine (method 2), and the like.

方法1(ポリイミド前駆体をイミド化する方法)において、ポリイミド前駆体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、まず、前記式(5)で示されるジアミンと、必要に応じて用いられる、前記式(6)で示されるジアミンやその他のジアミンを溶媒に溶かして溶液を得た後、撹拌下、この溶液に、用いたジアミンと実質的に当量の、前記式(4a)又は(4b)で示されるテトラカルボン酸二無水物、及び、必要に応じて用いられるその他のテトラカルボン酸二無水物を徐々に添加し、撹拌を継続して反応させることにより、ポリイミド前駆体の溶液を得ることができる。
このときのモノマー濃度は特に限定されないが、通常、5〜50重量%、好ましくは10〜40重量%である。
In Method 1 (method of imidizing a polyimide precursor), the method for synthesizing the polyimide precursor is not particularly limited, and a known method can be adopted.
For example, first, a diamine represented by the above formula (5) and a diamine represented by the above formula (6) and other diamines used as needed are dissolved in a solvent to obtain a solution, and this is then stirred. To the solution, gradually add the tetracarboxylic dianhydride represented by the above formula (4a) or (4b) and other tetracarboxylic dianhydrides used as necessary, which are substantially equivalent to the diamine used. The solution of a polyimide precursor can be obtained by adding to and making it react by continuing stirring.
The monomer concentration at this time is not particularly limited, but is usually 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight.

ポリイミド前駆体を合成する際に用いる溶媒は、モノマー及びポリイミド前駆体を十分溶解するものであれば、特に限定されない。例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等の含硫黄系溶媒;クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール系溶媒;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(トリグライム)、テトラグライム等のジグライム系溶媒;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン系溶媒;イソホロン、シクロヘキサノン、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ピリジン、エチレングリコール、ジオキサン、テトラメチル尿素等のその他の溶媒;等が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上を混合して用いることができる。   The solvent used when synthesizing the polyimide precursor is not particularly limited as long as it sufficiently dissolves the monomer and the polyimide precursor. For example, amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, hexamethylphosphate triamide; sulfolane, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, tetramethylene Sulfur-containing solvents such as sulfone and dimethyltetramethylenesulfone; phenolic solvents such as cresol, phenol and xylenol; diglyme-based solvents such as diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), triethylene glycol dimethyl ether (triglyme) and tetraglyme; γ-butyrolactone, Lactone solvents such as γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, ε-caprolactone; isophorone, cyclohexanone, 3,3,5-trimethylcyclo Examples include ketone solvents such as hexanone; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; other solvents such as pyridine, ethylene glycol, dioxane, and tetramethylurea. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

反応温度は特に限定されないが、通常、−10〜80℃、好ましくは0〜40℃である。
反応時間は特に限定されないが、通常、0.5〜150時間、好ましくは3〜24時間である。
Although reaction temperature is not specifically limited, Usually, it is -10-80 degreeC, Preferably it is 0-40 degreeC.
Although reaction time is not specifically limited, Usually, it is 0.5 to 150 hours, Preferably it is 3 to 24 hours.

得られたポリイミド前駆体の溶液は、ポリイミド前駆体を単離することなく、そのまま、あるいは濃度を調整した後、次のイミド化反応に供することができる。また、ポリイミド前駆体の溶液を大量の水やメタノール等の貧溶媒に滴下し、ポリイミド前駆体を析出させ、これをろ取、洗浄、乾燥することにより、ポリイミド前駆体を単離することもできる。
本明細書において、貧溶媒とは、目的物(上記の場合は、ポリイミド前駆体)に対する溶解性に乏しい溶媒をいう。例えば、25℃における目的物の飽和溶液の濃度が、1重量%以下となる溶媒が挙げられ、0.5重量%以下となる溶媒が好ましい。
The obtained polyimide precursor solution can be subjected to the next imidation reaction as it is or after adjusting the concentration without isolating the polyimide precursor. Alternatively, the polyimide precursor can be isolated by dropping the polyimide precursor solution into a large amount of poor solvent such as water or methanol to precipitate the polyimide precursor, which is filtered, washed and dried. .
In the present specification, the poor solvent refers to a solvent having poor solubility in the target product (in the above case, a polyimide precursor). For example, a solvent in which the concentration of the saturated solution of the target product at 25 ° C. is 1% by weight or less is mentioned, and a solvent that is 0.5% by weight or less is preferable.

貧溶媒としては、水;メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール等の炭素数1〜4のアルコール系溶媒;アセトン等の炭素数2〜4のケトン系溶媒;酢酸エチル等の炭素数3〜4の酢酸エステル系溶媒;等が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上を混合して用いることができる。   Examples of the poor solvent include water; alcohol solvents having 1 to 4 carbon atoms such as methanol, ethanol, n-propanol, and isopropanol; ketone solvents having 2 to 4 carbon atoms such as acetone; and 3 to 4 carbon atoms such as ethyl acetate. And the like, and the like. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

ポリイミド前駆体をイミド化する方法は特に限定されず、例えば、公知の化学イミド化法や、熱イミド化法を採用することができる。なかでも、過度に加熱する必要が無く、ポリイミドの分子量低下を抑制し得ることから、化学イミド化法がより好適に用いられる。   The method for imidizing the polyimide precursor is not particularly limited, and for example, a known chemical imidization method or thermal imidization method can be employed. Especially, since it is not necessary to heat too much and the molecular weight fall of a polyimide can be suppressed, a chemical imidation method is used more suitably.

化学イミド化法は、例えば、ポリイミド前駆体の溶液を撹拌しながら、この溶液に、有機酸無水物と有機塩基を滴下することにより行うことができる。
ポリイミド前駆体の溶液の溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。
有機酸無水物としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水マレイン酸、無水フタル酸等が挙げられる。なかでも、反応後の除去が容易であることや、費用の観点から、無水酢酸が好適に用いられる。
有機酸無水物の使用量は特に限定されないが、ポリイミド前駆体の理論脱水量の1〜10当量が好ましく、2〜5当量がより好ましい。
The chemical imidization method can be performed, for example, by dropping an organic acid anhydride and an organic base into this solution while stirring the solution of the polyimide precursor.
Examples of the solvent for the polyimide precursor solution include the same solvents as those shown as the solvent for the synthesis of the polyimide precursor.
Examples of the organic acid anhydride include acetic anhydride, propionic anhydride, maleic anhydride, and phthalic anhydride. Among these, acetic anhydride is preferably used from the viewpoint of easy removal after the reaction and cost.
Although the usage-amount of an organic acid anhydride is not specifically limited, 1-10 equivalent of the theoretical dehydration amount of a polyimide precursor is preferable, and 2-5 equivalent is more preferable.

有機塩基としては、ピリジン、ピコリン等の複素環式化合物;トリエチルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の3級アミン;等が挙げられる。
有機塩基の使用量は特に限定されないが、有機酸無水物に対して0.1〜2当量が好ましく、0.2〜1.5当量がより好ましい。
Examples of the organic base include heterocyclic compounds such as pyridine and picoline; tertiary amines such as triethylamine and N, N-dimethylaniline;
Although the usage-amount of an organic base is not specifically limited, 0.1-2 equivalent is preferable with respect to an organic acid anhydride, and 0.2-1.5 equivalent is more preferable.

化学イミド化法において、反応温度は特に限定されないが、通常、0〜130℃、好ましくは20〜110℃である。反応時間は特に限定されないが、通常、0.5〜48時間、好ましくは1〜24時間である。   In the chemical imidization method, the reaction temperature is not particularly limited, but is usually 0 to 130 ° C, preferably 20 to 110 ° C. Although reaction time is not specifically limited, Usually, it is 0.5 to 48 hours, Preferably it is 1 to 24 hours.

熱イミド化法は、例えば、ポリイミド前駆体の溶液を脱水閉環反応が起きる温度に加熱することにより行うことができる。加熱する際は、最高温度まで一段階で昇温する方法、多段階で昇温する方法のどちらでもよい。   The thermal imidization method can be performed, for example, by heating a solution of the polyimide precursor to a temperature at which a dehydration ring-closing reaction occurs. When heating, either a method of raising the temperature up to the maximum temperature in one step or a method of raising the temperature in multiple steps may be used.

ポリイミド前駆体の溶液の溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。
熱イミド化法において、反応温度は特に限定されないが、通常、130〜450℃、好ましくは300〜400℃である。反応時間は特に限定されないが、通常、0.1〜24時間、好ましくは0.5〜5時間である。
反応は、真空中、窒素、アルゴン等の不活性ガス中、あるいは空気中で行うことができる
反応系内には、触媒としてγ−ピコリン等の有機塩基や、副生成物である水を共沸留去するために、トルエンやキシレン等を添加してもよい。
Examples of the solvent for the polyimide precursor solution include the same solvents as those shown as the solvent for the synthesis of the polyimide precursor.
In the thermal imidization method, the reaction temperature is not particularly limited, but is usually 130 to 450 ° C, preferably 300 to 400 ° C. Although reaction time is not specifically limited, Usually, it is 0.1 to 24 hours, Preferably it is 0.5 to 5 hours.
The reaction can be carried out in vacuum, in an inert gas such as nitrogen or argon, or in the air. In the reaction system, an organic base such as γ-picoline or water as a by-product is azeotroped. To distill off, toluene, xylene or the like may be added.

また、単離したポリイミド前駆体を、そのまま加熱して熱イミド化することもできる。
反応温度は特に限定されないが、通常、200〜400℃、好ましくは250〜300℃である。
反応時間は特に限定されないが、通常、0.5〜48時間、好ましくは1〜24時間である。
反応は、真空中、窒素、アルゴン等の不活性ガス中、あるいは空気中で行うことができるが、着色を防ぐことができることから、真空中又は不活性ガス中で行うことが好ましい。
Moreover, the isolated polyimide precursor can also be heat-imidized by heating as it is.
Although reaction temperature is not specifically limited, Usually, it is 200-400 degreeC, Preferably it is 250-300 degreeC.
Although reaction time is not specifically limited, Usually, it is 0.5 to 48 hours, Preferably it is 1 to 24 hours.
The reaction can be performed in a vacuum, in an inert gas such as nitrogen or argon, or in the air. However, since the coloring can be prevented, the reaction is preferably performed in a vacuum or an inert gas.

方法2(テトラカルボン酸二無水物とジアミンから、直接、ポリイミドを合成する方法)によりポリイミドを合成する場合、例えば、方法1におけるポリイミド前駆体の合成方法の反応条件を変えることにより、テトラカルボン酸二無水物とジアミンから、直接、ポリイミドを合成することができる。   When a polyimide is synthesized by Method 2 (a method of directly synthesizing polyimide from tetracarboxylic dianhydride and diamine), for example, by changing reaction conditions of a method for synthesizing a polyimide precursor in Method 1, tetracarboxylic acid is obtained. Polyimide can be synthesized directly from dianhydride and diamine.

反応に用いる溶媒としては、ポリイミド前駆体の合成用の溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。なかでも、アミド系溶媒やフェノール系溶媒が好ましい。
反応温度は特に限定されないが、通常、130〜250℃、好ましくは150〜200℃である。
反応時間は特に限定されないが、通常、0.5〜48時間、好ましくは1〜24時間である。
反応系内には、触媒としてγ−ピコリン等の有機塩基や、副生成物である水を共沸留去するために、トルエンやキシレン等を添加してもよい。
Examples of the solvent used for the reaction include the same solvents as those shown for the synthesis of the polyimide precursor. Of these, amide solvents and phenol solvents are preferable.
Although reaction temperature is not specifically limited, Usually, 130-250 degreeC, Preferably it is 150-200 degreeC.
Although reaction time is not specifically limited, Usually, it is 0.5 to 48 hours, Preferably it is 1 to 24 hours.
To the reaction system, toluene, xylene or the like may be added in order to azeotropically distill off an organic base such as γ-picoline or water as a by-product as a catalyst.

上記の方法1や方法2により反応を行い、得られたポリイミドの溶液を大量の貧溶媒中に滴下することで、ポリイミドを析出させることができる。さらに、析出したポリイミドを、ろ取、洗浄、乾燥等することにより、ポリイミドを単離することができる。
貧溶媒としては、ポリイミド前駆体の貧溶媒として示したものと同様のものが挙げられる。
The reaction can be performed by the above-described method 1 or method 2, and the resulting polyimide solution can be dropped into a large amount of poor solvent to precipitate the polyimide. Furthermore, the polyimide can be isolated by filtering, washing, drying, etc. the deposited polyimide.
As a poor solvent, the thing similar to what was shown as a poor solvent of a polyimide precursor is mentioned.

本発明に用いるポリイミドの重量平均分子量は、通常5,000〜1,000,000、好ましくは10,000〜500,000である。
ポリイミドの分子量分布は、通常1.3〜3、好ましくは1.5〜2.5である。
重量平均分子量や、分子量分布が上記範囲内のポリイミドを用いることで、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成し易くなる。
なお、重量平均分子量および分子量分布は、シクロペンタノンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により得られた、ポリスチレン換算値である。
The weight average molecular weight of the polyimide used in the present invention is usually 5,000 to 1,000,000, preferably 10,000 to 500,000.
The molecular weight distribution of the polyimide is usually 1.3 to 3, preferably 1.5 to 2.5.
By using a polyimide having a weight average molecular weight or molecular weight distribution within the above range, it becomes easy to form a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion.
In addition, a weight average molecular weight and molecular weight distribution are the polystyrene conversion values obtained by the gel permeation chromatography method which uses cyclopentanone as a solvent.

本発明に用いるポリイミドは、透明性に優れる。用いるポリイミドは、厚みが10μmのフィルムに成形したときに、そのフィルムの、波長400nmの光の光線透過率が85%以上になるものが好ましく、90%以上になるものがより好ましい。   The polyimide used in the present invention is excellent in transparency. The polyimide to be used preferably has a light transmittance of 85% or more, more preferably 90% or more, when formed into a film having a thickness of 10 μm.

本発明に用いるポリイミドは、有機溶媒に対する溶解性が高い。用いるポリイミドは、25℃のシクロペンタノンに溶かして飽和溶液を調製したときに、その飽和溶液の濃度が5重量%以上になるものが好ましく、10重量%以上になるものがより好ましい。飽和溶液の濃度の好ましい上限は特にないが、通常は、50重量%以下である。   The polyimide used in the present invention has high solubility in organic solvents. When the polyimide to be used is dissolved in cyclopentanone at 25 ° C. to prepare a saturated solution, the concentration of the saturated solution is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more. There is no particular upper limit for the concentration of the saturated solution, but it is usually 50% by weight or less.

〔溶媒〕
本発明に用いる溶媒は、沸点が170℃以下の非プロトン性極性溶媒である。
溶媒の沸点が170℃以下であることで、ポリイミド膜を形成する際に、効率よく溶媒を除去することができる。溶媒の沸点は、好ましくは、より好ましくは150℃以下である。
溶媒が、非プロトン性極性溶媒であることで、ポリイミドを十分に溶解させることができる。
〔solvent〕
The solvent used in the present invention is an aprotic polar solvent having a boiling point of 170 ° C. or lower.
When the boiling point of the solvent is 170 ° C. or lower, the solvent can be efficiently removed when forming the polyimide film. The boiling point of the solvent is preferably 150 ° C. or lower.
A polyimide can fully be dissolved because a solvent is an aprotic polar solvent.

用いる溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒;スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等の含硫黄系溶媒;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン系溶媒;ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、イソホロン、シクロヘキサノン、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒;等が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上を混合して用いることができる。
これらの中でも、ポリイミド膜を形成する際に、効率よく除去することができることから、ケトン系溶媒が好ましく、シクロペンタノンがより好ましい。
Examples of the solvent to be used include amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, hexamethylphosphate triamide; sulfolane, dimethyl sulfoxide, Sulfur-containing solvents such as dimethylsulfone, tetramethylenesulfone, dimethyltetramethylenesulfone; lactone solvents such as γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, ε-caprolactone; diethylketone, methylisobutyl And ketone solvents such as ketone, cyclopentanone, isophorone, cyclohexanone, and 3,3,5-trimethylcyclohexanone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
Among these, a ketone solvent is preferable and cyclopentanone is more preferable because it can be efficiently removed when forming a polyimide film.

〔ワニス〕
本発明のワニス中のポリイミドの濃度(樹脂濃度)は、ワニスの塗工方法や目的のポリイミド膜厚みに応じて適宜決定することができる。樹脂濃度は、好ましくは5〜30重量%、より好ましくは5〜20重量%である。
〔varnish〕
The polyimide concentration (resin concentration) in the varnish of the present invention can be appropriately determined according to the coating method of the varnish and the target polyimide film thickness. The resin concentration is preferably 5 to 30% by weight, more preferably 5 to 20% by weight.

本発明の効果を損ねない範囲において、ワニスは添加剤を含有してもよい。添加剤としては、酸化安定剤、フィラー、接着促進剤、シランカップリング剤、感光剤、光重合開始剤、増感剤、末端封止剤、架橋剤等が挙げられる。   The varnish may contain an additive as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the additive include an oxidation stabilizer, a filler, an adhesion promoter, a silane coupling agent, a photosensitizer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, a terminal blocking agent, and a crosslinking agent.

ワニスの調製方法は特に限定されない。例えば、ポリイミドを合成した直後の反応液の濃度を調整したものをワニスとして用いることができる。また、一旦単離したポリイミドを適当な溶媒に溶かすことでワニスを調製することができる。   The method for preparing the varnish is not particularly limited. For example, what adjusted the density | concentration of the reaction liquid immediately after synthesize | combining a polyimide can be used as a varnish. Moreover, a varnish can be prepared by dissolving the once isolated polyimide in a suitable solvent.

本発明のワニスを用いることで、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低いポリイミド膜を効率よく形成することができる。
したがって、本発明のワニスは、ガラス等の脆性材料の保護膜形成剤として好ましく用いられる。
By using the varnish of the present invention, a polyimide film having excellent transparency and mechanical properties and a low coefficient of thermal expansion can be efficiently formed.
Therefore, the varnish of the present invention is preferably used as a protective film forming agent for brittle materials such as glass.

2)積層体
本発明の積層体は、基材と、基材上に形成されたポリイミド膜とを有する積層体であって、前記ポリイミド膜が、本発明のワニスを用いて形成された、熱膨張率が30ppm/℃以下の膜であることを特徴とする
2) Laminate The laminate of the present invention is a laminate having a substrate and a polyimide film formed on the substrate, and the polyimide film is formed using the varnish of the present invention. It is a film having an expansion coefficient of 30 ppm / ° C. or less.

〔基材〕
本発明の積層体を構成する基材は、ポリイミド膜を担持することができ、かつ、ポリイミド膜を形成する際の加熱条件下で安定なものであれば、特に制限されない。
基材としては、ガラス基材、セラミック基材、半導体基材等の無機基材や、ステンレス基材、アルミニウム基材、銅基材等の金属基材や、樹脂フィルム基材等が挙げられる。
〔Base material〕
The base material constituting the laminate of the present invention is not particularly limited as long as it can support a polyimide film and is stable under heating conditions when forming the polyimide film.
Examples of the base material include inorganic base materials such as glass base materials, ceramic base materials, and semiconductor base materials, metal base materials such as stainless steel base materials, aluminum base materials, and copper base materials, and resin film base materials.

ガラス基材としては、ソーダライムガラス、ソーダカリガラス、ソーダアルミケイ酸塩ガラス、アルミノボレ−トガラス、アルミノボロシリケートガラス、低膨張ガラス、石英ガラス等のガラス材料からなるものが挙げられる。   Examples of the glass substrate include those made of glass materials such as soda lime glass, soda potash glass, soda aluminum silicate glass, alumino borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, low expansion glass, quartz glass and the like.

セラミック基材としては、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コディライト、ステアタイト、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック材料からなるものが挙げられる。   Examples of the ceramic substrate include those made of a ceramic material such as alumina, zirconia, mullite, cordierite, steatite, magnesium titanate, calcium titanate, strontium titanate, aluminum nitride, silicon carbide, and silicon nitride.

半導体基材としては、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、セレン(Se)、錫(Sn)、テルル(Te)などの元素半導体材料や、SiC、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、AlGaAs、GaInAs、AlInAs、AlGaInAs等の化合物半導体材料からなるものが挙げられる。   As a semiconductor substrate, elemental semiconductor materials such as silicon (Si), germanium (Ge), selenium (Se), tin (Sn), tellurium (Te), SiC, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlP, AlAs , AlSb, InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, AlGaAs, GaInAs, AlInAs, AlGaInAs, and the like.

基材の厚みは、特に限定されないが、通常600μm以下、好ましくは200μm以下、より好ましくは10〜100μm、特に好ましくは20〜60μmである。   Although the thickness of a base material is not specifically limited, Usually, it is 600 micrometers or less, Preferably it is 200 micrometers or less, More preferably, it is 10-100 micrometers, Most preferably, it is 20-60 micrometers.

本発明においては、前記基材として、熱膨張率が+1〜+21ppm/℃の単層基材、又はこの単層基材が2以上積層してなる複合基材を用いることが好ましい。かかる基材を用いることで、その上に形成されるポリイミド膜の熱膨張率との差が近くなるため、積層体の反りが小さくなる。   In the present invention, it is preferable to use a single layer substrate having a thermal expansion coefficient of +1 to +21 ppm / ° C. or a composite substrate formed by laminating two or more single layer substrates as the substrate. By using such a base material, the difference from the coefficient of thermal expansion of the polyimide film formed thereon is reduced, so that the warpage of the laminate is reduced.

これらの基材は、そのまま用いてもよく、ポリイミド膜との密着性を高めたり、より熱膨張率が低いポリイミド膜を形成するために、表面処理を行っても良い。表面処理としては、従来から知られている一般的な方法を用いることができ、具体的には、シランカップリング剤処理、アルミニウムアルコラート処理、アルミニウムキレート処理、チタネート系カップリング剤処理等が挙げられる。なかでも、効率よく表面処理を行うことができることから、シランカップリング剤処理が好ましく、アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノシラン系カップリング剤処理がより好ましい。   These base materials may be used as they are, or may be subjected to a surface treatment in order to enhance adhesion with the polyimide film or to form a polyimide film having a lower coefficient of thermal expansion. As the surface treatment, a conventionally known general method can be used. Specific examples include silane coupling agent treatment, aluminum alcoholate treatment, aluminum chelate treatment, titanate coupling agent treatment, and the like. . Especially, since a surface treatment can be performed efficiently, a silane coupling agent treatment is preferable, and an aminosilane-based coupling agent treatment such as aminopropyltriethoxysilane is more preferable.

〔ポリイミド膜〕
本発明の積層体を構成するポリイミド膜は、本発明のワニスを用いて形成された、熱膨張率が30ppm/℃以下の膜である。
熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜は、後述する方法により形成することができる。
[Polyimide film]
The polyimide film constituting the laminate of the present invention is a film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less formed using the varnish of the present invention.
A polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less can be formed by the method described later.

ポリイミド膜の厚みは、特に限定されないが、通常、1〜500μm、好ましくは1〜100μm、より好ましくは1〜50μmである。   Although the thickness of a polyimide film is not specifically limited, Usually, 1-500 micrometers, Preferably it is 1-100 micrometers, More preferably, it is 1-50 micrometers.

前記ポリイミド膜は、透明性に優れる。ポリイミド膜の、波長400nmの光の光線透過率は、85%以上が好ましく、90%以上がより好ましい。   The polyimide film is excellent in transparency. The light transmittance of light having a wavelength of 400 nm of the polyimide film is preferably 85% or more, and more preferably 90% or more.

前記ポリイミド膜は、機械特性に優れる。膜厚10μm、幅10mmのポリイミド膜を用いて、100mm/分の速度で引張試験を行ったときに、破断強度は、60MPa以上が好ましく、80MPa以上がより好ましく、上限は特に限定されないが、200MPa程度である。また、破断伸びは、5%以上が好ましく、10%以上がより好ましく、上限は特に限定されないが、50%程度である。   The polyimide film is excellent in mechanical properties. When a tensile test was performed at a rate of 100 mm / min using a polyimide film having a thickness of 10 μm and a width of 10 mm, the breaking strength is preferably 60 MPa or more, more preferably 80 MPa or more, and the upper limit is not particularly limited, but 200 MPa Degree. The elongation at break is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and the upper limit is not particularly limited, but is about 50%.

ポリイミド膜の機械特性は、実施例に記載の方法により基材からポリイミド膜を剥離して測定試料を得、これを用いることで測定することができる。   The mechanical properties of the polyimide film can be measured by separating the polyimide film from the substrate by the method described in the examples to obtain a measurement sample, and using this.

〔積層体〕
本発明の積層体は、前記基材とポリイミド膜とを有する。
前記ポリイミド膜は保護膜としても機能するため、基材として、ガラスのような脆性材料を用いた場合であっても、積層体の強度が高い。
また、前記ポリイミド膜は熱膨張率が低いため、熱負荷がかかっても、積層体が反ったり、ポリイミド膜が、基材から剥離したりし難い。
また、前記ポリイミド膜は透明性に優れるため、基材として透明基材を用いた場合、積層体は、透明性に優れる。
[Laminate]
The laminated body of this invention has the said base material and a polyimide film.
Since the polyimide film also functions as a protective film, the strength of the laminate is high even when a brittle material such as glass is used as the base material.
Moreover, since the said polyimide film has a low coefficient of thermal expansion, even if it applies a heat load, a laminated body will warp or a polyimide film will hardly peel from a base material.
Moreover, since the said polyimide film is excellent in transparency, when a transparent base material is used as a base material, a laminated body is excellent in transparency.

これらの特性を有することから、本発明の積層体は、薄型有機ELディスプレイ、フレキシブル液晶ディスプレイ、タッチパネル等のディスプレイ用基板や、封止シート材料等として好適に用いられる。   Since it has these characteristics, the laminated body of this invention is used suitably as display substrates, such as a thin organic EL display, a flexible liquid crystal display, and a touch panel, sealing sheet material, etc.

3)積層体の製造方法
本発明の積層体の製造方法は、以下の積層体の製造方法(A)又は(B)である。
積層体の製造方法であって、基材上に本発明のワニスを塗布し、得られた塗膜をプリベークするステップ(A−I)、ステップ(A−I)の後、塗膜を貧溶媒に浸漬処理するステップ(A−II)、ステップ(A−II)の後、塗膜を加熱乾燥して、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(A−III)、を有することを特徴とする積層体の製造方法(A)。
積層体の製造方法であって、基材上に本発明のワニスを、乾燥後の膜厚が5μm以下になるように塗布するステップ(B−I)、ステップ(B−I)で得られた塗膜を、100〜200℃で加熱乾燥することにより、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(B−II)、を有することを特徴とする積層体の製造方法(B)。
これらの製造方法(A)、(B)は、いずれも、本発明のワニスを塗工して形成された塗膜中の溶媒を効率よく除去しながら、ポリイミド膜を形成するという特徴を有する。
3) Manufacturing method of laminated body The manufacturing method of the laminated body of this invention is the manufacturing method (A) or (B) of the following laminated bodies.
A method for producing a laminate comprising: applying a varnish of the present invention on a substrate; and pre-baking the obtained coating film (AI), after step (AI), the coating film is a poor solvent Steps (A-II) and (A-II) for immersing the coating film, followed by heating and drying the coating film to form a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or lower (A-III). A method for producing a laminate (A), comprising:
It is a manufacturing method of a laminated body, Comprising: It obtained by the step (BI) and the step (BI) which apply | coat the varnish of this invention so that the film thickness after drying might be 5 micrometers or less on a base material. A method for producing a laminate (B-II), which comprises a step (B-II) of forming a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less by heating and drying the coating film at 100 to 200 ° C. ).
Each of these production methods (A) and (B) is characterized by forming a polyimide film while efficiently removing the solvent in the coating film formed by applying the varnish of the present invention.

〔製造方法(A)〕
製造方法(A)は、前記ステップ(A−I)〜(A−III)を有するものである。
ステップ(A−I)は、基材上に本発明のワニスを塗布し、得られた塗膜をプリベークするステップである。
基材、ワニスとしては、先に説明したものと同様のものが挙げられる。
ワニスを塗布する方法は特に制限されず、従来公知の方法を利用することができる。塗布方法としては、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スリットコート法等が挙げられる。
[Production method (A)]
The production method (A) includes the steps (AI) to (A-III).
Step (AI) is a step of applying the varnish of the present invention on a substrate and prebaking the obtained coating film.
Examples of the substrate and varnish are the same as those described above.
The method for applying the varnish is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples of the coating method include spin coating, dip coating, roll coating, curtain coating, die coating, and slit coating.

塗膜をプリベークする方法は特に限定されず、例えば、ホットプレート、加熱炉等を用いてプリベークすることができる。
加熱温度は、通常30〜100℃、好ましくは40〜80℃であり、加熱時間は、通常1〜60分、好ましくは1〜50分、より好ましくは1〜40分である。
The method for pre-baking the coating film is not particularly limited, and for example, it can be pre-baked using a hot plate, a heating furnace or the like.
The heating temperature is usually 30 to 100 ° C., preferably 40 to 80 ° C., and the heating time is usually 1 to 60 minutes, preferably 1 to 50 minutes, more preferably 1 to 40 minutes.

ステップ(A−I)におけるプリベークは、ある程度の溶媒が残留する程度に塗膜を乾燥させるものである。このような塗膜をステップ(A−II)の浸漬処理に供することで、最終的に熱膨張率が低いポリイミド膜を形成することができる。
ステップ(A−I)後の塗膜中の残留溶媒量は、好ましくは5〜45重量%、より好ましくは10〜40重量%である。残留溶媒量が上記範囲内にあることで、ステップ(A−II)の浸漬処理において、効率よく溶媒を除去することができ、熱膨張率が低いポリイミド膜を形成することができる。
The pre-bake in step (AI) is to dry the coating film to the extent that a certain amount of solvent remains. By subjecting such a coating film to the immersion treatment in step (A-II), a polyimide film having a low thermal expansion coefficient can be finally formed.
The amount of residual solvent in the coating film after step (AI) is preferably 5 to 45% by weight, more preferably 10 to 40% by weight. When the residual solvent amount is within the above range, the solvent can be efficiently removed in the immersion treatment of step (A-II), and a polyimide film having a low coefficient of thermal expansion can be formed.

ステップ(A−II)は、ステップ(A−I)の後、塗膜を貧溶媒に浸漬処理するステップである。
貧溶媒は、ポリイミドを溶解し難いものであれば特に限定されない。なかでも、塗膜中に残存する、ワニス由来の溶媒を効率よく除去できることから、用いたワニス中の溶媒〔以下、「溶媒(A)」ということがある。〕と親和性がある溶媒が好ましく、25℃において、同体積の溶媒(A)と均一に混ざるものがより好ましい。
また、ステップ(A−III)において、効率よく乾燥除去できることから、貧溶媒としては沸点が比較的低い溶媒が好ましい。貧溶媒の沸点は、好ましくは120℃以下、より好ましくは110℃以下である。常温付近で浸漬処理を行えるものである限り、貧溶媒の沸点の下限値は特に制限されない。
Step (A-II) is a step of immersing the coating film in a poor solvent after step (AI).
The poor solvent is not particularly limited as long as it is difficult to dissolve polyimide. Especially, since the solvent derived from a varnish which remains in a coating film can be removed efficiently, the solvent in the used varnish [hereinafter referred to as “solvent (A)”. And a solvent that is uniformly mixed with the same volume of the solvent (A) at 25 ° C. is more preferable.
In step (A-III), a solvent having a relatively low boiling point is preferable as the poor solvent because it can be efficiently removed by drying. The boiling point of the poor solvent is preferably 120 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or lower. The lower limit of the boiling point of the poor solvent is not particularly limited as long as the immersion treatment can be performed near room temperature.

貧溶媒としては、水;メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール等の炭素数1〜4のアルコール系溶媒;アセトン等の炭素数2〜4のケトン系溶媒;酢酸エチル等の炭素数3〜4の酢酸エステル系溶媒;等が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上を混合して用いることができる。
これらの中でも、貧溶媒としては、水、アセトン及びメタノールから選ばれる二種以上の混合溶媒が好ましく、水とアセトンの混合溶媒がより好ましい。水とアセトンの混合溶媒において、その混合比(水:アセトンの重量比)は、通常1:99〜99:1、好ましくは5:95〜95:5である。
Examples of the poor solvent include water; alcohol solvents having 1 to 4 carbon atoms such as methanol, ethanol, n-propanol, and isopropanol; ketone solvents having 2 to 4 carbon atoms such as acetone; and 3 to 4 carbon atoms such as ethyl acetate. And the like, and the like. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
Among these, as a poor solvent, the 2 or more types of mixed solvent chosen from water, acetone, and methanol is preferable, and the mixed solvent of water and acetone is more preferable. In the mixed solvent of water and acetone, the mixing ratio (weight ratio of water: acetone) is usually 1:99 to 99: 1, preferably 5:95 to 95: 5.

塗膜を貧溶媒に浸漬させる温度は、通常10〜40℃、好ましくは15〜35℃である。浸漬温度がこの範囲内であることで、貧溶媒の蒸発を抑えることができるため、安全に作業を行うことができる。また、2種以上の貧溶媒を用いる場合、上記温度条件を用いることで混合比の変化を抑えることができるため、再現性よく溶媒Aを塗膜から除去することができる。
塗膜を貧溶媒に浸漬させる時間は、通常1〜60分、好ましくは1〜45分、より好ましくは1〜30分である。浸漬時間がこの範囲内であることで、塗膜から溶媒Aを効率よく除去することができる。
The temperature at which the coating film is immersed in the poor solvent is usually 10 to 40 ° C, preferably 15 to 35 ° C. Since the immersion temperature is within this range, evaporation of the poor solvent can be suppressed, so that the operation can be performed safely. Moreover, when using 2 or more types of poor solvents, since the change of a mixing ratio can be suppressed by using the said temperature conditions, the solvent A can be removed from a coating film with high reproducibility.
The time for immersing the coating film in the poor solvent is usually 1 to 60 minutes, preferably 1 to 45 minutes, more preferably 1 to 30 minutes. When the immersion time is within this range, the solvent A can be efficiently removed from the coating film.

ステップ(A−II)においては、少なくとも、塗膜を貧溶媒に浸漬させればよい。したがって、基材ごと塗膜を貧溶媒に浸漬させてもよく、基材の一部が貧溶媒と接触しない状態で塗膜を貧溶媒に浸漬させてもよい。   In step (A-II), at least the coating film may be immersed in a poor solvent. Therefore, the coating film may be immersed in the poor solvent together with the base material, or the coating film may be immersed in the poor solvent in a state where a part of the base material is not in contact with the poor solvent.

ステップ(A−III)は、ステップ(A−II)の後、塗膜を加熱乾燥して、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップである。
加熱温度は、通常、130〜250℃、好ましくは150〜240℃、より好ましくは170〜230℃である。加熱時間は、特に制限はないが、通常1〜120分、好ましくは1〜90分、より好ましくは1〜60分である。
ステップ(A−I)、(A−II)の処理を施した塗膜を十分に乾燥することで、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を効率よく形成することができる。ポリイミド膜の熱膨張率は、20ppm/℃以下が好ましく、1〜20ppm/℃がより好ましい。
Step (A-III) is a step in which after the step (A-II), the coating film is heated and dried to form a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less.
The heating temperature is usually 130 to 250 ° C, preferably 150 to 240 ° C, more preferably 170 to 230 ° C. The heating time is not particularly limited, but is usually 1 to 120 minutes, preferably 1 to 90 minutes, and more preferably 1 to 60 minutes.
A polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less can be efficiently formed by sufficiently drying the coating film that has been subjected to the treatments of steps (A-I) and (A-II). The thermal expansion coefficient of the polyimide film is preferably 20 ppm / ° C. or less, and more preferably 1 to 20 ppm / ° C.

製造方法(A)は、比較的厚いポリイミド膜を形成する際に好適に用いられる。製造方法(A)により形成されるポリイミド膜の厚みは、通常5〜500μm、好ましく5〜100μm、より好ましくは5〜50μmである。   The production method (A) is suitably used when a relatively thick polyimide film is formed. The thickness of the polyimide film formed by the production method (A) is usually 5 to 500 μm, preferably 5 to 100 μm, more preferably 5 to 50 μm.

〔製造方法(B)〕
製造方法(B)は、前記ステップ(B−I)〜(B−II)を有するものである。
ステップ(B−I)は、基材上に本発明のワニスを、乾燥後の膜厚が5μm以下になるように塗布するステップである。
ステップ(B−I)は、塗膜の膜厚を薄くすることを除き、ステップ(A−I)の塗布方法と同様にして行うことができる。
[Production method (B)]
The production method (B) includes the steps (B-I) to (B-II).
Step (B-I) is a step of applying the varnish of the present invention on the substrate so that the film thickness after drying is 5 μm or less.
Step (BI) can be carried out in the same manner as the coating method of step (AI) except that the film thickness of the coating film is reduced.

ステップ(B−II)は、ステップ(B−I)で得られた塗膜を、100〜200℃で加熱乾燥することにより、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップである。
ステップ(B−1)における加熱温度は、100〜200℃、好ましくは150〜200℃である。加熱時間は、特に制限はないが、通常1〜120分、好ましくは1〜90分、より好ましくは1〜60分である。
Step (B-II) is a step of forming a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less by heating and drying the coating film obtained in Step (BI) at 100 to 200 ° C. .
The heating temperature in step (B-1) is 100 to 200 ° C, preferably 150 to 200 ° C. The heating time is not particularly limited, but is usually 1 to 120 minutes, preferably 1 to 90 minutes, and more preferably 1 to 60 minutes.

製造方法(B)は、薄いポリイミド膜を形成する際に用いられる。製造方法(B)により形成されるポリイミド膜の厚みは、5μm以下、好ましくは1〜5μmである。
このように、本発明のワニスを使用し、薄いポリイミド膜を形成する場合には、浸漬処理を施さなくても溶媒を効率よく除去することができ、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を効率よく形成することができる。
The manufacturing method (B) is used when forming a thin polyimide film. The thickness of the polyimide film formed by the production method (B) is 5 μm or less, preferably 1 to 5 μm.
As described above, when the varnish of the present invention is used to form a thin polyimide film, the solvent can be efficiently removed without performing immersion treatment, and the polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less. Can be formed efficiently.

製造方法(A)、(B)においては、基材として長尺のガラスフィルムを用いて、ロールtoロール法を行うことで、長尺の積層体を製造することができる。
例えば、基材として、膜厚が100μm以下の長尺のガラスフィルムを使用し、これを一定方向に搬送しながら、ステップ(A−1)〜(A−III)又はステップ(B−1)〜(B−II)を連続して行うことで、長尺の積層体を効率よく製造することができる。
In the production methods (A) and (B), a long laminate can be produced by performing a roll-to-roll method using a long glass film as a substrate.
For example, a long glass film having a film thickness of 100 μm or less is used as the base material, and while transporting it in a certain direction, steps (A-1) to (A-III) or steps (B-1) to By performing (B-II) continuously, a long laminate can be produced efficiently.

以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。また、下記の実施例および比較例において、「部」および「%」は特に断りのない限り、重量基準である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples. In the following Examples and Comparative Examples, “parts” and “%” are based on weight unless otherwise specified.

実施例において用いた材料は以下の通りである。
基材(1):ダウコーニング社製ホワイトガラス基板に対して、シランカップリング剤(チッソ社製、商品名:サイラエースS330)を用いて表面処理を行ったもの。
The materials used in the examples are as follows.
Base material (1): A surface treatment was performed on a white glass substrate manufactured by Dow Corning using a silane coupling agent (manufactured by Chisso, trade name: Sila Ace S330).

〔製造例1〕
4,4’−ジアミノベンズアニリド(DABA)3.41g(0.015モル)、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(BAFL)5.23g(0.015モル)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)107.60gを混合し、全容を25℃で20分間攪拌した。次いで、得られた溶液を氷冷し、この溶液に、ビス(オクタヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸)4,4’−スルホニルジアニリド(PSHT)18.259g(0.03モル)を加え、氷冷下で2時間、次いで25℃で20時間攪拌してポリイミド前駆体ワニスを得た。
得られたポリイミド前駆体ワニスに、無水酢酸12.25g(0.12モル)、ピリジン11.87g(0.15モル)を加え、全容を25℃で1時間、80℃で1時間、110℃で4時間攪拌して化学イミド化反応を行った。この際、反応液はゲル化しなかった。反応終了後、樹脂濃度が7%になるように、反応液にDMAcを加えて希釈し、得られた希釈液をメタノール8L中に滴下することにより、ポリイミドを析出させ、これをろ過により回収した。
得られたポリイミドをメタノールで2度洗浄した後、130℃で6時間、真空乾燥した(収量:25.12g、収率:97.1%)。
[Production Example 1]
4,4′-diaminobenzanilide (DABA) 3.41 g (0.015 mol), 9,9′-bis (4-aminophenyl) fluorene (BAFL) 5.23 g (0.015 mol), N, N -Dimethylacetamide (DMAc) 107.60g was mixed and the whole volume was stirred at 25 degreeC for 20 minutes. The resulting solution was then ice-cooled, and 18.259 g (0.03) of bis (octahydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid) 4,4′-sulfonyldianilide (PSHT) was added to this solution. Mol) was added and stirred for 2 hours under ice cooling and then for 20 hours at 25 ° C. to obtain a polyimide precursor varnish.
To the obtained polyimide precursor varnish, 12.25 g (0.12 mol) of acetic anhydride and 11.87 g (0.15 mol) of pyridine were added, and the whole volume was 1 hour at 25 ° C., 1 hour at 80 ° C., 110 ° C. The mixture was stirred for 4 hours to conduct a chemical imidization reaction. At this time, the reaction solution did not gel. After completion of the reaction, the reaction solution is diluted with DMAc so that the resin concentration becomes 7%, and the obtained diluted solution is dropped into 8 L of methanol to precipitate a polyimide, which is recovered by filtration. .
The polyimide obtained was washed twice with methanol and then vacuum-dried at 130 ° C. for 6 hours (yield: 25.12 g, yield: 97.1%).

〔製造例2〕
製造例1において、PSHTに代えて、ビス(オクタヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸)1,4−フェニレンジアミド(PPHT)14.05g(0.03モル)を使用し、DMAcの使用量を90.74gに変更したことを除き、製造例1と同様にして、ポリイミドを得た(収量:20.78g、収率:96.2%)。
[Production Example 2]
In Production Example 1, instead of PSHT, 14.05 g (0.03 mol) of bis (octahydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid) 1,4-phenylenediamide (PPHT) was used, and DMAc A polyimide was obtained in the same manner as in Production Example 1 except that the amount of was changed to 90.74 g (yield: 20.78 g, yield: 96.2%).

〔製造例3〕
製造例1において、DABAの使用量を4.77g(0.021モル)、BAFLの使用量を3.14g(0.009モル)に変更したことを除き、製造例1と同様にしてポリイミドを得た(収量:22.91g、収率:91%)。
[Production Example 3]
In Production Example 1, polyimide was used in the same manner as in Production Example 1 except that the amount of DABA used was changed to 4.77 g (0.021 mol) and the amount of BAFL used was changed to 3.14 g (0.009 mol). Obtained (yield: 22.91 g, yield: 91%).

〔製造例4〕
製造例1において、ジアミンとして、DABA6.82g(0.03モル)のみを使用し、DMAcの使用量を100.31gに変更したことを除き、製造例1と同様にして、ポリイミドを得た(収量:22.44g、収率:93,5%)。
[Production Example 4]
In Production Example 1, only 6.82 g (0.03 mol) of DABA was used as the diamine, and polyimide was obtained in the same manner as in Production Example 1 except that the amount of DMAc used was changed to 100.31 g ( Yield: 22.44 g, Yield: 93.5%).

〔製造例5〕
製造例1において、ジアミンとして、BAFL10.45g(0.03モル)のみを使用し、DMAcの使用量を114.85gに変更したことを除き、製造例1と同様にして、ポリイミドを得た(収量:25.78g、収率:93.3%)。
[Production Example 5]
In Production Example 1, only BAFL 10.45 g (0.03 mol) was used as the diamine, and polyimide was obtained in the same manner as Production Example 1 except that the amount of DMAc used was changed to 114.85 g ( (Yield: 25.78 g, yield: 93.3%).

〔実施例1〕
製造例1で得たポリイミドをシクロペンタノン(CPN)に溶解させ、樹脂濃度20%、粘度15.3ポイズのワニス1を得た。
[Example 1]
The polyimide obtained in Production Example 1 was dissolved in cyclopentanone (CPN) to obtain a varnish 1 having a resin concentration of 20% and a viscosity of 15.3 poise.

〔実施例2〕
製造例1で得たポリイミドをCPNに溶解させ、樹脂濃度10%、粘度3.6ポイズのワニス2を得た。
[Example 2]
The polyimide obtained in Production Example 1 was dissolved in CPN to obtain varnish 2 having a resin concentration of 10% and a viscosity of 3.6 poise.

〔実施例3〕
製造例2で得たポリイミドをCPNに溶解させ、樹脂濃度20%、粘度12.8ポイズのワニス3を得た。
Example 3
The polyimide obtained in Production Example 2 was dissolved in CPN to obtain varnish 3 having a resin concentration of 20% and a viscosity of 12.8 poise.

〔実施例4〕
製造例2で得たポリイミドをCPNに溶解させ、樹脂濃度10%、粘度3.0ポイズのワニス4を得た。
Example 4
The polyimide obtained in Production Example 2 was dissolved in CPN to obtain varnish 4 having a resin concentration of 10% and a viscosity of 3.0 poise.

〔実施例5〕
製造例3で得たポリイミドをCPNに溶解させ、樹脂濃度17%、粘度23ポイズのワニス5を得た。
Example 5
The polyimide obtained in Production Example 3 was dissolved in CPN to obtain varnish 5 having a resin concentration of 17% and a viscosity of 23 poise.

〔実施例6〕
製造例4で得たポリイミドをDMAcに溶解させ、樹脂濃度20%、粘度18.9ポイズのワニス6を得た。
Example 6
The polyimide obtained in Production Example 4 was dissolved in DMAc to obtain varnish 6 having a resin concentration of 20% and a viscosity of 18.9 poise.

〔比較例1〕
4,4’−ジアミノベンズアニリド(DABA)3.41g(0.015モル)、9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(BAFL)5.23g(0.015モル)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)107.60gを混合し、全容を25℃で20分間攪拌した。次いで、得られた溶液を氷冷し、この溶液に、ビス(オクタヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸)4,4’−スルホニルジアニリド(PSHT)18.26g(0.03モル)を加え、全容を氷冷下で2時間、次いで25℃で20時間攪拌して、ポリイミド前駆体ワニス(ワニス7)を得た。
[Comparative Example 1]
4,4′-diaminobenzanilide (DABA) 3.41 g (0.015 mol), 9,9′-bis (4-aminophenyl) fluorene (BAFL) 5.23 g (0.015 mol), N, N -Dimethylacetamide (DMAc) 107.60g was mixed and the whole volume was stirred at 25 degreeC for 20 minutes. Subsequently, the obtained solution was ice-cooled, and 18.26 g (0.03) of bis (octahydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid) 4,4′-sulfonyldianilide (PSHT) was added to this solution. The mixture was stirred for 2 hours under ice cooling and then for 20 hours at 25 ° C. to obtain a polyimide precursor varnish (varnish 7).

〔比較例2〕
製造例5で得たポリイミドをCPNに溶解させ、樹脂濃度20%、粘度13.2ポイズのワニス8を得た。
実施例1〜6、比較例1、2で得られたワニスに含まれる重合体のモノマー割合、溶媒、樹脂濃度、及び粘度を第1表にまとめた。
[Comparative Example 2]
The polyimide obtained in Production Example 5 was dissolved in CPN to obtain varnish 8 having a resin concentration of 20% and a viscosity of 13.2 poise.
The monomer ratio, solvent, resin concentration, and viscosity of the polymers contained in the varnishes obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 are summarized in Table 1.

Figure 2015209488
Figure 2015209488

〔実施例7〕
実施例1で得たワニス1を、ドクターブレードを用いて、乾燥後の膜厚が約20μmになるように、基材(1)上に塗工した。次いで、塗膜が形成された基材(1)をホットプレート上に置き、80℃で6分間プリベークした。プリベーク後の塗膜中の残留溶剤量は8.7%であった。
プリベーク後の塗膜付基材(1)をアセトン:水(7:3)混合溶媒中に8分間浸漬させた後、窒素ガスを吹き付けて表面を乾燥させ、さらに、塗膜付基材(1)をオーブンに入れ、窒素気流下、80℃で10分、次いで150℃で15分加熱乾燥させ、基材(1)とポリイミド膜からなる積層体1を得た。
プリベーク後の残留溶剤量は同一条件で別途作製した試料〔塗膜付基材(1)〕をNMPに溶かして得られた溶液を用いて、GC分析を行うことで求めた。
Example 7
The varnish 1 obtained in Example 1 was coated on the base material (1) using a doctor blade so that the film thickness after drying was about 20 μm. Subsequently, the base material (1) on which the coating film was formed was placed on a hot plate and prebaked at 80 ° C. for 6 minutes. The amount of residual solvent in the coating film after pre-baking was 8.7%.
The substrate with film (1) after pre-baking was immersed in an acetone: water (7: 3) mixed solvent for 8 minutes, and then the surface was dried by blowing nitrogen gas. Further, the substrate with film (1 ) Was placed in an oven and heated and dried at 80 ° C. for 10 minutes and then at 150 ° C. for 15 minutes under a nitrogen stream to obtain a laminate 1 composed of the substrate (1) and the polyimide film.
The amount of residual solvent after pre-baking was determined by performing a GC analysis using a solution obtained by dissolving a sample separately prepared under the same conditions [substrate with coating (1)] in NMP.

〔実施例8〕
実施例7において、ワニス1に代えてワニス3を用いたことを除き、実施例7と同様の方法により、積層体2を得た。
Example 8
In Example 7, the laminated body 2 was obtained by the same method as Example 7 except having used the varnish 3 instead of the varnish 1.

〔実施例9〕
実施例7において、ワニス1に代えてワニス5を用いて、乾燥後の膜厚が約10μmになるように基材(1)上に塗工したことを除き、実施例7と同様の方法により、積層体3を得た。
Example 9
In Example 7, using varnish 5 instead of varnish 1, the same method as in Example 7 except that coating was performed on the substrate (1) so that the film thickness after drying was about 10 μm. A laminate 3 was obtained.

〔実施例10〕
実施例7において、ワニス1に代えてワニス6を使用したことと、プリベーク条件を60℃で6分、次いで90℃で3分に変更したことを除き、実施例7と同様の方法により、積層体4を得た。
Example 10
In Example 7, the varnish 6 was used instead of the varnish 1, and the pre-baking conditions were changed to 6 minutes at 60 ° C. and then 3 minutes at 90 ° C. Body 4 was obtained.

〔実施例11〕
ワニス2を、ディップ法により、乾燥後の膜厚が約2μmになるように基材(1)上に塗工した。次いで、塗膜が形成された基材(1)を、25℃で6分間吊るして、膜厚を均一にした。
次いで、この塗膜付基材(1)をイナートオーブン中に入れ、窒素気流下、150℃で15分加熱乾燥させ、基材(1)とポリイミド膜からなる積層体5を得た。
Example 11
Varnish 2 was coated on the substrate (1) by a dip method so that the film thickness after drying was about 2 μm. Subsequently, the base material (1) on which the coating film was formed was suspended at 25 ° C. for 6 minutes to make the film thickness uniform.
Subsequently, this base material with a coating film (1) was put in an inert oven, and was heated and dried at 150 ° C. for 15 minutes under a nitrogen stream to obtain a laminate 5 composed of the base material (1) and a polyimide film.

〔比較例3〕
実施例7において、浸漬処理を行わなかったことを除き、実施例7と同様の方法により、積層体6を得た。
[Comparative Example 3]
In Example 7, a laminate 6 was obtained in the same manner as in Example 7 except that the immersion treatment was not performed.

〔比較例4〕
実施例7において、ワニス1に代えて、ワニス7を用いたことを除き、実施例7と同様の方法により、ワニスを塗工し、プリベーク処理、浸漬処理を行った。
浸漬処理を行ったところ、塗膜に濁りが生じた。次いで、塗膜付基材(1)をイナートオーブン中に入れ、窒素気流下、50℃で30分、150℃で30分、250℃で60分加熱し、熱イミド化処理を行った。この基板を温水に漬けて、ポリイミド膜の回収を試みたが、このポリイミド膜は非常に脆く、剥離することができなかった。また、このポリイミド膜は濁りが生じていた。
[Comparative Example 4]
In Example 7, it replaced with the varnish 1 and except having used the varnish 7, the varnish was applied by the method similar to Example 7, and the prebaking process and the immersion process were performed.
When the immersion treatment was performed, the coating film became turbid. Subsequently, the base material with a coating film (1) was put in an inert oven, and heated under nitrogen flow at 50 ° C. for 30 minutes, 150 ° C. for 30 minutes, and 250 ° C. for 60 minutes to perform thermal imidization treatment. The substrate was immersed in warm water to attempt to recover the polyimide film, but the polyimide film was very brittle and could not be peeled off. Further, the polyimide film was turbid.

〔比較例5〕
実施例7において、ワニス1に代えて、ワニス8を用いたことを除き、実施例7と同様の方法により、積層体8を得た。
[Comparative Example 5]
In Example 7, it replaced with the varnish 1 and obtained the laminated body 8 by the method similar to Example 7 except having used the varnish 8. FIG.

実施例7〜11、比較例3〜5で得た積層体1〜8のポリイミド膜にカッターナイフで切り込みを入れた後、温水50℃に24時間漬け、ポリイミド膜を剥離した。得られたポリイミド膜を130℃で3時間真空乾燥した。
ポリイミド膜について、以下の測定を行った。結果を第2表に示す。
After cutting into the polyimide film of the laminated bodies 1-8 obtained in Examples 7-11 and Comparative Examples 3-5 with a cutter knife, it was immersed in warm water 50 degreeC for 24 hours, and the polyimide film was peeled. The obtained polyimide film was vacuum-dried at 130 ° C. for 3 hours.
The following measurements were performed on the polyimide film. The results are shown in Table 2.

〔膜厚測定〕
剥離する前のポリイミド膜の膜厚を、触針式形状測定装置(DEKTAK150)を用いて測定した。
[Film thickness measurement]
The film thickness of the polyimide film before peeling was measured using a stylus type shape measuring device (DEKTAK150).

〔熱膨張率の測定〕
熱機械分析装置(SII社製、製品名:TMASS7100)を用いて、窒素雰囲気下、温度範囲:室温〜300℃、昇温速度:5℃/分、2サイクルの条件でポリイミド膜の熱膨張率(ppm/℃)を測定し、2サイクル目の測定値を採用した。
(Measurement of thermal expansion coefficient)
Using a thermomechanical analyzer (product name: TMASS7100, manufactured by SII), under a nitrogen atmosphere, temperature range: room temperature to 300 ° C., heating rate: 5 ° C./min, thermal expansion coefficient of polyimide film under conditions of 2 cycles (Ppm / ° C.) was measured, and the measured value of the second cycle was adopted.

〔膜破断強度、破断伸び〕
精密万能試験機(島津製作所社製、製品名:オートグラフAG)を用いて、膜厚10μm、幅10mmのポリイミド膜を用いて、100mm/分の速度で引張り試験を行い、破断強度(MPa)、破断伸び(%)を測定した。
[Membrane breaking strength, breaking elongation]
Using a precision universal testing machine (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: Autograph AG), a tensile test was conducted at a rate of 100 mm / min using a polyimide film having a thickness of 10 μm and a width of 10 mm, and the breaking strength (MPa). The elongation at break (%) was measured.

〔光線透過率の測定〕
上記のポリイミド膜の形成方法において、膜厚が10μmになるようにガラス基材上にワニスを塗工し、積層体を得た。紫外可視近赤外分光光度計(日本分光社製、製品名:V−570)を用いて、各積層体の波長400nm、600nmの光線透過率を測定した。なお、実施例11については、上記の積層体5(膜厚が2μmのもの)を用いて測定した。
(Measurement of light transmittance)
In the above polyimide film forming method, a varnish was applied on a glass substrate so that the film thickness was 10 μm, and a laminate was obtained. The light transmittance at wavelengths of 400 nm and 600 nm of each laminate was measured using an ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, product name: V-570). In addition, about Example 11, it measured using said laminated body 5 (thickness is 2 micrometers).

Figure 2015209488
Figure 2015209488

第2表から以下のことが分かる。
実施例7〜10で得られた積層体1〜4のポリイミド膜は、透明性及び機械特性に優れ、熱膨張率が低い。
また、実施例11においては、浸漬処理を行っていないものの、ポリイミド膜厚が薄いため、積層体5のポリイミド膜もまた、透明性に優れ、熱膨張率が低い。
一方、比較例3では、浸漬処理を施さなかったため、積層体6のポリイミド膜は熱膨張率が高い。
比較例4においては、ポリイミド前駆体のワニスを用いて塗膜を形成し、後でイミド化を行ったものであり、形成されたポリイミド膜は脆く、濁っていた。
また、比較例5においては、DABA由来の繰り返し単位を含まないポリイミドのワニスを用いたため、積層体8のポリイミド膜は熱膨張率が高い。
Table 2 shows the following.
The polyimide films of laminates 1 to 4 obtained in Examples 7 to 10 are excellent in transparency and mechanical properties and have a low coefficient of thermal expansion.
Moreover, in Example 11, although the immersion process was not performed, since the polyimide film thickness is thin, the polyimide film of the laminated body 5 is also excellent in transparency and has a low coefficient of thermal expansion.
On the other hand, in Comparative Example 3, since the immersion treatment was not performed, the polyimide film of the laminate 6 has a high coefficient of thermal expansion.
In Comparative Example 4, a coating film was formed using a varnish of a polyimide precursor and later imidized, and the formed polyimide film was brittle and cloudy.
Further, in Comparative Example 5, since a polyimide varnish not containing a DABA-derived repeating unit was used, the polyimide film of the laminate 8 has a high coefficient of thermal expansion.

〔実施例12〕
膜厚50μmの薄板ガラス(日本電気ガラス社製、幅30mm×長さ100mm)を脱脂洗剤及び純水で洗浄した後、130℃で10分乾燥した。この薄板ガラスを密閉容器中で吊るした状態でシランカップリング剤(チッソ社製、商品名:サイラエースS330)の蒸気に30分間さらした。次いでオーブン中150℃で5分間放置して、シランカップリング剤の活性化処理を行い、基材(2)を得た。
Example 12
A thin glass plate (Nippon Electric Glass Co., Ltd., width 30 mm × length 100 mm) having a thickness of 50 μm was washed with a degreasing detergent and pure water and then dried at 130 ° C. for 10 minutes. The thin glass plate was exposed to the vapor of a silane coupling agent (manufactured by Chisso Corporation, trade name: Sila Ace S330) for 30 minutes in a state of being suspended in a closed container. Next, the substrate was left in an oven at 150 ° C. for 5 minutes to activate the silane coupling agent to obtain a substrate (2).

ワニス2を、ディップ法により基材(2)上に塗工した。次いで、塗膜が形成された基材(2)を25℃で3分間吊るして、膜厚を均一にした。
次いで、この塗膜付基材(2)をイナートオーブン中に入れ、窒素気流下、60℃で10分加熱してプリベークした後、アセトン:水の混合溶媒(アセトン:水=40:60)に3分間浸漬した。
次いで、塗膜付基材(2)を再度イナートオーブン中に入れ、窒素気流下、80℃で10分、次いで150℃で10分加熱して乾燥処理を行い、薄板ガラスの両面に透明ポリイミド膜を有する積層体9を得た。透明ポリイミド膜の膜厚は3μmであった。
Varnish 2 was coated on the substrate (2) by a dip method. Next, the base material (2) on which the coating film was formed was suspended at 25 ° C. for 3 minutes to make the film thickness uniform.
Subsequently, this base material with a coating film (2) was put into an inert oven, heated at 60 ° C. for 10 minutes in a nitrogen stream and pre-baked, and then mixed with an acetone: water mixed solvent (acetone: water = 40: 60). Soaked for 3 minutes.
Next, the substrate with a coating film (2) is put again in an inert oven, and dried under a nitrogen stream at 80 ° C. for 10 minutes and then at 150 ° C. for 10 minutes to carry out a drying treatment. A laminate 9 having the following was obtained. The film thickness of the transparent polyimide film was 3 μm.

積層体9の一端を手で固定し、別の一端が50mm高くなるまで積層体9を湾曲させた後、元に戻す操作を30サイクル繰り返す湾曲試験を行った。試験後の積層体9の外観を観察したところ、クラック、破断等は見られなかった。   A bending test was performed in which one end of the laminated body 9 was fixed by hand and the laminated body 9 was bent until another end was raised by 50 mm, and then the operation of returning to the original position was repeated 30 cycles. When the appearance of the laminate 9 after the test was observed, no cracks, breaks, etc. were observed.

積層体9をホットプレート上に置いて150℃で5分間加熱した後、25℃の金属板上に移して急速に冷却する試験を20サイクル繰り返す、加熱冷却試験を行った。試験後の積層体9の外観を観察したところ、クラック、破断等は見られなかった。   The laminated body 9 was placed on a hot plate and heated at 150 ° C. for 5 minutes, and then the test of transferring to a metal plate at 25 ° C. and rapidly cooling was repeated 20 cycles, and a heating / cooling test was performed. When the appearance of the laminate 9 after the test was observed, no cracks, breaks, etc. were observed.

〔実施例13〕
実施例12において、ワニス2に代えてワニス4を用いたことを除き、実施例12と同様にして積層体10を得た。
積層体10について、上記の湾曲試験、加熱冷却試験を行ったところ、いずれもクラック、破断等は見られなかった。
Example 13
In Example 12, a laminated body 10 was obtained in the same manner as in Example 12 except that the varnish 4 was used instead of the varnish 2.
When the above-described bending test and heating / cooling test were performed on the laminate 10, no cracks, breakage, etc. were observed.

〔比較例6〕
ワニス8をCPNで希釈し、樹脂濃度を10%に調整し、ワニス8’を得た。
実施例12において、ワニス2に代えてワニス8’を用いたことを除き、実施例12と同様にして積層体11を得た。
積層体11について、上記の湾曲試験、加熱冷却試験を行ったところ、加熱冷却試験においてクラックが発生した。
[Comparative Example 6]
Varnish 8 was diluted with CPN, and the resin concentration was adjusted to 10% to obtain varnish 8 ′.
In Example 12, a laminate 11 was obtained in the same manner as in Example 12 except that the varnish 8 ′ was used instead of the varnish 2.
When the laminate 11 was subjected to the bending test and the heating / cooling test, cracks occurred in the heating / cooling test.

Claims (10)

ポリイミド及び溶媒を含有するワニスであって、
前記ポリイミドが、分子内に、下記式(1)で示される繰り返し単位、又は、下記式(1)で示される繰り返し単位(1)及び下記式(2)で示される繰り返し単位を有し、
下記式(1)で示される繰り返し単位と下記式(2)で示される繰り返し単位の合計量が、全繰り返し単位中80〜100モル%で、かつ、
式(1)で示される繰り返し単位と式(2)で示される繰り返し単位の割合〔式(1)で示される繰り返し単位:式(2)で示される繰り返し単位〕のモル比が、20:80〜100:0である高分子であり、
前記溶媒が、沸点が170℃以下の非プロトン性極性溶媒であることを特徴とするワニス。
Figure 2015209488
〔式中、R、Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。Aは、下記式(3a)又は(3b)
Figure 2015209488
(式中、*は、結合手を表す。)
で示される基を表す。a、bはそれぞれ独立に、0〜4の整数を表す。a、bがそれぞれ2以上のとき、複数のR同士およびR同士は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。〕
Figure 2015209488
(式中、R〜Rは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルコキシル基、又はトリフルオロメチル基を表す。Aは、前記式(3a)又は(3b)で示される基を表す。c〜fはそれぞれ独立に、0〜4の整数を表す。c、d、e、fがそれぞれ2以上のとき、複数のR同士、R同士、R同士およびR同士は、それぞれ同一であっても相異なっていてもよい。)
A varnish containing a polyimide and a solvent,
The polyimide has in its molecule a repeating unit represented by the following formula (1), or a repeating unit represented by the following formula (1) (1) and a repeating unit represented by the following formula (2):
The total amount of the repeating unit represented by the following formula (1) and the repeating unit represented by the following formula (2) is 80 to 100 mol% in all repeating units, and
The molar ratio of the repeating unit represented by the formula (1) and the repeating unit represented by the formula (2) [the repeating unit represented by the formula (1): the repeating unit represented by the formula (2)] is 20:80. A polymer that is ~ 100: 0,
A varnish, wherein the solvent is an aprotic polar solvent having a boiling point of 170 ° C. or lower.
Figure 2015209488
[Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, Or represents a trifluoromethyl group. A 1 represents the following formula (3a) or (3b)
Figure 2015209488
(In the formula, * represents a bond.)
Represents a group represented by a and b each independently represents an integer of 0 to 4; When a and b are each 2 or more, a plurality of R 1 s and R 2 s may be the same or different. ]
Figure 2015209488
(In the formula, R 3 to R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, Or A 1 represents a group represented by the formula (3a) or (3b), and cf each independently represents an integer of 0 to 4. c, d, e, When f is 2 or more, a plurality of R 3 s , R 4 s , R 5 s, and R 6 s may be the same or different.
前記ポリイミドが、厚みが10μmのフィルムに成形したときに、そのフィルムの、波長400nmの光の光線透過率が85%以上になるものである、請求項1に記載のワニス。   The varnish according to claim 1, wherein when the polyimide is formed into a film having a thickness of 10 μm, the light transmittance of light having a wavelength of 400 nm of the film becomes 85% or more. 基材と、基材上に形成されたポリイミド膜とを有する積層体であって、
前記ポリイミド膜が、請求項1又は2に記載のワニスを用いて形成された、熱膨張率が30ppm/℃以下の膜であることを特徴とする積層体。
A laminate having a substrate and a polyimide film formed on the substrate,
A laminate, wherein the polyimide film is a film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less, formed using the varnish according to claim 1.
前記基材がガラス基材である、請求項3に記載の積層体。   The laminate according to claim 3, wherein the substrate is a glass substrate. 積層体の製造方法であって、
基材上に請求項1又は2に記載のワニスを塗布し、得られた塗膜をプリベークするステップ(A−I)
ステップ(A−I)の後、前記塗膜を、前記ワニスに含まれるポリイミドに対する貧溶媒に浸漬処理するステップ(A−II)
ステップ(A−II)の後、塗膜を加熱乾燥して、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(A−III)
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
A method for producing a laminate,
A step of applying the varnish according to claim 1 or 2 on a substrate and prebaking the obtained coating film (AI)
After the step (AI), the coating film is immersed in a poor solvent for polyimide contained in the varnish (A-II)
After step (A-II), the coating film is dried by heating to form a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less (A-III)
The manufacturing method of the laminated body characterized by having.
ステップ(A−I)後の塗膜中の残留溶媒量が5〜45重量%である、請求項5に記載の積層体の製造方法。   The manufacturing method of the laminated body of Claim 5 whose residual solvent amount in a coating film after a step (AI) is 5-45 weight%. 前記貧溶媒が、水、炭素数1〜4のアルコール系溶媒、炭素数2〜4のケトン系溶媒、及び炭素数3〜4の酢酸エステル系溶媒からなる群から選ばれる溶媒である、請求項5又は6に記載の積層体の製造方法。   The poor solvent is a solvent selected from the group consisting of water, an alcohol solvent having 1 to 4 carbon atoms, a ketone solvent having 2 to 4 carbon atoms, and an acetate solvent having 3 to 4 carbon atoms. The manufacturing method of the laminated body of 5 or 6. 前記基材が、膜厚が100μm以下の長尺のガラスフィルムであって、前記ガラスフィルムを一定方向に搬送しながら、ステップ(A−1)〜(A−III)を連続して行うことを特徴とする、請求項5〜7のいずれかに記載の積層体の製造方法。   The substrate is a long glass film having a film thickness of 100 μm or less, and the steps (A-1) to (A-III) are continuously performed while the glass film is conveyed in a certain direction. The manufacturing method of the laminated body in any one of Claim 5-7 characterized by the above-mentioned. 積層体の製造方法であって、
基材上に請求項1又は2に記載のワニスを、乾燥後の膜厚が5μm以下になるように塗布するステップ(B−I)
ステップ(B−I)で得られた塗膜を、100〜200℃で加熱乾燥することにより、熱膨張率が30ppm/℃以下のポリイミド膜を形成するステップ(B−II)
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
A method for producing a laminate,
A step of applying the varnish according to claim 1 or 2 on a substrate so that a film thickness after drying is 5 μm or less (BI)
Step (B-II) of forming a polyimide film having a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / ° C. or less by heating and drying the coating film obtained in step (BI) at 100 to 200 ° C.
The manufacturing method of the laminated body characterized by having.
前記基材が、膜厚が100μm以下の長尺のガラスフィルムであって、前記ガラスフィルムを一定方向に搬送しながら、ステップ(B−1)〜(B−II)を連続して行うことを特徴とする、請求項9に記載の積層体の製造方法。   The base material is a long glass film having a thickness of 100 μm or less, and the steps (B-1) to (B-II) are continuously performed while the glass film is conveyed in a certain direction. The manufacturing method of the laminated body of Claim 9 characterized by the above-mentioned.
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