JP2015187917A - 結晶化複合体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む非結晶複合体を、100℃〜200℃の加熱温度で加熱することにより、結晶化硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む結晶化複合体を得る、結晶化複合体の製造方法。
【選択図】図1
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リチウムイオン二次電池の安全性を確保する方法として、有機系電解液に代えて無機固体電解質を用いた全固体二次電池が研究されている。
本発明によれば、以下の結晶化複合体の製造方法等が提供される。
1.非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む非結晶複合体を、100℃〜200℃の加熱温度で加熱することにより、結晶化硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む結晶化複合体を得る、結晶化複合体の製造方法。
2.非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを接触させて、非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む非結晶複合体を得る工程、及び
前記非結晶複合体を100℃〜200℃の加熱温度で加熱して、結晶化硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む結晶化複合体を得る工程、
を含む、結晶化複合体の製造方法。
3.前記非結晶硫化物系固体電解質と接触させる酸化ケイ素の平均粒径が、0.01μmから10μmである2記載の結晶化複合体の製造方法。
4.前記非結晶硫化物系固体電解質が、Li、P及びSを含む1〜3のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
5.前記非結晶硫化物系固体電解質がLi、P、Sからなる1〜4のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
6.前記非結晶硫化物系固体電解質に含まれるLi、P、SをLi2SとP2S5に換算すると、Li2SとP2S5のモル比が、Li2S:P2S5=60:40〜82:18である4又は5記載の結晶化複合体の製造方法。
7.前記酸化ケイ素が二酸化ケイ素である1〜6のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
8.前記非結晶複合体における酸化ケイ素の含有量が、前記非結晶硫化物系固体電解質に対して2〜40mol%である1〜7のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
9.前記加熱温度が、100℃〜190℃である1〜8のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
10.前記加熱温度が、前記非結晶硫化物系固体電解質の結晶化温度より5℃〜90℃低い1〜8のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
11.前記結晶化硫化物系固体電解質に含まれる結晶が、チオリシコン(Li3.2P0.96S4(thio−LISICON region III analog))結晶である1〜10のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
12.正極活物質と、
固体電解質及び酸化ケイ素を含む非結晶複合体、及び固体電解質及び酸化ケイ素を含む結晶化複合体のうち少なくとも1つと、
を含む正極合材。
13.12に記載の正極合材を含む正極層。
14.負極活物質と、
固体電解質及び酸化ケイ素を含む非結晶複合体、及び固体電解質及び酸化ケイ素を含む結晶化複合体のうち少なくとも1つと、
を含む負極合材。
15.14に記載の負極合材を含む負極層。
16.13に記載の正極層及び15に記載の負極層のうち少なくとも1つを含む電池。
複合体は、実質的に固体電解質と酸化ケイ素とのみからなるとしてよい。
少なくともLi2SとP2S5を原料とする硫化物系固体電解質としては、原料として用いるLi2SとP2S5のモル比がLi2S:P2S5=60:40〜82:18となる硫化物系固体電解質が好ましく、より好ましくは、Li2SとP2S5のモル比がLi2S:P2S5=65:35〜82:18である硫化物系固体電解質であり、例えば、Li2S:P2S5=68:32〜82:18、Li2S:P2S5=72:38〜78:22である。
Li2SとP2S5を原料とする硫化物系固体電解質としては、原料として用いるLi2SとP2S5のモル比がLi2S:P2S5=60:40〜82:18となる硫化物系固体電解質が好ましく、より好ましくは、Li2SとP2S5のモル比がLi2S:P2S5=65:35〜82:18である。即ち、硫化物系固体電解質に含まれるLi、P及びSを、Li2SとP2S5の比に換算した場合に、モル比がLi2S:P2S5=60:40〜82:18となる硫化物系固体電解質が好ましく、より好ましくは、Li2SとP2S5のモル比がLi2S:P2S5=65:35〜82:18である硫化物系固体電解質であり、例えば、Li2S:P2S5=68:32〜82:18、Li2S:P2S5=72:38〜78:22である。
酸化ケイ素の形状は、通常、粉末状であり、平均粒径は、0.01μm〜10μmが好ましく、特に0.01μm〜5μmが好ましい。酸化物の粒径が上記の範囲内であることにより、良好に分散できる。ここで平均粒径は、以下により求めた平均粒径の値を意味する。
はじめに、BET法を用いて、比表面積(質量と表面積の比)を測定する。次に、対象物質の真比重を用いて、体積と表面積の比を算出する。最後に、粒子が球であると仮定し、この球の直径を算出する。この球の直径を、平均粒径と定義する。
結晶構造としては、より高いイオン伝導度が要求される場合にはLi7P3S11 が好ましく、より高い化学安定性が要求される場合にはチオリシコン(Li3.2P0.96S4((thio−LISICON region III analog))結晶、Li3PS4結晶が好ましい。
加熱時の圧力は、常圧であってもよく、減圧下であってもよい。雰囲気は、空気であってもよく、不活性雰囲気下であってもよい。さらに特開2010−186744に記載されているように溶媒中で加熱してもよい。
炭化水素系溶媒は、1種単独でも、2種以上を使用してもよい。
炭化水素系溶媒は、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒であり、さらに好ましくは下記式(1)で表わされる芳香族炭化水素系溶媒である。
Ph−(R)n (1)
(式中、Phは、芳香族炭化水素基であり、Rはアルキル基である。nは1〜5から選択される整数である(好ましくは1又は2の整数)。)
式(1)において、Rのアルキル基としては、メチル基、エチル基等が挙げられる。
式(1)で表わされる芳香族炭化水素系溶媒としては、例えばトルエン、キシレン、エチルベンゼンが挙げられ、好ましくはトルエンである。
正極合材は、正極活物質と複合体を含み、複合体は、固体電解質及び酸化ケイ素を含む非結晶複合体、及び固体電解質及び酸化ケイ素を含む結晶化複合体のうち少なくとも1つを含む。
上記の他の発明により、正極層中での固体電解質と正極活物質の界面抵抗を減らすことができる。また、負極層中での固体電解質と負極活物質の界面抵抗を減らすことができる。
金属酸化物は、例えば遷移金属酸化物である。具体的には、V2O5、V6O13、LiCoO2、LiNiO2、LiMnO2、LiMn2O4、Li(NiaCobMnc)O2(ここで、0<a<1、0<b<1、0<c<1、a+b+c=1)、LiNi1−YCoYO2、LiCo1−YMnYO2、LiNi1−YMnYO2(ここで、0≦Y<1)、Li(NiaCobMnc)O4(0<a<2、0<b<2、0<c<2、a+b+c=2)、LiMn2−ZNiZO4、LiMn2−ZCoZO4(ここで、0<Z<2)、LiCoPO4、LiFePO4、CuO等が挙げられる。
金属硫化物としては、硫化チタン(TiS2)、硫化モリブデン(MoS2)、硫化鉄(FeS、FeS2)、硫化銅(CuS)及び硫化ニッケル(Ni3S2)等が挙げられる。
その他、金属酸化物としては、酸化ビスマス(Bi2O3)、鉛酸ビスマス(Bi2Pb2O5)等が挙げられる。
非金属硫化物としては、有機ジスルフィド化合物、カーボンスルフィド化合物等が挙げられる。
上記の他、セレン化ニオブ(NbSe3)、金属インジウム、硫黄も正極活物質として使用できる。
(1)硫化リチウム(Li2S)の製造
撹拌翼のついた10リットルオートクレーブにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)3326.4g(33.6モル)及び水酸化リチウム287.4g(12モル)を仕込み、300rpm、130℃に昇温した。昇温後、液中に硫化水素を3リットル/分の供給速度で2時間吹き込んだ。
続いて、この反応液を窒素気流下(200cc/分)昇温し、反応した硫化水素の一部を脱硫化水素化した。昇温するにつれ、上記硫化水素と水酸化リチウムの反応により副生した水が蒸発を始めたが、この水はコンデンサにより凝縮し系外に抜き出した。水を系外に留去すると共に反応液の温度は上昇するが、180℃に達した時点で昇温を停止し、一定温度に保持した。脱硫化水素反応が終了後(約80分)反応を終了し、硫化リチウムを得た。
上記(1)で得られた500mLのスラリー反応溶液(NMP−硫化リチウムスラリー)中のNMPをデカンテーションした後、脱水したNMP100mLを加え、105℃で約1時間撹拌した。その温度のままNMPをデカンテーションした。さらにNMP100mLを加え、105℃で約1時間撹拌し、その温度のままNMPをデカンテーションし、同様の操作を合計4回繰り返した。デカンテーション終了後、窒素気流下230℃(NMPの沸点以上の温度)で硫化リチウムを常圧下で3時間乾燥した。得られた硫化リチウム中の不純物含有量を測定した。
尚、亜硫酸リチウム(Li2SO3)、硫酸リチウム(Li2SO4)並びにチオ硫酸リチウム(Li2S2O3)の各硫黄酸化物、及びN−メチルアミノ酪酸リチウム(LMAB)の含有量は、イオンクロマトグラフ法により定量した。その結果、硫黄酸化物の総含有量は0.13質量%であり、LMABは0.07質量%であった。
製造例1で製造した高純度硫化リチウム0.6975g(0.01518mol)と五硫化二燐(アルドリッチ社製)を1.1247g(0.00506mol)をよく混合した。そして、この混合した粉末と直径10mmのジルコニア製ボール10個と遊星型ボールミル(フリッチュ社製:型番P−7)ジルコニア製ポットに投入し完全密閉するとともにこのジルコニア製ポット内に窒素を充填し、窒素雰囲気にした。
そして、はじめの数分間は、遊星型ボールミルの回転を低速回転(85rpm)にして硫化リチウムと五硫化二燐を十分混合した。その後、徐々に遊星型ボールミルの回転数を上げ370rpmまで回転数を上げた。遊星型ボールミルの回転数を370rpmで20時間メカニカルミリングを行い、白黄色の粉体の固体電解質(Li2S:P2S5=75:25(モル比))を得た。この白黄色の粉体をX線測定により評価した結果、ガラス化(硫化物ガラス)していることが確認できた。この硫化物ガラスのガラス転移温度をDSC(示差走査熱量測定)により測定したところ、190℃であった。また、この硫化物ガラスの結晶化温度をDSC(示差走査熱量測定)により測定したところ、205℃であった。
SiO2(和光純薬株式会社、型番321−38372、純度97+%、平均粒径約70nm、アモルファス状態)を700℃で加熱して、乾燥したSiO2を得た。乾燥したSiO2は結晶化していることをX線測定により確認した。なお、SiO2の平均粒径は、段落0018に記載の方法で測定した。
製造例2で製造した非結晶固体電解質と製造例3で製造したSiO2の混合物0.5g、ジルコニアボール4mmΦを40g、45mlジルコニアポットに入れ、230rpmで2時間撹拌して複合化して、非結晶複合体を得た。固体電解質とSiO2は、モル比で固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=10となるように、ジルコニアポットに入れた。
また、得られた非結晶複合体を200℃で1時間加熱して、結晶化複合体を得た。固体電解質が結晶化していることはX線測定により確認した。また、X線測定により結晶化複合体に含まれる結晶はLi3.2P0.96S4(thio−LISICON region III analog)結晶であることが分かった。
固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=20となるようにSiO2を入れた他は、実施例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
回転数を510rpmにした他は、実施例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=20となるようにSiO2を入れた他は、実施例3と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=5となるようにSiO2を入れた他は、実施例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=30となるようにSiO2を入れた他は、実施例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
固体電解質:SiO2=(100−X):XにおいてX=40となるようにSiO2を入れた他は、実施例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。また、実施例1と同じ結晶が得られていることが分かった。
製造例2で製造した非結晶固体電解質とNbO2の混合物を0.5g、ジルコニアボール4mmΦを40g、45mlジルコニアポットに入れ、230rpmで2時間撹拌して複合化して、非結晶複合体を得た。固体電解質とNbO2は、モル比で固体電解質:NbO2=(100−X):XにおいてX=3となるように、ジルコニアポットに入れた。
また、得られた非結晶複合体を250℃で1時間加熱して、結晶化複合体を得た。結晶化していることはX線測定により確認した。
固体電解質:NbO2=(100−X):XにおいてX=6となるようにNbO2を入れた他は、比較例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。
固体電解質:NbO2=(100−X):XにおいてX=10となるようにNbO2を入れた他は、比較例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。
固体電解質:NbO2=(100−X):XにおいてX=0となるようにNbO2を入れなかった他は、比較例1と同様にして、非結晶複合体と結晶化複合体を得た。非結晶複合体の結晶化温度を表1に示す。
実施例1〜4、比較例1〜4で得られた結晶化複合体のLiイオン伝導度と相対密度を以下の方法で測定した。結果を表1に示す。
結晶化複合体を錠剤成形機に充填し、360MPaの圧力を加え成形体を得た。さらに、カーボンペーストを成形体の両面に塗布、乾燥させることによって電極を形成し、伝導度測定用の成形体(直径約10mm、厚み約1mm)を作製した。この成形体について交流インピーダンス測定によりイオン伝導度測定を実施した。伝導度の値は25℃における数値を採用した。
作製した成形体の重量と体積から相対密度を算出した。
実施例1,2,5〜7、比較例4で得られた非結晶複合体について、ラマン分光法を用いて、PS4 3−のピークを観察した。測定結果を図1に示す。PS4 3−のピークはX=0〜40の範囲で変化していなかった。このことから、実施例1,2,5〜7で得られた非結晶複合体は固体電解質と酸化ケイ素が殆ど反応していないことが分かる。
また、固体電解質の結晶化温度が変わったことから、実施例1〜7で得られた非結晶複合体は、固体電解質と酸化ケイ素の単なる混合粉末でないと認められる。
実施例1前段で製造した非結晶複合体を用いて、以下の手順で正極合材とそれを用いた全固体電池を作製した。
LiCoO27mg及び実施例1前段で製造した非結晶複合体3mgを乳鉢にて混合することにより正極合材を得た。この正極合材10mgと、製造例2で製造した非結晶固体電解質80mgとを、順にポリカーボネート製の筒(直径10mm)に入れ、360MPaで5分間プレスすることにより、正極合材からなる正極層と、非結晶固体電解質からなる固体電解質層を含む積層体を形成した。次に、正極層と逆側から、固体電解質層に接するようにインジウムシート(直径9mm)を張り付け、240MPaで2分間プレスして全固体電池とした。これを25℃、0.13mAcm−2の電流密度で3.6Vまで充電を行った後、交流インピ−ダンス測定を行った。結果を図2(X=10、下段)に示す。正極層中での固体電解質と正極活物質との界面抵抗は500Ωであった。
正極合材を、LiCoO27mg及び製造例2で製造した非結晶固体電解質3mgを乳鉢にて混合することにより得た正極合材とした以外は、参考例1と同様にして全固体電池を作製し、初期充電後に交流インピ−ダンス測定を行った。結果を図2(X=0、上段)に示す。正極層中での固体電解質と正極活物質との界面抵抗は600Ωであった。
Claims (11)
- 非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む非結晶複合体を、100℃〜200℃の加熱温度で加熱することにより、結晶化硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む結晶化複合体を得る、結晶化複合体の製造方法。
- 非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを接触させて、非結晶硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む非結晶複合体を得る工程、及び
前記非結晶複合体を100℃〜200℃の加熱温度で加熱して、結晶化硫化物系固体電解質と酸化ケイ素とを含む結晶化複合体を得る工程、
を含む、結晶化複合体の製造方法。 - 前記非結晶硫化物系固体電解質と接触させる酸化ケイ素の平均粒径が、0.01μm〜10μmである請求項2記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記非結晶硫化物系固体電解質がLi、P及びSを含む請求項1〜3のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記非結晶硫化物系固体電解質がLi、P及びSからなる請求項1〜4のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記非結晶硫化物系固体電解質に含まれるLi、P、SをLi2SとP2S5に換算すると、Li2SとP2S5のモル比が、Li2S:P2S5=60:40〜82:18である請求項4又は5記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記酸化ケイ素が二酸化ケイ素である請求項1〜6のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記非結晶複合体における酸化ケイ素の含有量が、前記非結晶硫化物系固体電解質に対して2〜40mol%である請求項1〜7のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記加熱温度が、100℃〜190℃である請求項1〜8のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記加熱温度が、前記非結晶硫化物系固体電解質の結晶化温度より5℃〜90℃低い請求項1〜8のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
- 前記結晶化硫化物系固体電解質に含まれる結晶が、チオリシコン(Li3.2P0.96S4(thio−LISICON region III analog))結晶である請求項1〜10のいずれか記載の結晶化複合体の製造方法。
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