JP2015187945A - 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電性接着剤、接続体の製造方法、電子部品の接続方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】導通性を確保しつつ、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいても絶縁性を維持する。
【解決手段】絶縁粒子10を有し、絶縁粒子10の表面が金属で被覆された導電領域11と、導電領域11が設けられていない絶縁領域12とを有し、導電領域11が全表面積の45〜75%に形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】絶縁粒子10を有し、絶縁粒子10の表面が金属で被覆された導電領域11と、導電領域11が設けられていない絶縁領域12とを有し、導電領域11が全表面積の45〜75%に形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、2つの導体間を電気的、機械的に接続する導電性接着剤に用いる導電性粒子、導電性粒子の製造方法、この導電性粒子を用いた導電性接着剤、この導電性接着剤を介して電子部品を加圧することにより当該電子部品が回路基板に接続された接続体の製造方法、電子部品の接続方法に関する。
従来から、電子部品を回路基板に接続する接続工程において、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)が用いられている。
異方性導電フィルムは、バインダー樹脂(接着剤)に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、2つの導体間で加熱圧着されることにより導電性粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。異方性導電フィルムを構成する接着剤としては、通常、信頼性の高い熱硬化性のバインダー樹脂が用いられるが、光硬化性のバインダー樹脂又は光熱併用型のバインダー樹脂であってもよい。
異方性導電フィルムを用いてICチップをガラス基板へ接続する場合は、先ず、ガラス基板の電極上に異方性導電フィルムを仮圧着手段によって低温低圧で加熱押圧することにより仮貼りする。続いて、異方性導電フィルムを介してガラス基板上にICチップを搭載し仮接続体を形成する。仮接続体は、接続装置のステージに載置された後、熱圧着ヘッド等の熱圧着手段によってICチップが異方性導電フィルムとともにガラス基板側へ加熱押圧される。この熱圧着ヘッドによる加熱によって、異方性導電フィルムのバインダー樹脂は熱硬化反応を起こし、これによりICチップがガラス基板上に接続された接続体が形成される。
ところで、モバイル用途の電子機器等においては、機器本体の小型化が進み、これに伴い内部に実装される電子部品及びその実装領域も小型化、狭小化されている。一方で、電子機器の高機能化により、限られたスペースに多数の信号配線パターンが設けられ、電子部品のバンプやバンプ間スペースも数μm〜数十μmオーダーで形成されている。
このようなファインピッチ化された電極間を、異方性導電フィルムを用いて接続する場合、導電性粒子の捕捉率を維持するために、より多くの導電性粒子を含有させる必要がある。しかし、導電性粒子を多量に含有させると、各バンプにおける粒子捕捉率を上げることができる一方で、ファインピッチ化されたバンプ間スペースに導電性粒子が連なり、隣り合うバンプ間でのショートが頻発する危険が生じる。
このような問題に対して、導電性粒子の表面を絶縁被覆する方法も提案されている。しかし、導電性粒子の表面を絶縁被覆すると、粒子径が大きくなり、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいてより凝集しやすくなり、加熱押圧等により導電性粒子の導体部分が露出するなど、却って絶縁性を損なう。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、導通性を確保しつつ、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいても絶縁性を維持することができる導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電性接着剤、接続体の製造方法、電子部品の接続方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明に係る導電性粒子は、絶縁粒子を有し、上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されているものである。
また、本発明に係る導電性粒子の製造方法は、絶縁粒子の直径よりも深さの浅いマイクロキャビティ内に上記絶縁粒子を配し、上記マイクロキャビティの開口側からスパッタリング処理を施すことにより、上記絶縁粒子の表面に、金属で被覆された導電領域と、上記金属で被覆されていない絶縁領域とを形成し、全表面積の45〜75%を上記導電領域とするものである。
また、本発明に係る導電性接着剤は、バインダー樹脂に導電性粒子が含有された導電性接着剤において、上記導電性粒子は、絶縁粒子を有し、上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されているものである。
また、本発明に係る接続体の製造方法は、回路基板上に、導電性粒子が含有されたバインダー樹脂を有する導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、上記電子部品の上から圧着ツールによって押圧し、上記回路基板及び上記電子部品の各電極間に上記導電性粒子が挟持された状態で上記バインダー樹脂を硬化させる工程を有し、上記導電性粒子は、絶縁粒子を有し、上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されているものである。
また、本発明に係る電子部品の接続方法は、回路基板上に、導電性粒子が含有されたバインダー樹脂層を有する導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、上記電子部品の上から圧着ツールによって押圧し、上記回路基板及び上記電子部品の各電極間に上記導電性粒子が挟持された状態で上記バインダー樹脂を硬化させる工程を有し、上記導電性粒子は、絶縁粒子を有し、上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されているものである。
本発明によれば、導電領域の面積が導電性粒子の全表面積の45%以上、75%以下としているため、隣り合うバンプ同士が導電性粒子を介してショートする確率を大幅に減らすことができる。また、回路基板の電極と電子部品のバンプとの間にわたる上下方向の導通性も良好に維持することができる。
以下、本発明が適用された導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電性接着剤、接続体の製造方法、電子部品の接続方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
[異方性導電フィルム]
本発明が適用された導電性粒子は、電子部品と回路基板との各電極同士を導通接続させる場合等、2つの導体間の電気的、機械的な接続を行う導電性接着剤に好適に用いられる。以下では、本発明が適用された導電性粒子を含有する導電性接着剤として、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を例に説明する。
本発明が適用された導電性粒子は、電子部品と回路基板との各電極同士を導通接続させる場合等、2つの導体間の電気的、機械的な接続を行う導電性接着剤に好適に用いられる。以下では、本発明が適用された導電性粒子を含有する導電性接着剤として、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を例に説明する。
異方性導電フィルム1は、図1に示すように、通常、基材となる剥離フィルム2上に本発明が適用された導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層(接着剤層)3が形成されたものである。異方性導電フィルム1は、熱硬化型あるいは紫外線等の光硬化型の接着剤であり、例えば回路基板に形成された基板電極上に貼着されるとともにICチップが搭載され、熱圧着ヘッドにより熱加圧されることにより流動化して導電性粒子4が相対向する基板電極とICチップのバンプとの間で押し潰され、加熱あるいは紫外線照射により、導電性粒子4が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、回路基板とICチップとを接続し、導通させることができる。
異方性導電フィルム1は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー樹脂層3に導電性粒子4が分散されている。
バインダー樹脂層3を支持する剥離フィルム2は、例えば、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methylpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム1の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム1の形状を維持する。
バインダー樹脂層3に含有される膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、UV硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種(カチオンやアニオン、ラジカル)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、2種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
バインダー樹脂層3を構成する接着剤組成物は、このように膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する場合に限定されず、通常の異方性導電フィルムの接着剤組成物として用いられる何れの材料から構成されるようにしてもよい。
[導電性粒子]
次いで、本発明が適用された導電性粒子4について説明する。図2(A)は導電性粒子4の側面図、図2(B)は導電性粒子4の断面図である。図2(A)(B)に示すように、導電性粒子4は、絶縁粒子10を有し、絶縁粒子10の表面には、金属で被覆された導電領域11と、金属で被覆されていない絶縁領域12とを有する。そして、導電性粒子4は、導電領域11が全表面積の45%以上、75%以下にわたって形成されている。
次いで、本発明が適用された導電性粒子4について説明する。図2(A)は導電性粒子4の側面図、図2(B)は導電性粒子4の断面図である。図2(A)(B)に示すように、導電性粒子4は、絶縁粒子10を有し、絶縁粒子10の表面には、金属で被覆された導電領域11と、金属で被覆されていない絶縁領域12とを有する。そして、導電性粒子4は、導電領域11が全表面積の45%以上、75%以下にわたって形成されている。
[絶縁粒子]
絶縁粒子10は、導電性粒子の基材粒子として用いられている絶縁性を有する各種粒子を用いることができる。なかでも、圧縮によりバンプや基板電極との接触面積が広がり導通性を向上できるとともに、電極端子間距離の変動に追従可能であり導通信頼性にも優れる樹脂粒子が好適に用いられる。
絶縁粒子10は、導電性粒子の基材粒子として用いられている絶縁性を有する各種粒子を用いることができる。なかでも、圧縮によりバンプや基板電極との接触面積が広がり導通性を向上できるとともに、電極端子間距離の変動に追従可能であり導通信頼性にも優れる樹脂粒子が好適に用いられる。
樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。また、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させることにより、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成可能である。また、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレンジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
[導電領域/絶縁領域]
絶縁粒子10の表面には、金属で被覆された導電領域11と、金属で被覆されていない絶縁領域12とを有する。そして、導電性粒子4は、導電領域11が全表面積の45〜75%にわたって形成されている。
絶縁粒子10の表面には、金属で被覆された導電領域11と、金属で被覆されていない絶縁領域12とを有する。そして、導電性粒子4は、導電領域11が全表面積の45〜75%にわたって形成されている。
導電性粒子4は、導電領域11が回路基板の電極と電子部品のバンプとの間に挟持されることにより電気的導通を取ることができる。また、導電性粒子4は、絶縁領域12を有することにより、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいて導電性粒子4を介して隣り合うバンプ同士が連続した場合にも、絶縁領域12によってショートを防止することができる。
ここで、絶縁粒子を全面にわたって導電被覆した場合、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいて導電性粒子4が並んだ場合に、隣り合うバンプ同士が導電性粒子4を介してショートしてしまう。
一方、絶縁粒子10の表面に導電被覆されていない絶縁領域12が存在すると、バンプ間スペースにおいて導電性粒子4が並んだ場合にも、当該絶縁領域12同士、あるいは導電領域11と絶縁領域12とが接触する可能性があり、その部分では導通が生じないため、隣り合うバンプ同士が導電性粒子4を介してショートする確率を減らすことができる。
そして、本発明においては、導電領域11の面積が導電性粒子4の全表面積の75%以下としているため、隣り合うバンプ同士が導電性粒子4を介してショートする確率を大幅に減らすことができる。
一方、回路基板の電極と電子部品のバンプとの間にわたる上下方向の導通に関しては、本来的に、導電性粒子が存在することにより導通が生じるため、導電領域11の面積が減れば、導通性が損なわれる可能性が生じる。特に導電領域11の面積が導電性粒子4の全表面積の45%未満であると、十分な導通性が得られない。
また、導電性粒子4は、1つの導電領域11と1つの絶縁領域12からなる。すなわち、導電領域11及び絶縁領域12は、それぞれ連続した1つの領域から形成され、複数の領域が点在するものではない。導電領域11及び絶縁領域12を、複数の領域によって形成すると、回路基板の電極と電子部品のバンプとの間にわたる上下方向の導通性が大きく損なわれる。
[導電性粒子の製造方法]
表面に導電領域11及び絶縁領域12が形成された導電性粒子4は、以下のように形成することができる。先ず、図3、図4に示すように、エレクトロフォーミング等により、ニッケル板等の金属板に複数の開口部21を形成したマイクロキャビティ20を得る。このマイクロキャビティ20の開口部21内に絶縁粒子10を配置する。次いで、マイクロキャビティ20の開口部21が形成された面上からスパッタリングにより導電領域11を形成する金属で絶縁粒子10を被覆する。これにより、絶縁粒子10は、マイクロキャビティ20の開口部21から露出している領域が金属被覆され導電領域11が形成される。また、絶縁粒子10は、マイクロキャビティ20の開口部21内に配置された領域は金属被覆されず、絶縁粒子の表面が露出することにより絶縁領域12となる。
表面に導電領域11及び絶縁領域12が形成された導電性粒子4は、以下のように形成することができる。先ず、図3、図4に示すように、エレクトロフォーミング等により、ニッケル板等の金属板に複数の開口部21を形成したマイクロキャビティ20を得る。このマイクロキャビティ20の開口部21内に絶縁粒子10を配置する。次いで、マイクロキャビティ20の開口部21が形成された面上からスパッタリングにより導電領域11を形成する金属で絶縁粒子10を被覆する。これにより、絶縁粒子10は、マイクロキャビティ20の開口部21から露出している領域が金属被覆され導電領域11が形成される。また、絶縁粒子10は、マイクロキャビティ20の開口部21内に配置された領域は金属被覆されず、絶縁粒子の表面が露出することにより絶縁領域12となる。
開口部21は、絶縁粒子10の粒径の約1.1倍の直径を有する円形に形成されている。また、マイクロキャビティ20は、開口部21の深さによって、絶縁粒子10の露出面積を調整することができ、これにより、導電領域11と絶縁領域12との面積比率を設定することができる。例えば、図3に示すように、開口部21の深さを浅くすることにより、絶縁粒子10の開口部21からの露出面積を増やし、導電領域11を相対的に広く形成することができる。一方、図4に示すように、開口部21の深さを深くすることにより、絶縁粒子10の開口部21からの露出面積を減らし、導電領域11を相対的に狭く形成することができる。
また、以上の方法により、絶縁粒子10の表面に1つの導電領域11と1つの絶縁領域12のみが形成された導電性粒子4を形成することができる。すなわち、導電領域11及び絶縁領域12は、それぞれ連続した1つの領域から形成され、複数の領域が点在するものではない。
なお、マイクロキャビティ20は、エレクトロフォーミングによる他、例えば、種々の材質の平板にレーザー加工等を施すことによっても作成することができる。
異方性導電フィルム1は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤、導電性粒子4等を含有する接着剤組成物を調整する。調整した接着剤組成物をバーコーター、塗布装置等を用いて剥離フィルム2上に塗布し、オーブン等によって乾燥させることにより、剥離フィルム2にバインダー樹脂層3が支持された異方性導電フィルム1を得る。
[2層ACF]
また、本発明に係る異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層3と、導電性粒子が含まれない絶縁性の接着剤組成物からなる絶縁性接着剤層とを積層されてなる2層構造の異方性導電フィルムとしてもよい。
また、本発明に係る異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層3と、導電性粒子が含まれない絶縁性の接着剤組成物からなる絶縁性接着剤層とを積層されてなる2層構造の異方性導電フィルムとしてもよい。
絶縁性接着材層を構成する絶縁性の接着剤組成物は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー成分からなり、上述したバインダー樹脂層3の接着剤組成物と同様の材料で構成することができる。
この2層構造の異方性導電フィルム1は、絶縁性接着剤層を構成する接着剤組成物を剥離フィルムに塗布、乾燥させた後、上述した剥離フィルム2に支持されたバインダー樹脂層3と貼り合わせることにより形成することができる。
なお、異方性導電フィルム1の形状は、特に限定されないが、例えば、図1に示すように、巻取リール6に巻回可能な長尺テープ形状とすることにより、所定の長さだけカットして使用することができる。
また、上述の実施の形態では、異方性導電フィルム1として、導電性粒子4を含有した樹脂組成物をフィルム状に成形した接着フィルムを例に説明したが、本発明に係る接着剤は、これに限定されず、例えば導電性粒子4を含有したバインダー樹脂3からなる導電性接着ペーストでもよい。
[接続体の製造工程]
次いで、異方性導電フィルム1を用いた接続工程について、透明基板にICチップを接続する接続工程を例に説明する。接続工程では、先ず、透明基板の電極端子が形成されたCOG実装部上に異方性導電フィルム1を仮貼りし、次いで、透明基板のCOG実装部上に異方性導電フィルム1を介してICチップを搭載する。
次いで、異方性導電フィルム1を用いた接続工程について、透明基板にICチップを接続する接続工程を例に説明する。接続工程では、先ず、透明基板の電極端子が形成されたCOG実装部上に異方性導電フィルム1を仮貼りし、次いで、透明基板のCOG実装部上に異方性導電フィルム1を介してICチップを搭載する。
次いで、バインダー樹脂層3を硬化させる所定の温度に加熱された熱圧着ヘッドによって、所定の圧力、時間でICチップ上から熱加圧する。これにより、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3は流動性を示し、ICチップと透明基板のCOG実装部の間から流出するとともに、バインダー樹脂層3中の導電性粒子4は、ICチップのバンプと透明基板の電極端子との間に挟持されて押し潰され、この状態で熱圧着ヘッドによって加熱されたバインダー樹脂が硬化する。
ここで、導電性粒子4は、導電領域11の面積が導電性粒子4の全表面積の45%以上としているため、透明基板の電極端子とICチップのバンプとの間にわたる上下方向の導通性も良好に確保することができる。
なお、導電性粒子4は、樹脂粒子からなる絶縁粒子10を備えた場合、熱圧着ヘッドの押圧力を受けて圧縮することにより、導電領域11が電極端子やバンプと接触する面積が広がり良好な導通性を有する。また、透明基板とICチップとの接続体が形成された後に、温度や湿度環境の変化に伴ってバインダー樹脂やバインダー樹脂を介して接続されている回路基板及びICチップに膨張や収縮が生じ、電極端子間距離が変動した場合にも、樹脂粒子が伸縮することにより追従可能であり、導通信頼性にも優れる。
電極端子とバンプとの間にない導電性粒子4は、隣接するバンプ間のスペースにおいてバインダー樹脂に分散されており、電気的に絶縁した状態を維持している。このとき、上述したように、導電性粒子4は、導電領域11の面積が導電性粒子4の全表面積の75%以下としているため、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいて導電性粒子4が並んだ場合にも、隣り合うバンプ同士が導電性粒子4を介してショートする事態を高確率で防止することができる。
これにより、ICチップのバンプと透明基板の電極端子との間のみで電気的導通が図られた接続体が形成される。なお、バインダー樹脂として、ラジカル重合反応系の速硬化タイプのものを用いることで、短い加熱時間によってもバインダー樹脂を速硬化させることができる。また、異方性導電フィルム1としては、熱硬化型に限らず、加圧接続を行うものであれば、光硬化型もしくは光熱併用型の接着剤を用いてもよい。
[潰れ割合]
ここで、導電性粒子4は、熱圧着ヘッドによる熱加圧工程において、所定の潰れ割合となるよう押圧されることが好ましい。すなわち、導電性粒子4は、圧縮されることにより電極端子やバンプとの接触面積が広がることから、導電領域11が電極端子やバンプと接触する確率も増える。したがって、導電性粒子4は、潰れ割合が25%以上とすることが好ましい。
ここで、導電性粒子4は、熱圧着ヘッドによる熱加圧工程において、所定の潰れ割合となるよう押圧されることが好ましい。すなわち、導電性粒子4は、圧縮されることにより電極端子やバンプとの接触面積が広がることから、導電領域11が電極端子やバンプと接触する確率も増える。したがって、導電性粒子4は、潰れ割合が25%以上とすることが好ましい。
一方で、導電性粒子4は、潰れ割合が50%を超えると絶縁粒子の反発によって電極端子やバンプが離間し、あるいは導電性粒子4の破壊を招き、却って導通性が悪化する。したがって、導電性粒子4は、潰れ割合を50%以下とすることが好ましい。
次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を変えた複数の導電性粒子を用意し、各導電性粒子を含有した異方性導電フィルムを用いて、評価用ガラス基板に評価用ICを接続した接続体サンプルを作成し、それぞれ信頼性試験後における導通抵抗値、隣接するバンプ間の絶縁性を測定、評価した。
導電領域の面積割合W(%)は、便宜上図5に示すように、導電性粒子4の側面視において、粒子径hに対する導電領域11の形成高さnの割合として求めた(W=n/h×100)。
[異方性導電フィルム]
評価用ICの接続に用いる異方性導電フィルムは、フェノキシ樹脂(商品名:PKHH、ユニオンカーバイド社製)40質量部、エポキシ樹脂(商品名:EP828、ジャパンエポキシレジン社製)20質量部、イミダゾール系硬化剤(商品名:HP3941、旭化成ケミカルズ社製)38質量部、エポキシ系シランカップリング剤(商品名:A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)2質量部、及び導電性粒子を溶剤に加えたバインダー樹脂組成物を調整し、このバインダー樹脂組成物を剥離フィルム(PET)上に塗布した後、溶剤を揮発させることにより、厚み20μmのバインダー樹脂層を形成した。
評価用ICの接続に用いる異方性導電フィルムは、フェノキシ樹脂(商品名:PKHH、ユニオンカーバイド社製)40質量部、エポキシ樹脂(商品名:EP828、ジャパンエポキシレジン社製)20質量部、イミダゾール系硬化剤(商品名:HP3941、旭化成ケミカルズ社製)38質量部、エポキシ系シランカップリング剤(商品名:A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)2質量部、及び導電性粒子を溶剤に加えたバインダー樹脂組成物を調整し、このバインダー樹脂組成物を剥離フィルム(PET)上に塗布した後、溶剤を揮発させることにより、厚み20μmのバインダー樹脂層を形成した。
導電性粒子は、樹脂100重量部に対して導電性粒子を35重量部配合させた。また、導電性粒子は、絶縁粒子として粒子径3μmのスチレンを用い、絶縁粒子表面をスパッタリングによってNi被覆(厚み0.1μm)することにより、所定の面積割合で導電領域を形成した。
各異方性導電フィルムによって接続する評価素子として、幅1.8mm×長さ20mm、厚み0.5mmのIC基板を備え、一方の側縁に沿って複数の金メッキバンプが1列ストレートで配列されることにより、20チャンネルが形成された評価用ICを用意した。1チャンネル当たりのバンプは10組あり、各バンプ間スペースは7μm、各バンプは30μm×85μm(2550μm2)、15μm厚である。
評価用ICが接続される評価用ガラス基板として、厚み0.7mm、評価用ICのバンプと同サイズ同ピッチの電極パターンが形成されたITOパターングラスを用いた。
この評価用ガラス基板に異方性導電フィルムを仮貼りした後、ICバンプと基板電極とのアライメントを取りながら評価用ICを搭載し、緩衝材(厚さ50μmのテフロン(登録商標))を介して熱圧着ヘッドにより熱圧着することにより接続体サンプルを作成した。圧着条件は、200℃、60MPa、5secとした。
作成した各接続体サンプルについて、4端子法にて、信頼性試験後における導通抵抗を測定した。測定電圧は30V、信頼性試験の条件は85℃、85%RH、500hrである。本実施例では、信頼性試験後の導通抵抗値が1.5Ω未満を目標値とした。
また、作成した各接続体サンプルについて、隣接するバンプ間のショート数及びショート発生割合を測定した。ショートは、隣接するバンプ間の抵抗値が1×106以下と定義し、1チャンネル当たりのバンプ10組のうち1組以上でショートが発生した場合、当該チャンネルにおいてショートが発生したものとし、20チャンネルのうち、何チャンネルにおいてショートが発生したかを計測した。ショート発生割合は、20チャンネル中、ショートが発生したチャンネル数の割合を算出したものである。本実施例では、ショート発生割合が15%以下を目標値とした。
また、作成した各接続体サンプルを断面観察することにより、粒子潰れ量(μm)、及び粒子潰れ割合(%)を求めた。粒子潰れ割合T(%)は、図6に示すように、接続前の導電性粒子4の粒子径hに対する接続後の導電性粒子4の潰れ量m(=h−m)の割合として求めた(T=(h−m)/h×100)。
[実施例1]
実施例1では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を45%とした導電性粒子を用いた。
実施例1では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を45%とした導電性粒子を用いた。
[実施例2]
実施例2では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を50%とした導電性粒子を用いた。
実施例2では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を50%とした導電性粒子を用いた。
[実施例3]
実施例3では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を60%とした導電性粒子を用いた。
実施例3では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を60%とした導電性粒子を用いた。
[実施例4]
実施例4では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を70%とした導電性粒子を用いた。
実施例4では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を70%とした導電性粒子を用いた。
[実施例5]
実施例5では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を75%とした導電性粒子を用いた。
実施例5では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を75%とした導電性粒子を用いた。
[比較例1]
比較例1では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を0%、すなわち絶縁性粒子を用いた。
比較例1では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を0%、すなわち絶縁性粒子を用いた。
[比較例2]
比較例2では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を5%とした導電性粒子を用いた。
比較例2では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を5%とした導電性粒子を用いた。
[比較例3]
比較例3では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を10%とした導電性粒子を用いた。
比較例3では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を10%とした導電性粒子を用いた。
[比較例4]
比較例4では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を20%とした導電性粒子を用いた。
比較例4では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を20%とした導電性粒子を用いた。
[比較例5]
比較例5では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を30%とした導電性粒子を用いた。
比較例5では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を30%とした導電性粒子を用いた。
[比較例6]
比較例6では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を40%とした導電性粒子を用いた。
比較例6では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を40%とした導電性粒子を用いた。
[比較例7]
比較例7では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を80%とした導電性粒子を用いた。
比較例7では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を80%とした導電性粒子を用いた。
[比較例8]
比較例8では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を90%とした導電性粒子を用いた。
比較例8では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を90%とした導電性粒子を用いた。
[比較例9]
比較例9では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を100%とした導電性粒子を用いた。
比較例9では、絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を100%とした導電性粒子を用いた。
表1に示すように、導電領域の面積割合を45〜75%とした実施例1〜5では、ショート発生割合を目標値の15%以内とするとともに、信頼性試験後における導通抵抗も目標値の1.5Ω未満とすることができた。すなわち、実施例1〜5では、評価用基板の電極と評価用ICのバンプとの良好な導通信頼性を確保するとともに、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいても、隣り合うバンプ間のショートの発生を高確率で防止することができた。
一方、絶縁性粒子を用いた比較例1や、導電領域の面積割合が45%未満の比較例2〜6では、信頼性試験後の導通抵抗が測定不能か、あるいは目標値である1.5Ω未満とならなかった。また、導電領域の面積割合が75%超の比較例7〜9では、ファインピッチ化されたバンプ間スペースにおいて隣り合うバンプ間のショート発生割合が目標値の15%よりも高くなった。
次いで、実施例1、実施例5、比較例6及び比較例9に係る接続体サンプルを用いて、導電性粒子の潰れ割合と導通抵抗について検討した。具体的に、各導電性粒子の潰れ割合を変えた接続体サンプルの信頼性試験後の導通抵抗を測定し、導電性粒子の潰れ割合の最適な範囲を検討した。導通抵抗の測定方法及び目標値、並びに信頼性試験の条件は、上述した実施例1と同じである。
先ず、比較例9に係る絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を100%とした導電性粒子について、表2に示すように潰れ割合を変えていき、導通抵抗(Ω)を測定した。その結果、潰れ割合を6.25%から上げていくと徐々に導通抵抗が下がり、50%を超えると上昇した。これより、導電性粒子の潰れ割合を増やすことにより電極端子やバンプとの接触面積が広がることから導通性が向上するが、50%を超えると粒子の反発や破壊を招き、却って導通性が悪化する傾向があることが分かる。
実施例1に係る絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を45%とした導電性粒子について、表3に示すように潰れ割合を変えていき、導通抵抗(Ω)を測定したところ、比較例9と同様の傾向を示した。表3に示すように、実施例1に係る導電性粒子は、潰れ割合を25%以上とすることにより、導通抵抗を目標値の1.5Ω未満とすることができ、また、50%以下とすることにより、導通抵抗の上昇を避け良好な導通性を維持することができた。
実施例5に係る絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を75%とした導電性粒子について、表4に示すように潰れ割合を変えていき、導通抵抗(Ω)を測定したところ、比較例9と同様の傾向を示した。表4に示すように、実施例5に係る導電性粒子は、潰れ割合を25%以上とすることにより、導通抵抗を目標値の1.5Ω未満とすることができ、また、50%以下とすることにより、導通抵抗の上昇を避け良好な導通性を維持することができた。
比較例6に係る絶縁粒子の表面に形成する導電領域の面積割合を40%とした導電性粒子について、表5に示すように潰れ割合を変えていき、導通抵抗(Ω)を測定したところ、比較例9と同様の傾向を示した。表5に示すように、比較例6に係る導電性粒子は、潰れ割合を25%では、導通抵抗が目標値の1.5Ω未満とはならず、50%を超えた場合にも、導通抵抗が1.5Ω以上に上昇した。
以上の結果から、本発明が適用された導電性粒子は、潰れ割合を25〜50%とすることで、良好な導通信頼性を得るうえで好ましいことが分かる。
1 異方性導電フィルム、2 剥離フィルム、3 バインダー樹脂層、4 導電性粒子、10 絶縁粒子、11 導電領域、12 絶縁領域、20 マイクロキャビティ、21 開口部
Claims (9)
- 絶縁粒子を有し、
上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、
上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、
上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されている導電性粒子。 - 上記絶縁粒子は、1つの上記導電領域と1つの上記絶縁領域からなる請求項1記載の導電性粒子。
- 上記導電領域は、上記絶縁粒子の直径よりも深さの浅いマイクロキャビティ内に上記絶縁粒子を配し、上記マイクロキャビティの開口側からスパッタリング処理を施すことにより形成される請求項2記載の導電性粒子。
- 絶縁粒子の直径よりも深さの浅いマイクロキャビティ内に上記絶縁粒子を配し、
上記マイクロキャビティの開口側からスパッタリング処理を施すことにより、上記絶縁粒子の表面に、金属で被覆された導電領域と、上記金属で被覆されていない絶縁領域とを形成し、
全表面積の45〜75%を上記導電領域とする導電性粒子の製造方法。 - バインダー樹脂に導電性粒子が含有された導電性接着剤において、
上記導電性粒子は、
絶縁粒子を有し、
上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、
上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、
上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されている導電性接着剤。 - 回路基板上に、導電性粒子が含有されたバインダー樹脂を有する導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、
上記電子部品の上から圧着ツールによって押圧し、上記回路基板及び上記電子部品の各電極間に上記導電性粒子が挟持された状態で上記バインダー樹脂を硬化させる工程を有し、
上記導電性粒子は、
絶縁粒子を有し、
上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、
上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、
上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されている回路基板に電子部品が接続された接続体の製造方法。 - 上記圧着ツールの押圧による上記導電性粒子の潰れ割合は、25〜50%である請求項6記載の接続体の製造方法。
- 回路基板上に、導電性粒子が含有されたバインダー樹脂層を有する導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、
上記電子部品の上から圧着ツールによって押圧し、上記回路基板及び上記電子部品の各電極間に上記導電性粒子が挟持された状態で上記バインダー樹脂を硬化させる工程を有し、
上記導電性粒子は、
絶縁粒子を有し、
上記絶縁粒子の表面が金属で被覆された導電領域と、
上記導電領域が設けられていない絶縁領域とを有し、
上記導電領域が全表面積の45〜75%に形成されている回路基板に電子部品を接続する接続方法。 - 上記圧着ツールの押圧による上記導電性粒子の潰れ割合は、25〜50%である請求項8記載の接続方法。
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JP2014064871A JP2015187945A (ja) | 2014-03-26 | 2014-03-26 | 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電性接着剤、接続体の製造方法、電子部品の接続方法 |
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JP2018129369A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 日立化成株式会社 | 接続構造体及びその製造方法、端子付き電極の製造方法並びにこれに用いられる導電粒子、キット及び転写型 |
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2014
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