JP2015159230A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 32
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 6
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000004482 other powder Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
Description
太陽電池の受光面において、このような受光面電極が形成された部分は遮光部分(非受光部分)となる。このため、受光面電極を従来よりも細線化すればそれだけ遮光部分が減少し、セル単位面積あたりの受光面積が拡大されて、セル単位面積あたりの出力を向上させることができる。しかしながら、このとき、細線化された分だけ電極を嵩高く(厚く)しないと電極のライン抵抗が増加してしまい、その分だけ太陽電池の出力特性が低下してしまう。従って、受光面電極の細線化には、電極厚みの向上、即ち高アスペクト比(電極における厚みと線幅との比(厚み/線幅)を大きくすること。以下同じ。)が同時に求められる。
また、スクリーン製版は開孔部にスクリーン紗(メッシュ)を備えるため、高粘度のペーストを用いると目詰まりを起こしやすく、高粘度のペーストを用いた印刷を行うことができなかった。そのため、印刷後の電極パターンは厚みにムラが生じ易く、嵩高く印刷すると印刷後のペーストがダレて線幅が広がる等し、十分な細線化を実現することができなかった。
そこで本発明はかかる状況に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、細線化された電極パターンを生産性よく印刷できる太陽電池の製造方法を提供することである。
かかる構成によると、製版上にペーストを均一に供給することができ、スクレーパーを使用せずとも、外観不良の発生をより一層抑制して、太陽電池の電極を形成することができる。
かかる構成によると、簡便に、製版上にペーストを均一に供給することができる。したがって、上記の太陽電池の電極を、外観不良の発生を抑制しつつ、歩留まり良く形成することができる。また、かかるノズル吐出型のペーストディスペンサーとして、例えば、ハンドガンタイプのペーストディスペンサーを用いることができ、高価な設備を用意することなく簡便にペーストの供給を実現することもできる。
かかるペーストによると、印刷によって半導体基板の表面に電極を形成するのに好適な粘度特性を示す。従って、より好適に所定の電極パターンで所望のアスペクト比の細線状の電極(特に、集電用のグリッド電極)を形成することができる。
かかる構成によると、印刷を実施することにより、例えば線幅が60μm以下(より好ましくは55μm以下、特には50μm以下)であって厚みが15μm以上(より好ましくは20μm以上)の所定パターンの電極を半導体基板の表面に形成することができる。従って、ここで開示される製造方法は、受光面電極の細線化と高アスペクト比とを実現した太陽電池を製造するために好ましく採用することができる。
具体的には、この種の太陽電池10は、p型結晶シリコンからなるシリコン基板(p−Si層)11の受光面側11Aにpn接合形成により形成されたn−Si層16を備え、その表面にはCVD等により形成された酸化チタンや窒化シリコン等から成る反射防止膜14と、銀(Ag)粉末等を含む電極形成用ペーストから形成される受光面電極12とを備える。
グリッド電極12Bは、受光により生成した光生成キャリア(正孔及び電子)を収集するため多数本形成されている。バスバー電極12Aはグリッド電極12Bにより収集されたキャリアを集電するための接続用電極である。従って、上述のとおり、かかる受光面11A側に設けられるバスバー電極12Aとグリッド電極12B(特に数の多いグリッド電極12B)をできるだけ細線化することにより、太陽電池10の光電変換効率を高め、高出力化を図ることができる。
なお、かかる太陽電池10に関し、本質的な構成については、従来の太陽電池と同様である。そのため、かかる従来と同様の構成および従来と同様の材料の使用、さらには従来と同様の太陽電池の製法に関しては、本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
かかる焼成によって、受光面電極(典型的にはAg電極)12および裏面側外部接続用電極(典型的にはAg電極)22とともに、焼成アルミニウム電極20が形成され、また同時に、図示しないAl−Si合金層が形成されるとともにアルミニウムがシリコン基板11に拡散して上述したp+層(BSF層)24が形成され、太陽電池10が製造される。
なお、上記のように同時焼成する代わりに、例えば受光面11A側の受光面電極(典型的にはAg電極)12を形成するための焼成と、裏面11B側のアルミニウム電極20および外部接続用電極22を形成するための焼成とを、別々に実施してもよい。
(2)第1の半導体基板11aの表面11Aに、所定パターンに対応する線状の開口部60aを備えた製版60を配置する。
(3)上記(1)で用意したペースト50を、上記製版60の第1の端部P1であって、印刷方向Dに直交する幅方向で上記開口部60aが内包される領域の端部に供給する。
(4)上記(3)で供給されたペースト50を、製版60の第1の端部P1から対向する第2の端部P2に、開口部60aを通過させつつスキージ70により移動させることで、第1の半導体基板11aへ第1の印刷を行う。
(5)第2の前記半導体基板11bの表面11Aに第1の印刷後の製版60を配置する。
(6)移動されたペースト50を、第2の端部P2から対向する第1の端部P1に、開口部60aを通過させつつスキージ70により移動させることで、第2の半導体基板11bへ第2の印刷を行う。
(7)印刷されたペースト50を焼成し、所定パターンの電極12を形成する。
ここで開示される電極形成用ペーストは、従来のこの種のペースト材料(導体ペースト)と同様に、導電性粉末と、該粉末を分散させるための有機ビヒクル成分とを主体に構成される材料を用いることができる。
該ペーストの固形分の主体をなす「導電性粉末」としては、太陽電池の電極を形成するに好適な導電性を示す導電性材料からなる粉末を特に制限なく使用することができる。典型的には、銀(Ag),白金(Pt),パラジウム(Pd),金(Au)等の貴金属の単体およびこれらの合金(Ag−Pd合金、Pt−Pd合金等)、ならびに上記貴金属と他の金属との合金等からなるものが好適な例として挙げられる。コストや電気的抵抗の低さ等の観点から、典型的には銀又は銀主体の合金からなる粉末(以下、これらを総称して「Ag粉末」という。)が特に好ましく用いられる。
導電性粉末を構成する粒子の形状は特に限定されないが、典型的には、球状、麟片状、円錐状、棒状のもの等を好適に使用することができる。もちろん不定形状のものを用いることもできる。充填性がよく緻密な受光面電極を形成しやすい等の理由から、球状もしくは鱗片状の粒子を用いることが好ましい。使用する導電性粉末としては、粒度分布のシャープな(狭い)ものが好ましい。例えば、粒子径10μm以上の粒子を実質的に含まないような粒度分布のシャープな導電性粉末が好ましく用いられる。この指標としてレーザ散乱・回折法に基づく体積基準の粒度分布における累積10%時の粒径(D10)と累積90%時の粒径(D90)との比(D10/D90)を採用することができる。導電性粉末を構成する粒子径が全て等しい場合は、D10/D90の値は1となり、逆に粒度分布が広くなる程このD10/D90の値は0に近づくことになる。D10/D90の値が0.2以上(例えば0.2〜0.5)であるような、比較的狭い粒度分布の粉末の使用が好ましい。
このような平均粒子径及び粒子形状を有する導電性粉末を用いたペーストは、導電性粉末の充填性がよく、緻密な電極を形成し得る。このことは、受光面上に細かい配線パターンを形状精度よく形成するにあたって有利である。
有機バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系高分子、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等をベースとする有機バインダが好適に用いられる。特にセルロース系高分子(例えばエチルセルロース)が好ましく、特に良好なスクリーン印刷を行うことができる粘度特性を実現することができる。
有機ビヒクルを構成する溶媒として好ましいものは、沸点がおよそ200℃以上(典型的にはほぼ200〜260℃)の有機溶媒である。沸点がおよそ230℃以上(典型的にはほぼ230〜260℃)の有機溶媒がより好ましく用いられる。特に好ましい溶剤成分として、ブチルカルビトール(BC)、ブチルカルビトールアセテート(BCA)、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート等が挙げられる。
また、上記有機ビヒクルの含有割合は、ペースト全体を100質量%としたときの5〜20質量%となる量が適当であり、10〜20質量%(特に10〜15質量%)となる量が好ましい。
また、有機ビヒクル成分のうち有機バインダは、導電性粉末100質量部に対して15質量部以下(典型的には1〜10質量部)の割合で含有されることが好ましい。特に好ましくは、導電性粉末100質量部に対して5〜10質量部の割合で含有される。
なお、各成分の含有率に係る上記数値範囲は厳密に解釈すべきでなく、本発明の目的を達成し得る限りにおいて、かかる範囲からの若干の逸脱を許容するものである。
なお、ガラス粉末その他のセラミック粉末の含有割合は、ペースト全体を100質量%としたときの10質量%以下が適当であり、典型的には5質量%以下(例えば1〜5質量%程度)である。
回転速度:10rpmにおける粘度:η10が一定であるとした場合、上記回転速度:50rpmにおける粘度η50が低くなるにつれて上記粘度比:η10/η50の値は大きくなる。かかる回転速度:50rpm(即ち、ずり速度が回転数10rpmの場合よりも大きい場合)における粘度η50が低くなるということは、ペーストをスクリーン印刷する際のようなずり速度が上昇している場合には種々のスクリーン印刷用マスク(典型的にはメタルマスク)からのペーストの「抜け」即ち流出が良好であるということを示している。特にスクリーン印刷法の採用によって太陽電池のセルを構成する半導体基板の受光面にスクリーン印刷用のマスクを介してペースト材料を付与(供給)する場合(具体的にはスキージを用いてマスクの開口部にペースト材料を充填させるとき)に好ましい粘度特性である。良好な流動性を示して当該マスクからのペーストの「抜け」がよいからである。
即ち、焼成するまでの間に受光面に塗布された配線パターンの形状が滲みにくいので、形状精度のよい電極パターンを形成することができる。なお、上記粘度比(η10/η50)の値が大きすぎると、ペーストのレベリング性が全般に低下傾向となるため好ましくない。
次いで、図1Aの(イ)に示すように、第1の半導体基板11aの表面11Aに、所定パターンに対応する線状の開口部60aを備えた製版60を配置する。
かかる製版60としては、従来この種の印刷により用いられてきた各種の製版を使用することができる。例えば、電極パターン形成技術として代表的な、いわゆるスクリーン印刷の手法に用いられる、スクリーン製版(メッシュ版)やマスク製版等の、各種の製版を用いることができる。
スクリーン製版とは、本質的には、スクリーン紗(メッシュ)を製版枠内に張りつけた構成であって、かかるスクリーン紗に所望の印刷パターンに対応した開口部(網目)を残して乳剤を付与したものである。この網目を電極形成用ペーストが通過し、基板の表面に付着することで、印刷体を形成することができる。本発明においては、比較的開口の大きいスクリーン紗を用いて印刷することができる。
特に制限されるものではないが、ここに開示される製造方法においては、好適な一例として、エッチング処理やレーザ加工によって正確な形状で電極パターンに対応する開口部が形成されたメタルマスク製版を使用することが挙げられる。以下では、比較的薄く柔軟性のあるメタルマスク製版を用いて、非コンタクト印刷した場合を主たる例として説明を行う。
なお、製版60がスクリーン製版の場合は、常法に従い、第1の半導体基板11aの表面11Aに、所定のクリアランスを設けて、第1の半導体基板11aの上方に製版60を配置することができる。また、製版60がマスク製版の場合は、第1の半導体基板11aの表面11Aに接触するように製版60を配置(すなわちコンタクト印刷)しても良いし、スクリーン製版と同様に所定のクリアランスを設けて配置(すなわち非コンタクト印刷)するようにしてもよい。なお、クリアランスを設けて配置する場合には、後述のスキージ70の移動により当該マスク製版と基板11とのコンタクトおよび版離れ可能なように、当該マスク製版を柔軟性が高くなるよう構成することが好ましい。
ここで、上記で用意したペースト50を、例えば、図2に示したように、製版60の第1の端部P1であって、印刷方向Dに直交する幅方向で上記開口部60aが内包される領域の端部に供給する。かかるペースト供給領域は、後工程の印刷の際にペースト50が全ての開口部60a上を通過し得る領域であればよい。ここで第1の端部P1は、製版60の印刷方向Dの手前側の端部である。
しかしながら、これらの手法によると、供給されたペースト50の表面高さを上記の範囲に収めるのは困難な場合があり得る。というのは、例えば、上記のとおりの粘度η20を満足するペースト50は、比較的粘度が高い。したがって、ヘラを用いてペースト50を供給することは、作業者の熟練度等によって精度を保つのが困難であり得る。また、例えば、テレビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイ印刷やハンダ印刷等に使用されている汎用のペースト自動供給装置では、このような高粘度のペースト50を、ペースト供給量を好適に制御しつつ供給することが困難であるためである。また、かかるペースト自動供給装置は比較的高価であり、かかる装置の駆動のための電力等も必要とされる。
ここでは、上記のとおり供給されたペースト50を、製版60の第1の端部P1から対向する第2の端部P2に、開口部60aを通過させつつスキージ70により移動させることで、第1の半導体基板11aの印刷を行う。スキージ70としては、汎用されている各種のものを用いることができる。例えば、一例として、硬度が60度から90度程度(例えば、60度から80度程度)であって、ウレタンゴムやシリコンゴム、合成ゴム、金属、プラスチック等からなるスキージ70を用いることが挙げられる。スキージ70の先端形状についても特に制限されず、平型、角型、剣型等のものを用いることができる。
ここで、スキージ70は、図1Aの(イ)に示されるとおり、製版60の第1の端部P1に供給されたペースト50よりも、製版60外側の位置P11に当接させる。そして、図1Aの(ロ)に示されるとおり、第1の端部P1に対向し、開口部60aを通過した第2の端部P2にまで移動させる。かかる移動に際し、コンタクト印刷の場合は製版60と基板11aとが接触しているため、スキージ70は製版60の表面を水平に移動させることで良い。また、非コンタクト印刷の場合は、スキージ70で製版60を押圧して製版60と基板11aとを接触させながら、スキージ70を端部P2にまで移動させる。このときペースト50は、製版60とスキージ70との間で回転(ローリング)しながら搬送される。このローリングにより、適切な量のペースト50が開口部60aに充填され、第1の半導体基板11aの表面に付着される。これにより、第1の半導体基板11aの電極パターンの印刷を行うことができる。なお、スキージ70は、ペースト50よりも製版60内側の位置P21に配置される。
このようなスムーズなスキージの移動により、効率よく正確なサイズ(線幅)でペーストを印刷することができる。
上記の第1の印刷後は、図1Aの(ハ)に示されるとおり、第2の半導体基板11bの表面11Aに、第1の印刷後の製版60を配置する。
このとき、非コンタクト印刷の場合は、製版60が半離れにより第1の半導体基板11aの表面11Aからクリアランスを保って上方に位置しているため、第1の半導体基板11aを製版60の下から移動させ、製版60の下に第2の半導体基板11bを搬送すればよい。
また、コンタクト印刷の場合は、製版60を第1の半導体基板11aの表面11Aから上方に移動させ、かかる状態で第1の半導体基板11aを製版60の下から移動させ、製版60の下に第2の半導体基板11bを搬送する。その後、第2の半導体基板11bの表面11Aに製版60を設置すればよい。
次いで、第2の端部P2にまで移動されたペースト50を、第2の端部P2から対向する第1の端部P1に、開口部60aを通過させつつスキージ70により移動させることで、第2の半導体基板11bへ第2の印刷を行う。ここで、スキージ70は、適時に、図1Aの(ロ)に示されるとおり、ペースト50よりも製版60内側の位置P21に配置されていたものを、図1A(ハ)〜図1B(二)に示されるように、上方に持ち上げてペースト50よりも製版60外側の位置P22に移動させておく。その後、引き続き、図1B(ホ)に示されるように、スキージ70を第1の端部P1にまで移動させる。この時のスキージ70の移動は、上記の第1の印刷とは逆方向である以外は同様に行うことができる。これにより、ペースト50は製版60とスキージ70との間で回転(ローリング)しながら搬送される。このローリングにより、適切な量のペースト50が開口部60aに充填され、第2の半導体基板11bの表面に付着される。そして、第2の半導体基板11bの電極パターンの印刷を行うことができる。なお、スキージ70は、ペースト50よりも製版60内側の位置P12に配置される。したがって、適時に、図1B(へ)〜図1A(イ)に示されるように、スキージ70を上方に持ち上げてペースト50よりも製版60外側の位置P11に移動させることができる。
半導体基板11に印刷されたペースト50を焼成することで、所定のパターンの電極12とすることができる。かかる焼成の条件は、上記に説明したとおりである。また、このように印刷されたペースト50は、上記のように半導体基板11の裏面11B側に印刷されたアルミニウム電極20および外部接続用電極22を形成するためのペーストと同時に焼成するようにしても良い。
以上のようにして、スキージ70を製版60の第1の端部P1と第2の端部P2との間を一往復させる間に、第1の半導体基板11aおよび第2の半導体基板11bの2枚に電極パターンを連続的に印刷することができる。
そしてまた、新たな半導体基板を第1の半導体基板11aおよび第2の半導体基板11bとして所望の数だけ用意し、上記の(4)〜(6)の工程を繰り返して実施することで、所望の数の半導体基板11に電極パターンを連続印刷することができる。なお、製版60上のペーストの量が少なくなってきた場合には、適宜上記(3)の工程を実施して、ペーストを追加すればよい。
(実施態様1)
[電極形成用ペーストの用意]
以下の手順で電極形成用ペーストを調製した。すなわち、導電性粉末としては、平均粒径が2μmであるAg粉末を用いた。有機ビヒクル成分としては、樹脂成分としてエチルセルロースを含むビヒクルを使用した。また、ガラスフリットとして、電子材料分野で電極形成用ペーストの調製の際によく用いられる一般的なホウケイ酸鉛ガラス粉末(平均粒径:0.5〜1.6μm)を使用した。そして、これらの材料の配合比を、Ag粉末85質量%、ガラスフリット3質量%および有機ビヒクル12質量%の割合で配合し、三本ロールミルを用いてよく混練することで、電極形成用ペーストとした。
なお、Ag粉末の平均粒子径は、レーザ回折・散乱式の粒子径分布測定装置(株式会社堀場製作所製品:LA−920)により測定される体積基準の粒度分布における積算50%粒径である。
なお、ペーストの粘度は、ブルックフィールド社製の回転粘度計(HBT型 DV III+)により、4番スピンドル(スピンドル「SC−4−14」)を使用し、25℃で各回転速度(10,20,50rpm)において測定した値である。
また、比較のために、市販の太陽電池のグリッド電極形成用の銀ペースト((株)ノリタケカンパニーリミテド製、NP−4694A1)を用意した。かかる比較のペーストの粘度を、回転速度10rpm、20rpm及び50rpmにて測定し、粘度:η10、η20、η50および粘度比:η10/η50を得た。その結果、比較のペーストのη20は230Pa・s、η10/η50は3.4であった。
上記で得られた電極形成用ペーストと比較のペーストとを用い、スクリーン印刷法により、太陽電池素子の受光面電極(即ち、グリッド電極とバスバー電極からなる櫛型電極)を形成した。
すなわち、市販の156mm四方(6インチ角)の太陽電池用p型単結晶シリコンウェハ基板(板厚200μm)を用意し、その表面(受光面)をNaOH水溶液によりアルカリエッチング処理してダメージ層を除去するとともに、凹凸のテクスチャ構造を形成した。次いで、上記テクスチャ構造面に対してリン含有溶液を塗布し、熱拡散処理を行なうことによって、この基板の受光面に厚さが約0.3μm〜0.4μmのn−Si層(n+層)を形成した。次いで、このn−Si層上に、プラズマCVD(PECVD)法により厚みが50nm〜100nm程度の窒化ケイ素膜を製膜し、反射防止膜とした。
具体的には、図4に示したように、3本の相互に平行な直線状バスバー電極と、このバスバー電極に直交するようにして相互に平行な67本のグリッド電極とからなる電極パターンを印刷にて形成した。グリッド電極は、下記の表1に示すように、設計線幅が25〜45μmに設定された製版を用いて印刷することにより形成した。また、バスバー電極は、目標とする線幅が1.5mmとなるように印刷した。
そして、形成されたグリッド電極の形状を調べることで、印刷精度を評価した。具体的には、100μmの長さのグリッド電極の横断面において、その幅および高さを、かかるグリッド電極を10μm毎に分割した位置においてレーザ顕微鏡にて測定した。その結果を表2〜4に示すとともに、幅および高さの平均値と標準偏差を表1に示した。
また、サンプル1〜3のグリッド電極の形状の比較から、ここに開示される方法においてより細い設計線幅のマスク製版を用いることで、より線幅が細く、より嵩高で、アスペクト比の高いグリッド電極を、精度よく形成できることが確認された。例えば、平均線幅が約43μm(その標準偏差は1.80μm)であって、平均高さが約18μm(その標準偏差は0.63μm)、アスペクト比が約0.42(その標準偏差は0.03)のグリッドラインが形成できた。
太陽電池のグリッド電極を印刷により形成するに際し、電極形成用ペーストの製版上への供給の仕方と、印刷方法、および、作業者の熟練度の条件を、下記の表6に示すように、様々に変化させてグリッド電極を形成した基板を各200枚ずつ印刷した。これにより形成されたグリッド電極の外観への影響について検討した。
かかる電極形成用ペーストの製版上への供給の仕方は、上記の実施態様1と同様に作業者がディスペンサーを用いて供給した場合を、表6の「ペースト供給」の欄に「ディスペンサー」と示し、作業者がヘラを用いて電極形成用ペーストをすくい取り、版上に供給した後、均一にならした場合を「ヘラ」と示した。
電極形成用ペーストの印刷の仕方は、上記の実施態様1のサンプル1と同様にここに開示される方法に沿って印刷した場合を、表6の「印刷方法」の欄に「本発明」と示し、上記の実施態様1のサンプル4と同様に従来のスクリーン印刷方法に沿って印刷した場合を「従来法」と示した。
また、作業者には、熟練度の高いAと、熟練度の低いBと、その中間の熟練度のCとを選んだ。
また、評価に関しては、外観不良率が20%以上の場合を×とし、外観不良率が5%以上20%未満の場合を○とし、外観不良率が5%未満の場合を◎として、表6に示した。
一方の、ここに開示される方法に従って印刷することで、製版を通過するペースト量を好適に制御することができ、ダレや滲みを発生させずに細く嵩高い電極を形成することができた。したがって、形成されるグリッド電極の外観不良率が低く抑えられることが確認できた。
なお、ここに開示される方法において、ディスペンサーを用いてペーストの供給を行うことで、製版を通過するペースト量をより精密に制御することができ、極めて印刷精度の高い印刷を行え、高品質なグリッド電極を形成できることが分かった。また、かかる方法によると、作業者の熟練度のばらつきがほとんど発生しないことも確認された。
太陽電池のグリッド電極を印刷により形成するに際し、電極形成用ペーストを製版上へ供給する際に用いるディスペンサーの口径を変化させて、その他は実施態様1のサンプル1と同様にして、グリッド電極を形成した基板を各200枚ずつ印刷した。これにより形成されたグリッド電極の外観への影響について検討した。
すなわち、電極形成用ペーストとしては、上記実施態様1で調製したサンプル1の電極形成用ペーストを用いた。そして、下記の表7に示すように、かかる電極形成用ペーストを製版上に供給する際に用いたディスペンサーの口径を変化させた。表7には、楕円形のディスペンサーの口径を、「短径×長径」として示した。また、併せて、製版上に供給されたペーストの、製版からの表面高さを測定し、その結果を表7に示した。
また、生産性に関し、2000枚の6インチ太陽電池基板に電極パターンを印刷したときに、ディスペンサーで製版上に電極形成用ペーストを供給した回数を調べた。そして、供給回数が8回以上の場合を×とし、供給回数が5回以上7回以下の場合を○とし、供給回数が1回以上4回以下の場合を◎として、表7に示した。なお、本実施態様においては、生産性が×となる例はなかった。
11 半導体基板(シリコン基板)
11A 受光面(表面)
11B 裏面
12 受光面電極
12A バスバー電極
12B グリッド電極
14 反射防止膜
16 n−Si層
20 アルミニウム電極
22 外部接続用電極
24 p+層
Claims (6)
- 半導体基板と前記半導体基板の表面に印刷された所定パターンの線状の電極とを備える太陽電池を製造する方法であって、
前記電極を形成するための電極形成用ペーストを用意すること、
第1の前記半導体基板の表面に、前記所定パターンに対応する線状の開口部を備えた製版を配置すること、
前記ペーストを、前記製版の第1の端部であって、印刷方向に直交する幅方向で前記開口部が内包される領域の端部に供給すること、
前記供給されたペーストを、前記製版の前記第1の端部から対向する第2の端部に、前記開口部を通過させつつスキージにより移動させることで、前記第1の半導体基板へ第1の印刷を行うこと、
第2の前記半導体基板の表面に前記第1の印刷後の製版を配置すること、
前記移動されたペーストを、前記第2の端部から対向する前記第1の端部に、前記開口部を通過させつつスキージにより移動させることで、前記第2の半導体基板へ第2の印刷を行うこと、
前記印刷されたペーストを焼成し、前記所定パターンの電極を形成すること、
を包含する、太陽電池の製造方法。 - 前記製版は、前記開口部にメッシュを備えないマスク版である、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記印刷方向が、前記開口部に平行な方向であって、
前記ペーストを、前記製版からの表面高さが0.5mm以上10mm以下となるように、前記供給されたペーストの前記印刷方向に直交する幅方向に供給する、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記ペーストを、ノズル吐出型のペーストディスペンサーにより供給する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ペーストは、
導電性粉末と該粉末を分散させる有機ビヒクル成分とを含み、
回転速度が20rpmのときの粘度が200Pa・s以上400Pa・s以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。 - 線幅が60μm以下であって厚みが15μm以上である前記線状の電極を前記半導体基板の受光面に形成する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033997A JP6062383B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 太陽電池の製造方法 |
TW103145608A TW201533919A (zh) | 2014-02-25 | 2014-12-26 | 太陽電池的製造方法 |
CN201510087428.9A CN104868009B (zh) | 2014-02-25 | 2015-02-25 | 太阳能电池的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033997A JP6062383B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015159230A true JP2015159230A (ja) | 2015-09-03 |
JP6062383B2 JP6062383B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=53913708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014033997A Expired - Fee Related JP6062383B2 (ja) | 2014-02-25 | 2014-02-25 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6062383B2 (ja) |
CN (1) | CN104868009B (ja) |
TW (1) | TW201533919A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427922A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 苏州易益新能源科技有限公司 | 一种在晶体硅表面制备绒面的方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017217874A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社コベルコ科研 | スクリーン印刷用メッシュ部材及びスクリーン印刷版 |
TWI689170B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-03-21 | 財團法人工業技術研究院 | 太陽能電池 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012054517A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Noritake Co Ltd | 太陽電池の製造方法と該方法に用いられる電極形成用ペースト材料 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103171259B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-09-23 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 太阳能电池电极印刷网板及其印刷方法 |
CN203019804U (zh) * | 2012-12-27 | 2013-06-26 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种用于太阳能电池丝网印刷的装置 |
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014033997A patent/JP6062383B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-26 TW TW103145608A patent/TW201533919A/zh unknown
-
2015
- 2015-02-25 CN CN201510087428.9A patent/CN104868009B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201533919A (zh) | 2015-09-01 |
CN104868009A (zh) | 2015-08-26 |
JP6062383B2 (ja) | 2017-01-18 |
CN104868009B (zh) | 2018-01-09 |
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