JP2015189618A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】無機材料単結晶の製造方法は、種結晶を準備する準備工程と、付加製造技術を用いて、種結晶上に無機材料である無機粉末粒子40を供給し、熱エネルギー30により無機粉末粒子40を溶融して、種結晶上に単結晶を育成する育成工程とを備え、好ましくは、準備工程は、基台205に種結晶を配置する配置工程を含み、育成工程は、基台205に配置された種結晶上に、無機材料を含む無機層を形成する層形成工程と、種結晶上の無機層を溶融して種結晶上に単結晶を育成する溶融工程とを繰り返し行って所定の大きさの単結晶を育成する無機材料の単結晶の育成方法。熱エネルギーをレーザーP又は電子ビームにより与えるレーザー又は電子ビーム三次元積層造形法による無機材料の単結晶育成方法。
【選択図】図1
Description
本実施形態では、無機材料の一例として、無機粉末粒子を利用する。図1は、単結晶を製造するための積層造形装置100の構成図である。図1を参照して、積層造形装置100は、レーザ積層造形装置である。積層造形装置100は、制御装置10と、レーザ装置14と、レンズ系15と、ミラー(ガルバノミラー)16と、チャンバ20とを備える。本実施形態において、単結晶とは、成長方向に垂直な面内において結晶学的に方向が一定であり、成長方向においても結晶学的に方向が一定である結晶を意味する。つまり、本実施形態の単結晶は、3次元的に結晶方位が一定の結晶を意味する。
図2は、本実施形態の単結晶の製造方法の詳細を示すフロー図である。制御装置10は初めに、CADアプリケーションを用いて単結晶の3次元データを作成する(S1)。作成された3次元データは制御装置10内のメモリに格納される。続いて、制御装置10はCAMアプリケーションを用いて、3次元データに基づいて加工条件データを作成する(S2)。
上述の製造方法では、一例として粉末床溶融結合法のうち、レーザ積層造形法を利用した。しかしながら、上記製造方法は、電子ビーム積層造形法を利用してもよい。
本実施形態の製造方法で製造される単結晶は、結晶成長を制御することにより高性能化が可能な全ての分野の構造部材に適用可能である。本実施形態の製造方法で製造される単結晶はたとえば、タービンブレードに代表される航空宇宙部品、ボーンプレート、脊髄スぺーサー及びインプラント等の生体内に埋め込む医療機器、生体材料及び歯科補綴物等の歯科用材料、器具材料、熱電変換素子、圧電素子(ピエゾ)等の電子部品、燃料電池等に適用可能である。
図14は、上面(結晶成長面、Z軸を法線に持つ面)が(001)面である種結晶を用いて製造された単結晶の、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の逆極点図である。図14に示すとおり、単結晶のX軸方向の逆極点図は、種結晶のX軸方向の逆極点図とほぼ一致しており、<001>方向であった。同様に、単結晶のY軸方向、Z軸方向の逆極点図は、種結晶のY軸、Z軸方向の逆極点図とほぼ一致した。したがって、(001)面を上面に有する種結晶により、XYZ軸において、種結晶と同じ結晶方位を有する単結晶を製造できた。
[種結晶の製造]
Ti−15Mo−5Zr−3Alからなる化学組成を有し、体心立方(bcc)構造を有する単結晶を、FZ法により作製した。「Ti−15Mo−5Zr−3Al」とは、15質量%のMoと、5質量%のZrと、3質量%のAlとを含有し、残部がTi及び不純物からなる化学組成を意味する。製造された単結晶を用いて、上面(結晶成長面)が(001)面、(110)面、(111)面となる種結晶をそれぞれ作製した。作製された各単結晶の上面を400番のエメリー紙で研磨して上面に線状痕を形成した。
図17は、上面(Z軸を法線に持つ面)が(001)面である種結晶を用いて製造された単結晶の、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の逆極点図である。図17に示すとおり、単結晶のX軸方向の逆極点図は、種結晶のX軸方向の逆極点図とほぼ一致した。同様に、単結晶のY軸方向、Z軸方向の逆極点図は、種結晶のY軸、Z軸方向の逆極点図とほぼ一致した。したがって、(001)面を上面に有する種結晶により、種結晶と同じ結晶方位を有する単結晶を製造できた。(110)面及び(111)面を持つ種結晶を用いて製造された単結晶も同様に、対応する種結晶と同じ結晶方位を有した。
Ti−6Al−4Vからなる化学組成を有し、hcp構造を有する単結晶を、FZ法により作製した。「Ti−6Al−4V」とは、6質量%のAlと、4質量%のVとを含有し、残部がTi及び不純物からなる化学組成を意味する。製造された単結晶を用いて、種結晶の上面(結晶成長面)が(0001)面、(1−100)面、(1−101)面となる種結晶をそれぞれ作製した。作製された各単結晶の上面を400番のエメリー紙で研磨して上面に線状痕を形成した。
図20は、上面が(0001)面である種結晶を用いて製造された単結晶の、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の逆極点図である。図20に示すとおり、単結晶のX軸方向の逆極点図は、種結晶のX軸方向の逆極点図とほぼ一致した。同様に、単結晶のY軸方向、Z軸方向の逆極点図は、種結晶のY軸、Z軸方向の逆極点図とほぼ一致した。したがって、(0001)面を上面に有する種結晶により、種結晶と同じ結晶方位を有する単結晶を製造できた。
14 レーザ装置
40 無機粉末粒子
100 積層造形装置
200 単結晶
Claims (12)
- 種結晶を準備する準備工程と、
付加製造技術を用いて、種結晶上に無機材料を供給し、熱エネルギーにより前記無機材料を溶融して、前記種結晶上に単結晶を育成する育成工程とを備える、単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載の単結晶の製造方法であって、
前記準備工程は、
基台に前記種結晶を配置する配置工程を含み、
前記育成工程は、
前記基台に配置された種結晶上に、前記無機材料を含む無機層を形成する層形成工程と、
前記種結晶上の無機層を溶融して前記種結晶上に前記単結晶を育成する溶融工程とを含む、単結晶の製造方法。 - 請求項2に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程では、前記層形成工程と前記溶融工程とを交互に繰り返す、単結晶の製造方法。 - 請求項3に記載の単結晶の製造方法であって、
前記基台は穴を有し、
前記配置工程では、前記種結晶の上面が前記基台の表面と同じ高さになるように前記穴に前記種結晶を配置する、単結晶の製造方法。 - 請求項3又は請求項4に記載の単結晶の製造方法であってさらに、
前記種結晶の上面を所定方向に研磨する工程を含み、
前記無機材料は無機粉末粒子であり、
前記層形成工程では、前記無機粉末粒子を特定方向に移動させながら無機層を形成し、
前記配置工程では、前記種結晶の研磨方向と前記無機粉末粒子の移動方向とが交差するように、前記種結晶を配置する、単結晶の製造方法。 - 請求項5に記載の単結晶の製造方法であって、
前記配置工程では、前記種結晶の研磨方向と前記無機粉末粒子の移動方向とが垂直になるように、前記種結晶を配置する、単結晶の製造方法。 - 請求項4〜請求項6のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程では、最初の前記層形成工程で形成される無機層の厚さを、2回目以降の前記層形成工程で形成される無機層の厚さよりも薄く形成する、単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程は、レーザ積層造形法を用いる、単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程は、電子ビーム積層造形法を用いる、単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程では、Ni基合金の単結晶を育成する、単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程では、Ti合金の単結晶を育成する、単結晶の製造方法。 - 請求項11に記載の単結晶の製造方法であって、
前記育成工程では、TiAl系金属間化合物の単結晶を育成する、単結晶の製造方法。
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