JP2015182431A - Authenticity determining forgery prevention display body and manufacturing method thereof and authenticity determining method - Google Patents

Authenticity determining forgery prevention display body and manufacturing method thereof and authenticity determining method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a forgery prevention display body which is hard to be duplicated and improved in durability.SOLUTION: A forgery prevention display body 1A capable of determining authenticity includes a substrate 2, and an authenticity determining display part 3A provided along the substrate 2. The authenticity determining display part 3A has a fine line part 8a which is extended in a curve line or polygonal line having an uneven line width, and is formed by dense metal atoms. The fine line part 8a forms a finger-print pattern including a striped pattern arranged so as to be in parallel in a wider pitch than the line width of the fine line part 8a.

Description

本発明は真偽判定可能な偽造防止用表示体とその作製方法、並びに真偽判定方法に関する。   The present invention relates to an anti-counterfeit display capable of determining authenticity, a manufacturing method thereof, and an authenticity determining method.

従来、例えば、金券や有価証券、証明印紙、クレジットカード、会員証、高価物品などには偽造を防止するためにホログラムや透かし、発光インキ、潜像模様など様々な偽造防止技術が施されている。
近年では、マイクロチップなどの半導体部品も偽造のターゲットとなっている。通信機器や軍用機器等に組み込まれるマイクロチップが偽造品にすり替えられることで、機密情報の漏洩や致命的な機器の誤作動といった事態を人為的に発生させることが可能となる。そのため、マイクロメートルスケールの非常に微細な部品等にも、偽造防止技術を施すことが求められている。
Conventionally, various anti-counterfeiting techniques such as holograms, watermarks, luminescent ink, and latent image patterns have been applied to prevent forgery of, for example, cash vouchers, securities, certification stamps, credit cards, membership cards, and expensive items. .
In recent years, semiconductor components such as microchips have become counterfeit targets. By replacing a microchip incorporated in a communication device or a military device with a counterfeit product, it becomes possible to artificially generate a situation such as leakage of confidential information or a fatal device malfunction. For this reason, it is required to apply anti-counterfeiting technology to very fine parts on the micrometer scale.

偽造防止技術には、自然光下において肉眼で視認可能なオバートタイプと、肉眼での視認は不可能であり、特殊な光学的装置を利用することではじめて存在を確認できるコバートタイプがある。コバートタイプはその肉眼による視認不可な特性から、オバートタイプに比べて偽造防止処理が施されていることに気付かれにくく、複製や模倣される可能性が低い。そのため、高い偽造防止効果が期待される。   The anti-counterfeiting technology includes an overt type that is visible with the naked eye under natural light, and a covert type that is not visible with the naked eye and can only be confirmed by using a special optical device. Since the covert type is invisible to the naked eye, the covert type is less likely to be noticed that anti-counterfeiting has been applied compared to the overt type, and is less likely to be duplicated or imitated. Therefore, a high anti-counterfeiting effect is expected.

コバートタイプの偽造防止技術の一例として、特許文献1に、追跡可能な情報を内部に有している微粒子であるタガント粒子を用いた技術が提案されている。タガント粒子には文字、数字、符号、特殊な色彩を有しているものが知られており、拡大して観察することで識別可能となる。したがって、タガント粒子自体の判別が難しく、複製や模倣が困難であるため、特許文献1の技術は高い偽造防止効果を有すると考えられる。   As an example of the covert type anti-counterfeiting technique, Patent Document 1 proposes a technique using taggant particles that are fine particles having traceable information therein. Taggant particles are known to have letters, numbers, signs, and special colors, and can be identified by magnifying them. Therefore, since the taggant particles themselves are difficult to discriminate and are difficult to duplicate or imitate, the technique of Patent Document 1 is considered to have a high anti-counterfeit effect.

また、肉眼による視認が不可能で、かつ高い不規則性を有することにより複製や模倣が困難な技術の一例として、特許文献2に、透明インキの不規則なインキ分布パターンを利用した技術が提案されている。この技術では、下地層に対してはじく透明インキが塗布されてインキ分布のパターンが形成される。そして、不規則にはじかれたインキ分布のパターン画像を、インキ表面温度分布を分解能12dot/mmで測定可能な専用読み取り機で測定し(読み取り)、得られたインキ分布パターン画像を事前に固有情報として登録しておく。そして、判定対象物の表面温度を前記読み取り機によって測定し、前記登録済インキ分布パターン画像と照合することで真偽判定を行うようにしている。この技術によれば、透明インキを利用することによる肉眼での視認不可性、およびインキの「はじき」を利用することによる再現性の低さから、高い偽造防止効果を有すると考えられる。   In addition, as an example of a technique that cannot be visually recognized by the naked eye and difficult to duplicate or imitate due to its high irregularity, Patent Document 2 proposes a technique that uses an irregular ink distribution pattern of transparent ink. Has been. In this technique, a transparent ink that repels the underlying layer is applied to form an ink distribution pattern. Then, an irregularly repelled ink distribution pattern image is measured (read) with a dedicated reader capable of measuring the ink surface temperature distribution at a resolution of 12 dots / mm, and the obtained ink distribution pattern image is uniquely specified in advance. Register as Then, the surface temperature of the determination object is measured by the reader, and the authenticity determination is performed by collating with the registered ink distribution pattern image. This technique is considered to have a high anti-counterfeiting effect due to the invisibility with the naked eye by using transparent ink and the low reproducibility by using “repelling” of ink.

国際公開第2012/141211号International Publication No. 2012/141212 特開2012−40834号公報JP 2012-40834 A

しかしながら、特許文献1に記載の偽造防止技術であっても、偽造される可能性がある。すなわち、タガント粒子を利用してもこの粒子の有する特定情報が明らかとされた場合には、その複製や模倣が可能となり、その結果、真偽判定が困難になる。なお、特許文献1においては、第1識別情報が複製された場合を想定して、第1識別情報が識別可能な倍率では識別不能な第2識別情報も有するタガント粒子が提案されている。しかし、その場合にも、第2識別情報も明らかとされた場合にはその複製や模倣が可能となり、やはり真偽判定が困難になる。   However, even the anti-counterfeit technology described in Patent Document 1 may be counterfeited. In other words, even if taggant particles are used, if the specific information of the particles is revealed, it can be copied or imitated, and as a result, authenticity determination becomes difficult. Note that Patent Document 1 proposes taggant particles that also have second identification information that cannot be identified at a magnification that allows identification of the first identification information, assuming that the first identification information is duplicated. However, even in this case, if the second identification information is also clarified, it can be duplicated or imitated, and it is still difficult to determine authenticity.

また、特許文献2に記載の偽造防止技術では、インキの「はじき」により形成される不規則パターンを利用していることから、そのパターンサイズやパターン形成領域にばらつきが生じ易く、インキパターンサイズや分解能以下の微細な領域では識別可能なパターンの形成が困難である。また、仮にインキパターンサイズや分解能以下の微細な領域で識別可能なパターンの形成が可能であったとしても、分解能が12dot/mmの画像読み取り機を利用していることから、画像の読み取りが困難である。   In addition, since the anti-counterfeiting technique described in Patent Document 2 uses an irregular pattern formed by ink “repelling”, the pattern size and the pattern formation region tend to vary, and the ink pattern size and It is difficult to form an identifiable pattern in a fine area below the resolution. Moreover, even if it is possible to form a pattern that can be identified by a fine area below the ink pattern size or resolution, it is difficult to read an image because an image reader with a resolution of 12 dots / mm is used. It is.

本発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、複製が困難であって、かつ、耐久性を向上することができる真偽判定可能な偽造防止用表示体とその作製方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の真偽判定可能な偽造防止用表示体を用いることにより、誤判定を防止することができる真偽判定方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides an anti-counterfeit display body capable of authenticity determination that is difficult to duplicate and can improve durability, and a method for manufacturing the same. The purpose is to do.
Another object of the present invention is to provide a true / false determination method capable of preventing erroneous determination by using the anti-counterfeit display body capable of determining authenticity of the present invention.

上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様の真偽判定可能な偽造防止用表示体は、基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体であって、前記真偽判定用表示部は、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、金属原子が密集して形成された細線部を有し、該細線部は、その線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンを形成している構成とする。   In order to solve the above problems, a forgery prevention display body capable of determining authenticity according to the first aspect of the present invention includes a base material, and a display unit for authenticity determination provided along the base material. The display unit for anti-counterfeiting capable of determining authenticity, wherein the display unit for determining authenticity is formed in a curved line shape or a broken line shape having a non-uniform line width, and is formed by densely gathering metal atoms. It has a thin line portion, and the thin line portion forms a fingerprint-like pattern including a stripe pattern arranged in parallel at a pitch wider than the line width.

上記偽造防止用表示体では、前記縞状パターンにおける前記細線部のピッチは、10nm以上100nm以下であることが好ましい。   In the forgery prevention display body, it is preferable that the pitch of the thin line portions in the striped pattern is 10 nm or more and 100 nm or less.

上記偽造防止用表示体では、前記細線部の間の前記基材上には、周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマーが配置されており、前記縞状パターンにおける前記細線部のピッチは、前記周期的な相分離構造のピッチに一致していることが好ましい。   In the anti-counterfeit display, an organic polymer capable of self-organizing a periodic phase separation structure is disposed on the base material between the thin line portions, and the fine line in the striped pattern It is preferable that the pitch of the part matches the pitch of the periodic phase separation structure.

上記偽造防止用表示体では、前記周期的な相分離構造が、シリンダ構造またはラメラ構造であることが好ましい。   In the forgery prevention display body, it is preferable that the periodic phase separation structure is a cylinder structure or a lamellar structure.

上記偽造防止用表示体では、前記有機ポリマーの層厚が、10nm以上100nm以下であることが好ましい。   In the forgery prevention display body, the organic polymer layer thickness is preferably 10 nm or more and 100 nm or less.

上記偽造防止用表示体では、前記細線部は、前記基材上に付着された前記金属原子の単体または前記金属原子を含む化合物によって形成されていることが好ましい。   In the forgery prevention display body, it is preferable that the thin line portion is formed of a simple substance of the metal atom attached on the base material or a compound containing the metal atom.

上記偽造防止用表示体では、前記指紋状パターンが形成された範囲内の前記基材上に、前記指紋状パターンと一定の位置関係にあるアライメントマークが形成されていることが好ましい。   In the forgery prevention display body, it is preferable that an alignment mark having a certain positional relationship with the fingerprint pattern is formed on the base material in a range where the fingerprint pattern is formed.

本発明の第2の態様の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法は、基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法であって、周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマーを基材上に塗布する塗布工程と、前記基材上に塗布された前記有機ポリマーを加熱することにより、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、前記線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンを描くミクロドメインを有する相分離構造を自己組織的に形成するパターン形成工程と、前記相分離構造のうち前記ミクロドメインに、金属原子を選択的に導入することにより、前記ミクロドメインに沿って前記金属原子が密集した細線部を形成する金属原子導入工程と、を含み、これらの工程を実行することにより、前記指紋状パターンを描く前記細線部を有する真偽判定用表示部を、前記基材に沿って形成する方法とする。   The method for producing an anti-counterfeit display body capable of determining authenticity according to the second aspect of the present invention includes a base material and a display unit for authenticity determination provided along the base material. A method for producing a display for preventing counterfeiting, wherein an organic polymer capable of forming a periodic phase-separated structure in a self-organizing manner is applied on a substrate, and the organic applied on the substrate A microdomain that draws a fingerprint-like pattern that includes a stripe-like pattern that is stretched in parallel with a pitch wider than the line width, while the polymer is heated to extend the line width into a non-uniform curve or polygonal line. Forming a phase-separated structure having a self-organized structure, and selectively introducing metal atoms into the microdomain of the phase-separated structure, whereby the metal atoms are concentrated along the microdomain. Fine A metal atom introduction step for forming a portion, and by executing these steps, a display unit for authenticity determination having the fine line portion for drawing the fingerprint pattern is formed along the base material And

上記偽造防止用表示体の作製方法では、前記金属原子導入工程の後に、前記有機ポリマーを前記基材上から除去して、前記金属原子または前記金属原子を含む化合物からなる前記細線部を前記基材上に付着させる有機ポリマー除去工程を実行することが好ましい。   In the method for producing the counterfeit-preventing display body, after the metal atom introduction step, the organic polymer is removed from the base material, and the thin wire portion made of the metal atom or the compound containing the metal atom is used as the base. It is preferable to carry out an organic polymer removing step for depositing on the material.

上記偽造防止用表示体の作製方法では、前記縞状パターンにおける前記周期的な相分離構造のピッチは、10nm以上100nm以下であり、前記有機ポリマーの層厚が、10nm以上100nm以下であることが好ましい。   In the method for manufacturing the counterfeit-preventing display body, the pitch of the periodic phase separation structure in the striped pattern is 10 nm to 100 nm, and the layer thickness of the organic polymer is 10 nm to 100 nm. preferable.

上記偽造防止用表示体の作製方法では、前記周期的な相分離構造が、シリンダ構造またはラメラ構造であることが好ましい。   In the method for manufacturing a counterfeit-preventing display body, the periodic phase separation structure is preferably a cylinder structure or a lamella structure.

上記偽造防止用表示体の作製方法では、前記塗布工程の前に、前記基材上にアライメントマークが形成するアライメントマーク形成工程を実行することが好ましい。   In the method for manufacturing the counterfeit-preventing display body, it is preferable to execute an alignment mark forming step in which an alignment mark is formed on the substrate before the coating step.

本発明の第3の態様の真偽判定可能な偽造防止用表示体は、基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体であって、前記真偽判定用表示部は、上記真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法を用いて製造された構成とする。   An anti-counterfeit display body capable of determining authenticity according to the third aspect of the present invention includes a base material and an anti-counterfeit display capable of determining authenticity provided with a display section for authenticity determination provided along the base material. It is a display body, Comprising: The said authenticity determination display part is set as the structure manufactured using the preparation method of the forgery prevention display body which can perform the said authenticity determination.

本発明の第4の態様の真偽判定方法は、上記偽造防止用表示体の真正品における前記真偽判定用表示部の画像を取得し、この取得した画像から読み取った前記指紋状パターンの画像データを、前記偽造防止用表示体の真正画像データとして登録しておき、判定対象の偽造防止用表示体の真偽判定用表示部の画像を取得し、この取得した画像から読み取った指紋状パターンの画像データを、予め登録されている前記真正画像データと照合することにより、判定対象の真偽を判定する方法とする。   In the authenticity determination method according to the fourth aspect of the present invention, an image of the authenticity determination display part in the authentic product of the anti-counterfeit display is acquired, and the image of the fingerprint pattern read from the acquired image Data is registered as authentic image data of the anti-counterfeit display, and an image of the authenticity display part of the anti-counterfeit display for determination is acquired, and a fingerprint pattern read from the acquired image The image data is compared with the genuine image data registered in advance, thereby determining the authenticity of the determination target.

上記真偽判定方法では、前記真偽判定用表示部の画像は、走査型電子顕微鏡、または原子間力顕微鏡(AFM)によって取得することが好ましい。   In the authenticity determination method, it is preferable that the image of the authenticity determination display unit is acquired by a scanning electron microscope or an atomic force microscope (AFM).

本発明の真偽判定可能な偽造防止用表示体およびその作製方法によれば、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、金属原子が密集して指紋状パターンとされた細線部を有する偽造防止用表示部が形成されるため、複製が困難であって、かつ、耐久性を向上することができるという効果を奏する。
また、本発明の真偽判定方法によれば、本発明の真偽判定可能な偽造防止用表示体を用いて判定するため、真偽の誤判定を防止することができるという効果を奏する。
According to the anti-counterfeit display body capable of determining authenticity and the manufacturing method thereof according to the present invention, the line is extended into a curved line or a polygonal line having a non-uniform line width, and metal lines are densely formed into a fingerprint pattern. Since the anti-counterfeit display portion having the portion is formed, it is difficult to duplicate and the durability can be improved.
In addition, according to the authenticity determination method of the present invention, since the determination is performed using the anti-counterfeit display body capable of determining authenticity of the present invention, it is possible to prevent an erroneous determination of authenticity.

本発明の第1の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。FIG. 3 is a schematic enlarged plan view and a schematic enlarged cross-sectional view of a forgery prevention display body according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。It is typical process explanatory drawing which shows the manufacturing process of the display body for forgery prevention of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。It is the typical enlarged plan view of the display body for forgery prevention of the 2nd Embodiment of this invention, and typical enlarged sectional drawing. 本発明の第2の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。It is typical process explanatory drawing which shows the manufacturing process of the display body for forgery prevention of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。It is the typical enlarged plan view and the typical expanded sectional view of the display body for forgery prevention of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。It is typical process explanatory drawing which shows the manufacturing process of the display body for forgery prevention of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。It is a typical enlarged plan view and a typical expanded sectional view of a display object for forgery prevention of a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第4の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。It is typical process explanatory drawing which shows the manufacturing process of the display body for forgery prevention of the 4th Embodiment of this invention. 走査型電子顕微鏡の位相モードで取得された、有機ポリマー層を含む偽造防止用表示体の画像の例、および有機ポリマー層を除去した偽造防止用表示体の画像の例である。It is an example of the image of the anti-counterfeit display body containing the organic polymer layer and the image of the anti-counterfeit display body from which the organic polymer layer is removed, acquired in the phase mode of the scanning electron microscope. AFMの位相モードで取得された、有機ポリマー層を含む偽造防止用表示体の画像の例、および有機ポリマー層を除去した偽造防止用表示体の画像の例である。It is an example of the image of the display object for forgery prevention containing the organic polymer layer acquired in the phase mode of AFM, and the example of the image of the display body for forgery prevention which removed the organic polymer layer.

以下では、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。すべての図面において、実施形態が異なる場合であっても、同一または相当する部材には同一の符号を付し、共通する説明は省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In all the drawings, even if the embodiments are different, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals, and common description is omitted.

[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態の偽造防止用表示体について説明する。
図1(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。
なお、図1(a)、(b)は模式図のため、形状や寸法は誇張されている(以下の図9(a)、(b)、図10(a)、(b)を除く他の図面も同様)。
[First Embodiment]
An anti-counterfeit display body according to a first embodiment of the present invention will be described.
1A and 1B are a schematic enlarged plan view and a schematic enlarged cross-sectional view of a counterfeit-preventing display body according to a first embodiment of the present invention.
1 (a) and 1 (b) are schematic diagrams, the shape and dimensions are exaggerated (other than the following FIG. 9 (a), (b), FIG. 10 (a), and (b)). The same applies to the drawings.

図1(a)、(b)に示す偽造防止用表示体1Aは、後述するように、真偽判定可能に構成されている。このため、偽造防止用表示体1Aは、例えば、金券、有価証券、証明印紙、クレジットカード、会員証、高価物品、あるいは非常に微細な半導体関連部品等の偽造防止対象物に形成もしくは固定されることにより、真偽判定に用いることができる。
本実施形態の偽造防止用表示体1Aは、基材2と、基材2の一方の表面2aに沿って設けられた真偽判定用表示部3Aとを備える。
A counterfeit prevention display 1A shown in FIGS. 1A and 1B is configured to be able to determine authenticity as will be described later. For this reason, the counterfeit prevention display body 1A is formed or fixed to an anti-counterfeit object such as, for example, a cash voucher, securities, certification stamp, credit card, membership card, expensive article, or very fine semiconductor-related parts. Therefore, it can be used for authenticity determination.
An anti-counterfeit display body 1A according to the present embodiment includes a base material 2 and a display unit for authenticity determination 3A provided along one surface 2a of the base material 2.

基材2の材質は、真偽判定用表示部3Aを表面に設けることができれば特に限定されず、目的に合わせて適宜に材質を選択することができる。
基材2に好適な材質の例としては、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PETG(ポリエチレンテレフタレート共重合体)、PVC(ポリ塩化ビニル)等のフィルム基材や、ガラス、シリコンウエハ、ITO(酸化インジウムスズ)等を挙げることができる。
また、基材2は、偽造防止対象物と別に設けて、偽造防止対象物に接合してもよいし、偽造防止対象物の一部を基材2として用いることも可能である。
特に、基材2として、ガラス、シリコンウエハ、またはITO等を用いる場合、基材2は偽造防止対象物である電子部品や光学部品の一部を構成する部材であってもよい。
The material of the base material 2 is not particularly limited as long as the authenticity determination display portion 3A can be provided on the surface, and the material can be appropriately selected according to the purpose.
Examples of suitable materials for the substrate 2 include film substrates such as PET (polyethylene terephthalate), PETG (polyethylene terephthalate copolymer), PVC (polyvinyl chloride), glass, silicon wafers, ITO (oxidized). Indium tin).
In addition, the base material 2 may be provided separately from the forgery prevention target object and bonded to the forgery prevention target object, or a part of the forgery prevention target object may be used as the base material 2.
In particular, when glass, silicon wafer, ITO, or the like is used as the base material 2, the base material 2 may be a member that constitutes a part of an electronic component or an optical component that is a forgery prevention target.

なお、図1(a)、(b)は、模式図のため、一例として、基材2をシート状部材のように描いているが、基材2は、板状部材やシート状部材には限定されない。また、基材2表面は、平面でもよいし、湾曲面でもよい。
また、図1(a)では、基材2が真偽判定用表示部3Aと平面視では同一の寸法であるかのように描かれているが、基材2は、真偽判定用表示部3Aより広い範囲に設けることも可能である。
In addition, although Fig.1 (a) and (b) depict the base material 2 like a sheet-like member as an example for a schematic diagram, the base material 2 is not in a plate-like member or a sheet-like member. It is not limited. Further, the surface of the substrate 2 may be a flat surface or a curved surface.
Further, in FIG. 1A, the base material 2 is drawn as if it has the same dimensions as the authenticity determination display unit 3A in plan view, but the base material 2 is displayed as the authenticity determination display unit. It is also possible to provide in a range wider than 3A.

真偽判定用表示部3Aが形成される領域の形状は特に限定されないが、本実施形態では、一例として、矩形状の領域を採用している。
真偽判定用表示部3Aの大きさは、偽造防止対象物の大きさにもよるが、例えば、矩形状領域の場合、一辺の長さが、0.5μm〜100μmの正方形または長方形であることが好ましく、一辺の長さが、0.5μm〜10μmの正方形または長方形であることがより好ましい。
また、矩形以外の形状の場合、このような大きさの矩形状領域を内側に含む大きさとすることが好ましい。
The shape of the region where the authenticity determination display unit 3A is formed is not particularly limited, but in the present embodiment, a rectangular region is adopted as an example.
The size of the authenticity determination display unit 3A depends on the size of the forgery prevention object. For example, in the case of a rectangular region, the length of one side is a square or a rectangle of 0.5 μm to 100 μm. It is more preferable that the length of one side is a square or a rectangle of 0.5 μm to 10 μm.
Further, in the case of a shape other than a rectangle, it is preferable that the size includes a rectangular region having such a size on the inside.

基材2において、表面2aには、真偽判定用表示部3Aが設けられる範囲において、アライメントマーク4(図1(a)参照、図1(b)では不図示)が形成されている。
アライメントマーク4は、後述するように、真偽判定用表示部3Aの画像を取得して真偽判定を行う際に、真偽判定用表示部3Aの位置および画像取得範囲を決定するための部位である。このため、後述する真偽判定用表示部3Aの画像の取得手段によって読み取ることができるマークであれば、どのような形状であってもよい。例えば、十字状、円状、矩形状などの形状を挙げることができる。
また、アライメントマーク4の個数は特に限定されない。
In the base material 2, an alignment mark 4 (see FIG. 1A, not shown in FIG. 1B) is formed on the surface 2a in a range where the authenticity determination display portion 3A is provided.
As will be described later, the alignment mark 4 is a part for determining the position and image acquisition range of the display unit for authenticity determination 3A when acquiring the image of the display unit for authenticity determination 3A and performing the authenticity determination. It is. For this reason, any shape may be used as long as the mark can be read by the image acquisition unit of the authenticity determination display unit 3A described later. For example, shapes such as a cross, a circle, and a rectangle can be given.
Further, the number of alignment marks 4 is not particularly limited.

アライメントマーク4は、例えば、平面視で適宜形状を有する凹部または凸部、あるいは、凹部と凸部の組み合わせによって構成することが可能である。
アライメントマーク4を凹部として形成する場合には、例えば、基材2の材質に応じた適宜のエッチングなどによって形成することが可能である。
アライメントマーク4を凸部として形成する場合には、例えば、適宜の材料をインクジェット法などで基材2上に盛ることにより形成することが可能である。
アライメントマーク4の基材2に対する高低差は、後述する真偽判定用表示部3Aが追従可能な大きさであって、真偽判定用表示部3Aの表面にアライメントマーク4の凹凸に対応する略同様の凹凸が形成される大きさであれば、特に限定されない。すなわち、後述する真偽判定用表示部3Aの画像取得手段により、真偽判定用表示部3Aを介してアライメントマーク4の位置が識別できるような適宜の高低差が可能である。
例えば、アライメントマーク4の基材2に対する高低差は、真偽判定用表示部3Aの厚さの2倍〜10倍が好ましい。
アライメントマーク4が平面視で線状部を有する場合、線幅は、特に限定されないが、例えば、10nm〜100nmが好ましい。
The alignment mark 4 can be configured by, for example, a concave portion or a convex portion having an appropriate shape in plan view, or a combination of the concave portion and the convex portion.
When the alignment mark 4 is formed as a recess, it can be formed by, for example, appropriate etching according to the material of the substrate 2.
In the case where the alignment mark 4 is formed as a convex portion, for example, an appropriate material can be formed on the substrate 2 by an inkjet method or the like.
The height difference of the alignment mark 4 with respect to the base material 2 is a size that can be followed by a display unit for authenticity determination 3A, which will be described later, and substantially corresponds to the unevenness of the alignment mark 4 on the surface of the display unit for authenticity determination 3A. If it is a magnitude | size in which the same unevenness | corrugation is formed, it will not specifically limit. That is, an appropriate height difference that allows the position of the alignment mark 4 to be identified via the authenticity determination display unit 3A is possible by an image acquisition unit of the authenticity determination display unit 3A described later.
For example, the height difference of the alignment mark 4 with respect to the base material 2 is preferably 2 to 10 times the thickness of the authenticity determination display portion 3A.
When the alignment mark 4 has a linear part in plan view, the line width is not particularly limited, but is preferably 10 nm to 100 nm, for example.

本実施形態では、アライメントマーク4は、一例として、真偽判定用表示部3Aが形成された矩形領域の1つの対角線上で離間する位置に交差中心を有する十字状の凹部を採用している。このアライメントマーク4では、十字をなす線状部は、それぞれ、真偽判定用表示部3Aの外形に平行に延ばされている。
アライメントマーク4を、このように2箇所に形成しておくことにより、これらの間隔からパターンの寸法(大きさ、長さ)を確認することができ、また、方向性なども確認することができる。
In the present embodiment, as an example, the alignment mark 4 employs a cross-shaped concave portion having a crossing center at a position separated on one diagonal line of the rectangular region where the authenticity determination display portion 3A is formed. In this alignment mark 4, the cross-shaped linear portions are extended in parallel with the outer shape of the authenticity determination display portion 3 </ b> A.
By forming the alignment mark 4 in two places in this way, the dimension (size, length) of the pattern can be confirmed from these intervals, and the directionality can also be confirmed. .

真偽判定用表示部3Aは、固有のパターンを有することにより真偽判定が可能となる部分であり、本実施形態では、連続相6と細線部8aとを備える。   The authenticity determination display section 3A is a portion that can be determined authenticity by having a unique pattern, and in the present embodiment, includes a continuous phase 6 and a thin line portion 8a.

連続相6は、真偽判定用表示部3Aが形成される領域において、基材2を覆うように設けられた層状部であり、有機ポリマーによって形成されている。
連続相6の層厚は、10nm以上100nm以下であることが好ましく、30nm以上50nm以下であることがより好ましい。
The continuous phase 6 is a layered portion provided so as to cover the base material 2 in the region where the authenticity determination display portion 3A is formed, and is formed of an organic polymer.
The layer thickness of the continuous phase 6 is preferably 10 nm or more and 100 nm or less, and more preferably 30 nm or more and 50 nm or less.

細線部8aは、連続相6の表面において、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、金属原子が密集して形成された線状の部分である。
本実施形態では、細線部8aの金属原子は、連続相6の有機ポリマーに対して相分離したシリンダ構造を有するミクロドメインを構成する有機ポリマーに導入されており、このミクロドメインに沿って密集している。
細線部8aにおける金属原子は、真偽判定用表示部3Aの画像を鮮明に取得できるようにするために配されている。
このため、金属原子は、金属原子の単体が密集していてもよいし、金属原子の化合物が配されることにより、金属原子が密集するようにしてもよい。金属原子の化合物としては、例えば、金属酸化物、金属水酸化物が好適である。
また、金蔵原子、または金属原子を含む原子団が帯電した状態、すなわちイオンの状態で密集していてもよい。
また、金属原子の種類は、特に限定されないが、例えば、Au(金)、Pt(白金)、Pd(パラジウム)、Fe(鉄)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)等を好適に採用することができる。
The thin line portion 8a is a linear portion formed on the surface of the continuous phase 6 so as to extend in a curved line shape or a broken line shape having a non-uniform line width and densely gather metal atoms.
In the present embodiment, the metal atoms of the thin wire portion 8a are introduced into an organic polymer that constitutes a microdomain having a cylinder structure that is phase-separated with respect to the organic polymer of the continuous phase 6, and are concentrated along the microdomain. ing.
The metal atoms in the thin line portion 8a are arranged so that the image of the authenticity determination display portion 3A can be clearly obtained.
For this reason, the metal atoms may be densely packed with simple metal atoms, or may be densely packed with a metal atom compound. As the metal atom compound, for example, metal oxides and metal hydroxides are suitable.
Further, the metal group or the atomic group containing the metal atom may be densely charged, that is, in an ionic state.
Further, the type of metal atom is not particularly limited, but, for example, Au (gold), Pt (platinum), Pd (palladium), Fe (iron), Cu (copper), Ni (nickel) and the like are preferably employed. be able to.

このように、細線部8aに金属原子が密集していると、例えば、画像取得手段が、走査型電子顕微鏡の場合には、金属原子が密集する細線部8aでは二次電子が増加する。このため、有機ポリマーからなる連続相6とのコントラストが大きくなり、鮮明な画像を取得することができる。
また、例えば、画像取得手段が、AFM(atomic force microscopy:原子間力顕微鏡)の場合には、細線部8aに金属原子が密集する部分と、連続相6とでは、粘弾性や吸着性等の違いが生じるため、鮮明な画像を取得することができる。
Thus, when metal atoms are densely packed in the thin wire portion 8a, for example, when the image acquisition means is a scanning electron microscope, secondary electrons increase in the thin wire portion 8a where the metal atoms are densely packed. For this reason, the contrast with the continuous phase 6 made of an organic polymer is increased, and a clear image can be obtained.
Further, for example, when the image acquisition means is an AFM (atomic force microscope), the portion where the metal atoms are concentrated in the thin wire portion 8a and the continuous phase 6 have viscoelasticity, adsorptivity, and the like. Since a difference occurs, a clear image can be acquired.

細線部8aの平面視の形状は、細線部8aの線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンになっている。
図1(a)に示すように、各縞状パターンは、他の細線部8aに接合したり、他の細線部8aから分岐したりすることが可能である。また、縞状パターンは、渦を巻いたり、蛇行したり、屈曲したりすることが可能である。
このような細線部8aの指紋状パターンは、線幅が不均一であること、および各縞状パターン自体が複雑であることに加えて、線幅および各縞状パターンの大きさ、形状、配置は、後述する作製方法により作製されることで、同一の作製条件によっても繰り返し再現が不能な形状に形成されている。すなわち、真偽判定用表示部3Aは、同一物を作製できないという点で複製困難である。
このため、真偽判定用表示部3Aごとの指紋状パターンは、それぞれ固有のパターンになっている。
The shape of the thin line portion 8a in plan view is a fingerprint pattern including a striped pattern arranged in parallel at a pitch wider than the line width of the thin line portion 8a.
As shown to Fig.1 (a), each striped pattern can be joined to the other fine wire part 8a, or can be branched from the other fine wire part 8a. The striped pattern can be swirled, meandered, or bent.
Such a fingerprint-like pattern of the thin line portion 8a has a non-uniform line width and the complexity of each striped pattern itself, as well as the size, shape, and arrangement of the line width and each striped pattern. Is produced in a shape that cannot be repeatedly reproduced even under the same production conditions. That is, the authenticity determination display unit 3A is difficult to duplicate in that the same product cannot be produced.
For this reason, the fingerprint pattern for each authenticity determination display section 3A is a unique pattern.

細線部8aによる指紋状パターンは、例えば、リソグラフィ技術などによって、パターンとして複製することもできないように、細線部8aの線幅と、縞状パターンにおける細線部8aのピッチとを、それぞれ適宜の数値範囲にすることが好ましい。
例えば、細線部8aの線幅は、2nm以上50nm以下であることが好ましい。
また、細線部8aによる各縞状パターンにおける並行する細線部8aのピッチは、10nm以上100nm以下であることが好ましく、10nm以上50nm以下であることがより好ましい。
なお、細線部8aのピッチは、細線部8aの画像を取得して、細線部8aの中心線の間隔で測定するものとする。ただし、細線部8aのピッチは、場所により変動するため、複数の縞状パターンを複数箇所でサンプリングして測定を行う。
The fingerprint-like pattern formed by the thin line portion 8a can be set to an appropriate numerical value for the line width of the thin line portion 8a and the pitch of the fine line portion 8a in the stripe pattern so that the pattern cannot be duplicated by a lithography technique or the like. It is preferable to make it into a range.
For example, the line width of the thin line portion 8a is preferably 2 nm or more and 50 nm or less.
In addition, the pitch of the parallel fine line portions 8a in each striped pattern by the fine line portions 8a is preferably 10 nm or more and 100 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 50 nm or less.
In addition, the pitch of the thin line part 8a shall acquire the image of the thin line part 8a, and shall measure it with the space | interval of the centerline of the thin line part 8a. However, since the pitch of the thin line portion 8a varies depending on the location, measurement is performed by sampling a plurality of striped patterns at a plurality of locations.

細線部8aの線幅が、2nm未満の範囲にあると、後述する真偽判定において鮮明な画像を取得することができなくなって、真偽判定の精度が低下してしまう。また、細線部8aの耐久性が悪化してしまう。
細線部8aの線幅が、50nmを超える範囲にあると、線幅によっては、線幅が再現されてパターンとして複製される可能性が生じるため、好ましくない。
細線部8aのピッチが、10nm未満の範囲にあると、安定した連続相6を形成することが難しくなり、形成できたとしても、10nm以上の線幅の場合に比べて、縞状パターンが経時的に変化しやすくなるおそれがある。
細線部8aのピッチが、100nmを超える範囲にあると、ピッチによっては、ピッチが再現されてパターンとして複製される可能性が生じるため、好ましくない。
If the line width of the thin line portion 8a is in the range of less than 2 nm, a clear image cannot be acquired in the authenticity determination described later, and the accuracy of the authenticity determination is lowered. Further, the durability of the thin wire portion 8a is deteriorated.
If the line width of the thin line portion 8a is in a range exceeding 50 nm, the line width may be reproduced and reproduced as a pattern depending on the line width, which is not preferable.
If the pitch of the thin line portions 8a is in the range of less than 10 nm, it becomes difficult to form a stable continuous phase 6, and even if it can be formed, the striped pattern is aged over time as compared with the case of a line width of 10 nm or more. May change easily.
If the pitch of the thin line portions 8a is in a range exceeding 100 nm, the pitch may be reproduced and reproduced as a pattern depending on the pitch, which is not preferable.

このような構成の偽造防止用表示体1Aの作製方法について説明する。
図2(a)、(b)、(c)、(d)は、本発明の第1の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。
A method for producing the anti-counterfeit display 1A having such a configuration will be described.
2A, 2B, 2C, and 2D are schematic process explanatory views showing the manufacturing process of the counterfeit-preventing display body according to the first embodiment of the present invention.

偽造防止用表示体1Aを作製するには、アライメントマーク形成工程、塗布工程、パターン形成工程、および金属原子導入工程をこの順に行う。   In order to produce the counterfeit-preventing display 1A, an alignment mark formation step, a coating step, a pattern formation step, and a metal atom introduction step are performed in this order.

アライメントマーク形成工程は、基材2の表面にアライメントマーク4を形成する工程である。
例えば、基材2がシリコンウエハの場合には、フォトリソグラフィ法などによって、例えば、図1(a)に示すような、十字状のアライメントマーク4を、基材2上の凹部として形成することができる。
The alignment mark forming step is a step of forming the alignment mark 4 on the surface of the substrate 2.
For example, when the substrate 2 is a silicon wafer, a cross-shaped alignment mark 4 as shown in FIG. 1A can be formed as a recess on the substrate 2 by, for example, photolithography. it can.

次に、図2(a)に示すように、塗布工程を行う。本工程は、周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマー7Aを、アライメントマーク4が表面に形成された基材2上に塗布する工程である。
有機ポリマー7Aとしては、ナノメートルスケールの周期パターンを自己組織的に形成し、さらに相分離構造が形成された後、そのミクロドメインに金属原子を導入できる有機ポリマーを採用する。
このような有機ポリマー7Aとしては、互いに相溶性の低い2つ以上の異なるポリマー成分が末端で結合してなるブロック共重合体が好適に用いられる。
Next, as shown in FIG. 2A, a coating process is performed. This step is a step of applying the organic polymer 7A capable of forming a periodic phase separation structure in a self-organizing manner onto the base material 2 on which the alignment mark 4 is formed.
As the organic polymer 7A, an organic polymer in which a nanometer-scale periodic pattern is self-organized and a phase separation structure is formed and then metal atoms can be introduced into the microdomains is employed.
As such an organic polymer 7A, a block copolymer formed by bonding two or more different polymer components having low compatibility with each other at the terminal is preferably used.

このようなブロック共重合体は、この共重合体のガラス転移温度以上でアニール処理(加熱処理)すると、相溶性の低いポリマー成分が互いに交じり合わないようにミクロな領域でそのポリマー鎖長に応じた周期的な相分離構造を自己組織的に形成する。
ここで、「周期的な相分離構造」とは、部分的にみた場合に周期的であるという意味である。全体には部分的な周期構造が、例えば、周期等の規則性を有することなく組み合わされた構造になるため、全体としては不規則な構造である。
したがって、このように自己組織化現象によって形成された周期的な相分離構造からなる不規則な自己組織化パターンは、例えば、同じ有機ポリマーを使用して、同じ条件で作製してもまったく同一のパターンを再現することはできない。
また、そのパターンサイズが非常に微細であるため肉眼による視認が不可能であり、さらに、リソグラフィ技術などの非常にコストの高いプロセスを用いても複製することが困難なパターンとなる。
このように自己組織化パターンは、同じ有機ポリマー7Aを使用してもまったく同一のパターンを再現することができないことから、人間の指紋パターンと同様に、同じものが二つ以上存在しない、固有のパターンとなる。
Depending on the polymer chain length in such a microscopic region, such a block copolymer may be subjected to annealing treatment (heating treatment) at a temperature higher than the glass transition temperature of the copolymer so that polymer components having low compatibility do not cross each other. A periodic phase separation structure is formed in a self-organizing manner.
Here, “periodic phase separation structure” means that it is periodic when partially viewed. Since the partial periodic structure as a whole is a combined structure without having regularity such as a period, for example, it is an irregular structure as a whole.
Therefore, an irregular self-organization pattern composed of a periodic phase separation structure formed by the self-organization phenomenon in this way is exactly the same even when produced under the same conditions using the same organic polymer. The pattern cannot be reproduced.
Further, since the pattern size is very fine, it cannot be visually recognized by the naked eye, and further, it is a pattern that is difficult to duplicate even by using a very expensive process such as a lithography technique.
In this way, since the self-organized pattern cannot reproduce the exact same pattern even when the same organic polymer 7A is used, there are two or more same patterns as in the human fingerprint pattern. It becomes a pattern.

ブロック共重合体としては、各ブロックが直列に結合した共重合体や、各ブロックが一点で結合したスター型ブロック共重合体等が知られているが、いずれのブロック共重合体も用いることができる。ただし、本実施形態では、特に2つの異なるポリマー成分が末端で結合したジブロック共重合体が、より好適に用いられる。   As the block copolymer, a copolymer in which each block is connected in series, a star-type block copolymer in which each block is connected at one point, etc. are known, and any block copolymer can be used. it can. However, in this embodiment, in particular, a diblock copolymer in which two different polymer components are bonded at the ends is more preferably used.

このようなジブロック共重合体の相分離により形成される微細構造(ミクロ相分離構造)は、ブロック共重合体を構成する各ポリマーの体積比によってスフィア(球状)構造、シリンダ(柱状)構造、ジャイロイド構造、ラメラ(板状)構造と様々に変化する。このブロック共重合体の相分離構造とポリマーの体積分率の関係は、フローリーハギンス相互作用パラメータχとポリマーの重合度N、そしてポリマー成分の体積分率によって表される相図によって知られている。
本実施形態では、シリンダ構造を形成することが可能なポリマー成分の体積比を有する、ブロック共重合体が用いられる。
ミクロ相分離構造の繰り返しのパターンサイズ(周期的なパターンのサイズ)は、ジブロック共重合体の分子量に依存する。したがって、ジブロック共重合体の分子量を適宜に選択することにより、周期的なパターンのサイズ、すなわち周期的な相分離構造のサイズを目標とするサイズに調整することができる。
The fine structure formed by phase separation of such a diblock copolymer (microphase separation structure) is a sphere (spherical) structure, a cylinder (columnar) structure, depending on the volume ratio of each polymer constituting the block copolymer, It changes variously with gyroidal structure and lamellar (plate-like) structure. The relationship between the phase separation structure of this block copolymer and the volume fraction of the polymer is known from the phase diagram expressed by the Flory-Haggins interaction parameter χ, the degree of polymerization N of the polymer, and the volume fraction of the polymer component. Yes.
In the present embodiment, a block copolymer having a volume ratio of polymer components capable of forming a cylinder structure is used.
The repeated pattern size (periodic pattern size) of the microphase-separated structure depends on the molecular weight of the diblock copolymer. Therefore, by appropriately selecting the molecular weight of the diblock copolymer, the size of the periodic pattern, that is, the size of the periodic phase separation structure can be adjusted to the target size.

有機ポリマー7Aに用いるジブロック共重合体としては、特に限定されないものの、例えば、ポリスチレン−ポリ乳酸,ポリスチレン−ポリ-2-ビニルピリジン,ポリスチレン−ポリ-4-ビニルピリジン,ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン,ポリスチレン−ポリ-N,N-ジメチルアクリルアミド,ポリブタジエン−ポリ-4-ビニルピリジン,ポリスチレン−ポリフェロセニルジメチルシラン,ポリブタジエン−ポリメチルメタクリレート,ポリブタジエン−ポリ-t-ブチルメタクリレート,ポリブタジエン−ポリ-t-ブチルアクリレート,ポリブタジエン−ポリジメチルシロキサン,ポリ-t-ブチルメタクリレート−ポリ-4-ビニルピリジン,ポリエチレン−ポリメチルメタクリレート,ポリ-t-ブチルメタクリレート−ポリ-2-ビニルピリジン,ポリエチレン−ポリ-2-ビニルピリジン,ポリエチレン−ポリ-4-ビニルピリジン,ポリイソプレン−ポリ-2-ビニルピリジン,ポリメチルメタクリレート−ポリスチレン,ポリ-t-ブチルメタクリレート−ポリスチレン,ポリメチルアクリレート−ポリスチレン,ポリブタジエン−ポリスチレン,ポリイソプレン−ポリスチレン,ポリブタジエン−ポリアクリル酸ナトリウム,ポリブタジエン−ポリエチレンオキシド,ポリ-t-ブチルメタクリレート−ポリエチレンオキシド,ポリスチレン−ポリアクリル酸,ポリスチレン−ポリメタクリル酸等を挙げることができる。   The diblock copolymer used for the organic polymer 7A is not particularly limited. For example, polystyrene-polylactic acid, polystyrene-poly-2-vinylpyridine, polystyrene-poly-4-vinylpyridine, polystyrene-polydimethylsiloxane, polystyrene -Poly-N, N-dimethylacrylamide, polybutadiene-poly-4-vinylpyridine, polystyrene-polyferrocenyldimethylsilane, polybutadiene-polymethyl methacrylate, polybutadiene-poly-t-butyl methacrylate, polybutadiene-poly-t-butyl acrylate , Polybutadiene-polydimethylsiloxane, poly-t-butyl methacrylate-poly-4-vinylpyridine, polyethylene-polymethyl methacrylate, poly-t-butyl methacrylate-poly-2-vinylpyri Polyethylene-poly-2-vinylpyridine, polyethylene-poly-4-vinylpyridine, polyisoprene-poly-2-vinylpyridine, polymethyl methacrylate-polystyrene, poly-t-butyl methacrylate-polystyrene, polymethyl acrylate-polystyrene , Polybutadiene-polystyrene, polyisoprene-polystyrene, polybutadiene-sodium polyacrylate, polybutadiene-polyethylene oxide, poly-t-butyl methacrylate-polyethylene oxide, polystyrene-polyacrylic acid, polystyrene-polymethacrylic acid, and the like.

また、ブロック共重合体の自己組織化は、相転移温度以上でアニール(加熱)されることで誘起されるが、ブロック共重合体の分子量が大きくなるに従ってその相分離挙動は鈍くなり、ミクロ相分離構造が形成されにくくなる。
一般的に、100nmを超える空間的な周期(以下、単に、周期という)を有するミクロ相分離構造を形成するためには非常に長時間のアニール処理(加熱処理)が必要となる。
また、このミクロ相分離構造の周期は、細線部8aのピッチを規定するため、小さすぎないことが好ましい。
このため、有機ポリマー7Aとしては、ミクロ相分離構造の周期が10nm〜100nmとなる分子量を有する有機ポリマーを使用することが好ましい。
In addition, the self-organization of the block copolymer is induced by annealing (heating) above the phase transition temperature, but as the molecular weight of the block copolymer increases, the phase separation behavior becomes dull and the microphase It becomes difficult to form a separation structure.
Generally, in order to form a microphase separation structure having a spatial period exceeding 100 nm (hereinafter simply referred to as a period), an extremely long annealing process (heating process) is required.
Moreover, since the period of this micro phase separation structure prescribes | regulates the pitch of the thin wire | line part 8a, it is preferable that it is not too small.
For this reason, as the organic polymer 7A, it is preferable to use an organic polymer having a molecular weight in which the period of the microphase separation structure is 10 nm to 100 nm.

このような有機ポリマー7Aにより、本実施形態の塗布工程を行うには、ジブロック共重合体を構成する両ポリマーに対して良溶媒で希釈された塗布液を調製する。
そして、この塗布液を、例えば、スピンコート法やバーコート法、スプレーコート法、キャスト法などの公知の手法によって、基材2の表面2aに塗布する。
これにより、図2(b)に示すように、有機ポリマー層17Aが形成される。
以上で、塗布工程が終了する。
In order to perform the coating process of this embodiment with such an organic polymer 7A, a coating solution diluted with a good solvent is prepared for both polymers constituting the diblock copolymer.
And this coating liquid is apply | coated to the surface 2a of the base material 2 by well-known methods, such as a spin coat method, a bar coat method, a spray coat method, a cast method, for example.
Thereby, as shown in FIG.2 (b), the organic polymer layer 17A is formed.
Thus, the coating process is completed.

上記塗布工程における有機ポリマー層17Aの層厚は、基材2上に、自己組織化されたミクロ相分離構造が、ムラなく均一に形成されるように、ミクロ相分離構造の周期に一致していることが好ましい。ただし、実際のミクロ相分離構造の周期は、多少ばらつくため、平均周期の5%以内の範囲で一致していればよい。
次工程におけるミクロ相分離形成後の有機ポリマー層17Aの層厚は、ミクロ相分離の周期に一致する離散的な値をとる。したがって、有機ポリマー層17Aの成膜時の膜厚がミクロ相分離構造の周期に一致していない場合、有機ポリマー層17Aは場所によって異なる周期に一致する領域が発生し、結果として段差が生じることになる。
そこで、上記塗布工程における有機ポリマー層17Aの層厚をミクロ相分離構造の周期に一致させておくことが好ましい。これにより、有機ポリマー層17A上に形成される細線部8aのパターンを読み取る際に、エラーとなることを防止することができる。
The layer thickness of the organic polymer layer 17A in the coating step coincides with the period of the microphase separation structure so that the self-organized microphase separation structure is uniformly formed on the substrate 2. Preferably it is. However, since the period of the actual microphase separation structure varies somewhat, it is sufficient that they coincide within a range of 5% or less of the average period.
The layer thickness of the organic polymer layer 17A after the formation of the microphase separation in the next step takes a discrete value that matches the period of the microphase separation. Therefore, when the film thickness of the organic polymer layer 17A when forming the film does not match the period of the microphase separation structure, the organic polymer layer 17A has a region having a different period depending on the location, resulting in a step. become.
Therefore, it is preferable to match the layer thickness of the organic polymer layer 17A in the coating step with the period of the microphase separation structure. Thereby, when reading the pattern of the thin wire | line part 8a formed on the organic polymer layer 17A, it can prevent making an error.

次に、パターン形成工程を行う。本工程は、基材2上に塗布された有機ポリマー7Aを加熱することにより、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、前記線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンを描くミクロドメインを有する相分離構造を自己組織的に形成する工程である。
すなわち、有機ポリマー層17Aを、その成分である各ブロック共重合体の相転移温度以上にてアニール(加熱)し、その後冷却して常温に戻す。
これにより、自己組織化が進んで、有機ポリマー層17Aは、図2(b)に示すように、ミクロ相分離構造が形成された有機ポリマー層17A’になる。
本実施形態では、有機ポリマー層17A’のミクロ相分離構造は、ミクロドメインとしてシリンダ構造を有するシリンダドメイン5aと連続層6とからなるミクロ相分離構造が形成される。
ここで形成されるシリンダドメイン5aは、自己組織化により、部分的には周期的構造を有し、全体としてはこのような周期的構造が不規則に組み合わされた構造を有し、平面視では、図1(a)に示すように、細線部8aの指紋状パターンと略同じ(同じ場合も含む)のパターンになっている。
Next, a pattern formation process is performed. In this step, the organic polymer 7A applied on the substrate 2 is heated to extend the line width into a non-uniform curve shape or a broken line shape, and to arrange in parallel at a pitch wider than the line width. This is a step of forming a phase separation structure having a microdomain describing a fingerprint-like pattern including a striped pattern in a self-organized manner.
That is, the organic polymer layer 17A is annealed (heated) at a temperature equal to or higher than the phase transition temperature of each block copolymer as the component, and then cooled to return to room temperature.
Thereby, self-organization proceeds, and the organic polymer layer 17A becomes an organic polymer layer 17A ′ in which a microphase separation structure is formed, as shown in FIG. 2B.
In the present embodiment, the microphase separation structure of the organic polymer layer 17A ′ is a microphase separation structure including a cylinder domain 5a having a cylinder structure as a microdomain and a continuous layer 6.
The cylinder domain 5a formed here has a periodic structure partially due to self-organization, and has a structure in which such periodic structures are irregularly combined as a whole. As shown in FIG. 1A, the pattern is substantially the same (including the same case) as the fingerprint pattern of the thin line portion 8a.

なお、ブロック共重合体を構成するポリマーによっては、アニール雰囲気下に酸素があることで架橋あるいは分解が進行するものがある。したがって、本工程におけるアニール処理については、真空下あるいは不活性雰囲気下(例えば窒素やアルゴンの雰囲気下)で行うようにすることが好ましい。   Some polymers constituting the block copolymer may undergo crosslinking or decomposition due to the presence of oxygen in the annealing atmosphere. Therefore, the annealing process in this step is preferably performed in a vacuum or in an inert atmosphere (for example, in an atmosphere of nitrogen or argon).

このようにして形成されたシリンダドメイン5aは、図2(b)に示すように、連続相6に囲まれて有機ポリマー層17A’の内部に埋もれており、有機ポリマー層17A’の表面には露出していない。
そこで、次に、シリンダドメイン5aを有機ポリマー層17A’の表面に露出させる。
As shown in FIG. 2B, the cylinder domain 5a formed in this way is surrounded by the continuous phase 6 and buried in the organic polymer layer 17A ′, and on the surface of the organic polymer layer 17A ′. Not exposed.
Therefore, next, the cylinder domain 5a is exposed on the surface of the organic polymer layer 17A ′.

シリンダドメイン5aを有機ポリマー層17A’の表面に露出させる方法としては、有機ポリマー層17A’の表層を、ミクロ相分離構造の周期の半分に相当する厚み分だけ除去する方法、あるいはシリンダドメイン5aに選択的に溶媒を導入し、シリンダドメイン5aを膨潤させることでシリンダドメイン5aを覆っている連続相6の部分を壊裂させ、シリンダドメイン5aを露出させる方法などを採用することができる。   As a method of exposing the cylinder domain 5a on the surface of the organic polymer layer 17A ′, a method of removing the surface layer of the organic polymer layer 17A ′ by a thickness corresponding to half of the period of the microphase separation structure, or the cylinder domain 5a For example, a solvent may be selectively introduced to swell the cylinder domain 5a to rupture the portion of the continuous phase 6 covering the cylinder domain 5a to expose the cylinder domain 5a.

半周期の厚みだけ有機ポリマー層17A’を除去する方法としては、例えば、酸素プラズマエッチング、アルゴンクラスターエッチング、反応性イオンエッチング等のドライエッチング方法などを用いることができる。   As a method for removing the organic polymer layer 17A 'by a half-cycle thickness, for example, a dry etching method such as oxygen plasma etching, argon cluster etching, reactive ion etching, or the like can be used.

シリンダドメイン5aに選択的に溶媒を導入し、膨潤させることで露出させる方法としては、シリンダドメイン5aを形成するポリマー成分に対しては良溶媒であり、かつ、連続層6を形成するポリマー成分に対しては貧溶媒となる溶媒に、有機ポリマー層17A’を浸漬する方法を挙げることができる。
これにより、シリンダドメイン5aに選択的に溶媒を導入することができる。その結果、溶媒が導入されたシリンダドメイン5aが膨潤することでその体積が膨張し、有機ポリマー層17A’の表面の連続相6が壊裂してシリンダドメイン5aが露出する。
As a method of selectively introducing a solvent into the cylinder domain 5a and exposing it by swelling, the polymer component that forms the cylinder domain 5a is a good solvent and the polymer component that forms the continuous layer 6 On the other hand, a method of immersing the organic polymer layer 17A ′ in a solvent that becomes a poor solvent can be mentioned.
Thereby, a solvent can be selectively introduced into the cylinder domain 5a. As a result, the cylinder domain 5a introduced with the solvent swells to expand its volume, and the continuous phase 6 on the surface of the organic polymer layer 17A ′ is ruptured to expose the cylinder domain 5a.

これらのいずれかの方法によって、図2(c)に示すように、シリンダドメイン5aが表面に露出した有機ポリマー層17A’’が得られる。互いに並行するシリンダドメイン5aの間、およびシリンダドメイン5aと基材2の間には、連続相6が配置された状態になっている。
表面に露出したシリンダドメイン5aの平面視の形状の図示は省略するが、例えば、図1(a)に示すような細線部8aの指紋状パターンと略同じ(同じ場合も含む)のパターンになっている。
以上で、パターン形成工程が終了する。
By any one of these methods, as shown in FIG. 2C, an organic polymer layer 17A ″ in which the cylinder domain 5a is exposed on the surface is obtained. Between the cylinder domains 5a parallel to each other and between the cylinder domains 5a and the base material 2, the continuous phase 6 is in a state of being arranged.
Although illustration of the shape of the cylinder domain 5a exposed on the surface in plan view is omitted, for example, the pattern is substantially the same (including the same case) as the fingerprint-like pattern of the thin line portion 8a as shown in FIG. ing.
Thus, the pattern forming process is completed.

次に、金属原子導入工程を行う。本工程は、相分離構造のうちシリンダドメイン5aに、金属原子を選択的に導入することにより、シリンダドメイン5aに沿って金属原子が密集した細線部8aを形成する工程である。
シリンダドメイン5aに金属原子を導入する方法としては、例えば、無電解メッキ法、sol−gel法、化学的修飾法等を採用することができる。
シリンダドメイン5aは、連続相6を基材2との間に挟むことにより、基材2に対して電気的に絶縁されているため、本実施形態では、電界メッキ法や電解析出法は用いることはできない。
ただし、後述するように、ミクロドメインが、基材2から延びるラメラ構造をとるなどして基材2と導通可能であり、かつ基材2が電極として使用できる材質からなる場合には、電界メッキ法や電解析出法は用いることも可能である。
Next, a metal atom introduction step is performed. This step is a step of forming fine wire portions 8a in which metal atoms are densely arranged along the cylinder domain 5a by selectively introducing metal atoms into the cylinder domain 5a of the phase separation structure.
As a method for introducing metal atoms into the cylinder domain 5a, for example, an electroless plating method, a sol-gel method, a chemical modification method, or the like can be employed.
Since the cylinder domain 5a is electrically insulated from the base material 2 by sandwiching the continuous phase 6 with the base material 2, the electroplating method and the electrolytic deposition method are used in this embodiment. It is not possible.
However, as will be described later, when the microdomain has a lamellar structure extending from the base material 2 and can be electrically connected to the base material 2 and the base material 2 is made of a material that can be used as an electrode, the electroplating is performed. It is also possible to use a method or an electrolytic deposition method.

例えば、無電解メッキ法により本工程を行うには、シリンダドメイン5aを形成するポリマー成分に対しては良溶媒であり、かつ、連続層6を形成するポリマー成分に対しては貧溶媒となる溶媒に、無電解メッキの触媒となる成分(無電解メッキ触媒)を溶解させた、メッキ溶媒を調整する。
次に、このメッキ溶媒に有機ポリマー層17A’’を浸漬する。これにより、シリンダドメイン5aに選択的に無電解メッキ触媒が導入される。その後、無電解メッキの対象金属を含有する無電解メッキ浴に有機ポリマー層17A’’を浸漬することで、シリンダドメイン5aに金属が導入される。
このようにして、上記の無電解メッキ法によれば、シリンダドメイン5aに選択的に導入された無電解メッキ触媒の作用により、シリンダドメイン5aに金属原子の単体が導入されて、金属原子の密集部がシリンダドメイン5aに形成される。
これにより、図2(d)に示すように、シリンダドメイン5aに沿って、細線部8aが形成される。
For example, in order to perform this step by electroless plating, a solvent that is a good solvent for the polymer component that forms the cylinder domain 5a and a poor solvent for the polymer component that forms the continuous layer 6 Next, a plating solvent in which a component (electroless plating catalyst) serving as a catalyst for electroless plating is dissolved is prepared.
Next, the organic polymer layer 17A ″ is immersed in this plating solvent. Thereby, an electroless plating catalyst is selectively introduced into the cylinder domain 5a. Thereafter, the metal is introduced into the cylinder domain 5a by immersing the organic polymer layer 17A '' in an electroless plating bath containing a target metal for electroless plating.
Thus, according to the electroless plating method described above, single atoms of metal atoms are introduced into the cylinder domain 5a by the action of the electroless plating catalyst selectively introduced into the cylinder domain 5a, and the metal atoms are concentrated. A part is formed in the cylinder domain 5a.
As a result, as shown in FIG. 2D, a thin line portion 8a is formed along the cylinder domain 5a.

また、sol−gel法により本工程を行う場合には、金属原子を金属酸化物として導入する。そのため、シリンダドメイン5aを形成するポリマー成分に対しては良溶媒であり、かつ、連続層6を形成するポリマー成分に対しては貧溶媒となる溶媒で作製した金属酸化物の前駆体となるゾルに有機ポリマー層17A’’を浸漬する。
その後、金属酸化物化させるゲル化反応を進行させた後、ゲル溶液から有機ポリマー層17A’’を取り出し、溶媒で洗浄して乾燥させることで、シリンダドメイン5aに選択的に金属原子の酸化物が導入される。
このようにして、上記のsol−gel法によれば、シリンダドメイン5aに金属原子の酸化物が導入されて、金属原子の密集部がシリンダドメイン5aに形成される。
これにより、図2(d)に示すように、シリンダドメイン5aに沿って、細線部8aが形成される。
Moreover, when performing this process by sol-gel method, a metal atom is introduce | transduced as a metal oxide. Therefore, it is a good solvent for the polymer component that forms the cylinder domain 5a, and a sol that is a precursor of a metal oxide prepared with a solvent that is a poor solvent for the polymer component that forms the continuous layer 6. The organic polymer layer 17A ″ is immersed in the substrate.
Thereafter, after the gelation reaction for forming a metal oxide is advanced, the organic polymer layer 17A ″ is taken out from the gel solution, washed with a solvent and dried, so that an oxide of a metal atom is selectively added to the cylinder domain 5a. be introduced.
Thus, according to the sol-gel method described above, oxides of metal atoms are introduced into the cylinder domain 5a, and dense portions of metal atoms are formed in the cylinder domain 5a.
As a result, as shown in FIG. 2D, a thin line portion 8a is formed along the cylinder domain 5a.

また、化学的修飾法により本工程を行う場合には、塗布工程で塗布する有機ポリマー7Aとしては、シリンダドメイン5aを形成するポリマー成分として、例えば、ポリ−4−ビニルピリジンやポリ−2−ビニルピリジン等の金属配位性官能基を有するポリマーを使用する。このような有機ポリマーでシリンダドメイン5aが形成されると、金属イオンをシリンダドメイン5aに選択的に配位させることが可能になる。
そこで、本工程では、細線部8aを形成する金属原子のイオンを含む溶液を調整し、この溶液に、有機ポリマー層17A’’を浸漬し、シリンダドメイン5aに金属イオンを配位させる。これにより、シリンダドメイン5aに金属原子がイオンの形で導入される。
その後、有機ポリマー層17A’’に還元処理を施して、シリンダドメイン5aにおいて金属を析出させる。
このようにして、上記の化学的修飾法によれば、シリンダドメイン5aに選択的に配位された金属イオンが還元されることで、シリンダドメイン5aに金属原子の単体が導入されて、金属原子の密集部がシリンダドメイン5aに形成される。
これにより、図2(d)に示すように、シリンダドメイン5aに沿って、細線部8aが形成される。
Moreover, when performing this process by a chemical modification method, as an organic polymer 7A apply | coated by an application | coating process, as a polymer component which forms the cylinder domain 5a, for example, poly-4-vinyl pyridine or poly-2-vinyl A polymer having a metal coordinating functional group such as pyridine is used. When the cylinder domain 5a is formed of such an organic polymer, metal ions can be selectively coordinated to the cylinder domain 5a.
Therefore, in this step, a solution containing metal atom ions forming the thin wire portion 8a is prepared, and the organic polymer layer 17A ″ is immersed in this solution to coordinate the metal ions to the cylinder domain 5a. As a result, metal atoms are introduced into the cylinder domain 5a in the form of ions.
Thereafter, the organic polymer layer 17A ″ is subjected to a reduction treatment to deposit metal in the cylinder domain 5a.
In this way, according to the chemical modification method described above, the metal ion selectively coordinated to the cylinder domain 5a is reduced, so that a single metal atom is introduced into the cylinder domain 5a, and the metal atom Are formed in the cylinder domain 5a.
As a result, as shown in FIG. 2D, a thin line portion 8a is formed along the cylinder domain 5a.

また、化学的修飾法により本工程を行う場合には、シリンダドメイン5aに金属イオンを配位させた後、塩基性水溶液に浸漬させることで、シリンダドメイン5aにおいて金属原子の水酸化物を析出させることが可能である。
細線部8aを形成する金属原子のイオンを含む溶液を調整し、この溶液に、有機ポリマー層17A’’を浸漬し、シリンダドメイン5aに金属イオンを配位させる。これにより、シリンダドメイン5aに金属原子がイオンの形で導入される。
その後、有機ポリマー層17A’’を塩基性溶液に浸漬させることで、その金属原子の水酸化物の溶解度積に依存して、シリンダドメイン5aにおいて金属原子の水酸化物を析出させることが可能となる。
このようにして、上記の化学的修飾法によれば、シリンダドメイン5aに選択的に配位された金属イオンが水酸化物化されることで、シリンダドメイン5aに金属原子の水酸化物が導入されて、金属原子の密集部がシリンダドメイン5aに形成される。
これにより、図2(d)に示すように、シリンダドメイン5aに沿って、細線部8aが形成される。
When this step is performed by a chemical modification method, metal ions are coordinated in the cylinder domain 5a, and then immersed in a basic aqueous solution to precipitate metal atom hydroxides in the cylinder domain 5a. It is possible.
A solution containing metal atom ions forming the thin wire portion 8a is prepared, and the organic polymer layer 17A ″ is immersed in this solution to coordinate metal ions to the cylinder domain 5a. As a result, metal atoms are introduced into the cylinder domain 5a in the form of ions.
Thereafter, by immersing the organic polymer layer 17A '' in a basic solution, it is possible to deposit a metal atom hydroxide in the cylinder domain 5a depending on the solubility product of the metal atom hydroxide. Become.
In this way, according to the chemical modification method described above, metal ions selectively coordinated to the cylinder domain 5a are converted into hydroxides, whereby metal atom hydroxides are introduced into the cylinder domains 5a. Thus, a dense portion of metal atoms is formed in the cylinder domain 5a.
As a result, as shown in FIG. 2D, a thin line portion 8a is formed along the cylinder domain 5a.

上記に例示したいずれかの方法によって、シリンダドメイン5aに金属原子を導入したら、本工程が終了する。
これにより、図1(a)、(b)に示すような指紋状パターンを形成する細線部8aを含む真偽判定用表示部3Aが形成された偽造防止用表示体1Aが得られる。
When a metal atom is introduced into the cylinder domain 5a by any of the methods exemplified above, this step is completed.
Thereby, the forgery prevention display body 1A in which the authenticity determination display portion 3A including the thin line portion 8a for forming the fingerprint pattern as shown in FIGS. 1A and 1B is obtained.

次に、偽造防止用表示体1Aを用いた本実施形態の真偽判定方法について説明する。
本実施形態の真偽判定方法では、まず、偽造防止用表示体1Aの真正品における真偽判定用表示部3Aの画像を取得し、この取得した画像から読み取った細線部8aによる指紋状パターンの画像データを、偽造防止用表示体1Aの真正画像データとして登録する。
Next, the authenticity determination method of the present embodiment using the counterfeit prevention display 1A will be described.
In the authenticity determination method of the present embodiment, first, an image of the authenticity determination display unit 3A in the authentic product of the anti-counterfeit display 1A is acquired, and a fingerprint pattern by the thin line portion 8a read from the acquired image is obtained. The image data is registered as authentic image data of the forgery prevention display 1A.

細線部8aによる指紋状パターンは、線幅が狭く、縞状パターンにおける細線部8aのピッチも狭いため、高解像力が必要である。このため、画像取得手段としては、例えば、走査型電子顕微鏡、AFMなどを用いることが好ましい。
ただし、真偽判定用表示部3Aの指紋状パターンの画像、およびアライメントマーク4に対応する画像が取得可能であれば、画像取得手段はこれらに限定されるものではない。
The fingerprint pattern by the thin line portion 8a has a narrow line width, and the pitch of the fine line portions 8a in the striped pattern is also narrow, so that high resolution is required. For this reason, as an image acquisition means, it is preferable to use a scanning electron microscope, AFM, etc., for example.
However, the image acquisition means is not limited to this as long as the image of the fingerprint pattern on the display unit 3A for authenticity determination and the image corresponding to the alignment mark 4 can be acquired.

細線部8aは、金属原子を含んでおり、有機ポリマーからなる連続相6と異なる無機成分が含まれている。
このため、走査型電子顕微鏡では、例えば、二次電子検出モードあるいは反射電子検出モード、又はその合成モードなどによって、鮮明な画像を取得することができる。また、AFMでは、例えば、位相モードによって鮮明な画像を取得することができる。
照合に用いるため画像の取得範囲(以下、照合範囲)は、アライメントマーク4の位置を基準にして、予め設定しておく。
アライメントマーク4の位置は、真偽判定用表示部3A上に、アライメントマーク4の凹凸に対応した凹凸形状が形成されているため、段差部の位置が画像に現れる。このため、適宜の画像処理によって、正確な位置を特定できる。
The thin wire portion 8a contains a metal atom and contains an inorganic component different from the continuous phase 6 made of an organic polymer.
For this reason, in a scanning electron microscope, a clear image can be acquired by, for example, a secondary electron detection mode or a backscattered electron detection mode, or a combination mode thereof. Further, in the AFM, for example, a clear image can be acquired by the phase mode.
An image acquisition range (hereinafter referred to as a verification range) to be used for verification is set in advance with reference to the position of the alignment mark 4.
The position of the alignment mark 4 is formed on the authenticity determination display portion 3A so as to have an uneven shape corresponding to the unevenness of the alignment mark 4, so that the position of the step portion appears in the image. For this reason, an accurate position can be specified by appropriate image processing.

照合範囲については、画像取得手段の測定パラメータ(例えば、測定倍率や測定範囲など)によって指定することができる。
この照合範囲の大きさは使用する画像取得手段の測定限界や、真偽判定用表示部3Aの指紋状パターンの形状などに応じて適宜の大きさに決めることができる。
例えば、画像取得手段が走査型電子顕微鏡である場合、細線部8aのピッチが上述の好ましい範囲にある場合に、照合範囲を正方形とすると、照合範囲は、0.5nm角〜100nm角が好適である。
The collation range can be specified by measurement parameters of the image acquisition means (for example, measurement magnification, measurement range, etc.).
The size of the collation range can be determined to an appropriate size according to the measurement limit of the image acquisition means to be used, the shape of the fingerprint pattern of the authenticity determination display unit 3A, and the like.
For example, when the image acquisition unit is a scanning electron microscope and the pitch of the thin line portions 8a is in the above-described preferable range, and the verification range is a square, the verification range is preferably 0.5 nm square to 100 nm square. is there.

アライメントマーク4の位置が識別できたら、画像読取手段によって、照合範囲の画像を取得し、これを真正画像データとする。
真正画像データは、真偽判定が必要なときに読み出せるようにデータベース化して、適宜の記憶装置に記憶しておく。
その際、真正画像データとともに、真偽判定の条件設定、判定の参考になるように、画像取得手段の読取条件や、真偽判定用表示部3Aの製造情報、照合範囲の条件も併せて記憶しておくことが好ましい。
読取条件としては、走査型電子顕微鏡の場合、例えば、測定モード、測定倍率、加速電圧等の読取条件を挙げることができる。また、AFMの場合、操作周波数や測定範囲などの読取条件を挙げることができる。
真偽判定用表示部3Aの製造情報としては、例えば、指紋状パターンのパターン周期(縞状パターンにおける細線部8aのピッチ)、使用している有機ポリマー7Aの材料や配合の情報、細線部8aにおける金属種等の情報を挙げることができる。
When the position of the alignment mark 4 can be identified, an image in the collation range is acquired by the image reading means, and this is used as genuine image data.
The genuine image data is stored in a suitable storage device in a database so that it can be read out when authenticity determination is necessary.
At that time, together with the authentic image data, the reading conditions of the image acquisition means, the manufacturing information of the authenticity determination display unit 3A, and the conditions of the collation range are also stored so as to serve as a reference for setting / determination of authenticity determination. It is preferable to keep it.
In the case of a scanning electron microscope, examples of reading conditions include reading conditions such as measurement mode, measurement magnification, and acceleration voltage. In the case of AFM, reading conditions such as operation frequency and measurement range can be listed.
The manufacturing information of the authenticity determination display unit 3A includes, for example, the pattern period of the fingerprint pattern (pitch of the fine line part 8a in the striped pattern), information on the material and composition of the organic polymer 7A used, and the fine line part 8a. Information on metal species and the like can be given.

次に、判定対象の偽造防止用表示体1Aの真偽判定を行う。
まず、真正画像データを取得した際と同様にして、判定対象の偽造防止用表示体1Aにおける真偽判定用表示部3Aの照合範囲の画像データを取得する。すなわち、アライメントマーク4の位置を識別し、アライメントマーク4の位置を基準とした照合範囲の画像を、同様な読取条件によって取得する。
Next, the authenticity determination of the forgery prevention display body 1A to be determined is performed.
First, in the same manner as when the genuine image data is acquired, the image data in the verification range of the authenticity determination display unit 3A in the determination target forgery prevention display body 1A is acquired. That is, the position of the alignment mark 4 is identified, and an image in the collation range based on the position of the alignment mark 4 is acquired under the same reading conditions.

次に、この画像データと、真正画像データとを照合する。ここで、照合するのは、指紋状パターン同士を比較すればよい。照合方法としては、特に限定されず、周知の適宜の画像比較方法を採用することができる。
判定対象の画像と真正画像データとが、読取誤差や演算誤差に起因する誤差を除いて一致した場合には「真正品」と判定し、不一致の場合には「偽造品」と判定する。
このようにして、判定対象の偽造防止用表示体1Aについて真偽判定を行うことができる。
Next, this image data and the genuine image data are collated. Here, it is only necessary to compare the fingerprint-like patterns with each other. The collation method is not particularly limited, and a known appropriate image comparison method can be employed.
When the determination target image and the authentic image data match except for errors caused by reading errors and calculation errors, it is determined as “genuine product”, and when they do not match, it is determined as “counterfeit product”.
In this way, the authenticity determination can be performed for the forgery prevention display body 1A to be determined.

真偽判定用表示部3Aにおける指紋状パターンは、同じ有機ポリマーを使用してもまったく同一のパターンを再現することはできず、そのパターンサイズが非常に微細であって肉眼による視認は不可能である。
したがって、そもそも偽造防止加工が施されていること自体が認識されにくい。しかも、真偽判定用表示部3Aにおける指紋状パターンは、リソグラフィ技術などの非常にコストの高いプロセスを用いても複製することが困難であるため、高い偽造防止効果を発揮することができる。
なお、万一、何らかの手段によってパターンの複製が試みられた疑いがある場合、少なくとも自己組織化によって複製されることはないため、連続相6に相当する部分や細線部8aに相当する部分の材料を分析して同一成分かどうか確かめることも、真偽判定に有効である。
Even if the same organic polymer is used for the fingerprint pattern in the authenticity determination display section 3A, the exact same pattern cannot be reproduced, and the pattern size is very fine and cannot be visually recognized by the naked eye. is there.
Therefore, it is difficult to recognize that the anti-counterfeiting process is performed in the first place. In addition, since the fingerprint pattern in the authenticity determination display unit 3A is difficult to duplicate even by using a very expensive process such as a lithography technique, a high forgery prevention effect can be exhibited.
If there is a suspicion that pattern duplication has been attempted by any means, it will not be duplicated at least by self-organization. Therefore, the material corresponding to the portion corresponding to the continuous phase 6 or the portion corresponding to the thin wire portion 8a is used. It is also effective in determining authenticity whether or not the same component is analyzed.

本実施形態の偽造防止用表示体1Aでは、指紋状パターンを形成する細線部8aに、例えば、金属原子単体、金属無機化合物等の形で、細線部8aに金属原子が密集している。
このため、シリンダドメイン5aのみによって指紋状パターンが形成されている場合に比べて、熱や光、溶剤に対するより高い耐久性、耐候性を付与することができる。
この結果、判定対象品の使用による指紋状パターンの経時変化、欠損、変形、摩滅などが起こりにくいため、画像読取時のパターン構造の損傷や劣化による読み取りエラーを防止することができる。
In the anti-counterfeit display 1A of the present embodiment, metal atoms are concentrated in the thin wire portion 8a in the form of, for example, a single metal atom or a metal inorganic compound in the thin wire portion 8a forming the fingerprint pattern.
For this reason, compared with the case where the fingerprint-like pattern is formed only by the cylinder domain 5a, higher durability and weather resistance with respect to heat, light, and a solvent can be provided.
As a result, since the fingerprint-like pattern is less likely to change with time, missing, deformed, and worn due to the use of the determination target product, reading errors due to damage or deterioration of the pattern structure during image reading can be prevented.

本実施形態の真偽判定方法によれば、本実施形態の偽造防止用表示体1Aを用いて判定を行うため、誤判定を防止することができる。   According to the authenticity determination method of the present embodiment, the determination is performed using the anti-counterfeit display 1A of the present embodiment, so that erroneous determination can be prevented.

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態の偽造防止用表示体について説明する。
図3(a)、(b)は、本発明の第2の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。
[Second Embodiment]
Next, a forgery prevention display body according to a second embodiment of the present invention will be described.
3A and 3B are a schematic enlarged plan view and a schematic enlarged cross-sectional view of a counterfeit-preventing display body according to a second embodiment of the present invention.

図3(a)、(b)に示すように、本実施形態の偽造防止用表示体1Bは、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体1Aの真偽判定用表示部3Aに代えて、真偽判定用表示部3Bを備える。
以下、上記第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the forgery prevention display body 1B of the present embodiment is replaced with the authenticity determination display section 3A of the forgery prevention display body 1A of the first embodiment. , A display unit 3B for authenticity determination is provided.
Hereinafter, a description will be given centering on differences from the first embodiment.

真偽判定用表示部3Bは、真偽判定用表示部3Aから連続相6を削除し、上記第1の実施形態における細線部8aと同様な指紋状パターンを形成する細線部8bが、基材2の表面2aに直に付着したものである。
細線部8bは、上記第1の実施形態と同様な金属原子の単体、または金属原子を含む化合物からなる。金属原子を含む化合物としては、金属酸化物または金属水酸化物が好ましい。
The authenticity determination display unit 3B deletes the continuous phase 6 from the authenticity determination display unit 3A, and the fine line portion 8b that forms the same fingerprint pattern as the fine line portion 8a in the first embodiment has a base material 2 is directly attached to the surface 2a of 2.
The thin line portion 8b is made of a single metal atom similar to that in the first embodiment or a compound containing a metal atom. As the compound containing a metal atom, a metal oxide or a metal hydroxide is preferable.

次に、本実施形態の偽造防止用表示体1Bの作製方法について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。
Next, a method for producing the forgery prevention display body 1B of the present embodiment will be described.
FIG. 4 is a schematic process explanatory view showing the manufacturing process of the counterfeit prevention display body of the second embodiment of the present invention.

偽造防止用表示体1Bを作製するには、まず、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体の作製方法におけるアライメントマーク形成工程、塗布工程、パターン形成工程、および金属原子導入工程を同様にして行って、偽造防止用表示体1Aを作製する。   In order to produce the forgery prevention display body 1B, first, the alignment mark forming process, the coating process, the pattern forming process, and the metal atom introduction process in the method for producing the forgery prevention display body of the first embodiment are similarly performed. The counterfeit prevention display body 1A is manufactured.

次に、有機ポリマー除去工程を行う。本工程は、有機ポリマー7Aからなる連続相6およびシリンダドメイン5aを基材2上から除去して、金属原子または金属原子を含む化合物からなる細線部8bを基材2の表面2a上に付着させる工程である。   Next, an organic polymer removal step is performed. In this step, the continuous phase 6 made of the organic polymer 7A and the cylinder domain 5a are removed from the substrate 2, and a thin wire portion 8b made of a metal atom or a compound containing a metal atom is attached to the surface 2a of the substrate 2. It is a process.

連続相6およびシリンダドメイン5aを除去する方法としては、例えば、酸素プラズマエッチング、アルゴンクラスターエッチング、反応性イオンエッチング等のドライエッチングを用いることができる。
このとき、エッチング条件は、例えば、酸素プラズマエッチングの場合では、チャンバー内圧力10Pa、RFバイアス250W、酸素流量12sccmとして、有機ポリマー7Aの成分のみが選択的に除去されるように設定する。
As a method for removing the continuous phase 6 and the cylinder domain 5a, for example, dry etching such as oxygen plasma etching, argon cluster etching, and reactive ion etching can be used.
At this time, for example, in the case of oxygen plasma etching, the etching conditions are set such that only the component of the organic polymer 7A is selectively removed at a chamber pressure of 10 Pa, an RF bias of 250 W, and an oxygen flow rate of 12 sccm.

このようにエッチングを行うと、有機ポリマー7Aからなる連続相6およびシリンダドメイン5aが除去されていき、シリンダドメイン5aに導入された金属原子、または金属原子を含む化合物が表面2a上に堆積して、細線部8aと同様なパターン形状を有する細線部8bが形成されていく。
また、偽造防止用表示体1Aにおいて、帯電した金属原子または金属原子を含む帯電した原子団が導入されている場合でも、エッチング雰囲気における電荷の授受によって、次第に金属原子、または金属原子を含む化合物が形成され、同様にして細線部8bが形成される。
このような細線部8bが付着する表面2aは、エッチングを受けて表面活性化された状態になるため、細線部8bは、表面2aと強固に付着して、位置が固定される。
When etching is performed in this manner, the continuous phase 6 made of the organic polymer 7A and the cylinder domain 5a are removed, and a metal atom introduced into the cylinder domain 5a or a compound containing a metal atom is deposited on the surface 2a. Then, the thin wire portion 8b having the same pattern shape as the thin wire portion 8a is formed.
Further, in the forgery prevention display body 1A, even when a charged metal atom or a charged atomic group containing a metal atom is introduced, a metal atom or a compound containing a metal atom is gradually obtained by transferring charges in an etching atmosphere. In the same manner, the thin line portion 8b is formed.
Since the surface 2a to which the fine line portion 8b adheres is in a surface activated state by being etched, the fine line portion 8b adheres firmly to the surface 2a and the position is fixed.

このようにして形成された細線部8bの線幅や縞状パターンにおけるピッチは、有機ポリマー7Aの自己組織化の条件に由来する寸法が保存されている。
したがって、エッチングを用いているものの、同様の金属原子を含む材料から、エッチングして線状に形成する場合に比べて、格段に微細な寸法になっている。
As for the line width of the thin line portion 8b formed in this way and the pitch in the striped pattern, dimensions derived from the conditions for self-organization of the organic polymer 7A are preserved.
Therefore, although etching is used, the dimensions are much finer than when a similar material containing metal atoms is etched to form a line.

このようにして、表面2a上から有機ポリマー7Aが除去されて、細線部8bが表面2aに付着すると、図4に示すように、細線部8bからなる真偽判定用表示部3Bが形成される。
これにより、有機ポリマー除去工程が終了し、偽造防止用表示体1Bが作製される。
In this way, when the organic polymer 7A is removed from the surface 2a and the fine line portion 8b adheres to the surface 2a, as shown in FIG. 4, the authenticity determination display portion 3B composed of the fine line portion 8b is formed. .
Thereby, an organic polymer removal process is complete | finished and the display body 1B for forgery prevention is produced.

このような偽造防止用表示体1Bは、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体1Aと同様に、上記第1の実施形態の真偽判定方法に用いることができる。   Such an anti-counterfeit display 1B can be used in the authenticity determination method of the first embodiment, similarly to the anti-counterfeit display 1A of the first embodiment.

本実施形態の偽造防止用表示体1Bは、上記第1の実施形態の指紋状パターンとまったく同様の、複製が困難な固有のパターンを有する真偽判定用表示部3Bを備えるため、上記第1の実施形態と同様、複製が困難であって、かつ、耐久性を向上することができる。
特に、本実施形態では、真偽判定用表示部3Bは、細線部8bに比べて耐久性が劣る有機ポリマー7Aを含まないため、さらに耐久性を向上することができる。
The counterfeit prevention display body 1B according to the present embodiment includes the authenticity determination display unit 3B having a unique pattern that is difficult to duplicate, exactly the same as the fingerprint-like pattern according to the first embodiment. Similar to the embodiment, duplication is difficult and durability can be improved.
In particular, in the present embodiment, the authenticity determination display unit 3B does not include the organic polymer 7A, which is inferior in durability compared to the thin line portion 8b, so that the durability can be further improved.

[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態の偽造防止用表示体について説明する。
図5(a)、(b)は、本発明の第3の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。
[Third Embodiment]
Next, a forgery prevention display body according to a third embodiment of the present invention will be described.
FIGS. 5A and 5B are a schematic enlarged plan view and a schematic enlarged cross-sectional view of a counterfeit-preventing display body according to a third embodiment of the present invention.

図5(a)、(b)に示すように、本実施形態の偽造防止用表示体1Cは、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体1Aの真偽判定用表示部3Aに代えて、真偽判定用表示部3Cを備える。
以下、上記第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIGS. 5A and 5B, the counterfeit prevention display body 1C of the present embodiment is replaced with the authenticity determination display portion 3A of the counterfeit prevention display body 1A of the first embodiment. , A display unit 3C for authenticity determination is provided.
Hereinafter, a description will be given centering on differences from the first embodiment.

真偽判定用表示部3Cは、真偽判定用表示部3Aの細線部8aに代えて、細線部8cを備える。
細線部8cは、表面2aの位置から、連続相6の層厚を貫通する板状の領域に、細線部8aと同様の金属原子が密集して形成された部分であり、平面視では、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされている。
細線部8cの平面視の形状は、上記第1の実施形態と同様に、縞状パターンを有する固有の指紋状パターンになっている。
本実施形態では、細線部8cの金属原子は、連続相6の有機ポリマーに対して相分離したラメラ構造を有するミクロドメインを構成する有機ポリマーに導入されており、このミクロドメインに沿って密集している。
The authenticity determination display unit 3C includes a thin line portion 8c instead of the thin line portion 8a of the authenticity determination display unit 3A.
The fine wire portion 8c is a portion in which metal atoms similar to the fine wire portion 8a are densely formed in a plate-like region penetrating the layer thickness of the continuous phase 6 from the position of the surface 2a. The width is extended in the shape of a curve or a broken line with a non-uniform width.
The shape of the thin line portion 8c in plan view is a unique fingerprint pattern having a striped pattern, as in the first embodiment.
In the present embodiment, the metal atoms of the thin wire portion 8c are introduced into an organic polymer that constitutes a microdomain having a lamellar structure phase-separated with respect to the organic polymer of the continuous phase 6, and are concentrated along the microdomain. ing.

細線部8cの平面視の線幅(以下、単に線幅)、および縞状パターンおける細線部8cのピッチの好ましい範囲は、上記第1の実施形態の細線部8aの線幅およびピッチと同様である。   The preferred range of the line width (hereinafter simply referred to as line width) of the fine wire portion 8c and the pitch of the fine wire portion 8c in the striped pattern is the same as the line width and pitch of the fine wire portion 8a of the first embodiment. is there.

このような構成の偽造防止用表示体1Cの作製方法について説明する。
図6(a)、(b)、(c)は、本発明の第3の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。
A method for producing the counterfeit prevention display body 1C having such a configuration will be described.
6 (a), 6 (b), and 6 (c) are schematic process explanatory views showing the manufacturing process of the counterfeit prevention display body according to the third embodiment of the present invention.

偽造防止用表示体1Cを作製するには、アライメントマーク形成工程、塗布工程、パターン形成工程、および金属原子導入工程をこの順に行う。   In order to produce the counterfeit-preventing display 1C, an alignment mark formation step, a coating step, a pattern formation step, and a metal atom introduction step are performed in this order.

アライメントマーク形成工程は、上記第1の実施形態におけるアライメントマーク形成工程と同様の工程である。   The alignment mark formation step is the same as the alignment mark formation step in the first embodiment.

次に、図6(a)に示すように、塗布工程を行う。本工程は、上記第1の実施形態における有機ポリマー7Aに代えて、有機ポリマー7Cを塗布して、基材2上に有機ポリマー層17Cを形成する点を除いて、上記第1の実施形態における塗布工程と同様の工程である。
有機ポリマー7Cは、ブロック共重合体の体積比を調整することにより、ラメラ構造を形成する周期的な相分離構造を自己組織的に形成する材料である。
有機ポリマー7Cに好適な材料としては、上記第1の実施形態の説明において例示された有機ポリマー7Aに好適な材料をすべて採用することができる。
また、有機ポリマー層17Cの層厚は、上記第1の実施形態における有機ポリマー層17Aと同様の範囲であることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 6A, a coating process is performed. This step is the same as in the first embodiment except that the organic polymer 7C is applied instead of the organic polymer 7A in the first embodiment to form an organic polymer layer 17C on the substrate 2. This is the same process as the coating process.
The organic polymer 7C is a material that self-organizes a periodic phase separation structure that forms a lamellar structure by adjusting the volume ratio of the block copolymer.
As materials suitable for the organic polymer 7C, all materials suitable for the organic polymer 7A exemplified in the description of the first embodiment can be adopted.
The layer thickness of the organic polymer layer 17C is preferably in the same range as the organic polymer layer 17A in the first embodiment.

次に、パターン形成工程を行う。本工程は、有機ポリマー7Aに代えて有機ポリマー7Cを加熱することにより、図6(b)に示すように、ラメラ構造のミクロドメインであるラメラドメイン5cが形成される点を除いて、上記第1の実施形態におけるパターン形成工程と同様の工程である。
有機ポリマー層17Cは、加熱、冷却されることによって、自己組織化が進んでミクロ相分離構造が形成された有機ポリマー層17C’になる。本実施形態では、有機ポリマー層17C’のミクロ相分離構造は、図6(b)に示すようにミクロドメインとして、ラメラ構造を有するラメラドメイン5cと連続層6とからなるミクロ相分離構造が形成される。
ここで形成されるラメラドメイン5cは、自己組織化により、部分的には周期的構造を有し、全体としてはこのような周期的構造が不規則に組み合わされた構造を有し、平面視では、例えば、図5(a)に示すように、細線部8cの指紋状パターンと略同じ(同じ場合も含む)のパターンになっている。
Next, a pattern formation process is performed. In this step, the organic polymer 7C is heated instead of the organic polymer 7A, and as shown in FIG. 6B, the lamellar domain 5c, which is a microdomain of the lamellar structure, is formed. It is the same process as the pattern formation process in one embodiment.
The organic polymer layer 17C is heated and cooled to become an organic polymer layer 17C ′ in which self-organization proceeds and a microphase separation structure is formed. In this embodiment, the microphase separation structure of the organic polymer layer 17C ′ is a microphase separation structure composed of a lamellar domain 5c having a lamellar structure and a continuous layer 6 as a microdomain as shown in FIG. Is done.
The lamellar domain 5c formed here has a periodic structure partially due to self-organization, and has a structure in which such periodic structures are irregularly combined as a whole. For example, as shown in FIG. 5A, the pattern is substantially the same (including the same case) as the fingerprint pattern of the thin line portion 8c.

このようにして形成されたラメラドメイン5cは、図6(b)に示すように、基材2の表面2aに層厚方向の一端が密着し、他端が、有機ポリマー層17C’の表面に露出している。
このため、本工程では、ラメラドメイン5cを有機ポリマー層17C’の表面に露出させる必要はない。ただし、ラメラドメイン5cの端部が有機ポリマー層17C’から確実に露出している状態とするため、あるいは表面の平坦度を向上するために、有機ポリマー層17C’の表面を、例えば、適宜のエッチングなどによってわずかに除去加工するようにしてもよい。
以上で、パターン形成工程が終了する。
As shown in FIG. 6B, the lamellar domain 5c formed in this way has one end in the layer thickness direction in close contact with the surface 2a of the substrate 2, and the other end on the surface of the organic polymer layer 17C ′. Exposed.
Therefore, in this step, it is not necessary to expose the lamella domain 5c on the surface of the organic polymer layer 17C ′. However, in order to ensure that the end of the lamella domain 5c is exposed from the organic polymer layer 17C ′ or to improve the flatness of the surface, the surface of the organic polymer layer 17C ′ is, for example, appropriately A slight removal process may be performed by etching or the like.
Thus, the pattern forming process is completed.

次に、金属原子導入工程を行う。本工程は、金属原子をラメラドメイン5cに導入する点を除いて、上記第1の実施形態における金属原子導入工程と同様の工程である。
本実施形態では、ラメラドメイン5cが、基材2の表面2aに接しているため、金属原子を導入する方法としては、上記第1の実施形態で説明した、無電解メッキ法、sol−gel法、化学的修飾法等以外にも、例えば、基材2として導電性基材を採用するこことにより、電気メッキ法あるいは電解析出法を採用することが可能である。
Next, a metal atom introduction step is performed. This step is the same as the metal atom introduction step in the first embodiment except that a metal atom is introduced into the lamellar domain 5c.
In the present embodiment, since the lamellar domain 5c is in contact with the surface 2a of the substrate 2, as a method for introducing metal atoms, the electroless plating method and the sol-gel method described in the first embodiment are used. In addition to the chemical modification method or the like, for example, an electroplating method or an electrolytic deposition method can be employed by employing a conductive substrate as the substrate 2.

例えば、電気メッキ法あるいは電解析出法により本工程を行うには、まず、基板2に導電性基板を使用して、上記アライメントマーク形成工程、塗布工程、およびパターン形成工程を行う。
本工程では、ラメラドメイン5cを形成するポリマー成分に対しては良溶媒であり、かつ、連続層6を形成するポリマー成分に対しては貧溶媒となる溶媒を使用し、導入する金属原子の金属種を含む電気メッキ浴あるいは電解浴中に有機ポリマー層17C’を浸漬させる。
そして、基板2を作用電極とし、電気メッキ浴あるいは電解浴中に対極および参照電極を投入し、金属、金属酸化物、または金属水酸化物が析出する電界を印加する。これにより、ラメラドメイン5cに選択的に金属、金属酸化物、または金属水酸化物が析出し、金属原子が、金属、金属酸化物、または金属水酸化物としてラメラドメイン5cに導入される。
これにより、図6(c)に示すように、ラメラドメイン5cに沿って、細線部8cが形成される。
For example, in order to perform this step by electroplating or electrolytic deposition, first, the conductive mark is used as the substrate 2, and the alignment mark forming step, the applying step, and the pattern forming step are performed.
In this step, a metal solvent that is a good solvent for the polymer component that forms the lamellar domain 5c and a poor solvent for the polymer component that forms the continuous layer 6 is used. The organic polymer layer 17C ′ is immersed in an electroplating bath or an electrolysis bath containing seeds.
Then, using the substrate 2 as a working electrode, a counter electrode and a reference electrode are placed in an electroplating bath or an electrolytic bath, and an electric field for depositing metal, metal oxide, or metal hydroxide is applied. Thereby, a metal, a metal oxide, or a metal hydroxide is selectively deposited on the lamella domain 5c, and a metal atom is introduced into the lamella domain 5c as a metal, a metal oxide, or a metal hydroxide.
Thereby, as shown in FIG.6 (c), the thin wire | line part 8c is formed along the lamella domain 5c.

上記および上記第1の実施形態に例示したいずれかの方法によって、ラメラドメイン5cに金属原子を導入したら、本工程が終了する。
このようにして、図5(a)、(b)に示すような指紋状パターンを形成する細線部8cを含む真偽判定用表示部3Cが形成された偽造防止用表示体1Cが作製される。
When a metal atom is introduced into the lamellar domain 5c by any of the methods exemplified in the above and the first embodiment, this step is finished.
In this way, the counterfeit prevention display body 1 </ b> C in which the authenticity determination display portion 3 </ b> C including the fine line portion 8 c forming the fingerprint pattern as shown in FIGS. 5A and 5B is formed. .

このような偽造防止用表示体1Cは、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体1Aと同様に、上記第1の実施形態の真偽判定方法に用いることができる。   Such an anti-counterfeit display 1C can be used in the authenticity determination method of the first embodiment, similarly to the anti-counterfeit display 1A of the first embodiment.

本実施形態の偽造防止用表示体1Cは、上記第1の実施形態の指紋状パターンとまったく同様の、複製が困難な固有のパターンを有する真偽判定用表示部3Cを備えるため、上記第1の実施形態と同様、複製が困難であって、かつ、耐久性を向上することができる。
特に、本実施形態では、パターン形成工程において、ラメラドメイン5cを表面に露出させる工程を省略することができるため、より効率的に偽造防止用表示体1Cを作製できる。
The counterfeit prevention display body 1C of the present embodiment includes the authenticity determination display unit 3C having a unique pattern that is difficult to duplicate, exactly the same as the fingerprint pattern of the first embodiment. Similar to the embodiment, duplication is difficult and durability can be improved.
In particular, in the present embodiment, in the pattern formation step, the step of exposing the lamella domain 5c to the surface can be omitted, and thus the forgery prevention display body 1C can be more efficiently manufactured.

[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態の偽造防止用表示体について説明する。
図7(a)、(b)は、本発明の第4の実施形態の偽造防止用表示体の模式的な拡大平面図、および模式的な拡大断面図である。
[Fourth Embodiment]
Next, a forgery prevention display body according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIGS. 7A and 7B are a schematic enlarged plan view and a schematic enlarged sectional view of a counterfeit prevention display body according to the fourth embodiment of the present invention.

図7(a)、(b)に示すように、本実施形態の偽造防止用表示体1Dは、上記第3の実施形態の偽造防止用表示体1Cの真偽判定用表示部3Cに代えて、真偽判定用表示部3Dを備える。
以下、上記第3の実施形態と異なる点を中心に説明する。
As shown in FIGS. 7A and 7B, the anti-counterfeit display 1D according to the present embodiment is replaced with the authenticity determination display unit 3C of the anti-counterfeit display 1C according to the third embodiment. , A display unit 3D for authenticity determination is provided.
Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the third embodiment.

真偽判定用表示部3Dは、真偽判定用表示部3Cから連続相6を削除し、上記第3の実施形態における細線部8cと同様な指紋状パターンを形成する細線部8dを残したものである。
細線部8dは、上記第3の実施形態と同様な金属原子の単体、金属酸化物、または金属水酸化物からなる。
The authenticity determination display unit 3D is obtained by deleting the continuous phase 6 from the authenticity determination display unit 3C and leaving a thin line portion 8d that forms a fingerprint-like pattern similar to the thin line portion 8c in the third embodiment. It is.
The thin wire portion 8d is made of a single metal atom, a metal oxide, or a metal hydroxide similar to that in the third embodiment.

次に、本実施形態の偽造防止用表示体1Dの作製方法について説明する。
図8は、本発明の第4の実施形態の偽造防止用表示体の製造工程を示す模式的な工程説明図である。
Next, a method for producing the forgery prevention display body 1D of the present embodiment will be described.
FIG. 8 is a schematic process explanatory view showing the manufacturing process of the counterfeit prevention display body of the fourth embodiment of the present invention.

偽造防止用表示体1Dを作製するには、まず、上記第3の実施形態の偽造防止用表示体の作製方法におけるアライメントマーク形成工程、塗布工程、パターン形成工程、および金属原子導入工程を同様にして行って、偽造防止用表示体1Cを作製する。   In order to manufacture the counterfeit prevention display 1D, first, the alignment mark formation step, the coating step, the pattern formation step, and the metal atom introduction step in the method for manufacturing the counterfeit prevention display body of the third embodiment are similarly performed. To produce a counterfeit-proof display 1C.

次に、有機ポリマー除去工程を行う。本工程は、有機ポリマー7Cからなる連続相6およびラメラドメイン5cを基材2上から除去して、細線部8cを表面2aに付着した状態で残すことにより、基材2の表面2a上に、金属、金属酸化物、または金属水酸化物からなる細線部8dを形成する工程である。   Next, an organic polymer removal step is performed. In this step, the continuous phase 6 made of the organic polymer 7C and the lamellar domain 5c are removed from the substrate 2 and the fine wire portion 8c is left attached to the surface 2a. This is a step of forming the thin wire portion 8d made of metal, metal oxide, or metal hydroxide.

連続相6およびラメラドメイン5cを除去する方法としては、上記第2の実施形態と同様のエッチングを用いることができる。
また、エッチング条件は、例えば、酸素プラズマエッチングの場合では、チャンバー内圧力10Pa、RFバイアス250W、酸素流量12sccmとして、有機ポリマー7Cの成分のみが選択的に除去されるように設定する。
As a method for removing the continuous phase 6 and the lamella domain 5c, the same etching as in the second embodiment can be used.
In addition, for example, in the case of oxygen plasma etching, the etching conditions are set such that only the component of the organic polymer 7C is selectively removed with a chamber internal pressure of 10 Pa, an RF bias of 250 W, and an oxygen flow rate of 12 sccm.

このようにエッチングを行うと、有機ポリマー7Cからなる連続相6およびラメラドメイン5cが除去されていき、ラメラドメイン5cに導入された金属、金属酸化物、または金属水酸化物からなる細線部8dが形成されていく。
このようにして形成された細線部8dの線幅や縞状パターンにおけるピッチは、有機ポリマー7Cの自己組織化の条件に由来する寸法が保存されている。
したがって、エッチングを用いているものの、同様の金属原子を含む材料から、エッチングして線状に形成する場合に比べて、格段に微細な寸法になっている。
When etching is performed in this manner, the continuous phase 6 and the lamellar domain 5c made of the organic polymer 7C are removed, and the thin wire portion 8d made of metal, metal oxide, or metal hydroxide introduced into the lamellar domain 5c is formed. Will be formed.
The line width of the thin line portion 8d formed in this way and the pitch in the striped pattern have dimensions derived from the conditions for self-organization of the organic polymer 7C.
Therefore, although etching is used, the dimensions are much finer than when a similar material containing metal atoms is etched to form a line.

このようにして、表面2a上から有機ポリマー7Cが除去されて、細線部8bが表面2aに残ると、図8に示すように、細線部8dからなる真偽判定用表示部3Dが形成される。
これにより、有機ポリマー除去工程が終了し、偽造防止用表示体1Dが作製される。
In this way, when the organic polymer 7C is removed from the surface 2a and the fine line portion 8b remains on the surface 2a, the authenticity determination display portion 3D including the fine line portion 8d is formed as shown in FIG. .
Thereby, an organic polymer removal process is complete | finished and the display body 1D for forgery prevention is produced.

このような偽造防止用表示体1Dは、上記第1の実施形態の偽造防止用表示体1Aと同様に、上記第1の実施形態の真偽判定方法に用いることができる。   Such an anti-counterfeit display 1D can be used in the authenticity determination method of the first embodiment, similarly to the anti-counterfeit display 1A of the first embodiment.

本実施形態の偽造防止用表示体1Dは、上記第3の実施形態の指紋状パターンとまったく同様の、複製が困難な固有のパターンを有する真偽判定用表示部3Dを備えるため、上記第3の実施形態と同様、複製が困難であって、かつ、耐久性を向上することができる。
特に、本実施形態では、真偽判定用表示部3Dは、細線部8dに比べて耐久性が劣る有機ポリマー7Cを含まないため、さらに耐久性を向上することができる。
The anti-counterfeit display body 1D of the present embodiment includes the authenticity determination display unit 3D having a unique pattern that is difficult to duplicate, exactly the same as the fingerprint-like pattern of the third embodiment. Similar to the embodiment, duplication is difficult and durability can be improved.
In particular, in the present embodiment, the authenticity determination display unit 3D does not include the organic polymer 7C, which is inferior in durability to the thin line portion 8d, and therefore the durability can be further improved.

なお、上記各実施形態の説明では、アライメントマークが真偽判定用表示部の指紋状パターンが形成された範囲内に形成されている場合の例で説明したが、アライメントマークは、指紋状パターンが形成されていない基材上の領域に設けることも可能である。
また、真偽判定用表示部における指紋状パターンのうちの照合範囲をアライメントマーク以外の手段によって特定できる場合には、アライメントマークを省略してもよい。例えば、真偽判定用表示部の外形を基準として照合範囲が特定できる場合や、真偽判定用表示部の全体が照合範囲になっている場合等では、アライメントマークを省略することができる。
In the description of each of the above embodiments, the alignment mark is described in the case where the alignment mark is formed within the range where the fingerprint pattern of the authenticity determination display unit is formed. However, the alignment mark has a fingerprint pattern. It is also possible to provide in the area | region on the base material which is not formed.
In addition, when the verification range of the fingerprint pattern in the authenticity determination display unit can be specified by means other than the alignment mark, the alignment mark may be omitted. For example, the alignment mark can be omitted when the collation range can be specified based on the outer shape of the authenticity determination display unit, or when the entire authenticity determination display unit is within the collation range.

また、上記の各実施形態に説明したすべての構成要素は、本発明の技術的思想の範囲で適宜組み合わせを代えたり、削除したりして実施することができる。   In addition, all the components described in the above embodiments can be implemented by appropriately changing or deleting combinations within the scope of the technical idea of the present invention.

上記第1の実施形態および第2の実施形態の偽造防止用表示体1A、1Bおよびその作製方法の実施例について説明する。
図9(a)、(b)は、走査型電子顕微鏡の位相モードで取得された、有機ポリマー層を含む偽造防止用表示体の画像の例、および有機ポリマー層を除去した偽造防止用表示体の画像の例である。図10(a)、(b)は、AFMの位相モードで取得された、有機ポリマー層を含む偽造防止用表示体の画像の例、および有機ポリマー層を除去した偽造防止用表示体の画像の例である。いずれも縦軸、横軸の単位は、μmである。
Examples of the anti-counterfeit display bodies 1A and 1B and the manufacturing method thereof according to the first embodiment and the second embodiment will be described.
FIGS. 9A and 9B are examples of images of an anti-counterfeit display body including an organic polymer layer, obtained in the phase mode of a scanning electron microscope, and an anti-counterfeit display body from which the organic polymer layer is removed. It is an example of an image. FIGS. 10A and 10B are an example of an image of an anti-counterfeit display body including an organic polymer layer and an image of an anti-counterfeit display body obtained by removing the organic polymer layer, acquired in the AFM phase mode. It is an example. In either case, the unit of the vertical axis and the horizontal axis is μm.

まず、偽造防止用表示体1Aを作製するため、1cm角に切り出したシリコンウエハの表面にアライメントマーク形成して、基板2を製造した(アライメントマーク形成工程)。
次に、有機ポリマー7Aとして、ポリスチレン−ポリ−2−ビニルピリジンのブロック共重合体(Mn=44000−b−18500,Mw/Mn=1.07)を使用し、重量濃度1%となるようにトルエンで調液して塗液を調製した。ここで、Mnは数平均分子量、Mwは重量平均分子量である。
次に、スピンコート法を用いてこの塗液を基材2に塗布することにより、有機ポリマー7Aを成膜した(塗布工程)。このとき、スピンコートの回転速度は、1000rpmとした。
First, in order to produce the counterfeit-preventing display 1A, an alignment mark was formed on the surface of a silicon wafer cut into a 1 cm square, and the substrate 2 was manufactured (alignment mark forming step).
Next, a polystyrene-poly-2-vinylpyridine block copolymer (Mn = 44000-b-18500, Mw / Mn = 1.07) is used as the organic polymer 7A so that the weight concentration is 1%. A coating solution was prepared by preparing with toluene. Here, Mn is a number average molecular weight, and Mw is a weight average molecular weight.
Next, the organic polymer 7A was formed into a film by applying this coating liquid to the substrate 2 using a spin coating method (application process). At this time, the rotation speed of the spin coat was 1000 rpm.

次に、パターン形成工程を行った。
まず、有機ポリマー層17Aを成膜した基板2を、真空オーブンを用いて230℃にて24時間アニール処理(加熱処理)を行い、ミクロ相分離構造を形成した。このとき、形成された有機ポリマー層17A’は、図2(b)に模式的に示すように、シリンダドメイン5aが形成されているものの、有機ポリマー層17A’の表面には露出していない状態であった。
アニール処理後にAFMを用いて有機ポリマー層17A’の層厚を測定したところ、48nmであった。
次に、有機ポリマー層17Aの表面を壊裂させるため、有機ポリマー層17Aの全面上にこれを覆うように1%HCl水溶液を滴下し、室温にて3時間静置した。これにより、2−ポリビニルピリジンのシリンダドメイン5aが有機ポリマー層17Aの表面に露出した自己組織化パターンが形成された。
Next, the pattern formation process was performed.
First, the substrate 2 on which the organic polymer layer 17A was formed was annealed (heated) for 24 hours at 230 ° C. using a vacuum oven to form a microphase separation structure. At this time, the formed organic polymer layer 17A ′ is not exposed to the surface of the organic polymer layer 17A ′ although the cylinder domain 5a is formed as schematically shown in FIG. Met.
When the layer thickness of the organic polymer layer 17A ′ was measured using AFM after the annealing treatment, it was 48 nm.
Next, in order to rupture the surface of the organic polymer layer 17A, a 1% HCl aqueous solution was dropped on the entire surface of the organic polymer layer 17A so as to cover it, and left at room temperature for 3 hours. Thereby, a self-organized pattern in which the cylinder domain 5a of 2-polyvinylpyridine was exposed on the surface of the organic polymer layer 17A was formed.

次に、有機ポリマー層17A’の全面上にこれを覆うように10mMのHAuClを含有する水溶液を滴下し、室温にて3時間静置した(金属原子導入工程)。
これにより、水溶液中のAuイオンが、シリンダドメイン5aに選択的に配位され、シリンダドメイン5aに密集した。
これにより、偽造防止用表示体1Aが作製された。
Next, an aqueous solution containing 10 mM HAuCl 4 was dropped on the entire surface of the organic polymer layer 17A ′ so as to cover it, and left at room temperature for 3 hours (metal atom introduction step).
As a result, Au ions in the aqueous solution were selectively coordinated to the cylinder domain 5a and concentrated in the cylinder domain 5a.
Thereby, the counterfeit-proof display body 1A was produced.

次に、得られた偽造防止用表示体1Aを酸素プラズマ処理(チャンバー内圧力10Pa、RFバイアス250W、酸素流量12sccm)することにより、有機ポリマー7をエッチングして除去した(有機ポリマー除去工程)。
これにより、偽造防止用表示体1Bが作製された。
Next, the obtained anti-counterfeit display 1A was subjected to oxygen plasma treatment (chamber internal pressure 10 Pa, RF bias 250 W, oxygen flow rate 12 sccm) to remove the organic polymer 7 by etching (organic polymer removal step).
Thereby, the display body 1B for forgery prevention was produced.

次に、得られた偽造防止用表示体1Aの真偽判定用表示部3Aの表面の照合範囲の画像を走査型電子顕微鏡およびAFMの位相モードにて取得した。照合範囲はアライメントマーク4を用いて特定した。
走査型電子顕微鏡によって得られた画像を図9(a)に、AFMによって得られた画像を図10(a)に、それぞれ示す。
また、偽造防止用表示体1Bの真偽判定用表示部3Aの表面の照合範囲の画像を図9(b)および図10(b)に示す。
図9(a)、(b)、図10(a)、(b)の画像から分かるように、得られた画像は、偽造防止用表示体1A、1Bのいずれにおいても、湾曲した不規則な自己組織化パターンとなっており、鮮明なパターン画像として得られた。
縞状パターンにおける周期は、これらの画像データより算出したところ、44nmであった。
Next, an image of the collation range on the surface of the display unit 3A for authenticity determination of the obtained anti-counterfeit display 1A was acquired in a scanning electron microscope and an AFM phase mode. The collation range was specified using the alignment mark 4.
FIG. 9A shows an image obtained by a scanning electron microscope, and FIG. 10A shows an image obtained by an AFM.
Moreover, the image of the collation range of the surface of the display part 3A for authenticity determination of the display body 1B for forgery prevention is shown in FIG.9 (b) and FIG.10 (b).
As can be seen from the images in FIGS. 9A, 9B, 10A, and 10B, the obtained images are curved and irregular in any of the anti-counterfeit displays 1A and 1B. It was a self-organized pattern and was obtained as a clear pattern image.
The period in the striped pattern was 44 nm as calculated from these image data.

得られた画像データを真正画像データとして登録した。そして、真偽判定を行う処理として、同一サンプルを用いて、再度照合範囲の画像の取得を行った。
その後、登録済の真正画像データと照合したところ、取得した画像は真正画像データに一致した。したがって、真正品と同一の判定対象は、真正品であると判定されることが確認された。
The obtained image data was registered as genuine image data. And as a process which performs authenticity determination, the image of the collation range was acquired again using the same sample.
After that, when it was compared with registered genuine image data, the acquired image matched the genuine image data. Therefore, it was confirmed that the same determination target as the genuine product is determined to be the genuine product.

本発明は、例えば、金券、有価証券、証明印紙、クレジットカード、会員証、高価物品、あるいは非常に微細な半導体関連部品等の真偽判定用途に利用することができる。   The present invention can be used, for example, for authenticity determination such as gold vouchers, securities, certification stamps, credit cards, membership cards, expensive articles, or very fine semiconductor-related parts.

1A、1B、1C、1D 偽造防止用表示体(真偽判定可能な偽造防止用表示体)
2 基材
3A、3B、3C、3D 真偽判定用表示部
4 アライメントマーク
5a シリンダドメイン(周期的な相分離構造、ミクロドメイン)
5c ラメラドメイン(周期的な相分離構造、ミクロドメイン)
6 連続相(周期的な相分離構造)
7A、7C 有機ポリマー(周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマー)
17A、17A’、17A’’、17C、17C’ 有機ポリマー層
8a、8b、8c、8d 細線部
1A, 1B, 1C, 1D Anti-counterfeit display (Anti-counterfeit display capable of authenticity determination)
2 Substrate 3A, 3B, 3C, 3D Authenticity display 4 Alignment mark 5a Cylinder domain (periodic phase separation structure, microdomain)
5c Lamella domain (periodic phase separation structure, microdomain)
6 Continuous phase (periodic phase separation structure)
7A, 7C Organic polymer (Organic polymer capable of self-organizing periodic phase separation structure)
17A, 17A ′, 17A ″, 17C, 17C ′ Organic polymer layers 8a, 8b, 8c, 8d

Claims (15)

基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体であって、
前記真偽判定用表示部は、
線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、金属原子が密集して形成された細線部を有し、
該細線部は、その線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンを形成している、
真偽判定可能な偽造防止用表示体。
An anti-counterfeit display body capable of authenticity determination comprising a base material and a display unit for authenticity determination provided along the base material,
The display unit for authenticity determination is
It has a thin line portion that is formed in a curved line or a broken line shape with a non-uniform line width, and in which metal atoms are densely formed,
The fine line portion forms a fingerprint-like pattern including a striped pattern arranged in parallel with a pitch wider than the line width.
Anti-counterfeit display that can determine authenticity.
前記縞状パターンにおける前記細線部のピッチは、
10nm以上100nm以下である
ことを特徴とする、請求項1に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
The pitch of the thin line portions in the striped pattern is
The display body for forgery prevention capable of authenticity determination according to claim 1, wherein the display body is 10 nm or more and 100 nm or less.
前記細線部の間の前記基材上には、周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマーが配置されており、
前記縞状パターンにおける前記細線部のピッチは、
前記周期的な相分離構造のピッチに一致している
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
On the base material between the thin wire portions, an organic polymer capable of forming a periodic phase separation structure in a self-organized manner is disposed,
The pitch of the thin line portions in the striped pattern is
The counterfeit-preventing display body capable of authenticity determination according to claim 1 or 2, wherein the display body matches the pitch of the periodic phase separation structure.
前記周期的な相分離構造が、
シリンダ構造またはラメラ構造である
ことを特徴とする請求項3に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
The periodic phase separation structure is
4. The forgery prevention display body capable of authenticity determination according to claim 3, wherein the display body has a cylinder structure or a lamella structure.
前記有機ポリマーの層厚が、
10nm以上100nm以下である
ことを特徴とする、請求項3または4に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
The layer thickness of the organic polymer is
5. The forgery prevention display body capable of authenticity determination according to claim 3 or 4, wherein the display body is 10 nm or more and 100 nm or less.
前記細線部は、
前記基材上に付着された前記金属原子の単体または前記金属原子を含む化合物によって形成されている
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
The thin line portion is
The forgery prevention display body capable of authenticity determination according to claim 1 or 2, wherein the display body is made of a simple substance of the metal atoms or a compound containing the metal atoms attached on the base material.
前記指紋状パターンが形成された範囲内の前記基材上に、
前記指紋状パターンと一定の位置関係にあるアライメントマークが形成されている
ことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体。
On the substrate within the range where the fingerprint pattern is formed,
The counterfeit prevention display body according to any one of claims 1 to 6, wherein an alignment mark having a fixed positional relationship with the fingerprint pattern is formed.
基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法であって、
周期的な相分離構造を自己組織的に形成可能な有機ポリマーを基材上に塗布する塗布工程と、
前記基材上に塗布された前記有機ポリマーを加熱することにより、線幅が不均一な曲線状または折れ線状に延ばされるとともに、前記線幅よりも広いピッチで並行するように配列された縞状パターンを含む指紋状パターンを描くミクロドメインを有する相分離構造を自己組織的に形成するパターン形成工程と、
前記相分離構造のうち前記ミクロドメインに、金属原子を選択的に導入することにより、前記ミクロドメインに沿って前記金属原子が密集した細線部を形成する金属原子導入工程と、
を含み、
これらの工程を実行することにより、前記指紋状パターンを描く前記細線部を有する真偽判定用表示部を、前記基材に沿って形成する、
真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法。
A method for producing an anti-counterfeit display capable of determining authenticity comprising a base material and a display unit for authenticity determination provided along the base material,
An application step of applying an organic polymer capable of forming a periodic phase-separated structure in a self-organized manner onto a substrate;
By heating the organic polymer coated on the base material, the line width is extended in a non-uniform curve shape or a broken line shape, and stripes are arranged in parallel at a pitch wider than the line width. A pattern forming step of self-organizing a phase-separated structure having a microdomain that draws a fingerprint-like pattern including a pattern; and
A metal atom introduction step of forming a fine line portion in which the metal atoms are densely arranged along the microdomain by selectively introducing metal atoms into the microdomain of the phase separation structure;
Including
By executing these steps, a display unit for authenticity determination having the fine line portion that draws the fingerprint pattern is formed along the base material.
A method for producing an anti-counterfeit display capable of determining authenticity.
前記金属原子導入工程の後に、
前記有機ポリマーを前記基材上から除去して、前記金属原子または前記金属原子を含む化合物からなる前記細線部を前記基材上に付着させる有機ポリマー除去工程を実行する
ことを特徴とする、請求項8に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法。
After the metal atom introduction step,
The organic polymer is removed from the base material, and an organic polymer removal step is performed in which the thin wire portion made of the metal atom or the compound containing the metal atom is attached to the base material. Item 9. A method for producing an anti-counterfeit display body capable of determining authenticity according to Item 8.
前記縞状パターンにおける前記周期的な相分離構造のピッチは、
10nm以上100nm以下であり、
前記有機ポリマーの層厚が、
10nm以上100nm以下である
ことを特徴とする、請求項8または9に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法。
The pitch of the periodic phase separation structure in the striped pattern is
10 nm or more and 100 nm or less,
The layer thickness of the organic polymer is
The method for producing a forgery-preventing display body capable of authenticity determination according to claim 8 or 9, wherein the display body is 10 nm or more and 100 nm or less.
前記周期的な相分離構造が、
シリンダ構造またはラメラ構造である
ことを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法。
The periodic phase separation structure is
The method for producing an anti-counterfeit display body capable of authenticity determination according to any one of claims 8 to 10, wherein the display body has a cylinder structure or a lamella structure.
前記塗布工程の前に、
前記基材上にアライメントマークが形成するアライメントマーク形成工程を実行する
ことを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法。
Before the coating process,
The method for producing an anti-counterfeit display body capable of authenticity determination according to any one of claims 8 to 11, wherein an alignment mark forming step of forming an alignment mark on the substrate is executed.
基材と、該基材に沿って設けられた真偽判定用表示部と、を備える真偽判定可能な偽造防止用表示体であって、
前記真偽判定用表示部は、請求項8〜12のいずれか1項に記載の真偽判定可能な偽造防止用表示体の作製方法を用いて製造された、
真偽判定可能な偽造防止用表示体。
An anti-counterfeit display body capable of authenticity determination comprising a base material and a display unit for authenticity determination provided along the base material,
The authenticity determination display unit is manufactured using the method for manufacturing an anti-counterfeit display body capable of determining authenticity according to any one of claims 8 to 12.
Anti-counterfeit display that can determine authenticity.
請求項1〜7に記載のいずれか1項に記載の偽造防止用表示体の真正品における前記真偽判定用表示部の画像を取得し、この取得した画像から読み取った前記指紋状パターンの画像データを、前記偽造防止用表示体の真正画像データとして登録しておき、
判定対象の偽造防止用表示体の真偽判定用表示部の画像を取得し、この取得した画像から読み取った指紋状パターンの画像データを、予め登録されている前記真正画像データと照合することにより、判定対象の真偽を判定する、
真偽判定方法。
An image of the fingerprint pattern obtained by acquiring an image of the authenticity determination display portion in the authentic product of the anti-counterfeit display body according to any one of claims 1 to 7, and reading from the acquired image The data is registered as the authentic image data of the anti-counterfeit display,
By acquiring an image of the authenticity determination display portion of the forgery prevention display object to be determined, and collating image data of the fingerprint pattern read from the acquired image with the genuine image data registered in advance , Determine the authenticity of the determination target,
Authenticity determination method.
前記真偽判定用表示部の画像は、
走査型電子顕微鏡、または原子間力顕微鏡によって取得する
ことを特徴とする、請求項14に記載の真偽判定方法。
The image of the authenticity determination display section is:
The authenticity determination method according to claim 14, wherein the authenticity determination method is obtained by a scanning electron microscope or an atomic force microscope.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007276444A (en) * 2006-03-17 2007-10-25 Ricoh Co Ltd Identification device, and identification medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007276444A (en) * 2006-03-17 2007-10-25 Ricoh Co Ltd Identification device, and identification medium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WARD A. LOPES AND HEINRICH M. JAEGER: "Hierarchical self-assembly of metal nanostructures on diblock copolymer scaffolds", NATURE, vol. Vol. 414, JPN6017049759, 13 December 2001 (2001-12-13), pages pp. 735 - 738 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020167295A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 国立大学法人東北大学 Manufacturing method of fine wiring structure and manufacturing apparatus of fine wiring structure
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