JP2015196155A - 光触媒及びそれを用いた水素生成方法 - Google Patents
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- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 78
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 71
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 67
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 41
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 52
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- -1 chalcopyrite structure compound Chemical class 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002256 photodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000008057 potassium phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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Abstract
【課題】可視光領域での水の分解反応において優れた水素生成活性を有する光触媒、及びこの触媒を用いた水素生成方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)で表される化合物から形成される、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物と、固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物から選択される少なくとも1種の助触媒と、を備え、水からの水素生成に用いられる光触媒。AIIBIVX2・・・(1)(AIIは2価の金属;BIVは4価の金属;XはP3−、As3−及びSb3−から選択される少なくとも1種)DIEIIIZ2・・・(2)(DIは1価の金属;EIIIは3価の金属;ZはS2−、Se2−及びTe2−から選択される少なくとも1種)
【選択図】図8
【解決手段】一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)で表される化合物から形成される、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物と、固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物から選択される少なくとも1種の助触媒と、を備え、水からの水素生成に用いられる光触媒。AIIBIVX2・・・(1)(AIIは2価の金属;BIVは4価の金属;XはP3−、As3−及びSb3−から選択される少なくとも1種)DIEIIIZ2・・・(2)(DIは1価の金属;EIIIは3価の金属;ZはS2−、Se2−及びTe2−から選択される少なくとも1種)
【選択図】図8
Description
本発明は、光触媒及びそれを用いた水素生成方法に関する。
1年間に地球上に降り注ぐ太陽エネルギー量は、現在の我々が1年間に消費するエネルギー量の約1万倍に相当するほどの膨大な量である。そこで、この太陽エネルギーを用いて豊富に存在する水を分解し、クリーンな資源である水素を得る技術の確立が望まれている。これを実現するためには、光エネルギーを吸収し水を分解する機能を持つ新光触媒の開発が重要である。
水を水素と酸素に化学量論比で分解できる光触媒としては、Ga3+、In3+、Ge4+、Sn4+及びSb5+といった、d軌道が満たされたd10電子状態の典型金属の酸化物にRuO2が担持された触媒が提案されている(例えば、特許文献1及び2)。一方、酸化物以外では、d10電子状態の典型金属の窒化物であるZnO/GaNの固溶体や、Mg又はZn等の2価の金属イオンの添加によってp型化したGaNに、RuO2が担持された触媒が提案されている(例えば、非特許文献1)。金属酸化物光触媒では、400nmより短波長の紫外光領域でしか、水を分解し水素を発生できないのに対し、典型金属窒化物ZnO/GaNは、400〜500nmの可視光領域でも水を分解し水素を発生できる光触媒として注目されている(例えば、非特許文献2)。
Y. Inoue, Energy Environ. Sci., 2. 364 (2009)
K.Maeda, K. Teramura, D. Lu, T. Takata, N. Saito, Y. Inoue, K. Domen, Nature, 440,295 (2006).
ところで、太陽光の波長域を考えると、可視光域で作用する光触媒の開発は不可欠である。しかしながら、上述のような金属酸化物や窒化物を用いた従来の光触媒では、可視光領域での水の分解反応における活性が低いのが現状である。
そこで、本発明は、可視光領域での水の分解反応において優れた水素生成活性を有する光触媒、及びこの触媒を用いた水素生成方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、周期律表のIb、IIIb及びVIb元素から構成され、その構成原子のモル比が1:1:2であるカルコパイライト構造の化合物(以下において、「I−III−VI2化合物」と略す)と、IIb、IVb及びVb元素から構成され、その構成原子のモル比が1:1:2であるカルコパイライト構造の化合物(以下において「II−IV−V2化合物」と略す)とが、それぞれ単独でも優れた光起電力効果をもつことに着目した。そして、両者を固溶させ複合化することでより優れた効果を得られるのではないかと推察した。
このような知見の下、本発明者らは、I−III−VI2化合物及びII−IV−V2化合物を固溶させることにより、単独のカルコパイライト構造の化合物に比べてより長波長側の可視光領域で優れた水素生成活性を発現する、複合カルコパイライト構造形態を有する光触媒を発明するに至った。
すなわち本発明は、新規な可視光光触媒であって、特に700nmの長波長の可視光においても、水を分解し水素を与える有用な光触媒であり、下記一般式(1)で表される化合物及び下記一般式(2)で表される化合物から形成される、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物と、固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物からなる群より選択される少なくとも1種の助触媒と、を備えるものである。
AIIBIVX2・・・(1)
(式中、AIIは2価の金属、BIVは4価の金属、XはP3−、As3−及びSb3−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。)
DIEIIIZ2・・・(2)
(式中、DIは1価の金属、EIIIは3価の金属、ZはS2−、Se2−及びTe2−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。)
AIIBIVX2・・・(1)
(式中、AIIは2価の金属、BIVは4価の金属、XはP3−、As3−及びSb3−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。)
DIEIIIZ2・・・(2)
(式中、DIは1価の金属、EIIIは3価の金属、ZはS2−、Se2−及びTe2−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。)
本発明は、カルコパイライト化合物であるI−III−VI2化合物とII−IV−V2化合物とを互いに固溶させた複合化合物を備えることを特徴としている。そして、可視光領域(例えば、400〜700nmの可視光領域)での水の分解反応において優れた水素生成活性を有する。この理由を、発明者らは次のように推察する。I−III−VI2化合物は、II−IV−V2化合物に比べイオン結合性が強く、バンド幅も大きいため紫外光から可視光を吸収できるという特性を有する一方で、II−IV−V2化合物は、I−III−VI2化合物に比べキャリアーの移動度が大きいという特性を有する。そのため、両者を組み合わせて固溶体とすることによって、可視光領域で優れた水素生成活性をもつ光触媒を得ることができると考えている。
本発明において、一般式(1)中、AIIがZn2+及びCd2+からなる群より選択される少なくとも1種であり、BIVがSi4+、Ge4+及びSn4+からなる群より選択される少なくとも1種であり、また、一般式(2)中、DIがCu+及びAg+からなる群より選択される少なくとも1種であり、EIIIがAl3+、Ga3+及びIn3+からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これにより、可視光領域での水の分解反応においてより優れた水素生成活性を得易くなる。
本発明において、光触媒の平均粒子径が0.1〜10μmであることが好ましい。これにより、可視光領域での水の分解反応においてより優れた水素生成活性を得易くなる。
したがって、本発明の光触媒は、300〜850nmの範囲から選択される波長を有する光を照射することにより励起状態となることが好ましい。
本発明は、また、上記光触媒の存在下、可視光を用いた光反応により水からの水素生成を行う、水素生成方法を提供する。本発明の光触媒を用いることにより、例えば太陽光を用いた水の分解反応において極めて多くの水素を選択的に生成することができる。
本発明によれば、金属酸化物及び窒化物とは異なる新しい化学組成及び構造を持ち、可視光領域での水の分解反応において優れた水素生成活性を有する光触媒、及びこの触媒を用いた水素生成方法を提供することができる。
なお、本発明の光触媒は単一系において反応を促進することができる。したがって、実用装置の設計が容易であるという利点を持つ。
<光触媒>
本実施形態の光触媒は、下記一般式(1)で表される構造を有するリン化合物、ヒ素化合物あるいはアンチモン化合物と、下記一般式(2)で表される構造を有する硫化物、セレン化物あるいはテルル化物とを固溶させた(すなわち、両者から形成される)、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物(以下、場合により「カルコパイライト固溶体化合物」という)と、当該固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物からなる群より選択される少なくとも1種の助触媒と、を備える。
AIIBIVX2・・・(1)
式中、AIIは2価の金属、BIVは4価の金属、XはP3−、As3−及びSb3−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。
DIEIIIZ2・・・(2)
式中、DIは1価の金属、EIIIは3価の金属、ZはS2−、Se2−及びTe2−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。
本実施形態の光触媒は、下記一般式(1)で表される構造を有するリン化合物、ヒ素化合物あるいはアンチモン化合物と、下記一般式(2)で表される構造を有する硫化物、セレン化物あるいはテルル化物とを固溶させた(すなわち、両者から形成される)、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物(以下、場合により「カルコパイライト固溶体化合物」という)と、当該固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物からなる群より選択される少なくとも1種の助触媒と、を備える。
AIIBIVX2・・・(1)
式中、AIIは2価の金属、BIVは4価の金属、XはP3−、As3−及びSb3−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。
DIEIIIZ2・・・(2)
式中、DIは1価の金属、EIIIは3価の金属、ZはS2−、Se2−及びTe2−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。
ここで、上記一般式(1)中、AIIとしては、Zn2+、Cd2+、Hg2+等が挙げられ、BIVとしては、Si4+、Ge4+、Sn4+、Pb4+等が挙げられる。また、上記一般式(2)中、DIとしては、Cu+、Ag+、Au+等が挙げられ、EIIIとしては、B3+、Al3+、Ga3+、In3+、Tl3+等が挙げられる。ただし、より良好な水素生成活性を得ることができるという観点から、上記一般式(1)中、AIIがZn2+及びCd2+からなる群より選択される少なくとも1種であり、BIVがSi4+、Ge4+及びSn4+からなる群より選択される少なくとも1種であり、上記一般式(2)中、DIがCu+及びAg+からなる群より選択される少なくとも1種であり、EIIIがAl3+、Ga3+及びIn3+からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。
なお、水素生成活性をさらに向上させるという観点から、上記一般式(1)で表される化合物としては、ZnSiP2及びZnGeP2がより好ましく、また上記一般式(2)で表される化合物としてはCuGaS2及びCuGaSe2がより好ましい。
本実施形態において、助触媒は、貴金属及び貴金属酸化物からなる群より選択される少なくとも1種である。触媒活性をより向上させるという観点から、貴金属よりも貴金属酸化物であることが好ましい。ここで、貴金属とは、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru及びOsからなる群に属する金属をいう。触媒活性をより向上させるという観点から、これら貴金属の中でも、Rh、Ir、Ru、Pt及びPdからなる群より選択される少なくとも一種であることが好ましい。同様の観点から、Rh、Ir、Ru、Pt及びPdからなる群より選択される少なくとも一種の貴金属酸化物であることが好ましい。なお、これら貴金属及び貴金属酸化物は、CoやVなどの助触媒と共に用いられてもよい。このような助触媒としては、具体的には、IrOx(0≦x≦2)、RuOx(0≦x≦2)、IrOx(0≦x≦2)+Co、RuOx(0≦x≦2)+Co、IrOx(0≦x≦2)+VOx(0≦x≦1)などが挙げられる。
なお、可視光領域での水の分解反応においてより高い水素生成活性を発現するという観点から、カルコパイライト固溶体化合物と助触媒との好ましい組み合わせとしては、カルコパイライト固溶体化合物とIrOx(0≦x≦2)及びRuOx(0≦x≦2)からなる群から選択される少なくとも1種との組み合わせが挙げられ、これらの中でもカルコパイライト固溶体化合物とRuOx(0≦x≦2)との組み合わせがより好ましい。
助触媒の担持量は、カルコパイライト固溶体化合物の全重量を基準として、0.1〜6.0重量%が好ましく、1.0〜4.0重量%がより好ましい。助触媒の担持量をこのようにすることで、より水素生成活性を高め易くなる傾向にある。
<光触媒の作製方法>
(カルコパイライト固溶体化合物の作製)
カルコパイライト固溶体化合物の作製方法を以下に示す。ここでは、出発物質としてZnSiP2とCuGaS2とを用いる場合の作製方法を説明し、他の化合物を用いる場合の作製方法の代表例とする。なお、カルコパイライト固溶体化合物は、Flux法又は固相反応法の2通りの方法で作製することができる。
(カルコパイライト固溶体化合物の作製)
カルコパイライト固溶体化合物の作製方法を以下に示す。ここでは、出発物質としてZnSiP2とCuGaS2とを用いる場合の作製方法を説明し、他の化合物を用いる場合の作製方法の代表例とする。なお、カルコパイライト固溶体化合物は、Flux法又は固相反応法の2通りの方法で作製することができる。
(Flux法)
出発物質であるZnSiP2の作製方法の一例を示す。まず、Zn、Si及びP(赤リン)を含む原料粉末を化学量論比で混合した後に、石英ガラス管に導入する。なお、Zn源としてはZn金属粉末を、Si源としてはSi粉末を、リン源としては、赤リン粉末をそれぞれ用いることができる。これに、さらにNaClとKClとを1:0.5〜1:2のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2〜1:4となるように加える。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜100時間加熱することにより、粒子状のZnSiP2を得ることができる。
出発物質であるZnSiP2の作製方法の一例を示す。まず、Zn、Si及びP(赤リン)を含む原料粉末を化学量論比で混合した後に、石英ガラス管に導入する。なお、Zn源としてはZn金属粉末を、Si源としてはSi粉末を、リン源としては、赤リン粉末をそれぞれ用いることができる。これに、さらにNaClとKClとを1:0.5〜1:2のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2〜1:4となるように加える。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜100時間加熱することにより、粒子状のZnSiP2を得ることができる。
また、CuGaS2の作製方法の一例を示す。まず、Cu、Ga及びSを含む原料粉末を化学量論比で混合した後に、石英ガラス管に導入する。なお、Cu源としてはCu金属粉末を、Ga源としてはGa金属粉末を、S源としてはS粉末をそれぞれ用いることができる。これに、さらにNaClとKClとを1:0.5〜1:2のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2〜1:4となるように加える。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜30時間加熱することにより、粒子状のCuGaS2を得ることができる。
カルコパイライト固溶体化合物の合成では、出発物質であるZnSiP2とCuGaS2を所定の比で混合し、石英ガラス管に導入する。これに、さらにNaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、出発物質とフラックス剤との重量比が1:2となるように加える。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、出発物質とフラックス剤を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜30時間加熱することにより、粒子状のカルコパイライト固溶体化合物を得ることができる。
(固相反応法)
Flux法と同様にして上記原料粉末から出発物質であるZnSiP2及びCuGaS2準備する。これらを所定の比で混合した後に、石英ガラス管に導入する。そして、フラックス剤を加えずに、上記と同様にして出発物質を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜30時間加熱することにより、粒子状のカルコパイライト固溶体化合物を得ることができる。
Flux法と同様にして上記原料粉末から出発物質であるZnSiP2及びCuGaS2準備する。これらを所定の比で混合した後に、石英ガラス管に導入する。そして、フラックス剤を加えずに、上記と同様にして出発物質を真空封入する。これを、電気炉内で、800〜1050℃で14〜30時間加熱することにより、粒子状のカルコパイライト固溶体化合物を得ることができる。
なお、これらの方法において、ZnSiP2作製時のZnの原料粉末をその他の2価の金属(例えば、Cd)の原料粉末に、Siの原料粉末をその他の4価の金属(例えば、Ge、Sn)の原料粉末に、Pの原料粉末をAs又はSbの原料粉末に、また、CuGaS2作製時のCuの原料粉末をその他の1価の金属(例えば、Ag)の原料粉末に、Gaの原料粉末をその他の3価の金属(例えば、Al、In)の原料粉末に、Sの原料粉末をSe又はTeの原料粉末に替えることにより、本実施形態で規定するその他の粒子状のカルコパイライト固溶体化合物を作製することができる。
なお、上記の例で言えば、出発物質としてそれぞれの元素(Zn、Si、P、Cu、Ga及びS)の粉末を目的とする固溶体のモル比で混合し、これをFlux法に付することで、所望の固溶体を作製することもできる。
<助触媒の担持>
次に、このようにして得られるカルコパイライト固溶体化合物に対し、助触媒を担持させることにより、本実施形態の光触媒を得ることができる。カルコパイライト固溶体化合物への助触媒担持法としては、含浸法、光電着法又は水素還元法といった一般的な方法を用いることができる。なお、このときのカルコパイライト固溶体化合物の平均粒子径は特に限定されないが、懸濁液(後述)を作製して好適に光触媒反応を行うために、0.1〜10μm程度であることが好ましく、1〜5μmであることがより好ましい。なお、粒子の平均粒子径は、例えば、走査型電子顕微鏡観察により測定することができる。
次に、このようにして得られるカルコパイライト固溶体化合物に対し、助触媒を担持させることにより、本実施形態の光触媒を得ることができる。カルコパイライト固溶体化合物への助触媒担持法としては、含浸法、光電着法又は水素還元法といった一般的な方法を用いることができる。なお、このときのカルコパイライト固溶体化合物の平均粒子径は特に限定されないが、懸濁液(後述)を作製して好適に光触媒反応を行うために、0.1〜10μm程度であることが好ましく、1〜5μmであることがより好ましい。なお、粒子の平均粒子径は、例えば、走査型電子顕微鏡観察により測定することができる。
(含浸法による助触媒の担持例)
例えば、助触媒がRuO2である場合、まず、Ruのカルボニル錯体であるRu3(CO)12のTHF(テトラヒドロフラン)溶液へ、カルコパイライト固溶体化合物を浸漬させる。これを真空乾固後、大気雰囲気で酸化処理して、Ru3(CO)12をRuO2に変換することにより、RuO2を担持したカルコパイライト固溶体化合物からなる光触媒を得ることができる。あるいは、Ru3(CO)12の代わりに、塩化ルテニウムRuCl3・H2Oを用い、その水溶液中にカルコパイライト固溶体化合物を浸漬させる。これを真空乾固後、大気下で酸化処理し、RuCl3をRuO2に変換することにより、RuO2を担持したカルコパイライト固溶体化合物からなる光触媒を得ることができる。
例えば、助触媒がRuO2である場合、まず、Ruのカルボニル錯体であるRu3(CO)12のTHF(テトラヒドロフラン)溶液へ、カルコパイライト固溶体化合物を浸漬させる。これを真空乾固後、大気雰囲気で酸化処理して、Ru3(CO)12をRuO2に変換することにより、RuO2を担持したカルコパイライト固溶体化合物からなる光触媒を得ることができる。あるいは、Ru3(CO)12の代わりに、塩化ルテニウムRuCl3・H2Oを用い、その水溶液中にカルコパイライト固溶体化合物を浸漬させる。これを真空乾固後、大気下で酸化処理し、RuCl3をRuO2に変換することにより、RuO2を担持したカルコパイライト固溶体化合物からなる光触媒を得ることができる。
なお、含浸法により助触媒を担持させる場合、所定の液にカルコパイライト固溶体化合物を含浸後、好ましくは300〜500℃、より好ましくは400〜450℃で酸化処理を行う。処理時間は、好ましくは3〜7時間、より好ましくは4〜6時間である。このような酸化処理温度及び酸化処理時間により、Ru3(CO)12やRuCl3をより確実にRuO2に変換することが可能である。
(光電着法による助触媒の担持例)
例えば、助触媒がRuO2、Ir又はPtである場合、まず、RuCl3・H2O水溶液、(NH4)2IrCl6水溶液あるいはH2PtCl6・6H2O水溶液に、カルコパイライト固溶体化合物を加える。これをガラス反応セルに移し、Ar雰囲気下でHg−Xe光又はXe光を3h照射する等してRuO2、Ir又はPtを電着させることで、RuO2、Ir又はPtを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
例えば、助触媒がRuO2、Ir又はPtである場合、まず、RuCl3・H2O水溶液、(NH4)2IrCl6水溶液あるいはH2PtCl6・6H2O水溶液に、カルコパイライト固溶体化合物を加える。これをガラス反応セルに移し、Ar雰囲気下でHg−Xe光又はXe光を3h照射する等してRuO2、Ir又はPtを電着させることで、RuO2、Ir又はPtを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
(水素還元法による助触媒の担持例)
例えば、助触媒がIr又はPtである場合、まず、(NH4)2IrCl6水溶液あるいはH2PtCl6・6H2O水溶液に、カルコパイライト固溶体化合物を加えて還流する。その後、これを真空乾固し、流通装置を用いて、H2とN2の混合気体下で、例えば、400℃で3h還元処理することで、Ir又はPtを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
例えば、助触媒がIr又はPtである場合、まず、(NH4)2IrCl6水溶液あるいはH2PtCl6・6H2O水溶液に、カルコパイライト固溶体化合物を加えて還流する。その後、これを真空乾固し、流通装置を用いて、H2とN2の混合気体下で、例えば、400℃で3h還元処理することで、Ir又はPtを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
(複合型助触媒担持の例)
さらに、このようにして得られる光触媒に対し、一般的な方法を用いてさらに別の助触媒を組み合わせて担持(複合型助触媒担持)させることもできる。例えば、Ir又はRuO2を担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒0.2gに、0.1Mリン酸カリウム緩衝液200g、及びCo(NO3)2をCo金属物質量換算で0.5mmol%となるように加え、真空排気により反応溶液中の溶存空気を除去する。その後、系内にArガスを導入し、Xeランプによる外部照射法により光照射をして光電着を行う。3時間光照射した後、触媒を濾過・洗浄することで、Ir及びCoを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒、又はRuO2及びCoを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
さらに、このようにして得られる光触媒に対し、一般的な方法を用いてさらに別の助触媒を組み合わせて担持(複合型助触媒担持)させることもできる。例えば、Ir又はRuO2を担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒0.2gに、0.1Mリン酸カリウム緩衝液200g、及びCo(NO3)2をCo金属物質量換算で0.5mmol%となるように加え、真空排気により反応溶液中の溶存空気を除去する。その後、系内にArガスを導入し、Xeランプによる外部照射法により光照射をして光電着を行う。3時間光照射した後、触媒を濾過・洗浄することで、Ir及びCoを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒、又はRuO2及びCoを担持したカルコパイライト固溶体からなる光触媒を得ることができる。
以上のようにして、カルコパイライト固溶体化合物の作製及び助触媒の担持工程を経て、粒子状の光触媒を得ることができる。なお、この光触媒粒子の平均粒子径は0.1〜10μmであることが好ましく、1〜5μmであることがより好ましい。
<光触媒を用いた水素生成方法>
本実施形態の水素生成方法は、上記のとおり得られた光触媒の存在下、可視光を用いた光反応(水の分解反応)により水素を得るものである。具体的には、光触媒及び純水を含む懸濁液を調製し、この懸濁液に対して特定波長の光を外部照射法により照射することにより、水素を得ることができる。本実施形態の水素生成方法によれば、可視光領域(波長がおよそ400nm〜700nmの領域)での水の分解反応において好適に水素を得ることができる。
本実施形態の水素生成方法は、上記のとおり得られた光触媒の存在下、可視光を用いた光反応(水の分解反応)により水素を得るものである。具体的には、光触媒及び純水を含む懸濁液を調製し、この懸濁液に対して特定波長の光を外部照射法により照射することにより、水素を得ることができる。本実施形態の水素生成方法によれば、可視光領域(波長がおよそ400nm〜700nmの領域)での水の分解反応において好適に水素を得ることができる。
光触媒を用いた水素生成反応の活性の評価には、例えば、閉鎖循環系反応装置を用いることができる。この装置は高真空排気系、光照射用反応セル(パイレックスガラス製(パイレックスは登録商標))、気体循環用ピストンポンプ、圧力計及び反応装置に直結したガス組成を測定するためのガスクロマトグラフにより構成される。光触媒反応により生成する気体(H2、O2)は、反応装置に予め加えた50Torr程度の圧力のArと共にピストンポンプにより反応中循環させて、反応系に直結したガスクロマトグラフにより随時分析することができる。なお、反応装置は閉鎖系であるので、反応時間の経過と共に発生する気体生成物は反応内に蓄積される。そのため、反応を繰り返す場合には、気相を排気した後、再度反応操作を繰り返せばよい。
なお、光触媒の評価用サンプルとしては、上記のとおり得られた光触媒を光照射用反応セルに入れ、これに純水(例えば、蒸留水をさらにイオン交換した純水)を加えて懸濁させ、さらにこれを真空排気することにより反応液中の溶存酸素及び窒素を除いたものを使用することができる。このとき、光触媒の含有量は、純水の全重量を基準として、0.05〜0.5重量%が好ましく、0.1〜0.2重量%がより好ましい。これにより、撹拌されたときに、光が透過しない程度の分散状態にある懸濁液(評価用サンプル)を得ることが可能である。なお、測定にあたっては、評価用サンプルの温度は20〜35℃であることが好ましい。また、評価サンプルのpHは1.0〜7.0であることが好ましい。ただし、さらに高い水素生成活性を得るという観点から、pHは1.0〜5.0であることがより好ましく、1.0〜3.0であることがさらに好ましい。
また、懸濁液の撹拌には、反応装置内に設けたマグネットスターラー等を用い、光照射には、Xeランプ(例えば、イーグルエンジニアリング株式会社製 CX−04E)等を用いることができる。この際、照射される光の波長は、本実施形態の光触媒が可視光領域での水の分解反応において高い水素生成活性を示すという観点から、300〜850nmであることが好ましく、500〜700nmであることがより好ましい。すなわち、本実施形態の光触媒は、この範囲から選択される波長を有する光を照射することにより励起状態となることが好ましい。なお、上述のとおり、本実施形態の光触媒は粒子のまま使用することができるが、例えば、このような粒子状の光触媒を基板等に固着(成膜)して膜状にして使用することもできる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、これは本発明をより理解しやすくすることを目的とするものであり、これにより本発明が限定的に解釈されないことは当然である。
(実施例1)
1)ZnSiP2及びCuGaS2の作製
Zn金属粉末、Si粉末及びP(赤リン)粉末を含む原料粉末を、それぞれの分量が1:1:2のモル比となるように調製し、石英ガラス管に導入した。これに、さらにNaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2となるように加えた。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入した。これを、電気炉内で、1000℃で70時間加熱することにより、ZnSiP2粉末を得た。
1)ZnSiP2及びCuGaS2の作製
Zn金属粉末、Si粉末及びP(赤リン)粉末を含む原料粉末を、それぞれの分量が1:1:2のモル比となるように調製し、石英ガラス管に導入した。これに、さらにNaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2となるように加えた。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入した。これを、電気炉内で、1000℃で70時間加熱することにより、ZnSiP2粉末を得た。
一方、Cu金属粉末、Ga金属粉末及びS粉末を含む原料粉末を、それぞれの分量が1:1:2のモル比となるように調製し、石英ガラス管に導入した。これに、さらにNaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、原料粉末とフラックス剤との重量比が1:2となるように加えた。その後、真空ポンプで排気しつつ、石英ガラス管の口を溶着させ、原料粉末とフラックス剤を真空封入した。これを、電気炉内で、1050℃で14時間加熱することにより、CuGaS2粉末を得た。
得られたZnSiP2及びCuGaS2粉末について、リガク社製の粉末X線回折装置(RINT2000HF)を用いてXRD(CuKα線)測定を行った。得られたX線回折パターンと、これまでに報告されている粉末X線回折のためのデータベースICDD(International Center for Diffraction Data)−PDFのデータとを対比したところ、得られた粉末が、それぞれZnSiP2及びCuGaS2構造を有することが分かり、目的とする化合物がほぼ単一相で合成できたことを確認した。ZnSiP2及びCuGaS2のX線回折パターンを図1に示す(図1中、一番下の回折パターンがZnSiP2単独のもの、一番上の回折パターンがCuGaS2単独のものである)。
2)ZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物の作製
作製した出発物質であるZnSiP2及びCuGaS2を、CuGaS2のモル分率が0.05〜0.95(5〜95mol%)となるように混合した。これに、NaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、出発物質とフラックス剤との重量比が1:2となるように加えた。その後、上記と同様にして出発物質とフラックス剤を石英管内に真空封入した。これを、電気炉内で、1000℃で14時間加熱することにより、カルコパイライト固溶体化合物の粉末を得た。
作製した出発物質であるZnSiP2及びCuGaS2を、CuGaS2のモル分率が0.05〜0.95(5〜95mol%)となるように混合した。これに、NaClとKClとを1:1のモル比で混合したフラックス剤を、出発物質とフラックス剤との重量比が1:2となるように加えた。その後、上記と同様にして出発物質とフラックス剤を石英管内に真空封入した。これを、電気炉内で、1000℃で14時間加熱することにより、カルコパイライト固溶体化合物の粉末を得た。
作製したカルコパイライト固溶体化合物の粉末について、リガク社製の粉末X線回折装置(RINT2000HF)を用いてXRD(CuKα線)測定を行った。結果を図1に示す。CuGaS2のモル分率を変えて得られた各粉末に対するX線回折パターンを、固溶体化前のそれぞれの化合物粉末(ZnSiP2とGuGaS2)単独のX線回折パターンと比較すると、いずれの粉末もカルコパイライト構造特有の回折パターンを保持しており、得られた粉末がカルコパイライト固溶体化合物の構造を有することが分かった。
また、上記のとおりCuGaS2のモル分率を変えた場合について、X線回折角度2θ=28〜30°に現れる主回折ピークを図2に示す。2θ=29°の主ピークは、112面による回折ピークであり、ZnSiP2では単一ピークであるが、CuGaS2を5〜10mol%加えた場合に、このピークは二つに分裂し低角度側にシフトした。CuGaS2を20mol%加えた場合に、このピークは再び単一ピークとなり、もっとも低角度側に現れた。さらにCuGaS2量を90mol%以上に増やすと、回折ピークは逆に高角度側にシフトし、CuGaS2のピークに近づいた。CuGaS2を加えたことによるX線回折ピークのシフトは、ZnSiP2とCuGaS2が固溶体を形成していることの証左である。
3)ZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物の光吸収特性
上記1)及び2)で述べた、ZnSiP2、CuGaS2、及びZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物の光吸収特性を図3に示す。なお、図中、「ZSP+CGSX%」とは、ZnSiP2にCuGaS2がXmol%固溶していることを示す。固溶体化前のZnSiP2及びCuGaS2では、それぞれ600及び570nm付近から光吸収が始まり、共に420nm付近で最大吸収となった。ZnSiP2にCuGaS2を5mol%固溶させた場合に、光吸収は750nmから始まり、510nmで最大吸収となった。CuGaS2量の増加とともに、吸収波長は長波長側にシフトし、CuGaS2を20mol%固溶させた場合に、光吸収は850nmから始まり、600nmで最大吸収となった。
上記1)及び2)で述べた、ZnSiP2、CuGaS2、及びZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物の光吸収特性を図3に示す。なお、図中、「ZSP+CGSX%」とは、ZnSiP2にCuGaS2がXmol%固溶していることを示す。固溶体化前のZnSiP2及びCuGaS2では、それぞれ600及び570nm付近から光吸収が始まり、共に420nm付近で最大吸収となった。ZnSiP2にCuGaS2を5mol%固溶させた場合に、光吸収は750nmから始まり、510nmで最大吸収となった。CuGaS2量の増加とともに、吸収波長は長波長側にシフトし、CuGaS2を20mol%固溶させた場合に、光吸収は850nmから始まり、600nmで最大吸収となった。
4)ZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物のバンドギャップと固溶体量の関係
上記3)の光吸収波長から得られるZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物のバンドギャップとCuGaS2の固溶量の関係を図4に示す。ZnSiP2のバンドギャップ2.0Vは、CuGaS2固溶量の増加により減少し、20mol%固溶で1.52Vまで低下した。ZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物では、CuGaS2固溶量によって、バンドギャップを2.0〜1.5Vの範囲で可変できることを示した。
上記3)の光吸収波長から得られるZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物のバンドギャップとCuGaS2の固溶量の関係を図4に示す。ZnSiP2のバンドギャップ2.0Vは、CuGaS2固溶量の増加により減少し、20mol%固溶で1.52Vまで低下した。ZnSiP2とCuGaS2の固溶体化合物では、CuGaS2固溶量によって、バンドギャップを2.0〜1.5Vの範囲で可変できることを示した。
5)ZnSiP2にCuGaS2を5mol%固溶させた化合物への助触媒(RuO2)の担持
所定量のRuCl3を含むRuCl3・H2O水溶液に、上記のとおり得られたZnSiP2にCuGaS2を5mol%固溶させた化合物(以下においてZnSiP2:CuGaS2(5%)という)を加えた。これをガラス反応セルに移し、Ar雰囲気下でXe光を3時間照射してRuO2を電着させることで(RuCl3からRuO2への変換)、RuO2を金属重量換算で3.5重量%担持したZnSiP2:CuGaS2(5%)光触媒(以下、「光触媒1」という)を得た。
所定量のRuCl3を含むRuCl3・H2O水溶液に、上記のとおり得られたZnSiP2にCuGaS2を5mol%固溶させた化合物(以下においてZnSiP2:CuGaS2(5%)という)を加えた。これをガラス反応セルに移し、Ar雰囲気下でXe光を3時間照射してRuO2を電着させることで(RuCl3からRuO2への変換)、RuO2を金属重量換算で3.5重量%担持したZnSiP2:CuGaS2(5%)光触媒(以下、「光触媒1」という)を得た。
6)水素生成活性評価
得られた光触媒1を含む測定用サンプルを作製し、上述の閉鎖循環系反応装置を用いて、水からの水素生成反応の活性の評価を行った。この際、光触媒の量は、純水の全重量を基準として0.1重量%とし、評価用サンプルの温度を25℃、pHを5.8として評価を行った。また、光照射にはXeランプ(イーグルエンジニアリング株式会社製 CX−04E)を用いて、外部照射法により300〜800nmの波長の光を照射した。結果を図5に示す。
得られた光触媒1を含む測定用サンプルを作製し、上述の閉鎖循環系反応装置を用いて、水からの水素生成反応の活性の評価を行った。この際、光触媒の量は、純水の全重量を基準として0.1重量%とし、評価用サンプルの温度を25℃、pHを5.8として評価を行った。また、光照射にはXeランプ(イーグルエンジニアリング株式会社製 CX−04E)を用いて、外部照射法により300〜800nmの波長の光を照射した。結果を図5に示す。
図5は、光触媒1における、光照射時間と水素生成量との関係を示すグラフである。これより、光照射により水素がほぼ一定速度で定常的に生成し、光触媒1が水素生成に高い活性を示すことが分かった。一方で、酸素の生成はほとんど見られなかった(図示せず)。なお、光触媒1の水素生成活性は約46μmol/hであり、酸素生成活性は約0.1μmol/h以下であった。さらに、気相を排気した後、再度光照射を行った場合においても(照射時間:150min〜、300min〜)、優れた水素生成活性を維持した。
また、光触媒1において、水素生成活性に及ぼす測定用サンプルのpHの影響を調べた。pHの調整には、水酸化ナトリウム水溶液及び塩酸を用いた。上記のとおり、水素生成活性はpH5.8においても十分に優れていたが、pH1.0では、pH5.8に対して2倍高い活性を示し、酸性条件で水素生成活性は増加した。
また、図6は、光触媒1の水素生成活性と光波長との関係を示すグラフである。光触媒1において、水素生成活性は700nm付近から生じた。そして、短波長側に行くとともに増加した。これにより、光触媒1は400〜700nmの可視光域で水素生成活性を示すことが分かった。600nm付近からようやく水素生成活性が現れるZnSiP2単独の場合と比較して、固溶体ではより長波長側の光を活用できる優位性を持つことが示された。
(実施例2)
出発原料としてCuGaS2の代わりにAgGaS2を用いてカルコパイライト固溶体化合物を作製したこと以外は、実施例1と同様にして光触媒を作製し、評価を行った。AgGaS2の作製に当たっては、Cu金属粉末の代わりにAg金属粉末を用いた。
出発原料としてCuGaS2の代わりにAgGaS2を用いてカルコパイライト固溶体化合物を作製したこと以外は、実施例1と同様にして光触媒を作製し、評価を行った。AgGaS2の作製に当たっては、Cu金属粉末の代わりにAg金属粉末を用いた。
図7は、RuO2を金属重量換算で3.5重量%担持したZnSiP2:AgGaS2(5%)光触媒(以下、「光触媒2」という)における、光照射時間と水素生成量との関係を示すグラフである。光触媒2では、光照射により水素が定常的に生成し、水素生成に高い活性を示した。一方、酸素の生成はほとんど見られなかった(図示せず)。なお、光触媒2の水素生成活性は約2.5μmol/hであり、酸素生成活性は約0.1μmol/h以下であった。
(実施例3)
出発原料としてCuGaS2の代わりにCuGaSe2を用いてカルコパイライト固溶体化合物を作製したこと以外は、実施例1と同様にして光触媒を作製し、評価を行った。CuGaSe2の作製に当たっては、S粉末の代わりにSe粉末を用いた。
出発原料としてCuGaS2の代わりにCuGaSe2を用いてカルコパイライト固溶体化合物を作製したこと以外は、実施例1と同様にして光触媒を作製し、評価を行った。CuGaSe2の作製に当たっては、S粉末の代わりにSe粉末を用いた。
図8は、RuO2を金属重量換算で3.5重量%担持したZnSiP2:CuGaSe2(10%)光触媒(以下、「光触媒3」という)における、光照射時間と水素生成量との関係を示すグラフである。光触媒3では、水の分解反応において光照射により水素が定常的に生成し、水素生成に高い活性を示した。酸素の生成はほとんど見られなかった(図示せず)。光触媒3の水素生成活性は約25μmol/hであり、酸素生成活性は約0.1μmol/h以下であった。
なお、ZnSiP2のSiの代わりにGeを用いたZnGeP2とCuGaS2のカルコパイライト固溶体化合物を作製し、実施例1と同様にして光触媒としての評価を行ったところ、いずれの光触媒も可視光領域での水の分解反応において高い水素生成活性を示した。
これまでの説明から明らかなように、例えば400〜700nmの長波長での可視光領域において、水の分解による水素生成がカルコパイライト固溶体化合物を用いて可能であるという発見は、新規な光触媒の開発に対して充分に貢献するものである。そして、可視光領域での水の分解反応において優れた水素生成活性を示す本発明の光触媒は、無尽蔵に供給される太陽エネルギーを有効に活用できることから産業上の利用性が極めて高いものである。
Claims (5)
- 下記一般式(1)で表される化合物及び下記一般式(2)で表される化合物から形成される、カルコパイライト構造を有する固溶体化合物と、
該固溶体化合物に担持された、貴金属及び貴金属酸化物からなる群より選択される少なくとも1種の助触媒と、を備え、
水からの水素生成に用いられる光触媒。
AIIBIVX2・・・(1)
(式中、AIIは2価の金属、BIVは4価の金属、XはP3−、As3−及びSb3−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。)
DIEIIIZ2・・・(2)
(式中、DIは1価の金属、EIIIは3価の金属、ZはS2−、Se2−及びTe2−からなる群より選択される少なくとも1種を示す。) - 前記一般式(1)中、AIIがZn2+及びCd2+からなる群より選択される少なくとも1種であり、BIVがSi4+、Ge4+及びSn4+からなる群より選択される少なくとも1種であり、
前記一般式(2)中、DIがCu+及びAg+からなる群より選択される少なくとも1種であり、EIIIがAl3+、Ga3+及びIn3+からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項1記載の光触媒。 - 平均粒子径が0.1〜10μmである、請求項1又は2記載の光触媒。
- 300〜850nmの範囲から選択される波長を有する光を照射することにより励起状態となる、請求項1〜3のいずれか一項記載の光触媒。
- 請求項1〜4のいずれか一項記載の光触媒の存在下、可視光を用いた光反応により水からの水素生成を行う、水素生成方法。
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JP2019171284A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 三井化学株式会社 | 光触媒および水素生成用光触媒電極 |
JP2020142213A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 三菱ケミカル株式会社 | 表面に助触媒を担持した光触媒及び該光触媒の製造方法 |
CN113289682A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-08-24 | 中国矿业大学 | 一种CuFe2S3-聚二氨基吡啶三维复合催化剂的制备方法及应用 |
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014076837A patent/JP2015196155A/ja active Pending
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